JP2003151182A - 相変化型メモリ素子の製造方法および該方法で製造したメモリ素子 - Google Patents
相変化型メモリ素子の製造方法および該方法で製造したメモリ素子Info
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- JP2003151182A JP2003151182A JP2001349993A JP2001349993A JP2003151182A JP 2003151182 A JP2003151182 A JP 2003151182A JP 2001349993 A JP2001349993 A JP 2001349993A JP 2001349993 A JP2001349993 A JP 2001349993A JP 2003151182 A JP2003151182 A JP 2003151182A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 複製技術を用いて極めて安価に相変化型メモ
リ素子を製造する。 【解決手段】 相変化型メモリ素子の製造方法におい
て、目的とするパターンを有する原版（１）に硬化性樹
脂（２）を塗布して、硬化のための手段により硬化させ
た樹脂を原版から剥離して基板とし、一方の基板は前記
基板上に電極層（３）を形成して目的とする形状に電極
層パターンを形成したものを第１コンタクト層（１０）
とし、もう一方の基板については第１コンタクト層の電
極層上にさらにカルコゲナイド層を形成したものを第２
コンタクト層（１１）とし、各々の基板を第１コンタク
ト層と第２コンタクト層の目的とするパターンが交差す
るように向かい合わせて接触させるようにしたものであ
る。
リ素子を製造する。 【解決手段】 相変化型メモリ素子の製造方法におい
て、目的とするパターンを有する原版（１）に硬化性樹
脂（２）を塗布して、硬化のための手段により硬化させ
た樹脂を原版から剥離して基板とし、一方の基板は前記
基板上に電極層（３）を形成して目的とする形状に電極
層パターンを形成したものを第１コンタクト層（１０）
とし、もう一方の基板については第１コンタクト層の電
極層上にさらにカルコゲナイド層を形成したものを第２
コンタクト層（１１）とし、各々の基板を第１コンタク
ト層と第２コンタクト層の目的とするパターンが交差す
るように向かい合わせて接触させるようにしたものであ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はＤＶＤ等の大容量記
憶装置に使用される相変化型メモリ素子の製造方法およ
び該方法で製造されたメモリ素子に関する。
憶装置に使用される相変化型メモリ素子の製造方法およ
び該方法で製造されたメモリ素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、テルル（Ｔｅ）、ゲルマニウム
（Ｇｅ）、アンチモン（Ｓｂ）の３成分系のカルコゲナ
イド材料を記録材料としたＤＶＤ等の大容量の相変化光
ディスクが知られている。
（Ｇｅ）、アンチモン（Ｓｂ）の３成分系のカルコゲナ
イド材料を記録材料としたＤＶＤ等の大容量の相変化光
ディスクが知られている。
【０００３】図５は光ディスク記録材料の相変化と光学
定数の関係を説明する図である。相変化光ディスクは基
板上の記録薄膜をレーザ光照射によって加熱昇温させ、
その構造に結晶学的な相変化を起こさせて情報の記録、
消去を行い、その相の間の光学定数変化に起因する反射
率の変化を検出して情報の再生を行う。
定数の関係を説明する図である。相変化光ディスクは基
板上の記録薄膜をレーザ光照射によって加熱昇温させ、
その構造に結晶学的な相変化を起こさせて情報の記録、
消去を行い、その相の間の光学定数変化に起因する反射
率の変化を検出して情報の再生を行う。
【０００４】アモルファス・結晶間の相変化の場合、ア
モルファス状態は記録薄膜をレーザ光照射で融点以上に
加熱昇温し、溶融した後に急冷して得られる。結晶状態
は結晶化温度以上に加熱し、除冷することにより得られ
る。急冷、除冷は相対的なものであるが、一般的に安定
なアモルファス状態を得るには１０7`9 Ｋ／sec 程度の
冷却速度が必要と言われている。
モルファス状態は記録薄膜をレーザ光照射で融点以上に
加熱昇温し、溶融した後に急冷して得られる。結晶状態
は結晶化温度以上に加熱し、除冷することにより得られ
る。急冷、除冷は相対的なものであるが、一般的に安定
