JP2003140612A - アクティブマトリクス型表示装置及びその駆動方法 - Google Patents
アクティブマトリクス型表示装置及びその駆動方法Info
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- JP2003140612A JP2003140612A JP2001337646A JP2001337646A JP2003140612A JP 2003140612 A JP2003140612 A JP 2003140612A JP 2001337646 A JP2001337646 A JP 2001337646A JP 2001337646 A JP2001337646 A JP 2001337646A JP 2003140612 A JP2003140612 A JP 2003140612A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 電流駆動を行うアクティブマトリクス型表示
装置において、駆動トランジスタの抵抗とソース信号線
の浮遊容量の積による時定数が大きいため、ソース信号
線電流値の変化が遅い。 【解決手段】 ソース信号線と駆動トランジスタ間の電
流経路を形成する接続トランジスタのゲート電極（ゲー
ト信号線と接続される）と、駆動トランジスタのゲート
電極間に容量を形成し、ゲート信号線電位の変化を利用
して駆動トランジスタのゲート電極の電位を変化させ、
駆動トランジスタを流れる電流がＥＬ素子に接続されて
いる場合に比べ、ソース信号線と接続されている場合の
方が大きくなるようにすることで、ソース信号線を流れ
る電流値を大きくし駆動トランジスタの抵抗値を小さく
した。
装置において、駆動トランジスタの抵抗とソース信号線
の浮遊容量の積による時定数が大きいため、ソース信号
線電流値の変化が遅い。 【解決手段】 ソース信号線と駆動トランジスタ間の電
流経路を形成する接続トランジスタのゲート電極（ゲー
ト信号線と接続される）と、駆動トランジスタのゲート
電極間に容量を形成し、ゲート信号線電位の変化を利用
して駆動トランジスタのゲート電極の電位を変化させ、
駆動トランジスタを流れる電流がＥＬ素子に接続されて
いる場合に比べ、ソース信号線と接続されている場合の
方が大きくなるようにすることで、ソース信号線を流れ
る電流値を大きくし駆動トランジスタの抵抗値を小さく
した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、有機電界発光素子
など、電流量により階調表示を行う表示装置に関する。
など、電流量により階調表示を行う表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】有機発光素子は、自発光素子であるた
め、液晶表示装置で必要とされるバックライトが不要で
あり、視野角が広いなどの利点から、次世代表示装置と
して期待されている。
め、液晶表示装置で必要とされるバックライトが不要で
あり、視野角が広いなどの利点から、次世代表示装置と
して期待されている。
【０００３】有機発光素子では素子の発光強度と素子に
印加される電界が比例関係とならず、素子の発光強度と
素子を流れる電流密度が比例関係にあるため、素子の膜
厚のばらつき及び入力信号値のばらつきに対する発光強
度のばらつきは電流制御により階調表示を行うほうが小
さくすることができる。
印加される電界が比例関係とならず、素子の発光強度と
素子を流れる電流密度が比例関係にあるため、素子の膜
厚のばらつき及び入力信号値のばらつきに対する発光強
度のばらつきは電流制御により階調表示を行うほうが小
さくすることができる。
【０００４】半導体層を有するスイッチング素子を用い
たアクティブマトリクス型表示装置の例を図７に示す。
各画素は７９に示すように、複数のスイッチング素子７
３ａ〜７３ｄと蓄積容量７４ならびに有機電界発光素子
７２からなる。
たアクティブマトリクス型表示装置の例を図７に示す。
各画素は７９に示すように、複数のスイッチング素子７
３ａ〜７３ｄと蓄積容量７４ならびに有機電界発光素子
７２からなる。
【０００５】スイッチング素子７３は１フレームのうち
行選択期間（期間Ａ）にはゲートドライバ７０からの出
力により７３ａ及び７３ｂのスイッチング素子を導通さ
せ、７３ｄのスイッチング素子は非導通状態とする。非
選択期間（期間Ｂ）には、逆に７３ｄを導通状態とし、
７３ａ及び７３ｂを非導通状態とする。
行選択期間（期間Ａ）にはゲートドライバ７０からの出
力により７３ａ及び７３ｂのスイッチング素子を導通さ
せ、７３ｄのスイッチング素子は非導通状態とする。非
選択期間（期間Ｂ）には、逆に７３ｄを導通状態とし、
７３ａ及び７３ｂを非導通状態とする。
【０００６】この操作により期間Ａにおいて、ソースド
ライバ７１から出力される電流値に応じて、７３ｃを流
れる電流量が決められ、７３ｃのソースドレイン間電流
とゲート電圧の関係からゲート電圧が決まり、ゲート電
圧に応じた電荷が蓄積容量７４に蓄積される。期間Ｂで
は期間Ａで蓄積された電荷量に応じて、７３ｃのゲート
電圧が設定されるため、期間Ａで７３ｃに流れた電流と
同一の電流が期間Ｂにおいても７３ｃを流れ、７３ｄを
通じて、有機発光素子７２を発光させる。ソース信号線
７６に流す電流量に応じ、蓄積容量７４の電荷量が変わ
り、有機発光素子７２の発光強度が変化する。
ライバ７１から出力される電流値に応じて、７３ｃを流
れる電流量が決められ、７３ｃのソースドレイン間電流
とゲート電圧の関係からゲート電圧が決まり、ゲート電
圧に応じた電荷が蓄積容量７４に蓄積される。期間Ｂで
は期間Ａで蓄積された電荷量に応じて、７３ｃのゲート
電圧が設定されるため、期間Ａで７３ｃに流れた電流と
同一の電流が期間Ｂにおいても７３ｃを流れ、７３ｄを
通じて、有機発光素子７２を発光させる。ソース信号線
７６に流す電流量に応じ、蓄積容量７４の電荷量が変わ
り、有機発光素子７２の発光強度が変化する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】表示パターンとして、
あるソース信号線に、点灯、非点灯の順に電流を流す場
合と、非点灯、点灯の順に電流を流した場合で、非点灯
時画素の輝度が異なることがわかった。点灯、非点灯の
順の場合、非点灯画素は点灯時の輝度を１、非点灯時の
輝度を０とすると、０．５程度点灯した。また、１度点
灯信号を流した後、残りの同一フレーム期間内で非点灯
信号を流しつづけた場合、非点灯画素の輝度は０．５か
ら徐々に減少し、フレーム周波数が６０Ｈｚ、表示行数
が２２０行の場合、６から７行目より輝度は０となるこ
とがわかった。
あるソース信号線に、点灯、非点灯の順に電流を流す場
合と、非点灯、点灯の順に電流を流した場合で、非点灯
時画素の輝度が異なることがわかった。点灯、非点灯の
順の場合、非点灯画素は点灯時の輝度を１、非点灯時の
輝度を０とすると、０．５程度点灯した。また、１度点
灯信号を流した後、残りの同一フレーム期間内で非点灯
信号を流しつづけた場合、非点灯画素の輝度は０．５か
ら徐々に減少し、フレーム周波数が６０Ｈｚ、表示行数
が２２０行の場合、６から７行目より輝度は０となるこ
とがわかった。
【０００８】一方、非点灯の後に点灯信号を流した場合
は、点灯輝度ははじめ０．８であったが、３行目より輝
度１で表示できた。
は、点灯輝度ははじめ０．８であったが、３行目より輝
度１で表示できた。
【０００９】ソース信号線に必要な電流密度は黒表示時
で０．０１ｍＡ／平方センチ、白表示時で５ｍＡ／平方
センチである。各画素へ供給される電流は、携帯電話、
ＰＤＡやテレビとして用いる表示装置では黒表示時に
１．５ｎＡから２９ｎＡ、白表示時には７５０ｎＡから
１４．５μＡである。
で０．０１ｍＡ／平方センチ、白表示時で５ｍＡ／平方
センチである。各画素へ供給される電流は、携帯電話、
ＰＤＡやテレビとして用いる表示装置では黒表示時に
１．５ｎＡから２９ｎＡ、白表示時には７５０ｎＡから
１４．５μＡである。
【００１０】ソース信号線と同じ電流が流れるように駆
動トランジスタ７３ｃのゲート電圧を変化させる必要が
あるが、ゲート電圧変化に必要な電荷はトランジスタ７
３ｃを通して電源線７５から供給される。
動トランジスタ７３ｃのゲート電圧を変化させる必要が
あるが、ゲート電圧変化に必要な電荷はトランジスタ７
３ｃを通して電源線７５から供給される。
【００１１】このときの１画素分の等価回路を図８
（ａ）に示す。またトランジスタ８１のドレイン電流Ｉ
ｄとゲート電圧Ｖｇの関係を図８（ｂ）に示す。
（ａ）に示す。またトランジスタ８１のドレイン電流Ｉ
ｄとゲート電圧Ｖｇの関係を図８（ｂ）に示す。
【００１２】ゲート電圧が小さいと駆動トランジスタ８
１の見かけの抵抗値が大きくなる。そのためゲート電圧
が小さいつまり、電流値が低い黒階調ほど、抵抗値が大
きくなる。この駆動トランジスタの抵抗値とソース信号
線８４に寄生する浮遊容量８３との時定数により波形の
なまりが生じ、所定電流にまで変化するのに時間がかか
る。これにより、選択期間（水平走査期間）を長くしな
ければならないという問題がある。
１の見かけの抵抗値が大きくなる。そのためゲート電圧
が小さいつまり、電流値が低い黒階調ほど、抵抗値が大
きくなる。この駆動トランジスタの抵抗値とソース信号
線８４に寄生する浮遊容量８３との時定数により波形の
なまりが生じ、所定電流にまで変化するのに時間がかか
る。これにより、選択期間（水平走査期間）を長くしな
ければならないという問題がある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明のアクティブマトリクス型表示装置は、第一の
期間（書き込み期間）において電流Ｉ１を設定し、第二
の期間（表示期間）において電流Ｉ１に一意的に対応す
る電流Ｉ２を表示素子に流すように画素回路が構成され
たアクティブマトリクス型表示装置において、各電流が
Ｉ１＞Ｉ２なる関係を満たすことを特徴とするものであ
