JP2003151909A

JP2003151909A - 半導体装置の製造方法及び基板処理装置

Info

Publication number: JP2003151909A
Application number: JP2001347628A
Authority: JP
Inventors: Takashi Ozaki; 貴志尾崎; Kenichi Suzaki; 健一寿崎; Kanekazu Mizuno; 謙和水野
Original assignee: Hitachi Kokusai Electric Inc
Current assignee: Hitachi Kokusai Electric Inc
Priority date: 2001-11-13
Filing date: 2001-11-13
Publication date: 2003-05-23
Anticipated expiration: 2021-11-13
Also published as: JP3888430B2

Abstract

(57)【要約】【課題】自然酸化膜の増大を抑制しつつ、更にパーティ
クルの発生を抑制し、半導体装置の品質の向上を図る。【解決手段】基板を処理する反応炉１，４と、該反応炉
内で基板１０を支持する基板保持具８と、前記反応炉に
連設し基板保持具を収納する予備室６と、該予備室と前
記反応炉間で基板保持具を入出炉する炉入出手段と、前
記基板保持具を前記反応炉に装入する際の雰囲気圧力、
又は前記基板保持具を前記反応炉に装入した後の温度リ
カバリ時の雰囲気圧力を前記予備室内で基板を基板保持
具に装填した後に、一旦予備室を真空引きする時の圧力
より高く、且つ大気圧より低く制御する制御手段１９と
を具備する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置の製造工
程で、減圧工程を含む半導体装置の製造方法及び基板処
理装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】先ず、図５により縦型反応炉を有する基
板処理装置について略述する。

【０００３】反応管１は炉口フランジ２に立設されてお
り、該炉口フランジ２には前記反応管１と同心に内管３
が支持されている。又、前記反応管１を囲む様に円筒状
のヒータ４が設けられている。該ヒータ４、前記反応管
１により反応炉が構成される。

【０００４】前記反応管１の内部は気密な反応室５とな
っており、該反応室５には気密な予備室６が連通し、該
予備室６は前記炉口フランジ２に連設されたロードロッ
ク室７によって画成されている。該ロードロック室７に
は炉入出手段であるボートエレベータ（図示せず）が設
けられ、該ボートエレベータによって基板保持具８（以
下ボート８）が前記反応室５に装入、引出される。又、
ボート８の装入時には炉口蓋９によって前記反応室５が
気密に閉塞される様になっている。

【０００５】前記ロードロック室７にはゲート弁（図示
せず）が設けられ、前記ロードロック室７の外部にはウ
ェーハ移載機（図示せず）が設けられ、前記ボート８が
降下（引出）され、前記ロードロック室７に収納されて
いる状態で前記ボート８に前記ウェーハ移載機により前
記ゲート弁を通してシリコンウェーハ等の基板１０（以
下ウェーハ１０）が移載される様になっている。

【０００６】前記炉口フランジ２には第１ガス導入ライ
ン１１が連通され、前記内管３の下方からガスを前記反
応室５に導入する様になっており、又前記ロードロック
室７には第２ガス導入ライン１２が連通されている。
又、前記炉口フランジ２には第１排気ライン１３が連通
され、前記ロードロック室７には第２排気ライン１４が
連通され、前記第１排気ライン１３、第２排気ライン１
４はエアバルブ１５，１６を介して図示しない排気装置
に接続されている。

【０００７】ウェーハ１０が前記ボート８に所定数装填
された状態で、該ボート８は前記反応室５に装入され、
前記反応室５が真空引され、前記ヒータ４により加熱さ
れ、前記第１ガス導入ライン１１より処理ガスが導入さ
れつつ、排気され、所要の減圧状態に維持されること
で、薄膜の生成等所要のウェーハ処理がなされる。

