JP2003096559A

JP2003096559A - 成膜装置および成膜方法

Info

Publication number: JP2003096559A
Application number: JP2001288312A
Authority: JP
Inventors: Kazuo Kamiya; 一夫上谷; Kiyoshi Takeuchi; 清武内
Original assignee: Shin Meiva Industry Ltd
Current assignee: Shinmaywa Industries Ltd
Priority date: 2001-09-21
Filing date: 2001-09-21
Publication date: 2003-04-03

Abstract

(57)【要約】【課題】基材の構成物質が膜へ拡散するのを防止しつ
つ基材を効果的に加熱することができ、かつ装置の低価
格化および小型化を図ることが可能な成膜装置および成
膜方法を提供する。【解決手段】内部に対向するようにターゲット１２と
基材１３とが配置された成膜装置１００の真空チャンバ
１内にレーザ光分配装置１６を設けることにより、レー
ザ光発生器３から出射されたレーザ光２０を基材１３を
加熱するためのレーザ光２０ａとターゲット１２を蒸発
させるためのレーザ光２０ｂとに分配するものである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、成膜装置および成
膜方法に関し、特に、レーザビームをターゲットの蒸発
および基材の加熱に利用するものに関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の成膜装置として、薄膜形成材料か
らなるターゲットを真空チャンバ内に配置し、このター
ゲットにレーザ光を照射することにより薄膜形成材料を
蒸発させるとともにこれを成膜対象の基材表面に析出さ
せて薄膜を形成するように構成されたものがある。

【０００３】一方、特開平４−２１４００８号に開示さ
れた成膜装置においては、ターゲットにアプレーション
用レーザビームを照射してターゲットから飛散した粒子
を基材表面に堆積させ薄膜を基材表面に形成するととも
に、基材の加熱のために、アプレーションレーザビーム
とは異なるレーザビーム源から得られた加熱用レーザビ
ームを基材の前記堆積面に向けて照射している。このよ
うなレーザビームによる基材加熱では、基材表面のみが
加熱されるので、ヒータ加熱よりも加熱時間を短縮でき
る。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うにターゲットの蒸発に用いるアプレーションレーザビ
ームとは別に基材の加熱に用いる加熱用レーザビームを
設ける場合には、それぞれのレーザビームを出射するレ
ーザ発生器が個々に必要となり、１つの成膜装置に２つ
のレーザ発生器が必要となる。このため、装置全体の価
格が高くなるとともに装置が大型化する。

【０００５】本発明は、上記のような課題を解決するた
めになされたもので、基材を効果的に加熱して加熱時間
を短縮することができ、かつ装置の低価格化および小型
化を図ることが可能な成膜装置および成膜方法を提供す
ることを目的としている。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明に係る成膜装置お
よび成膜方法は、ターゲットを蒸発させて基材の表面に
実質的にターゲットの材料からなる膜を形成する成膜装
置および成膜方法であって、前記ターゲットと前記基材
とを真空チャンバの内部に配置し、レーザ光発生器から
前記ターゲットを蒸発させるとともに前記基材を加熱す
るためのレーザ光を出射させ、レーザ光分配手段によ
り、前記レーザ光発生器から出射されたレーザ光を前記
基材を照射する第１のレーザ光と前記ターゲットを照射
する第２のレーザ光とに分配するものである（請求項
１，６）。

【０００７】かかる構成とすると、レーザ光発生器から
出射されたレーザ光をレーザ光分配手段により第１およ
び第２のレーザ光に分配することができるため、１つの
レーザ光発生器から出射されたレーザ光により基材の加
熱とターゲットの加熱との両方を行うことが可能とな
る。したがって、基材およびターゲットの加熱のために
別々にレーザ光発生器を設ける必要がなく、よって、装
置の低価格化および小型化を図ることが可能となる。

【０００８】また、この場合においては第１のレーザ光
により基材の加熱を行うため、基材表面のみが加熱され
るので基材をヒーターで加熱した場合よりも加熱時間を
短縮できる。

【０００９】また、前記レーザ光分配手段は、稜部を構
成する第１および第２の反射面を有し、前記稜部を含む
前記第１および第２の反射面に前記レーザ光発生器から
出射されたレーザ光が入射し、前記第１および第２の反
射面で反射されたレーザ光がそれぞれ前記第１および第
２のレーザ光を構成するように配置された反射体を備え
てもよい（請求項２，７）。

