JP2003203805A - 半導体装置、シャント抵抗器の製造方法 - Google Patents
半導体装置、シャント抵抗器の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 コンパクトな構造で、高精度に大電流を検出
でき、かつ放熱性が高シャント抵抗器を備えた半導体装
置を得る。 【解決手段】 この発明の半導体装置は、放熱板６上の
絶縁回路基板５に取り付けられた半導体素子１２に流れ
る電流を検出するシャント抵抗器４が内蔵された半導体
装置であって、シャント抵抗器４は、絶縁回路基板５に
直線部位が接続されたＵ字状の金属板２と、この金属板
の一対の直線部位間に接合材で接合された絶縁材１とを
備えている。
でき、かつ放熱性が高シャント抵抗器を備えた半導体装
置を得る。 【解決手段】 この発明の半導体装置は、放熱板６上の
絶縁回路基板５に取り付けられた半導体素子１２に流れ
る電流を検出するシャント抵抗器４が内蔵された半導体
装置であって、シャント抵抗器４は、絶縁回路基板５に
直線部位が接続されたＵ字状の金属板２と、この金属板
の一対の直線部位間に接合材で接合された絶縁材１とを
備えている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、放熱板上の絶縁
回路基板に取り付けられた半導体素子に流れる電流を検
出するシャント抵抗器が内蔵された半導体装置、および
シャント抵抗器の製造方法に関するものである。
回路基板に取り付けられた半導体素子に流れる電流を検
出するシャント抵抗器が内蔵された半導体装置、および
シャント抵抗器の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、モータの回転数を制御するイン
バータ装置などにおいては、交流周波数を変換させるた
めにＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）
等の半導体素子であるパワー半導体素子を複数個セラミ
ック基板上に搭載した半導体装置が用いられる。
バータ装置などにおいては、交流周波数を変換させるた
めにＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）
等の半導体素子であるパワー半導体素子を複数個セラミ
ック基板上に搭載した半導体装置が用いられる。
【０００３】この半導体装置は、モータに接続される
が、このモータに流れる電流は電流検出器によって検出
される。電流検出器としてカレントトランスを用いた場
合、他の部品に比べて容積が大きいため、装置の小型化
の妨げとなっていた。
が、このモータに流れる電流は電流検出器によって検出
される。電流検出器としてカレントトランスを用いた場
合、他の部品に比べて容積が大きいため、装置の小型化
の妨げとなっていた。
【０００４】これに対して、シャント抵抗器を半導体装
置に内蔵して、半導体素子に流れる電流を検出すること
によって小型化を図ったものとして特許文献１に示され
たものが知られている。図１７はその特許文献１に示さ
れたシャント抵抗器の断面図である。
置に内蔵して、半導体素子に流れる電流を検出すること
によって小型化を図ったものとして特許文献１に示され
たものが知られている。図１７はその特許文献１に示さ
れたシャント抵抗器の断面図である。
【０００５】このシャント抵抗器は、例えば銅マンガン
材料からなるハット型部材６０の凹部内に、例えばエポ
キシ樹脂からなる絶縁物１４が充填されて構成されてい
る。ハット型部材６０のフランジ部分６０ａ、６０ｂに
は例えば銅材料からなる一対の端子１３が固着されてい
る。この端子１３は絶縁回路基板１６の導電パターン１
５に実装されている。
材料からなるハット型部材６０の凹部内に、例えばエポ
キシ樹脂からなる絶縁物１４が充填されて構成されてい
る。ハット型部材６０のフランジ部分６０ａ、６０ｂに
は例えば銅材料からなる一対の端子１３が固着されてい
る。この端子１３は絶縁回路基板１６の導電パターン１
５に実装されている。
【０００６】このシャント抵抗器は、抵抗体であるハッ
ト型部材６０で生じたジュール熱を逃がす必要があり、
絶縁物が充填されていないシャント抵抗器と比較して放
熱性を高めるために、ハット型部材６０の凹部内に絶縁
物１４が充填されている。
ト型部材６０で生じたジュール熱を逃がす必要があり、
絶縁物が充填されていないシャント抵抗器と比較して放
熱性を高めるために、ハット型部材６０の凹部内に絶縁
物１４が充填されている。
【０００７】しかしながら、このシャント抵抗器では、
数１００Ａレベルの大電流のときにはシャント抵抗器の
温度が許容レベルを超え、絶縁物１４が劣化してしまう
だけでなく、シャント抵抗器が高温になるためシャント
抵抗器自体の抵抗値が変化してしまい、高精度の電流測
定ができないという問題点があった。
数１００Ａレベルの大電流のときにはシャント抵抗器の
温度が許容レベルを超え、絶縁物１４が劣化してしまう
だけでなく、シャント抵抗器が高温になるためシャント
抵抗器自体の抵抗値が変化してしまい、高精度の電流測
定ができないという問題点があった。
【０００８】これに対して、図１８のシャント抵抗器
は、特許文献２に記載されたシャント抵抗器であって、
大電流時でも電流測定が可能であるシャント抵抗器であ
る。このシャント抵抗器は、銅製のベース６上にはんだ
からなる接合材７で接合された絶縁回路基板５上に取り
付けられている。シャント抵抗器では、セラミックス基
板１７を挟んでその表面側に所定の抵抗値にあわせて設
計したサイズの計測用精密抵抗材からなるシート状抵抗
部１８および裏面に銅部材１９を重ね合わせて、銀ろう
などを用いた活性金属法により一体に接合して抵抗体を
構成している。シート状抵抗部１８の両端部には電流通
電用ボンディング部が形成され、この部分にボンディン
グワイヤ１０ａ、１０ｂが接続されている。シート状抵
抗部１８の内側には電流検出用のボンディング電極部が
形成され、この部分にボンディングワイヤ１１ａ、１１
ｂが接続されている。それぞれのボンディングワイヤ１
０ａ、１０ｂ、１１ａ、１１ｂは紙面に対して垂直方向
に複数本配置されている。
は、特許文献２に記載されたシャント抵抗器であって、
大電流時でも電流測定が可能であるシャント抵抗器であ
る。このシャント抵抗器は、銅製のベース６上にはんだ
からなる接合材７で接合された絶縁回路基板５上に取り
付けられている。シャント抵抗器では、セラミックス基
板１７を挟んでその表面側に所定の抵抗値にあわせて設
計したサイズの計測用精密抵抗材からなるシート状抵抗
部１８および裏面に銅部材１９を重ね合わせて、銀ろう
などを用いた活性金属法により一体に接合して抵抗体を
構成している。シート状抵抗部１８の両端部には電流通
電用ボンディング部が形成され、この部分にボンディン
グワイヤ１０ａ、１０ｂが接続されている。シート状抵
抗部１８の内側には電流検出用のボンディング電極部が
形成され、この部分にボンディングワイヤ１１ａ、１１
ｂが接続されている。それぞれのボンディングワイヤ１
０ａ、１０ｂ、１１ａ、１１ｂは紙面に対して垂直方向
に複数本配置されている。
【０００９】このシャント抵抗器は、熱伝導率が数Ｗ/
ｍ・Ｋのエポキシ樹脂よりも高い、数１０〜１５０Ｗ/
ｍ・Ｋのセラミックス基板１７により抵抗体の発熱をよ
り効果的に放熱しており、大電流の検出が可能になって
いる。
ｍ・Ｋのエポキシ樹脂よりも高い、数１０〜１５０Ｗ/
ｍ・Ｋのセラミックス基板１７により抵抗体の発熱をよ
り効果的に放熱しており、大電流の検出が可能になって
いる。
【００１０】しかしながら、セラミックス基板１７を挟
んでシート状抵抗部１８および銅部材１９を重ね合わ
せ、銀ろうなどで一体接合しているので、確かに初期の
放熱特性という点では高性能化が図れるが、使用環境下
では次のような問題点があった。即ち、このような構造
を採用したところで、シート状抵抗部１８での発熱は避
けられないため、抵抗部１８とセラミックス基板１７と
の接合界面に熱応力が発生し、セラミックス基板１７に
割れが発生し、この割れは繰り返し使用されるにつれて
拡大し、最後には抵抗部１８とセラミックス基板１７と
が分離してしまい、その結果抵抗部１８の温度は上昇
し、初期の性能が維持できなくなってしまうという問題
点があった。
んでシート状抵抗部１８および銅部材１９を重ね合わ
せ、銀ろうなどで一体接合しているので、確かに初期の
放熱特性という点では高性能化が図れるが、使用環境下
では次のような問題点があった。即ち、このような構造
を採用したところで、シート状抵抗部１８での発熱は避
けられないため、抵抗部１８とセラミックス基板１７と
の接合界面に熱応力が発生し、セラミックス基板１７に
割れが発生し、この割れは繰り返し使用されるにつれて
拡大し、最後には抵抗部１８とセラミックス基板１７と
が分離してしまい、その結果抵抗部１８の温度は上昇
し、初期の性能が維持できなくなってしまうという問題
点があった。
【００１１】また、図１７および図１８に示したシャン
ト抵抗器は、小型化や生産性という点で問題点があっ
