CN107107127A - 关于清洁离子源的方法和装置 - Google Patents

Abstract

一种清洁离子源的方法。该方法包括：在反光镜的第一反射面，将具有第一波长带内波长的光反射到离子源的表面上以使污染物材料从离子源的表面被解吸；在反光镜的第二反射面，将具有第二波长带内的波长并且来自离子源的表面的光反射向用于生成离子源的表面的图像的成像装置，其中具有第二波长带内波长的光在反光镜的第二反射面上被反射之前穿过反光镜的第一反射面。

Description

关于清洁离子源的方法和装置

技术领域

本发明涉及关于清洁离子源的方法和装置。

背景技术

飞行时间(“TOF”)质谱是用于通过加速离子测量离子的质量/电荷比值以及测量其飞行至离子检测器的时间的分析技术。

基质辅助激光解吸/电离，常常被称为“MALDI”，是在其中通常激光器被用于在样品材料以及光吸收矩阵的(通常结晶的)混合物处发射光以电离样品材料的电离技术。与MALDI一起使用的样品材料典型地包括例如生物分子(例如蛋白质)的分子，大的有机分子和/或聚合物。光吸收矩阵通常被用于保护这种分子避免被来自激光器的光损害或者破坏。产生的典型地具有几千道尔顿质量的离子，然后被加速至高动能，典型的大约20千电子伏。通常，被配置以通过MALDI产生离子的离子源被称为“MALDI离子源”。MALDI离子源典型地包括用于通过在样品材料以及光吸收矩阵的混合物处发射光来电离样品材料的激光器。

通常，当MALDI离子源在使用时，MALDI离子源的激光器在包含在样品点中的样品材料以及光吸收矩阵的混合物处发射(例如UV)光脉冲以从样品点喷射一缕缕电离和非电离的(即中性的)样品材料(分析物)以及光吸收矩阵。包含在该喷流中的电离材料(大部分样品材料的离子以及一些光吸收矩阵的离子)将通常通过由一个或多个MALDI离子源的电极产生的电场被引导/加速以便穿过电极中的缝隙，例如用于随后的通过离子检测器的检测。然而，包含在该喷流中的非电离材料(大部分非电离的光吸收矩阵以及一些非电离的样品材料)将通常继续从样品点发散直到其沉积在离子源附近的表面上，例如MALDI离子源的电极的表面。

随着时间的过去，非电离材料在样品点附近的表面上，尤其是在MALDI离子源的电极的表面上，积累以形成可能随着时间充电并不利地影响MALDI离子源操作的污染物材料的绝缘层。特别地，在电极上的污染物材料的绝缘层可以扭曲通过电极产生的电场以至于降低了使用MALDI离子源的质谱仪的灵敏性或者分辩率。此时MALDI离子源的电极将通常需要清洁。

多年以来清洁MALDI离子源电极的主要方法是给包含电极的抽成真空的壳体开孔并打开抽成真空的壳体以允许电极在原位置被清洁或者完全移开用于彻底的清洁。在两种情形下，除了清洁时间，通常需要几个小时来对MALDI离子源的壳体(曾经被封闭)恢复真空并进行高压调节、通常对MALDI离子源用于质谱分析所必需的仪器调整以及质量校准程序。

在许多应用中(例如生物化学)存在对目前可以通过能够以1千赫兹或以上的重复率运行的MALDI离子源的引进而实现的更高处理量质谱仪的日益增长的需求。这提高了堆积在MALDI离子源电极上的污染的速率，以及其必须被清洁的频率，到如此程度以至于每次其电极需要清洁时给MALDI离子源开孔已通常是不实际的。

这些考虑使找到清洁MALDI离子源电极而不需要给MALDI离子源的抽成真空的壳体开孔的有效方法是合乎需要的。

不同的方法被考虑以清洁MALDI离子源的电极而不需要给MALDI离子源的抽成真空的壳体开孔。一些诸如此类的方法例如在GB2486628的背景部分被描述。

在GB2486628的主要部分中，提出有通过将UV光导向表面以至于污染物材料从表面解吸来清洁离子源的至少一个表面的方法。以这种方式，离子源的至少一个表面可以以简单的方式被清洁，而不必显著地加热表面并且不必给离子源的抽成真空的壳体开孔。

本发明人发现虽然GB2486628中提出的方法运作良好，但GB2486628中提出的清洁方法的有效性在相对少的数量的清洁周期之后可能开始劣化。该问题在下面更详细地描述(参考图2和图3)。

发明人因此认为找到方法来以更适应于重复清洁周期的方式清洁离子源的表面是合乎需要的。

发明内容

根据以上考虑本发明被构思出。

本发明的第一方面可以提供：

一种清洁离子源的方法，该方法包括：

在反光镜的第一反射面，将具有第一波长带内波长的光反射到离子源的表面上，以使污染物材料从离子源的表面被解吸；

在反光镜的第二反射面，将具有第二波长带内的波长并且来自离子源的表面的光反射向用于生成离子源的表面的图像的成像装置，其中具有第二波长带内波长的光在在反光镜的第二反射面上被反射之前穿过反光镜的第一反射面。

以这种方式，第一反射面可以被优化以反射具有第一波长带内波长的光(例如用于离子源的表面的有效清洁)以及第二反射面可以被优化以反射具有第二波长带内波长的光(例如用于形成离子源的表面的图像)。因此，例如，第一反射面可以被优化以抑制由具有第一波长带内波长的光引起的反光镜的劣化，并且第二反射面可以被优化以允许离子源的表面的聚焦图像通过使用具有第二波长带内波长的光的成像装置被生成。

优选地，离子源包括用于通过在样品材料上发射光来电离样品材料的激光器。优选地，激光器用于通过在样品材料上发射光脉冲来电离样品材料。通过激光器产生的光优选为UV光。

用于电离样品材料的激光器可以包括用于调整通过激光器产生的光的焦点的焦点调整机构。可选择地，用于电离样品材料的激光器可以具有固定的(非可调整的)焦点。

优选地，具有第一波长带内波长的光通过用于电离样品材料的激光器被生成。这是高度优选的因为，如同例如GB 2486628中所述，用于电离样品材料的激光器通常将已经产生能够从离子源的表面解吸样品材料的光，由此使包括用于产生具有第一波长带内波长的光的单独的光源不必要。

