JP2003193248A - 無電解銅めっき液、およびこれを用いた無電解銅めっき方法 - Google Patents
無電解銅めっき液、およびこれを用いた無電解銅めっき方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 作業上安全であり、析出速度及び液安定性に
優れた無電解銅めっき液、およびこれを用いた無電解銅
めっき方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 課題を解決するために本発明の無電解銅
めっき液は、溶媒、銅塩、銅イオンの錯化剤、ｐＨ調整
剤、及び還元剤を含む無電解銅めっき液において、ジス
ルフィド結合（Ｓ−Ｓ結合）を有する化合物をさらに含
むことをその特徴とするものである。
優れた無電解銅めっき液、およびこれを用いた無電解銅
めっき方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 課題を解決するために本発明の無電解銅
めっき液は、溶媒、銅塩、銅イオンの錯化剤、ｐＨ調整
剤、及び還元剤を含む無電解銅めっき液において、ジス
ルフィド結合（Ｓ−Ｓ結合）を有する化合物をさらに含
むことをその特徴とするものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プリント配線板の
製造に使用される無電解銅めっき液、およびこれを用い
た無電解銅めっき方法に関する。
製造に使用される無電解銅めっき液、およびこれを用い
た無電解銅めっき方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】多層プリント配線板の層間接続には、プ
リント配線板の全板厚を貫通するスルーホールが一般的
に用いられ、層数が多い場合には一部の層間を接続する
部分バイアホールが用いられている。このような層間接
続は、多層配線板を穴空けした後、無電解銅めっき、電
気銅めっきにより穴内の導電化を行い形成されるもので
あり、その形成方法として最も多く用いられているもの
は、めっきスルーホール法である。
リント配線板の全板厚を貫通するスルーホールが一般的
に用いられ、層数が多い場合には一部の層間を接続する
部分バイアホールが用いられている。このような層間接
続は、多層配線板を穴空けした後、無電解銅めっき、電
気銅めっきにより穴内の導電化を行い形成されるもので
あり、その形成方法として最も多く用いられているもの
は、めっきスルーホール法である。
【０００３】このめっきスルーホール法に用いられる無
電解銅めっき液は、硫酸第二銅などの二価の銅塩、エチ
レンジアミン四酢酸などの二価銅イオンのアルカリ可溶
性錯化剤、ホルムアルデヒドなどの還元剤、および水酸
化ナトリウムなどのｐＨ調整剤を主成分としているが、
液の安定性が悪いため、安定剤として一般的にシアン化
ナトリウム等が添加されていた。
電解銅めっき液は、硫酸第二銅などの二価の銅塩、エチ
レンジアミン四酢酸などの二価銅イオンのアルカリ可溶
性錯化剤、ホルムアルデヒドなどの還元剤、および水酸
化ナトリウムなどのｐＨ調整剤を主成分としているが、
液の安定性が悪いため、安定剤として一般的にシアン化
ナトリウム等が添加されていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、シアン化合物
の添加は銅めっきの析出速度が著しく低下し、更に安全
