JP2003152222A - 多色半導体発光素子及びその製造方法 - Google Patents
多色半導体発光素子及びその製造方法Info
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- JP2003152222A JP2003152222A JP2001348880A JP2001348880A JP2003152222A JP 2003152222 A JP2003152222 A JP 2003152222A JP 2001348880 A JP2001348880 A JP 2001348880A JP 2001348880 A JP2001348880 A JP 2001348880A JP 2003152222 A JP2003152222 A JP 2003152222A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 多数ピクセルを有し、発光強度が大きいもの
を容易に作る。 【解決手段】 サファイヤ基板１３上にＧａＮの青色発
光層１１Ｂ、ＩｎＧａＮの緑色発光層１１Ｇを順次気相
成長させ、発光層１１Ｇの各ピクセルに対する電極形成
と配線を行って配線層２３Ｇを形成する（Ａ）。ＧａＡ
ｓ基板１５上にＡｌＧａＡｓＰの赤色発光層１１Ｒを形
成し、発光層１１Ｒに対する配線層２３Ｒを形成する
（Ｂ）。ＳｉＯ2の絶縁層２１で配線層２３Ｇと２３Ｒ
を加熱、加圧接着し、レーザ光線で基板１３を剥離し
（Ｃ）、青色発光層１１Ｂに対する配線層２３Ｂを形成
する（Ｄ）。
を容易に作る。 【解決手段】 サファイヤ基板１３上にＧａＮの青色発
光層１１Ｂ、ＩｎＧａＮの緑色発光層１１Ｇを順次気相
成長させ、発光層１１Ｇの各ピクセルに対する電極形成
と配線を行って配線層２３Ｇを形成する（Ａ）。ＧａＡ
ｓ基板１５上にＡｌＧａＡｓＰの赤色発光層１１Ｒを形
成し、発光層１１Ｒに対する配線層２３Ｒを形成する
（Ｂ）。ＳｉＯ2の絶縁層２１で配線層２３Ｇと２３Ｒ
を加熱、加圧接着し、レーザ光線で基板１３を剥離し
（Ｃ）、青色発光層１１Ｂに対する配線層２３Ｂを形成
する（Ｄ）。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明の複数の発光色を発
光する多色半導体発光素子及びその製造方法に関する。
光する多色半導体発光素子及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の３原色発光素子としては、図４Ａ
に示すような各個別の青色発光素子チップ１４Ｂと緑色
発光素子チップ１４Ｇと赤色発光素子チップ１４Ｒと
を、図４Ｂに示すように、小さな１つのパッケージ１２
内に組込み、これら発光素子チップ１４Ｂ、１４Ｇ、１
４Ｒを選択的に１乃至複数発光させ、１点から発光して
いるように感じさせるものであった。青色発光素子チッ
プ１４Ｂは例えばサファイヤ基板１３上に半導体よりな
る青色発光層１１Ｂが形成されて構成され、緑色発光素
子チップ１４Ｇは例えばサファイヤ基板１３上に半導体
よりなる緑色発光層１１Ｇが形成されて構成され、赤色
発光素子チップ１４Ｒは例えばＧａＡｓ基板１５上に半
導体よりなる赤色発光層１１Ｒが形成されて構成されて
いる。
に示すような各個別の青色発光素子チップ１４Ｂと緑色
発光素子チップ１４Ｇと赤色発光素子チップ１４Ｒと
を、図４Ｂに示すように、小さな１つのパッケージ１２
内に組込み、これら発光素子チップ１４Ｂ、１４Ｇ、１
４Ｒを選択的に１乃至複数発光させ、１点から発光して
いるように感じさせるものであった。青色発光素子チッ
プ１４Ｂは例えばサファイヤ基板１３上に半導体よりな
る青色発光層１１Ｂが形成されて構成され、緑色発光素
子チップ１４Ｇは例えばサファイヤ基板１３上に半導体
よりなる緑色発光層１１Ｇが形成されて構成され、赤色
発光素子チップ１４Ｒは例えばＧａＡｓ基板１５上に半
