JP2003157576A

JP2003157576A - 光ディスク基板

Info

Publication number: JP2003157576A
Application number: JP2002258064A
Authority: JP
Inventors: Yasuyuki Iimuro; 靖之飯室
Original assignee: Teijin Chemicals Ltd
Current assignee: Teijin Ltd
Priority date: 2001-09-10
Filing date: 2002-09-03
Publication date: 2003-05-30

Abstract

(57)【要約】【課題】異物強度を一定の水準以上、別の一定の水準
以下とすることによって、生産管理を簡略化しかつ低コ
スト化したディスクを提供する。また、高温高湿環境下
に中期間放置されても、情報記録再生特性の低下等を生
じることがなく、したがって、中期間（例えば１年程
度）にわたって高い信頼性を維持する光学式ディスク基
板および光学式情報記録媒体を提供する。【解決手段】（１）全異物の異物強度が２×１０⁵〜
８×１０⁶μｍ²／ｇ、（２）粒径１．１μｍ以下の異物の異物強度が２×１０
⁴〜２×１０⁶μｍ²／ｇ（３）粒径が２０μｍを超え４０μｍ以下の異物が３，
０００個／ｇ以下且つ（４）粒径が１２０μｍを超え１７０μｍ以下の異物が
７個／ｇ以下を満足する透明熱可塑性樹脂から形成された光ディスク
基板。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、異物の大きさおよ
び量を制御した光学式ディスク基板および光学式情報記
録媒体に関し、特にＣＤ基板もしくはＤＶＤ基板に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】従来、レーザー光の照射により情報の記
録・再生を行う光ディスクとしては、光磁気ディスク、
追記型光ディスク、デジタルオーディオディスク（コン
パクトディスク：ＣＤ）、光学式ビデオディスク（レー
ザーディスク（登録商標））などが知られている。これ
らのうちコンパクトディスクやレーザーディスクは再生
専用の光ディスクであり、一方追記型光ディスク、光磁
気ディスクはユーザーによって情報の書き込みが任意に
行えるＲＡＭ（ＲａｎｄａｍＡｃｃｅｓｓＭｅｍｏ
ｒｙ）型の光ディスクであり、各種記録媒体として急速
に普及している。

【０００３】これらの記録媒体としては、高密度記録容
量（４.７ＧＢ）のＤＶＤ−ＲＯＭ（読み出し専用デジ
タルバーサタイルディスク）の規格が統一されて以来、
ＤＶＤの高密度な情報記録性、音声の高品質性、画像の
高精細性などから注目されてきている。

【０００４】これらＤＶＤ−ＲＯＭ等の光学式記録媒体
にあっては、ポリカーボネート、ポリメタクリル酸メチ
ル、硝子等からなる透明基板、すなわち光学式ディスク
基板中に含まれる異物（塵埃や炭化物や金属）が情報の
記録または再生の信頼性に対して大きな影響を与える。

【０００５】原料樹脂中の異物を原料樹脂の精製過程や
造粒過程等においてフィルターで濾過するなどして異物
の低減を図る技術が提案されている（特開昭５１−９０
３４５号公報、特開昭６３−９１２３１号公報等）。そ
して、これらにおいては０.５μｍまたは１μｍ以上の
粒径からなる異物の、原料樹脂１ｇ当たりに占める個数
が記録再生特性の性能、例えば、エラー率（ビットエラ
ー率：ＢＥＲ）に関係し、極力これらの異物量を低減す
ることが必要であると開示されている。

【０００６】しかし、これらの提案は異物の粒径と性能
との関係が不明瞭であり、必ずしも適正な評価方法とは
いえず、ＢＥＲの低減を完全に果たせることはできなか
った。そのため、異物強度の概念を採用し、同異物強度
を一定水準以下とすることにより光学式ディスク基板の
評価を実際に則して定量的に行えるようにし、基板中の
異物に起因するＢＥＲ等の記録再生特性の低下防止を図
る技術が提案されている（特開平２−２７６０３９号公
報）。そして、この提案においては樹脂中の異物強度が
１×１０⁵μｍ²／ｇ以下となるように異物量を低減する
ことが必要であると開示されている。ここで、“異物強
度”とは、粒径が０．５μｍ以上の大きさからなる単位
重量当りの異物の、各々の粒径の平方と個数との積の和
を意味する。

