JP2003100942A - 半導体装置 - Google Patents
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- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
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- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高密度実装が可能なパッケージを実現するこ
とのできる技術を提供する。 【解決手段】 パッケージ基板1のチップ搭載面1aに
半導体チップSC1〜SC3の一部表面を向き合わせて搭
載し、さらに、半導体チップSC1〜SC3の傘の下に各
種部品6,7または引き回し配線などを設ける。
とのできる技術を提供する。 【解決手段】 パッケージ基板1のチップ搭載面1aに
半導体チップSC1〜SC3の一部表面を向き合わせて搭
載し、さらに、半導体チップSC1〜SC3の傘の下に各
種部品6,7または引き回し配線などを設ける。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置に関
し、特に、半導体装置のパッケージング技術に適用して
有効な技術に関する。
し、特に、半導体装置のパッケージング技術に適用して
有効な技術に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体製品の高速化、高密度実装の要求
から、1990年代半ばにはボール格子端子(ball gri
d array:BGA)型パッケージによる表面実装技術が
開発され、現在では、チップ・サイズとほぼ同等で、か
つパッケージの機能を備えた様々な構造のCSP(chip
size package)が実用化されている。
から、1990年代半ばにはボール格子端子(ball gri
d array:BGA)型パッケージによる表面実装技術が
開発され、現在では、チップ・サイズとほぼ同等で、か
つパッケージの機能を備えた様々な構造のCSP(chip
size package)が実用化されている。
【0003】さらに、ウエハ状態のまま作られる半導体
チップと同じサイズのパッケージ、すなわちウエハ・レ
ベルCSPの量産も各社各様の構造で始められており、
製造コストの低減も可能とするパッケージの小型化が図
られている。
チップと同じサイズのパッケージ、すなわちウエハ・レ
ベルCSPの量産も各社各様の構造で始められており、
製造コストの低減も可能とするパッケージの小型化が図
られている。
【0004】なお、CSPを含めた半導体パッケージの
動向に関しては、たとえば日刊工業新聞社発行「CSP
/BGA技術」1998年5月28日発行、春日壽夫編
著、P1〜P24などに記載されている。また、ウエハ
・レベルCSPに関しては、たとえば日経BP社発行
「日経マイクロデバイス」1998年8月号、P44〜
P71などに記載されている。
動向に関しては、たとえば日刊工業新聞社発行「CSP
/BGA技術」1998年5月28日発行、春日壽夫編
著、P1〜P24などに記載されている。また、ウエハ
・レベルCSPに関しては、たとえば日経BP社発行
「日経マイクロデバイス」1998年8月号、P44〜
P71などに記載されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来のパッ
ケージでは、1つの実装基板上に1つの半導体チップ、
または複数の半導体チップが搭載されるが、半導体チッ
プの全表面または全裏面が実装基板と向き合う構造であ
るため、実装基板の面積は半導体チップの実装面積より
も大きくなる。しかしながら、一般の民生用機器におい
ては小型、軽量のパッケージが積極的に採用され始めて
おり、小型、軽量の差別化戦略から高密度実装技術の開
発要求がますます強くなっている。
ケージでは、1つの実装基板上に1つの半導体チップ、
または複数の半導体チップが搭載されるが、半導体チッ
プの全表面または全裏面が実装基板と向き合う構造であ
るため、実装基板の面積は半導体チップの実装面積より
も大きくなる。しかしながら、一般の民生用機器におい
ては小型、軽量のパッケージが積極的に採用され始めて
おり、小型、軽量の差別化戦略から高密度実装技術の開
発要求がますます強くなっている。
【0006】本発明の目的は、高密度実装が可能なパッ
ケージを実現することのできる技術を提供することにあ
る。
ケージを実現することのできる技術を提供することにあ
る。
【0007】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【0008】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
次のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
次のとおりである。
【0009】本発明は、半導体チップの一部表面と基板
のチップ搭載面とを向き合わせて基板上に複数の半導体
チップを搭載することにより、基板のチップ搭載面の面
積を基板上に搭載された半導体チップの総表面積とほぼ
同じかまたはそれよりも小さいパッケージを形成し、さ
らにこのパッケージをマザーボード上に搭載した際、半
導体チップの傘の下のマザーボード上に単体部品または
引き回し配線を配置するものである。
のチップ搭載面とを向き合わせて基板上に複数の半導体
チップを搭載することにより、基板のチップ搭載面の面
積を基板上に搭載された半導体チップの総表面積とほぼ
同じかまたはそれよりも小さいパッケージを形成し、さ
らにこのパッケージをマザーボード上に搭載した際、半
導体チップの傘の下のマザーボード上に単体部品または
