JP2003163465A - プリント配線板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 スルーホールとバイアホールとの間で位置ず
れの生じないプリント配線板の製造方法を提案する。 【解決手段】コア基板３０上の層間樹脂絶縁層４０に、
レーザでバイアホール用開口４２を形成する。その前後
に、同じレーザ加工装置を用いてスルーホール用貫通孔
４６を形成する。これにより、スルーホールとバイアホ
ールとの間の位置ずれをなくすことが可能となる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、スルーホールを
介して表裏が電気的接続された基板の片面に層間樹脂絶
縁層と導体回路とを交互に積層し、各導体層間がバイア
ホールにて接続されてなるプリント配線板の製造方法に
関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、ビルドアップ多層プリント配線板
は、例えば、特開平９−１３００５０号、特開平９−１
５３６８３号、特開平９−１７２２６１号、特開平９−
２４６７２４号、特開平１０−１３５６３８号等に開示
される方法にて製造されている。すなわち、コア基板に
ドリルで貫通孔を穿設して、コア基板にスルーホールを
形成する。その後、基板に層間樹脂絶縁層を積層し、層
間樹脂絶縁層に露光現像処理もしくはレーザでバイアホ
ールを形成して、回路パターンを形成する。これを繰り
返すことにより、ビルドアップ多層プリント配線板が得
られる。ここで、スルーホール及びバイアホールは、コ
ア基板に形成された位置決めマークを基に位置合わせを
行い、それぞれ別々の装置で開口を行っている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、スルー
ホールの形成とバイアホールの形成とを別々の装置、方
法で行っているため、位置合わせの度に位置決めマーク
に対して誤差が生じ、スルーホールとバイアホールの間
で位置ずれが生じている。更に、位置決めマーク自体が
ずれてしまう問題点がある。これについて、図１１を参
照して説明する。図１１（Ａ）に示すように、コア基板
３３０上に導体回路３４３と位置決めマーク３４５とを
配設し、該導体回路３４３上に層間樹脂絶縁層３４０を
形成する。まず、位置決めマーク３４５をカメラ８０で
撮影し、位置合わせを行い図示しないドリルでスルーホ
ール用の通孔３４６を穿設する（図１１（Ｂ））。そし
て、デスミヤ処理により通孔３４６内に残った樹脂残さ
を除去した後、アニール処理をして層間樹脂絶縁層３４
０を硬化させる。この際に、図１１（Ｃ）に示すよう
に、熱収縮によって基板４３０全体が収縮し、位置決め
マーク３４５がずれる。その後、ずれた位置決めマーク
３４５をカメラ８０で撮像し、レーザでバイアホール用
の開口３４８を形成しても、スルーホール用通孔３４
６、及び、導体回路３４３に対して位置ずれを生じる
（図１１（Ｃ））。これにより、図１１（Ｆ２）に示す
ように導体回路３４３に対してバイアホール３６０が接
続不良となったり、或いは、図１１（Ｆ２）に示すよう
に接続不良となったりする問題があった。ここで、図１
１（Ｆ１）は、導体回路３４３に対してバイアホール３
６０が正規に接続できている状態を示している。

【０００４】本発明は、上述した課題を解決するために
なされたものであり、その目的とするところは、スルー
ホールとバイアホールとの間で位置ずれが生じないプリ
ント配線板の製造方法を提案することにある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
ため、請求項１の発明では、スルーホールを介して表裏
が電気的接続された基板の片面に層間樹脂絶縁層と導体
回路とを交互に積層し、各導体層間がバイアホールにて
接続されてなるプリント配線板の製造方法において、前
記スルーホール及び前記バイアホールを同一のレーザ加
工によって形成することを技術的特徴とする。つまり、
同じレーザ加工装置で形成させているのである。

【０００６】請求項１では、スルーホール及びバイアホ
ールを同一のレーザ加工装置を用いて形成している。す
なわち、スルーホールの形成工程とバイアホールの形成
工程とで別々に位置合わせを行うことがないため、スル
ーホールの形成工程とバイアホールの形成工程とで装
置、工法による位置誤差が生じない。更に、スルーホー
ルの形成工程とバイアホールの形成工程との間で基板に
熱や応力を加えることがないため、基板の収縮や反りで
位置決めマークがずれたりすることなく、基板にスルー
ホール及びバイアホールを形成することができる。よっ
て、スルーホールとバイアホールとの間の位置ずれがな
くなり、配線の未接続、接続不良や短絡を防ぐことが可
能となる。

【０００７】請求項２のプリント配線板の製造方法は、
少なくとも以下（ａ）〜（ｄ）の工程を備えることを技
術的特徴とする： （ａ）導体回路を形成したコア基板の片面に、層間樹脂
絶縁層を形成する工程； （ｂ）レーザ加工装置の加工台に前記コア基板を載置
し、前記層間樹脂絶縁層に、レーザを照射してバイアホ
ール形成用の開口を設ける工程； （ｃ）前記（ｂ）の工程の前後に、前記（ｂ）の工程で
用いるレーザ加工装置の加工台に載置した状態で、基板
にスルーホール用の貫通孔を形成する工程； （ｄ）前記貫通孔及び前記開口に導電膜を形成し、スル
ーホール及びバイアホールを施す工程。

