JP2003174046A - 半導体パッケージおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 専用の金型を使用することなく半導体チップ
を封止することができ、パッケージング時に半導体チッ
プにダメージを与えるおそれもなく、さらに薄型化にも
適している半導体パッケージの構造およびパッケージン
グの方法を提供する。 【解決手段】 基材上に半導体チップを配置し、基材お
よび半導体チップ上にシートを配置し、基材とシートと
の間の気圧を低下させて、シートを基材および半導体チ
ップに密着させ、基材とシートとを貼り付けたのち、半
導体チップの周囲にて基材とシートとを同時に切断す
る。半導体チップの周囲において基材とシートとが貼り
付けされ、さらに半導体パッケージの少なくとも一辺に
おいて、基材の端面とシートの端面とが同一面上にある
半導体パッケージが得られる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体パッケージ
およびその製造方法に関し、とくに、半導体チップを半
導体パッケージへとパッケージングする方法およびパッ
ケージングの構造に関する。

【０００２】

【従来の技術】メモリやＣＰＵ、ＡＳＩＣやシステムＬ
ＳＩなどといった半導体製品は、通常、半導体チップを
樹脂などで封止した半導体パッケージとして供給されて
いる。半導体チップは、シリコンやガリウムヒ素などの
基板（ウエハ）上に、ダイオードやトランジスタ、コン
デンサなどといった素子を微細に作り込んで形成され、
通常は、１枚のウエハ上に多数の半導体チップが同時に
形成され、ダイシングによって個片へと切断される。

【０００３】ところで、半導体チップは、ミクロンやサ
ブミクロンの技術を駆使して精緻に作り込まれており、
表面における電極の間隔も狭い。したがって、この半導
体チップのままの状態で一般の需要家に供給した場合、
電極への配線作業の実施が困難である。また、むきだし
のままの半導体チップでは、外力による破損や静電気な
どによる損傷、ガスや水分など外部の雰囲気による特性
の劣化などが心配され、取り扱いが不便である。そこ
で、完成した半導体チップを樹脂などで包み、半導体パ
ッケージとしたうえで製品としての出荷、供給が行なわ
れている。

【０００４】このような半導体パッケージの製造方法
を、図９を用いて説明する。

【０００５】まず、個片化した半導体チップ２、および
半導体チップ２を取り付けるための基材１０を用意す
る。基材１０の一方の表面にはランド８が、もう一方の
表面にはランド１２がそれぞれ形成されており、ランド
８とランド１２は基材１０内で電気的に接続されてい
る。

【０００６】用意した半導体チップ２の表面の電極４上
に、はんだなどの導電性材料によってインナバンプ（こ
ぶ）６を形成する。このインナバンプ６とランド８とを
位置あわせし、熱や振動などを加えて、電極４、インナ
バンプ６およびランド８を接続する。その後、半導体チ
ップ２および基材１０全体を金型に取り付け、溶融させ
た樹脂を金型内に注入して半導体チップ２を封止する。
最後に、半導体チップ２および基材１０を金型から取り
出し、ランド１２上にはんだなどの導電性材料によって
アウタバンプ１４を形成する。

【０００７】このようにして、基材１０上に半導体チッ
プ２を封止した半導体パッケージが得られる。なお、図
９では封止樹脂を省略し、図示していない。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】以上述べたように、従
来の半導体パッケージおよびその製造方法では、半導体
チップの封止を行なうために、金型が必要である。この
ため、金型の製造や維持管理に費用がかかり、製品のコ
ストが高くなってしまうという問題があった。また、半
導体パッケージの種類ごとにそれぞれ専用の金型が必要
であり、とくに、多様なニーズに応えさまざまな種類の
半導体パッケージを生産しなければならない現代の半導
体製造工場においては、この問題が顕著であった。

【０００９】また、金型への注入時の樹脂の回り込み、
および樹脂の硬化時のヒケなどを考慮すると、金型と半
導体チップとのあいだのスキマをあまり小さくすること
はできない。このため、半導体パッケージの薄型化が難
しいという問題もあった。さらに、高温の溶融樹脂によ
って半導体チップにダメージをあたえることがないよ
う、樹脂の温度や樹脂の種類に注意をはらう必要があっ
た。