【０００７】しかし、これらの提案は製造時におけるデ
ィスクのＢＥＲの低減等に関しては一応の成果をあげて
いるものの、ディスクを高温高湿環境下に長時間放置し
た場合におけるＢＥＲの低減においては成果を完全に果
たせることはできなかった。その原因について、高温高
湿環境下に長時間放置した際にＢＥＲの高くなるのは、
ディスク基板中に存在するサブミクロンサイズの異物が
核となり、これらの異物が吸湿により加水分解を引き起
こし、数ミクロンから数十ミクロンサイズの偏光性欠陥
を発生させることが原因であることが見出されている。
そして、光ディスク基板中の粒径１.１μｍ以下の異物
強度を１.０×１０⁴μｍ²／ｇ以下とし、好ましくは同
光ディスク基板に脂肪酸モノグリセリド等の添加剤（滑
剤）を含有させると、高温高湿条件下における偏光性欠
陥の発生を大幅に抑制させることができることも見出さ
れており、これより高温高湿環境下に長時間放置されて
も情報記録再生特性の低下等を生じること無く、すなわ
ち、長時間にわたって高い信頼性を維持することを図る
技術が提案されている（特開平３−２１７８０１号公
報）。

【０００８】

【問題が解決しようとする課題】しかしながら異物の低
減対策のためには多大の費用がかかり、その為にコスト
高を招いている。また光学式ディスクの使用用途として
は、雑誌の付録や店頭で配布される試供品等の物があ
り、これら用途のディスクは長期間（数年以上、殊に１
０年以上）に渡る高い信頼性を保証する必要はない。

【０００９】本発明は上記問題点に鑑みてなされたもの
で異物強度を一定の水準以上、別の一定の水準以下とす
ることによって、生産管理を簡略化並びに低コスト化さ
せることができる光ディスク基板を提供することを目的
としている。

【００１０】また、本発明は高温高湿環境下に中期間放
置されても、情報記録再生特性の低下等を生じることが
なく、したがって、中期間（例えば１年程度）にわたっ
て高い信頼性を維持できる光学式ディスク基板および光
学式情報記録媒体を提供することを目的としている。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明者の研究によれ
ば、前記本発明の目的は、下記（Ｉ）〜（XII）の光デ
ィスク基板および光ディスクによって達成されることが
見出された。

【００１２】（Ｉ）（１）全異物の異物強度が２×１０
⁵〜８×１０⁶μｍ²／ｇ、（２）粒径１．１μｍ以下の異物の異物強度が２×１０
⁴〜２×１０⁶μｍ²／ｇ（３）粒径が２０μｍを超え４０μｍ以下の異物が３，
０００個／ｇ以下且つ（４）粒径が１２０μｍを超え１７０μｍ以下の異物が
７個／ｇ以下を満足する透明熱可塑性樹脂から形成された光ディスク
基板。

【００１３】（II）（１）全異物の異物強度が２×１０
⁵〜８×１０⁶μｍ²／ｇ、（２）粒径１．１μｍ以下の異物の異物強度が２×１０
⁴〜２×１０⁶μｍ²／ｇ（３）粒径が５μｍを超え２０μｍ以下の異物が４０，
０００個／ｇ以下（４）粒径が２０μｍを超え４０μｍ以下の異物が３，
０００個／ｇ以下（５）粒径が４０μｍを超え６０μｍ以下の異物が４０
０個／ｇ以下（６）粒径が６０μｍを超え１２０μｍ以下の異物が１
０個／ｇ以下且つ（７）粒径が１２０μｍを超え１７０μｍ以下の異物が
７個／ｇ以下を満足する透明熱可塑性樹脂から形成された光ディスク
基板。

【００１４】（III）熱可塑性樹脂は粒径が１７０μｍ
を超える異物が１個／ｋｇ未満である前記（Ｉ）または
（II）記載の光ディスク基板。

【００１５】（IV）透明熱可塑性樹脂は全異物の異物強
度が４×１０⁵〜８×１０⁶μｍ²／ｇである前記（Ｉ）
または（II）記載の光ディスク基板。

【００１６】（Ｖ）透明熱可塑性樹脂は、粒径１．１μ
ｍ以下の異物の異物強度が３×１０⁴〜２×１０⁶μｍ²
／ｇである前記（Ｉ）または（II）記載の光ディスク基
板。

