JP2003045075A

JP2003045075A - ディスク構造体

Info

Publication number: JP2003045075A
Application number: JP2001231526A
Authority: JP
Inventors: Masato Sato; 正人佐藤
Original assignee: Teijin Chemicals Ltd
Current assignee: Teijin Ltd
Priority date: 2001-07-31
Filing date: 2001-07-31
Publication date: 2003-02-14

Abstract

(57)【要約】【課題】廉価もしくは環境に優しい光ディスク構造体
を提供する。【解決手段】粒径０.５μｍ以上１.０μｍ未満の異物
が３０,０００個／ｇ以下であり、５０μｍ以上の異物
が１個／Ｋｇ以下である樹脂よりなる０.３〜０.９ｍｍ
厚のディスク基板［Ａ］と、粒径０.５μｍ以上１.０μ
ｍ未満の異物が前記ディスク基板［Ａ］より多いが２
０,０００,０００個／ｇ以下であり、１００μｍ以上の
異物が１個／Ｋｇ以下でありかつ７８０ｎｍにおける光
線透過率が８０％以上である樹脂よりなる０.９〜０.３
ｍｍ厚のディスク基板［Ｂ］との貼り合わせ構造であ
り、基板［Ａ］の基板［Ｂ］側とは反対側の面にコンパ
クト・ディスク・ファミリーの記録層を持つ、全体の基
板の厚さが大略１.２ｍｍであるディスク構造体。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する分野】本発明は２枚以上のディスク基板
を貼り合わせた光ディスクに関し、さらに詳しくは廉価
な光ディスク、もしくは、リサイクル素材を利用するこ
とができる環境に優しい貼り合わせ光ディスクに関す
る。

【０００２】

【従来の技術】従来、特開昭６１−９０３４５号公報や
特開昭６３−９１２３１号公報等に記載されている様
に、光ディスクに使用される樹脂は、異物数が少ない方
がビットエラーレートやＣ／Ｎ比が良好であることが知
られており、樹脂中の異物を低減するため原料の精製過
程や造粒過程等においてフィルターを用いた異物の除去
等が行われている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、樹脂の
コストダウンやリサイクル素材の利用を考えた場合、異
物量を必要以上に減らすのは製造プロセスを複雑にし、
またフィルター費用等によるコストアップにつながり得
策ではない。本発明は必要以上に異物量を低減せずに、
しかも十分な信号特性を有するディスク構造体を提供す
ることを目的とする。

【０００４】

【課題を解決するための手段】そこで、本発明者は、前
記目的を達成するため鋭意検討したところ、近年のマス
タリング技術、成形技術、製膜技術等の進歩とＣＤにお
けるエラー訂正能力により、エラーに及ぼす異物の影響
は小さいことが判明し、また、信号面からおよそ０.３
８ｍｍ以上離れた位置に存在する粒径が１００μｍ未満
の異物は記録の読み取りエラーにほとんど影響を与えな
いことが判明した。

【０００５】しかして本発明の目的は、粒径０.５μ
ｍ以上１.０μｍ未満の異物が３０,０００個／ｇ以下で
あり、５０μｍ以上の異物が１個／Ｋｇ以下である樹脂
よりなる０.３〜０.９ｍｍ厚のディスク基板［Ａ］と、
粒径０.５μｍ以上１.０μｍ未満の異物が前記ディスク
基板［Ａ］より多いが２０,０００,０００個／ｇ以下で
あり、１００μｍ以上の異物が１個／Ｋｇ以下でありか
つ７８０ｎｍにおける光線透過率が８０％以上である樹
脂よりなる０.９〜０.３ｍｍ厚のディスク基板［Ｂ］と
の貼り合わせ構造であり、基板［Ａ］の基板［Ｂ］側と
は反対側の面にコンパクト・ディスク・ファミリーの記
録層を持つ、全体の基板の厚さが大略１.２ｍｍである
ディスク構造体により達成される。以下本発明の光ディ
スクについてさらに詳細に説明する。