【００１０】そこで本発明は、専用の金型を使用するこ
となく半導体チップを封止することができる半導体パッ
ケージの構造およびパッケージングの方法を提供する。
また、パッケージを薄型化した場合でも半導体チップの
露出が生じることがない半導体パッケージの構造および
パッケージングの方法を提供する。さらに、パッケージ
ング時に半導体チップにダメージを与えるおそれのない
半導体パッケージの構造およびパッケージングの方法を
提供する。

【００１１】

【課題を解決するための手段】そこで本発明は、半導体
チップを基材とシートとのあいだに封止して半導体パッ
ケージを構成し、半導体チップの周囲において基材とシ
ートとが貼り付けされており、さらに半導体チップの周
囲の少なくとも一辺において、基材の端面とシートの端
面とが同一面上にあることを特徴とする。なお、封止と
は密封を意味するものではなく、半導体チップは密封さ
れていてもよく、また密封されていなくてもよい。した
がって、基材とシートとは、かならずしも半導体チップ
の周囲全体において貼り付けされている必要はない。ま
た、貼り付けは、熱を加えた圧着のほか、シートや基材
への接着剤の塗布あるいはシートに設けた粘着層などに
より行なうことができる。

【００１２】本発明の一態様における半導体パッケージ
では、基材の一方の表面に内部接続用のランドが、他方
の表面に外部接続用のランドがそれぞれ設けられ、内部
接続用ランドと外部接続用ランドとが基材内で電気的に
接続されており、内部接続用ランドに半導体チップの電
極が接続され、外部接続用ランドには外部接続用のバン
プが設けられている。

【００１３】また、本発明の別の態様における半導体パ
ッケージでは、基材の一方の表面に、内部接続用のラン
ド、外部接続用のランドおよびこれらランドを電気的に
接続する配線が形成されている。内部接続用ランドに
は、半導体チップの電極が接続される。一方、基材には
貫通孔が設けられ、この貫通孔から外部接続用ランドが
露出する。露出した外部接続ランド上に外部接続用のバ
ンプが形成される。

【００１４】また本発明における半導体パッケージの製
造方法は、基材とシートとのあいだに半導体チップを封
止した半導体パッケージの製造方法であって、基材上に
半導体チップを配置する工程と、基材および半導体チッ
プ上にシートを配置する工程と、基材とシートとの間の
気圧を低下させ、シートを基材および半導体チップに密
着させる工程と、基材とシートとを貼り付ける工程と、
半導体チップの周囲にて、基材とシートとを同時に切断
する工程とからなる。

【００１５】さらに、本発明における半導体パッケージ
の製造方法は、基材とシートとのあいだに半導体チップ
を封止した半導体パッケージの製造方法であって、基材
上に複数の半導体チップを配置する工程と、基材および
半導体チップ上にシートを配置する工程と、基材とシー
トとの間の気圧を低下させ、シートを基材および半導体
チップに密着させる工程と、基材とシートとを貼り付け
る工程と、半導体チップの周囲にて基材とシートとを同
時に切断し、個片の半導体パッケージへと分割する工程
とからなる。

【００１６】基材とシートとの間の空間を真空引きして
気圧を低下させ、シートを基材および半導体チップに密
着させるとよい。また、シートをはさんで反対側に位置
する空間を加圧して、基材−シート間の空間の気圧を相
対的に低下させ、シートを基材および半導体チップに密
着させてもよい。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、添
付の図面を参照して説明する。

【００１８】実施の形態１ 本発明の一実施の形態を、図１，２を参照して説明す
る。

【００１９】図９にて説明した従来の技術と同様、まず
個片化した半導体チップ２および基材１０を用意する。
基材１０は、たとえばＮＥＭＡ ＦＲ−４グレードの耐
熱性ガラスエポキシ基板であり、一方の表面にはランド
８が、もう一方の表面にはランド１２がそれぞれ形成さ
れている。基材１０は、単層あるいは多層のプリント配
線板であって、上面のランド８と下面のランド１２と
が、スルーホールやヴィアホール、プリント配線にて電
気的に接続されている。

