JP2003131116A - 焦点検出装置 - Google Patents

焦点検出装置

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JP2003131116A JP2001324035A JP2001324035A JP2003131116A JP 2003131116 A JP2003131116 A JP 2003131116A JP 2001324035 A JP2001324035 A JP 2001324035A JP 2001324035 A JP2001324035 A JP 2001324035A JP 2003131116 A JP2003131116 A JP 2003131116A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 優れた作業性が得られ、しかも微小な領域の
焦点検出も確実に行うことができる焦点検出装置を提供
する。 【解決手段】 レーザー光を被測定表面7に集光スポッ
トとして照射するとともに、被測定表面7から反射した
反射光を受光素子10、12で受光し、これらの出力に
より被測定表面7の合焦を検出する焦点検出装置であっ
て、レーザー光の投影像と光学的に共役の位置にピンホ
ール22を配置するとともに、ピンホール22をを照明
する可視光域の光を発光する光源23が設けられ、光源
23により照明されたピンホール22の像の光をレーザ
ー光の光路を通して被測定表面7に照射するとともに、
被測定表面7から反射したピンホール22の像を被測定
表面7上に照射されるレーザー光の集光スポットとして
観察可能にする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えばIC基板や
材料などの加工面に対して光学的に焦点を合わせる焦点
検出装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、この種の焦点検出装置として、図
5に示すように構成したものがある。図において、1は
測定光としての赤外域のレーザー光を発生する半導体レ
ーザーで、この半導体レーザー1から発せられたレーザ
ー光は、偏光ビームスプリッタ2に照射される。偏光ビ
ームスプリッタ2で反射された光は、結像レンズ3で平
行ビームに変換され、1/4波長板4、ダイクロイック
ミラー5を介して対物レンズ6に入射し、被検体である
被測定表面7(例えば、IC基板表面あるいは材料の加
工表面など)に集光される。そして、この被測定表面7
で反射された反射光は、再び対物レンズ6、ダイクロイ
ックミラー5、1/4波長板4および結像レンズ3を介
して偏光ビームスプリッタ2に照射される。
【0003】この場合、反射光は、1/4波長板4を透
過する際、その偏光方向が90°ずれるので、反射光
は、偏光ビームスプリッタ2を透過してビームスプリッ
タ8に入射され、ここで2方向に振り分けられる。
【0004】このうちビームスプリッタ8を透過した光
は、合焦点より前に置かれた第1の絞り9を介して受光
手段としての第1の受光素子10により受光され、ま
た、ビームスプリッタ8を反射した光は、合焦点より後
に置かれた第2の絞り11を介して受光手段としての第
2の受光素子12により受光される。これら第1および
第2の受光素子10、12は、それぞれ受光した反射光
の光量に応じた電気信号a、bを出力するもので、これ
ら電気信号a、bを信号処理系13に入力する。信号処
理系13は、入力された電気信号a、bに対して所定の
演算を実行し、被測定表面7の変位に対応した変位信号
を出力する。
【0005】この場合、第1および第2の受光素子1
0、12より、図6に示すような特性を有する電気信号
a、bが出力されたとすると、信号処理系13により図
7に示すような特性を有する変位信号cが出力され、こ
の変位信号cに基づいて被測定表面7の変位が測定され
るとともに、この被測定表面7に対する焦点検出が行わ
れる。
【0006】ところで、通常、このような焦点検出は、
被測定表面7を観察しながら行われる。この場合、上述
したダイクロイックミラー5は、赤外波長域以上の光成
分を反射するとともに、可視域の光を透過するような特
性のものが用いられ、観察光学系14には、レーザー光
の入射を阻止し、可視光のみを取り込むことができるよ
うになっている。
