JP2003194749A - 光電子測定装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 飛行時間型光電子分光において、光電子分光
と光電子回折測定とを一つの装置で行い、また、光電子
分光と光電子回折測定とを同時に行う。 【解決手段】 パルスＸ線を試料に照射し当該照射によ
って試料から発生する光電子の飛行時間を測定する光電
子測定装置であって、光電子の発生立体角を制御する立
体角制御手段１０を備える構成とし、飛行時間を測定す
ることによって光電子回折測定を行うと共に、立体角制
御手段によって光電子の発生立体角を制御することによ
って光電子分光を行い、光電子分光と光電子回折測定と
を同一の装置で同時に行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光電子測定装置に
関する。

【０００２】

【従来の技術】固体表面の構成元素や化学結合状態を分
析する一分析方法として、光電子分光法がある。この光
電子分光法では、固体試料表面にＸ線を照射し、Ｘ線に
よって励起された原子から放出される光電子を測定す
る。この光電子スペクトルを観測することによって構成
元素の同定を行うことができ、また、結合エネルギーの
変化から化学結合状態を分析することができる。

【０００３】従来、光電子分光装置はＡｌ線やＭｇＫα
線、シンクロトロン放射光等のＸ線源を備え、検出器と
してＣＨＡ（静電半球型アナライザ）やＣＭＡ（円筒鏡
型分析器）等を用いて所定の出射角度で放出された光電
子を検出する構成や、運動エネルギーを飛行時間に変換
して検出する構成が知られている。

【０００４】一方、結晶等の原子の配列に関する情報を
得る手法として、光電子回折測定がある。この光電子回
折測定装置は、検出器としてチャンネル型電子増倍管
（チャンネルトロン）やファラデーカップ、ＭＣＰ（マ
イクロチャネルプレート）等の検出器を用い、検出器に
捕らえられる光電子の位置を走査することによって光電
子回折測定を行っている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】光電子分光を、飛行時
間に基づいて行う飛行時間型光電子分光では、飛行管と
この飛行管を内部に含む真空容器を使用するという装置
の構成上の特徴から、検出器の角度がほとんど変えられ
ない状態にある。そのため、光電子の全出射角度での積
分値で測定が行われることになる。そのため、飛行時間
型光電子分光では、光電子回折測定を行うことが困難で
あり、光電子回折測定を行うためには別の回折測定装置
を必要とするという問題がある。

【０００６】また、光電子分光と光電子回折測定とを同
時に行うことができないため、試料や測定条件を同一と
する光電子分光データと光電子回折測定データを得るこ
とができないという問題がある。そこで、本発明は前記
した従来の問題点を解決し、飛行時間型光電子分光にお
いて、光電子分光と光電子回折測定とを一つの装置で行
うことを目的とし、また、光電子分光と光電子回折測定
とを同時に行うことを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は、パルスＸ線を
試料に照射し当該照射によって試料から発生する光電子
の飛行時間を測定する光電子測定装置であって、光電子
の発生立体角を制御する立体角制御手段を備える構成と
し、飛行時間を測定することによって光電子回折測定を
行うと共に、立体角制御手段によって光電子の発生立体
角を制御することによって光電子分光を行う。これによ
って、光電子分光と光電子回折測定とを同一の装置で同
時に行うことができる。

【０００８】本発明の立体角制御手段は、光電子の通過
・非通過を機械的に制御する態様、光電子の飛行方向を
磁場によって制御する態様、光電子の飛行方向を電場に
よって制御する態様等の各態様とすることができる。

【０００９】機械的な制御態様では、光電子が通過する
開口部の位置や大きさを制御することによって光電子の
発生立体角を機械的に選択する試料ホルダを備える。こ
の試料ホルダは、平面状の遮蔽カバー上で開口面積を可
変とする可変ピンホールを移動する構成、半球状の遮蔽
カバー上で開口面積を可変とする可変ピンホールを移動
する構成、半球状の遮蔽カバーの蛇腹を開閉することに
よって開口面積や開口位置を可変とする可変スリットを
備える構成、箱状の遮蔽カバーの一部をスライドさせる
ことによって開口面積や開口位置を可変とするスライド
スリットを備える構成等とすることができる。

