JP2003092273A - Dicing film for semiconductor wafer - Google Patents

Dicing film for semiconductor wafer

Info

Publication number
JP2003092273A
JP2003092273A JP2001284926A JP2001284926A JP2003092273A JP 2003092273 A JP2003092273 A JP 2003092273A JP 2001284926 A JP2001284926 A JP 2001284926A JP 2001284926 A JP2001284926 A JP 2001284926A JP 2003092273 A JP2003092273 A JP 2003092273A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
semiconductor wafer
dicing
resin
dicing film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2001284926A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hideki Sasaki
佐々木  秀樹
Jun Takagi
潤 高木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Plastics Inc
Original Assignee
Mitsubishi Plastics Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Plastics Inc filed Critical Mitsubishi Plastics Inc
Priority to JP2001284926A priority Critical patent/JP2003092273A/en
Publication of JP2003092273A publication Critical patent/JP2003092273A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
  • Dicing (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a film which can be suitably used as a dicing film for a semiconductor wafer used for dicing the semiconductor wafer and which is composed of a material which does not contain chlorine. SOLUTION: The dicing film for the semiconductor wafer comprises at least one layer of a polyester resin layer which is substantially amorphous and whose glass transition temperature is 0 to 50 deg.C.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハのダ
イシングの際に用いる半導体ウエハ用ダイシングフィル
ムに関するもので、特に塩素を含まない材料からなるフ
ィルムに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor wafer dicing film used for dicing a semiconductor wafer, and more particularly to a film made of a chlorine-free material.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体ウエハの製造工程において、所定
の回路パターンが形成されたシリコンウエハを個々のチ
ップに切断分離するダイシンク操作を、確実かつ容易に
行うために、シリコンウエハを粘着フィルムに貼り付け
カットする方法が行われている。この粘着フィルムは、
通常ダイシングフィルム(またはダイシングシート、あ
るいは、ダイシングテープ)と呼ばれている。
2. Description of the Related Art In a semiconductor wafer manufacturing process, a silicon wafer is attached to an adhesive film in order to reliably and easily perform a die sink operation for cutting and separating the silicon wafer having a predetermined circuit pattern into individual chips. The method of cutting is done. This adhesive film is
It is usually called a dicing film (or a dicing sheet or a dicing tape).

【0003】カット方式には、ハーフカット方式とフル
カット方式があるが、前者は切断されたシリコンウエハ
自体が異物となる等の問題があるため、シリコンウエハ
を厚さ方向に全体を切断する後者の方法が採用されてい
る。
The cutting method includes a half-cut method and a full-cut method. However, the former method has a problem that the cut silicon wafer itself becomes a foreign matter. Therefore, the latter method of cutting the entire silicon wafer in the thickness direction. Method has been adopted.

【0004】この方法では、ウエハをカットしチップ状
とした後、フィルムを放射状にエキスパンディング(延
伸)し、チップ間を一定間隔に広げて、チップをニード
ル等で突き上げると同時に、真空コレット、エアピンセ
ット等で吸着する方法等によりピックアップする方法が
一般的である。この際、ピックアップ性を良好にするた
めには、各チップ間の間隔が充分に開き、さらにX−Y
方向の間隔が均一に整列していることが望ましい。した
がって、フィルムが、エキスパンド時に、ネッキングを
生じない伸び分布の均一性を有している必要がある。
In this method, after cutting the wafer into chips, the film is expanded (stretched) radially, the intervals between the chips are spread out at regular intervals, and the chips are pushed up by a needle or the like, and at the same time, a vacuum collet or air is used. A method of picking up by a method of adsorbing with tweezers or the like is common. At this time, in order to improve the pick-up property, the intervals between the chips are sufficiently wide, and the XY
It is desirable that the intervals in the directions be uniformly aligned. Therefore, it is necessary that the film has a uniform elongation distribution that does not cause necking when expanded.

【0005】また、チップをニードル等で突き上げると
共に、真空コレット、エアピンセット等で吸着ピックア
ップする際に、エキスパンディング後の残留応力が、ピ
ックアップ箇所に集中し、チップをピックアップできな
かったり、周囲に整列している他のチップの乱れや飛散
を引き起こすことがある。このためエキスパンディング
時に発生した応力をピックアップ時までに必要充分に緩
和させる必要がある。このように、ダイシングフィルム
の特性として、使用する基材フィルムの伸び分布の均一
性や応力緩和性、言い換えれば、特定の粘弾性特性や引
張り伸び特性を規定する必要がある。
Further, when the chip is pushed up with a needle or the like, and when picking up by suction with a vacuum collet or air tweezers, the residual stress after expanding concentrates on the pick-up location, and the chip cannot be picked up, or the chips are aligned around it. It may cause disorder or scattering of other chips. Therefore, it is necessary to relieve the stress generated during the expanding process by the time of pickup. As described above, as the characteristics of the dicing film, it is necessary to define the uniformity of the elongation distribution and the stress relaxation property of the substrate film used, in other words, the specific viscoelastic characteristics and the tensile elongation characteristics.

【0006】半導体ウエハ用ダイシングフィルムとして
は、表面に粘着剤層を設けた軟質のポリ塩化ビニル(P
VC)製のフィルムが多く使用されてきた。これは、軟
質PVCフィルムが、エキスパンド時におけるネッキン
グを生じない伸び分布の均一性、及び、チップのピック
アップ時には局部的な応力が生じていない応力緩和性を
有しているからである。
As a dicing film for semiconductor wafers, soft polyvinyl chloride (P
Films made from VC) have been widely used. This is because the flexible PVC film has the uniformity of the elongation distribution that does not cause necking during expansion and the stress relaxation property that no local stress occurs at the time of picking up the chip.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】近年、PVCに対し焼
却時に発生する塩化水素ガスの発生や含有する可塑剤の
溶出等、環境への影響が懸念され、PVC以外の樹脂が
検討されている。本用途においても、軟質PVCフィル
ムに変わる材料として、主にオレフィン系樹脂からなる
各種材料構成のフィルムが提案されている。しかしなが
ら、前述の要求品質を十分に満足するフィルムは、完成
されておらず、現在に至ってもほとんど軟質PVCフィ
ルムが使用されているのが現状である。
In recent years, resins other than PVC have been investigated because of concern about environmental impact such as generation of hydrogen chloride gas generated during incineration and elution of plasticizer contained in PVC. Also in this application, as a material replacing the flexible PVC film, a film mainly composed of an olefin resin is proposed. However, a film sufficiently satisfying the above-mentioned required quality has not been completed, and at present, almost all flexible PVC film is used.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明者等は鋭意検討を
重ねた結果、上記諸特性に優れたPVC以外の樹脂から
なるフィルムを得ることに成功した。すなわち、本発明
の目的は、エキスパンディング後のチップ整列性に優
れ、ピックアップ時のピックアップ性に優れた半導体ウ
エハ用ダイシングフィルムを提供することにあり、本発
明の要旨は、実質的に非晶性であり、ガラス転移温度が
0℃〜50℃のポリエステル樹脂層を少なくとも1層有
する半導体ウエハ用ダイシングフィルムにある。
As a result of intensive studies, the present inventors have succeeded in obtaining a film made of a resin other than PVC which is excellent in the above-mentioned various properties. That is, an object of the present invention is to provide a dicing film for a semiconductor wafer, which is excellent in chip alignment after expanding and is excellent in pick-up during pick-up, and the gist of the present invention is substantially amorphous. And a dicing film for a semiconductor wafer having at least one polyester resin layer having a glass transition temperature of 0 ° C to 50 ° C.

