发明内容
根据本公开实施例的一方面,提供一种电子器件的制造方法,包括:提供基板结构,所述基板结构包括:基板,包括相对的第一表面和第二表面;与基板连接的多个第一元件,位于第二表面远离第一表面的一侧,每个第一元件包括远离基板的第三表面和靠近基板的第四表面,第四表面与第二表面之间具有间隙;和多个第二元件,每个第二元件位于第一表面与第四表面之间;以及,沿着从第一表面到第二表面的第一方向切割基板以得到彼此分离的多个电子器件,每个电子器件包括子基板、至少一个第一元件和至少一个第二元件。
在一些实施例中,执行所述切割的切割工具的底端停止在第一平面与第二平面之间,所述第一平面为第二表面限定所述间隙的区域所处的平面,所述第二平面为第四表面限定所述间隙的区域所处的平面。
在一些实施例中,第四表面包括:第一区域和除第一区域之外的第二区域,所述间隙由所述第一区域限定,所述第一区域在第一表面上的第一正投影的边缘与第四表面在第一表面上的第二正投影的边缘至少部分地重叠;其中,所述切割工具的至少一个侧边在所述第一正投影内执行所述切割。
在一些实施例中,第四表面处于同一平面;第二表面包括:与第四表面对应的第三区域和第四区域,所述第三区域与第一表面之间具有第一距离,所述第四区域与第一表面之间具有小于第一距离的第二距离;其中,所述间隙由所述第一区域与所述第四区域限定,所述多个第一元件中的每个第一元件与对应的所述第三区域连接。
在一些实施例中,所述提供基板结构包括:提供形成有所述多个第二元件的初始基板,初始基板包括第一表面和初始的第二表面;沿着从初始的第二表面到第一表面的第二方向去除初始基板的部分,以得到包括第一表面和第二表面的基板;在基板上形成所述多个第一元件以得到基板结构。
在一些实施例中,沿着从初始的第二表面到第一表面的第二方向去除初始基板的部分包括:沿着所述第二方向去除初始基板的多个焊盘中每个焊盘的部分,其中,所述去除后的每个焊盘包括所述第三区域和所述第四区域。
在一些实施例中,每个焊盘被去除的所述部分的高度与该焊盘的总高度之比大于1/2。
在一些实施例中,所述第二距离与所述第一距离之比小于1/2。
在一些实施例中,第二表面处于同一平面,所述第一区域包围所述第二区域;所述第二区域与第二表面之间的距离小于所述第一区域与第二表面之间的所述间隙的高度。
在一些实施例中,每个第二元件位于第一表面和第四表面中的一个与第二表面之间。
在一些实施例中,每个第二元件位于第二表面与第四表面之间,每个第二元件包括靠近第一元件的第五表面;所述基板结构还包括:位于第四表面和第五表面之间的支撑件。
在一些实施例中,所述支撑件包括胶体。
在一些实施例中,所述多个第一元件包括磁性元件;所述方法还包括:在所述切割之前,将所述基板结构置于电磁产生元件上,以使得所述磁性元件吸附于所述电磁产生元件。
在一些实施例中,将所述基板结构置于电磁产生元件上包括:将所述基板结构置于所述电磁产生元件上的缓冲件上。
在一些实施例中,所述缓冲件包括导磁材料。
在一些实施例中,所述至少一个第一元件中的每个第一元件在子基板的第一表面所处的平面上的正投影为第四正投影,所述第四正投影的边缘与子基板的第一表面的边缘之间的最小距离小于或等于0.2毫米。
在一些实施例中,每个电子器件包括一个第一元件;其中,子基板的第一表面位于所述第四正投影之内。
在一些实施例中,每个第一元件还包括:连接件,与基板连接,所述连接件在第一表面上的第五正投影位于第四表面在第一表面上的第二正投影之内。
在一些实施例中,所述多个第一元件包括电感,所述多个第二元件包括集成电路,基板包括电路板。
根据本公开实施例的另一方面,提供一种电子器件,包括:子基板,包括相对的第一表面和第二表面;与子基板连接的至少一个第一元件,位于第二表面远离第一表面的一侧,每个第一元件包括远离子基板的第三表面和靠近子基板的第四表面,第四表面与第二表面之间具有间隙;至少一个第二元件,每个第二元件位于第一表面与第四表面之间;其中,每个第一元件在子基板的第一表面所处的平面上的正投影为第四正投影,所述第四正投影的边缘与子基板的第一表面的边缘之间的最小距离小于或等于0.2毫米。
在一些实施例中,所述至少一个第一元件为一个第一元件;其中,子基板的第一表面位于所述第四正投影之内。