【００１０】磁場による制御態様では、試料側に電磁石
を設け、飛行管にコイルを設け、この電磁石に供給する
電流やコイルに供給する電流を制御する構成とし、これ
によって光電子の収集効率を向上させ、光電子の飛行方
向を光電子検出器方向に揃えるために磁場強度を制御す
る。電場による制御態様では、試料及び／又は試料ホル
ダに印加する電位を制御することによって電場を制御
し、光電子の飛行方向を選択する。

【００１１】また、飛行管内に任意に電位を印加できる
メッシュ及び減速管を配置することでエネルギー分解能
を高めた光電子分光を行うことが可能である。従来の飛
行時間型光電子分光装置では特定の光電子出射角でのみ
光電子分光を行い、光電子回折測定を行うことができな
いが、本発明の光電子測定装置によれば可変ピンホール
や制御した磁場、電場を用いることによって、光電子の
出射角を自由に選択することで光電子分光及び光電子回
折測定を同時に行うことが可能となる。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、光電子の通過・非通過を機械的に制御する態様、光
電子の飛行方向を磁場によって制御する態様、光電子の
飛行方向を電場によって制御する態様等の各態につい
て、図を参照しながら詳細に説明する。はじめに、本発
明の光電子測定装置の概略構成を図１の概略ブロック図
を用いて説明する。なお、図１に示す構成例は、光電子
の立体角を機械的、磁場及び電場により制御する構成を
含む。

【００１３】光電子測定装置１は、Ｘ線を発生させるパ
ルスＸ線源５（例えば、レーザープラズマＸ線源）と、
発生した光電子の持つ運動エネルギーを計算するために
必要な飛行時間を発生させるための飛行管２と、光電子
の運動エネルギーを制御してエネルギー分解能を向上さ
せるための減速管６及びメッシュ７（７ａ，７ｂ）と、
その減速管６及びメッシュ７に任意の電位を供給するた
めの可変電圧源８（８ａ，８ｂ）と、光電子の到着時間
を検出するための光電子検出器３及び光電子検出器３に
電圧を印加する電源３ａと、光電子の飛行時間を測定す
るための高速オシロスコープ４とを備え、この飛行時間
を測定することによって光電子回折測定を行う。

【００１４】さらに、光電子測定装置１は、光電子の立
体角を制御する立体角制御手段１０として、試料Ｓを内
部に収納すると共に光電子の出射立体角を制御するため
の立体角可変試料ホルダ１１と、試料Ｓから出射した光
電子を光電子検出器３に集めて光電子の飛行方向を検出
器方向に揃えるための磁場を発生させる試料側コイル１
２ａ、飛行管側コイル１２ｃ及び各コイル１２ａ，１２
ｃに電流を供給する各電流源１２ｂ，１２ｄを含む磁場
制御手段１２と、光電子の飛行方向を選択する電場を発
生させるために試料及び／又は試料ホルダに印加する電
位を制御する電圧源１３ａを含む電場制御手段１３を備
える。

【００１５】なお、機械的制御を行う立体角可変試料ホ
ルダ１１、磁場制御を行う磁場制御手段１２、及び電場
制御を行う電場制御手段１３は、少なくとも何れか一つ
あるいは任意の組み合わせとすることができる。図２は
本発明の光電子測定装置による光電子分光及び光電子回
折測定の原理を説明するための概略図である。

【００１６】図２において、光電子測定装置１は、パル
スＸ線源５から発生させたパルスＸ線を試料Ｓに照射す
る。このパルスＸ線により試料から発生した光電子は、
電場制御手段１３で形成される電場によって光電子の飛
行方向が選択され、立体角制御手段１０によって出射角
度が選択されると共に、試料側コイル１２ａ及び飛行管
側コイル１２ｃ等の磁場制御手段１２で形成される発散
磁場により光電子の飛行方向を少しずつ光電子検出器３
の方向に揃えながら飛行管２内に入る。

