JP2003155328A - タブレット及び半導体装置 - Google Patents
タブレット及び半導体装置Info
- Publication number
- JP2003155328A JP2003155328A JP2001356795A JP2001356795A JP2003155328A JP 2003155328 A JP2003155328 A JP 2003155328A JP 2001356795 A JP2001356795 A JP 2001356795A JP 2001356795 A JP2001356795 A JP 2001356795A JP 2003155328 A JP2003155328 A JP 2003155328A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- epoxy resin
- specific gravity
- tablet
- resin composition
- sheet
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】ボイドの減少や充填性に優れた半導体封止用エ
ポキシ樹脂組成物タブレットを提供すること。 【解決手段】（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール樹
脂、（Ｃ）硬化促進剤及び（Ｄ）無機充填材を必須成分
とし、前記各成分を混合、混練した後のシートの比重が
成形品比重の９８％以上で、かつ前記シートを粉砕し打
錠したタブレットの比重が、成形品比重の９８％以上で
あることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物
タブレット。
ポキシ樹脂組成物タブレットを提供すること。 【解決手段】（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール樹
脂、（Ｃ）硬化促進剤及び（Ｄ）無機充填材を必須成分
とし、前記各成分を混合、混練した後のシートの比重が
成形品比重の９８％以上で、かつ前記シートを粉砕し打
錠したタブレットの比重が、成形品比重の９８％以上で
あることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物
タブレット。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ボイド発生がない
特性を有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物タブレッ
ト及び半導体装置に関するものである。
特性を有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物タブレッ
ト及び半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子本体を機械的、化学的作用か
ら保護するために、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、硬
化促進剤、溶融シリカ等の無機充填材等からなるエポキ
シ樹脂組成物が開発、生産されてきた。このエポキシ樹
脂組成物に要求される項目は、半導体素子の種類、封止
される半導体装置の構造、半導体装置の使用環境等によ
って変化しつつあるが、組立、実装技術の進歩により半
導体装置の構造が複雑になってきており、成形時の不具
合への対応が必要となってきている。特に溶融したエポ
キシ樹脂組成物が流れる半導体装置内の流路は、狭い部
分と広い部分が混在してきており、流動の不均一による
ボイドや未充填が発生し易くなってきている。この問題
を解決するために無機充填材の粒度分布の適正化や、揮
発分の減少によるボイドの低減が提案されているが、巻
き込みの空気に対しては効果が少なく充分な解決には至
っていない。
ら保護するために、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、硬
化促進剤、溶融シリカ等の無機充填材等からなるエポキ
シ樹脂組成物が開発、生産されてきた。このエポキシ樹
脂組成物に要求される項目は、半導体素子の種類、封止
される半導体装置の構造、半導体装置の使用環境等によ
って変化しつつあるが、組立、実装技術の進歩により半
導体装置の構造が複雑になってきており、成形時の不具
合への対応が必要となってきている。特に溶融したエポ
キシ樹脂組成物が流れる半導体装置内の流路は、狭い部
分と広い部分が混在してきており、流動の不均一による
ボイドや未充填が発生し易くなってきている。この問題
を解決するために無機充填材の粒度分布の適正化や、揮
発分の減少によるボイドの低減が提案されているが、巻
き込みの空気に対しては効果が少なく充分な解決には至
っていない。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、ボイド発生
