JP2003142472A

JP2003142472A - 半導体装置の製造方法

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Publication number: JP2003142472A
Application number: JP2001341423A
Authority: JP
Inventors: Koji Yokoyama; 幸二横山
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 2001-11-07
Filing date: 2001-11-07
Publication date: 2003-05-16

Abstract

(57)【要約】【課題】成膜工程における異物の発生を低減させるこ
とにより、製品性能や製品歩留まりを向上させる。【解決手段】基板（ウエハ）を複数枚準備し、プラズ
マＣＶＤ装置１００のサセプタの上部に搭載し、ガス供
給管１０３から原料ガスを供給することにより、基板の
上部に例えば、酸化シリコン膜等を堆積する成膜処理を
複数枚の基板について行い、一定の期間もしくは一定枚
数の基板を処理した後に、ＣＶＤチャンバ１０１上の扉
１０２を開け、装置内の清掃や装置のメンテナンス等を
行う際、バルブ１０３ａを閉じ、バルブ１０４ａを開く
ことによりガス供給管１０３に不活性ガスを供給しなが
ら行う。その結果、ガス供給管１０３内への大気の侵入
を防止し、ガス供給管１０３内に酸化物等の異物が発生
することを低減することができ、その後の基板の処理時
の異物の発生を低減させることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
に用いられる装置、例えば、成膜装置を用いた半導体装
置の製造方法に適用して有効な技術に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置は、絶縁膜や導電性膜を複数
層堆積することによって形成される。従って、半導体装
置の製造方法においては、絶縁膜や導電性膜等の形成工
程が欠かせないものとなっている。

【０００３】例えば、半導体基板上に酸化シリコン膜を
形成する場合には、テトラエトキシシラン（Ｓｉ（ＯＣ
₂Ｈ₅）₄）と酸素（Ｏ₂）を供給しながら気相成長させる
方法がある。

【０００４】このような膜の形成は、ＣＶＤ（Chemical
Vapor Deposition）装置を用いて行われ、このＣＶＤ
装置には、テトラエトキシシランや酸素などの原料ガス
を供給するガス供給管が接続されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】一方、気相成長により
膜を形成する場合は、半導体基板上のみならず、装置の
側壁や底部にも成膜成分が堆積することから、膜を形成
した後には、クリーニングガスを供給することにより、
装置内に堆積した成膜成分を除去している。

【０００６】しかしながら、半導体基板を多数処理する
と、除去しきれなかった成膜成分が装置内に徐々に堆積
し、その後の成膜工程において異物となることから、一
定の期間後、もしくは一定枚数のウエハ（基板）を処理
した後には、装置内の清掃を行う必要がある。

【０００７】また、一定の期間後、もしくは一定枚数の
ウエハ（基板）を処理した後には、装置のメンテナンス
を行う必要がある。

【０００８】本発明者は、半導体装置の研究、開発に従
事しており、前述した装置内の清掃や装置のメンテナン
スを行った後、当該成膜装置を用いて半導体基板上に膜
を形成した場合に、膜上の異物数が増加するという現象
に直面した。

【０００９】この原因を探求した結果、次のような結論
に達した。

【００１０】即ち、装置の清掃やメンテナンス時には、
装置の扉を開放しなければならず、その際装置の内部に
大気（空気）が入り込む。この空気は、装置に接続され
ているガス供給管内にも侵入し、ガス供給管に残存して
いる原料ガス（例えば、テトラエトキシシラン）と反応
し、酸化物等を形成してしまう。

【００１１】このような生成物が、ガス供給管の内面に
付着し、次の成膜処理時等に、異物となって膜上に堆積
する。

【００１２】本発明の目的は、成膜工程における異物の
発生を低減させることにある。

【００１３】また、本発明の他の目的は、成膜工程にお
ける異物の発生を低減させることにより、製品性能や製
品歩留まりを向上させることにある。

【００１４】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
次のとおりである。

【００１６】本発明の半導体装置の製造方法は、（ａ）
ガス供給管を有する成膜装置を準備する工程と、（ｂ）
大気圧下で、前記成膜装置の扉を開放し、前記成膜装置
を調整する工程であって、前記成膜装置のガス供給管か
ら不活性ガスを排出しながら調整する工程と、（ｃ）前
記（ｂ）工程の後、前記成膜装置内に半導体基板を設置
し、前記半導体基板上に膜を形成する工程と、を有す
る。