【００２０】用意した半導体チップ２の表面の電極４上
に、はんだなどの導電性材料によってインナバンプ６を
形成する。このインナバンプ６と基材１０の表面のラン
ド８とを位置あわせし、熱や振動などを加えて、電極
４、インナバンプ６およびランド８を接続する。なお、
このとき、１枚の基材１０上に複数（図１では３つ）の
半導体チップ２を取り付けるようにするとよい。

【００２１】その後、半導体チップ２を覆うようにシー
ト１６を被せ、周囲の圧着部Ａにて基材１０とシート１
６とを圧着固定する。なお、基材１０およびシート１６
の周囲には、一部圧着されていない部分が残されてお
り、真空引き用の配管２０が差し込まれている（図１
（ａ）を参照）。

【００２２】真空引き用の配管２０によってシート１６
と基材１０とのあいだの空気を抜くと、シート１６が半
導体チップ２および基材１０へと引き寄せられて密着す
る。配管２０の気圧を圧力センサ２２で検知することに
より、シート１６が充分半導体チップ２に密着したこと
を確認し、圧着部Ｂ（すなわち、隣り合った半導体チッ
プのあいだ、および配管２０の差し込み部）を圧着して
半導体チップ２を封止する（図１（ｂ）を参照）。

【００２３】このようにして得られた半導体パッケージ
の断面を、図２（ａ）に示す。複数の半導体チップ２
が、１枚の基材１０上にシート１６によって封止されて
いる。そこで、隣り合う半導体チップ２間の圧着部Ｂに
て、シート１６および基材１０を切断し、半導体パッケ
ージを個片化する（図２（ｂ）を参照）。切断は、ダイ
シング・ソーを用いたダイシングによって行なってもよ
いし、パンチング法による抜き加工で行なってもよい。

【００２４】このようにして、図２（ｃ）に示すよう
に、少なくとも４辺のうちの１辺において、シート１６
の端面１６ａと基材１０の端面１０ａとが同一面にある
半導体パッケージが得られる。もちろん、隣り合う半導
体チップ間だけでなく、対向する２辺、あるいは周囲４
辺すべてを圧着部Ａ，Ｂにて切断するようにしてもよ
い。

【００２５】以上述べたように、本実施の形態によれ
ば、専用の金型を使用することなく半導体チップのパッ
ケージングを行なうことができ、半導体パッケージの製
造コストを低減することが可能である。また、複数の半
導体チップを同時に封止することが可能であるため、効
率よく半導体パッケージを製造することができ、やはり
コストの低減が可能である。さらに、半導体チップをシ
ートで封止するため、半導体パッケージの薄型化が可能
であり、半導体チップの露出の心配もない。また、パッ
ケージング時に半導体チップに加わる外力が小さく、ま
た高温にさらされることもないため、半導体チップにダ
メージを与える心配がない。

【００２６】なお、以上の説明では、まず基材１０上に
半導体チップ２を配置し、熱や振動を加えて電極４、イ
ンナバンプ６およびランド８を接続したのちに、シート
１６での封止を行なっている。しかし、まず基材１０上
に半導体チップ２を仮付けし、シート１６での封止後
に、熱や振動を加えて電極４、インナバンプ６およびラ
ンド８を確実に接続するようにしてもよい。

【００２７】また、シート１６としては、耐熱性に優れ
たポリミド、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）
や、ヒートシール性、シュリンク特性に優れたポリエチ
レン、ポリ塩化ビニルなどの樹脂製の薄膜が使用可能で
ある。また、求められる性能に応じて、異なる材質を２
層、３層というように積層したラミネートフィルムや、
接着性を高めるために接着面に接着剤をコーティングし
てあるフィルムを用いてもよい。

【００２８】シート１６と基材１０との圧着は、加熱し
た型あるいはこてなどをシート１６に押し付けることに
より行なうことができる。あるいは、シート１６（必要
があれば基材１０および半導体チップ２も）を暖めてお
き、型やこてを押し付けるようにしてもよい。

