JP2003149396A - 放射線検知器に使用するための耐湿性燐光体スクリーン - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 燐光体スクリーン又はパネルの上側及び縁の
両方において湿分に対して十分に保護されかつ低い製造
コストを有するスクリーンを提供する。 【解決手段】 燐光体層２を含む被支持燐光体スクリー
ン又はパネルを製造するための方法であって、主表面と
縁を有する燐光体層２がオーバーコート層として耐湿性
保護層３をさらに含む方法において、パネルが燐光体層
２の主表面より大きい表面を有する支持体１を含み、か
くして燐光体層２が支持体１の部分を開放すること、及
びオーバーコート層が燐光体層２によって開放された支
持体１の部分の少なくとも一部をカバーすることを特徴
とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】発明の分野 本発明は燐光体スクリーン又はパネル及びその製造に関
し、前記スクリーン又はパネルは耐湿性放射線検知器に
使用するために好適なものである。

【０００２】発明の背景 増感又は貯蔵燐光体プレートに使用される極めて多くの
燐光体が湿度に対する高い感度を有すること、即ちそれ
らがある程度吸湿性であり、水を吸収する傾向を有する
ことが良く知られている。少ない量の水の吸収であって
も燐光体の効率は極めて小さい値に迅速に低下する。

【０００３】ハロゲン化物含有燐光体で被覆されたそれ
らのプレート又はパネルのほとんどがこの欠点を被って
いる。増感スクリーンに使用される吸湿性燐光体は例え
ばＢａＦＣｌ：Ｅｕ、ＢａＦＢｒ：Ｅｕ及びＧｄＯＢ
ｒ：Ｔｍである。コンピュータ放射線写真システムに使
用されうる吸湿性Ｘ線貯蔵燐光体の例はＢａＦＢｒ：Ｅ
ｕ、ＢａＦＩ：Ｅｕ、（Ｂａ，Ｓｒ）Ｆ（Ｂｒ，Ｉ）：
Ｅｕ、ＲｂＢｒ：Ｔｌ、ＣｓＢｒ：Ｅｕ、ＣｓＣｌ：Ｅ
ｕ及びＲｂＢｒ：Ｅｕである。これらの吸湿性燐光体を
使用のために好適にするためには燐光体粒子を湿分から
保護することが必要である。

【０００４】個々の燐光体粒子を保護するための一つの
方法はＥＰ−Ａ ００９７３７７、０４７６２０６及び
０９２８８２６；ＧＢ−Ａ ２２５５１００；ＵＳ−Ａ
５１９６２２９及び６１７７０３０及びＷＯ ００／
２２０６５に開示されているように湿分の透過を防止す
る例えばＳｉＯ_２又はＴｉＯ_２の如き物質で被覆するこ
とである。代替法では前記燐光体粒子はＪＰ−Ａ ６０
−１７７０９０に開示されているようにＵＶ吸収透明合
成樹脂で被覆され、それらが湿分、酸素及び紫外線に対
する耐性を持つようにする。

【０００５】しかしながら１〜１０μｍの平均粒子サイ
ズを有する粒子に対して欠陥のない被覆を適用すること
は極めて難しい。さらにもし燐光体粒子の被覆が厚すぎ
るなら、層中の燐光体の量は被覆された燐光体層の肥大
化を避けるために減少されるべきである。これは燐光体
スクリーン又はパネルによるＸ線吸収の減少に導くの
で、その手段からは許容しうる解決策を期待することが
できず、従って個々の燐光体粒子のまわりの被覆の適用
は必ずしも望ましくない。

【０００６】吸湿性燐光体を含有する燐光体スクリーン
を安定するための別の方法は例えばＥＰ−Ａ ０５０６
５８５、０５４４９２１及び０７４７９０８及びＵＳ−
Ａ５６３９４００に開示されているように燐光体層に安
定化合物を加えることである。この化合物は吸収された
水と反応し、それによって燐光体粒子と水の反応を防止
するか、又はそれは燐光体粒子と湿分の反応によって形
成される崩壊生成物（breakdown products）と反応し、
それによってスクリーンの脱色を防止するだろう。脱色
はスクリーン効率の劣化の一般的原因として良く知られ
ている。安定化物質が有限の作用期間を有することは明
らかである。水は連続的に引き寄せられるので未反応の
安定化化合物の量は時間とともに減少する。一定期間
後、未反応安定化材料は全く残らず、燐光体スクリーン
は遅延された劣化を受けるだろう。

【０００７】安定化化合物は粉末燐光体スクリーンに加
えられることができ、そこでは活性層は燐光体粒子、結
合剤及び溶媒からなるラッカーを支持体に被覆すること
によって生成される。真空チャンバー内では物理蒸着に
よって幾つかの燐光体スクリーンが生成される。しか
し、安定化化合物を蒸着燐光体層中に導入することは明
らかでない。

【０００８】燐光体スクリーンを保護するためのより良
い方法は例えばＥＰ−Ａ ０２０９３５８、０３４８１
７２、０６５４７９４及びＵＳ−Ａ ４６０３２５３に
記載されているように保護被覆の適用と関連し、そこで
は前記被覆は“燐光体層”とも称される燐光体粒子を含
有する活性層の上に適用される。保護層は幾つかの技術
によって適用されてもよい。好ましさに劣る方法として
は、ポリマー溶液を燐光体層上に被覆し、続いて加熱に
よって溶媒を蒸発することである。この技術の欠点は溶
媒が燐光体層の膨潤及び損傷を生じるかもしれないこと
である。より好ましい方法としては、フィルムを燐光体
層上に積層することである。別の好ましい方法として
は、例えばＵＳ−Ａ ５５２０９６５及び５６０７７７
４に記載されているように、例えばスクリーン印刷によ
ってモノマーラッカーを燐光体層上に適用し、紫外線又
は電子線照射によってモノマーを架橋し、かくして欠陥
のない連続トップコート層を形成することである。

【０００９】しかしながら、ここまで述べた技術は全て
燐光体層の縁が保護されないままであるという欠点を有
する。従って、水は燐光体層を側部から透過し、その縁
から劣化及び脱色が始まり、それによってさらに内方に
移動する。

【００１０】縁保護層は例えばＥＰ−Ａ ００９５１８
８及び０５７６０５４、並びにＪＰ−Ａ ６３−１９３
０９８及びＪＰ−Ｂ ９４−３１９１４に開示されてい
るように別々に適用されてもよい。これは製造プロセス
において追加の工程を要求する。さらに、保護層と縁補
強層の間の接着は完全ではなく、それは縁補強層を傷つ
きやすくする。スクリーンの使用で、縁補強層は損傷さ
れ、縁におけるスクリーン劣化は再び局所的に起こりう
る。