【００１７】また、本発明の半導体装置の製造方法は、
（ａ）成膜装置を準備する工程であって、（ａ₁）半導
体基板上に膜を形成する際の原料ガスを供給する第１の
ガス供給管と、（ａ₂）前記第１のガス供給管のガス排
出方向と垂直な方向であって、前記第１のガス供給管の
位置する方向にガス排出方向を有する第２のガス供給管
と、を有する成膜装置を準備する工程と、（ｂ）大気圧
下で、前記成膜装置の扉を開放し、前記成膜装置を調整
する工程であって、前記成膜装置の第２のガス供給管か
ら不活性ガスを排出しながら調整する工程と、（ｃ）
（ｂ）工程の後、前記成膜装置内に、半導体基板を設置
し前記第２のガス供給管から原料ガスを供給しながら前
記半導体基板上に膜を形成する工程と、を有する。

【００１８】また、本発明の半導体装置の製造方法は、
（ａ）成膜装置内に、半導体基板を設置し、前記成膜装
置のガス供給管から原料ガスを供給しながら、前記半導
体基板上に膜を形成する工程と、（ｂ）前記成膜装置内
に堆積した前記膜成分を、クリーニングガスを供給しな
がら除去する工程と、（ｃ）前記（ａ）工程および
（ｂ）工程を複数回繰り返した後、大気圧下で、前記成
膜装置の扉を開放し、前記成膜装置を調整する工程であ
って、前記成膜装置のガス供給管から不活性ガスを排出
しながら調整する工程と、を有する。

【００１９】この成膜装置の調整とは、例えば、成膜装
置内の清掃もしくは前記成膜装置のメンテナンスであ
る。成膜装置としては、例えば、プラズマＣＶＤ装置が
あり、成膜装置の調整には、半導体基板が搭載されるス
テージの交換も含まれる。

【００２０】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明す
るための全図において同一機能を有するものは同一の符
号を付し、その繰り返しの説明は省略する。

【００２１】（実施の形態１）まず、本実施の形態の半
導体装置の製造方法に用いるプラズマＣＶＤ装置につい
て説明する。

【００２２】図１に示すように、プラズマＣＶＤ装置１
００は、成膜処理が行われるＣＶＤチャンバ１０１を有
し、ＣＶＤチャンバ１０１の上部には、扉１０２が開閉
自在に接続されている。

【００２３】図２に、プラズマＣＶＤ装置１００の断面
図を示す。図２に示すように、ＣＶＤチャンバ１０１に
は、ガス供給管１０３が接続されており、例えば、扉１
０２の内部を通じて、原料ガスがＣＶＤチャンバ１０１
内に供給される。

【００２４】図３に、ＣＶＤチャンバ１０１の内部構造
の一例を示す。図３に示すように、ＣＶＤチャンバ１０
１内には、半導体基板（ウエハ）１が搭載されるサセプ
タ（ステージ）２０１があり、その上部には、電極を兼
ねたシャワープレート２０２が設置されている。このシ
ャワープレート２０２に、高周波電位Ｅｖを印加するこ
とにより、半導体基板１（サセプタ）と、シャワープレ
ート（高周波電極）２０２との間にプラズマを発生させ
る。このプラズマにより、原料ガスが、活性状態に励起
され、気相成長（成膜）が促進される。

【００２５】なお、図示しない吸引部により、成膜時に
は、ＣＶＤチャンバ１０１内は減圧状態となる。

【００２６】ここで、図１〜図３に示すプラズマＣＶＤ
装置１００のガス供給管１０３には、不活性ガス用のガ
ス供給管１０４が接続されている。この不活性ガス用の
ガス供給管１０４と、前述のガス供給管１０３には、そ
れぞれバルブ１０４ａ、１０３ａが設けられており、こ
のバルブ１０４ａ、１０３ａの開閉により、供給される
ガスが制御される。