在一些实施例中,所述一个第一元件的第四表面处于同一平面;第二表面包括:第三区域和第四区域,第三区域与第一表面之间具有第一距离,第四区域与第一表面之间具有小于第一距离的第二距离;其中,第四表面与所述第四区域之间具有所述间隙,所述一个第一元件与所述第三区域连接。
在一些实施例中,所述至少一个第一元件包括电感,所述至少一个第二元件包括集成电路,子基板包括电路板。
下面通过附图和实施例,对本公开的技术方案做进一步的详细描述。
具体实施方式
现在将参照附图来详细描述本公开的各种示例性实施例。对示例性实施例的描述仅仅是说明性的,决不作为对本公开及其应用或使用的任何限制。本公开可以以许多不同的形式实现,不限于这里所述的实施例。提供这些实施例是为了使本公开透彻且完整,并且向本领域技术人员充分表达本公开的范围。应注意到:除非另外具体说明,否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、材料的组分、数字表达式和数值应被解释为仅仅是示例性的,而不是作为限制。
本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性,而只是用来区分不同的部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指在该词前的要素涵盖在该词后列举的要素,并不排除也涵盖其他要素的可能。“上”、“下”等仅用于表示相对位置关系,当被描述对象的绝对位置改变后,则该相对位置关系也可能相应地改变。
在本公开中,当描述到特定部件位于第一部件和第二部件之间时,在该特定部件与第一部件或第二部件之间可以存在居间部件,也可以不存在居间部件。当描述到特定部件连接其它部件时,该特定部件可以与所述其它部件直接连接而不具有居间部件,也可以不与所述其它部件直接连接而具有居间部件。
本公开使用的所有术语(包括技术术语或者科学术语)与本公开所属领域的普通技术人员理解的含义相同,除非另外特别定义。还应当理解,在诸如通用字典中定义的术语应当被解释为具有与它们在相关技术的上下文中的含义相一致的含义,而不应用理想化或极度形式化的意义来解释,除非这里明确地这样定义。
对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论,但在适当情况下,所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。
相关技术中,一种通过切割工艺批量得到电子器件的过程如下:首先,将多个第二元件和多个第一元件批量地固定于整块的基板上;然后对基板进行切割,以得到多个电子器件。通过切割工艺得到的每个电子器件包括第一元件、对基板切割而得的子基板、以及位于第一元件和子基板之间的第二元件。
发明人注意到,采用相关技术的切割工艺,制造出的电子器件的成品率较低。发明人还注意到,多数残次品中的第一元件的结构受到了损害。
发明人经分析发现,在对基板进行切割的过程中,切割工具从第一元件和第二元件所在基板的一侧朝另一侧进行切割。然而,切割工具在抵达基板之前容易产生摆动,这导致第一元件容易被切割工具损害,从而降低了制造出的电子器件的成品率。
为了解决上述问题,本公开实施例提出了如下解决方案。
图1是根据本公开一些实施例的电子器件的制造方法的流程示意图。
在步骤102,提供基板结构。
为了便于理解,下面结合图2A和图2B对本公开一些实施例的基板结构进行说明。
图2A是根据本公开的第一实施例的基板结构的俯视图;图2B是根据本公开的第一实施例的基板结构的侧视图。
如图2A和图2B所示,基板结构包括基板11、多个第一元件12、以及多个第二元件13。多个第一元件12与基板11连接。
基板11包括相对的第一表面S1和第二表面S2。基板11包括但不限于电路板,例如,印制电路板(PCB)。
多个第一元件12位于基板11的第二表面S2远离第一表面S1的一侧,并且,每个第一元件12包括远离基板11的第三表面S3和靠近基板11的第四表面S4。这里,每个第一元件12的第四表面S4与基板11的第二表面S2之间均具有间隙G。