る。
に本発明のアクティブマトリクス型表示装置は、第一の
期間（書き込み期間）において電流Ｉ１を設定し、第二
の期間（表示期間）において電流Ｉ１に一意的に対応す
る電流Ｉ２を表示素子に流すように画素回路が構成され
たアクティブマトリクス型表示装置において、各電流が
Ｉ１＞Ｉ２なる関係を満たすことを特徴とするものであ
る。
【００１４】またこれを実現する手段として、ゲート信
号線と電流制御を行うトランジスタのゲート電極間に容
量を接続し、同一ＥＬ電流を得るのに必要なソース電流
を増加させ、トランジスタの見かけの抵抗値を小さくし
波形のなまりを小さくしたことを特徴とする。
号線と電流制御を行うトランジスタのゲート電極間に容
量を接続し、同一ＥＬ電流を得るのに必要なソース電流
を増加させ、トランジスタの見かけの抵抗値を小さくし
波形のなまりを小さくしたことを特徴とする。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下本発明の実施例について、図
面を参照しながら説明を行う。
面を参照しながら説明を行う。
【００１６】（発明の実施の形態１）図１は本発明の第
１の実施の形態における表示装置の１画素分の回路を示
したものである。従来の構成の１画素分の回路と比較し
て、容量Ｃｔ１８を設けたことが特徴である。また図２
に主要な波形のタイミングチャートを示す。
１の実施の形態における表示装置の１画素分の回路を示
したものである。従来の構成の１画素分の回路と比較し
て、容量Ｃｔ１８を設けたことが特徴である。また図２
に主要な波形のタイミングチャートを示す。
【００１７】ゲート信号線１（１２）にトランジスタ１
７ｂ、１７ｃを導通状態とする信号を流し、ＥＬ素子１
６に所定の電流（Ｉ１とする）を流すために、ソース信
号線１１にＩ１の電流を流す。このときのトランジスタ
１７ａのゲート電位をＶ１とする。（トランジスタ１７
ａの電流−電圧特性において電流がＩ１の時に電圧はＶ
１であるとする）これが図２における第１の期間すなわ
ち選択期間（水平走査期間）である。なお、トランジス
タ１７ｄはこの期間非道通である。
７ｂ、１７ｃを導通状態とする信号を流し、ＥＬ素子１
６に所定の電流（Ｉ１とする）を流すために、ソース信
号線１１にＩ１の電流を流す。このときのトランジスタ
１７ａのゲート電位をＶ１とする。（トランジスタ１７
ａの電流−電圧特性において電流がＩ１の時に電圧はＶ
１であるとする）これが図２における第１の期間すなわ
ち選択期間（水平走査期間）である。なお、トランジス
タ１７ｄはこの期間非道通である。
【００１８】次にゲート信号線１（１２）にトランジス
タ１７ｂ、１７ｃを非導通状態とする信号を、ゲート信
号線２（１３）にトランジスタ１７ｄを導通にする信号
を流す。図２における第２の期間である。この時容量Ｃ
ｔ（１８）があるためゲート信号線１の電位変化に応じ
てトランジスタ１７ａのゲート電圧値はＶ１から変化す
る。
タ１７ｂ、１７ｃを非導通状態とする信号を、ゲート信
号線２（１３）にトランジスタ１７ｄを導通にする信号
を流す。図２における第２の期間である。この時容量Ｃ
ｔ（１８）があるためゲート信号線１の電位変化に応じ
てトランジスタ１７ａのゲート電圧値はＶ１から変化す
る。
【００１９】この時の変化量ΔＶｐはトランジスタ１７
ｂのゲートソース間容量をＣｇｓとすると、ΔＶｐ＝Δ
Ｖｇ×（Ｃｇｓ＋Ｃｔ）／（Ｃｇｓ＋Ｃｔ＋Ｃｓ）で表
される。ここでＣｓは蓄積容量１４の容量値、ΔＶｇは
ゲート信号線１の電位変化量を示す。図２に示すよう
に、第１の期間と第２の期間の切り替わり時点において
ゲート信号線電圧は大きくなることから、駆動トランジ
スタ１７ａのゲート電位は上昇する。上昇値は３つの容
量の値により変化し、Ｃｇｓはトランジスタのサイズ、
構成により決められるため、実際はＣｔとＣｓにより変
化量を制御する。
ｂのゲートソース間容量をＣｇｓとすると、ΔＶｐ＝Δ
Ｖｇ×（Ｃｇｓ＋Ｃｔ）／（Ｃｇｓ＋Ｃｔ＋Ｃｓ）で表
される。ここでＣｓは蓄積容量１４の容量値、ΔＶｇは
ゲート信号線１の電位変化量を示す。図２に示すよう
に、第１の期間と第２の期間の切り替わり時点において
ゲート信号線電圧は大きくなることから、駆動トランジ
スタ１７ａのゲート電位は上昇する。上昇値は３つの容
量の値により変化し、Ｃｇｓはトランジスタのサイズ、
構成により決められるため、実際はＣｔとＣｓにより変
化量を制御する。
【００２０】駆動トランジスタ１７ａのゲート電位の上
昇はドレイン電流の低下を引き起こす。変化量ΔＶｐに
相当する分だけドレイン電流が低下する。従ってゲート
信号線２を導通状態としてＥＬ素子１６に流れる電流は
所定の電流値Ｉ１に比べ小さい電流が流れることとな
る。
昇はドレイン電流の低下を引き起こす。変化量ΔＶｐに
相当する分だけドレイン電流が低下する。従ってゲート
信号線２を導通状態としてＥＬ素子１６に流れる電流は
所定の電流値Ｉ１に比べ小さい電流が流れることとな
る。
【００２１】このことは逆に、第２の期間においてＥＬ
素子にＩ１の電流を流すためには第１の期間においてト
ランジスタ１７ａにＩ１より大きな電流を流すことにな
ることを示し、Ｃｓが小さいかもしくはＣｔが大きくな
れば流す電流をより大きくすることができる。Ｃｓを小
さくすると電荷の保持能力が小さくなるため、第２の期
間での１７ａのゲート電位が変化しやすくなるので、現
実には小さくできない。そこでＣｔを大きくすること
で、実現することが望ましい。
素子にＩ１の電流を流すためには第１の期間においてト
ランジスタ１７ａにＩ１より大きな電流を流すことにな
ることを示し、Ｃｓが小さいかもしくはＣｔが大きくな
れば流す電流をより大きくすることができる。Ｃｓを小
さくすると電荷の保持能力が小さくなるため、第２の期
間での１７ａのゲート電位が変化しやすくなるので、現
実には小さくできない。そこでＣｔを大きくすること
で、実現することが望ましい。
【００２２】このようにソース信号線に流す電流を大き
くすれば、図８（ｂ）に示す電流―電圧特性を持つトラ
ンジスタの見かけの抵抗値を小さくすることが可能とな
る。これにより抵抗と浮遊容量との積による時定数が小
さくなることから、第１の期間において所定電流値へ変
化する時間を短くすることができるのである。
くすれば、図８（ｂ）に示す電流―電圧特性を持つトラ
ンジスタの見かけの抵抗値を小さくすることが可能とな
る。これにより抵抗と浮遊容量との積による時定数が小
さくなることから、第１の期間において所定電流値へ変
化する時間を短くすることができるのである。
【００２３】ゲート信号線の振幅が１４Ｖの場合につい
て、Ｃｔの値を変化させた時のソース信号線１１に流す
電流とＥＬ素子１６に流れる電流との関係を図３に示
す。
て、Ｃｔの値を変化させた時のソース信号線１１に流す
電流とＥＬ素子１６に流れる電流との関係を図３に示
す。
【００２４】容量比（（Ｃｇｓ＋Ｃｔ）／（Ｃｇｓ＋Ｃ
ｔ＋Ｃｓ））が０．０３のとき、ソース信号線に流すべ
き電流値はＥＬ素子に流れる電流値の５倍程度となる。
更にＣｔを大きくするとＥＬ素子に流れる電流値に対
し、ソース信号線に流す電流値の割合が増加する。容量
比が０．１１となると２００倍となる。更に０．１５ま
で大きくすると５００倍となる。
ｔ＋Ｃｓ））が０．０３のとき、ソース信号線に流すべ
き電流値はＥＬ素子に流れる電流値の５倍程度となる。
更にＣｔを大きくするとＥＬ素子に流れる電流値に対
し、ソース信号線に流す電流値の割合が増加する。容量
比が０．１１となると２００倍となる。更に０．１５ま
で大きくすると５００倍となる。
【００２５】ソース信号線に流れる電流が大きくなるほ
ど駆動トランジスタの抵抗値は下がるため、所定電流に
変化するのに要する時間は下がるので、Ｃｔの値は大き
いほどよい。
ど駆動トランジスタの抵抗値は下がるため、所定電流に
変化するのに要する時間は下がるので、Ｃｔの値は大き
いほどよい。
【００２６】但し、Ｃｔが大きくなり容量比が０．１５
となると、黒階調時にＥＬに流れる電流が３ｎＡとした
場合、図３よりソース信号線に流す電流は１．５μＡと
なり、書き込みに必要な電流値は大きい。ＥＬ電源線の
電圧を１５Ｖとした場合、携帯電話などを想定したソー
ス信号線数５２８本の場合、書き込みに必要な電力は最
も電流の小さい黒表示時でも１１．９ｍＷとなる。一方
でフレーム周波数６０Ｈｚで１水平走査期間内で所定電
流値までに変化させるのに必要な電流値は０．３μＡ程
度あればよいことから、Ｃｔの最大値は容量比が０．１
１となる程度が消費電力を低減させる観点から望まし
い。
となると、黒階調時にＥＬに流れる電流が３ｎＡとした
場合、図３よりソース信号線に流す電流は１．５μＡと
なり、書き込みに必要な電流値は大きい。ＥＬ電源線の
電圧を１５Ｖとした場合、携帯電話などを想定したソー
ス信号線数５２８本の場合、書き込みに必要な電力は最
も電流の小さい黒表示時でも１１．９ｍＷとなる。一方
でフレーム周波数６０Ｈｚで１水平走査期間内で所定電
流値までに変化させるのに必要な電流値は０．３μＡ程
度あればよいことから、Ｃｔの最大値は容量比が０．１
１となる程度が消費電力を低減させる観点から望まし
い。
【００２７】一方Ｃｔの下限値は容量比が０．０３であ
ることが望ましい。少なくとも５倍程度は電流値を上げ
ることで、フレーム周波数を３０Ｈｚ程度まで低下させ
れば１水平走査期間内に所定電流値に変化させることが
できる。
ることが望ましい。少なくとも５倍程度は電流値を上げ
ることで、フレーム周波数を３０Ｈｚ程度まで低下させ
れば１水平走査期間内に所定電流値に変化させることが
できる。
【００２８】また、フレーム周波数が６０Ｈｚの場合で
も、図５のようにソース信号線５１に切り替え手段５８
及び電圧源５９及び電流源５０を設け、電圧源５９をソ
ース信号線５１に黒信号電流を流した時の電圧値に設定
し、各水平走査期間の始め２μ秒以上５μ秒以下の期間
切り替え手段５８を電圧源５９を選択するように、残り
の期間で電流源５０を選択するようにする。