【００１０】かかる構成とすると、レーザ光発生器から
出射されたレーザ光が、前記反射体の第１および第２の
反射面で反射され、それぞれ第１および第２のレーザ光
に分配される。したがって、このような反射体を備えた
レーザ光分配手段を用いることにより、レーザ光発生器
から出射されたレーザ光を第１および第２のレーザ光に
容易に分配することが可能となる。

【００１１】また、前記反射体が、前記反射体に入射す
る前記レーザ光の光軸と前記稜部の延在方向とを含む平
面に非平行な方向に移動可能であってもよい（請求項
３，８）。

【００１２】かかる構成とすると、前記反射体を移動さ
せることにより、第１および第２のレーザ光の分配比率
を容易に調整することが可能となる。このため、ターゲ
ットおよび基材のうちのいずれを選択的に加熱するかを
所望により容易に選択することが可能となる。

【００１３】また、前記反射体が、前記反射体に入射す
る前記レーザ光の光軸と非平行な軸回りに回転可能であ
っても良い（請求項４，９）また、前記反射体の第２の
面が凹状放物面形状を有し、前記第２の面で反射された
前記第２のレーザ光が集光されて前記ターゲットに照射
されてもよい（請求項５）。

【００１４】かかる構成とすると、集光レンズを用いな
くてもターゲット上に第２のレーザ光を集光させること
が可能となるため、集光レンズが不要となる。したがっ
て、装置の小型化が図られる。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照しながら説明する。ここでは、本発明に係る成膜
装置をイオンプレーティング装置に適用する場合につい
て説明する。

【００１６】図１は本発明の実施の形態に係る成膜装置
の構成を示す模式図である。

【００１７】図１において、成膜装置１００は、成膜対
象たる基材１３および蒸発源となるターゲット１２が内
部の空間に配置される真空チャンバ１と、真空ポンプ２
と、レーザ光発生器３とを備えている。

【００１８】真空チャンバ１は排気口１８を介して真空
ポンプ２に接続されており、真空チャンバ１の内部の空
間は真空ポンプ２により排気口１８を介して排気され、
成膜上所要の真空雰囲気とされる。

【００１９】また、レーザ光発生器３は真空チャンバ１
の外部に設けられており、レーザ光発生器３より出射さ
れたレーザ光２０は、真空チャンバ１の側部に設けられ
た窓１１を通して真空チャンバ１内に導入される。窓１
１は、レーザ光２０の波長の光に対して透明な材質で形
成される。このようなレーザ光発生器３は、一般に入手
可能な各種のレーザ発生器を用いることができ、各種の
気体レーザ装置や固体レーザ装置を用いることができ
る。例えば、レーザ光発生器３として、炭酸ガスレーザ
装置やエキシマレーザ装置等の気体レーザ装置の他、Ｙ
ＡＧレーザ等の固体レーザ装置を用いることができる。

【００２０】真空チャンバ１内の下部には、薄膜形成材
料からなるターゲット１２が配置される。ターゲット１
２は、レーザ光２０ｂが照射される表面が基材１３に対
向するようにターゲット用回転テーブル１４によって保
持される。ターゲット用回転テーブル１４は、モータ等
の回転駆動手段（図示せず）により支持シャフト１４ａ
の中心軸Ｃ１回りに回転駆動されるように構成されてお
り、ターゲット１２を軸Ｃ１回りに回転させつつ保持で
きるように構成されている。

【００２１】真空チャンバ１内の上部には、成膜対象た
る基材１３を背面側から保持するための基材ホルダ１５
が設けられている。基材ホルダ１５には、基材１３を回
転させながら成膜できるように回転駆動される回転軸が
設けられている。すなわち、基材ホルダ１５はモータ等
の回転駆動手段（図示せず）により回転軸の軸回りに回
転駆動されるように構成されている。そして、基材ホル
ダ１５は、その回転する回転軸に接触しつつ電力の伝達
が可能な機構（図示せず）を介して、電源ユニット３４
からの電力を供給できるように構成されている。