【００１７】（VI）透明熱可塑性樹脂は、粒径が５μｍ
を超え２０μｍ以下の異物が２０，０００個／ｇ以下で
ある前記（Ｉ）または（II）記載の光ディスク基板。

【００１８】（VII）透明熱可塑性樹脂は、粒径が２０
μｍを超え４０μｍ以下の異物が２，５００個／ｇ以下
である前記（Ｉ）または（II）記載の光ディスク基板。

【００１９】（VIII）透明熱可塑性樹脂は、粒径が４０
μｍを超え６０μｍ以下の異物が３５０個／ｇ以下であ
る前記（Ｉ）または（II）記載の光ディスク基板。

【００２０】（IX）透明熱可塑性樹脂がポリカーボネー
ト樹脂である前記（Ｉ）または（II）記載の光ディスク
基板。

【００２１】（Ｘ）光ディスク基板がＣＤ基板である前
記（Ｉ）または（II）のいずれかに記載された光ディス
ク基板。

【００２２】（XI）光ディスク基板がＤＶＤ基板である
前記（Ｉ）または（II）のいずれかに記載された光ディ
スク基板。

【００２３】（XII）前記（Ｉ）または（II）のいずれ
かに記載の光デイスク基板に少なくとも一層の情報記録
層を形成した光デイスク。

【００２４】以下、本発明の光ディスク基板および光デ
ィスクについてさらに詳細に説明する。

【００２５】本発明の光学式ディスク基板においては、
同基板に含まれている異物量の評価方法として、異物強
度なる概念を採用している。ここで、「異物強度」と
は、粒径０.５μｍ以上の大きさからなる単位重量当り
の異物の、それぞれの粒径の平方と個数との積の和で表
される。異物は、評価すべき材料（原料または基板等）
を大過剰の有機溶媒（例えば塩化メチレン）に溶解した
溶液中に検出される物である。

【００２６】異物強度（Ｉ）は、式Ｉ＝Σ｛［（ｄ_i＋ｄ_i+1）／２］²×（ｎ_i−ｎ_i’）｝
÷Ｗで表される。

【００２７】式中、Ｉは異物強度であり、ｄ_iは第ｉ番
目の粒径区分値（μｍ）であり、ｎ_iは粒径ｄ_i+1未満お
よび粒径ｄ_i以上であって溶液中に検出される異物の個
数であり、ｎ_i’は使用前の溶媒に含まれている異物の
個数であり、そしてＷは材料の重量（ｇ）である。

【００２８】粒径区分値設定の一例を示せば、次の通り
である。ｄ₁＝０.５（μｍ）ｄ₂＝１.０（μｍ）ｄ₃＝２.０（μｍ）ｄ₄＝５.０（μｍ）ｄ₅＝１０.０（μｍ）ｄ₆＝２０.０（μｍ）ｄ₇＝４０.０（μｍ）ｄ₈＝６０.０（μｍ）ｄ₉＝１２０.０（μｍ）

【００２９】粒径が１２０.０μｍを超える大きさの異
物が検出される場合には、適当な数値のｄ₁₀、ｄ₁₁等を
用いる。

【００３０】上記粒径区分設定例において、例えば
「１.１μｍ以下の異物の異物強度」の場合ｄ₁〜ｄ₂を
用いて計算された異物強度の値を示す。

【００３１】なお、各粒径区分における異物個数の測定
装置としては、液体微粒子カウンター（ＨＩＡＣ−ＲＯ
ＹＣＯ社製）が用いられる。

【００３２】本発明において「異物」とは、本来的には
光学式ディスク基板に種々の経由から入りこむ汚染物
質、例えば不純物、ダストまたは原料樹脂の炭化物等の
光線を屈折させたり反射したりする物質を意味する。ま
た、塩化メチレンの如き有機溶媒に不溶成分である“異
物”から算出した前記の異物強度を用いて光学式ディス
ク基板のビットエラー率を正確に評価することができ
る。

【００３３】本発明に使用される光学式ディスクを形成
する原料樹脂としては、透明性等の光学特性、成形性に
優れた樹脂であれば、特に制限されることなく用いるこ
とができる。例えば、ポリカーボネート樹脂、アクリル
系樹脂、非晶性ポリ環状オレフィン等を用いることがで
きる。耐熱性、強度およびコストの面から、ポリカーボ
ネート樹脂を用いるのが好ましい。