も、図５のようにソース信号線５１に切り替え手段５８
及び電圧源５９及び電流源５０を設け、電圧源５９をソ
ース信号線５１に黒信号電流を流した時の電圧値に設定
し、各水平走査期間の始め２μ秒以上５μ秒以下の期間
切り替え手段５８を電圧源５９を選択するように、残り
の期間で電流源５０を選択するようにする。
【００２９】この様にすれば、黒階調へは遅くとも１水
平走査期間中に変化できる。また、ソース信号線の変化
は黒階調を表す電圧値から所定電流値に対応する電圧値
に変化することから、所定の階調を示す電流値に変化し
なかった場合、所定輝度に比べ低い輝度で表示される。
これは電流の少ない低階調側で顕著であり、一方で高階
調側では元々の電流値が大きいため十分に電流値が変化
できるため所定輝度を出力できる。
平走査期間中に変化できる。また、ソース信号線の変化
は黒階調を表す電圧値から所定電流値に対応する電圧値
に変化することから、所定の階調を示す電流値に変化し
なかった場合、所定輝度に比べ低い輝度で表示される。
これは電流の少ない低階調側で顕著であり、一方で高階
調側では元々の電流値が大きいため十分に電流値が変化
できるため所定輝度を出力できる。
【００３０】これを図に表すと図６の６１で示すような
階調と観測される輝度の関係となる。元来高階調部に比
べ低階調部の１階調間の輝度変化が小さい方が階調特性
がよくみえるため、電圧源５９を設けたこの方法では、
必ずしも所定電流まで電流値を変化させなくても画質に
影響がないことがわかる。このことを考慮すれば、容量
比が０．０３であっても６０Ｈｚ駆動可能である。
階調と観測される輝度の関係となる。元来高階調部に比
べ低階調部の１階調間の輝度変化が小さい方が階調特性
がよくみえるため、電圧源５９を設けたこの方法では、
必ずしも所定電流まで電流値を変化させなくても画質に
影響がないことがわかる。このことを考慮すれば、容量
比が０．０３であっても６０Ｈｚ駆動可能である。
【００３１】更に所定電流値に短時間で変化させる方法
として、ソース信号線に所定電流値のＸ倍（ここでＸは
２以上の自然数）の電流を流し、ゲート信号線２（５
３）により第２の期間におけるトランジスタ５７ｄの導
通期間を１／Ｘとする方法がある。輝度はＸ倍である
が、発光期間が１／Ｘであるため所定輝度を表示するこ
とができる。図９において期間９１の長さを変化させる
ことである。なおこの例では図５の回路構成において説
明を行ったが、各階調とも１水平走査期間内に十分に所
定電流値に変化できるのであれば、電圧源５９及び切り
替え手段５８はなくてもよい。
として、ソース信号線に所定電流値のＸ倍（ここでＸは
２以上の自然数）の電流を流し、ゲート信号線２（５
３）により第２の期間におけるトランジスタ５７ｄの導
通期間を１／Ｘとする方法がある。輝度はＸ倍である
が、発光期間が１／Ｘであるため所定輝度を表示するこ
とができる。図９において期間９１の長さを変化させる
ことである。なおこの例では図５の回路構成において説
明を行ったが、各階調とも１水平走査期間内に十分に所
定電流値に変化できるのであれば、電圧源５９及び切り
替え手段５８はなくてもよい。
【００３２】Ｃｔの値を変化させる他に、ゲート信号線
１の電圧の変化量を変えてもよい。図３においてはゲー
ト信号線１の電圧の変化量が１４Ｖであったが、これを
例えば１６Ｖとした場合、ＥＬに流れる電流は同一ソー
ス信号線電流に対し１４Ｖの時に比べ０．５から０．８
倍になる。従って、１４Ｖの時と同一の輝度を得るため
にはソース信号線を１．３から２倍流すことになり、そ
の分駆動トランジスタの見かけの抵抗値が下がるため、
信号線の波形なまりが小さくなり、短い水平走査期間で
所定電流値を流すことができるようになる。
１の電圧の変化量を変えてもよい。図３においてはゲー
ト信号線１の電圧の変化量が１４Ｖであったが、これを
例えば１６Ｖとした場合、ＥＬに流れる電流は同一ソー
ス信号線電流に対し１４Ｖの時に比べ０．５から０．８
倍になる。従って、１４Ｖの時と同一の輝度を得るため
にはソース信号線を１．３から２倍流すことになり、そ
の分駆動トランジスタの見かけの抵抗値が下がるため、
信号線の波形なまりが小さくなり、短い水平走査期間で
所定電流値を流すことができるようになる。
【００３３】またゲート信号線１の電圧の変化量を変え
ることでＥＬ素子に流れる電流量が変化することから、
ゲート信号線１の電圧の振幅を変化させることで表示部
の輝度を変化させることもできる。輝度を高めたい時に
はゲート信号線１の電圧の振幅を小さくし、輝度を低く
したい時にはゲート信号線１の電圧の振幅を大きくすれ
ば実現できる。
ることでＥＬ素子に流れる電流量が変化することから、
ゲート信号線１の電圧の振幅を変化させることで表示部
の輝度を変化させることもできる。輝度を高めたい時に
はゲート信号線１の電圧の振幅を小さくし、輝度を低く
したい時にはゲート信号線１の電圧の振幅を大きくすれ
ば実現できる。
【００３４】さらにゲート信号線１の電圧変化に要する
時間を変化させ、ΔＶｇを変化させて輝度調節する方法
もある。ゲート信号線の波形なまりが小さい時は周波数
成分が高いため、Ｃｔを介して駆動トランジスタ１７ａ
のゲート電位変化が大きくなる。これにより輝度は低下
する。一方で波形なまりが大きくなるとΔＶｇが見かけ
上小さくなるため電位変化が小さいため輝度の変化量が
小さく、波形なまりが小さい時に比べ、輝度が高くな
る。
時間を変化させ、ΔＶｇを変化させて輝度調節する方法
もある。ゲート信号線の波形なまりが小さい時は周波数
成分が高いため、Ｃｔを介して駆動トランジスタ１７ａ
のゲート電位変化が大きくなる。これにより輝度は低下
する。一方で波形なまりが大きくなるとΔＶｇが見かけ
上小さくなるため電位変化が小さいため輝度の変化量が
小さく、波形なまりが小さい時に比べ、輝度が高くな
る。
【００３５】各ゲート信号線は一般的にゲートドライバ
の出力にバッファを用いていることが多い。例えば図２
１に示すような構成である。２１０はシフトレジスタで
あり、あるパルスを順に伝達していくブロックである。
シフトレジスタ２１０の出力をバッファ２１１を通して
各ゲート信号線に出力する。その時出力波形の一例を２
１２から２１４に示す。バッファ２１１のスルーレート
を変化させることもしくはゲート信号線に容量もしくは
抵抗を入れることで波形のなまり方が変化する。
の出力にバッファを用いていることが多い。例えば図２
１に示すような構成である。２１０はシフトレジスタで
あり、あるパルスを順に伝達していくブロックである。
シフトレジスタ２１０の出力をバッファ２１１を通して
各ゲート信号線に出力する。その時出力波形の一例を２
１２から２１４に示す。バッファ２１１のスルーレート
を変化させることもしくはゲート信号線に容量もしくは
抵抗を入れることで波形のなまり方が変化する。
【００３６】ゲート信号線には配線抵抗及び浮遊容量が
存在するため図１３（ａ）に示すようにゲートドライバ
付近でのゲート信号線波形とゲートドライバから最も離
れた画素におけるゲート信号線波形が異なる。近い画素
では１３４に示すように波形の立ちあがり及び立ち下が
りは瞬時で行われるが、遠い画素になると１３７及び１
３８に示した抵抗と容量の時定数に応じて波形が１３５
に示すように変化する。これにより、ΔＶｇは小さくな
る。図１３（ｂ）のようにゲートドライバを配置した場
合、画面左側に比べ右側では駆動トランジスタのゲート
電位の変化ΔＶｐは小さくなるため、ＥＬ素子に流れる
電流が増加し、輝度が上昇する。特に黒表示時において
輝度の上昇が目立つようになり、コントラストも低下す
る。そこで、図１３（ｂ）の容量１３６の大きさをゲー
トドライバからの距離に応じて変化させるようにする。
ゲートドライバに近い１３６ａに比べ、ゲートドライバ
から遠い１３６ｂの方が容量値を大きくすることで、Δ
Ｖｇが小さくなってもΔＶｐの大きさを変化させないよ
うにできる。
存在するため図１３（ａ）に示すようにゲートドライバ
付近でのゲート信号線波形とゲートドライバから最も離
れた画素におけるゲート信号線波形が異なる。近い画素
では１３４に示すように波形の立ちあがり及び立ち下が
りは瞬時で行われるが、遠い画素になると１３７及び１
３８に示した抵抗と容量の時定数に応じて波形が１３５
に示すように変化する。これにより、ΔＶｇは小さくな
る。図１３（ｂ）のようにゲートドライバを配置した場
合、画面左側に比べ右側では駆動トランジスタのゲート
電位の変化ΔＶｐは小さくなるため、ＥＬ素子に流れる
電流が増加し、輝度が上昇する。特に黒表示時において
輝度の上昇が目立つようになり、コントラストも低下す
る。そこで、図１３（ｂ）の容量１３６の大きさをゲー
トドライバからの距離に応じて変化させるようにする。
ゲートドライバに近い１３６ａに比べ、ゲートドライバ
から遠い１３６ｂの方が容量値を大きくすることで、Δ
Ｖｇが小さくなってもΔＶｐの大きさを変化させないよ
うにできる。
【００３７】なお、図１３においては画面の一方からゲ
ート信号線を供給した場合で説明を行ったが、画面の両
方からゲート信号線を供給した場合でも同様に、供給源
から遠い画素の容量を大きくして、近づくにつれ小さく
する構成とすれば同様な効果が得られる。
ート信号線を供給した場合で説明を行ったが、画面の両
方からゲート信号線を供給した場合でも同様に、供給源
から遠い画素の容量を大きくして、近づくにつれ小さく
する構成とすれば同様な効果が得られる。
【００３８】マルチカラー表示装置として赤、緑、青色
の３種のＥＬ素子１６を並べて表示させる場合、各色の
ＥＬ素子１６の電流密度ー輝度特性が異なるため黒階調
時の電流密度の上限値が異なる。例えば図１４のような
電流密度ー輝度特性を持つ３色のＥＬ素子を用いた場
合、赤色発光素子１４３に比べ緑色発光素子１４１の黒
階調時電流が小さい。緑色の画素ではより電流密度を小
さくする必要がある。そこで、本発明による容量を付加
した画素構成（図１）において容量１８の大きさを発光
色ごとに変化させて、ＥＬに流れる電流値を変化させる
