JP2003168773A - 半導体装置のリード電極切断装置及び方法 - Google Patents

半導体装置のリード電極切断装置及び方法

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JP2003168773A
JP2003168773A JP2001369059A JP2001369059A JP2003168773A JP 2003168773 A JP2003168773 A JP 2003168773A JP 2001369059 A JP2001369059 A JP 2001369059A JP 2001369059 A JP2001369059 A JP 2001369059A JP 2003168773 A JP2003168773 A JP 2003168773A
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semiconductor device
lead electrode
cutting
die
cut
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Takayuki Masuda
高之 増田
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Ueno Seiki Co Ltd
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Ueno Seiki Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 リード電極長精度をより高めるとともに、リ
ード電極長を短くすることに対する最近の要求に十分対
応することができる半導体装置のリード電極切断装置及
び方法を提供する。 【解決手段】 本装置は、IC等の半導体装置11のリ
ード電極切断を行うものであり、ダイ15とパンチ13
を備え、半導体装置11のリード電極12を所定長さに
切断する切断金型10を有する。ダイ15は水平方向に
スライド可能に構成される。また、ダイ15は、本来の
リード電極切断の役割に加え、水平方向にスライド可能
に構成され、半導体装置11の樹脂モールド部の位置を
基準に半導体装置11の水平方向の位置決めを行う位置
決め機構(ガイド)の役割も行う。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置のリー
ド電極切断装置及び方法に関し、詳しくは、多数個の樹
脂モールドされた半導体装置を整列配置したリードフレ
ームから分離された個別の半導体装置のリード電極を、
所定のリード電極長に揃えて切断する半導体装置のリー
ド電極切断装置及び方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】ミニモールドトランジスタ、IC等の導
体装置は、リードフレームを用いて数多くの半導体装置
が一括して製造される。そしてリードフレームから個々
の半導体装置が分離され、そのリード電極が所定のリー
ド電極長に切断され、その後各種処理(電気特性試験、
捺印、外観検査工程など)を経て、テープにマウントし
て梱包される(例えば、特許第2531006号掲載公
報参照)。
【0003】上記公報に記載の技術では、リードフレー
ムを切り出し加工位置に挿入し、位置決めした後、切断
加工している。また、切断加工時のリードフレームの位
置決めは、リードフレームに設けられた位置決め孔に、
位置決めピンを挿入することにより、行っている。
【0004】しかし、上記従来技術には、次のような改
善すべき点があった。 (1)最近ではリード電極長をより短くする要求(例え
ば0.1mm程度以下まで)が多くなってきているが、
半導体装置のリード電極長を短くするためには、切断刃
を薄くしなければならない。ところが、切断刃を薄くす
ると、その強度が低下し、切断刃の破損や、切断部の形
状の不揃いを招く。 (2)リードフレームの位置精度上限が、リードフレー
ムに設けられた位置決め孔、該位置決め孔に挿入される
位置決めピンのクリアランスにより制限される。そのた
め、リード電極長の切断精度が十分でないことがある。 (3)リード電極長の切断精度は上記に加え、リードフ
レーム上の半導体装置の位置精度によっても制限され
る。従って、半導体装置の位置ずれもリード電極長の精