【0007】そして、被測定表面7の観察には、被測定
表面7を可視光で照明する。被測定表面7からの反射光
は、対物レンズ6を介してダイクロイックミラー5に照
射され、ダイクロイックミラー5を透過した光は、観察
光学系14の結像レンズ14aにより集光され、被測定
表面7の観察像が図示しない接眼レンズやCCDカメラ
により観察される。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】このような焦点検出装
置では、被測定表面7に集光される半導体レーザー1の
スポットは、理論上回折限界まで絞られ、極めて微小な
集光スポットとなり、焦点検出は、このような微小な集
光スポットが照射される被測定表面7上の極微小な領域
を対象にして行われる。
【0009】ところが、焦点検出の際に、被測定表面7
で反射されたレーザー光のスポットは、ダイクロイック
ミラー5により観察光学系14への入射を阻止されてい
るので、被測定表面7を観察している観察者には、レー
ザー光のスポット位置を知ることができない。つまり、
観察者は、焦点検出を行っている状態で、被測定表面7
を観察しているものの、被測定表面7上のどの領域を対
象にして焦点検出が行われているかを全く知ることがで
きない。
【0010】このため、従来では、例えば、被測定表面
7の微小な領域の焦点検出を行うような場合は、経験的
に覚えているレーザー光のスポット位置に対して検出対
象の領域を正確に移動させなければならず、このための
作業に熟練を要するという問題があった。
【0011】また、熟練した技術を持たない観察者は、
検出対象の領域が十分な大きさの像になるように高倍の
対物レンズに切換え、この拡大された領域像をレーザー
光のスポット位置に移動させるようにしているが、高倍
の対物レンズを用いることで視野自体が著しく狭くなる
ため、さらに作業性が悪化するという問題があった。
【0012】一方、レーザースポットの位置を明確にす
るため、CCDカメラにより撮像した観察像をTVモニ
タ上で観察し、TVモニタ上でおおよそのレーザースポ
ットの位置に印を付けるような場合も合ったが、TVシ
ステムを必要とするため、装置が大掛かりとなるととも
に、価格的にも高価であった。
【0013】本発明は上記事情に鑑みてなされたもの
で、優れた作業性が得られ、しかも微小な領域の焦点検
出も確実に行うことができる焦点検出装置を提供するこ
とを目的とする。
【0014】
【課題を解決するための手段】請求項1記載の発明は、
測定光を被検体に対し集光スポットとして照射するとと
もに、前記被検体から反射した反射光を受光手段で受光
し、該受光手段の出力により前記被検体面の合焦を検出
する焦点検出装置において、前記測定光の投影像と光学
的に共役の位置に配置された指標と、前記指標を照明す
る可視光域の光を発光する光源と、を具備し、前記光源
により照明された前記指標の像の光を前記測定光の光路
を通して前記被検体に対し照射するとともに、前記被検
体から反射した前記指標の像を前記被検体上に照射され
る前記測定光の集光スポットとして観察可能にしたこと
を特徴としている。
【0015】請求項2記載の発明は、請求項1記載の発
明において、前記測定光は、レーザー光からなり、前記
指標はピンホールからなることを特徴としている。
【0016】請求項3記載の発明は、測定光を被検体に
対し集光スポットとして照射するとともに、前記被検体
から反射した反射光を受光手段で受光し、該受光手段の
出力により前記被検体面の合焦を検出する焦点検出装置
において、前記測定光の投影像と光学的に共役の位置に
出射端が配置されるとともに、前記出射端より可視光域
の光を発する光ファイバを具備し、前記光ファイバの出
射端からの光を前記測定光の光路を通して前記被検体に
対し照射するとともに、前記被検体から反射した前記出
射端の像を前記被検体上に照射される前記測定光の集光
スポットとして観察可能にしたことを特徴としている。
【0017】この結果、本発明によれば、焦点検出のた
めの測定光の被検体上での集光スポットの位置を指標の
像位置から容易に知ることができるので、観察者は、測
定光の位置を経験的に覚えるような必要がなくなり、焦
点検出のための一連の作業を簡単にすることができる。
【0018】また、本発明によれば、被検体上の焦点検
出したい領域が極めて小さい場合も、指標の像位置を目
的の領域に移動させるだけで対応することができる。