がなく充填性に優れた特性を有する半導体封止用エポキ
シ樹脂組成物タブレット及び半導体装置を提供するもの
である。
がなく充填性に優れた特性を有する半導体封止用エポキ
シ樹脂組成物タブレット及び半導体装置を提供するもの
である。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、［１］（Ａ）
エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂、（Ｃ）硬化促進
剤及び（Ｄ）無機充填材を必須成分とし、前記各成分を
混合、混練した後のシートの比重が成形品比重の９８％
以上で、かつ前記シートを粉砕し打錠したタブレットの
比重が、成形品比重の９８％以上であることを特徴とす
る半導体封止用エポキシ樹脂組成物タブレット、［２］
エポキシ樹脂組成物タブレットを１７５℃の成形機のポ
ットに１分間放置後の膨張率が、１０％以下である第
［１］項記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物タブレ
ット、［３］第［１］項又は［２］項記載のエポキシ樹
脂組成物タブレットを用いて半導体素子を封止してなる
ことを特徴とする半導体装置、である。
エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂、（Ｃ）硬化促進
剤及び（Ｄ）無機充填材を必須成分とし、前記各成分を
混合、混練した後のシートの比重が成形品比重の９８％
以上で、かつ前記シートを粉砕し打錠したタブレットの
比重が、成形品比重の９８％以上であることを特徴とす
る半導体封止用エポキシ樹脂組成物タブレット、［２］
エポキシ樹脂組成物タブレットを１７５℃の成形機のポ
ットに１分間放置後の膨張率が、１０％以下である第
［１］項記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物タブレ
ット、［３］第［１］項又は［２］項記載のエポキシ樹
脂組成物タブレットを用いて半導体素子を封止してなる
ことを特徴とする半導体装置、である。
【０００５】
【発明の実施の形態】以下に本発明を詳細に説明する。
本発明に用いられるエポキシ樹脂は、１分子中にエポキ
シ基を２個以上有するモノマー、オリゴマー、ポリマー
全般を言い、例えばビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフ
ェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポ
キシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、トリ
フェノールメタン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエ
ン変性フェノール型エポキシ樹脂等が挙げられ、これら
は単独でも混合しても差し支えない。本発明に用いられ
るフェノール樹脂は、フェノールノボラック樹脂、フェ
ノールアラルキル樹脂、テルペン変性フェノール樹脂、
トリフェノールメタン型樹脂等が挙げられ、これらは単
独でも混合しても差し支えない。これらのフェノール樹
脂の配合量は、全エポキシ樹脂のエポキシ基数と全フェ
ノール樹脂の水酸基数の比として０．８〜１．２が好ま
しい。
本発明に用いられるエポキシ樹脂は、１分子中にエポキ
シ基を２個以上有するモノマー、オリゴマー、ポリマー
全般を言い、例えばビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフ
ェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポ
キシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、トリ
フェノールメタン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエ
ン変性フェノール型エポキシ樹脂等が挙げられ、これら
は単独でも混合しても差し支えない。本発明に用いられ
るフェノール樹脂は、フェノールノボラック樹脂、フェ
ノールアラルキル樹脂、テルペン変性フェノール樹脂、
トリフェノールメタン型樹脂等が挙げられ、これらは単
独でも混合しても差し支えない。これらのフェノール樹
脂の配合量は、全エポキシ樹脂のエポキシ基数と全フェ
ノール樹脂の水酸基数の比として０．８〜１．２が好ま
しい。
【０００６】本発明に用いられる硬化促進剤は、エポキ
シ基とフェノール性水酸基との硬化反応を促進させるも
のであればよく、一般に封止材料に使用されているもの
を広く用いることができる。例えば１，８−ジアザビシ
クロ（５，４，０）ウンデセン−７、トリフェニルホス
フィンや２−メチルイミダゾール等が挙げられ、単独で
も混合しても差し支えない。
シ基とフェノール性水酸基との硬化反応を促進させるも
のであればよく、一般に封止材料に使用されているもの