導体よりなる赤色発光層１１Ｒが形成されて構成されて
いる。
【０００３】従って、カラー表示パネルを構成するに
は、図４Ｂに示したカプセルを多数面状に並べて構成す
る必要があり、１つの発光素子（カプセル）を極めて小
さなものとする必要があり、これに伴ってカプセル１２
に小さなチップ１４Ｂ、１４Ｇ、１４Ｒを互いに接近さ
せて組込む必要があり、その製作が大変であった。一
方、一つの基板に異なる発光色の半導体薄膜（発光層）
を積層して、３原色発光素子を構成することが提案され
ている。現在のところ赤色発光層としてはＡｓ系半導体
結晶又はＰ系半導体結晶が主として知られており、一方
青色発光層としてはＮ系半導体結晶が主として知られて
いる。しかしＡｓ系半導体結晶又はＰ系半導体結晶とＮ
系半導体結晶とを同一基板上に作製することが困難であ
り、何れかの発光層は良質な単結晶にならず、十分な発
光が得られないものとなる。
は、図４Ｂに示したカプセルを多数面状に並べて構成す
る必要があり、１つの発光素子（カプセル）を極めて小
さなものとする必要があり、これに伴ってカプセル１２
に小さなチップ１４Ｂ、１４Ｇ、１４Ｒを互いに接近さ
せて組込む必要があり、その製作が大変であった。一
方、一つの基板に異なる発光色の半導体薄膜（発光層）
を積層して、３原色発光素子を構成することが提案され
ている。現在のところ赤色発光層としてはＡｓ系半導体
結晶又はＰ系半導体結晶が主として知られており、一方
青色発光層としてはＮ系半導体結晶が主として知られて
いる。しかしＡｓ系半導体結晶又はＰ系半導体結晶とＮ
系半導体結晶とを同一基板上に作製することが困難であ
り、何れかの発光層は良質な単結晶にならず、十分な発
光が得られないものとなる。
【０００４】このような点から図５に示すように例えば
サファイヤ基板１３上にＧａＮの青色発光層１１Ｂを形
成し、その上にＩｎＧａＮの緑色発光層１１Ｇを形成
し、更にその上にＩｎＮの赤色発光層１１Ｒを形成する
ことも提案されている。このように赤色発光層１１Ｒと
して、Ｎ系半導体を用いると、赤色発光層１１Ｒは比較
的良質な単結晶が得られる。しかし赤色発光層１１Ｒの
発光色は正確な赤色ではなく、しかも、その単結晶性も
十分とは云えず、発光強度が比較的弱いものとなる。更
にこのような発光層を積層した多色発光素子として図６
に示すように比較的大きな基板に形成し、これに対し基
盤の目のように行列にピクセル１７を構成し、つまりカ
ラーパネルを構成することが考えられる。この場合、そ
の各ピクセル１７ごとに図７に示すように、青色発光層
１１ＢのＮ形層、Ｐ形層、緑色発光層１１ＧのＮ形層、
Ｐ形層、赤色発光層１１ＲのＮ形層にそれぞれ達する階
段状の蝕刻を行い、これら層に対し、それぞれ電極１６
ＢＮ、１６ＢＰ、１６ＧＮ、１６ＧＰ、１６ＲＮを形成
し、更に赤色発光層１１Ｒ上に電極１６ＲＰを形成し、
各ピクセル１７を選択し、かつその発光層１１Ｂ、１１
Ｇ、１１Ｒを選択して発光させることを可能とする配線
を行うことになる。
サファイヤ基板１３上にＧａＮの青色発光層１１Ｂを形
成し、その上にＩｎＧａＮの緑色発光層１１Ｇを形成
し、更にその上にＩｎＮの赤色発光層１１Ｒを形成する
ことも提案されている。このように赤色発光層１１Ｒと
して、Ｎ系半導体を用いると、赤色発光層１１Ｒは比較
的良質な単結晶が得られる。しかし赤色発光層１１Ｒの
発光色は正確な赤色ではなく、しかも、その単結晶性も
十分とは云えず、発光強度が比較的弱いものとなる。更
にこのような発光層を積層した多色発光素子として図６
に示すように比較的大きな基板に形成し、これに対し基
盤の目のように行列にピクセル１７を構成し、つまりカ
ラーパネルを構成することが考えられる。この場合、そ
の各ピクセル１７ごとに図７に示すように、青色発光層
１１ＢのＮ形層、Ｐ形層、緑色発光層１１ＧのＮ形層、
Ｐ形層、赤色発光層１１ＲのＮ形層にそれぞれ達する階
