JP2005264122A - Flexible antistatic resin composition and semiconductor (semi-fabricated) product carrier sheet - Google Patents

Flexible antistatic resin composition and semiconductor (semi-fabricated) product carrier sheet Download PDF

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a flexible antistatic resin composition having flexibility and an antistatic property and suitable for formation of a semiconductor (semi-fabricated) product carrier sheet such as a backgrind tape, a dicing tape or an embossed carrier tape.
SOLUTION: The flexible antistatic resin composition comprises (a) 20-100 wt.% hydrophilic polymer and (b) 0-80 wt.% thermoplastic resin and has 100-1,500 storage elastic modulus at 10-30°C and 104-1012 Ωm volume resistivity and does not contain a plasticizer.
COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、バックグラインドテープ、ダイシングテープ、エンボスキャリアテープ等の半導体(半)製品キャリアシート形成に適した軟質制電性樹脂組成物およびこれからなる半導体(半)製品キャリアシートに関する。 The present invention includes a back grinding tape, the dicing tape, the semiconductor embossed carrier tape (semi) flexible system suitable product carrier sheet forming conductive resin composition and a semiconductor (semi) product carrier sheet made therefrom.

半導体チップ等の半導体製品あるいはウエハ等のその半製品をその上に保持して加工あるいは搬送するために半導体(半)製品キャリアシートが使用されることが多い。 Semiconductor (semi) product carrier sheet is often used to process or transport the semi-finished product such as a semiconductor product or wafers, such as semiconductor chips are held thereon. 例えば、パターンを形成した半導体ウエハを研削するバックグラインド工程においてパターン面を保護し、同時に研摩・研削により薄肉化した半導体ウエハを保持するための粘着シート(バックグラインド・テープ)あるいはパターン化したウエハを個々のパターン毎に切断し半導体素子として分割するダイシング工程においてウエハを保持保護するために用いる粘着シート(ダイシングテープ)等があり、これらはまとめて半導体加工用粘着シートと称されることもある。 For example, a pressure-sensitive adhesive sheet (back grinding tape) or patterned wafers for holding a semiconductor wafer to protect the pattern surface in a back grinding process, was thinned by polishing and grinding simultaneously grinding a semiconductor wafer to form a pattern There adhesive sheet used for supporting and protecting a wafer (dicing tape) or the like in the dicing step of dividing the cut semiconductor elements for each individual pattern, it may also be referred to as semiconductor processing adhesive sheets together. また形成された半導体素子(等の電子部品)の複数のものを収容するためのポケット状凹部をエンボス加工により形成し(更に半導体素子を収容後、粘着性のカバーシートで被覆して、これら半導体素子を電子装置に組み込むまでの保管・搬送を容易にし)た熱可塑性樹脂シートないしテープからなるエンボスキャリアテープもあり、上記粘着性のカバーシートおよび半導体加工用粘着シートも含めて、本明細書では、半導体(半)製品キャリアシートと称する。 Also after receiving a pocket-like recess it was formed by embossing (further semiconductor device for accommodating a plurality of ones of the semiconductor elements formed (electronic component or the like), and coated with adhesive cover sheet, these semiconductor There are also embossed carrier tape comprising a storage and transportation to facilitate) was thermoplastic resin sheet or tape to incorporate elements into an electronic device, the adhesive sheet be included cover sheets and semiconductor processing of the adhesive, herein , it referred to as a semiconductor (semi) product carrier sheet.

これら半導体(半)製品キャリアシートに関しては、半導体産業の発展に従い特許文献1〜4等を含めて多くの提案がなされているが、一般に取扱いに際しての静電気の発生を防止するための導電性ないし制電性ならびに取扱いの容易性のための柔軟性が要求されている。 For these semiconductor (semi) product carrier sheet, many proposals have been made, including the Patent Documents 1 to 4 or the like in accordance with the development of the semiconductor industry, generally electrically conductive or braking in order to prevent the occurrence of static electricity during handling flexibility for ease of conductive and handling is required.
特開2001−200215号公報 JP 2001-200215 JP 特開2003−151940号公報 JP 2003-151940 JP 特開平5−114647号公報 JP-5-114647 discloses 特開2003−301140号公報 JP 2003-301140 JP 特開2003−26284号公報 JP 2003-26284 JP 特開昭42−2462号公報 JP-A-42-2462 JP 特開平11−323275号公報 JP 11-323275 discloses