但是，在其他实施例中，具有第一波长带内波长的光可以通过例如额外于用于电离样品材料的激光器的单独的光源(例如激光器)产生。

优选地，具有第一波长带内波长的光是紫外(“UV”)光。紫外光可以定义为具有范围10纳米至400纳米内波长的光。此处术语“具有第一波长带内波长的光”可以因此利用术语“具有范围10纳米至400纳米内波长的光”替换。

如GB 248628中所述，UV光已经被发现在从离子源的表面解吸污染物材料方面尤其地有用而不必显著地加热离子源的表面。

优选地，具有第一波长带内波长的光具有范围300纳米至400纳米内的波长。这是用于MALDI离子源最有用的波长范围，因为这是在其上典型的MALDI矩阵实际上吸收光的波长范围。

优选地，反光镜的第一反射面对具有第一波长带内波长的光具有90％或者更多的反射率，更优选地99％或者更多，更优选地99.9％或者更多。这有助于减少从这种光被吸收进反光镜的能量的数值，并因此有助于抑制由这种光的吸收引起的反光镜的劣化。

第一反射面可以对具有第二波长带内波长的光具有10％或者更少的反射率，或者甚至5％或者更少。

用于生成离子源的表面的图像的成像装置可以是照相机，其可以被配置为使用可见光生成离子源的表面的图像。

对于离子源包括用于生成样品的图像的成像装置(例如照相机)是普遍的。典型地，这种成像装置将被配置为使用可见光生成样品的图像。典型地，这种成像装置将附有用于利用可见光照明样品的光源(例如白色LED)。典型地，这种成像装置将被配置为生成位于样品平面的样品的聚焦图像。

优选地，用于生成样品的图像的成像装置同样被用作用于生成离子源的表面的图像的成像装置。以这种方式，仅仅一个成像装置可以用于生成样品的图像(例如当样品材料位于射束轴上)和离子源的表面的图像(例如当反光镜位于射束轴上)。

但是，在其他实施例中，用于生成离子源的表面的图像的成像装置可以独立于用于(即额外于)生成样品的图像的成像装置。例如如果具有第一波长带内波长的光通过额外于用于电离样品材料的激光器的光源(例如激光器)产生，这可以是恰当的。

离子源可以包括用于利用具有第二波长带内波长的光照明离子源的表面的光源，例如因此该光可以通过离子源的表面被反射，由此提供具有第二波长带内的波长并且来自离子源的表面的光。

优选地，用于利用可见光照明样品的光源(例如白色LED)同样被用作用于利用具有第二波长带内波长的光照明离子源的表面的光源。以这种方式，仅仅一个光源可以用于利用第二波长带内的光照明样品和离子源的表面。然而，分开的光源可以用于这些目的。

用于生成样品的图像的成像装置可以包括用于调整成像装置从其生成聚焦图像的平面的焦点调整机构。可选择地，用于生成样品的图像的成像装置可以具有固定焦点，即以使成像装置从其生成聚焦图像的平面是固定的。

焦点调整机构(用于调整通过激光器产生的光的焦点或者用于调整成像装置从其生成聚焦图像的平面)可以包括，例如，用于沿着适当的光轴移动光学器件的机构或者用于从适当的光轴插入/移去元件的机构。在这些选择中，包括用于沿着适当的光轴移动光学器件的机构的焦点调整机构是优选的。

优选地，第二反射面对具有第二波长带内波长的光具有50％或者更多的反射率，更优选地80％或者更多。

优选地，具有第二波长带内波长的光是可见光。可见光可以定义为具有范围390纳米至700纳米内波长的光。此处术语“具有第二波长带内波长的光”可以因此利用术语“具有范围390纳米至700纳米内波长的光”被替换。

为了任何疑问的避免，第二反射面可以反射具有第二波长带内的多个波长的光，例如具有多个波长的可见光。因此，方法可以包括，在反光镜的第二反射面，将具有第二波长带内的多个波长并且来自所述离子源的表面的光反射向用于生成离子源的表面的图像的成像装置，其中具有第二波长带内的多个波长的光在在反光镜的第二反射面上被反射之前穿过反光镜的第一反射面。

优选地，离子源包括一个或多个电极，例如第一电极和第二电极。离子源的电极或者每个电极可以是环状的(环形的)并且可以限定缝隙。

离子源的表面优选地为离子源的电极(例如上述第一或者第二电极)的表面。

离子源的一个或多个电极可以被配置为沿着离子轴加速和/或引导电离的样品材料。

用于电离样品材料的激光器(如果存在)优选地被配置为产生沿射束轴前行的光。

用于生成样品的图像的成像装置(如果存在)优选地被配置为使用沿光轴前行的光生成图像。

离子轴可以穿过由离子源的一个或多个电极限定的一个或多个缝隙。在这种情况下，用于电离样品材料的激光器(如果存在)优选地被配置为产生沿贯穿由离子源的一个或多个电极限定的一个或多个缝隙的射束轴前行的光。类似地，用于生成样品的图像的成像装置(如果存在)优选地被配置为使用沿贯穿由离子源的一个或多个电极限定的一个或多个缝隙的光轴前行的光生成图像。

优选地，射束轴(如果用于电离样品材料的激光器存在)在样板(如果样板位于离子轴上)处交叉离子轴。优选地，射束轴(如果用于电离样品材料的激光器存在)例如以小角度(优选地10°或者更小，更优选地5°或者更小)偏离离子轴，以防止位于射束轴上的任何光学/射束转向元件(例如反光镜)干扰(例如通过阻断)沿着离子轴行进的电离的样品材料。优选地，偏斜角度被选择以至于在位于射束轴上的光学/射束转向元件(例如反光镜)处射束轴和离子轴之间具有至少3毫米间隙。

优选地，光轴(如果用于电离样品材料的激光器存在)在样板(如果样板位于离子轴内)处交叉离子轴。优选地，光轴(如果用于生成样品的图像的成像装置存在)例如以小角度(优选地10°或者更小，更优选地5°或者更小)偏离离子轴，以防止位于光轴上的任何光学/射束转向元件(例如反光镜)干扰(例如通过阻断)沿着离子轴行进的电离的样品材料。优选地，偏斜角度被选择以至于在位于射束轴上的光学/射束转向元件(例如反光镜)处光轴和离子轴之间具有至少3毫米间隙。

优选地，例如使用一个或多个光学/射束转向元件(例如反光镜)，射束轴(如果用于电离样品材料的激光器存在)和光轴(如果用于生成样品的图像的成像装置存在)例如以小角度(优选地10°或者更小，更优选地5°或者更小)和/或小距离彼此偏离，以允许通过激光器产生的光与通过成像装置接收的光分离。