【００１７】飛行管２内に入った光電子は、メッシュ７
及び減速管６により運動エネルギーを制御されることで
光電子の飛行時間を最適化してエネルギー分解能を向上
させて光電子分光を行う。なお、図１では、立体角制御
手段１０として、可変ピンホール１１ｃを備える立体角
可変試料ホルダ１１の例を示している。

【００１８】光電子が光電子検出器３に到達すると、パ
ルスＸ線源５のトリガ信号からの時間測定により高速オ
シロスコープ４で光電子の飛行時間が測定される。飛行
時間は光電子の運動エネルギーに換算によって光電子分
光を行うことができるため、立体角可変試料ホルダ１１
Ａによる立体角情報と合わせることによって、光電子分
光と共に光電子回折測定を同時に行うことができる。

【００１９】なお、立体角可変試料ホルダ１１は、外枠
が高透磁率材料で作られた高透磁率カバー１１ａで覆わ
れているため、ホルダ内には磁場制御手段１２で形成さ
れる発散磁場が入らないようになっている。高透磁率カ
バー１１ａには可変ピンホール１１ｃが設けられ、この
可変ピンホール１１ｃの径や位置を変えることによっ
て、試料から放出される光電子の発生立体角を選択す
る。

【００２０】以下、光電子の通過・非通過を機械的に制
御する立体角可変試料ホルダの態様について図３〜図５
を用いて説明し、光電子の飛行方向を磁場によって制御
する態様について図６，７を用いて説明し、光電子の飛
行方向を電場によって制御する態様について図８〜図１
０を用いて説明する。はじめに、立体角可変試料ホルダ
の構成について説明する。図３は可変ピンホールを備え
る構成であり、可変ピンホールは平面状の遮蔽カバー上
で開口面積を可変とする。

【００２１】立体角可変試料ホルダ１１Ａは、試料Ｓを
内部に収納し、コイル１２ａが形成する発散磁場を入れ
ないための高透磁率カバー１１ａと、試料ＳにＸ線を照
射するために高透磁率カバー１１ａに開けたＸ線照射用
開口部１１ｂと、試料Ｓをのせる試料台１１ｄと、試料
Ｓを走査するための試料スキャン用可変軸１１ｅ及び試
料スキャン用の超高真空用モータ１１ｆと、発生した光
電子の試料Ｓからの立体角を制御するための可変ピンホ
ール１１ｃ、可変ピンホールの径を制御するためのピン
ホール径可変軸１１ｇ及び超高真空用モータ１１ｈと、
可変ピンホール１１ｃの位置を制御するためのピンホー
ル位置可変軸１１ｉ及び超高真空用モータ１１ｊを備え
る。

【００２２】なお、高透磁率カバー１１ａの外周部分に
は、立体角可変試料ホルダ１１の外に出射した光電子の
飛行方向を制御するための磁場を発生するためのコイル
１２ａ、及びコイル１２ａに適切な電流を供給するため
の電流源１２ｂが設けられる。

【００２３】上記構成の立体角可変試料ホルダ１１Ａの
機能を説明する。試料Ｓに照射されたＸ線により発生し
た光電子を、高透磁率カバー１１ａにより周囲の磁場か
ら影響を受けないようにし、可変ピンホール１１ｃの開
口部から出射させる。高透磁率カバー１１ａ内において
は、光電子は外部磁場の影響を受けないため、高透磁率
カバー１１ａに到達した光電子は、試料Ｓから放出され
たときの角度情報を含んでいる。このとき、可変ピンホ
ール１１ｃの開口量を、ピンホール径可変軸１１ｇによ
って可変ピンホールの径を制御することで設定し、ま
た、可変ピンホール１１ｃの位置は、ピンホール位置可
変軸１１ｉにより任意の立体角になるよう調整する。こ
れによって、可変ピンホール１１ｃから出射した光電子
は、可変ピンホール１１ｃが設定される位置に対応した
角度情報を備える。