【０００８】処理が完了すると前記ボート８が降下さ
れ、前記ウェーハ１０が払出される。

【０００９】従来、処理を開始する際に、前記反応室５
に前記ボート８を入出炉する方法としては、前記反応室
５、予備室６共に大気圧の状態で入出炉する。或は、該
反応室５、前記予備室６を窒素ガスに置換して入出炉す
る方法、或は該反応室５、予備室６を真空にして入出炉
する方法があった。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】前記反応室５、予備室
６が大気圧の状態で前記ボート８を入出炉する方法で
は、特に装入時に自然酸化膜が生成し、半導体装置に悪
影響を及す。

【００１１】前記反応室５、前記予備室６を窒素ガスに
置換して前記ボート８を入出炉する方法では、自然酸化
膜の生成が抑制され、大気圧の状態で入出炉する場合に
比べ自然酸化膜の生成は大幅に抑制される。然し乍ら、
窒素ガスに置換したといっても、置換されたガスから完
全に酸素ガスを除去することはできないので、ある程度
の自然酸化膜は増加してしまう。

【００１２】前記反応室５、予備室６を真空にして前記
ボート８を入出炉する方法は、前記ボート８の装入時に
雰囲気を真空とするので、窒素ガス雰囲気下で入出炉す
る場合に比べ更に自然酸化膜の増加が抑制されるもので
ある。

【００１３】ところが、真空雰囲気で前記ボート８の装
入を行うとパーティクルが発生することが分っている。
特に、パーティクルの発生は該ボート８の装入時から前
記反応室５の温度リカバリ（ボートの装入により低下し
た炉内温度が装入前の温度迄復帰する工程）時に顕著で
あることも分っている。

【００１４】本発明は斯かる実情に鑑み、自然酸化膜の
増大を抑制しつつ、更にパーティクルの発生を抑制し、
半導体装置の品質の向上を図るものである。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本発明は、反応炉に隣接
した予備室内で基板を基板保持具に装填した後、一旦予
備室を真空引きし、その後基板が装填された前記基板保
持具が前記反応炉に装入される際、又は前記基板保持具
を前記反応炉に装入した後の温度リカバリ時の雰囲気圧
力を前記真空引きした時の圧力より高く、且つ大気圧よ
り低くした半導体装置の製造方法に係り、又基板が装填
された基板保持具を反応炉に装入する際の雰囲気圧力を
前記基板保持具を前記反応炉に装入した後の温度リカバ
リ時の雰囲気圧力より低くした半導体装置の製造方法に
係り、又基板保持具を反応炉に装入する際の雰囲気圧力
を６５０Pa以上、３０００Pa以下とする半導体装置の製
造方法に係り、更に又基板が装填された基板保持具を反
応炉に装入した後の温度リカバリ時の雰囲気圧力を１３
００Pa以上、３０００Pa以下とする半導体装置の製造方
法に係るものである。

【００１６】又、本発明は、基板を処理する反応炉と、
該反応炉内で基板を支持する基板保持具と、前記反応炉
に連設し基板保持具を収納する予備室と、該予備室と前
記反応炉間で基板保持具を入出炉する炉入出手段と、前
記基板保持具を前記反応炉に装入する際の雰囲気圧力、
又は前記基板保持具を前記反応炉に装入した後の温度リ
カバリ時の雰囲気圧力を前記予備室内で基板を基板保持
具に装填した後に、一旦予備室を真空引きする時の圧力
より高く、且つ大気圧より低く制御する制御手段とを具
備する基板処理装置に係るものである。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
実施の形態を説明する。

【００１８】本発明では、自然酸化膜の増大を抑制する
為、窒素ガス等の不活性ガス雰囲気で、且つ減圧下でボ
ートの入出炉を行うことを基本技術思想としている。

【００１９】上記した様に、真空雰囲気ではパーティク
ルが発生することが確認されており、本発明者はウェー
ハ処理後のパーティクルの測定、実験等によりパーティ
クルの発生時期が、ボートの炉内への装入時、反応室の
温度リカバリ時、更に目的温度迄の昇温時であることを
確認し、更にパーティクルの発生の度合はボートの雰囲
気圧力に依存することを確認した。