【０００８】請求項２では、導体回路を形成した絶縁樹
脂からなるコア基板の片面に層間樹脂絶縁層を積層し、
その後、レーザでバイアホール用開口を形成する。ま
た、バイアホール用開口形成工程の前後に、同じレーザ
加工による装置でスルーホール用貫通孔を形成してい
る。すなわち、スルーホールの形成工程とバイアホール
の形成工程とで別々の装置、方法で位置合わせを行うこ
とがないため、スルーホールの形成工程とバイアホール
の形成工程とで装置、工法による位置誤差が生じない。
更に、スルーホールの形成工程とバイアホールの形成工
程との間で基板に熱を加えることがないため、基板の収
縮や反りで位置決めマークがずれたりすることなく、基
板にスルーホール及びバイアホールを形成することがで
きる。よって、スルーホールとバイアホールとの間の位
置ずれがなくなり、配線の未接続や短絡を防ぐことが可
能となる。

【０００９】請求項３のプリント配線板の製造方法で
は、少なくとも以下（ａ）〜（ｄ）の工程を備えること
を技術的特徴とする： （ａ）導体回路を形成したコア基板の片面に、層間樹脂
絶縁層を形成する工程； （ｂ）レーザ加工装置の加工台に前記コア基板を載置
し、前記層間樹脂絶縁層に、レーザを照射してバイアホ
ール形成用の開口及びスルーホール形成用の開口を設け
る工程； （ｃ）前記（ｂ）の工程で用いたレーザ加工装置の加工
台に載置した状態で、前記スルーホール形成用の開口に
レーザを照射し、基板にスルーホール用貫通孔を形成す
る工程； （ｄ）前記貫通孔及び前記開口に導電膜を形成し、スル
ーホール及びバイアホールを施す工程。

【００１０】請求項３では、導体回路を形成した絶縁樹
脂からなるコア基板の片面に層間樹脂絶縁層を積層し、
その後、レーザで層間樹脂絶縁層にバイアホール用開口
及びスルーホール形成用開口を形成する。そして、同じ
レーザ加工による装置でスルーホール形成用開口にレー
ザを照射して、スルーホール用貫通孔を形成している。
すなわち、スルーホールの形成工程とバイアホールの形
成工程とで別々の装置、方法で位置合わせを行うことが
ないため、スルーホールの形成工程とバイアホールの形
成工程とで装置、工法による位置誤差が生じない。更
に、スルーホールの形成工程とバイアホールの形成工程
との間で基板に熱を加えることがないため、基板の収縮
や反りで位置決めマークがずれたりすることなく、基板
にスルーホール及びバイアホールを形成することができ
る。更に、バイアホール形成用の開口とスルーホール形
成用の開口とを同時に形成するため、その後、当該スル
ーホール形成用の開口にレーザにて貫通孔を形成した際
に、バイアホール用開口とスルーホール用貫通孔との位
置ずれを小さくすることができる。よって、配線の未接
続や短絡を防ぐことが可能となる。

【００１１】請求項４では、スルーホールの開口径を８
０〜２５０μｍとしている。８０μｍ未満だと、導体層
の形成が困難となり、２５０μｍを越えるとだと高密度
化が困難になり、また、ドリル加工に対するレーザ加工
の優位性が失われる。望ましい範囲は、１００〜２００
μｍである。その範囲は、レーザの開口性が安定してい
るからである。

【００１２】請求項５では、バイアホールの開口径を２
５〜１２５μｍとしている。２５μｍ未満だと、上層の
配線との接続が困難となり、１２５μｍを越えると高密
度化が困難になってしまう。望ましい範囲は、５０〜１
００μｍである。その範囲は、レーザの開口性が安定し
ているからである。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
図を参照して説明する。先ず、本発明の第１実施形態に
係るプリント配線板の構成について断面図を示す図５を
参照して説明する。

【００１４】プリント配線板１０は、コア基板３０の上
面にビルドアップ配線層８０が形成されている。ビルド
アップ配線層８０は、導体回路５８及びバイアホール６
０の形成された層間樹脂絶縁層４０と、導体回路１５８
及びバイアホール１６０の形成された層間樹脂絶縁層１
４０とからなる。層間樹脂絶縁層１４０の上面及びコア
基板３０の下面にはソルダーレジスト層７０が形成され
ており、上面のソルダーレジスト７０の開口部７１Ｕを
介してバイアホール１６０に半田バンプ７６Ｕが形成さ
れ、下面のソルダーレジスト７０の開口部７１Ｄを介し
てバイアホール１６０に半田バンプ７６Ｄが形成されて
いる。プリント配線板の上面側の半田バンプ７６Ｕと下
面の半田バンプ７６Ｄとは、コア基板３０に形成された
スルーホール６２を介して接続されている。

【００１５】続いて、上記プリント配線板のスルーホー
ル６２及びバイアホール６０の加工を行うレーザ加工装
置について図６を参照して説明する。レーザ発振器１８
１から出た光は、基板上の焦点を鮮明にするための転写
用マスク１８２を経由してガルバノヘッド１７０へ入射
する。ガルバノヘッド１７０は、レーザ光をＸ方向にス
キャンするガルバノミラー１７４ＸとＹ方向にスキャン
するガルバノミラー１７４Ｙとの２枚で１組のガルバノ
ミラーから構成されており、このミラー１７４Ｘ、１７
４Ｙは制御用のモータ１７２Ｘ、１７２Ｙにより駆動さ
れる。モータ１７２Ｘ、１７２Ｙは図示しない制御装置
からの制御指令に応じて、ミラー１７４Ｘ、１７４Ｙの
角度を調整すると共に、内蔵しているエンコーダからの
検出信号を該制御装置側へ送出するよう構成されてい
る。