を広く用いることができる。例えば１，８−ジアザビシ
クロ（５，４，０）ウンデセン−７、トリフェニルホス
フィンや２−メチルイミダゾール等が挙げられ、単独で
も混合しても差し支えない。
【０００７】本発明に用いられる無機充填材としては、
例えば溶融破砕シリカ、溶融球状シリカ、結晶シリカ、
アルミナ、窒化珪素等が挙げられるが、半導体装置の信
頼性や膨張係数のバランスから特に溶融球状シリカが好
ましい。配合量としては、成形性と信頼性のバランスか
ら全エポキシ樹脂組成物中８０〜９３重量％が好まし
い。
例えば溶融破砕シリカ、溶融球状シリカ、結晶シリカ、
アルミナ、窒化珪素等が挙げられるが、半導体装置の信
頼性や膨張係数のバランスから特に溶融球状シリカが好
ましい。配合量としては、成形性と信頼性のバランスか
ら全エポキシ樹脂組成物中８０〜９３重量％が好まし
い。
【０００８】本発明では、（Ａ）〜（Ｄ）成分を必須と
するが、必要に応じて臭素化エポキシ樹脂、三酸化アン
チモン等の難燃剤、カップリング剤、天然ワックス及び
合成ワックス等の離型剤、シリコーンオイル、ゴム等の
低応力成分を適宜配合してもよい。
するが、必要に応じて臭素化エポキシ樹脂、三酸化アン
チモン等の難燃剤、カップリング剤、天然ワックス及び
合成ワックス等の離型剤、シリコーンオイル、ゴム等の
低応力成分を適宜配合してもよい。
【０００９】本発明に用いられる（Ａ）〜（Ｄ）成分の
他、必要に応じて配合する添加物は、特には限定しない
が、従来から半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製造に
用いられているヘンシェルミキサー等のブレンダーで混
合後、２本ロール、一軸混練機、二軸混練機等を用いて
混練し混練物とし、混練物を冷却せずにシーティングロ
ールやコンプレッションプレス等を用いてシート化し、
得られたシートを冷却粉砕し粉末として、該粉末を打錠
してタブレットとする。混練中の樹脂温度が１００〜１
１０℃となる混練機を使用すると、得られたエポキシ樹
脂組成物タブレットの揮発分の減少や、シートの空隙の
減少に効果的であり好ましい。得られた混練物は冷却せ
ずにシーティングロールでシートとしても、軟化した混
練物を常温のコンプレッションプレスで厚さ１ｍｍ以下
の厚みになるように圧縮してシート化してもよい。シー
ティングロールやコンプレッションプレス等の工程で
は、シート及びタブレットの比重が、成形品の比重の９
８％以上になるように押圧力等を調整すればよい。該粉
末を打錠してタブレットにするには、特に限定しないが
タブレット密度が高くなる方法であれば、従来の打錠方
法でも金型内の脱気や加熱しながら打錠してもよい。図
１はコンプレッションプレスの前後の工程を示す概念図
であり、混練機１から吐出された混練物２を連続的にコ
ンプレッションプレス部３に投入し、加圧部分を通過さ
せシート化して冷却コノベヤー４で冷却し、後工程に移
送する。
他、必要に応じて配合する添加物は、特には限定しない
が、従来から半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製造に
用いられているヘンシェルミキサー等のブレンダーで混
合後、２本ロール、一軸混練機、二軸混練機等を用いて
混練し混練物とし、混練物を冷却せずにシーティングロ
ールやコンプレッションプレス等を用いてシート化し、
得られたシートを冷却粉砕し粉末として、該粉末を打錠
してタブレットとする。混練中の樹脂温度が１００〜１
１０℃となる混練機を使用すると、得られたエポキシ樹
脂組成物タブレットの揮発分の減少や、シートの空隙の
減少に効果的であり好ましい。得られた混練物は冷却せ
ずにシーティングロールでシートとしても、軟化した混
練物を常温のコンプレッションプレスで厚さ１ｍｍ以下
の厚みになるように圧縮してシート化してもよい。シー
ティングロールやコンプレッションプレス等の工程で
は、シート及びタブレットの比重が、成形品の比重の９
８％以上になるように押圧力等を調整すればよい。該粉
末を打錠してタブレットにするには、特に限定しないが
タブレット密度が高くなる方法であれば、従来の打錠方
法でも金型内の脱気や加熱しながら打錠してもよい。図
１はコンプレッションプレスの前後の工程を示す概念図
であり、混練機１から吐出された混練物２を連続的にコ
ンプレッションプレス部３に投入し、加圧部分を通過さ
せシート化して冷却コノベヤー４で冷却し、後工程に移
送する。
【００１０】本発明でのシート比重とタブレット比重
が、成形品比重の９８％以上だと半導体装置の成形時に
充分に充填され、ボイド発生が少ない半導体装置を得る
ことができる。本発明での混練した後のシートと前記シ
ートを粉砕、打錠したタブレットの各比重及び成形品の
（同様でよいですね。同じ方法ですね）比重は、ＪＩＳ
Ｋ６９１１に準じて測定した値である。 比重＝Ｗ／（Ｗ−Ｗ１＋Ｗ２） ［Ｗ：サンプルの重量、Ｗ１：蒸留水中の重量、Ｗ２：
針金だけの蒸留水中の重量］ 成形品は、タブレットを１７５℃、６．９ＭＰａ、２分
