JP2005079245A - 金属配線形成方法および金属配線形成装置 - Google Patents

Abstract

【課題】簡単な工程であり、かつ、少ない工程数で、廃液量を低減し、高解像度に金属の配線を形成する。
【解決手段】電子回路用の基板に金属配線を形成する金属配線形成方法において、電子回路用の基板に、上記電子回路用の基板に対して透明なレーザー光を照射するとともに、上記電子回路用の基板の配線が形成される面に近接してプラズマを生成し、上記プラズマと上記電子回路用の基板に照射されたレーザー光とを相互作用させ、上記相互作用によって、上記電子回路用の基板の上記配線が形成される面でアブレーションを発生させて、上記電子回路用の基板の上記配線が形成される面にアブレーションによるエッチング溝を形成するとともに上記エッチング溝の底面に金属薄膜を堆積させる第１の段階と、上記第１の段階によって形成された上記エッチング溝内に金属を堆積させる第２の段階とを有するようにしたものである。
【選択図】 図１

Description

本発明は、金属配線形成方法および金属配線形成装置に関し、さらに詳細には、集積回路のプリント基板などの電子回路用の基板に金属配線を形成する際に用いて好適な金属配線形成方法および金属配線形成装置に関する。

近年、ポリイミドに代表されるポリマー材料は、薄型、軽量、フレキシブルかつ絶縁性に優れるため、携帯電話やコンピュータの回路基板としての需要が増大している。

現在エレクトロニクス分野で一般的に用いられているポリマー系回路基板は、ポリイミドにより形成されることが多く、こうしたポリイミドにより形成される基板上に回路パターンを形成する場合、まずポリイミド基板上に銅箔を張り合わせる。次に、フォトリソグラフィーの工程によって回路パターンを転写し、酸を用いたウェットエッチングによって金属パターンを形成する。そして、最後に金属パターン上に残留するレジスト膜の除去を行って、回路基板上に金属からなる回路パターンを形成する全ての工程が完了する。

しかしながら、上記したような従来の手法には、以下に示す［問題点１］〜［問題点３］があった。

［問題点１］
従来の手法では、ウェットエッチングやレジスト膜の除去などの各工程が複雑であるとともに、工程数が多い。

［問題点２］
従来の手法では、酸を用いたウェットエッチングによって金属パターンを形成しているので、空間解像度に限界がある。

［問題点３］
従来の手法では、特にウェットエッチングの工程やレジスト膜の除去の工程において、有機溶液や酸の溶液などの廃液が多量に生じてしまう。

本発明は、従来の技術の有する上記したような種々の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、上記した問題点１乃至問題点３を解決し、簡単な工程であり、かつ、少ない工程数で、廃液量を低減し、高解像度に金属の配線を形成することができる金属配線形成方法および金属配線形成装置ならびに電子回路用の基板を提供しようとするものである。

上記目的を達成するために、本発明のうち請求項１に記載の発明は、電子回路用の基板に金属配線を形成する金属配線形成方法において、電子回路用の基板に、上記電子回路用の基板に対して透明なレーザー光を照射するとともに、上記電子回路用の基板の配線が形成される面に近接してプラズマを生成し、上記プラズマと上記電子回路用の基板に照射されたレーザー光とを相互作用させ、上記相互作用によって、上記電子回路用の基板の上記配線が形成される面でアブレーションを発生させて、上記電子回路用の基板の上記配線が形成される面にアブレーションによるエッチング溝を形成するとともに上記エッチング溝の底面に金属薄膜を堆積させる第１の段階と、上記第１の段階によって形成された上記エッチング溝内に金属を堆積させる第２の段階とを有するようにしたものである。

従って、本発明のうち請求項１に記載の発明によれば、第１の段階によって底面に金属薄膜が堆積されたエッチング溝内に、第２の段階によって金属が堆積されるので、簡単な工程であり、かつ、少ない工程数で、廃液量を低減し、高解像度に金属の配線を形成することができる。

また、本発明のうち請求項２に記載の発明は、電子回路用の基板に金属配線を形成する金属配線形成方法において、金属の熱伝導率に比べて小さい熱伝導率を有する材料からなる基台と上記基台の表面に形成された金属の薄膜とを有するターゲットを、電子回路用の基板の配線が形成される面と上記金属の薄膜とが対向するようにしかつ上記電子回路用の基板と上記ターゲットとの間の距離を制御して配置し、上記電子回路用の基板に対して透明なレーザー光を、上記電子回路用の基板に照射するとともに上記ターゲットの上記金属の薄膜に照射して、上記ターゲットから上記ターゲットの上記金属の薄膜と上記電子回路用の基板の上記配線が形成される面との間にプラズマを生成し、上記プラズマと上記電子回路用の基板に照射されたレーザー光とを相互作用させ、上記相互作用によって、上記電子回路用の基板の上記配線が形成される面でアブレーションを発生させて、上記電子回路用の基板の上記配線が形成される面にアブレーションによるエッチング溝を形成するとともに上記エッチング溝の底面に上記ターゲットの上記金属の薄膜からアブレーションされた金属薄膜を堆積させる第１の段階と、上記第１の段階によって形成された上記エッチング溝内に金属を堆積させる第２の段階とを有するようにしたものである。

また、本発明のうち請求項３に記載の発明は、電子回路用の基板に金属配線を形成する金属配線形成方法において、電子回路用の基板の配線が形成される面と表面とが対向するようにしかつ上記電子回路用の基板との間の距離を制御してターゲットを配置し、上記電子回路用の基板に対して透明なレーザー光を、焦点位置が上記ターゲットの上記表面に位置するようにして、上記電子回路用の基板に照射するとともに上記ターゲットの上記表面に照射して、上記ターゲットから上記ターゲットの上記表面と上記電子回路用の基板の上記配線が形成される面との間にプラズマを生成し、上記プラズマと上記電子回路用の基板に照射されたレーザー光とを相互作用させ、上記相互作用によって、上記電子回路用の基板の上記配線が形成される面でアブレーションを発生させて、上記電子回路用の基板の上記配線が形成される面にアブレーションによるエッチング溝を形成するとともに上記エッチング溝の底面に上記ターゲットからアブレーションされた金属薄膜を堆積させる第１の段階と、上記第１の段階によって形成された上記エッチング溝内に金属を堆積させる第２の段階とを有するようにしたものである。

また、本発明のうち請求項４に記載の発明は、請求項１、請求項２または請求項３のいずれか１項に記載の発明において、上記第１の段階において照射されるレーザー光は、パルス・レーザー光であるようにしたものである。

また、本発明のうち請求項５に記載の発明は、請求項１、請求項２、請求項３または請求項４のいずれか１項に記載の発明において、上記第２の段階は、無電解メッキ液を用いたメッキ、電解メッキ液を用いたメッキまたはハンダの塗布のうちのいずれかにより、上記エッチング溝内に金属を堆積させるようにしたものである。

また、本発明のうち請求項６に記載の発明は、請求項１、請求項２、請求項３、請求項４または請求項５のいずれか１項に記載の発明において、上記電子回路用の基板はポリマー材料により形成され、上記第１の段階によって上記エッチング溝の底面に金の薄膜を形成し、上記第２の段階によって上記エッチング溝内に銅を堆積させるようにしたものである。