衛生上毒物指定されているために作業上危険性が高い等
の問題があった。
の添加は銅めっきの析出速度が著しく低下し、更に安全
衛生上毒物指定されているために作業上危険性が高い等
の問題があった。
【０００５】上記問題を鑑みて、本発明は、作業上安全
であり、析出速度及び液安定性に優れた無電解銅めっき
液、およびこれを用いた無電解銅めっき方法を提供する
ことを目的とする。
であり、析出速度及び液安定性に優れた無電解銅めっき
液、およびこれを用いた無電解銅めっき方法を提供する
ことを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】即ち、本発明は、銅塩、
銅イオンの錯化剤、ｐＨ調整剤、及び還元剤を含む無電
解銅めっき液において、ジスルフィド結合（Ｓ−Ｓ結
合）を有する化合物をさらに含む無電解銅めっき液をそ
の特徴としている。また、本発明は、本発明の無電解銅
めっき液を用いて銅めっき被膜を形成する無電解銅めっ
き方法をその特徴としている。
銅イオンの錯化剤、ｐＨ調整剤、及び還元剤を含む無電
解銅めっき液において、ジスルフィド結合（Ｓ−Ｓ結
合）を有する化合物をさらに含む無電解銅めっき液をそ
の特徴としている。また、本発明は、本発明の無電解銅
めっき液を用いて銅めっき被膜を形成する無電解銅めっ
き方法をその特徴としている。
【０００７】ここで、該ジスルフィド結合を有する化合
物は、式（１） Ｒ−Ｓ−Ｓ−Ｒ’ （１） （式中、Ｒ、Ｒ’は、それぞれ独立に、−ＣｎＨ
２ｎ＋１、−ＣｎＨ２ｎＯＨ、−ＣｎＨ２ｎＣＯＯＨ、
−ＣｎＨ２ｎＣ６Ｈ５、−ＣＨ（ＯＨ）ＣｎＨ２ｎ（Ｏ
Ｈ）、−ＣＨ（ＣＯＯＨ）ＣｎＨ２ｎ（ＣＯＯＨ）、−
ＣｎＨ２ｎＣＨ（ＯＨ）ＣｍＨ２ｍ（ＯＨ）、−ＣｎＨ
２ｎＣＨ（ＣＯＯＨ）ＣｍＨ２ｍ（ＣＯＯＨ）、−Ｃｎ
Ｈ２ｎＣＨ（Ｃ６Ｈ５）ＣｍＨ２ｍ＋１であり、ｍおよ
びｎはそれぞれ独立に１〜６の整数である。）に示す化
合物であることが望ましい。
物は、式（１） Ｒ−Ｓ−Ｓ−Ｒ’ （１） （式中、Ｒ、Ｒ’は、それぞれ独立に、−ＣｎＨ
２ｎ＋１、−ＣｎＨ２ｎＯＨ、−ＣｎＨ２ｎＣＯＯＨ、
−ＣｎＨ２ｎＣ６Ｈ５、−ＣＨ（ＯＨ）ＣｎＨ２ｎ（Ｏ
Ｈ）、−ＣＨ（ＣＯＯＨ）ＣｎＨ２ｎ（ＣＯＯＨ）、−
ＣｎＨ２ｎＣＨ（ＯＨ）ＣｍＨ２ｍ（ＯＨ）、−ＣｎＨ
２ｎＣＨ（ＣＯＯＨ）ＣｍＨ２ｍ（ＣＯＯＨ）、−Ｃｎ
Ｈ２ｎＣＨ（Ｃ６Ｈ５）ＣｍＨ２ｍ＋１であり、ｍおよ
びｎはそれぞれ独立に１〜６の整数である。）に示す化
合物であることが望ましい。
【０００８】さらに、無電解銅めっき液中での該ジスル
フィド結合を有する化合物の濃度は１〜１００ｍｇ／ｌ
であることが望ましい。
フィド結合を有する化合物の濃度は１〜１００ｍｇ／ｌ
であることが望ましい。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明について詳細に説明
する。
する。
【００１０】本発明の無電解銅めっき液に使用される銅
塩としては、硫酸銅、酸化銅、水酸化銅などがあり、銅
イオンを含むものであれば良く、特に限定されない。ま
た、その濃度は、使用する銅塩によって適宜決定される
が、銅塩として硫酸銅を例に取ると、その配合量は、５
ｇ／ｌ〜１５ｇ／ｌであることが好ましい。
塩としては、硫酸銅、酸化銅、水酸化銅などがあり、銅
イオンを含むものであれば良く、特に限定されない。ま
た、その濃度は、使用する銅塩によって適宜決定される
が、銅塩として硫酸銅を例に取ると、その配合量は、５