【００１１】発明の目的及び概要 本発明の目的は上述のように考えられた耐湿性スクリー
ンを有する放射線検知器を製造することであり、本発明
の別の目的は好適な製造方法によって製造された燐光体
スクリーン又はパネルの上側及び縁の両方において湿分
に対して十分に保護されかつ低い製造コストを有するス
クリーンを提供することである。

【００１２】さらなる目的は高い品質、特にシャープネ
スの再現された放射線像を与える耐湿性燐光体シートを
提供することである。

【００１３】上述の目的は請求項１に規定された特徴を
有する燐光体パネルを提供することによって実現され
る。

【００１４】本発明の好ましい例の特徴は従属請求項に
開示されている。

【００１５】他の目的は以下の記述から明らかになるだ
ろう。

【００１６】図面の簡単な記述 図１Ａでは本発明によるパネルの一例の概略図が示され
ている（縮尺どおりでない）。図１Ｂでは図１Ａの線Ａ
−Ａ′に沿った横断面が示されている。

【００１７】発明の詳述 前述のように考えられたスクリーンを製造及び提供しよ
うとする本発明の目的は、スクリーン又はパネルを得る
ために化学蒸着（明細書では“ＣＶＤ”として示され
る）の方法によって燐光体層上に保護層を適用すること
によって実現され、さらにパネルは前記燐光体層の前記
主表面より大きい表面を有する支持体を含み、かくして
前記燐光体層は前記支持体の部分を開放すること、及び
前記保護層は前記燐光体層によって開放された前記支持
体の前記部分の少なくとも一部をカバーすることを特徴
とする。

【００１８】その化学蒸着技術の適用によって、燐光体
層は完全に露出された表面上に均一にカバーされる。こ
れはスクリーンがスクリーンの上部から縁を越えてスク
リーンの裏上まで継目なしで延びる保護被覆に完全に包
囲されることができ、それによって上部及び縁の両方に
おいて湿分透過を防止することを意味する。

【００１９】化学蒸着によって耐湿性保護層を前記スク
リーンにオーバーコートする工程によって燐光体層を含
む被支持放射線検知燐光体スクリーン又はパネルを製造
するための方法がかくして提供される。但し、燐光体層
の主表面より大きい表面を有する支持体が存在し、従っ
て前記燐光体層は前記支持体の部分を開放し、前記保護
耐湿性層は前記燐光体層によって開放された前記支持体
の前記部分の少なくとも一部をカバーする。

【００２０】より好ましくは、前記燐光体スクリーンは
増感スクリーン又は貯蔵燐光体スクリーン又はパネルで
あり、さらに好ましい例では前記燐光体スクリーンは針
状貯蔵燐光体スクリーンである。特に本発明による方法
では前記燐光体スクリーンはＣｓＸ：Ｅｕ（ＣｓＸ：Ｅ
ｕ^２＋）貯蔵燐光体（但し、ＸはＢｒ及びＣｌからなる
ハロゲン化物の群から選択される）から構成される。

【００２１】本発明の方法における好ましい例では前記
耐湿性保護層はパリレン層である。

【００２２】本発明の明細書に開示される方法によって
製造されるスクリーン又はパネル、並びに前記スクリー
ン又はパネルを使用する放射線検知器もクレームされ
る。

【００２３】本発明の製造方法における本質的な特徴は
化学蒸着によって耐湿性保護層で前記スクリーンをオー
バーコートする工程による燐光体層を含む被支持燐光体
スクリーン又はパネルの製造である。

【００２４】本発明による好ましい例では前記耐湿性保
護層は“パリレン”層である。

【００２５】“パリレン”ポリマーフィルムに関する一
般文献は例えばMartin H. Kaufman、Herman F. Mark、
及びRobert B. Mesrobian著、“Preparation, Properti
es and Structure of Polyhydrocarbons derived from
p-Xylene and Related Compounds,” vol. XIII、１９
５４年、ｐｐ．３−２０（日付なし）及びAndreas Grie
ner著、“Poly(1,4-xylylene)s: Polymer Films by Che
mical Vapour Deposition,”１９９７、vol.5、No.1、
１９９７年１月、ｐｐ．１２−１６に見い出されること
ができる。“Parylene”、ｐ−キシリレン及び置換ｐ−
キシリレンモノマーに基づいた熱可塑性ポリマー及びコ
ポリマーについての一般名称は集積回路に使用するため
に好適な物理、化学、電気、及び熱特性を持つことが示
される。蒸着によるかかるポリマーの付着及び安定ダイ
マーの分解、続く生じた反応性モノマーの付着及び重合
はAshok. K. Sharma著、“Parylene-C at Subambient T
emperatures”、Journal of Polymer Science発行：Par
t A: Polymer Chemistry, Vol. 26, ２９５３−２９７
１頁（１９８８）において議論されている。“パリレ
ン”ポリマーは典型的にはパリレン−Ｎ、パリレン−
Ｃ、及びパリレン−Ｆとして識別され、それぞれ非置換
ｐ−キシリレン、塩素化ｐ−キシリレン、及びフッ素化
ｐ−キシリレンに対応する。かかるポリマー材料の特性
（それらの低い誘電率を含む）はさらにR.Olson著、“X
ylylene Polymers”、the Encyclopedia ofPolymer Sci
ence and Engineering発行、Volume 17、Second Editio
n、９９０−１０２４頁（１９８９)において議論されて
いる。パリレン−Ｎは約７０−９０℃以下の温度で非置
換ｐ−キシリレンから蒸着される。

【００２６】置換されたダイマーは置換されたｐ−キシ
リレンモノマーを分解する温度で崩壊するのが典型的で
あり、パリレンＣ及びパリレンＦフィルムは３０℃より
実質的に低い温度で蒸着されなければならない。

【００２７】本発明の方法による好ましい例では保護被
覆は化学蒸着（ＣＶＤ）によって燐光体スクリーン又は
パネルに付着され、蒸着フィルムは真空蒸着ポリマーフ
ィルム、特にポリ−ｐ−キシリレンフィルムである。ポ
リ−ｐ−キシリレンは１０〜１００００の範囲の繰り返
し単位を有し、各繰り返し単位は置換された又は置換さ
れていない芳香族核基を有する。各置換基（もし存在す
るなら）は同じであっても異なってもよく、芳香族核上
で通常置換されることができるいかなる不活性有機又は
無機基であることができる。かかる置換基の例はアルキ
ル、アリール、アルケニル、アミノ、シアノ、カルボキ
シル、アルコキシ、ヒドロキシルアルキル、カルバルコ
キシ及び同種の基並びにヒドロキシル、ニトロ、ハロゲ
ン及び他の同種の基の如き無機基（それらは芳香族核で
通常置換可能である）である。特に好ましい置換基はメ
チル、エチル、プロピル、ブチル、ヘキシルの如き低級
アルキル基の如き単純な炭化水素基及び特に塩素、臭
素、沃素及びフッ素のようなハロゲン基並びにシアノ基
及び水素である。

