JPH0954052A - Ｘ線分析方法およびｘ線分析装置 - Google Patents
Ｘ線分析方法およびｘ線分析装置Info
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- JPH0954052A JPH0954052A JP7233313A JP23331395A JPH0954052A JP H0954052 A JPH0954052 A JP H0954052A JP 7233313 A JP7233313 A JP 7233313A JP 23331395 A JP23331395 A JP 23331395A JP H0954052 A JPH0954052 A JP H0954052A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 短時間で試料の面分析可能なＸ線分析方法お
よびＸ線分析装置の提供を目的とする。 【解決手段】 一次放射線照射手段から発生される一次
放射線を試料に照射し、該試料より放出される蛍光Ｘ線
のエネルギーを検出器で測定して試料の元素分析を行う
に際し、一次Ｘ線照射手段と検出器との間に孔を有する
Ｘ線遮蔽体を設置し、該孔を通過したＸ線のエネルギー
をエネルギー分散型検出器により測定することにより試
料の元素分析を行うことを特徴とする。
よびＸ線分析装置の提供を目的とする。 【解決手段】 一次放射線照射手段から発生される一次
放射線を試料に照射し、該試料より放出される蛍光Ｘ線
のエネルギーを検出器で測定して試料の元素分析を行う
に際し、一次Ｘ線照射手段と検出器との間に孔を有する
Ｘ線遮蔽体を設置し、該孔を通過したＸ線のエネルギー
をエネルギー分散型検出器により測定することにより試
料の元素分析を行うことを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、試料に対して一次
Ｘ線を照射し、該試料より放出される蛍光Ｘ線のエネル
ギーを測定して試料の成分を分析するＸ線分析方法およ
びＸ線分析装置に関する。
Ｘ線を照射し、該試料より放出される蛍光Ｘ線のエネル
ギーを測定して試料の成分を分析するＸ線分析方法およ
びＸ線分析装置に関する。
【０００２】
【従来技術】従来、試料表面の成分を分析する方法とし
て、細く絞った電子線もしくはＸ線等の放射線ビームを
２次元走査しながら試料に照射し、試料より発生した蛍
光Ｘ線をエネルギー分散型の検出器を用いて測定し、試
料表面の元素分布を測定する方法が用いられている（た
とえば、特開平４─１７５６４８号公報、「Ｘ線マイク
ロアナライザ」（日刊工業新聞社））。例えばＸ線マイ
クロアナライザ（ＥＰＭＡ）では、細く絞った電子線束
である一次ビームを２次元的に試料表面で走査し、該試
料より放出される蛍光Ｘ線（特性Ｘ線）の波長分散を分
光結晶（ＬｉＦ、ＮａＣｌ、ＳｉＯ2 、ペンタ・エリス
トール、酒石酸エチレンジアミン等）を用いて行い、該
波長分散したＸ線の中の特定波長のＸ線（測定する元素
の特性Ｘ線）を比例計数管、シンチレーションカウンタ
ー、半導体等からなる一つの検出窓で構成された検出器
を用いて検出して試料を構成する元素の分析を行ってい
る。
て、細く絞った電子線もしくはＸ線等の放射線ビームを
２次元走査しながら試料に照射し、試料より発生した蛍
光Ｘ線をエネルギー分散型の検出器を用いて測定し、試
料表面の元素分布を測定する方法が用いられている（た
とえば、特開平４─１７５６４８号公報、「Ｘ線マイク
ロアナライザ」（日刊工業新聞社））。例えばＸ線マイ
クロアナライザ（ＥＰＭＡ）では、細く絞った電子線束
である一次ビームを２次元的に試料表面で走査し、該試
料より放出される蛍光Ｘ線（特性Ｘ線）の波長分散を分
光結晶（ＬｉＦ、ＮａＣｌ、ＳｉＯ2 、ペンタ・エリス
トール、酒石酸エチレンジアミン等）を用いて行い、該
