JP2003209327A

JP2003209327A - 光半導体モジュール実装回路及び光基地局装置

Info

Publication number: JP2003209327A
Application number: JP2002007926A
Authority: JP
Inventors: Mikihiro Shimada; 幹大嶋田; Masanori Iida; 正憲飯田; Hiroyuki Asakura; 宏之朝倉
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 2002-01-16
Filing date: 2002-01-16
Publication date: 2003-07-25

Abstract

(57)【要約】（修正有）【課題】複数のユニットを特徴的な実装構造を用いて
一体化することにより、小型化及び低コスト化を図った
光半導体モジュール実装回路及び光基地局装置を提供す
る。【解決手段】レーザダイオードモジュール１４が実装
された第１の高周波回路基板１２を、金属基台１１の一
方の面に、フォトダイオードモジュール１５が実装され
た第２の高周波回路基板１３を、金属基台１１の他方の
面に固定する。第１及び第２の高周波回路基板１２，１
３の裏面（金属基台１１と固定される側）にはグランド
パターンが形成されており、金属基台１１と電気的に接
続される。これにより、金属基台１１の全体をシールド
として機能させることができ、光半導体モジュール実装
回路の小型化及び低コスト化を実現することが可能とな
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光半導体モジュー
ル実装回路及び光基地局装置に関し、より特定的には、
主に光ファイバ通信システムの光送受信回路として用い
られる光半導体モジュールを実装した回路、及びその回
路を用いた光基地局装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、光通信は、マイクロ波や準マイク
ロ波の周波数領域の高速信号を取り扱う、ＣＡＴＶや移
動体通信等の分野へ適用されつつある。この分野に適用
される光ファイバ通信システムの光送受信回路では、ア
ナログ信号を高速広帯域に伝送する特性が要求される。
また、光ファイバ通信システムの設計では、光送受信回
路の簡素化及び低廉化を図ることが重要となっている。

【０００３】そこで、最近の光ファイバ通信システムに
おいては、光送受信回路に電気／光変換機能を有する光
半導体モジュールを用いて、光信号を高周波信号によっ
て変換する直接強度変調方式が用いられている。この方
式を用いた光送受信回路（光半導体モジュール実装回
路）では、電気信号に基づいて変換された光信号は、光
ファイバを介して伝送される。また同様に、光ファイバ
を介して伝送されてきた光信号は、光半導体モジュール
によって光信号から電気信号に変換される。例えば、こ
の光送受信回路を移動体通信へ適用させ、アンテナで受
信した無線信号を光信号に変換し、光ファイバで伝送す
ることにより、電波が直接届かない地域での通話を可能
にすることができる。このような場合、なるべく人目に
つかない形状が望まれるため、アンテナを含めた光送受
信回路、すなわち光基地局装置の小型化が重要になる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
光送受信回路として用いられる光半導体モジュール実装
回路では、光送信機能部分と光受信機能部分とが別構成
となっている（実開平２−９１３５８号公報等を参
照）。そのため、光送信機能部分である光送信ユニット
と光受信機能部分である光受信ユニットとが個別に存在
することになり、回路（装置）のサイズ及びコストが大
きくなるという問題を有していた。

【０００５】また、図４に示すように、光送信機能部分
と光受信機能部分とを一体化させた光送受信ユニットを
構成するような場合には、光送信機能部分であるレーザ
ダイオードモジュール５４を実装する第１の高周波回路
基板５２と、光受信機能部分であるフォトダイオードモ
ジュール５５を実装する第２の高周波回路基板５３との
間に、回路基板間の干渉を防ぐためのシールド５８が必
要不可欠となる。このため、光送受信ユニットサイズの
小型化を図ることは困難であった。その結果として、一
体型の光送受信ユニットを用いた光半導体モジュール実
装回路、ひいては光基地局装置の小型化も困難になって
いた。

【０００６】それ故に、本発明の目的は、複数のユニッ
トを特徴的な実装構造を用いて一体化することにより、
小型化及び低コスト化を図った光半導体モジュール実装
回路及び光基地局装置を提供することである。