【００２８】本発明による方法によればこれらのポリマ
ーはジ−ｐ−キシリレンの熱分解及び蒸着によって燐光
体スクリーン又はパネル上に形成される。これらの材料
は“Alkylated Di-p-Xylylenes”の名称のＵＳ−Ａ ３
１１７１６８、“Cyanated Di-p-Xylylenes”の名称の
ＵＳ−Ａ ３１５５７１２及び“Coated ParticulateMa
terial and Method for Producing Same”の名称のＵＳ
−Ａ ３３００３３２の如き幾つかの米国特許の対象物
である。蒸気質のジ−ｐ−キシリレンの熱分解は約４５
０℃〜約７００℃、好ましくは約５５０℃〜約７００℃
でダイマーを加熱することで行われる。使用した圧力に
かかわらず出発ジ−ｐ−キシリレンの熱分解は約４５０
℃で始まる。７００℃以上の温度で構成基の開裂が起こ
り、結果として高度に枝分かれしたポリマーの架橋を起
こす三又は多官能種を生じる。低下された又は雰囲気圧
以下の圧力が局所的な熱斑点を避けるために熱分解のた
めに使用されることが好ましい。ほとんどの操作につい
て０．０００１〜１０ミリメートルの範囲のＨｇの圧力
が実際的である。しかしながら、所望によりさらに大き
な圧力を使用することができる。同様に窒素、アルゴ
ン、二酸化炭素などの不活性無機蒸発希釈ガスを使用し
て操作の最適温度を変化すること又はシステムの全有効
圧力を変化することができる。上述の方法で形成された
ジラジカルは２００℃以下でかつ存在するジラジカルの
凝縮温度以下の表面温度を有する粒状材料の表面に衝突
させられ、その上で凝縮し、自発的に重合する。

【００２９】塩基性薬剤として商標“パリレン”の下で
Ｕｎｉｏｎ Ｃａｒｂｉｄｅ Ｃｏ．によって販売され
る商業的に入手可能なジ−ｐ−キシリレン組成物が好ま
しい。燐光体スクリーン又はパネルをカバーする耐湿性
保護層のための好ましい組成物は置換されていない“パ
リレン Ｎ”、モノクロロ置換された“パリレン
Ｃ”、ジクロロ置換された“パリレン Ｄ”及び“パリ
レン ＨＴ”（完全にフッ素置換されたタイプのパリレ
ン Ｎ。他の“パリレン”とは反対に４００℃の温度ま
での耐熱性及び紫外線抵抗性を有し、耐湿性は“パリレ
ン Ｃ”の耐湿性とほぼ同じである：“High Performan
ce Coating for Electronics Resist Hydrocarbons and
High Temperature”(Ｇｕｙ Ｈａｌｌ著、Specialty
Coating Systems, Indianapolis, www.scscookson.com
によって入手可能）についての記述参照）である。技術
報告はSpecialty Coating Systems, Cookson Companyに
よって例えば“Solvent Resistance of the Parylene
s”についてのものとして入手可能であり、そこではパ
リレンＮ、Ｃ及びＤについての幅広い種類の有機溶媒の
効果が調査されている。

【００３０】本発明の方法による好ましい例では前記パ
リレン層はハロゲン含有層である。より好ましくは前記
パリレン層はパリレンＤ、パリレンＣ及びパリレンＨＴ
層からなる群から選択される。

【００３１】半導体装置及び集積回路に使用される薄膜
の付着に広く使用される化学蒸着（ＣＶＤ）プロセスは
基体上での均質又は不均質な化学蒸着の反応から生じる
付着を伴う。反応速度は例えば温度、圧力及び反応ガス
流速によって制御される。かかるプロセスのためのプリ
カーサとしての低蒸気圧液体の使用は幾つかの利点を有
し、一般的なものになりつつある。高い流速で液体を蒸
発することができ、さらに液体及びキャリヤガスの流速
の独立した制御を可能にする信頼できる低メンテナンス
の液体蒸発器に対する必要性はＵＳ−Ａ ６２２４６８
１において触れられている。 その発明はキャリヤガス
及び加圧された液体を受け入れる蒸発器を特徴とする。
内部キャビティはキャリヤ開口を通してキャリヤガスを
受けとり、液体開口を通して受けとった液体から形成さ
れた蒸気とキャリヤガスを混合する。本発明の利点は蒸
発器が加熱による蒸発よりむしろ圧力勾配における膨張
による蒸気を形成し、それゆえ半導体製造プロセスのた
めに必要なものの如き高い流速で液体を蒸発できること
であるが、それは本発明の方法における用途のために好
適である。好ましい例ではクロージャ要素は液体の流速
を増加又は減少するために液体開口に対して移動可能な
ダイヤフラムであり、従って液体流速はダイヤフラムの
移動によってのみ制御されることが有利であり、液体流
速はキャリヤガス流速から独立しており、それゆえさら
に正確に制御されることができる。さらに好ましい例で
はヒーターはキャビティの近くの弁体の少なくとも一部
を加熱し、膨張によって冷却した液体が蒸発後にキャビ
ティの壁上で凝縮することを防止する。

【００３２】ＣＶＤは膜を蒸着するための有用な技術で
あるが、伝統的なＣＶＤプロセスの多くは基本的に熱的
プロセスであり、必要な反応を得るために１０００℃を
越える温度を要求する。かかる蒸着温度は、実際に有用
であるには高すぎることが多い。反応温度を低下するた
めのＣＶＤプロセスに利用される一つのアプローチは一
以上の反応ガスをイオン化することである。かかる技術
は一般にプラズマ増強化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）として言
及される。

【００３３】本発明に記載されるような用途では室温で
あれば十分であり、結果としてかかる高いエネルギーが
全く要求されないという大きな利点を提供する。

【００３４】低温蒸着は二つの代替法で達成されること
ができる。第一法はプラズマの上流での遠隔生成を利用
する。プラズマは回転感受体（rotating susceptor）に
よって基体に注入され、基体に進むにつれて消去され、
かくして顕著に活性化されたガスラジカルが存在する。
ガスラジカルは励起されていない反応体ガスと結合し、
ＣＶＤ技術によって燐光体スクリーン基体上にフィルム
層を付着する。回転感受体の注入はガス粒子再循環及び
衝突を最小にし、有用な百分率割合のラジカルを生じ
る。第二法は基体表面の極めて近くで濃縮したプラズマ
を生じるＲＦシャワーヘッド設計を利用する。全てのガ
ス、プラズマと反応体ガスの両方はＲＦシャワーヘッド
電極を通過し、励起される。感受体は別の電極として作
用するので、ＲＦシャワーヘッド及び感受体は平行板電
極構造を形成する。ＲＦ電極法を用いると、基体におい
て化学蒸着に利用されたプラズマガスは表面反応に対し
てエネルギーを与えるイオンとラジカルの両方の混合物
を含有する。

