JPH10289447A - 情報記録媒体とその初期化方法及び初期化装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 書き換え可能な相変化光記録媒体の従来の初
期結晶化方法では、初期化用ビームスポットの重ねムラ
による反射率ムラが生じ、記録特性が悪くなるという問
題があった。また、グルーブの深いディスクにおいては
オートフォーカスがかからないという問題があった。 【解決手段】 短波長で記録媒体への記録波長に近い波
長の高出力半導体レーザを用い、そのビームスポット９
の長手方向を記録トラック１０方向に対してほぼ直角に
なるように配置した状態で初期化を行なった。さらに、
初期化ビームをデフォーカスした。 【効果】 グルーブの深いディスクにおいてもビームス
ポットの重なりムラによる反射率ムラを防止することが
でき、短時間でかつ確実な初期結晶化が行えた。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はレーザ光等の記録用
ビームによって、たとえば映像や音声などのアナログ符
号をＦＭ変調したものや、たとえば電子計算機のデータ
や、ファクシミリ信号やディジタルオーディオ信号など
のディジタル情報を、リアルタイムで記録することが可
能な情報記録媒体の初期化方法及び初期化装置に関する
ものである。

【０００２】

【従来の技術】結晶−非晶質間の相変化を利用して情報
の記録を行う相変化型光ディスクにおいて、記録するレ
−ザ照射時間とほぼ同じ程度の時間で結晶化が行える高
速消去が可能な記録膜を用いた場合には、１つのエネル
ギ−ビ−ムのパワ−を、いずれも読み出しパワ−レベル
より高い２つのレベル、すなわち高いパワ−レベルと中
間のパワ−レベルとの間で変化させることにより、既存
の情報を消去しながら新しい情報を記録する、いわゆる
オ−バ−ライト（重ね書きによる書き換え）が可能であ
る。このような記録膜を真空蒸着法およびスパッタリン
グ法などで形成した直後（as depo.状態）は少なくとも
一部分が非晶質状態となっているか、または準安定な結
晶状態となっている。このようなas depo.状態は通常、
反射率が低く、オートフォーカスやトラッキングが不安
定になりやすい。そこで、記録膜を予め初期化（初期結
晶化）している。従来は、この初期化の手段の一つとし
て、特開平４−１８６５３０のように、例えば、出力１
〜２Ｗの高出力レーザのビームを長円形の光スポットと
して、その長手方向が記録媒体の半径方向にほぼ一致す
るようにして照射し、記録膜を結晶化温度以上融点以下
の温度範囲になるようして結晶化させていた。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】従来技術を用いて情報
記録媒体の初期化を行なった場合には、確実に初期結晶
化させるために、初期化ビームの送り速度を遅くして記
録媒体上の同一場所に多数回照射を行なう必要があっ
た。その為にディスク全体の初期化に１分以上を要し、
かつビームスポットの重ねムラによる記録トラック上の
反射率ムラが生じ、記録特性が悪くなるという問題があ
った。また、最近は記憶容量２.６ＧＢの大容量の書き
換え型デジタルビデオディスク（ＤＶＤ−ＲＡＭ）の開
発が進められているが、このＤＶＤ−ＲＡＭ用記録媒体
は、記録波長に近い６００ｎｍ〜７００ｎｍ付近に吸収
率が大きくなるように設計されており、従来用いていた
初期化装置の半導体レーザ波長（８１０ｎｍ）では初期
化感度が悪く十分な初期結晶化ができない可能性がでて
きた。さらに、次世代の４.７ＧＢの大容量ＤＶＤ−Ｒ
ＡＭ用記録媒体においては、クロストークを小さくする
ためにグルーブの深さを従来のλ2／６ｎよりも深くす
る可能性がある。ただし、初期化波長をλ１、記録また
は再生波長をλ２とする。この場合に、λ１／４ｎに近
くなって反射率が８％未満となり、自動焦点がかかりに
くくなるという問題も出てくる。

