JP2003157569A - 高密度マイクロ光学ヘッド - Google Patents
高密度マイクロ光学ヘッドInfo
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Head (AREA)
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高密度マイクロ光学ヘッドの提供。
【解決手段】 光学装置は、下基板２０と上基板３０で
組成され、下基板２０は、プリズム２１、第１平面式準
直鏡２２、第１折り畳み鏡２３及び第４折り畳み鏡２４
を搭載し、上基板３０は、第２折り畳み鏡３１、第２平
面式準直鏡３２、第３折り畳み鏡３３、及び光検出器３
４を搭載し、光源４０は、機械を利用して下基板２０上
の適当な位置に接合され、短波長のレーザー光を提供
し、別に集光対物レンズ５０が、機械で下基板２０の適
当な位置に接合され、この位置に半導体平面工程技術で
円形孔が設けられている。上述の素子により高密度マイ
クロ光学ヘッドが形成される。
組成され、下基板２０は、プリズム２１、第１平面式準
直鏡２２、第１折り畳み鏡２３及び第４折り畳み鏡２４
を搭載し、上基板３０は、第２折り畳み鏡３１、第２平
面式準直鏡３２、第３折り畳み鏡３３、及び光検出器３
４を搭載し、光源４０は、機械を利用して下基板２０上
の適当な位置に接合され、短波長のレーザー光を提供
し、別に集光対物レンズ５０が、機械で下基板２０の適
当な位置に接合され、この位置に半導体平面工程技術で
円形孔が設けられている。上述の素子により高密度マイ
クロ光学ヘッドが形成される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は一種の光学ヘッドに
係り、特に、半導体平面工程技術で製造されたヘッドで
あり、読み取りヘッド体積を縮小し並びに高密度ディス
ク読み書きに応用可能な、高密度マイクロ光学ヘッドに
関する。
係り、特に、半導体平面工程技術で製造されたヘッドで
あり、読み取りヘッド体積を縮小し並びに高密度ディス
ク読み書きに応用可能な、高密度マイクロ光学ヘッドに
関する。
【０００２】
【従来の技術】光学ヘッドの機能は、レーザー光源の発
生するレーザー光をフォーカシングし、且つ焦点を生活
にディスクのデータ記録層にあって維持し、この焦点を
記録層のデータトラック中央に保持し、データ記録層に
データを書き込み、データ記録層のデータを読み取り、
及びデータ記録層のデータを消去する。ディスク保存密
度が高くなり、歩留り要求が高まり、製造コストの削減
とヘッドのマイクロ化の要求にともない、これまでのヘ
ッドは使用に耐えられなくなっている。
生するレーザー光をフォーカシングし、且つ焦点を生活
にディスクのデータ記録層にあって維持し、この焦点を
記録層のデータトラック中央に保持し、データ記録層に
データを書き込み、データ記録層のデータを読み取り、
及びデータ記録層のデータを消去する。ディスク保存密
度が高くなり、歩留り要求が高まり、製造コストの削減
とヘッドのマイクロ化の要求にともない、これまでのヘ
ッドは使用に耐えられなくなっている。
【０００３】図１は周知の光学ヘッドの光路表示図であ
る。読み取り動作実行時、光源１の発生するレーザー光
は発散光とされ、この発散光がＡ光路２Ａでプリズム３
に入射し、一部のレーザー光が反射され準直鏡４に入射
し平行光に変えられ、その後、折り畳み鏡５に入射し、
レーザー光のＡ光路２Ａが水平から上向きに変換され、
その後、集光対物レンズ６に入射し、この集光対物レン
ズ６がレーザー光を集光した後、さらにディスク７に投
射する。レーザー光はディスク７に反射された後集光対
物レンズ６及び折り畳み鏡５を経由して準直鏡４に入射
し、さらにプリズム３を経由し、一部屈折し透過しＢ光
路２Ｂに沿って光検出器８に入射する。この時、光検出
器８に入射した光信号は電気信号に変換され、該電気信
号のタイプは、ディスクデータ信号、集光誤差信号及び
トラッキングエラー信号を含み、そのうち、集光誤差信
号及びトラッキングエラー信号はサーバ回路で処理され
た後、電流が集光対物レンズ傍らの集光制御コイル９と
トラッキング制御コイル１０にフィードバックされ、集
光誤差とトラッキングエラーが修正され、こうしてディ
スク信号の正確で、エラーの無い読み取りを確保する。
る。読み取り動作実行時、光源１の発生するレーザー光
は発散光とされ、この発散光がＡ光路２Ａでプリズム３
に入射し、一部のレーザー光が反射され準直鏡４に入射
し平行光に変えられ、その後、折り畳み鏡５に入射し、
レーザー光のＡ光路２Ａが水平から上向きに変換され、
その後、集光対物レンズ６に入射し、この集光対物レン
ズ６がレーザー光を集光した後、さらにディスク７に投
射する。レーザー光はディスク７に反射された後集光対
物レンズ６及び折り畳み鏡５を経由して準直鏡４に入射
し、さらにプリズム３を経由し、一部屈折し透過しＢ光
路２Ｂに沿って光検出器８に入射する。この時、光検出
器８に入射した光信号は電気信号に変換され、該電気信
号のタイプは、ディスクデータ信号、集光誤差信号及び
トラッキングエラー信号を含み、そのうち、集光誤差信
号及びトラッキングエラー信号はサーバ回路で処理され
た後、電流が集光対物レンズ傍らの集光制御コイル９と
トラッキング制御コイル１０にフィードバックされ、集
光誤差とトラッキングエラーが修正され、こうしてディ
スク信号の正確で、エラーの無い読み取りを確保する。
【０００４】書き込み動作実行時には、含数発生器を利
用しレーザーの駆動電流を変調し、レーザー光に必要な
明暗変化を発生させる。この変調したレーザー光はプリ
ズム３と準直鏡４を経由した後、発散光から平行光に変
えられ、さらに折り畳み鏡５による反射の後、集光対物
レンズ６で集光された後に、ディスク７に投射され、光
の明暗（強弱）の違いの形成する熱効果により、ディス
ク７の材料に異なる物理変化を発生させ、ディスク７へ
の０或いは１の異なる信号書き込みの効果を達成する。
消去動作実行時には、基本的に書き込み方法と類似し、
主要な違いは、含数発生器の変調する信号の違いにあ
る。ディスク入射光の形成する熱効果によりデータ層材
料に同じ物理変化を発生させる。こうしてディスクデー
タ消去の効果を達成する。
用しレーザーの駆動電流を変調し、レーザー光に必要な
明暗変化を発生させる。この変調したレーザー光はプリ
ズム３と準直鏡４を経由した後、発散光から平行光に変
えられ、さらに折り畳み鏡５による反射の後、集光対物
レンズ６で集光された後に、ディスク７に投射され、光
の明暗（強弱）の違いの形成する熱効果により、ディス
ク７の材料に異なる物理変化を発生させ、ディスク７へ
の０或いは１の異なる信号書き込みの効果を達成する。