【０００７】

【課題を解決するための手段および発明の効果】第１の
発明は、複数の光半導体モジュールを実装した回路であ
って、複数の光半導体モジュールと、光半導体モジュー
ルを電気的に接続させるために必要な所定の配線パター
ンが形成された複数の高周波回路基板と、高周波回路基
板を固定するための金属基台とを備え、所定の配線パタ
ーン位置に光半導体モジュールが実装された高周波回路
基板が、金属基台の両面にそれぞれ配置され、金属基台
が、高周波回路基板のグランドレベルに接続されること
を特徴とする。

【０００８】上記のように、第１の発明によれば、金属
基台の両面に光半導体モジュールをそれぞれ配置させ、
かつ、金属基台の全体をシールドとして機能させる。こ
れにより、光半導体モジュール実装回路の小型化及び低
コスト化を実現することが可能となる。また、光半導体
モジュールが本来有している電気／光変換効率を十分に
発揮させつつ、高周波信号の伝達特性に優れた光半導体
モジュール実装回路を実現することができる。

【０００９】第２の発明は、複数の光半導体モジュール
を実装した回路であって、複数の光半導体モジュール
と、光半導体モジュールを電気的に接続させるために必
要な所定の配線パターンが表面に形成され、グランドパ
ターンが裏面に形成された複数の高周波回路基板と、高
周波回路基板を固定するための基台とを備え、表面に形
成された所定の配線パターン位置に光半導体モジュール
が実装された高周波回路基板が、裏面が接するように基
台の両面にそれぞれ配置されることを特徴とする。

【００１０】上記のように、第２の発明によれば、基台
の両面に光半導体モジュールをそれぞれ配置させ、か
つ、高周波回路基板の裏面に形成されたグランドパター
ンをシールドとして機能させる。これにより、光半導体
モジュール実装回路の小型化及び低コスト化を実現する
ことが可能となる。また、光半導体モジュールが本来有
している電気／光変換効率を十分に発揮させつつ、高周
波信号の伝達特性に優れた光半導体モジュール実装回路
を実現することができる。

【００１１】第３の発明は、複数の光半導体モジュール
を実装した回路であって、複数の光半導体モジュール
と、光半導体モジュールを電気的に接続させるために必
要な所定の配線パターンが両側の表面に形成され、表面
を除く少なくとも１つの層に金属層が形成された多層型
の高周波回路基板とを備え、光半導体モジュールが、高
周波回路基板の両面にそれぞれ実装されることを特徴と
する。

【００１２】上記のように、第３の発明によれば、金属
層を有する多層型の高周波回路基板の両側の表面に光半
導体モジュールをそれぞれ配置させ、かつ、その金属層
をシールドとして機能させる。これにより、光半導体モ
ジュール実装回路の小型化及び低コスト化を実現するこ
とが可能となる。また、光半導体モジュールが本来有し
ている電気／光変換効率を十分に発揮させつつ、高周波
信号の伝達特性に優れた光半導体モジュール実装回路を
実現することができる。

【００１３】第４の発明は、第１〜第３の発明に従属す
る光半導体モジュール実装回路であって、高周波回路基
板が、マイクロストリップ線路基板又はコプレナー線路
基板であることを特徴とする。

【００１４】第５の発明は、第１〜第４の発明に従属す
る光半導体モジュール実装回路であって、光半導体モジ
ュールが、表面実装型モジュールであることを特徴とす
る。

【００１５】第６の発明は、第１〜第４の発明に従属す
る光半導体モジュール実装回路であって、光半導体モジ
ュールが、同軸型モジュールであることを特徴とする。

【００１６】第７の発明は、第１〜第６の発明に従属す
る光半導体モジュール実装回路であって、光半導体モジ
ュールが、半導体レーザ、発光ダイオード又はフォトダ
イオードのいずれかを含んで構成されたものであること
を特徴とする。

【００１７】第８の発明は、第１〜第７の発明に従属す
る光半導体モジュール実装回路であって、光半導体モジ
ュールが、半導体レーザ及びフォトダイオードを含んで
構成された複合モジュールであることを特徴とする。

【００１８】第９の発明は、第１〜第８の発明に従属す
る光半導体モジュール実装回路であって、高周波回路基
板の所定の配線パターン位置に、高周波信号を増幅する
ための増幅器が実装されていることを特徴とする。