また、本発明のうち請求項７に記載の発明は、電子回路用の基板に金属配線を形成する金属配線形成装置において、配線が形成される面を有する電子回路用の基板を移動自在に保持する保持手段と、上記保持手段に保持された上記電子回路用の基板の上記配線が形成される面に近接してプラズマを生成するプラズマ生成手段と、上記電子回路用の基板に対して透明なレーザー光を、上記保持手段に保持された上記電子回路用の基板に照射して、上記プラズマ生成手段によって生成されたプラズマと上記レーザー光とを相互作用させるレーザーとを有し、上記プラズマ生成手段によって生成されたプラズマと上記レーザーから上記電子回路用の基板に照射されたレーザー光との相互作用によって、上記電子回路用の基板の上記配線が形成される面でアブレーションを発生させて、上記電子回路用の基板の上記配線が形成される面にアブレーションによるエッチング溝を形成するとともに上記エッチング溝の底面に金属薄膜を堆積させる第１のシステムと、上記第１のシステムによって形成された上記エッチング溝内に金属を堆積させる第２のシステムとを有するようにしたものである。

従って、本発明のうち請求項７に記載の発明によれば、第１のシステムによって底面に金属薄膜が堆積されたエッチング溝内に、第２のシステムによって金属が堆積されるので、簡単な工程であり、かつ、少ない工程数で、廃液量を低減し、高解像度に金属の配線を形成することができる。

また、本発明のうち請求項８に記載の発明は、電子回路用の基板に金属配線を形成する金属配線形成装置において、配線が形成される面を有する電子回路用の基板を移動自在に保持する保持手段と、金属の熱伝導率に比べて小さい熱伝導率を有する材料からなる基台と上記基台の表面に形成された金属の薄膜とを有してなり、上記保持手段に保持された上記電子回路用の基板の上記配線が形成される面と上記金属の薄膜とが対向するようにしかつ上記電子回路用の基板との間の距離を制御して配置されたターゲットと、上記電子回路用の基板に対して透明なレーザー光を、上記保持手段に保持された上記電子回路用の基板に照射するとともに上記ターゲットの上記金属の薄膜に照射して、上記ターゲットから上記ターゲットの上記金属の薄膜と上記電子回路用の基板の上記配線が形成される面との間にプラズマを生成し、上記プラズマと上記レーザー光とを相互作用させるレーザーとを有し、上記ターゲットから生成されたプラズマと上記レーザーから上記電子回路用の基板に照射されたレーザー光との相互作用によって、上記電子回路用の基板の上記配線が形成される面でアブレーションを発生させて、上記電子回路用の基板の上記配線が形成される面にアブレーションによるエッチング溝を形成するとともに上記エッチング溝の底面に上記ターゲットの上記金属の薄膜からアブレーションされた金属薄膜を堆積させる第１のシステムと、上記第１のシステムによって形成された上記エッチング溝内に金属を堆積させる第２のシステムとを有するようにしたものである。

また、本発明のうち請求項９に記載の発明は、電子回路用の基板に金属配線を形成する金属配線形成装置において、配線が形成される面を有する電子回路用の基板を移動自在に保持する保持手段と、上記保持手段に保持された上記電子回路用の基板の上記配線が形成される面と表面とが対向するようにしかつ上記電子回路用の基板との間の距離を制御して配置されたターゲットと、上記電子回路用の基板に対して透明なレーザー光を、焦点位置が上記ターゲットの上記表面に位置するようにして、上記保持手段に保持された上記電子回路用の基板に照射するとともに上記ターゲットの上記表面に照射して、上記ターゲットから上記ターゲットの上記表面と上記電子回路用の基板の上記配線が形成される面との間にプラズマを生成し、上記プラズマと上記レーザー光とを相互作用させるレーザーとを有し、上記ターゲットから生成されたプラズマと上記レーザーから上記電子回路用の基板に照射されたレーザー光との相互作用によって、上記電子回路用の基板の上記配線が形成される面でアブレーションを発生させて、上記電子回路用の基板の上記配線が形成される面にアブレーションによるエッチング溝を形成するとともに上記エッチング溝の底面に上記ターゲットからアブレーションされた金属薄膜を堆積させる第１のシステムと、上記第１のシステムによって形成された上記エッチング溝内に金属を堆積させる第２のシステムとを有するようにしたものである。

また、本発明のうち請求項１０に記載の発明は、請求項７、請求項８または請求項９のいずれか１項に記載の発明において、上記レーザーは、上記レーザー光としてパルス・レーザー光を照射するものであるようにしたものである。

また、本発明のうち請求項１１に記載の発明は、請求項７、請求項８、請求項９または請求項１０のいずれか１項に記載の発明において、上記第２のシステムは、無電解メッキ液を用いたメッキ、電解メッキ液を用いたメッキまたはハンダの塗布のうちのいずれかにより、上記エッチング溝内に金属を堆積させるようにしたものである。

また、本発明のうち請求項１２に記載の発明は、請求項７、請求項８、請求項９、請求項１０または請求項１１のいずれか１項に記載の発明において、上記電子回路用の基板はポリマー材料により形成され、上記第１のシステムによって上記エッチング溝の底面に金の薄膜を形成し、上記第２のシステムによって上記エッチング溝内に銅を堆積させるようにしたものである。

本発明は、以上説明したように構成されているので、上記した問題点１乃至問題点３を解決し、簡単な工程であり、かつ、少ない工程数で、廃液量を低減し、高解像度に金属の配線を形成することができるという優れた効果を奏する。

以下、添付の図面に基づいて、本発明による金属配線形成方法および金属配線形成装置の基板の実施の形態の一例を詳細に説明するものとする。

図１には、本発明による金属配線形成装置の第１の実施の形態を示す概念構成図が示されている。なお、この実施の形態においては、集積回路のプリント基板などの電子回路用の基板（以下、単に「基板」と称する。）上に金属配線を形成して、回路パターンが形成される場合について説明することとする。

この第１の実施の形態の金属配線形成装置１０は、金属の薄膜を形成するための金属薄膜形成システム１２と、金属薄膜形成システム１２の後に使用され金属を堆積させるための金属堆積システム１４とを有して構成されている。

金属薄膜形成システム１２は、レーザー光を照射するためのレーザー２０と、レーザー光の光路を変更するためのミラー２２と、レーザー光を集光するためのレンズ２４と、基板１００が保持されるステージ２６と、基板１００の配線が形成される面１００ａと対向して配置されたターゲット２８とを有して構成されている。

ここで、レーザー２０と、ミラー２２と、レンズ２４と、ステージ２６と、基板１００と、ターゲット２８とは、レーザー２０から照射されたレーザー光がミラー２２によって反射され、ミラー２２によって反射されたレーザー光がレンズ２４により集光され、レンズ２４により集光されたレーザー光が基板１００を透過してターゲット２８に照射されるように配置されている。

そして、この実施の形態においては、基板１００としては、ポリマー系回路基板であって、ポリイミドにより形成されたものを用いた。

また、レーザー２０としては、基板１００に対して吸収されることのない透明なレーザー光、即ち、基板１００に対して吸収されることのない波長を有するレーザー光を照射することができるものを選択するものであり、パスル・レーザー光を照射するパルス・レーザーを用いることが好ましい。

具体的には、レーザー２０としてはＱスイッチＮｄ：ＹＡＧレーザーを用い、その基本波である波長１．０６μｍ、パルス幅６ｎｓ、繰り返し周波数１５Ｈｚのレーザー光を用いるように設定した。ここで、レーザー２０から照射される波長１．０６μｍのレーザー光は、基板１００を形成するポリイミドが可視域に吸収を持ち、波長１．０６μｍを含む近赤外域にはほとんど吸収を持たないため、基板１００に対して吸収されることのない透明なレーザー光である。