た。即ち、図１７のシャント抵抗器ではフランジ部分６
０ａ、６０ｂで端子１３にはんだ接合するため、この接
合スペースが必要であった。また、図１７および図１８
に示した半導体装置は、当然ながら共にシャント抵抗器
の大きさ分だけのスペースも必要となる。従って、外付
けでカレントトランスを用いた場合に比べて、半導体装
置のパッケージサイズは少なくとも１５ｍｍ以上も大き
くなってしまうことになる。
ト抵抗器は、小型化や生産性という点で問題点があっ
た。即ち、図１７のシャント抵抗器ではフランジ部分６
０ａ、６０ｂで端子１３にはんだ接合するため、この接
合スペースが必要であった。また、図１７および図１８
に示した半導体装置は、当然ながら共にシャント抵抗器
の大きさ分だけのスペースも必要となる。従って、外付
けでカレントトランスを用いた場合に比べて、半導体装
置のパッケージサイズは少なくとも１５ｍｍ以上も大き
くなってしまうことになる。
【００１２】また、図１８に示した半導体装置では、１
本に付き１０Ａ程度しか電流を流すことができないボン
ディングワイヤ１０ａ、１０ｂを、多数本並列に接合す
る必要があり、今後の大電流化にとっては、生産性に問
題が生じることが考えられる。
本に付き１０Ａ程度しか電流を流すことができないボン
ディングワイヤ１０ａ、１０ｂを、多数本並列に接合す
る必要があり、今後の大電流化にとっては、生産性に問
題が生じることが考えられる。
【００１３】更に、図１８に示したシャント抵抗器のよ
うに、平板状導体であるシート状抵抗部１８を用いた場
合には、インダクタンスが大きく、高周波特性が悪いと
いう問題点もあった。ＩＧＢＴのようなパワー半導体装
置では、例えばＩＧＢＴ素子１個あたり１００Ａ程度の
大きな電流を測定することになるが、抵抗挿入による電
力損失を低くするために、抵抗体の抵抗値としてはミリ
オーム程度の低い値が必要とされる。このような抵抗値
をもつ平板抵抗は１００ｋＨｚから１ＭＨｚといった高
周波においては抵抗よりもインダクタンスによるインピ
ーダンスが支配的となり、検出特性が周波数依存性を持
つという問題点もあった。
うに、平板状導体であるシート状抵抗部１８を用いた場
合には、インダクタンスが大きく、高周波特性が悪いと
いう問題点もあった。ＩＧＢＴのようなパワー半導体装
置では、例えばＩＧＢＴ素子１個あたり１００Ａ程度の
大きな電流を測定することになるが、抵抗挿入による電
力損失を低くするために、抵抗体の抵抗値としてはミリ
オーム程度の低い値が必要とされる。このような抵抗値
をもつ平板抵抗は１００ｋＨｚから１ＭＨｚといった高
周波においては抵抗よりもインダクタンスによるインピ
ーダンスが支配的となり、検出特性が周波数依存性を持
つという問題点もあった。
【００１４】これに対して、図１９は周波数特性が平坦
なシャント抵抗器を有する半導体装置を示す図である。
図１９は特許文献３に記載されたシャント抵抗器の斜視
図であり、周波数特性が平坦である電流センサを得るこ
とができる。図において、平行平板状に折り返した形状
の導電体（ここでは銅）からなる電流センサ部２８は、
平行平板をなす第１の平板状部分２８ａ、第２の平板状
部分２８ｃおよびこれら第１、第２の平板状部分２８
ａ、２８ｃの一方の端部を互いにつなぐ折れ曲がり部２
８ｂで構成されている。第１の平板状部分２８ａの他方
の端部は電極パターン２９にはんだ付けにより接合され
て電流センサ部２８の一方の検出端子３４を形成してい
る。第２の平板状部分２８ｃの他方の端部はモジュール
エミッタ電極２７と一体になって繋がっており、電流セ
ンサ部２８の他方の検出端子３５を形成している。エミ
ッタ中継基板２６上の電極パターン２９はアルミニウム
ワイヤ５１によりダイオード素子４０のアノード電極４
１およびＩＧＢＴ素子３のエミッタ電極３１と接続され
ている。なお、符号１６は過電流・短絡電流保護回路で
ある。
なシャント抵抗器を有する半導体装置を示す図である。
図１９は特許文献３に記載されたシャント抵抗器の斜視
図であり、周波数特性が平坦である電流センサを得るこ
とができる。図において、平行平板状に折り返した形状
の導電体（ここでは銅）からなる電流センサ部２８は、
平行平板をなす第１の平板状部分２８ａ、第２の平板状
部分２８ｃおよびこれら第１、第２の平板状部分２８
ａ、２８ｃの一方の端部を互いにつなぐ折れ曲がり部２
８ｂで構成されている。第１の平板状部分２８ａの他方
の端部は電極パターン２９にはんだ付けにより接合され
て電流センサ部２８の一方の検出端子３４を形成してい
る。第２の平板状部分２８ｃの他方の端部はモジュール
エミッタ電極２７と一体になって繋がっており、電流セ
ンサ部２８の他方の検出端子３５を形成している。エミ
ッタ中継基板２６上の電極パターン２９はアルミニウム
ワイヤ５１によりダイオード素子４０のアノード電極４
１およびＩＧＢＴ素子３のエミッタ電極３１と接続され
ている。なお、符号１６は過電流・短絡電流保護回路で
ある。
【００１５】上記構成の半導体装置では、平行平板をな
す第１、第２の平板状部分２８ａ、２８ｃを流れる電流
が互いに対向し、磁界を相殺するので、周波数特性が平
坦で検出精度の良い電流センサを得ることができる。
す第１、第２の平板状部分２８ａ、２８ｃを流れる電流
が互いに対向し、磁界を相殺するので、周波数特性が平
坦で検出精度の良い電流センサを得ることができる。
【００１６】しかしながら、図１９に示した半導体装置
では、検出精度および放熱性において問題点があること
が分かった。即ち、電流センサ部２８に銅を使用した場
合、抵抗温度係数が大きいため、環境温度によって抵抗
値が変化し、高精度な電流検出ができない。また、電流
センサ部として銅−ニッケル合金等の抵抗温度係数の小
さい金属を使用すると、熱伝導率が小さいために、電流
センサ部の熱抵抗が大きくなる。従って、放熱板である
エミッタ中継基板２６と接合された電極パターン２９に
接触している部分以外は非常に高温になり、電極パター
ン２９との接合部の信頼性やその近傍の部材に熱による
悪影響を与えてしまうという問題点があった。
では、検出精度および放熱性において問題点があること
が分かった。即ち、電流センサ部２８に銅を使用した場
合、抵抗温度係数が大きいため、環境温度によって抵抗
値が変化し、高精度な電流検出ができない。また、電流
センサ部として銅−ニッケル合金等の抵抗温度係数の小
さい金属を使用すると、熱伝導率が小さいために、電流
センサ部の熱抵抗が大きくなる。従って、放熱板である
エミッタ中継基板２６と接合された電極パターン２９に
接触している部分以外は非常に高温になり、電極パター
ン２９との接合部の信頼性やその近傍の部材に熱による
悪影響を与えてしまうという問題点があった。
【００１７】
【特許文献１】実用新案登録第３０６７２１３号公報
（［００１８］〜［００１９］、図１）
（［００１８］〜［００１９］、図１）
【特許文献２】特開平１１-９７２０３号公報（［００
２０］〜［００２１］、図２）
２０］〜［００２１］、図２）
【特許文献３】特開２０００-３５３７７８号公報
（［００２２］〜［００２３］、図１）
（［００２２］〜［００２３］、図１）
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】以上説明したように、
従来、放熱性および信頼性が優れた半導体装置を提供す
ることが困難であった。この発明は、上記のような問題
点を解決することを課題とするものであって、コンパク
トな構造で、高精度に大電流を検出でき、かつ放熱性が
高い半導体装置を得ることを目的とする。
従来、放熱性および信頼性が優れた半導体装置を提供す
ることが困難であった。この発明は、上記のような問題
点を解決することを課題とするものであって、コンパク
トな構造で、高精度に大電流を検出でき、かつ放熱性が
高い半導体装置を得ることを目的とする。
【００１９】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体装
置では、シャント抵抗器は、Ｕ字状の金属板と、この金
属板の一対の直線部位間に設けられた絶縁材とを備えて
いる。
置では、シャント抵抗器は、Ｕ字状の金属板と、この金
属板の一対の直線部位間に設けられた絶縁材とを備えて
いる。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態につ
いて説明するが、先に説明した従来のものと同一、また
は相当部材、部位については、同一符号を付して説明す
る。 実施の形態１．図１はこの発明の実施の形態１の半導体
装置の部分断面図、図２は半導体装置に内蔵されたシャ
ント抵抗器の斜視図である。図において、半導体装置に
はシャント抵抗器４が組み込まれている。このシャント
抵抗器４は、絶縁回路基板５の導電パターン５ａに接合
されている。絶縁回路基板５は、大電流対応の基板とし
て多用される、窒化アルミニウムセラミックスと銅板と
を接合して構成されている。絶縁回路基板５には例えば
銅製のベース板６が例えばはんだからなる接合材７で接
合されている。放熱板であるこのベース板６は、半導体