【００１９】第１０の発明は、第１〜第９の発明に従属
する光半導体モジュール実装回路であって、高周波回路
基板の所定の配線パターン位置に、特定周波数の高周波
信号を通過させるフィルタが実装されていることを特徴
とする。

【００２０】第１１の発明は、第１〜第１０の発明に従
属する光半導体モジュール実装回路であって、高周波回
路基板の所定の配線パターン位置に、光半導体モジュー
ルとのインピーダンス整合を行うインピーダンス整合回
路が実装されていることを特徴とする。

【００２１】第１２の発明は、第１〜第１１に記載の光
半導体モジュール実装回路の電気信号入出力部にアンテ
ナを備えて構成される、光基地局装置である。

【００２２】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、本発明の
各実施の形態を説明する。（第１の実施形態）図１は、本発明の第１の実施形態に
係る光半導体モジュール実装回路の構造を説明する図で
ある。図１において、第１の実施形態に係る光半導体モ
ジュール実装回路は、金属基台１１と、第１の高周波回
路基板１２と、第２の高周波回路基板１３と、レーザダ
イオードモジュール１４と、フォトダイオードモジュー
ル１５と、光ファイバ１６及び１７とで構成される。

【００２３】第１の高周波回路基板１２の一方の面（以
下、表面という）には、変調された電気信号を光半導体
モジュールへ入出力させるため等の所望のマイクロスト
リップ線路や電極の配線パターン等が、他方の面（以
下、裏面という）にはその全部又は一部にグランドパタ
ーンが、予め形成されている。この第１の高周波回路基
板１２には、例えばセラミック基板、テフロン（Ｒ）基
板、ガラスエポキシ基板等を用いればよい。また、第１
の高周波回路基板１２の表面には、形成された配線パタ
ーンに応じた所定の位置に、所望の信号処理を行う光半
導体モジュールが実装される。この実施例では、光半導
体モジュールとして、ファブリ・ペロー・レーザダイオ
ード（ＦＰ−ＬＤ）のような発光素子を含んで構成され
た、表面実装型のレーザダイオードモジュール１４が実
装される。このレーザダイオードモジュール１４の電気
信号入力端子と第１の高周波回路基板１２の表面に形成
された所定の信号ラインとは、互いに半田付けされて電
気的に接続される。また、レーザダイオードモジュール
１４の電源端子と、第１の高周波回路基板１２の表面に
形成された電源ラインとは、互いに半田付けされて電気
的に接続される。さらに、レーザダイオードモジュール
１４には、光信号を出力するための光ファイバ１６が接
続されている。この第１の高周波回路基板１２、レーザ
ダイオードモジュール１４及び光ファイバ１６により、
光送信ユニットが構成される。

【００２４】同様に、第２の高周波回路基板１３の一方
の面（以下、表面という）には、変調された電気信号を
光半導体モジュールへ入出力させるため等の所望のマイ
クロストリップ線路や電極の配線パターン等が、他方の
面（以下、裏面という）にはその全部又は一部にグラン
ドパターンが、予め形成されている。この第２の高周波
回路基板１３には、例えばセラミック基板、テフロン
（Ｒ）基板、ガラスエポキシ基板等を用いればよい。ま
た、第２の高周波回路基板１３の表面には、形成された
配線パターンに応じた所定の位置に、所望の信号処理を
行う光半導体モジュールが実装される。この実施例で
は、光半導体モジュールとして、フォトダイオードのよ
うな発光素子を含んで構成された、表面実装型のフォト
ダイオードモジュール１５が実装される。このフォトダ
イオードモジュール１５の電気信号出力端子と第２の高
周波回路基板１３の表面に形成された所定の信号ライン
とは、互いに半田付けされて電気的に接続される。ま
た、フォトダイオードモジュール１５の電源端子と、第
２の高周波回路基板１３の表面に形成された電源ライン
とは、互いに半田付けされて電気的に接続される。さら
に、フォトダイオードモジュール１５には、光信号を入
力するための光ファイバ１７が接続されている。この第
２の高周波回路基板１３、フォトダイオードモジュール
１５及び光ファイバ１７により、光受信ユニットが構成
される。