引き回し配線を配置するものである。
【0010】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明す
るための全図において、同一の機能を有する部材には同
一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明す
るための全図において、同一の機能を有する部材には同
一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【0011】本実施の形態である半導体チップの実装技
術の一例を図1〜図4を用いて説明する。
術の一例を図1〜図4を用いて説明する。
【0012】図1は、パッケージ基板上に搭載された半
導体チップを示す概略上面図、図2は、パッケージ基板
上に搭載された半導体チップを示す概略正面図である。
導体チップを示す概略上面図、図2は、パッケージ基板
上に搭載された半導体チップを示す概略正面図である。
【0013】図1および図2に示すように、パッケージ
PKには、1つのパッケージ基板1のチップ搭載面1a
上にバンプ電極2を介在してフェースダウン(face dow
n)方式で3つの半導体チップSC1〜SC3が搭載され
ている。これら半導体チップSC1〜SC3は、たとえば
ウエハ・レベルCSPを例示することができる。しか
し、パッケージ基板1のチップ搭載面1aと向き合うの
は、半導体チップSC1〜SC3の一部表面である。これ
によりパッケージ基板1のチップ搭載面1aの面積を、
半導体チップSC1〜SC3の総表面積とほぼ同じかまた
はそれよりも小さくすることができる。
PKには、1つのパッケージ基板1のチップ搭載面1a
上にバンプ電極2を介在してフェースダウン(face dow
n)方式で3つの半導体チップSC1〜SC3が搭載され
ている。これら半導体チップSC1〜SC3は、たとえば
ウエハ・レベルCSPを例示することができる。しか
し、パッケージ基板1のチップ搭載面1aと向き合うの
は、半導体チップSC1〜SC3の一部表面である。これ
によりパッケージ基板1のチップ搭載面1aの面積を、
半導体チップSC1〜SC3の総表面積とほぼ同じかまた
はそれよりも小さくすることができる。
【0014】また、半導体チップSC1〜SC3の出力端
子は、半導体チップSC1〜SC3の表面の一部領域にま
とめて形成されており、この一部領域とパッケージ基板
1のチップ搭載面1aとを向き合わせることにより、パ
ッケージ基板1のチップ搭載面1aへの半導体チップS
C1〜SC3の搭載を可能としている。
子は、半導体チップSC1〜SC3の表面の一部領域にま
とめて形成されており、この一部領域とパッケージ基板
1のチップ搭載面1aとを向き合わせることにより、パ
ッケージ基板1のチップ搭載面1aへの半導体チップS
C1〜SC3の搭載を可能としている。
【0015】さらに、パッケージ基板1と半導体チップ
SC1〜SC3との間には絶縁樹脂3が充填されている。
また、たとえば250〜500μm程度の直径を有する
バンプ電極4を介在してパッケージPKはマザーボード
上に搭載される。
SC1〜SC3との間には絶縁樹脂3が充填されている。
また、たとえば250〜500μm程度の直径を有する
バンプ電極4を介在してパッケージPKはマザーボード
上に搭載される。
【0016】図3は、マザーボード上に搭載されたパッ
ケージおよび各種の単体部品を示す概略正面図である。
ケージおよび各種の単体部品を示す概略正面図である。
【0017】図3に示すように、マザーボード5上に前
記パッケージPKがバンプ電極4を介在して搭載されて
いる。さらに、マザーボード5上には各種の単体部品、
たとえばチップ部品6および面付け実装部品7が搭載さ
れている。これら部品6,7のマザーボード5表面から
の厚さ(t1,t2)は、パッケージ基板1の厚さ
(t 3)よりも薄く、パッケージ基板1に搭載された半
導体チップSC1〜SC3の傘の下に部品6,7を配置す
ることができる。さらに、図示はしないが、半導体チッ
プSC1〜SC3の傘の下のマザーボード5の表面に引き
出し配線を設けることができる。
記パッケージPKがバンプ電極4を介在して搭載されて
いる。さらに、マザーボード5上には各種の単体部品、
たとえばチップ部品6および面付け実装部品7が搭載さ
れている。これら部品6,7のマザーボード5表面から
の厚さ(t1,t2)は、パッケージ基板1の厚さ
(t 3)よりも薄く、パッケージ基板1に搭載された半
導体チップSC1〜SC3の傘の下に部品6,7を配置す
ることができる。さらに、図示はしないが、半導体チッ
プSC1〜SC3の傘の下のマザーボード5の表面に引き
出し配線を設けることができる。
【0018】図4は、パッケージおよび各種の単体部品
から構成されるモジュールを示す概略正面図である。
から構成されるモジュールを示す概略正面図である。
【0019】たとえば前記パッケージPKおよび部品
6,7を搭載したマザーボード5の表側(搭載部品側)
にケース8を設置し、マザーボード5の裏側に出力端子
となるバンプ電極9を設けることにより、小型で高機能
なモジュール10を実現することができる。
6,7を搭載したマザーボード5の表側(搭載部品側)
にケース8を設置し、マザーボード5の裏側に出力端子
となるバンプ電極9を設けることにより、小型で高機能
なモジュール10を実現することができる。
【0020】なお、本実施の形態では、パッケージ基板
1のチップ搭載面1a上に搭載される半導体チップの数
を3つ(半導体チップSC1〜SC3)としたが、これに
限定されず、2つまたは4つ以上の複数の半導体チップ
を搭載することもでき、さらに1つの半導体チップを搭
載する場合にも適用することができる。
1のチップ搭載面1a上に搭載される半導体チップの数