【００１６】レーザ光は、ガルバノミラー１７４Ｘ、１
７４Ｙを経由してそれぞれＸ−Ｙ方向にスキャンされて
ｆ−閘レンズ１７６を通り、マスク４４を介して多数個
取りのコア基板３０にバイアホール用開口及びスルーホ
ール用貫通孔を形成する。多数個取りの基板３０は、Ｘ
−Ｙ方向に移動するＸ−Ｙテーブル９０に載置されてい
る。該レーザ加工装置には、カメラ１８０が備えられ、
基板３０の位置決めマークを撮像して位置合わせを行
う。

【００１７】次に、本発明の第１実施例のプリント配線
板の製造方法に用いるＡ．層間樹脂絶縁層用樹脂フィル
ム、Ｂ．樹脂充填剤について説明する。

【００１８】Ａ．層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムの作製 ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当量４６
９、油化シェルエポキシ社製エピコート１００１）３０
重量部、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキ
シ当量２１５、大日本インキ化学工業社製 エピクロン
Ｎ−６７３）４０重量部、トリアジン構造含有フェノー
ルノボラック樹脂（フェノール性水酸基当量１２０、大
日本インキ化学工業社製 フェノライトＫＡ−７０５
２）３０重量部をエチルジグリコールアセテート２０重
量部、ソルベントナフサ２０重量部に攪拌しながら加熱
溶解させ、そこへ末端エポキシ化ポリブタジエンゴム
（ナガセ化成工業社製 デナレックスＲ−４５ＥＰＴ）
１５重量部と２−フェニル−４、５−ビス（ヒドロキシ
メチル）イミダゾール粉砕品１．５重量部、微粉砕シリ
カ２重量部、シリコン系消泡剤０．５重量部を添加しエ
ポキシ樹脂組成物を調製する。得られたエポキシ樹脂組
成物を厚さ３８μｍのＰＥＴフィルム上に乾燥後の厚さ
が５０μｍとなるようにロールコーターを用いて塗布し
た後、８０〜１２０℃で１０分間乾燥させることによ
り、層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムを作製する。

【００１９】Ｂ．樹脂充填剤の調製 ビスフェノールＦ型エポキシモノマー（油化シェル社
製、分子量：３１０、ＹＬ９８３Ｕ）１００重量部、表
面にシランカップリング剤がコーティングされた平均粒
径が１．６μｍで、最大粒子の直径が１５μｍ以下のＳ
ｉＯ2 球状粒子（アドテック社製、ＣＲＳ １１０１−
ＣＥ）１７０重量部およびレベリング剤（サンノプコ社
製 ペレノールＳ４）１．５重量部を容器にとり、攪拌
混合することにより、その粘度が２３±１℃で４５〜４
９Ｐａ・ｓの樹脂充填剤を調製する。なお、硬化剤とし
て、イミダゾール硬化剤（四国化成社製、２Ｅ４ＭＺ−
ＣＮ）６．５重量部を用いる。

【００２０】引き続き、図５を参照して上述したプリン
ト配線板の製造方法について、図１〜図５を参照して説
明する。

【００２１】（１）厚さ０．８ｍｍのガラスエポキシ樹
脂またはＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂からな
る基板３０の両面に１８μｍの銅箔３２がラミネートさ
れている銅張積層板３０Ａを出発材料とする（図１
（Ａ）参照）。なお、コア基板３０としては、ガラスク
ロス等の心材に樹脂を含浸させたものを使用することが
でき、ＢＴ、ＦＲ−４、ＦＲ−５、両面銅箔板、ＲＣＣ
などを好適に用いることができる。次に、この銅貼積層
板３０Ａを、パターン状にエッチングすることにより、
基板３０の両面に下層導体回路３４を形成する（図１
（Ｂ）参照）。

【００２２】（２）下層導体回路３４を形成した基板３
０を水洗いし、乾燥した後、第二銅錯体と有機塩酸から
なるエッチング液で下層導体回路３４の全表面に粗化面
３４αを形成する（図１（Ｃ）参照）。この代わりに、
ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＣｌＯ₂ （４０ｇ／
ｌ）、Ｎａ₃ ＰＯ₄ （６ｇ／ｌ）を含む水溶液を黒化浴
（酸化浴）とする黒化処理、および、ＮａＯＨ（１０ｇ
／ｌ）、ＮａＢＨ₄ （６ｇ／ｌ）を含む水溶液を還元浴
とする還元処理を行い粗化面を形成することもできる。
更に、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｐの合金からなる無電解めっき膜を
形成することで、粗化面を形成することもできる。