【０００４】従って、本発明の目的は、上記従来技術に
おける問題点を解決し、深溝ディスクにおいても確実な
初期結晶化を行うための情報記録媒体の初期化方法及び
初期化装置を提供することにある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上述した従来技術におけ
る問題点を解決するために、本発明の初期化方法におい
ては、発光波長６００ｎｍ〜７００ｎｍの範囲内にある
所定の波長の高出力半導体レーザを用い、ビームスポッ
トの長手方向が記録トラック方向に対して平行以外の角
度をなすように配置し、ビームスポットを記録トラック
方向に対してほぼ垂直方向に移動させながら初期化を行
なう。発光波長のより好ましい範囲は６８０ｎｍ以上７
００ｎｍ以下の範囲であって、６８５ｎｍ以上６９５ｎ
ｍ以下が高出力を得やすい点で特に好ましい。ここで、
初期化しようとする領域の移動速度（ディスクの場合
は、線速度）が場所によらず一定の場合、ビームスポッ
トの長手方向と記録トラック方向とが交わる角度を、ほ
ぼ９０度に配置して初期化を行なうことにより、最も短
時間で行なえる。そして、ディスク状の記録媒体におい
ては、線速度を大きくしたり、ビームスポットの長手方
向の長さよりも短い範囲でビームスポットの１回転あた
りの半径方向への移動距離（送りピッチ）を大きくする
ことによりさらに短縮できる。また、確実に初期結晶化
を行うためには送りピッチを小さくして、記録媒体の同
一場所に多数回の照射がされ、ビームスポットの送りム
ラ（初期化時にはトラッキングをしていないためにディ
スクの偏心によるビームスポットの重なりムラ）が起こ
り、記録トラックの一周において反射率ムラが生じると
いう問題があるので、本発明では、ビームスポットの焦
点を記録膜上に合わさないで、予めずらして照射してい
る（デフォーカス照射）。

【０００６】これにより、記録媒体上にビームスポット
の焦点が合っている場合に比べて大きくなり（特に、短
径方向の比率が大きくなる）、ビームスポットの送りム
ラによる影響を小さくできる。ここで、デフォーカス方
向は、ビームの入射側から見て記録膜よりも遠いところ
に焦点がくるようにした方が効果が大きかった。さら
に、書き換え後の特性も良好であった。また、ディスク
状の記録媒体において、回転数が一定の場合は、初期化
しようとする半径が大きいほど、レーザのビームパワー
を大きくしたり、ビームスポットの長手方向と記録トラ
ック方向とが交わる角度を小さくしたり、あるいはパワ
ーと角度の両方を変化させれば半径によらず良好な初期
化が行える。また、場合によっては送りピッチを小さく
することも有効である。これらの場合、初期化しようと
する全領域をいくつかの領域に分割し、それぞれの領域
での最適条件で初期化することも、装置が簡単になって
有効である。

【０００７】また、記録媒体によっては、まず最初に記
録膜の融点より低い温度となるようなビームパワーを照
射し、その後で記録膜が融解する融点以上の温度となる
ビームパワーの少なくとも２段階の照射を行なった方が
良い場合がある。また、逆に最初に記録膜が融点に近い
温度となるビームパワーで照射し、その直後に記録膜の
融点より低い温度となるようなビームパワーで照射して
初期化しても良い。

【０００８】本発明では、初期化用のレーザ波長：λ
１、基板の屈折率：ｎとした時、予め基板に形成されて
いるグルーブの深さ：ｄが（λ１／４ｎ）≦ｄ≦（λ１
／２ｎ）を満足する記録媒体であっても良好に初期化が
行えるのが大きな特徴である。

【０００９】特に、（λ１／３.５ｎ）≦ｄ≦（λ１／
２.５ｎ）の深さの記録媒体に効果が大きい。このよう
な深溝基板は、第１世代のＤＶＤ−ＲＯＭと同じ容量で
ある４.７ＧＢ以上のＤＶＤ−ＲＡＭ用記録媒体などに
用いられると予想され、本発明の初期化は必要不可欠と
なる。

【００１０】ビームスポット内に光透過量が減少するあ
るいは屈折率が変化する領域を生じさせるマスク層を設
けて高密度再生または記録を可能する光ディスク媒体を
初期化する場合にも、本発明が適用できる。例えばマス
ク層としてナフタロシアニンなどの色素を用いた場合
や、酸化物などの無機物層を用いた場合などである。