图2A和图2B中,第一元件12为插件式的元件,间隙G基于插件式的元件的连接件120(例如,引脚)形成。每个第一元件12的连接件120是从该第一元件12的侧表面(即,第三表面S3和第四表面S4以外的表面)延伸出来的,并且,连接件120的末端被焊接至第二表面S2上的焊盘110,以使得第一元件12与基板11连接。
应理解,本公开实施例不限于此。例如,插件式的第一元件12的连接件120还可以从第四表面S4延伸出来;又例如,第一元件12还可以是贴片式的元件。之后将结合其他实施例进行说明。
多个第二元件13中的每个第二元件13位于基板11的第一表面S1与一个第一元件12的第四表面S4之间。
在一些实施例中,每个第二元件13位于第一表面S1和第四表面S4中的一个与第二表面S2之间。例如,第二元件13位于基板11的第一表面S1与第二表面S2之间,即,第二元件13被包覆于基板11内;又例如,参见图2A和图2B,第二元件13位于基板11的第二表面S2与一个第一元件12的第四表面S4之间。
在一些实施例中,第二表面S2设有用于放置多个第二元件13的多个凹槽。例如,每个凹槽在纵向上的高度大于第二元件13的高度。
多个第二元件13包括但不限于集成电路(IC)。每个IC可以例如,经由电路板中的电路与对应的一个第一元件12相连。
在步骤104,沿着从第一表面到第二表面的第一方向切割基板以得到彼此分离的多个电子器件。
为了便于说明,参见图2B,后文将垂直于基板11的方向称为纵向,并将平行于基板11的方向称为横向。
可以利用切割工具(例如,切刀)执行切割。例如,可以首先用切割工具在图2B所示的各个虚线对应的位置沿着第一方向进行纵向切割。然后,用切割工具继续沿着图2A中虚线表示的各个X轴切割线和Y轴切割线进行横向切割即可得到彼此分离的多个电子器件。
参见图2A,每个第一元件12为长方体,每行第一元件12在第一表面S1上的正投影位于相邻的两个X轴切割线之间,并且,每列第一元件12在第一表面S1上的正投影位于相邻的两个Y轴切割线之间。
下面结合图2C对本公开一些实施例的电子器件进行说明。图2C是根据本公开的第一实施例的电子器件的侧视图。
参见图2C,切割得到的每个电子器件包括子基板11a、至少一个第一元件12和至少一个第二元件13。应理解,子基板11a是对基板11进行切割后得到的。
在一些实施例中,如图2C示意性示出的,切割得到的每个电子器件包括一个第一元件12、以及位于这一个第一元件12的第四表面S4与子基板11a的第一表面S1之间的一个第二元件13。
作为一些实现方式,第一方向可以垂直于第一表面S1和第二表面S2。然而,应理解,这并非是限制性的,在某些实现方式中,第一方向也可以不垂直于第一表面S1和第二表面S2。
上述实施例中,从基板11的一侧朝第一元件12和第二元件13所在的另一侧切割基板11以得到多个电子器件。如此,切割工具在执行切割的过程中首先将基板11切割开来得到电子器件,而不必再沿着第一方向继续朝第一元件12进行切割。这降低了第一元件12被损害的可能性,从而提高了制造电子器件的成品率。
发明人还注意到,相关技术中,可以在横向上调整切割工具进行纵向切割的位置尽量远离第一元件12,以提高制造电子器件的成品率。然而,这会增大制造出的电子器件的子基板11a的尺寸,从而增大电子器件的尺寸。如此,降低了单位面积内电子器件的数量,从而降低了电子器件的生产效率。
此外,由于不同第一元件12在横向上的尺寸存在差异,需要在横向上调整切割工具进行切割的位置尽量远离尺寸最大的第一元件12。这会进一步增大制造出的一部分电子器件的子基板11a的尺寸,从而进一步降低了电子器件的生产效率。
有鉴于此,本公开还提供如下实施例,以便在提高制造电子器件的成品率的同时,尽可能地减小电子器件的子基板11a的尺寸,保证电子器件的生产效率。
在一些实施例中,切割由切割工具执行,并且,该切割工具的底端停止在第一平面与第二平面之间。这里,第一平面为第二表面S2限定与第四表面S4之间的间隙G的区域所处的平面,并且,第二平面为第四表面S4限定该间隙G的区域所处的平面。
应理解,第二表面S2限定间隙G的区域与第四表面S4限定间隙G的区域各自在第一表面S1上的正投影是完全重叠的,即,这两个区域互相对应。