ようにした。図１４に示したＥＬ素子を用いた場合、最
も発光開始電流が小さい緑色を発光する画素の容量が最
も大きく、赤色を発光する画素の容量が最も小さくなる
ように形成すればよい。
の３種のＥＬ素子１６を並べて表示させる場合、各色の
ＥＬ素子１６の電流密度ー輝度特性が異なるため黒階調
時の電流密度の上限値が異なる。例えば図１４のような
電流密度ー輝度特性を持つ３色のＥＬ素子を用いた場
合、赤色発光素子１４３に比べ緑色発光素子１４１の黒
階調時電流が小さい。緑色の画素ではより電流密度を小
さくする必要がある。そこで、本発明による容量を付加
した画素構成（図１）において容量１８の大きさを発光
色ごとに変化させて、ＥＬに流れる電流値を変化させる
ようにした。図１４に示したＥＬ素子を用いた場合、最
も発光開始電流が小さい緑色を発光する画素の容量が最
も大きく、赤色を発光する画素の容量が最も小さくなる
ように形成すればよい。
【００３９】容量Ｃｔ（１８）の一端はゲート信号線１
に接続されているが、必ずしもゲート信号線に接続され
ている必要はなく、図１５に示すように別の信号線を電
圧制御線１５９として接続してもよい。この電圧制御線
１５９は図１６のように同一行の容量Ｃｔすべてに接続
され、ゲートドライバにより制御されている。この時の
各信号線波形を図１８に示す。電圧制御線はゲート信号
線１がハイレベルになると同時もしくは数μ秒程度遅れ
てハイレベルとする。再びローレベルになるのはゲート
信号線１がローレベルとなった時もしくは電圧制御線が
ハイレベルになったあと、トランジスタ１５７ｄが導通
状態から非導通状態に変化した後である。
に接続されているが、必ずしもゲート信号線に接続され
ている必要はなく、図１５に示すように別の信号線を電
圧制御線１５９として接続してもよい。この電圧制御線
１５９は図１６のように同一行の容量Ｃｔすべてに接続
され、ゲートドライバにより制御されている。この時の
各信号線波形を図１８に示す。電圧制御線はゲート信号
線１がハイレベルになると同時もしくは数μ秒程度遅れ
てハイレベルとする。再びローレベルになるのはゲート
信号線１がローレベルとなった時もしくは電圧制御線が
ハイレベルになったあと、トランジスタ１５７ｄが導通
状態から非導通状態に変化した後である。
【００４０】これにより、電圧制御線１５９の電圧変化
量ΔＶｇと容量比Ｃｔ／（Ｃｔ＋Ｃｓ）の積だけトラン
ジスタ１５７ａのゲート電位が変化する。この図ではＶ
１からΔＶｐだけ変化する。これにより電流は減少す
る。ＥＬ素子に所定の電流を流すにはソース信号線には
所定の電流値よりも大きい電流を流すことになる。よっ
てこれまでの説明と同様に、ＥＬ素子に流す電流が小さ
い領域でも容量Ｃｔ及び電圧変化量ΔＶｇを大きくする
ことで、ソース信号線に流す電流値を増大させ、トラン
ジスタの抵抗値を下げ波形変化をはやくできるようにな
る。
量ΔＶｇと容量比Ｃｔ／（Ｃｔ＋Ｃｓ）の積だけトラン
ジスタ１５７ａのゲート電位が変化する。この図ではＶ
１からΔＶｐだけ変化する。これにより電流は減少す
る。ＥＬ素子に所定の電流を流すにはソース信号線には
所定の電流値よりも大きい電流を流すことになる。よっ
てこれまでの説明と同様に、ＥＬ素子に流す電流が小さ
い領域でも容量Ｃｔ及び電圧変化量ΔＶｇを大きくする
ことで、ソース信号線に流す電流値を増大させ、トラン
ジスタの抵抗値を下げ波形変化をはやくできるようにな
る。
【００４１】またこの方法は、ゲート信号線にＣｔの一
端を接続することに比べ、ΔＶｇの値を大きく取ること
ができるため、Ｃｔの値が小さくてもΔＶｇを大きくす
ることでトランジスタの電流値の変化量を大きくでき
る。ゲート信号線に接続した場合ΔＶｇはトランジスタ
の耐圧により最大値が決められおよそ２０Ｖ以下でない
といけないが、本発明の形態による電圧制御線では２０
Ｖ以上電位差があってもよい。従って、電圧値を大きく
して、容量Ｃｔを小さくし、画素の開口率を上げられる
という利点がある。
端を接続することに比べ、ΔＶｇの値を大きく取ること
ができるため、Ｃｔの値が小さくてもΔＶｇを大きくす
ることでトランジスタの電流値の変化量を大きくでき
る。ゲート信号線に接続した場合ΔＶｇはトランジスタ
の耐圧により最大値が決められおよそ２０Ｖ以下でない
といけないが、本発明の形態による電圧制御線では２０
Ｖ以上電位差があってもよい。従って、電圧値を大きく
して、容量Ｃｔを小さくし、画素の開口率を上げられる
という利点がある。
【００４２】容量Ｃｔを素子として設計し形成する他
に、例えば、トランジスタ１７ｂのゲート電極とトラン
ジスタ１７ａゲート電極を絶縁膜などを介して重ねて配
置するもしくは近くに並べることで容量を形成したり、
ゲート信号線１とトランジスタ１７ａに接続される配線
のクロス領域を用いて、クロス領域の大きさで容量の制
御をおこなってもよい。
に、例えば、トランジスタ１７ｂのゲート電極とトラン
ジスタ１７ａゲート電極を絶縁膜などを介して重ねて配
置するもしくは近くに並べることで容量を形成したり、
ゲート信号線１とトランジスタ１７ａに接続される配線
のクロス領域を用いて、クロス領域の大きさで容量の制
御をおこなってもよい。
【００４３】コンデンサの代わりにトランジスタ１７８
を図１７のように形成して、トランジスタのソースゲー
ト間容量を用いてもよい。またドレイン電極は未接続と
なっているが、節点１７０に接続してもよい。
を図１７のように形成して、トランジスタのソースゲー
ト間容量を用いてもよい。またドレイン電極は未接続と
なっているが、節点１７０に接続してもよい。
【００４４】また以上の例においてはｐ型トランジスタ
を用いた回路構成で説明を行ってきたが、図１０に示す
ようにｎ型トランジスタを用いても同様な効果が得られ
る。例えば図１１にゲート信号線波形と電流制御を行う
トランジスタ１０７ａのゲート電圧とドレイン電流の電
圧変化を示す。
を用いた回路構成で説明を行ってきたが、図１０に示す
ようにｎ型トランジスタを用いても同様な効果が得られ
る。例えば図１１にゲート信号線波形と電流制御を行う
トランジスタ１０７ａのゲート電圧とドレイン電流の電
圧変化を示す。
【００４５】第１の期間（水平走査期間に相当する）に
おいてゲート信号線１（１０２）にハイレベルの信号を
印加し、１０７ｃ及び１０７ｂのトランジスタを導通状
態とする。この期間に所定電流値をソース信号線１０１
に流すことで、この所定電流に対応した電圧にソース信
号線１０１及び、トランジスタ１０７ａのゲート電圧が
変化する。
おいてゲート信号線１（１０２）にハイレベルの信号を
印加し、１０７ｃ及び１０７ｂのトランジスタを導通状
態とする。この期間に所定電流値をソース信号線１０１
に流すことで、この所定電流に対応した電圧にソース信
号線１０１及び、トランジスタ１０７ａのゲート電圧が
変化する。
【００４６】次に第２の期間でゲート信号線１（１０
２）をローレベルとし、ソース信号線１０１から電流が
流れないようにする。この時トランジスタ１０７ｂのゲ
ート電極とソース電極間に寄生する浮遊容量１０９によ
りゲート信号線１の電位変化に応じて節点１００の電位
が変化する。この場合、図１１に示すように電位が低く
なる方向へ変化する。これによりｎ型トランジスタ１０
７ａのドレイン電流も低下し、その結果、ＥＬ素子１０
６に流れる電流も減少する。減少量はｐ型トランジスタ
と同様の式で表され、容量１０８を増加させると、電流
値の減少量も大きくなる。電流値の減少を補正するため
ソース信号線に流す電流値を大きくすることになるか
ら、ｐ型トランジスタの場合と同様にｎ型トランジスタ
でも電流値変化に要する時間を短くできる効果は同一で
ある。
２）をローレベルとし、ソース信号線１０１から電流が
流れないようにする。この時トランジスタ１０７ｂのゲ
ート電極とソース電極間に寄生する浮遊容量１０９によ
りゲート信号線１の電位変化に応じて節点１００の電位
が変化する。この場合、図１１に示すように電位が低く
なる方向へ変化する。これによりｎ型トランジスタ１０
７ａのドレイン電流も低下し、その結果、ＥＬ素子１０
６に流れる電流も減少する。減少量はｐ型トランジスタ
と同様の式で表され、容量１０８を増加させると、電流
値の減少量も大きくなる。電流値の減少を補正するため
ソース信号線に流す電流値を大きくすることになるか
ら、ｐ型トランジスタの場合と同様にｎ型トランジスタ
でも電流値変化に要する時間を短くできる効果は同一で
ある。
【００４７】また画素構成は以上のものに限らず、例え
ば図４のような構成を用いてもよい。４８が本発明によ
って付加された容量で、４９はトランジスタ４７ｂのゲ
ートソース電極間に寄生する容量である。４８の容量の
大きさによって、トランジスタ４７ｄ、４７ｂが導通時
と非導通時の間での節点４０の電位差が変化する。ゲー
ト信号線２（４３）の電位変化が容量４８、４９を通し
て節点４０に伝達されるためである。導通時から非導通
時の間でゲート信号線２（４３）は電圧上昇するため節
点４０の電位も上昇する。これによりトランジスタ４７
ａ及び４７ｃのドレイン電流が低下する。これによりソ
ース信号線電流に比べＥＬ素子電流が小さくなることか
ら、減少分を補正するためソース信号線電流を多く流す
ことができ、トランジスタ４７ａ及び４７ｃの見かけの
抵抗値を下げることができ、電流値の変化に要する時間
を短くすることができる。
ば図４のような構成を用いてもよい。４８が本発明によ
って付加された容量で、４９はトランジスタ４７ｂのゲ
ートソース電極間に寄生する容量である。４８の容量の
大きさによって、トランジスタ４７ｄ、４７ｂが導通時
と非導通時の間での節点４０の電位差が変化する。ゲー
ト信号線２（４３）の電位変化が容量４８、４９を通し
て節点４０に伝達されるためである。導通時から非導通
時の間でゲート信号線２（４３）は電圧上昇するため節
点４０の電位も上昇する。これによりトランジスタ４７
ａ及び４７ｃのドレイン電流が低下する。これによりソ
ース信号線電流に比べＥＬ素子電流が小さくなることか