なアモルファス状態を得るには１０7`9 Ｋ／sec 程度の
冷却速度が必要と言われている。
【０００５】図６はカルコゲナイド系材料の電気伝導度
の温度依存性を示す図であり、縦軸は対数表示の電気伝
導度、横軸は温度の逆数である。このグラフから分かる
ように、カルコゲナイド系材料の電気伝導度は、結晶状
態とアモルファス状態との間の相変化により温度に対し
て大きく変化し、結晶状態では抵抗値が低く、アモルフ
ァス状態では抵抗値が高くなる。この抵抗値の変化を
「０」、「１」に対応させてメモリ素子とすることが知
られている。
の温度依存性を示す図であり、縦軸は対数表示の電気伝
導度、横軸は温度の逆数である。このグラフから分かる
ように、カルコゲナイド系材料の電気伝導度は、結晶状
態とアモルファス状態との間の相変化により温度に対し
て大きく変化し、結晶状態では抵抗値が低く、アモルフ
ァス状態では抵抗値が高くなる。この抵抗値の変化を
「０」、「１」に対応させてメモリ素子とすることが知
られている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】したしながら、従来知
られているメモリ素子の配線形成は、エッチングワーク
により、微細化をおこなっているため、その製造装置は
高価であるうえ廃液が発生し、結果製造されるメモリ素
子が非常に高価になってしまうという問題があった。本
発明は上記課題を解決するためのもので、複製技術を用
いて極めて安価に相変化型メモリ素子を製造可能にする
ことを目的とする。
られているメモリ素子の配線形成は、エッチングワーク
により、微細化をおこなっているため、その製造装置は
高価であるうえ廃液が発生し、結果製造されるメモリ素
子が非常に高価になってしまうという問題があった。本
発明は上記課題を解決するためのもので、複製技術を用
いて極めて安価に相変化型メモリ素子を製造可能にする
ことを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、相変化型メモ
リ素子の製造方法において、目的とするパターンを有す
る原版に硬化性樹脂を塗布して、硬化のための手段によ
り硬化させた樹脂を原版から剥離して基板とし、一方の
基板は前記基板上に電極層を形成して目的とする形状に
電極層パターンを形成したものを第１コンタクト層と
し、もう一方の基板については第１コンタクト層の電極
層上にさらにカルコゲナイド層を形成したものを第２コ
ンタクト層とし、各々の基板を第１コンタクト層と第２
コンタクト層の目的とするパターンが交差するように向
かい合わせて接触させたことを特徴とする。また、本発
明は、硬化性樹脂として光硬化性樹脂を用いることを特
徴とする。また、本発明は、硬化性樹脂として熱硬化性
樹脂を用いることを特徴とする。また、本発明は、第１
コンタクト層のパターンがストライプ状に形成されてい
ることを特徴とする。また、本発明は、第１コンタクト
層のストライプ状電極層パターンは目的の面積に先端が
尖るように形成されていることを特徴とする。また、本
発明の相変化型メモリ素子は、上記製造方法により製造
したことを特徴とする。
リ素子の製造方法において、目的とするパターンを有す
る原版に硬化性樹脂を塗布して、硬化のための手段によ
り硬化させた樹脂を原版から剥離して基板とし、一方の
基板は前記基板上に電極層を形成して目的とする形状に
電極層パターンを形成したものを第１コンタクト層と
し、もう一方の基板については第１コンタクト層の電極
層上にさらにカルコゲナイド層を形成したものを第２コ
ンタクト層とし、各々の基板を第１コンタクト層と第２
コンタクト層の目的とするパターンが交差するように向
かい合わせて接触させたことを特徴とする。また、本発
明は、硬化性樹脂として光硬化性樹脂を用いることを特
徴とする。また、本発明は、硬化性樹脂として熱硬化性
樹脂を用いることを特徴とする。また、本発明は、第１
コンタクト層のパターンがストライプ状に形成されてい
ることを特徴とする。また、本発明は、第１コンタクト
層のストライプ状電極層パターンは目的の面積に先端が
尖るように形成されていることを特徴とする。また、本
発明の相変化型メモリ素子は、上記製造方法により製造
したことを特徴とする。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照しつつ説明する。図１は本発明の相変化型メモリ
素子の製造方法を説明する図で、図１（ａ）はストライ
プ状パターンが形成された原版１の断面図であり、この
原版１上に光硬化性樹脂層を所定厚みて塗布し、塗布し