度低下要因となる。
【0005】このように、最短のリード電極長は、上記
切断刃の厚み、切断精度により決まり、上記従来技術で
は、最近強くなりつつあるリード電極長を短くすること
への要求に対応できない。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明は、こ
のような従来技術の問題点を解消し、半導体装置のリー
ド電極長精度をより高めるとともに、リード電極長を短
くすることに対する最近の要求に十分対応することがで
きる半導体装置のリード電極切断装置及び方法を提供す
ることをその課題とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】かかる技術的課題は、本
発明によれば、下記の技術的手段の採用により解決され
る。 (1)ダイとパンチを備え、樹脂モールドされた半導体
装置のリード電極を所定長さに切断する切断金型を有す
る、半導体装置のリード電極切断装置において、該ダイ
が水平方向にスライド可能に構成され、かつ、半導体装
置の樹脂モールド部の位置を基準に半導体装置の水平方
向の位置決めを行う位置決め機構を兼ねていることを特
徴とする半導体装置のリード電極切断装置。 (2)該ダイによる位置決め後、該ダイを切断位置に移
動させる移動機構を備えていることを特徴とする前記
(1)に記載の半導体装置のリード電極切断装置。 (3)半導体装置保持手段を備え、リード電極を切断す
べき半導体装置を該切断金型に搬入させる搬入機構を有
し、該半導体装置保持手段に半導体装置を保持したま
ま、リード電極を所定の長さに切断することを特徴とす
る前記(1)又は(2)に記載の半導体装置のリード電
極切断装置。 (4)リード電極切断時に、該半導体装置保持手段と該
パンチとにより半導体装置を保持するように構成されて
いることを特徴とする前記(3)に記載の半導体装置の
リード電極切断装置。 (5)ダイとパンチを備えた切断金型を用い、半導体装
置のリード電極を所定の長さに切断する、半導体装置の
リード電極切断方法において、水平方向にスライド可能
に構成された該ダイにより、半導体装置の樹脂モールド
部の位置を基準に半導体装置の水平方向の位置決めを行
い、その位置決め後に、該ダイを切断位置に移動させて
リード電極の切断を行うことを特徴とする半導体装置の
リード電極切断方法。 (6)切断すべき半導体装置を該切断金型に搬入する搬
入機構として半導体装置保持手段を備えたものを用い、
該半導体装置保持手段に半導体装置を保持したまま、リ
ード電極を所定の長さに切断することを特徴とする前記
(5)に記載の半導体装置のリード電極切断方法。 (7)該半導体装置保持手段と該パンチとにより半導体
装置を保持したまま、リード電極を所定の長さに切断す
ることを特徴とする前記(6)に記載の半導体装置のリ
ード電極切断方法。
【0008】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を好ま
しい実施例に基づいて詳述する。この実施例は、例え
ば、多数個の樹脂モールドされた半導体装置を整列配置
したリードフレームから、個別に半導体装置を切り出し
た後、所定のリード電極長に揃えて切断する第1工程、
個別に分離、切断された半導体装置について電気特性試
験、捺印、外観検査工程などの各種処理を行う第2工
程、及び処理が終了した半導体装置をテープにマウント
して梱包する第3工程からなる半導体装置ハンドリング
システムのようなシステムにおいて、上記第1工程で適
用されるものである。本発明で、半導体装置とは、ミニ
モールドトランジスタ、ICなどの、リード電極を有
し、リードフレームを用いて一括して製造される各種半
導体部品を意味する。下記の実施例ではICの場合を例
に説明する。
【0009】図2は本実施例のリード電極切断装置の加
工対象となる半導体装置が搭載されたリードフレーム2
1を示し、図示のごとくリードフレーム21上には多数
の半導体装置22が整列配置して搭載されている。23
は樹脂モールド、24はICチップ、25はリードフレ
ーム21に形成された位置決め孔である。
【0010】図3に半導体装置分離機構の一例を模式的
に示す。この半導体装置分離機構では、短冊状のリード
フレーム21から、個別に半導体装置22を所定のリー
ド電極長より長いリード電極長(次節に示すリード電極
切断機構におけるリード電極切断を確実に行える長さ)