波長分散したＸ線の中の特定波長のＸ線（測定する元素
の特性Ｘ線）を比例計数管、シンチレーションカウンタ
ー、半導体等からなる一つの検出窓で構成された検出器
を用いて検出して試料を構成する元素の分析を行ってい
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、これらの分
析装置では、放射線ビームを細く絞って試料を走査する
ために一回のデータ測定・取得に数１０分〜数時間の長
時間を要する。また、電子線やＸ線が試料の内部に進入
するため、測定される元素分布の空間分解能は数１０μ
ｍ〜数１００μｍまでであってそれ以上の向上は望めな
い。さらに、試料は絞られた放射線に長時間さらされる
ため、とくに高分子材料などでは損傷を受けやすく、同
一試料での経時変化を観察できない等の問題点がある。
また、観察する試料によっては外力により動いているも
のや、反応により変化するものがあるが、上記従来のビ
ーム走査による分析方法では長時間を要し、試料に損傷
を与える場合があるため、このような試料の観察は不可
能であった。
析装置では、放射線ビームを細く絞って試料を走査する
ために一回のデータ測定・取得に数１０分〜数時間の長
時間を要する。また、電子線やＸ線が試料の内部に進入
するため、測定される元素分布の空間分解能は数１０μ
ｍ〜数１００μｍまでであってそれ以上の向上は望めな
い。さらに、試料は絞られた放射線に長時間さらされる
ため、とくに高分子材料などでは損傷を受けやすく、同
一試料での経時変化を観察できない等の問題点がある。
また、観察する試料によっては外力により動いているも
のや、反応により変化するものがあるが、上記従来のビ
ーム走査による分析方法では長時間を要し、試料に損傷
を与える場合があるため、このような試料の観察は不可
能であった。
【０００４】本発明は、上記従来技術の問題点に鑑みて
成されたものでありその目的は、従来のように放射線を
ビーム走査することなく短時間で試料の元素分析がで
き、かつ、放射線照射による損傷を低減させて、さら
に、試料の経時変化や動的なも測定もできるＸ線分析方
法およびＸ線分析装置の提供を目的とする。
成されたものでありその目的は、従来のように放射線を
ビーム走査することなく短時間で試料の元素分析がで
き、かつ、放射線照射による損傷を低減させて、さら
に、試料の経時変化や動的なも測定もできるＸ線分析方
法およびＸ線分析装置の提供を目的とする。
【０００５】
（第１発明）本第１発明のＸ線分析方法は、点状光源よ
り発生される一次放射線を試料に照射し、該試料より放
出される蛍光Ｘ線を検出器で検出して、検出した該蛍光
Ｘ線のエネルギーに基づいて該試料中に含まれる成分分
析を行うＸ線分析方法において、該試料より放出される
蛍光Ｘ線を検出するに際し、孔を有するＸ線遮蔽手段を
試料と検出器との間に設置し、該孔を通過した蛍光Ｘ線
を検出することにより試料の成分分析を行うことを特徴
とする。
り発生される一次放射線を試料に照射し、該試料より放
出される蛍光Ｘ線を検出器で検出して、検出した該蛍光
Ｘ線のエネルギーに基づいて該試料中に含まれる成分分
析を行うＸ線分析方法において、該試料より放出される
蛍光Ｘ線を検出するに際し、孔を有するＸ線遮蔽手段を
試料と検出器との間に設置し、該孔を通過した蛍光Ｘ線
を検出することにより試料の成分分析を行うことを特徴
とする。
【０００６】一次放射線照射により試料の電子エネルギ
ーは励起状態となる。この励起された電子は基底状態で
あるＫ殻、Ｌ殻、Ｍ殻、Ｎ殻、Ｏ殻等にもどるとき、蛍
光Ｘ線（特性Ｘ線）を発する。この蛍光Ｘ線のエネルギ
ーは元素により異なるため、該エネルギーを測定するこ
とにより元素の分析ができる。本発明のＸ線分析方法で
は、孔を有するＸ線遮蔽手段が試料と検出器との間に設
置されているため、該試料表面の蛍光Ｘ線が該孔を有す
るＸ線遮蔽手段により検出器面に結像する（いわゆるＸ