段状の蝕刻を行い、これら層に対し、それぞれ電極１６
ＢＮ、１６ＢＰ、１６ＧＮ、１６ＧＰ、１６ＲＮを形成
し、更に赤色発光層１１Ｒ上に電極１６ＲＰを形成し、
各ピクセル１７を選択し、かつその発光層１１Ｂ、１１
Ｇ、１１Ｒを選択して発光させることを可能とする配線
を行うことになる。
【０００５】このような電極を形成するには、マスクを
用いたエッチングを５回行う必要があり、しかも、各層
が１〜３μｍ程度と薄いため、高い精度の深さのエッチ
ング加工をする必要があり、エッチング加工が大変な作
業となる。しかも、上側の発光層程、面積が小さくな
り、発光強度が弱くなる。また、各ピクセル１７ごとの
各電極１６ＢＮ、１６ＢＰ、１６ＧＮ、１６ＧＰ、１６
ＲＮ、１６ＲＰに対する配線も段差があるため高度の技
術を必要とする。
用いたエッチングを５回行う必要があり、しかも、各層
が１〜３μｍ程度と薄いため、高い精度の深さのエッチ
ング加工をする必要があり、エッチング加工が大変な作
業となる。しかも、上側の発光層程、面積が小さくな
り、発光強度が弱くなる。また、各ピクセル１７ごとの
各電極１６ＢＮ、１６ＢＰ、１６ＧＮ、１６ＧＰ、１６
ＲＮ、１６ＲＰに対する配線も段差があるため高度の技
術を必要とする。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】この発明の目的は十分
な性能を有する多色半導体発光素子及びその製造方法を
提供することにある。この発明の他の目的は比較的簡単
に配線することを可能とする複数の発光部（ピクセル）
を有する多色半導体発光素子及びその製造方法を提供す
ることにある。
な性能を有する多色半導体発光素子及びその製造方法を
提供することにある。この発明の他の目的は比較的簡単
に配線することを可能とする複数の発光部（ピクセル）
を有する多色半導体発光素子及びその製造方法を提供す
ることにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明による多色半導
体発光素子によれば、電流注入により互いに異なる色を
発光する複数の発光層が積層され、その積層された発光
層の間に単結晶でない絶縁層が介在されている。この多
色半導体発光素子には、好ましくは複数の発光部（ピク
セル）が設けられ、上記絶縁層に各発光部に対する配線
が形成されている。この発明の製造方法によれば、第１
基板に第１発光色の第１発光層を形成し、第２基板に第
２発光色の第２発光層を形成し、これら第１発光層と第
２発光層とを第１基板及び第２基板を反対側として互い
に接着し、その後、第１基板及び第２基板の一方を除去
する。
体発光素子によれば、電流注入により互いに異なる色を
発光する複数の発光層が積層され、その積層された発光
層の間に単結晶でない絶縁層が介在されている。この多
色半導体発光素子には、好ましくは複数の発光部（ピク
セル）が設けられ、上記絶縁層に各発光部に対する配線
が形成されている。この発明の製造方法によれば、第１
基板に第１発光色の第１発光層を形成し、第２基板に第
２発光色の第２発光層を形成し、これら第１発光層と第
２発光層とを第１基板及び第２基板を反対側として互い
に接着し、その後、第１基板及び第２基板の一方を除去
する。
【０００８】好ましくは各発光層には複数の発光部（ピ
クセル）が形成され、上記第１発光層と第２発光層とを
接着する前に、これら第１発光層及び第２発光層のその
各発光部に対するそれぞれの配線を行う。
クセル）が形成され、上記第１発光層と第２発光層とを
接着する前に、これら第１発光層及び第２発光層のその
各発光部に対するそれぞれの配線を行う。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下にこの発明の実施形態を実施
例により説明する。実施例１ 図１にこの発明による素子の実施例をその製造方法の実
施例と共に説明する。図１Ａに示すように例えばサファ