【００２３】（３）基板３０の両面に、上記Ａで作製し
た基板３０より少し大きめの層間樹脂絶縁層用樹脂フィ
ルムを基板３０上に載置し、圧力４ｋｇｆ／ｃｍ² 、温
度８０℃、圧着時間１０秒の条件で仮圧着して裁断した
後、さらに、以下の方法により真空ラミネーター装置を
用いて貼り付けることにより層間樹脂絶縁層４０を形成
する（図１（Ｄ）参照）。すなわち、層間樹脂絶縁層用
樹脂フィルムを基板３０上に、真空度０．５Ｔｏｒｒ、
圧力４ｋｇｆ／ｃｍ² 、温度８０℃、圧着時間６０秒の
条件で本圧着し、その後、１７０℃で３０分間熱硬化さ
せる。層間樹脂絶縁層は、塗布またはフィルムの圧着に
より形成する。フィルムとしては、熱硬化性樹脂、熱可
塑性樹脂あるいはそれらの複合体であり、具体的な例と
して、エポキシ樹脂フィルム、オレフィン系フィルム、
エポキシ樹脂−フェノキシ樹脂の樹脂複合体フィルムな
どを用いることができる。また、前述の樹脂中には、樹
脂粒子、無機粒子等が配合されていてもよい。あるい
は、酸や酸化剤に難溶性である箇所と可溶性である箇所
とをそれぞれに点在させてもよい（この場合の難溶性、
可溶性とは同一溶液による溶解速度の差であり、相対的
に遅いものを難溶性、逆に早いものを可溶性という）。
但し、層間樹脂絶縁層は、融点が３００℃以下であるた
め、３５０℃を越える温度を加えると、溶解、炭化して
しまう。

【００２４】（４）次に、図６を参照して上述したレー
ザ加工装置のＸ−Ｙテーブル９０にコア基板３０を載置
し、コア基板の図示しない位置決めマークをカメラ１８
０で撮像し、位置決めを行う。そして、該位置決めマー
クを基準として、コア基板３０の層間樹脂絶縁層４０上
に、貫通孔（径１．０mm）４４ａの形成された厚さ１．
２ｍｍのマスク４４を載置する。その後、レーザ発信器
（波長１０．４μｍのＣＯ₂ ガスレーザ）１８１からビ
ーム径４．０mm、シングルモード、パルス幅８．０μ
秒、１ショットの条件で、レーザ光を層間樹脂絶縁層４
０へ照射し、直径８０μｍのバイアホール用開口４２を
形成する（図２（Ａ）参照）。なお、バイアホール用開
口４２の開口径は、５０〜１００μｍが望ましい。５０
μｍ以下だと、上層の配線との接続が困難となり、１０
０μｍ以上だと高密度化が困難になるからである。

【００２５】（５）次いで、上述したレーザ加工装置の
Ｘ−Ｙテーブル９０にコア基板３０を載置したまま、該
コア基板の位置決めマークを基準として、貫通孔（径
１．２mm）４８ａの形成された厚さ１．２ｍｍのマスク
４８を載置する。レーザ発信器（波長１０．４μｍのＣ
Ｏ₂ ガスレーザ）１８１からビーム径４．０mm、シング
ルモード、パルス幅６０．０μ秒、１２ショットの条件
で、レーザ光を層間樹脂絶縁層４０へ照射し、直径１２
０μｍのスルーホール用貫通孔４６を形成する（図２
（Ｂ）参照）。なお、スルーホール用貫通孔４６の開口
径は、１００〜２００μｍが望ましい。１００μｍ以下
だと、導体層の形成が困難となり、２００μｍ以上だと
高密度化が困難になり、また、ドリル加工に対するレー
ザ加工の優位性が失われるからである。

【００２６】本実施形態の製造方法では、スルーホール
用貫通孔４６の形成工程とバイアホール用開口４２の形
成工程とで別々の装置、方法により位置合わせを行わな
いため、スルーホール用貫通孔４６とバイアホール用開
口４２とで位置誤差が生じない。更に、スルーホール用
貫通孔４６の形成工程とバイアホール用開口４２の形成
工程との間で基板に熱を加えることがないため、基板の
収縮や反りで位置決めマークがずれたりすることなく、
基板にスルーホール用貫通孔４６及びバイアホール用開
口４２を形成することができる。よって、スルーホール
とバイアホールとの間の位置ずれがなくなり、配線の未
接続、接続不良や短絡を防ぐことが可能となる。

【００２７】（６）バイアホール用開口４２及びスルー
ホール用貫通孔４６を形成した基板３０の裏面にマスキ
ング５３を張り付けた後、６０ｇ／ｌの過マンガン酸を
含む８０℃の溶液に１０分間浸漬し、層間樹脂絶縁層４
０の表面に存在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去するこ
とにより、バイアホール用開口４２の内壁を含む層間樹
脂絶縁層４０の表面及びスルーホール用貫通孔４６内
に、粗化面４０αを形成する（図２（Ｃ）参照）。

【００２８】（７）次に、上記処理を終えた基板３０を
中和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗いする。
さらに、粗面化処理（粗化深さ３μｍ）した該基板３０
の表面に、パラジウム触媒を付与することにより、層間
樹脂絶縁層４０の表面、バイアホール用開口４２の内壁
面及びスルーホール用貫通孔４６内に触媒核を付着させ
る。

【００２９】（８）次に、以下の組成の無電解銅めっき
水溶液中に基板３０を浸漬して、粗化面４０α全体に厚
さ０．６〜３．０μｍの無電解銅めっき膜５０を形成す
る（図２（Ｄ）参照）。 〔無電解めっき水溶液〕 ＮｉＳＯ₄ ０．００３ ｍｏｌ／ｌ 酒石酸 ０．２００ ｍｏｌ／ｌ 硫酸銅 ０．０３０ ｍｏｌ／ｌ ＨＣＨＯ ０．０５０ ｍｏｌ／ｌ ＮａＯＨ ０．１００ ｍｏｌ／ｌ α、α′−ビピリジル ４０ ｍｇ／ｌ ポリエチレングリコール（ＰＥＧ） ０．１０ ｇ／ｌ 〔無電解めっき条件〕 ３５℃の液温度で４０分