レンズ２４としては、例えば、Ｆ１００程度の集光レンズを用いることができる。

ステージ２６は、ＸＹＺ直交座標系（図１における座標系を示す参考図を参照する。）におけるＸ軸方向、Ｙ軸方向ならびにＺ軸方向に移動可能なものであり、保持する基板１００と基板１００に照射されるレーザー光との相対的な位置関係を３次元の方向で変化させるものである。

なお、この実施の形態においては、ステージ２６をＺ軸方向に移動させることにより、レンズ２４によって集光されるレーザー光の焦点位置を、ステージ２６に保持される基板１００の配線が形成される面１００ａ側に位置させるように設定した（図２参照）。

そして、ステージ２６の上面２６ａにはターゲット２８が載置されている。このターゲット２８は、ガラス板からなる基台２８ａと基台２８ａの表面２８ｂに形成された厚さ２００ｎｍの金（Ａｕ）からなる金属薄膜２８ｃとを有して構成されており、底面２８ｄがステージ２６の上面２６ａ側に位置するようにして、ステージ２６に載置されている。

このターゲット２８の金属薄膜２８ｃ上に配設されたスペーサー３０を介して基板１００が載置されており、より詳細には、基板１００の配線が形成される面１００ａとターゲット２８の金属薄膜２８ｃとが対向するようにして、基板１００はステージ２６に保持されている。そして、基板１００とターゲット２８とは、基板１００とターゲット２８との間の距離Ｗ１（図２参照）が、例えば、０〜５ｍｍとなるように設定することができ、また、その際に１０μｍの精度で設定することができる。

つまり、基板１００とターゲット２８との間の距離Ｗ１は、５ｍｍ以下の範囲内で任意に設定可能なものであり、例えば、スペーサー３０を用いずにターゲット２８上に基板１００を配設するようにして、基板１００とターゲット２８とが間隔を開けずに配置されて、基板１００の配線が形成される面１００ａとターゲット２８の金属薄膜２８ｃとが接するようにしてもよい。

一方、金属堆積システム１４は、メッキ液３４を充填する槽３２を備えており、この実施の形態としては、メッキ液３４として銅無電解メッキ液を用いることとする。

以上の構成において、本発明による金属配線形成装置１０を用いて基板１００に金属配線を形成するには、まず、金属薄膜形成システム１２において基板１００に金属の薄膜を形成する。

具体的には、レーザー２０からレーザー光として波長１．０６μｍのＮｄ：ＹＡＧレーザーの基本波を、ミラー２２によって反射させレンズ２４を通して、基板１００ならびにターゲット２８に照射する。

より詳細には、レーザー２０からのレーザー光は、基板１００の面１００ｂ側から基板１００に入射し、基板１００中を透過して、基板１００の配線を形成する面１００ａに焦点位置を位置させて配線を形成する面１００ａから出射し、基板１００にレーザー光が照射された面１００ｂ側とは反対側に配置されたターゲット２８の金の薄膜２８ｃに照射される。

この際に、基板１００を透過してターゲット２８に照射された波長１．０６μｍのＮｄ：ＹＡＧレーザーの基本波によって、ターゲット２８からはプラズマが生成されてプラズマ・プルームが形成され（プラズマは、ターゲット２８と基板１００との間に生成されることになる。）、イオンやラジカルが生成されることになる。

そして、プラズマからの発光やイオン、ラジカルと基板１００に入射された波長１．０６μｍのＮｄ：ＹＡＧレーザーの基本波との相互作用によって、基板１００のターゲット２８と対向する配線が形成される面１００ａ（配線が形成される面１００ａは、プラズマが存在する側の面である。）でアブレーションが生じて、基板１００の配線が形成される面１００ａにはアブレーションによるエッチング溝２００が形成されるとともにエッチング溝２００の底面２００ａには金からなる金属薄膜２０２が堆積する（図３（ａ）参照）。

従って、ステージ２６をＸＹ平面方向に移動させ、レンズ２４により集光されるレーザー光の焦点位置を配線が形成される面１００ａ側に位置させた状態で基板１００を走査し、当該焦点位置が所定の回路パターンの軌跡を描くようにして、基板１００ならびにターゲット２８へのレーザー光の照射を継続すると、基板１００の配線が形成される面１００ａには、当該所定の回路パターンに対応するパターンでエッチング溝２００が形成されるとともにエッチング溝２００の底面２００ａに金属薄膜２０２が堆積される。

こうして、金属薄膜形成システム１２において金属薄膜２０２を形成した後に、金属薄膜２０２が形成された基板１００（図３（ａ）に示す状態参照）を金属堆積システム１４に移行する。

そして、配線が形成される面１００ａにエッチング溝２００とその底面２００ａの金属薄膜２０２とが形成された基板１００を、槽３２に充填され５０℃に保たれたメッキ液３４たる銅無電解メッキ液の液中に所定時間だけ浸漬する。すると、基板１００の配線が形成される面１００ａに形成されたエッチング溝２００内に選択的に銅薄膜が堆積され、基板１００の配線が形成される面１００ａに銅薄膜よりなる金属配線の回路パターンが形成される（図３（ｂ）参照）。

上記したように、本発明による金属配線形成装置１０においては、金属薄膜形成システム１２と金属堆積システム１４とを有するようにしたため、レーザー２０のレーザー光のパルスの前半部分のエネルギーがターゲット２８の金属薄膜２８ｃで吸収され、これにより金属薄膜２８ｂがアブレーションされてレーザー生成プラズマが発生し、プラズマとレーザー光がポリイミドからなる基板１００の配線が形成される面１００ａで相互作用することによって、配線が形成される面１００ａをアブレーションエッチングすると同時にエッチング溝２００の底面２００ａに金属の薄膜を付着させる金属薄膜形成システム１２における工程と、基板１００の配線が形成される面１００ａに形成されたエッチング溝２００内に選択的に金属を堆積させる金属堆積システム１４における工程との２工程で、金属配線を形成することができる。

しかも、金属薄膜形成システム１２における工程は、レーザーアブレーションによってターゲット２８の金属薄膜２８ｃからアブレーションされた金属薄膜を形成するものであり、金属堆積システム１４における工程もメッキによって金属を堆積させるものであるので、上記「従来の技術」の項に記載した従来の手法のウェットエッチングやレジスト膜の除去などの工程に比べても非常に簡単な工程である。

つまり、本発明による金属配線形成装置１０によれば、上記「従来の技術」の項に記載した［問題点１］の「従来の手法では、ウェットエッチングやレジスト膜の除去などの各工程が複雑であるとともに、工程数が多い。」という問題点を解決することができ、簡単な工程でしかも少ない工程数で金属配線を形成することができる。

また、本発明による金属配線形成装置１０においては、従来のウェットエッチングの手法を用いていないので、上記「従来の技術」の項に記載した［問題点２］の「従来の手法では、酸を用いたウェットエッチングによって金属パターンを形成しているので、空間解像度に限界がある。」という問題点を解決することができ、高解像度に金属の配線を形成することができる。