【0009】[0009]

【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
本発明の半導体ウエハ用ダイシングフィルムは、実質的
に非晶性であり、ガラス転移温度が0℃〜50℃のポリ
エステル樹脂層を少なくとも1層有する半導体ウエハ用
ダイシングフィルムであって、特定の粘弾性特性、およ
び引張り伸び特性を有している。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The present invention will be described in detail below.
The dicing film for a semiconductor wafer of the present invention is substantially amorphous and has at least one polyester resin layer having a glass transition temperature of 0 ° C. to 50 ° C. It has properties and tensile elongation properties.

【0010】ここで、本発明に用いる非晶性ポリエステ
ル樹脂はポリエチレンテレフタレートにイソフタル酸、
フタル酸、ナフタレンカルボン酸、脂肪族カルボン酸等
の酸成分及び/または、1.4−シクロヘキサンジメタ
ノール、ネオペンチルグリコール、プロピレングリコー
ル、ブタンジオール、ジエチレングリコール、ポリテト
ラメチレングリコール等のジオール成分を共重合したも
のから得られるものであり、具合的には樹脂のエチレン
グリコール成分の20〜70モルを別のジオール成分に
置き換えた共重合ポリエステルであって実質的に結晶融
点が発現しないことを特徴とする。
The amorphous polyester resin used in the present invention is polyethylene terephthalate, isophthalic acid,
Copolymerization of acid components such as phthalic acid, naphthalenecarboxylic acid and aliphatic carboxylic acid and / or diol components such as 1.4-cyclohexanedimethanol, neopentyl glycol, propylene glycol, butanediol, diethylene glycol and polytetramethylene glycol And is a copolymerized polyester in which 20 to 70 mol of the ethylene glycol component of the resin is replaced with another diol component and is characterized in that the crystalline melting point is not substantially developed. .

【0011】また、ガラス転移温度(Tg)は0℃〜5
0℃、好ましくは10〜30℃が好適である。ガラス転
移温度が0℃未満であると、材料の弾性率が低すぎて実
質的に取り扱いフィルムとなり、またフィルムのブロッ
キングが生じやすくなる。また、ガラス転移温度が50
℃を超えるとエキスパンド時に均一な伸びを示さず、い
わゆるネッキング伸びを発生させ、本用途に適さないと
いう問題がある。
The glass transition temperature (Tg) is 0 ° C to 5 ° C.
0 ° C., preferably 10 to 30 ° C. is suitable. When the glass transition temperature is less than 0 ° C, the elastic modulus of the material is too low to be a handling film, and blocking of the film is likely to occur. Also, the glass transition temperature is 50
If the temperature exceeds ℃, there is a problem that uniform expansion is not exhibited during expansion and so-called necking elongation occurs, which is not suitable for this application.

【0012】本発明のフィルムは、動的粘弾性測定によ
り周波数10Hz、温度20℃で測定した貯蔵弾性率
(E′)が70〜700MPa、損失正接(tanδ)
が0.2〜0.8の範囲にあることが好ましい。ここ
で、E′が70未満であると柔かすぎて、変形に対する
応力が小さすぎ作業性が低下し易い。また、E′が70
0MPaを超えると、硬くて伸びにくく、不均一な伸び
を示すため、本用途に適しにくい。
The film of the present invention has a storage elastic modulus (E ') of 70 to 700 MPa and a loss tangent (tan δ) measured at a frequency of 10 Hz and a temperature of 20 ° C. by dynamic viscoelasticity measurement.
Is preferably in the range of 0.2 to 0.8. Here, when E'is less than 70, it is too soft, and the stress against deformation is too small, and the workability is likely to decrease. Also, E'is 70
If it exceeds 0 MPa, it is hard and difficult to extend, and exhibits non-uniform elongation, so that it is not suitable for this application.

【0013】また、上記のtanδが0.2未満である
と、フィルムのエキスパンド後の応力の緩和が不十分な
ため、エキスパンディング後の残留応力がピックアップ
箇所に集中し、チップをピックアップできなかったり、
周囲の整列しているチップの乱れや飛散が発生する可能
性がある。また、tanδが0.8を超えると、フィル
ムが伸びすぎて、復元までに時間がかかりすぎ作業効率
が低下し易かったり、かえって、ピックアップ適性が損
なわれたりする。
If the above tan δ is less than 0.2, the stress after expansion of the film is insufficiently relaxed, so that residual stress after expansion is concentrated at the pick-up location and the chip cannot be picked up. ,
Disturbance and scattering of the surrounding chips may occur. On the other hand, if tan δ exceeds 0.8, the film stretches too much and it takes too much time to restore the work efficiency, and the picking suitability is impaired.

【0014】本発明においては、フィルムの応力歪み曲
線を測定した時のフィルムのMD方向(引取り方向)に
対するTD方向(MD方向の直角方向)の引張り応力比
が、引張り伸び率200%までの範囲において0.7〜
1.3の範囲にあることが好ましい。フィルムをエキス
パンドする際、フィルムのMD方向とTD方向の応力バ
ランスが取れていないと、フィルムは均一な伸びを示し
にくくなるためである。
In the present invention, when the stress-strain curve of the film is measured, the tensile stress ratio of the film in the TD direction (direction perpendicular to the MD direction) to the MD direction (drawing direction) is up to 200%. 0.7 ~ in the range
It is preferably in the range of 1.3. This is because, when the film is expanded, if the stress balance between the MD direction and the TD direction of the film is not balanced, it is difficult for the film to exhibit uniform elongation.

【0015】さらに、フィルムのMD方向、TD方向共
に、引張り伸び率25%の応力(σ 25)に対する引張
り伸び率100%の応力(σ100)の比(σ100
σ )が1.2以上であることが好ましく、引張り応
力の比(σ100/σ25)が1.2未満では、フィル
ムは均一な伸びを示しにくい。
Further, in both MD and TD directions of the film
In addition, the stress of 25% tensile elongation (σ 25) To
Stress with 100% elongation (σ100) Ratio (σ100/
σTwo 5) Is preferably 1.2 or more, and
Force ratio (σ100/ Σ25) Is less than 1.2, the fill
It is difficult to show uniform elongation.

【0016】上述した内容の混合樹脂層を少なくとも1
層有する本発明のフィルムには、所望によりPVC以外
の樹脂層と積層することも可能である。他の積層樹脂と
しては、ポリオレフィン系重合体や柔軟なスチレン−ブ
タジエンエラストマー等が挙げられ、これらと積層する
ことによりフィルムの製膜の安定性や耐ブロッキング
性、粘着性、滑り性、粘着加工時の耐溶剤性等を付与す
ることができる。
At least one mixed resin layer having the above contents
The layered film of the present invention can be laminated with a resin layer other than PVC, if desired. Examples of other laminating resins include polyolefin polymers and flexible styrene-butadiene elastomers, and by laminating these with the film forming stability, blocking resistance, tackiness, slipperiness, and tackiness Solvent resistance and the like can be imparted.

【0017】ここで、上記のポリオレフィン系重合体と
しては、低密度ポリエチレン、エチレン−酢酸ビニル共
重合体(EVA)、エチレン−アルキルアルキレート共
重合体、エチレン−アクリル酸共重合体等が好適に使用
できる。実用上は、例えばEVAを好適に使用すること
ができ、このEVAとしては、酢酸ビニル含量が5〜2
5重量%、好ましくは10〜20重量%, メルトフロ
ーレシオ(MFR)が0.2〜10g/10分(190
℃、2.16kg荷重)のものが、強度や柔軟性、フィ
ルム成形加工性等の面で好適である。
Here, as the above polyolefin-based polymer, low density polyethylene, ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA), ethylene-alkyl alkylate copolymer, ethylene-acrylic acid copolymer and the like are preferable. Can be used. In practice, for example, EVA can be preferably used, and the EVA has a vinyl acetate content of 5 to 2
5% by weight, preferably 10 to 20% by weight, and a melt flow ratio (MFR) of 0.2 to 10 g / 10 minutes (190
(° C., 2.16 kg load) is preferable in terms of strength, flexibility, film forming processability, and the like.