【００３０】（９）市販の感光性ドライフィルムを無電
解銅めっき膜５０に貼り付け、マスクを載置して、１０
０ｍＪ／ｃｍ² で露光し、０．８％炭酸ナトリウム水溶
液で現像処理することにより、厚さ３０μｍのめっきレ
ジスト５２を設ける（図３（Ａ）参照）。

【００３１】（１０）ついで、基板３０を５０℃の水で
洗浄して脱脂し、２５℃の水で水洗後、さらに硫酸で洗
浄してから、以下の条件で電解銅めっきを施し、厚さ２
０μｍの電解銅めっき膜５４を形成する。（図３（Ｂ）
参照）。 〔電解めっき水溶液〕 硫酸 ２．２４ ｍｏｌ／ｌ 硫酸銅 ０．２６ ｍｏｌ／ｌ 添加剤 １９．５ ｍｌ／ｌ （アトテックジャパン社製、カパラシドＨＬ） 〔電解めっき条件〕 電流密度 １ Ａ／ｄｍ² 時間 ６５ 分 温度 ２２±２ ℃

【００３２】（１１）めっきレジスト５２を５％ＮａＯ
Ｈで剥離除去した後、そのめっきレジスト５２下の無電
解めっき膜５０を硫酸と過酸化水素の混合液でエッチン
グ処理して溶解除去し、無電解銅めっき膜５０と電解銅
めっき膜５４からなる厚さ１８μｍの導体回路５８（バ
イアホール６０を含む）及びスルーホール６２を形成す
る。その後、上記基板３０を水洗、酸性脱脂した後、ソ
フトエッチングし、次いで、エッチング液を基板３０の
両面にスプレイで吹きつけて、導体回路５８の表面とス
ルーホール６２のランド６２ａ表面とをエッチングする
ことにより、導体回路５８及びスルーホール６２の全表
面に粗化面６４βを形成する（図３（Ｃ）参照）。エッ
チング液としては、イミダゾール銅（ＩＩ）錯体１０重
量部、グリコール酸７重量部、塩化カリウム５重量部か
らなるエッチング液（メック社製、メックエッチボン
ド）を使用する。

【００３３】（１２）上記Ｂに記載した樹脂充填剤を調
製した後、下記の方法により調製後２４時間以内に、ス
ルーホール６２内に樹脂充填剤６６の層を形成する。す
なわち、まず、スキージを用いてスルーホール６２内に
樹脂充填剤６６を押し込んだ後、１００℃、２０分の条
件で乾燥させる（図３（Ｄ）参照）。

【００３４】（１３）上記（３）〜（４）の工程を繰り
返した後に、さらに上記（６）〜（１１）の工程を繰り
返すことにより、基板の上層に、層間樹脂絶縁層１４０
及び導体回路１５８（バイアホール１６０を含む）を形
成し、その後、マスキング５３を剥がす（図４（Ａ）参
照）。

【００３５】（１４）次に、ジエチレングリコールジメ
チルエーテル（ＤＭＤＧ）に６０重量％の濃度になるよ
うに溶解させた、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂
（日本化薬社製）のエポキシ基５０％をアクリル化した
感光性付与のオリゴマー（分子量：４０００）４６．６
７重量部、メチルエチルケトンに溶解させた８０重量％
のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル社製、
商品名：エピコート１００１）１５．０重量部、イミダ
ゾール硬化剤（四国化成社製、商品名：２Ｅ４ＭＺ−Ｃ
Ｎ）１．６重量部、感光性モノマーである２官能アクリ
ルモノマー（日本化薬社製、商品名：Ｒ６０４）４．５
重量部、同じく多価アクリルモノマー（共栄化学社製、
商品名：ＤＰＥ６Ａ）１．５重量部、分散系消泡剤（サ
ンノプコ社製、Ｓ−６５）０．７１重量部を容器にと
り、攪拌、混合して混合組成物を調製し、この混合組成
物に対して光重合開始剤としてベンゾフェノン（関東化
学社製）２．０重量部、光増感剤としてのミヒラーケト
ン（関東化学社製）０．２重量部、を加えることによ
り、粘度を２５℃で２．０Ｐａ・ｓに調整したソルダー
レジスト組成物を得る。なお、粘度測定は、Ｂ型粘度計
（東京計器社製、ＤＶＬ−Ｂ型）で６０ｒｐｍの場合は
ローターＮｏ．４、６ｒｐｍの場合はローターＮｏ．３
によった。

【００３６】（１５）次に、多層配線基板の両面に、上
記ソルダーレジスト組成物を２０μｍの厚さで塗布し、
７０℃で２０分間、７０℃で３０分間の条件で乾燥処理
を行った後、ソルダーレジスト開口部のパターンが描画
された厚さ５ｍｍのフォトマスクをソルダーレジスト層
７０に密着させて１０００ｍＪ／ｃｍ² の紫外線で露光
し、ＤＭＴＧ溶液で現像処理し、２００μｍの直径の開
口部７１Ｕ、７１Ｄを形成する。そして、さらに、８０
℃で１時間、１００℃で１時間、１２０℃で１時間、１
５０℃で３時間の条件でそれぞれ加熱処理を行ってソル
ダーレジスト層を硬化させ、開口部７１Ｕ、７１Ｄを有
し、厚さが２０μｍのソルダーレジスト層７０を形成す
る（図４（Ｂ）参照）。上記ソルダーレジスト組成物と
しては、市販のソルダーレジスト組成物を使用すること
もできる。