也应理解,切割工具的底端表示在切割工具沿着第一方向切割基板11的过程中最先抵达第一表面S1的部分。
上述实施例中,控制切割工具的底端停止在限定基板结构中第一元件12与基板11之间的间隙G的平面之间。如此,一方面,可以进一步降低第一元件被切割工具损害的可能性,从而可以进一步提高制造电子器件的成品率。另一方面,不论不同的第一元件12在横向上的尺寸是否存在差异,切割工具都能够在横向上以很靠近第一元件的位置进行切割而不损害第一元件12。这可以减小制造出的电子器件的子基板11a的尺寸,从而减小电子器件的尺寸。如此,提高了单位面积内电子器件的数量,从而提高了电子器件的生产效率。
下面对第二实施例至第五实施例的基板结构进行说明。利用上述实施例的制造方法对这些基板结构进行切割,可以进一步减小制造出的电子器件的子基板11a的尺寸,从而可以进一步提高电子器件的生产效率。
图3A是根据本公开的第二实施例的基板结构的俯视图;图3B是根据本公开的第二实施例的基板结构的侧视图;图3C是根据本公开的第二实施例的电子器件的侧视图。
如图3A和3B所示,与第一实施例不同,每个第一元件12的连接件120是从第一元件12的第四表面S4延伸出来的,而不是从侧表面延伸出来的。
换言之,在第二实施例中,每个第一元件12用于与基板11连接的连接件120在第一表面S1上的正投影(即,第五正投影)位于该第一元件12的第四表面S4在第一表面S1上的正投影(即,第二正投影)之内。
由于连接件120从第一元件12的第四表面S4延伸出来,故,切割工具在进行横向切割时,可以更靠近第一元件12,甚至,切割工具可以在第四表面S4在第一表面S1上的第二正投影内进行切割。
例如,切割工具在执行完纵向切割后,可以沿着图3A中虚线表示的X轴切割线和Y轴切割线进行横向切割。不同于第一实施例,这里,每行第一元件12在第一表面S1上的正投影由相邻的两个X轴切割线穿过。每列第一元件12在第一表面S1上的正投影由相邻的两个Y轴切割线穿过,并且,每个Y轴切割线位于对应的一列第一元件12中每个第一元件12的一个连接件120远离另一个连接件120的一侧。
如此,参见图3C,进一步减小了制造出的电子器件的子基板11a的尺寸。
图4A是根据本公开的第三实施例的基板结构的侧视图;图4B是根据本公开的第三实施例的电子器件的侧视图。
如图4A和4B所示,第一元件12为贴片式的元件,并且,每个第二元件13位于基板11的第一表面S1与第二表面S2之间。
这里,将第四表面S4限定间隙G的区域视为第一区域A1,并将第一区域A1之外的区域视为第二区域A2。第二区域A2包括贴片式的元件与第二表面S2的第三区域A3连接的部分。
第三区域A3与第一表面S1之间具有第一距离d1。除第三区域A3外,与第四表面S4对应的第二表面S2还包括限定间隙G的区域(这里称为第四区域A4),第四区域A4与第一表面S1之间具有小于第一距离d1的第二距离d2。
换言之,与第四表面S4对应的第二表面S2呈阶梯状,并且,第二表面S2中凹陷的第四区域A4与第四表面S4的第一区域A1限定了间隙G。
应理解,第一区域A1在第一表面S1上的正投影(即,第一正投影)的边缘与第四表面S4在第一表面S1上的第二正投影的边缘至少部分地重叠。换言之,第一区域A1的边缘与第四表面S4的边缘至少部分地重叠。
以第一元件12为长方体为例说明,第四表面S4为长方形或正方形。在这种情况下,例如,第一正投影的边缘与第四表面S4的第二正投影的相对的两个边缘重叠;又例如,第一正投影的边缘与第四表面S4的第二正投影的四个边缘重叠。
下面给出提供如图4A所示的基板结构的一些实现方式。
首先,可以提供形成有多个第二元件13的初始基板,并且,初始基板包括第一表面S1和初始的第二表面。例如,提供的初始基板的第一表面S1和初始的第二表面都是平整的,并且,多个第二元件13位于第一表面S1和初始的第二表面之间。
然后,可以沿着从初始的第二表面到第一表面S1的第二方向(例如,第一方向的反方向)去除初始基板的部分,以得到包括第一表面S1和第二表面S2的基板11。应理解,初始基板被去除部分后,形成了多个凹陷区域。例如,凹陷区域位于相邻的两个第二元件13之间;又例如,凹陷区域位于某个第二元件13远离与该第二元件13相邻的第二元件的一侧。