【0019】さらに、本発明によれば、光ファイバによ
り外部からの光を導くことができるので、外部光源を選
択することで被検体面に合わせた色の選択や光量の調整
を行うことが可能となり、これらを組み合わせることで
様々なユーザ要求に答えることができる。
【0020】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に従い説明する。
【0021】(第1の実施の形態)図1は、本発明が適用
される共焦点型の焦点検出装置の概略構成を示すもの
で、図5と同一部分には同符号を付している。
【0022】この場合、図5で述べたダイクロイックミ
ラー5に代えてハーフミラー20が配置されている。
【0023】半導体レーザー1と偏光ビームスプリッタ
2との間の光路にビームスプリッタ21が配置されてい
る。また、ビームスプリッタ21より分割された光路に
は、指標として円形のピンホール22が配置され、この
ピンホール22の後方に、ピンホール22を照明する可
視光域の光を発光するLEDなどの光源23が配置され
ている。この場合、ピンホール22は、半導体レーザー
1の発光点の投影像と光学的に共役の位置に配置されて
いる。
【0024】なお、光源23については、常時点灯され
ていても焦点検出時のみ点灯するようにしてもよい。
【0025】ハーフミラー20と対物レンズ6の間の光
路には、ハーフミラー24が配置され、このハーフミラ
ー24の分割光路には、被測定表面7を照明する可視光
域の光を発光する光源25が配置されている。
【0026】また、ハーフミラー20と観察光学系14
との間の光路には、IRカットフィルタ26が配置され
ている。このIRカットフィルタ26は、被測定表面7
で反射しハーフミラー20を透過した反射光のうち、赤
外波長域以上の光成分の透過を阻止し、可視光域の光の
みを観察光学系14側に透過させるためのものである。
【0027】さらに、偏光ビームスプリッタ2とビーム
スプリッタ8との間の光路には、バンドパスフィルタ2
7が配置されている。このバンドパスフィルタ27は、
被測定表面7で反射しハーフミラー20で反射した反射
光のうち、可視光域の光の透過を阻止し、赤外波長域以
上の光成分を第1および第2の受光素子10、12側に
透過させるためのものである。
【0028】このような構成において、いま、半導体レ
ーザー1からレーザー光が発せられると、ビームスプリ
ッタ21を透過して偏光ビームスプリッタ2に照射され
る。偏光ビームスプリッタ2で反射された光は、結像レ
ンズ3で平行ビームに変換され、1/4波長板4を透過
し、ハーフミラー20で反射して対物レンズ6に入射
し、被測定表面7にスポット状に集光される。
【0029】また、被測定表面7で反射された反射光
は、再び対物レンズ6を透過し、ハーフミラー20で反
射して1/4波長板4および結像レンズ3を介して偏光
方向が90°ずれて偏光ビームスプリッタ2に照射され
る。
【0030】これにより、反射光は、偏光ビームスプリ
ッタ2を透過してビームスプリッタ8に入射され、ここ
で2方向に振り分けられる。そして、ビームスプリッタ
8を透過した光は、合焦点より前に置かれた第1の絞り
9を介して第1の受光素子10により受光され、また、
ビームスプリッタ8を反射した光は、合焦点より後に置
かれた第2の絞り11を介して第2の受光素子12によ
り受光される。また、これら受光された光量に応じた第
1および第2の受光素子10、12からの電気信号が信
号処理系13に入力され、ここで、所定の演算が実行さ
れ、被測定表面7の変位に対応した変位信号が出力さ
れ、被測定表面7に対する焦点検出が行われる。
【0031】この場合、半導体レーザー1のレーザー光
の被測定表面7で反射される反射光の一部は、ハーフミ
ラー20を透過されるが、IRカットフィルタ26によ
り観察光学系14側への入射は阻止される。
【0032】一方、この状態で、光源25より可視光域
の光が発せられると、この光は、ハーフミラー24で反
射し、対物レンズ6を透過して被測定表面7に照射され
る。また、被測定表面7からの反射光は、対物レンズ6
を介してハーフミラー24、20を順に透過し、これら
ハーフミラー24、20を透過した光は、IRカットフ
ィルタ26を透過して観察光学系14の結像レンズ14
aにより集光され、焦点検出が行われる被測定表面7の
観察像が図示しない接眼レンズやCCDカメラにより観
