JP2003133735A - 配線基板およびその製造方法ならびに電子装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 熱応力が繰返し印加されても配線導体と貫通
導体との接続部分で剥離することがない信頼性の高い配
線基板およびその製造方法ならびに電子装置を提供する
こと。 【解決手段】 第一の絶縁層１上の無電解銅めっき層お
よび該無電解銅めっき層上の電解銅めっき層または第一
の絶縁層１上の銅箔から成る第一の配線導体３と第一の
絶縁層１上に積層された第二の絶縁層２上の無電解銅め
っき層４ａおよびこの無電解銅めっき層４ａ上の電解銅
めっき層４ｂから成る第二の配線導体４との間を第二の
絶縁層２に形成された貫通孔９を銅めっきで充填して成
る貫通導体６により電気的に接続して成る配線基板にお
いて、貫通導体６の銅めっきは、第一の配線導体３の電
解銅めっき層または銅箔上に形成された電解銅めっきか
ら成り、かつ第二の絶縁層２から２〜10μｍ突出して第
二の配線導体４の電解めっき層４ｂに接している。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、複数の絶縁層と配
線導体とが交互に積層されて成るとともに上下の配線導
体間を絶縁層に設けた貫通孔をめっき導体で充填してな
る貫通導体により電気的に接続して成る配線基板に関す
るものである。

【０００２】

【従来の技術】一般に、現在の電子機器には、移動体通
信機器に代表されるように小型・薄型・軽量・高機能・
高信頼性が要求されてきており、このような電子機器に
搭載される電子装置を構成する配線基板にも小型・高密
度配線化が求められている。そして、それを実現するた
めに配線基板に設けた信号導体等の配線導体の幅を細く
するとともに配線導体間の間隔を狭くし、さらに複数層
の配線導体を間に絶縁層を挟んで多層化するとともに上
下の配線導体をこれらの間の絶縁層に設けた貫通導体で
互いに電気的に接続することにより配線基板の高密度配
線化が図られている。

【０００３】このような高密度配線が可能な配線基板と
して、ビルドアップ法を用いて形成された配線基板が知
られている。ビルドアップ法による配線基板は、例え
ば、ガラスクロスやアラミド不織布等の補強材に耐熱性
や耐薬品性を有するエポキシ樹脂に代表される熱硬化性
樹脂を含浸させて硬化させた下地用の絶縁層の表面に銅
箔や銅めっきから成る配線導体を被着形成し、次にこの
配線導体が被着形成された絶縁層の表面にエポキシ樹脂
等の熱硬化性樹脂から成る次層の絶縁層を積層するとと
もにこの絶縁層にその下の配線導体の一部を露出させる
直径が50〜200μｍ程度の貫通孔をレーザ加工等により
穿設し、次にこの貫通孔が形成された絶縁層の貫通孔内
を含む表面および貫通孔内に露出した配線導体上に無電
解銅めっきおよび電解銅めっきを順次施すことにより貫
通孔を無電解銅めっき層およびこの無電解銅めっき層上
の電解銅めっきから成る銅めっきで充填して貫通導体を
形成するとともにこの絶縁層上に無電解銅めっき層およ
びこの無電解銅めっき層上の電解銅めっき層から成る配
線導体を形成し、さらに、この絶縁層上に同様にして次
層の絶縁層および貫通導体・配線層を複数層積層するこ
とによって製造される。

【０００４】また、ビルドアップ法による配線基板をよ
り高密度配線化するために、複数の貫通導体を垂直方向
に積み重ねて接続するスタックトビア構造が開発されて
いる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ビルドアップ法による配線基板によると、貫通孔が形成
された絶縁層表面および貫通孔内に露出した配線導体上
に無電解銅めっきおよび電解銅めっきを順次施すことに
より貫通導体を形成することから、この貫通導体の電解
銅めっきとその下の配線導体の銅箔または電解銅めっき
層との間に無電解銅めっき層が介在することになる。電
解銅めっきは、その結晶粒径が無電解銅めっきの結晶粒
径に比べて大きく、また密度が高いために無電解銅めっ
きとの接合強度が低い。そのため、例えばこの配線基板
に電子部品が作動する際等に発生する熱による熱応力が
長期間にわたり繰返し印加されると、配線導体の銅箔ま
たは電解銅めっき層と貫通導体の無電解銅めっき層との
接合部や貫通導体の無電解銅めっき層と電解銅めっきと
の接合部分に剥離が発生してしまい、その結果、その剥
離により貫通導体と配線導体とが断線してしまうという
問題点を有していた。