た樹脂層の背面側から光を照射する（図１（ｂ））。次
いで、硬化した樹脂層２を原版１から剥離し、樹脂基板
とする（図１（ｃ））。次いで、樹脂基板２上にニッケ
ル等からなる電極層３を形成する（図１（ｄ））。こう
して樹脂基板２上にストライプ状の電極層パターンを形
成したものが第１のコンタクト層１０である。さらに、
この電極層３上に、例えば三成分系のＧｅ，Ｔｅ，Ｓｂ
等からなるカルコゲナイド層４を形成したものが第２の
コンタクト層１１であり（図１（ｅ））、表面にはスト
ライプ状のカルコゲナイド層パターンが形成される。
を参照しつつ説明する。図１は本発明の相変化型メモリ
素子の製造方法を説明する図で、図１（ａ）はストライ
プ状パターンが形成された原版１の断面図であり、この
原版１上に光硬化性樹脂層を所定厚みて塗布し、塗布し
た樹脂層の背面側から光を照射する（図１（ｂ））。次
いで、硬化した樹脂層２を原版１から剥離し、樹脂基板
とする（図１（ｃ））。次いで、樹脂基板２上にニッケ
ル等からなる電極層３を形成する（図１（ｄ））。こう
して樹脂基板２上にストライプ状の電極層パターンを形
成したものが第１のコンタクト層１０である。さらに、
この電極層３上に、例えば三成分系のＧｅ，Ｔｅ，Ｓｂ
等からなるカルコゲナイド層４を形成したものが第２の
コンタクト層１１であり（図１（ｅ））、表面にはスト
ライプ状のカルコゲナイド層パターンが形成される。
【０００９】次いで、図２に示すように、第１コンタク
ト層１０と第２コンタクト層１１のストライプ状パター
ンが交差するように対向させ、第１コンタクト層１０の
電極層３と第２コンタクト層１１のカルコゲナイド層４
を接触させてメモリ素子を構成する。
ト層１０と第２コンタクト層１１のストライプ状パター
ンが交差するように対向させ、第１コンタクト層１０の
電極層３と第２コンタクト層１１のカルコゲナイド層４
を接触させてメモリ素子を構成する。
【００１０】図３に示すように、急峻なパルス状特性Ａ
の電流を第１コンタクト層１０と第２コンタクト層１１
間に流すと、電流の流れた部分のカルコゲナイド層４は
急激な温度上昇のために結晶状態からアモルファス状態
になって高抵抗を呈し、一方、第１コンタクト層と第２
コンタクト層間に緩やかに温度上昇させるような特性Ｂ
の電流を流すと、その部分のカルコゲナイド層はアモル
ファス状態から結晶状態に変化し、低抵抗となる。
の電流を第１コンタクト層１０と第２コンタクト層１１
間に流すと、電流の流れた部分のカルコゲナイド層４は
急激な温度上昇のために結晶状態からアモルファス状態
になって高抵抗を呈し、一方、第１コンタクト層と第２
コンタクト層間に緩やかに温度上昇させるような特性Ｂ
の電流を流すと、その部分のカルコゲナイド層はアモル
ファス状態から結晶状態に変化し、低抵抗となる。
【００１１】こうして、第１コンタクト層、第２コンタ
クト層の各ストライプ電極をアドレス電極としてアドレ
ス指定し、アドレス指定した位置の抵抗値を高抵抗、あ
るいは低抵抗とし、抵抗値の変化を「０」，「１」に対
応させることにより、データの書き込み、消去を行うこ
とができ、メモリ素子とすることができる。
クト層の各ストライプ電極をアドレス電極としてアドレ
ス指定し、アドレス指定した位置の抵抗値を高抵抗、あ
るいは低抵抗とし、抵抗値の変化を「０」，「１」に対
応させることにより、データの書き込み、消去を行うこ
とができ、メモリ素子とすることができる。
【００１２】なお、メモリの集積度を大きくした場合
に、電極層とカルコゲナイド層の接触面積が大きいと、
消費電力が大きくなるので、図４に示すように、カルコ
ゲナイド層と接触する電極層パターンを先端が尖ったス
トライプ状パターンとすることにより、消費電力を低減
することが望ましい。
に、電極層とカルコゲナイド層の接触面積が大きいと、
消費電力が大きくなるので、図４に示すように、カルコ
ゲナイド層と接触する電極層パターンを先端が尖ったス
トライプ状パターンとすることにより、消費電力を低減
することが望ましい。
【００１３】なお、本発明は、図１（ａ）に示す原版と
して、基板ガラス上にクロム等を載せてこれをエッチン
グしてストライプパターンを形成したものを用いること
ができるが、図１（ｃ）の樹脂基板２に対して光硬化性
樹脂を塗布して光を照射し、硬化したものを原版として
使用することも可能である。また、本発明は光硬化性樹
脂層に代えて熱硬化性樹脂を用いるようにしてもよい。
して、基板ガラス上にクロム等を載せてこれをエッチン
グしてストライプパターンを形成したものを用いること