具体的には、図４（ａ）に示すように、従来のウェットエッチングの場合には、不要箇所の金属除去を行う工程が欠かせないものであるが、ウェットエッチングでは等方的にエッチングが進行するので（図４（ａ）に示す矢印参照）、アンダーエッチングによって加工線幅の制御が難しく、１０ミクロン以下の解像度を得るのは困難であった。

これに対して、図４（ｂ）に示すように、本発明による金属配線形成装置１０の場合には、金属堆積システム１４におけるメッキプロセスも等方的に金属が堆積する技術であるが（図４（ｂ）に示す矢印参照）、金属薄膜形成システム１２において基板１００に形成されたエッチング溝２００内に金属が堆積するため、横方向に広がることはない。従って、本発明の解像度はレーザー光の加工解像度で決定し、波長（１ミクロン）程度の解像度が得られる。このため、高集積度化が進み配線が微細化しても、本発明によれば安定して高精度な電子回路用の基板を作成することができる。

また、本発明による金属配線形成装置１０においては、従来のウェットエッチングの手法を用いていないので、上記「従来の技術」の項に記載した［問題点３］の「従来の手法では、特にウェットエッチングの工程やレジスト膜の除去の工程において、有機溶液や酸の溶液などの廃液が多量に生じてしまう。」という問題点を解決することができ、廃液量を低減することができる。

さらに、本発明による金属配線形成装置１０においては、構造的に金属が溝に埋め込まれているので（図３（ｂ）ならびに図４（ｂ）参照）、剥離や断線にも強い金属配線を形成することができる。

本発明において、レーザー光の照射条件によっては、基板１００の配線が形成される面１００ａに形成されたエッチング溝２００の底面２００ａ側において、基板１００の内部に金属原子をドープすることも可能である（図４（ｂ）参照）。こうした場合、本発明によれば、基板１００の配線が形成される面１００ａに形成されたエッチング溝２００の底面２００ａと、その底面２００ａに堆積される金属薄膜２０２との界面がぼやけて、基板１００の底面２００ａから連続的に金属薄膜２０２になるので、金属薄膜２０２は非常に剥がれ難く、基板１００との密着強度が強くなる。こうして密着強度の強い金属薄膜２０２が底面２００ａに形成されたエッチング溝２００内に、銅薄膜のような金属が堆積されるので、あたかもメッキ下地である金属薄膜２０２上の選択的にメッキ皮膜が形成されるようにして堆積された金属よりなる金属配線の回路パターンは、基板１００に安定して維持されるものである。

また、本発明による金属配線形成装置１０においては、ガラス板からなる基台２８ａと基台２８ａの表面２８ｂに形成された金からなる金属薄膜２８ｃとを有するターゲット２８を配設するようにしたため、ターゲット２８がアブレーションされてレーザー生成プラズマを発生するアブレーション閾値を低減することができるとともに、金属配線が形成される基板１００の損傷も回避できるものである。

より詳細には、短パルス・レーザーを用いた場合には、そのレーザー光の波長に対して透明であっても、レーザー光の強度によっては、例えば、レーザー光の強度が強いときには、多光子吸収が生じてしまう。そして、一般的にポリイミドに代表されるポリマー材料の場合、多光子吸収によって生じる損傷閾値は、バルク金属がアブレーションされてレーザー生成プラズマを発生するアブレーション閾値に比べて小さいものである。

つまり、ターゲットとなるバルク金属のアブレーション可能なアブレーション閾値のレーザー光を、ポリマー材料からなる基板に照射してしまうと、ターゲットがアブレーションされてレーザー生成プラズマを発生する一方で、金属配線を形成すべき基板に損傷が生じてしまう恐れがある。

そこで、本発明による金属配線形成装置１０において採用したターゲット２８は、金属の熱伝導率に比べて小さい熱伝導率を有する材料（ガラス板）からなる基台（基台２８ａ）と、基台の表面に形成された金属（金）の薄膜（金属薄膜２８ｃ）とを有するようにしたので、ターゲット２８にレーザー光を照射したときに、ガラスの熱伝導率が金の熱伝導率に比べてはるかに小さいため、ターゲット２８の金属薄膜２８ｃ内に熱が蓄積されて、ガラス板からなる基台２８ａ内部への熱拡散を抑制でき、アブレーション閾値を低減することができる。

その結果、本発明においては、短パルス・レーザーを用いて、金属配線が形成される基板１００を損傷させることなく、ターゲット２８の金属薄膜２８ｃなどの金属をアブレーションさせてレーザー生成プラズマを発生させ、基板１００に金属配線を形成することができる。

さらに、本発明による金属配線形成装置１０においては、上記したようなターゲット２８の構成によりアブレーション閾値を低減することができるので、レンズ２４により集光されるレーザー光の焦点位置を、ターゲット２８の金属薄膜２８ｃ側に位置させずに、ステージ２６に保持される基板１００の配線が形成される面１００ａ側に位置させて（図２参照）、レーザー生成プラズマを発生させ基板１００に金属配線を形成することができる。こうして金属配線が形成される基板１００の配線が形成される面１００ａ側に、レーザー光の焦点位置が位置するので、一層高解像度に金属の配線を形成することができる。

図５には、上記した本発明による金属配線形成装置１０において、レーザー照射強度５００ｍＪ／ｃｍ^２、走査速度５０μｍ／ｓ、繰り返し周波数１５Ｈｚ、試料−ターゲット間距離（図２に示す距離Ｗ１に対応する距離である。）９０μｍで、厚さ４０μｍのポリイミドフィルムを基板１００として用い、金属薄膜形成システム１２における工程が終了したときのポリイミドフィルムを示す光学顕微鏡写真が示されている。

この図５の光学顕微鏡写真から明らかなように、ポリイミドフィルムには、薄い金の膜が堆積している。この際、エッチング溝２００に相当する加工痕の深さは１５μｍ、幅は８０μｍであった。

一方、図６には、図５に示すポリイミドフィルムを、上記した本発明による金属配線形成装置１０の金属堆積システム１４に移行させ、銅無電解メッキ液を用い、５０℃、４分間の銅のメッキを行ったときのポリイミドフィルムを示す光学顕微鏡写真が示されている。

この図６の光学顕微鏡写真から明らかなように、ポリイミドフィルムのエッチング溝の相当する加工痕内には、選択的に銅薄膜が堆積している。この際、加工痕内に堆積した銅薄膜の厚さは約３．７μｍ、比抵抗は５μΩ・ｃｍであった。

次ぎに、図７ならびに図８を参照しながら、本発明による金属配線形成装置の第２の実施の形態について説明することとする。

図７には、本発明による金属配線形成装置の第２の実施の形態を示す概念構成図が示されており、図７において、図１と同一あるいは相当する構成に関しては、図１において用いた符号を用いて示すことにより、その詳細な構成および作用の説明は省略する。

この第２の実施の形態の金属配線形成装置４０は、金属の薄膜を形成するための金属薄膜形成システム４２と、金属薄膜形成システム４２の後に使用され金属を堆積させるための金属堆積システム４４とを有して構成されている。

金属薄膜形成システム４２は、レーザー光を照射するためのレーザー２０と、レーザー光の光路を変更するためのミラー２２と、レーザー光を集光するためのレンズ５４と、基板１００が保持されるステージ２６と、基板１００の配線が形成される面１００ａと対向して配置されたターゲット５８とを有して構成されている。