【００３５】特に、ＣＶＤプロセスはプラズマ源を利用
し、基体の上流で、帯電されたイオン及び励起された電
荷中立ラジカル、並びに自由電子を含む、ガスの様々な
励起された粒子を含有するガスプラズマを発生してもよ
い。プラズマガスの励起された粒子、優位には励起され
たラジカル粒子はそれらが結合して中立分子を形成する
機会を持つ前に表面にもたらされる。励起されたラジカ
ルは一以上の反応体ガスと化学反応し、基体上に薄膜を
形成する。励起されたラジカルはＣＶＤが伝統的なＣＶ
Ｄ法で要求されるより実質的に低い温度で使用されるよ
うにエネルギーを表面反応に供給する。粒子粘着を防止
するため及び減少された層厚さを促進するために、上流
法は幾何学的に均一な膜を生じる基体表面において電荷
中立の活性化されたラジカルを優位に利用する。かかる
活性化されたガスラジカルの寿命はそれらが再結合して
低エネルギーの安定した分子構造になろうとするので短
い。かなりの数のラジカルがオリジナルの安定したガス
分子を形成するために再結合することができる前にラジ
カルを基体表面にもたらすことによる活性化されたガス
ラジカルの効率的な使用が望まれる。ラジカルの効率的
な送出のため回転感受体が利用され、それは基体を支持
及び回転し基体の方向での下方注入作用を作る。回転感
受体はラジカルを基体表面に下方に注入する。反応体ガ
スの基体表面の上の蒸着領域中への導入が行われ、それ
らを活性化されたガスラジカルと混合する。回転感受体
の下方への注入作用は同時にラジカルと反応体ガスの混
合物を基体表面の方に向ける。基体表面において、ラジ
カルと反応体ガスの混合物は実質的に均一な層流パター
ンで基体の中心から半径方向外方に流れ、励起されたラ
ジカルは表面反応において反応体ガス粒子と反応し、そ
れは結果として基体表面上に付着された薄膜層を生じ
る。

【００３６】プラズマ増強化学蒸着によって薄膜を基体
上に付着するために好ましい装置は下記のものを含む： − 化学蒸着反応チャンバー；基体を上部で受けて支持
するために構成された上部表面を有する反応チャンバー
に位置された基体支持体； − 反応チャンバーに第一ガスを与えるための第一ガス
供給源； − 基体支持体とは向い合せに第一ガス供給源に作動可
能に接続されたガス分散シャワーヘッドであって、第一
ガスをシャワーヘッドを通して基体支持体の近くのチャ
ンバー及びその上の基体に分散するための複数の穴を有
するシャワーヘッド； − シャワーヘッドに電気的にバイアスを掛けるための
シャワーヘッドに電気的に接続されたエネルギー源；バ
イアスを掛けられたシャワーヘッドは関連電界をまわり
に有する電極として機能するために操作可能であり、シ
ャワーヘッド電極はさらに第一ガスの活性ラジカル及び
イオンを形成するために前記第一ガスを励起するために
操作可能である； − 第一ガスラジカル及びイオンと混合するために反応
チャンバー中に構成ガスを与えるための第二ガス供給
源； − シャワーヘッド電極に接続され支持体上部表面上に
シャワーヘッド電極を位置するシリンダーであって、第
一ガスを含めかつ反応チャンバー中への分散のためにシ
ャワーヘッド電極のかなりの部分にわたって向けられた
ガス流を確立するためにシャワーヘッド電極の直径に一
般に匹敵しうる直径を有するシリンダーであって、バイ
アスを掛けられたシャワーヘッドによってシリンダーの
電気的バイアスを防止するために非導電性材料から形成
されたシリンダー； − 反応チャンバーにおいて前記支持体上部表面から約
１インチ以下の間隔を置き、基体上に薄膜を付着するた
めに基体で表面反応を作るために濃縮密度の第一ガス活
性ラジカル及びイオンを上部表面上に置かれた基体に与
えるために操作可能であるバイアス掛けされたシャワー
ヘッド電極。

【００３７】本発明の方法のような特定のケースでは硬
化されたポリマー層は燐光体スクリーン材料上に形成さ
れ、そこでは前記ポリマー材料層は少なくとも一つの成
分の反応によって形成されており、それによって自己凝
縮ポリマーを形成する。反応モノマーは基体上に所望の
凝縮ポリマーを形成するために加熱された蒸気の形で与
えられ、そこでは前記凝縮ポリマーは燐光体スクリーン
基体上でｐ−キシリレン又は“パリレン”層の形であ
る。これらの“パリレン”層の例はポリ−ｐ−キシリレ
ン（パリレン−Ｎ）、ポリ−モノクロロ−ｐ−キシリレ
ン（パリレン−Ｃ）及びポリジクロロ−ｐ−キシリレン
（パリレン−Ｄ）である。実際にはかくして形成される
パリレン層はＣＶＤプロセスによって作られ、約１．３
３mbarの圧力で１７５℃まで内側を加熱された蒸発器に
存在するダイマーから出発する。熱分解ユニット（６８
０℃の温度及び０．６６mbarまで加熱）を通る蒸発ダイ
マーは反応モノマーに分解され、それは約０．１３３mb
arの圧力で約２５０℃の温度を有する分離室に向けら
れ、そこで“パリレンフィルム”が燐光体スクリーン基
体上で形成される。

【００３８】もし望むならＪＰ−Ａ ６２−１３５５２
０に記載されているように顔料をポリ−ｐ−キシリレン
の薄膜中に組み入れることができる。薄膜は高濃度で内
部に分散された顔料を含有し、顔料を薄膜中に分散され
た状態で保持する。それゆえポリ−ｐ−キシリレン原材
料は昇華部又は蒸発部で保持され、そこではそれは電気
炉で１００〜２００℃まで加熱することによって昇華又
は蒸発され、分解室に供給され、そこではそれは電気炉
において６００〜８００℃に加熱することによって分解
され、真空システムと連通する重合チャンバーに供給さ
れる。同時に一端が塞がれた高熱伝導性、高耐熱性の管
に含まれる顔料はヒーターで加熱することによって昇華
又は蒸発され、前記重合チャンバーに供給され、蒸着プ
レートの表面が０．１〜１０μｍ厚のポリ−ｐ−キシリ
レン膜を吸着することが可能であり、それは顔料ととも
に顔料が分散される複合体を形成する。

【００３９】ＪＰ−Ａ ０６−３３６５３１に開示され
ているような少なくとも５０００モノマー単位を有する
ポリ−ｐ−キシリレンの蒸着を行うための方法は通常
０．００１〜１Torrの真空度を使用することを含み、１
００〜２００℃でジ−ｐ−キシレンを蒸発させ、４５０
〜７００℃でダイマーの熱分解によってジラジカルｐ−
キシレンを生成し、同時に室温で被着体上でラジカルｐ
−キシレンの吸着及び重合を実施して高分子量ポリ−ｐ
−キシリレンの膜を形成する工程を含む。