【００２４】光電子は可変ピンホール１１ｃから出射し
た後，立体角可変試料ホルダ１１の周りに巻いたコイル
１２ａにより発生させた磁場によって光電子の飛行方向
を制御し、光電子の収集効率及び光電子スペクトルのエ
ネルギー分解能を向上させる機能を持つ。

【００２５】図４は、本発明の可変ピンホール１１ｃを
備える立体角可変試料ホルダ１１による光電子スペクト
ル例を模式的に示している。立体角可変試料ホルダ１１
の可変ピンホール１１ｃの位置を変えることによって光
電子の出射角を変更し、光電子検出器によって光電子を
検出すると、各出射角の光電子スペクトルを得ることが
できる。例えば、図４（ａ）は出射角が０°の光電子ス
ペクトルの概略例であり、図４（ｂ）は出射角が３０°
の光電子スペクトルの概略例である。このように、可変
ピンホールを走査することで光電子立体角を変化させ、
光電子回折測定を行う。

【００２６】なお、図３に示す構成の立体角可変試料ホ
ルダ１１Ａにおいて、ピンホール径可変軸１１ｇの調整
によって可変ピンホール１１ｃの径を変更することで出
射角の角度幅を選択することができる。また、ピンホー
ル位置可変軸１１ｉの調整によって可変ピンホール１１
ｃの位置を変更することで出射角の角度位置を選択する
ことができる。このとき、可変ピンホール１１ｃの位置
を、試料Ｓの中心軸からの距離、及び角度を変えて走査
することによって、光電子の発生強度の３次元的分布を
求めることができる。

【００２７】次に、光電子の通過・非通過を機械的に制
御する他の構成について図５を用いて説明する。図５
（ａ）は半球状の遮蔽カバー上で開口面積を可変とする
可変ピンホールを移動する構成例を示し、図５（ｂ）は
半球状の遮蔽カバーの蛇腹を開閉することによって開口
面積や開口位置を可変とする可変スリットを備える構成
例を示し、図５（ｃ）は箱状の遮蔽カバーの一部をスラ
イドさせることによって開口面積や開口位置を可変とす
るスライドスリットを備える構成例を示している。

【００２８】図５（ａ）に示す立体角可変試料ホルダ１
１Ｂは、試料Ｓを内部に収納すると共に、外部磁場の影
響を阻止するための半球状の高透磁率カバー１１ａと、
試料ＳにＸ線を照射するためのＸ線照射用開口部１１ｂ
と、発生した光電子の試料からの立体角を制御するため
の可変ピンホール１１ｃと、その可変ピンホール１１ｃ
の半球状の高透磁率カバー１１ａ上での位置を制御する
ためのスライド軸１１ｋ、及び超高真空用モータ１１
ｌ，１１ｍを備える。なお、超高真空用モータ１１ｌは
スライド軸１１ｋを駆動するためのモータであり、超高
真空用モータ１１ｍは半球状の高透磁率カバー１１ａを
回動させるモータであり、これらモータによって、可変
ピンホール１１ｃの軸中心からの角度及び周方向の角度
を制御する。また、立体角可変試料ホルダ１１Ｂの外に
出射した光電子の飛行方向を制御する磁場を発生のため
の円筒型電磁石１３Ａを備える。

【００２９】立体角可変試料ホルダ１１Ｂは、Ｘ線をＸ
線照射用開口部１１ｂのＸ線入射窓（例えば、Ｔｉフィ
ルムなどのＸ線を透過させる窓材が貼られている）を通
し、内部に収納する試料Ｓ上に照射する。Ｘ線照射によ
って発生した光電子は、高透磁率カバー１１ａにより周
囲の磁場から影響を受けることなく、試料Ｓから発せら
れた発生角度のまま高透磁率カバー１１ａに達する。高
透磁率カバー１１ａに到達した光電子は、高透磁率カバ
ー１１ａによって外部への出射は阻止され、可変ピンホ
ール１１ｃからのみ出射させる。可変ピンホール１１ｃ
から出射される光電子は、試料Ｓから放出される光電子
の角度情報を含んでおり、この角度情報から回折情報を
得ることができる。