【００２９】また、シート１６の下面（すなわち基材１
０側）に接着剤を塗布し、あるいは基材１０および半導
体チップ２の表面に接着剤を塗布して、シートと基材お
よびシートと半導体チップを接着するようにしてもよ
い。シート１６を最下面に粘着層を有する積層フィルム
とし、シートと基材およびシートと半導体チップを接着
するようにしてもよい。

【００３０】また、以上の説明では、半導体チップ２と
基材１０とのあいだの空間１８をすきまとして残してい
るが、このすきまに樹脂ペレットなどを前もって配置し
ておき、加熱処理によってこの樹脂ペレットが溶融し、
空間１８を塞ぐようにしてもよい。

【００３１】ところで、ウエハ上に形成した半導体チッ
プの個片への分離は、ダイシング・ソーによってウエハ
表面に縦横の方陣状の切り込み（溝）を形成し、さらに
ウエハに曲げを加えることによりこの切り込み部を破断
させて行なわれている。このため、破断時に半導体チッ
プ２の各辺（図２（ｃ）における角２ａ）が鋭角になっ
たり、また各辺に破断時の残片がかえりとして残ったり
して、シート１６と半導体チップ２との密着が不充分に
なる、シート１６に破れが生じ半導体チップ２が露出し
てしまうなどといった不具合が生じうる。したがって、
半導体チップ２の切断・個片化は、少なくともダイシン
グ・ソーによってチップをほぼ完全に切断し、分離・個
片化のための曲げが最小限ですむセミフルカットダイシ
ング、あるいはチップを完全に切断してしまうフルカッ
トダイシングによるとよく、さらには、ウエハの上下両
面からダイシングを行なう両面ダイシングによるとよ
い。また、ウエハの表面にエッチングなどによる溝を形
成しておき、この溝が切断後の各辺に鈍角として残るよ
うにしてもよい。

【００３２】実施の形態２ 前記実施の形態１では、基材１０と封止用のシート１６
とのあいだに真空引き用の配管２０を配置し、ここから
シート１６と基材１０のあいだの空気を抜いてシート１
６を基材１０および半導体チップ２へと密着させた。

【００３３】一方、本実施の形態では、基材１０の下面
側（半導体チップの配置されない側）から真空引きをお
こなう。

【００３４】図３に示すように、基材１０の上面に半導
体チップ２を配置し、金型３０上に戴置する。さらに基
材１０および半導体チップ２の上方にシート１６を配置
し、シート１６と基材１０とを周辺の圧着部にて圧着す
る。このとき、図１（ａ）に示した前記実施の形態１で
は、周辺部に一部圧着されていない部分を残しており、
ここに真空引き用の配管２０を差し込んでいた。

【００３５】一方、本実施の形態においては、基材１０
および金型３０に、それぞれ空気抜きのための貫通孔１
０ｂ，３０ａが設けられている。また、基材１０の下面
にはランド１２が形成されているため、基材１０の下面
と金型３０の表面とのあいだには、ランド１２の厚さの
分だけすきまがあいている。したがって、このすきまお
よび貫通孔１０ｂを経由し、貫通孔３０ａからシート１
６と基材１０とのあいだの空気を抜くことが可能であ
る。そこで、図１（ａ）における配管２０の差し込み部
を含め、基材１０およびシート１６の全周を圧着する。

【００３６】金型３０の貫通孔３０ａからシート１６と
基材１０とのあいだの空気を抜き、シート１６を半導体
チップ２および基材１０へと密着させ、さらに隣り合う
半導体チップのあいだを圧着して各半導体チップ２をそ
れぞれ封止する。得られた半導体パッケージを、圧着部
にて切断することにより、半導体パッケージを個片化す
る。

【００３７】このようにして、やはり図２（ｃ）に示す
ように、少なくとも４辺のうちの１辺において、シート
１６の端面１６ａと基材１０の端面１０ａとが同一面に
ある半導体パッケージが得られる。なお、本実施の形態
では貫通孔１０ｂを、隣り合う半導体チップのあいだの
圧着部に設けた。したがって、最終的に貫通孔１０ｂは
シート１６によって塞がれることになる。個片化後の半
導体パッケージにこの貫通孔１０ｂが残っていてもかま
わない。また、個片化時の切断位置を半導体チップ２の
近傍にすることにより、この貫通孔１０ｂを除去してし
まってもよい。