优选地，方法包括，在成像装置处，使用具有第二波长带内波长的光生成所述离子源的表面的图像。

优选地，在具有第二波长带内波长的光在反光镜的第二反射面被反射(朝向成像装置)的同时，具有第一波长带内波长的光在反光镜的第一反射面被反射(到离子源的表面上)。以这种方式，在污染物材料从离子源的同样的表面被解吸的同时，离子源的表面的图像可以被生成(在成像装置处)。在成像装置处生成的图像(优选为移动图像，优选地“实时”地生成)可以有益于帮助观察者移动反光镜以使具有第一波长带内波长的光扫过表面，如下所述。

优选地，方法包括移动反光镜以使具有第一波长带内波长的光扫过离子源的表面(可选择地，包括该表面的多个表面)。

优选地，反光镜的第一和第二反射面相对于用于电离样品材料的激光器为凹面。以这种方式，仅仅通过在平面内移动反光镜，具有第一波长带内波长的光就可以扫过离子源的表面(或者多个表面)。

优选地，第一和第二反射面具有球面曲率，因为制造球面的反射面通常比其他的曲面便宜。然而，其他的曲率(例如抛物线)是可以的。

优选地，第一反射面在反光镜的第二反射面之上。

优选地，第一反射面被配置(例如通过具有适当的曲率)以聚焦具有第一波长带内波长的光，以至于光在离子源的表面具有预设的能量密度。

具有第一波长带内波长的每个光脉冲在离子源的表面的预设的能量密度可以是1μJ/mm²以上，10μJ/mm²以上，100μJ/mm²以上，200μJ/mm²以上，400μJ/mm²以上或者500μJ/mm²以上；和/或2000μJ/mm²以下，1000μJ/mm²以下，800μJ/mm²以下或者600μJ/mm²以下。这些数值可以以任何组合结合。例如，每个UV光脉冲在离子源的至少一个表面的表面处可以具有范围400μJ/mm²至800μJ/mm²内的能量密度。这种能量密度(每个脉冲)已经被发现有效地解吸污染物材料。

在一些实施例中，第一和第二反射面具有相同曲率。如以下更详细地论述那样，例如如果用于电离样品材料的激光器包括焦点调整机构和/或用于生成样品的图像的成像装置包括焦点调整机构，这可以是适当的。

在一些实施例中，第一和第二反射面具有不同曲率。如以下更详细地论述那样，例如如果用于电离样品材料的激光器是固定的焦点和/或用于生成样品的图像的成像装置是固定的焦点，这可以是适当的。

如果用于电离样品材料的激光器是固定焦点并且用于生成样品的图像的成像装置是固定焦点，第一反射面被优选地配置(例如通过具有适当的曲率)以将通过用于电离样品的激光器产生的光聚焦至在离子源的表面的预设的能量密度，并且第二反射面被优选地配置(例如通过具有适当的曲率)以聚焦来自离子源的表面的光以至于聚焦图像(离子源的表面的)能够通过用于生成样品的图像的成像装置被生成。

如果用于电离样品材料的激光器包括焦点调整机构和/或用于生成样品的图像的成像装置包括焦点调整机构，第一反射面仍然可以被配置(例如通过具有适当的曲率)以将通过用于电离样品的激光器产生的光聚焦至在离子源的表面的预设的能量密度，并且第二反射面可以被配置(例如通过具有适当的曲率)以聚焦来自离子源的表面的光以至于聚焦图像能够通过用于生成样品的图像的成像装置被生成。然而，这不与上述固定焦点情形一样重要，因为必要的焦点调整可以反而通过焦点调整机构被提供。

优选地，反光镜被安装在用于支撑将通过离子源被电离的样品材料的样品支架上。以这种方式，反光镜和通过样品支架支撑的样品材料，仅仅通过移动样品支架就可以被移入(或移出)通过用于电离样品材料的激光器产生的光。

优选地，反光镜被安装在样品支架上以至于第一和第二反射面与通过样品支架支撑的样品相比在距用于电离样品材料的激光器不同的距离上。这可以有助于允许第一反射面将来自激光器的光聚焦至具有在离子源的表面的预设的能量密度。

样品支架可以包括用于支撑一个或多个“样品点”内的样品材料的样板。样品支架可以包括用于承载样板的样板载体。

离子源可以是MALDI离子源。对于MALDI离子源，样品材料可以包括生物分子(例如蛋白质)，有机分子和/或聚合物。样品材料可以包括在样品材料和光吸收矩阵的混合物(优选地，结晶的)中。清洁电极已经被认为是对于MALDI离子源的特定的忧虑。然而，离子源的其他类型的表面(例如电极)同样可能需要清洁。

污染物材料可以，例如，包括或者为非电离样品材料和/或例如DCTB(反-2-(3-(4-叔丁基苯基)-2-甲基-2-亚丙烯基)丙二腈)，DHB(2,5-二羟基苯甲酸)，SA(芥子酸)，DTL(1，8，9-茴香三醇(蒽酚))或者CHCA(α-氰-4-羟基肉桂酸)的光吸收矩阵。例如，非电离样品材料和/或非电离光吸收矩阵可以来源于先前用于离子源的样品材料和光吸收矩阵的混合物。