間でトランスファー成形機で直径５０ｍｍ、厚み３ｍｍ
の試験片を成形したものである。
が、成形品比重の９８％以上だと半導体装置の成形時に
充分に充填され、ボイド発生が少ない半導体装置を得る
ことができる。本発明での混練した後のシートと前記シ
ートを粉砕、打錠したタブレットの各比重及び成形品の
（同様でよいですね。同じ方法ですね）比重は、ＪＩＳ
Ｋ６９１１に準じて測定した値である。 比重＝Ｗ／（Ｗ−Ｗ１＋Ｗ２） ［Ｗ：サンプルの重量、Ｗ１：蒸留水中の重量、Ｗ２：
針金だけの蒸留水中の重量］ 成形品は、タブレットを１７５℃、６．９ＭＰａ、２分
間でトランスファー成形機で直径５０ｍｍ、厚み３ｍｍ
の試験片を成形したものである。
【００１１】更に好ましくは、エポキシ樹脂組成物タブ
レットを１７５℃のマルチプランジャータイプ（下プラ
ンジャー）のトランスファー成形機のポットに１分間放
置後の膨張率が、１０％以下であれば温度上昇により発
生した空隙を成形時の加圧力で充分潰すことができる
が、１０％を越えると空隙を充分に潰すことができなく
なるおそれがあるので好ましくない。ポット内でのタブ
レットの膨張率は、ポット径１４ｍｍのマルチ成形金型
を１７５℃に設定し、プランジャーをタブレットの高さ
分だけ下げて、ここへ１３ｍｍ径で４ｇのタブレットを
載置し、１分後に金型表面から出た高さをノギスで測定
し、載置前のタブレット高さで除して膨張率とした。
レットを１７５℃のマルチプランジャータイプ（下プラ
ンジャー）のトランスファー成形機のポットに１分間放
置後の膨張率が、１０％以下であれば温度上昇により発
生した空隙を成形時の加圧力で充分潰すことができる
が、１０％を越えると空隙を充分に潰すことができなく
なるおそれがあるので好ましくない。ポット内でのタブ
レットの膨張率は、ポット径１４ｍｍのマルチ成形金型
を１７５℃に設定し、プランジャーをタブレットの高さ
分だけ下げて、ここへ１３ｍｍ径で４ｇのタブレットを
載置し、１分後に金型表面から出た高さをノギスで測定
し、載置前のタブレット高さで除して膨張率とした。
【００１２】本発明のエポキシ樹脂組成物タブレットを
用いて半導体素子等の電子部品を封止し、半導体装置を
製造するには、トランスファーモールド、コンプレッシ
ョンモールド、インジェクションモールド等の従来から
の成形方法で硬化成形すればよい。
用いて半導体素子等の電子部品を封止し、半導体装置を
製造するには、トランスファーモールド、コンプレッシ
ョンモールド、インジェクションモールド等の従来から
の成形方法で硬化成形すればよい。
【００１３】
【実施例】以下、本発明を実施例で具体的に説明する。
実施例１
ビフェニル型エポキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン（株）製、ＹＸ−４００
０Ｈ、融点１０５℃、エポキシ当量１９５） ９．３重量部
フェノールノボラック樹脂（軟化点８０℃、水酸基当量１０５）５．０重量部
１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７（以下、ＤＢＵという
） ０．２重量部
球状溶融シリカ（平均粒径３５μｍ） ８５重量部
カルナバワックス ０．５重量部
各成分を混合した後、表面温度が９０℃と３０℃の２本
ロールを用いて３０回混練し、得られた混練物シートを
そのまま常温のコンプレッション成形機で１５×２０×
０．１ｃｍのサイズに９．８ＭＰａの圧力で圧縮した。
充分冷却した後取り出し粉砕後、常圧下で圧力４９０Ｍ
Ｐａ、金型温度６０℃の条件で打錠しタブレットを得
た。以下の方法で評価した。コンプレッション及びタブ
レット工程で充分に空隙が潰され、加熱時の樹脂内空気
が低減されボイドがなくなった。
ロールを用いて３０回混練し、得られた混練物シートを
そのまま常温のコンプレッション成形機で１５×２０×
０．１ｃｍのサイズに９．８ＭＰａの圧力で圧縮した。
充分冷却した後取り出し粉砕後、常圧下で圧力４９０Ｍ
Ｐａ、金型温度６０℃の条件で打錠しタブレットを得
た。以下の方法で評価した。コンプレッション及びタブ
レット工程で充分に空隙が潰され、加熱時の樹脂内空気
が低減されボイドがなくなった。
【００１４】評価方法
比重とポット内の膨張率の測定は、前記方法による。
ボイド不良：８０ｐ（１４×２０×２．７ｍｍ）ＱＦＰ
を低圧トランスファ−成形機にて１７５℃、注入圧力
６．９ＭＰａ、２分の条件で成形し、外観チェックを行
い外部ボイドの有無で判定した。ｎ＝５０。
を低圧トランスファ−成形機にて１７５℃、注入圧力
６．９ＭＰａ、２分の条件で成形し、外観チェックを行
い外部ボイドの有無で判定した。ｎ＝５０。
【００１５】比較例１、２
比較例１は、実施例１と同一の各成分を混合した後、表
面温度が９０℃と３０℃の２本ロールを用いて３０回混
練し、得られた混練物シート、充分冷却した後取り出し
粉砕後、常温常圧下で圧力４９０ＭＰａの条件で打錠し
タブレットを得た。２本ロールの後工程に材料内の空隙
を潰す工程がないため、粉砕後の粒子内の空隙が残り、