【0018】更に、上記非晶性ポリエステル系樹脂層と
ポリオレフィン系樹脂層の間に介在させる接着性樹脂層
に使用する樹脂としては、両者間を良好に接合できる樹
脂であればよく、特に限定されない。好ましくは、不飽
和カルボン酸またはその誘導体により変性されたポリオ
レフィン系樹脂が使用できる。
Further, the resin used for the adhesive resin layer interposed between the amorphous polyester resin layer and the polyolefin resin layer is not particularly limited as long as it can bond the both well. . Preferably, a polyolefin resin modified with an unsaturated carboxylic acid or its derivative can be used.

【0019】上記ポリオレフィン系樹脂としては、ポリ
エチレン、ポリプロピレン、ポリブテン−1、ポリ−4
−メチルペンテン−1等のオレフィン単独重合体、エチ
レン、プロピレン、ブテン−1等のα−オレフィンと共
重合可能な炭素数2〜20のα−オレフィンあるいは不
飽和エステルとの共重合体等がある。上記α−オレフィ
ンとしてはプロピレン、ブテン−1、ペンテン−1、ヘ
キセン−1、4−メチル−ペンテン−1、オクテン−1
等が例示でき、不飽和エステルとしては酢酸ビニル、酪
酸ビニル、プロピオン酸ビニル、アクリル酸メチル、ア
クリル酸プロピル、メタアクリル酸メチル、メタアクリ
ル酸エチル等がある。
The above-mentioned polyolefin resin is polyethylene, polypropylene, polybutene-1, poly-4.
-Olefin homopolymers such as methylpentene-1 and copolymers with α-olefins having 2 to 20 carbon atoms or unsaturated esters that are copolymerizable with α-olefins such as ethylene, propylene and butene-1 . Examples of the α-olefin include propylene, butene-1, pentene-1, hexene-1, 4-methyl-pentene-1, octene-1.
Examples of the unsaturated ester include vinyl acetate, vinyl butyrate, vinyl propionate, methyl acrylate, propyl acrylate, methyl methacrylate, ethyl methacrylate, and the like.

【0020】変性に用いる不飽和カルボン酸としては、
アクリル酸、メタアクリル酸、マレイン酸、フマル酸、
イタコン酸、クロトン酸、シトラコン酸、ソルビン酸、
メサコン酸、アンゲリカ酸等があり、その誘導体として
は、酸無水物、エステル、アミド、イミド、金属塩等で
あって、無水マレイン酸、無水イタコン酸、アクリル酸
メチル、アクリル酸エチル、メタアクリル酸メチル、マ
レイン酸モノエチルエステル、アクリルアミド、アクリ
ル酸ナトリウム等が例示できる。
The unsaturated carboxylic acid used for modification includes
Acrylic acid, methacrylic acid, maleic acid, fumaric acid,
Itaconic acid, crotonic acid, citraconic acid, sorbic acid,
There are mesaconic acid, angelic acid, etc., and derivatives thereof include acid anhydrides, esters, amides, imides, metal salts, etc., and maleic anhydride, itaconic anhydride, methyl acrylate, ethyl acrylate, methacrylic acid. Examples thereof include methyl, maleic acid monoethyl ester, acrylamide, sodium acrylate and the like.

【0021】本発明の積層フイルムでは、上述した樹脂
を用い下記の層構成とするのが好ましい。 (1)非晶性ポリエステル系樹脂層(以下「非晶PE
T」という)/接着性樹脂層(以下「AD」という)/
ポリオレフィン系樹脂層(以下「PO」という)からな
る積層フイルム。 この他の層構成の態様としては、 (2)PO/AD/非晶PET/AD/PO (3)非晶PET/AD/PO/AD/非晶PET 上記積層フイルムでの各層の厚みは非晶PETが全体厚
みの30%〜80%とすることが好ましく30%未満で
は所望の粘弾性特性が得がたく、80%を超えると機械
的強度が不足したり、製法によるが製膜の安定性が不十
分となったりする。
The laminated film of the present invention preferably has the following layer structure using the above-mentioned resin. (1) Amorphous polyester resin layer (hereinafter referred to as "amorphous PE
T)) / Adhesive resin layer (hereinafter referred to as "AD") /
A laminated film comprising a polyolefin resin layer (hereinafter referred to as "PO"). Other aspects of the layer structure include (2) PO / AD / amorphous PET / AD / PO (3) amorphous PET / AD / PO / AD / amorphous PET The thickness of each layer in the above-mentioned laminated film is Crystalline PET is preferably 30% to 80% of the total thickness, and if it is less than 30%, desired viscoelastic properties cannot be obtained, and if it exceeds 80%, mechanical strength is insufficient, or film formation is stable depending on the manufacturing method. The sex becomes insufficient.

【0022】本発明のフィルムは、押出機から材料を溶
融押出しして、インフレーション成形法、またはTダイ
成形法によりフィルム状に製膜することにより得られ
る。積層フィルムとする場合には多層ダイにより共押出
しするのが有利である。実質的には成形されたフィルム
のMD方向とTD方向伸び特性のバランスを得るため
に、インフレーション法が好適であり、その際のブロー
アップ比は4以上が好ましい。フィルムの厚みは、50
〜150μm、代表的には70〜100μmである。ま
た、本発明のフィルムは必要に応じて帯電防止性、滑り
性等の性能を付与するために各種添加剤を添加すること
ができる。
The film of the present invention can be obtained by melt-extruding a material from an extruder and forming it into a film by an inflation molding method or a T-die molding method. When forming a laminated film, it is advantageous to coextrude with a multilayer die. In order to obtain a balance between the MD-direction and TD-direction elongation characteristics of the formed film, the inflation method is suitable, and the blow-up ratio at that time is preferably 4 or more. The film thickness is 50
˜150 μm, typically 70 to 100 μm. In addition, various additives may be added to the film of the present invention, if necessary, in order to impart performances such as antistatic property and slip property.

【0023】また、本発明の半導体ウエハ用ダイシング
フィルムは、一般的には、以上説明した内容の基材フィ
ルムに、粘着剤層を設けて使用することがなされる。こ
の時、本発明で規定される動的粘弾性や引張り応力の範
囲は、厳密には基材フィルムに粘着剤層を加えた特性と
すべきであるが、通常、支配的なのは基材フィルムの特
性であり、基材フィルムの特性と考えて差し支えない。
上記の粘着剤層には、通常、ベースポリマーと架橋剤、
光重合開始剤、及び粘着付与樹脂が含有される。粘着剤
層は、紫外線及び/又は放射線により重合硬化反応を起
こすものが、好適に使用される。
Further, the dicing film for semiconductor wafer of the present invention is generally used by providing a pressure-sensitive adhesive layer on the substrate film having the above-mentioned contents. At this time, the range of the dynamic viscoelasticity and the tensile stress defined in the present invention should be the characteristics of the base material film to which an adhesive layer is added, but generally, the dominant one is the base material film. It is a characteristic and can be considered as a characteristic of the base film.
The adhesive layer is usually a base polymer and a cross-linking agent,
A photopolymerization initiator and a tackifying resin are contained. As the pressure-sensitive adhesive layer, one that causes a polymerization and curing reaction by ultraviolet rays and / or radiation is preferably used.