【００４０】ＣＶＤによって得られる耐湿性絶縁膜はか
くして本発明の方法によって燐光体スクリーン又はパネ
ル上で形成される。かくして形成された燐光体スクリー
ン又はパネルは前記燐光体層の主表面より大きい表面を
有する支持体の部分上の耐湿性保護オーバーコート層に
よって特徴づけられ、かくして前記燐光体層は前記支持
体の部分を開放し、前記保護オーバーコート層は前記燐
光体層によって開放された前記支持体の前記部分の少な
くとも一部をカバーする。前記耐湿性保護オーバーコー
ト層は前記耐湿性保護オーバーコート層を表す層（３）
に関する図１Ｂに示されたように最外層であることがで
きる。図１Ａに示された本発明によれば燐光体層（２）
の表面は支持体（１）の表面より小さく、従って燐光体
層は支持体の縁に到達しない。燐光体層の主表面より大
きい表面を有する支持体を持つパネルは支持体の部分を
開放し、耐湿性保護層（３）は燐光体層によって開放さ
れた支持体の部分を少なくとも部分的にカバーする。か
かる構成の利点は燐光体層の縁が装置の機械的部分に接
触せず、パネルの使用中、特に例えば走査装置中におけ
る移動中に容易に損傷されないという点にある。この構
成の別の利点は特別な縁補強が全く必要ないことである
（但し、もし望むならさらなる縁補強を適用してもよ
い）。燐光体層の表面が支持体の表面より小さく、従っ
て燐光体層が支持体の縁に到達しない燐光体パネルの構
成は本発明の特に好ましい例を表すが、かかる構成は公
知のいかなる保護層でカバーされたいかなる燐光体パネ
ルの製造に対しても有益でありうる。

【００４１】本発明の燐光体パネルでは耐湿性保護層は
好ましくは０．０５μｍ〜１５μｍ、より好ましくは１
μｍ〜１０μｍの範囲の厚さを有する。

【００４２】耐湿性保護オーバーコート層（図１Ｂ中の
層（３））は通常本発明によるパネルの最外層である
が、別の例では前記層は例えばダスト、引掻き傷及び損
傷に対するさらなる保護のために別の最外層でさらにオ
ーバーコートされてもよい。その場合においてポリマー
層、さらにより好ましくは放射線硬化されたポリマー層
を最外層として持つことが推奨される。

【００４３】本発明による好ましい例ではかくして作ら
れた前記燐光体スクリーンは増感スクリーンである。

【００４４】本発明による別の好ましい例では前記燐光
体スクリーンは貯蔵燐光体又は刺激性燐光体スクリーン
である。本発明によるさらに好ましい例では燐光体スク
リーン上の燐光体層は針状貯蔵燐光体層である。ＥＰ−
Ａ １１１３４５８に開示されているように燐光体が特
別な結晶配向を有する針状結晶として支持体上に存在す
るような方法で製造することによってアルカリハロゲン
化物燐光体を含む結合剤のない燐光体スクリーン層を改
良することができる。特にスクリーンの平面において高
い［１００］ユニットセル配向を示す燐光体スクリーン
層が製造されるとき、かかるスクリーンはスピードとシ
ャープネスの間の良好な妥協を示す。スクリーン層上で
かかる結晶配向を実現するためには結合剤のない燐光体
層が物理蒸着、熱蒸着、化学蒸着、電子線蒸着、無線周
波数蒸着及びパルス化レーザー蒸着からなる群から選択
された方法によってスクリーン又はパネル支持体に適用
される。好ましくは結合剤のない燐光体スクリーンは不
活性ガス雰囲気下の真空蒸着によって作られる。真空蒸
着中基体の温度及び不活性ガスの圧力を調整することに
よって、針状結晶の結晶配向が所望のレベルに調整され
ることができる。好ましくは真空蒸着中に使用される不
活性ガスはＡｒである。真空蒸着装置に入る気流の温度
は０℃〜１００℃に維持される。好ましくは気流は室
温、即ち約２０℃〜約３０℃に維持される。真空蒸着装
置に入ってくる冷却気流は蒸着される前の蒸気並びに基
体の両方を冷却することができる。前記基体を５０℃≦
Ｔ≦３００℃、好ましくは９０℃≦Ｔ≦２００℃となる
温度Ｔで維持することが好ましい。Ａｒ圧は最大１０Ｐ
ａであり、好ましくは１〜３Ｐａ（両方とも限界を含
む）に維持される。より好ましい例ではＡｒ圧は０．２
０〜２．００Ｐａに維持され、温度は摂氏温度とＡｒ圧
（Ｐａ）の間の積が２０〜３５０であるように調整され
る。燐光体スクリーン層が上述した条件下で作られると
き、針状結晶の結晶配向が所望のレベルに調整されるこ
とができるだけでなく、針状結晶の巨視的な寸法も影響
されることができる：上述の方法が使用されるとき、極
めて薄い針状結晶が得られ、特に１ｍｇ／ｃｍ^２ｍｉｎ
以上の燐光体又は燐光体プリカーサの蒸着の速度で得ら
れる。

【００４５】結合剤のない燐光体スクリーン層は基体上
の燐光体結晶の真空蒸着によって並びに燐光体（燐光体
プリカーサ）のための成分を結合（混合）した後、この
混合物を蒸発させ蒸発中にその場で燐光体を形成するこ
とによって作られることができる。

【００４６】好ましい例では本発明の光刺激性又は貯蔵
燐光体パネルは結合剤のない光刺激性燐光体層を含む。
結合剤のない燐光体スクリーン中の燐光体は公知のいか
なるアルカリ金属燐光体であることもできる。好適な燐
光体は例えば式Ｉによる燐光体である： Ｍ^１＋ＸａＭ^２＋Ｘ′_２ＢＭ^３＋Ｘ″_３：ｃＺ （Ｉ） 式中、Ｍ^１＋はＬｉ、Ｎａ、Ｋ、ＣｓおよびＲｂからな
る群から選択された少なくとも一つの要素であり、Ｍ
^２＋はＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｃ
ｕ、Ｐｂ、及びＮｉからなる群から選択された少なくと
も一つの要素であり、Ｍ^３＋はＳｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、
Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈ
ｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ａｌ、Ｂｉ、Ｉｎ、及び
Ｇａからなる群から選択された少なくとも一つの要素で
あり、ＺはＧａ^１＋、Ｇｅ^２＋、Ｓｎ^２＋、Ｓｂ^３＋、
及びＡｓ^３＋からなる群から選択された少なくとも一つ
の要素であり、Ｘ、Ｘ′、及びＸ″は同じであっても異
なってもよく、各々はＦ、Ｂｒ、Ｃｌ、Ｉからなる群か
ら選択されたハロゲン原子を表し、０≦ａ≦１、０≦ｂ
≦１及び０＜ｃ≦０．２である。かかる燐光体は例えば
ＵＳ−Ａ ５７３６０６９に開示されている。

