JP2003212645A - 低温焼結性誘電体組成物およびその製造方法 - Google Patents
低温焼結性誘電体組成物およびその製造方法Info
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- JP2003212645A JP2003212645A JP2002018580A JP2002018580A JP2003212645A JP 2003212645 A JP2003212645 A JP 2003212645A JP 2002018580 A JP2002018580 A JP 2002018580A JP 2002018580 A JP2002018580 A JP 2002018580A JP 2003212645 A JP2003212645 A JP 2003212645A
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 温度係数を使用可能な周波数変動以下に抑え
ることのできる低温焼結性誘電体組成物およびその製造
方法を提供する。 【構成】 ディオプサイドガラス（ＣａＯ−ＭｇＯ−２
ＳｉＯ2）と０〜２０重量パーセントのＡｌ2Ｏ3とを主
成分組成とする主成分材料１００重量部に対して、１５
〜２０重量部のＴｉＯ2を添加した配合比で誘電体組成
物を作製する。
ることのできる低温焼結性誘電体組成物およびその製造
方法を提供する。 【構成】 ディオプサイドガラス（ＣａＯ−ＭｇＯ−２
ＳｉＯ2）と０〜２０重量パーセントのＡｌ2Ｏ3とを主
成分組成とする主成分材料１００重量部に対して、１５
〜２０重量部のＴｉＯ2を添加した配合比で誘電体組成
物を作製する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、マイクロ
波帯用のセラミックス部品に用いる材料としての低温焼
結性誘電体組成物およびその製造方法に関するものであ
る。
波帯用のセラミックス部品に用いる材料としての低温焼
結性誘電体組成物およびその製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】近年の電子機器における電子部品の高実
装密度化に伴い、熱膨張係数や誘電率等の観点からセラ
ミックス部品が多用されるようになってきている。例え
ば、マイクロ波帯等の高周波用のセラミックス部品に
は、比誘電率εγが５〜１０の特性を有する材料が使用
される。また、特に帯域通過フィルタ（ＢＰＦ）やトラ
ップ回路には、温度係数の小さい材料を用いることが望
ましい。
装密度化に伴い、熱膨張係数や誘電率等の観点からセラ
ミックス部品が多用されるようになってきている。例え
ば、マイクロ波帯等の高周波用のセラミックス部品に
は、比誘電率εγが５〜１０の特性を有する材料が使用
される。また、特に帯域通過フィルタ（ＢＰＦ）やトラ
ップ回路には、温度係数の小さい材料を用いることが望
ましい。
【０００３】上記のフィルタ等において、通過帯域、通
過阻止域の変動を抑えるため、温度係数τｆを使用可能
な周波数変動に抑えることが必要になる。材料としての
ディオプサイド（ＣａＯ−ＭｇＯ−２ＳｉＯ2）は、９
００℃以下の焼成が可能であり、マイクロ波帯域におい
て低誘電率、低損失という特徴を有する。
過阻止域の変動を抑えるため、温度係数τｆを使用可能
な周波数変動に抑えることが必要になる。材料としての
ディオプサイド（ＣａＯ−ＭｇＯ−２ＳｉＯ2）は、９
００℃以下の焼成が可能であり、マイクロ波帯域におい
て低誘電率、低損失という特徴を有する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ディオ
プサイドには、以下のような問題がある。すなわち、上
述したＢＰＦやトラップ回路等に使用するために必要な
材料のパラメータの１つとして、温度係数τｆを±３０
ｐｐｍ／℃以下に抑える必要があるが、ディオプサイド