【００２７】次いで、このようなプラズマＣＶＤ装置１
００を用いた半導体装置の製造方法について説明する。
半導体装置の構造は様々であるが、ここでは、半導体基
板の主表面にＭＩＳＦＥＴ（Metal Insulator Semicond
uctor Field Effect Transistor）およびこれに接続さ
れる配線を有する半導体装置をその一例として説明す
る。

【００２８】図４〜図６および図１０は、本実施の形態
の半導体装置の製造方法を示す基板の要部断面図であ
る。

【００２９】まず、図４に示すように、半導体基板（以
下、単に基板という）１をエッチングして溝を形成した
後、この溝の内部に酸化シリコン膜７を埋め込むことに
より素子分離２を形成する。次に、基板１にｐ型不純物
（例えば、ホウ素（Ｂ））およびｎ型不純物（例えば、
リン（Ｐ））をイオン打ち込みした後、熱処理でこれら
の不純物を拡散させることによって、基板１にｐ型ウエ
ル３およびｎ型ウエル４を形成する。

【００３０】次に、フッ酸系の洗浄液を用いて基板１
（ｐ型ウエル３およびｎ型ウエル４）の表面をウェット
洗浄した後、熱酸化によりｐ型ウエル３およびｎ型ウエ
ル４のそれぞれの表面に清浄なゲート酸化膜８を形成す
る。

【００３１】次に、ゲート酸化膜８の上部に低抵抗多結
晶シリコン膜９をＣＶＤ（ChemicalVapor Deposition）
法で堆積し、さらにその上部にＣＶＤ法で窒化シリコン
膜１０を堆積する。

【００３２】次に、フォトレジスト膜（図示せず、以下
単に「レジスト膜」という）をマスクにして窒化シリコ
ン膜１０および多結晶シリコン膜９をドライエッチング
することにより、ゲート電極Ｇを形成する。このゲート
電極Ｇの上部には、窒化シリコン膜１０からなるキャッ
プ絶縁膜が形成される。

【００３３】次に、ｐ型ウエル３上のゲート電極Ｇの両
側にリン（Ｐ）イオンをイオン打ち込みすることによっ
てｎ^-型半導体領域１１を形成する。次いで、ｎ型ウエ
ル４上のゲート電極Ｇの両側にフッ化ホウ素（ＢＦ）イ
オンをイオン打ち込みすることによってｐ^-型半導体領
域１２を形成する。

【００３４】次に、図５に示すように、基板１上にＣＶ
Ｄ法で窒化シリコン膜を堆積した後、異方的にエッチン
グすることによって、ゲート電極の側壁にサイドウォー
ルスペーサ１３を形成する。

【００３５】次に、ｐ型ウエル３上のゲート電極Ｇの両
側にヒ素（Ａｓ）イオンをイオン打ち込みすることによ
ってｎ⁺型半導体領域１４（ソース、ドレイン）を形成
する。次いで、ｎ型ウエル４上のゲート電極Ｇの両側に
フッ化ホウ素（ＢＦ）イオンを、イオン打ち込みするこ
とによってｐ⁺型半導体領域１５（ソース、ドレイン）
を形成する。

【００３６】ここまでの工程で、ＬＤＤ(Lightly Doped
Drain)構造のソース、ドレイン（ｎ^-型半導体領域１１
およびｎ⁺型半導体領域１４、ｐ^-型半導体領域１２およ
びｐ⁺型半導体領域１５）を備えたｎチャネル型ＭＩＳ
ＦＥＴＱｎおよびｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱｐが形成
される。

【００３７】次に、図６に示すように、これらのＭＩＳ
ＦＥＴ（Ｑｎ、Ｑｐ）の上部に、テトラエトキシシラン
および酸素を原料としたプラズマＣＶＤ法で酸化シリコ
ン膜（ＴＥＯＳ膜）１６を堆積する。