离子源可以包括在质谱仪中，优选地，TOF质谱仪，更优选地，MALDI TOF质谱仪。质谱仪可以包括用于检测通过离子源产生的例如离子脉冲的离子的离子检测器。

离子源可以用于产生电离的样品材料在质谱仪中供使用。

本发明的第二方面可以提供用于产生电离的样品材料的离子源，该离子源包括反光镜，该反光镜包括第一反射面和第二反射面。

离子源可以被配置为通过如同本发明的第一方面陈述的方法被清洁。

离子源可以包括以上描述的关于本发明的第一方面的任意的可选择的特征。

本发明的第三方面可以提供在离子源中供使用的反光镜，该反光镜包括第一反射面和第二反射面。

反光镜可以被配置为用于通过如同本发明的第一方面陈述的方法清洁离子源。

离子源可以包括以上描述的关于本发明的第一和/或第二方面的任意的可选择的特征。

本发明同样包括描述的方面和优选的特征的任意组合，除非这种组合被清楚地不允许或者明确地避免。

本发明同样可以包括在GB 2486628中描述的任意可选择的特征，除非这种包含被清楚地不允许或者明确地避免。

在本申请的上下文中，“光”被优选地意为电磁幅射。物质从表面的“解吸”优选地意为物质从表面的释放/移除。

附图说明

参考附图，下面论述发明人提议的实例，其中：

图1(a)示出不是本发明的实施例，但是为更好地理解本发明而被包括的MALDI离子源100。

图1(b)示意性地说明图1(a)的射束轴130和离子轴122之间的优选的关系。

图2示出不是本发明的实施例，但是为更好地理解本发明而被包括的MALDI离子源200。

图3示出对于金属涂层的光学器件的典型的反射率数值。

图4示出对于金属涂层的反光镜，宽频介电涂层的反光镜以及为355纳米波长优化的介电涂层的反光镜的典型的反射率数值。

图5示出与图2的反光镜250相比的用于第一清洁方法的反光镜350。

图6示出使用第一清洁方法的离子源清洁前后的电极的图像。

图7示出与图2的反光镜250相比的在第二清洁方法中使用的反光镜450。

图8示出使用第二清洁方法的离子源，其中定制的凹面反光镜450被使用。

具体实施方式

1.现有清洁方法的分析

图1(a)示出不是本发明的实施例，但是为更好地理解本发明而被包括的MALDI离子源100。

图1(a)中所示的MALDI离子源100具有用于支撑将通过MALDI离子源100被电离的样品材料的样品支架。样品支架包括从MALDI离子源100可拆卸的，用于支撑样品点120中样品材料和光吸收矩阵(matrix)的结晶混合物的样板110，以及从MALDI离子源100不可拆卸的，用于承载样板110的样板载体112。

MALDI离子源100同样具有用于通过向样品材料发射以沿射束轴130前行的脉冲激光光束的形式的、在该实例中为UV光脉冲的光脉冲，，来电离样品材料的激光器(未示出)。如图1(a)所示，通过激光器产生的UV光被聚焦以收敛于其的位置与样品点120重合的焦点。

MALDI离子源100同样具有用于产生电场以将通过激光器产生的离子加速至预设动能，例如20千电子伏的第一电极140和第二电极142。第一和第二电极140，142被各自定形以限定缝隙，通过激光器产生的离子当其通过第一和第二电极140，142被引导/加速时可以穿过该缝隙，以沿离子轴122前行。

MALDI离子源100同样包括用于包含电极140，142和样品支架的壳体(未示出)。优选地，壳体在MALDI离子源100被使用之前被抽真空。

在使用时，激光器向包含在样品点120中的样品材料和光吸收矩阵的混合物发射光脉冲以喷射一缕缕电离和非电离的(即中性的)样品材料(“分析物”)和光吸收矩阵。包含在该喷流中的电离材料(大部分样品材料的离子和一些光吸收矩阵的离子)将通常通过由第一和第二电极140，142产生的电场被引导/加速以沿穿过由第一和第二电极140，142限定的缝隙的离子轴122前行，例如用于随后的通过离子检测器的检测。然而，包含在该喷流中的非电离材料124(大部分非电离光吸收矩阵和一些非电离样品材料)将通常继续从样品点120发散直到其沉积在样品点附近的表面上，例如第一和第二电极140，142的表面。通常，大部分非电离材料124将沉积在第一电极140的表面上，而一些非电离材料124同样可以穿过第一电极140中的缝隙以沉积在第二电极142的表面上。

随着时间的过去，非电离材料在样品点附近的表面上，尤其是在第一和第二电极140，142的表面上，积累以形成可以随时间充电并不利地影响MALDI离子源100操作的污染物材料的绝缘层。特别地，在第一和第二电极140，142上的污染物材料的绝缘层可以扭曲通过第一和第二电极140，142产生的电场以至于降低了使用MALDI离子源100的质谱仪的灵敏性或者分辩率。此时MALDI离子源的第一和第二电极140，142将通常需要清洁。

以这种方式，来自UV激光器的UV光被聚焦在样板110上以解吸和电离将在质谱仪中被分析的样品。

图1(b)示例性地说明图1(a)的射束轴130和离子轴122之间的优选的关系。

虽然在图1(a)中射束轴130和离子轴122被描绘为平行，但是优选地，如图1(b)所示，射束轴130以小角度(在该实例中3°)偏离于离子轴122，以防止位于射束轴130上的任何光学/射束转向元件(在该实例中反光镜132)干扰(例如通过阻断)电离的样品材料沿着离子轴122前行。优选地，偏斜角度被选择以至于在光学/射束转向元件处射束轴130和离子轴22之间具有至少3毫米间隙。如图1(b)所示，射束轴130优选地在这些轴线收敛的样品点120处与离子轴122交叉。

MALDI离子源优选地包括用于照明样品的可见光的光源(例如白色LED)，以及用于使用沿贯穿由第一和第二电极140，142限定的缝隙的光轴前行的可见光生成样品图像的成像装置(例如照相机)。成像装置被优选地配置为生成位于样品平面121(可以为样板110的平面)内的样品的聚焦图像。

光轴被优选地以小角度(例如3°)偏离于离子轴122，以防止位于射束轴130上的任何光学/射束转向元件(例如反光镜)干扰(例如通过阻断)电离的样品材料沿离子轴122前行。这可以以与图1(b)中对于射束轴130显示的类似的方式实现，然而毫无疑问射束轴130和光轴应该彼此偏离，以允许通过激光器产生的光与通过成像装置接收的光分开。

图2示出不是本发明的实施例，但是为更好地理解本发明的而被包括的MALDI离子源200。

MALDI离子源200实现GB2486628的教导。

图2中示出的MALDI离子源200的许多特征与图1(a)中示出的MALDI离子源100的特征相同。

在本说明书恰当处，相应的特征已被给定相应的参考数字并且不需要进一步详细地论述。

如同可以从图2看到的那样，样品支架包括不同形状的样板载体212，具有其上样板210被安装的第一层以及在其上凹形反射面通过UV反光镜250被提供的第二层。因此，反光镜被安装在样板载体212上以至于反射面在距用于电离样品材料的激光器不同的距离处。在该实例中，反光镜250的凹形反射面具有通常的球面曲率以及中心轴线252。

样板载体被配置为在基本上垂直(例如在垂线的10°内)于用于电离样品材料的激光器的射束轴232(即激光束的轴线)的平面内移动以允许样板210，和反光镜250，移入以及移出射束轴232。