の温度係数τｆは−７０ｐｐｍ／℃であり、変化が大き
い。
プサイドには、以下のような問題がある。すなわち、上
述したＢＰＦやトラップ回路等に使用するために必要な
材料のパラメータの１つとして、温度係数τｆを±３０
ｐｐｍ／℃以下に抑える必要があるが、ディオプサイド
の温度係数τｆは−７０ｐｐｍ／℃であり、変化が大き
い。
【０００５】また、ディオプサイドは、高周波において
誘電損失が小さいが、マイクロ波帯等の高周波におい
て、さらに誘電損失を小さくする必要がある。
誘電損失が小さいが、マイクロ波帯等の高周波におい
て、さらに誘電損失を小さくする必要がある。
【０００６】本発明は、上述した課題に鑑みなされたも
のであり、その目的とするところは、温度係数を使用可
能な周波数変動以下に抑えることのできる低温焼結性誘
電体組成物およびその製造方法を提供することである。
のであり、その目的とするところは、温度係数を使用可
能な周波数変動以下に抑えることのできる低温焼結性誘
電体組成物およびその製造方法を提供することである。
【０００７】本発明の他の目的は、マイクロ波帯等の高
周波における誘電損失が小さい低温焼結性誘電体組成物
およびその製造方法を提供することである。
周波における誘電損失が小さい低温焼結性誘電体組成物
およびその製造方法を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】かかる目的を達成し、上
述した課題を解決する一手段として、例えば、以下の構
成を備える。すなわち、本発明に係る低温焼結性誘電体
組成物は、ディオプサイドガラスと０乃至２０重量％の
Ａｌ2Ｏ3とを主成分組成とする主成分材料１００重量部
に、１５乃至２０重量部のＴｉＯ2を配合した組成を有
することを特徴とする。
述した課題を解決する一手段として、例えば、以下の構
成を備える。すなわち、本発明に係る低温焼結性誘電体
組成物は、ディオプサイドガラスと０乃至２０重量％の
Ａｌ2Ｏ3とを主成分組成とする主成分材料１００重量部
に、１５乃至２０重量部のＴｉＯ2を配合した組成を有
することを特徴とする。
【０００９】例えば、上記ディオプサイドガラスは、Ｓ
ｉＯ2を略５２重量％、ＣａＯを略２５重量％、ＭｇＯ
を略１８重量％、Ａｌ2Ｏ3を略５重量％の比率で含有す
ることを特徴とする。
ｉＯ2を略５２重量％、ＣａＯを略２５重量％、ＭｇＯ
を略１８重量％、Ａｌ2Ｏ3を略５重量％の比率で含有す
ることを特徴とする。
【００１０】また、例えば、上記ディオプサイドガラス
は、ＣａＯ−ＭｇＯ−２ＳｉＯ2のモル比組成で秤量混
合した混合粉末を１５００℃で溶融し、その溶融物を急
冷して得たディオプサイドガラス粉末であることを特徴
とする。
は、ＣａＯ−ＭｇＯ−２ＳｉＯ2のモル比組成で秤量混
合した混合粉末を１５００℃で溶融し、その溶融物を急
冷して得たディオプサイドガラス粉末であることを特徴
とする。
【００１１】上述した課題を解決する他の手段として、
本発明に係る低温焼結性誘電体組成物の製造方法は、デ
ィオプサイドガラスと０乃至２０重量％のＡｌ2Ｏ3とを
主成分組成とする主成分材料１００重量部に、１５乃至
２０重量部のＴｉＯ2を配合して誘電体組成物を製造す
ることを特徴とする。
本発明に係る低温焼結性誘電体組成物の製造方法は、デ
ィオプサイドガラスと０乃至２０重量％のＡｌ2Ｏ3とを
主成分組成とする主成分材料１００重量部に、１５乃至
２０重量部のＴｉＯ2を配合して誘電体組成物を製造す
ることを特徴とする。
【００１２】例えば、上記ディオプサイドガラスは、Ｓ
ｉＯ2を略５２重量％、ＣａＯを略２５重量％、ＭｇＯ
を略１８重量％、Ａｌ2Ｏ3を略５重量％の比率で含有す
ることを特徴とする。
ｉＯ2を略５２重量％、ＣａＯを略２５重量％、ＭｇＯ
を略１８重量％、Ａｌ2Ｏ3を略５重量％の比率で含有す
ることを特徴とする。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、添付図面および表を参照し