【００３８】この際、図１〜図３に示した、プラズマＣ
ＶＤ装置を用いて酸化シリコン膜１６を形成する。

【００３９】即ち、図５に示す基板（ウエハ）１を複数
枚準備し、順次、図１〜図３に示すプラズマＣＶＤ装置
のサセプタ２０１の上部に搭載し、バルブ１０３ａを開
け、バルブ１０４ａを閉じ、ガス供給管１０３から原料
ガス（この場合、テトラエトキシシランや酸素）を供給
することにより、基板（ウエハ）１の上部に酸化シリコ
ン膜１６を堆積する。なお、原料ガスを供給する配管
（ガス供給管）は一つ（１０３）に限られず、複数設け
てもよい。また、酸化シリコン膜１６の堆積時に、不活
性ガス（例えば、窒素もしくはアルゴン（Ａｒ））が用
いられる場合もある。この場合、バルブ１０４ａを開け
ることにより不活性ガスを供給してもよいし、図示しな
い他の配管から不活性ガスを供給してもよい。

【００４０】この酸化シリコン膜１６の堆積の際、ＣＶ
Ｄチャンバ１０１の底部や側壁にも酸化シリコン膜が付
着する。

【００４１】酸化シリコン膜１６の形成工程が終了した
後は、基板（ウエハ）１は、ＣＶＤチャンバ１０１から
搬送され、プラズマＣＶＤ装置１００と隣接するウエハ
収納部に格納される。なお、この成膜処理および搬送
は、複数の処理室と、ウエハ収納部がある、いわゆるマ
ルチチャンバを用いて、大気に晒されることなく行うこ
とが可能である。

【００４２】次に、この基板（ウエハ）１が、ＣＶＤチ
ャンバ１０１から取り出された後は、ガス供給管１０３
もしくは図示しない配管からクリーニングガスをＣＶＤ
チャンバ１０１内に供給し、ＣＶＤチャンバ１０１の底
部や側壁に付着した酸化シリコン膜を、例えば、前記吸
引部（図示せず）から吸引することにより除去（クリー
ニング処理）する。

【００４３】次いで、２枚目の基板（ウエハ）１を、Ｃ
ＶＤチャンバ１０１内に搬送し、同様に酸化シリコン膜
１６を成膜をした後、クリーニング処理を行う。このよ
うに、複数枚の基板（ウエハ）１について、それぞれ成
膜をした後、ＣＶＤチャンバ１０１内のクリーニング処
理を繰り返す。

【００４４】しかしながら、基板（ウエハ）を多数処理
すると、クリーニング処理で除去しきれなかった成膜成
分が装置内に徐々に堆積し、その後の成膜工程において
異物となることから、一定の期間もしくは一定枚数のウ
エハ（基板）１を処理した後には、装置内の清掃を行う
必要がある。

【００４５】この際、図７に示すように、ＣＶＤチャン
バ１０１上の扉１０２を開け、ＣＶＤチャンバ１０１内
部を清掃するのであるが、その際、バルブ１０３ａを閉
じ、バルブ１０４ａを開くことによりガス供給管１０３
に、不活性ガス（例えば、窒素もしくはアルゴン）を供
給しながら清掃を行う。

【００４６】また、この一連の動作は、図示するセンサ
１０５を用いて自動的に行うことができる。即ち、セン
サ１０５によってＣＶＤチャンバ１０１上の扉１０２が
開いたことを検知し、その信号をバルブ１０３ａおよび
１０４ａに伝達し、バルブ１０３ａを閉め、バルブ１０
４ａを開ける。このセンサ１０５の一例として、磁力に
よって扉の開閉を検知するもの等が挙げられる。もちろ
ん、ＣＶＤチャンバ１０１内に、気圧計を設置し気圧の
変化を検知して、バルブ（１０３ａ、１０４ａ）の開閉
を制御してもよい。