イヤなどの基板１３上に青色発光層１１Ｂとして例えば
ＧａＮを気相成長により形成し、その後、その青色発光
層１１Ｂ上に緑色発光層１１Ｇとして例えばＩｎＧａＮ
を気相成長により形成する。なお基板１３の厚さは例え
ば３００μｍ程度であり、発光層１１Ｂ及び１１Ｇの各
厚さは例えば１〜３μｍ程度である。基板１３の格子定
数と発光層１１Ｂ及び１１Ｇの格子定数とがほぼ同一ま
たは比較的近く、つまり、基板１３上に単結晶の発光層
１１Ｂ及び１１Ｇが成長形成できるようにされる。
例により説明する。実施例１ 図１にこの発明による素子の実施例をその製造方法の実
施例と共に説明する。図１Ａに示すように例えばサファ
イヤなどの基板１３上に青色発光層１１Ｂとして例えば
ＧａＮを気相成長により形成し、その後、その青色発光
層１１Ｂ上に緑色発光層１１Ｇとして例えばＩｎＧａＮ
を気相成長により形成する。なお基板１３の厚さは例え
ば３００μｍ程度であり、発光層１１Ｂ及び１１Ｇの各
厚さは例えば１〜３μｍ程度である。基板１３の格子定
数と発光層１１Ｂ及び１１Ｇの格子定数とがほぼ同一ま
たは比較的近く、つまり、基板１３上に単結晶の発光層
１１Ｂ及び１１Ｇが成長形成できるようにされる。
【００１０】一方、図１Ｂに示すように例えばＧａＡｓ
単結晶よりなる基板１５上に赤色発光層１１Ｒとして例
えばＡｌＧａＡｓＰを気相成長により形成される。赤色
発光層１１ＲとしてはＧａＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＧａ
Ａｓなどで形成してもよく、何れにしても電流注入によ
り、赤色光を発光する単結晶半導体層であればよく、つ
まり基板１５と赤色発光層１１Ｒとは単結晶の格子定数
がほぼ同一または比較的近く赤色発光層１１Ｒが基板１
５上に単結晶として成長形成できればよい。次に図１Ｃ
に示すように絶縁層２１を介在させて緑色発光層１１Ｇ
と赤色発光層１１Ｒとが互いに接着される。つまり絶縁
層２１は緑色発光層１１Ｇと赤色発光層１１Ｒとを互い
に接着させるものであって、例えばＳｉＯ2層（ガラス
層）であり、これを緑色発光層１１Ｇと赤色発光層１１
Ｒの少くとも一方に形成し、その絶縁層２１を介して緑
色発光層１１Ｇと赤色発光層１１Ｒを互いに重ねて加熱
加圧し、絶縁層２１を溶かして、緑色発光層１１Ｇと赤
色発光層１１Ｒを互いに融着させる。加熱温度としては
例えば３００°〜４００℃程度でよい、加圧力としては
例えば２．５ｋｇ程度とする、これより小さくてもよ
く、絶縁層２１の厚さを薄くしたい場合は加圧力を大と
すればよい。しかし加圧力を大きくし過ぎるとＧａＡｓ
基板１５が比較的もろいため、これが破損するおそれが
ある。絶縁層２１の形成はＳｅＳ2の粉末又は溶液を用
いてもよい。また接着のための加熱温度は、この加熱に
より各発光層１１Ｒ、１１Ｇ、１１Ｂの結晶性がよくな
るように例えば７００℃程度のような高温にしてもよ
い。
単結晶よりなる基板１５上に赤色発光層１１Ｒとして例
えばＡｌＧａＡｓＰを気相成長により形成される。赤色
発光層１１ＲとしてはＧａＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＧａ
Ａｓなどで形成してもよく、何れにしても電流注入によ
り、赤色光を発光する単結晶半導体層であればよく、つ
まり基板１５と赤色発光層１１Ｒとは単結晶の格子定数
がほぼ同一または比較的近く赤色発光層１１Ｒが基板１
５上に単結晶として成長形成できればよい。次に図１Ｃ
に示すように絶縁層２１を介在させて緑色発光層１１Ｇ
と赤色発光層１１Ｒとが互いに接着される。つまり絶縁
層２１は緑色発光層１１Ｇと赤色発光層１１Ｒとを互い
に接着させるものであって、例えばＳｉＯ2層（ガラス
層）であり、これを緑色発光層１１Ｇと赤色発光層１１
Ｒの少くとも一方に形成し、その絶縁層２１を介して緑
色発光層１１Ｇと赤色発光層１１Ｒを互いに重ねて加熱