【００３４】このポリカーボネート樹脂としては、特に
制限はなく、一般に２価フェノールとカーボネート前駆
体とを界面重合法あるいは溶融重合法により反応させて
製造され、いずれの方法によって得られたものであって
も同じように使用することができる。

【００３５】この芳香族ポリカーボネート樹脂の製造に
使用される２価フェノールの代表的な例としては、ハイ
ドロキノン、レゾルシノール、４,４’−ジヒドロキシ
ジフェニル、ビス（４−ヒドロキシジフェニル）メタ
ン、１,１−ビス−（４−ヒドロキシジフェニル）エタ
ン、２,２−ビス−（４−ヒドロキシジフェニル）プロ
パン［通称ビスフェノールＡ］、２,４−ビス−（４−
ヒドロキシジフェニル）−２−メチルブタン、１,１−
ビス−（４−ヒドロキシジフェニル）−シクロヘキサ
ン、１,１−ビス−（４−ヒドロキシジフェニル）−３,
３,５−トリメチルシクロヘキサン、α,α’−ビス−
（４−ヒドロキシジフェニル）−ｏ−ジイソプロピルベ
ンゼン、α,α’−ビス−（４−ヒドロキシジフェニ
ル）−ｍ−ジイソプロピルベンゼン、α,α’−ビス−
（４−ヒドロキシジフェニル）−ｐ−ジイソプロピルベ
ンゼン、２,２−ビス−（３−メチル−４−ヒドロキシ
フェニル）−プロパン、２,２−ビス−（３−クロロ−
４−ヒドロキシフェニル）−プロパン、ビス−（３,５
−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）−メタン、２,
２−ビス−（３,５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニ
ル）−プロパン、２,４−ビス−（３,５−ジメチル−４
−ヒドロキシフェニル）−２−メチルブタン、１,１−
ビス−３,５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）−
シクロヘキサン、１,１−ビス−３,５−ジメチル−４−
ヒドロキシフェニル）−３,３,５−トリメチルシクロヘ
キサン、α,α’−ビス−（３,５−ジメチル−４−ヒド
ロキシフェニル）−ｏ−ジイソプロピルベンゼン、α,
α’−ビス−（３,５−ジメチル−４−ヒドロキシフェ
ニル）−ｐ−ジイソプロピルベンゼン、２,２−ビス−
（３,５−ジクロロ−４−ヒドロキシフェニル）−プロ
パン、ビスー（４−ヒドロキシフェニル）−スルホン、
ビス−（ヒドロキシフェニル）−サルファイド、ビス−
（４−ヒドロキシフェニル）−エーテル、ビス−（４−
ヒドロキシフェニル）−ケトンおよびビス−（４−ヒド
ロキシフェニル）−スルホキシド等が挙げられる。これ
らは単独または２種以上を混合して使用できる。

【００３６】なかでもビスフェノールＡの単独重合体や
ビスフェノールＡ、１,１−ビス−（４−ヒドロキシフ
ェニル）−シクロヘキサン、１,１−ビス−（４−ヒド
ロキシフェニル）−３,３,５−トリメチルシクロヘキサ
ン、α,α’−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−ｍ
−ジイソプロピルベンゼン、２,２−ビス−（３−メチ
ル−４−ヒドロキシフェニル）−プロパン、２,２−ビ
ス−（３,５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）−
プロパン、２,２−ビス−（３,５−ジクロロ−４−ヒド
ロキシフェニル）−プロパンおよび、２,２−ビス−
（３,５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）−プロ
パンから選ばれた少なくとも２種以上のビスフェノール
より得られる共重合体、特に１,１−ビス−（４−ヒド
ロキシフェニル）−３,３,５−トリメチルシクロヘキサ
ンとビスフェノールＡ、α,α’−ビス−（４−ヒドロ
キシフェニル）−ｍ−ジイソプロピルベンゼンまたは、
２,２−ビス−（３−メチル−４−ヒドリキシフェニ
ル）−プロパンとの共重合体が好ましく使用される。な
かでもコスト面からビスフェノールＡが好ましい。