【００１１】本発明に用いる初期化装置は、発光波長６
００ｎｍ〜７００ｎｍの範囲内にある高出力の半導体レ
ーザを搭載し、初期化ビームを記録膜上に集光する手
段、記録媒体を回転させる手段、初期化ビームを記録媒
体に対して相対的に移動させる手段を少なくとも有して
いる。さらに、前記手段に加えて、ビームスポットの焦
点位置を変える手段（デフォーカス手段）、初期化ビー
ムのパワー及び照射時間を制御し記録膜の少なくとも一
部を一時的に融解させる手段のうち少なくとも１つ以上
の手段を有してもよい。特に、高パワーの得やすい初期
化レーザ波長は６９０（±８ｎｍ）である。

【００１２】本発明では、少なくとも基板上に保護層、
光記録膜、中間層、反射層の順に形成した記録媒体を用
いる。この時、各層の膜厚を以下の範囲にすることによ
り良好な特性が得られた。まず、保護層の膜厚は、５０
ｎｍ以上１５０ｎｍ以下が好ましく、特に６０ｎｍ以上
１３０ｎｍ以下が好ましい。光記録膜の膜厚は、１０ｎ
ｍ以上５０ｎｍ以下が好ましく、特に１２ｎｍ以上４０
ｎｍ以下が好ましい。中間層の膜厚は、５ｎｍ以上５０
ｎｍ以下が好ましく、特に１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下が
好ましい。反射層の膜厚は、３０ｎｍ以上４００ｎｍ以
下が好ましく、特に５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下が好ま
しい。用いる記録膜としては、高速結晶化が可能な結晶
−非晶質相変化光記録膜や、非晶質−非晶質間変化を利
用する記録膜、結晶系や結晶粒径の変化などの結晶−結
晶間相変化記録膜が好ましいが、他の記録膜を用いても
よい。特に、Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅ系記録膜やＡｇ-Ｉｎ-Ｓｂ
-Ｔｅ系記録膜などの相変化を利用した記録膜などを用
いれば良い。また、記録膜中に主成分材料よりも高融点
であるＣｒ2Ｔｅ3などの高融点材料を添加した記録膜、
反射層を２層にした記録媒体などを用いれば、記録膜の
流動による記録膜膜厚変化を抑制することができ好まし
い。ここで反射層を２層にした場合の第１層目の膜厚
は、２０ｎｍ以上３００ｎｍ以下が好ましく、特に５０
ｎｍ以上１５０ｎｍ以下が好ましい。第２層目の膜厚
は、３０ｎｍ以上４００ｎｍ以下が好ましく、特に５０
ｎｍ以上３００ｎｍ以下が好ましい。

【００１３】本発明で用いた情報記録媒体は、発光波長
６００ｎｍ〜７００ｎｍの範囲内の所定の範囲の波長の
光源により情報の記録がなされることにより、良好な記
録特性が得られる。媒体評価波長として規格で決められ
ているのは、６４５ｎｍ〜６５０ｎｍの範囲内であり、
この範囲で記録と読み出しの少なくとも一方が行われる
のに特に適する。

【００１４】記録膜を初期結晶化させる際、基板上に記
録膜等の各層を形成し、少なくとも例えば紫外線硬化樹
脂の保護コートをした後で行う方が記録膜へのダメージ
が少なくて好ましい。特に、紫外線硬化樹脂の保護層を
塗布した構造の光記録媒体と保護板とを紫外線硬化樹脂
等の接着剤あるいはホットメルト法などにより密着貼り
あわせを行なった後に行なうのが好ましい。また、前記
光記録媒体同志の密着貼りあわせを行なって両面記録媒
体とした後で両面に照射を行ってもよい。

【００１５】また記録膜を初期化する動作は、記録媒体
のサーティファイ（読み出しによる欠陥検査）と同時、
あるいはその前後に行えば良い。そして、記録膜を初期
化する、あるいは融点の少し下まで昇温する上記の動作
は、メーカーが記録媒体を製造した段階（製造方法に関
する）で行えばよい。

【００１６】また、本発明は、ディスク状のみならず、
カード状などの他の形態の記録媒体にも適用可能であ
る。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、本発明の詳細を実施例を用
いて説明する。

【００１８】実施例１ 図１は、本実施例に用いる案内溝を有する書き換え型光
ディスクの構造断面図を示したものである。まず直径１
２０ｍｍ、厚さ０.６ｍｍの案内溝（トラックピッチ１.
４８μｍ、Ｕ字型溝）を有するポリカーボネート基板１
上に、マグネトロンスパッタリング法によって厚さ約１
１０ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ 保護層２を形成した。次
に、Ｃｒ２Ｇｅ２０Ｓｂ２２Ｔｅ５６の組成の記録膜３
を約２５ｎｍの膜厚に形成した。次にＺｎＳ−ＳｉＯ
中間層４を約２０ｎｍの膜厚に形成した。