【0024】重合硬化反応を起こすものは、半導体ウエ
ハを貼着後、紫外線及び/又は放射線を照射することに
より体積収縮を伴った重合反応により硬化し、塑性流動
性が低下するので、粘着力が低下し、チップのピックア
ップを容易に行うことができる。粘着剤層のベースポリ
マーとしては、アクリル系ポリマーが用いられることが
多く、具体的にはアクリル酸、メタクリル酸及びそれら
のエステル(以下、「(メタ)アクリル酸エステル」と
いう)からなるポリマー、アクリル酸、メタクリル酸及
びそれらのエステルと共重合可能な不飽和単量体、例え
ば酢酸ビニル、スチレン、アクリロニトリル等との共重
合体である。(メタ)アクリル酸エステルの例としては
(メタ)アクリル酸メチル、(メタ)アクリル酸エチ
ル、(メタ)アクリル酸ブチル、(メタ)アクリル酸イ
ソブチル、(メタ)アクリル酸プロピル、(メタ)アク
リル酸イソプロピル、(メタ)アクリル酸シクロヘキシ
ル、(メタ)アクリル酸2−エチルヘキシル、(メタ)
アクリル酸ノニル、(メタ)アクリル酸グリシジル等の
モノマーを挙げることができる。
A substance which causes a polymerization-curing reaction is cured by a polymerization reaction accompanied by volume contraction by irradiating with ultraviolet rays and / or radiation after sticking a semiconductor wafer, and the plastic fluidity is lowered, so that the adhesive force is increased. The chip can be easily picked up. An acrylic polymer is often used as the base polymer of the pressure-sensitive adhesive layer. Specifically, a polymer composed of acrylic acid, methacrylic acid and their esters (hereinafter referred to as “(meth) acrylic acid ester”), acrylic It is a copolymer with an unsaturated monomer copolymerizable with acid, methacrylic acid and their esters, such as vinyl acetate, styrene and acrylonitrile. Examples of (meth) acrylic acid ester include methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, isobutyl (meth) acrylate, propyl (meth) acrylate, and (meth) acrylic acid. Isopropyl, cyclohexyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, (meth)
Examples thereof include monomers such as nonyl acrylate and glycidyl (meth) acrylate.

【0025】なお、アクリル系ポリマー中には、架橋剤
との反応点(架橋点)となるCOOH基を有する(メ
タ)アクリル酸もしくはOH基を有する(メタ)アクリ
ル酸2−ヒドロキシエチル等の反応性モノマーを1〜5
重量%有することが好ましく、その分子量としては20
0,000〜800,000の範囲のものが好ましい。
アクリル系ポリマーの分子量が200,000未満であ
ると粘着剤層の十分な凝集力が保てにくく、また80
0,000を超えるものでは重合時の溶液の粘度が高く
なり過ぎ、取扱いが困難となり易い。粘度を下げるた
め、溶剤を加えて希釈することも可能であるが大量の溶
剤を必要とし、経済的でない。
In the acrylic polymer, a reaction of (meth) acrylic acid having a COOH group or a 2-hydroxyethyl (meth) acrylate having an OH group which becomes a reaction point (crosslinking point) with a crosslinking agent. 1 to 5
It is preferable to have 20 wt% and its molecular weight is 20.
Those in the range of 10,000 to 800,000 are preferable.
When the molecular weight of the acrylic polymer is less than 200,000, it is difficult to maintain sufficient cohesive force of the pressure-sensitive adhesive layer, and 80
If it exceeds 10,000, the viscosity of the solution at the time of polymerization becomes too high, and the handling tends to be difficult. To reduce the viscosity, it is possible to dilute by adding a solvent, but a large amount of solvent is required, which is not economical.

【0026】上記の光重合開始剤は、紫外線を照射する
ことにより励起、活性化してラジカルを生成し、同時に
添加した、トリメチロールプロパントリアクリレート、
ペンタエリスリトールトリアクリレート、ポリエチレン
グリコールジアクリレート、オリゴエステルアクリレー
ト等の分子内に紫外線及び/又は放射線重合性炭素−炭
素二重結合を少なくとも2個以上有するアクリル樹脂系
化合物等の硬化剤を、ラジカル重合により硬化させる作
用を有する。
The above-mentioned photopolymerization initiator is excited and activated by irradiation with ultraviolet rays to generate radicals, and added at the same time, trimethylolpropane triacrylate,
By radical polymerization of a curing agent such as an acrylic resin compound having at least two UV- and / or radiation-polymerizable carbon-carbon double bonds in the molecule such as pentaerythritol triacrylate, polyethylene glycol diacrylate, oligoester acrylate, etc. It has the effect of hardening.

【0027】具体的には、例えば4−フェノキシジクロ
ロアセトフェノン、4−t−ブチルジクロロアセトフェ
ノン、ジエトキシアセトフェノン、2−ヒドロキシ−2
−メチル−1−フェニルプロパン−1−オン、1−(4
−イソプロピルフェニル)−2−ヒドロキシ−2−メチ
ルプロパン−1−オン、1−(4−ドデシルフェニル)
−2−ヒドロキシ−2−メチルプロパン−1−オン、4
−(2−ヒドロキシエトキシ)フェニル(2−ヒドロキ
シ−2−プロピル)ケトン、1−ヒドロキシシクロヘキ
シルフェニルケトン、2−メチル−1−[4−(メチル
チオ)フェニル]−2−モルフォリノプロパン−1等の
アセトフェノン系光重合開始剤、
Specifically, for example, 4-phenoxydichloroacetophenone, 4-t-butyldichloroacetophenone, diethoxyacetophenone, 2-hydroxy-2.
-Methyl-1-phenylpropan-1-one, 1- (4
-Isopropylphenyl) -2-hydroxy-2-methylpropan-1-one, 1- (4-dodecylphenyl)
2-hydroxy-2-methylpropan-1-one, 4
Such as-(2-hydroxyethoxy) phenyl (2-hydroxy-2-propyl) ketone, 1-hydroxycyclohexylphenyl ketone, 2-methyl-1- [4- (methylthio) phenyl] -2-morpholinopropane-1 Acetophenone-based photopolymerization initiator,

【0028】ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、
ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエ
ーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、2,2−ジメ
トキシ−2−フェニルアセトフェノン等のベンゾイン系
光重合開始剤、ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、
ベンゾイル安息香酸メチル、4−フェニルベンゾフェノ
ン、ヒドロキシベンゾフェノン、4−ベンゾイル−4’
−メチルジフェニルサルファイド、3,3’−ジメチル
−4−メトキシベンゾフェノン等のベンゾフェノン系光
重合開始剤、チオキサントン、2−クロルチオキサント
ン、2−メチルチオキサントン、
Benzoin, benzoin methyl ether,
Benzoin-based photopolymerization initiators such as benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzoin isobutyl ether, and 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone, benzophenone, benzoylbenzoic acid,
Methyl benzoylbenzoate, 4-phenylbenzophenone, hydroxybenzophenone, 4-benzoyl-4 '
Benzophenone-based photopolymerization initiators such as -methyldiphenyl sulfide and 3,3'-dimethyl-4-methoxybenzophenone, thioxanthone, 2-chlorothioxanthone, 2-methylthioxanthone,

【0029】2,4−ジメチルチオキサントン、イソプ
ロピルチオキサントン、2,4−ジクロロチオキサント
ン、2,4−ジエチルチオキサントン、2,4−ジイソ
プロピルチオキサントン等のチオキサントン系光重合開
始剤、α−アシロキシムエステル、アシルホスフィンオ
キサイド、メチルフェニルグリオキシレート、ベンジ
ル、カンファーキノン、ジベンゾスベロン、2−エチル
アントラキノン、4’,4”−ジエチルイソフタロフェ
ノン等の特殊光重合開始剤等を挙げることができる。
A thioxanthone photoinitiator such as 2,4-dimethylthioxanthone, isopropylthioxanthone, 2,4-dichlorothioxanthone, 2,4-diethylthioxanthone, and 2,4-diisopropylthioxanthone, α-acyloxime ester, and acylphosphine. Specific photopolymerization initiators such as oxide, methylphenylglyoxylate, benzyl, camphorquinone, dibenzosuberone, 2-ethylanthraquinone, 4 ′, 4 ″ -diethylisophthalophenone and the like can be mentioned.