ｇ／ｌ〜１５ｇ／ｌであることが好ましい。
【００１１】本発明の無電解銅めっき液に使用される銅
イオンの錯化剤としては、エチレンジアミン四酢酸また
はこの塩や酒石酸またはその塩等、銅イオンと錯体を形
成するものであれば良く、特に限定されない。また、そ
の濃度は、使用する銅イオンの錯化剤によって適宜決定
されるが、銅イオンの錯化剤としてエチレンジアミン四
酢酸を例に取ると、その配合量は、１５ｇ／ｌ〜６０ｇ
／ｌであることが好ましい。
イオンの錯化剤としては、エチレンジアミン四酢酸また
はこの塩や酒石酸またはその塩等、銅イオンと錯体を形
成するものであれば良く、特に限定されない。また、そ
の濃度は、使用する銅イオンの錯化剤によって適宜決定
されるが、銅イオンの錯化剤としてエチレンジアミン四
酢酸を例に取ると、その配合量は、１５ｇ／ｌ〜６０ｇ
／ｌであることが好ましい。
【００１２】本発明の無電解銅めっき液に使用される還
元剤はホルムアルデヒドやパラホルムアルデヒド等、銅
イオンを還元可能なものであれば良く、特に限定されな
い。また、その濃度は、使用する還元剤によって適宜決
定されるが、還元剤として３７％のホルムアルデヒド水
溶液を例に取ると、その配合量は、２ｍｌ／ｌ〜２０ｍ
ｌ／ｌであることが好ましい。
元剤はホルムアルデヒドやパラホルムアルデヒド等、銅
イオンを還元可能なものであれば良く、特に限定されな
い。また、その濃度は、使用する還元剤によって適宜決
定されるが、還元剤として３７％のホルムアルデヒド水
溶液を例に取ると、その配合量は、２ｍｌ／ｌ〜２０ｍ
ｌ／ｌであることが好ましい。
【００１３】本発明の無電解銅めっき液に使用されるｐ
Ｈ調整剤は水酸化ナトリウムや水酸化カリウム等のアル
カリ金属や水酸化カルシウム等のアルカリ土類金属の水
酸化物であれば良く、特に限定されない。ｐＨ調整剤の
配合量は、本発明の無電解銅めっき液のｐＨが１１．０
〜１３．５の範囲になるように適宜決定、添加される。
Ｈ調整剤は水酸化ナトリウムや水酸化カリウム等のアル
カリ金属や水酸化カルシウム等のアルカリ土類金属の水
酸化物であれば良く、特に限定されない。ｐＨ調整剤の
配合量は、本発明の無電解銅めっき液のｐＨが１１．０
〜１３．５の範囲になるように適宜決定、添加される。
【００１４】また、上記基本成分に加え、本発明の無電
解銅めっき液にはジスルフィド結合（Ｓ−Ｓ結合）を有
する化合物が含まれ、好ましくは、式（１） Ｒ−Ｓ−Ｓ−Ｒ’ （１） （式中、Ｒ、Ｒ’は、それぞれ独立に、−ＣｎＨ
２ｎ＋１、−ＣｎＨ２ｎＯＨ、−ＣｎＨ２ｎＣＯＯＨ、
−ＣｎＨ２ｎＣ６Ｈ５、−ＣＨ（ＯＨ）ＣｎＨ２ｎ（Ｏ
Ｈ）、−ＣＨ（ＣＯＯＨ）ＣｎＨ２ｎ（ＣＯＯＨ）、−
ＣｎＨ２ｎＣＨ（ＯＨ）ＣｍＨ２ｍ（ＯＨ）、−ＣｎＨ
２ｎＣＨ（ＣＯＯＨ）ＣｍＨ２ｍ（ＣＯＯＨ）、−Ｃｎ
Ｈ２ｎＣＨ（Ｃ６Ｈ５）ＣｍＨ２ｍ＋１であり、ｍおよ
びｎはそれぞれ独立に１〜６の整数である。）に示す化
合物であり、特に好ましくは、Ｒ、Ｒ’がそれぞれ独立
に−ＯＨ基または−ＣＯＯＨ基を含有し、ｍ、ｎがそれ
ぞれ独立に１〜３の整数である式（１）の化合物であ
る。
解銅めっき液にはジスルフィド結合（Ｓ−Ｓ結合）を有
する化合物が含まれ、好ましくは、式（１） Ｒ−Ｓ−Ｓ−Ｒ’ （１） （式中、Ｒ、Ｒ’は、それぞれ独立に、−ＣｎＨ
２ｎ＋１、−ＣｎＨ２ｎＯＨ、−ＣｎＨ２ｎＣＯＯＨ、
−ＣｎＨ２ｎＣ６Ｈ５、−ＣＨ（ＯＨ）ＣｎＨ２ｎ（Ｏ
Ｈ）、−ＣＨ（ＣＯＯＨ）ＣｎＨ２ｎ（ＣＯＯＨ）、−