【００３７】また、カーボネート前駆体としては、カル
ボニルハライド、カーボネートエステルまたはハロホル
メート等が挙げられ、具体的にはホスゲン、ジフェニル
カーボネート、２価フェノールのジハロホルメートおよ
びそれらの混合物等である。ポリカーボネート樹脂を製
造するにあたり、適当な分子量調整剤、分岐剤、反応を
促進するための触媒等も通常の方法にしたがって使用で
きる。かくして得られた芳香族ポリカーボネート樹脂の
２種類以上を混合しても差し支えない。

【００３８】ポリカーボネート樹脂の分子量は、粘度平
均分子量（Ｍ）で１０，０００〜２２，０００が好まし
く、１２，０００〜２０，０００がより好ましく、１
３，０００〜１８，０００が特に好ましい。かかる粘度
平均分子量を有するポリカーボネート樹脂は、光学用材
料として十分な強度が得られ、また、成形時の溶融流動
性も良好であり成形歪みが発生せず好ましい。本発明で
いう粘度平均分子量は塩化メチレン１００ｍＬにポリカ
ーボネート樹脂０．７ｇを２０℃で溶解した溶液から求
めた比粘度（η_sp）を次式に挿入して求めたものであ
る。

【００３９】 η_sp／ｃ＝［η］＋０．４５×［η］²ｃ（但し［η］は極限粘度）［η］＝１．２３×１０^-4Ｍ^0.83 ｃ＝０．７

【００４０】また、前記した透明樹脂、特にポリカーボ
ネート樹脂を使用してデータ基板あるいはダミー基板を
得るにあたっては、射出成形、射出圧縮成形等の通常の
条件や手段が採用できる。

【００４１】データ基板の情報記録層において、その記
録層は再生専用（ＲＯＭ）型の記録層であってもユーザ
ーによって任意情報が書き込める追記（Ｒ）型または書
き換え（ＲＡＭ）型の記録層であってもよい。例えば再
生専用型の記録層であれば、スタンパーより形成された
記録すべきデーターを凹凸で表すピットの上に、スパッ
タリング等の気相メッキ法により反射膜としてＡｌ、Ａ
ｌ合金、Ａｕ等の金属膜反射膜を形成することにより構
成される。追記型の記録層であれば、シアニン系や、フ
タロシアニン系、アゾ系の有機色素材料をスピンコート
法等により塗布され、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ等の金属
膜あるいはこれらの合金膜がスパッタリング等により形
成され、ＳｉＯｘ、ＺｎＯ、ＳｎＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｔｉ
Ｏ₂、Ｉｎ ₂Ｏ₃、ＭｇＯ、ＺｒＯ₂、Ｔａ₂Ｏ₅等の金属酸
化物、Ｓｉ₃Ｎ₄、ＡｌＮ、ＴｉＮ、ＢＮ、ＺｒＮ等の窒
化物、ＺｎＳ、ＴａＳ₄等の硫化物、ＳｉＣ、ＴａＣ、
ＷＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣ等の炭化物の単体あるいは混合物
がスパッタリング等により反射放熱層として形成される
ことにより構成される。

【００４２】データ基板の情報記録層は紫外線硬化樹脂
等で保護されていてもよい。該紫外線硬化樹脂の材料と
しては、ラジカル重合可能な液状のモノマーやオリゴマ
ー、アクリル酸エステル、光重合開始剤からなり、必要
であれば、増感剤、熱重合禁止剤、酸化防止剤等を配合
することもできる。紫外線硬化樹脂はスピンコート法等
で塗布した後、一般には波長が３００ｎｍ〜４５０ｎｍ
の紫外線によって硬化されて保護膜とする。

【００４３】このようにして作製されたデータ基板とダ
ミー基板、または、データ基板の記録層とデータ基板の
非記録面は、紫外線硬化性樹脂の接着層を介して互いに
貼り合わされる。

【００４４】ディスクを貼り合わせる時に使用する紫外
線硬化性樹脂は、ラジカル重合可能な液状モノマーやオ
リゴマー、光重合開始剤からなり、必要であれば、増感
剤、熱重合禁止剤、酸化防止剤等を配合することもでき
る。該紫外線硬化性樹脂は波長が３００ｎｍ〜４５０ｎ
ｍの紫外線の照射によって硬化する。