【０００６】本発明の光ディスクは二枚の基板を積層し
た構造であり、図１により示されるように、いわゆる貼
り合わせディスクに該当する。すなわち本発明の貼り合
わせ光ディスクの基板はディスク基板［Ａ］とディスク
基板［Ｂ］より構成される。ディスク基板［Ａ］は粒径
０.５μｍ以上１.０μｍ未満の異物が３０,０００個／
ｇ以下であり、５０μｍ以上の異物が１個／Ｋｇ以下で
あればよく、ディスク基板［Ｂ］は粒径０.５μｍ以上
１.０μｍ未満の異物が前記ディスク基板［Ａ］より多
いが２０,０００,０００個／ｇ以下、好ましくは１０,
０００,０００個／ｇ以下であり、１００μｍ以上の異
物が１個／Ｋｇ以下であればよい。

【０００７】またディスク基板［Ｂ］を形成する樹脂
は、波長７８０ｎｍにおける光線透過率が８０％以上、
好ましくは８５％以上である。さらにディスク基板
［Ａ］を形成する樹脂も、波長７８０ｎｍにおける光線
透過率が８０％以上、特に８５％以上であることが望ま
しい。

【０００８】ディスク基板は［Ａ］および［Ｂ］のいず
れも芳香族ポリカーボネート樹脂、ポリメチルメタクリ
レート樹脂、非晶性環状ポリオレフィン樹脂等が使用さ
れている。上記芳香族ポリカーボネート樹脂は、通常熱
可塑性の芳香族ポリカーボネート樹脂成形品として使用
されるものであればよく、一般に２価フェノールとカー
ボネート前駆体とを例えば界面重合法あるいは溶融重合
法等により反応させて製造され、いずれの方法によって
得られたものであっても同じように使用することができ
る。

【０００９】この芳香族ポリカーボネート樹脂の製造に
使用される２価フェノールの代表的な例としては、ハイ
ドロキノン、レゾルシノール、４,４’−ジヒドロキシ
ジフェニル、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、
１,１−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）エタン、２,
２−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）プロパン［通称
ビスフェノールＡ］、２,４−ビス−（４−ヒドロキシ
フェニル）−２−メチルブタン、１,１−ビス−（４−
ヒドロキシフェニル）−シクロヘキサン、１,１−ビス
−（４−ヒドロキシフェニル）−３,３,５−トリメチル
シクロヘキサン、α,α’−ビス−（４−ヒドロキシフ
ェニル）−ｏ−ジイソプロピルベンゼン、α,α’−ビ
ス−（４−ヒドロキシフェニル）−ｍ−ジイソプロピル
ベンゼン、α,α’−ビス−（４−ヒドロキシフェニ
ル）−ｐ−ジイソプロピルベンゼン、２,２−ビス−
（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）−プロパン、
２,２−ビス−（３−クロロ−４−ヒドロキシフェニ
ル）−プロパン、ビス−（３,５−ジメチル−４−ヒド
ロキシフェニル）−メタン、２,２−ビス−（３,５−ジ
メチル−４−ヒドロキシフェニル）−プロパン、２,４
−ビス−（３,５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニ
ル）−２−メチルブタン、１,１−ビス−（３,５−ジメ
チル−４−ヒドロキシフェニル）−シクロヘキサン、
１,１−ビス−（３,５−ジメチル−４−ヒドロキシフェ
ニル）−３,３,５−トリメチルシクロヘキサン、α,
α’−ビス−（３,５−ジメチル−４−ヒドロキシフェ
ニル）−ｏ−ジイソプロピルベンゼン、α,α’−ビス
−（３,５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）−ｍ
−ジイソプロピルベンゼン、α,α’−ビス−（３,５−
ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）−ｐ−ジイソプロ
ピルベンゼン、２,２−ビス−（３,５−ジクロロ−４−
ヒドロキシフェニル）−プロパン、２,２−ビス−（３,
５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）−プロパン、
ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−スルホン、ビス−
（４−ヒドロキシフェニル）−サルファイド、ビス−
（４−ヒドロキシフェニル）−エーテル、ビス−（４−
ヒドロキシフェニル）−ケトンおよびビス−（４−ヒド
ロキシフェニル）−スルホキシド等が挙げられ、これら
は単独または２種以上を混合して使用できる。