【００３７】（１６）次に、ソルダーレジスト層７０を
形成した基板を、塩化ニッケル（２．３×１０^-1ｍｏｌ
／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（２．８×１０^-1ｍｏｌ
／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．６×１０^-1ｍｏｌ／
ｌ）を含むｐＨ＝４．５の無電解ニッケルめっき液に２
０分間浸漬して、開口部７１Ｕ、７１Ｄに厚さ５μｍの
ニッケルめっき層７２を形成する。さらに、その基板を
シアン化金カリウム（７．６×１０^-3ｍｏｌ／ｌ）、塩
化アンモニウム（１．９×１０^-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン
酸ナトリウム（１．２×１０^-1ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン
酸ナトリウム（１．７×１０^-1ｍｏｌ／ｌ）を含む無電
解金めっき液に８０℃の条件で７．５分間浸漬して、ニ
ッケルめっき層７２上に、厚さ０．０３μｍの金めっき
層７４を形成する（図４（Ｃ）参照）。

【００３８】（１７）この後、基板のＩＣチップを載置
する面のソルダーレジスト７０の開口部７１Ｕに、スズ
−鉛を含有する半田ペーストを印刷し、さらに他方の面
の開口部７１Ｄに、スズ−アンチモンを含有する半田ペ
ーストを印刷する。その後、２００℃でリフローするこ
とにより半田バンプ７６Ｕ、７６Ｄを形成し、プリント
配線板１０を完成する（図５参照）。

【００３９】（第２実施形態）第２実施形態のプリント
配線板は、第１実施形態とほぼ同様である。但し、第２
実施形態では、層間樹脂絶縁層４０にバイアホール用開
口４２を形成する際に、同時にスルーホール形成用開口
４５も形成してある。層間樹脂絶縁層４０にスルーホー
ル形成用開口４５を予め形成しておくことで、レーザを
コア基板３０に直接照射して、スルーホール用貫通孔４
６を形成する。

【００４０】第２実施形態のプリント配線板の製造方法
について、図７〜図９を参照して説明する。

【００４１】（１）厚さ０．８ｍｍのガラスエポキシ樹
脂またはＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂からな
る基板３０の片面に１８μｍの銅箔３２がラミネートさ
れている銅張積層板３０Ｂを出発材料とする（図７
（Ａ）参照）。なお、コア基板３０としては、ガラスク
ロス等の心材に樹脂を含浸させたものを用いることがで
きる。次に、この銅貼積層板３０Ｂを、パターン状にエ
ッチングすることにより、基板３０の上面に下層導体回
路３４を形成する（図７（Ｂ）参照）。

【００４２】（２）下層導体回路３４を形成した基板３
０を水洗いし、乾燥した後、黒化処理、および、還元処
理を行い、下層導体回路３４の全表面に粗化面３４αを
形成する（図７（Ｃ）参照）。

【００４３】（３）基板３０の上面に、第１実施形態と
同様な層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムを基板３０上に載
置し、貼り付けることにより層間樹脂絶縁層４０を形成
する（図７（Ｄ）参照）。 （４）第１実施形態と同様にレーザ加工装置のＸ−Ｙテ
ーブル９０にコア基板３０を載置し、コア基板の図示し
ない位置決めマークをカメラ１８０で撮像して位置決め
する。そして、該位置決めマークを基準として、コア基
板３０の層間樹脂絶縁層４０上に、貫通孔（径１．０ｍ
ｍ）４４ａの形成された厚さ１．２ｍｍのマスク４４を
載置する。その後、レーザ発信器（波長１０．４μｍの
ＣＯ₂ ガスレーザ）１８１からビーム径４．０ｍｍ、シ
ングルモード、パルス幅８．０μ秒、１ショットの条件
で、層間樹脂絶縁層４０に直径８０μｍのバイアホール
用開口４２及びスルーホール形成用開口４５を形成する
（図８（Ａ）参照）。

【００４４】（５）次いで、上述したレーザ加工装置の
Ｘ−Ｙテーブル９０にコア基板３０を載置したまま、上
述したマスク４４を外して、レーザ発信器（波長１０．
４μｍのＣＯ₂ ガスレーザ）１８１からビーム径４．０
mm、シングルモード、パルス幅６０．０μ秒、１２ショ
ットの条件で、レーザ光を層間樹脂絶縁層４０のスルー
ホール形成用開口４５へ照射し、直径１２０μｍのスル
ーホール用貫通孔４６を形成する（図８（Ｂ）参照）。

【００４５】第２実施形態では、バイアホール形成用開
口４２とスルーホール形成用開口４５とをマスク４４を
用いて同時に形成する。このため、その後、当該スルー
ホール形成用開口４５にレーザにて貫通孔４６を形成し
た際に、バイアホール用開口４２とスルーホール貫通孔
４５との位置ずれを、第１実施形態よりも小さくするこ
とができる。

【００４６】（６）バイアホール用開口４２及びスルー
ホール用貫通孔４６を形成した基板３０を、過マンガン
酸を含む溶液に浸漬し、バイアホール用開口４２の内壁
を含む層間樹脂絶縁層４０の表面及びスルーホール用貫
通孔４６内に、粗化面４０αを形成する（図８（Ｃ）参
照）。