【００３０】そのとき、可変ピンホール１１ｃをスライ
ド軸１１ｋ、及び２つの超高真空用モータ１１ｌ、１１
ｍにより任意の取り出し立体角になるよう調整する。ま
た、可変ピンホール１１ｃから光電子が出射した後、円
筒型電磁石１３Ａが発生する磁場によって光電子の飛行
方向を制御し、光電子の収集効率及び光電子スペクトル
のエネルギー分解能を向上させる。

【００３１】図５（ｂ）に示す立体角可変試料ホルダ１
１Ｃは、可変ピンホール１１ｃに代えて、可変スリット
１１ｎを用い、可変スリット１１ｎの位置や開口量を半
球状の蛇腹ガード１１ｏによって可変とする構成であ
り、その他の構成及び機能は、前記した半球スライド型
の立体角可変試料ホルダ１１Ｂとほぼ同じである。

【００３２】立体角可変試料ホルダ１１Ｃでは、可変ス
リット１１ｎを用いて光電子の立体角を大きくとること
で光電子量を増加させることができ、また、蛇腹ガード
１１ｏを用いることによって、隙間無く可変スリット１
１ｎを走査することができる。なお、蛇腹ガード１１ｏ
は、回転軸１１ｐ及び超高真空用モータ１１ｑによって
駆動させることができる。

【００３３】図５（ｃ）に示す立体角可変試料ホルダ１
１Ｄは、可変スリットの位置や開口量を、箱状の高透磁
率カバー１１ａに対してスライドスリット１１ｒをスラ
イドさせることによって可変とする構成であり、その他
の構成及び機能は、前記した半球スライド型の立体角可
変試料ホルダ１１Ｂ，Ｃとほぼ同じである。

【００３４】立体角可変試料ホルダ１１Ｄでは、可変ス
リット１１ｎのスライドによって光電子の立体角を大き
くとることで光電子量を増加させることができる。ま
た、半球型スライド型に比べて全体のサイズを小さくす
ることが可能で、動作構造が簡単化され，試料とカバー
との距離が近くなる分だけ光電子の立体角を大きくとる
ことができる。なお、スライドスリット１１ｒのスライ
ドは、スライド軸１１ｓ及び超高真空用モータ１１ｔに
よって駆動させることができる。

【００３５】次に、光電子の飛行方向を磁場によって制
御する態様について図６を用いて説明する。磁場制御手
段１２は、前記図１，２に示したように、試料Ｓから出
射した光電子を光電子検出器３に集めて光電子の飛行方
向を検出器方向に揃えるため磁場を発生させる試料側コ
イル１２ａ、飛行管側コイル１２ｃ、及び各コイル１２
ａ，１２ｃに電流を供給する各電流源１２ｂ，１２ｄ、
及び電流源１２ｂ，１２ｄを制御する電流コントローラ
１２ｅを備える。

【００３６】電流コントローラ１２ｅは、電流源１２ｂ
及び／又は電流源１２ｄを制御し、試料側コイル１２ａ
及び／又は飛行管側コイル１２ｃが発生する磁場を制御
する。この磁場を制御することによって、光電子検出器
３に入射する光電子の立体角を制御する。

【００３７】なお、試料Ｓが高透磁率カバー１１ａで囲
まれている場合には、試料側コイル１２ａ及び／又は飛
行管側コイル１２ｃが発生する磁場は、高透磁率カバー
１１ａから外部に出射した光電子に対して作用し飛行方
向を調整する。高透磁率カバー１１ａ内において、試料
Ｓから出射した光電子は磁場に影響されることなく、試
料Ｓから出射した角度情報を保持したまま高透磁率カバ
ー１１ａに到達する。