【００１０】なかでもビスフェノールＡの単独重合体や
ビスフェノールＡ、１,１−ビス−（４−ヒドロキシフ
ェニル）−シクロヘキサン、１,１−ビス−（４−ヒド
ロキシフェニル）−３,３,５−トリメチルシクロヘキサ
ン、α,α’−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−ｍ
−ジイソプロピルベンゼン、２,２−ビス−（３−メチ
ル−４−ヒドロキシフェニル）−プロパン、２,２−ビ
ス−（３,５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）−
プロパン、２,２−ビス−（３,５−ジクロロ−４−ヒド
ロキシフェニル）−プロパンおよび２,２−ビス−（３,
５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）−プロパンか
ら選ばれた少なくとも２種以上のビスフェノールより得
られる共重合体、特に１,１−ビス−（４−ヒドロキシ
フェニル）−３,３,５−トリメチルシクロヘキサンとビ
スフェノールＡ、α,α’−ビス−（４−ヒドロキシフ
ェニル）−ｍ−ジイソプロピルベンゼンまたは２,２−
ビス−（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）−プロ
パンとの共重合体が好ましく使用される。なかでもコス
ト面からビスフェノールＡが最も好ましい。

【００１１】また、カーボネート前駆体としては、カル
ボニルハライド、カーボネートエステルまたはハロホル
メート等が挙げられ、具体的にはホスゲン、ジフェニル
カーボネート、２価フェノールのジハロホルメートおよ
びそれらの混合物等である。ポリカーボネート樹脂を製
造するにあたり、適当な分子量調節剤、分岐剤、反応を
促進するための触媒等も通常の方法に従って使用でき
る。かくして得られた芳香族ポリカーボネート樹脂の２
種以上を混合しても差し支えない。

【００１２】また、上記ポリメチルメタクリレート樹脂
は、メタクリル酸メチルモノマーを主原料として、これ
を重合して得られる樹脂である。光学用途としては、通
常単独重合体が用いられるが、他の共重合可能なモノマ
ー、具体的にはアクリル酸メチル、アクリル酸エチル、
アクリル酸プロピル、アクリル酸ブチル等のアクリル酸
エステルやメタクリル酸エチル、メタクリル酸プロピ
ル、メタクリル酸ブチル等のメタクリル酸エステルを１
０モル％以下共重合させたものも使用することができ
る。その際の重合方法は、特に制限されず、塊状重合、
懸濁重合、溶液重合または乳化重合等の製造方法が用い
られる。

【００１３】また、上記非晶性環状ポリオレフィン樹脂
としては、例えばノルボルネン系モノマーの開環重合体
の水素添加物が挙げられる。かかるノルボルネン系モノ
マーとしては、例えばノルボルネン、ジメタノオクタヒ
ドロナフタレン、トリメタノドデカヒドロアントラセン
およびそれらのアルキル置換体やアルキリデン置換体、
ジシクロペンタジエン、２,３−ジヒドロジシクロペン
タジエン、ジメタノオクタヒドロベンゾインデン、ジメ
タノデカヒドロベンゾインデン、ジメタノデカヒドロフ
ルオレンおよびそれらのアルキル置換体等を挙げること
ができる。また、ハロゲン原子、エステル型残基、エー
テル型残基、シアノ基等の極性の置換基を有するもので
あってもよい。これらの中でも、２官能以上のものは射
出成形が困難となり、１官能のものが好ましく使用され
る。