【００４５】

【実施例】以下、実施例を挙げて本発明をより詳細に説
明するが、本発明はこれに限定されるものではない。

【００４６】［サンプル作成例１］液体微粒子カウンタ
ー（ＨＩＡＣ−ＲＯＹＣＯ社製）を用いて、ポリカーボ
ネート樹脂サンプルａ内の各粒径区分における異物個数
を測定した結果、全異物の異物強度が３．５×１０⁵μ
ｍ²／ｇ、粒径１．１μｍ以下の異物の異物強度が１．
５×１０⁵μｍ²／ｇであり、粒径が５μｍを超え２０μ
ｍ以下の異物が１００個／ｇであり、２０μｍを超え４
０μｍ以下の異物が５０個／ｇ以下であり、４０μｍを
超え６０μｍ以下の異物が１０個／ｇ以下であり、６０
μｍを超え１２０μｍ以下の異物が１個／ｇであり、１
２０μｍを超え１７０μｍ以下の異物が１個／ｇであ
り、１７０μｍ以上の異物が１個／ｋｇ未満であった。

【００４７】なお、このサンプルａの作成に使用したポ
リカーボネート樹脂は、２価フェノールとしてビスフェ
ノールＡを用いて製造された樹脂であり、その粘度平均
分子量は１５，２００であった。

【００４８】［サンプル作成例２］上記ポリカーボネー
ト樹脂サンプルａに所定の大きさの異物を添加すること
によりポリカーボネート樹脂サンプルｂを調製した。こ
のサンプルの液体微粒子カウンター（ＨＩＡＣ−ＲＯＹ
ＣＯ社製）を用いて測定した異物強度及び異物個数を表
１に示す。

【００４９】［サンプル作成例３］上記ポリカーボネー
ト樹脂サンプルａに所定の大きさの異物を添加すること
によりポリカーボネート樹脂サンプルｃを調製した。こ
のサンプルの液体微粒子カウンター（ＨＩＡＣ−ＲＯＹ
ＣＯ社製）を用いて測定した異物強度及び異物個数を表
１に示す。

【００５０】［サンプル作成例４］上記ポリカーボネー
ト樹脂サンプルａに所定の大きさの異物を添加すること
によりポリカーボネート樹脂サンプルｄを調製した。こ
のサンプルの液体微粒子カウンター（ＨＩＡＣ−ＲＯＹ
ＣＯ社製）を用いて測定した異物強度及び異物個数を表
１に示す。

【００５１】［サンプル作成例５］上記ポリカーボネー
ト樹脂サンプルａに所定の大きさの異物を添加すること
によりポリカーボネート樹脂サンプルｅを調製した。こ
のサンプルの液体微粒子カウンター（ＨＩＡＣ−ＲＯＹ
ＣＯ社製）を用いて測定した異物強度及び異物個数を表
１に示す。

【００５２】［サンプル作成例６］上記ポリカーボネー
ト樹脂サンプルａに所定の大きさの異物を添加すること
によりポリカーボネート樹脂サンプルｆを調製した。こ
のサンプルの液体微粒子カウンター（ＨＩＡＣ−ＲＯＹ
ＣＯ社製）を用いて測定した異物強度及び異物個数を表
１に示す。

【００５３】［サンプル作成例７］上記ポリカーボネー
ト樹脂サンプルａに所定の大きさの異物を添加すること
によりポリカーボネート樹脂サンプルｇを調製した。こ
のサンプルの液体微粒子カウンター（ＨＩＡＣ−ＲＯＹ
ＣＯ社製）を用いて測定した異物強度及び異物個数を表
１に示す。

【００５４】［サンプル作成例８］液体微粒子カウンタ
ー（ＨＩＡＣ−ＲＯＹＣＯ社製）を用いて、ポリカーボ
ネート樹脂サンプルＸ内の各粒径区分における異物個数
を測定した結果、全異物の異物強度が１．７×１０⁷μ
ｍ²／ｇ、粒径１．１μｍ以下の異物の異物強度が１．
１×１０⁵μｍ²／ｇであり、粒径が５μｍを超え２０μ
ｍ以下の異物が１００個／ｇであり、２０μｍを超え４
０μｍ以下の異物が５０個／ｇ以下であり、４０μｍを
超え６０μｍ以下の異物が１０個／ｇ以下であり、６０
μｍを超え１２０μｍ以下の異物が１個／ｇであり、１
２０μｍを超え１７０μｍ以下の異物が１個／ｇであ
り、１７０μｍ以上の異物が１個／ｋｇ未満であった。