【０００６】また、貫通導体の電解銅めっきの熱膨張係
数が18×10^-6／℃程度であるのに対して、絶縁層の厚み
方向の熱膨張係数が80〜200×10^-6／℃程度と大きいた
めに、特にスタックドビア構造の場合、貫通導体と絶縁
層との間に熱膨張差により大きな熱応力が発生して貫通
導体と絶縁層との間に剥離が発生するとともに貫通導体
がその内部で破断して断線してしまうという問題点を有
していた。

【０００７】本発明は、かかる従来の問題点に鑑み案出
されたものであり、その目的は、貫通導体と配線導体と
の間や貫通導体内部で断線が発生することのない信頼性
の高い配線基板および電子装置を提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明の配線基板は、第
一の絶縁層と、この第一の絶縁層上の無電解銅めっき層
およびこの無電解銅めっき層上の電解銅めっき層または
第一の絶縁層上の銅箔から成る第一の配線導体と、第一
の絶縁層上および第一の配線導体上の第二の絶縁層と、
この第二の絶縁層上の無電解銅めっき層およびこの無電
解銅めっき層上の電解銅めっき層から成る第二の配線導
体とが順次積層されているとともに第一の配線導体と第
二の配線導体との間を第二の絶縁層に形成された貫通孔
を銅めっきで充填して成る貫通導体により電気的に接続
して成る配線基板において、貫通導体の銅めっきは、第
一の配線導体の電解銅めっき層または銅箔上に形成され
た電解銅めっきから成り、かつ第二の絶縁層上から２〜
10μｍ突出して第二の配線導体の電解銅めっき層に接合
していることを特徴とするものである。

【０００９】さらに、本発明の配線基板は、第二の絶縁
層の厚み方向の熱膨張係数が20〜60×10^-6／℃であるこ
とを特徴とするものである。

【００１０】また、本発明の配線基板の製造方法は、第
一の絶縁層上に無電解銅めっき層およびこの無電解銅め
っき層上の電解銅めっき層から成るか、または銅箔から
成る第一の配線導体を形成する工程と、この第一の配線
導体が形成された第一の絶縁層上に第二の絶縁層を積層
する工程と、第二の絶縁層に第一の配線導体の一部を露
出させる貫通孔を形成する工程と、第一の配線導体から
通電して貫通孔内の第一の配線導体上に電解銅めっきを
施すことにより貫通孔を充填して貫通孔内にその上端が
第二の絶縁層の上面から２〜10μｍ突出する電解銅めっ
きから成る貫通導体を形成する工程と、貫通導体上を除
く第二の絶縁層上に無電解銅めっき層を被着させた後、
この無電解銅めっき層上および貫通導体上に電解銅めっ
き層を被着させる工程と、第二の絶縁層上の無電解銅め
っき層および電解銅めっき層をエッチングして第二の絶
縁層上に貫通導体と接続された第二の配線導体を形成す
る工程とを順次行うことを特徴とするものである。

【００１１】また、本発明の電子装置は、上述の配線基
板の表面に配線導体と電気的に接続された電子部品実装
用電極を有するとともに、この電子部品実装用電極に電
子部品の電極を電気的に接続して成ることを特徴とする
ものである。