【0030】本発明においては、前記粘着剤層に、さら
に十分な凝集力を付与せしめるために、所望に応じて架
橋剤を添加することもできる。該架橋剤は、アクリル系
ポリマーを三次元架橋させ、粘着剤層に更に十分な凝集
力を付与することができる。該架橋剤としては、例えば
ポリイソシアネート化合物、ポリグリシジル化合物、ア
ジリジン化合物、メラミン化合物、多価金属キレート化
合物等の公知のものが使用できる。前記架橋剤を添加す
る際の配合割合は、アクリル系ポリマー100重量部に
対して0.05重量部以上15重量部未満、特に0.1
重量部以上12重量部未満の範囲であるのが好ましい。
架橋剤の配合割合が0.05重量部未満の場合には、架
橋剤を添加した効果が得られにくく、また15重量部以
上の場合には過剰となり粘着剤層中に遊離残存し、ウエ
ハ(チップ)を汚染する原因となり易く好ましくない。
In the present invention, a crosslinking agent may be added, if desired, in order to impart a sufficient cohesive force to the pressure-sensitive adhesive layer. The cross-linking agent can three-dimensionally cross-link the acrylic polymer, and can further impart sufficient cohesive force to the pressure-sensitive adhesive layer. As the cross-linking agent, known ones such as polyisocyanate compound, polyglycidyl compound, aziridine compound, melamine compound, polyvalent metal chelate compound and the like can be used. The mixing ratio when adding the cross-linking agent is 0.05 parts by weight or more and less than 15 parts by weight, especially 0.1 part by weight based on 100 parts by weight of the acrylic polymer.
It is preferably in the range of not less than 12 parts by weight and not less than 12 parts by weight.
If the blending ratio of the cross-linking agent is less than 0.05 parts by weight, the effect of adding the cross-linking agent is difficult to obtain, and if it is more than 15 parts by weight, it becomes excessive and remains in the pressure-sensitive adhesive layer. This is not preferable because it easily causes contamination of the chip.

【0031】さらに、紫外線及び/又は放射線照射前後
の粘着力及び凝集力のバランスを好適に保つため、前記
粘着剤層に粘着付与樹脂を添加する。該粘着付与樹脂と
しては、ロジン樹脂、ロジンエステル樹脂、テルペン樹
脂、テルペンフェノール樹脂、フェノール樹脂、キシレ
ン樹脂、クマロン樹脂、クマロンインデン樹脂、スチレ
ン樹脂、脂肪族系石油樹脂、芳香族系石油樹脂、脂肪族
芳香族共重合系石油樹脂、脂環族系炭化水素樹脂、及び
これらの変性品、誘導体、水素添加品等が挙げられる
が、特に限定されるものではなく、アクリル系ポリマー
との相溶性を勘案して適宜選択することができる。
Further, a tackifying resin is added to the pressure-sensitive adhesive layer in order to keep the balance between the pressure-sensitive adhesive force and the cohesive force before and after irradiation with ultraviolet rays and / or radiation. Examples of the tackifying resin include rosin resin, rosin ester resin, terpene resin, terpene phenol resin, phenol resin, xylene resin, coumarone resin, coumarone indene resin, styrene resin, aliphatic petroleum resin, aromatic petroleum resin, Examples thereof include aliphatic aromatic copolymer-based petroleum resins, alicyclic hydrocarbon resins, and modified products, derivatives, and hydrogenated products thereof, but are not particularly limited, and are compatible with acrylic polymers. Can be appropriately selected in consideration of the above.

【0032】粘着剤層の厚さは特に限定されるものでは
ないが、5〜30μm程度であるのが好ましい。本発明
において、粘着剤層を前記基材上に形成し、半導体ウエ
ハ用ダイシングフィルムを製造するには、粘着剤層を構
成する成分をそのまま、または適当な有機溶剤により溶
液化し、塗布又は散布等により基材上に塗工し、例えば
80〜100℃、30秒〜10分間程度、加熱処理等に
より乾燥させることにより得ることができる。
The thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is not particularly limited, but is preferably about 5 to 30 μm. In the present invention, a pressure-sensitive adhesive layer is formed on the base material, and in order to produce a dicing film for a semiconductor wafer, the components constituting the pressure-sensitive adhesive layer are used as they are, or they are solubilized with an appropriate organic solvent, and applied or sprayed. It can be obtained by coating on a base material by, and drying by heat treatment, for example, at 80 to 100 ° C. for about 30 seconds to 10 minutes.

【0033】本発明の半導体ウエハ用ダイシングフィル
ムを使用するには、公知の方法で用いることができ、例
えば、半導体ウエハ用ダイシングフィルムを半導体ウエ
ハに貼り付けて固定した後、回転丸刃で半導体ウエハを
素子小片(チップ)に切断する。その後、前記加工用粘
着シートの基材側から紫外線及び/又は放射線を照射
し、次いで専用治具を用いて前記ウエハ加工用粘着シー
トを放射状にエキスパンディング(拡大)し素子小片
(チップ)間を一定間隔に広げた後、素子小片(チッ
プ)をニードル等で突き上げると共に、真空コレット、
エアピンセット等で吸着する方法等によりピックアップ
すると同時にマウンティングすれば良い。
The dicing film for semiconductor wafer of the present invention can be used by a known method. For example, after the dicing film for semiconductor wafer is attached and fixed to a semiconductor wafer, the semiconductor wafer is rotated by a rotary blade. Is cut into element pieces (chips). After that, ultraviolet rays and / or radiation is irradiated from the base material side of the processing pressure-sensitive adhesive sheet, and then the wafer processing pressure-sensitive adhesive sheet is radially expanded (enlarged) by using a dedicated jig so that the space between element small pieces (chips) is increased. After spreading it at regular intervals, push up the element small piece (chip) with a needle etc. and use a vacuum collet,
It may be mounted at the same time as picking up by a method of adsorbing with air tweezers or the like.

【0034】[0034]

【実施例】実験(NO1〜7)以下、実施例により、本
発明の効果を明らかにするが、これらの例により本発明
は何ら制限を受けるものではない。なお、基材フィルム
自体の特性・性能は、以下に示す方法により測定、評価
した。
EXAMPLES Experiments (NO1 to 7) Hereinafter, the effects of the present invention will be clarified by examples, but the present invention is not limited to these examples. The characteristics and performance of the base film itself were measured and evaluated by the methods described below.

【0035】1) E' 、tanδ 岩本製作所(株)製「粘弾性スペクトルメーターVES
−F3」を用い、振動周波数10Hz,温度20℃でフ
ィルムの横方向について測定、評価した。
1) E ', tan δ "Viscoelasticity spectrum meter VES" manufactured by Iwamoto Manufacturing Co., Ltd.
-F3 "was used to measure and evaluate the transverse direction of the film at a vibration frequency of 10 Hz and a temperature of 20 ° C.

【0036】2)引張り伸び−応力特性 (株)島津製作所製「AGS−H500N」を用いてフ
ィルムのMD方向、TD方向それぞれについて幅10m
m長さ100mmの短冊状のサンプルを採取し、チャッ
ク間40mm、引張り速度200mm/min、温度2
0℃で引張り試験を行なって測定、評価した。
2) Tensile Elongation-Stress Property Width 10 m in each of MD and TD directions of the film using "AGS-H500N" manufactured by Shimadzu Corporation
A strip-shaped sample having a length of 100 mm was sampled, the chuck distance was 40 mm, the pulling speed was 200 mm / min, and the temperature was 2.
A tensile test was performed at 0 ° C. to measure and evaluate.