【００５５】なお、このサンプルＸの作成に使用したポ
リカーボネート樹脂は、２価フェノールとしてビスフェ
ノールＡを用いて製造された樹脂であり、その粘度平均
分子量は１５，２００であった。

【００５６】［サンプル作成例９］上記ポリカーボネー
ト樹脂サンプルＸに所定の大きさの異物を添加すること
によりポリカーボネート樹脂サンプルｈを調製した。こ
のサンプルの液体微粒子カウンター（ＨＩＡＣ−ＲＯＹ
ＣＯ社製）を用いて測定した異物強度及び異物個数を表
１に示す。

【００５７】［サンプル作成例１０］上記ポリカーボネ
ート樹脂サンプルＸに所定の大きさの異物を添加するこ
とによりポリカーボネート樹脂サンプルｉを調製した。
このサンプルの液体微粒子カウンター（ＨＩＡＣ−ＲＯ
ＹＣＯ社製）を用いて測定した異物強度及び異物個数を
表１に示す。

【００５８】［サンプル作成例１１］上記ポリカーボネ
ート樹脂サンプルＸに所定の大きさの異物を添加するこ
とによりポリカーボネート樹脂サンプルｊを調製した。
このサンプルの液体微粒子カウンター（ＨＩＡＣ−ＲＯ
ＹＣＯ社製）を用いて測定した異物強度及び異物個数を
表１に示す。

【００５９】［サンプル作成例１２］上記ポリカーボネ
ート樹脂サンプルＸに所定の大きさの異物を添加するこ
とによりポリカーボネート樹脂サンプルｋを調製した。
このサンプルの液体微粒子カウンター（ＨＩＡＣ−ＲＯ
ＹＣＯ社製）を用いて測定した異物強度及び異物個数を
表１に示す。

【００６０】［サンプル作成例１３］上記ポリカーボネ
ート樹脂サンプルＸに所定の大きさの異物を添加するこ
とによりポリカーボネート樹脂サンプルｌを調製した。
このサンプルの液体微粒子カウンター（ＨＩＡＣ−ＲＯ
ＹＣＯ社製）を用いて測定した異物強度及び異物個数を
表１に示す。

【００６１】［サンプル作成例１４］上記ポリカーボネ
ート樹脂サンプルＸに所定の大きさの異物を添加するこ
とによりポリカーボネート樹脂サンプルｍを調製した。
このサンプルの液体微粒子カウンター（ＨＩＡＣ−ＲＯ
ＹＣＯ社製）を用いて測定した異物強度及び異物個数を
表１に示す。

【００６２】実施例１サンプルａを原料にデータ基板とダミー基板の射出成形
を、名機製作所（株）製Ｍ３５Ｂ−Ｄ−ＤＭと情報信号
に対応した凹凸形状を持つスタンパーが設置された厚さ
０.６ｍｍ、直径１２０ｍｍのキャビティを持つ金型で
行った。次にデータ基板にのみ、Ａｌ反射膜を成膜し
た。次にデータ基板とダミー基板を紫外線接着剤を介し
て重ね合わせ、石英板ではさみつつ、上下からメタルハ
ライドランプで、紫外線を照射し、紫外線硬化型樹脂の
接着剤を硬化させる事により貼り合わせた。このディス
クのバーストエラーを測定した後、温度８０℃、湿度８
５％ＲＨの高温高湿条件下に、５００時間放置して加速
劣化実験を行ない、その後のバーストエラーを測定した
が、バーストエラーは加速劣化試験前後ともに発生しな
かった。

【００６３】実施例２サンプルｂを原料に上記と同様な方法でディスクを成形
した。このディスクのバーストエラーを測定したとこ
ろ、バーストエラーは発生していなかった。

【００６４】実施例３サンプルｃを原料に上記と同様な方法でディスクを成形
した。このディスクのバーストエラーを測定したとこ
ろ、バーストエラーは発生していなかった。

【００６５】実施例４サンプルｄを原料に上記と同様な方法でディスクを成形
した。このディスクのバーストエラーを測定したとこ
ろ、バーストエラーは発生していなかった。

【００６６】実施例５サンプルｅを原料に上記と同様な方法でディスクを成形
した。このディスクのバーストエラーを測定したとこ
ろ、バーストエラーは発生していなかった。

【００６７】実施例６サンプルｆを原料に上記と同様な方法でディスクを成形
した。このディスクのバーストエラーを測定したとこ
ろ、バーストエラーは発生していなかった。