【００１２】本発明の配線基板によれば、貫通導体の銅
めっきが第一の配線導体の電解銅めっき層上または銅箔
上に形成された電解銅めっきから成り、かつ第二の絶縁
層上から２〜10μｍ突出して第二の配線導体の電解銅め
っき層に接合していることから、貫通導体を形成する電
解銅めっきと第一の配線導体の電解銅めっき層または銅
箔との間および第二の配線導体の電解銅めっき層との間
が無電解銅めっき層を介さずに直接接合されているの
で、貫通導体を形成する電解銅めっきと第一の配線導体
の電解銅めっき層または銅箔との間および第二の配線導
体の電解銅めっき層との間が強固に接合されるととも
に、たとえ第二の絶縁層上に形成された第二の配線導体
の無電解銅めっき層と第二の配線導体の電解銅めっき層
との間から剥離が発生したとしても、その剥離の進行は
第二の絶縁層の上面から２〜10μｍ突出した貫通導体の
側面で有効に阻止されて貫通導体と第一および第二の配
線導体との間に断線が発生することを有効に防止するこ
とができる。

【００１３】さらに、本発明の配線基板によれば、第二
の絶縁層の厚み方向の熱膨張係数を20×10^-6〜60×10^-6
／℃としたことから、第二の絶縁層とこれに形成された
貫通導体との熱膨張係数の差が小さいものとなり、その
ため第二の絶縁層とこれに形成された貫通導体との間に
熱膨張係数の相違に起因する剥離や貫通導体の破断が発
生することをより有効に防止することができる。

【００１４】また、本発明の配線基板の製造方法によれ
ば、第一の絶縁層上に無電解銅めっき層およびこの無電
解銅めっき層上の電解銅めっき層から成るか、または銅
箔から成る第一の配線導体を形成する工程と、この第一
の配線導体が形成された第一の絶縁層上に第二の絶縁層
を積層する工程と、第二の絶縁層に第一の配線導体の一
部を露出させる貫通孔を形成する工程と、第一の配線導
体から通電して貫通孔内の第一の配線導体上に電解銅め
っきを施すことにより貫通孔を充填して貫通孔内にその
上端が第二の絶縁層の上面から２〜10μｍ突出する電解
銅めっきから成る貫通導体を形成する工程と、貫通導体
上を除く第二の絶縁層上に無電解銅めっき層を被着させ
た後、この無電解めっき層上および貫通導体上に電解銅
めっき層を被着させる工程と、第二の絶縁層上の無電解
銅めっき層および電解銅めっき層をエッチングして第二
の絶縁層上に第二の配線導体を形成する工程とを順次行
うことから、貫通導体を形成する電解銅めっきと第一の
配線導体の電解銅めっき層または銅箔との間および第二
の配線導体の電解銅めっき層との間が無電解銅めっき層
を介さずに直接接合されることとなり、貫通導体を形成
する電解銅めっきと第一の配線導体の電解銅めっき層ま
たは銅箔との間および第二の配線導体の電解銅めっき層
との間が強固に接合されるとともに、たとえ第二の絶縁
層上に形成された第二の配線導体の無電解銅めっき層と
第二の配線導体の電解銅めっき層との間から剥離が発生
したとしても、その剥離の進行は第二の絶縁層の上面か
ら２〜10μｍ突出した貫通導体の側面で有効に阻止され
て貫通導体と第一および第二の配線導体との間に断線が
発生することを有効に防止することが可能な配線基板を
提供することができる。

【００１５】また、本発明の電子装置によれば、上記の
配線基板の表面に配線導体と電気的に接続された電子部
品実装用電極を有するとともに、この電子部品実装用電
極に電子部品の電極を電気的に接続して成ることから、
貫通導体と第一および第二の配線導体との間に断線が発
生することがなく、電子部品を常に正常に作動させるこ
とが可能である。

【００１６】

【発明の実施の形態】次に、本発明の配線基板および電
子装置を添付の図面に基づいて詳細に説明する。図１
は、本発明の配線基板およびこれを用いた電子装置の実
施の形態の一例を示す断面図であり、図２は、図１に示
す配線基板の要部拡大断面図である。

【００１７】これらの図において、１・２は絶縁層、３
・４は配線導体、５・６は貫通導体であり、主にこれら
で本発明の配線基板が構成される。また、この配線基板
に半導体素子等の電子部品７を実装することにより本発
明の電子装置が構成される。