上記従来技術も含めて一般に、従来の半導体(半)製品キャリアシートにおいては、静電気障害防止のために、シート基材に微粒状導電剤を配合している。 Generally, including the prior art, in a conventional semiconductor (semi) product carrier sheet, for static hazard prevention, are blended with particulate conductive agent on the sheet substrate. これはダイシングテープにおける、ダイシング後にテープを引き伸ばしてチップの間隔を広げてチップの取出しを容易とするエキスパンド工程に必要な柔軟性の低下、あるいはエンボスキャリアテープのエンボス加工に際しての局所引き伸ばしによる導電性の低下などの不都合の原因となる。 This in the dicing tape, lowering of flexibility required to expanding step to facilitate removal of the chips to expand the distance between the tip and stretch the tape after the dicing, or the embossed carrier tape conductive by local stretching of when embossing It causes inconveniences such as reduction. また柔軟性の付与のために可塑剤を配合することは、可塑剤のブリードアウトによるテープの柔軟性の低下、あるいはブリードアウトした可塑剤による半導体素子の表面汚染の原因となり、好ましくない。 The blending a plasticizer for imparting flexibility, a reduction in tape flexibility due to bleeding out of the plasticizer, or cause the surface contamination of a semiconductor device due to bleeding-out plasticizer is not preferable.

従って、本発明の主要な目的は、可塑剤を含むことなしに必要な可撓性と静電気発生防止に必要な制電性を有し、半導体(半)製品キャリアシートの基材として好適な軟質制電性樹脂組成物およびこれからなる半導体(半)製品キャリアシートを提供することを目的とするものである。 Accordingly, a primary object of the present invention has antistatic properties required flexibility and electrostatic prevention needed without a plasticizer, the semiconductor (semi) suitable soft as a base product carrier sheet it is an object to provide a semiconductor (semi) product carrier sheet comprising antistatic resin composition and from this.

本発明者等の研究によれば上述の目的の達成のためには、永久制電性を持つ親水性ポリマーを主成分とし必要に応じてその可撓性(弾性率)を他の熱可塑性樹脂の配合により調整した樹脂組成物を用いることが極めて有効であることが見出された。 For achieving the objects of the above, according to the study by the present inventors, the flexibility (elasticity) of the other thermoplastic resin as needed as a main component a hydrophilic polymer having a permanent antistatic property it has been found to be very effective to use a resin composition prepared by blending. すなわち、静電気発生防止の機能を親水性ポリマーの持つ永久制電性に依存しているため、微粒導電剤を配合する場合のように、加工に際しての導電性の低下の問題を生ずることがなく、またその可撓性を可塑剤の配合によらずに調整しているため、可塑剤の使用に伴う不都合もない。 That is, because it relies on a permanent antistatic having the function of static electricity prevention hydrophilic polymer, as in the case of blending fine conductive agent, without causing problems of decrease in conductivity of during processing, also because of the adjustment regardless of its flexibility in the formulation of a plasticizer, there is no inconvenience caused by the use of plasticizers.

すなわち、本発明の軟質制電性樹脂組成物は、(a)親水性ポリマー20〜100重量%、及び(b)熱可塑性樹脂0〜80重量%からなり、10〜30℃における貯蔵弾性率が100〜1500MPa、体積抵抗率が10 〜10 12 Ωmであり、可塑剤を含まないことを特徴とするものである。 That is, the soft antistatic resin composition of the present invention, (a) a hydrophilic polymer 20 to 100 wt%, and (b) consists of 0 to 80 wt% thermoplastic resin, the storage modulus at 10 to 30 ° C. 100~1500MPa, the volume resistivity is 10 4 ~10 12 Ωm, and is characterized in that it does not contain a plasticizer.

また、本発明は、更に上記軟質制電性樹脂組成物からなる(特に、基材を上記軟質制電性樹脂組成物により構成した)半導体(半)製品キャリアシートを提供するものである。 Further, the present invention further provides the made of soft antistatic resin composition (especially, a substrate constituted by the soft antistatic resin composition) semiconductor (semi) product carrier sheet.