【００２５】金属基台１１は、第１の高周波回路基板１
２と第２の高周波回路基板１３とを固定させるために用
いられ、導体性の金属で成形される。金属基台１１の一
方の面には、第１の高周波回路基板１２が裏面を接する
ように固定され、金属基台１１の他方の面には、第２の
高周波回路基板１３が裏面を接するように固定される。
これらの固定は、双方の回路基板裏面のグランドパター
ンと金属基台１１とが電気的に接続されるように、半田
付けや接着等の処理、又は所定の位置に予め設けられる
ネジ穴を用いたネジ締め付けによって行われる。この接
続によって、金属基台１１がグランドレベルとなる。こ
の構造により、光送受信ユニットとして機能する光半導
体モジュール実装回路が構成される。

【００２６】このように、本発明の第１の実施形態に係
る光半導体モジュール実装回路によれば、金属基台１１
の両面に光半導体モジュールをそれぞれ配置させ、か
つ、金属基台１１の全体をシールドとして機能させる。
これにより、光半導体モジュール実装回路の小型化及び
低コスト化を実現することが可能となる。また、光半導
体モジュールが本来有している電気／光変換効率を十分
に発揮させつつ、高周波信号の伝達特性に優れた光半導
体モジュール実装回路を実現することができる。

【００２７】（第２の実施形態）図２は、本発明の第２
の実施形態に係る光半導体モジュール実装回路の構造を
説明する図である。図２において、第２の実施形態に係
る光半導体モジュール実装回路は、多層基板２１と、レ
ーザダイオードモジュール２４と、フォトダイオードモ
ジュール２５と、光ファイバ２６及び２７とで構成され
る。

【００２８】多層基板２１の両方の表面には、変調され
た電気信号を光半導体モジュールへ入出力させるため等
の所望のマイクロストリップ線路や電極の配線パターン
等が、それぞれ予め形成されている。この多層基板２１
には、例えばセラミック基板、テフロン（Ｒ）基板、ガ
ラスエポキシ基板等を用いればよい。また、多層基板２
１の表面を除く少なくとも１つの層には、グランドレベ
ルに接続される金属層２８が設けられている。この金属
層２８は、上記第１の実施形態におけるグランドパター
ンに相当する役割を果たす。

【００２９】多層基板２１の一方の表面には、形成され
た配線パターンに応じた所定の位置に、所望の信号処理
を行う光半導体モジュールが実装される。この実施例で
は、光半導体モジュールとして、ＦＰ−ＬＤのような発
光素子を含んで構成された、表面実装型のレーザダイオ
ードモジュール２４が実装される。このレーザダイオー
ドモジュール２４の電気信号入力端子と多層基板２１の
一方の表面に形成された所定の信号ラインとは、互いに
半田付けされて電気的に接続される。また、レーザダイ
オードモジュール２４の電源端子と、多層基板２１の一
方の表面に形成された電源ラインとは、互いに半田付け
されて電気的に接続される。さらに、レーザダイオード
モジュール２４には、光信号を出力するための光ファイ
バ２６が接続されている。この多層基板２１の一方の表
面、レーザダイオードモジュール２４及び光ファイバ２
６により、光送信ユニットが構成される。

【００３０】また、多層基板２１の他方の表面には、形
成された配線パターンに応じた所定の位置に、所望の信
号処理を行う光半導体モジュールが実装される。この実
施例では、光半導体モジュールとして、フォトダイオー
ドのような発光素子を含んで構成された、表面実装型の
フォトダイオードモジュール２５が実装される。このフ
ォトダイオードモジュール２５の電気信号出力端子と多
層基板２１の他方の表面に形成された所定の信号ライン
とは、互いに半田付けされて電気的に接続される。ま
た、フォトダイオードモジュール２５の電源端子と、多
層基板２１の他方の表面に形成された電源ラインとは、
互いに半田付けされて電気的に接続される。さらに、フ
ォトダイオードモジュール２５には、光信号を入力する
ための光ファイバ２７が接続されている。この多層基板
２１の他方の表面、フォトダイオードモジュール２５及
び光ファイバ２７により、光受信ユニットが構成され
る。従って、多層基板２１、レーザダイオードモジュー
ル２４、フォトダイオードモジュール２５及び光ファイ
バ２６，２７を用いた構造により、光送受信ユニットと
して機能する光半導体モジュール実装回路が構成され
る。