最后,可以在基板11上形成多个第一元件12以得到基板结构。例如,可以将多个贴片式的元件焊接至对应的第三区域A3,从而得到如图4A所示的基板结构。
在上述实现方式中,在形成第一元件12之前预先去掉初始基板的部分,以便后续能够形成基板结构中的间隙G。
在一些实施例中,第二距离d2与第一距离d1之比小于1/2,例如,小于1/3、1/4或1/5。如此,可以增大间隙G在纵向上的高度。由于切割工具的底端在沿着第一方向切割基板11时只需要在限定间隙G的两个平面之间停止即可将基板11切割开来得到彼此分离的多个电子器件,故,随着间隙G在纵向上的高度的增加,切割工具的底端可以更早停止,从而可以进一步降低损害第一元件12的可能性。
应理解,在实际中,第二距离d2与第一距离d1之比越小越能够保证制造电子器件的成品率。
图5A是根据本公开的第四实施例的基板结构的侧视图;图5B是根据本公开的第四实施例的电子器件的侧视图。
不同于第三实施例,这里,每个第二元件13位于基板11的第二表面S2与一个第一元件12的第四表面S4之间。
如图5A和5B所示,基板11具有在第一方向上高于第二元件13的焊盘110,并且,焊盘110包括第三区域A3和第四区域A4。
类似地,可以基于上述提供基板结构的实现方式来提供图5A所示的基板结构。具体来说,在沿着第二方向去除初始基板的部分的过程中,沿着第二方向去除初始基板的多个焊盘中每个焊盘的部分即可得到包括第三区域A3和第四区域A4的焊盘110。
在一些实施例中,类似地,每个焊盘被去除的部分的高度与该焊盘的总高度之比大于1/2,例如,大于1/3、1/4或1/5。如此,可以增大间隙G在纵向上的高度。类似地,由于切割工具的底端在沿着第一方向切割基板11时只需要在限定间隙G的两个平面之间停止即可将基板11切割开来得到彼此分离的多个电子器件,故,随着间隙G在纵向上的高度的增加,切割工具的底端可以更早停止,从而可以进一步降低损害第一元件12的可能性。
图6A是根据本公开的第五实施例的基板结构的侧视图;图6B是根据本公开的第五实施例的电子器件的侧视图。
如图6A和6B所示,每个第二元件13位于基板11的第一表面S1与第二表面S2之间。这里,不同于第三实施例和第四实施例,基板11的第二表面S2处于同一平面(即,第二表面S2是平整的而非呈阶梯状的)。
在这种情况下,每个第一元件12的第四表面S4中的第一区域A1可以包围第二区域A2,并且,第二区域A2与第二表面S2之间的距离小于第一区域A1与第二表面S2之间的间隙的高度。
换言之,在这种情况下,第四表面S4的中部区域相对于周边区域是凸起的,周边区域相对于中部区域是凹陷的。
至此已经给出了提供的基板结构和制造出的电子器件的多个实施例。应理解,在适当的情况下,不同实施例可以相互组合。
作为一些实现方式,在切割工具执行切割时,切割工具的至少一个侧边可以在第一区域A1的第一正投影内执行切割,从而可以制造出子基板11a的第一表面S1位于该第一元件12在子基板11a的第一表面S1所处的平面上的正投影(即,第四正投影)之内的一些电子器件,以进一步减小子基板11a的尺寸。
例如,作为切割工具的切刀包括将基板11切割开来的两个侧边。如果切刀比较厚,则可以使切刀的一个侧边在第一正投影内执行切割,另一个侧边在第一正投影外执行切割;如果切刀比较薄,则切刀的两个侧边可以均在第一正投影内执行切割。
应理解,切割工具的一个侧边在第一正投影与第四表面的第二正投影重叠的边缘处执行切割的情况也应视为切割工具的至少一个侧边在第一区域A1的第一正投影内执行切割。
在一些实施例中,在执行切割之前,可以将基板结构固定以更便于切割。例如,可以参照以下实施例的方式固定基板结构,以便沿着第一方向切割基板。
在一些实施例中,基板结构中的多个第一元件12包括磁性元件,例如,电感。
在这些实施例中,可以在执行切割之前,将基板结构置于电磁产生元件上,以使得磁性元件吸附于电磁产生元件。
图7是根据本公开一些实施例的固定基板结构的示意图。