察される。
【0033】また、これと同時に、光源23より可視光
域の光が発せられると、この光により照明されたピンホ
ール22の像が、ビームスプリッタ21に入射される。
その後は、半導体レーザー1からの光と同じ光路を通っ
て被測定表面7に結像される。また、被測定表面7で反
射されたピンホール22の像は、対物レンズ6を介して
ハーフミラー24、20を順に透過し、これらハーフミ
ラー24、20を透過した光は、IRカットフィルタ2
6を透過して観察光学系14の結像レンズ14aにより
集光され、上述した接眼レンズやCCDカメラにより観
察される被測定表面7の観察像上に重ねて表示される。
【0034】この場合、ピンホール22の位置は、半導
体レーザー1の発光点の投影像と光学的に共役な位置に
あるので、観察光学系14で観察されるピンホール22
の像位置は、被測定表面7上に集光されレーザー光のス
ポット位置と一致している。
【0035】これにより、観察者は、焦点検出が行われ
る被測定表面7の観察像を観察しながら、この観察像上
に重ねて表示されるピンホール22の像位置からレーザ
ー光のスポットの位置を容易に知ることができるので、
被測定表面7上のどの領域を対象にして焦点検出が行わ
れているかを簡単に確認でき、また、ピンホール22の
像位置を被測定表面7上の焦点検出したい測定ポイント
に移動させるだけで、微小な領域に対するレーザー光の
スポットの位置決めを正確に行うことができる。
【0036】この場合、光源25からの可視光域の光お
よび光源23からの可視光域の光により照明されたピン
ホール22の像の被測定表面7で反射される光の一部
は、ハーフミラー20で反射されるが、バンドパスフィ
ルタ27により第1および第2の受光素子10、12側
への入射は阻止される。
【0037】従って、このようにすれば、半導体レーザ
ー1からのレーザー光の被測定表面7上でのスポットの
位置を、観察像上に重ねて表示されるピンホール22の
像位置から容易に知ることができるので、従来と比べ、
観察者は、レーザースポットの位置を経験的に覚えるよ
うな必要がなく、焦点検出のための作業に熟練する必要
もなくなり、焦点検出のための一連の作業を簡単にする
ことができる。
【0038】また、対物レンズ6の倍率が低く、被測定
表面7上の焦点検出したい領域が極めて小さい場合も、
ピンホール22の像位置を目的の領域に移動させるだけ
で対応できるので、優れた作業性、操作性が得られる。
【0039】さらに、TVシステムなどによりレーザー
スポットの位置に印を付けるような必要もないので、こ
れらTVシステム等を用いたものと比べてシステム構成
が簡単で、価格的にも安価にできる。
【0040】(変形例)上述した実施の形態では、指標と
して円形のピンホール22を用いた例を述べたが、この
形状に限らず、例えば十字線パターンなど、観察像中で
目印になるようなパターンであれば、どのような形状で
あってもよい。
【0041】(第2の実施の形態)次に、本発明の第2の
実施の形態を説明する。
【0042】図2は、第2の実施の形態の概略構成を示
すもので、図1と同一部分には同符号を付している。
【0043】この場合、図1で述べたピンホール22と
光源23に代えて光ファイバ30が用いられている。こ
の光ファイバ30は、ビームスプリッタ21より分割さ
れた光路に出射端30aが配置されている。この出射端
30aは、半導体レーザー1の発光点の投影像と光学的
に共役の位置に配置されている。
【0044】また、光ファイバ30の入射端30bに
は、装置外部に配置された可視光域の光を発する外部光
源31が接続されている。この外部光源31は、常時点
灯されていても焦点検出時のみ点灯するようにしてもよ
い。
【0045】このような構成においても、外部光源31
より可視光域の光が発せられると、光ファイバ30の出
射端30aからの光がビームスプリッタ21に入射され
る。その後は、半導体レーザー1からの光と同じ光路を
通って被測定表面7に結像される。また、被測定表面7
で反射された光ファイバ30の出射端30aの像は、対
物レンズ6を介してハーフミラー24、20を順に透過
し、これらハーフミラー24、20を透過した光は、I
Rカットフィルタ26を透過して観察光学系14の結像
レンズ14aにより集光され、上述した接眼レンズやC
CDカメラにより観察される被測定表面7の観察像上に
重ねて表示される。