在产生离子的使用中，在样板210上的样品点220被移入激光器的射束轴232以至于来自激光器的UV光被聚焦收敛于其位置与样品点220重合的第一焦点234。

在清洁电极240，242中的一个的用途中，反光镜250被移入激光器的射束轴232以至于来自激光器的UV光经由反射来自激光器的UV光的反光镜250被导向电极240，242中的一个的表面。有利地，UV光能够直接地将能量耦合进电极表面上的污染物材料以使污染物材料从电极表面解吸而不必显著地加热电极，并且不必给MALDI离子源200的抽成真空的壳体开孔。

一旦位于激光器的射束轴232上，反光镜250被优选地，例如连续地，在基本垂直(例如在垂线的10°内)于激光器的射束轴232的平面内移动，以至于来自激光器的UV光，优选地在两个方向上，被扫过电极240，242的表面或者两者之一的表面。

如图2所示，来自激光器的UV光首先通过一个或多个与激光器有关的透镜(未示出)被聚焦收敛于第一焦点234并且随后通过反光镜250被重新聚焦收敛于第二焦点236(“重新聚焦的激光点”)。如图2所示，第二焦点236的位置在第一电极240的表面上。然而，例如，第二焦点236的位置可以被选择不同于在电极的表面上，以达到在电极表面的预设的能量密度。

因此，离子源200的清洁被优选地通过使用由另外用于电离样品材料的UV激光器产生的UV光照射离子源的电极并且解吸沉积在其表面上的污染物材料(电离残渣)实现。

如上所述，反光镜250的凹形反射面位于样板210的平面以下并且通过移动或者平移样板载体212远离激光束轴而被接近(参见图2)。在基本垂直于(例如在垂线的10°内)激光束的平面内移动反光镜250使重新聚焦的激光束扫过要被清洁的电极表面。

因此，单面凹面反光镜250被用于反射并将UV激光束重新聚焦到离子源的电极上以解吸污染物材料。

GB2486628同样教导反光镜250的同一表面可以被用来在视觉上评估存在于电极上的污染物材料的数量。

本发明人注意到实际上，使用反光镜250的表面的存在于电极上的污染物材料的视觉评估可以使用已经存在于离子源中用于提供样品图像目的的成像装置以及光源实现。

正如以上参考图1所论述的那样，MALDI离子源可以包括用于照明样品的可见光的光源(例如白色LED)，以及用于生成样品图像的成像装置(例如照相机)。光源以及成像装置同样存在于离子源200(以及下面论述的其他离子源)中。

发明人观察到光源以及用于生成样品图像的成像装置同样可以被用来提供被清洁的电极的图像，例如以允许被清洁的电极上的污染物材料当其被清洁时可见。

更详细地，光源(虽然被典型地设置以提供样品的照明)已被发现能够提供足够的电极的照明，由此允许反光镜250向成像装置反射来自电极的可见光以使成像装置可以在电极被清洁时提供电极表面的图像。

本发明人基于GB2486628的教导已进行进一步的实验，现在将描述。

由本发明人初始选择以实现GB2486628的方法的反光镜250被选择为(容易获得的)现成的目录项以最小化成本，因为该元件被预料到具有有限寿命并且需要定期地更换。本发明人已经想到在清洁处理期间从电极表面解吸的污染物材料不得不去某处并且可以预见的是一些材料将沉积在反光镜表面上并且最终不利地影响其性能，导致反光镜需要被清洁或者替换。

本发明人注意到许多涂层对反光镜是可用的并且对于给定的应用的合适的涂层取决于许多因素，例如感兴趣的波长带(例如IR，可见光，UV)，需要的反射率，入射光的能量密度以及甚至环境条件。对于GB2486628的方法，反射足够的UV激光用于清洁处理以有效地运作，同时优选地反射足够的可见光(来自电极表面)以使源电极能够被成像被认为是必要的。

金属反光镜涂层被广泛使用并且对于通常使用的金属铝，银以及金的特性曲线在显示对于覆有金属的光学器件的典型的反射率数值的图3中被示出。

如通过图3所示，铝的性能可以通过在铝上涂覆多层介电薄膜以提高在可见或者紫外区的反射系数来改善(即在图3中所称的“增强铝”)。

因此，为了实现GB2486628的方法，UV增强铝涂层被选择用于反光镜250以在感兴趣的激光波长范围达到最大反射率，因为在MALDI离子源中用于电离样品材料的典型的UV激光器典型地产生具有落入范围337纳米至355纳米的单一波长的UV光。更详细地，最通常使用的激光器是产生具有337纳米波长的UV光的氮激光器以及产生具有355纳米波长的UV光的Nd：YAG激光器，虽然其他类型的激光器是可用的。氮激光器趋向于具有不良重复率，因此Nd：YAG激光器在现代机器中更为常用。

注意到通过选择用于反光镜250的UV增强铝涂层，在优选的激光波长(355纳米)处的反射率以超过87％相对较高并且在可见光区(390纳米至700纳米)的反射率对于成像源仍然是足够的(>85％)。

使用该选择的用于反光镜250的涂层材料的GB2486628的离子源清洁方法的初始评估发现该方法奏效，在大约15分钟内两个电极的表面被有效地清洁。

然而，本发明人发现清洁处理的有效性在大约只有10个清洁周期之后开始劣化。反光镜250的检查显示出在通过激光束扫掠过的区域上反光镜250表面的可见劣化，其同样被发现具有显著降低的反射率。

如上所述，本发明人已预料到反光镜250将需要以一定时间间隔被清洁或者替换，但期望这将与年度维修程序重合。离子源需要清洁的频率显著地不同并且取决于离子源配置(例如电极缝隙的内径，电极间距)，被分析的样品的类型以及毫无疑问使用的频率。虽然确定一年内需要的清洁操作的数量是不可能的，但是本发明人观察到该数量可能多少大于10并且实际上难以防止用户比实际需要更显著频繁地清洁离子源。

便宜的现成的反光镜的可用性潜在地允许安装多个反光镜作为对该问题的解决方案，但是这样做增加了系统的机械和控制复杂度，以及潜在地增加了装置的尺寸。

2.新的清洁方法

总之，下面的论述描述关于清洁离子源的至少一个表面的方法和装置的本发明人的提议的实例。

这些实例基于对上述反光镜劣化问题的优雅的解决方案(比使用分开的反光镜更优雅)，其通过不仅有助于提高方法的耐久性，而且与GB 2486628的方法相比提高清洁和成像两方面的灵活性的反光镜的加入实现。