消去動作実行時には、基本的に書き込み方法と類似し、
主要な違いは、含数発生器の変調する信号の違いにあ
る。ディスク入射光の形成する熱効果によりデータ層材
料に同じ物理変化を発生させる。こうしてディスクデー
タ消去の効果を達成する。
【０００５】上述の周知の光学ヘッドの構造は図２に示
されるようであり、そのうち、プリズム３、準直鏡４、
折り畳み鏡５及び集光対物レンズ６は機械式精密モール
ディング加工され、その後、素子ベース１１上に接着さ
れ、上述の素子を搭載するベース１１は精密にモールデ
ィング形成され、光源１及び光検出器８は接合方式で該
ベース１１の側面に固定される。周知の光学ヘッドの各
部品はいずれも立体式構造とされ、ゆえに体積を縮小し
にくく、また組立過程で、精密位置決めを必要とする。
ゆえに、ヘッドの製造と組立ステップが煩瑣で且つ歩留
りが低い。
されるようであり、そのうち、プリズム３、準直鏡４、
折り畳み鏡５及び集光対物レンズ６は機械式精密モール
ディング加工され、その後、素子ベース１１上に接着さ
れ、上述の素子を搭載するベース１１は精密にモールデ
ィング形成され、光源１及び光検出器８は接合方式で該
ベース１１の側面に固定される。周知の光学ヘッドの各
部品はいずれも立体式構造とされ、ゆえに体積を縮小し
にくく、また組立過程で、精密位置決めを必要とする。
ゆえに、ヘッドの製造と組立ステップが煩瑣で且つ歩留
りが低い。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の主要な目的
は、周知の光学ヘッドに採用されている機械式精密加
工、位置決め及び組立が、煩瑣であるだけでなく歩留り
が悪い問題を解決することにある。
は、周知の光学ヘッドに採用されている機械式精密加
工、位置決め及び組立が、煩瑣であるだけでなく歩留り
が悪い問題を解決することにある。
【０００７】本発明のもう一つの目的は、半導体平面工
程技術及び簡単な整合接合を利用し、ディスクに読み書
きする光学ヘッドの体積をマイクロ化することにある。
程技術及び簡単な整合接合を利用し、ディスクに読み書
きする光学ヘッドの体積をマイクロ化することにある。
【０００８】本発明のさらにもう一つの目的は、高密度
ディスク読み取り可能な光学ヘッドを提供することにあ
る。
ディスク読み取り可能な光学ヘッドを提供することにあ
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、記録
媒体上のデータの読み取りとディスク（６０）へのデー
タの書き込みに用いられ、光学装置、光源（４０）及び
集光対物レンズ（５０）を具えた高密度マイクロ光学ヘ
ッドにおいて、該光学装置が、下基板（２０）と上基板
（３０）で組成され、そのうち下基板（２０）はプリズ
ム（２１）、第１平面式準直鏡（２２）、第１折り畳み
鏡（２３）、及び第４折り畳み鏡（２４）を搭載し、該
上基板（３０）は第２折り畳み鏡（３１）、第２平面式
準直鏡（３２）、第３折り畳み鏡（３３）及び光検出器
（３４）を搭載し、並びに半導体平面工程技術により以
上の部品が形成され、該光源（４０）は下基板（２０）
上の適当な位置に接合されて短波長のレーザー光を提供
し、集光対物レンズ（５０）は下基板（２０）上の適当
な位置に設けられ、上基板（３０）及び下基板（２０）
の整合接合により高密度マイクロ光学ヘッドが形成さ
れ、光源（４０）の発射するレーザー光が光学装置を経
由し、該レーザー光の長軸及び短軸が二次校正され円形
平行光とされ、さらに集光対物レンズ（５０）により集
光されて該ディスク（６０）に投射され、ディスク（６
０）の反射するレーザー光が光検出器（３４）に入射
し、光検出器（３４）がディスクデータ信号及び集光、
トラッキングエラー信号を読み取ることを特徴とする、
高密度マイクロ光学ヘッドとしている。請求項２の発明
は、前記集光対物レンズ（５０）が近接場光学レンズセ
ットとされ、近接場光ＣＤ読み取りに応用されることを
特徴とする、請求項１に記載の高密度マイクロ光学ヘッ
ドとしている。請求項３の発明は、前記第１折り畳み鏡
（２３）及び第２折り畳み鏡（３１）が４５度の傾斜鏡
面とされたことを特徴とする、請求項１に記載の高密度
マイクロ光学ヘッドとしている。請求項４の発明は、前
記集光対物レンズ（５０）が一組の平面式集光対物レン
ズセットとされ、該平面式集光対物レンズセットが、第
５折り畳み鏡（２５）、第１集光対物レンズ（２６）、
第６折り畳み鏡（２７）、第７折り畳み鏡（３５）及び
第２集光対物レンズ（３６）で組成され、該第１集光対
物レンズ（２６）、第５折り畳み鏡（２５）及び第６折
り畳み鏡（２７）が半導体平面工程技術により下基板
（２０）に形成され、別に第２集光対物レンズ（３６）
及び第７折り畳み鏡（３５）が半導体平面工程技術によ
り上基板（３０）に形成されたことを特徴とする、請求
項１に記載の高密度マイクロ光学ヘッドとしている。請
求項５の発明は、前記上基板（３０）と下基板（２０）
に、半導体平面工程技術によりフライ溝（７０）が形成
されてフライヘッドとして使用されることを特徴とす
る、請求項１に記載の高密度マイクロ光学ヘッドとして
いる。請求項６の発明は、前記上基板（３０）と下基板
（２０）に、半導体平面工程技術により平面式コイル
（８０）が形成されて光磁気ヘッドとして使用されるこ
とを特徴とする、請求項１に記載の高密度マイクロ光学
ヘッドとしている。請求項７の発明は、前記高密度マイ
クロ光学ヘッドがハードディスクフライ構造と結合され
て、集光とトラッキング機能を達成したことを特徴とす
る、請求項１に記載の高密度マイクロ光学ヘッドとして
いる。
媒体上のデータの読み取りとディスク（６０）へのデー
タの書き込みに用いられ、光学装置、光源（４０）及び
集光対物レンズ（５０）を具えた高密度マイクロ光学ヘ
ッドにおいて、該光学装置が、下基板（２０）と上基板
（３０）で組成され、そのうち下基板（２０）はプリズ
ム（２１）、第１平面式準直鏡（２２）、第１折り畳み
鏡（２３）、及び第４折り畳み鏡（２４）を搭載し、該
上基板（３０）は第２折り畳み鏡（３１）、第２平面式
準直鏡（３２）、第３折り畳み鏡（３３）及び光検出器
（３４）を搭載し、並びに半導体平面工程技術により以
上の部品が形成され、該光源（４０）は下基板（２０）
上の適当な位置に接合されて短波長のレーザー光を提供
し、集光対物レンズ（５０）は下基板（２０）上の適当
な位置に設けられ、上基板（３０）及び下基板（２０）
の整合接合により高密度マイクロ光学ヘッドが形成さ
れ、光源（４０）の発射するレーザー光が光学装置を経
由し、該レーザー光の長軸及び短軸が二次校正され円形
平行光とされ、さらに集光対物レンズ（５０）により集