線を光源とするピンホールカメラ）。可視光におけるレ
ンズの役割を有する物質がＸ線に対しては存在しないた
め、Ｘ線を用いて結像させるには、反射ミラー、フレネ
ルゾーンプレート、本発明のピンホールカメラしか現時
点では存在しない。反射ミラーでは、Ｘ線の波長やミラ
ーへの入射角度により反射率が大きく変わるため、定量
評価する際の結像手段としては適していない。これに対
し、本発明のＸ線を光源とするいわゆるピンホールカメ
ラは、波長、結像位置が任意であるために、蛍光Ｘ線の
撮像に適している。
ーは励起状態となる。この励起された電子は基底状態で
あるＫ殻、Ｌ殻、Ｍ殻、Ｎ殻、Ｏ殻等にもどるとき、蛍
光Ｘ線（特性Ｘ線）を発する。この蛍光Ｘ線のエネルギ
ーは元素により異なるため、該エネルギーを測定するこ
とにより元素の分析ができる。本発明のＸ線分析方法で
は、孔を有するＸ線遮蔽手段が試料と検出器との間に設
置されているため、該試料表面の蛍光Ｘ線が該孔を有す
るＸ線遮蔽手段により検出器面に結像する（いわゆるＸ
線を光源とするピンホールカメラ）。可視光におけるレ
ンズの役割を有する物質がＸ線に対しては存在しないた
め、Ｘ線を用いて結像させるには、反射ミラー、フレネ
ルゾーンプレート、本発明のピンホールカメラしか現時
点では存在しない。反射ミラーでは、Ｘ線の波長やミラ
ーへの入射角度により反射率が大きく変わるため、定量
評価する際の結像手段としては適していない。これに対
し、本発明のＸ線を光源とするいわゆるピンホールカメ
ラは、波長、結像位置が任意であるために、蛍光Ｘ線の
撮像に適している。
【０００７】（第２発明）本第２発明のＸ線分析方法
は、本第１発明において、検出器は、２次元のエネルギ
ー分散型検出器であることを特徴とする。
は、本第１発明において、検出器は、２次元のエネルギ
ー分散型検出器であることを特徴とする。
【０００８】検出器が２次元のエネルギー分散型検出器
であるために、孔を通過した蛍光Ｘ線のエネルギーに基
づいた信号が出力でき、試料の２次元的な元素分析が従
来のようにビーム走査することなく可能となる。
であるために、孔を通過した蛍光Ｘ線のエネルギーに基
づいた信号が出力でき、試料の２次元的な元素分析が従
来のようにビーム走査することなく可能となる。
【０００９】（第３発明）本第３発明のＸ線分析方法
は、本第１発明において、Ｘ線遮蔽手段の孔径は０．１
〜１００μｍであることを特徴とする。
は、本第１発明において、Ｘ線遮蔽手段の孔径は０．１
〜１００μｍであることを特徴とする。
【００１０】Ｘ線遮蔽手段の孔径が０．１μｍ未満の場
合、検出器への光量が不十分となる。また、検出器のセ
ルサイズ（１０μｍ以上）と拡大倍率（１００倍以下）
からも０．１μｍ以下にする必要はない。また、１００
μｍを超えると、空間分解能が極めて低下する。分解能
Δはピンホールサイズａと拡大倍率ｍを用いて近似的に
（１）式で表すことができる。
合、検出器への光量が不十分となる。また、検出器のセ
ルサイズ（１０μｍ以上）と拡大倍率（１００倍以下）
からも０．１μｍ以下にする必要はない。また、１００
μｍを超えると、空間分解能が極めて低下する。分解能
Δはピンホールサイズａと拡大倍率ｍを用いて近似的に
（１）式で表すことができる。
【００１１】 Δ≒ａ（１＋（１／ｍ）） （１）
【００１２】（１）式より、Ｘ線遮蔽体の孔すなわちピ
ンホール径が１００μｍ以上では分解能Δは１００μｍ
以上となるために好ましくない。
ンホール径が１００μｍ以上では分解能Δは１００μｍ
以上となるために好ましくない。
【００１３】（第４発明）本第４発明のＸ線分析方法
は、本第２発明において、２次元のエネルギー分散型検
出器は、断面が１〜１００μｍの大きさのセルの集合体
よりなることを特徴とする。
は、本第２発明において、２次元のエネルギー分散型検
出器は、断面が１〜１００μｍの大きさのセルの集合体