【００１８】絶縁層１は、配線基板の芯体として機能
し、ガラスクロスにエポキシ樹脂やビスマレイミドトリ
アジン樹脂・熱硬化性ポリフェニレンエーテル樹脂等の
熱硬化性樹脂を含浸硬化させた絶縁材料から成る略平板
であり、その厚みが0.3〜1.5ｍｍ程度である。また、そ
の上面から下面にかけて直径が0.1〜1.0ｍｍ程度の複数
の貫通孔８を有している。

【００１９】絶縁層１の上下面には、この上下面に順次
被着された無電解銅めっき層および電解銅めっき層、ま
たはこの上下面に貼着された銅箔から成る配線導体３が
被着されており、貫通孔８の内壁には、この内壁に順次
被着された無電解銅めっき層および電解銅めっき層から
成る貫通導体５が被着されている。そして、絶縁層１を
挟んだ上下面の配線導体３が貫通導体５を介して電気的
に接続されている。

【００２０】また、貫通導体５が被着された貫通孔８の
内部はエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等
の熱硬化性樹脂から成る樹脂柱により充填されており、
それにより貫通孔８の直上・直下にも絶縁層２や配線導
体３を形成可能としている。

【００２１】さらに、配線導体３が被着された絶縁層１
の上下面にはエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン
樹脂・熱硬化性ポリフェニレンエーテル樹脂等の熱硬化
性樹脂に酸化珪素粉末等の無機絶縁物粉末から成る無機
絶縁フィラーを混合分散させて成る絶縁層２と銅めっき
層から成る配線導体４とが複数層積層されている。

【００２２】絶縁層２は、配線導体４を高密度に配線す
るための絶縁間隔を提供するためのものであり、その厚
みが10〜80μｍ程度である。そして、各絶縁層２には上
下の配線導体３・４および４・４を接続する位置に直径
が20〜100μｍ程度の複数の貫通孔９が形成されてお
り、この貫通孔９内には上下の配線導体３・４間や４・
４間を電気的に接続するための銅めっきから成る貫通導
体６が充填されている。このように上下に位置する配線
導体３・４間および４・４間が貫通導体６で電気的に接
続されることにより高密度な立体配線を可能としてい
る。

【００２３】なお、絶縁層２は、その厚み方向の熱膨張
係数を20×10^-6〜60×10^-6／℃の範囲としておくと、絶
縁層２と貫通導体６との熱膨張係数の差が小さいものと
なり、これらの熱膨張係数の差に起因して発生する熱応
力を小さなものとすることができ、その結果、そのよう
な応力によって絶縁層２と貫通導体６との間に剥離が発
生したり貫通導体６に破断が発生したりすることを有効
に防止することができる。したがって、絶縁層２の厚み
方向の熱膨張係数は20×10^-6〜60×10^-6／℃の範囲とし
ておくことが好ましい。

【００２４】絶縁層２上に形成された配線導体４は、図
２に要部拡大断面図で示すように、絶縁層２上に被着さ
れた無電解銅めっき層４ａとこの無電解銅めっき層４ａ
上および貫通導体６上に被着された電解銅めっき層４ｂ
とから形成されている。絶縁層２上に被着された無電解
銅めっき層４ａは、配線導体４を絶縁層２上に密着させ
るための密着金属として作用するとともに、その上に電
解銅めっき層４ｂを被着させるための下地金属として作
用する。また、電解銅めっき層４ｂは配線導体４の主導
体として機能する。そして、最上層の絶縁層２上に被着
された配線導体４の一部は、電子部品７の各電極が電気
的に接続される電子部品実装用電極を形成しており、こ
の電子部品実装用電極に電子部品７の各電極を例えば半
田バンプ10を介して接続することにより本発明の配線基
板上に電子部品７が実装されて本発明の電子装置とな
る。

【００２５】また、上下の配線導体３・４間や４・４間
を接続する貫通導体６は、配線導体３・４を構成する電
解銅めっき層上や銅箔上に直接形成した電解銅めっきか
ら成り、その上端はそれぞれの貫通導体６が形成された
絶縁層２上から２〜10μｍ程度突出して上層の配線導体
４の電解銅めっき層４ｂに接合している。