光されて該ディスク（６０）に投射され、ディスク（６
０）の反射するレーザー光が光検出器（３４）に入射
し、光検出器（３４）がディスクデータ信号及び集光、
トラッキングエラー信号を読み取ることを特徴とする、
高密度マイクロ光学ヘッドとしている。請求項２の発明
は、前記集光対物レンズ（５０）が近接場光学レンズセ
ットとされ、近接場光ＣＤ読み取りに応用されることを
特徴とする、請求項１に記載の高密度マイクロ光学ヘッ
ドとしている。請求項３の発明は、前記第１折り畳み鏡
（２３）及び第２折り畳み鏡（３１）が４５度の傾斜鏡
面とされたことを特徴とする、請求項１に記載の高密度
マイクロ光学ヘッドとしている。請求項４の発明は、前
記集光対物レンズ（５０）が一組の平面式集光対物レン
ズセットとされ、該平面式集光対物レンズセットが、第
５折り畳み鏡（２５）、第１集光対物レンズ（２６）、
第６折り畳み鏡（２７）、第７折り畳み鏡（３５）及び
第２集光対物レンズ（３６）で組成され、該第１集光対
物レンズ（２６）、第５折り畳み鏡（２５）及び第６折
り畳み鏡（２７）が半導体平面工程技術により下基板
（２０）に形成され、別に第２集光対物レンズ（３６）
及び第７折り畳み鏡（３５）が半導体平面工程技術によ
り上基板（３０）に形成されたことを特徴とする、請求
項１に記載の高密度マイクロ光学ヘッドとしている。請
求項５の発明は、前記上基板（３０）と下基板（２０）
に、半導体平面工程技術によりフライ溝（７０）が形成
されてフライヘッドとして使用されることを特徴とす
る、請求項１に記載の高密度マイクロ光学ヘッドとして
いる。請求項６の発明は、前記上基板（３０）と下基板
（２０）に、半導体平面工程技術により平面式コイル
（８０）が形成されて光磁気ヘッドとして使用されるこ
とを特徴とする、請求項１に記載の高密度マイクロ光学
ヘッドとしている。請求項７の発明は、前記高密度マイ
クロ光学ヘッドがハードディスクフライ構造と結合され
て、集光とトラッキング機能を達成したことを特徴とす
る、請求項１に記載の高密度マイクロ光学ヘッドとして
いる。
【００１０】
【発明の実施の形態】図３に示されるのは、本発明の高
密度マイクロ光学ヘッドの第１実施例の構造表示図であ
る。そのうち該高密度マイクロ光学ヘッドは、ディスク
上のデータを読み取り、及びディスクへのデータの書き
込みに用いられ、それは、下基板２０及び上基板３０で
組成された光学装置と、光源４０、集光対物レンズ５０
を具えている。図４は本発明の第１実施例の下基板２０
構造表示図である。該下基板２０は、プリズム２１、第
１平面式準直鏡２２、第１折り畳み鏡２３及び第４折り
畳み鏡２４を搭載し、並びに半導体平面工程技術でこれ
らの素子が形成されてい。図５は本発明の第１実施例の
上基板の構造表示図であり、そのうち、該上基板３０
は、第２折り畳み鏡３１、第２平面式準直鏡３２、第３
折り畳み鏡３３、及び光検出器３４を搭載し、並びに半
導体平面工程技術でこれらの素子が形成されている。該
光源４０は、機械を利用して下基板２０上の適当な位置
に接合され、短波長のレーザー光を提供する。別に集光
対物レンズ５０は、機械で下基板２０の適当な位置に接
合され、この位置に半導体平面工程技術で円形孔が設け
られている。上述の素子により高密度マイクロ光学ヘッ
ドが形成される。
密度マイクロ光学ヘッドの第１実施例の構造表示図であ
る。そのうち該高密度マイクロ光学ヘッドは、ディスク
上のデータを読み取り、及びディスクへのデータの書き
込みに用いられ、それは、下基板２０及び上基板３０で
組成された光学装置と、光源４０、集光対物レンズ５０
を具えている。図４は本発明の第１実施例の下基板２０
構造表示図である。該下基板２０は、プリズム２１、第
１平面式準直鏡２２、第１折り畳み鏡２３及び第４折り
畳み鏡２４を搭載し、並びに半導体平面工程技術でこれ
らの素子が形成されてい。図５は本発明の第１実施例の
上基板の構造表示図であり、そのうち、該上基板３０
は、第２折り畳み鏡３１、第２平面式準直鏡３２、第３
折り畳み鏡３３、及び光検出器３４を搭載し、並びに半
導体平面工程技術でこれらの素子が形成されている。該
光源４０は、機械を利用して下基板２０上の適当な位置
に接合され、短波長のレーザー光を提供する。別に集光
対物レンズ５０は、機械で下基板２０の適当な位置に接
合され、この位置に半導体平面工程技術で円形孔が設け
られている。上述の素子により高密度マイクロ光学ヘッ
ドが形成される。
【００１１】下基板の製造過程は、図６から図１２に示
されるようであり、これは本発明の第１実施例の下基板
の製造フローを示す。まず、シリコン材料の下基板２０
上に第１ホトレジスト層２０１を形成し（図６）、さら
にマスクを利用し不要なホトレジストを除去して第１ウ
インドウ２０２を形成し（図７）、その後、非等方性エ
ッチングにより、二面の４５度傾斜鏡面の第１折り畳み
鏡２３及び第４折り畳み鏡２４を形成する（図８）。そ
の後、第１ホトレジスト層２０１を除去し、その後、Ｓ
ｉＮ或いはＳｉＯ2 を第１凹ウェル２０３部分に堆積さ
せ、研磨を行い（図９）、その後、さらに下基板２０上
に第２ホトレジスト層２０４を形成し（図１０）、さら
にマスクを利用して不要なホトレジストを除去して第２
ウインドウ２０５を形成し（図１１）、その後、非等方
性エッチングによりプリズム２１と第１平面式準直鏡２
２を形成する（図１２）。
されるようであり、これは本発明の第１実施例の下基板
の製造フローを示す。まず、シリコン材料の下基板２０
上に第１ホトレジスト層２０１を形成し（図６）、さら
にマスクを利用し不要なホトレジストを除去して第１ウ
インドウ２０２を形成し（図７）、その後、非等方性エ
ッチングにより、二面の４５度傾斜鏡面の第１折り畳み
鏡２３及び第４折り畳み鏡２４を形成する（図８）。そ
の後、第１ホトレジスト層２０１を除去し、その後、Ｓ
ｉＮ或いはＳｉＯ2 を第１凹ウェル２０３部分に堆積さ
せ、研磨を行い（図９）、その後、さらに下基板２０上
に第２ホトレジスト層２０４を形成し（図１０）、さら
にマスクを利用して不要なホトレジストを除去して第２
ウインドウ２０５を形成し（図１１）、その後、非等方
性エッチングによりプリズム２１と第１平面式準直鏡２
２を形成する（図１２）。
【００１２】上基板の製造過程は、図１３から図２０に
示されるようであり、これは本発明の第１実施例の上基
板の製造フローを示す。まず、シリコン材料の上基板３
０上に第３ホトレジスト層３０１を形成し（図１３）、
さらにマスクを利用し不要なホトレジストを除去して第
３ウインドウ３０２を形成し（図１４）、その後、非等
方性エッチングにより、二面の４５度傾斜鏡面の第２折
り畳み鏡３１及び第３折り畳み鏡３３を形成する（図１
５）。その後、ホトレジストを除去し、ＳｉＮ或いはＳ