【００４７】本発明の結合剤のない燐光体スクリーン層
に使用するために特に好ましい燐光体はＣｓＸ：Ｅｕ
（ＣｓＸ：Ｅｕ^２＋）刺激性燐光体（但し、ＸはＢｒ及
びＣｌからなるハロゲン化物の群から選択される）であ
る。

【００４８】それらの燐光体は下記工程を含む方法によ
って作られる： − ＥｕＸ′_２、ＥｕＸ′_３及びＥｕＯＸ′からなる群
から選択されたユーロピウム化合物の１０^−３〜５ｍｏ
ｌ％と前記ＣｓＸを混合する（但し、Ｘ′はＦ、Ｃｌ、
Ｂｒ、及びＩからなる群から選択された要素である）、 − 前記混合物を４５０℃以上の温度で燃焼する、 − 前記混合物を冷却する、 − ＣｓＸ：Ｅｕ燐光体を回収する。

【００４９】最も好ましくはＣｓＢｒ：Ｅｕ刺激性燐光
体は本発明の方法に使用され、前記燐光体は下記工程を
含む方法によって作られる： − ＥｕＸ′_２、ＥｕＸ′_３及びＥｕＯＸ′からなる群
から選択されたユーロピウム化合物の１０^−３〜５ｍｏ
ｌ％と前記ＣｓＸを混合する（但し、Ｘ′はＦ、Ｃｌ、
Ｂｒ、及びＩからなる群から選択された要素である）、 − 前記混合物を４５０℃以上の温度で燃焼する、 − 前記混合物を冷却する、 − ＣｓＸ：Ｅｕ燐光体を回収する。

【００５０】結合剤のないスクリーン層は物理蒸着（そ
れは熱蒸着、電子線蒸着、スパッタリングなどを表
す）、化学蒸着、無線周波数蒸着及びパルス化レーザー
蒸着からなる群から選択されたいかなる方法によっても
支持体上に完成した燐光体をもたらすことによって作ら
れることができる。アルカリ金属ハロゲン化物及びドー
パントを一緒にし、アルカリ金属燐光体がスクリーンの
製造中にドープされるような方法で支持体上にそれらを
共に蒸着することもできる。本発明は下記工程を含む、
ＣｓＸ：Ｅｕ刺激性燐光体を含有する燐光体スクリーン
（但し、ＸはＢｒ及びＣｌからなる群から選択されたハ
ロゲン化物を表す）の製造方法を包含する： − 前記ＣｓＸ及びＥｕＸ′_２、ＥｕＸ′_３、及びＥｕ
ＯＸ′（但し、Ｘ′はＦ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩからなる群
から選択されたハロゲン化物である）からなる群から選
択されたユーロピウム化合物の多数の容器を蒸着のため
の状態にもたらす、 − 熱蒸着、化学蒸着、電子線蒸着、無線周波数蒸着及
びパルス化レーザー蒸着からなる群から選択された方法
によって、前記ＣｓＸ及び前記ユーロピウム化合物の両
方を基体上に蒸着し、前記基体上に１０^−３〜５ｍｏｌ
％のユーロピウムでドープされたＣｓＸ燐光体を形成す
る。

【００５１】蒸着は所望の割合で出発化合物の混合物を
含有する単一容器から行うことができる。かくして、そ
の方法は下記工程を含むＣｓＸ：Ｅｕ刺激性燐光体を含
有する燐光体スクリーン（但し、ＸはＢｒ及びＣｌから
なる群から選択されたハロゲン化物を表す）の製造方法
をさらに包含する： − ＥｕＸ′_２、ＥｕＸ′_３及びＥｕＯＸ′からなる群
から選択されたユーロピウム化合物（但し、Ｘ′はＦ、
Ｃｌ、Ｂｒ、及びＩからなる群から選択されたハロゲン
化物である）の１０^−３〜５ｍｏｌ％と前記ＣｓＸを混
合する、 − 前記混合物を真空蒸着のための状態にもたらす、 − 物理蒸着、熱蒸着、化学蒸着、電子線蒸着、無線周
波数蒸着及びパルス化レーザー蒸着からなる群から選択
される方法によって前記混合物を基体上に蒸着する。

【００５２】本発明によれば前記燐光体スクリーンはＣ
ｓＸ：Ｅｕ（ＣｓＸ：Ｅｕ^２＋）貯蔵燐光体（但し、Ｘ
はＢｒ及びＣｌからなるハロゲン化物の群から選択され
る）から構成される。

【００５３】本発明に使用するために好適な結晶配向を
持つ燐光体層を有する結合剤のない貯蔵スクリーンのた
めに有用な支持体材料としては、厚紙、ガラス、プラス
チックフィルム、例えば酢酸セルロース、ポリ塩化ビニ
ル、ポリ酢酸ビニル、ポリアクリロニトリル、ポリスチ
レン、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート、ポ
リアミド、ポリイミド、セルローストリアセテート及び
ポリカーボネートのフィルム；金属シート、例えばアル
ミニウム箔及びアルミニウム合金箔、普通紙；バリタ
紙；樹脂被覆紙；二酸化チタンなどを含有する顔料紙；
及びポリビニルアルコールなどでサイズされた紙が挙げ
られる。ガラス又はＡｌシート又は熱安定性プラスチッ
クフィルムが支持体材料として使用されることが好まし
い。

【００５４】ガラス支持体が使用されるとき支持体は光
吸収化合物で被覆された層を含んでもよい。この層は裏
側（燐光体層が全く存在しない側）に存在させることが
でき又は燐光体の下に存在させてもよい。支持体は燐光
体と支持体の間で良好な接着性を有するために下塗り層
を含むこともできる。

【００５５】支持体はそれが熱安定性プラスチックフィ
ルムであるときにカーボンブラックなどの光吸収材料を
含んでもよく、又は二酸化チタン又は硫酸バリウムなど
の光反射材料を含んでもよい。前者は高解像型貯蔵スク
リーンを作るために適切であり、後者は高感度型貯蔵ス
クリーンを作るために適切である。これらの支持体は支
持体の材料に依存して異なってもよい厚さを有してもよ
く、取扱いの見地から一般に６０μｍ〜１００００μ
ｍ、より好ましくは８０μｍ〜５０００μｍであっても
よい。