ＣｎＨ２ｎＣＨ（ＯＨ）ＣｍＨ２ｍ（ＯＨ）、−ＣｎＨ
２ｎＣＨ（ＣＯＯＨ）ＣｍＨ２ｍ（ＣＯＯＨ）、−Ｃｎ
Ｈ２ｎＣＨ（Ｃ６Ｈ５）ＣｍＨ２ｍ＋１であり、ｍおよ
びｎはそれぞれ独立に１〜６の整数である。）に示す化
合物であり、特に好ましくは、Ｒ、Ｒ’がそれぞれ独立
に−ＯＨ基または−ＣＯＯＨ基を含有し、ｍ、ｎがそれ
ぞれ独立に１〜３の整数である式（１）の化合物であ
る。
【００１５】また、本発明のめっき液中でのジスルフィ
ドを有する化合物の濃度としては、１〜１００ｍｇ／ｌ
である場合が良好な析出速度及び液安定性を得ることが
でき、好ましい。さらに好ましくは３〜５０ｍｇ／ｌの
範囲であり、特に好ましくは５〜２０ｍｇ／ｌの範囲で
ある。ジスルフィド結合（Ｓ−Ｓ結合）を有する化合物
の濃度が１ｍｇ／ｌ未満では液安定性が低く、１００ｍ
ｇ／ｌを超えるとめっき析出速度が低下する。
ドを有する化合物の濃度としては、１〜１００ｍｇ／ｌ
である場合が良好な析出速度及び液安定性を得ることが
でき、好ましい。さらに好ましくは３〜５０ｍｇ／ｌの
範囲であり、特に好ましくは５〜２０ｍｇ／ｌの範囲で
ある。ジスルフィド結合（Ｓ−Ｓ結合）を有する化合物
の濃度が１ｍｇ／ｌ未満では液安定性が低く、１００ｍ
ｇ／ｌを超えるとめっき析出速度が低下する。
【００１６】また、上記の成分の他に、分子内に−Ｎ
＝、−Ｎ＝Ｎ−、または−ＮＨ２を含むＮ含有有機化合
物もしくはアンモニウムイオンと、分子内にポリオキシ
エチレン鎖（−（ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）ｎ−）を持つ界面活
性剤と、をさらに加えてもよく、これにより外観及び内
層接続信頼性に優れた無電解銅めっき皮膜を得ることが
できる。
＝、−Ｎ＝Ｎ−、または−ＮＨ２を含むＮ含有有機化合
物もしくはアンモニウムイオンと、分子内にポリオキシ
エチレン鎖（−（ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）ｎ−）を持つ界面活
性剤と、をさらに加えてもよく、これにより外観及び内
層接続信頼性に優れた無電解銅めっき皮膜を得ることが
できる。
【００１７】上記のような成分を含む本発明の無電解銅
めっき液を調整する方法、条件としては特に限定されな
いが、作業のし易さ、安全性等の面から常温、常圧下に
おいて、攪拌等を行いながら水と上記成分を混合し、調
整することが好ましい。
めっき液を調整する方法、条件としては特に限定されな
いが、作業のし易さ、安全性等の面から常温、常圧下に
おいて、攪拌等を行いながら水と上記成分を混合し、調
整することが好ましい。
【００１８】本発明の無電解銅めっき液を用いて銅めっ
き被膜を多層プリント配線板の層間接続内壁等の所望の
箇所に形成する方法としては、あらかじめ、常法に従っ
て必要な前処理が施され、また、必要に応じて、被銅め
っき箇所に、パラジウム、金、白金等の触媒が付与され
た多層プリント配線板を、液温が２５〜７０℃、好まし
くは３５〜５０℃のめっき液に必要な膜厚のめっき被膜
が形成されるまで浸漬すればよい。
き被膜を多層プリント配線板の層間接続内壁等の所望の
箇所に形成する方法としては、あらかじめ、常法に従っ
て必要な前処理が施され、また、必要に応じて、被銅め
っき箇所に、パラジウム、金、白金等の触媒が付与され
た多層プリント配線板を、液温が２５〜７０℃、好まし
くは３５〜５０℃のめっき液に必要な膜厚のめっき被膜