【００３１】このように、本発明の第２の実施形態に係
る光半導体モジュール実装回路によれば、金属層２８を
有する多層基板２１の両方の表面に光半導体モジュール
をそれぞれ配置させ、かつ、その金属層２８をシールド
として機能させる。これにより、光半導体モジュール実
装回路の小型化及び低コスト化を実現することが可能と
なる。また、光半導体モジュールが本来有している電気
／光変換効率を十分に発揮させつつ、高周波信号の伝達
特性に優れた光半導体モジュール実装回路を実現するこ
とができる。なお、多層基板２１が３層である場合に
は、上記第１の実施形態で説明した金属基台１１が樹脂
等の非導体である基板に置き換えられた構成と等価とな
る。

【００３２】なお、上記第１及び第２の実施形態におい
ては、第１及び第２の高周波回路基板１２，１３及び多
層基板２１に、マイクロストリップ線路が形成された場
合を説明したが、形成される線路はこれに限られるもの
ではなく、例えばコプレナー線路が形成されてもよい。
また、回路基板にグランドパターン（金属層）と表面回
路上のグランドとを電気的に接続させるビアを設けて、
グランド強化を行ってもよい。

【００３３】また、上記第１及び第２の実施形態におい
ては、光半導体モジュールとして表面実装型のモジュー
ルを用いた場合を説明したが、使用可能なモジュールは
これに限られるものではなく、例えば同軸型やバタフラ
イ型のモジュールを用いてもよい。また、発光素子を含
んだ光半導体モジュールは、ＦＰ−ＬＤを構成に含むも
のに限られず、分布帰還型レーザダイオード（ＤＦＢ−
ＬＤ）、発光ダイオード（ＬＥＤ）又はスーパー・ルミ
ネッセント・ダイオード（ＳＬＤ）等を構成に含むもの
であってもよい。さらに、光半導体モジュールとして、
発光素子と受光素子とを共に構成に含む複合モジュール
を用いても構わない。

【００３４】さらに、上記第１及び第２の実施形態にお
いては、発光素子と受光素子とを組み合わせた光半導体
モジュール実装回路の構造を説明した。しかし、この組
み合わせ以外にも、発光素子のみや受光素子のみを組み
合わせた光半導体モジュール実装回路や、波長の異なる
発光素子及び受光素子を組み合わせた光半導体モジュー
ル実装回路についても、本発明の構造を同様に適用させ
ることが可能である。また、発光素子及び受光素子に接
続される光ファイバの方向が同じである構造を示した
が、その方向は自由に設計することが可能である。

【００３５】なお、上記第１及び第２の実施形態に係る
光半導体モジュール実装回路の第１及び第２の高周波回
路基板１２，１３及び多層基板２１上に、必要に応じて
インピーダンス整合回路、高周波増幅器及びフィルタ等
の構成をさらに実装させることができる。また、この構
成にアンテナをさらに接続すれば、光基地局装置を構成
することができる。以下、第３の実施形態において、こ
のようにして構成された光基地局装置の一例を説明す
る。

【００３６】（第３の実施形態）図３は、本発明の第３
の実施形態に係る光基地局装置の構成を説明するための
図である。図３において、第３の実施形態に係る光基地
局装置は、光半導体モジュール実装回路３０と、第１の
インピーダンス整合回路３８と、第２のインピーダンス
整合回路３９と、第１の高周波増幅器４０と、第２の高
周波増幅器４１と、第１のフィルタ４２と、第２のフィ
ルタ４３と、受信アンテナ４４と、送信アンテナ４５と
で構成される。

【００３７】光半導体モジュール実装回路３０は、上記
第１の実施形態で説明したように、金属基台１１と、第
１の高周波回路基板１２と、第２の高周波回路基板１３
と、レーザダイオードモジュール１４と、フォトダイオ
ードモジュール１５と、光ファイバ１６及び１７とで構
成される。なお、この光半導体モジュール実装回路３０
を、上記第２の実施形態で説明した、多層基板２１と、
レーザダイオードモジュール２４と、フォトダイオード
モジュール２５と、光ファイバ２６及び２７とからなる
構成に置き換えてもよい。以下、光半導体モジュール実
装回路３０を除く新たな構成部分を説明する。