【0046】この場合、光ファイバ30の出射端30a
の位置は、半導体レーザー1の発光点の投影像と光学的
に共役な位置にあるので、観察光学系14で観察される
出射端30aの像位置は、被測定表面7上に集光されレ
ーザー光のスポット位置と一致している。
【0047】これにより、観察者は、焦点検出が行われ
る被測定表面7の観察像を観察しながら、この観察像上
に重ねて表示される出射端30aの像位置からレーザー
光のスポットの位置を容易に知ることができるので、被
測定表面7上のどの領域を対象にして焦点検出が行われ
ているかを簡単に確認でき、また、出射端30aの像位
置を被測定表面7上の焦点検出したい測定ポイントに移
動させるだけで、微小な領域に対するレーザー光のスポ
ットの位置決めを正確に行うことができる。
【0048】従って、このようにしても上述した第1の
実施の形態と同様な効果を期待でき、さらに、光ファイ
バ30により外部光源31からの光を導くようにしてい
るので、外部光源31を選択することで被測定表面7に
合わせた色の選択や光量の調整を行うことが可能とな
り、これらを組み合わせることにより様々なユーザ要求
に答えることができる。
【0049】(第3の実施の形態)次に、本発明の第3の
実施の形態を説明する。
【0050】図3は、第3の実施の形態の概略構成を示
すもので、図1と同一部分には同符号を付している。
【0051】この場合、図1で述べたビームスプリッタ
21、ピンホール22および光源23に代えて、1/4
波長板4とハーフミラー20との間の光路にビームスプ
リッタ40が配置され、このビームスプリッタ40より
分割された光路には、結像レンズ41が配置されてい
る。また、結像レンズ41の焦点位置には、指標として
円形のピンホール42が配置され、このピンホール42
の後方に、ピンホール42を照明する可視光域の光を発
光するLEDなどの光源43が配置されている。この場
合、ピンホール42は、半導体レーザー1の発光点の投
影像と光学的に共役の位置に配置されている。
【0052】なお、光源43についても、常時点灯され
ていても焦点検出時のみ点灯するようにしてもよい。
【0053】このような構成によっても、光源43より
可視光域の光が発せられると、この光により照明された
ピンホール42の像の光が、結像レンズ41に入射さ
れ、平行光となってビームスプリッタ40に入射され
る。その後は、半導体レーザー1からの光と同じ光路を
通って被測定表面7に投影される。また、被測定表面7
で反射されたピンホール42の像は、対物レンズ6を介
してハーフミラー24、20を順に透過し、これらハー
フミラー24、20を透過した光は、IRカットフィル
タ26を透過して観察光学系14の結像レンズ14aに
より集光され、上述した接眼レンズやCCDカメラによ
り観察される被測定表面7の観察像上に重ねて表示され
る。
【0054】この場合、ピンホール42の位置は、半導
体レーザー1の発光点の投影像と光学的に共役な位置に
あるので、観察光学系14で観察されるピンホール42
の像位置は、被測定表面7上に集光されレーザー光のス
ポット位置と一致している。
【0055】これにより、観察者は、焦点検出が行われ
る被測定表面7の観察像を観察しながら、この観察像上
に重ねて表示されるピンホール42の像位置からレーザ
ー光のスポットの位置を容易に知ることができるので、
被測定表面7上のどの領域を対象にして焦点検出が行わ
れているかを簡単に確認でき、また、ピンホール42の
像位置を被測定表面7上の焦点検出したい測定ポイント
に移動させるだけで、微小な領域に対するレーザー光の
スポットの位置決めを正確に行うことができる。
【0056】従って、このようにしても上述した第1の
実施の形態と同様な効果を期待でき、さらに、ピンホー
ル42を被測定表面7上に投影するための結像レンズ4
1は、半導体レーザー1からのレーザー光の光路と無関
係な位置に配置しているので、結像レンズ41の焦点距
離を適当に変更しても焦点検出光学系の特性は変化しな
い。このことは、焦点検出光学系の特性を変化させるこ
となく被測定表面7上でのピンホール42の投影倍率を
変更できるので、使い勝手のよい投影倍率を設定するこ
とができる。
【0057】(第4の実施の形態)ところで、上述した第
1乃至第3の実施の形態では、共焦点型の焦点検出装置
について述べたが、この第4の実施の形態では、瞳分割