【００１９】そして、更にＳｉ層（第１反射層）５を８
０ｎｍ、Ａｌ−Ｔｉ層（第２反射層）６を約１００ｎｍ
形成した。これらの膜形成は同一スパッタリング装置内
で順次行った。その後、この上に紫外線硬化樹脂層７を
塗布した後、２液混合室温硬化型接着剤８で、同じ構造
のもう一枚のディスクとの密着貼りあわせを行った。

【００２０】このようにして作製したディスクの初期化
方法について述べる。本実施例で用いたディスクは、波
長６５０ｎｍ〜７００ｎｍ付近の吸収率が最大となって
いる。

【００２１】そこで、確実な初期結晶化を行なうため
に、本実施例では波長６９５ｎｍの高出力半導体レーザ
（最大出力１Ｗ）を用いた。まずディスクを１２ｍ／ｓ
一定（線速度一定）で回転させ、初期化ビームの焦点が
記録膜面よりも６μｍ程度遠くに合うように照射した
（照射パワー：８００ｍＷ）。この時、第２図に示した
ように、初期化用のビームスポット９の長径方向が記録
トラック１０方向に対してほぼ直交（９０度）するよう
に配置した。これにより、ディスク１回転で最も多くの
領域の初期化が行なえるため、短時間でディスク全面を
初期化することができる。また、ビームスポット９の通
過時間が短いので、通過時間が長い場合に温度が必要以
上に長時間上昇して起こる記録膜の熱変形などを防ぐこ
とができる。次に、このビームスポット９を記録トラッ
ク１０方向に対して垂直方向（半径方向）へ移動させ、
ディスク１回転でビームスポット９が移動する距離（送
りピッチ）と初期化状態との関係を調べた。

【００２２】 送りピッチ 初期化状態 ６μｍ 均一な初期化 １２μｍ 均一な初期化 ２４μｍ 僅かな初期化不足ムラ発生 ３６μｍ 大きな初期化不足ムラ発生 これらの結果から、ビームスポット９の送りピッチを１
２μｍに固定して初期化を行なったところ、ディスク全
面にわたって均一な初期化ができた。

【００２３】ここで、全面初期化に要する時間を短縮す
るための一つの方法として、線速度を大きくすることが
考えられる。すなわち、線速度が大きくすることにより
ビームスポット９の１回転あたりの半径方向への送り速
度が早くなり、ディスク全面の初期化時間が短縮でき
る。また、ビームスポット９の１回転あたりの半径方向
への送りピッチを大きくしても同様な効果が得られる。
このような場合には、レーザのビームパワーを大きくし
たりして同一場所でのビーム照射エネルギーを大きくす
る必要がある。

【００２４】ここでビームスポット９を長径方向が記録
トラック１０方向に対してほぼ直交（９０度）するよう
に配置したが、必ずしも９０度である必要はない。

【００２５】また、記録媒体によっては、まず最初に記
録膜の融点以下の温度となるような強度の光を照射し、
その後で記録膜が融解する融点以上の温度となる強度の
光を照射するという、２段階の照射を行なった方が良い
場合がある。また、逆に最初に記録膜が融解する融点以
上の温度となる強度の光を照射し、次に記録膜の融点以
下の温度となるような強度の光を照射して初期化しても
良い。

【００２６】記録や再生ビームスポット内に光透過量が
減少する領域を生じさせるマスク層を設けて高密度再生
または記録を可能する光ディスク媒体を初期化する場合
にも、本発明が適用できる。例えばマスク層として色素
を用いた場合や、光吸収性の無機物層を用いた場合など
である。

【００２７】本発明に用いる初期化装置は、波長６００
ｎｍ〜７００ｎｍの範囲内にある高出力の半導体レーザ
（出力１Ｗ程度）を搭載し、初期化ビームを記録膜上に
集光する手段、記録媒体を回転させる手段、初期化ビー
ムを記録媒体に対して相対的に移動させる手段を少なく
とも有している。さらに、前記手段に加えて、ビームス
ポットの焦点位置を変える手段（デフォーカス手段）、
初期化ビームのパワー及び照射時間を制御し記録膜の少
なくとも一部を一時的に融解させる手段のうち少なくと
も１つ以上の手段を有してもよい。