【００４７】（７）次に、上記処理を終えた基板３０を
中和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗いする。
さらに、粗面化処理（粗化深さ３μｍ）した該基板３０
の表面に、パラジウム触媒を付与することにより、層間
樹脂絶縁層４０の表面、バイアホール用開口４２の内壁
面及びスルーホール用貫通孔４６内に触媒核を付着させ
る。

【００４８】（８）次に、第１実施形態と同様の組成の
無電解銅めっき水溶液中に基板３０を浸漬して、粗化面
４０α全体に厚さ０．６〜３．０μｍの無電解銅めっき
膜５０を形成する（図８（Ｄ）参照）。

【００４９】（９）市販の感光性ドライフィルムを無電
解銅めっき膜５０に貼り付け、マスクを載置して、１０
０ｍＪ／ｃｍ² で露光し、０．８％炭酸ナトリウム水溶
液で現像処理することにより、厚さ３０μｍのめっきレ
ジスト５２を設ける（図９（Ａ）参照）。

【００５０】（１０）ついで、基板３０を５０℃の水で
洗浄して脱脂し、２５℃の水で水洗後、さらに硫酸で洗
浄してから、第１実施形態と同様の条件で電解銅めっき
を施し、厚さ２０μｍの電解銅めっき膜５４を形成する
（図９（Ｂ）参照）。

【００５１】（１１）めっきレジスト５２を５％ＮａＯ
Ｈで剥離除去した後、そのめっきレジスト５２下の無電
解めっき膜５０を硫酸と過酸化水素の混合液でエッチン
グ処理して溶解除去し、無電解銅めっき膜５０と電解銅
めっき膜５４からなる厚さ１８μｍの導体回路５８（バ
イアホール６０を含む）及びスルーホール６２を形成す
る。その後、導体回路５８及びスルーホール６２の全表
面に粗化面６４βを形成する（図９（Ｃ）参照）。

【００５２】（１２）第１実施形態と同様に樹脂充填剤
を調製した後、スルーホール６２内に充填し樹脂充填剤
６６の層を形成する。（図９（Ｄ）参照）。なお、以後
の製造工程は、第１実施形態の（１３）〜（１７）と同
様であるため説明を省略する。

【００５３】（第３実施形態）第３実施形態のプリント
配線板は、第１実施形態とほぼ同様である。但し、第３
実施形態では、層間樹脂絶縁層４０にエポキシ樹脂フィ
ルムの代わりにオレフィン系樹脂フィルムを用いた。オ
レフィン系フィルムを用いるため、第３実施形態では、
バイアホール用開口を設ける際のＣＯ₂ ガスレーザの条
件を、パルス幅１５．０μ秒、５ショットとする。

【００５４】（第４実施形態）第４実施形態のプリント
配線板は、第２実施形態とほぼ同様である。但し、第４
実施形態では、層間樹脂絶縁層をエポキシ樹脂フィルム
の代わりにオレフィン系樹脂フィルムを用いた。オレフ
ィン系フィルムを用いるため、第４実施形態では、バイ
アホール用開口を設ける際のＣＯ₂ ガスレーザの条件
を、パルス幅１５．０μ秒、５ショットとする。

【００５５】（第５実施形態）第５実施形態のプリント
配線板は、第１実施形態とほぼ同様である。但し、第５
実施形態では、層間樹脂絶縁層をエポキシ樹脂フィルム
の代わりにエポキシ樹脂−フェノキシ樹脂の樹脂複合体
フィルムを用いた。また、第５実施形態では、レーザと
してエキシマレーザを用い、周波数２００Ｈｚ、エネル
ギー１．０Ｊで、１５０ショット照射し、２５μｍの極
小径のバイアホールを形成した。

【００５６】（第６実施形態）第６実施形態のプリント
配線板は、第２実施形態とほぼ同様である。但し、第６
実施形態では、層間樹脂絶縁層をエポキシ樹脂フィルム
の代わりにエポキシ樹脂−フェノキシ樹脂の樹脂複合体
フィルムを用いた。また、第６実施形態では、レーザと
してエキシマレーザを用い、周波数２００Ｈｚ、エネル
ギー１．０Ｊで、１５０ショット照射し、２５μｍの極
小径のバイアホールを形成した。

【００５７】（第７実施形態）図１０は、本発明の第７
実施形態に係るプリント配線板の断面図である。この第
７実施形態のプリント配線板は、第１実施形態とほぼ同
様である。但し、第７実施形態では、スルーホール６２
の頂部に蓋めっき１６１が形成され、該蓋めっき１６１
を介することで、スルーホール６２の直上にバイアホー
ル１６０が形成されている。この第７実施形態において
も、第１実施形態と同様に、層間樹脂絶縁層４０のバイ
アホール６０のレーザ加工と、スルーホール６２のレー
ザ加工とが同一工程で行われている。