【００５６】本発明の方法に従って製造された貯蔵スク
リーン又はパネルにおいて針状燐光体によって与えられ
るセル構造又は仕切りに関して前記仕切りはその光散乱
長を短くすることによって刺激線に対する高い反射率を
有するべきであり、また刺激された発光に対してその光
吸収長を長くすることによって刺激された発光に対する
低い吸光度を有するべきであり、かくして燐光体シート
の平面上の刺激線の拡散は得られた放射線像の解像性を
増加するために有効に減少されることができ、発光効率
の減少は刺激線並びに刺激された発光の吸収を抑制する
ことによって有効に達成されることができる。さらに燐
光体が含まれる刺激可能な領域はその光散乱長を長くす
ることによって刺激線に対して高い透過率を示すべきで
あり、また刺激された発光に対して光吸収長を長くする
ことによって刺激された発光に対して低い吸光度を有す
るべきであり、かくして刺激線は刺激性燐光体シートの
深い領域に到達することができ、深い領域で生成された
刺激された発光は有効に回収されることができる。かく
して設計された刺激性燐光体シートは高品質の再現放射
線像を与える。刺激性燐光体スクリーン又はパネルは、
放射線像の記録及び再生方法を与えるために本発明の方
法によって作られ、放射線像を潜像として記録し、潜像
を刺激線で照射して刺激された発光を放出し、放射線像
を再現するために発光を電気的に処理する工程を含み、
複数の区域を与えるために燐光体シートをその平面上で
分割する針構造燐光体層によって与えられた仕切り及び
その区域において刺激性燐光体含有領域を含み、そこで
は刺激性燐光体含有領域の光散乱長の仕切りのそれに対
する比が３．０以上である条件下で、刺激性燐光体含有
領域は２０〜１００μｍの光散乱長及び１０００μｍ以
上の光吸収長を有し、一方仕切りは０．０５〜２０μｍ
の光散乱長及び１０００μｍ以上の光吸収長を有する。
さらに本発明は本発明の刺激性燐光体シート上に放射線
像を潜像として記録し、刺激された発光を放出するため
に刺激線で潜像を照射し、放射線像を再現するために発
光を電気的に処理する工程を含む放射線像記録及び再現
方法にある。上の説明では“光散乱長”という用語は光
が散乱されるまでにまっすぐに進む平均距離を示し、そ
れゆえ光散乱長が短いほど燐光体層又は仕切りは光を大
きく散乱することを意味する。“光吸収長”という用語
は刺激された発光が吸収される平均自由距離を示し、そ
れゆえ光吸収長が長いほど燐光体層又は仕切りが低い吸
光度を示すことを意味する。

【００５７】刺激性燐光体シートは刺激性燐光体粒子及
び結合剤を有する刺激性燐光体含有領域を含む。刺激性
燐光体シートでは刺激性燐光体粒子は燐光体含有領域の
４０％〜９５％の範囲の体積を有し、燐光体含有領域は
０〜２０％空隙率を有する。刺激性燐光体シートは低い
光吸収性微粒子及び結合剤を含む仕切りをさらに持つこ
とができ、前記微粒子は仕切りの３０％〜９０％の範囲
の体積を有し、好ましい例では０．０１〜５．０μｍの
粒子サイズをさらに有することができる。それらの粒子
はアルミナ又はシリカ粒子であることができるが、二酸
化チタン、酸化亜鉛、硫酸亜鉛、及び炭酸鉛の如き白色
顔料であることができる。さらに刺激性燐光体シート又
はパネルはその仕切りにおいて空隙を示し、そこでは前
記空隙は１０％〜７０％の空隙率をとることができる。
さらに刺激性燐光体シートでは低い光吸収微粒子及び空
隙は低い光吸収微粒子の反射率の空隙のそれに対する比
が１．１〜３．０の範囲であるような反射率を持つこと
が好ましい。刺激性燐光体シートは刺激線を吸収する染
料又は顔料によってさらに着色されてもよく、それによ
って刺激された発光を全く吸収しない。刺激性燐光体シ
ートは５０μｍ〜１５００μｍの範囲の厚さを有しても
よい。

【００５８】別の例では保護被覆層は着色されてもよ
い。刺激光は前記保護被覆層に吸収されるようになるの
で、前記保護被覆層によるシャープネスの低い損失が期
待されるかもしれない。

【００５９】保護フィルム内に分布する刺激線を有効に
吸収しうる着色剤の存在が特に推奨される。好ましい着
色剤の選択は放射線像貯蔵パネルに使用される刺激性燐
光体の性質に依存する。４００〜９００ｎｍの波長領域
の刺激線で励起されるときに３００〜５００ｎｍ波長領
域において刺激された発光を与えるために例えば刺激性
燐光体が選択されるとき、緑から赤の範囲の実体色を有
する好適な着色剤はかかる刺激性燐光体のために使用可
能であり、かくして刺激線の波長領域におけるその平均
反射率は放出された光の波長領域におけるその平均反射
率より低く、それらの間の差はできるだけ大きい。

【００６０】さらに本発明は下記工程を含む燐光体パネ
ルの製造方法を包含する： − 支持体を準備する、 − 前記支持体上に燐光体層を適用する、 − 前記燐光体層上にパリレン層を化学蒸着し、それに
よって図１Ｂのような層（３）を形成する。所望により
第二層は前記パリレン層（３）上に蒸着されてもよい。

【００６１】さらに本発明は下記工程を含む結合剤のな
い燐光体パネルの製造方法を包含する： − 支持体を準備する、 − ＣｓＸ：Ｅｕ燐光体（但し、ＸはＢｒ及びＣｌから
なる群から選択されたハロゲン化物を表す）を蒸着して
前記支持体上に結合剤のない燐光体層を形成する； − 化学蒸着によって前記結合剤のない燐光体層上にパ
リレンの層を適用する（図１Ｂのような層（３）を形成
する）。所望により放射線硬化性溶液が前記パリレン層
（３）の上部に適用されてもよい。かかる層は最外層と
してＵＶ及び／又は電子線（ＥＢ）露光によって硬化さ
れてもよい。例えばＥＰ−Ａ ５１０７５３に開示され
た組成物のようないかなる公知の放射線硬化性組成物も
かかる最外層のために使用されることができるが、完成
した最外保護層が少なくとも１％ｍｏｌ／ｍｏｌのフッ
素化部分、より好ましくは５％〜５０％（ｍｏｌ／ｍｏ
ｌ）のフッ素化部分を含むようにフッ素化化合物を含有
する被覆溶液を持つことが極めて有益である。

【００６２】間隙によって分離された針状燐光体結晶を
有するかかる燐光体層上に極めて低い水透過性を有する
層が本発明のように蒸着されるとき、この層が化学蒸着
パリレン層であることが好ましい。但し、かかる層は針
状結晶の表面をカバーするだけでなく、針状結晶の間の
空隙もカバーし、かくして燐光体針状結晶の縁を湿度に
対して完全に保護する。

【００６３】本発明によれば本発明の方法に従って製造
される燐光体スクリーン又はパネルは前記燐光体スクリ
ーン又はパネルを含む放射線検知器と同様に利用可能で
ある。