ができるが、図１（ｃ）の樹脂基板２に対して光硬化性
樹脂を塗布して光を照射し、硬化したものを原版として
使用することも可能である。また、本発明は光硬化性樹
脂層に代えて熱硬化性樹脂を用いるようにしてもよい。
【００１４】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、従来の
ような半導体プロセスでなく、光カード等の製作に用い
る複製技術を用いて容易に相変化型メモリ素子を製作す
ることができるので、従来に比して極めて安価に製造す
ることが可能となる。
ような半導体プロセスでなく、光カード等の製作に用い
る複製技術を用いて容易に相変化型メモリ素子を製作す
ることができるので、従来に比して極めて安価に製造す
ることが可能となる。
【図１】 本発明の相変化型メモリ素子の製造方法を説
明する図である。
明する図である。
【図２】 本発明のメモリ素子の構成を説明する図であ
る。
る。
【図３】 データの書き込み、消去を行う電流特性を説
明する図である。
明する図である。
【図４】 先端を尖らせた電極層パターンを示す図であ
る。
る。
【図５】 光ディスク記録材料の相変化と光学定数の関
係の説明図である。
係の説明図である。
【図６】 カルコゲナイド系材料の電気伝導度の温度依
存性を示す図である。
存性を示す図である。
１…原版、２…樹脂基板、３…電極層、４…カルコゲナ
イド層、１０…第１コンタクト層、１１…第２コンタク
ト層。
イド層、１０…第１コンタクト層、１１…第２コンタク
ト層。
Claims (6)
- 【請求項１】 相変化型メモリ素子の製造方法におい
て、目的とするパターンを有する原版に硬化性樹脂を塗
布して、硬化のための手段により硬化させた樹脂を原版
から剥離して基板とし、一方の基板は前記基板上に電極
層を形成して目的とする形状に電極層パターンを形成し
たものを第１コンタクト層とし、もう一方の基板につい
ては第１コンタクト層の電極層上にさらにカルコゲナイ
ド層を形成したものを第２コンタクト層とし、各々の基
板を第１コンタクト層と第２コンタクト層の目的とする
パターンが交差するように向かい合わせて接触させたこ
とを特徴とする相変化型メモリ素子の製造方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の製造方法において、硬化
性樹脂として光硬化性樹脂を用いることを特徴とする相
変化型メモリ素子の製造方法。 - 【請求項３】 請求項１記載の製造方法において、硬化
性樹脂として熱硬化性樹脂を用いることを特徴とする相
変化型メモリ素子の製造方法。 - 【請求項４】 請求項１記載の製造方法において、第１
コンタクト層のパターンがストライプ状に形成されてい
ることを特徴とする相変化型メモリ素子の製造方法。 - 【請求項５】 請求項４記載の製造方法において、第１
コンタクト層のストライプ状電極層パターンは目的の面
積に先端が尖るように形成されていることを特徴とする
相変化型メモリ素子の製造方法。 - 【請求項６】 請求項４または請求項５記載の製造方法
により製造したことを特徴とする相変化型メモリ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001349993A JP4169249B2 (ja) | 2001-11-15 | 2001-11-15 | 相変化型メモリ素子の製造方法および該方法で製造したメモリ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001349993A JP4169249B2 (ja) | 2001-11-15 | 2001-11-15 | 相変化型メモリ素子の製造方法および該方法で製造したメモリ素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003151182A true JP2003151182A (ja) | 2003-05-23 |
| JP4169249B2 JP4169249B2 (ja) | 2008-10-22 |
Family
ID=19162583