【００２６】このように、本発明の配線基板およびこれ
を用いた電子装置によれば、貫通導体６は配線導体３・
４を構成する電解銅めっき層上や銅箔上に直接形成した
電解銅めっきから成ることから、貫通導体６と下層の配
線導体３・４を構成する電解銅めっき層や銅箔とが強固
に接合され、その結果、電子部品７が作動時に発生する
熱等が長期間にわたり繰り返し印加されたとしても、貫
通導体６と下層の配線導体３・４との間に剥離が発生す
ることはなく、したがって、貫通導体６と下層の配線導
体３・４との間に断線が発生することもない。また、本
発明の配線基板およびこれを用いた電子装置によれば、
貫通導体６の上端がそれぞれの貫通導体６が形成された
絶縁層２上から２〜10μｍ程度突出して上層の配線導体
４の電解銅めっき層４ｂに接合していることから、貫通
導体６と上層の配線導体４とが強固に接合されるととも
に、たとえ上層の配線導体４の無電解銅めっき層４ａと
電解銅めっき層４ｂとの間で剥離が発生したとしても、
その剥離の進行は絶縁層２から２〜10μｍ突出した貫通
導体６の側面で有効に阻止され、貫通導体６と上層の配
線導体４との間に剥離が発生することはなく、したがっ
て貫通導体６と上層の配線導体４との間に断線が発生す
るようなことはない。

【００２７】なお、貫通導体６の上端がそれぞれの貫通
導体６が形成された絶縁層２から突出する高さが２μｍ
未満の場合には、配線導体４を構成する無電解銅めっき
層４ａと電解銅めっき層４ｂとの間で剥離が発生した場
合に、その剥離の進行を絶縁層２から突出した貫通導体
６の側面で有効に阻止することが困難となり、他方、10
μｍを超える場合には、この突出した上端部により配線
基板の上面に大きな凹凸が形成されて、その結果、配線
基板の上面に電子部品７を正常に実装することが困難と
なる傾向にある。したがって、貫通導体６の上端がそれ
ぞれの貫通導体６が形成された絶縁層２から突出する高
さは２〜10μｍの範囲に特定される。

【００２８】かくして、本発明の配線基板およびこれを
用いた電子装置によれば、貫通導体６と配線導体３・４
とが強固に接合された信頼性に優れる配線基板および電
子装置を提供することができる。

【００２９】次に、本発明の配線基板の製造方法につい
て上述の配線基板を製造する場合を例にとって説明す
る。

【００３０】先ず、図３（ａ）に要部拡大断面図で示す
ように、ガラス繊維を縦横に織り込んだガラスクロスに
エポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂・熱硬化
性ポリフェニレンエーテル樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸
させた略平板状の絶縁層１に設けた貫通孔８内に銅めっ
きから成る貫通導体５を形成するとともに絶縁層１の上
下面に銅めっきまたは銅箔から成る配線導体３を形成す
る。

【００３１】配線導体３は、これが銅めっきから成る場
合であれば、硬化させた絶縁層１に貫通孔８を例えばド
リル加工やレーザ加工により穿孔した後、絶縁層１の上
下全面に無電解銅めっき層および電解銅めっき層を順次
被着させるとともにこれらの銅めっき層を所定のパター
ンにエッチングすることによって形成され、配線導体３
が銅箔から成る場合であれば、半硬化状態の絶縁層１の
上下面に銅箔を貼着させた後、絶縁層１を完全に硬化さ
せ、しかる後、絶縁層１の上下面に貼着させた銅箔を所
定のパターンにエッチングすることによって形成され
る。

【００３２】また貫通導体５は、絶縁層１に貫通孔８を
穿孔した後、貫通孔８の内壁に無電解銅めっき層および
電解銅めっき層を順次被着させることによって形成され
る。

【００３３】なお、貫通孔８内に貫通導体５を被着させ
た後には、貫通孔８内にエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂
から成る樹脂柱を充填させておく。貫通孔８内に樹脂柱
を充填させるには、未硬化の熱硬化性樹脂ペーストを貫
通孔８内に充填するとともにこれを熱硬化させた後、そ
の上下面を平坦に研磨すればよい。