て、本発明に係る実施の形態例を詳細に説明する。図１
は、本実施の形態例に係る低温焼結性誘電体組成物（以
下、適宜、磁器組成物ともいう）のディオプサイドガラ
ス粉末等の製造工程を示すフローチャートである。最初
に、図１のステップＳ１１において、ディオプサイドの
原料であるＭｇＯ（酸化マグネシウム）、Ａｌ2Ｏ3（酸
化アルミニウム）、ＳｉＯ2（酸化ケイ素）を、ＣａＯ
−ＭｇＯ−２ＳｉＯ2のモル比組成で秤量混合し、その
混合物を得る。
て、本発明に係る実施の形態例を詳細に説明する。図１
は、本実施の形態例に係る低温焼結性誘電体組成物（以
下、適宜、磁器組成物ともいう）のディオプサイドガラ
ス粉末等の製造工程を示すフローチャートである。最初
に、図１のステップＳ１１において、ディオプサイドの
原料であるＭｇＯ（酸化マグネシウム）、Ａｌ2Ｏ3（酸
化アルミニウム）、ＳｉＯ2（酸化ケイ素）を、ＣａＯ
−ＭｇＯ−２ＳｉＯ2のモル比組成で秤量混合し、その
混合物を得る。
【００１４】ステップＳ１２では、上記の混合物をＰｔ
坩堝に入れて、１５００℃の温度で溶融する。続くステ
ップＳ１３において、この溶融物を、例えば、水中に滴
下して急冷し、ガラス片を得た後、ステップＳ１４で、
そのガラス片をボールミルで粉砕する。ここでは、ガラ
ス片を平均粒径２．５μｍ程度まで湿式微粉砕して、均
質なＣａＯ−ＭｇＯ−２ＳｉＯ2の組成のディオプサイ
ドガラス粉末を得る。
坩堝に入れて、１５００℃の温度で溶融する。続くステ
ップＳ１３において、この溶融物を、例えば、水中に滴
下して急冷し、ガラス片を得た後、ステップＳ１４で、
そのガラス片をボールミルで粉砕する。ここでは、ガラ
ス片を平均粒径２．５μｍ程度まで湿式微粉砕して、均
質なＣａＯ−ＭｇＯ−２ＳｉＯ2の組成のディオプサイ
ドガラス粉末を得る。
【００１５】その後、ステップＳ１６において、上記の
ステップＳ１４で得たガラス粉末を、さらに、９００℃
で焼成した後、ステップＳ１７で、ＸＲＤ（Ｘ線回折）
により、ディオプサイド結晶相の析出を確認する。その
回折結果を、図２に示す。
ステップＳ１４で得たガラス粉末を、さらに、９００℃
で焼成した後、ステップＳ１７で、ＸＲＤ（Ｘ線回折）
により、ディオプサイド結晶相の析出を確認する。その
回折結果を、図２に示す。
【００１６】一方、ステップＳ１９では、以下に説明す
る手順に従って、ステップＳ１４において得られたディ
オプサイドガラス粉末より、目的とする磁器組成物を作
製する。
る手順に従って、ステップＳ１４において得られたディ
オプサイドガラス粉末より、目的とする磁器組成物を作
製する。
【００１７】図３は、本実施の形態例に係る磁器組成物
の作製工程を示すフローチャートである。同図のステッ
プＳ２１では、例えば、電子天秤等を使用して磁器組成
物の原料の秤量を行い、ステップＳ２２において、適当
な溶媒（例えば、アルコール等）を使用して、ボールミ
ル等によって、表１に示す配合比でＡｌ2Ｏ3とＴｉＯ 2
（酸化チタン）をガラス粉末に添加する。
の作製工程を示すフローチャートである。同図のステッ
プＳ２１では、例えば、電子天秤等を使用して磁器組成
物の原料の秤量を行い、ステップＳ２２において、適当
な溶媒（例えば、アルコール等）を使用して、ボールミ
ル等によって、表１に示す配合比でＡｌ2Ｏ3とＴｉＯ 2
（酸化チタン）をガラス粉末に添加する。
【００１８】より具体的には、ディオプサイドガラスと
Ａｌ2Ｏ3（０〜２０重量パーセント（重量％））とを主
成分組成とする主成分材料１００重量部に対して、１５
〜２０重量部のＴｉＯ2を副成分として添加する。ここ
でのディオプサイドガラスの組成は、ＳｉＯ2（５２重
量パーセント）、ＣａＯ（２５重量パーセント）、Ｍｇ
Ｏ（１８重量パーセント）、Ａｌ2Ｏ3（５重量パーセン
ト）である。
Ａｌ2Ｏ3（０〜２０重量パーセント（重量％））とを主
成分組成とする主成分材料１００重量部に対して、１５
〜２０重量部のＴｉＯ2を副成分として添加する。ここ
でのディオプサイドガラスの組成は、ＳｉＯ2（５２重