【0037】(NO1)非晶性ポリエステル樹脂として
テレフタル酸100モル、エチレングリコール60モ
ル、シクロヘキサンジメタノール32モル、1,4ブブ
タンジオール6モル、ポリテトラメチレングリコール9
3モルの比率からなる非晶性ポリエステル樹脂 (ガラ
ス転移温度15℃)を中間層として50μm、その両側
に接着樹脂としてマレイン酸変性のポリエチレン系接着
樹脂をそれぞで5μm配し、酢酸ビニル含有量5重量
%、MFR=2.3のエチレン−酢酸ビニル共重合体(E
VA)を表裏層としてそれぞれ10μm、総厚み80μ
mになるように共押出しインフレーション法によりブロ
ーアップ比(膨らまされた筒状フィルムの直径/環状ダ
イの直径 BUR)を5としてフィルムを製膜した。
(NO1) As amorphous polyester resin, 100 moles of terephthalic acid, 60 moles of ethylene glycol, 32 moles of cyclohexanedimethanol, 6 moles of 1,4 butbutanediol, 9 moles of polytetramethylene glycol
An amorphous polyester resin (glass transition temperature: 15 ° C.) consisting of a 3 mol ratio was used as an intermediate layer of 50 μm, and a maleic acid-modified polyethylene-based adhesive resin as an adhesive resin was placed on each side of 5 μm. 5% by weight, MFR = 2.3 ethylene-vinyl acetate copolymer (E
VA) as the front and back layers, 10 μm each, total thickness 80 μm
A film was formed by a co-extrusion inflation method with a blow-up ratio (diameter of expanded tubular film / diameter of annular die BUR) of 5 so as to be m.

【0038】このフィルム物性を測定した結果 (1)粘弾性特性(20℃,10Hz)E'=120M
Pa tanδ=0.45 (2)引張り伸び−応力特性 MD方向、TD方向の応力比(σMD/TD) 50%伸び :σTD/MD=1.11 100%伸び:σTD/MD=1.14 引張り伸び特性(σ100/σ25) MD方向 1.42 TD方向 1.36
Measurement results of physical properties of the film (1) Viscoelastic property (20 ° C., 10 Hz) E ′ = 120 M
Patan δ = 0.45 (2) Tensile Elongation-Stress Characteristic MD Ratio, TD Direction Stress Ratio (σ MD / TD ) 50% Elongation: σ TD / MD = 1.11 100% Elongation: σ TD / MD = 1 .14 Tensile elongation property (σ 100 / σ 25 ) MD direction 1.42 TD direction 1.36

【0039】(NO2)BURを4とした以外はNO1と
同一内容にてフィルムを採取した。
(NO2) A film was taken with the same contents as NO1 except that BUR was set to 4.

【0040】(NO3)非晶性ポリエステル樹脂として
テレフタル酸94モル、イソフタル酸6モル、1,4ブ
ブタンジオール100モル、ポリテトラメチレングリコ
ール21モルの比率からなる非晶性ポリエステル樹脂
(ガラス転移温度23℃)を中間層として50μmとし
た以外はNO1と同一内容にてフィルムを採取した。
As the (NO3) amorphous polyester resin, an amorphous polyester resin (glass transition temperature: 94 mol, terephthalic acid: 6 mol, isophthalic acid: 6 mol, 1,4 butane diol: 100 mol, polytetramethylene glycol: 21 mol) is used. A film having the same content as that of NO1 was taken except that the intermediate layer at 23 ° C. was 50 μm.

【0041】(NO4)非晶性ポリエステル樹脂として
テレフタル酸100モル、エチレングリコール68モ
ル、シクロヘキサンジメタノール32モルの比率からな
る非晶性ポリエステル樹脂(ガラス転移温度68℃)を
中間層として50μmとした以外はNO1と同一内容に
てフィルムを採取した。
(NO4) Amorphous polyester resin (glass transition temperature 68 ° C.) composed of 100 moles of terephthalic acid, 68 moles of ethylene glycol, and 32 moles of cyclohexanedimethanol as the amorphous polyester resin was used as the intermediate layer with a thickness of 50 μm. A film was collected with the same contents as NO1 except for the above.

【0042】(NO5)BURを3とした以外は、NO1
と同一内容にてフィルムを採取した。
(NO5) NO1 except that BUR is set to 3
A film was taken with the same contents as above.

【0043】(NO6)市販されているPVC製ダイシ
ング用フィルム(厚み80μm)の物性を評価した。
(NO6) The physical properties of a commercially available PVC dicing film (thickness 80 μm) were evaluated.

【0044】[0044]

【表1】 [Table 1]

【0045】実験(NO7〜11) アクリル酸2−エチルヘキシル50重量部と、アクリル
酸ブチル10重量部、酢酸ビニル37重量部、メタアク
リル酸2−ヒドロキシエチル3重量部とを共重合して得
られた重量平均分子量500,000の共重合体(アク
リル系ポリマー)100重量部に対し、分子量が25,
000の多官能ウレタンアクリレート系オリゴマー69
重量部、光重合開始剤として2,2−ジメトキシ−2−
フェニルアセトフェノンを多官能ウレタンアクリレート
系オリゴマー100重量部に対して8重量部、軟化点1
00℃、脂肪族:芳香族のモル比が6:4から成る脂肪
族芳香族共重合系石油樹脂をアクリル系ポリマー100
重量部に対して14重量部、ポリイソシアネート系架橋
剤をアクリル系ポリマー100重量部に対して7重量部
を配合した粘着剤層となる樹脂溶液を、剥離処理した厚
さ38μmのPETフィルム(三菱化学ポリエステルフ
ィルム社製 「ダイアホイルT−100−30」)に乾
燥後の厚さが10μmになるように塗工し、80℃で5
分間乾燥した。
Experiment (NO7-11) Obtained by copolymerizing 50 parts by weight of 2-ethylhexyl acrylate, 10 parts by weight of butyl acrylate, 37 parts by weight of vinyl acetate and 3 parts by weight of 2-hydroxyethyl methacrylate. 100 parts by weight of a copolymer (acrylic polymer) having a weight average molecular weight of 500,000 has a molecular weight of 25,
000 multifunctional urethane acrylate oligomer 69
Parts by weight, 2,2-dimethoxy-2- as a photopolymerization initiator
8 parts by weight of phenylacetophenone based on 100 parts by weight of polyfunctional urethane acrylate oligomer, softening point 1
Acrylic polymer 100 was prepared by combining an aliphatic-aromatic copolymer petroleum resin having a molar ratio of aliphatic: aromatic of 6: 4 at 00 ° C.
A PET film (thickness: 38 μm) obtained by peeling a resin solution as a pressure-sensitive adhesive layer containing 14 parts by weight with respect to parts by weight and 7 parts by weight with respect to 100 parts by weight of an acrylic polymer as a polyisocyanate crosslinking agent. "Diafoil T-100-30" manufactured by Chemical Polyester Film Co., Ltd.) is applied so that the thickness after drying is 10 μm, and the temperature is 5 ° C. at 80 ° C.
Dry for minutes.

【0046】その後、この粘着剤付き離型フィルムに、
上記NO1〜NO6の基材フィルムをラミネートし、粘
着剤付き半導体ウエハ用ダイシングフィルムを作製し
た。得られたダイシングフィルムを室温で7日以上熟成
後、半導体ウエハに貼着し、回転丸刃を用いて切断(ダ
イシング)、エキスパンディング、ピックアップ試験の
加工適性試験を行い、その結果を表2に示した。なお、
加工適性試験は、以下に示す方法により測定、評価し
た。
Thereafter, the release film with the adhesive was
The above-mentioned base films of NO1 to NO6 were laminated to prepare a dicing film for a semiconductor wafer with an adhesive. The obtained dicing film was aged at room temperature for 7 days or more, then attached to a semiconductor wafer, and subjected to processing suitability tests such as cutting (dicing), expanding and pickup tests using a rotary round blade, and the results are shown in Table 2. Indicated. In addition,
The processing suitability test was measured and evaluated by the following method.