【００２０】図６は大気圧状態で、ボート８の入炉を行
いウェーハ処理を実行した場合のウェーハ１０へのパー
ティクルの付着状態を示す図であり、図７は高真空状態
（２００Pa）で前記ボート８の入炉を行いウェーハ処理
を実行した場合のウェーハ１０へのパーティクルの付着
状態を示す図である。

【００２１】又、図８はこの時に使用されたボート８の
概略図である。

【００２２】該ボート８は底板２５と天板２６間に４本
の支柱２７が設けられ、該支柱２７には所要間隔でウェ
ーハ保持溝２８が刻設され、該ウェーハ保持溝２８にウ
ェーハ１０が挿入保持される。

【００２３】図６に示される様に、大気圧状態でのパー
ティクルの付着状態は僅かであり、又パーティクルの付
着と前記ボート８との因果関係は見られない。尚、大気
圧状態で入炉等の処理をした場合のパーティクル付着量
の増加は、０〜１０個程度である。

【００２４】図７に示される様に、高真空状態ではウェ
ーハ１０全体にパーティクルの付着が増加していると共
に、ウェーハ１０の前記ウェーハ保持溝２８へ挿入され
た部分（ウェーハ支持部）についてパーティクルの付着
が顕著である。即ち、高真空状態では、全体としてパー
ティクルの付着量が増加すると共にパーティクルの付着
とボート８との因果関係も発生している。

【００２５】発明者はパーティクル発生のメカニズムを
以下の如く解析した。

【００２６】ウェーハを支持したボートの雰囲気圧力を
真空状態或は減圧状態とすると、ウェーハとボートのウ
ェーハ支持部間の気体層が圧力に対応して無くなり、或
は薄くなり、完全な固体接触となり摩擦力が増大する。
又、摩擦力は真空度が高くなる程大きくなる。

【００２７】更に、ボートの装入時、温度リカバリ時、
更にウェーハの目的温度迄の昇温時には、振動、ウェー
ハやボートにかかる温度負荷によるウェーハの膨張、反
り、ボートの変形、温度上昇過程で発生するウェーハと
ボート間の温度差、ウェーハ面内での温度分布の発生等
の原因で、ウェーハとボート間に変位が生じる。

【００２８】この摩擦力が増大した真空雰囲気下でのボ
ート、ウェーハ間の接触部相対変位、摩擦により、ウェ
ーハ、ボートに付着していた膜が剥がれ、パーティクル
となるのである。

【００２９】上記解析結果に基づき、本発明では減圧
下、且つ所定圧以上で、好ましくは不活性ガス雰囲気
で、ボートの装入を行う。更に、温度リカバリ、ウェー
ハ昇温を行う。又、ウェーハの面内温度が安定する迄は
高真空とはせずにある一定の負圧状態を維持するという
ものである。

【００３０】図１に於いて、本実施の形態に係るウェー
ハ処理装置の概略について説明する。尚、図１中、図５
中で示したものと同等のものには同符号を付し、その説
明を省略する。

【００３１】第１排気ライン１３に第１圧力検知器１７
が設けられ、第２排気ライン１４には第２圧力検知器１
８が設けられる。前記第１圧力検知器１７、第２圧力検
知器１８の圧力検知結果は圧力制御部１９に入力され
る。前記第１排気ライン１３、第２排気ライン１４は排
気ポンプ２３に接続されている。

【００３２】第１ガス導入ライン１１には第１流量制御
器２０、第２ガス導入ライン１２には第２流量制御器２
１が設けられ、前記第１流量制御器２０、第２流量制御
器２１は前記圧力制御部１９からの指令により前記第１
ガス導入ライン１１から反応室５に供給されるガスの流
量を制御し、前記第２ガス導入ライン１２から予備室６
に供給されるガスの流量を制御する。