ら、減少分を補正するためソース信号線電流を多く流す
ことができ、トランジスタ４７ａ及び４７ｃの見かけの
抵抗値を下げることができ、電流値の変化に要する時間
を短くすることができる。
【００４８】ｎ型トランジスタで構成された回路（図１
２）でも同様な効果が得られる。
２）でも同様な効果が得られる。
【００４９】なお、本発明は、上記した具体的な回路構
成に限定されるものではなく、第一の期間（書き込み期
間）においてある電流Ｉ1を設定し、第二の期間（表示
期間）においてその電流Ｉ1に一意的に対応した電流Ｉ2
を表示素子に流すように画素回路が構成されたアクティ
ブマトリクス型表示装置において、Ｉ1＞Ｉ2となるよう
に駆動することに特徴がある。Ｉ1とＩ2の一意的な関係
とは例えば図３に示すような特定の容量比におけるソー
ス信号線電流とＥＬ電流の関係を指す。この関係は、
Ａ、Ｂ、ｎを正の定数としてＩ1＝Ａ＋Ｂ・Ｉ2 nと近似
できる。なお、この関係が成立することは、これまでに
説明したように、とくに電流Ｉ2が小さい場合に大きな
効果を発揮する。
成に限定されるものではなく、第一の期間（書き込み期
間）においてある電流Ｉ1を設定し、第二の期間（表示
期間）においてその電流Ｉ1に一意的に対応した電流Ｉ2
を表示素子に流すように画素回路が構成されたアクティ
ブマトリクス型表示装置において、Ｉ1＞Ｉ2となるよう
に駆動することに特徴がある。Ｉ1とＩ2の一意的な関係
とは例えば図３に示すような特定の容量比におけるソー
ス信号線電流とＥＬ電流の関係を指す。この関係は、
Ａ、Ｂ、ｎを正の定数としてＩ1＝Ａ＋Ｂ・Ｉ2 nと近似
できる。なお、この関係が成立することは、これまでに
説明したように、とくに電流Ｉ2が小さい場合に大きな
効果を発揮する。
【００５０】（発明の実施の形態２）図１９は本発明の
第２の実施の形態における表示装置の１画素分の回路を
示したものである。薄膜トランジスタ１９７ａのゲート
電圧によりＥＬ素子１９６に流れる電流値を変化させ、
階調表示を行う。行選択期間にトランジスタ１９７ｂが
導通状態となり、ソース信号線１９１に印加された電圧
に応じて蓄積容量１９４に電荷が蓄積される。非選択期
間ではトランジスタ１９７ｂは非導通状態となり、蓄積
容量１９４に蓄えられた電荷に応じてトランジスタ１９
７ａのドレイン電流が決まり階調表示を行う。この操作
を全ての行で行うことで表示を行っている。
第２の実施の形態における表示装置の１画素分の回路を
示したものである。薄膜トランジスタ１９７ａのゲート
電圧によりＥＬ素子１９６に流れる電流値を変化させ、
階調表示を行う。行選択期間にトランジスタ１９７ｂが
導通状態となり、ソース信号線１９１に印加された電圧
に応じて蓄積容量１９４に電荷が蓄積される。非選択期
間ではトランジスタ１９７ｂは非導通状態となり、蓄積
容量１９４に蓄えられた電荷に応じてトランジスタ１９
７ａのドレイン電流が決まり階調表示を行う。この操作
を全ての行で行うことで表示を行っている。
【００５１】この時のゲート信号線及び節点１９９なら
びにトランジスタ１９７ａのドレイン電流の波形を図２
０に示す。行選択期間においてＥＬ素子に所定電流Ｉ１
を流すためにソース信号線１９１にＶ１の電圧を印加す
る。行選択期間が終わるとゲート信号１９２をハイレベ
ルに変化させる。この時ゲート信号線１９２とトランジ
スタ１９７ａのゲート電極は容量Ｃｔ（１９８）により
接続されているため、ゲート信号線１９２の変化に伴い
節点１９９の電位もΔＶｐだけ変化する。ΔＶｐ＝（Ｃ
ｔ＋Ｃｇｓ）／（Ｃｔ＋Ｃｇｓ＋Ｃｓ）×ΔＶｇで表さ
れる。ここでＣｇｓはトランジスタ１９７ｂのソースゲ
ート間容量である。ΔＶｇが電圧の大きいほうに変化し
ていることから、ΔＶｐも電圧が大きくなるほうに変化
する。これによりトランジスタ１９７ａのソースゲート
間の電位差が小さくなることから１９７ａのドレイン電
流も小さくなる。
びにトランジスタ１９７ａのドレイン電流の波形を図２
０に示す。行選択期間においてＥＬ素子に所定電流Ｉ１
を流すためにソース信号線１９１にＶ１の電圧を印加す
る。行選択期間が終わるとゲート信号１９２をハイレベ
ルに変化させる。この時ゲート信号線１９２とトランジ
スタ１９７ａのゲート電極は容量Ｃｔ（１９８）により
接続されているため、ゲート信号線１９２の変化に伴い
節点１９９の電位もΔＶｐだけ変化する。ΔＶｐ＝（Ｃ
ｔ＋Ｃｇｓ）／（Ｃｔ＋Ｃｇｓ＋Ｃｓ）×ΔＶｇで表さ
れる。ここでＣｇｓはトランジスタ１９７ｂのソースゲ
ート間容量である。ΔＶｇが電圧の大きいほうに変化し
ていることから、ΔＶｐも電圧が大きくなるほうに変化
する。これによりトランジスタ１９７ａのソースゲート
間の電位差が小さくなることから１９７ａのドレイン電
流も小さくなる。
【００５２】従って所定の輝度を得るためにはソース信
号線１９１に印加する電圧を小さくすることになる。ソ
ース信号線電圧が小さくなることで低電力化することが
できる。
号線１９１に印加する電圧を小さくすることになる。ソ
ース信号線電圧が小さくなることで低電力化することが
できる。
【００５３】なおこのことはトランジスタ１９７ａ及び
１９７ｂをｎ型トランジスタとしても効果がある。図２
２にｎ型トランジスタを用いた場合の回路構成を示す。
１９７ｂをｎ型トランジスタとしても効果がある。図２
２にｎ型トランジスタを用いた場合の回路構成を示す。
【００５４】行選択期間にソース信号線２２１より所定
電圧が印加され、蓄積容量２２４に電荷が蓄えられる。
行選択期間が終了するとゲート信号線２２２はハイレベ
ルからローレベルへ電圧が下がる方向へ変化する。これ
により節点２２９の電位も容量２２８の存在により低下
する。トランジスタ２２７ａはゲート電圧が低下するこ
とからドレイン電流が低下する。以上のように図１９及
び図２０で説明したｐ型トランジスタと同様にドレイン
電流が変化しＥＬ素子２２６に流れる電流が変化する。
このことからｐ型、ｎ型トランジスタによらず同様な効
果が得られることがわかる。
電圧が印加され、蓄積容量２２４に電荷が蓄えられる。
行選択期間が終了するとゲート信号線２２２はハイレベ
ルからローレベルへ電圧が下がる方向へ変化する。これ
により節点２２９の電位も容量２２８の存在により低下
する。トランジスタ２２７ａはゲート電圧が低下するこ
とからドレイン電流が低下する。以上のように図１９及
び図２０で説明したｐ型トランジスタと同様にドレイン
電流が変化しＥＬ素子２２６に流れる電流が変化する。
このことからｐ型、ｎ型トランジスタによらず同様な効
果が得られることがわかる。
【００５５】本発明においてトランジスタは薄膜トラン
ジスタを例にして説明を行ったが薄膜トランジスタに限
らず、バリスタ、サイリスタ、リングダイオード、薄膜
ダイオードなどを用いても同様な効果が得られる。
ジスタを例にして説明を行ったが薄膜トランジスタに限
らず、バリスタ、サイリスタ、リングダイオード、薄膜
ダイオードなどを用いても同様な効果が得られる。
【００５６】また表示素子として、ＥＬ素子で説明を行
ったが、有機発光素子や無機エレクトロルミネッセンス
素子、発光ダイオードなどを用いてよい。
ったが、有機発光素子や無機エレクトロルミネッセンス
素子、発光ダイオードなどを用いてよい。
【００５７】
【発明の効果】以上のように本発明は、ゲート信号線と
ゲート電極の電圧により電流制御を行うトランジスタの
ゲート電極を容量で接続することで、行選択期間から非
選択期間へ変化する際のゲート電圧変化を利用して、ソ
ース信号線に流れる電流に対し、ＥＬ素子に流れる電流
が小さくなるようする。ＥＬ素子に流れる電流量を補正
するためソース信号線電流を増加させ、電流制御を行う
トランジスタの見かけの抵抗値を低くしたことで、ソー
ス信号線に寄生する浮遊容量との積による波形なまりを
小さくし、短い水平走査期間で所定電流に対応する電荷
を蓄積容量に蓄えられるようにした。これにより本発明
の表示装置で入力信号に応じた輝度で動画表示や、テレ
ビ放送を表示することができるようになった。
ゲート電極の電圧により電流制御を行うトランジスタの
ゲート電極を容量で接続することで、行選択期間から非
選択期間へ変化する際のゲート電圧変化を利用して、ソ
ース信号線に流れる電流に対し、ＥＬ素子に流れる電流
が小さくなるようする。ＥＬ素子に流れる電流量を補正
するためソース信号線電流を増加させ、電流制御を行う
トランジスタの見かけの抵抗値を低くしたことで、ソー
ス信号線に寄生する浮遊容量との積による波形なまりを
小さくし、短い水平走査期間で所定電流に対応する電荷
を蓄積容量に蓄えられるようにした。これにより本発明
の表示装置で入力信号に応じた輝度で動画表示や、テレ
ビ放送を表示することができるようになった。
【図１】本発明の実施の形態による画素の構成を示した
図
図
【図２】図１の画素構成における各信号線の量の変化を
示した図
示した図
【図３】異なる容量比に対するソース信号線電流とＥＬ
電流の関係を示した図
電流の関係を示した図
【図４】本発明の実施の形態における第２の画素構成を
示した図
示した図
【図５】本発明の実施の形態における画素構成及びソー
ス信号線電源を示した図
ス信号線電源を示した図
【図６】本発明の実施の形態における階調と輝度の関係
を示した図
を示した図
【図７】本発明の表示装置の構成を示した図
【図８】所定ソース信号線電流に対応した電荷を蓄積容
量に蓄える時の１画素の等価回路を示した図
量に蓄える時の１画素の等価回路を示した図
【図９】図５の構成において、短い水平走査期間でも所
定輝度を得ることができるようにするための各信号線の
波形を示した図
定輝度を得ることができるようにするための各信号線の
波形を示した図
【図１０】本発明の実施の形態における第３の画素構成
を示した図
を示した図
【図１１】図１０における各信号線電圧及び電流の変化
を示した図
を示した図
【図１２】本発明の実施の形態における第４の画素構成
を示した図
を示した図
【図１３】本発明の実施の形態におけるゲート信号線波
形及び表示部全体の構成を示した図