よりなることを特徴とする。
【００１４】２次元のエネルギー分散型検出器の断面の
大きさが１μｍ未満の場合、検出する蛍光Ｘ線の光量が
不十分となり、一回の分析を行うのに長時間を要するた
め好ましくない。また、１００μｍを超えると、空間分
解能が１００μｍ以上と大きくなるため好ましくない。
大きさが１μｍ未満の場合、検出する蛍光Ｘ線の光量が
不十分となり、一回の分析を行うのに長時間を要するた
め好ましくない。また、１００μｍを超えると、空間分
解能が１００μｍ以上と大きくなるため好ましくない。
【００１５】（第５発明）本第５発明のＸ線分析方法
は、本第１発明において、一次放射線はＸ線であること
を特徴とする。
は、本第１発明において、一次放射線はＸ線であること
を特徴とする。
【００１６】一次放射線がＸ線であるために、電磁場、
温度、環境等の影響を受けないため、磁場、電場、高
温、低温、大気下での測定が可能となる。
温度、環境等の影響を受けないため、磁場、電場、高
温、低温、大気下での測定が可能となる。
【００１７】（第６発明）本第６発明のＸ線分析方法
は、本第１発明において、一次放射線は電子線であるこ
とを特徴とする。
は、本第１発明において、一次放射線は電子線であるこ
とを特徴とする。
【００１８】一次放射線が電子線であるために、電磁場
を用いて試料上の観察したい領域に均一に電子線が照射
され、質の良いすなわち空間分解能が高く定量性に優れ
た分析を行うことができる。
を用いて試料上の観察したい領域に均一に電子線が照射
され、質の良いすなわち空間分解能が高く定量性に優れ
た分析を行うことができる。
【００１９】（第７発明）本第７発明のＸ線分析装置
は、試料を載置する試料ステージと、該試料に点状光源
から発せられる一次放射線を照射する一次放射線照射手
段と、該一次放射線照射により該試料より放出される蛍
光Ｘ線を検出する検出器と、該試料と該検出器との間に
設置された孔を有するＸ線遮蔽手段と、を具備したこと
を特徴とする。
は、試料を載置する試料ステージと、該試料に点状光源
から発せられる一次放射線を照射する一次放射線照射手
段と、該一次放射線照射により該試料より放出される蛍
光Ｘ線を検出する検出器と、該試料と該検出器との間に
設置された孔を有するＸ線遮蔽手段と、を具備したこと
を特徴とする。
【００２０】本第７発明のＸ線分析装置によれば、本第
１発明と同様の作用により、試料の元素分析ができる。
すなわち、一次放射線照射により該試料より放出される
蛍光Ｘ線の像を該試料と検出器との間に設置された孔に
より該検出器上に結像し、２次元的に試料の元素分析を
行うことができる。
１発明と同様の作用により、試料の元素分析ができる。
すなわち、一次放射線照射により該試料より放出される
蛍光Ｘ線の像を該試料と検出器との間に設置された孔に
より該検出器上に結像し、２次元的に試料の元素分析を
行うことができる。
【００２１】（第８発明）本第８発明のＸ線分析装置
は、本第７発明において、一次放射線はＸ線であること
を特徴とする。
は、本第７発明において、一次放射線はＸ線であること
を特徴とする。
【００２２】一次放射線がＸ線であるために、電磁場、
温度、環境等の影響を受けず、磁場、電場、高温、低
温、大気下での測定が可能となる。
温度、環境等の影響を受けず、磁場、電場、高温、低
温、大気下での測定が可能となる。
【００２３】（第９発明）本第９発明のＸ線分析装置
は、本第７発明において、一次放射線は電子線であるこ
とを特徴とする。
は、本第７発明において、一次放射線は電子線であるこ
とを特徴とする。
【００２４】一次放射線が電子線であるために、電磁場
を用いて試料上の観察したい領域に均一に電子線が照射
され、質の良いすなわち空間分解能が高く定量性に優れ
た分析を行うことができる。
を用いて試料上の観察したい領域に均一に電子線が照射