加圧し、絶縁層２１を溶かして、緑色発光層１１Ｇと赤
色発光層１１Ｒを互いに融着させる。加熱温度としては
例えば３００°〜４００℃程度でよい、加圧力としては
例えば２．５ｋｇ程度とする、これより小さくてもよ
く、絶縁層２１の厚さを薄くしたい場合は加圧力を大と
すればよい。しかし加圧力を大きくし過ぎるとＧａＡｓ
基板１５が比較的もろいため、これが破損するおそれが
ある。絶縁層２１の形成はＳｅＳ2の粉末又は溶液を用
いてもよい。また接着のための加熱温度は、この加熱に
より各発光層１１Ｒ、１１Ｇ、１１Ｂの結晶性がよくな
るように例えば７００℃程度のような高温にしてもよ
い。
【００１１】次に図１Ｄに示すように、サファイヤ基板
１３を例えばレーザ光線を照射して剥離する。これによ
り同一基板１５上に赤色発光層１１Ｒ、緑色発光層１１
Ｇ、青色発光層１１Ｂが順次積層された多色発光素子が
得られる。絶縁層２１は、赤色発光層１１Ｒと緑色発光
層１１Ｇとをそれぞれ独立に発光制御するために電気的
絶縁性があり、かつ両発光層１１Ｇと１１Ｒを接着させ
るものであればよく、樹脂系の接着剤を用いてもよい。
また図１Ｅに示すようにサファイヤ基板１３を残しＧａ
Ａｓ基板１５を除去してもよい。この場合は例えば図１
Ｂに破線で示すようにＧａＡｓ基板１５上に剥離層２２
を形成した後赤色発光層１１Ｒを形成する。剥離層２２
は赤色発光層１１Ｒを溶かさない溶剤で溶かすことがで
き、かつ赤色発光層１１Ｒの格子定数と同一又はこれに
近く、良好な単結晶の赤色発光層１１Ｒを成長させるこ
とができるものであればよい。剥離層２２は例えばＩｎ
ＧａＰの層を形成すればＨＣｌで溶解され、ＡｌＧａＡ
ｓの赤色発光層１１Ｒは溶解しない。しかもＩｎとＧａ
の組成が５０％、５０％（１：１）の時にＩｎＧａＰは
ＧａＡｓと格子定数が同一となるが、欠陥が生じない程
度の単結晶のＡｌＧａＡｓを成長させることができる。
あるいはＡｌＡｓを剥離層２２と使用し、ＡｌＡｓはＨ
Ｆで溶けるがＨＦが溶けないＧａＡｓＰにより赤色発光
層１１Ｒの単結晶を成長させることができる。剥離層２
２の厚さは例えば１０ｎｍ程度あればよい。
１３を例えばレーザ光線を照射して剥離する。これによ
り同一基板１５上に赤色発光層１１Ｒ、緑色発光層１１
Ｇ、青色発光層１１Ｂが順次積層された多色発光素子が
得られる。絶縁層２１は、赤色発光層１１Ｒと緑色発光
層１１Ｇとをそれぞれ独立に発光制御するために電気的
絶縁性があり、かつ両発光層１１Ｇと１１Ｒを接着させ
るものであればよく、樹脂系の接着剤を用いてもよい。
また図１Ｅに示すようにサファイヤ基板１３を残しＧａ
Ａｓ基板１５を除去してもよい。この場合は例えば図１
Ｂに破線で示すようにＧａＡｓ基板１５上に剥離層２２
を形成した後赤色発光層１１Ｒを形成する。剥離層２２
は赤色発光層１１Ｒを溶かさない溶剤で溶かすことがで
き、かつ赤色発光層１１Ｒの格子定数と同一又はこれに
近く、良好な単結晶の赤色発光層１１Ｒを成長させるこ
とができるものであればよい。剥離層２２は例えばＩｎ
ＧａＰの層を形成すればＨＣｌで溶解され、ＡｌＧａＡ
ｓの赤色発光層１１Ｒは溶解しない。しかもＩｎとＧａ
の組成が５０％、５０％（１：１）の時にＩｎＧａＰは
ＧａＡｓと格子定数が同一となるが、欠陥が生じない程
度の単結晶のＡｌＧａＡｓを成長させることができる。
あるいはＡｌＡｓを剥離層２２と使用し、ＡｌＡｓはＨ
Ｆで溶けるがＨＦが溶けないＧａＡｓＰにより赤色発光
層１１Ｒの単結晶を成長させることができる。剥離層２
２の厚さは例えば１０ｎｍ程度あればよい。
【００１２】図１Ｃに示すように、緑色発光層１１Ｇと
赤色発光層１１Ｒとを接着した後に、剥離層２２を溶剤
で溶かしてＧａＡｓ基板１５を剥離して図１Ｅに示すサ
ファイヤ基板１３上に青色発光層１１Ｂ、緑色発光層１
１Ｇ、赤色発光層１１Ｒが積層された多色発光素子を得
ることができる。次に図６に示したように同一基板上に