ここで、レーザー２０と、ミラー２２と、レンズ５４と、ステージ２６と、基板１００と、ターゲット５８とは、レーザー２０から照射されたレーザー光がミラー２２によって反射され、ミラー２２によって反射されたレーザー光がレンズ５４により集光され、レンズ５４により集光されたレーザー光が基板１００を透過してターゲット５８に照射されるように配置されている。

そして、ステージ２６の上面２６ａにはターゲット５８が載置されている。このターゲット５８は、金（Ａｕ）からなるものであり、底面５８ｂがステージ２６の上面２６ａ側に位置するようにして、ステージ２６に載置されている。

このターゲット５８の上面５８ａ上に配設されたスペーサー３６を介して基板１００が載置されており、より詳細には、基板１００の配線が形成される面１００ａとターゲット５８の上面５８ａとが対向するようにして、基板１００はステージ２６に保持されている。そして、基板１００とターゲット５８とは、基板１００とターゲット５８との間の距離Ｗ２（図８参照）が、例えば、０〜５ｍｍとなるように設定することができ、また、その際には１０μｍの精度で設定することができる。

つまり、基板１００とターゲット５８との間の距離Ｗ２は、５ｍｍ以下の範囲内で任意に設定可能なものであり、例えば、スペーサー３６を用いずにターゲット５８上に基板１００を配設するようにして、基板１００とターゲット５８とが間隔を開けずに配置されて、基板１００の配線が形成される面１００ａとターゲット５８の上面５８ａとが接するようにしてもよい。

なお、この実施の形態においては、ステージ２６をＺ軸方向に移動させることにより、レンズ５４によって集光されるレーザー光の焦点位置を、ステージ２６に載置されたターゲット５８の上面５８ａ側に位置させるように設定した（図８参照）。

また、レンズ５４としては、開口数（ＮＡ）が大きなレンズを用いるのが好ましい。

また、スペーサー３６は、上記した第１の実施の形態の金属配線形成装置１０に配設されたスペーサー３０に比べて大きなものであり、基板１００とターゲット５８との距離Ｗ２は、図２に示す距離Ｗ１に比べて広く、比較的大きな試料−ターゲット間距離を有するようになされている。

一方、金属堆積システム４４は、ハンダ５２を塗布する塗布装置５０を備えているものである。

以上の構成において、本発明による金属配線形成装置４０を用いて基板１００に金属配線を形成するには、まず、金属薄膜形成システム４２において基板１００に金属の薄膜を形成する。

具体的には、レーザー２０からレーザー光として波長１．０６μｍのＮｄ：ＹＡＧレーザーの基本波を、ミラー２２によって反射させレンズ５４を通して、基板１００ならびにターゲット５８に照射する。

より詳細には、レーザー２０からのレーザー光は、基板１００の面１００ｂ側から基板１００に入射し、基板１００を透過して配線を形成する面１００ａから出射し、基板１００にレーザー光が照射された面１００ｂ側とは反対側に配置されたターゲット５８の上面５８ａに焦点位置を位置させてターゲット５８に照射される。

この際に、基板１００を透過してターゲット５８に照射された波長１．０６μｍのＮｄ：ＹＡＧレーザーの基本波によって、ターゲット５８からはプラズマが生成されてプラズマ・プルームが形成され（プラズマは、ターゲット２８と基板１００との間に生成されることになる。）、イオンやラジカルが生成されることになる。

そして、プラズマからの発光やイオン、ラジカルと基板１００に入射された波長１．０６μｍのＮｄ：ＹＡＧレーザーの基本波との相互作用によって、基板１００のターゲット５８と対向する配線が形成される面１００ａ（配線が形成される面１００ａは、プラズマが存在する側の面である。）でアブレーションが生じて、基板１００の配線が形成される面１００ａにはアブレーションによるエッチング溝２００が形成されるとともにエッチング溝２００の底面２００ａには金からなる金属薄膜２０２が堆積する（図３（ａ）参照）。

従って、ステージ２６をＸＹ平面方向に移動させ、レンズ５４により集光されるレーザー光の焦点位置をターゲット５８の上面５８ａ側に位置させた状態で基板１００を走査し、当該焦点位置が所定の回路パターンの軌跡を描くようにして、基板１００ならびにターゲット５８へのレーザー光の照射を継続すると、基板１００の配線が形成される面１００ａには、当該所定の回路パターンに対応するパターンでエッチング溝２００が形成されるとともにエッチング溝２００の底面２００ａに金属薄膜２０２が堆積される。

こうして、金属薄膜形成システム４２において金属薄膜２０２を形成した後に、金属薄膜２０２が形成された基板１００（図３（ａ）に示す状態参照）を金属堆積システム４４に移行する。

そして、配線が形成される面１００ａにエッチング溝２００とその底面２００ａの金属薄膜２０２とが形成された基板１００を、塗布装置５０にセッティングして、基板１００の配線が形成される面１００上にハンダ５２を流し込む。すると、基板１００の配線が形成される面１００ａに形成されたエッチング溝２００内に選択的にハンダが堆積され、基板１００の配線が形成される面１００ａにハンダよりなる金属配線の回路パターンが形成される（図３（ｂ）参照）。

上記したように、本発明による金属配線形成装置４０においては、金属薄膜形成システム４２と金属堆積システム４４とを有するようにしたため、上記した第１の実施の形態と同様に、配線が形成される面１００ａをアブレーションエッチングすると同時にエッチング溝２００の底面２００ａに金属の薄膜を付着させる金属薄膜形成システム４２における工程と、基板１００の配線が形成される面１００ａに形成されたエッチング溝２００内に選択的に金属を堆積させる金属堆積システム４４における工程との２工程で、金属配線を形成することができる。

しかも、金属薄膜形成システム４２における工程は、レーザーアブレーションによってターゲット５８からアブレーションされた金属薄膜を形成するものであり、金属堆積システム４４における工程もハンダによって金属を堆積させるものであるので、上記「従来の技術」の項に記載した従来の手法のウェットエッチングやレジスト膜の除去などの工程に比べても非常に簡単な工程である。

つまり、本発明による金属配線形成装置４０によれば、上記「従来の技術」の項に記載した［問題点１］を解決することができ、簡単な工程でしかも少ない工程数で金属配線を形成することができる。

また、本発明による金属配線形成装置４０においては、従来のウェットエッチングの手法を用いていないので、上記「従来の技術」の項に記載した［問題点２］を解決することができ、高解像度に金属の配線を形成することができる（図４（ａ）（ｂ）参照）。

また、本発明による金属配線形成装置４０においては、従来のウェットエッチングの手法を用いず、かつ、完全なドライプロセスであるので、上記「従来の技術」の項に記載した［問題点３］を解決することができ、廃液をなくすことができる。

さらに、本発明による金属配線形成装置４０においては、構造的に金属が溝に埋め込まれているので（図３（ｂ）ならびに図４（ｂ）参照）、剥離や断線にも強い金属配線を形成することができ、ハンダよりなる金属配線の回路パターンは基板１００に安定して維持されるものである。

また、本発明による金属配線形成装置４０においては、開口数（ＮＡ）が大きなレンズ５４を配設し、レンズ５４によって集光されるレーザー光の焦点位置を、ターゲット５８の上面５８ａ側に位置させるようにしたため、ターゲット５８上でのレーザー光の照射強度が、基板１００中での照射強度よりも大きくなり、ターゲット５８がアブレーションされてレーザー生成プラズマを発生するアブレーション閾値をターゲット表面で越えたとしても、金属配線が形成される基板１００の表面でのレーザー照射強度は、損傷閾値より低くすることができる。