され、質の良いすなわち空間分解能が高く定量性に優れ
た分析を行うことができる。
【００２５】（第１０発明）本第１０発明のＸ線分析装
置は、本第７発明において、検出器は、２次元のエネル
ギー分散型検出器であることを特徴とする。
置は、本第７発明において、検出器は、２次元のエネル
ギー分散型検出器であることを特徴とする。
【００２６】検出器が２次元のエネルギー分散型検出器
であるために、孔を通過した蛍光Ｘ線のエネルギーに基
づいた信号が出力でき、試料の２次元的な元素分析が従
来のようにビーム走査することなく可能となる。
であるために、孔を通過した蛍光Ｘ線のエネルギーに基
づいた信号が出力でき、試料の２次元的な元素分析が従
来のようにビーム走査することなく可能となる。
【００２７】（第１１発明）本第１１発明のＸ線分析装
置は、本第７発明において、Ｘ線遮蔽体の孔径は０．１
〜１００μｍであることを特徴とする。
置は、本第７発明において、Ｘ線遮蔽体の孔径は０．１
〜１００μｍであることを特徴とする。
【００２８】本第３発明と同様の作用により、Ｘ線遮蔽
体の孔径は１〜１００μｍが好ましい。
体の孔径は１〜１００μｍが好ましい。
【００２９】（第１２発明）本第１２発明のＸ線分析装
置は、本第１０発明において、２次元のエネルギー分散
型検出器は、断面が１〜１００μｍの大きさのセルの集
合体よりなることを特徴とする。
置は、本第１０発明において、２次元のエネルギー分散
型検出器は、断面が１〜１００μｍの大きさのセルの集
合体よりなることを特徴とする。
【００３０】本第４発明と同様の作用により２次元のエ
ネルギー分散型検出器は、断面が１〜１００μｍの大き
さのセルの集合体よりなることが好ましい。
ネルギー分散型検出器は、断面が１〜１００μｍの大き
さのセルの集合体よりなることが好ましい。
【００３１】
【発明の効果】本発明のＸ線分析方法およびＸ線分析装
置によれば、放射線をビーム走査することなく短時間で
試料の元素分析ができ、かつ、放射線照射による損傷を
低減させて、さらに、試料の経時変化も測定できる。
置によれば、放射線をビーム走査することなく短時間で
試料の元素分析ができ、かつ、放射線照射による損傷を
低減させて、さらに、試料の経時変化も測定できる。
【００３２】
（発明の具体例）本発明で使用する一次放射線として
は、Ｘ線、電子線のほか、放射光を使用することができ
る。これらは、保有するエネルギーが分析元素の励起エ
ネルギーより高いかどうかにより選別し得る。
は、Ｘ線、電子線のほか、放射光を使用することができ
る。これらは、保有するエネルギーが分析元素の励起エ
ネルギーより高いかどうかにより選別し得る。
【００３３】また、検出器は、２次元のエネルギー分散
型検出器のほか、半導体検出器や比例計数管、シンチレ
ーションカウンターなどを用いることができる。検出器
がセルで構成される場合、該セルの形状は必ずしも円形
である必要はなく、たとえば多角形状であってもかまわ
ない。
型検出器のほか、半導体検出器や比例計数管、シンチレ
ーションカウンターなどを用いることができる。検出器
がセルで構成される場合、該セルの形状は必ずしも円形
である必要はなく、たとえば多角形状であってもかまわ
ない。
【００３４】孔を有する遮蔽体は、材質が金属、セラミ
ックス、高分子等、蛍光Ｘ線を遮蔽できるものであれば
よくとくに限定しない。また、板状、ブロック状等、孔
以外からのＸ線、電子線を遮蔽できるものであればよく
とくに限定しない。さらに、該孔に特定のエネルギーを
もつ放射線を遮蔽あるいは透過するフィルターを設けて
もかまわない。また、孔の形状は必ずしも円形である必
要はなく、多角形状であってもかまわない。
ックス、高分子等、蛍光Ｘ線を遮蔽できるものであれば
よくとくに限定しない。また、板状、ブロック状等、孔
以外からのＸ線、電子線を遮蔽できるものであればよく
とくに限定しない。さらに、該孔に特定のエネルギーを