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001349993A Expired - Fee Related JP4169249B2 (ja) | 2001-11-15 | 2001-11-15 | 相変化型メモリ素子の製造方法および該方法で製造したメモリ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4169249B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005011495A (ja) * | 2003-06-18 | 2005-01-13 | Macronix Internatl Co Ltd | トランジスタを用いないランダムアクセスメモリ |
| KR100803743B1 (ko) | 2005-06-16 | 2008-02-15 | 인피니언 테크놀로지스 아게 | 임프린트 리소그래피에 의하여 형성되는 상 변화 메모리 셀 |
| US7615771B2 (en) | 2006-04-27 | 2009-11-10 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands, B.V. | Memory array having memory cells formed from metallic material |
| KR101052861B1 (ko) | 2004-06-30 | 2011-07-29 | 주식회사 하이닉스반도체 | 상변환 기억 소자 및 그 제조방법 |
| KR101052860B1 (ko) | 2004-06-30 | 2011-07-29 | 주식회사 하이닉스반도체 | 상변환 기억 소자 및 그 제조방법 |
| KR101052862B1 (ko) | 2004-06-30 | 2011-07-29 | 주식회사 하이닉스반도체 | 상변환 기억 소자 및 그 제조방법 |
| KR101052859B1 (ko) | 2004-06-30 | 2011-07-29 | 주식회사 하이닉스반도체 | 상변환 기억 소자 및 그 제조방법 |
| KR101584092B1 (ko) | 2014-02-27 | 2016-01-12 | 한양대학교 에리카산학협력단 | 칼코지나이드 화합물계 박막이 증착된 기판 및 이의 제조 방법 |
-
2001
- 2001-11-15 JP JP2001349993A patent/JP4169249B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005011495A (ja) * | 2003-06-18 | 2005-01-13 | Macronix Internatl Co Ltd | トランジスタを用いないランダムアクセスメモリ |
| KR101052861B1 (ko) | 2004-06-30 | 2011-07-29 | 주식회사 하이닉스반도체 | 상변환 기억 소자 및 그 제조방법 |
| KR101052860B1 (ko) | 2004-06-30 | 2011-07-29 | 주식회사 하이닉스반도체 | 상변환 기억 소자 및 그 제조방법 |
| KR101052862B1 (ko) | 2004-06-30 | 2011-07-29 | 주식회사 하이닉스반도체 | 상변환 기억 소자 및 그 제조방법 |
| KR101052859B1 (ko) | 2004-06-30 | 2011-07-29 | 주식회사 하이닉스반도체 | 상변환 기억 소자 및 그 제조방법 |
| KR100803743B1 (ko) | 2005-06-16 | 2008-02-15 | 인피니언 테크놀로지스 아게 | 임프린트 리소그래피에 의하여 형성되는 상 변화 메모리 셀 |
| US7615771B2 (en) | 2006-04-27 | 2009-11-10 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands, B.V. | Memory array having memory cells formed from metallic material |
| KR101584092B1 (ko) | 2014-02-27 | 2016-01-12 | 한양대학교 에리카산학협력단 | 칼코지나이드 화합물계 박막이 증착된 기판 및 이의 제조 방법 |
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|---|---|
| JP4169249B2 (ja) | 2008-10-22 |
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