で切断、分離する。このときの電極長は、リード電極切
断機構において精度の高い加工が容易な程度の長さとす
る。図3において、26、27はそれぞれリードフレー
ム21から個別に半導体装置22を切断、分離するため
のパンチ、ダイであり、28はリードフレーム21の位
置決めピンである。パンチ26、ダイ27の寸法は、リ
ード電極長を所定のリード電極長より長く切断、分離す
るよう設定されている。
【0011】次に、本発明の実施例に係る半導体装置の
リード電極切断装置の一例を図1に模式的に示す。この
リード電極切断装置は、上記半導体装置分離機構により
個別に切断、分離された半導体装置のリード電極(所定
電極長より長い)を所定リード電極長に切断するもので
ある。図中10はリード電極切断機構(切断金型)、1
1は半導体装置(IC)、12は半導体装置11のリー
ド電極、13はパンチ、14は搬入機構兼固定治具、1
5はガイド兼ダイである。
【0012】本実施例のリード電極切断装置におけるリ
ード電極切断機構(切断金型)10は、基本的に、パン
チ13及びガイド兼ダイ15から構成されている。パン
チ13は図示しない上下動機構により上下方向に移動可
能になっている。搬入機構兼固定治具14は図示しない
駆動機構により上下方向/水平方向に移動可能になって
いる。搬入機構兼固定治具14は前工程で半導体分離機
構により個別に切断、分離された半導体装置11(2
2)をリード電極切断機構10内に搬入し、パンチ13
の直上にて保持する役割を行うとともに、リード電極切
断時に半導体装置11をパンチ13との間に固定する役
割を行う。搬入機構兼固定治具14は真空吸着や機械的
保持により、半導体装置11の搬入、固定を行う(本例
では真空吸着ノズルを使用)。また、ガイド兼ダイ15
は処理対象となる半導体装置11に対して、図示しない
スライド機構により水平面内にて前後(図中、左右)に
スライド可能になっている。ガイド兼ダイ15は半導体
装置11の位置合わせのために、半導体装置11の樹脂
モールド部の位置を基準に半導体装置11の水平方向に
おける位置合わせを行う役割も行う。位置合わせが完了
し、パンチ13と搬入機構兼固定治具14による半導体
装置11の固定が行われると、リード電極切断位置に移
動し、リード電極切断後はさらに後退するようになって
いる。パンチ13と搬入機構兼固定治具14は、リード
電極切断時に半導体装置11を挟んで固定し、その状態
で半導体装置11を上昇させ、パンチ13とガイド兼ダ
イ15によりリード電極12を所定長さに切断するよう
になっている。また図示は省略してあるが、半導体装置
11のリード電極切断後に次の工程に半導体装置11を
搬出するための搬出手段が設けられており、この搬出手
段は、上記搬入機構兼固定治具14を用いてもよいし、
別の機構を用いてもよい。
【0013】次に、上記構成のリード電極切断装置の動
作について述べる。先ず、図1(a)に示すように、真
空吸着ノズルからなる搬入機構兼固定治具14により半
導体装置11をリード電極切断機構(切断金型)10内
に搬入し、パンチ13の直上にて保持する。この状態
で、ガイド兼ダイ15を半導体装置11側に前進させ、
半導体装置11の樹脂モールド部の位置を基準に半導体
装置11の水平方向での位置決めを行う(図1
(b))。半導体装置11の水平方向の位置合わせが終
了すると、パンチ13を上昇させ搬入機構兼固定治具1
4との間に半導体装置11を固定する。その後、ガイド
兼ダイ15をリード電極切断位置に移動させる(図1
(c))。次にパンチ13と搬入機構兼固定治具14で
半導体装置11を固定した状態で上昇させ、パンチ13
とガイド兼ダイ15によりリード電極12を所定長さに
切断する(図1(d)、(e))。リード電極切断後、
ガイド兼ダイ15を後退させて、搬入機構兼固定治具1
4を上昇させ、半導体装置11を次の工程位置に搬出す
る。
【0014】以上本発明を実施例に基づいて説明してき
たが、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、
種々の変形、変更が可能である。例えば、パンチ、ガイ
ド兼ダイ、搬入装置兼固定治具の形状、配置は例示した
ものに限定されず、上下逆等とした配置でも構わない。
また、搬入装置兼固定治具は、搬出装置も兼ねたが別の
搬出手段を利用してもよく、搬入装置と固定治具を別々
のものとしてもよい。
【0015】
【発明の効果】本発明によれば、水平方向にスライド可