もつ放射線を遮蔽あるいは透過するフィルターを設けて
もかまわない。また、孔の形状は必ずしも円形である必
要はなく、多角形状であってもかまわない。
【００３５】試料ステージは、試料を載置できる構造の
もののほか、固着、懸下できる構造のものなどが利用で
きる。
もののほか、固着、懸下できる構造のものなどが利用で
きる。
【００３６】図１を用いて本発明を具体的に説明する。
図１は一次Ｘ線照射手段としてレーザープラズマＸ線発
生装置を用いた場合を示す。同図中、１はレーザー発生
装置、２はレーザーを集光するためのレンズ、３はレー
ザープラズマＸ線を発生させるためのターゲット、４は
真空容器、５は孔を有するＸ線遮蔽体、６は試料、７は
２次元のエネルギー分散型のＸ線検出器である。レーザ
ー発生装置１から発生したレーザー光はレンズ２で集光
され、ターゲット３を照射し、該ターゲット３でＸ線が
発生する。発生したＸ線は図示しない試料ステージに載
置された試料６を照射し、ここで該試料の構成元素に基
づく蛍光Ｘ線が発生する。発生した蛍光Ｘ線はＸ線遮蔽
体５の孔を通過し、エネルギー分散型のＸ線検出器７に
結像する。Ｘ線検出器７はエネルギー分散型であるの
で、ここで、蛍光Ｘ線のエネルギーに比例した出力が得
られ、かくして試料の元素分析が可能になる。
図１は一次Ｘ線照射手段としてレーザープラズマＸ線発
生装置を用いた場合を示す。同図中、１はレーザー発生
装置、２はレーザーを集光するためのレンズ、３はレー
ザープラズマＸ線を発生させるためのターゲット、４は
真空容器、５は孔を有するＸ線遮蔽体、６は試料、７は
２次元のエネルギー分散型のＸ線検出器である。レーザ
ー発生装置１から発生したレーザー光はレンズ２で集光
され、ターゲット３を照射し、該ターゲット３でＸ線が
発生する。発生したＸ線は図示しない試料ステージに載
置された試料６を照射し、ここで該試料の構成元素に基
づく蛍光Ｘ線が発生する。発生した蛍光Ｘ線はＸ線遮蔽
体５の孔を通過し、エネルギー分散型のＸ線検出器７に
結像する。Ｘ線検出器７はエネルギー分散型であるの
で、ここで、蛍光Ｘ線のエネルギーに比例した出力が得
られ、かくして試料の元素分析が可能になる。
【００３７】なお、Ｘ線遮蔽体５およびＸ線検出器７の
一次Ｘ線入射角に対する角θは、試料６が厚膜もしくは
バルク材の場合には１０〜８０度の範囲が望ましく、薄
膜の場合にはさらに裏面からの観察も可能になるため１
００〜２６０度であってもよい。
一次Ｘ線入射角に対する角θは、試料６が厚膜もしくは
バルク材の場合には１０〜８０度の範囲が望ましく、薄
膜の場合にはさらに裏面からの観察も可能になるため１
００〜２６０度であってもよい。
【００３８】また、Ｘ線遮蔽体５と試料６との距離を変
化させることにより、Ｘ線検出器７に結像する像の倍率
を調節することができる。
化させることにより、Ｘ線検出器７に結像する像の倍率
を調節することができる。
【００３９】
【実施例】ＹＡＧレーザー装置からのレーザー光の２倍
の高調波（２ω：Ｅ＝０．４Ｊ、ｔ＝８ｎｓ、λ＝５３
２ｎｍ）をレンズを用いて炭素ターゲット上に直径が７
０μｍ以下になるように集光照射し、炭素ターゲットよ
りレーザープラズマ軟Ｘ線を発生させた。このようにし
て発生させた炭素ターゲットからの軟Ｘ線スベクトルに
は、波長２．５ｎｍの高強度の軟Ｘ線が存在した。この
炭素ターゲットからの軟Ｘ線を試料に照射し、試料より
構成元素に由来する蛍光Ｘ線を発生させた。試料表面で
形成された蛍光Ｘ線を直径１μｍの孔を通過させ、軟Ｘ
線検出面上に結像させた。軟Ｘ線検出面は、１０μｍの
セルサイズの半導体検出器が、縦横５１２個ずつで構成
された検出面であり、各セルで入射した軟Ｘ線のエネル
ギー分散スペクトルが測定できる。それぞれのセルで計
測されたスペクトルの特定波長について強度分布を見る
ことにより、構成元素の分布状態がわかる。