【００２２】電源ユニット３４は、ターゲット１２より
蒸発した薄膜形成材料からなる粒子群２５をさらに励起
してイオン化を促進させるとともに、イオン化した薄膜
形成材料を基材１３に向かって電界により加速させるた
めの電力を供給する。電源ユニット３４は、高周波電力
を出力する高周波電源（ＲＦ）３１と直流電力を出力す
る直流電源（ＤＣ）３２とを備えている。高周波電源３
１は、マッチングボックス（ＭＢ）３３と直流ブロッキ
ングコンデンサ（図示せず）とを介して基材ホルダ１５
に電力を伝達するように、基材ホルダ１５と電気的に接
続される。また、直流電源３２は、チョークコイル（図
示せず）を介して基材ホルダ１５と電気的に接続され
る。

【００２３】マッチングボックス３３は、高周波電源３
１のインピーダンスと真空チャンバ１側のインピーダン
スとをマッチングさせるべくマッチング動作する。ま
た、高周波電源３１および直流電源３２と真空チャンバ
１側とを接続するにあたり、導電性材料で形成される真
空チャンバ１が接地されるとともに、高周波電源３１の
基材ホルダ１５に接続されていない出力端子が接地され
る。また、直流電源３３は、基材ホルダ１５側が負極と
なり、他方側が接地される接続とされる。

【００２４】なお、上記基材ホルダ１５を回転手段によ
り回転駆動しつつ電源ユニット３４に電力を供給するた
めの構造については、従来のイオンプレーティング法に
基づく成膜装置で用いられる各種の公知技術（例えば、
特公平１−４８３４７号等参照）を適用することができ
る。

【００２５】一方、真空チャンバ１の内部には、ターゲ
ット１２と基材１３との間に位置しかつ窓１１と一直線
上に位置するようにレーザ光分配装置１０１が設けられ
ている。このレーザ光分配装置１０１は、反射体１６
と、アクチュエータ２７と制御装置２６とを有してい
る。

【００２６】図２に示すように、反射体１６は、三角柱
形状を有し、ガラス等の透明な材料や銅、アルミ等の金
属材料で形成され、表面がミラー状に形成されている。
この反射体１６は、長軸が、ターゲット１２、基材１
３、および窓１１を含む平面に略垂直となり、かつ１つ
の稜線１６ｃがレーザ光発生器３から出射されたレーザ
光２０の到来方向を向くように配置されている。そし
て、反射体１６の稜線１６ｃを挟む２つの側面からなる
第１の反射面１６ａおよび第２の反射面１６ｂのレーザ
光２０の光軸１０２に対する角度θ₁，θ₂は、第１およ
び第２の反射面１６ａ，１６ｂの各々で反射されたレー
ザ光２０ａ，２０ｂが、それぞれ、基材１３及びターゲ
ット１２に照射されるような角度に設定される。そし
て、この反射体１６は、アクチュエータ２７によって稜
線１６ｃおよびレーザ光２０の光軸に垂直な方向（矢印
Ｘの方向）に移動可能に設けられており、アクチュエー
タ２７の動作は制御装置２６によって制御されている。
これにより、反射体１６を制御装置２６によって所望の
方向におよび所望の速度で移動させることができる。

【００２７】さらに、上記のレーザ光分配装置１６とタ
ーゲット１２との間には、集光レンズ１７が配置されて
いる。なお、集光レンズ１７は支持手段（図示せず）に
より支持されている。

【００２８】次に、上記のような構成を有する成膜装置
１００を用いたイオンプレーティング法による基板１３
への薄膜の成膜方法について説明する。

【００２９】成膜時においては、図１に示すように、レ
ーザ光発生器３から出射されたレーザ光２０が真空チャ
ンバ１の窓部１１を通して真空チャンバ１内に導入さ
れ、レーザ光分配装置１０１の反射体１６に照射され
る。反射体１６に照射されたレーザ光２０は、反射体１
６の第１の面１６ａおよび第２の面１６ｂ（図２）にお
いてそれぞれ反射され、前記基板１３に照射されるレー
ザ光２０ａと前記ターゲット１５に照射されるレーザ光
２０ｂとにそれぞれ分配される。

【００３０】ここで、成膜時の初期段階においては、ま
ず図２（ａ）に示すように、基材１３側に分配されるレ
ーザ光２０ａとターゲット１２側に分配されるレーザ光
２０ｂとの比率が等しくなるように、その移動方向（矢
印Ｘの方向）における反射体１６の位置を調整する。そ
れにより、基材１３およびターゲット１２の表面に等し
い光量のレーザ光２０ａ，２０ｂが照射されて基材１３
およびターゲット１２の加熱が行われる。なお、反射体
１６によりターゲット１２側に分配されたレーザ光２０
ｂは、集光レンズ１７により集光されてターゲット１２
の表面を照射する。