を3つ(半導体チップSC1〜SC3)としたが、これに
限定されず、2つまたは4つ以上の複数の半導体チップ
を搭載することもでき、さらに1つの半導体チップを搭
載する場合にも適用することができる。
【0021】また、マザーボード5上の半導体チップS
C1〜SC3の傘の下に配置される部品としてチップ部品
6および面付け実装部品7を例示したが、これらに限定
されるものではない。
C1〜SC3の傘の下に配置される部品としてチップ部品
6および面付け実装部品7を例示したが、これらに限定
されるものではない。
【0022】このように、本実施の形態によれば、パッ
ケージ基板1のチップ搭載面1aに半導体チップSC1
〜SC3の一部表面を向き合わせて搭載することによ
り、パッケージ基板1のチップ搭載面1aの面積を、半
導体チップSC1〜SC3の総表面積とほぼ同じかまたは
総表面積よりも小さくすることができる。
ケージ基板1のチップ搭載面1aに半導体チップSC1
〜SC3の一部表面を向き合わせて搭載することによ
り、パッケージ基板1のチップ搭載面1aの面積を、半
導体チップSC1〜SC3の総表面積とほぼ同じかまたは
総表面積よりも小さくすることができる。
【0023】また、パッケージPKをマザーボード5に
搭載した際、半導体チップSC1〜SC3の傘の下に各種
部品6,7または引き回し配線を設けることができるの
で、マザーボード5上に多くの製品が実装可能となり、
高密度実装化が可能となる。
搭載した際、半導体チップSC1〜SC3の傘の下に各種
部品6,7または引き回し配線を設けることができるの
で、マザーボード5上に多くの製品が実装可能となり、
高密度実装化が可能となる。
【0024】以上、本発明者によってなされた発明を発
明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は
前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を
逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでも
ない。
明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は
前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を
逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでも
ない。
【0025】たとえば、前記実施の形態では、半導体チ
ップをウエハ・レベルCSPとしたが、その他のパッケ
ージ、たとえばPBGA(plastic ball grid arra
y)、MCM(multi chip module)などを適用すること
ができる。
ップをウエハ・レベルCSPとしたが、その他のパッケ
ージ、たとえばPBGA(plastic ball grid arra
y)、MCM(multi chip module)などを適用すること
ができる。
【0026】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以
下のとおりである。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以
下のとおりである。
【0027】基板のチップ搭載面の面積を半導体チップ
の総表面積と同じかまたはそれよりも小さくすることが
できるので、高密度実装を可能とするパッケージを形成
することができる。
の総表面積と同じかまたはそれよりも小さくすることが
できるので、高密度実装を可能とするパッケージを形成
することができる。
【図1】本発明の一実施の形態であるパッケージ基板上
に搭載された半導体チップを示す概略上面図である。
に搭載された半導体チップを示す概略上面図である。
【図2】本発明の一実施の形態であるパッケージ基板上
に搭載された半導体チップを示す概略正面図である。
に搭載された半導体チップを示す概略正面図である。
【図3】本発明の一実施の形態であるマザーボード上に
搭載されたパッケージおよび各種部品を示す概略正面図
である。
搭載されたパッケージおよび各種部品を示す概略正面図
である。
【図4】本発明の一実施の形態であるパッケージおよび
各種部品から構成されるモジュールを示す概略正面図で
ある。
各種部品から構成されるモジュールを示す概略正面図で
ある。
1 パッケージ基板
1a チップ搭載面
2 バンプ電極
3 絶縁樹脂
4 バンプ電極
5 マザーボード
6 チップ部品
7 面付け実装部品
8 ケース
9 バンプ電極
10 モジュール
PK パッケージ
CS1 半導体チップ
CS2 半導体チップ
CS3 半導体チップ
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 中村 寿雄
東京都小平市上水本町5丁目22番1号 株
式会社日立超エル・エス・アイ・システム
ズ内
(72)発明者 市原 誠一
東京都小平市上水本町5丁目22番1号 株
式会社日立超エル・エス・アイ・システム
ズ内
(72)発明者 下石 智明
東京都小平市上水本町5丁目22番1号 株
式会社日立超エル・エス・アイ・システム
ズ内
(72)発明者 川窪 浩
東京都小平市上水本町5丁目22番1号 株
式会社日立超エル・エス・アイ・システム
ズ内
(72)発明者 佐々木 雅子
東京都小平市上水本町5丁目22番1号 株
式会社日立超エル・エス・アイ・システム
ズ内
Claims (4)
- 【請求項1】 半導体チップの一部表面と基板のチップ
搭載面とが向き合って、前記基板上に前記半導体チップ
が搭載されたパッケージを有することを特徴とする半導
体装置。 - 【請求項2】 半導体チップの一部表面と基板のチップ
