JP2003115661A - 多層回路基板の製造方法 - Google Patents

多層回路基板の製造方法

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JP2003115661A
JP2003115661A JP2001307744A JP2001307744A JP2003115661A JP 2003115661 A JP2003115661 A JP 2003115661A JP 2001307744 A JP2001307744 A JP 2001307744A JP 2001307744 A JP2001307744 A JP 2001307744A JP 2003115661 A JP2003115661 A JP 2003115661A
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JP2001307744A
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English (en)
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Susumu Matsuoka
進 松岡
Rikiya Okimoto
力也 沖本
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
  • Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 多層に形成された複数の配線パターンの積層
位置ズレ精度が良好で生産性の優れた多層回路基板の製
造方法を提供する。 【解決手段】 支持基材120に導電体からなる回路パ
ターン107と認識マーク112を形成し、当該回路パ
ターン107上に絶縁性基材106を仮固定する。次
に、電気的接続を行う箇所にレーザを照射してパターン
表面に到達する非貫通孔103を設け、導電ペースト1
02を充填する。さらに絶縁性基材106上に金属箔1
04を重ね合わせて固定し、認識マーク112が露出す
るように開口部113を設ける。そして、認識マーク1
12の形状及び位置を認識することで、予め設計した露
光マスクと認識マークの位置合わせを行い、次層の回路
パターン117及び認識マーク122を形成する。以上
の工程を繰り返すことで必要積層数の回路パターン13
7を形成し、支持基材120を選択除去する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、インナービアホー
ル接続により複数層の回路パターンが電気的に接続され
た多層回路基板の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、電子機器の小型化及び高密度化に
伴い、産業用だけでなく民生用の分野においても、LS
I等の半導体チップを高密度に実装できる多層回路基板
が安価に供給されることが強く要望されている。また、
多層回路基板においては、実装密度の向上による小型化
の目的を果たすために、より微細な配線ピッチを容易か
つ高歩留まりに生産できることが重要な要素となる。
【0003】かかる市場の要望に対して、従来の多層回
路基板の層間接続において主流となっていたスルーホー
ル内蔵の金属メッキ導体に変えて、例えば特開平6−2
68345号公報に開示されているように、多層回路基
板の任意の電極を任意の配線パターン位置において層間
接続することができるインナービアホール(IVH)接
続法を採用した多層回路基板、いわゆる全層IVH構造
樹脂多層回路基板が開発されている。
【0004】かかる全層IVH構造樹脂多層回路基板
は、多層回路基板のビアホール内に導電ペーストを充填
することによって、必要な層間のみを接続することがで
きるようになっており、部品ランド直下にインナービア
ホールを設けることができることから、基板サイズの小
型化や高密度実装を実現することが容易な構成となって
いる。
【0005】以下、上述したような全層IVH構造樹脂
多層回路基板について、例として4層基板の場合につい
て説明する。まず、多層基板のベースとなる両面回路基
板の製造方法について、図面を参照しながら説明する。
図4(a)から図4(h)は、4層基板を形成する場合
の基礎基板となる両面回路基板の製造工程断面図であ
る。
【0006】まず、図4(a)に示すように、芳香性ポ
リアミド繊維に熱硬化性エポキシ樹脂を含浸させた厚さ
t1(約150μm)の絶縁性基材401の両面に、厚
さ約20μmポリエチレンテレフタレート(PET)等
の離型フィルム405をラミネートする。
【0007】次に図4(b)に示すように、離型フィル
ム405及び絶縁性基材401を貫通する貫通孔403
を形成する。そして、図4(c)に示すように、貫通孔
403に導電ペースト402を充填する。
【0008】導電ペースト402を充填する方法として
は、貫通孔403を有する絶縁性基材401をスクリー
ン印刷機(図示せず)のテーブル上に設置し、直接導電
ペースト402を離型フィルム405の上から印刷する
方法が代表的である。このとき、上面に位置する離型フ
ィルム405は、印刷マスクの役割と絶縁性基材401
の汚染防止という両方の役割を果たすことになる。
【0009】次に図4(d)に示すように、絶縁性基材
401の両面から離型フィルム405を剥離することに
よって、絶縁接合体406を形成する。そして図4
(e)に示すように、形成された絶縁接合体406の両
面に、厚さ約18μmのCu等の金属箔404を重ね合
わせる。
【0010】金属箔404を重ね合わせた状態で、熱プ
レスにより加圧加熱することによって、図4(f)に示
すように、絶縁性基材401の厚みがt2(約100μ
m)にまで圧縮されるとともに、絶縁接合体406と金
属箔404が接着され、両面の金属箔404は所定の位
置に設けた貫通孔403に充填された導電ペースト40
2によって電気的に接続されることになる。
【0011】次に図4(g)に示すように、X線ドリル
加工機(図示せず)により一部の導電ペースト402の
位置を認識して、所定の位置にマスク位置決め孔408
を形成する。そして図4(h)に示すように、両面の金
属箔404にフォトレジストを形成した後、露光マスク
(図示せず)とマスク位置決め孔408を位置合わせ
し、サブトラクティブ法を用いて回路パターン407a
及び407bを形成することによって、両面回路基板4
10が得られることになる。
【0012】次に、図5(a)から図5(e)は、上述
した方法で得られた両面回路基板410を用いて多層回
路基板(4層基板)を製造する方法を示す製造工程断面
図である。まず、図4に示した方法によって製造された
回路パターン407a及び407bを有する両面回路基
板410と、図4(a)から図4(d)に示す工程によ
り製造された2つの絶縁接合体506a及び506bを
準備する。かかる絶縁接合体506a及び506bで
は、貫通孔に導電ペースト502が充填されている。
【0013】そして、図5(a)に示すように、作業ス
テージ509の上に、位置決め孔511を画像認識等に
よって位置決めしてから、両面回路基板410、絶縁接
合体506aの順に重ね合わせる。それから、所定の位
置の上下に設けている、先端が10mm×6mmである
300℃から350℃に加熱しているヒータチップ50
8を用いて、約5kg/cm2の圧力を3秒間加えるこ
とにより、絶縁接合体506aの樹脂成分を硬化させて
両面回路基板410と接着する。
【0014】次に図5(b)示すように、片面に絶縁接
合体506aを接着して固定した両面回路基板410を
作業ステージ509から取り出し、両面回路基板410
側を上側にして作業ステージ509に設置する。そし
て、位置決め認識孔511を画像認識等することによっ
て絶縁接合体506bを位置決めして重ねた後、ヒータ
チップ508で加圧加熱することにより絶縁接合体50
6bの樹脂成分を硬化させて、絶縁接合体506bと両
面回路基板410とを接着する。
【0015】次に図5(c)に示すように、両面に絶縁
接合体506a及び506bを接着して固定した両面回
路基板410を作業ステージ509から取り出し、両面
に金属箔504を重ねる。そして、図5(d)に示すよ
うに、両面に金属箔504を重ね、真空熱プレスにより
全面を圧力50kg/cm2、温度200℃で約1時
間、加圧加熱をすることにより、絶縁接合体506a及
び506bの厚みが圧縮され、絶縁接合体506a及び
506bと金属箔504とが接着し、回路パターン40
7a及び407bは導電ペースト502を介して金属箔
504とインナービアホール接続されることになる。
【0016】次に、X線ドリル加工機(図示せず)を用
いることで、一部の導電ペースト502又は回路パター
ン407の位置を認識して、所定の位置にマスク位置決
め孔512を形成する。
【0017】そして、図5(e)に示すように、金属箔
504にフォトレジストを形成した後、露光マスクとマ
スク位置決め孔512を位置合わせし、サブトラクティ
ブ法を用いて回路パターン507a及び507bを形成
する。このようにすることで4層基板が得られる。4層
以上の多層回路基板を製造する場合には、上述したよう
な製造方法で製造された多層回路基板を、上記製造方法
における両面回路基板として、上記製造方法を繰り返す
ことになる。一般的に、多層回路基板の製造方法は、一
つの基板に多数個の同一回路パターンを形成し、最終工
程後に分割する方法が主流であり、複数層のパターン間
における積層合致精度が、製造歩留まりに対して重要な
要素となる。
【0018】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たような従来の多層回路基板の製造方法では、外側の層
に導電体層が形成されることから、内側の層における回
路パターン等については外部から直接に読み取ることが
できない。そこで、一部のビア、あるいは内側の層にお
ける回路パターンについて、X線ドリル加工機等を用い
ることで位置を認識し、所定の位置に位置決め孔を形成
し、さらに当該位置決め孔を基準として、フォトリソグ
ラフィック法による露光マスクの位置合わせすることに
よって外側の層にも回路パターンを形成することで寸法
精度を保持しているのが実状である。このような方法で
は、内側の層における回路パターンと外側の層における
回路パターンとの間で、どうしても位置ズレが発生しや
すくなってしまうという問題点があった。
【0019】また、製造工程途上における構成材料の熱
膨張係数の相違による寸法変化、あるいは吸湿による寸
法変化等に起因して、十分な精度を維持することができ
ないことも考えられ、かかる場合には回路パターンとビ
アの位置ズレにより、層間の電気的接続が不安定になり
やすく、製造歩留まりが低下してしまうという問題点も
あった。
【0020】本発明は、上述したような従来の問題点を
解決するため、構成材料の寸法変化等に影響されること
なく、高い精度で回路パターンを形成することができ、
また多層に形成された複数の配線パターンを各々のビア
ホールで精度良く接続することができ、製造歩留まりの
向上に優れた多層化回路基板を実現するための多層回路
基板の製造方法を提供することを目的とする。
【0021】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明にかかる多層回路基板の製造方法は、選択して
除去可能な支持基材の表面に、導電体で形成される所望
の第1の回路パターンと第1の認識マークを形成する第
1の工程と、絶縁性基材の両面に接着剤層を形成し、一
方の面における接着剤層を支持基材における第1の回路
パターンに重ね合わせ、接着剤層の硬化温度より低い温
度で加圧加熱することにより仮止め積層固定する第2の
工程と、電気的接続を行う部分に支持基材と反対側から
レーザを照射し、第1の回路パターンの表面まで到達す
る非貫通孔を形成する第3の工程と、非貫通孔に導電性
ペーストを充填する第4の工程と、他方の面の接着剤層
に、金属箔を支持基材に位置決めして重ね、接着剤層の
硬化温度で加圧加熱することにより積層固定する第5の
工程と、金属箔の上面にフォトレジスト層を形成した
後、第1の認識マークが露出するように開口部を設ける
第6の工程と、第1の認識マークの形状及び位置を認識
することで位置決めを行い、金属箔を用いて所望の第2
の回路パターンと次層を生成する時に使用する第2の認
識マークを形成する第7の工程と、第2の認識マークを
第1の認識マークとして、かつ第2の回路パターンを第
1の回路パターンとして、第2の工程から第7の工程ま
でを繰り返し実行し、必要積層数の第2の回路パターン
を形成する第8の工程と、第1の回路パターンを形成し
ている部分を残して支持基材を選択して除去する第9の
工程とを含むことを特徴とする。
【0022】かかる構成により、既に形成されている第
1の認識マークに対応する位置に開口部を設けて第1の
認識マークを露出させていることから、何層目を形成す
る場合であっても常に第1の認識マークの形状及び位置
を認識することができ、製造工程における温度変化等に
よる寸法変化量を正確に把握することができることか
ら、これを基準位置として次の層における回路パターン
を形成することにより、第1の回路パターンと第2の回
路パターンとの間において位置ズレが少なくなり、電気
的接続が安定し、製造歩留まりが向上する多層回路基板
の製造方法を提供することが可能となる。
【0023】次に、上記目的を達成するために本発明に
かかる多層回路基板の製造方法は、選択して除去可能な
支持基材の裏面に非貫通の認識マークを所定の位置に形
成した後、認識マークの形状及び位置を認識することで
位置決めを行い、支持基材の表面に導電体により形成さ
れる所望の第1の回路パターンを形成する第1の工程
と、絶縁性基材の両面に接着剤層を形成し、一方の面に
おける接着剤層を支持基材における第1の回路パターン
に重ね合わせ、接着剤層の硬化温度より低い温度で加圧
加熱することにより仮止め積層固定する第2の工程と、
電気的接続を行う部分に支持基材と反対側からレーザを
照射し、第1の回路パターンの表面まで到達する非貫通
孔を形成する第3の工程と、非貫通孔に導電性ペースト
を充填する第4の工程と、他方の面の接着剤層に、金属
箔を支持基材に位置決めして重ね、接着剤層の硬化温度
で加圧加熱することにより積層固定する第5の工程と、
金属箔の上面にフォトレジスト層を形成した後、認識マ
ークの形状及び位置を認識することで位置決めを行い、
金属箔を用いて所望の第2の回路パターンを形成する第
6の工程と、第2の回路パターンを第1の回路パターン
として、第2の工程から第6の工程までを繰り返し実行
し、必要積層数の第2の回路パターンを形成する第7の
工程と、第1の回路パターンを形成している部分を残し
て支持基材を選択して除去する第8の工程とを含むこと
を特徴とする。
【0024】かかる構成により、支持基材裏面の所定の
位置に認識マークを形成することで、何層目を形成する
場合であっても常に認識マークの形状及び位置を認識す
ることができ、製造工程における温度変化等による寸法
変化量を正確に把握することができることから、これを
基準位置として次の層における回路パターンを形成する
ことにより、第1の回路パターンと第2の回路パターン
との間において位置ズレが少なくなり、電気的接続が安
定し、製造歩留まりが向上する多層回路基板の製造方法
を提供することが可能となる。
【0025】次に、上記目的を達成するために本発明に
かかる多層回路基板の製造方法は、選択して除去可能な
支持基材に貫通させた認識マークを、支持基材の周縁部
における所定の位置に形成した後、認識マークの形状及
び位置を認識することで位置決めを行い、支持基材の表
面に導電体で形成される所望の第1の回路パターンを形
成する第1の工程と、認識マークを覆い隠すことのない
形状及び大きさを有する絶縁性基材の両面に接着剤層を
形成し、一方の面における接着剤層を支持基材における
第1の回路パターンに認識マークを覆い隠さないように
重ね合わせ、接着剤層の硬化温度より低い温度で加圧加
熱することにより仮止め積層固定する第2の工程と、電
気的接続を行う部分に支持基材と反対側からレーザを照
射し、第1の回路パターンの表面まで到達する非貫通孔
を形成する第3の工程と、非貫通孔に導電性ペーストを
充填する第4の工程と、他方の面の接着剤層に、認識マ
ークを覆い隠すことのない形状及び大きさを有する金属
箔を支持基材に位置決めして重ね合わせ、接着剤層の硬
化温度で加圧加熱することにより積層固定する第5の工
程と、金属箔の上面にフォトレジスト層を形成した後、
認識マークの形状及び位置を認識することで位置決めを
行い、金属箔を用いて所望の第2の回路パターンを形成
する第6の工程と、第2の回路パターンを第1の回路パ
ターンとして、第2の工程から第6の工程までを繰り返
し実行し、必要積層数の第2の回路パターンを形成する
第7の工程と、第1の回路パターンを形成している部分
を残して支持基材を選択して除去する第8の工程とを含
むことを特徴とする。
【0026】かかる構成により、支持基材の周縁部にお
ける所定の位置に貫通させた認識マークを形成し、各層
の回路パターン形成時においては、当該認識マークを覆
い隠すことのないように絶縁性基材及び金属箔を積層す
ることにより、何層目を形成する場合であっても常に認
識マークの形状及び位置を認識することができ、製造工
程における温度変化等による寸法変化量を正確に把握す
ることができることから、これを基準位置として次の層
における回路パターンを形成することにより、第1の回
路パターンと第2の回路パターンとの間において位置ズ
レが少なくなり、電気的接続が安定し、製造歩留まりが
向上する多層回路基板の製造方法を提供することが可能
となる。
【0027】また、本発明にかかる多層回路基板の製造
方法は、認識マークを形成する手段が、レーザ加工、ド
リル加工及びエッチング加工のうち、少なくとも一つで
あることが好ましい。容易に精度の良好な認識マークを
形成することができるからである。
【0028】また、本発明にかかる多層回路基板の製造
方法は、認識マークの形状及び位置を認識する手段がC
CDカメラであることが好ましい。光学的に精度よく認
識マークを読み取ることができるからである。
【0029】また、本発明にかかる多層回路基板の製造
方法は、認識マークを複数個設けることが好ましい。よ
り好ましくは4個以上設けることにより、より精度の良
い位置あわせができるからである。
【0030】また、本発明にかかる多層回路基板の製造
方法は、絶縁性基材が、ポリイミドフィルム、液晶ポリ
マフィルム、アラミドフィルムのうち少なくとも一つの
材料であることが好ましい。材料として上述したような
高耐熱かつ高剛性のものを選択することによって、半導
体実装に適した性質を持たせることができるからであ
る。また、上述したような材料にすることで均一な組成
を有した薄い基材を作成することができるので、微細径
のビアホールを形成することも可能となる。
【0031】また、本発明にかかる多層回路基板の製造
方法は、絶縁性基材の接着剤層が半硬化状態の有機樹脂
であることが好ましい。回路パターンが接着剤層に埋め
込まれ易く、アンカー効果によってより強固に仮固定を
行うことができるからである。
【0032】また、本発明にかかる多層回路基板の製造
方法は、非貫通孔が、第1の回路パターンの位置及び形
状を認識して設けられることが好ましい。回路パターン
とビア穴との位置ズレを最小限に抑えることができ、高
精細パターンに対応した多層回路基板を提供することが
できるからである。
【0033】また、本発明にかかる多層回路基板の製造
方法は、導電ペーストの導電物質がCu、Ag及びこれ
らの合金のうち少なくとも一つの金属粉末を含むことが
好ましい。接続抵抗の極めて良好な層間接続が得られる
からである。
【0034】
【発明の実施の形態】(実施の形態1)以下、本発明の
実施の形態1にかかる多層回路基板の製造方法につい
て、図面を参照しながら説明する。図1は本発明の実施
の形態1にかかる多層回路基板の製造方法を工程順に示
す工程断面図である。本実施の形態1においても、4層
基板を例に挙げて説明する。
【0035】まず、図1(a)に示すように、支持基材
120の片面に、回路パターン107及び複数個の認識
マーク112を形成する。かかる材料としては、例えば
古川サーキットフォイル(株)製のアルミキャリア付き
銅箔(商品名:UTC銅箔)が考えられる。
【0036】また、本実施の形態1における支持基材1
20は、厚さ40μm程度のアルミニウム箔の片面にジ
ンケート処理を行い、その後で電解メッキを行うことに
より厚さ5〜20μm程度の銅を析出させ、表面に粗化
処理を施したものである。具体的には、厚さ40μmの
アルミニウム箔に厚さ9μmの銅メッキを施したアルミ
キャリア付き銅箔を用い、フォトレジスト形成、マスク
露光、現像等を行い、過硫酸−過酸化水素水系エッチン
グ溶液により銅の部分を選択エッチングして回路パター
ン107及び認識マーク112を形成した。エッチング
液の種類については、特にこれに限定されるものではな
く、例えば過硫酸アンモニウムエッチング溶液のよう
に、支持基材120の表面における導電体を選択して除
去できるものであれば何でも良い。
【0037】次に、図1(b)に示すように、絶縁性基
材106の両面に接着剤層108を形成し、当該接着剤
層108の両面に離型フィルム109がラミネートされ
ている絶縁基材合成体110を形成する。そして、絶縁
基材合成体110における片側の離型フィルム109を
剥離することで、一方の接着剤層108を露出する。
【0038】次に、露出された接着剤層108と、支持
基材120における回路パターン107及び認識マーク
112とが当接するように重ね合わせ、接着剤層108
の硬化温度より低い温度によってラミネート加圧加熱す
ることにより仮止め積層固定を行う。
【0039】なお離型フィルム109としては、例えば
PET(ポリエチレンテレフタレート)フィルムやPE
N(ポリエチレンナフタレート)フィルムを用いること
が考えられる。ただし、波長351nmのYAGレーザ
で加工する場合には、PETフィルムでは波長351n
mのレーザ光を吸収しないことから、波長351nmの
レーザ光を吸収する紫外線吸収剤をPETフィルムに混
ぜたり、表面にコーティングする必要が生じる。
【0040】また、接着剤層108としては、例えば熱
硬化型のエポキシ樹脂やポリイミド樹脂が考えられ、こ
れら熱硬化型樹脂は、回路パターン及びアライメントマ
ークの埋め込み性を確保するために、半硬化状態にして
おくことが好ましい。さらに絶縁性基材106として
は、特に限定されることはなく、例えばポリイミドフィ
ルム、アラミドフィルム、液晶ポリマーフィルム等を用
いることが可能である。
【0041】本実施の形態1においては、絶縁性基材1
06として厚さ12μmのポリイミドフィルムを用いて
いる。接着剤層としては、塗布後乾燥した半硬化状態の
厚さ5μmのエポキシ樹脂を用いている。離型フィルム
109としては、厚さ9μmのPENフィルムを用いて
いる。仮止め積層固定として、真空ラミネートにより圧
力4kg/cm2、温度70〜80℃で、1分間加圧加
熱した。
【0042】次に、図1(c)に示すように、回路パタ
ーン107の位置及び形状を認識しながら、支持基材1
20と反対方向から、電気的接続を行う所定の位置にレ
ーザを照射することにより、回路パターン107の表面
まで到達する非貫通孔103を形成する。本実施の形態
1ではUV−YAGレーザを用い、孔径約50μmの非
貫通孔103を形成している。
【0043】また、レーザの種類としては特にUV−Y
AGレーザに限定されるものではなく、例えばエキシマ
レーザ、CO2レーザ等の、絶縁基材合成体110を除
去することができるものであれば何でも良い。
【0044】次に、図1(d)に示すように、非貫通孔
103に導電ペースト102を充填する。導電ペースト
の充填方法としては、スクリーン印刷法、真空遠心法、
ローラ加圧法等、様々な方法が考えられるが、本実施の
形態1においてはスクリーン印刷法を用い、離型フィル
ム109の上面から導電ペースト102を非貫通孔10
3に充填した。この際、離型フィルム109は、印刷マ
スクの役割と接着剤層108表面の汚染防止の役割との
両方を果たすことになる。
【0045】次に、図1(e)に示すように、離型フィ
ルム109を剥離し、接着剤層108に金属箔104を
重ね合わせ、真空熱プレスにより圧力150〜200k
g/cm2で約1時間、加圧加熱することにより固定す
る。そして、金属箔104上にフォトレジストを形成し
た後、複数個の認識マーク112に対応する近傍の位置
に、CO2レーザを用いて銅ダイレクトビアホール加工
を行い、認識マーク112より少し大きい開口部113
を設けることによって認識マーク112の表面を露出さ
せる。
【0046】本実施の形態1においては、金属箔104
として厚みが9μmであって、両面について1〜1.5
μm程度の粗化処理を施したCu箔を用いている。な
お、認識マーク112を表面に露出させる方法として
は、絶縁合成体110及び金属箔104に、予め認識マ
ークに対応した位置に開口部を設けておき、それらを積
層する方法も考えられる。
【0047】次に、図1(f)に示すように、開口部1
13から露出している認識マーク112を、CCDカメ
ラ等を用いた認識装置114により認識し、認識マーク
112の形状及び位置を読み取って、当該形状及び位置
データに基づいて、予め次の層における回路パターン1
17及び認識マーク122の位置が設計してある露光マ
スク(図示せず)の位置決めを行う。
【0048】そして、図1(g)に示すように、サブト
ラクティブ法を用いて、露光マスク上で設計されている
位置に、次の層における回路パターン117及び認識マ
ーク122を形成する。このようにすることで、ビアホ
ールと確実に接続できる位置に次の層における回路パタ
ーン117を形成できることから、電気的接続の安定性
を確保することができる。また、新たに認識マーク12
2を形成することで、ここまでの工程における寸法的変
化を考慮することなく、正確な位置決めを行うことが可
能となる。
【0049】なお、露光マスクは、本実施の形態のよう
に密着させて紫外線露光する場合、フィルムマスクより
もマスクの撓みの影響が少なく、高精度パターンを形成
することができるガラスマスクを用いることが好まし
い。
【0050】次に、図1(h)に示すように、図1
(b)〜図1(g)に示した製造工程をを繰り返した
後、必要積層数の最表層(本実施の形態1においては4
層目)の回路パターン137を形成する。本実施の形態
1においては、積層固定として真空熱プレスで加圧加熱
をしており、この加圧加熱により接着剤層108は流動
し、回路パターン107、117、及び127は接着剤
層108に埋め込まれることになる。
【0051】これによって、絶縁性基材106が変形
し、非貫通孔103内の導電ペースト102が圧縮さ
れ、導電ペースト102内の樹脂成分が接着剤層108
に流れ出し、導電ペースト102内の導体成分が緻密化
することによって、各層における回路パターンとの良好
な電気的接続を得ることが可能となる。
【0052】次に、図1(i)に示すように、支持基材
120における銅材料からなる回路パターン107を残
して、支持基材120を選択除去することにより、最終
的な4層基板130を得ることができる。本実施の形態
1においては、支持基材120におけるアルミニウム箔
の選択除去においては、塩酸:純水=1:1の割合のエ
ッチング液を用いた。
【0053】なお、本実施の形態1においては、4層基
板までの製造方法について説明しているが、上記工程を
繰り返すことで所望層数の多層回路基板を得ることがで
きることは明らかである。
【0054】以上のように本実施の形態1によれば、既
に形成されている認識マークに対応する位置に開口部を
設けて認識マークを露出させていることから、何層目を
形成する場合であっても常に既に形成されている認識マ
ークの形状及び位置を認識することができる。また、次
の層を形成するときに、新たな認識マークを形成してい
ることから、製造工程における温度変化等による寸法変
化量による位置ズレを最小限に抑制することができるこ
とから、これを基準位置として次の層における回路パタ
ーンを形成することにより、回路パターン間において位
置ズレが少なくなり、電気的接続が安定し、製造歩留ま
りが向上する多層回路基板の製造方法を提供することが
可能となる。
【0055】(実施の形態2)以下、本発明の実施の形
態2にかかる多層回路基板の製造方法について、図面を
参照しながら説明する。図2は本発明の実施の形態2に
かかる多層回路基板の製造方法を工程順に示す工程断面
図である。本実施の形態2においても、4層基板を例に
挙げて説明する。
【0056】まず図2(a)に示すように、支持基材2
20の片面に、回路パターン207を形成するととも
に、支持基材220の裏面に、非貫通の認識マーク21
2を複数個、ドリル加工により所定の位置に形成する。
そして、認識装置214によって当該認識マーク212
を認識し、当該認識マーク212の形状及び位置を読み
取ることになる。
【0057】さらに、当該形状及び位置データに基づい
て、予め次の層における回路パターン217の位置が設
計してある露光マスク(図示せず)の位置決めを行う。
エッチングを行うべき位置が定まると、サブトラクティ
ブ法を用いて、露光マスク上で設計されている位置に、
次の層における回路パターン217を形成する。このよ
うにすることで、ビアホールと確実に接続できる位置に
次の層における回路パターン217を形成できることか
ら、電気的接続の安定性を確保することができる。
【0058】次に、図2(b)に示すように、絶縁性基
材206の両面に接着剤層208を形成し、当該接着剤
層208の両面に離型フィルム209がラミネートされ
ている絶縁基材合成体210を形成する。そして、絶縁
基材合成体210における片側の離型フィルム209を
剥離することで、一方の接着剤層208を露出する。
【0059】次に、露出された接着剤層208と、支持
基材220における回路パターン207とが当接するよ
うに重ね合わせ、接着剤層208の硬化温度より低い温
度によってラミネート加圧加熱することにより仮止め積
層固定を行う。
【0060】次に、図2(c)に示すように、回路パタ
ーン207の位置及び形状を認識しながら、支持基材2
20と反対方向から、電気的接続を行う所定の位置にレ
ーザを照射することにより、回路パターン207の表面
にまで到達する非貫通孔203を形成する。そして、図
2(d)に示すように、スクリーン印刷法により非貫通
孔203に導電ペースト202を充填する。
【0061】次に、図2(e)に示すように、離型フィ
ルム209を剥離し、接着剤層208に金属箔204を
重ね合わせ、真空熱プレスにより圧力150〜200k
g/cm2で約1時間、加圧加熱することにより固定す
る。そして、金属箔204上にフォトレジストを形成し
た後、再度認識マーク212を認識装置214で認識
し、認識マーク212の形状及び位置を読み取って、当
該形状及び位置データに基づいて、予め次の層における
回路パターン217の位置が設計してある露光マスク
(図示せず)の位置決めを行う。最後に、図2(f)に
示すように、サブトラクティブ法を用いて、露光マスク
上で設計されている位置に、次の層における回路パター
ン217を形成することになる。
【0062】このようにすることで、ビアホールと確実
に接続できる位置に次の層における回路パターン217
を形成できることから、電気的接続の安定性を確保する
ことができる。また、認識マーク212は支持基板22
0の裏面に位置することから確実に認識装置によって形
状及び位置を読み取ることができ、正確な位置決めを行
うことが可能となる。
【0063】次に、図2(g)に示すように、図2
(b)〜図2(g)を繰り返した後、必要積層数の最表
層(本実施の形態2においては4層目)の回路パターン
237を形成する。
【0064】次に、図2(h)に示すように、支持基材
220における銅材料からなる回路パターン207を残
して、支持基材220を選択除去することにより、最終
的な4層基板230を得ることができる。
【0065】なお、本実施の形態2においては、4層基
板までの製造方法について説明しているが、実施の形態
1と同様、上記工程を繰り返すことで所望層数の多層回
路基板を得ることができることは明らかである。
【0066】以上のように本実施の形態2よれば、支持
基材裏面の所定の位置に認識マークを形成することで、
何層目を形成する場合であっても常に認識マークの形状
及び位置を認識することができ、製造工程における温度
変化等による寸法変化量を正確に把握することができる
ことから、これを基準位置として次の層における回路パ
ターンを形成することにより、回路パターン間における
位置ズレが少なくなり、電気的接続が安定し、製造歩留
まりが向上する多層回路基板の製造方法を提供すること
が可能となる。
【0067】(実施の形態3)以下、本発明の実施の形
態3にかかる多層回路基板の製造方法について、図面を
参照しながら説明する。図3は本発明の実施の形態3に
かかる多層回路基板の製造方法を工程順に示す工程断面
図である。本実施の形態3においても、同様に4層基板
を例に挙げて説明する。
【0068】まず図3(a)に示すように、支持基材3
20の片面に回路パターン307を形成するとともに、
当該支持基材320の周縁部において、当該支持基材3
20を貫通させた複数個の認識マーク312を、ドリル
加工を行うことによって、所定の位置に形成する。な
お、そして、認識装置314によって当該認識マーク3
12を認識し、当該認識マーク312の形状及び位置を
読み取ることになる。
【0069】さらに、当該形状及び位置データに基づい
て、予め次の層における回路パターン317が設計して
ある露光マスク(図示せず)の位置決めを行う。エッチ
ングを行うべき位置が定まると、サブトラクティブ法を
用いて、露光マスク上で設計されている位置に、次の層
における回路パターン317を形成する。このようにす
ることで、ビアホールと確実に接続できる位置に次の層
における回路パターン317を形成できることから、電
気的接続の安定性を確保することができる。
【0070】次に、図3(b)に示すように、認識マー
ク312を覆い隠すことのないような形状及び大きさを
有する絶縁性基材306の両面に接着剤層308を形成
し、当該接着剤層308の両面に離型フィルム309が
ラミネートされている絶縁基材合成体310を形成す
る。そして、絶縁基材合成体310における片側の離型
フィルム309を剥離することで、一方の接着剤層30
8を露出する。
【0071】なお、本実施の形態3においては、絶縁性
基材306は、当該認識マーク312が形成された支持
基材320の周縁部を含まない、支持基材320の面積
よりも小さい面積を有する大きさのものとした。ただ
し、特にかかる形状に限定されるものではなく、認識マ
ーク312を覆い隠すことのない形状であれば何でも良
い。
【0072】次に、露出された接着剤層308と、支持
基材320における回路パターン307とが当接するよ
うに重ね合わせ、接着剤層308の硬化温度より低い温
度によってラミネート加圧加熱することにより仮止め積
層固定を行う。
【0073】次に、図3(c)に示すように、回路パタ
ーン307の位置及び形状を認識しながら、支持基材3
20と反対方向から、電気的接続を行う所定の位置にレ
ーザを照射することにより、回路パターン307の表面
にまで到達する非貫通孔303を形成する。そして、図
3(d)に示すように、スクリーン印刷法により非貫通
孔303に導電ペースト302を充填する。
【0074】次に、図3(e)に示すように、離型フィ
ルム309を剥離し、接着剤層308に認識マーク31
2を覆い隠すことのないような形状及び大きさを有する
金属箔304を重ね合わせ、真空熱プレスにより圧力1
50〜200kg/cm2で約1時間、加圧加熱するこ
とにより固定する。そして、金属箔304上にフォトレ
ジストを形成した後、再度認識マーク312を認識装置
314で認識し、認識マーク312の形状及び位置を読
み取って、当該形状及び位置データに基づいて、予め次
の層における回路パターン317の位置が設計してある
露光マスク(図示せず)の位置決めを行う。
【0075】最後に、図3(f)に示すように、サブト
ラクティブ法を用いて、露光マスク上で設計されている
位置に、次の層における回路パターン317を形成する
ことになる。
【0076】このようにすることで、ビアホールと確実
に接続できる位置に次の層における回路パターン317
を形成できることから、電気的接続の安定性を確保する
ことができる。また、認識マーク312は支持基板32
0の周縁部であって、絶縁性基材310及び金属箔によ
って覆われない位置に形成されていることから、何層目
を形成する場合であっても確実に認識装置によって形状
及び位置を読み取ることができ、正確な位置決めを行う
ことが可能となる。
【0077】次に、図3(g)に示すように、図3
(b)〜図3(g)を繰り返した後、必要積層数の最表
層(本実施の形態3においては4層目)の回路パターン
337を形成する。
【0078】次に、図3(h)に示すように、支持基材
320における銅材料からなる回路パターン307を残
して、支持基材320を選択除去することにより、最終
的な4層基板330を得ることができる。
【0079】以上のように本実施の形態3によれば、支
持基材の周縁部における所定の位置に貫通させた認識マ
ークを形成し、各層の回路パターン形成時においては、
当該認識マークを覆い隠すことのないように絶縁性基材
及び金属箔を積層することにより、何層目を形成する場
合であっても常に認識マークの形状及び位置を認識する
ことができ、製造工程における温度変化等による寸法変
化量を正確に把握することができることから、これを基
準位置として次の層における回路パターンを形成するこ
とにより、回路パターン間における位置ズレが少なくな
り、電気的接続が安定し、製造歩留まりが向上する多層
回路基板の製造方法を提供することが可能となる。
【0080】
【発明の効果】以上のように本発明にかかる多層回路基
板の製造方法によれば、既に形成された認識マークの形
状や位置を読み取り、この読み取りデータに基づいて各
層における位置決めを行い、回路パターンを形成してい
く方法であるため、各層における回路パターンの位置ズ
レを少なくすることができ、製造歩留まりが向上し、生
産性に優れた多層回路基板の製造方法を提供することが
可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の実施の形態1にかかる多層回路基板
の製造方法を示す工程断面図
【図2】 本発明の実施の形態2にかかる多層回路基板
の製造方法を示す工程断面図
【図3】 本発明の実施の形態3にかかる多層回路基板
の製造方法を示す工程断面図
【図4】 従来の両面回路基板の製造方法を示す工程断
面図
【図5】 従来の4層基板の製造方法を示す工程断面図
【符号の説明】
102、202、302、402、502 導電ペース
ト 403 貫通孔(ビア孔) 103、203、303 非貫通孔(ビア孔) 104、204、304、404、504 金属箔 106、206、306、401 絶縁性基材 408、512 マスク位置決め孔 109、209、309、405 離型フィルム 110、210、310 絶縁基材合成体 107、117、127、137、207、217、2
27、237、307、317、327、337、40
7a、407b、507a、507b 回路パターン 410 両面回路基板 108、208、308 接着剤層 112、122、132、212、312 認識マーク 114、214、314 認識装置 120、220、320 支持基材 130、230、330 4層基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H05K 1/11 H05K 1/11 N 3/00 3/00 N P Q 3/40 3/40 K // B23K 101:42 B23K 101:42 Fターム(参考) 3C060 AA11 BA05 4E068 AF00 DA11 5E317 AA24 BB12 CC25 CD27 CD32 GG14 GG16 5E346 AA05 AA06 AA12 AA15 AA16 AA22 AA32 AA43 AA51 CC10 CC32 CC39 DD02 DD12 DD32 EE06 EE07 EE09 EE13 EE15 EE17 EE31 EE37 FF01 FF18 GG15 GG18 GG19 GG22 GG28 HH31

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 選択して除去可能な支持基材の表面に、
    導電体で形成される所望の第1の回路パターンと第1の
    認識マークを形成する第1の工程と、 絶縁性基材の両面に接着剤層を形成し、一方の面におけ
    る前記接着剤層を前記支持基材における前記第1の回路
    パターンに重ね合わせ、前記接着剤層の硬化温度より低
    い温度で加圧加熱することにより仮止め積層固定する第
    2の工程と、 電気的接続を行う部分に前記支持基材の反対側からレー
    ザを照射し、前記第1の回路パターンの表面まで到達す
    る非貫通孔を形成する第3の工程と、 前記非貫通孔に導電性ペーストを充填する第4の工程
    と、 他方の面の前記接着剤層に、金属箔を前記支持基材に位
    置決めして重ね、前記接着剤層の硬化温度で加圧加熱す
    ることにより積層固定する第5の工程と、 前記金属箔の上面にフォトレジスト層を形成した後、前
    記第1の認識マークが露出するように開口部を設ける第
    6の工程と、 前記第1の認識マークの形状及び位置を認識することで
    位置決めを行い、前記金属箔を用いて所望の第2の回路
    パターンと次層を生成する時に使用する第2の認識マー
    クを形成する第7の工程と、 前記第2の認識マークを前記第1の認識マークとして、
    かつ前記第2の回路パターンを前記第1の回路パターン
    として、第2の工程から第7の工程までを繰り返し実行
    し、必要積層数の前記第2の回路パターンを形成する第
    8の工程と、 前記第1の回路パターンを形成している部分を残して前
    記支持基材を選択して除去する第9の工程とを含むこと
    を特徴とする多層回路基板の製造方法。
  2. 【請求項2】 選択して除去可能な支持基材の裏面に非
    貫通の認識マークを所定の位置に形成した後、前記認識
    マークの形状及び位置を認識することで位置決めを行
    い、前記支持基材の表面に導電体により形成される所望
    の第1の回路パターンを形成する第1の工程と、 絶縁性基材の両面に接着剤層を形成し、一方の面におけ
    る前記接着剤層を前記支持基材における前記第1の回路
    パターンに重ね合わせ、前記接着剤層の硬化温度より低
    い温度で加圧加熱することにより仮止め積層固定する第
    2の工程と、 電気的接続を行う部分に前記支持基材と反対側からレー
    ザを照射し、前記第1の回路パターンの表面まで到達す
    る非貫通孔を形成する第3の工程と、 前記非貫通孔に導電性ペーストを充填する第4の工程
    と、 他方の面の前記接着剤層に、金属箔を前記支持基材に位
    置決めして重ね、前記接着剤層の硬化温度で加圧加熱す
    ることにより積層固定する第5の工程と、 前記金属箔の上面にフォトレジスト層を形成した後、前
    記認識マークの形状及び位置を認識することで位置決め
    を行い、前記金属箔を用いて所望の第2の回路パターン
    を形成する第6の工程と、 前記第2の回路パターンを前記第1の回路パターンとし
    て、第2の工程から第6の工程までを繰り返し実行し、
    必要積層数の前記第2の回路パターンを形成する第7の
    工程と、 前記第1の回路パターンを形成している部分を残して前
    記支持基材を選択して除去する第8の工程とを含むこと
    を特徴とする多層回路基板の製造方法。
  3. 【請求項3】 選択して除去可能な支持基材に貫通させ
    た認識マークを、前記支持基材の周縁部における所定の
    位置に形成した後、前記認識マークの形状及び位置を認
    識することで位置決めを行い、前記支持基材の表面に導
    電体で形成される所望の第1の回路パターンを形成する
    第1の工程と、 前記認識マークを覆い隠すことのない形状及び大きさを
    有する絶縁性基材の両面に接着剤層を形成し、一方の面
    における前記接着剤層を前記支持基材における前記第1
    の回路パターンに前記認識マークを覆い隠さないように
    重ね合わせ、前記接着剤層の硬化温度より低い温度で加
    圧加熱することにより仮止め積層固定する第2の工程
    と、 電気的接続を行う部分に前記支持基材と反対側からレー
    ザを照射し、前記第1の回路パターンの表面まで到達す
    る非貫通孔を形成する第3の工程と、 前記非貫通孔に導電性ペーストを充填する第4の工程
    と、 他方の面の前記接着剤層に、前記認識マークを覆い隠す
    ことのない形状及び大きさを有する金属箔を前記支持基
    材に位置決めして重ね合わせ、前記接着剤層の硬化温度
    で加圧加熱することにより積層固定する第5の工程と、 前記金属箔の上面にフォトレジスト層を形成した後、前
    記認識マークの形状及び位置を認識することで位置決め
    を行い、前記金属箔を用いて所望の第2の回路パターン
    を形成する第6の工程と、 前記第2の回路パターンを前記第1の回路パターンとし
    て、第2の工程から第6の工程までを繰り返し実行し、
    必要積層数の前記第2の回路パターンを形成する第7の
    工程と、 前記第1の回路パターンを形成している部分を残して前
    記支持基材を選択して除去する第8の工程とを含むこと
    を特徴とする多層回路基板の製造方法。
  4. 【請求項4】 前記第1の認識マーク及び前記第2の認
    識マークを形成する手段が、レーザ加工、ドリル加工及
    びエッチング加工のうち、少なくとも一つである請求項
    1記載の多層回路基板の製造方法。
  5. 【請求項5】 前記認識マークを形成する手段が、レー
    ザ加工、ドリル加工及びエッチング加工のうち、少なく
    とも一つである請求項2又は3に記載の多層回路基板の
    製造方法。
  6. 【請求項6】 前記第1の認識マーク及び前記第2の認
    識マークの形状及び位置を認識する手段がCCDカメラ
    である請求項1記載の多層回路基板の製造方法。
  7. 【請求項7】 前記認識マークの形状及び位置を認識す
    る手段がCCDカメラである請求項2又は3に記載の多
    層回路基板の製造方法。
  8. 【請求項8】 前記第1の認識マーク及び前記第2の認
    識マークを複数個設ける請求項1記載の多層回路基板の
    製造方法。
  9. 【請求項9】 前記認識マークを複数個設ける請求項2
    又は3に記載の多層回路基板の製造方法。
  10. 【請求項10】 前記絶縁性基材が、ポリイミドフィル
    ム、液晶ポリマフィルム、アラミドフィルムのうち少な
    くとも一つの材料である請求項1から3のいずれか一項
    に記載の多層回路基板の製造方法。
  11. 【請求項11】 前記絶縁性基材の前記接着剤層が半硬
    化状態の有機樹脂である請求項1から3のいずれか一項
    に記載の多層回路基板の製造方法。
  12. 【請求項12】 前記非貫通孔が、前記第1の回路パタ
    ーンの位置及び形状を認識して設けられる請求項1から
    3のいずれか一項に記載の多層回路基板の製造方法。
  13. 【請求項13】 前記導電ペーストの導電物質がCu、
    Ag及びこれらの合金のうち少なくとも一つの金属粉末
    を含む請求項1から3、又は12のいずれか一項に記載
    の多層回路基板の製造方法。
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