JP2003207794A5 - - Google Patents

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  1. 各画素毎に、薄膜トランジスタと、この薄膜トランジスタを介して画素電圧が印加される画素電極と、を備えたアクティブマトリクス型表示装置において、隣接する一方の画素の画素電極と接続されると共に、隣接する画素間の領域に延在された補助画素電極を設けたことを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
  2. 前記補助画素電極は、絶縁膜を介して前記画素電極の下層に形成されたことを特徴とする請求項１記載のアクティブマトリクス型表示装置。
  3. 前記補助画素電極は、前記薄膜トランジスタのソースに接続されると共に、該補助画素電極の上層の前記画素電極に接続されていることを特徴とする請求項２記載のアクティブマトリクス型表示装置。
  4. 前記補助画素電極は絶縁膜を介して前記画素電極の下層に形成されており、隣接する画素間の領域に延在された前記補助画素電極部分上の前記絶縁膜を部分的に除去したことを特徴とする請求項１記載のアクティブマトリクス型表示装置。
  5. 各画素毎に、薄膜トランジスタと、この薄膜トランジスタを介して画素電圧が印加される画素電極と、を備えたアクティブマトリクス型表示装置において、隣接する画素間の領域に配置され、隣接する画素の各画素電極に絶縁膜を介して容量結合を成した浮遊電極を設けたことを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
  6. 前記浮遊電極は前記絶縁膜を介して前記画素電極の下層に形成されていることを特徴とする請求項５記載のアクティブマトリクス型表示装置。
  7. 前記浮遊電極は前記絶縁膜を介して前記画素電極の下層に形成されており、前記浮遊電極上の前記絶縁膜を部分的に除去したことを特徴とする請求項５記載のアクティブマトリクス型表示装置。
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