量パーセント）、ＣａＯ（２５重量パーセント）、Ｍｇ
Ｏ（１８重量パーセント）、Ａｌ2Ｏ3（５重量パーセン
ト）である。
【００１９】
【表１】
【００２０】なお、磁器組成物の主成分組成としてＡｌ
2Ｏ3を配合する目的は、ディオプサイドガラスの抗折強
度を向上させるためである。
2Ｏ3を配合する目的は、ディオプサイドガラスの抗折強
度を向上させるためである。
【００２１】ステップＳ２３では、上記の物質が添加さ
れたディオプサイドガラスを、オーブン等によって一定
温度で数時間、乾燥させる。そして、ステップＳ２４
で、樹脂等の結合剤（バインダー）を使用して粒径を整
える（造粒）。
れたディオプサイドガラスを、オーブン等によって一定
温度で数時間、乾燥させる。そして、ステップＳ２４
で、樹脂等の結合剤（バインダー）を使用して粒径を整
える（造粒）。
【００２２】ステップＳ２５は成形工程であり、プレス
機（例えば、一軸プレス機）等を使用して、上記造粒後
の材料に所定の成形圧力を加えることで成形品（例え
ば、電気的特性測定用の成形品）を得る。
機（例えば、一軸プレス機）等を使用して、上記造粒後
の材料に所定の成形圧力を加えることで成形品（例え
ば、電気的特性測定用の成形品）を得る。
【００２３】次のステップＳ２６において、焼成炉を使
用して、表１に示す焼成温度で上記の成形品を焼成す
る。なお、焼成の温度条件は、８６０℃，８８０℃，９
００℃であり、ここでは、炉の温度を徐々に上げた後、
所定時間、上記の焼成温度を保持し、その後、自然冷却
するといった温度サイクルに従って焼成を行う。
用して、表１に示す焼成温度で上記の成形品を焼成す
る。なお、焼成の温度条件は、８６０℃，８８０℃，９
００℃であり、ここでは、炉の温度を徐々に上げた後、
所定時間、上記の焼成温度を保持し、その後、自然冷却
するといった温度サイクルに従って焼成を行う。
【００２４】表２は、上記の作製工程で得られた試作材
料の試験結果を示している。ここでの材料の評価は、誘
電率、誘電損失、共振周波数の温度係数（ｐｐｍ／℃）
を誘電体共振器法により、１３ＧＨｚで測定した。ま
た、焼結状態については、ＳＥＭ観察によって行った。
料の試験結果を示している。ここでの材料の評価は、誘
電率、誘電損失、共振周波数の温度係数（ｐｐｍ／℃）
を誘電体共振器法により、１３ＧＨｚで測定した。ま
た、焼結状態については、ＳＥＭ観察によって行った。
【００２５】
【表２】
【００２６】表２に示す試験結果やそれに対する考察等
から、以下のことが分かる。主成分組成として添加した
Ａｌ2Ｏ3が０〜２０重量パーセントの場合、いずれの量
においても、ＴｉＯ2の配合量が増加するにつれて、共
振周波数の温度変化率も小さくなる。特に、ＴｉＯ2の
配合量が１５〜２０重量部のときは（表中の実施例７〜
１２、実施例１３〜１８参照）、共振周波数の温度変化
率も小さくなり、温度変化が、目標とする±３０ｐｐｍ
／℃以下に抑えられていることが分かる。
から、以下のことが分かる。主成分組成として添加した
Ａｌ2Ｏ3が０〜２０重量パーセントの場合、いずれの量
においても、ＴｉＯ2の配合量が増加するにつれて、共
振周波数の温度変化率も小さくなる。特に、ＴｉＯ2の
配合量が１５〜２０重量部のときは（表中の実施例７〜
１２、実施例１３〜１８参照）、共振周波数の温度変化
率も小さくなり、温度変化が、目標とする±３０ｐｐｍ
／℃以下に抑えられていることが分かる。
【００２７】このように、ディオプサイドガラスへのＴ
ｉＯ2の添加により、温度変化に対しても特性の安定し
た磁器組成物の作製が可能となる。また、表２に示す結
果から、ＴｉＯ2の配合量が増加するにつれて、誘電損
失も小さくなることが分かる。
ｉＯ2の添加により、温度変化に対しても特性の安定し
た磁器組成物の作製が可能となる。また、表２に示す結
果から、ＴｉＯ2の配合量が増加するにつれて、誘電損
失も小さくなることが分かる。
【００２８】図４、図５は、ディオプサイドにＡｌ2Ｏ3