赤色、緑色、青色を選択的に発光することができるピク
セル１７を多数形成する場合の実施例を図２を参照して
説明する。図２Ａに示すように例えばサファイヤ基板１
３上に青色発光層１１Ｂを形成し、その青色発光層１１
Ｂ上に緑色発光層１１Ｇを形成し、更に、緑色発光層１
１Ｇにその各ピクセルに対する電極形成と配線を行った
配線層２３Ｇを形成する。
赤色発光層１１Ｒとを接着した後に、剥離層２２を溶剤
で溶かしてＧａＡｓ基板１５を剥離して図１Ｅに示すサ
ファイヤ基板１３上に青色発光層１１Ｂ、緑色発光層１
１Ｇ、赤色発光層１１Ｒが積層された多色発光素子を得
ることができる。次に図６に示したように同一基板上に
赤色、緑色、青色を選択的に発光することができるピク
セル１７を多数形成する場合の実施例を図２を参照して
説明する。図２Ａに示すように例えばサファイヤ基板１
３上に青色発光層１１Ｂを形成し、その青色発光層１１
Ｂ上に緑色発光層１１Ｇを形成し、更に、緑色発光層１
１Ｇにその各ピクセルに対する電極形成と配線を行った
配線層２３Ｇを形成する。
【００１３】一方、ＧａＡｓ基板１５上に赤色発光層１
１Ｒを形成し、その赤色発光層１１Ｒ上にその各ピクセ
ルに対する電極形成と配線を行った配線層２３Ｒを形成
する。図２Ｃに示すよう配線層２３Ｒと配線層２３Ｇを
絶縁層２１を介して接着し、更にレーザ光線の照射によ
りサファイヤ基板１３を剥離する。図２Ｄに示すように
次に青色発光層１１Ｂ上にその各ピクセルに対する電極
形成及び配線を行って配線層２３Ｂを形成する。配線層
２３Ｇと２３Ｒは絶縁層２１により電気的に絶縁され
る。このように各赤色発光層１１Ｒ、緑色発光層１１
Ｇ、青色発光層１１Ｂのそれぞれについて、その一面が
外に露出された時に、その発光層の各ピクセルに対する
電極と配線を形成するため、各発光層について電極形成
のためのマスクエッチングは各１回でよく、その深さ
も、浅くて済み、エッチングの加工が容易であり、また
発光面積の減少も極くわずかで済む。
１Ｒを形成し、その赤色発光層１１Ｒ上にその各ピクセ
ルに対する電極形成と配線を行った配線層２３Ｒを形成
する。図２Ｃに示すよう配線層２３Ｒと配線層２３Ｇを
絶縁層２１を介して接着し、更にレーザ光線の照射によ
りサファイヤ基板１３を剥離する。図２Ｄに示すように
次に青色発光層１１Ｂ上にその各ピクセルに対する電極
形成及び配線を行って配線層２３Ｂを形成する。配線層
２３Ｇと２３Ｒは絶縁層２１により電気的に絶縁され
る。このように各赤色発光層１１Ｒ、緑色発光層１１
Ｇ、青色発光層１１Ｂのそれぞれについて、その一面が
外に露出された時に、その発光層の各ピクセルに対する
電極と配線を形成するため、各発光層について電極形成
のためのマスクエッチングは各１回でよく、その深さ
も、浅くて済み、エッチングの加工が容易であり、また
発光面積の減少も極くわずかで済む。
【００１４】一方、接着後ＧａＡｓ基板を剥離して多色
発光素子を製作する場合には、図３Ａに示すようにサフ
ァイヤ基板１３上に青色発光層１１Ｂを形成し、その上
に緑色発光層１１Ｇを形成し、その上に青色発光層１１
Ｂ及び緑色発光層１１Ｇのそれぞれに対する各ピクセル
ごとの電極形成と配線を行って配線層２３ＢＧを形成す
る。この場合は３段階の深さの異なるマスクエッチング
を行う必要があるが、従来技術の項で述べた５段階の深
さの異なるマスクエッチングより格段に容易に行うこと
ができる。これに対し、図２Ｂに示したように赤色発光
層１１Ｒとその配線層２３Ｒを形成したものを絶縁層２
１を介して接着し、その後、ＧａＡｓ基板１５を剥離し
てもよい。
発光素子を製作する場合には、図３Ａに示すようにサフ
ァイヤ基板１３上に青色発光層１１Ｂを形成し、その上
に緑色発光層１１Ｇを形成し、その上に青色発光層１１
Ｂ及び緑色発光層１１Ｇのそれぞれに対する各ピクセル
ごとの電極形成と配線を行って配線層２３ＢＧを形成す
る。この場合は３段階の深さの異なるマスクエッチング