が形成されるまで浸漬すればよい。
【００１９】
【実施例】以下、実施例により本発明をさらに詳しく説
明する。
明する。
【００２０】実施例１
試験基板として、表面を滑らかに研磨したステンレスス
ティール板を用いた。めっき前処理として、クリーナー
コンディショナであるＣＬＣ−６０１（日立化成工業株
式会社製、商品名）に、浸漬処理して表面の清浄化及び
コンディショニングをした後、表面のソフトエッチング
及び増感処理液であるＨＳ−２０１（日立化成工業株式
会社製、商品名）に浸漬し、さらに密着促進処理液であ
るＡＤＰ−６０１（日立化成工業株式会社製、商品名）
で浸漬処理を行った。このような前処理を行った試験基
板を、以下の組成の無電解銅めっき液に、以下に示した
化合物を加えためっき液を用い、めっき温度４０℃で５
分間めっきを行った。
ティール板を用いた。めっき前処理として、クリーナー
コンディショナであるＣＬＣ−６０１（日立化成工業株
式会社製、商品名）に、浸漬処理して表面の清浄化及び
コンディショニングをした後、表面のソフトエッチング
及び増感処理液であるＨＳ−２０１（日立化成工業株式
会社製、商品名）に浸漬し、さらに密着促進処理液であ
るＡＤＰ−６０１（日立化成工業株式会社製、商品名）
で浸漬処理を行った。このような前処理を行った試験基
板を、以下の組成の無電解銅めっき液に、以下に示した
化合物を加えためっき液を用い、めっき温度４０℃で５
分間めっきを行った。
【００２１】（無電解銅めっき液の組成）
ＣｕＳＯ４・５Ｈ２Ｏ ：１０ｇ／ｌ
ＥＤＴＡ・４Ｎａ ：５０ｇ／ｌ
３７％ＨＣＨＯ ：１２ｍｌ／ｌ
ＮａＯＨ ：５．５ｇ／ｌ
（化合物）
ジチオジグリコール酸 ：１ｍｇ／ｌ
【００２２】実施例２
実施例１と同じ組成の無電解銅めっき液に、以下に示し
た化合物を加え、実施例１と同じめっき前処理、めっき
条件にてめっきを行った。 （化合物） ジチオジグリコール酸 ：１０ｍｇ／ｌ
た化合物を加え、実施例１と同じめっき前処理、めっき
条件にてめっきを行った。 （化合物） ジチオジグリコール酸 ：１０ｍｇ／ｌ
【００２３】実施例３
実施例１と同じ組成の無電解銅めっき液に、以下に示し
た化合物を加え、実施例１と同じめっき前処理、めっき
条件にてめっきを行った。 （化合物） ジチオジグリコール酸 ：１００ｍｇ／ｌ
た化合物を加え、実施例１と同じめっき前処理、めっき
条件にてめっきを行った。 （化合物） ジチオジグリコール酸 ：１００ｍｇ／ｌ
【００２４】実施例４
実施例１と同じ組成の無電解銅めっき液に、以下に示し
た化合物を加え、実施例１と同じめっき前処理、めっき
条件にてめっきを行った。 （化合物） ２−カルボキシプロピルジスルフィド ：１０ｍｇ／ｌ
た化合物を加え、実施例１と同じめっき前処理、めっき
条件にてめっきを行った。 （化合物） ２−カルボキシプロピルジスルフィド ：１０ｍｇ／ｌ
【００２５】実施例５
実施例１と同じ組成の無電解銅めっき液に、以下に示し
た化合物を加え、実施例１と同じめっき前処理、めっき
条件にてめっきを行った。 （化合物） ２−ヒドロキシエチルジスルフィド ：１０ｍｇ／ｌ
た化合物を加え、実施例１と同じめっき前処理、めっき
条件にてめっきを行った。 （化合物） ２−ヒドロキシエチルジスルフィド ：１０ｍｇ／ｌ
【００２６】比較例１
実施例１と同じ組成の無電解銅めっき液に、以下に示し
た化合物を加え、実施例１と同じめっき前処理、めっき