ｉＯ2 を第２凹ウェル３０３部分に堆積させ、研磨を行
い（図１６）、その後、さらに上基板３０上に第４ホト
レジスト層３０４を形成し（図１７）、さらにマスクを
利用して不要なホトレジストを除去して第４ウインドウ
３０５を形成し（図１８）、その後、非等方性エッチン
グにより第２平面式準直鏡３２を形成し（図１９）、そ
の後、エピタキシャル、エッチング及びイオンレイアウ
ト等の方式を利用し、光検出器３４を形成する（図２
０）。
示されるようであり、これは本発明の第１実施例の上基
板の製造フローを示す。まず、シリコン材料の上基板３
０上に第３ホトレジスト層３０１を形成し（図１３）、
さらにマスクを利用し不要なホトレジストを除去して第
３ウインドウ３０２を形成し（図１４）、その後、非等
方性エッチングにより、二面の４５度傾斜鏡面の第２折
り畳み鏡３１及び第３折り畳み鏡３３を形成する（図１
５）。その後、ホトレジストを除去し、ＳｉＮ或いはＳ
ｉＯ2 を第２凹ウェル３０３部分に堆積させ、研磨を行
い（図１６）、その後、さらに上基板３０上に第４ホト
レジスト層３０４を形成し（図１７）、さらにマスクを
利用して不要なホトレジストを除去して第４ウインドウ
３０５を形成し（図１８）、その後、非等方性エッチン
グにより第２平面式準直鏡３２を形成し（図１９）、そ
の後、エピタキシャル、エッチング及びイオンレイアウ
ト等の方式を利用し、光検出器３４を形成する（図２
０）。
【００１３】この高密度マイクロ光学ヘッドの組立プロ
セスについては、図３を参照されたい。上述のようにし
て半導体平面工程技術で下基板２０と上基板３０を完成
した後、さらに機械式固定接合方式で光源４０と集光対
物レンズ５０を下基板２０に取り付ける。最後に上基板
３０と下基板２０を整合させて接合し、全体の高密度マ
イクロ光学ヘッド工程を完成する。本発明の高密度マイ
クロ光学ヘッドは半導体平面工程技術及び簡単な整合接
合を採用するだけであり、ステップが簡単で歩留りが良
く、且つ光学ヘッドの体積のマイクロ化を達成できる。
このほか、射出成形技術を利用し、上基板と下基板を形
成し、さらに光検出器、レーザー光源及び集光対物レン
ズを接合することが可能で、このモールディング材料は
高分子或いはガラスとされる。
セスについては、図３を参照されたい。上述のようにし
て半導体平面工程技術で下基板２０と上基板３０を完成
した後、さらに機械式固定接合方式で光源４０と集光対
物レンズ５０を下基板２０に取り付ける。最後に上基板
３０と下基板２０を整合させて接合し、全体の高密度マ
イクロ光学ヘッド工程を完成する。本発明の高密度マイ
クロ光学ヘッドは半導体平面工程技術及び簡単な整合接
合を採用するだけであり、ステップが簡単で歩留りが良
く、且つ光学ヘッドの体積のマイクロ化を達成できる。
このほか、射出成形技術を利用し、上基板と下基板を形
成し、さらに光検出器、レーザー光源及び集光対物レン
ズを接合することが可能で、このモールディング材料は
高分子或いはガラスとされる。
【００１４】本発明の高密度マイクロ光学ヘッドの光路
構造については図２１を参照されたい。図２１は本発明
の高密度マイクロ光学ヘッドの第１実施例の光路構造図
である。読み取り動作実行時には、光源４０の発射する
短波長の楕円形レーザー光がプリズム２１により反射さ
れ右側の第１平面式準直鏡２２に至った後、光束の長軸
方向が平行光に変えられ、この時、光束短軸方向は続け
て発散し、さらに第１折り畳み鏡２３及び第２折り畳み
鏡３１に入射し、光束長軸と短軸が９０度回転し、その
後、第２平面式準直鏡３２に入射した後、光束短軸方向
が平行光に変わり、同時に、楕円形光束が円形光束に整
形され、光束の長軸と短軸方向のエネルギー分布が同じ
となり、且つ第１平面式準直鏡２２及び第２平面式準直
鏡３２を経由したレーザー光が良好な準直効果を達成
し、さらに第３折り畳み鏡３３及び集光対物レンズ５０
に入射し、この集光対物レンズ５０がレーザー光を集光
した後、さらにディスク６０のデータ層に投射する。レ
ーザー光がディスク６０に反射された後にもとの経路を
経由してプリズム２１に戻り、この時、光束の一部はプ
リズム２１を透過した後に第４折り畳み鏡２４に入射
し、その後、光検出器３４に入射する。このとき、光信
号（ディスクデータ信号、集光エラー信号等を含む）が
電気信号に変換され、ディスクデータの読み取り動作を
完成する。
構造については図２１を参照されたい。図２１は本発明
の高密度マイクロ光学ヘッドの第１実施例の光路構造図
である。読み取り動作実行時には、光源４０の発射する
短波長の楕円形レーザー光がプリズム２１により反射さ
れ右側の第１平面式準直鏡２２に至った後、光束の長軸
方向が平行光に変えられ、この時、光束短軸方向は続け
て発散し、さらに第１折り畳み鏡２３及び第２折り畳み
鏡３１に入射し、光束長軸と短軸が９０度回転し、その
後、第２平面式準直鏡３２に入射した後、光束短軸方向
が平行光に変わり、同時に、楕円形光束が円形光束に整
形され、光束の長軸と短軸方向のエネルギー分布が同じ
となり、且つ第１平面式準直鏡２２及び第２平面式準直
鏡３２を経由したレーザー光が良好な準直効果を達成
し、さらに第３折り畳み鏡３３及び集光対物レンズ５０
に入射し、この集光対物レンズ５０がレーザー光を集光
した後、さらにディスク６０のデータ層に投射する。レ
ーザー光がディスク６０に反射された後にもとの経路を
経由してプリズム２１に戻り、この時、光束の一部はプ
リズム２１を透過した後に第４折り畳み鏡２４に入射
し、その後、光検出器３４に入射する。このとき、光信
号（ディスクデータ信号、集光エラー信号等を含む）が
電気信号に変換され、ディスクデータの読み取り動作を
完成する。
【００１５】書き込み動作実行時には、上述の読み取り
過程によりデータ書き込みの位置を探した後、含数発生
器変調レーザの駆動電流を利用し、光源の発射する短波
長レーザー光に必要な明暗（強弱）変化を発生させ、さ
らに読み取り過程の経路を経由し、レーザー光を集光し
た後、さらにディスクデータ層に投射し、光の明暗（強
弱）の違いにより形成される熱効果によりディスクに異
なる物理変化を発生させ、ディスクに０と１の異なる信
号を書き込む効果を達成する。消去動作実行時には、基
本的に書き込み方法と類似し、主要な違いは、含数発生
器の変調する信号の違いにある。ディスク入射光の形成
する熱効果によりデータ層材料に同じ物理変化を発生さ
せる。こうしてディスクデータ消去の効果を達成する。
過程によりデータ書き込みの位置を探した後、含数発生
器変調レーザの駆動電流を利用し、光源の発射する短波
長レーザー光に必要な明暗（強弱）変化を発生させ、さ
らに読み取り過程の経路を経由し、レーザー光を集光し