形及び表示部全体の構成を示した図
【図１４】表示素子の電流密度と輝度の関係の一例を示
した図
した図
【図１５】電圧制御線を設けた場合の１画素分の回路を
示した図
示した図
【図１６】電圧制御線を設けた場合の表示装置とソース
ドライバ及びゲートドライバの構成を示した図
ドライバ及びゲートドライバの構成を示した図
【図１７】トランジスタを用いて容量を形成した場合の
１画素分の回路を示した図
１画素分の回路を示した図
【図１８】図１５の回路構成における各信号線波形を示
した図
した図
【図１９】本発明の第２の実施の形態における１画素分
の回路を示した図
の回路を示した図
【図２０】図１９の回路構成における各信号線の変化を
示した図
示した図
【図２１】ゲート信号線生成部の例を示した図
【図２２】本発明の第２の実施の形態における１画素分
の回路をｎチャンネルトランジスタで形成した図
の回路をｎチャンネルトランジスタで形成した図
１１ ソース信号線
１２ ゲート信号線１
１３ ゲート信号線２
１４ 蓄積容量
１５ ＥＬ電源線
１６ ＥＬ素子
１７ 薄膜トランジスタ
１８ 容量
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｇ０９Ｇ 3/20 ６４１ Ｇ０９Ｇ 3/20 ６４１Ｄ
Ｈ０５Ｂ 33/14 Ｈ０５Ｂ 33/14 Ａ
Ｆターム(参考） 3K007 AB02 AB04 AB17 BA06 BB07
DA01 DB03 EB00 GA02 GA04
5C080 AA06 BB05 DD03 DD08 EE29
FF11 JJ02 JJ03 JJ04 JJ05
5C094 AA07 AA08 AA13 AA53 AA56
BA03 BA12 BA27 CA19 CA24
CA25 DA09 DA13 DB01 DB04
EA04 EA07 FB01 FB20 GA10
Claims (10)
- 【請求項１】 第一の期間（書き込み期間）において電
流Ｉ１を設定し、第二の期間（表示期間）において前記
電流Ｉ１に一意的に対応する電流Ｉ２を表示素子に流す
ように画素回路が構成されたアクティブマトリクス型表
示装置において、前記各電流がＩ１＞Ｉ２なる関係を満
たすことを特徴とするアクティブマトリクス型表示装
置。 - 【請求項２】 アクティブマトリクス型表示装置にあっ
て、 電源から供給される電流を制御する駆動用トランジスタ
と、 前記駆動用トランジスタのゲート電位を保持するための
蓄積容量と、 ソース信号線から前記駆動用トランジスタに電流経路を
形成する信号線接続トランジスタと、 前記ソース信号線もしくは前記信号線接続トランジスタ
から前記蓄積容量に電荷を移動させる経路を形成する蓄
積容量接続トランジスタと、 前記駆動用トランジスタのゲート電極と前記蓄積容量接
続トランジスタのゲート電極間に容量と、を画素毎に具
備し、 前記蓄積容量接続トランジスタが導通状態の期間と、非
導通状態に変化した後の期間で前記容量を介して前記駆
動用トランジスタのゲート電位が変化することを特徴と
するアクティブマトリクス型表示装置。 - 【請求項３】 前記容量と前記蓄積容量接続トランジス
タのゲートソース間容量との和が、 前記容量と前記蓄積容量接続トランジスタのゲートソー
ス間容量と前記蓄積容量の和に対し３％以上１１％以下
であることを特徴とする請求項２記載のアクティブマト
リクス型表示装置。 - 【請求項４】 アクティブマトリクス型表示装置にあっ
て、 電源から供給される電流を制御する駆動用トランジスタ
と、 前記駆動用トランジスタのゲート電位を保持するための
蓄積容量と、 ソース信号線から前記駆動用トランジスタに電流経路を
形成する信号線接続トランジスタと、 前記ソース信号線もしくは前記信号線接続トランジスタ
から前記蓄積容量に電荷を移動させる経路を形成する蓄
積容量接続トランジスタと、 前記駆動用トランジスタのゲート電極と前記蓄積容量接
続トランジスタのゲート電極間に容量と、を画素毎に具
備し、 前記容量が表示素子の電流密度対輝度特性もしくは電圧
対輝度特性の違いに応じて容量値を変化させたものであ
ることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。 - 【請求項５】 アクティブマトリクス型表示装置にあっ
て、 電源から供給される電流を制御する駆動用トランジスタ
と、 前記駆動用トランジスタのゲート電位を保持するための
蓄積容量と、 ソース信号線から前記駆動用トランジスタに電流経路を
形成する信号線接続トランジスタと、 前記信号線接続トランジスタのゲート電位を制御するゲ
ート信号線と、 前記ソース信号線もしくは前記信号線接続トランジスタ
から前記蓄積容量に電荷を移動させる経路を形成する蓄
積容量接続トランジスタと、 前記駆動用トランジスタのゲート電極と前記蓄積容量接
続トランジスタのゲート電極間に容量と、を画素毎に具
備し、 前記容量はゲート信号線に印加する電圧出力からの距離
に応じて容量値を変化させたものであることを特徴とす
るアクティブマトリクス型表示装置。 - 【請求項６】 アクティブマトリクス型表示装置にあっ
て、 電源から供給される電流を制御する駆動用トランジスタ
と、 前記駆動用トランジスタのゲート電位を保持するための
蓄積容量と、 ソース信号線から前記駆動用トランジスタに電流経路を
形成する信号線接続トランジスタと、 前記信号線接続トランジスタのゲート電位を制御するゲ
ート信号線と、 前記ソース信号線もしくは前記信号線接続トランジスタ
から前記蓄積容量に電荷を移動させる経路を形成する蓄
積容量接続トランジスタと、 前記駆動用トランジスタのゲート電極を一端にもつ容量
と、 前記容量の前記駆動用トランジスタのゲート電極に接続
された端子と異なる端子に電圧を印加するための電圧制
御線を具備し、 前記電圧制御線に印加される電圧が、前記信号線接続ト
ランジスタが非導通時もしくは導通から非導通状態に変
化する時に変化し、前記駆動用トランジスタのゲート電
位が変化することで、制御された電流値が小さくなるこ
とを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。 - 【請求項７】 アクティブマトリクス型表示装置にあっ
て、 電源から供給される電流を制御する駆動用トランジスタ
と、 前記駆動用トランジスタのゲート電位を保持するための
蓄積容量と、 ソース信号線から前記駆動用トランジスタに電流経路を
形成する信号線接続トランジスタと、 前記ソース信号線もしくは前記信号線接続トランジスタ
から前記蓄積容量に電荷を移動させる経路を形成する蓄
積容量接続トランジスタと、 前記駆動用トランジスタのゲート電極と前記蓄積容量接
続トランジスタのゲート電極間に容量を具備し、 前記容量は薄膜トランジスタを用いて形成されたことを
特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。 - 【請求項８】 第１の期間においては、 ソース信号線に流れる電流に応じた電流が駆動用トラン
ジスタに流れるように蓄積容量接続トランジスタを介し
て、前記駆動用トランジスタのゲート電圧を設定する蓄
積容量の電荷量を変化させ、 第２の期間においては、 前記第１の期間で設定された前記蓄積容量の電荷量に応
じて電流値が制御された前記駆動用トランジスタを通し
て表示素子に電流を流し、 前記蓄積容量接続トランジスタのゲート電極に印加され
る信号の振幅を変化させることで表示素子の輝度を変化
させるようにしたことを特徴とするアクティブマトリク
ス型表示装置の駆動方法。 - 【請求項９】 第１の期間においては、 ソース信号線に流れる電流に応じた電流が駆動用トラン
ジスタに流れるように蓄積容量接続トランジスタを介し
て、前記駆動用トランジスタのゲート電圧を設定する蓄
積容量の電荷量を変化させ、 第２の期間においては、 前記第１の期間で設定された前記蓄積容量の電荷量に応
じて電流値が制御された前記駆動用トランジスタを通し
て表示素子に電流を流し、 前記蓄積容量接続トランジスタのゲート電極に印加され
る信号電圧の変化速度を変えることで表示素子の輝度を
変化させるようにしたことを特徴とするアクティブマト
リクス型表示装置の駆動方法。 - 【請求項１０】 マトリクス型表示装置にあって、 ゲート電極に印加される電圧値により電流を制御する駆
動トランジスタと、 前記駆動トランジスタのゲート電極の電位を保持するた
めの蓄積容量と、 ソース信号線から前記駆動トランジスタのゲート電極に
電圧を印加経路を形成するための信号線接続トランジス
タを具備し、 前記駆動トランジスタのゲート電極と、前記信号線接続
トランジスタのゲート電極の間に容量を形成したことを
特徴とするマトリクス型表示装置。
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Cited By (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004361524A (ja) * | 2003-06-02 | 2004-12-24 | Seiko Epson Corp | 電気光学モジュール、電源基板、配線基板、及び電子機器 |
| WO2005020639A1 (fr) * | 2003-06-19 | 2005-03-03 | Cheerine Trading (International) Ltd. | Appareil de commande a element electroluminescent |
| JP2005134874A (ja) * | 2003-10-29 | 2005-05-26 | Samsung Sdi Co Ltd | 発光表示装置およびその表示パネルと駆動方法 |
| JP2005331774A (ja) * | 2004-05-20 | 2005-12-02 | Sanyo Electric Co Ltd | 電流駆動画素回路 |