条件にてめっきを行った。 （化合物） ジチオジグリコール酸 ：０．１ｍｇ／ｌ
た化合物を加え、実施例１と同じめっき前処理、めっき
条件にてめっきを行った。 （化合物） ジチオジグリコール酸 ：０．１ｍｇ／ｌ
【００２７】比較例２
実施例１と同じ組成の無電解銅めっき液に、以下に示し
た化合物を加え、実施例１と同じめっき前処理、めっき
条件にてめっきを行った。 （化合物） ジチオジグリコール酸 ：３００ｍｇ／ｌ
た化合物を加え、実施例１と同じめっき前処理、めっき
条件にてめっきを行った。 （化合物） ジチオジグリコール酸 ：３００ｍｇ／ｌ
【００２８】比較例３
実施例１と同じ組成の無電解銅めっき液に、以下に示し
た化合物を加え、実施例１と同じめっき前処理、めっき
条件にてめっきを行った。 （化合物） シアン化ナトリウム ：１０ｍｇ／ｌ
た化合物を加え、実施例１と同じめっき前処理、めっき
条件にてめっきを行った。 （化合物） シアン化ナトリウム ：１０ｍｇ／ｌ
【００２９】比較例４
実施例１と同じ組成の無電解銅めっき液に、以下に示し
た化合物を加え、実施例１と同じめっき前処理、めっき
条件にてめっきを行った。 （化合物） シアン化カリウム ：１０ｍｇ／ｌ
た化合物を加え、実施例１と同じめっき前処理、めっき
条件にてめっきを行った。 （化合物） シアン化カリウム ：１０ｍｇ／ｌ
【００３０】上記のような条件により作成された実施例
１〜５および比較例１〜４の各試験基板における銅めっ
き被膜の析出速度、および上記各組成での無電解銅めっ
き液の液安定性、さらに、各無電解銅めっき液の安全性
について以下のような方法により評価した。これらの結
果を表１に示す。
１〜５および比較例１〜４の各試験基板における銅めっ
き被膜の析出速度、および上記各組成での無電解銅めっ
き液の液安定性、さらに、各無電解銅めっき液の安全性
について以下のような方法により評価した。これらの結
果を表１に示す。
【００３１】（析出速度）：各試験板について、無電解
銅めっき前後の重量差を算出し、析出速度とした。 (液安定性)：亜酸化銅(Cu2O)を各めっき液に１０mg/lと
なるように添加し、試験基板を５時間めっきした後、ビ
ーカーの底の銅ふり発生の有無を観察した。銅ふり発生
の無いものを○、有るものは液安定性が低いものとして
×と評価した。この結果を表1に示す。 （安全性）：安全衛生上毒物指定されているために、作
業上危険性が高い化合物を含むものを×、含まないもの
を○として評価した。
銅めっき前後の重量差を算出し、析出速度とした。 (液安定性)：亜酸化銅(Cu2O)を各めっき液に１０mg/lと
なるように添加し、試験基板を５時間めっきした後、ビ
ーカーの底の銅ふり発生の有無を観察した。銅ふり発生
の無いものを○、有るものは液安定性が低いものとして
×と評価した。この結果を表1に示す。 （安全性）：安全衛生上毒物指定されているために、作
業上危険性が高い化合物を含むものを×、含まないもの
を○として評価した。
【００３２】
【表１】
【００３３】表１から明らかなように、実施例１〜５の
無電解銅めっき液は、作業上安全であり、析出速度及び
液安定性にも優れている。
無電解銅めっき液は、作業上安全であり、析出速度及び
液安定性にも優れている。
【００３４】
【発明の効果】したがって、本発明により、作業上安全
であり析出速度及び液安定性に優れた無電解銅めっき液
を提供することができる。
であり析出速度及び液安定性に優れた無電解銅めっき液
を提供することができる。