【００４７】清掃後、前述した複数枚の基板（ウエハ）
１について、成膜処理およびＣＶＤチャンバ１０１内の
クリーニング処理を続ける。

【００４８】このように、本実施の形態においては、装
置内の清掃を、ガス供給管から不活性ガスを排出しなが
ら行ったので、清掃後の基板（ウエハ）１上の成膜時の
異物の発生を低減することができる。

【００４９】即ち、装置の清掃時に、ガス供給管のバル
ブ１０３ａを閉じた状態でも、バルブ１０３ａから扉１
０２までのガス供給管には、原料ガスが残存する。この
ように、原料ガスが残存した状態で扉１０２を開くと、
図８に示すように、大気（空気）が、ＣＶＤチャンバ１
０１内やガス供給管１０３の内部まで侵入する。その結
果、図８のａ部の拡大図である図９に示すように、ガス
供給管１０３内に残存した原料ガスと空気中の酸素等が
反応し、酸化物等を生成する。この生成物は、異物Ｐと
なり、ガス供給管１０３内に付着する。なお、このよう
な異物Ｐは、図９に示すガス供給管の排出口近傍のみな
らず、その奥においても生じ得る。

【００５０】装置の清掃後、再び、基板（ウエハ）１を
処理、即ち、基板１上に成膜を行うと、原料ガスととも
に前記異物Ｐがガス供給管１０３から不定期に排出さ
れ、膜上に付着する。

【００５１】このような異物Ｐが、膜上に付着すると膜
の平坦性が損なわれ、当該膜上に形成される配線のショ
ートや断線を生じさせる。その結果、製品歩留まりが低
下する。

【００５２】また、酸化シリコン膜等の絶縁膜のみなら
ず、シリコン膜やタングステン膜などの導電性膜の形成
にもプラズマＣＶＤ装置が用いられる、このような導電
性膜上に、酸化物からなる異物が付着した場合には、導
通不良が生じ得る。

【００５３】これに対して、本実施の形態によれば、装
置内の清掃を、ガス供給管１０３から不活性ガスを排出
しながら行ったので、ガス供給管１０３内への大気の侵
入を防止することができ、ガス供給管１０３内での異物
Ｐの発生を低減することができる。その結果、清掃後の
基板（ウエハ）の処理時に、基板（ウエハ）表面に異物
が付着することを防止することができ、製品歩留まりを
向上させることができる。

【００５４】次いで、図１０に示すように、酸化シリコ
ン膜（ＴＥＯＳ膜）１６の表面をＣＭＰ法により研磨
し、酸化シリコン膜１６ａの上部のレジスト膜（図示せ
ず）をマスクにしたドライエッチングを行うことによっ
て、ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱｎのｎ⁺型半導体領域
１４の上部にコンタクトホール２２を形成し、ｐチャネ
ル型ＭＩＳＦＥＴＱｐのｐ⁺型半導体領域１５の上部に
コンタクトホール２３を形成する。

【００５５】次いで、コンタクトホール２２、２３内を
含む酸化シリコン膜１６ａの上部にＣＶＤ法で薄いＴｉ
Ｎ膜（図示せず）を堆積し、さらに、ＣＶＤ法で、Ｗ膜
を堆積した後、酸化シリコン膜１６ａの上部のＷ膜およ
びＴｉＮ膜をＣＭＰ法で研磨し、これらの膜をコンタク
トホール２２、２３の内部にのみに残すことによってプ
ラグ２７を形成する。

【００５６】次に、酸化シリコン膜１６ａおよびプラグ
２７の上部にＣＶＤ法でＷ膜を堆積した後、レジスト膜
（図示せず）をマスクにしてこのＷ膜をドライエッチン
グすることによって第１層配線３０〜３３を形成する。

【００５７】この後、第１層配線上に酸化シリコン膜等
の絶縁膜、プラグおよび配線の形成を繰り返すことによ
り、多層の配線を形成してもよいが、それらの図示およ
び詳細な説明は省略する。また、最上層配線の上部に
は、例えば、酸化シリコン膜と窒化シリコン膜との積層
膜からなるパッシベーション膜が形成されるが、その図
示および詳細な説明は省略する。