【００３８】以上説明した本実施の形態においても、実
施の形態１と同様、専用の金型を使用することなく半導
体チップのパッケージングを行なうことができ、また、
複数の半導体チップを同時にパッケージングすることが
可能であるため、半導体パッケージの製造コストを低減
することが可能である。さらに、半導体チップをシート
で封止するため、半導体パッケージの薄型化が可能であ
る。また、パッケージング時に半導体チップにダメージ
を与える心配がない。

【００３９】また、図３に示したように、シート１６の
上方にも金型３２を配置し、貫通孔３２ａから加圧され
た気体あるいは流体を供給して、シート１６を基材１０
および半導体チップ２に密着させるようにしてもよい。
なお、シートの下方からの真空引きとシートの上方から
の加圧は、組み合わせて用いてもよいし、いずれか一方
を単独で用いてもよい。また、図３に示したように、金
型３２に突起部を設けておき、この突起部にてシート１
６を基材１０に押し付け圧着を行なうようにするとよ
い。

【００４０】実施の形態３ 前記実施の形態２においては、基材１０の下面側から真
空引きをおこない、真空引きのための貫通孔１０ｂを、
半導体チップと半導体チップのあいだで真空引き後に圧
着される部分に設けた。一方、本実施の形態では、図４
に示すように、真空引きのための貫通孔１０ｂを半導体
チップ２の直下に設けることを特徴とする。

【００４１】すでに説明したように、基材１０の下面と
金型３０の上面とのあいだには、ランド１２の厚さの分
のすきまがある。したがって、このすきまおよび貫通孔
１０ｂを経由し、貫通孔３０ａから真空を引くことが可
能である。

【００４２】本実施の形態によれば、半導体チップ２の
直下に貫通孔１０ｂを設け、ここから基材１０とシート
１６とのあいだの空気を抜くようにしたため、真空引き
の途中で貫通孔１０ｂや配管２０がシート１６にふさが
れることがなく、シート１６と半導体チップ２およびシ
ート１６と基材１０とを充分に密着させることができ
る。

【００４３】本実施の形態によれば、図５（ａ）の断面
図および図５（ｂ）の底面図に示したように、基材１０
に真空引き用の貫通孔１０ｂが残った半導体パッケージ
が得られる。

【００４４】なお、すでに説明したように、シート１６
の上方にも金型３２を配置し、貫通孔３２ａから加圧さ
れた気体あるいは流体を供給してもよい。また、図４に
示したように、金型３２に突起部を設けておき、この突
起部にて圧着を行なうようにするとよい。

【００４５】実施の形態４ 図６（ａ）に示すように、前記実施の形態２における貫
通孔１０ｂをスリット状とし、半導体チップ２の周囲を
囲むように配置してもよい。

【００４６】この貫通孔１０ｂから真空引きを行ない、
シート１６を半導体チップ２および基材１０に密着させ
たのち、シート１６と基材１０とを圧着する。その後、
シート１６および基材１０を切断して半導体パッケージ
を個片化するが、このとき貫通孔１０ｂの位置にて切断
を行なうようにするとよい。切断作業が容易になるた
め、さらに製造コストの低減をはかることができ、半導
体チップへダメージを与える可能性もさらに小さくな
る。

【００４７】本実施の形態によれば、図６（ｂ）に示す
ように、やはり少なくとも４辺のうちの１辺において、
シート１６の端面１６ａと基材１０の端面１０ａとが同
一面にある半導体パッケージが得られる。

【００４８】実施の形態５ 前記各実施の形態においては、基材１０上に半導体チッ
プ２およびシート１６を配置し、基材１０とシート１６
とを周辺部分で圧着し、その後に配管２０や貫通孔１０
ｂから真空引きを行ない、シート１６を半導体チップ２
や基材１０へと密着させていた。

【００４９】しかし、図７に示した本実施の形態のパッ
ケージング方法によれば、基材１０とシート１６とを前
もって圧着する必要がなく、工程数を削減してさらなる
コストの低減が可能である。