【００３８】第１の高周波回路基板１２の表面には、配
線パターンに応じた所定の位置に、第１のインピーダン
ス整合回路３８、第１の高周波増幅器４０及び第１のフ
ィルタ４２が実装される。第１のフィルタ４２は、別途
入力される電気信号から所望の周波数の電気信号だけを
通過させる。第１の高周波増幅器４０は、第１のフィル
タ４２を通過した電気信号を入力し、所定のレベルまで
増幅させる。第１のインピーダンス整合回路３８は、第
１の高周波増幅器４０で増幅された電気信号を、必要な
インピーダンス整合を行った後、レーザダイオードモジ
ュール１４の電気信号入力端子に入力させる。これによ
り、所望の周波数の電気信号を、効率よくレーザダイオ
ードモジュール１４へ供給することができる。

【００３９】一方、第２の高周波回路基板１３の表面に
は、配線パターンに応じた所定の位置に、第２のインピ
ーダンス整合回路３９、第２の高周波増幅器４１及び第
２のフィルタ４３が実装される。第２のインピーダンス
整合回路３９は、フォトダイオードモジュール１５の電
気信号出力端子から出力される電気信号を、必要なイン
ピーダンス整合を行った後、第２の高周波増幅器４１へ
出力する。第２の高周波増幅器４１は、フォトダイオー
ドモジュール１５から出力される電気信号を入力し、所
定のレベルまで増幅させる。第２のフィルタ４３は、第
２の高周波増幅器４１から増幅された電気信号を入力
し、所望の周波数の電気信号だけを通過させて出力す
る。これにより、所望の周波数の電気信号を、効率よく
フォトダイオードモジュール１５から抽出することがで
きる。

【００４０】さらに、この構成に受信アンテナ４４及び
送信アンテナ４５を加え、第１のフィルタ４２の電気信
号入力端子に受信アンテナ４４を接続し、第２のフィル
タ４３の電気信号出力端子に送信アンテナ４５を接続す
ることで、光基地局装置を実現することができる。この
構成によって、受信アンテナ４４で受信された電気信号
を、光信号に変換して光ファイバ１６で伝送することが
可能になり、また、光ファイバ１７を介して伝送されて
きた光信号を、電気信号に変換して送信アンテナ４５か
ら放射することが可能になる。

【００４１】なお、上記第３の実施形態においては、送
信アンテナ４５及び受信アンテナ４４の２つのアンテナ
を用いた構成の光基地局装置を説明したが、これ以外に
も、サーキュレータ等のスイッチ機能を搭載して１つの
アンテナを送受信で共用する構成にしてもよい。また、
光半導体モジュール実装回路３０には、上述したように
インピーダンス整合回路、高周波増幅器及びフィルタの
全てが実装される必要はなく、必要ないずれか１つ又は
２つの組み合わせであっても構わない。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態に係る光半導体モジュ
ール実装回路の構造を説明する図である。

【図２】本発明の第２の実施形態に係る光半導体モジュ
ール実装回路の構造を説明する図である。

【図３】本発明の第３の実施形態に係る光基地局装置の
構成を説明する図である。

【図４】従来の光半導体モジュール実装回路の構造を説
明する図である。

【符号の説明】

１１…金属基台１２，１３，５２，５３…高周波回路基板１４，２４，５４…レーザダイオードモジュール１５，２５，５５…フォトダイオードモジュール１６，１７，２６，２７，５６，５７…光ファイバ２１…多層基板２８…金属層３０…光半導体モジュール実装回路３８，３９…インピーダンス整合回路４０，４１…高周波増幅器４２，４３…フィルタ４４…受信アンテナ４５…送信アンテナ５８…シールド