| JP2006011094A (ja) * | 2004-06-25 | 2006-01-12 | Kyocera Corp | 画像表示装置 |
| JP2006053539A (ja) * | 2004-07-16 | 2006-02-23 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置または表示装置または表示装置の駆動方法 |
| JP2006146168A (ja) * | 2004-11-22 | 2006-06-08 | Samsung Sdi Co Ltd | 画素回路及びそれを利用した発光表示装置 |
| JP2006162773A (ja) * | 2004-12-03 | 2006-06-22 | Canon Inc | 電流プログラミング装置および電流プログラミング方法 |
| JP2006195307A (ja) * | 2005-01-17 | 2006-07-27 | Hitachi Displays Ltd | 画像表示装置 |
| JP2006209074A (ja) * | 2004-08-31 | 2006-08-10 | Kyocera Corp | 画像表示装置およびその駆動方法 |
| JP2006284798A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Sanyo Electric Co Ltd | 表示装置及び表示装置の駆動方法 |
| JP2007052422A (ja) * | 2005-08-16 | 2007-03-01 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機電界発光表示装置 |
| JP2007079580A (ja) * | 2005-09-15 | 2007-03-29 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機電界発光表示装置 |
| JP2007179074A (ja) * | 2007-03-09 | 2007-07-12 | Seiko Epson Corp | 電源基板、配線基板、電気光学モジュール、及び電子機器 |
| JP2008040451A (ja) * | 2006-08-08 | 2008-02-21 | Samsung Sdi Co Ltd | 画素及びこれを利用した有機電界発光表示装置 |
| JP2008040478A (ja) * | 2006-08-09 | 2008-02-21 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機発光表示装置 |
| US7345685B2 (en) | 2002-05-31 | 2008-03-18 | Seiko Epson Corporation | Electronic circuit, optoelectronic device, method for driving optoelectronic device, and electronic apparatus |
| US7355571B2 (en) | 2002-06-07 | 2008-04-08 | Casio Computer Co., Ltd. | Display device and its driving method |
| JP2008146051A (ja) * | 2007-11-22 | 2008-06-26 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | Ｅｌ表示装置 |
| JP2008310361A (ja) * | 2008-09-08 | 2008-12-25 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、及び電子機器 |
| CN100461244C (zh) * | 2003-10-31 | 2009-02-11 | 三星移动显示器株式会社 | 图像显示设备及其驱动方法 |
| US7499006B2 (en) | 2003-03-05 | 2009-03-03 | Casio Computer Co., Ltd. | Display device and method for driving display device |
| US7545351B2 (en) | 2004-05-31 | 2009-06-09 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Display device and display panel and driving method thereof |
| JP5020815B2 (ja) * | 2005-09-30 | 2012-09-05 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 画像表示装置 |
| WO2019026170A1 (ja) * | 2017-08-01 | 2019-02-07 | シャープ株式会社 | 表示装置 |
| CN111179838A (zh) * | 2020-02-21 | 2020-05-19 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 像素电路、显示面板及改善显示面板低灰阶均匀性的方法 |
-
2001
- 2001-11-02 JP JP2001337646A patent/JP3870755B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (49)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7345685B2 (en) | 2002-05-31 | 2008-03-18 | Seiko Epson Corporation | Electronic circuit, optoelectronic device, method for driving optoelectronic device, and electronic apparatus |
| US8094144B2 (en) | 2002-05-31 | 2012-01-10 | Seiko Epson Corporation | Electronic circuit, optoelectronic device, method for driving optoelectronic device, and electronic apparatus |
| CN100405436C (zh) * | 2002-05-31 | 2008-07-23 | 精工爱普生株式会社 | 电子电路、电光装置、电光装置的驱动方法以及电子仪器 |
| US7791568B2 (en) | 2002-06-07 | 2010-09-07 | Casio Computer Co., Ltd. | Display device and its driving method |
| US7355571B2 (en) | 2002-06-07 | 2008-04-08 | Casio Computer Co., Ltd. | Display device and its driving method |
| US7499006B2 (en) | 2003-03-05 | 2009-03-03 | Casio Computer Co., Ltd. | Display device and method for driving display device |
| US7460112B2 (en) | 2003-06-02 | 2008-12-02 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical module, power supply substrate, wiring substrate, and electronic apparatus |
| US9947261B2 (en) | 2003-06-02 | 2018-04-17 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical module, power supply substrate, wiring substrate, and electronic apparatus |
| US8860698B2 (en) | 2003-06-02 | 2014-10-14 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical module, power supply substrate, wiring substrate, and electronic apparatus |
| US9144154B2 (en) | 2003-06-02 | 2015-09-22 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical module, power supply substrate, wiring substrate, and electronic apparatus |
| JP2004361524A (ja) * | 2003-06-02 | 2004-12-24 | Seiko Epson Corp | 電気光学モジュール、電源基板、配線基板、及び電子機器 |
| US11587495B2 (en) | 2003-06-02 | 2023-02-21 | 138 East Lcd Advancements Limited | Electro-optical module, power supply substrate, wiring substrate, and electronic apparatus |