能に構成されたダイにより、半導体装置の樹脂モールド
部の位置を基準に半導体装置の水平方向の位置決めを行
い、その位置決め後に、ダイを切断位置に移動させてリ
ード電極の切断を行うようにしたので、リード電極長の
精度をより高めるとともに、短い電極長の加工にも十分
対応することが可能となる。また、ダイが半導体装置の
水平方向の位置決めを行う位置決め機構(ガイド)を兼
ねているため、装置構成をより一層簡素化することがで
きる。また、切断すべき半導体装置を切断金型に搬入す
る搬入機構として半導体装置保持手段を備えたものを用
い、半導体装置保持手段に半導体装置を保持したまま、
リード電極を所定の長さに切断すれば、別の固定機構が
不要となるため、リード電極切断装置の装置構成が簡素
になり、装置の動作信頼性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に従う実施例に係る半導体装置のリード
電極切断装置の構造を模式的に示す図及びリード電極切
断工程の説明図である。
【図2】多数の半導体装置が整列配置して搭載されたリ
ードフレームの説明図である。
【図3】半導体装置分離機構の説明図である。
【符号の説明】
10 リード電極切断機構(切断金型) 11 半導体装置(IC) 12 リード電極 13 パンチ 14 搬入手段兼固定手段(真空吸着ノズル) 15 ガイド兼ダイ

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ダイとパンチを備え、樹脂モールドされ
    た半導体装置のリード電極を所定長さに切断する切断金
    型を有する、半導体装置のリード電極切断装置におい
    て、 該ダイが水平方向にスライド可能に構成され、かつ、半
    導体装置の樹脂モールド部の位置を基準に半導体装置の
    水平方向の位置決めを行う位置決め機構を兼ねているこ
    とを特徴とする半導体装置のリード電極切断装置。
  2. 【請求項2】 該ダイによる位置決め後、該ダイを切断
    位置に移動させる移動機構を備えていることを特徴とす
    る請求項1に記載の半導体装置のリード電極切断装置。
  3. 【請求項3】 半導体装置保持手段を備え、リード電極
    を切断すべき半導体装置を該切断金型に搬入させる搬入
    機構を有し、該半導体装置保持手段に半導体装置を保持
    したまま、リード電極を所定の長さに切断することを特
    徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置のリード電
    極切断装置。
  4. 【請求項4】 リード電極切断時に、該半導体装置保持
    手段と該パンチとにより半導体装置を保持するように構
    成されていることを特徴とする請求項3に記載の半導体
    装置のリード電極切断装置。
  5. 【請求項5】 ダイとパンチを備えた切断金型を用い、
    半導体装置のリード電極を所定の長さに切断する、半導
    体装置のリード電極切断方法において、 水平方向にスライド可能に構成された該ダイにより、半
    導体装置の樹脂モールド部の位置を基準に半導体装置の
    水平方向の位置決めを行い、 その位置決め後に、該ダイを切断位置に移動させてリー
    ド電極の切断を行うことを特徴とする半導体装置のリー
    ド電極切断方法。
  6. 【請求項6】 切断すべき半導体装置を該切断金型に搬
    入する搬入機構として半導体装置保持手段を備えたもの
    を用い、該半導体装置保持手段に半導体装置を保持した
    まま、リード電極を所定の長さに切断することを特徴と
    する請求項5に記載の半導体装置のリード電極切断方
    法。
  7. 【請求項7】 該半導体装置保持手段と該パンチとによ
    り半導体装置を保持したまま、リード電極を所定の長さ
    に切断することを特徴とする請求項6に記載の半導体装
    置のリード電極切断方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012134202A (ja) * 2010-12-20 2012-07-12 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法

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