在一些实施例中，现成的光学器件被用于实现对清洁源电极的低成本以及有效处理。在其他实施例中，定制的反光镜被用于提高实现的耐久性和灵活性。与使用现成的反光镜相比，使用定制的反光镜的成本略高(例如以2014的价格，用于现成的元件的￡50相比用于定制的反光镜￡130)，但是实现定制的反光镜比例如在GB2486628的背景部分描述的其他的清洁方案仍然便宜的多。

此处陈述通过本发明人构思的新的清洁方法的两个实现。下面的章节2.1描述使用具有相同曲率的两个表面反光镜的第一清洁方法以及章节2.2描述两个表面曲率不相同并且反而为离子源几何结构优化的第二清洁方法。

2.1第一清洁方法：两个表面反光镜包括介电涂层的第一表面和铝涂层的第二表 面(表面具有相同的曲率)

先前描述的UV增强铝反光镜涂层在UV具有大约87％的反射率。虽然该反射率被发现足够用于清洁处理，但是其留下既不通过反光镜被反射也不被散射的相当一部分能量(～13％)。不希望通过理论被束缚，本发明人认为该能量最可能通过涂层被吸收并且因此促使反光镜表面的劣化。因此，本发明人认为在反光镜上使用在UV激光器波长处具有非常接近100％反射率的更耐用的涂层更好。

图4示出了对于金属涂层的反光镜，宽带介电涂层的反光镜以及为355纳米波长优化的介电涂层反光镜的典型的反射率值，355纳米波长是在由本发明人设计的离子源中通过用于电离样品材料的激光器产生的光的波长(注意介质涂层从专有的处方被制成并且制造商之间将不同)。

广泛使用的耐用而且便宜的具有高反射率的反光镜涂层是沉积在镜面基板上的介电涂层，其由多个介电材料的薄层组成。介电层的类型和厚度可以被设计以产生在不同的光的波长处具有指定反射率的光学涂层。

如图4所示，介电涂层可被设计成在特定波长(窄频带)处产生非常高的反射率或者其可以被制作成反射广谱(宽频带)光。介电涂层的进一步的优势是介质涂层通过激光被损坏的阈值大约是高于金属涂层10倍。

采用GB 2486628的方法的使用介电涂层的最直接的方法将是使用宽频带介电涂层以反射UV激光和用于成像的可见光。然而，如同论述的那样，由于未从反光镜反射的激光被认为促使反光镜表面的劣化，本发明人决定在激光波长处的反射率尽可能的高更为重要。这更有可能利用为激光波长优化的窄带介电涂层实现，而不是宽带介电涂层，并且因此窄带涂层被选择用于反光镜以最小化涂层劣化以及最大化寿命。该选择的问题是通过UV窄带介电涂层的可见光的反射率将非常低(<5％)并且不足够用于成像电极表面。优选地，在激光波长处的反光镜的反射率是99.9％或者更高。

第一清洁方法通过将铝涂层应用至反光镜的第二表面以提供反射穿过窄带介电涂层的可见光的第二反射面来解决该问题，以将高质量的电极的图像传递给照相机。在以下论述的可供选择的实现中，反光镜的第二表面的曲率被修改以在照相机中提供电极的聚焦图像。

图5示出与图2的反光镜250相比的用于第一清洁方法的反光镜350。

如图5所示，图2的反光镜250具有涂覆有UV增强铝涂层的第一(上方的)表面250a，该UV增强铝涂层具有～87％的UV反射率和～85％的可见光反射率。反光镜350同样具有为底(即粗糙的非光学表面)的第二(下方的)表面。

同样如图5所示，用于第一清洁方法时反光镜350具有涂覆有窄带UV介电涂层的第一(上方的)表面350a，该窄带UV介电涂层具有高于99.9％的UV反射率，但是小于5％的可见光反射率。反光镜350同样具有涂覆有铝并且具有高于85％的可见光反射率的第二(下方的)表面。

第一清洁方法包含以下步骤：

在反光镜350的第一反射面350a，反射通过用于电离样品材料的激光器产生的UV光(在该实例中具有355纳米的波长)至离子源的电极的表面以使污染物材料从离子源的电极的表面被解吸；

在反光镜350的第二反射面350b，反射来自离子源的电极的表面的可见光(具有范围390纳米至700纳米内的多个波长)至用于生成离子源的电极的表面的图像的成像装置，其中可见光在反光镜350的第二反射面350b被反射之前穿过反光镜350的第一反射面350a；

在成像装置(未示出)，使用可见光(在第二反射面350b被反射)生成离子源的电极的表面的图像。

注意在可见光在反光镜的第二反射面350b被反射的同时通过用于电离样品材料的激光器产生的UV光在反光镜350的第一反射面350a被反射。以这种方式，在污染物材料从离子源的表面被解吸的同时，离子源的电极的表面的图像可以被生成(在成像装置处)。

在第一清洁方法中，反光镜350的第二表面350b的曲率被制成等于第一表面350b的曲率，因为使其为其他的值没有特定的优势，因为在其中反光镜350被采用的离子源具有通过在光路上向别处移动光学部件，自动地调整激光器和成象光学系统的焦点，以补偿给定的反光镜曲率数值的能力。

该新的清洁方法的评估确认反光镜在10个清洁周期之后仍然有效并且显示没有劣化的迹象(更进一步地试验被需要以判定实际寿命)。然而，通过第一清洁方法从电极解吸的一些堆积的材料可以被看到沉积在反光镜周围的区域，其虽然不是立即显而易见的，但是如果不最终清洁或者替换肯定也会在反光镜上并且将在某种程度上削弱第一清洁方法的质量。

图6示出使用第一清洁方法清洁离子源前后电极的图像。

在图6中，环形电极的内部和外部表面可以在前后图片中被看到。这些表面看起来不同，因为从表面反射的可见光由于可见光源的位置而不同(如上所述，该可见光源被典型地定位以提供样品的照明而不是电极的照明)。换句话说，没有电极的均匀照明。

另外，图6的前后图像包括模糊的和轻微照亮的环形区域(位于本文“源电极表面”的后面)，其是由从反光镜350的第一表面350a反射的少量的可见光(<5％，参见上面)形成的失焦了的电极的二次图像(该轻微照亮的环形区域相比于前像可以从后像被更清楚地看到)。

如图6所示，电极的优质的图像被实现，清楚地显示了污染电极上的残渣可以使用该方法被有效地去除。

2.2第二清洁方法：两个表面反光镜包括介电涂层的第一表面和铝涂层的第二表 面(表面具有不同的曲率)