【００３４】次に、図３（ｂ）に要部拡大断面図で示す
ように、その表面に配線導体３が被着された絶縁層１の
上にエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂・熱
硬化性ポリフェニレンエーテル樹脂等の熱硬化性樹脂に
酸化珪素粉末等の無機絶縁物フィラーを混合分散させて
成る絶縁層２を積層するとともにこの絶縁層２に配線導
体３の一部を露出させる貫通孔９を形成する。

【００３５】絶縁層１上に絶縁層２を積層するには、エ
ポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂に酸化珪素粉末等の無機絶
縁物フィラーを混合分散させて成る絶縁層２用の半硬化
状の絶縁シートを絶縁層１上に貼着するとともにこれを
熱硬化させることにより、あるいはエポキシ樹脂等の熱
硬化性樹脂に酸化珪素粉末等の無機絶縁物フィラーを混
合分散させて成る絶縁層２用の未硬化の絶縁ペーストを
絶縁層１上に塗布した後熱硬化させることにより絶縁層
１上に絶縁層２を積層する方法が採用される。

【００３６】また、絶縁層２に貫通孔９を形成するに
は、絶縁層２にレーザ光を照射して絶縁層２の一部を熱
分解することによって貫通孔９を穿孔する方法や、絶縁
層２用の半硬化状の絶縁シートや未硬化の絶縁ペースト
中に感光性樹脂を配合させておき、これをフォトリソグ
ラフィー技術により露光・現像することにより貫通孔９
を穿孔する方法が採用される。

【００３７】次に、図３（ｃ）に要部拡大断面図で示す
ように、貫通孔９内に電解銅めっきから成る貫通導体６
をその上端が絶縁層２上から２〜10μｍ突出するように
形成する。貫通孔９内に電解銅めっきから成る貫通導体
６を形成するには、貫通孔９内に露出した配線導体３上
に配線導体３から通電して電解銅めっきを施すことによ
り電解銅めっきを貫通孔９内を充填するように成長させ
る方法が採用される。このとき、貫通導体６は、貫通孔
９内に露出した配線導体３上に電解銅めっきを施すこと
により形成されるので、下層の配線導体３と貫通導体６
との間に無電解銅めっき層が介在することなく両者が強
固に接合される。したがって本発明の製造方法によって
得られる配線基板においては、下層の配線導体3と貫通
導体６との間で剥離が発生して断線するようなことはな
い。

【００３８】次に、図３（ｄ）に要部拡大断面図で示す
ように、貫通導体６上にめっきレジスト11を被着させる
とともに貫通導体６上を除く絶縁層２上に無電解銅めっ
き層４ａを被着させる。

【００３９】次に、図３（ｅ）に要部拡大断面図で示す
ように、貫通導体６上のめっきレジスト11を剥離すると
ともに貫通導体６および無電解銅めっき層４ａの一部を
露出させるめっきレジスト層12を被着さた後、めっきレ
ジスト層12から露出する無電解銅めっき層４ａおよび貫
通導体６上に電解銅めっき層４ｂを被着させる。

【００４０】次に、図３（ｆ）に要部拡大断面図で示す
ように、無電解銅めっき層４ａ上のめっきレジスト12を
剥離するとともに電解銅めっき４ｂ層から露出した無電
解銅めっき層４ａをエッチング除去して上層の配線導体
４を形成する。このとき、配線導体４を構成する電解銅
めっき層４ｂは貫通導体６上に直接被着されるので貫通
導体６と上層の配線導体４との間に無電解銅めっき層４
ａが介在することはなく、両者が強固に接合される。し
たがって、本発明の製造方法によって得られる配線基板
においては、貫通導体６と上層の配線導体４との間で剥
離が発生して断線するようなことはない。また、貫通導
体６はその上端が絶縁層２上から２〜10μｍ突出してい
ることから、たとえ上層の配線導体４の無電解銅めっき
層４ａと電解銅めっき層４ｂとの間で剥離が発生したと
しても、その剥離の進行は絶縁層２上から突出した貫通
導体６の側面で有効に阻止され、貫通導体６と上層の配
線導体４との間に剥離が発生することはない。