【００５８】なお、本実施の形態においては、酸化シリ
コン膜１６を図１〜図３に示すプラズマＣＶＤ装置を用
いて形成したが、酸化シリコン膜７やサイドウォールス
ペーサ１３を構成する窒化シリコン膜等の絶縁膜、配線
３０〜３３やプラグ２７を構成するタングステン膜等の
導電性膜をかかるプラズマＣＶＤ装置を用いて形成して
もよい。

【００５９】即ち、これらの膜を複数の基板（ウエハ）
について成膜する際に、必要な装置内の清掃を、原料ガ
ス用のガス供給管から不活性ガスを排出しながら行う。
その結果、前述したように、清掃後の基板（ウエハ）１
上への成膜において、異物の発生を低減することができ
る。

【００６０】また、本実施の形態においては、装置内の
清掃を例に説明したが、装置のメンテナンスの際にもＣ
ＶＤチャンバ１０１上の扉１０２を開けてメンテナンス
が行われるため、清掃やメンテナンス等、広く装置の調
整を行う際にも、本発明は適用可能である。

【００６１】また、前述したように、クリーニング処理
を行う場合には、基板（ウエハ）を搭載するサセプタ２
０１（図３参照）が、クリーニングガスに晒されるた
め、その表面が劣化する。特に、プラズマＣＶＤ法にお
いては、サセプタ２０１の劣化部分にアークが生じ、異
常放電が起こりうる。従って、一定の期間もしくは一定
枚数の基板（ウエハ）を処理した後には、このサセプタ
２０１を交換する必要がある。このサセプタ２０１の交
換時にも、本発明を適用することが可能である。

【００６２】また、本実施の形態においては、成膜装置
としてプラズマＣＶＤ装置を例に説明したが、プラズマ
ＣＶＤ装置に限られず、熱ＣＶＤ装置等を用いた半導体
装置の製造方法にも本発明を適用する事が可能である。

【００６３】また、本実施の形態においては、ＭＩＳＦ
ＥＴを有する半導体装置を例に説明したが、このような
ＭＩＳＦＥＴを有するメモリの他、ＥＥＰＲＯＭやバイ
ポーラ等、他の半導体素子の製造方法にも広く適用可能
である。

【００６４】（実施の形態２）図１および図２を参照し
ながら実施の形態１において説明したプラズマＣＶＤ装
置は、原料ガスを供給する配管（１０３）に不活性ガス
を供給したが、本実施の形態のように、不活性ガス専用
のガス供給管２０４を設けてもよい。

【００６５】図１１に本実施の形態で用いられるプラズ
マＣＶＤ装置２００を示す。なお、実施の形態１で説明
した図１と共通する部分については、その説明を省略
し、特徴的な構成についてのみ詳細に説明する。

【００６６】図中の２０４は、不活性ガス専用のガス供
給管であり、かかる供給管の先端は、扉１０２から排出
される原料ガスの排出方向（Ｙ方向）と垂直な方向（Ｘ
方向）に向いている。

【００６７】従って、このガス供給管２０４から不活性
ガスを排出すると、扉１０２の裏側（ＣＶＤチャンバ１
０１側）にエアーカーテンが形成され、原料ガス用のガ
ス供給管１０３内に空気が侵入することを防止すること
ができる。

【００６８】なお、図１１に示すプラズマＣＶＤ装置２
００が用いられる半導体装置の製造方法は、実施の形態
１で説明した工程と同様であるため、その詳細な説明を
省略する。

【００６９】即ち、基板（ウエハ）１上に例えば、酸化
シリコン膜１６等の成膜およびＣＶＤチャンバ１０１の
クリーニング処理を、複数枚の基板（ウエハ）１につい
て行った後、装置内の清掃、装置のメンテナンスもしく
はサセプタの交換等を行い、再び、基板（ウエハ）の処
理を行う。この装置内の清掃、装置のメンテナンスもし
くはサセプタの交換等を、不活性ガス専用のガス供給管
２０４から不活性ガスを供給しながら行う。