【００６８】実施例７サンプルｇを原料に上記と同様な方法でディスクを成形
した。このディスクのバーストエラーを測定したとこ
ろ、バーストエラーは発生していなかった。

【００６９】比較例１サンプルｈを原料に上記と同様な方法でディスクを成形
した。このディスクのバーストエラーを測定したとこ
ろ、バーストエラーが発生した。

【００７０】比較例２サンプルｉを原料に上記と同様な方法でディスクを成形
した。このディスクのバーストエラーを測定したとこ
ろ、バーストエラーが発生した。

【００７１】比較例３サンプルｊを原料に上記と同様な方法でディスクを成形
した。このディスクのバーストエラーを測定したとこ
ろ、バーストエラーが発生した。

【００７２】比較例４サンプルｋを原料に上記と同様な方法でディスクを成形
した。このディスクのバーストエラーを測定したとこ
ろ、バーストエラーが発生した。

【００７３】比較例５サンプルｌを原料に上記と同様な方法でディスクを成形
した。このディスクのバーストエラーを測定したとこ
ろ、バーストエラーが発生した。

【００７４】比較例６サンプルｍを原料に上記と同様な方法でディスクを成形
した。このディスクのバーストエラーを測定したとこ
ろ、バーストエラーが発生した。

【００７５】

【表１】

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】（１）全異物の異物強度が２×１０⁵〜
８×１０⁶μｍ²／ｇ、（２）粒径１．１μｍ以下の異物の異物強度が２×１０
⁴〜２×１０⁶μｍ²／ｇ（３）粒径が２０μｍを超え４０μｍ以下の異物が３，
０００個／ｇ以下且つ（４）粒径が１２０μｍを超え１７０μｍ以下の異物が
７個／ｇ以下を満足する透明熱可塑性樹脂から形成された光ディスク
基板。
【請求項２】（１）全異物の異物強度が２×１０⁵〜
８×１０⁶μｍ²／ｇ、（２）粒径１．１μｍ以下の異物の異物強度が２×１０
⁴〜２×１０⁶μｍ²／ｇ（３）粒径が５μｍを超え２０μｍ以下の異物が４０，
０００個／ｇ以下（４）粒径が２０μｍを超え４０μｍ以下の異物が３，
０００個／ｇ以下（５）粒径が４０μｍを超え６０μｍ以下の異物が４０
０個／ｇ以下（６）粒径が６０μｍを超え１２０μｍ以下の異物が１
０個／ｇ以下且つ（７）粒径が１２０μｍを超え１７０μｍ以下の異物が
７個／ｇ以下を満足する透明熱可塑性樹脂から形成された光ディスク
基板。
【請求項３】熱可塑性樹脂は粒径が１７０μｍを超え
る異物が１個／ｋｇ未満である請求項１または２記載の
光ディスク基板。
【請求項４】透明熱可塑性樹脂は全異物の異物強度が
４×１０⁵〜８×１０⁶μｍ²／ｇである請求項１または
２記載の光ディスク基板。
【請求項５】透明熱可塑性樹脂は、粒径１．１μｍ以
下の異物の異物強度が３×１０⁴〜２×１０⁶μｍ²／ｇ
である請求項１または２記載の光ディスク基板。
【請求項６】透明熱可塑性樹脂は、粒径が５μｍを超
え２０μｍ以下の異物が２０，０００個／ｇ以下である
請求項１または２記載の光ディスク基板。
【請求項７】透明熱可塑性樹脂は、粒径が２０μｍを
超え４０μｍ以下の異物が２，５００個／ｇ以下である
請求項１または２記載の光ディスク基板。
【請求項８】透明熱可塑性樹脂は、粒径が４０μｍを
超え６０μｍ以下の異物が３５０個／ｇ以下である請求
項１または２記載の光ディスク基板。
【請求項９】透明熱可塑性樹脂がポリカーボネート樹
脂である請求項１または２記載の光ディスク基板。
【請求項１０】光ディスク基板がＣＤ基板である請求
項１または２のいずれかに記載された光ディスク基板。
【請求項１１】光ディスク基板がＤＶＤ基板である請
求項１または２のいずれかに記載された光ディスク基
板。
【請求項１２】上記請求項１または２のいずれかに記
載の光デイスク基板に少なくとも一層の情報記録層を形
成した光デイスク。