本発明の軟質制電性樹脂組成物のベース樹脂としての親水性ポリマー(a)は、非特許文献1(「静電気学会誌」第21巻第5号212〜219頁(1997))、特にその第216頁表6に記載されるような永久帯電防止剤として親水性ポリマーが用いられる。 Hydrophilic polymers as the base resin of soft antistatic resin composition of the present invention (a) is non-patent document 1 ( "Journal of Electrostatic Society" Vol. 21, No. 5, pp. 212 to 219 (1997)), particularly its hydrophilic polymer is used as permanent antistatic agents as described in the page 216 table 6. すなわち室温下で固体状態となり、高イオン導電率を有するポリマーである。 That becomes a solid state at room temperature, a polymer having a high ionic conductivity. より具体的には、ポリエチレンオキシド、ポリエーテルエステルアミド、ポリエーテルアミドイミド、エチレンオキシド−エピハロヒドリン共重合体、アルキレンオキサイド基を有するゴム状幹重合体のグラフト共重合体等を含むポリエーテル型親水性ポリマー;4級アンモニウム塩基含有(メタ)アクリレート共重合体、4級アンモニウム塩基含有マレイミド共重合体、4級アンモニウム塩基含有メタクリルイミド共重合体等の4級アンモニウム塩型親水性ポリマー;ポリスチレンスルホン酸ソーダ等のスルホン酸型親水性ポリマー;カルボベタイングラフト共重合体等のベタイン型親水性ポリマー;その他高分子電荷移動型結合体親水性ポリマーが含まれる。 More specifically, polyethylene oxide, polyether ester amide, polyether amide imide, ethylene oxide - epihalohydrin copolymer, polyether-containing hydrophilic polymer graft copolymers of rubber trunk polymer having an alkylene oxide group ; quaternary ammonium salt group-containing (meth) acrylate copolymer, a quaternary ammonium base-containing maleimide copolymer, quaternary ammonium salt type hydrophilic such as quaternary ammonium base-containing methacrylimide copolymer polymers; sodium polystyrenesulfonate, etc. It includes other polymeric charge-transfer type conjugate hydrophilic polymer; sulfonic acid type hydrophilic polymer; carboxymethyl betaine hydrophilic polymer betaine graft copolymer. なかでも少なくとも一部が(ポリ)エチレンオキサイドである(ポリ)アルキレンオキサイド基を有するポリエーテル型親水性ポリマーが好ましく、なかでも本出願人が開発した特許文献6(特公昭54−2462号公報)に記載のものと基本的に同様の、下記の組成を有するグラフト共重合体が好ましく用いられる。 Of these at least partially (poly) ethylene oxide (poly) polyether hydrophilic polymer preferably having an alkylene oxide group, Patent Document 6 (JP-B 54-2462 JP) developed by among others the applicant basically the same as those described in, graft copolymers having the following composition is preferably used. すなわち、 That is,
(i)共役ジエン及びアクリル酸エステルから選ばれた1種以上の単量体50〜95重量%、 (I) a conjugated diene and one or more monomers selected from acrylic acid esters 50-95% by weight,
(ii)4〜500個のアルキレンオキサイド基を有し且つ好ましくは4個以上のエチレンオキサイドブロックを有しエチレン系不飽和結合を有する1種以上の単量体5〜50重量%、及び (iii)共役ジエン及びアクリル酸エステルと共重合可能な1種以上のエチレン系不飽和単量体0〜40重量% (Ii) and having 4 to 500 alkylene oxide groups preferably one or more of the monomers 5 to 50 wt% having an ethylenically unsaturated bond having 4 or more ethylene oxide blocks, and (iii ) conjugated diene and one or more ethylenically copolymerizable with acrylic acid esters unsaturated monomer 0 to 40 wt%
からなるゴム状幹重合体5〜95重量部、に (iv)1種以上のエチレン系不飽和単量体5〜95重量部(ゴム状幹重合体との合計量が100重量部)、 Rubber trunk polymer 5 to 95 parts by weight of a, a (iv) 1 or more ethylenically unsaturated monomers 5-95 parts by weight (100 parts by weight the total amount of the rubber trunk polymer),
をグラフト共重合したグラフト共重合体、である。 Graft polymerized graft copolymer is a. 特に透明性のよい組成物を与えるためには、単量体(i)および(iii)としてはアクリル酸エステルを用いることが好ましい。 To give particularly transparency good composition, it is preferable to use acrylic acid esters as monomer (i) and (iii).