【００７０】こように、本実施の形態においては、不活
性ガス専用のガス供給管２０４を設け、扉１０２の裏面
にエアーカーテンを形成したので、扉１０２開放時に、
原料ガス供給管１０３の内部に、大気が侵入するのを防
止することができ、原料ガス用のガス供給管１０３内に
異物が付着することを防止することができる。

【００７１】従って、複数枚の基板（ウエハ）の処理の
最中に、装置の清掃やメンテナンス等で、扉を開放せざ
るを得ない場合であっても、その後の基板（ウエハ）処
理の際、配管内からの異物の飛散を防止することができ
る。

【００７２】また、実施の形態１と同様、扉１０２にセ
ンサ１０５を付けることにより、扉１０２の開放と連動
したバルブ（１０３ａ、１０４ａ）の開閉をすることに
より自動的に不活性ガスの供給を行うことができる。

【００７３】また、本実施の形態においては、成膜装置
としてプラズマＣＶＤ装置を例に説明したが、プラズマ
ＣＶＤ装置に限られず、熱ＣＶＤ装置等を用いた半導体
装置の製造方法にも本発明を適用する事が可能である。

【００７４】また、本実施の形態においては、ＭＩＳＦ
ＥＴを有する半導体装置を例に説明したが、このような
ＭＩＳＦＥＴを有するメモリの他、ＥＥＰＲＯＭやバイ
ポーラ等、他の半導体素子の製造方法にも広く適用可能
である。

【００７５】以上、本発明者によってなされた発明を実
施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実
施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱し
ない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。

【００７６】特に、実施の形態１および２においては、
プラズマＣＶＤ装置や熱ＣＶＤ装置を例に説明したが、
本発明は、エッチング装置や拡散・低圧装置等、空気と
反応するガスの供給管を有する装置に広く適用可能であ
る。

【００７７】また、実施の形態１および２においては、
半導体装置の製造方法を例に説明したが、ＣＤＲＯＭ等
の磁性膜製品の薄膜の形成にも広く適用可能である。

【００７８】

【発明の効果】本願によって開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下の通りである。

【００７９】成膜装置を調整する際、成膜装置の原料ガ
ス用のガス供給管から不活性ガスを排出しながら装置の
調整を行ったので、ガス供給管の内部に大気が侵入する
のを防止することができ、ガス供給管内での異物の発生
を防止できる。

【００８０】その結果、装置の調整後、基板上に成膜す
る際、異物の発生を低減することができる。

【００８１】また、製品性能や製品歩留まりを向上させ
ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態１である半導体装置の製造
方法に用いられるプラズマＣＶＤ装置を示す図である。