【００３１】レーザ光２０ａの照射によりある程度まで
基材１３が加熱された後には、図２（ｂ）に示すよう
に、反射体１６を基材１３側（矢印Ｘの方向の上側）に
移動させてレーザ光２０ａ，２０ｂの分配比率を調整
し、基材１３側に分配されるレーザ光２０ａの光量を少
なくするとともにターゲット１２側に分配されるレーザ
光２０ｂの光量を多くする。

【００３２】さらに、基材１３の温度がある一定温度に
なった後には、図２（ｃ）に示すように、反射体１６を
さらに基材１３側（矢印Ｘの方向のさらに上側）に移動
させてレーザ光２０ａ，２０ｂの分配比率をさらに調整
し、ターゲット１２側のみにレーザ光２０ｂを照射す
る。

【００３３】このようなターゲット１２へのレーザ光２
０ｂの照射により、ターゲット１２より薄膜形成材料か
らなる粒子群２５（図１）を上方に蒸発させるととも
に、前記粒子群２５にレーザ光２０ｂを吸収させ励起さ
せてイオン化を促進させる。このようにターゲット１２
から蒸発した薄膜形成材料からなる粒子群２５には、薄
膜形成材料の元素がプラズマ化しているものが多く含ま
れている。

【００３４】そして、前記薄膜形成材料の粒子群２５が
ターゲット１２より蒸発している状態で、上記電源ユニ
ット３４を動作させた真空チャンバ１内に高周波電力お
よび直流電流を供給すると、前記蒸発した粒子群２５を
さらに励起するとともに、薄膜形成材料のイオンを基材
１３に入射させて成膜できる。すなわち、真空チャンバ
１内に高周波電力を供給することで前記蒸発した粒子群
２５を高周波電界で励起してイオン化を促進させること
ができる。そして、イオン化した薄膜形成材料は直流電
界により基材１３に向かって加速される。そして、基材
１３に入射したイオンが基材１３に付着して薄膜が形成
される。

【００３５】続いて、上記のようにして基材１３の表面
に薄膜を形成した後に、この薄膜の表面をアニールす
る。アニールの際には、図２（ｄ）に示すように、反射
体１６をターゲット側（矢印Ｘの方向の下側）に移動さ
せてレーザ光２０ａ，２０ｂの分配比率を調整し、基材
１３側のみにレーザ光２０ａが照射されるようにして基
材１３を加熱する。なお、このような基材１３の表面の
アニールは必須ではなく、必要なときに行われるもので
ある。

【００３６】以上のように、成膜装置１００において
は、レーザ光発生器３から出射されたレーザ光２０をレ
ーザ光分配装置１０１により基材１３側とターゲット１
２側とにそれぞれ分配することが可能であるため、１つ
のレーザ光発生器３から出射されたレーザ光２０により
基材１３の加熱とターゲット１２の加熱との両方を行う
ことができる。このように、本実施の形態の成膜装置１
００においては基材１３およびターゲット１２の加熱の
ために別々にレーザ光発生器を設ける必要がないため、
装置の低価格化および小型化を図ることが可能となる。

【００３７】また、本実施の形態の成膜装置１００にお
いては、図２に示すようにレーザ光分配装置１０１の反
射体１６を移動させることにより容易に基材１３側およ
びターゲット側１２に分配するレーザ光２０ａ，２０ｂ
の分配比率を調整することが可能であるため、成膜時の
各工程において基材１３およびターゲット１２のいずれ
を選択的に加熱するかを所望により容易に選択すること
が可能である。

【００３８】また、本実施の形態の成膜装置１００にお
いては、レーザ光２０ａにより基材１３の加熱を行うた
め、基材表面のみが加熱されるのでヒーターで加熱を行
う場合よりも効果的に加熱を行うことができ、加熱時間
を短縮できる。