第二清洁方法基于实现在其中用于电离样品的激光器和用于提供样品图像的成像装置均具有固定焦点的离子源是期望的本发明人的见解。制造这种离子源可以比制造在其中激光器和光学器件的焦点是可调整的离子源便宜达到￡1k-￡1.5k(2014价格)。

为了正常的操作，这种离子源的激光器和观察光学器件将被聚焦在样板的平面，以提供样品的有效电离和在样品的焦点成像。然而，如果这种离子源使用第一清洁方法被清洁，将存在问题，当UV和可见光被允许经过清洁反光镜并从第一和第二表面分别反射时，可见光比UV光具有更进一步的微小的行程。因为在第一清洁方法中，第一和第二表面的曲率是相同的，由于清洁反光镜的有限厚度，第一和第二表面提供同样的在电极表面的聚焦是不可能的。

当采用该源清洁方法的循环(iteration)的仪器具有自动地调整激光器和/或观察光学器件的焦点的能力时这不是问题；然而，第一清洁方法对于具有固定焦点光学器件的系统具有更多的限制的适用性。第二清洁方法通过允许反光镜的前后表面的曲率被独立地优化以将激光器和观察光学器件聚焦在需要的平面(对于可见光需要的平面为图像传感器的平面，对于UV光其正好是被清洁电极的平面)以匹配在其中采用该方法的离子源的几何结构来提供对该问题的解决方案。当然，在具有可变光学器件的仪器中使用的该方法的循环仍然可以同样良好。

图7示出与图2的反光镜250相比的用于第二清洁方法的反光镜450。

此处，反光镜涂层与第一循环相同，但是表面450a和450b的曲率被独立选择以匹配任何离子源。特别地，反光镜450的第一和第二表面450a，450b的曲率可以被优化以将激光器和观察光学器件分别聚焦，至例如电极的表面。

图8示出使用第二清洁方法的离子源，其中定制的凹面反光镜450被使用。

第二清洁方法包含以下步骤：

在反光镜450的第一反射面450a，反射通过用于电离样品材料的激光器产生的UV光(在该实例中具有355纳米的波长)至离子源的电极440的表面以至于污染物材料从离子源的电极的表面被解吸；

在反光镜450的第二反射面450b，反射来自离子源的电极440的表面的可见光(具有范围390纳米至700纳米内的多个波长)至用于生成离子源的电极的表面的图像的成像装置，其中可见光在反光镜450的第二反射面450b被反射之前穿过反光镜450的第一反射面450a；

在成像装置(未示出)，使用可见光(在第二反射面450b被反射)生成离子源的电极的表面的图像。

在图8的左手图中，UV激光被显示通过第一反光镜表面450a被聚焦至第一电极440表面上的重新聚焦的激光光点436a。激光的前进方向通过虚线箭头被显示。

在图8的右手图中，来自第一电极440(要通过成像装置被成像)的表面的区域436b的可见光被显示穿过反光镜450的第一表面450a，同时在反光镜450的第二表面450b被反射。可见光的前进方向通过虚线箭头被显示。注意可见光的前进方向与激光的前进方向相反。

第一反射面450a被涂覆有为激光波长优化的窄带介电涂层，并且表面曲率被计算以将激光束重新聚焦在电极表面。可见光穿过该涂层并且在第二反射面450b上通过铝涂层被反射，其曲率被计算以在成像装置(在该实例中相机)中形成电极的聚焦图像。

因此，窄带介电涂层的第一反射面450a涂层反射来自激光器的UV光并且透射可见光，同时铝涂层的第二反射面450b反射可见光。

各反光镜表面450a，450b的优选的曲率半径(R)可以通过参考图8的R＝2IO/(I+O)被给定。应当注意的是，最佳的清洁配置可能轻微远离最好的激光焦点以产生清洁效率(与能量密度密切相关)和每个激光脉冲清洁的区域之间最好的平衡。

一系列表面曲率是可能的；在此处描述的方法中使用的数值是在范围30毫米至50毫米内，但是更大的数值是可能的，例如高达200毫米可以轻易地被预见，但是更大的曲率数值需要包含源清洁机构的壳体更大并且比这大许多的数值不可能是实际的。

此处使用的反光镜350，450的直径是25毫米，但是仅仅大约10毫米的反光镜被实际上使用；此外更大直径的反光镜可以被使用，但是似乎没有实际的优势；因此方法优选地使用在范围5毫米至50毫米内的直径的反光镜。

如上所述，例如使用一个或多个光学/射束转向元件(例如反光镜)，激光器的射束轴和照相机的光轴应该靠近但是例如以小角度(优选地10°或者更小，更优选地5°或者更小)彼此偏离，以允许通过激光器产生的光与通过成像装置接收的光分离。

应当注意的是，优选地，射束轴和光轴都不应该与电极的中心轴线精确的一致，因为这是对于当离子源在使用时通过样品生成的离子的优选的行进路径(参见例如上述图1(b))。

在第二清洁方法中描述的反光镜450可以在取决于在其内离子源被安装的仪器的复杂度的许多结构中被使用。

(i)在具有固定焦点激光器和/或照相机(例如没有能力自动地调整激光器焦点和/或照相机焦点)的简单的仪器中，反光镜曲率被优选地指定以将激光器和照相机聚焦在单个指定的电极表面上，可能是最可能遭受污染堆积的表面，其可能是第一电极表面440。

(ii)此外，在具有固定焦点激光器和/或照相机(例如没有能力自动地调整激光器和/或照相机)，但具有靠近的电极表面(例如小于或等于5毫米)的简单的仪器中，反光镜可以利用两个电极的表面之间的激光聚焦中路被指定以至于其接收相同的适合于源清洁方法的能量密度。

(iii)此外，在具有固定焦点激光器和/或照相机(例如没有能力自动地调整激光器和/或照相机)，但具有不靠近的电极表面(例如大于5毫米)的简单的仪器中，离子源可以包括多个反光镜，每个反光镜具有第一和第二反射面，其中第一和/或第二反射面的曲率在反光镜之间不同，以使每个反光镜被配置以提供对于离子源的各个表面(或者表面的组合)的合适的聚焦。多个反光镜将优选地被安装在同一平面。

(iv)此外，在具有固定焦点激光器和/或照相机(例如没有能力自动地调整激光器和/或照相机)，但具有不靠近的电极表面(例如大于5毫米)的简单的仪器中，离子源可以包括具有相同曲率同时被安装在适于被清洁的表面的不同的高度的多个反光镜。