【００６４】本発明はその好ましい例と関連して以下に
記載されるが、本発明をそれらの例に限定することを意
図しないことが理解されるだろう。

【００６５】実施例 燐光体スクリーンの製造 ＣｓＢｒ：Ｅｕ燐光体スクリーン層がＣｓＢｒ及びＥｕ
ＯＢｒの熱蒸着によって被覆された。

【００６６】それゆえＣｓＢｒはＥｕＯＢｒと混合さ
れ、真空蒸着チャンバー中の容器に置かれた。燐光体は
１．５ｍｍの厚さ及び４０ｍｍの直径を有するガラスデ
ィスク上に蒸着された。

【００６７】容器と基体の間の距離は１０ｃｍであっ
た。蒸着中、基体は１２ｒｐｍの速度で回転された。

【００６８】蒸発を開始する前に、チャンバーは４×１
０^−５ｍｂａｒの圧力に排気された。蒸発プロセス中、
Ａｒはチャンバーに不活性ガスとして導入された。

【００６９】幾つかの異なる保護被覆適用技術での試験
のために好適な試験材料を与えるために幾つかのスクリ
ーンが製造された。

【００７０】比較例１ 保護層のないＣｓＢｒ：Ｅｕスクリーンは４０℃の温度
で９５％のＲＨ（相対湿度）を有する環境に置かれた。

【００７１】約１時間で固体燐光体層はガラス基体の上
部で液体ＣｓＢｒ溶液に変換されるような量の水を引き
つけた。

【００７２】比較例２ ＣｓＢｒ：Ｅｕスクリーンはスパッタリング技術によっ
て物理蒸着ユニットにおいてＳｉＯ_２で被覆された。１
０００ｎｍの層が適用された。

【００７３】試料は１日間２０℃で８５％ＲＨの雰囲気
において貯蔵された。これらの条件下でＣｓＢｒ：Ｅｕ
層による湿分誘引のため燐光体スクリーン表面上に水滴
が形成された。水滴の形成は保護層に傷が存在する原因
となった。

【００７４】比較例３ １２μｍＰＥＴフィルムがＣｓＢｒ：Ｅｕスクリーン上
に被覆された。ＰＥＴフィルム上に８０ｎｍのＡｌ_２Ｏ
_３層を物理蒸着技術によって適用した。６μｍ厚の接着
剤層を含むＰＥＴフィルムが燐光体スクリーン上に積層
された。

【００７５】試料は２日間６０℃の温度で９５％ＲＨの
雰囲気において貯蔵された。貯蔵後にスクリーンの中央
には損傷が全くなかった。しかし、縁においてＣｓＢｒ
が局部的に溶解された。

【００７６】本発明例 パリレンＣは低温低圧適用技術によって燐光体スクリー
ン上に適用された。ダイマークロロ−ジ−パラ−キシリ
レンは１５０℃で蒸発され、６９０℃においてモノマー
に分解された。モノマー蒸気は蒸着チャンバーに案内さ
れ、そこで重合が燐光体スクリーン表面上で行われた。

【００７７】第一試料が１２μｍ厚の被覆でカバーされ
た。試料は２日間６０℃の温度で９５％ＲＨの雰囲気に
貯蔵された。貯蔵後燐光体スクリーンの損傷は全く観察
されなかった。

【００７８】第二試料は１０μｍの被覆でカバーされ、
水浴中で一晩置かれた。ＣｓＢｒ：Ｅｕ燐光体層に対す
る損傷は全く観察されなかった。燐光体層の縁であって
もＣｓＢｒ溶解の兆しや兆候が全くなかった。

【００７９】放射線検知器において燐光体スクリーン又
はパネルの上側及び縁の両方において湿分に対する優れ
た保護を与える低製造コストの製造方法がかくして提供
される。

【００８０】本発明の好ましい例を詳細に記載したが、
請求項に記載した発明の範囲から逸脱せずに多数の変更
がその中でなしうることが当業者に明らかであるだろ
う。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１Ａは本発明によるパネルの一例の概略図を
示し、図１Ｂは図１Ａの線Ａ−Ａ′に沿った横断面を示
す。

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０９Ｋ 11/61 ＣＰＦ Ｃ０９Ｋ 11/61 ＣＰＦ Ｃ２３Ｃ 14/12 Ｃ２３Ｃ 14/12 Ｇ０１Ｔ 1/00 Ｇ０１Ｔ 1/00 Ｂ (72)発明者 ペーター・ハッケンシュミート ドイツ国 デー−91058 エルランゲン、 ポストファハ 32 20、メード アールヴ イヴイ、ジーメンス・アーゲー内 (72)発明者 ポール・ルブラン ベルギー国モートゼール、セプテストラー ト 27 アグファ・ゲヴェルト・ナームロ ゼ・ベンノートチャップ内 Ｆターム(参考） 2G083 AA03 BB01 CC01 CC03 CC04 DD01 DD02 DD11 DD19 EE08 EE10 4H001 CA04 CA08 CC13 CF01 XA17 XA35 XA55 YA63 4K029 AA09 AA11 BA62 BB02 CA12

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 燐光体層を含む被支持燐光体スクリーン
   又はパネルを製造するための方法であって、主表面と縁
   を有する燐光体層がオーバーコート層として耐湿性保護
   層をさらに含む方法において、パネルが前記燐光体層の
   前記主表面より大きい表面を有する支持体を含み、かく
   して前記燐光体層が前記支持体の部分を開放すること、
   及び前記オーバーコート層が前記燐光体層によって開放
   された前記支持体の前記部分の少なくとも一部をカバー
   することを特徴とする方法。
2. 【請求項２】 前記スクリーンを耐湿性保護層でオーバ
   ーコートする工程が化学蒸着によって行われる請求項１
   に記載の方法。
3. 【請求項３】 前記燐光体スクリーンが結合剤のない針
   状貯蔵燐光体スクリーンである請求項１又は２に記載の
   方法。
4. 【請求項４】 前記燐光体スクリーンがＣｓＸ：Ｅｕ貯
   蔵燐光体（但し、ＸはＢｒ及びＣｌからなるハロゲン化
   物の群から選択される）から構成される請求項１から３
   のいずれかに記載の方法。
5. 【請求項５】 前記耐湿性保護層がパリレン（登録商
   標）層である請求項１から４のいずれかに記載の方法。
6. 【請求項６】 下記工程を含む請求項４又は５に記載の
   方法： − 支持体を準備する； − ＣｓＸ：Ｅｕ燐光体（但し、ＸはＢｒ及びＣｌから
   なる群から選択されるハロゲン化物を表す）を蒸着して
   前記支持体上に結合剤のない燐光体層を形成する； − 化学蒸着によって前記結合剤のない燐光体層上にパ
   リレンの層を適用する。
7. 【請求項７】 請求項１〜６のいずれかに記載の方法に
   従って製造された燐光体スクリーン又はパネル。