| US11170697B2 (en) | 2003-06-02 | 2021-11-09 | 138 East Lcd Advancements Limited | Electro-optical module, power supply substrate, wiring substrate, and electronic apparatus |
| US10769981B2 (en) | 2003-06-02 | 2020-09-08 | 138 East Lcd Advancements Limited | Electro-optical module, power supply substrate, wiring substrate, and electronic apparatus |
| US9451703B2 (en) | 2003-06-02 | 2016-09-20 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical module, power supply substrate, wiring substrate, and electronic apparatus |
| WO2005020639A1 (fr) * | 2003-06-19 | 2005-03-03 | Cheerine Trading (International) Ltd. | Appareil de commande a element electroluminescent |
| JP2005134874A (ja) * | 2003-10-29 | 2005-05-26 | Samsung Sdi Co Ltd | 発光表示装置およびその表示パネルと駆動方法 |
| CN100461244C (zh) * | 2003-10-31 | 2009-02-11 | 三星移动显示器株式会社 | 图像显示设备及其驱动方法 |
| JP4660116B2 (ja) * | 2004-05-20 | 2011-03-30 | 三洋電機株式会社 | 電流駆動画素回路 |
| US8059066B2 (en) | 2004-05-20 | 2011-11-15 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Current-driven pixel circuit |
| JP2005331774A (ja) * | 2004-05-20 | 2005-12-02 | Sanyo Electric Co Ltd | 電流駆動画素回路 |
| US7545351B2 (en) | 2004-05-31 | 2009-06-09 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Display device and display panel and driving method thereof |
| CN100461245C (zh) * | 2004-06-25 | 2009-02-11 | 京瓷株式会社 | 图像显示装置及其驱动方法 |
| US7636073B2 (en) | 2004-06-25 | 2009-12-22 | Kyocera Corporation | Image display apparatus and method of driving same |
| JP2006011094A (ja) * | 2004-06-25 | 2006-01-12 | Kyocera Corp | 画像表示装置 |
| JP2006053539A (ja) * | 2004-07-16 | 2006-02-23 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置または表示装置または表示装置の駆動方法 |
| JP2006209074A (ja) * | 2004-08-31 | 2006-08-10 | Kyocera Corp | 画像表示装置およびその駆動方法 |
| JP2006146168A (ja) * | 2004-11-22 | 2006-06-08 | Samsung Sdi Co Ltd | 画素回路及びそれを利用した発光表示装置 |
| US7679587B2 (en) | 2004-11-22 | 2010-03-16 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Pixel circuit and light emitting display using the same |
| JP2006162773A (ja) * | 2004-12-03 | 2006-06-22 | Canon Inc | 電流プログラミング装置および電流プログラミング方法 |
| JP2006195307A (ja) * | 2005-01-17 | 2006-07-27 | Hitachi Displays Ltd | 画像表示装置 |
| JP2006284798A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Sanyo Electric Co Ltd | 表示装置及び表示装置の駆動方法 |
| JP2007052422A (ja) * | 2005-08-16 | 2007-03-01 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機電界発光表示装置 |
| US8289234B2 (en) | 2005-08-16 | 2012-10-16 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting display (OLED) |
| JP2007079580A (ja) * | 2005-09-15 | 2007-03-29 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機電界発光表示装置 |
| US8049684B2 (en) | 2005-09-15 | 2011-11-01 | Samsung Mobile Display Co., Ltd | Organic electroluminescent display device |
| JP4637070B2 (ja) * | 2005-09-15 | 2011-02-23 | 三星モバイルディスプレイ株式會社 | 有機電界発光表示装置 |
| JP5020815B2 (ja) * | 2005-09-30 | 2012-09-05 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 画像表示装置 |
| US9070324B2 (en) | 2005-09-30 | 2015-06-30 | Lg Display Co., Ltd. | Image display apparatus and driving method thereof |
| US8059071B2 (en) | 2006-08-08 | 2011-11-15 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Pixel and organic light emitting display having reduced number of output lines in a data driver |
| JP2008040451A (ja) * | 2006-08-08 | 2008-02-21 | Samsung Sdi Co Ltd | 画素及びこれを利用した有機電界発光表示装置 |
| JP2008040478A (ja) * | 2006-08-09 | 2008-02-21 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機発光表示装置 |
| JP4506769B2 (ja) * | 2007-03-09 | 2010-07-21 | セイコーエプソン株式会社 | 配線基板、電気光学モジュール、及び電子機器 |
| JP2007179074A (ja) * | 2007-03-09 | 2007-07-12 | Seiko Epson Corp | 電源基板、配線基板、電気光学モジュール、及び電子機器 |
| JP2008146051A (ja) * | 2007-11-22 | 2008-06-26 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | Ｅｌ表示装置 |
| JP2008310361A (ja) * | 2008-09-08 | 2008-12-25 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、及び電子機器 |
| WO2019026170A1 (ja) * | 2017-08-01 | 2019-02-07 | シャープ株式会社 | 表示装置 |
| CN111179838A (zh) * | 2020-02-21 | 2020-05-19 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 像素电路、显示面板及改善显示面板低灰阶均匀性的方法 |
| US11335256B2 (en) | 2020-02-21 | 2022-05-17 | Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Pixel circuit, display panel and method for improving low gray-level uniformity for display panel |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3870755B2 (ja) | 2007-01-24 |
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