(v)在具有可调整焦点激光器和/或可调整焦点照相机(通过按照由发明人优选的那样移动光学器件，或者通过利用合适的机构从光学系统插入/移动元件)的仪器中，反光镜曲率可以被指定以清洁至少一个表面，激光器/照相机焦点调整机构被调整以将激光器/照相机重新聚焦在进一步的电极上。这只是当激光器和照相机为固定焦点时第二清洁方法主要益处的边际效益。

虽然上述方法优选地使用具有球面曲率(其实际上已经被发现适于清洁和提供图像的目的)的第一和第二反射面，其他的反射器形状可以被替代使用。例如，抛物线的反射面将是可能的，但是制造成本可能显著地多于简单的球面形状。

虽然不被优选，可以在没有能力调整激光器和/或照相机焦点的离子源中提供激光和可见光的聚焦的可能的焦点调整机构，将具有可移入从电极表面行进至成像装置的可见光的路线内的光学透镜，以提供对于当从反光镜反射时和UV光相比通过可见光行进的额外距离的光学校正。这种变型将例如允许反光镜350用于没有能力自动地调整激光器和/或照相机的离子源。

当在本说明书和权利要求中使用时，术语“包含”、“包括”和“含有”及其变体意指指定的特征，步骤或者整体被包括。该术语不被解释为排除其他的特征，步骤或者整体的可能性。

在以上说明书中，或者在以下权利要求中，或者在附图中公开，以其特定的形式或者以对于进行用于获得本公开结果的本公开的功能，或者方法或者处理的手段的术语表示的特征，视情况而定，可以分别地，或者以这些特征的任何组合，被使用用于实现本发明。

虽然本发明已经连同上述具体实施方式被描述，当给定本公开时许多等效的修改和变体对本领域技术人员将时显而易见的。因此，以上陈述的本发明的具体实施方式被认为是说明性的并且没有限制。可以对描述的实施例进行不脱离本发明的主旨和范围的各种改变。

为了任何疑问的避免，此处提供的任何理论上的说明被提供用于改善读者理解的目的。发明人不希望通过任何这些理论上的说明被限制。

以上参考的所有引用在此被并入以作参考。

Claims (17)

1.一种清洁离子源的方法，其特征在于，所述方法包括：

在反光镜的第一反射面，将具有第一波长带内波长的光反射到所述离子源的表面上，以使污染物材料从所述离子源的所述表面被解吸；

在所述反光镜的第二反射面，将具有第二波长带内的波长并且来自所述离子源的所述表面的光反射向用于生成所述离子源的所述表面的图像的成像装置，其中具有所述第二波长带内波长的所述光在在所述反光镜的所述第二反射面上被反射之前穿过所述反光镜的所述第一反射面。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述离子源包括用于通过在样品材料上发射光而电离所述样品材料的激光器，并且具有所述第一波长带内波长的所述光通过用于电离所述样品材料的所述激光器被产生。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，具有所述第一波长带内波长的所述光是紫外光。

4.根据如上所述的权利要求中的任何一项所述的方法，其特征在于，所述反光镜对具有所述第一波长带内波长的所述光具有99％或者更大的反射率。

5.根据如上所述的权利要求中的任何一项所述的方法，其特征在于，所述离子源包括用于生成所述样品的图像的成像装置，其中用于生成所述样品的图像的所述成像装置同样被用作用于生成所述离子源的所述表面的图像的所述成像装置。

6.根据如上所述的权利要求中的任何一项所述的方法，其特征在于，所述离子源的所述表面是所述离子源的电极的表面。

7.根据如上所述的权利要求中的任何一项所述的方法，其特征在于，所述方法包括，在所述成像装置，使用具有所述第二波长带内波长的所述光生成所述离子源的所述表面的图像。

8.根据如上所述的权利要求中的任何一项所述的方法，其特征在于，在具有所述第二波长带内波长的所述光在所述反光镜的所述第二反射面被反射的同时，具有所述第一波长带内波长的所述光在所述反光镜的所述第一反射面被反射。

9.根据如上所述的权利要求中的任何一项所述的方法，其特征在于，所述方法包括移动所述反光镜以使具有所述第一波长带内波长的所述光扫过所述离子源的所述表面。

10.根据如上所述的权利要求中的任何一项所述的方法，其特征在于，所述反光镜的所述第一和第二反射面相对于用于电离样品材料的激光器为凹面。

11.根据如上所述的权利要求中的任何一项所述的方法，其特征在于，所述第一和第二反射面具有相同曲率。

12.根据如上所述的权利要求中的任何一项所述的方法，其特征在于，所述第一和第二反射面具有不同曲率。

13.根据如上所述的权利要求中的任何一项所述的方法，其特征在于，所述反光镜被安装在用于支撑将通过所述离子源被电离的样品材料的样品支架上，并且其中所述反光镜被安装在所述样品支架上以至于所述第一和第二反射面与通过所述样品支架支撑的样品相比在距用于电离样品材料的激光器不同的距离上。

14.一种用于产生电离的样品材料的离子源，其特征在于，所述离子源包括反光镜，所述反光镜包括第一反射面和第二反射面，所述离子源被配置为通过包括以下步骤的方法被清洁：

在所述反光镜的所述第一反射面，将具有第一波长带内波长的光反射到所述离子源的表面上，以使污染物材料从所述离子源的所述表面被解吸；

在所述反光镜的所述第二反射面，将具有第二波长带内的波长并且来自所述离子源的所述表面的光反射向用于生成所述离子源的所述表面的图像的成像装置，其中具有所述第二波长带内波长的所述光在所述反光镜的所述第二反射面上被反射之前穿过所述反光镜的所述第一反射面。

15.一种在离子源中使用的反光镜，其特征在于，所述反光镜包括第一反射面和第二反射面，所述反光镜被配置为用于通过包括以下步骤的方法清洁离子源：

在所述反光镜的所述第一反射面，将具有第一波长带内波长的光反射到所述离子源的表面上，以使污染物材料从所述离子源的所述表面被解吸；

在所述反光镜的所述第二反射面，将具有第二波长带内的波长并且来自所述离子源的所述表面的光反射向用于生成所述离子源的所述表面的图像的成像装置，其中具有所述第二波长带内波长的所述光在所述反光镜的所述第二反射面上被反射之前穿过所述反光镜的所述第一反射面。

16.一种实质上如同此处参考附图描述以及如附图中示出的任何一个实施例的方法。

17.一种实质上如同此处参考附图描述以及如附图中示出的任何一个实施例的装置。