【００３３】該ウェーハ処理装置に於ける成膜等のウェ
ーハ処理については、図５で説明した従来例と同様であ
るので、説明を省略する。

【００３４】前記圧力制御部１９により、前記第１流量
制御器２０、第２流量制御器２１を閉鎖し、ガスの供給
を停止し、エアバルブ１５，１６を開き、前記排気ポン
プ２３により真空引することで、前記反応室５、予備室
６を真空状態又は減圧状態とすることができる。

【００３５】又、前記エアバルブ１５，１６を開き、前
記排気ポンプ２３により真空引した状態で、前記第１圧
力検知器１７、第２圧力検知器１８からの圧力検知信号
は前記圧力制御部１９にフィードバックされ、該圧力制
御部１９では前記第１圧力検知器１７、第２圧力検知器
１８が検知する圧力が設定圧力となる様、前記第１流量
制御器２０、第２流量制御器２１を制御し、ガス導入流
量を調整する。

【００３６】尚、圧力調整過程、維持過程で供給される
ガスは、酸化膜増大を抑制する為、不活性ガス、例えば
窒素ガスが用いられる。

【００３７】又、前記第１ガス導入ライン１１と第２ガ
ス導入ライン１２の２系統で前記反応室５、予備室６に
ガスが供給され、又前記第１排気ライン１３、第２排気
ライン１４の２系統で排気され、更に前記反応室５は開
閉可能であるので、該反応室５、前記予備室６は個々に
圧力制御、圧力管理が可能であると共に、前記反応室５
と予備室６とが連通している状態では、該反応室５と予
備室６とを一体に圧力制御、圧力管理が可能である。

【００３８】上記構成に於いて、ボート８の雰囲気圧力
を変化させた場合の、ウェーハの処理前後でのパーティ
クルの増加量の一例を求めたものが、図２、図３であ
る。ここで、雰囲気圧力とは、前記ボート８が収納され
ている空間の圧力を意味し、前記ボート８が前記反応室
５に装入され、該反応室５が閉塞されている場合は、該
反応室５の圧力が雰囲気圧力であり、該反応室５、前記
予備室６のいずれかの空間に前記ボート８が収納され、
前記反応室５が開放されている場合、例えば反応炉へボ
ート８を装入する際は、該反応室５と予備室６を１つと
した空間の圧力を意味する。

【００３９】ここで、パーティクルの増加量とは、処理
前のパーティクル量に対する処理後のパーティクルの増
加量を意味し、以下の実験では、使用ガスを全てＮ2 と
して処理シーケンスを実行した場合である。

【００４０】図２は入炉時の雰囲気圧力を２００Pa、６
５０Pa、９８０Pa、１３００Paとし、前記反応室５へ前
記ボート８を装入し、温度リカバリ時の圧力を１３００
Paとした場合の、該ボート８の上部、中部、底部でのウ
ェーハに付着したパーティクルの増加量を測定したもの
である。

【００４１】入炉時の雰囲気圧力が２００Pa、６５０P
a、９８０Pa、１３００Paと増加するに従って、パーテ
ィクルの増加量は減少し、９８０Pa以上で殆ど増加は見
られなくなっている。

【００４２】図３は同様に、入炉時の雰囲気圧力を２０
０Pa、６５０Pa、９８０Pa、１３００Paとし、前記反応
室５へ前記ボート８を装入し、温度リカバリ時の圧力を
１０Paとした場合の、該ボート８の上部、中部、底部で
のウェーハに付着したパーティクルの増加量を測定した
ものである。

【００４３】入炉時の雰囲気圧力が２００Pa、６５０P
a、９８０Pa、１３００Paと増加するに従って、前記ボ
ート８の各部位に於いて、パーティクルの増加量は略減
少傾向を示している。雰囲気圧力の増加と共にパーティ
クルの減少傾向が見られる。