より詳細には、短パルス・レーザーを用いた場合には、そのレーザー光の波長に対して透明であっても、レーザー光の強度によっては、例えば、レーザー光の強度が強いときには、多光子吸収が生じてしまう。そして、一般的にポリイミドに代表されるポリマー材料の場合、多光子吸収によって生じる損傷閾値は、バルク金属がアブレーションされてレーザー生成プラズマを発生するアブレーション閾値に比べて小さいものである。

つまり、ターゲットとなるバルク金属のアブレーション可能なアブレーション閾値のレーザー光を、ポリマー材料からなる基板に照射してしまうと、ターゲットがアブレーションされてレーザー生成プラズマを発生する一方で、金属配線を形成すべき基板に損傷が生じてしまう恐れがある。

そこで、本発明による金属配線形成装置４０においては、開口数（ＮＡ）が大きなレンズ５４を配設し、レンズ５４によって集光されるレーザー光の焦点位置をターゲット５８の上面５８ａ側に位置させるようにしたので、基板１００ならびにターゲット５８にレーザー光を照射したときに、レーザー光の焦点位置が位置するターゲット５８の上面５８ａ側においては、レーザー光のエネルギーが集中して、レーザー光の照射面積が小さくなって照射強度が強くなり、その一方、基板１００の配線が形成される面１００ａにおいては、レーザー光の照射面積がターゲット５８の上面５８ａにおける照射面積に比べて大きくなり、照射強度がターゲット５８の上面５８ａにおける照射強度に比べて小さくなり、基板１００の損傷を抑制することができる（図８参照）。

その結果、本発明においては、短パルス・レーザーを用いて、金属配線が形成される基板１００を損傷させることなく、ターゲット５８の金属をアブレーションさせてレーザー生成プラズマを発生させ、基板１００に金属配線を形成することができる。

さらに、本発明の第２の実施の形態の金属配線形成装置４０においては、スペーサー３６によって、基板１００とターゲット５８との間の距離Ｗ２が広く確保されるので、ターゲット５８上でのレーザー光の照射強度を基板１００中での照射強度より大きくするのに有効である。

また、本発明の第２の実施の形態の金属配線形成装置４０においては、上記した第１の実施の形態の金属配線形成装置１０に用いられた基台２８ａ金属薄膜２８ｃとからなるターゲット２８に代わり、単一の金属からなる簡単な構成のターゲット５８を用いて、基板１００を損傷させることなく、ターゲット５８をアブレーションすることができる。

なお、本発明の第２の実施の形態の金属配線形成装置４０においては、レーザー光の焦点位置をターゲット５８の上面５８ａ側に位置させたため、基板１００の配線が形成される面１００ａにおけるレーザー光の照射面積が、ターゲット５８の上面５８ａにおける照射面積に比べて大きくなってしまい、解像度の低減が懸念されるが、高々２倍程度（即ち、解像度２μｍ）と見積もられ、従来の手法よりは優れている。

また、本発明の第２の実施の形態の金属配線形成装置４０においては、開口数（ＮＡ）が大きなレンズ５４を配設しているが、こうした開口数の大きなレンズは、ワーキングディスタンスが極めて小さいために、レンズ５４を基板１００にかなり近接する必要がある。ここで、本発明の構成では、レーザー２０からのレーザー光は、基板１００の配線が形成される面１００ａの裏面に当たる面１００ｂ側から照射され、アブレーションが生じる側（即ち、基板１００の配線が形成される面１００ａ側）から照射されることはないので、アブレーションされた物質が基板１００に近接して配設されるレンズ５４に付着することがなく、良好な動作状態を維持することができる。

そして、本発明の第２の実施の形態の金属配線形成装置４０においては、金属堆積システム４４がハンダ５２を塗布する塗布装置５０により構成されているので、基板１００に金属配線を形成する全工程を完全にドライ化することができる。

なお、上記した実施の形態は、以下の（１）乃至（１１）に示すように変形することができるものである。

（１）上記した第１ならびに第２の実施の形態の金属配線形成装置１０，４０においては、レーザー２０としてはＱスイッチＮｄ：ＹＡＧレーザーを用いるようにしたが、これに限られるものではないことは勿論であり、照射するレーザー光が基板１００に対して透明であれば、紫外レーザーの他に可視レーザーや赤外レーザーなどの種々のレーザーを用いることができる。

また、基板１００としては、照射されるレーザー光が当該材料に対して透明となる、即ち、照射されるレーザー光を吸収しないものであれば、任意のものを選択することができる。例えば、吸収端がポリイミドよりもっと短いポリマーを用いた場合は、上記した実施の形態のレーザー２０より短波長のレーザーを用いることも可能である。

（２）上記した第１の実施の形態の金属配線形成装置１０においては、ターゲット２８の金属薄膜２８ｃは金（Ａｕ）からなるようにし、第２の実施の形態の金属配線形成装置４０においては、ターゲット５８は金からなるようにしたが、レーザー光の照射によってプラズマが生成されるものであれば、これらターゲット２８の金属薄膜２８ｃやターゲット５８は、銅（Ｃｕ）などの各種金属や金属の他にセラミックなどの任意のものを選択することができる。

なお、ターゲット２８は、金属薄膜２８ｃとして用いた材料に応じて、当該金属薄膜２８ｃとして用いた材料の熱伝導率に比べて小さい熱伝導率を有する材料を、基台を形成する材料として採用すればよい。

（３）上記した第１の実施の形態の金属配線形成装置１０において、金属堆積システム１４のメッキ液３４として無電解メッキ液を用いるようにしたが、これに限られるものではないことは勿論であり、電解メッキ液を用いて電気分解法（電気メッキ法）によってメッキするように構成してもよい。

（４）上記した第１の実施の形態の金属配線形成装置１０のレンズ２４により集光されるレーザー光の焦点位置ならびに第２の実施の形態の金属配線形成装置４０のレンズ５４により集光されるレーザー光の焦点位置は、上記した実施の形態に限られるものではないことは勿論であり、例えば、ターゲット２８，５８の基板１００と対向する面とは反対側の面側や、基板１００とレンズ２４，５４との間などに位置させることができる。

（５）上記した第１の実施の形態の金属配線形成装置１０においてはターゲット２８を配設し、第２の実施の形態の金属配線形成装置４０においては開口数（ＮＡ）が大きなレンズ５４を配設するようにして、ターゲット２８，５８がアブレーションされてレーザー生成プラズマを発生するアブレーション閾値を低減することができるとともに、金属配線が形成される基板１００の損傷を回避できるようにしたが、これに限られることなしに、例えば、ベリリウムをドープした銅のようなアブレーション閾値の低い材料を用いるようにしてもよい。

（６）上記した第１の実施の形態の金属配線形成装置１０（図１参照）の構成と、第２の実施の形態の金属配線形成装置４０（図７参照）の構成とをそれぞれ、互いに入れ換えて構成するようにしてもよい。例えば、第１の実施の形態の金属配線形成装置１０の金属堆積システム１４に代えて、第２の実施の形態の金属配線形成装置４０の金属堆積システム４４を配設すれば、全工程のドライ化を実現することができる。