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０５Ｋ 1/18 Ｈ０５Ｋ 9/00 Ａ５Ｆ０７３ 9/00 Ｈ０１Ｌ 31/02 Ｂ５Ｆ０８８ (72)発明者朝倉宏之大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内Ｆターム(参考） 5E315 BB01 DD27 DD29 GG20 GG22 5E321 AA17 GG05 5E336 AA04 AA14 BB02 BB03 BB15 BB18 CC10 CC57 EE01 GG30 5E338 AA02 AA03 AA16 AA18 CC02 CC06 CD12 CD23 EE22 5F041 BB02 DA03 DA33 DA34 DA35 DA83 DB09 EE08 FF14 5F073 AB15 AB28 BA02 EA27 FA06 FA14 5F088 AA01 BA10 BA15 BA16 BB01 EA07 EA09 EA11 EA16 JA03 JA14 JA20 KA02

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】複数の光半導体モジュールを実装した回
路であって、複数の光半導体モジュールと、前記光半導体モジュールを電気的に接続させるために必
要な所定の配線パターンが形成された複数の高周波回路
基板と、前記高周波回路基板を固定するための金属基台とを備
え、所定の配線パターン位置に前記光半導体モジュールが実
装された前記高周波回路基板が、前記金属基台の両面に
それぞれ配置され、前記金属基台が、前記高周波回路基
板のグランドレベルに接続されることを特徴とする、光
半導体モジュール実装回路。
【請求項２】複数の光半導体モジュールを実装した回
路であって、複数の光半導体モジュールと、前記光半導体モジュールを電気的に接続させるために必
要な所定の配線パターンが表面に形成され、グランドパ
ターンが裏面に形成された複数の高周波回路基板と、前記高周波回路基板を固定するための基台とを備え、表面に形成された所定の配線パターン位置に前記光半導
体モジュールが実装された前記高周波回路基板が、裏面
が接するように前記基台の両面にそれぞれ配置されるこ
とを特徴とする、光半導体モジュール実装回路。
【請求項３】複数の光半導体モジュールを実装した回
路であって、複数の光半導体モジュールと、前記光半導体モジュールを電気的に接続させるために必
要な所定の配線パターンが両側の表面に形成され、表面
を除く少なくとも１つの層に金属層が形成された多層型
の高周波回路基板とを備え、前記光半導体モジュールが、前記高周波回路基板の両面
にそれぞれ実装されることを特徴とする、光半導体モジ
ュール実装回路。
【請求項４】前記高周波回路基板が、マイクロストリ
ップ線路基板又はコプレナー線路基板であることを特徴
とする、請求項１〜３のいずれかに記載の光半導体モジ
ュール実装回路。
【請求項５】前記光半導体モジュールが、表面実装型
モジュールであることを特徴とする、請求項１〜４のい
ずれかに記載の光半導体モジュール実装回路。
【請求項６】前記光半導体モジュールが、同軸型モジ
ュールであることを特徴とする、請求項１〜４のいずれ
かに記載の光半導体モジュール実装回路。
【請求項７】前記光半導体モジュールが、半導体レー
ザ、発光ダイオード又はフォトダイオードのいずれかを
含んで構成されたものであることを特徴とする、請求項
１〜６のいずれかに記載の光半導体モジュール実装回
路。
【請求項８】前記光半導体モジュールが、半導体レー
ザ及びフォトダイオードを含んで構成された複合モジュ
ールであることを特徴とする、請求項１〜７のいずれか
に記載の光半導体モジュール実装回路。
【請求項９】前記高周波回路基板の所定の配線パター
ン位置に、高周波信号を増幅するための増幅器が実装さ
れていることを特徴とする、請求項１〜８に記載の光半
導体モジュール実装回路。
【請求項１０】前記高周波回路基板の所定の配線パタ
ーン位置に、特定周波数の高周波信号を通過させるフィ
ルタが実装されていることを特徴とする、請求項１〜９
のいずれかに記載の光半導体モジュール実装回路。
【請求項１１】前記高周波回路基板の所定の配線パタ
ーン位置に、前記光半導体モジュールとのインピーダン
ス整合を行うインピーダンス整合回路が実装されている
ことを特徴とする、請求項１〜１０のいずれかに記載の
光半導体モジュール実装回路。
【請求項１２】請求項１〜１１に記載の光半導体モジ
ュール実装回路の電気信号入出力部にアンテナを備えて
構成される、光基地局装置。