【００４４】更に、図２と図３を対比させると、図２は
図３に対して温度リカバリ時の雰囲気圧力が高くなって
いる。又、図２で示された条件での付着したパーティク
ルの増加量の方が、明らかに図３の条件でのパーティク
ルの増加量より少ない。即ち、温度リカバリ時の雰囲気
圧力が高い程、付着したパーティクルの増加量が少な
い。

【００４５】即ち、温度リカバリ時の雰囲気圧力を高く
することで、付着するパーティクルの増加量を少なくす
ることができる。尚、温度リカバリ時のパーティクルの
発生、付着は温度上昇過程で発生するウェーハとボート
間の温度差、ウェーハ面内での温度分布の発生等が原因
であるので、温度リカバリ時に限らず、炉内温度を上昇
させる場合も同様な結果が得られる。

【００４６】図２、図３を考慮すると、図２より、温度
リカバリ時の圧力を１３００Paと比較的高い雰囲気圧力
とした時、入炉時の雰囲気圧力が２００Paという低圧条
件では多量に発生するパーティクルが、雰囲気圧力を上
げていくことにより低減され、６５０Pa以上とすれば略
大気圧と同様な結果が得られる。

【００４７】又、図２、図３より、温度リカバリ時の雰
囲気圧力が１０Pa以下の高真空状態では、多量のパーテ
ィクルが発生しているが、雰囲気圧力を１３００Paと高
くすると、パーティクルは大幅に低減されている。特
に、入炉時の雰囲気圧力を６５０Paとした場合では、略
大気圧と同様な結果が得られる。

【００４８】而して、少なくとも入炉時の雰囲気圧力を
６５０Paとし、且つ温度リカバリ時の圧力を１３００Pa
とすれば、略大気圧と同様な結果が得られる。

【００４９】上記した様に、雰囲気圧力を高くすること
で、付着するパーティクルの増加量は低減することがで
きるが、必要以上に高くすると、自然酸化膜の生成の抑
制が十分でなくなる。或は、雰囲気圧力を必要以上に高
くすると、ウェーハ処理圧力、例えばＳｉＨ4 （モノシ
ラン）とＰＨ3 （ホスフィン）を用いて行うＤ−ｐｏｌ
ｙＳｉ膜（リンドープシリコン膜）の成膜では、成膜
圧力は１１０Paであるので圧力差が大きくなり、圧力調
整に時間が掛り、スループットが低下するという不具合
を生じる。

【００５０】従って、実用上効果的な最大雰囲気圧力と
しては、３０００Paとするのが好ましい。雰囲気圧力が
３０００Paの場合、圧力変更時の圧力調整時間を、スル
ープットに影響を及さない程度とすることができ、又自
然酸化膜の抑制にも充分な効果がある。

【００５１】図４により本発明をＤ−ｐｏｌｙＳｉ膜
（リンドープシリコン膜）の成膜に実施した場合の実施
例を図１を参照して説明する。

【００５２】Ｄ−ｐｏｌｙＳｉ膜（リンドープシリコ
ン膜）の成膜では反応室５内の温度は、例えば５３０℃
に一定に保持される。

【００５３】該反応室５が閉塞され、予備室６内に収納
された前記ボート８にウェーハ１０が装填され、前記予
備室６が閉塞された後、前記反応室５、予備室６共に真
空引され、高真空状態とされる。尚、ここでいう真空引
きとは、ガスの供給を停止した状態で排気ラインにより
真空排気を行うことであり、真空引きした時の圧力は、
成膜時の圧力よりも低い。高真空状態とされることで、
ウェーハ１０の自然酸化膜の生成が抑制される。

【００５４】前記圧力制御部１９により前記第１流量制
御器２０、第２流量制御器２１を制御し、不活性ガスを
前記反応室５、予備室６に導入して該反応室５、予備室
６の圧力を６５０Pa〜３０００Paにする。雰囲気圧力が
６５０Pa〜３０００Paの状態で、前記反応室５を開放し
て前記ボート８を前記反応室５に装入する。