た後、さらにディスクデータ層に投射し、光の明暗（強
弱）の違いにより形成される熱効果によりディスクに異
なる物理変化を発生させ、ディスクに０と１の異なる信
号を書き込む効果を達成する。消去動作実行時には、基
本的に書き込み方法と類似し、主要な違いは、含数発生
器の変調する信号の違いにある。ディスク入射光の形成
する熱効果によりデータ層材料に同じ物理変化を発生さ
せる。こうしてディスクデータ消去の効果を達成する。
【００１６】レーザー光の波長を低くし、集光対物レン
ズの数値孔径（ＮＡ）値を高めることにより、集光スポ
ットサイズを縮小でき、高密度のディスクを読み取るこ
とができる。本発明の模擬結果によると、本発明の高密
度マイクロ光学ヘッドは、数値孔径（Ｎｕｍｅｒｉｃａ
ｌ Ａｐｅｒｔｕｒｅ；ＮＡ）値が０．８５の対物レン
ズと、４０５ｎｍ波長のレーザー光を採用し、並びに保
護層厚さが０．１ｍｍのディスクを組み合わせ、光学設
計ソフト（該ソフトはＺｅｍａｘとされる）を利用しシ
ュミレートを実行し、図２２の本発明のディスク上集光
スポット分布図を得られる。そのうち、該幾何光学シュ
ミレートの集光スポット分布範囲９０Ａは周知の光学ヘ
ッドの回折リミット（Ａｉｒｙ Ｄｉｓｃ）集光スポッ
ト分布範囲９０Ｂより小さく、これにより平面式光学素
子設計のマイクロ光学ヘッドシステムの採用により高密
度光ディスク（ＨＤ−ＤＶＤディスク）以上の読み取り
を達成できることが証明された。このほか、このマイク
ロ光学ヘッドシステム集光スポットの点分布関数（ｐｏ
ｉｎｔ ｓｐｒｅａｄ ｆｕｎｃｔｉｏｎ）を計算する
と、図２３の本発明の集光スポットのエネルギー分布表
示図に示されるように、集光スポットのエネルギー分布
は円形対称高ガウス分布関数とされ、一般の伝統的な光
学素子で設計した光学ヘッドと違いがない。ゆえに本発
明の高密度マイクロ光学ヘッドの集光スポット品質は良
好である。このほか、本発明の集光対物レンズは近接場
光学レンズセット例えば（ＳＩＬ，ＳＮＯＭとされ）と
され得て、本発明を近接場光ディスク（Ｎｅａｒ ｆｉ
ｅｌｄ光ディスク）の読み書きに応用できる。
ズの数値孔径（ＮＡ）値を高めることにより、集光スポ
ットサイズを縮小でき、高密度のディスクを読み取るこ
とができる。本発明の模擬結果によると、本発明の高密
度マイクロ光学ヘッドは、数値孔径（Ｎｕｍｅｒｉｃａ
ｌ Ａｐｅｒｔｕｒｅ；ＮＡ）値が０．８５の対物レン
ズと、４０５ｎｍ波長のレーザー光を採用し、並びに保
護層厚さが０．１ｍｍのディスクを組み合わせ、光学設
計ソフト（該ソフトはＺｅｍａｘとされる）を利用しシ
ュミレートを実行し、図２２の本発明のディスク上集光
スポット分布図を得られる。そのうち、該幾何光学シュ
ミレートの集光スポット分布範囲９０Ａは周知の光学ヘ
ッドの回折リミット（Ａｉｒｙ Ｄｉｓｃ）集光スポッ
ト分布範囲９０Ｂより小さく、これにより平面式光学素
子設計のマイクロ光学ヘッドシステムの採用により高密
度光ディスク（ＨＤ−ＤＶＤディスク）以上の読み取り
を達成できることが証明された。このほか、このマイク
ロ光学ヘッドシステム集光スポットの点分布関数（ｐｏ
ｉｎｔ ｓｐｒｅａｄ ｆｕｎｃｔｉｏｎ）を計算する
と、図２３の本発明の集光スポットのエネルギー分布表
示図に示されるように、集光スポットのエネルギー分布
は円形対称高ガウス分布関数とされ、一般の伝統的な光
学素子で設計した光学ヘッドと違いがない。ゆえに本発
明の高密度マイクロ光学ヘッドの集光スポット品質は良
好である。このほか、本発明の集光対物レンズは近接場
光学レンズセット例えば（ＳＩＬ，ＳＮＯＭとされ）と
され得て、本発明を近接場光ディスク（Ｎｅａｒ ｆｉ
ｅｌｄ光ディスク）の読み書きに応用できる。
【００１７】第２実施例：図２４、図２５は本発明の第
２実施例の下基板の構造表示図及び上基板の構造表示図
である。本実施例中の第１実施例と同じ或いは相当する
素子は同じ符号で表示している。本実施例と上述の第１
実施例の違いは、第２実施例中の集光対物レンズ５０が
一組の平面式集光対物レンズとされ、該平面式集光対物
レンズが第５折り畳み鏡３５と第２集光対物レンズ３６
で組成され、該第５折り畳み鏡２５、第１集光対物レン
ズ２６及び第６折り畳み鏡２７が半導体平面工程技術で
下基板２０に形成され、別に第７折り畳み鏡３５及び第
２集光対物レンズ３６が半導体平面工程技術で上基板３
０に形成され、並びに二次集光を行う。本実施例の光学
ヘッドの製造は上述の第１実施例で採用する技術により
完成する。
２実施例の下基板の構造表示図及び上基板の構造表示図
である。本実施例中の第１実施例と同じ或いは相当する
素子は同じ符号で表示している。本実施例と上述の第１
実施例の違いは、第２実施例中の集光対物レンズ５０が
一組の平面式集光対物レンズとされ、該平面式集光対物
レンズが第５折り畳み鏡３５と第２集光対物レンズ３６
で組成され、該第５折り畳み鏡２５、第１集光対物レン
ズ２６及び第６折り畳み鏡２７が半導体平面工程技術で
下基板２０に形成され、別に第７折り畳み鏡３５及び第
２集光対物レンズ３６が半導体平面工程技術で上基板３
０に形成され、並びに二次集光を行う。本実施例の光学
ヘッドの製造は上述の第１実施例で採用する技術により
完成する。
【００１８】図２６は本発明の高密度マイクロ光学ヘッ
ドの第２実施例の光路構造図である。読み取り動作実行
時には、光源４０の発生した短波長の楕円形レーザー光
がプリズム２１に入射し、レーザー光が右側の第１平面
式準直鏡２２へと反射された後、光束長軸方向が平行光
に変えられ、この時光束短軸方向は続いて発散し、さら
に第１折り畳み鏡２３及び第２折り畳み鏡３１に入射し
て光束の長軸と短軸が９０度回転し、その後、第２平面
式準直鏡３２に入射した後、光束の短軸方向が平行光に
変えられる。この時、楕円形光束が円形光束に整形さ
れ、光束の長軸及び短軸方向のエネルギー分布が同じと
なり、且つ第１平面式準直鏡２２及び第２平面式準直鏡
３２を経由したレーザー光が二次準直を達成し、さらに
第３折り畳み鏡３３に入射し、その後、第５折り畳み鏡
２５を経由して光路が水平方向を呈し、その後、第１集
光対物レンズ２６で集光されて光束が水平方向で一次集
光され、その後、さらに第６折り畳み鏡２７及び第７折
り畳み鏡３５を経由して光路が９０度回転し、その後、
収斂光が第２集光対物レンズ３６に入射し、光束が９０
度方向に二次集光され、該レーザー光集光の後に、さら
にディスク６０のデータ層に投射される。レーザー光は
ディスク６０に反射された後に元の経路を経由しプリズ
ム２１に戻り、この時、光束の一部がプリズム２１を透
過した後、第４折り畳み鏡２４に入射し、その後光検出
器３４に入射する。この時、光信号（ディスクデータ信