【００３９】また、本実施の形態の変形例として、図３
に示すように、ターゲット１２側にレーザ光２０ｂを分
配する第２の反射面１６ｂが凹状曲面になった反射体１
６’を用いても良い。この場合においては、反射体１
６’の第２の反射面１６ｂにより分配されるレーザ光２
０ｂを集光レンズ１７（図１）を用いることなく集光し
てターゲット１２の表面に照射することが可能となる。

【００４０】なお、本実施の形態においてはレーザ光分
配装置１０１が真空チャンバ１の内部に設けられている
が、レーザ光分配装置１０１を真空チャンバ１の外部に
設けても良い。この場合においては、真空チャンバ１の
外壁に２つの窓を設けるか大きな窓を１つ設ける。それ
により、真空チャンバ１の外部において基材１３側とタ
ーゲット１２側に分配されたレーザ光２０ａ，２０ｂを
この窓を通してそれぞれ真空チャンバ１の内部に導くこ
とが可能となる。

【００４１】また、本実施の形態においては、図１に示
すように、レーザ光２０がミラー等の光学系を介さずに
直接真空チャンバ１内に導かれ、かつレーザ光２０ａが
光学系を介さずに直接基材１３側に導かれるとともにレ
ーザ光２０ｂがレンズ１７以外の光学系を介さずにター
ゲット１２側に導かれているが、これらのレーザ光２
０，２０ａ，２０ｂの経路にミラー等の光学系を設け、
この光学系を介してレーザ光２０，２０ａ，２０ｂを目
的対象物に導いても良い。

【００４２】また、本実施の形態におけるレーザ光分配
装置１０１の反射体１６は図２に示すような断面形状を
有しているが、レーザ光分配装置の反射体の断面形状は
これに限定されるものではなく、種々の三角形の断面形
状を有する三角柱形状の反射体を用いることも可能であ
る。例えば、断面が直角二等辺三角形形状である反射体
を用いても良く、この場合には、レーザ光発生器から出
射されたレーザ光の光軸および反射体１６の長軸に垂直
な方向において基材側およびターゲット側に反射体を移
動させることにより非常に容易にレーザ光の分配比率を
調整することが可能となる。また、断面形状が三角形以
外の多角形形状である反射体を用いることも可能であ
る。さらに、断面形状における稜線１６ｃを含む稜部
は、本実施の形態のように尖った形状以外に丸みを帯び
た形状であっても良い。

【００４３】また、本実施の形態においては、レーザ光
分配装置１０１の反射体１６をレーザ光発生器３から出
射されたレーザ光２０の光軸および反射体１６の長軸に
対して垂直な方向において基材側およびターゲット側に
移動させることによりレーザ光２０ａ，２０ｂの分配比
率を調整しているが、レーザ光２０ａ，２０ｂの分配比
率の調整方法はこの方法に限定されるものではなく、例
えば、反射体１６を前記方向以外に直線移動させたりあ
るいは回転移動させることにより分配比率の調整を行っ
ても良い。また、反射体として多角錐、例えば光軸に対
して異なる傾斜面を有する四角錐を光軸に平行な方向に
設けておき、そのうちの対向する２つの側面で反射され
たレーザ光を第１および第２のレーザ光として利用し、
この四角錐を反射体に入射するレーザ光の光軸に平行な
方向に９０°回転させても良い。あるいは反射体は固定
されていても良い。

【００４４】また、本実施の形態においては本発明に係
る成膜装置をイオンプレーティング装置に適用する場合
について説明したが、本発明に係る成膜装置は、イオン
プレーティング装置以外にも、例えば蒸着装置等に対し
ても適用可能である。

【００４５】

【発明の効果】本発明は、以上に説明したような形態で
実施され、以下のような効果を奏する。

【００４６】（１）１つのレーザ光発生器から出射され
たレーザ光により基材の加熱とターゲットの加熱との両
方を行うことができるため、基材およびターゲットの加
熱のために別々にレーザ光発生器を設ける必要がなく、
よって、装置の低価格化および小型化を図ることが可能
となる。また、成膜時の各工程において基材およびター
ゲットのいずれを選択的に加熱するかを所望により容易
に選択することが可能となる。さらに、基材を効果的に
加熱することが可能となる。