【００５５】該反応室５の開放、前記ボート８の装入に
より前記反応室５の温度が低下する。

【００５６】炉内温度が成膜温度迄上昇され（温度リカ
バリ）、温度リカバリ時での圧力は前記圧力制御部１９
により前記第１流量制御器２０を介して１３００Pa〜３
０００Paに制御される。

【００５７】成膜温度での安定化が図られ、その後成膜
処理がなされる。成膜処理時の圧力は、膜種により異な
るが本実施例の場合１１０Paである。

【００５８】成膜処理が完了すると、前記反応室５内が
処理圧力より更に低圧でＮ2 パージされ、該反応室５が
６５０Pa〜３０００Paに制御されると共に前記予備室６
も反応室５と同圧に制御される。雰囲気圧力が６５０Pa
〜３０００Paに維持された状態で、該反応室５が開放さ
れ、前記ボート８が前記予備室６に引出される。該予備
室６内で前記ボート８、ウェーハ１０が冷却される。冷
却後、ロードロック室７が開放され、ウェーハ移載機
（図示せず）により処理済のウェーハ１０が搬出され、
未処理ウェーハ１０がボート８に移載される。

【００５９】該実施例では、温度リカバリ時の雰囲気圧
力が１３００Pa〜３０００Paに制御され、前記ボート８
の装入時では雰囲気圧力が６５０Pa〜３０００Paに制御
されているので、付着するパーティクルの増加状態は図
２で示された入炉の圧力が６５０Pa以上に該当する。

【００６０】尚、上記実施例で、ボート８の装入時の雰
囲気圧力が６５０Pa〜３０００Paと温度リカバリ時の雰
囲気圧力１３００Pa〜３０００Paよりも低圧側に範囲が
広くなっているが、ボート８装入時の雰囲気圧力を、よ
り低くした場合の利点は次の通りである。即ち、自然酸
化膜が特に問題となるのは反応室５と予備室６が開通し
たボート８装入時であり、温度リカバリ時は反応室５を
閉塞した後なので、ボート８装入時に比べると自然酸化
膜はそれ程問題とならない。従って、自然酸化膜が生成
され易いボート８装入時の雰囲気圧力を自然酸化膜の生
成の抑制の為、より低くすることが好ましい。又、温度
リカバリ時は比較的自然酸化膜が生成され難いので、パ
ーティクルの発生を抑制する為、雰囲気圧力をより高く
することが好ましい。

【００６１】又、上記実施例では、成膜処理工程で炉内
温度は一定の温度に維持されているが、基板処理工程中
に炉内温度の昇温、降温工程が含まれている場合は、温
度リカバリ時と同様の目的で雰囲気圧力の制御を行え
ば、パーティクルの発生を抑制できることは言う迄もな
い。

【００６２】更に、図２、図３に示される様に、温度リ
カバリ時の雰囲気圧力、入炉時の雰囲気圧力のいずれか
一方のみを高真空圧より高い圧力にすることで、パーテ
ィクルの発生が抑制できる効果がある。例えば、入炉時
の雰囲気圧力を大気圧とし、窒素ガス雰囲気下で入炉を
行い、温度リカバリ時の雰囲気圧力を１３００Pa〜３０
００Paとしてもパーティクルの発生を抑制できる。即
ち、図１に於いて、前記予備室６内に収納されたボート
８にウェーハが装填され、前記予備室６が閉塞された
後、予備室６と前記反応室５を窒素ガス雰囲気とする。
この状態で該反応室５を開放して前記ボート８を反応室
５に装入する。この時に反応室５の開放、ボート８の装
入により反応室５の温度が低下する。この低下した炉内
温度が装入前の温度まで回復する温度リカバリ時の雰囲
気圧力を１３００Pa〜３０００Paとする。温度安定化
後、上記実施例と同様な成膜処理を行う。この様に入炉
時の雰囲気圧力を大気圧（窒素ガス雰囲気）とし、温度
リカバリ時の雰囲気圧力を１３００Pa〜３０００Paとし
た場合でも、上記実施例と同様にパーティクルの発生を
抑制できる。