加熱時に膨張しボイドの原因となった。比較例２は、実
施例１と同一の各成分を混合した後、同方向回転二軸混
練機を用いて、吐出樹脂の温度が１００〜１１０℃とな
る条件で混練し、冷却せずにシーティングロールでシー
トにし、充分冷却した後取り出し粉砕後、常圧下で圧力
３３０ＭＰａの条件で打錠しタブレットを得た。タブレ
ット工程での圧力が不足しているため、粉砕された粒子
間の空隙が充分潰されないため成形時の巻き込み空気の
原因となった。
面温度が９０℃と３０℃の２本ロールを用いて３０回混
練し、得られた混練物シート、充分冷却した後取り出し
粉砕後、常温常圧下で圧力４９０ＭＰａの条件で打錠し
タブレットを得た。２本ロールの後工程に材料内の空隙
を潰す工程がないため、粉砕後の粒子内の空隙が残り、
加熱時に膨張しボイドの原因となった。比較例２は、実
施例１と同一の各成分を混合した後、同方向回転二軸混
練機を用いて、吐出樹脂の温度が１００〜１１０℃とな
る条件で混練し、冷却せずにシーティングロールでシー
トにし、充分冷却した後取り出し粉砕後、常圧下で圧力
３３０ＭＰａの条件で打錠しタブレットを得た。タブレ
ット工程での圧力が不足しているため、粉砕された粒子
間の空隙が充分潰されないため成形時の巻き込み空気の
原因となった。
【００１６】
【表１】
【００１７】
【発明の効果】本発明のタブレットを用いて半導体素子
を封止して得られる半導体装置は、ボイドが少なく充填
性に優れており成形後の半導体装置の不良が減少し、産
業上有用である。
を封止して得られる半導体装置は、ボイドが少なく充填
性に優れており成形後の半導体装置の不良が減少し、産
業上有用である。
【図１】コンプレッションプレスの前後の工程を示す概
念図である。
念図である。
Claims (3)
- 【請求項１】（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール樹
脂、（Ｃ）硬化促進剤及び（Ｄ）無機充填材を必須成分
とし、前記各成分を混合、混練した後のシートの比重が
成形品比重の９８％以上で、かつ前記シートを粉砕し打
錠したタブレットの比重が、成形品比重の９８％以上で
あることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物
タブレット。 - 【請求項２】エポキシ樹脂組成物タブレットを１７５℃
の成形機のポットに１分間放置後の膨張率が、１０％以
下である請求項１記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成
物タブレット。 - 【請求項３】請求項１又は２記載のエポキシ樹脂組成物
タブレットを用いて半導体素子を封止してなることを特
徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001356795A JP2003155328A (ja) | 2001-11-22 | 2001-11-22 | タブレット及び半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001356795A JP2003155328A (ja) | 2001-11-22 | 2001-11-22 | タブレット及び半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003155328A true JP2003155328A (ja) | 2003-05-27 |
Family
ID=19168249
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001356795A Pending JP2003155328A (ja) | 2001-11-22 | 2001-11-22 | タブレット及び半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003155328A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005048173A (ja) * | 2003-07-17 | 2005-02-24 | Nitto Denko Corp | 半導体封止用タブレットの製法およびそれにより得られた半導体封止用タブレットならびにそれを用いた半導体装置 |
| JP2006339226A (ja) * | 2005-05-31 | 2006-12-14 | Nitto Denko Corp | 半導体封止用タブレットおよびその製法ならびにその半導体封止用タブレットを用いた半導体装置 |
| WO2020026818A1 (ja) * | 2018-07-31 | 2020-02-06 | 京セラ株式会社 | フレーク状封止用樹脂組成物、および半導体装置 |
-
2001