方式の焦点検出装置に本発明を適用した例を示してい
る。
【0058】図4は、第4の実施の形態の概略構成を示
すもので、図1と同一部分には同符号を付している。
【0059】この場合、半導体レーザー1から出射され
るレーザー光の光路中に、コリメータレンズ51、遮蔽
板52、集光レンズ53が配置されており、レーザー光
は、コリメータレンズ51により平行光に変換され、遮
蔽板52により半分の光束が遮蔽され、残り半分の光束
が集光レンズ53により中間結像位置Pに投影された
後、偏光ビームスプリッタ2に照射される。そして、偏
光ビームスプリッタ2で反射された光は、結像レンズ
3、1/4波長板4、ハーフミラー20の図示光路Cを
介して対物レンズ6に入射し、被測定表面7に集光し、
この被測定表面7で反射された反射光は、再び対物レン
ズ6、ハーフミラー20、1/4波長板4および結像レ
ンズ3の図示光路Dを介して偏光方向が90°ずれて偏
光ビームスプリッタ2に照射される。これにより、反射
光は、偏光ビームスプリッタ2を透過してバンドパスフ
ィルタ27を介して2分割受光素子54に結像される。
【0060】この2分割受光素子54は、2つの光電変
換部A、Bを有しており、これら光電変換部A、Bは、
それぞれ受光した反射光の光量に応じた電気信号a、b
を出力するもので、これら電気信号a、bを信号処理系
55に入力する。信号処理系55は、入力された電気信
号a、bに対して所定の演算を実行し、被測定表面7の
変位に対応した変位信号を出力する。
【0061】この場合も、光電変換部A、Bより、図6
に示すような特性を有する電気信号a、bが出力された
とすると、信号処理系55により図7に示すような特性
を有する変位信号cが出力され、この変位信号cに基づ
いて被測定表面7の変位が測定されるとともに、この被
測定表面7に対する焦点検出が行われる。
【0062】一方、集光レンズ53と偏光ビームスプリ
ッタ2との間の光路にビームスプリッタ56が配置され
ている。また、ビームスプリッタ56より分割された光
路には、指標として円形のピンホール57が配置され、
このピンホール57の後方に、ピンホール57を照明す
る可視光域の光を発光するLEDなどの光源58が配置
されている。この場合、ピンホール57は、半導体レー
ザー1の発光点の投影像と光学的に共役の位置に配置さ
れている。
【0063】なお、光源58についても、常時点灯され
ていても焦点検出時のみ点灯するようにしてもよい。
【0064】このような構成によっても、光源58より
可視光域の光が発せられると、この光により照明された
ピンホール57の像の光が、ビームスプリッタ56に入
射される。その後は、半導体レーザー1からの光と同じ
光路を通って被測定表面7に照射される。また、被測定
表面7で反射されたピンホール57の像は、対物レンズ
6を介してハーフミラー24、20を順に透過し、これ
らハーフミラー24、20を透過した光は、IRカット
フィルタ26を透過して観察光学系14の結像レンズ1
4aにより集光され、上述した接眼レンズやCCDカメ
ラにより観察される被測定表面7の観察像上に重ねて表
示される。
【0065】この場合、ピンホール57の位置は、半導
体レーザー1の発光点の投影像と光学的に共役な位置に
あるので、観察光学系14で観察されるピンホール57
の像位置は、被測定表面7上に集光されレーザー光のス
ポット位置と一致している。
【0066】これにより、観察者は、焦点検出が行われ
る被測定表面7の観察像を観察しながら、この観察像上
に重ねて表示されるピンホール57の像位置からレーザ
ー光のスポットの位置を容易に知ることができるので、
被測定表面7上のどの領域を対象にして焦点検出が行わ
れているかを簡単に確認でき、また、ピンホール57の
像位置を被測定表面7上の焦点検出したい測定ポイント
に移動させるだけで、微小な領域に対するレーザー光の
スポットの位置決めを正確に行うことができる。
【0067】従って、このようにしても上述した第1の
実施の形態と同様な効果を期待することができる。
【0068】なお、本発明は、上記実施の形態に限定さ
れるものでなく、実施段階では、その要旨を変更しない
範囲で種々変形することが可能である。
【0069】さらに、上記実施の形態には、種々の段階
の発明が含まれており、開示されている複数の構成要件
における適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出でき