【００４１】さらに、この上に次層の絶縁層２・貫通導
体６・配線導体４を上記と同様の手法で複数層積層する
ことによって図１に示すような本発明の配線基板が完成
する。

【００４２】かくして、本発明の配線基板の製造方法に
よれば、貫通導体６と配線導体３および４とが強固に接
合された信頼性に優れる高密度多層配線基板を得ること
ができる。

【００４３】なお、本発明は、上述の実施の形態の一例
に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない
範囲であれば種々の変更が可能であることはいうまでも
ない。

【００４４】

【発明の効果】本発明の配線基板によれば、貫通導体の
銅めっきが第一の配線導体の電解銅めっき層上または銅
箔上に形成された電解銅めっきから成り、かつ第二の絶
縁層上から２〜10μｍ突出して第二の配線導体の電解銅
めっき層に接合していることから、貫通導体を形成する
電解銅めっきと第一の配線導体の電解銅めっき層または
銅箔との間および第二の配線導体の電解銅めっき層との
間が無電解銅めっき層を介さずに直接接合されているの
で、貫通導体を形成する電解銅めっきと第一の配線導体
の電解銅めっき層または銅箔との間および第二の配線導
体の電解銅めっき層との間が強固に接合されるととも
に、たとえ第二の絶縁層上に形成された第二の配線導体
の無電解銅めっき層と第二の配線導体の電解銅めっき層
との間から剥離が発生したとしても、その剥離の進行は
第二の絶縁層の上面から２〜10μｍ突出した貫通導体の
側面で有効に阻止されて貫通導体と第一および第二の配
線導体との間に断線が発生することを有効に防止するこ
とができる。

【００４５】さらに、本発明の配線基板によれば、第二
の絶縁層の厚み方向の熱膨張係数を20〜60×10^-6／℃と
したことから、第二の絶縁層とこれに形成された貫通導
体との熱膨張係数の差が小さいものとなり、そのため第
二の絶縁層とこれに形成された貫通導体との間に熱膨張
係数の相違に起因する剥離や貫通導体の破断が発生する
ことをより有効に防止することができる。

【００４６】また、本発明の配線基板の製造方法によれ
ば、第一の絶縁層上に無電解銅めっき層およびこの無電
解銅めっき層上の電解銅めっき層から成るか、または銅
箔から成る第一の配線導体を形成する工程と、この第一
の配線導体が形成された第一の絶縁層上に第二の絶縁層
を積層する工程と、第二の絶縁層に第一の配線導体の一
部を露出させる貫通孔を形成する工程と、第一の配線導
体から通電して貫通孔内の第一の配線導体上に電解銅め
っきを施すことにより貫通孔を充填して貫通孔内にその
上端が第二の絶縁層の上面から２〜10μｍ突出する電解
銅めっきから成る貫通導体を形成する工程と、貫通導体
上を除く第二の絶縁層上に無電解銅めっき層を被着させ
た後、この無電解めっき層上および貫通導体上に電解銅
めっき層を被着させる工程と、第二の絶縁層上の無電解
銅めっき層および電解銅めっき層をエッチングして第二
の絶縁層上に第二の配線導体を形成する工程とを順次行
うことから、貫通導体を形成する電解銅めっきと第一の
配線導体の電解銅めっき層または銅箔との間および第二
の配線導体の電解銅めっき層との間が無電解銅めっき層
を介さずに直接接合されることとなり、貫通導体を形成
する電解銅めっきと第一の配線導体の電解銅めっき層ま
たは銅箔との間および第二の配線導体の電解銅めっき層
との間が強固に接合されるとともに、たとえ第二の絶縁
層上に形成された第二の配線導体の無電解銅めっき層と
第二の配線導体の電解銅めっき層との間から剥離が発生
したとしても、その剥離の進行は第二の絶縁層の上面か
ら２〜10μｍ突出した貫通導体の側面で有効に阻止され
て貫通導体と第一および第二の配線導体との間に断線が
発生することを有効に防止することが可能な配線基板を
提供することができる。