号、集光誤差信号を含む）が変換されて電気信号とさ
れ、ディスク６０データの読み取り動作を完成する。
ドの第２実施例の光路構造図である。読み取り動作実行
時には、光源４０の発生した短波長の楕円形レーザー光
がプリズム２１に入射し、レーザー光が右側の第１平面
式準直鏡２２へと反射された後、光束長軸方向が平行光
に変えられ、この時光束短軸方向は続いて発散し、さら
に第１折り畳み鏡２３及び第２折り畳み鏡３１に入射し
て光束の長軸と短軸が９０度回転し、その後、第２平面
式準直鏡３２に入射した後、光束の短軸方向が平行光に
変えられる。この時、楕円形光束が円形光束に整形さ
れ、光束の長軸及び短軸方向のエネルギー分布が同じと
なり、且つ第１平面式準直鏡２２及び第２平面式準直鏡
３２を経由したレーザー光が二次準直を達成し、さらに
第３折り畳み鏡３３に入射し、その後、第５折り畳み鏡
２５を経由して光路が水平方向を呈し、その後、第１集
光対物レンズ２６で集光されて光束が水平方向で一次集
光され、その後、さらに第６折り畳み鏡２７及び第７折
り畳み鏡３５を経由して光路が９０度回転し、その後、
収斂光が第２集光対物レンズ３６に入射し、光束が９０
度方向に二次集光され、該レーザー光集光の後に、さら
にディスク６０のデータ層に投射される。レーザー光は
ディスク６０に反射された後に元の経路を経由しプリズ
ム２１に戻り、この時、光束の一部がプリズム２１を透
過した後、第４折り畳み鏡２４に入射し、その後光検出
器３４に入射する。この時、光信号（ディスクデータ信
号、集光誤差信号を含む）が変換されて電気信号とさ
れ、ディスク６０データの読み取り動作を完成する。
【００１９】書き込み動作時には、上述の読み取り過程
によりデータ書き込みの位置を探した後、含数発生器変
調レーザの駆動電流を利用し、光源の発射する短波長レ
ーザー光に必要な明暗（強弱）変化を発生させ、さらに
読み取り過程の経路を経由し、レーザー光を集光した
後、さらにディスクデータ層に投射し、光の明暗（強
弱）の違いにより形成される熱効果によりディスクに異
なる物理変化を発生させ、ディスクに０と１の異なる信
号を書き込む効果を達成する。消去動作実行時には、基
本的に書き込み方法と類似し、主要な違いは、含数発生
器の変調する信号の違いにある。ディスク入射光の形成
する熱効果によりデータ層材料に同じ物理変化を発生さ
せる。こうしてディスクデータ消去の効果を達成する。
によりデータ書き込みの位置を探した後、含数発生器変
調レーザの駆動電流を利用し、光源の発射する短波長レ
ーザー光に必要な明暗（強弱）変化を発生させ、さらに
読み取り過程の経路を経由し、レーザー光を集光した
後、さらにディスクデータ層に投射し、光の明暗（強
弱）の違いにより形成される熱効果によりディスクに異
なる物理変化を発生させ、ディスクに０と１の異なる信
号を書き込む効果を達成する。消去動作実行時には、基
本的に書き込み方法と類似し、主要な違いは、含数発生
器の変調する信号の違いにある。ディスク入射光の形成
する熱効果によりデータ層材料に同じ物理変化を発生さ
せる。こうしてディスクデータ消去の効果を達成する。
【００２０】第２実施例の高密度マイクロ光学ヘッドを
採用した場合も、レーザー光の波長を低くし、集光対物
レンズの数値孔径（ＮＡ）値を高くし、集光スポットサ
イズを縮小でき、高密度光ディスクの読み取りを達成で
きる。
採用した場合も、レーザー光の波長を低くし、集光対物
レンズの数値孔径（ＮＡ）値を高くし、集光スポットサ
イズを縮小でき、高密度光ディスクの読み取りを達成で
きる。
【００２１】本発明の高密度マイクロ光学ヘッドの第１
実施例及び第２実施例の構造中、下基板２０及び上基板
３０は半導体平面工程技術を利用し形成したフライ溝７
０をフライヘッドに用いることができ（図２７）、ま
た、半導体平面工程技術で形成した平面式コイル８０を
光磁気ヘッドとして使用することもできる（図２８）。
このほか、該高密度マイクロ光学ヘッドとハードディス
クフライ構造を結合させ、集光とトラッキングの機能を
達成できる。
実施例及び第２実施例の構造中、下基板２０及び上基板
３０は半導体平面工程技術を利用し形成したフライ溝７
０をフライヘッドに用いることができ（図２７）、ま
た、半導体平面工程技術で形成した平面式コイル８０を
光磁気ヘッドとして使用することもできる（図２８）。
このほか、該高密度マイクロ光学ヘッドとハードディス
クフライ構造を結合させ、集光とトラッキングの機能を
達成できる。
【００２２】
【発明の効果】本発明の高密度マイクロ光学ヘッドは、
周知の光学ヘッドに採用されている機械式精密加工、位
置決め及び組立が、煩瑣であるだけでなく歩留りが悪い
問題を解決している。
周知の光学ヘッドに採用されている機械式精密加工、位
置決め及び組立が、煩瑣であるだけでなく歩留りが悪い
問題を解決している。
【００２３】本発明の高密度マイクロ光学ヘッドは、半
導体平面工程技術及び簡単な整合接合を利用し、ディス
クに読み書きする光学ヘッドの体積をマイクロ化してい
る。
導体平面工程技術及び簡単な整合接合を利用し、ディス
クに読み書きする光学ヘッドの体積をマイクロ化してい
る。
【００２４】本発明の高密度マイクロ光学ヘッドは、高
密度ディスク読み取り可能な光学ヘッドを提供してい
る。
密度ディスク読み取り可能な光学ヘッドを提供してい
る。
【図１】周知の光学ヘッドの光路表示図である。
【図２】周知の光学ヘッドの構造表示図である。
【図３】本発明の高密度マイクロ光学ヘッドの第１実施
例構造表示図である。
例構造表示図である。
【図４】本発明の第１実施例の下基板の構造表示図であ
る。
る。
【図５】本発明の第１実施例の上基板の構造表示図であ
る。
る。
【図６】本発明の第１実施例の下基板の製造フロー表示
図である。
図である。
【図７】本発明の第１実施例の下基板の製造フロー表示
図である。
図である。
【図８】本発明の第１実施例の下基板の製造フロー表示
図である。
図である。
【図９】本発明の第１実施例の下基板の製造フロー表示
図である。
図である。
【図１０】本発明の第１実施例の下基板の製造フロー表
示図である。
示図である。
【図１１】本発明の第１実施例の下基板の製造フロー表
示図である。
示図である。
【図１２】本発明の第１実施例の下基板の製造フロー表
示図である。
示図である。
【図１３】本発明の第１実施例の上基板の製造フロー表
示図である。
示図である。
【図１４】本発明の第１実施例の上基板の製造フロー表
示図である。
示図である。
【図１５】本発明の第１実施例の上基板の製造フロー表
示図である。
示図である。
【図１６】本発明の第１実施例の上基板の製造フロー表
示図である。
示図である。
【図１７】本発明の第１実施例の上基板の製造フロー表