【００２８】本発明では、少なくとも基板上に保護層、
光記録膜、中間層、反射層の順に形成した記録媒体を用
いる。この時、各層の膜厚を以下の範囲に設定した。ま
ず、保護層の膜厚は、５０ｎｍよりも薄いとオーバーラ
イトによる記録膜流動が起こりやすくなり、１５０ｎｍ
よりも厚いと記録時の熱によるダメージが大きくなるた
め、５０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下が好ましく、特に初期
化用のレーザでの吸収率を大きく取ることができる６０
ｎｍ以上１３０ｎｍ以下が好ましい。光記録膜の膜厚
は、１０ｎｍ以下では信号レベルを大きく取ることがで
きず、また５０ｎｍ以上ではオーバーライトによる記録
膜流動が起こりやすくなるため、１０ｎｍ以上５０ｎｍ
以下が好ましく、特にオーバーライト特性が良好な１２
ｎｍ以上４０ｎｍ以下が好ましい。中間層の膜厚は、５
ｎｍ以下ではオーバーライト時に変形したり記録膜と反
射層の間で拡散が生じる可能性があり、５０ｎｍ以上で
は徐冷構造となり消去比のパワーマージンが狭くなるた
め、５ｎｍ以上５０ｎｍ以下が好ましく、特に記録膜流
動が起こりにくい１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下が好まし
い。反射層の膜厚は、３０ｎｍ以下では反射層としての
効果が少なく、３００ｎｍ以上では膜が剥がれやすくな
るため、３０ｎｍ以上３００ｎｍ以下が好ましく、特に
熱的及び機械的効果の大きい５０ｎｍ以上２００ｎｍ以
下が好ましい。用いる記録膜としては、高速結晶化が可
能な結晶−非晶質相変化光記録膜や、非晶質−非晶質間
変化を利用する記録膜、結晶系や結晶粒径の変化などの
結晶−結晶間相変化記録膜が好ましいが、他の記録膜を
用いてもよい。特に、Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅ系記録膜やＡｇ-
Ｉｎ-Ｓｂ-Ｔｅ系記録膜などの相変化を利用した記録膜
などを用いれば良い。また、記録膜中に主成分材料より
も高融点であるＣｒ2Ｔｅ3などの高融点材料を添加した
記録膜、本実施例のように反射層を２層にした記録媒体
などを用いれば、記録膜の流動による記録膜膜厚変化を
抑制することができ好ましい。ここで反射層を２層にし
た場合の第１層目の膜厚は、２０ｎｍ以上３００ｎｍ以
下が好ましく、特に５０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下が好ま
しい。第２層目の膜厚は、３０ｎｍ以下では記録膜の流
動による記録膜膜厚変化を抑制するのが難しくなり、４
００ｎｍを越えると急冷構造となり消え残りが出やすく
なるため、３０ｎｍ以上４００ｎｍ以下が好ましく、特
にオーバーライトによる記録膜流動が起こりにくい５０
ｎｍ以上３００ｎｍ以下が好ましい。

【００２９】記録膜の初期化は、本実施例のように２枚
のディスク基板を張り合わせた後で行う方が確実に行え
るため好ましいが、少なくとも保護コートをした後で行
えば記録膜へのダメージが少なくてよい。

【００３０】本実施例では、初期化は、ディスクのサー
ティファイ（読み出しによる欠陥検査）の後に行った
が、ディスクのサーティファイと同時あるいはサーティ
ファイの前に行っても同様な効果が得られた。

【００３１】本実施例では、初期化を行なった後、発光
波長６５０ｎｍの半導体レーザ照射による情報の記録を
行なったが、本発明の記録媒体を用いた場合には、規格
で決められている発光波長６００ｎｍ〜７００ｎｍの範
囲内の所定の範囲の波長の光源により情報の記録を行な
えば、良好な記録特性が得られる。