装置の外枠の一部を形成し、シャント抵抗器４からの熱
が外部に放出されるときの冷却通路を形成している。ベ
ース板６にはポリフェニレンサルファイド製のケース１
７が固着されている。このケース１７には、例えばモー
タなどとの接続のための交流側モジュール電極９、この
モジュール電極９の反対側にあり例えばバッテリーなど
の直流電源との接続のための直流側モジュール電極（図
示せず）が固着されている。
いて説明するが、先に説明した従来のものと同一、また
は相当部材、部位については、同一符号を付して説明す
る。 実施の形態１．図１はこの発明の実施の形態１の半導体
装置の部分断面図、図２は半導体装置に内蔵されたシャ
ント抵抗器の斜視図である。図において、半導体装置に
はシャント抵抗器４が組み込まれている。このシャント
抵抗器４は、絶縁回路基板５の導電パターン５ａに接合
されている。絶縁回路基板５は、大電流対応の基板とし
て多用される、窒化アルミニウムセラミックスと銅板と
を接合して構成されている。絶縁回路基板５には例えば
銅製のベース板６が例えばはんだからなる接合材７で接
合されている。放熱板であるこのベース板６は、半導体
装置の外枠の一部を形成し、シャント抵抗器４からの熱
が外部に放出されるときの冷却通路を形成している。ベ
ース板６にはポリフェニレンサルファイド製のケース１
７が固着されている。このケース１７には、例えばモー
タなどとの接続のための交流側モジュール電極９、この
モジュール電極９の反対側にあり例えばバッテリーなど
の直流電源との接続のための直流側モジュール電極（図
示せず）が固着されている。
【００２１】絶縁回路基板５の導電パターン部５ａには
接合材７で例えばＩＢＧＴやＭＯＳＦＥＴ、ダイオード
などの半導体素子１２が接合されている。シャント抵抗
器４と交流側モジュール電極９とはボンディングワイヤ
１０ａで電気的に接続されている。シャント抵抗器４に
接合された導電パターン５ａと、隣接した半導体素子１
２とはボンディングワイヤ１０ｂで電気的に接続されて
いる。なお、符号１１ａ、１１ｂはそれぞれシャント抵
抗器４の電位差を検出するためのボンディングワイヤで
ある。
接合材７で例えばＩＢＧＴやＭＯＳＦＥＴ、ダイオード
などの半導体素子１２が接合されている。シャント抵抗
器４と交流側モジュール電極９とはボンディングワイヤ
１０ａで電気的に接続されている。シャント抵抗器４に
接合された導電パターン５ａと、隣接した半導体素子１
２とはボンディングワイヤ１０ｂで電気的に接続されて
いる。なお、符号１１ａ、１１ｂはそれぞれシャント抵
抗器４の電位差を検出するためのボンディングワイヤで
ある。
【００２２】シャント抵抗器４は、絶縁回路基板５に直
線部位が接合された例えば銅マンガン合金からなるＵ字
状の金属板２と、この金属板２の一対の直線部位間に例
えば銀ペーストからなる接合材３で接合された例えば窒
化アルミニウムセラミックスからなる絶縁材１とから構
成されている。なお、金属板２としては抵抗温度係数の
低い抵抗材料として銅マンガンの他、銅ニッケル、ニッ
ケルクロム等を用いることができる。
線部位が接合された例えば銅マンガン合金からなるＵ字
状の金属板２と、この金属板２の一対の直線部位間に例
えば銀ペーストからなる接合材３で接合された例えば窒
化アルミニウムセラミックスからなる絶縁材１とから構
成されている。なお、金属板２としては抵抗温度係数の
低い抵抗材料として銅マンガンの他、銅ニッケル、ニッ
ケルクロム等を用いることができる。
【００２３】図３は上記構成の半導体装置の電気回路図
である。図３において、８Ｐ、８Ｎは直流側モジュール
電極、９Ｕ、９Ｖ、９Ｗは交流側モジュール電極、１２
ａはＩＧＢＴ、１２ｂはダイオードである。上述の交流
側モジュール電極９は９Ｕ、９Ｖまたは９Ｗを示し、半
導体素子１２は１２ａまたは１２ｂを指す。なお、３つ
の相は単一のパワー半導体装置の内部に構成されていて
もよいし、それぞれ独立したパワー半導体装置を組み合
わせて構成されていてもよい。また、ＩＧＢＴ１２ａは
ＩＧＢＴ以外のスイッチング可能な電力半導体素子であ
ってもよい。
である。図３において、８Ｐ、８Ｎは直流側モジュール
電極、９Ｕ、９Ｖ、９Ｗは交流側モジュール電極、１２
ａはＩＧＢＴ、１２ｂはダイオードである。上述の交流
側モジュール電極９は９Ｕ、９Ｖまたは９Ｗを示し、半
導体素子１２は１２ａまたは１２ｂを指す。なお、３つ
の相は単一のパワー半導体装置の内部に構成されていて
もよいし、それぞれ独立したパワー半導体装置を組み合
わせて構成されていてもよい。また、ＩＧＢＴ１２ａは
ＩＧＢＴ以外のスイッチング可能な電力半導体素子であ
ってもよい。
【００２４】上記構成の半導体装置では、交流側モジュ
ール電極９Ｕ、９Ｖ、９Ｗには、パワー半導体装置から
外部へ電流が流れる場合と、外部からパワー半導体装置
に電流が戻って流れる場合がある。図３に示すように、
シャント抵抗器４を、交流側モジュール電極９Ｕ、９
Ｖ、９Ｗと半導体素子１２ａ、１２ｂの間に配置するこ
とにより、どちらの場合でも電流は必ずシャント抵抗器
４を通過する。従って、各相に流れる電流の大きさはも
とより、その流れる方向までも常に把握することができ
る。なお、図３に示した半導体装置の電気回路図は、直
流を３相交流に変換する、または３相交流を直流に変換
する半導体装置の場合であるが、特にこれに限定するも
のではなく、どのようなパワー半導体装置であってもよ
い。
ール電極９Ｕ、９Ｖ、９Ｗには、パワー半導体装置から
外部へ電流が流れる場合と、外部からパワー半導体装置
に電流が戻って流れる場合がある。図３に示すように、
シャント抵抗器４を、交流側モジュール電極９Ｕ、９
Ｖ、９Ｗと半導体素子１２ａ、１２ｂの間に配置するこ
とにより、どちらの場合でも電流は必ずシャント抵抗器
４を通過する。従って、各相に流れる電流の大きさはも
とより、その流れる方向までも常に把握することができ
る。なお、図３に示した半導体装置の電気回路図は、直
流を３相交流に変換する、または３相交流を直流に変換
する半導体装置の場合であるが、特にこれに限定するも
のではなく、どのようなパワー半導体装置であってもよ
い。
【００２５】以上説明したように、上記構成の半導体装
置では、シャント抵抗器４は、絶縁回路基板５に直線部
位で接合材７により接合されたＵ字状の金属板２と、こ
の金属板２の一対の直線部位間に接合材３で接合された
絶縁材１とから構成されているので、シャント抵抗器の
接合用として必要とした図１７に示した従来のシャント
抵抗器のようなフランジ部分６０ａ、６０ｂを必要とせ
ず、専用の接合スペースが不要となる。
置では、シャント抵抗器４は、絶縁回路基板５に直線部
位で接合材７により接合されたＵ字状の金属板２と、こ
の金属板２の一対の直線部位間に接合材３で接合された
絶縁材１とから構成されているので、シャント抵抗器の
接合用として必要とした図１７に示した従来のシャント
抵抗器のようなフランジ部分６０ａ、６０ｂを必要とせ
ず、専用の接合スペースが不要となる。
【００２６】また、絶縁回路基板５上にシャント抵抗器
４を搭載して、その搭載領域の上部に位置するシャント
抵抗器４からボンディングワイヤ１０ａで交流側モジュ
ール電極９と接続できるので、シャント抵抗器を内蔵し
ていない従来のパワー半導体モジュールの絶縁回路基板
に関して、その絶縁回路基板を設計変更せずに従来のワ
イヤボンディング領域をシャント抵抗搭載領域として利
用することができ、その領域にシャント抵抗器４を搭載
できる。この結果、シャント抵抗器を内蔵したパワー半
導体装置が従来と同一サイズで実現できる。また、Ｕ字
状の金属板２の直線部位間には絶縁材１が挿入されて接
合材３で固着されているため、金属板２のみの場合に比
べ堅固となり、シャント抵抗器４の上面にワイヤボンデ
ィングを行っても超音波振動が安定に伝わり、その結
果、安定した接合が得られる。
４を搭載して、その搭載領域の上部に位置するシャント
抵抗器４からボンディングワイヤ１０ａで交流側モジュ
ール電極９と接続できるので、シャント抵抗器を内蔵し
ていない従来のパワー半導体モジュールの絶縁回路基板
に関して、その絶縁回路基板を設計変更せずに従来のワ
イヤボンディング領域をシャント抵抗搭載領域として利
用することができ、その領域にシャント抵抗器４を搭載
できる。この結果、シャント抵抗器を内蔵したパワー半
導体装置が従来と同一サイズで実現できる。また、Ｕ字
状の金属板２の直線部位間には絶縁材１が挿入されて接
合材３で固着されているため、金属板２のみの場合に比
べ堅固となり、シャント抵抗器４の上面にワイヤボンデ
ィングを行っても超音波振動が安定に伝わり、その結
果、安定した接合が得られる。
【００２７】実施の形態２．図４は実施の形態２の半導
体装置のシャント抵抗器４の断面図である。このシャン
ト抵抗器４の金属板２は、絶縁板１に接合材３で固着さ
れた第１の金属部材２ａと、この第１の金属部材２ａよ
りも電気伝導率が高く、直線部位に設けられた銅製の第
２の金属部材２ｂ、２ｃとから構成されている。第２の
金属部材２ｃは絶縁回路基板５に接合材７により接合さ
れている。他の構成は実施の形態１と同様である。