（７）上記した第１ならびに第２の実施の形態の金属配線形成装置１０，４０においては、レーザー２０から照射されたレーザー光を用いて、ターゲット２８，５８からプラズマを生成するとともに、基板１００の配線が形成される面１００ａにおいてプラズマからの発光やイオン、ラジカルとの相互作用を発揮せしめるようにしたが、これに限られることなしに、ターゲット２８，５８からプラズマを生成するためのレーザー光と、基板１００の配線が形成される面１００ａにおいてプラズマからの発光やイオン、ラジカルとの相互作用を発揮せしめるレーザー光とを別々にしてもよい。

即ち、レーザー２０から照射されるレーザー光を、基板１００を透過させてターゲット２８，５８に照射するのではなく、レーザー２０から照射されるレーザー光の光路を分岐して、一方は基板１００に照射させ、他方はターゲット２８，５８に照射させるようにしてもよい。あるいは、ターゲット２８，５８からプラズマを生成するためのレーザー光を照射するためのレーザーと、基板１００においてプラズマからの発光やイオン、ラジカルとの相互作用を発揮せしめるレーザー光を照射するためのレーザーとをそれぞれ設けるようにしてもよく、この場合にはそれぞれのレーザーは互いに異なる種類のものを用いるようにしてもよい。

（８）上記した第１ならびに第２の実施の形態の金属配線形成装置１０，４０においては、ターゲット２８，５８にレーザー光を照射することによりプラズマを生成するようにしたが、これに限られることなしに、ターゲット２８，５８を配設せず、その他の方法によってプラズマやイオン、ラジカルを生成するようにしてもよい。

例えば、金属薄膜形成システムに対応するシステムの全体が真空チャンバー内に位置するようにし、当該真空チャンバーに一対の高周波電極を設け、この高周波電極に高周波電源から高周波電流を供給することにより、真空チャンバー内の任意の箇所でプラズマを生成してイオンやラジカルを形成するようにして、基板１００に金属配線を形成するようにしてもよい。

これにより、真空チャンバー１６内において基板１００の配線が形成される面１００ａ側の領域にプラズマが生成されるようにした場合には、基板１００の配線が形成される面１００ａにおいてプラズマからの発光やイオン、ラジカルと基板１００に入射されたレーザー光との相互作用によりアブレーションによる加工が行われ、真空チャンバー１６内において基板１００の面１００ｂ側の領域にプラズマが生成されるようにした場合には、基板１００の面１００ｂにおいてプラズマからの発光やイオン、ラジカルと基板１００に入射されたレーザー光との相互作用によりアブレーションによる加工が行われて、基板１００の両面にエッチング溝２００を形成するとともにエッチング溝２００の底面２００ａに金属薄膜２０２が堆積することが可能になる。

また、第２の実施の形態の金属配線形成装置４０において、基板１００とターゲット５８との間の距離Ｗ２が大きくなるような場合には、金属薄膜形成システム４２の全体が真空チャンバー１６内に位置するようにして、真空中でレーザー光を照射するとよい。

（９）上記した実施の形態において、所定の回路パターンに対応する微細パターンを有するマスクを配設し、このマスクを通過したレーザー光がレンズ１４，５４により集光され、基板１００ならびにターゲット２８，５８に照射されて回路パターンが形成されるようにしてもよい。

なお、上記した第１ならびに第２の実施の形態の金属配線形成装置１０，４０は、マスクを用いることなしに、ステージ２６を移動させて基板１００と基板１００に照射されるレーザー光との相対的な位置関係を３次元の方向で変化させながら、一筆書きのようにして金属配線を形成することができるものであり、従来の手法では必須であった携帯電話やコンピュータの回路基板それぞれの異なる回路パターン毎のマスクを製作する手間とコストを削減できることになる。

（１０）上記した実施の形態においては、金属薄膜形成システム１２，４２において形成されるエッチング溝２００の深さや金属の薄膜の膜厚、あるいは、金属堆積システム１４，４４において堆積される金属の膜厚などはそれぞれ、レーザーの照射時間や照射強度あるいはメッキ液中への浸漬時間などを変更することにより、任意のサイズに簡単に調整可能なものである。また、ターゲット２８，５８を形成する材料を変更することにより、その材料に応じた色彩で金属配線を形成することも可能である。

従って、本発明は、回路基板への回路パターンに形成に限られることなしに、各種の金属の配線を形成する際に用いてよいものである。

（１１）上記した実施の形態ならびに上記した（１）乃至（１０）に示す変形例は、適宜に組み合わせるようにしてもよい。

本発明による金属配線形成装置の第１の実施の形態を示す概念構成図である。 図１の要部を示し、本発明による金属配線形成装置の第１の実施の形態の動作を示す概念構成図である。 （ａ）は金属薄膜形成システムにおける工程が終了したときの基板を示す説明図と一部拡大図とであり、（ｂ）は金属堆積システムにおける工程が終了したときの基板を示す説明図と一部拡大図とである。 （ａ）は従来のウェットエッチングによる金属のアンダーエッチングを示す説明図であり、（ｂ）は本発明により形成されたエッチング溝への金属の埋め込みを示す説明図である。 基板の配線が形成される面の光学顕微鏡写真である。 基板の配線が形成される面の光学顕微鏡写真である。 本発明による金属配線形成装置の第２の実施の形態を示す概念構成図である。 図７の要部を示し、本発明による金属配線形成装置の第２の実施の形態の動作を示す概念構成図である。

符号の説明

１０，４０ 金属配線形成装置
１２，４２ 金属薄膜形成システム
１４，４４ 金属堆積システム
２０ レーザー
２２ ミラー
２４，５４ レンズ
２６ ステージ
２６ａ 上面
２８ ターゲット
２８ａ 基台
２８ｂ 表面
２８ｃ 金属薄膜
２８ｄ 底面
３０，３６ スペーサー
３２ 槽
３４ メッキ液
５０ 塗布装置
５２ ハンダ
５８ ターゲット
５８ａ 上面
５８ｂ 底面
１００ 基板
１００ａ 配線が形成される面
１００ｂ 面

Claims (12)