【００４７】（２）レーザ光分配手段が、稜部を構成す
る第１および第２の反射面を有し、稜部を含む第１およ
び第２の反射面にレーザ光発生器から出射されたレーザ
光が入射し、第１および第２の反射面で反射されたレー
ザ光がそれぞれ第１および第２のレーザ光を構成するよ
うに配置された反射体を備えるものとすると、レーザ光
発生器から出射されたレーザ光を第１および第２のレー
ザ光に容易に分配することが可能となる。

【００４８】（３）反射体が、反射体に入射するレーザ
光の光軸と稜部の延在方向とを含む平面に非平行な方向
に移動可能であるとすると、ターゲットおよび基材のう
ちのいずれを選択的に加熱するかを所望により容易に選
択することが可能となる。

【００４９】（４）反射体の第２の面が凹状放物面形状
を有し、第２の面で反射された第２のレーザ光が集光さ
れてターゲットに照射されるとすると、集光レンズが不
要となり装置の小型化が図られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態に係る成膜装置の構成を示
す模式図である。

【図２】図１の成膜装置のレーザ光分配装置によるレー
ザ光の分配比率の調整方法を示す模式図である。

【図３】本発明の実施の形態の変形例を示す模式図であ
る。

【符号の説明】

１真空チャンバ２真空ポンプ３レーザ光発生器１１窓１２ターゲット１３基材１４ターゲット用回転テーブル１５基材ホルダ１６反射体１６ａ第１の面１６ｂ第２の面１７集光レンズ１８排気口２０，２０ａ，２０ｂレーザ光３１高周波電源３２直流電流３３マッチングボックス３４電源ユニット１００成膜装置１０１レーザ光分配装置１０２レーザ光の光軸

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ターゲットを蒸発させて基材の表面に実
質的にターゲットの材料からなる膜を形成する成膜装置
であって、内部に前記ターゲットと前記基材とが配置される真空チ
ャンバと、前記ターゲットを蒸発させるとともに前記基材を加熱す
るためのレーザ光を出射するレーザ光発生器と、前記レーザ光発生器から出射されたレーザ光を、前記基
材を照射する第１のレーザ光と前記ターゲットを照射す
る第２のレーザ光とに分配するレーザ光分配手段とを備
えた成膜装置。
【請求項２】前記レーザ光分配手段は、稜部を構成す
る第１および第２の反射面を有し、前記稜部を含む前記
第１および第２の反射面に前記レーザ光発生器から出射
されたレーザ光が入射し、前記第１および第２の反射面
で反射されたレーザ光がそれぞれ前記第１および第２の
レーザ光を構成するように配置された反射体を備える請
求項１記載の成膜装置。
【請求項３】前記反射体が、前記反射体に入射する前
記レーザ光の光軸と前記稜部の延在方向とを含む平面に
非平行な方向に移動可能である請求項２記載の成膜装
置。
【請求項４】前記反射体が、前記反射体に入射する前
記レーザ光の光軸に非平行な軸回りに回転可能である請
求項２記載の成膜装置。
【請求項５】前記反射体の第２の面が凹状放物面形状
を有し、前記第２の面で反射された前記第２のレーザ光
が集光されて前記ターゲットを照射する請求項２記載の
成膜装置。
【請求項６】ターゲットを蒸発させて基材の表面に実
質的にターゲットの材料からなる膜を形成する成膜方法
であって、前記ターゲットと前記基材とを真空チャンバの内部に配
置し、レーザ光発生器から、前記ターゲットを蒸発させるとと
もに前記基材を加熱するためのレーザ光を出射させ、レーザ光分配手段により、前記レーザ光発生器から出射
されたレーザ光を、前記基材を照射する第１のレーザ光
と前記ターゲットを照射する第２のレーザ光とに分配す
る成膜方法。
【請求項７】前記レーザ光分配手段は、稜部を構成す
る第１および第２の反射面を有し、前記稜部を含む前記
第１および第２の反射面に前記レーザ光発生器から出射
されたレーザ光が入射し、前記第１および第２の反射面
で反射されたレーザ光がそれぞれ前記第１および第２の
レーザ光を構成するように配置された反射体を備える請
求項６記載の成膜方法。
【請求項８】前記反射体を、前記反射体に入射する前
記レーザ光の光軸と前記稜部の延在方向とを含む平面に
非平行な方向に移動させる請求項７記載の成膜方法。
【請求項９】前記反射体を、前記反射体に入射する前
記レーザ光の光軸に非平行な軸回りに回転させる請求項
７記載の成膜方法。