【0047】3)ダイシング適性 貼着した6インチウエハを25μmのダイヤモンドブレ
ードでシートへの切り込み量を20μmに設定し、3.
1mm角のチップにフルカットした。この際、チップ飛
びの有無を観察した。チップ飛びが無く良好なものを
(○)、チップ飛びが発生したものを(×)とした。
3) Dicing aptitude The 6-inch wafer adhered was set to 20 μm in the cut amount with a 25 μm diamond blade into the sheet.
Full cut into 1 mm square chips. At this time, the presence or absence of chip fly was observed. Good chips without chip fly were evaluated as (◯), and chips with chip fly occurred as (x).

【0048】ダイシング後、基材面より10cmの距離
から80W/cmの高圧水銀ランプを用いて15秒間紫
外線を照射し、粘着剤層を硬化させた。その後室温まで
冷却して次の評価を行った。
After dicing, the pressure-sensitive adhesive layer was cured by irradiating it with ultraviolet rays from a distance of 10 cm from the substrate surface for 15 seconds using a high pressure mercury lamp of 80 W / cm. Then, it was cooled to room temperature and the following evaluation was performed.

【0049】4)エキスパンディング適性 専用の治具を用いて、半導体ウエハ用ダイシングフィル
ムを20mmのストロークで放射状にエキスパンディン
グ(延伸)した。この際の平均チップ間隔とX−Y方向
のチップの間隔差を測定した。また、粘着シートの弛み
具合及びアルミリングからの粘着シートの剥離、脱落の
有無を目視観察した。上記間隔差の測定において、平均
のチップ間隔が1.0mm以上で、且つX−Y方向のチ
ップ間隔差が0.1mm未満、粘着シートの弛みや剥
離、脱落が発生しなかったものを(○)、チップ間隔が
上記範囲以外のもの、粘着シートの弛みや、剥離、脱落
が発生したものを(×)とした。
4) Expanding suitability A dicing film for semiconductor wafer was radially expanded (stretched) with a stroke of 20 mm by using a dedicated jig. At this time, the average chip interval and the chip interval difference in the XY directions were measured. Further, the degree of slack of the pressure-sensitive adhesive sheet and the presence or absence of peeling or dropping of the pressure-sensitive adhesive sheet from the aluminum ring were visually observed. In the measurement of the above-mentioned interval difference, the average chip interval is 1.0 mm or more, and the chip interval difference in the XY direction is less than 0.1 mm, and the adhesive sheet was not loosened, peeled, or dropped (○). ), A chip interval other than the above range, and a case where the pressure-sensitive adhesive sheet was loosened, peeled off, or dropped off was defined as (x).

【0050】5)ピックアップ適性 基材下部より1.5mm間隔4本ニードルで1.04m
m突き上げ、真空角錐コレットにより200個のチップ
をピックアップした時にピックアップ出来なかった個数
を測定した。また、ピックアップ箇所周囲のチップの乱
れ、飛散を目視で観察した。ピックアップミスがなく、
チップの乱れ、飛散が認められないものを(○)、ピッ
クアップミスがなく、飛散は認められなかったが若干乱
れがあったものを(△)、ピックアップミスが発生した
り、チップの乱れ、飛散が認められたものを(×)とし
た。
5) Suitable for pickup: 1.04 m with 4 needles spaced 1.5 mm from the bottom of the substrate.
When 200 chips were picked up by the m-thrust and vacuum pyramid collet, the number that could not be picked up was measured. Further, the chip around the pick-up location was visually observed for scattering and scattering. There are no pick-up mistakes,
Disturbances of chips are not recognized (○), there is no pick-up mistake, scattering is not recognized but there is some disturbance (△), pick-up mistakes occur, chip dislocation, scattering What was recognized was made into (x).

【0051】6)総合評価 各評価の全てにおいて良好であり、ダイシングフィルム
として問題がなくまた環境上の影響を少なく使用できる
ものを(○)、若干問題があるが使用可能なものを
(△)、問題がありダイシングフィルムとして使用でき
ないもの、環境上の影響が大きいものを(×)とした。
6) Comprehensive Evaluation All of the evaluations were good, and those having no problem as a dicing film and being usable with less environmental impact (○), those having some problems but being usable (△) , (×), which has a problem and cannot be used as a dicing film, and which has a large environmental impact.

【0052】[0052]

【表2】 [Table 2]

【0053】[0053]

【発明の効果】本発明の半導体ウエハ用ダイシングフィ
ルムは、伸び分布の均一性や応力緩和性、すなわち、特
定の粘弾性特性や引張り伸び特性を有しているので、エ
キスパンディング時の延伸性に優れ、チップが均一に整
列する。また、充分な応力緩和性を持つため、ピックア
ップ時に局所的な応力の集中が無く、チップの整列性が
保持され、ピックアップも容易になる。
EFFECTS OF THE INVENTION The dicing film for semiconductor wafers of the present invention has uniform elongation distribution and stress relaxation property, that is, it has specific viscoelastic properties and tensile elongation properties, and therefore has excellent stretchability during expanding. Excellent, chips are evenly aligned. Further, since it has a sufficient stress relaxation property, there is no local concentration of stress at the time of pick-up, the alignment of the chips is maintained, and pick-up becomes easy.

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 実質的に非晶性であり、ガラス転移温度
が0℃〜50℃のポリエステル樹脂層を少なくとも1層
有する半導体ウエハ用ダイシングフィルム。
1. A dicing film for a semiconductor wafer, which is substantially amorphous and has at least one polyester resin layer having a glass transition temperature of 0 ° C. to 50 ° C.
【請求項2】 動的粘弾性測定により周波数10Hz、
温度20℃で測定した貯蔵弾性率(E′)が70〜70
0MPa、損失正接(tanδ)が0.2〜0.8の範
囲にあることを特徴とする請求項1記載の半導体ウエハ
用ダイシングフィルム。
2. A frequency of 10 Hz measured by dynamic viscoelasticity,
Storage elastic modulus (E ') measured at a temperature of 20 ° C is 70 to 70
The dicing film for a semiconductor wafer according to claim 1, which has a loss tangent (tan δ) of 0 MPa and a range of 0.2 to 0.8.
【請求項3】 フィルムのMD方向(引取り方向)に対
するTD方向(MD方向の直角方向)の引張り応力比
(σMD/TD)が、伸び率200%までの範囲におい
て0.7〜1.3の範囲にあることを特徴とする請求項
1又は2記載の半導体ウエハ用ダイシングフィルム。
3. The tensile stress ratio (σ MD / TD ) in the TD direction (direction perpendicular to the MD direction) with respect to the MD direction (drawing direction) of the film is 0.7-1. 3. The dicing film for a semiconductor wafer according to claim 1, which is in the range of 3.
【請求項4】 フィルムのMD方向、TD方向共に、引
張り伸び率25%の応力(σ25)に対する引張り伸び
率100%の応力(σ100)の比(σ10
σ25)が1.2以上であることを特徴とする請求項1
乃至3のいずれか1項記載の半導体ウエハ用ダイシング
フィルム。
4. MD direction of the film, in the TD direction both the ratio of the tensile elongation of 25% stress (sigma 25) for the tensile elongation of 100% of the stress (σ 100) (σ 10 0 /
σ 25 ) is 1.2 or more.
4. The dicing film for semiconductor wafer according to any one of items 1 to 3.
JP2001284926A 2001-09-19 2001-09-19 Dicing film for semiconductor wafer Pending JP2003092273A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001284926A JP2003092273A (en) 2001-09-19 2001-09-19 Dicing film for semiconductor wafer

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001284926A JP2003092273A (en) 2001-09-19 2001-09-19 Dicing film for semiconductor wafer

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2003092273A true JP2003092273A (en) 2003-03-28