Claims (4)
- 【請求項１】 銅塩、銅イオンの錯化剤、ｐＨ調整剤、
及び還元剤を含む無電解銅めっき液において、ジスルフ
ィド結合（Ｓ−Ｓ結合）を有する化合物をさらに含むこ
とを特徴とする無電解銅めっき液。 - 【請求項２】 前記ジスルフィド結合を有する化合物
が、式（１） Ｒ−Ｓ−Ｓ−Ｒ’ （１） （式中、Ｒ、Ｒ’は、それぞれ独立に、−ＣｎＨ
２ｎ＋１、−ＣｎＨ２ｎＯＨ、−ＣｎＨ２ｎＣＯＯＨ、
−ＣｎＨ２ｎＣ６Ｈ５、−ＣＨ（ＯＨ）ＣｎＨ２ｎ（Ｏ
Ｈ）、−ＣＨ（ＣＯＯＨ）ＣｎＨ２ｎ（ＣＯＯＨ）、−
ＣｎＨ２ｎＣＨ（ＯＨ）ＣｍＨ２ｍ（ＯＨ）、−ＣｎＨ
２ｎＣＨ（ＣＯＯＨ）ＣｍＨ２ｍ（ＣＯＯＨ）、−Ｃｎ
Ｈ２ｎＣＨ（Ｃ６Ｈ５）ＣｍＨ２ｍ＋１であり、ｍおよ
びｎはそれぞれ独立に１〜６の整数である。）に示す化
合物であることを特徴とする請求項１記載の無電解銅め
っき液。 - 【請求項３】 前記ジスルフィド結合を有する化合物の
濃度が、１〜１００ｍｇ／ｌであることを特徴とする請
求項１または２記載の無電解銅めっき液。 - 【請求項４】請求項１〜３のいずれかに記載の無電解銅
めっき液を用いて銅めっき被膜を形成することを特徴と
する無電解銅めっき方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001400775A JP4173964B2 (ja) | 2001-12-28 | 2001-12-28 | 無電解銅めっき液、およびこれを用いた無電解銅めっき方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001400775A JP4173964B2 (ja) | 2001-12-28 | 2001-12-28 | 無電解銅めっき液、およびこれを用いた無電解銅めっき方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003193248A true JP2003193248A (ja) | 2003-07-09 |
| JP4173964B2 JP4173964B2 (ja) | 2008-10-29 |
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ID=27605166
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001400775A Expired - Fee Related JP4173964B2 (ja) | 2001-12-28 | 2001-12-28 | 無電解銅めっき液、およびこれを用いた無電解銅めっき方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4173964B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019515138A (ja) * | 2016-05-04 | 2019-06-06 | アトテツク・ドイチユラント・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツングＡｔｏｔｅｃｈ Ｄｅｕｔｓｃｈｌａｎｄ ＧｍｂＨ | 基板表面の活性化を含む基板表面に金属または金属合金を析出させるための方法 |
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