【００３８】図７は、本発明の磁場制御手段１２を用い
て立体角を選択した場合の光電子スペクトル例を模式的
に示している。磁場制御手段１２の発生磁場を変えるこ
とによって光電子の出射角を変更し、光電子検出器によ
って光電子を検出すると、各出射角の光電子スペクトル
を得ることができる。例えば、図７（ａ）は、試料側コ
イル１２ａ及び飛行管側コイル１２ｃに供給する電流を
共に小さくした場合における、飛行時間に対する光電子
強度の概略例である。このときの立体角は、図７（ｄ）
中の斜線部Ａに対応する。なお、図７（ｄ）の円形の中
心は試料位置に対応し、図７（ｄ）の円形のｘ軸方向は
光電子検出器方向を示している。

【００３９】また、図７（ｂ）は試料側コイル１２ａ及
び飛行管側コイル１２ｃに供給する電流を共に大きくし
た場合における、飛行時間に対する光電子強度の概略例
である。このときの立体角は、図７（ｂ）中の斜線部Ｂ
に対応する。ここで、図７（ａ）に示す光電子スペクト
ルと図７（ｂ）に示す光電子スペクトルとの差を求める
ことによって、図７（ｃ）に示すような立体角の差によ
る光電子スペクトルを得ることができる。このときの立
体角は、図７（ｂ）中の斜線部Ｃに対応する。

【００４０】このように発生させた磁場を強めることに
より、より大きな立体角分の光電子を収集することがで
き、変化させた立体角分の光電子スペクトルを分析する
ことで光電子回折測定を行うことができる。また、任意
の角度範囲の立体角分の光電子を収集することができ
る。

【００４１】次に、光電子の飛行方向を電場によって制
御する態様について図８を用いて説明する。電場制御手
段１３は、前記図１，２に示したように、試料Ｓから出
射した光電子の飛行方向を選択する電場を発生させるた
めに試料及び／又は試料ホルダに印加する電位を制御す
る電圧源１３ａ、及び電流コントローラ１３ｂを含む電
場制御手段１３を備える。

【００４２】電流コントローラ１３ｂは、電圧源１３ａ
を制御する他、可変電圧源８ａ，８ｂを制御する。電圧
源１３ａは、試料Ｓや試料台１１ｄに電圧を印加するこ
とで電場を形成する。なお、電場の形成は、試料Ｓや試
料台１１ｄに電圧を印加する構成の他、発生した光電子
に電界を作用させる構成であれば他の既存する部材や新
たに配置した部材に電圧を印加する構成とすることもで
きる。試料や試料ホルダの電位を制御することで光電子
の出射角度を制御し、試料から発生する光電子の立体角
をコントロールする。また、可変電圧源８ａ，８ｂは、
光電子の運動エネルギーを制御してエネルギー分解能を
向上させるための減速管６及びメッシュ７（７ａ，７
ｂ）に電圧を印加する。

【００４３】図９は電場が光電子に作用する状態を説明
するための概略図である。図９において、試料Ｓから出
射した光電子の飛行方向を示している。電場によって、
試料Ｓから出射角度θを有して出射する光電子は水平方
向に加速される。これによって、印加する電位Ｖを強め
ることにより、出射角度の浅い光電子は試料からの出射
が抑制され、ある出射角度以上の光電子のみを検出する
ことができる。

【００４４】図１０（ａ）は、印加する電圧Ｖを零とし
た場合における光電子の飛行時間に対する光電子強度を
示している。この光電子スペクトルには、出射角度の浅
い光電子についても検出する。これに対して、図１０
（ｂ）は、印加する電圧Ｖを強めた場合における光電子
の飛行時間に対する光電子強度を示している。この光電
子スペクトルには、出射角度θ以上の光電子のみを検出
し、出射角度θ以下の光電子の検出を抑制する。なお、
出射角度θと印加する電圧Ｖとの関係は、Ｖ＝（１／
ｑ）・ｍ（ｖ・cosθ）^２／２で表される。なお、ｑは
素電荷、ｍは電子質量、Ｅｋは光電子の運動エネルギ
ー、ｖは光電子の速度ベクトルを表している。これによ
って、光電子の出射角度を走査することで変化させた立
体角分の光電子スペクトルピークを分析し，光電子回折
測定を行うことができる。