の高調波（２ω：Ｅ＝０．４Ｊ、ｔ＝８ｎｓ、λ＝５３
２ｎｍ）をレンズを用いて炭素ターゲット上に直径が７
０μｍ以下になるように集光照射し、炭素ターゲットよ
りレーザープラズマ軟Ｘ線を発生させた。このようにし
て発生させた炭素ターゲットからの軟Ｘ線スベクトルに
は、波長２．５ｎｍの高強度の軟Ｘ線が存在した。この
炭素ターゲットからの軟Ｘ線を試料に照射し、試料より
構成元素に由来する蛍光Ｘ線を発生させた。試料表面で
形成された蛍光Ｘ線を直径１μｍの孔を通過させ、軟Ｘ
線検出面上に結像させた。軟Ｘ線検出面は、１０μｍの
セルサイズの半導体検出器が、縦横５１２個ずつで構成
された検出面であり、各セルで入射した軟Ｘ線のエネル
ギー分散スペクトルが測定できる。それぞれのセルで計
測されたスペクトルの特定波長について強度分布を見る
ことにより、構成元素の分布状態がわかる。
【００４０】図２は、塩化ビニルを臭素と反応させたと
きの塩化ビニル内部に浸透した臭素の蛍光Ｘ線による像
であり、像の中で白っぽく見えている部分が臭素が多く
存在している部分である。この像の濃淡より臭素の濃度
分布を求めることができる。
きの塩化ビニル内部に浸透した臭素の蛍光Ｘ線による像
であり、像の中で白っぽく見えている部分が臭素が多く
存在している部分である。この像の濃淡より臭素の濃度
分布を求めることができる。
【図１】本発明の代表的な構成を示す模式図である。
【図２】塩化ビニル内の臭素の蛍光Ｘ線像による粒子構
造である。
造である。
３ 一次放射線発生照射手段 ６ 試料 ５ 孔を有するＸ線遮蔽手段 ７ 検出器
Claims (12)
- 【請求項１】 点状光源より発生される一次放射線を試
料に照射し、該試料より放出される蛍光Ｘ線を検出器で
検出して、検出した該蛍光Ｘ線のエネルギーに基づいて
該試料中に含まれる成分分析を行うＸ線分析方法におい
て、 該試料より放出される蛍光Ｘ線を検出するに際し、孔を
有するＸ線遮蔽手段を試料と検出器との間に設置し、該
孔を通過した蛍光Ｘ線を検出することにより試料の成分
分析を行うことを特徴とするＸ線分析方法。 - 【請求項２】 請求項１記載のＸ線分析方法において、
検出器は、２次元のエネルギー分散型検出器であること
を特徴とするＸ線分析方法。 - 【請求項３】 請求項１記載のＸ線分析方法において、
Ｘ線遮蔽体の孔径は０．１〜１００μｍであることを特
徴とするＸ線分析方法。 - 【請求項４】 請求項２記載のＸ線分析方法において、
２次元のエネルギー分散型検出器は、断面が１〜１００
μｍの大きさのセルの集合体よりなることを特徴とする
Ｘ線分析方法。 - 【請求項５】 請求項１記載のＸ線分析方法において、
一次放射線はＸ線であることを特徴とするＸ線分析方
法。 - 【請求項６】 請求項１記載のＸ線分析方法において、
一次放射線は電子線であることを特徴とするＸ線分析方
法。 - 【請求項７】 試料を載置する試料ステージと、該試料
に点状光源から発せられる一次放射線を照射する一次放
射線照射手段と、該一次放射線照射により該試料より放
出される蛍光Ｘ線を検出する検出器と、該試料と該検出
器との間に設置された孔を有するＸ線遮蔽手段と、を具
備したことを特徴とするＸ線分析装置。 - 【請求項８】 請求項７記載のＸ線分析装置において、
一次放射線はＸ線であることを特徴とするＸ線分析装
置。 - 【請求項９】 請求項７記載のＸ線分析装置において、
一次放射線は電子線であることを特徴とするＸ線分析装
置。 - 【請求項１０】 請求項７記載のＸ線分析装置におい
て、検出器は、２次元のエネルギー分散型検出器である
ことを特徴とするＸ線分析装置。 - 【請求項１１】 請求項７記載のＸ線分析装置におい
て、Ｘ線遮蔽体の孔径は０．１〜１００μｍであること
を特徴とするＸ線分析装置。 - 【請求項１２】 請求項１０記載のＸ線分析装置におい
て、２次元のエネルギー分散型検出器は、断面が１〜１