る。例えば、実施の形態に示されている全構成要件から
幾つかの構成要件が削除されても、発明が解決しようと
する課題の欄で述べた課題を解決でき、発明の効果の欄
で述べられている効果が得られる場合には、この構成要
件が削除された構成が発明として抽出できる。
【0070】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、優れ
た作業性が得られ、しかも微小な領域の焦点検出も確実
に行うことができる焦点検出装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態の概略構成を示す
図。
【図2】本発明の第2の実施の形態の概略構成を示す
図。
【図3】本発明の第3の実施の形態の概略構成を示す
図。
【図4】本発明の第4の実施の形態の概略構成を示す
図。
【図5】従来の焦点検出装置の一例の概略構成を示す
図。
【図6】焦点検出装置の受光素子より出力される電気信
号の特性を示す図。
【図7】焦点検出装置の信号処理系より出力される変位
信号の特性を示す図。
【符号の説明】
1…半導体レーザー 2…偏光ビームスプリッタ 3…結像レンズ 4…1/4波長板 5…ダイクロイックミラー 6…対物レンズ 7…被測定表面 8…ビームスプリッタ 9…第1の絞り 10…第1の受光素子 11…第2の絞り 12…第2の受光素子 13…信号処理系 14…観察光学系 14a…結像レンズ 20…ハーフミラー 21…ビームスプリッタ 22…ピンホール 23…光源 24…ハーフミラー 25…光源 26…IRカットフィルタ 27…バンドパスフィルタ 30…光ファイバ 30a…出射端 30b…入射端 31…外部光源 40…ビームスプリッタ 41…結像レンズ 42…ピンホール 43…光源 51…コリメータレンズ 52…遮蔽板 53…集光レンズ 54…分割受光素子 55…信号処理系 56…ビームスプリッタ 57…ピンホール 58…光源
フロントページの続き Fターム(参考) 2F065 AA06 AA19 CC01 CC25 DD00 FF10 FF41 FF49 GG06 GG22 HH04 HH13 JJ01 JJ03 JJ05 JJ09 JJ26 LL00 LL04 LL20 LL26 LL30 LL36 LL37 LL46 LL50 2H051 AA10 BA53 BA70 BA72 CB14 CC03 CC04 CC13 2H052 AC04 AC34 AD09 AF02 AF23

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 測定光を被検体に対し集光スポットとし
    て照射するとともに、前記被検体から反射した反射光を
    受光手段で受光し、該受光手段の出力により前記被検体
    面の合焦を検出する焦点検出装置において、 前記測定光の投影像と光学的に共役の位置に配置された
    指標と、 前記指標を照明する可視光域の光を発光する光源と、を
    具備し、 前記光源により照明された前記指標の像の光を前記測定
    光の光路を通して前記被検体に対し照射するとともに、
    前記被検体から反射した前記指標の像を前記被検体上に
    照射される前記測定光の集光スポットとして観察可能に
    したことを特徴とする焦点検出装置。
  2. 【請求項2】 前記測定光は、レーザー光からなり、前
    記指標はピンホールからなることを特徴とする請求項1
    記載の焦点検出装置。
  3. 【請求項3】 測定光を被検体に対し集光スポットとし
    て照射するとともに、前記被検体から反射した反射光を
    受光手段で受光し、該受光手段の出力により前記被検体
    面の合焦を検出する焦点検出装置において、 前記測定光の投影像と光学的に共役の位置に出射端が配
    置されるとともに、前記出射端より可視光域の光を発す
    る光ファイバを具備し、 前記光ファイバの出射端からの光を前記測定光の光路を
    通して前記被検体に対し照射するとともに、前記被検体
    から反射した前記出射端の像を前記被検体上に照射され
    る前記測定光の集光スポットとして観察可能にしたこと
    を特徴とする焦点検出装置。
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