【００６３】

【発明の効果】以上述べた如く本発明によれば、反応炉
に隣接した予備室内で基板を基板保持具に装填した後、
一旦予備室を真空引きし、その後基板が装填された前記
基板保持具が前記反応炉に装入される際、又は前記基板
保持具を前記反応炉に装入した後の温度リカバリ時の雰
囲気圧力を前記真空引きした時の圧力より高く、且つ大
気圧より低くしたので、自然酸化膜の増大を抑制しつ
つ、更にパーティクルの発生を抑制し、より微細な半導
体装置を製造する場合に於いても、歩留りを低減させる
ことなく、高品質の基板処理が可能になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態を示す骨子図である。

【図２】本発明の実施の形態に於ける雰囲気圧力と基板
に付着するパーティクルの増加量との関係を示す図であ
る。

【図３】本発明の実施の形態に於ける雰囲気圧力と基板
に付着するパーティクルの増加量との関係を示す図であ
る。

【図４】（Ａ）（Ｂ）は本発明の実施例の作用を示す線
図である。

【図５】従来例を示す骨子図である。

【図６】大気圧状態で処理した場合の基板に付着したパ
ーテイクルの状態を示す説明図である。

【図７】真空状態で処理した場合の基板に付着したパー
テイクルの状態を示す説明図である。

【図８】基板を保持する基板保持具の斜視図である。

【符号の説明】

１反応管５反応室６予備室８ボート１０ウェーハ１１第１ガス導入ライン１２第２ガス導入ライン１３第１排気ライン１４第２排気ライン１７第１圧力検知器１８第２圧力検知器１９圧力制御部２０第１流量制御器２１第２流量制御器２３排気ポンプ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者水野謙和東京都中野区東中野三丁目14番20号株式会社日立国際電気内Ｆターム(参考） 4K029 EA03 KA09 4K030 GA12 JA09 KA41 KA49 5F031 CA02 JA10 JA45 MA28 NA04 NA05 PA26 5F045 AA06 AB03 AC01 AC19 AD09 AE19 DP19 EB08 EB12 EE04 EE14 EM10

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】反応炉に隣接した予備室内で基板を基板
保持具に装填した後、一旦予備室を真空引きし、その後
基板が装填された前記基板保持具が前記反応炉に装入さ
れる際、又は前記基板保持具を前記反応炉に装入した後
の温度リカバリ時の雰囲気圧力を前記真空引きした時の
圧力より高く、且つ大気圧より低くしたことを特徴とす
る半導体装置の製造方法。
【請求項２】基板が装填された基板保持具を反応炉に
装入する際の雰囲気圧力を前記基板保持具を前記反応炉
に装入した後の温度リカバリ時の雰囲気圧力より低くし
たことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】基板保持具を反応炉に装入する際の雰囲
気圧力を６５０Pa以上、３０００Pa以下とする請求項１
の半導体装置の製造方法。
【請求項４】基板が装填された基板保持具を反応炉に
装入した後の温度リカバリ時の雰囲気圧力を１３００Pa
以上、３０００Pa以下とすることを特徴とする半導体装
置の製造方法。
【請求項５】基板を処理する反応炉と、該反応炉内で
基板を支持する基板保持具と、前記反応炉に連設し基板
保持具を収納する予備室と、該予備室と前記反応炉間で
基板保持具を入出炉する炉入出手段と、前記基板保持具
を前記反応炉に装入する際の雰囲気圧力、又は前記基板
保持具を前記反応炉に装入した後の温度リカバリ時の雰
囲気圧力を前記予備室内で基板を基板保持具に装填した
後に、一旦予備室を真空引きする時の圧力より高く、且
つ大気圧より低く制御する制御手段とを具備することを
特徴とする基板処理装置。