示図である。
示図である。
【図１８】本発明の第１実施例の上基板の製造フロー表
示図である。
示図である。
【図１９】本発明の第１実施例の上基板の製造フロー表
示図である。
示図である。
【図２０】本発明の第１実施例の上基板の製造フロー表
示図である。
示図である。
【図２１】本発明の高密度マイクロ光学ヘッドの第１実
施例の光路構造図である。
施例の光路構造図である。
【図２２】本発明のディスク上集光スポット分布図であ
る。
る。
【図２３】本発明のディスク上集光スポットのエネルギ
ー分布図である。
ー分布図である。
【図２４】本発明の第２実施例の上基板の構造表示図で
ある。
ある。
【図２５】本発明の第２実施例の下基板の構造表示図で
ある。
ある。
【図２６】本発明の高密度マイクロ光学ヘッドの第２実
施例の光路構造図である。
施例の光路構造図である。
【図２７】本発明の高密度マイクロ光学ヘッドのフライ
表示図である。
表示図である。
【図２８】本発明の高密度マイクロ光学ヘッドが光磁気
ヘッドとされた表示図である。
ヘッドとされた表示図である。
２０ 下基板
２０１ 第１ホトレジスト層 ２０２ 第１ウ
インドウ ２０３ 第１凹ウェル ２０４ 第２ホ
トレジスト層 ２０５ 第２ウインドウ ２１ プリズム ２２ 第１平面
式準直鏡 ２３ 第１折り畳み鏡 ２４ 第４折り
畳み鏡 ２５ 第５折り畳み鏡 ２６ 第１集光
対物レンズ ２７ 第６折り畳み鏡 ３０ 上基板 ３０１ 第３ホトレジスト層 ３０２ 第３ウ
インドウ ３０３ 第２凹ウェル ３０４ 第４ホ
トレジスト層 ３０５ 第４ウインドウ ３１ 第２折り畳み鏡 ３２ 第２平
面式準直鏡 ３３ 第３折り畳み鏡 ３４ 光検出
器 ３５ 第７折り畳み鏡 ３６ 第２集
光対物レンズ ４０ 光源 ５０ 集光対物レンズ ６０ ディスク ７０ フライ溝 ８０ 平面式コイル ９０Ａ 集光スポット分布範囲 ９０Ｂ 回折リミット集光スポット分布範囲
インドウ ２０３ 第１凹ウェル ２０４ 第２ホ
トレジスト層 ２０５ 第２ウインドウ ２１ プリズム ２２ 第１平面
式準直鏡 ２３ 第１折り畳み鏡 ２４ 第４折り
畳み鏡 ２５ 第５折り畳み鏡 ２６ 第１集光
対物レンズ ２７ 第６折り畳み鏡 ３０ 上基板 ３０１ 第３ホトレジスト層 ３０２ 第３ウ
インドウ ３０３ 第２凹ウェル ３０４ 第４ホ
トレジスト層 ３０５ 第４ウインドウ ３１ 第２折り畳み鏡 ３２ 第２平
面式準直鏡 ３３ 第３折り畳み鏡 ３４ 光検出
器 ３５ 第７折り畳み鏡 ３６ 第２集
光対物レンズ ４０ 光源 ５０ 集光対物レンズ ６０ ディスク ７０ フライ溝 ８０ 平面式コイル ９０Ａ 集光スポット分布範囲 ９０Ｂ 回折リミット集光スポット分布範囲
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 柯 朝元
台湾屏東縣新園郷仙吉村市場巷11號
(72)発明者 黄 戴廷
台湾新竹市博愛街81−３號５樓Ｅ戸
(72)発明者 朱 朝居
台湾新竹縣竹東鎮中興路二段126號
Ｆターム(参考） 5D075 CD01 CD14 CF03
5D118 AA01 AA06 BA01 BB01 BB02
BF02 BF03 CA11 CA13 EA08
5D119 AA01 AA11 AA22 AA38 BA01
BB01 BB05 CA06 CA10 EB02
EB03 JA08 JA44 JA57 MA06
MA30
5D789 AA01 AA11 AA22 AA38 BA01
BB01 BB05 CA06 CA10 CA21
CA22 CA23 EB02 EB03 JA08
JA44 JA57 MA06 MA30
Claims (7)
- 【請求項１】 記録媒体上のデータの読み取りとディス
ク（６０）へのデータの書き込みに用いられ、光学装
置、光源（４０）及び集光対物レンズ（５０）を具えた
高密度マイクロ光学ヘッドにおいて、 該光学装置が、下基板（２０）と上基板（３０）で組成
され、そのうち下基板（２０）はプリズム（２１）、第
１平面式準直鏡（２２）、第１折り畳み鏡（２３）、及
び第４折り畳み鏡（２４）を搭載し、該上基板（３０）
は第２折り畳み鏡（３１）、第２平面式準直鏡（３
２）、第３折り畳み鏡（３３）及び光検出器（３４）を
搭載し、並びに半導体平面工程技術により以上の部品が
形成され、 該光源（４０）は下基板（２０）上の適当な位置に接合
されて短波長のレーザー光を提供し、 集光対物レンズ（５０）は下基板（２０）上の適当な位
置に設けられ、上基板（３０）及び下基板（２０）の整
合接合により高密度マイクロ光学ヘッドが形成され、光
源（４０）の発射するレーザー光が光学装置を経由し、
該レーザー光の長軸及び短軸が二次校正され円形平行光
とされ、さらに集光対物レンズ（５０）により集光され
て該ディスク（６０）に投射され、ディスク（６０）の
反射するレーザー光が光検出器（３４）に入射し、光検
出器（３４）がディスクデータ信号及び集光、トラッキ
ングエラー信号を読み取ることを特徴とする、高密度マ
イクロ光学ヘッド。 - 【請求項２】 前記集光対物レンズ（５０）が近接場光
学レンズセットとされ、近接場光ＣＤ読み取りに応用さ
れることを特徴とする、請求項１に記載の高密度マイク
ロ光学ヘッド。 - 【請求項３】 前記第１折り畳み鏡（２３）及び第２折
り畳み鏡（３１）が４５度の傾斜鏡面とされたことを特
徴とする、請求項１に記載の高密度マイクロ光学ヘッ
ド。 - 【請求項４】 前記集光対物レンズ（５０）が一組の平
面式集光対物レンズセットとされ、該平面式集光対物レ
ンズセットが、第５折り畳み鏡（２５）、第１集光対物
レンズ（２６）、第６折り畳み鏡（２７）、第７折り畳
み鏡（３５）及び第２集光対物レンズ（３６）で組成さ
れ、該第１集光対物レンズ（２６）、第５折り畳み鏡
（２５）及び第６折り畳み鏡（２７）が半導体平面工程
技術により下基板（２０）に形成され、別に第２集光対
物レンズ（３６）及び第７折り畳み鏡（３５）が半導体
平面工程技術により上基板（３０）に形成されたことを
特徴とする、請求項１に記載の高密度マイクロ光学ヘッ
ド。 - 【請求項５】 前記上基板（３０）と下基板（２０）
に、半導体平面工程技術によりフライ溝（７０）が形成
されてフライヘッドとして使用されることを特徴とす
る、請求項１に記載の高密度マイクロ光学ヘッド。 - 【請求項６】 前記上基板（３０）と下基板（２０）
に、半導体平面工程技術により平面式コイル（８０）が
形成されて光磁気ヘッドとして使用されることを特徴と
する、請求項１に記載の高密度マイクロ光学ヘッド。 - 【請求項７】 前記高密度マイクロ光学ヘッドがハード
ディスクフライ構造と結合されて、集光とトラッキング