【００１４】これらのノルボルネン系モノマーは、それ
ぞれ単独で使用してもよいが、２種以上組合せて使用す
ることもできる。また、共重合成分として、他のシクロ
オレフィン類、例えばシクロプロペン、シクロブテン、
シクロペンテン、シクロヘプテン、シクロオクテン、
５,６−ジヒドロジシクロペンタジエン等を通常３０重
量％以下の範囲で用いることができる。また、分子量調
節剤として、非環式オレフィンを用いてもよく、その中
でも、特に１−ブテン、１−ペンテン、１−ヘキセン等
のα−オレフィンが好ましい。

【００１５】ノルボルネン系モノマーの開環重合体は、
通常のノルボルネン類の重合法により製造されるが、重
合触媒としては、周知のメタセシス触媒を使用すること
が好ましい。メタセシス触媒としては、四ハロゲン化チ
タン等の遷移金属化合物と有機アルミニウム化合物等の
有機金属を含む触媒系あるいはこれに脂肪族または芳香
族第三級アミン等の第三成分を組合せた触媒系が好まし
い。

【００１６】開環重合は、溶媒を用いなくても可能であ
るが、通常はベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族
炭化水素、ヘキサン、ヘプタン等の脂肪族炭化水素、シ
クロヘキサン等の脂環族炭化水素、ジクロルエタン等の
ハロゲン化炭化水素等の不活性有機溶媒中で実施され
る。また、通常重合温度は、−２０℃〜１００℃、重合
圧力は０〜５０ｋｇ／ｃｍ²以下の範囲から選択され
る。

【００１７】ノルボルネン系モノマーの開環重合体は、
その水素添加物を光学用透明基板の材料とするために
は、ガラス転移温度（Ｔｇ）が１２０〜２００℃である
ことが望ましい。ノルボルネン系モノマーの開環重合体
の水素添加物は、周知の水素添加触媒を使用することに
より製造される。使用される水添触媒としては、オレフ
ィン化合物の水素化に際して一般に使用されているもの
であれば使用可能であり、例えばウィルキンソン錯体、
酢酸コバルト／トリエチルアルミニウム、ニッケルアセ
チルアセトナート／トリイソブチルアルミニウム、パラ
ジウム−カーボン、ルチニウム−カーボン、ニッケル−
けいそう土等を挙げることができる。

【００１８】水素化反応は、触媒の種類により均一系ま
たは不均一系で、１〜２００気圧の水素圧下、０〜２５
０℃の温度で行われる。水素添加率は、耐熱劣化性、耐
光劣化性等の観点から、９５％以上が好ましく、９９％
以上とすることが特に好ましい。また、ノルボルネン系
モノマーの付加重合体も非晶性環状ポリオレフィン樹脂
の例として挙げられ、ノルボルネン系モノマーの単独重
合体も使用されるが、エチレンを共重合させた共重合体
が好ましく使用される。かかるノルボルネン系モノマー
としては、前述のものと同様のものが用いられる。

【００１９】前記した透明樹脂、殊にポリカーボネート
樹脂を使用してディスク基板［Ａ］あるいはディスク基
板［Ｂ］を得るに当っては、射出成形、射出圧縮成形等
の通常の条件や手段が採用できる。

【００２０】ディスク基板［Ａ］の一方の面（基板
［Ｂ］と反対の面）にはコンパクト・ディスク・ファミ
リーの記録層が形成される。その記録層は再生専用（Ｒ
ＯＭ）型の記録層であってもユーザによって任意情報が
書き込める追記（Ｒ）型または書き換え（ＲＷ）型の記
録層であってもよい。例えば再生専用型の記録層であれ
ば、スタンパーにより形成された記録すべきデータを凹
凸で表すピットの上に、スパッタリング等の気相めっき
法により反射膜としてＡｌ、Ａｌ合金、Ａｕ等の金属膜
反射膜を形成することで構成される。追記型の記録層で
あれば、シアニン系や、フタロシアニン系、アゾ系の有
機色素材料をスピンコート法等により塗布され、Ａｕ、
Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ等の金属膜あるいはこれらの合金膜が
スパッタリング等により光干渉層として形成されること
により構成される。書き換え型の記録層であれば、Ｇｅ
ＳｂＴｅ系やＡｇＩｎＳｂＴｅ系等の相変化材料やＴｂ
ＦｅＣｏ系等の光磁気材料がスパッタリング等により形
成され、ＳｉＯ_X、ＺｎＯ、ＳｎＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、ＴｉＯ
₂、Ｉｎ₂Ｏ₃、ＭｇＯ、ＺｒＯ₂、Ｔａ₂Ｏ₅等の金属酸化
物、Ｓｉ₃Ｎ₄、ＡｌＮ、ＴｉＮ、ＢＮ、ＺｒＮ等の窒化
物、ＺｎＳ、ＴａＳ₄等の硫化物、ＳｉＣ、ＴａＣ、Ｗ
Ｃ、ＴｉＣ、ＺｒＣ等の炭化物の単体あるいは混合物が
スパッタリング等により誘電体層（保護層）として形成
され、さらにＡｌ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｓｎ、Ｚ
ｎ、Ｉｎ、Ｐｄ、Ｚｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｇ
ｅ、Ｓｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｔｉ、Ｐｂ等の金属を中心とした
材料の単体あるいは混合物がスパッタリング等により反
射放熱層として形成されされることにより構成される。

【００２１】ディスク基板［Ａ］上の記録層は紫外線硬
化樹脂等で保護しても良い。該紫外線硬化樹脂の材料と
しては、ラジカル重合可能な液状のモノマーやオリゴマ
ー、アクリル酸エステル、光重合開始剤からなり、必要
であれば、増感剤、熱重合禁止剤、酸化防止剤等を配合
することも出来る。該紫外線硬化樹脂はスピンコート法
等で塗布した後、一般には波長が３００ｎｍ〜４５０ｎ
ｍの紫外線によって硬化させて保護層とする。

【００２２】また、ディスク基板［Ｂ］を形成する樹脂
は、コンパクト・ディスク（ＣＤ）、コンパクト・ディ
スク・レコーダブル（ＣＤ−Ｒ）、コンパクト・ディス
ク・リライタブル（ＣＤ−ＲＷ）等の光ディスクから、
記録膜や保護膜を剥離あるいは溶解・粉砕した後、溶融
押出しをして、再ペレット化した樹脂を使用することが
出来る。このようにして作成されたディスク基板［Ａ］
とディスク基板［Ｂ］とは、例えば紫外線硬化樹脂の接
着層を介して互いに貼り合わせることが出来る。

【００２３】ディスクを貼り合せる時に使用する紫外線
硬化樹脂は、ラジカル重合可能な液状のモノマーやオリ
ゴマー、光重合開始剤からなり、必要であれば、増感
剤、熱重合禁止剤、酸化防止剤等を配合することも出来
る。該紫外線硬化樹脂は一般には波長が３００ｎｍ〜４
５０ｎｍの紫外線によって硬化する。

【００２４】

【実施例】以下、実施例を示し、本発明を具体的に説明
する。なお、例中の各物性は、次の方法で測定したもの
である。１.異物サイズと個数ディスク基板［Ａ］、ディスク基板［Ｂ］を成形する際
に使用した同Ｌｏｔのペレットを、予め０.０５μｍの
フィルターで濾過した塩化メチレンに溶解させ、この試
料をレーザー光を利用した光散乱／光遮断方式による液
体微粒子カウンター（ＨＩＡＣＲＯＹＣＯ社製）に通
液し、該ペレット中に含まれる異物のサイズ毎の個数を
測定した。２.ブロック・エラー・レート（ＢＬＥＲ）ＡＵＤＩＯＤＥＶＥＬＯＰＭＥＮＴ社製ＣＤＣＡ
ＴＳＳＡ−３にてブロック・エラー・レート（ＢＬＥ
Ｒ）測定とバーストエラー発生の有無の確認を行った。３.光線透過率日立製作所製Ｕ−３４００形自記分光光度計を用い
て光線透過率を測定した。

【００２５】実施例１粒径０.５μｍ以上１.０μｍ未満の異物が１２,０００
個／ｇであり、５０μｍ以上の異物が１個／Ｋｇ以下で
あるポリカーボネートを用い、トラックピッチ１.６０
μｍ、溝深さ１１０ｎｍでＣＤフォーマットに準拠した
信号の入ったピットを持つスタンパーが設置された厚さ
０.６ｍｍ、直径１２０ｍｍのキャビティを持つ金型を
具備した（株）名機製作所製射出成形機Ｍ−３５Ｂ−Ｄ
−ＤＭを用いて、シリンダー温度３７５℃、金型温度９
０℃にてディスク基板［Ａ］を成形した。この基板上に
厚さ７０ｎｍのＡｌ金属層をスパッタリングで形成し、
コンパクト・ディスクの記録層を形成し、この記録層を
スピンコート法で厚さ１０μｍの紫外線硬化樹脂を塗布
した後、紫外線照射により硬化させ、保護層とした。

【００２６】また、粒径０.５μｍ以上１.０μｍ未満の
異物が１０,０００,０００個／ｇであり、５０μｍ以上
の異物が３０個／Ｋｇであり、１００μｍ以上の異物が
１個／Ｋｇ以下であり、かつ７８０ｎｍにおける光線透
過率が９０.４％であるポリカーボネートを用い、信号
の入っていない鏡面スタンパーが設置された厚さ０.６
ｍｍ、直径１２０ｍｍのキャビティを持つ金型を具備し
た前記成形機を用いて、シリンダー温度３７５℃、金型
温度９０℃にて成形した。成形してから１日後に紫外
線硬化樹脂を用いて基板［Ａ］の鏡面と基板［Ｂ］の鏡
面とを貼り合わせ、ディスク構造体を作成した。このデ
ィスクのＢＬＥＲを１０枚測定したところ、ＢＬＥＲの
Ｍａｘ値の平均は２３.９であった。

【００２７】比較例１粒径０.５μｍ以上１.０μｍ未満の異物が１２,０００
個／ｇであり、５０μｍ以上の異物が１個／Ｋｇ以下で
あるポリカーボネートを用い、トラックピッチ１.６０
μｍ、溝深さ１１０ｎｍでＣＤフォーマットに準拠した
信号の入ったピットを持つスタンパーが設置された厚さ
１.２ｍｍ、直径１２０ｍｍのキャビティを持つ金型を
具備した前記成形機を用いてシリンダー温度３４０℃、
金型温度６８度℃にてディスク基板を作成した。この基
板上に７０ｎｍのＡｌ金属層をスパッタリングで形成
し、コンパクト・ディスクの記録層を形成し、この記録
層をスピンコート法で２００μｍの紫外線硬化樹脂を塗
布した後、紫外線照射により硬化させ、保護層とし、デ
ィスク構造体を作成した。このディスクのＢＬＥＲを１
０枚測定したところ、ＢＬＥＲのＭａｘ値の平均は２
２.２であった。

【００２８】比較例２粒径０.５μｍ以上１.０μｍ未満の異物が１２,０００
個／ｇであり、５０μｍ以上の異物が１個／Ｋｇ以下で
あるポリカーボネートよりなるコンパクト・ディスクの
記録層を持つ０.６ｍｍ厚のディスク基板［Ａ］と、デ
ィスク基板［Ａ］と同じ異物量のポリカーボネートより
なる記録層を持たない０.６ｍｍ厚のディスク基板
［Ｂ］を実施例１と同じ方法で成形、スパッタリング、
保護膜形成、および、貼り合わせをし、ディスク構造体
を作成した。このディスクのＢＬＥＲを１０枚測定した
ところ、ＢＬＥＲのＭａｘ値の平均は２２.８であっ
た。

【００２９】比較例３粒径０.５μｍ以上１.０μｍ未満の異物が１０,０００,
０００個／ｇであり、５０μｍ以上の異物が５０個／Ｋ
ｇであり、１００μｍ以上の異物が１個／Ｋｇ以下であ
りかつ７８０ｎｍにおける光線透過率が９０.４％であ
るポリカーボネートよりなるコンパクト・ディスクの記
録層を持つ１.２ｍｍ厚のディスク基板を比較例１と同
じ方法で成形、スパッタリング、および、保護膜形成を
し、ディスク構造体を作成した。このディスクのＢＬＥ
Ｒを１０枚測定したところ、ＢＬＥＲのＭａｘ値の平均
は５２.３であった。

【００３０】比較例４粒径０.５μｍ以上１.０μｍ未満の異物が１２,０００
個／ｇであり、５０μｍ以上の異物が１個／Ｋｇ以下で
あるポリカーボネートよりなるコンパクト・ディスクの
記録層を持つ０.６ｍｍ厚のディスク基板［Ａ］と、粒
径０.５μｍ以上１.０μｍ未満の異物が１０,０００,０
００個／ｇであり、５０μｍ以上の異物が３０００個／
Ｋｇであり、１００μｍ以上の異物が２００個／Ｋｇで
あるポリカーボネートよりなる記録層を持たない０.６
ｍｍ厚のディスク基板［Ｂ］を実施例１と同じ方法で成
形、スパッタリング、保護膜形成、および、貼り合わせ
をし、ディスク構造体を作成した。このディスクのＢＬ
ＥＲを１０枚測定したところ、ＢＬＥＲのＭａｘ値の平
均は２６.５であった。また、Ｅ３２エラー（バースト
エラー）が１枚のディスクで発生した。

【００３１】

【発明の効果】本発明のディスク構造体は、通常のコン
パクト・ディスク（ＣＤ）、コンパクト・ディスク・レ
コーダブル（ＣＤ−Ｒ）、コンパクト・ディスク・リラ
イタブル（ＣＤ−ＲＷ）として利用でき、廉価であり、
またリサイクル素材を利用した環境に優しいディスクと
して利用できる。

【００３２】以上の説明から明らかなように、本発明は
２枚以上のディスク基板を貼り合わせることにより、光
ディスクを廉価に、もしくは、リサイクル素材を利用し
た環境に優しい貼り合わせ光ディスクを記録再生特性を
損なうことなく提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を適用したディスク構造体の１構成例を
示した断面図である。

【符号の説明】

１保護層２記録層３ディスク基板［Ａ］４接着層５ディスク基板［Ｂ］

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】粒径０.５μｍ以上１.０μｍ未満の異物
が３０,０００個／ｇ以下であり、５０μｍ以上の異物
が１個／Ｋｇ以下である樹脂よりなる０.３〜０.９ｍｍ
厚のディスク基板［Ａ］と、粒径０.５μｍ以上１.０μ
ｍ未満の異物が前記ディスク基板［Ａ］より多いが２
０,０００,０００個／ｇ以下であり、１００μｍ以上の
異物が１個／Ｋｇ以下でありかつ７８０ｎｍにおける光
線透過率が８０％以上である樹脂よりなる０.９〜０.３
ｍｍ厚のディスク基板［Ｂ］との貼り合わせ構造であ
り、基板［Ａ］の基板［Ｂ］側とは反対側の面にコンパ
クト・ディスク・ファミリーの記録層を持つ、全体の基
板の厚さが大略１.２ｍｍであるディスク構造体。
【請求項２】ディスク基板［Ｂ］を形成する樹脂の光
線透過率が８５％以上である、請求項１記載のディスク
構造体。
【請求項３】ディスク基板［Ａ］を形成する樹脂が、
芳香族ポリカーボネート樹脂である、請求項１記載のデ
ィスク構造体。
【請求項４】ディスク基板［Ｂ］を形成する樹脂が、
芳香族ポリカーボネート樹脂である、請求項１記載のデ
ィスク構造体。