【００４７】また、本発明の電子装置によれば、上記の
配線基板の表面に配線導体と電気的に接続された電子部
品実装用電極を有するとともに、この電子部品実装用電
極に電子部品の電極を電気的に接続して成ることから、
貫通導体と第一および第二の配線導体との間に断線が発
生することがなく、電子部品を常に正常に作動させるこ
とが可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は本発明の配線基板およびこれに電子部品
を搭載して電子装置に適用した場合の実施の形態の一例
を示す断面図である。

【図２】図２は本発明の配線基板および電子装置の実施
の形態の一例の要部拡大断面図である。

【図３】（ａ）〜（ｆ）はそれぞれ本発明の配線基板の
製造方法を説明するための要部拡大断面図である。

【符号の説明】

１、２・・・・・・・・絶縁層 ３、４・・・・・・・・配線導体 ５、６・・・・・・・・貫通導体 ７・・・・・・・・・・電子部品 ８、９・・・・・・・・貫通孔

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｋ 3/40 Ｈ０５Ｋ 3/40 Ｋ 3/42 ６２０ 3/42 ６２０Ａ

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 第一の絶縁層と、該第一の絶縁層上の無
   電解銅めっき層および該無電解銅めっき層上の電解銅め
   っき層または前記第一の絶縁層上の銅箔から成る第一の
   配線導体と、前記第一の絶縁層上および前記第一の配線
   導体上の第二の絶縁層と、該第二の絶縁層上の無電解銅
   めっき層および該無電解銅めっき層上の電解銅めっき層
   から成る第二の配線導体とが順次積層されているととも
   に前記第一の配線導体と前記第二の配線導体との間を前
   記第二の絶縁層に形成された貫通孔を銅めっきで充填し
   て成る貫通導体により電気的に接続して成る配線基板に
   おいて、前記貫通導体の前記銅めっきは、前記第一の配
   線導体の前記電解銅めっき層または銅箔上に形成された
   電解銅めっきから成り、かつ前記第二の絶縁層上から２
   〜１０μｍ突出して前記第二の配線導体の前記電解銅め
   っき層に接合していることを特徴とする配線基板。
2. 【請求項２】 前記第二の絶縁層の厚み方向の熱膨張係
   数が２０〜６０×１０ ^-6／℃であることを特徴とする請
   求項1記載の配線基板。
3. 【請求項３】 第一の絶縁層上に無電解銅めっき層およ
   び該無電解銅めっき層上の電解銅めっき層から成るか、
   または銅箔から成る第一の配線導体を形成する工程と、
   該第一の配線導体が形成された前記第一の絶縁層上に第
   二の絶縁層を積層するとともに、該第二の絶縁層に前記
   第一の配線導体の一部を露出させる貫通孔を形成する工
   程と、前記第一の配線導体から通電して前記貫通孔内の
   前記第一の配線導体上に電解銅めっきを施すことにより
   前記貫通孔を充填して前記貫通孔内にその上端が前記第
   二の絶縁層の上面から２〜１０μｍ突出する電解銅めっ
   きから成る貫通導体を形成する工程と、前記貫通導体上
   を除く前記第二の絶縁層上に無電解銅めっき層を被着さ
   せた後、該無電解銅めっき層上および前記貫通導体上に
   電解銅めっき層を被着させる工程と、前記第二の絶縁層
   上の前記無電解銅めっき層および電解銅めっき層をエッ
   チングして前記第二の絶縁層上に前記貫通導体と接続さ
   れた第二の配線導体を形成する工程とを順次行うことを
   特徴とする配線基板の製造方法。
4. 【請求項４】 請求項１または請求項２記載の配線基板
   の表面に前記配線導体と電気的に接続された電子部品実
   装用電極を有するとともに、該電子部品実装用電極に前
   記電子部品の電極を電気的に接続して成ることを特徴と
   する電子装置。