【００５８】

【発明の効果】本発明では上述したように、スルーホー
ル及びバイアホールを同一のレーザ加工装置を用いて形
成している。すなわち、スルーホールの形成工程とバイ
アホールの形成工程とで別々に位置合わせを行うことが
ないため、スルーホールの形成工程とバイアホールの形
成工程とで位置誤差が生じない。更に、スルーホールの
形成工程とバイアホールの形成工程との間で基板に熱を
加えることがないので、基板の収縮や反りで位置決めマ
ークがずれたりすることなく、基板にスルーホール及び
バイアホールを形成することができる。よって、スルー
ホールとバイアホールとの間の位置ずれがなくなり、配
線の未接続、接続不良や短絡を防ぐことが可能となる。
また、層間樹脂絶縁層へのレーザによるダメージや劣化
が低減され、上層の導電層である配線の密着性を向上さ
せれる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）、は、本発明
の第１実施形態に係るプリント配線板の製造工程図であ
る。

【図２】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）、は、本発明
の第１実施形態に係るプリント配線板の製造工程図であ
る。

【図３】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）、は、本発明
の第１実施形態に係るプリント配線板の製造工程図であ
る。

【図４】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、は、本発明の第１実
施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。

【図５】本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の
断面図である。

【図６】スルーホール及びバイアホール加工に用いるレ
ーザ加工装置の説明図である。

【図７】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）、は、本発明
の第２実施形態に係るプリント配線板の製造工程図であ
る。

【図８】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）、は、本発明
の第２実施形態に係るプリント配線板の製造工程図であ
る。

【図９】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）、は、本発明
の第２実施形態に係るプリント配線板の製造工程図であ
る。

【図１０】本発明の第７実施形態に係るプリント配線板
の断面図である。

【図１１】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）、は、従来
技術のプリント配線板の製造工程図であり、（Ｆ１）、
（Ｆ２）、（Ｆ３）は、バイアホールと導体回路との接
続状態の説明図である。

【符号の説明】

３０ コア基板 ３４ 下層導体回路 ４０ 層間樹脂絶縁層 ４２ バイアホール用開口部 ４５ スルーホール形成用開口 ４６ スルーホール用貫通孔 ５０ 無電解めっき膜 ５４ 電解めっき膜 ５８ 導体回路 ６０ バイアホール ６２ スルーホール ６６ 樹脂充填剤 ７０ ソルダーレジスト層 ７１Ｕ、７１Ｄ 開口部 ７２ ニッケルめっき層 ７４ 金めっき層 ７６Ｕ、７６Ｄ 半田バンプ ８０Ａ、８０Ｂ ビルドアップ配線層 １４４ 層間樹脂絶縁層 １５８ 導体回路 １６０ バイアホール

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5E346 AA12 AA15 AA32 AA43 CC04 CC09 CC10 CC32 CC54 CC55 DD02 DD25 DD32 DD33 DD47 DD48 EE39 FF07 FF15 FF22 GG07 GG15 GG17 GG22 HH07 HH11 HH33

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 スルーホールを介して表裏が電気的接続
   された基板の片面に層間樹脂絶縁層と導体回路とを交互
   に積層し、各導体層間がバイアホールにて接続されてな
   るプリント配線板の製造方法において、 前記スルーホール及び前記バイアホールを同一のレーザ
   加工によって形成することを特徴とするプリント配線板
   の製造方法。
2. 【請求項２】 少なくとも以下（ａ）〜（ｄ）の工程を
   備えることを特徴とするプリント配線板の製造方法： （ａ）導体回路を形成したコア基板の片面に、層間樹脂
   絶縁層を形成する工程； （ｂ）レーザ加工装置の加工台に前記コア基板を載置
   し、前記層間樹脂絶縁層に、レーザを照射してバイアホ
   ール形成用の開口を設ける工程； （ｃ）前記（ｂ）の工程の前後に、前記（ｂ）の工程で
   用いるレーザ加工装置の加工台に載置した状態で、基板
   にスルーホール用の貫通孔を形成する工程； （ｄ）前記貫通孔及び前記開口に導電膜を形成し、スル
   ーホール及びバイアホールを施す工程。
3. 【請求項３】 少なくとも以下（ａ）〜（ｄ）の工程を
   備えることを特徴とするプリント配線板の製造方法： （ａ）導体回路を形成したコア基板の片面に、層間樹脂
   絶縁層を形成する工程； （ｂ）レーザ加工装置の加工台に前記コア基板を載置
   し、前記層間樹脂絶縁層に、レーザを照射してバイアホ
   ール形成用の開口及びスルーホール形成用の開口を設け
   る工程； （ｃ）前記（ｂ）の工程で用いたレーザ加工装置の加工
   台に載置した状態で、前記スルーホール形成用の開口に
   レーザを照射し、基板にスルーホール用貫通孔を形成す
   る工程； （ｄ）前記貫通孔及び前記開口に導電膜を形成し、スル
   ーホール及びバイアホールを施す工程。
4. 【請求項４】 前記スルーホールの開口径は、８０〜２
   ５０μｍであることを特徴とする請求項１〜請求項３の
   いずれか１に記載のプリント配線板の製造方法。
5. 【請求項５】 前記バイアホールの開口径は、２５〜１
   ２５μｍであることを特徴とする請求項１〜請求項３の
   いずれか１に記載のプリント配線板の製造方法。
6. 【請求項６】 前記基板は、心材に樹脂を含浸させた樹
   脂基板であり、 前記層間樹脂絶縁層は、粒子が配合されてなることを特
   徴とする請求項１のプリント配線板の製造方法。
7. 【請求項７】 前記コア基板は、心材に樹脂を含浸させ
   た樹脂基板であり、 前記層間樹脂絶縁層は、粒子が配合されてなることを特
   徴とする請求項２又は請求項３のプリント配線板の製造
   方法。