- 2001-11-22 JP JP2001356795A patent/JP2003155328A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005048173A (ja) * | 2003-07-17 | 2005-02-24 | Nitto Denko Corp | 半導体封止用タブレットの製法およびそれにより得られた半導体封止用タブレットならびにそれを用いた半導体装置 |
| JP4634083B2 (ja) * | 2003-07-17 | 2011-02-16 | 日東電工株式会社 | 半導体封止用タブレットの製法 |
| JP2006339226A (ja) * | 2005-05-31 | 2006-12-14 | Nitto Denko Corp | 半導体封止用タブレットおよびその製法ならびにその半導体封止用タブレットを用いた半導体装置 |
| WO2020026818A1 (ja) * | 2018-07-31 | 2020-02-06 | 京セラ株式会社 | フレーク状封止用樹脂組成物、および半導体装置 |
| KR20210021049A (ko) * | 2018-07-31 | 2021-02-24 | 교세라 가부시키가이샤 | 플레이크 형상 밀봉용 수지 조성물, 및 반도체 장치 |
| KR102506974B1 (ko) | 2018-07-31 | 2023-03-07 | 교세라 가부시키가이샤 | 플레이크 형상 밀봉용 수지 조성물, 및 반도체 장치 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6832193B2 (ja) | 樹脂組成物および樹脂封止型半導体装置 | |
| JP2011148959A (ja) | 半導体封止用樹脂シートおよび樹脂封止型半導体装置 | |
| JP2003155328A (ja) | タブレット及び半導体装置 | |
| JP2006008956A (ja) | 半導体封止用樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置 | |
| JP2009188142A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂タブレットとその製造方法 | |
| JPH0839549A (ja) | 半導体封止用タブレット | |
| JP4232443B2 (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JP2000239490A (ja) | 離型処理用樹脂組成物とこれを用いた封止半導体装置の製造方法 | |
| JP4634083B2 (ja) | 半導体封止用タブレットの製法 | |
| JP2006257309A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JP4105344B2 (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製法 | |
| JPH11140274A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JP2020139070A (ja) | 封止用樹脂組成物及びその製造方法、並びに半導体装置 | |
| JP3537224B2 (ja) | エポキシ樹脂系組成物及び樹脂封止型半導体装置 | |
| JP2008184544A (ja) | 半導体封止用樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置 | |
| JP4505888B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JPH11246671A (ja) | 顆粒状エポキシ樹脂組成物の製造方法 | |
| KR100691063B1 (ko) | 반도체 밀봉용 태블릿의 제법 및 그에 의해 수득된 반도체 밀봉용 태블릿 및 이를 이용한 반도체 장치 | |
| TWI796507B (zh) | 片狀密封用樹脂組合物、及半導體裝置 | |
| JP3957944B2 (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製造方法 | |
| JPS6135908A (ja) | 半導体封止用樹脂タブレツトの製造方法 | |
| JP2006339226A (ja) | 半導体封止用タブレットおよびその製法ならびにその半導体封止用タブレットを用いた半導体装置 | |
| JP3358447B2 (ja) | 封止用エポキシ樹脂組成物 | |
| JP4362885B2 (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び樹脂封止型半導体装置 | |
| JP2003277475A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |