JP2003107426A - 液晶表示装置の駆動方法 - Google Patents
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Abstract
の液晶表示素子を備えた液晶表示装置を高速応答するよ
うに駆動する駆動方法を提供する。 【解決手段】ホモジニアス配向型のアクティブマトリッ
クス液晶表示素子の電極間に、前記液晶分子を前記基板
面に対して略垂直に立上り配向させるリセット電圧を印
加し、その後、前記電極間に書込みデータに応じた書込
み電圧を印加する。
Description
向型の液晶表示素子を備えた液晶表示装置の駆動方法に
関するものである。
型の液晶表示素子を用いたものが知られている。
は、液晶分子が一方の方向に沿ってホモジニアス配向し
た液晶層を挟んで対向する一対の基板の内面にそれぞれ
電極が設けられ、前記一対の基板の外側にそれぞれ偏光
板が配置された構成のものであり、前記電極間に印加さ
れる電圧に応じた液晶分子の立上り角の変化により光の
透過率を制御して表示する。
アス配向型の液晶表示素子は、応答速度が極端に遅い。
表示素子を備えた液晶表示装置は、高デューティで駆動
する場合、フレーム周波数が低くなり、画像のちらつき
が生じ、また動画の表示が困難であった。
示素子を備えた液晶表示装置を高速応答するように駆動
することができる駆動方法を提供することを目的とした
ものである。
一方の方向に沿ってホモジニアス配向した液晶層を挟ん
で対向する一対の基板のうち、一方の基板内面に、行方
向および列方向にマトリックス状に配列する複数の画素
電極と、前記複数の画素電極にそれぞれ接続された複数
のTFT(薄膜トランジスタ)と、各行のTFTにそれ
ぞれゲート信号を供給する複数のゲート配線と、各列の
TFTにそれぞれデータ信号を供給する複数のデータ配
線とが設けられ、他方の基板の内面に、前記複数の画素
電極に対向する対向電極が設けられた液晶表示素子を備
えた液晶表示装置の駆動する方法において、前記液晶表
示素子の電極間に、前記液晶分子を前記基板面に対して
略垂直に立上り配向させるリセット電圧を印加し、その
後、前記電極間に書込みデータに応じた書込み電圧を印
加することを特徴とするものである。
晶表示素子の電極間に書込み電圧を印加する前に、前記
液晶分子を略垂直に立上った状態に配向させるリセット
電圧を前記電極間に印加し、前に印加された書込み電圧
に応じた配向状態にある液晶分子を基板面に対して略垂
直に立上り配向させ、その後に前記電極間に前記書込み
データに応じた書込み電圧を印加することにより、前記
液晶分子を、前記略垂直に立上り配向した状態から書込
み電圧に応じた配向状態に挙動させるようにしたもので
あり、このようにすることにより、液晶分子が基板面と
平行に配向している場合に比べて、前記液晶分子が基板
面に垂直に立って配向下場合の方が前記基板面と液晶分
子との間に働く力が弱い範囲で液晶分子を挙動させるの
で、電圧の印加に対する応答速度を充分に速くすること
ができる。
の電極間に前記リセット電圧を印加した後に、前記電極
間に書込みデータに応じた書込み電圧を印加するもので
あるが、前記リセット電圧は、液晶分子を基板面に対し
て略垂直に立上り配向させる高い電圧であり、このリセ
ット電圧の電圧値は高いので応答速度は速く、前記リセ
ット電圧の印加時間は極く短くてよい。
ば、ホモジニアス配向型の液晶表示素子を備えた液晶表
示装置を、高速度で応答させて駆動することができ、高
デューティ駆動が可能になる。
モジニアス配向型液晶表示素子の電極間に、液晶分子を
基板面に対して略垂直に立上り配向させるリセット電圧
を印加し、その後、前記電極間に書込みデータに応じた
書込み電圧を印加することにより、前記ホモジニアス配
向型液晶表示素子を備えた液晶表示装置を高速度で応答
させて駆動することができるようにしたものである。
ト電圧は、書込みデータに応じた書込み電圧のうち、最
も高い書込み電圧と同じ値の電圧が好ましい。
示素子の後側に複数の色の光を前記液晶表示素子に向け
て順次出射する光源が配置されたフィールドシーケンシ
ャル液晶表示装置の駆動に好適であり、その場合は、前
記液晶表示素子の電極間に前記リセット電圧を印加し、
その後、前記電極間に前記複数の色のうちの1つの色を
表示するための書込みデータに応じた書込み電圧を印加
するとともに、前記書込み電圧の印加後に、前記書込み
データに対応する色の光を前記光源から出射させればよ
い。
〜図5を参照して説明する。
により駆動する液晶表示装置を示しており、図1は前記
液晶表示装置の一部分の断面図、図2は前記液晶表示装
置のホモジニアス配向型液晶表示素子の一方の基板に設
けられた画素電極と薄膜トランジスタとゲート配線およ
びデータ配線の等価回路的平面図である。
シャル液晶表示装置であり、液晶表示素子1の後側に、
複数の色、例えば赤、緑、青の3色の光を前記液晶表示
素子1に向けて順次出射する面光源15が配置されてい
る。
型のものであり、図2に示したように、液晶分子が一方
の方向に沿ってホモジニアス配向した液晶層2を挟んで
対向する前後一対の透明基板3,4の内面にそれぞれ透
明電極5,6が設けられ、前記一対の基板3,4の外側
にそれぞれ偏光板12,13が配置されるとともに、前
記一対の基板3,4のいずれか、例えば光の出射側(表
示の観察側)である前側の基板3と、この前側基板3の
外側に配置された偏光板12との間に位相差板14が配
置されている。
膜トランジスタ)7を能動素子とするアクティブマトリ
ックス型のものであり、図1および図2に示したよう
に、前記一対の基板3,4のうち、一方の基板、例えば
光の入射側である後側の基板4の内面に、行方向および
列方向にマトリックス状に配列する複数の画素電極6
と、前記複数の画素電極6にそれぞれ接続された複数の
TFT7と、各行のTFT7にそれぞれゲート信号を供
給する複数のゲート配線8と、各列のTFT7にそれぞ
れデータ信号を供給する複数のデータ配線9とが設けら
れ、他方の基板、例えば光の出射側である前側の基板3
の内面に、前記複数の画素電極6に対向する一枚膜状の
対向電極5が設けられている。
示しているが、前記TFT7は、アモルファスシリコン
薄膜を用いた薄膜トランジスタ、或いはポリシリコン薄
膜を用いた薄膜トランジスタであって、アモルファスシ
リコン薄膜を用いた薄膜トランジスタの場合、前記TF
T7は、後側基板4上に形成されたゲート電極と、この
ゲート電極を覆って前記後側基板4上の略全体に形成さ
れた透明なゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜の上に前
記ゲート電極と対向させて形成されたi型半導体膜と、
このi型半導体膜の両側部の上にn型半導体膜を介して
形成されたソース電極およびドレイン電極とからなって
いる。
配線9を省略しているが、前記ゲート配線8は、後側基
板4上に前記TFT7のゲート電極と一体に形成され、
前記データ配線9は、前記ゲート絶縁膜の上に形成され
て前記TFT7のドレイン電極に接続されており、また
前記画素電極6は、前記ゲート絶縁膜の上に形成されて
前記TFT6のソース電極に接続されている。
にはそれぞれ、水平配向膜10,11が設けられてお
り、これらの配向膜10,11は、互いに略平行で且つ
互いに逆方向に配向処理されている。
縁部において、図示しない枠状シール材を介して接合さ
れており、これらの基板3,4間の前記シール材により
囲まれた領域に、正の誘電異方性を有するネマティック
液晶が充填され、その液晶分子が、基板3,4面(配向
膜10,11面)に対して予め定めたプレチルト角に傾
いた状態で、前記配向膜10,11の配向処理方向に沿
ってホモジニアス配向している。
された前側および後側の偏光板12,13は、その透過
軸を前記液晶分子のホモジニアス配向方向(配向膜1
0,11の配向処理方向)に対して略45°の方向に合
わせるとともに、それぞれの透過軸を互いに略直交させ
て配置されている。
トラストを高くするとともに視野角を広くするために設
けられており、この位相差板14は、その遅相軸を前記
液晶分子のホモジニアス配向方向と略直交させて配置さ
れている。
は、高い書込み電圧を印加したときの応答速度は速い
が、書込み電圧を低電圧域内で変化させたときの応答速
度が極端に遅い。
子1の電圧−透過率特性図であり、ここでは、液晶層厚
dを1.5μm、Δnd(液晶の屈折率異方性Δnと液
晶層厚dとの積)の値を300nm、位相差板14の位
相差(リタデーション)を25nmに設定したノーマリ
ーホワイトモードの液晶表示素子の電極5,6間に、透
過率をT1〜T9の9階調に制御するための9階調の書
込み電圧V1〜V9を印加したときの特性を示してい
る。
のうち、最も低い電圧V9は、液晶分子を基板3,4面
に対して初期のプレチルト角でホモジニアス配向させる
値の電圧、最も高い電圧V1は、前記液晶分子が基板
3,4面に対して略垂直に立上り配向させる値の電圧で
ある。
ドのホモジニアス配向型液晶表示素子1の電極5,6間
に前記9階調の書込み電圧V1〜V9のうちのいずれか
の値の電圧を印加し、次いで前記電極5,6間に前記9
階調の書込み電圧V1〜V9のうちの他の値の電圧を印
加したときの各階調間の応答時間を示しており、表にお
いて、前電圧V1〜V9は、前に印加した書込み電圧、
後電圧V1〜V9は、後に印加した書込み電圧である。
5,6間に印加される書込み電圧の波形と透過率の変化
を示しており、表1の各階調間の応答時間は、図4に示
したように、書込み電圧に対応する透過率を100%と
したときの、書込み電圧の印加開始時から前記透過率が
90%になるまでの時間である。
向型液晶表示素子1の各階調間の応答時間は、例えば、
前電圧がV5、後電圧がV1のときで0.48mse
c、前電圧がV5、後電圧がV6のときで4.67ms
ecである。なお、前記各階調間の応答時間のうち、最
も応答時間が長いのは、前電圧がV9、後電圧がV8の
ときであり、このときの応答時間は9.90msecで
ある。
素子1は、高い書込み電圧を印加したときの応答時間は
短く、したがって応答速度が速いが、書込み電圧を低電
圧域内で変化させたときの応答時間が極端に長く、した
がって応答速度が極端に遅い。
液晶分子の相互力(ホモジニアス配向しようとする力)
と、電界により立上がり配向しようとする力との相反す
る方向の力が働くためであり、高い電圧を印加したとき
は、液晶分子が配向膜10,11の膜面に対して大きい
角度で傾いているため、前記相互力が電界により立上が
り配向させる力に比べて相対的に弱くなり、液晶分子が
印加電圧に応じて動きやすくなるため、応答速度が速い
が、印加電圧を低い電圧値の範囲で変化させたときは、
液晶分子が配向膜の膜面と略平行に配向膜しているた
め、前記相互力が電界により立上がり配向させる力に比
べて相対的に強くなるため、応答速度が遅くなる。
素子1を備えた液晶表示装置は、従来、TN(ツイステ
ッドネマティック)型液晶表示素子を備えた液晶表示装
置の駆動と同様に、前記液晶表示素子1の各行の画素を
順次選択し、各行の画素の選択期間毎に、その行の画素
の電極5,6間に書込みデータに応じた書込み電圧を印
加することにより駆動されているが、このような駆動方
法では、各行の画素の選択期間を、表1の各階調間の応
答時間のうちの最も長い応答時間(9.90msec)
以上に設定しなければならないため、高デューティで駆
動することができないそのため、この実施例では、前記
ホモジニアス配向型液晶表示素子1の電極5,6間に、
液晶分子を基板3,4面に対して略垂直に立上り配向さ
せるリセット電圧を印加し、その後、前記電極5,6間
に書込みデータに応じた書込み電圧を印加することによ
り、前記ホモジニアス配向型液晶表示素子1を印加電圧
に対して高速度で応答させ、このホモジニアス配向型液
晶表示素子1を備えた液晶表示装置を高デューティで駆
動できるようにしている。
ホモジニアス配向型液晶表示素子1の電極5,6間に書
込み電圧を印加する前に、前記電極5,6間に前記リセ
ット電圧を印加するにより、前に印加された書込み電圧
に応じた配向状態にある液晶分子を基板3,4面に対し
て略垂直に立上り配向させて前の書込み状態をリセット
し、その後に前記電極5,6間に前記書込みデータに応
じた書込み電圧を印加することにより、前記液晶分子
を、前記略垂直に立上り配向した状態から前記リセット
電圧の印加後に印加された書込み電圧に応じた配向状態
に挙動させるようにしたものであり、このようにするこ
とにより、液晶分子が主に、配向膜10,11面に対し
て大きい角度で配向された状態の、配向膜10,11と
の相互力が弱い範囲で挙動するため、前記書込み電圧を
低電圧域内で変化させるときの応答速度を充分に速くす
ることができる。
1の電極5,6間に前記リセット電圧を印加した後に、
前記電極5,6間に書込みデータに応じた書込み電圧を
印加するものであるが、前記リセット電圧は、液晶分子
を基板3,4面に対して略垂直に立上り配向させる高い
電圧であり、このリセット電圧の電圧値は高いから応答
速度は非常に速いため、前記リセット電圧の印加時間は
極く短くてよい。
ホモジニアス配向型液晶表示素子1を備えた液晶表示装
置を、高速度で且つ高デューティで駆動することができ
る。
は、書込みデータに応じた書込み電圧のうちの最も高い
書込み電圧、例えば上述した9階調の書込み電圧V1〜
V9のうちの最も高い書込み電圧V1と同じ値の電圧が
好ましく、このようにすることにより、前記リセット電
圧を、新たにリセット電圧発生手段を設けることなく、
既存の書込み電圧発生手段を利用して得ることができ
る。
電極5,6間に、前記最も高い書込み電圧V1と同じ値
のリセット電圧を印加し、その後に書込み電圧を印加し
たときの前記書込み電圧に対する応答時間は、表1の前
電圧がV1のときの応答時間と同じであり、そのうち、
最も長い応答時間は、書込み電圧V8を印加したときの
3.55msecであるため、前記液晶表示素子1の各
行の画素の電極5,6への書込み電圧の印加時間は、
3.55msec以上に設定すればよい。
込み電圧V1と同じ値の電圧にしたときの前記リセット
電圧に対する応答時間は、表1の後電圧がV1のときの
応答時間と同じであり、そのうち、最も長い応答時間
は、前電圧がV9のときの0.88msecであるた
め、前記液晶表示素子1の各行の画素の電極5,6への
前記リセット電圧の印加時間は、0.88msec以上
に設定すればよい。
選択期間毎に印加してもよいが、各行の画素の選択期間
とは別に、全ての行の画素の書込み状態を一括してリセ
ットするリセット期間を確保し、そのリセット期間に全
ての行の画素の電極5,6間に前記リセット電圧を印加
するのが好ましい。
の選択期間毎に印加する場合は、各行の画素の選択期間
を、前記リセット電圧に対する最も長い応答時間(0.
88msec)と、前記書込み電圧に対する最も長い応
答時間(3.55msec)との両方を加算した時間
(4.43msec)以上に設定すればよい。
した従来の駆動方法による選択期間(9.90msec
以上)に比べて1/2以下であり、したがって、従来の
駆動方法に比べて高速で応答し、1フレームの時間を短
くして高いデューティで駆動することができる。
素の電極5,6間に、液晶分子を基板3,4面に対して
略垂直に立上り配向させるリセット電圧を一括して印加
し、その後に各行の画素の電極5,6間に順次書込みデ
ータに応じた書込み電圧を印加する場合は、各行の画素
の選択期間を、前記書込み電圧に対する最も長い応答時
間(3.55msec)以上に設定し、前記各行の画素
の選択期間とは別に、前記リセット電圧に対する最も長
い応答時間(0.88msec)以上の一括リセット期
間を確保すればよく、したがって、各行の画素の選択期
間毎にリセット電圧を印加する場合よりも、さらに1フ
レームの時間を短くすることができ、高いデューティで
駆動することができる。
各画素行のうちの最初に選択する画素行の選択期間の前
に、全てのゲート配線8に同時にゲート信号を供給する
とともに、全てのデータ配線9にリセット信号を供給す
ることにより、全ての行の画素の書込み状態を一括して
リセットし、その後、各ゲート配線8に順次ゲート信号
を供給し、それに同期して各データ配線9にデータ信号
を供給することにより、各画素行を順次選択して書込み
を行なえばよい。
シャル液晶表示装置を上記一括リセットにより駆動する
場合の駆動方法を示す、前記ホモジニアス配向型液晶表
示素子1の第1行および最終行の画素の電極間印加電圧
と、光源駆動信号の波形図であり、この実施例では、1
フレーム中の赤、緑、青の各色の画像を順次表示するた
めの第1,第2,第3の各フィールドの初期をそれぞ
れ、前記液晶表示素子1の各行の画素の書込み状態を一
括してリセットするためのリセット期間とし、前記各フ
ィールドの前記リセット期間の後に、前記液晶表示素子
1の各行の画素に前記赤、緑、青のうちの1つの色に対
応する書込みデータを順次書込むための書込み期間を確
保するとともに、前記各フィールドの終期に、前記光源
15から前記書込みデータに対応する色の光の出射させ
る光源点灯期間を確保している。
前記書込み期間の最後に選択された行の画素の液晶分子
が電極5,6間に印加された書込み電圧に応じて配向す
るまでの時間を経過した後に点灯させ、次のフィールド
のリセット期間の直前に消灯させるようにしている。
に示したように、赤、緑、青の各色の画像を順次表示す
るための第1,第2,第3の各フィールド毎に、まず前
記液晶表示素子1の全ての行の画素の電極5,6間にリ
セット電圧(9階調の書込み電圧V1〜V9のうちの最
も高い書込み電圧V1と同じ値の電圧)を印加すること
により全ての行の画素の書込み状態を一括してリセット
し、その後の書込み期間に、前記液晶表示素子1の各行
の画素の電極5,6間に順次、赤、緑、青のうちの1つ
の色の書込みデータに応じた書込み電圧(9階調の書込
み電圧V1〜V9のうちのいずれかの電圧)を印加する
ことにより、各行の画素への書込みを行ない、その後
に、前記書込みデータに対応する色の光を前記光源15
から出射させるものであり、各フィールド毎に赤、緑、
青の単色画像を順次表示させ、これらの単色画像が合成
されたフルカラー画像を表示させる。
1の各行の画素の選択期間を、前記リセット電圧の印加
後に印加する書込み電圧に対する応答時間のうちの最も
長い応答時間以上に設定し、前記各行の画素の選択期間
とは別に、前記リセット電圧に対する最も長い応答時間
以上の一括リセット期間を確保すればよく、また、前記
リセット電圧の印加後に書込み電圧を印加したときの前
記書込み電圧に対する応答時間は、前記リセット電圧を
印加せずに書込み電圧を印加したときの応答時間に比べ
てはるかに短いため、各フィールドに要する時間が短
く、1フィールドの期間も短くなり、高デューティの前
記フィールドシーケンシャル液晶表示装置をちらつきが
無く駆動することができ、また動画の表示が可能にな
る。
期にリセット期間を確保しているが、前記リセット期間
を各フィールドの光源点灯期間の後に確保し、そのフィ
ードの書込み状態を次のフィールドの書込み期間の前に
リセット電圧を印加するようにしてもよい。
各行の画素の書込み状態を一括してリセットしている
が、前記書込み状態のリセットは、各行の画素毎に、そ
の書込み期間の前または光源点灯期間の後に行なっても
よい。
9階調の書込み電圧V1〜V9のうちの最も高い書込み
電圧V1と同じ値の電圧としたが、リセット電圧は、液
晶分子を基板面に対して略垂直に立上り配向させる高い
電圧であれば、前記最も高い書込み電圧V1より高い値
の電圧でも、あるいは前記最も高い書込み電圧V1より
低い値の電圧でもよい。
ス配向型液晶表示素子を備えたフィールドシーケンシャ
ル液晶表示装置に限らず、ホモジニアス配向型液晶表示
素子を備えた他の液晶表示装置の駆動にも適用すること
ができる。
ホモジニアス配向型液晶表示素子の電極間に、前記液晶
分子を前記基板面に対して略垂直に立上り配向させるリ
セット電圧を印加し、その後、前記電極間に書込みデー
タに応じた書込み電圧を印加するものであるため、前記
ホモジニアス配向型液晶表示素子を高速で応答させるこ
とができ、高デューティで駆動されるホモジニアス配向
型液晶表示素子を備えた液晶表示装置を、ちらつきが無
く駆動することができ、また動画の表示が可能になる。
ト電圧は、書込みデータに応じた書込み電圧のうち、最
も高い書込み電圧と同じ値の電圧が好ましく、このよう
にすることにより、前記リセット電圧を、新たにリセッ
ト電圧発生手段を設けることなく、既存の書込み電圧発
生手段を利用して得ることができる。
ホモジニアス配向型液晶表示素子の後側に複数の色の光
を前記液晶表示素子に向けて順次出射する光源が配置さ
れたフィールドシーケンシャル液晶表示装置の駆動に好
適であり、その場合は、前記複数の色のうちの1つの色
を表示する1フィールド毎に、前記液晶表示素子の電極
間に前記リセット電圧を印加し、その後、前記電極間に
前記複数の色のうちの1つの色を表示するための書込み
データに応じた書込み電圧を印加するとともに、前記書
込み電圧の印加後に、前記書込みデータに対応する色の
光を前記光源から出射させることにより、高速応答が要
求される前記フィールドシーケンシャル液晶表示装置を
駆動することができる。
分の断面図。
示素子の一方の基板に設けられた画素電極と薄膜トラン
ジスタとゲート配線およびデータ配線の等価回路的平面
図。
透過率特性図。
に印加される書込み電圧の波形と透過率の変化を示す
図。
シャル液晶表示装置の駆動に適用した実施例を示す前記
ホモジニアス配向型液晶表示素子の第1行および最終行
の画素の電極間印加電圧と光源駆動信号の波形図。
Claims (3)
- 【請求項1】液晶分子が一方の方向に沿ってホモジニア
ス配向した液晶層を挟んで対向する一対の基板のうち、
一方の基板内面に、行方向および列方向にマトリックス
状に配列する複数の画素電極と、前記複数の画素電極に
それぞれ接続された複数の薄膜トランジスタと、各行の
薄膜トランジスタにそれぞれゲート信号を供給する複数
のゲート配線と、各列の薄膜トランジスタにそれぞれデ
ータ信号を供給する複数のデータ配線とが設けられ、他
方の基板の内面に、前記複数の画素電極に対向する対向
電極が設けられた液晶表示素子を備えた液晶表示装置の
駆動方法において、 前記液晶表示素子の電極間に、前記液晶分子を前記基板
面に対して略垂直に立上り配向させるリセット電圧を印
加し、その後、前記電極間に書込みデータに応じた書込
み電圧を印加することを特徴とする液晶表示装置の駆動
方法。 - 【請求項2】リセット電圧は、書込みデータに応じた書
込み電圧のうち、最も高い書込み電圧と同じ値の電圧で
あることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置の
駆動方法。 - 【請求項3】液晶表示素子の後側に複数の色の光を前記
液晶表示素子に向けて順次出射する光源が配置されてお
り、前記液晶表示素子の電極間にリセット電圧を印加
し、その後、前記電極間に前記複数の色のうちの1つの
色の画像を表示するための書込みデータに応じた書込み
電圧を印加するとともに、前記書込み電圧の印加後に、
前記書込みデータに対応する色の光を前記光源から出射
させることを特徴とする請求項1または2に記載の液晶
表示装置の駆動方法。
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