体装置のシャント抵抗器４の断面図である。このシャン
ト抵抗器４の金属板２は、絶縁板１に接合材３で固着さ
れた第１の金属部材２ａと、この第１の金属部材２ａよ
りも電気伝導率が高く、直線部位に設けられた銅製の第
２の金属部材２ｂ、２ｃとから構成されている。第２の
金属部材２ｃは絶縁回路基板５に接合材７により接合さ
れている。他の構成は実施の形態１と同様である。
【００２８】この半導体装置のシャント抵抗器４では、
金属板２の直線部位の抵抗値は、第１の金属部材２ａと
第２の金属部材２ｂ、２ｃとの並列抵抗になるため、実
施の形態１のシャント抵抗器４と比較して抵抗値が小さ
くなり、その結果、同一電流が流れた場合は電位差が小
さくなる。従って、ボンディングワイヤ１１ａのワイヤ
ボンディングの位置がずれた場合でもシャント抵抗器４
の抵抗値の誤差が小さくなり、高精度測定が可能とな
る。
金属板２の直線部位の抵抗値は、第１の金属部材２ａと
第２の金属部材２ｂ、２ｃとの並列抵抗になるため、実
施の形態１のシャント抵抗器４と比較して抵抗値が小さ
くなり、その結果、同一電流が流れた場合は電位差が小
さくなる。従って、ボンディングワイヤ１１ａのワイヤ
ボンディングの位置がずれた場合でもシャント抵抗器４
の抵抗値の誤差が小さくなり、高精度測定が可能とな
る。
【００２９】また、高電気伝導率の金属は高熱伝導率の
金属でもあるため、主に第１の金属部材２ａのＵ字状の
曲面部位でのジュール発熱は高熱伝導の第２の金属部材
２ｂ、２ｃに伝わり、さらにこの熱は、絶縁回路基板
５、放熱板であるベース板６に伝わり、実施の形態１の
シャント抵抗器４と比較してシャント抵抗器４の放熱性
が向上する。
金属でもあるため、主に第１の金属部材２ａのＵ字状の
曲面部位でのジュール発熱は高熱伝導の第２の金属部材
２ｂ、２ｃに伝わり、さらにこの熱は、絶縁回路基板
５、放熱板であるベース板６に伝わり、実施の形態１の
シャント抵抗器４と比較してシャント抵抗器４の放熱性
が向上する。
【００３０】さらに、第２の金属部材２ｂ、２ｃは、第
１の金属部材２ａよりも硬度が低い銅または銅合金を用
い、また第１の金属部材２ａの直線部位の外側に設けら
れているので、ワイヤボンディング性が向上するという
効果も有する。即ち、ワイヤボンディングされる部材と
して銅・ニッケル合金を用いた場合に、この部材に直接
ワイヤボンディングをすると接合強度不足が０．１％の
レベルで発生したが、銅が用いられた第２の金属部材２
ｂ上にワイヤボンディングすると、接合強度不足はその
１／１０以下に低下することが分かった。
１の金属部材２ａよりも硬度が低い銅または銅合金を用
い、また第１の金属部材２ａの直線部位の外側に設けら
れているので、ワイヤボンディング性が向上するという
効果も有する。即ち、ワイヤボンディングされる部材と
して銅・ニッケル合金を用いた場合に、この部材に直接
ワイヤボンディングをすると接合強度不足が０．１％の
レベルで発生したが、銅が用いられた第２の金属部材２
ｂ上にワイヤボンディングすると、接合強度不足はその
１／１０以下に低下することが分かった。
【００３１】実施の形態３．図５はこの発明の実施の形
態３の半導体装置のシャント抵抗器４の断面図である。
この絶縁板１は、例えば厚さ０．６３５ｍｍの窒化アル
ミニウムセラミックスの絶縁材本体１ａの両側表面に、
例えば厚さ０．３ｍｍの銅の金属層１ｂ、１ｃを形成し
て構成されている。金属層１ｂ、１ｃは絶縁材本体１ａ
よりも電気伝導率が高い。金属層１ｂ、１ｃと金属板２
とは例えば銀ろうからなる接合材３で接合されている。
金属板２の構成は、実施の形態１と同様である。
態３の半導体装置のシャント抵抗器４の断面図である。
この絶縁板１は、例えば厚さ０．６３５ｍｍの窒化アル
ミニウムセラミックスの絶縁材本体１ａの両側表面に、
例えば厚さ０．３ｍｍの銅の金属層１ｂ、１ｃを形成し
て構成されている。金属層１ｂ、１ｃは絶縁材本体１ａ
よりも電気伝導率が高い。金属層１ｂ、１ｃと金属板２
とは例えば銀ろうからなる接合材３で接合されている。
金属板２の構成は、実施の形態１と同様である。
【００３２】このシャント抵抗器４では、電流は、矢印
Ａに示すように、ワイヤボンディング部から金属板２と
金属層１ｃとに分流して流れ、Ｕ字状の曲面部を通過し
てさらに、金属板２と金属層１ｂとに分流して流れる。
従って、実施の形態２と同様の理由で、シャント抵抗器
４の電流抵抗値の値は実施の形態１のシャント抵抗器４
と比較して小さくなり、高精度測定が可能になるととも
に、シャント抵抗器４の冷却性能が向上する。
Ａに示すように、ワイヤボンディング部から金属板２と
金属層１ｃとに分流して流れ、Ｕ字状の曲面部を通過し
てさらに、金属板２と金属層１ｂとに分流して流れる。
従って、実施の形態２と同様の理由で、シャント抵抗器
４の電流抵抗値の値は実施の形態１のシャント抵抗器４
と比較して小さくなり、高精度測定が可能になるととも
に、シャント抵抗器４の冷却性能が向上する。
【００３３】さらに、絶縁材本体１ａの両側表面に金属
層１ｂ、１ｃを形成したので、金属板２と絶縁板１との
溶接接合が可能となり、より放熱性が良好になる上、金
属板２に挿入する絶縁板１の板厚をこの例では１．２３
５ｍｍと厚くすることができるため、例えば０．８ｍｍ
程度の板厚の金属板２の曲げ曲率半径を大きくすること
ができ、曲げ加工が容易となる。
層１ｂ、１ｃを形成したので、金属板２と絶縁板１との
溶接接合が可能となり、より放熱性が良好になる上、金
属板２に挿入する絶縁板１の板厚をこの例では１．２３
５ｍｍと厚くすることができるため、例えば０．８ｍｍ
程度の板厚の金属板２の曲げ曲率半径を大きくすること
ができ、曲げ加工が容易となる。
【００３４】なお、絶縁板本体１ａの板厚を厚くする
と、コストが高くなり、金属層１ａ、１ｂのみで構成す
るとシャント抵抗器の絶縁がとれなくなり、抵抗体とし
ての機能を有しないため、ここに示すように、厚さ０．
６３５ｍｍの絶縁板本体１ａと高電気伝導の０．３ｍｍ
程度の金属層１ｂ、１ｃを張り合わせた積層構造で構成
・配置することが好ましい。
と、コストが高くなり、金属層１ａ、１ｂのみで構成す
るとシャント抵抗器の絶縁がとれなくなり、抵抗体とし
ての機能を有しないため、ここに示すように、厚さ０．
６３５ｍｍの絶縁板本体１ａと高電気伝導の０．３ｍｍ
程度の金属層１ｂ、１ｃを張り合わせた積層構造で構成
・配置することが好ましい。
【００３５】実施の形態４．図６はこの発明の実施の形
態４の半導体装置の要部断面図である。この半導体装置
のシャント抵抗器４では、金属板２は、絶縁回路基板５
に接合されシャント抵抗器４での電位差を検出するため
の一方のボンディングワイヤ１１ｂが接続された第１の
直線部位２Ａと、この第１の直線部位２Ａよりも長さが
短い第２の直線部位２Ｂとを有している。他方のボンデ
ィングワイヤ１１ａは絶縁板１の金属層１ｂに接続され
ている。
態４の半導体装置の要部断面図である。この半導体装置
のシャント抵抗器４では、金属板２は、絶縁回路基板５
に接合されシャント抵抗器４での電位差を検出するため
の一方のボンディングワイヤ１１ｂが接続された第１の
直線部位２Ａと、この第１の直線部位２Ａよりも長さが
短い第２の直線部位２Ｂとを有している。他方のボンデ
ィングワイヤ１１ａは絶縁板１の金属層１ｂに接続され
ている。
【００３６】以上のように実装されたシャント抵抗器４
には、電位差を検出するための電極部分を有しているた
め、絶縁回路基板５に電極を形成する必要がないだけで
なく、ノイズの影響を受けにくく、実装構造や方法に左
右されることなく安定に電位差を引き出すことができ
る。即ち、実施の形態１のシャント抵抗器４において電
位差の検出を一対のボンディングワイヤ１１ａ、１１ｂ
で行った場合の例と比較すると、実施の形態１では絶縁
回路基板５上から片側の電位検出を行うため、一対のボ
ンディングワイヤ１１ａ、１１ｂの接合位置の距離が離
れてしまい、ノイズの影響を受けやすい。さらに、片側
の電位検出が絶縁回路基板５上からであるため、測定結
果が絶縁回路基板５の材料の温度変化の影響を受けてし
まい、シャント抵抗器４にとって本来の機能である正確
な抵抗を検知できなくなってしまう。これに対して、こ
の実施の形態のシャント抵抗器４では、シャント抵抗器
４自身から検出用の電流を検出するため実装技術に左右
されることなく、安定して電位差を検出することがで
き、かつ検出位置は近いため、ノイズの影響を受けるこ
とが少ない。以上の結果から正確な電流値を検出できる
という効果を有する。
には、電位差を検出するための電極部分を有しているた
め、絶縁回路基板５に電極を形成する必要がないだけで
なく、ノイズの影響を受けにくく、実装構造や方法に左
右されることなく安定に電位差を引き出すことができ
る。即ち、実施の形態１のシャント抵抗器４において電
位差の検出を一対のボンディングワイヤ１１ａ、１１ｂ
で行った場合の例と比較すると、実施の形態１では絶縁
回路基板５上から片側の電位検出を行うため、一対のボ
ンディングワイヤ１１ａ、１１ｂの接合位置の距離が離
れてしまい、ノイズの影響を受けやすい。さらに、片側