如图7所示,电磁产生元件70为水平放置的电磁吸盘,可以使第一元件12的第三表面S3靠近电磁吸盘以将基板结构置于电磁吸盘上。在切割工具开始切割之前,增加电磁吸盘的通电电流即可使得磁性元件吸附于电磁吸盘,从而固定基板结构;在切割工具完成切割之后,减小电磁吸盘的通电电流或关闭电磁吸盘即可将多个电子器件从电磁吸盘上剥离下来。
如此,可以方便地固定基板结构,以更便于沿着第一方向对基板11进行切割。
发明人注意到,在这种固定方式下,不同第一元件12在纵向上的尺寸可能存在差异,这容易在沿着第一方向切割基板11的过程中对较高的一部分第一元件12造成挤压,从而损害这些第一元件12。
为了避免在切割过程中对较高的第一元件12造成挤压,在一些实施例中,参见图7,可以将基板结构置于电磁产生元件70上的缓冲件71上。如此,可以降低损害第一元件12的可能性,从而可以进一步提高制造出的电子器件的成品率。
在一些实施例中,缓冲件71包括导磁材料,即,缓冲件71具有导磁能力。如此,能够在保护较高元件的同时,更有效地固定基板结构。
发明人还注意到,对于第一实施例或第二实施例而言,当切割工具沿着第一方向进行切割时,可能出现由于支撑力不够(因为基板11仅由第一元件12的连接件120支撑)而损害第一元件12的连接件120的情况。
为了避免对第一元件12的连接件120造成损害,可以在第四表面S4与第二元件13靠近第一元件12的第五表面S5(参见图3A)之间增加支撑件14(参见图2B和3B)。支撑件14分别与第四表面S4和第五表面S5接触以起到支撑的作用,从而可以减少切割过程中对第一元件12的连接件120造成的损害,进一步提高制造电子器件的成品率。
在一些实施例中,支撑件14包括胶体。如此,可以更好地稳固基板结构中各个元件的连接关系。在又一些实施例中,支撑件14包括的胶体为散热胶。如此,有助于电子器件在后续使用的过程中更好地散热。
至此,已经详细描述了本公开的电子器件的制造方法的各实施例。
本公开还提供了一种电子器件。应理解,可以利用本公开各实施例的电子器件的制造方法以较高的成品率批量地制造这种电子器件。
参见图2C、3C、4B、5B和6B,电子器件包括:子基板11a、至少一个第一元件12和至少一个第二元件13。在一些实施例中,电子器件中的至少一个第一元件12包括电感,电子器件中的至少一个第二元件13包括IC,并且,子基板11a包括电路板。
子基板11a包括相对的第一表面S1和第二表面S2。与子基板11a连接的至少一个第一元件12位于第二表面S2远离第一表面S1的一侧,并且,每个第一元件12包括远离子基板11a的第三表面S3和靠近子基板11a的第四表面S4。第四表面S4与第二表面S2之间具有间隙G。每个第二元件13位于第一表面S1与第四表面S4之间。
这里,每个第一元件12在子基板11a的第一表面S1所处的平面上的正投影为第四正投影,第四正投影的边缘与子基板11a的第一表面S1的边缘之间的最小距离小于或等于0.2毫米,例如,0.15毫米、0.1毫米、或者等于0。
如此,电子器件及其子基板11a的尺寸均较小,减少了对子基板11a的材料的消耗。
在一些实施例中,电子器件中的至少一个第一元件12为一个第一元件12,并且,子基板11a的第一表面S1位于第四正投影之内。如此,电子器件及其子基板11a的尺寸进一步减小,进一步减少了对子基板11a的材料的消耗。
参见图4B和5B,在一些实施例中,电子器件中的一个第一元件12的第四表面S4处于同一平面,并且,第二表面S2包括第三区域A3和第四区域A4。这里,第三区域A3与第一表面S1之间具有第一距离d1,第四区域A4与第一表面S1之间具有小于第一距离d1的第二距离d2。第四表面S4与第二表面S2的第四区域A4之间具有间隙G,并且,第一元件12与第三区域A3连接。
至此,已经详细描述了本公开的各实施例。为了避免遮蔽本公开的构思,没有描述本领域所公知的一些细节。本领域技术人员根据上面的描述,完全可以明白如何实施这里公开的技术方案。
虽然已经通过示例对本公开的一些特定实施例进行了详细说明,但是本领域的技术人员应该理解,以上示例仅是为了进行说明,而不是为了限制本公开的范围。本领域的技术人员应该理解,可在不脱离本公开的范围和精神的情况下,对以上实施例进行修改或者对部分技术特征进行等同替换。本公开的范围由所附权利要求来限定。