【００５０】本実施の形態を、図７を参照してさらに説
明する。

【００５１】図７に示すように、基材１０の上面に半導
体チップ２を配置し、金型３４上に戴置する。さらに基
材１０および半導体チップ２の上方にシート１６を配置
する。このときシート１６の周囲は金型３４によって気
密に支持されており、金型３４とシート１６とのあいだ
の空間は密閉されている。したがって、金型３４に設け
た貫通孔３４ａからこの空間の真空引きを行なうことに
より、シート１６を半導体チップ２および基材１０へと
密着させることができる。

【００５２】その後、シート１６と基材１０とを圧着あ
るいは接着して半導体チップ２を封止し、半導体パッケ
ージの個片へと切断、分割する。本実施の形態によれ
ば、やはり前記実施の形態１，２，３および４と同様、
半導体チップ２の周囲において基材１０とシート１６と
が貼り付けされ、少なくとも４辺のうちの１辺におい
て、シート１６の端面１６ａと基材１０の端面１０ａと
が同一面にある半導体パッケージが得られる。

【００５３】なお、シート１６の上方にさらに金型３６
を配置し、金型３６に設けた貫通孔３６ａから、シート
１６と金型３６とのあいだの空間を加圧して、シート１
６を半導体チップ２および基材１０へと密着させてもよ
い。もちろん、シートの上方からの加圧とシートの下方
における真空引きとを組み合わせて用いてもよい。

【００５４】実施の形態６ 以上説明した実施の形態では、基材１０上にインナバン
プ６をはさんで半導体チップ２を搭載するフリップチッ
プ方式の半導体パッケージを説明した。しかし、基材と
半導体チップとの電気的接続にインナバンプを使用せ
ず、基材の上面かつ半導体チップの周囲に配置したラン
ドと半導体チップの上面に設けた電極とをワイヤで接続
するワイヤボンディング方式の半導体パッケージであっ
ても、同様に本発明によるパッケージングを適用するこ
とができる。ただし、この場合には、基材１０および半
導体チップ２の上面に張りめぐらされたワイヤが、シー
ト１６の密着によって変形してしまうことがないよう、
基材１０上に保護枠を配置するなどの対策が必要であ
る。

【００５５】また、以上説明した実施の形態において
は、基材１０の一方の表面に内部接続用のランド８が、
もう一方の表面に外部接続用のランド１２がそれぞれ設
けられている。しかし、図８に示したように、内部接続
用のランド８と外部接続用のランド１２とが、ともに基
材１０の一方の表面に設けられる場合もある。

【００５６】図８に示す半導体パッケージにおいては、
内部接続用のランド８と外部接続用のランド１２とが、
基材１０の同一面上（図における上面）に形成され、配
線パターン２４によって接続されている。基材１０上に
は半導体チップ２が取り付けられ、半導体チップ２上の
電極と基材１０上の内部接続用ランド８とが、インナバ
ンプによって接続される。一方、外部接続用ランド１２
の位置において、基材１０には貫通孔が設けられてお
り、この貫通孔から外部接続用ランド１２が露出してい
る。露出した外部接続用ランド１２上に、はんだなどの
導電性材料により外部接続のためのアウタバンプ１４が
形成され、基材１０の半導体チップ２が取り付けられて
いない方の面（図における下面）に突出する。

【００５７】このような構成の半導体パッケージについ
ても、以上説明した本発明によるパッケージングが、そ
のまま適用可能である。ところで、内部接続用ランド８
と外部接続用ランド１２とが同位置になる場合には、配
線パターン２４はもちろん形成する必要がない。

【００５８】また、以上説明した実施の形態では、剛性
のある基材１０上に半導体チップ２を搭載している。し
かし、導電性薄膜による配線が表面に露出したテープを
基材として用い、この基材（テープ）上にバンプを介し
て半導体チップを搭載するいわゆるＴＡＢ方式の半導体
パッケージであっても、同様に、本発明によるパッケー
ジングを適用することが可能である。