（１０重量パーセント）とＴｉＯ2（２０重量パーセン
ト）を添加した材料についてのＸＲＤ（Ｘ線回折）によ
る回折結果を示している。なお、図４は、図２と同じピ
ーク強度のレンジにしたときの回折強度を示しており、
図５は、これらと異なるレンジで回折強度をプロットし
たときの一例である。
（１０重量パーセント）とＴｉＯ2（２０重量パーセン
ト）を添加した材料についてのＸＲＤ（Ｘ線回折）によ
る回折結果を示している。なお、図４は、図２と同じピ
ーク強度のレンジにしたときの回折強度を示しており、
図５は、これらと異なるレンジで回折強度をプロットし
たときの一例である。
【００２９】以上説明したように、本実施の形態例によ
れば、ディオプサイドガラスとＡｌ 2Ｏ3とを主成分組成
とする主成分材料に、ＴｉＯ2を副成分として配合した
材料を使用して磁器組成物を作製することで、低損失、
低誘電率で、しかも、共振周波数の温度変化率が小さい
誘電体組成物を製造することができる。
れば、ディオプサイドガラスとＡｌ 2Ｏ3とを主成分組成
とする主成分材料に、ＴｉＯ2を副成分として配合した
材料を使用して磁器組成物を作製することで、低損失、
低誘電率で、しかも、共振周波数の温度変化率が小さい
誘電体組成物を製造することができる。
【００３０】すなわち、配合比として、ディオプサイド
ガラスと０〜２０重量パーセントのＡｌ2Ｏ3とを主成分
組成とする主成分材料１００重量部に、１５〜２０重量
部のＴｉＯ2を添加して作製した誘電体組成物によっ
て、マイクロ波帯域において、温度係数を使用可能な周
波数変動以下に抑えることができる。さらには、このよ
な組成の配合比をとることで、得られた誘電体組成物の
マイクロ波帯域における誘電損失も小さくなる。
ガラスと０〜２０重量パーセントのＡｌ2Ｏ3とを主成分
組成とする主成分材料１００重量部に、１５〜２０重量
部のＴｉＯ2を添加して作製した誘電体組成物によっ
て、マイクロ波帯域において、温度係数を使用可能な周
波数変動以下に抑えることができる。さらには、このよ
な組成の配合比をとることで、得られた誘電体組成物の
マイクロ波帯域における誘電損失も小さくなる。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
低損失であり、かつ低誘電率の誘電体組成物を製造でき
る。
低損失であり、かつ低誘電率の誘電体組成物を製造でき
る。
【００３２】また、本発明によれば、共振周波数の温度
係数を、使用可能な周波数変動以下に抑えた誘電体組成
物を製造できる。
係数を、使用可能な周波数変動以下に抑えた誘電体組成
物を製造できる。
【図１】本発明の実施の形態例に係る磁器組成物のディ
オプサイドガラス粉末の製造工程を示すフローチャート
である。
オプサイドガラス粉末の製造工程を示すフローチャート
である。
【図２】実施の形態例に係るディオプサイドガラス粉末
のＸＲＤ（Ｘ線回折）結果を示す図である。
のＸＲＤ（Ｘ線回折）結果を示す図である。
【図３】実施の形態例に係る磁器組成物の作製工程を示
すフローチャートである。
すフローチャートである。
【図４】ディオプサイドとＡｌ2Ｏ3にＴｉＯ2を添加し
た材料のＸ線回折結果（レンジ１）を示す図である。
た材料のＸ線回折結果（レンジ１）を示す図である。
【図５】ディオプサイドとＡｌ2Ｏ3にＴｉＯ2を添加し
た材料のＸ線回折結果（レンジ２）を示す図である。
た材料のＸ線回折結果（レンジ２）を示す図である。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 4G030 AA07 AA08 AA16 AA36 AA37
BA09 BA20 GA27
5G303 AA02 AB06 AB07 AB11 AB15
BA12 CA03 CB01 CB06 CB17
CB30 CB35
Claims (6)
- 【請求項１】 ディオプサイドガラスと０乃至２０重量
％のＡｌ2Ｏ3とを主成分組成とする主成分材料１００重
量部に、１５乃至２０重量部のＴｉＯ2を配合した組成