を行う必要があるが、従来技術の項で述べた５段階の深
さの異なるマスクエッチングより格段に容易に行うこと
ができる。これに対し、図２Ｂに示したように赤色発光
層１１Ｒとその配線層２３Ｒを形成したものを絶縁層２
１を介して接着し、その後、ＧａＡｓ基板１５を剥離し
てもよい。
【００１５】この場合、図３Ｂに示すように、赤色発光
層１１Ｒを絶縁層２１を介して配線層２３ＢＧに接着
し、ＧａＡｓ基板１５を剥離した後、赤色発光層１１Ｒ
に対する配線層２３Ｒを形成してもよい。
層１１Ｒを絶縁層２１を介して配線層２３ＢＧに接着
し、ＧａＡｓ基板１５を剥離した後、赤色発光層１１Ｒ
に対する配線層２３Ｒを形成してもよい。
【００１６】
【発明の効果】以上述べたようにこの発明によれば、多
色発光素子を形成することができ、しかも十分の発光強
度が得られる。また比較的大きな表示面の多色発光素子
を容易に作ることができる。
色発光素子を形成することができ、しかも十分の発光強
度が得られる。また比較的大きな表示面の多色発光素子
を容易に作ることができる。
【図１】この発明の実施例の製造工程を示す図。
【図２】この発明の他の実施例の製造工程を示す図。
【図３】この発明の他の実施例を示す図。
【図４】従来の多色発光素子を示す図。
【図５】従来の多色発光素子の他の例を示す図。
【図６】多数のピクセルを介する多色発光素子を示す平
面図。
面図。
【図７】従来の多色発光素子の各ピクセルに対する電極
の形成状態を示す図。
の形成状態を示す図。
Claims (4)
- 【請求項１】 電流注入により互いに異なる色を発光す
る複数の発光層が積層された多色半導体発光素子におい
て、 上記積層された発光層の間に単結晶でない絶縁層が介在
されていることを特徴とする多色半導体発光素子。 - 【請求項２】 上記絶縁層とこれと対向する一方の発光
層との間にその発光層の各ピクセルに対する電極及び配
線よりなる配線層が介在され、上記絶縁層とこれと対向
する他方の発光層との間にその発光層の各ピクセルに対
する電極及び配線よりなる配線層が形成されていること
を特徴とする請求項１記載の多色半導体発光素子。 - 【請求項３】 上記積層された発光層は基板上に形成さ
れ、その基板に対し、最も離れた発光層のみのピクセル
に対する電極及び配線よりなる配線層が上記基板に対し
反対側に形成されていることを特徴とする請求項２記載
の多色半導体発光素子。 - 【請求項４】 第１基板に第１発光色の第１発光層を形
成し、 第２基板に第２発光色の第２発光層を形成し、 これら第１発光層と第２発光層とを、第１基板及び第２
基板を反対側として互いに接着し、 上記第１基板及び上記第２基板の一方を除去することを
特徴とする多色半導体発光素子製造方法。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP2001348880A JP2003152222A (ja) | 2001-11-14 | 2001-11-14 | 多色半導体発光素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003152222A true JP2003152222A (ja) | 2003-05-23 |
Family
ID=19161631
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001348880A Abandoned JP2003152222A (ja) | 2001-11-14 | 2001-11-14 | 多色半導体発光素子及びその製造方法 |
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| JP (1) | JP2003152222A (ja) |
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