機能を達成したことを特徴とする、請求項１に記載の高
密度マイクロ光学ヘッド。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW090128770A TWI238389B (en) | 2001-11-21 | 2001-11-21 | High density micro-optical pickup head |
| TW090128770 | 2001-11-21 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003157569A true JP2003157569A (ja) | 2003-05-30 |
Family
ID=21679783
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002042887A Pending JP2003157569A (ja) | 2001-11-21 | 2002-02-20 | 高密度マイクロ光学ヘッド |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6807141B2 (ja) |
| JP (1) | JP2003157569A (ja) |
| TW (1) | TWI238389B (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| US7986592B2 (en) * | 2008-03-10 | 2011-07-26 | Hitachi Global Storage Technologies, Netherlands B.V. | Components and assembly procedure for thermal assisted recording |
| TWI413118B (zh) * | 2011-02-23 | 2013-10-21 | Univ Nat Chiao Tung | 光學讀寫頭 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4789977A (en) * | 1986-11-06 | 1988-12-06 | Laser Magnetic Storage International Company | Optical data recording device |
| DE4029258C2 (de) * | 1989-09-14 | 1994-01-13 | Asahi Optical Co Ltd | Optische Abtasteinrichtung zur Erzeugung eines Musters auf einer Abtastfläche |
| US5220476A (en) * | 1990-11-02 | 1993-06-15 | Godwin Jimmy D | Non-erasable magnetic data storage method |
| KR960013802B1 (ko) * | 1993-03-30 | 1996-10-10 | 현대전자산업 주식회사 | 레이저 다이오드의 빔을 정형한 비구면 시준기렌즈 |
| US5646928A (en) * | 1995-06-22 | 1997-07-08 | The Regents Of The University Of California | Free-space integrated micro-pickup head for optical data storage and a micro-optical bench |
| JPH09113769A (ja) * | 1995-10-16 | 1997-05-02 | Yazaki Corp | 光学デバイス |
| US6128134A (en) * | 1997-08-27 | 2000-10-03 | Digital Optics Corporation | Integrated beam shaper and use thereof |
| US5886971A (en) * | 1996-09-27 | 1999-03-23 | Digital Optics Corporation | Optical head structures including support substrates adjacent transparent substrates and related methods |
| US5972461A (en) * | 1998-01-06 | 1999-10-26 | Imation Corp. | Rewritable optical data storage disk having enhanced flatness |
| WO2000033298A2 (en) * | 1998-12-04 | 2000-06-08 | Terastor Corporation | Monolithic optical head |
| US6430331B1 (en) * | 2000-04-14 | 2002-08-06 | C Speed Corporation | Double hermetic package for fiber optic cross connect |
| US6529449B1 (en) * | 2000-07-26 | 2003-03-04 | Aiwa Co. Ltd. | Magneto-optical head involving solid immersion lens with two-layer heat-dispersive coil |
-
2001
- 2001-11-21 TW TW090128770A patent/TWI238389B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-12-20 US US10/022,446 patent/US6807141B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-02-20 JP JP2002042887A patent/JP2003157569A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20030095493A1 (en) | 2003-05-22 |
| US6807141B2 (en) | 2004-10-19 |
| TWI238389B (en) | 2005-08-21 |
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