を有することを特徴とする低温焼結性誘電体組成物。 - 【請求項２】 前記ディオプサイドガラスは、ＳｉＯ2
を略５２重量％、ＣａＯを略２５重量％、ＭｇＯを略１
８重量％、Ａｌ2Ｏ3を略５重量％の比率で含有すること
を特徴とする請求項１記載の低温焼結性誘電体組成物。 - 【請求項３】 前記ディオプサイドガラスは、ＣａＯ−
ＭｇＯ−２ＳｉＯ2のモル比組成で秤量混合した混合粉
末を１５００℃で溶融し、その溶融物を急冷して得たデ
ィオプサイドガラス粉末であることを特徴とする請求項
２記載の低温焼結性誘電体組成物。 - 【請求項４】 前記Ａｌ2Ｏ3は、前記ディオプサイドガ
ラスの抗折強度を向上させるように機能することを特徴
とする請求項２記載の低温焼結性誘電体組成物。 - 【請求項５】 ディオプサイドガラスと０乃至２０重量
％のＡｌ2Ｏ3とを主成分組成とする主成分材料１００重
量部に、１５乃至２０重量部のＴｉＯ2を配合して誘電
体組成物を製造することを特徴とする低温焼結性誘電体
組成物の製造方法。 - 【請求項６】 前記ディオプサイドガラスは、ＳｉＯ2
を略５２重量％、ＣａＯを略２５重量％、ＭｇＯを略１
８重量％、Ａｌ2Ｏ3を略５重量％の比率で含有すること
を特徴とする請求項５記載の低温焼結性誘電体組成物の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002018580A JP2003212645A (ja) | 2002-01-28 | 2002-01-28 | 低温焼結性誘電体組成物およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002018580A JP2003212645A (ja) | 2002-01-28 | 2002-01-28 | 低温焼結性誘電体組成物およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003212645A true JP2003212645A (ja) | 2003-07-30 |
Family
ID=27653876
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002018580A Withdrawn JP2003212645A (ja) | 2002-01-28 | 2002-01-28 | 低温焼結性誘電体組成物およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003212645A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102515721A (zh) * | 2011-11-25 | 2012-06-27 | 山东同方鲁颖电子有限公司 | 一种低介电常数微波介质陶瓷及其制备方法 |
| KR101218126B1 (ko) * | 2010-09-14 | 2013-01-03 | (주)써모텍 | Ｔｆｔ-ｌｃｄ 파유리를 이용하여 제조되는 ｌｔｃｃ용 유리조성물, 글라스 세라믹스 및 그 제조방법 |
-
2002
- 2002-01-28 JP JP2002018580A patent/JP2003212645A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101218126B1 (ko) * | 2010-09-14 | 2013-01-03 | (주)써모텍 | Ｔｆｔ-ｌｃｄ 파유리를 이용하여 제조되는 ｌｔｃｃ용 유리조성물, 글라스 세라믹스 및 그 제조방법 |
| CN102515721A (zh) * | 2011-11-25 | 2012-06-27 | 山东同方鲁颖电子有限公司 | 一种低介电常数微波介质陶瓷及其制备方法 |
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