【００３２】実施例２ 本実施例に用いた案内溝を有する書き換え型光ディスク
の構造は基本的に実施例１と同じである。ただし、記憶
容量が４.７ＧＢと実施例１よりも大容量であるため
に、トラックピッチと溝深さが大きく異なる。すなわ
ち、実施例１で用いたディスクは、グルーブピッチ：
１.４８μｍ、グルーブ深さ：約７０ｎｍ（λ２／６
ｎ）であるが、本実施例で用いたディスクは、グルーブ
ピッチ：１.２０μｍ、グルーブ深さ：約１４０ｎｍ
（λ２／３ｎ）である。初期化波長λ１：６９５ｎｍに
おける初期化前（as depo.状態）のグルーブの反射率は
８％であった。４％以上１５％以下では、AF(自動焦
点）も初期化感度も良好であった。そして、初期化後の
反射率は１５％であった。本発明に用いる記録媒体の初
期化後の反射率は８％以上３０％以下で、良好な特性が
得られた。前記記載の反射率はλ／ＮＡが１以上２以下
の円形に近い光スポットを持つ光ディスク装置でグルー
ブ上で測定した値である。波長６９５ｎｍでの測定に代
えて、６７５ｎｍ〜６８５ｎｍで測定する場合は、初期
化後の反射率は６％以上２５％以下が好ましい。本実施
例で用いた深溝ディスクを、従来の初期化装置（λ１：
８１０ｎｍ）で初期化を行ったところ、ＡＦがかからず
初期化不能であったが、本発明の初期化装置を用いる事
により、ＡＦも安定にかかり、確実な初期化が行えた。
グルーブ深さに関しては、本初期化装置では、初期化用
のレーザの波長：λ１、基板の屈折率：ｎとしたとき、
予め基板に形成されているグルーブの深さ：ｄが（λ１
／４ｎ）≦ｄ≦（λ１／２ｎ）を満足する記録媒体であ
っても良好に初期化が行えた。特に、（λ１／３.５
ｎ）≦ｄ≦（λ１／２.５ｎ）が好ましい。また、記憶
容量が４.７ＧＢ以上の大容量ディスクの初期化も可能
である。

【００３３】

【発明の効果】本発明によれば、記録媒体への記録波長
とほぼ同じ波長の高出力半導体レーザを用い、そのビー
ムスポットの長手方向を記録トラック方向に対して角度
（平行以外）をなすように配置したため、短時間でかつ
確実な初期結晶化が行えた。さらに初期化ビームをデフ
ォーカスした状態で初期化を行なうために、ビームスポ
ットの重なりムラによる反射率ムラも防止することがで
きた。また、グルーブの深さが深いディスクにおいても
オートフォーカス可能で確実な初期化ができた。

【図面の簡単な説明】

【図１】ディスク構造の断面図。

【図２】初期化方法の説明図。

【符号の説明】

１、１’ ポリカーボネート基板 ２、２’ ＺｎＳ−ＳｉＯ 誘電体層 ３、３’ 記録膜（Ｃｒ２Ｇｅ２０Ｓｂ２
２Ｔｅ５６） ４、４’ ＺｎＳ−ＳｉＯ 誘電体層 ５、５’ Ｓｉ反射層 ６、６’ Ａｌ−Ｔｉ合金反射層 ７、７’ 紫外線硬化樹脂保護層 ８ ホットメルト接着層 ９ ビームスポット １０ 記録トラック。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 徳宿 伸弘 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所映像情報メディア事業部 内 (72)発明者 宮本 真 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 廣常 朱美 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 梅澤 芳樹 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所映像情報メディア事業部 内