００μｍの大きさのセルの集合体よりなることを特徴と
するＸ線分析装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23331395A JP3339267B2 (ja) | 1995-08-18 | 1995-08-18 | Ｘ線分析方法およびｘ線分析装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23331395A JP3339267B2 (ja) | 1995-08-18 | 1995-08-18 | Ｘ線分析方法およびｘ線分析装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0954052A true JPH0954052A (ja) | 1997-02-25 |
| JP3339267B2 JP3339267B2 (ja) | 2002-10-28 |
Family
ID=16953178
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23331395A Expired - Fee Related JP3339267B2 (ja) | 1995-08-18 | 1995-08-18 | Ｘ線分析方法およびｘ線分析装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3339267B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003279508A (ja) * | 2002-03-25 | 2003-10-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機材料の分散状態を評価する方法 |
| JP2008096401A (ja) * | 2006-10-16 | 2008-04-24 | Toshiba Corp | 放射線検査装置 |
| CN107917922A (zh) * | 2017-12-06 | 2018-04-17 | 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 | 一种激光辐照微点金属片的x射线高分辨成像装置 |
-
1995
- 1995-08-18 JP JP23331395A patent/JP3339267B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003279508A (ja) * | 2002-03-25 | 2003-10-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機材料の分散状態を評価する方法 |
| JP2008096401A (ja) * | 2006-10-16 | 2008-04-24 | Toshiba Corp | 放射線検査装置 |
| CN107917922A (zh) * | 2017-12-06 | 2018-04-17 | 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 | 一种激光辐照微点金属片的x射线高分辨成像装置 |
| CN107917922B (zh) * | 2017-12-06 | 2024-05-31 | 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 | 一种激光辐照微点金属片的x射线高分辨成像装置 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3339267B2 (ja) | 2002-10-28 |
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