【００４５】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の光電子測
定装置によれば、飛行時間型光電子分光において、光電
子分光と光電子回折測定とを一つの装置で行うことがで
き、また、光電子分光と光電子回折測定とを同時に行う
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光電子測定装置の概略構成を説明する
ための概略ブロック図である。

【図２】本発明の光電子測定装置による光電子分光及び
光電子回折測定の原理を説明するための概略図である。

【図３】本発明の光電子の通過・非通過を機械的に制御
する構成例を説明するための概略図である。

【図４】本発明の光電子の通過・非通過を機械的に制御
する構成による光電子スペクトル例を示す図である。

【図５】本発明の光電子の通過・非通過を機械的に制御
する他の構成例を説明するための概略図である。

【図６】本発明の光電子の飛行方向を磁場によって制御
する構成例を説明するための概略図である。

【図７】本発明の磁場制御で得られる光電子スペクトル
例を示す図である。

【図８】本発明の光電子の飛行方向を電場によって制御
する構成例を説明するための概略図である。

【図９】本発明の電場が光電子に作用する状態を説明す
るための概略図である。

【図１０】本発明の磁場制御で得られる光電子スペクト
ル例を示す図である。

【符号の説明】

１…光電子測定装置、２…飛行管、３…光電子検出器、
３ａ…電源、４…高速オシロスコープ、５…パルスＸ線
源、６…減速管、７，７ａ，７ｂ…メッシュ、８，８
ａ，８ｂ…可変電圧源、１０…立体角制御手段、１１，
１１Ａ〜１１Ｄ…立体角可変試料ホルダ、１１ａ…高透
磁率カバー、１１ｂ…Ｘ線照射用開口部、１１ｃ…可変
ピンホール、１１ｄ…試料台、１１ｅ…試料スキャン用
可変軸、１１ｆ…超高真空用モータ、１１ｇ…ピンホー
ル径可変軸、１１ｈ…超高真空用モータ、１１ｉ…ピン
ホール位置可変軸、１１ｊ…超高真空用モータ、１１ｋ
…スライド軸、１１ｌ，１１ｍ…超高真空用モータ、１
１ｎ…可変スリット、１１ｏ…蛇腹ガード、１１ｐ…回
転軸、１１ｑ…超高真空用モータ、１１ｒ…スライドス
リット、１１ｓ…スライド軸、１１ｔ…超高真空用モー
タ、１２ａ，１２ｃ…コイル、１２ｂ，１２ｄ…電流
源、１２ｅ…電流コントローラ、１３…電場制御手段、
１３ａ…電圧源、１３ｂ…電流コントローラ、Ｓ…試
料。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 パルスＸ線を試料に照射し当該照射によ
   って試料から発生する光電子の飛行時間を測定する光電
   子測定装置であって、前記光電子の発生立体角を制御す
   る立体角制御手段を備え、前記飛行時間を測定すること
   によって光電子回折測定を行い、前記発生立体角を制御
   することによって光電子分光を行うことを特徴とする、
   光電子測定装置。
2. 【請求項２】 前記立体角制御手段は、光電子が通過す
   る開口部の位置及び／又は大きさを制御して発生立体角
   を選択することを特徴とする、請求項１記載の光電子測
   定装置。
3. 【請求項３】 前記立体角制御手段は、光電子の飛行経
   路上に形成する磁場及び／又は電場の制御によって発生
   立体角を選択することを特徴とする、請求項１記載の光
   電子測定装置。
4. 【請求項４】 前記立体角制御手段による磁場制御は、
   試料側に設けた電磁石に供給する電流、及び飛行管に設
   けたコイルに供給する電流の制御であり、前記立体角制
   御手段による電場制御は、試料及び／又は試料ホルダに
   印加する電位の制御であることを特徴とする、請求項３
   記載の光電子測定装置。