JP2003178986A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2003178986A5
JP2003178986A5 JP2001379401A JP2001379401A JP2003178986A5 JP 2003178986 A5 JP2003178986 A5 JP 2003178986A5 JP 2001379401 A JP2001379401 A JP 2001379401A JP 2001379401 A JP2001379401 A JP 2001379401A JP 2003178986 A5 JP2003178986 A5 JP 2003178986A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cleaning
gas
oxygen
cleaning gas
fluorine
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2001379401A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2003178986A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2001379401A priority Critical patent/JP2003178986A/ja
Priority claimed from JP2001379401A external-priority patent/JP2003178986A/ja
Priority to US10/250,924 priority patent/US20040231695A1/en
Priority to TW91136000A priority patent/TW571366B/zh
Priority to KR10-2003-7009691A priority patent/KR20040065154A/ko
Priority to PCT/JP2002/013002 priority patent/WO2003054247A2/en
Priority to AU2002366920A priority patent/AU2002366920A1/en
Priority to CN 02804007 priority patent/CN1592798A/zh
Publication of JP2003178986A publication Critical patent/JP2003178986A/ja
Publication of JP2003178986A5 publication Critical patent/JP2003178986A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

JP2001379401A 2001-12-13 2001-12-13 半導体製造装置のクリーニングガスおよびクリーニング方法 Pending JP2003178986A (ja)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001379401A JP2003178986A (ja) 2001-12-13 2001-12-13 半導体製造装置のクリーニングガスおよびクリーニング方法
US10/250,924 US20040231695A1 (en) 2001-12-13 2002-12-12 Cleaning gas for semiconductor production equipment and cleaning method using the gas
TW91136000A TW571366B (en) 2001-12-13 2002-12-12 Cleaning gas for semiconductor production equipment and cleaning method using the gas
KR10-2003-7009691A KR20040065154A (ko) 2001-12-13 2002-12-12 반도체 제조장치용 클리닝가스 및 이 가스를 사용한클리닝방법
PCT/JP2002/013002 WO2003054247A2 (en) 2001-12-13 2002-12-12 Cleaning gas composition for semiconductor production equipment and cleaning method using the gas
AU2002366920A AU2002366920A1 (en) 2001-12-13 2002-12-12 Cleaning gas composition for semiconductor production equipment and cleaning method using the gas
CN 02804007 CN1592798A (zh) 2001-12-13 2002-12-12 用于半导体制造设备的清洁气体以及使用该气体的清洁方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001379401A JP2003178986A (ja) 2001-12-13 2001-12-13 半導体製造装置のクリーニングガスおよびクリーニング方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2003178986A JP2003178986A (ja) 2003-06-27
JP2003178986A5 true JP2003178986A5 (enrdf_load_stackoverflow) 2005-07-28

Family

ID=19186793

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001379401A Pending JP2003178986A (ja) 2001-12-13 2001-12-13 半導体製造装置のクリーニングガスおよびクリーニング方法

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP2003178986A (enrdf_load_stackoverflow)
CN (1) CN1592798A (enrdf_load_stackoverflow)
TW (1) TW571366B (enrdf_load_stackoverflow)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4686157B2 (ja) * 2004-09-29 2011-05-18 株式会社東芝 成膜装置のクリーニング方法
CN101466873B (zh) * 2006-04-10 2012-09-26 苏威氟有限公司 蚀刻方法
JP2009544849A (ja) * 2006-07-27 2009-12-17 レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード 膜形成装置のクリーニング方法および膜形成装置
US9627180B2 (en) * 2009-10-01 2017-04-18 Praxair Technology, Inc. Method for ion source component cleaning
CN102754201A (zh) * 2009-10-26 2012-10-24 苏威氟有限公司 用于生产tft基质的蚀刻方法
JP5751895B2 (ja) * 2010-06-08 2015-07-22 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、クリーニング方法および基板処理装置
JP6097192B2 (ja) * 2013-04-19 2017-03-15 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法
CN105537207B (zh) * 2015-12-11 2018-09-25 上海交通大学 一种高温用石英管的清洗方法
CN106637133A (zh) * 2016-12-26 2017-05-10 苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司 一种pecvd反应腔体的清洁方法及清洁气体
WO2020045414A1 (ja) * 2018-08-30 2020-03-05 三菱ケミカル株式会社 洗浄液、洗浄方法及び半導体ウェハの製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1320875B1 (en) Gas compositions for cleaning the interiors of reactors as well as for etching films of silicon-containing compounds
US6579805B1 (en) In situ chemical generator and method
EP1138802A3 (en) Fluorine process for cleaning semiconductor process chamber
JP2009503270A (ja) 表面沈着物を除去するためのｎｆ３の使用方法
WO2011093263A1 (ja) ドライエッチング剤及びそれを用いたドライエッチング方法
JP2006041523A (ja) フッ素利用率を増大させる方法
JP2011119310A (ja) エッチングガス
JP2003178986A5 (enrdf_load_stackoverflow)
CN100480170C (zh) 用于制备含f2气体的方法和装置以及用于制品表面改性的方法和装置
ATE282466T1 (de) Zersetzung von fluorhaltigen verbindungen
TW571366B (en) Cleaning gas for semiconductor production equipment and cleaning method using the gas
US20040231695A1 (en) Cleaning gas for semiconductor production equipment and cleaning method using the gas
JP2007531289A (ja) 表面堆積物を除去するための遠隔チャンバ方法
TWI477485B (zh) 原位產生碳醯氟化物或其任何變異體之分子蝕刻劑之方法及其應用
JP2007531289A5 (enrdf_load_stackoverflow)
KR100485743B1 (ko) 반도체 생산 설비용 세정 가스
KR100497884B1 (ko) 세정기체
JP2004266077A (ja) Ｃｖｄチャンバーのクリーニング方法およびそれに用いるクリーニングガス
JP2002198357A5 (enrdf_load_stackoverflow)
JP2008294121A (ja) 半導体装置の製造方法および製造装置
EP1475822B1 (en) Cleaning gas and etching gas
JP2008235562A (ja) プラズマｃｖｄ成膜装置のクリーニング方法
JP2004036002A (ja) 反応装置の信頼性改善方法
JP2002198357A (ja) 半導体製造装置のクリーニングガス及びクリーニング方法
JP2006049585A (ja) チャンバーのクリーニング方法