の電位検出が絶縁回路基板５上からであるため、測定結
果が絶縁回路基板５の材料の温度変化の影響を受けてし
まい、シャント抵抗器４にとって本来の機能である正確
な抵抗を検知できなくなってしまう。これに対して、こ
の実施の形態のシャント抵抗器４では、シャント抵抗器
４自身から検出用の電流を検出するため実装技術に左右
されることなく、安定して電位差を検出することがで
き、かつ検出位置は近いため、ノイズの影響を受けるこ
とが少ない。以上の結果から正確な電流値を検出できる
という効果を有する。
【００３７】また、電流は、例えば、矢印Ｂに示すよう
に、ボンディングワイヤ１０ｂから、シャント抵抗器４
の第１の直線部位２Ａ、曲面部位２Ｃおよびボンディン
グワイヤ１０ａを流れ、ボンディングワイヤ１１ａ、１
１ｂの接合部にはほとんど流れることが無く、従って等
電位線の密度が疎であるため、ボンディングワイヤ１１
ａ、１１ｂの接続位置の誤差による検出電位の誤差が小
さくなり、高精度な検出が可能となる。
に、ボンディングワイヤ１０ｂから、シャント抵抗器４
の第１の直線部位２Ａ、曲面部位２Ｃおよびボンディン
グワイヤ１０ａを流れ、ボンディングワイヤ１１ａ、１
１ｂの接合部にはほとんど流れることが無く、従って等
電位線の密度が疎であるため、ボンディングワイヤ１１
ａ、１１ｂの接続位置の誤差による検出電位の誤差が小
さくなり、高精度な検出が可能となる。
【００３８】実施の形態５．図７はこの発明の形態５の
半導体装置の要部断面図である。このシャント抵抗器４
は、曲面部位が絶縁回路基板５側に指向しているＵ字状
の金属板５０ａと、この銅マンガン合金等からなる金属
板５０ａの一対の直線部位にそれぞれ一端部が接続され
他端部がそれぞれ絶縁回路基板５の導電パターン５ａに
溶接接合されているＬ字状の端子部材５０ｂ、５０ｃと
から構成されている。Ｌ字状で板状の端子部材５０ｂ、
５０ｃは、金属板５０ａよりも電気伝導率が高い銅部材
で構成されている。
半導体装置の要部断面図である。このシャント抵抗器４
は、曲面部位が絶縁回路基板５側に指向しているＵ字状
の金属板５０ａと、この銅マンガン合金等からなる金属
板５０ａの一対の直線部位にそれぞれ一端部が接続され
他端部がそれぞれ絶縁回路基板５の導電パターン５ａに
溶接接合されているＬ字状の端子部材５０ｂ、５０ｃと
から構成されている。Ｌ字状で板状の端子部材５０ｂ、
５０ｃは、金属板５０ａよりも電気伝導率が高い銅部材
で構成されている。
【００３９】この実施の形態では、主に発熱するＵ字状
に加工された金属板５０ａの曲面部位から絶縁回路基板
５までの熱抵抗を低減することができる。即ち、Ｕ字状
に加工された金属板５０ａの曲面部位を、絶縁回路基板
５の方に向けて配置することにより、Ｕ字状の金属板５
０ａの曲面部位でのジュール発熱は、金属板５０ａの直
線部位をほとんど経由することなく、ほぼ最短の伝熱経
路で絶縁回路基板５に至ることができ、シャント抵抗器
４の放熱性が向上する。
に加工された金属板５０ａの曲面部位から絶縁回路基板
５までの熱抵抗を低減することができる。即ち、Ｕ字状
に加工された金属板５０ａの曲面部位を、絶縁回路基板
５の方に向けて配置することにより、Ｕ字状の金属板５
０ａの曲面部位でのジュール発熱は、金属板５０ａの直
線部位をほとんど経由することなく、ほぼ最短の伝熱経
路で絶縁回路基板５に至ることができ、シャント抵抗器
４の放熱性が向上する。
【００４０】実施の形態６．図８この発明の実施の形態
６の半導体装置の部分断面図である。この半導体装置の
シャント抵抗器４は、Ｕ字状の金属板６１ａと、この金
属板６１ａの一対の直線部位の一方の直線部位に一端部
が接続され他端部が絶縁回路基板５の導電パターン５ａ
に接続された断面Ｌ字状の第１端子部材６１ｂと、金属
板６１ａの一対の直線部位の他方の直線部位に一端部が
接続され他端部が交流側モジュール電極９と電気的に接
続された板状の第２端子部材６１ｃとから構成されてい
る。
６の半導体装置の部分断面図である。この半導体装置の
シャント抵抗器４は、Ｕ字状の金属板６１ａと、この金
属板６１ａの一対の直線部位の一方の直線部位に一端部
が接続され他端部が絶縁回路基板５の導電パターン５ａ
に接続された断面Ｌ字状の第１端子部材６１ｂと、金属
板６１ａの一対の直線部位の他方の直線部位に一端部が
接続され他端部が交流側モジュール電極９と電気的に接
続された板状の第２端子部材６１ｃとから構成されてい
る。
【００４１】第１端子部材６１ｂは、第２端子部材６１
ｃよりも熱通路断面積が大きく、また金属板６１ａおよ
び第２端子部材６１ｃよりも電気伝導率が高い銅部材が
用いられている。第２端子部材６１ｃは、可撓性部材で
構成され、途中に曲面部位が形成されている。
ｃよりも熱通路断面積が大きく、また金属板６１ａおよ
び第２端子部材６１ｃよりも電気伝導率が高い銅部材が
用いられている。第２端子部材６１ｃは、可撓性部材で
構成され、途中に曲面部位が形成されている。
【００４２】上記の半導体装置では、シャント抵抗器４
の第１端子部材６１ｂおよび第２端子部材６１ｃによっ
て絶縁回路基板５と交流側モジュール電極９とが接続さ
れるため、ボンディングワイヤを大幅に削減することが
できる。また、金属板６１ａの曲面部位でのジュール発
熱は、第１端子部材６１ｂを介して絶縁回路基板５、さ
らには放熱板であるベース板６に伝わり、放熱される。
なお、第１端子部材６１ｂには比較的厚い部材を用いて
熱抵抗を低く抑えているので、シャント抵抗器４の発熱
を低く抑えている。
の第１端子部材６１ｂおよび第２端子部材６１ｃによっ
て絶縁回路基板５と交流側モジュール電極９とが接続さ
れるため、ボンディングワイヤを大幅に削減することが
できる。また、金属板６１ａの曲面部位でのジュール発
熱は、第１端子部材６１ｂを介して絶縁回路基板５、さ
らには放熱板であるベース板６に伝わり、放熱される。
なお、第１端子部材６１ｂには比較的厚い部材を用いて
熱抵抗を低く抑えているので、シャント抵抗器４の発熱
を低く抑えている。
【００４３】さらに、シャント抵抗器４と絶縁回路基板
５、または交流側モジュール電極９の接続部の信頼性を
長期にわたって維持することができる。即ち、ベース板
６とケース１７との間には熱膨張係数に差があるため、
温度変化によって絶縁回路基板５と交流側モジュール電
極９との間隔は０．１〜０．２ｍｍ程度変位する。シャ
ント抵抗器４の剛性が高いと、この変位によって接続部
に応力が発生し、温度サイクルによって接続部が破壊さ
れる。しかしながら、第２端子部材６１ｃには比較的薄
い部材を用い、かつ曲面部位を設けており、かつ可撓性
を有している。従って、この変位を吸収して接続部に過
大な応力が発生することを防止することができ、接続部
の信頼性を長期にわたって維持することができる。
５、または交流側モジュール電極９の接続部の信頼性を
長期にわたって維持することができる。即ち、ベース板
６とケース１７との間には熱膨張係数に差があるため、
温度変化によって絶縁回路基板５と交流側モジュール電
極９との間隔は０．１〜０．２ｍｍ程度変位する。シャ
ント抵抗器４の剛性が高いと、この変位によって接続部
に応力が発生し、温度サイクルによって接続部が破壊さ
れる。しかしながら、第２端子部材６１ｃには比較的薄
い部材を用い、かつ曲面部位を設けており、かつ可撓性
を有している。従って、この変位を吸収して接続部に過
大な応力が発生することを防止することができ、接続部
の信頼性を長期にわたって維持することができる。
【００４４】さらに、半導体装置のワイヤボンディング
領域であった部分に、例えばはんだなどで絶縁回路基板
５に第１端子部材６１ｂを接合し、また交流側モジュー
ル電極９に第２端子部材６１ｃの端部を接合すればよい
ので、シャント抵抗器を内蔵していないパワー半導体装
置の絶縁回路基板を設計変更せずに、ワイヤボンディン
グ領域をシャント抵抗搭載領域として利用することが可
能となる。その結果、シャント抵抗器４を内蔵したパワ
ー半導体装置が従来と同一サイズで実現できる。
領域であった部分に、例えばはんだなどで絶縁回路基板
５に第１端子部材６１ｂを接合し、また交流側モジュー
ル電極９に第２端子部材６１ｃの端部を接合すればよい
ので、シャント抵抗器を内蔵していないパワー半導体装
置の絶縁回路基板を設計変更せずに、ワイヤボンディン
グ領域をシャント抵抗搭載領域として利用することが可
能となる。その結果、シャント抵抗器４を内蔵したパワ
ー半導体装置が従来と同一サイズで実現できる。
【００４５】なお、この実施の形態でも、実施の形態５
と同様に金属板５０ａの曲面部位を下側にして、絶縁回
路基板５側に向けるようにしてもよい。また、この実施
の形態および実施の形態５のシャント抵抗器について
も、実施の形態１〜４で説明したように、絶縁板をＵ字
形状の金属板の直線部位間に設けるようにして、シャン
ト抵抗器の放熱性、電流検出精度をさらに高め、また堅
固にすることができるのは勿論である。
と同様に金属板５０ａの曲面部位を下側にして、絶縁回
路基板５側に向けるようにしてもよい。また、この実施
の形態および実施の形態５のシャント抵抗器について