【図２】本発明の実施の形態１である半導体装置の製造
方法に用いられるプラズマＣＶＤ装置を示す図である。

【図３】本発明の実施の形態１である半導体装置の製造
方法に用いられるプラズマＣＶＤ装置を示す図である。

【図４】本発明の実施の形態１であるプラズマＣＶＤ装
置を用いた半導体装置の製造方法を示す基板の要部断面
図である。

【図５】本発明の実施の形態１であるプラズマＣＶＤ装
置を用いた半導体装置の製造方法を示す基板の要部断面
図である。

【図６】本発明の実施の形態１であるプラズマＣＶＤ装
置を用いた半導体装置の製造方法を示す基板の要部断面
図である。

【図７】本発明の実施の形態１である半導体装置の製造
方法に用いられるプラズマＣＶＤ装置の調整方法を示す
図である。

【図８】本発明の実施の形態１である半導体装置の製造
方法の効果を示すための図である。

【図９】図８に示すａ部の拡大図である。

【図１０】本発明の実施の形態１であるプラズマＣＶＤ
装置を用いた半導体装置の製造方法を示す基板の要部断
面図である。

【図１１】本発明の実施の形態２である半導体装置の製
造方法に用いられるプラズマＣＶＤ装置を示す図であ
る。

【符号の説明】

１基板（半導体基板）２素子分離３ｐ型ウエル４ｎ型ウエル７酸化シリコン膜８ゲート酸化膜Ｇゲート電極９多結晶シリコン膜１０窒化シリコン膜１１ｎ^-型半導体領域１２ｐ^-型半導体領域１３サイドウォールスペーサ１４ｎ⁺型半導体領域１５ｐ⁺型半導体領域１６酸化シリコン膜１６ａ酸化シリコン膜２１酸化シリコン膜２２コンタクトホール２３コンタクトホール２７プラグ３０〜３３第１層配線１００プラズマＣＶＤ装置１０１ＣＶＤチャンバ１０２扉１０３ガス供給管１０３ａバルブ１０４ガス供給管１０４ａバルブ１０５センサ２００プラズマＣＶＤ装置２０１サセプタ２０２シャワープレートＥｖ高周波電位２０４ガス供給管Ｐ異物Ｑｎｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱｐｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 4K030 CA04 CA12 DA06 EA06 EA11 GA02 JA09 KA11 4M104 BB01 BB30 CC01 CC05 DD16 DD43 DD65 DD75 DD91 EE03 EE05 EE09 EE17 GG06 GG09 GG16 HH12 HH20 5F033 HH04 HH19 HH33 JJ19 JJ33 KK01 MM05 MM13 MM15 NN06 NN07 PP06 QQ08 QQ09 QQ10 QQ11 QQ37 QQ48 QQ58 RR04 RR06 SS04 SS13 SS15 TT08 VV16 XX00 XX01 5F045 AA08 AB32 EB06 EB12 EE14

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】（ａ）ガス供給管を有する成膜装置を準
備する工程と、（ｂ）大気圧下で、前記成膜装置の扉を開放し、前記成
膜装置を調整する工程であって、前記成膜装置のガス供
給管から不活性ガスを排出しながら調整する工程と、（ｃ）前記（ｂ）工程の後、前記成膜装置内に半導体基
板を設置し、前記半導体基板上に膜を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】（ａ）成膜装置を準備する工程であっ
て、（ａ₁）半導体基板上に膜を形成する際の原料ガス
を供給する第１のガス供給管と、（ａ₂）前記第１のガ
ス供給管のガス排出方向と垂直な方向であって、前記第
１のガス供給管のガス排出部の位置する方向に、ガスを
排出する第２のガス供給管と、を有する成膜装置を準備
する工程と、（ｂ）大気圧下で、前記成膜装置の扉を開放し、前記成
膜装置を調整する工程であって、前記成膜装置の第２の
ガス供給管から不活性ガスを排出しながら調整する工程
と、（ｃ）前記（ｂ）工程の後、前記成膜装置内に半導体基
板を設置し、前記第１のガス供給管から原料ガスを供給
しながら前記半導体基板上に膜を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】（ａ）成膜装置内に、半導体基板を設置
し、前記成膜装置のガス供給管から原料ガスを供給しな
がら、前記半導体基板上に膜を形成する工程と、（ｂ）前記成膜装置内に堆積した前記膜成分を、クリー
ニングガスを供給しながら除去する工程と、（ｃ）前記（ａ）工程および（ｂ）工程を複数回繰り返
した後、大気圧下で、前記成膜装置の扉を開放し、前記成膜装置
を調整する工程であって、前記成膜装置の前記ガス供給
管から不活性ガスを排出しながら調整する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】前記成膜装置の調整は、前記成膜装置内
の清掃もしくは前記成膜装置のメンテナンスであること
を特徴とする請求項１〜３のうちいずれか一項に記載の
半導体装置の製造方法。
【請求項５】前記成膜装置は、プラズマＣＶＤ装置で
あり、前記成膜装置の調整は、前記半導体基板が搭載さ
れるステージの交換工程を含むことを特徴とする請求項
１〜３のうちいずれか一項に記載の半導体装置の製造方
法。