Family

ID=19108166

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001284926A Pending JP2003092273A (en) 2001-09-19 2001-09-19 Dicing film for semiconductor wafer

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2003092273A (en)

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005264122A (en) * 2004-03-22 2005-09-29 Kureha Chem Ind Co Ltd Flexible antistatic resin composition and semiconductor (semi-fabricated) product carrier sheet
JP2005276971A (en) * 2004-03-24 2005-10-06 Sumitomo Bakelite Co Ltd Adhesive film for semiconductor with dicing sheet function, manufacturing method of semiconductor device using the same, and semiconductor device using the same
JP2008103655A (en) * 2006-09-20 2008-05-01 Furukawa Electric Co Ltd:The Wafer adhesive sheet and wafer manufacturing method
WO2009078440A1 (en) * 2007-12-18 2009-06-25 The Furukawa Electric Co., Ltd. Adhesive sheet for bonding wafer and wafer processing method
JP2009170886A (en) * 2007-12-18 2009-07-30 Furukawa Electric Co Ltd:The Adhesive sheet for bonding wafer, and wafer processing method
JP2009272611A (en) * 2008-04-11 2009-11-19 Hitachi Chem Co Ltd Method of manufacturing semiconductor chip, and dicing tape
WO2011004825A1 (en) * 2009-07-08 2011-01-13 古河電気工業株式会社 Wafer-pasting adhesive sheet and wafer processing method using the same
JP2013225670A (en) * 2012-03-22 2013-10-31 Furukawa Electric Co Ltd:The Surface protection adhesive tape for grinding and processing rear face of semiconductor wafer, and method for processing semiconductor wafer
JP2014110366A (en) * 2012-12-04 2014-06-12 Lintec Corp Dicing sheet
TWI490303B (en) * 2008-12-01 2015-07-01 Furukawa Electric Co Ltd Wafer adhesive tape and wafer processing methods
WO2015156389A1 (en) * 2014-04-11 2015-10-15 リンテック株式会社 Base for back grind tapes, and back grind tape
JP2015211081A (en) * 2014-04-24 2015-11-24 日東電工株式会社 Dicing/die-bonding film
JPWO2018105613A1 (en) * 2016-12-07 2019-10-24 古河電気工業株式会社 Semiconductor processing tape
KR20190139217A (en) * 2017-04-24 2019-12-17 도레이 카부시키가이샤 Film and Method of Making Film
WO2021246239A1 (en) 2020-06-05 2021-12-09 東洋紡株式会社 Heat-resistant film
JP7111213B1 (en) 2021-04-22 2022-08-02 大日本印刷株式会社 Adhesive tape for semiconductor processing

Cited By (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4620372B2 (en) * 2004-03-22 2011-01-26 株式会社クレハ Soft antistatic resin composition and semiconductor (semi) product carrier sheet
JP2005264122A (en) * 2004-03-22 2005-09-29 Kureha Chem Ind Co Ltd Flexible antistatic resin composition and semiconductor (semi-fabricated) product carrier sheet
JP2005276971A (en) * 2004-03-24 2005-10-06 Sumitomo Bakelite Co Ltd Adhesive film for semiconductor with dicing sheet function, manufacturing method of semiconductor device using the same, and semiconductor device using the same
JP2008103655A (en) * 2006-09-20 2008-05-01 Furukawa Electric Co Ltd:The Wafer adhesive sheet and wafer manufacturing method
WO2009078440A1 (en) * 2007-12-18 2009-06-25 The Furukawa Electric Co., Ltd. Adhesive sheet for bonding wafer and wafer processing method
JP2009170886A (en) * 2007-12-18 2009-07-30 Furukawa Electric Co Ltd:The Adhesive sheet for bonding wafer, and wafer processing method
JP2009272611A (en) * 2008-04-11 2009-11-19 Hitachi Chem Co Ltd Method of manufacturing semiconductor chip, and dicing tape
TWI490303B (en) * 2008-12-01 2015-07-01 Furukawa Electric Co Ltd Wafer adhesive tape and wafer processing methods
WO2011004825A1 (en) * 2009-07-08 2011-01-13 古河電気工業株式会社 Wafer-pasting adhesive sheet and wafer processing method using the same
JP2013225670A (en) * 2012-03-22 2013-10-31 Furukawa Electric Co Ltd:The Surface protection adhesive tape for grinding and processing rear face of semiconductor wafer, and method for processing semiconductor wafer
JP2014110366A (en) * 2012-12-04 2014-06-12 Lintec Corp Dicing sheet
US10388556B2 (en) 2014-04-11 2019-08-20 Lintec Corporation Base for back grind tapes, and back grind tape
JPWO2015156389A1 (en) * 2014-04-11 2017-04-13 リンテック株式会社 Back grinding tape substrate and back grinding tape
WO2015156389A1 (en) * 2014-04-11 2015-10-15 リンテック株式会社 Base for back grind tapes, and back grind tape
JP2015211081A (en) * 2014-04-24 2015-11-24 日東電工株式会社 Dicing/die-bonding film
JPWO2018105613A1 (en) * 2016-12-07 2019-10-24 古河電気工業株式会社 Semiconductor processing tape
KR20190139217A (en) * 2017-04-24 2019-12-17 도레이 카부시키가이샤 Film and Method of Making Film
KR102492038B1 (en) * 2017-04-24 2023-01-27 도레이 카부시키가이샤 Films and methods of making films
WO2021246239A1 (en) 2020-06-05 2021-12-09 東洋紡株式会社 Heat-resistant film
KR20230021648A (en) 2020-06-05 2023-02-14 도요보 가부시키가이샤 heat resistant film
JP7111213B1 (en) 2021-04-22 2022-08-02 大日本印刷株式会社 Adhesive tape for semiconductor processing
JP2022166959A (en) * 2021-04-22 2022-11-04 大日本印刷株式会社 Adhesive tape for semiconductor processing

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2003092273A (en) Dicing film for semiconductor wafer
KR101069787B1 (en) Pressure-sensitive adhesive sheet for processing
JP5101111B2 (en) Adhesive sheet for semiconductor substrate processing
TWI447202B (en) Wafer bonding adhesive tape and the use of its wafer processing methods
JP3035179B2 (en) Adhesive sheet for semiconductor wafer processing
GB2360229A (en) Pressure sensitive adhesive sheets for application to semiconductor wafers
US20110008597A1 (en) Surface protective sheet
JPS60223139A (en) Bonding sheet for fixing semiconductor wafer
KR20150087293A (en) Highly tackified acrylate pressure sensitive adhesives
JP2007063340A (en) Film substrate and adhesive tape for processing semiconductor wafer
JP2007045939A (en) Method for decreasing adhesive force of adhesive film
JP2002009018A (en) Dicing film for semiconductor wafer
JP2009267389A (en) Dicing film
JP2008045091A (en) Pressure-sensitive adhesive sheet for processing
JP2009242586A (en) Adhesive tape substrate and adhesive sheet
JP4259050B2 (en) Adhesive sheet for semiconductor substrate processing
JP2001207140A (en) Adhesive tape for processing semiconductor wafer
JPH0733832A (en) Photopolymerizable composition and production of viscoelastic product
JP3926112B2 (en) Semiconductor wafer fixing sheet
JP2003306654A (en) Radiation-curable adhesive tape
JP5253322B2 (en) Film for semiconductor manufacturing process adhesive tape
JPH068405B2 (en) Pressure-sensitive adhesive sheet
JPH1161065A (en) Pressure-sensitive adhesive sheet for semiconductor wafer
JP2005297247A (en) Substrate for pressure-sensitive adhesive tape and pressure-sensitive adhesive sheet
JP2000281993A (en) Pressure-sensitive adhesive sheet for use in processing semiconductor wafer

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050112

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20080319

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080331

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080527

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20080527

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20081202

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090115

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20091215