も、実施の形態１〜４で説明したように、絶縁板をＵ字
形状の金属板の直線部位間に設けるようにして、シャン
ト抵抗器の放熱性、電流検出精度をさらに高め、また堅
固にすることができるのは勿論である。
【００４６】実施の形態７．図９は実施の形態７の半導
体装置のシャント抵抗器４の斜視図である。このシャン
ト抵抗器４は、金属板２の曲面部に穴２ｄが形成されて
いる点を除いては実施の形態２と同様である。この穴２
は、例えばＣＯ２レーザを金属板２の曲面部位の中間部
に照射することで形成される。
体装置のシャント抵抗器４の斜視図である。このシャン
ト抵抗器４は、金属板２の曲面部に穴２ｄが形成されて
いる点を除いては実施の形態２と同様である。この穴２
は、例えばＣＯ２レーザを金属板２の曲面部位の中間部
に照射することで形成される。
【００４７】このシャント抵抗器４は次の手順に従って
製造される。まず、第１の金属部材２ａと、第２の金属
部材２ｂ、第３の金属部材２ｃとを接合する。次に、こ
のようにして構成された金属板２の第２の金属部材２
ｂ、第３の金属部材２ｃに、絶縁材１を接合材３で接合
し、また金属板２をＵ字形状に曲げ加工する。この状態
でのシャント抵抗器４の抵抗値は、目標値に対して低く
なるように設定されている。なお、抵抗値のばらつき
は、組立精度や材料特性に依存する。
製造される。まず、第１の金属部材２ａと、第２の金属
部材２ｂ、第３の金属部材２ｃとを接合する。次に、こ
のようにして構成された金属板２の第２の金属部材２
ｂ、第３の金属部材２ｃに、絶縁材１を接合材３で接合
し、また金属板２をＵ字形状に曲げ加工する。この状態
でのシャント抵抗器４の抵抗値は、目標値に対して低く
なるように設定されている。なお、抵抗値のばらつき
は、組立精度や材料特性に依存する。
【００４８】次に、シャント抵抗器４の抵抗値を測定
し、目標値と測定値との差に応じて穴２ｄの大きさを定
める。この穴２ｄは、第１の金属部材２ａにＣＯ２レー
ザを照射して形成される。さらに、場合によっては、シ
ャント抵抗器４の抵抗値を再測定し、所望の値になって
いなければ、再度ＣＯ２レーザ照射を行う。以上の工程
を経ることによって、高精度のシャント抵抗器４の製造
が可能となる。なお、穴２ｄの代わりに、第１の金属部
材２ａの曲面部の両側縁部に切欠き部としてスリットを
形成するようにしてもよい。要は、電流路を制限するも
のであればよい。
し、目標値と測定値との差に応じて穴２ｄの大きさを定
める。この穴２ｄは、第１の金属部材２ａにＣＯ２レー
ザを照射して形成される。さらに、場合によっては、シ
ャント抵抗器４の抵抗値を再測定し、所望の値になって
いなければ、再度ＣＯ２レーザ照射を行う。以上の工程
を経ることによって、高精度のシャント抵抗器４の製造
が可能となる。なお、穴２ｄの代わりに、第１の金属部
材２ａの曲面部の両側縁部に切欠き部としてスリットを
形成するようにしてもよい。要は、電流路を制限するも
のであればよい。
【００４９】実施の形態８．図１０はこの発明の実施の
形態８の半導体装置のシャント抵抗器４の斜視図、図１
１は図１０のシャント抵抗器４の断面図、図１２は図１
０のシャント抵抗器４を搭載した半導体装置の部分断面
図である。このシャント抵抗器４は、エポキシ樹脂等の
熱硬化性の合成樹脂からなる絶縁材１がＵ字状の金属板
２で挟まれている。この金属板２は、曲面形状の抵抗体
２ｅの両端面に第１の金属部材２ｆ、第２の金属部材２
ｇを突き合わせて溶接されている。抵抗体２ｅは銅マン
ガン合金で構成され、第１の金属部材２ｆ、第２の金属
部材２ｇは銅等の高電気伝導率の金属で構成されてい
る。なお、抵抗体２ｅの材料として、温度係数の低い抵
抗材料としての銅マンガンの他、銅ニッケル、ニッケル
クロム等を用いることができる。また、絶縁材１として
は、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂の他に、ＰＰＳ等の
熱可塑性の合成樹脂を用いることができる。また必要に
応じて熱伝導率を向上させるために、窒化アルミニウム
セラミックス等の絶縁性を有する高熱伝導性フィラーを
混入させるようにしてもよい。
形態８の半導体装置のシャント抵抗器４の斜視図、図１
１は図１０のシャント抵抗器４の断面図、図１２は図１
０のシャント抵抗器４を搭載した半導体装置の部分断面
図である。このシャント抵抗器４は、エポキシ樹脂等の
熱硬化性の合成樹脂からなる絶縁材１がＵ字状の金属板
２で挟まれている。この金属板２は、曲面形状の抵抗体
２ｅの両端面に第１の金属部材２ｆ、第２の金属部材２
ｇを突き合わせて溶接されている。抵抗体２ｅは銅マン
ガン合金で構成され、第１の金属部材２ｆ、第２の金属
部材２ｇは銅等の高電気伝導率の金属で構成されてい
る。なお、抵抗体２ｅの材料として、温度係数の低い抵
抗材料としての銅マンガンの他、銅ニッケル、ニッケル
クロム等を用いることができる。また、絶縁材１として
は、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂の他に、ＰＰＳ等の
熱可塑性の合成樹脂を用いることができる。また必要に
応じて熱伝導率を向上させるために、窒化アルミニウム
セラミックス等の絶縁性を有する高熱伝導性フィラーを
混入させるようにしてもよい。
【００５０】このシャント抵抗器４の金属板２は、実施
の形態２のシャント抵抗器４の金属板２と近似してお
り、抵抗体２ｅよりも電流抵抗および熱抵抗の小さい電
流通路である第１の金属部材２ｆ、第２の金属部材２ｇ
が確保されており、実施の形態２で述べたと同様の効果
がある。
の形態２のシャント抵抗器４の金属板２と近似してお
り、抵抗体２ｅよりも電流抵抗および熱抵抗の小さい電
流通路である第１の金属部材２ｆ、第２の金属部材２ｇ
が確保されており、実施の形態２で述べたと同様の効果
がある。
【００５１】このシャント抵抗器４では、絶縁材１が熱
硬化性または熱可塑性の合成樹脂で構成されているの
で、絶縁材１が金属板２の内部に密着され、放熱性向上
を図ることが容易である。即ち、絶縁材１が熱硬化性樹
脂の場合は、硬化前の液状の樹脂は金属板２のＵ字形状
の内部に流し込んだ後に加熱硬化されるので、絶縁材１
を金属板２の内部の全面にわたって隙間なく密着させる
ことができる。絶縁材１が熱可塑性樹脂の場合でも、樹
脂を加熱し、溶融した状態で金属板２の内部に流し込む
ことで熱硬化性樹脂の場合と同様に、絶縁材１を金属板
２の内部の全面にわたって隙間なく密着させることがで
きる。このようにすることで、熱伝導面積を最大限に確
保することができるとともに、絶縁板１と金属板２との
界面での熱抵抗増加を抑制することができる。
硬化性または熱可塑性の合成樹脂で構成されているの
で、絶縁材１が金属板２の内部に密着され、放熱性向上
を図ることが容易である。即ち、絶縁材１が熱硬化性樹
脂の場合は、硬化前の液状の樹脂は金属板２のＵ字形状
の内部に流し込んだ後に加熱硬化されるので、絶縁材１
を金属板２の内部の全面にわたって隙間なく密着させる
ことができる。絶縁材１が熱可塑性樹脂の場合でも、樹
脂を加熱し、溶融した状態で金属板２の内部に流し込む
ことで熱硬化性樹脂の場合と同様に、絶縁材１を金属板
２の内部の全面にわたって隙間なく密着させることがで
きる。このようにすることで、熱伝導面積を最大限に確
保することができるとともに、絶縁板１と金属板２との
界面での熱抵抗増加を抑制することができる。
【００５２】これらの合成樹脂は、一般的に普及してい
るポッティングやトランスファーモールドおよび射出成
型の技術を利用できるので、量産性に優れる。なお、絶
縁材１はこれに限定されるものではなく、絶縁性および
熱伝導性を有し、金属板２の内部の全面にわたって隙間
なく密着させることができるものであれば同様の効果が
得られることは言うまでもない。
るポッティングやトランスファーモールドおよび射出成
型の技術を利用できるので、量産性に優れる。なお、絶
縁材１はこれに限定されるものではなく、絶縁性および
熱伝導性を有し、金属板２の内部の全面にわたって隙間
なく密着させることができるものであれば同様の効果が
得られることは言うまでもない。
【００５３】実施の形態９．図１２は実施の形態９の半
導体装置の部分断面図である。この実施の形態では、シ
ャント抵抗器４の第２の金属部材２ｆの絶縁回路基板５
側が段差を有している点が実施の形態８のシャント抵抗
器４と異なる。
導体装置の部分断面図である。この実施の形態では、シ
ャント抵抗器４の第２の金属部材２ｆの絶縁回路基板５
側が段差を有している点が実施の形態８のシャント抵抗
器４と異なる。
【００５４】実施の形態８のシャント抵抗器４が絶縁回
路基板５に接合される際に、はんだ等のろう材からなる
接合材７が溶融して濡れ広がり、抵抗体２ｅに付着する
おそれがある。抵抗体２ｅよりも電気伝導率の高い導電
材料である接合材７が抵抗体２ｅに付着すると、その箇
所では抵抗体２ｅと接合材７とは並列抵抗となり、抵抗
値が変化する。この変化の割合は接合材７の付着量、お
よびその範囲による。製造工程でこの接合材７の付着量
を制御することは事実上不可能であるので、シャント抵