Claims (13)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】エネルギービームの照射によって情報の記
   録が可能な光記録媒体を最初に記録可能な状態にする初
   期化方法において、 発光波長６００ｎｍ〜７００ｎｍの範囲内にある所定の
   波長の高出力半導体レーザを用い、 ビームスポットの長手方向を記録トラック方向に対して
   平行以外の角度をなすように配置した状態で初期化を行
   なうことを特徴とする情報記録媒体の初期化方法。
2. 【請求項２】特許請求の範囲第１項記載の情報記録媒体
   の初期化方法において、 ビームスポットの長手方向を記録トラック方向に対して
   ほぼ９０度に配置した状態で初期化を行なうことを特徴
   とする情報記録媒体の初期化方法。
3. 【請求項３】特許請求の範囲第１項記載の情報記録媒体
   の初期化方法において、 初期化用のレーザの波長：λ１、基板の屈折率：ｎとし
   たとき、予め基板に形成されているグルーブの深さ：ｄ
   が（λ1／４ｎ）≦ｄ≦（λ１／２ｎ）を満足する記録
   媒体を用いることを特徴とする情報記録媒体の初期化方
   法。
4. 【請求項４】特許請求の範囲第３項記載の情報記録媒体
   の初期化方法において、 初期化用のレーザの波長：λ１、基板の屈折率：ｎとし
   たとき、予め基板に形成されているグルーブの深さ：ｄ
   が（λ１／３.５ｎ）≦ｄ≦（λ１／２.５ｎ）を満足す
   る記録媒体を用いることを特徴とする情報記録媒体の初
   期化方法。
5. 【請求項５】特許請求の範囲第１項から第４項記載の情
   報記録媒体の初期化方法において、 ビームスポットの焦点が記録膜上から離れたところに結
   ばれた状態（デフォーカス状態）で初期化を行なうこと
   を特徴とする情報記録媒体の初期化方法。
6. 【請求項６】発光波長６００ｎｍ〜７００ｎｍの範囲内
   にある所定の波長の高出力半導体レーザを用い、ビーム
   スポットの長手方向を記録トラック方向に対して平行以
   外の角度をなすように配置した状態で初期化を行なった
   情報記録媒体において、 初期化波長λ１：６９５ｎｍに対して初期化後のグルー
   ブの反射率が８％以上３０％以下で、かつ記録あるいは
   再生波長λ２：６６０ｎｍに対してグルーブ深さがλ２
   ／３ｎ程度であることを特徴とする情報記録媒体。
7. 【請求項７】特許請求の範囲第６項記載の情報記録媒体
   において、 記憶容量が４.７GB以上である事を特徴とする情報記録
   媒体。
8. 【請求項８】エネルギービームの照射によって情報の記
   録が可能な光記録媒体を最初に記録可能な状態にする初
   期化装置において、 発光波長６００ｎｍ〜７００ｎｍの範囲内にある高出力
   の半導体レーザを搭載し、初期化ビームを記録膜上に集
   光する手段、 記録媒体を回転させる手段、初期化ビームを記録媒体に
   対して相対的に移動させる手段を少なくとも有している
   ことを特徴とする情報記録媒体の初期化装置。
9. 【請求項９】特許請求の範囲第８項記載の情報記録媒体
   の初期化装置において、 ビームスポットの焦点位置を変える手段（デフォーカス
   手段）を有していることを特徴とする情報記録媒体の初
   期化装置。
10. 【請求項１０】特許請求の範囲第８項記載の情報記録媒
    体の初期化装置において、記憶容量が４．７ＧＢ以上で
    ある記録媒体を初期化するために用いられることを特徴
    とする情報記録媒体の初期化装置。
11. 【請求項１１】発光波長６００ｎｍ〜７００ｎｍの範囲
    内にある波長の半導体レーザを用い、ビームスポットの
    長手方向を記録トラック方向に対して平行以外の角度を
    なすように配置した状態で初期化を行なった情報記録媒
    体において、 発光波長６００ｎｍ〜７００ｎｍの範囲内の所定の範囲
    の波長の光源により情報の記録がなされていることを特
    徴とする情報記録媒体。
12. 【請求項１２】特許請求の範囲第８項記載の情報記録媒
    体の初期化装置において、 ビームスポットの焦点位置を変える手段（デフォーカス
    手段）、初期化ビームのパワー及び照射時間を制御し記
    録膜の少なくとも一部を一時的に融解させる手段のうち
    少なくとも１つ以上の手段を有していることを特徴とす
    る情報記録媒体の初期化装置。
13. 【請求項１３】発光波長６００ｎｍ〜７００ｎｍの範囲
    内の波長の記録用レーザービームの照射によって記録ト
    ラックに沿って情報の記録が可能な光記録媒体を初期化
    する初期化方法において、 上記記録用レーザービームより高出力の発光波長６００
    ｎｍ〜７００ｎｍの範囲内の波長の初期化用レーザービ
    ームを用い、 該初期化用レーザービームをデフォーカス状態のビーム
    スポットとして光記録媒体上に照射し、 該ビームスポットの長手方向を記録トラック方向に対し
    て平行以外の角度をなすように配置し、 該ビームスポットを光記録媒体上で走査することにより
    初期化を行う情報記録媒体の初期化方法。