搭載面とが向き合って、前記基板上に前記半導体チップ
が搭載されており、前記半導体チップの出力端子が、前
記半導体チップの表面の一部領域に集中配置されたパッ
ケージを有することを特徴とする半導体装置。 - 【請求項3】 半導体チップの一部表面と基板のチップ
搭載面とが向き合って、前記基板上に複数の前記半導体
チップが搭載されており、前記基板のチップ搭載面の面
積が、前記基板上に搭載された複数の前記半導体チップ
の総表面積とほぼ同じかまたはそれよりも小さいパッケ
ージを有することを特徴とする半導体装置。 - 【請求項4】 半導体チップの一部表面と基板のチップ
搭載面とが向き合って、前記基板上に前記半導体チップ
が搭載されたパッケージがマザーボード上に搭載されて
おり、前記半導体チップの傘の下のマザーボード上に単
体部品または引き回し配線が配置されていることを特徴
とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001286784A JP2003100942A (ja) | 2001-09-20 | 2001-09-20 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001286784A JP2003100942A (ja) | 2001-09-20 | 2001-09-20 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003100942A true JP2003100942A (ja) | 2003-04-04 |
Family
ID=19109701
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001286784A Withdrawn JP2003100942A (ja) | 2001-09-20 | 2001-09-20 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2003100942A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011086613A1 (ja) * | 2010-01-14 | 2011-07-21 | パナソニック株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2012109307A (ja) * | 2010-11-15 | 2012-06-07 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2015111735A (ja) * | 2015-03-05 | 2015-06-18 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
WO2017105421A1 (en) * | 2015-12-16 | 2017-06-22 | Intel Corporation | Dynamic random access memory (dram) mounts |
-
2001
- 2001-09-20 JP JP2001286784A patent/JP2003100942A/ja not_active Withdrawn
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011086613A1 (ja) * | 2010-01-14 | 2011-07-21 | パナソニック株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2011146519A (ja) * | 2010-01-14 | 2011-07-28 | Panasonic Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2012109307A (ja) * | 2010-11-15 | 2012-06-07 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
US9324663B2 (en) | 2010-11-15 | 2016-04-26 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device including a plurality of magnetic shields |
JP2015111735A (ja) * | 2015-03-05 | 2015-06-18 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
WO2017105421A1 (en) * | 2015-12-16 | 2017-06-22 | Intel Corporation | Dynamic random access memory (dram) mounts |
US10411001B2 (en) * | 2015-12-16 | 2019-09-10 | Intel Corporation | Dynamic random access memory (DRAM) mounts |
TWI706527B (zh) * | 2015-12-16 | 2020-10-01 | 美商英特爾公司 | 動態隨機存取記憶體(dram)安裝技術 |
US10861839B2 (en) | 2015-12-16 | 2020-12-08 | Intel Corporation | Dynamic random access memory (DRAM) mounts |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20081202 |