抗器４について安定した抵抗値が得られない。これに対
して、この実施の形態９では、第２の金属部材２ｈに段
差を設けることで、シャント抵抗器４と絶縁回路基板５
とを接合する接合材７が濡れ広がって抵抗体２ｅに付着
するのを防止することができる。従って、接合材７の付
着によって抵抗体２ｅの抵抗値が変化したり、ばらつい
たりすることは無く、高精度で安定した電位差を検出す
ることができる。
路基板５に接合される際に、はんだ等のろう材からなる
接合材７が溶融して濡れ広がり、抵抗体２ｅに付着する
おそれがある。抵抗体２ｅよりも電気伝導率の高い導電
材料である接合材７が抵抗体２ｅに付着すると、その箇
所では抵抗体２ｅと接合材７とは並列抵抗となり、抵抗
値が変化する。この変化の割合は接合材７の付着量、お
よびその範囲による。製造工程でこの接合材７の付着量
を制御することは事実上不可能であるので、シャント抵
抗器４について安定した抵抗値が得られない。これに対
して、この実施の形態９では、第２の金属部材２ｈに段
差を設けることで、シャント抵抗器４と絶縁回路基板５
とを接合する接合材７が濡れ広がって抵抗体２ｅに付着
するのを防止することができる。従って、接合材７の付
着によって抵抗体２ｅの抵抗値が変化したり、ばらつい
たりすることは無く、高精度で安定した電位差を検出す
ることができる。
【００５５】なお、図１３に示すように、第２の金属部
材２ｉに示すように、第２の金属部材２ｉを曲げ加工し
て形成するようにしてもよい。
材２ｉに示すように、第２の金属部材２ｉを曲げ加工し
て形成するようにしてもよい。
【００５６】実施の形態１０．図１４は実施の形態１０
の半導体装置のシャント抵抗器４の断面図であり、銅マ
ンガン合金からなるＵ字状の金属板２の一対の直線部位
の外側に金属板２よりも高電気伝導率の第１の金属部材
２ｋ、第２の金属部材２ｌが接合されている。また、金
属板２の内部には実施の形態８と同様の絶縁材１が密着
されている。
の半導体装置のシャント抵抗器４の断面図であり、銅マ
ンガン合金からなるＵ字状の金属板２の一対の直線部位
の外側に金属板２よりも高電気伝導率の第１の金属部材
２ｋ、第２の金属部材２ｌが接合されている。また、金
属板２の内部には実施の形態８と同様の絶縁材１が密着
されている。
【００５７】この実施の形態のシャント抵抗器４では、
金属板２の内部に絶縁材１が密着されており、実施の形
態８と同様の効果を得ることができるとともに、第１の
金属部材２ｋおよび第２の金属部材２ｌにより段差が形
成されており、シャント抵抗器４と絶縁回路基板５とを
接合する接合材７が濡れ広がって金属板２の曲面部位に
付着するのを防止することができる。従って、接合材７
の付着によって金属板２の抵抗値が変化したり、ばらつ
いたりすることは無く、高精度で安定した電位差を検出
することができる。
金属板２の内部に絶縁材１が密着されており、実施の形
態８と同様の効果を得ることができるとともに、第１の
金属部材２ｋおよび第２の金属部材２ｌにより段差が形
成されており、シャント抵抗器４と絶縁回路基板５とを
接合する接合材７が濡れ広がって金属板２の曲面部位に
付着するのを防止することができる。従って、接合材７
の付着によって金属板２の抵抗値が変化したり、ばらつ
いたりすることは無く、高精度で安定した電位差を検出
することができる。
【００５８】実施の形態１１．図１５は実施の形態１１
の半導体装置のシャント抵抗器４の断面図であり、金属
板２の曲面部位を絶縁材１と同一材料で構成されたカバ
ー体２ｍで覆われている点が実施の形態１０と異なる。
この実施の形態では、シャント抵抗器４が絶縁回路基板
５に接合材７で接合される際に、接合材７は、溶融し、
飛散するが、金属板２の曲面部位はカバー体２ｍで覆わ
れているので、その接合材７が金属板２の曲面部位に付
着するようなことはない。
の半導体装置のシャント抵抗器４の断面図であり、金属
板２の曲面部位を絶縁材１と同一材料で構成されたカバ
ー体２ｍで覆われている点が実施の形態１０と異なる。
この実施の形態では、シャント抵抗器４が絶縁回路基板
５に接合材７で接合される際に、接合材７は、溶融し、
飛散するが、金属板２の曲面部位はカバー体２ｍで覆わ
れているので、その接合材７が金属板２の曲面部位に付
着するようなことはない。
【００５９】実施の形態１２．図１６は実施の形態１２
の半導体装置の部分断面図であり、第２の金属部材２ｇ
の絶縁回路基板５との接合面に４カ所突起１３が形成さ
れている点が実施の形態８と異なる。
の半導体装置の部分断面図であり、第２の金属部材２ｇ
の絶縁回路基板５との接合面に４カ所突起１３が形成さ
れている点が実施の形態８と異なる。
【００６０】実施の形態８では、シャント抵抗器４と絶
縁回路基板５とは線膨張係数が異なるため、温度変化に
よって接合材７に応力が作用する。この応力が繰り返さ
れると、接合材７に亀裂が生じ、製品としての信頼性を
損なうおそれがある。このため、第２の金属部材２ｇに
突起１３を形成することで、突起１３の高さ分の接合材
７の厚さを確保することができ、応力に抗するに十分な
接合材７の厚みが得られ、接合材７の亀裂の発生を防止
することができる。この突起１３の数は、絶縁回路基板
５に対するシャント抵抗器４の傾きを防止するために
は、３個あればよいが、確実に傾きを防止するために、
この実施の形態では４個としてある。この突起１３は、
第２の金属部材２ｇをプレス加工して直接形成してもよ
いが、簡単な方法として、シャント抵抗器４の絶縁回路
基板５との接合面にアルミニウムワイヤを超音波圧接等
の方法で接合してもよい。なお、シャント抵抗器４の絶
縁回路基板５との接合面に突起１３を形成することに関
しては、実施の形態８以外のシャント抵抗器４にも適用
できるのは勿論である。
縁回路基板５とは線膨張係数が異なるため、温度変化に
よって接合材７に応力が作用する。この応力が繰り返さ
れると、接合材７に亀裂が生じ、製品としての信頼性を
損なうおそれがある。このため、第２の金属部材２ｇに
突起１３を形成することで、突起１３の高さ分の接合材
７の厚さを確保することができ、応力に抗するに十分な
接合材７の厚みが得られ、接合材７の亀裂の発生を防止
することができる。この突起１３の数は、絶縁回路基板
５に対するシャント抵抗器４の傾きを防止するために
は、３個あればよいが、確実に傾きを防止するために、
この実施の形態では４個としてある。この突起１３は、
第２の金属部材２ｇをプレス加工して直接形成してもよ
いが、簡単な方法として、シャント抵抗器４の絶縁回路
基板５との接合面にアルミニウムワイヤを超音波圧接等
の方法で接合してもよい。なお、シャント抵抗器４の絶
縁回路基板５との接合面に突起１３を形成することに関
しては、実施の形態８以外のシャント抵抗器４にも適用
できるのは勿論である。
【００６１】
【発明の効果】以上説明したように、この発明の半導体
装置によれば、シャント抵抗器は、Ｕ字状の金属板と、
この金属板の一対の直線部位間に接合材で接合された絶
縁板とを備えているので、大電流の検出においても抵抗
器でのジュール発熱を効率よく放出することができる。
また、シャント抵抗器は小型化できるとともに、堅固と
なり、ワイヤボンディングの接合強度が安定する。
装置によれば、シャント抵抗器は、Ｕ字状の金属板と、
この金属板の一対の直線部位間に接合材で接合された絶
縁板とを備えているので、大電流の検出においても抵抗
器でのジュール発熱を効率よく放出することができる。
また、シャント抵抗器は小型化できるとともに、堅固と
なり、ワイヤボンディングの接合強度が安定する。
【図１】 この発明の実施の形態１の半導体装置の部分
断面図である。
断面図である。
【図２】 図１のシャント抵抗器の斜視図である。
【図３】 図１の半導体装置の電気回路図である。
【図４】 この発明の実施の形態２の半導体装置に内蔵
されたシャント抵抗器の断面図である。
されたシャント抵抗器の断面図である。
【図５】 この発明の実施の形態３の半導体装置に内蔵
されたシャント抵抗器の断面図である。
されたシャント抵抗器の断面図である。
【図６】 この発明の実施の形態４の半導体装置の部分
断面図である。
断面図である。
【図７】 この発明の実施の形態５の半導体装置の部分
断面図である。
断面図である。
【図８】 この発明の実施の形態６の半導体装置の部分
断面図である。
断面図である。
【図９】 この発明の実施の形態７の半導体装置に内蔵
されたシャント抵抗器の斜視図である。
されたシャント抵抗器の斜視図である。
【図１０】 この発明の実施の形態８の半導体装置に内
蔵されたシャント抵抗器の斜視図である。
蔵されたシャント抵抗器の斜視図である。
【図１１】 図１０のシャント抵抗器の断面図である。
【図１２】 この発明の実施の形態９の半導体装置の部
分断面図である。
分断面図である。
【図１３】 図１２のシャント抵抗器の変形例であるシ
ャント抵抗器が組み込まれた半導体装置の部分断面図で
ある。
ャント抵抗器が組み込まれた半導体装置の部分断面図で
ある。
【図１４】 この発明の実施の形態１０の半導体装置に
内蔵されたシャント抵抗器の断面図である。
内蔵されたシャント抵抗器の断面図である。