【００５９】

【発明の効果】本発明によれば、専用の金型を使用する
ことなく半導体チップのパッケージングを行なうことが
でき、半導体パッケージの製造コストを低減することが
可能である。

【００６０】また、複数の半導体チップを同時に封止す
ることが可能であるため、効率よく半導体パッケージを
製造することができ、やはりコストの低減が可能であ
る。

【００６１】さらに、半導体チップをシートで封止する
ため、半導体パッケージの薄型化が可能であり、半導体
チップの露出の心配もない。

【００６２】また、パッケージング時に半導体チップに
加わる外力が小さく、また高温にさらされることもない
ため、半導体チップにダメージを与える心配がない。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の一実施の形態における半導体パッケ
ージの製造方法を説明した図である。

【図２】 本発明の一実施の形態における個片化前およ
び個片化後の半導体パッケージをそれぞれ示した図２
（ａ），（ｂ）と、図２（ｂ）のＸ部を部分拡大した図
２（ｃ）である。

【図３】 本発明のほかの実施の形態における半導体パ
ッケージの製造方法を説明した図である。

【図４】 本発明のさらに別の実施の形態における半導
体パッケージの製造方法を説明した図である。

【図５】 図４に示した製造方法によって得られる半導
体パッケージの断面図および底面図である。

【図６】 本発明のまた別の実施の形態における半導体
パッケージの製造方法を説明した図である。

【図７】 本発明のさらにまた別の実施の形態における
半導体パッケージの製造方法を説明した図である。

【図８】 本発明の一実施の形態における半導体パッケ
ージの部分拡大図である。

【図９】 半導体チップのパッケージ化を説明するため
の図である。

【符号の説明】

２ チップ、４ 電極、６ インナバンプ、８，１２
ランド、１０ 基材、１４ アウタバンプ、１６ シー
ト、１８ （チップと基材とのあいだの）空間、２０
配管、２２ 圧力センサ、２４ 配線パターン、３０，
３２，３４，３６ 金型。

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基材とシートとのあいだに半導体チップ
   を封止してなる半導体パッケージであって、半導体チッ
   プの周囲において基材とシートとが貼り付けされ、さら
   に半導体パッケージの少なくとも一辺において、基材の
   端面とシートの端面とが同一面上にある半導体パッケー
   ジ。
2. 【請求項２】 前記基材の一方の表面に内部接続用のラ
   ンドが、他方の表面に外部接続用のランドがそれぞれ設
   けられ、内部接続用ランドと外部接続用ランドとが基材
   内で電気的に接続されており、前記内部接続用ランドに
   半導体チップの電極が接続され、前記外部接続用ランド
   には外部接続用のバンプが設けられている請求項１記載
   の半導体パッケージ。
3. 【請求項３】 前記基材の一方の表面に内部接続用のラ
   ンド、外部接続用のランドおよびこれらランドを電気的
   に接続する配線が形成されており、前記内部接続用ラン
   ドに半導体チップの電極が接続される一方、前記基材に
   貫通孔が設けられ、該貫通孔から前記外部接続用ランド
   が露出する請求項１記載の半導体パッケージ。
4. 【請求項４】 基材とシートとのあいだに半導体チップ
   を封止した半導体パッケージの製造方法であって、基材
   上に半導体チップを配置する工程と、基材および半導体
   チップ上にシートを配置する工程と、基材とシートとの
   間の気圧を低下させ、シートを基材および半導体チップ
   に密着させる工程と、基材とシートとを貼り付ける工程
   と、半導体チップの周囲にて、基材とシートとを同時に
   切断する工程とからなる半導体パッケージの製造方法。
5. 【請求項５】 基材とシートとのあいだに半導体チップ
   を封止した半導体パッケージの製造方法であって、基材
   上に複数の半導体チップを配置する工程と、基材および
   半導体チップ上にシートを配置する工程と、基材とシー
   トとの間の気圧を低下させ、シートを基材および半導体
   チップに密着させる工程と、基材とシートとを貼り付け
   る工程と、半導体チップの周囲にて基材とシートとを同
   時に切断し、個片の半導体パッケージへと分割する工程
   とからなる半導体パッケージの製造方法。