1. 電子回路用の基板に金属配線を形成する金属配線形成方法において、
   電子回路用の基板に、前記電子回路用の基板に対して透明なレーザー光を照射するとともに、前記電子回路用の基板の配線が形成される面に近接してプラズマを生成し、前記プラズマと前記電子回路用の基板に照射されたレーザー光とを相互作用させ、前記相互作用によって、前記電子回路用の基板の前記配線が形成される面でアブレーションを発生させて、前記電子回路用の基板の前記配線が形成される面にアブレーションによるエッチング溝を形成するとともに前記エッチング溝の底面に金属薄膜を堆積させる第１の段階と、
   前記第１の段階によって形成された前記エッチング溝内に金属を堆積させる第２の段階と
   を有する金属配線形成方法。
2. 電子回路用の基板に金属配線を形成する金属配線形成方法において、
   金属の熱伝導率に比べて小さい熱伝導率を有する材料からなる基台と前記基台の表面に形成された金属の薄膜とを有するターゲットを、電子回路用の基板の配線が形成される面と前記金属の薄膜とが対向するようにしかつ前記電子回路用の基板と前記ターゲットとの間の距離を制御して配置し、前記電子回路用の基板に対して透明なレーザー光を、前記電子回路用の基板に照射するとともに前記ターゲットの前記金属の薄膜に照射して、前記ターゲットから前記ターゲットの前記金属の薄膜と前記電子回路用の基板の前記配線が形成される面との間にプラズマを生成し、前記プラズマと前記電子回路用の基板に照射されたレーザー光とを相互作用させ、前記相互作用によって、前記電子回路用の基板の前記配線が形成される面でアブレーションを発生させて、前記電子回路用の基板の前記配線が形成される面にアブレーションによるエッチング溝を形成するとともに前記エッチング溝の底面に前記ターゲットの前記金属の薄膜からアブレーションされた金属薄膜を堆積させる第１の段階と、
   前記第１の段階によって形成された前記エッチング溝内に金属を堆積させる第２の段階と
   を有する金属配線形成方法。
3. 電子回路用の基板に金属配線を形成する金属配線形成方法において、
   電子回路用の基板の配線が形成される面と表面とが対向するようにしかつ前記電子回路用の基板との間の距離を制御してターゲットを配置し、前記電子回路用の基板に対して透明なレーザー光を、焦点位置が前記ターゲットの前記表面に位置するようにして、前記電子回路用の基板に照射するとともに前記ターゲットの前記表面に照射して、前記ターゲットから前記ターゲットの前記表面と前記電子回路用の基板の前記配線が形成される面との間にプラズマを生成し、前記プラズマと前記電子回路用の基板に照射されたレーザー光とを相互作用させ、前記相互作用によって、前記電子回路用の基板の前記配線が形成される面でアブレーションを発生させて、前記電子回路用の基板の前記配線が形成される面にアブレーションによるエッチング溝を形成するとともに前記エッチング溝の底面に前記ターゲットからアブレーションされた金属薄膜を堆積させる第１の段階と、
   前記第１の段階によって形成された前記エッチング溝内に金属を堆積させる第２の段階と
   を有する金属配線形成方法。
4. 請求項１、請求項２または請求項３のいずれか１項に記載の金属配線形成方法において、
   前記第１の段階において照射されるレーザー光は、パルス・レーザー光である
   金属配線形成方法。
5. 請求項１、請求項２、請求項３または請求項４のいずれか１項に記載の金属配線形成方法において、
   前記第２の段階は、無電解メッキ液を用いたメッキ、電解メッキ液を用いたメッキまたはハンダの塗布のうちのいずれかにより、前記エッチング溝内に金属を堆積させる
   ものである金属配線形成方法。
6. 請求項１、請求項２、請求項３、請求項４または請求項５のいずれか１項に記載の金属配線形成方法において、
   前記電子回路用の基板はポリマー材料により形成され、前記第１の段階によって前記エッチング溝の底面に金の薄膜を形成し、前記第２の段階によって前記エッチング溝内に銅を堆積させる
   ものである金属配線形成方法。
7. 電子回路用の基板に金属配線を形成する金属配線形成装置において、
   配線が形成される面を有する電子回路用の基板を移動自在に保持する保持手段と、
   前記保持手段に保持された前記電子回路用の基板の前記配線が形成される面に近接してプラズマを生成するプラズマ生成手段と、
   前記電子回路用の基板に対して透明なレーザー光を、前記保持手段に保持された前記電子回路用の基板に照射して、前記プラズマ生成手段によって生成されたプラズマと前記レーザー光とを相互作用させるレーザーと
   を有し、
   前記プラズマ生成手段によって生成されたプラズマと前記レーザーから前記電子回路用の基板に照射されたレーザー光との相互作用によって、前記電子回路用の基板の前記配線が形成される面でアブレーションを発生させて、前記電子回路用の基板の前記配線が形成される面にアブレーションによるエッチング溝を形成するとともに前記エッチング溝の底面に金属薄膜を堆積させる第１のシステムと、
   前記第１のシステムによって形成された前記エッチング溝内に金属を堆積させる第２のシステムと
   を有する金属配線形成装置。
8. 電子回路用の基板に金属配線を形成する金属配線形成装置において、
   配線が形成される面を有する電子回路用の基板を移動自在に保持する保持手段と、
   金属の熱伝導率に比べて小さい熱伝導率を有する材料からなる基台と前記基台の表面に形成された金属の薄膜とを有してなり、前記保持手段に保持された前記電子回路用の基板の前記配線が形成される面と前記金属の薄膜とが対向するようにしかつ前記電子回路用の基板との間の距離を制御して配置されたターゲットと、
   前記電子回路用の基板に対して透明なレーザー光を、前記保持手段に保持された前記電子回路用の基板に照射するとともに前記ターゲットの前記金属の薄膜に照射して、前記ターゲットから前記ターゲットの前記金属の薄膜と前記電子回路用の基板の前記配線が形成される面との間にプラズマを生成し、前記プラズマと前記レーザー光とを相互作用させるレーザーと
   を有し、
   前記ターゲットから生成されたプラズマと前記レーザーから前記電子回路用の基板に照射されたレーザー光との相互作用によって、前記電子回路用の基板の前記配線が形成される面でアブレーションを発生させて、前記電子回路用の基板の前記配線が形成される面にアブレーションによるエッチング溝を形成するとともに前記エッチング溝の底面に前記ターゲットの前記金属の薄膜からアブレーションされた金属薄膜を堆積させる第１のシステムと、
   前記第１のシステムによって形成された前記エッチング溝内に金属を堆積させる第２のシステムと
   を有する金属配線形成装置。
9. 電子回路用の基板に金属配線を形成する金属配線形成装置において、
   配線が形成される面を有する電子回路用の基板を移動自在に保持する保持手段と、
   前記保持手段に保持された前記電子回路用の基板の前記配線が形成される面と表面とが対向するようにしかつ前記電子回路用の基板との間の距離を制御して配置されたターゲットと、
   前記電子回路用の基板に対して透明なレーザー光を、焦点位置が前記ターゲットの前記表面に位置するようにして、前記保持手段に保持された前記電子回路用の基板に照射するとともに前記ターゲットの前記表面に照射して、前記ターゲットから前記ターゲットの前記表面と前記電子回路用の基板の前記配線が形成される面との間にプラズマを生成し、前記プラズマと前記レーザー光とを相互作用させるレーザーと
   を有し、
   前記ターゲットから生成されたプラズマと前記レーザーから前記電子回路用の基板に照射されたレーザー光との相互作用によって、前記電子回路用の基板の前記配線が形成される面でアブレーションを発生させて、前記電子回路用の基板の前記配線が形成される面にアブレーションによるエッチング溝を形成するとともに前記エッチング溝の底面に前記ターゲットからアブレーションされた金属薄膜を堆積させる第１のシステムと、
   前記第１のシステムによって形成された前記エッチング溝内に金属を堆積させる第２のシステムと
   を有する金属配線形成装置。
10. 請求項７、請求項８または請求項９のいずれか１項に記載の金属配線形成装置において、
    前記レーザーは、前記レーザー光としてパルス・レーザー光を照射するものである
    金属配線形成装置。
11. 請求項７、請求項８、請求項９または請求項１０のいずれか１項に記載の金属配線形成装置において、
    前記第２のシステムは、無電解メッキ液を用いたメッキ、電解メッキ液を用いたメッキまたはハンダの塗布のうちのいずれかにより、前記エッチング溝内に金属を堆積させる
    ものである金属配線形成装置。
12. 請求項７、請求項８、請求項９、請求項１０または請求項１１のいずれか１項に記載の金属配線形成装置において、
    前記電子回路用の基板はポリマー材料により形成され、前記第１のシステムによって前記エッチング溝の底面に金の薄膜を形成し、前記第２のシステムによって前記エッチング溝内に銅を堆積させる
    ものである金属配線形成装置。