【図１５】 この発明の実施の形態１１の半導体装置に
内蔵されたシャント抵抗器の断面図である。
内蔵されたシャント抵抗器の断面図である。
【図１６】 この発明の実施の形態１２の半導体装置の
部分断面図である。
部分断面図である。
【図１７】 従来のシャント抵抗器の断面図である。
【図１８】 従来の半導体装置の部分断面図である。
【図１９】 従来の半導体装置の斜視図である。
１ 絶縁材、１ａ 絶縁板本体、１ｂ，１ｃ 金属層、
２ 金属板、２ａ 第１の金属部材、２ｂ，２ｃ 第２
の金属部材、２ｄ 穴（切欠き部）、２ｅ 抵抗体、２
ｆ，２ｋ 第１の金属部材、２ｇ，２ｈ，２ｉ，２ｌ
第２の金属部材、２ｍ カバー体、２Ａ 第１の直線部
位、２Ｂ 第２の直線部位、２Ｃ 曲面部位、４ シャ
ント抵抗器、５ 絶縁回路基板、６ ベース板（放熱
板）、９交流側モジュール電極、１０ａ，１０ｂ，１１
ａ，１１ｂ ボンディングワイヤ、１２ 半導体素子、
１３ 突起、５０ａ，６１ａ 金属板、５０ｂ，５０ｃ
端子部材、６１ｂ 第１端子部材、６１ｃ 第２端子部
材。
２ 金属板、２ａ 第１の金属部材、２ｂ，２ｃ 第２
の金属部材、２ｄ 穴（切欠き部）、２ｅ 抵抗体、２
ｆ，２ｋ 第１の金属部材、２ｇ，２ｈ，２ｉ，２ｌ
第２の金属部材、２ｍ カバー体、２Ａ 第１の直線部
位、２Ｂ 第２の直線部位、２Ｃ 曲面部位、４ シャ
ント抵抗器、５ 絶縁回路基板、６ ベース板（放熱
板）、９交流側モジュール電極、１０ａ，１０ｂ，１１
ａ，１１ｂ ボンディングワイヤ、１２ 半導体素子、
１３ 突起、５０ａ，６１ａ 金属板、５０ｂ，５０ｃ
端子部材、６１ｂ 第１端子部材、６１ｃ 第２端子部
材。
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(72)発明者 木本 信義
福岡県福岡市西区今宿東１丁目１番１号
福菱セミコンエンジニアリング株式会社内
(72)発明者 深田 雅一
東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三
菱電機株式会社内
(72)発明者 吉田 貴信
福岡県福岡市西区今宿東１丁目１番１号
福菱セミコンエンジニアリング株式会社内
Claims (18)
- 【請求項１】 放熱板上の絶縁回路基板に取り付けられ
た半導体素子に流れる電流を検出するシャント抵抗器が
内蔵された半導体装置であって、 前記シャント抵抗器は、Ｕ字状の金属板と、この金属板
の一対の直線部位間に設けられた絶縁材とを備えた半導
体装置。 - 【請求項２】 前記絶縁材は、前記金属板の一対の前記
直線部位に接合材で接合されている請求項１記載の半導
体装置。 - 【請求項３】 前記絶縁材は、セラミックスで構成され
た絶縁材本体と、この絶縁材本体の両面に形成され絶縁
材本体よりも電気伝導率が高い金属層とを有している請
求項１または請求項２に記載の半導体装置。 - 【請求項４】 前記絶縁材は、前記金属板の一対の前記
直線部位間に熱可塑性または熱硬化性の合成樹脂が充填
されて構成されている請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項５】 前記金属板は、前記絶縁材に接合された
第１の金属部材と、この第１の金属部材よりも電気伝導
率が高く、前記絶縁回路基板に接合された第２の金属部
材とを有している請求項１ないし請求項４の何れかに記
載の半導体装置。 - 【請求項６】 前記金属板は、曲面形状の抵抗体と、こ
の抵抗体の両端面に接合され抵抗体よりも電気伝導率が
高い金属部材で構成されている請求項１ないし請求項４
の何れかに記載の半導体装置。 - 【請求項７】 前記金属板の前記直線部位の前記絶縁回
路基板側には、段差が設けられている請求項１ないし請
求項６の何れかに記載の半導体装置。 - 【請求項８】 前記金属板の前記直線部位の前記絶縁回
路基板側には、金属部材が設けられている請求項１ない
し請求項６の何れかに記載の半導体装置。 - 【請求項９】 前記金属板の曲面部位には、絶縁性の合
成樹脂で覆ったカバー体が設けられている請求項７また
は請求項８に記載の半導体装置。 - 【請求項１０】 前記金属板の曲面部位には、少なくと
も切欠き部が形成されている請求項１ないし請求項９の
何れかに記載の半導体装置。 - 【請求項１１】 前記金属板の前記直線部位の前記絶縁
回路基板側には、直線部位と絶縁回路基板との間に接合
材用の隙間を確保するための突起が３個以上設けられて
いる請求項１ないし請求項１０の何れかに記載の半導体
装置。 - 【請求項１２】 前記金属板は、前記絶縁回路基板に接
合されシャント抵抗器での電位差を検出するためのボン
ディングワイヤが接続された第１の直線部位と、この第
１の直線部位よりも長さが短く外部と電気的に接続され
た電極と一端部が接続されたボンディングワイヤの他端
部が接続された第２の直線部位とを有している請求項１
ないし請求項１１の何れかに記載の半導体装置。 - 【請求項１３】 放熱板上の絶縁回路基板に取り付けら
れた半導体素子に流れる電流を検出するシャント抵抗器
が内蔵された半導体装置であって、 前記シャント抵抗器は、曲面部位が前記絶縁回路基板側
に指向しているＵ字状の金属板と、この金属板の一対の
直線部位にそれぞれ一端部が接続され他端部がそれぞれ
前記絶縁回路基板に接続されているとともに金属板より
も電気伝導率が高い端子部材とを有している半導体装
置。 - 【請求項１４】 放熱板上の絶縁回路基板に取り付けら
れた半導体素子に流れる電流を検出するシャント抵抗器
が内蔵された半導体装置であって、 前記シャント抵抗器は、Ｕ字状の金属板と、この金属板
の一対の直線部位の一方の直線部位に一端部が接続され
他端部が前記絶縁回路基板に接続された板状の第１端子
部材と、前記金属板の一対の直線部位の他方の直線部位
に一端部が接続され他端部が外部と電気的に接続される
電極と接続されている板状の第２端子部材とから構成さ
れている半導体装置。 - 【請求項１５】 前記第１端子部材は、前記第２端子部
材よりも熱通路断面積が大きく、また前記金属板および
第２端子部材より電気伝導率が高い請求項１４に記載の
半導体装置。 - 【請求項１６】 前記第２端子部材は、可撓性部材で構
成されている請求項１４または請求項１５に記載の半導
体装置。 - 【請求項１７】 前記シャント抵抗器は、半導体素子
と、交流側電極との間に設けられ、半導体素子と交流側
電極とに電気的に接続されている請求項１ないし請求項
１６の何れかに記載の半導体装置。 - 【請求項１８】 板状の絶縁材に、前記絶縁材を挟み込
むように形成されたＵ字形状の金属板を接合する工程
と、 目標値よりも低い抵抗値で設計されている前記金属板に
電流を流して抵抗値を測定する工程と、 前記測定した抵抗値と前記目標値との差に応じて少なく
とも前記金属板のＵ字形状の曲面部位の一部を除去する
工程とを含むシャント抵抗器の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002273142A JP4127641B2 (ja) | 2001-10-23 | 2002-09-19 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001-324590 | 2001-10-23 | ||
| JP2001324590 | 2001-10-23 | ||
| JP2001333051 | 2001-10-30 | ||
| JP2001-333051 | 2001-10-30 | ||
| JP2002273142A JP4127641B2 (ja) | 2001-10-23 | 2002-09-19 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003203805A true JP2003203805A (ja) | 2003-07-18 |
| JP4127641B2 JP4127641B2 (ja) | 2008-07-30 |
Family
ID=27670241
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002273142A Expired - Lifetime JP4127641B2 (ja) | 2001-10-23 | 2002-09-19 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4127641B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP7155191B2 (ja) | 2020-04-13 | 2022-10-18 | 矢崎総業株式会社 | 電流センサ |
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|---|---|
| JP4127641B2 (ja) | 2008-07-30 |
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