本発明の軟質制電性樹脂組成物は、上記したような親水性ポリマー(a)20〜100重量%に対し、必要に応じて組成物の10〜30℃における貯蔵弾性率を10〜1500MPaとするように熱可塑性樹脂(b)0〜80重量%を組合せてなる。 Soft antistatic resin composition of the present invention, with respect to the hydrophilic polymer (a) 20 to 100 wt% as described above, and 10~1500MPa a storage modulus at 10 to 30 ° C. of the composition as needed comprising a combination of 0-80% by weight thermoplastic resin (b) to.

組成物中において、親水性ポリマー(a)が20重量%未満では、良好な制電性(すなわち10 12 Ωm以下で充分に低い体積抵抗率)を実現することが困難になる。 In the composition, a hydrophilic polymer (a) is less than 20 wt%, it becomes difficult to achieve good antistatic properties (ie 10 12 [Omega] m sufficiently low volume resistivity below).

熱可塑性樹脂(b)は、親水性ポリマー(a)との組合せにおいて、10〜30℃における貯蔵弾性率を100〜1500MPa、体積抵抗率を10 〜10 12 Ωmの範囲に調整するために必要に応じて加えられるものであり、特に親水性ポリマー(a)と相溶性が比較的良好で、より柔軟性(貯蔵弾性率が低い)ものが好ましく用いられる。 The thermoplastic resin (b), in combination with the hydrophilic polymer (a), required in order to adjust the storage modulus at 10~30 ℃ 100~1500MPa, the volume resistivity in the range of 10 4 to 10 12 [Omega] m are those added in accordance with, in particular the compatibility relatively good hydrophilic polymer (a), more flexible (less storage modulus) that is preferably used. なかでもポリオレフィン系樹脂、アクリル系樹脂、などが好ましく用いられ、特に(メタ)アクリル酸エステルとスチレン等との共重合により柔軟性を向上した軟質アクリル樹脂が好ましく用いられる。 Among them, polyolefin resins, acrylic resins, and the like are preferably used, soft acrylic resin having improved flexibility is preferably used in particular (meth) copolymers of acrylic acid esters and styrene.

本発明の軟質制電性樹脂組成物の制電性を向上するために、界面活性剤を添加することもできる。 In order to improve the antistatic properties of the soft antistatic resin composition of the present invention may be added a surfactant. このようにして添加された界面活性剤は、親水性ポリマー(a)に吸着して、永久制電性を向上させる作用を有する。 Such surfactants added in the has the effect of adsorbed to the hydrophilic polymer (a), to improve the permanent antistatic. 良好な耐熱性を与えるために、JIS−K7120に定める熱重量減少開始温度(以下「Tng」と略記することがある)が250℃以上のアニオン系界面活性剤(d)が好ましく用いられる。 To provide good heat resistance, (sometimes hereinafter abbreviated as "Tng") thermogravimetric decrease starting temperature prescribed in JIS-K7120 is 250 ° C. or more anionic surfactant (d) is preferably used. 熱重量減少開始温度は、アニオン系界面活性剤の構造とある程度の相関性が認められており、熱重量減少開始温度が250℃以上であるアニオン系界面活性剤の例としては、アルキルベンゼンスルホン酸塩、アルキルナフタレンスルホン酸塩、脂肪酸塩、パーフルオロアルキルスルホン酸塩、トリフルオロメタンスルホン酸塩、パーフルオロアルキルカルボン酸塩などが挙げられる。 Thermogravimetric reduction starting temperature, examples of anionic structure of surfactant and which is recognized degree of correlation, the thermal weight reduction start temperature of 250 ° C. or more anionic surfactants, alkylbenzenesulfonate , alkylnaphthalene sulfonates, fatty acid salts, perfluoroalkyl sulfonic acid salts, trifluoromethanesulfonic acid salts, and perfluoroalkyl carboxylate are exemplified.

アニオン系界面活性剤を構成する金属種の選択もアニオン系界面活性剤の帯電防止剤としての効果に関係があり、本発明の目的のためには、原子番号が19(カリウム相当)以上であるアルカリ金属塩は、比較的少量の添加で必要な制電性が得られるので、親水性ポリマー(a)および熱可塑性樹脂(b)とのブレンド時間の短縮、成形品物性(特に耐温水白化性)の向上等の点で好ましく用いられる。 Metal species selected which constitute the anionic surfactant also is related to the effect of the antistatic agent of anionic surfactant, for the purposes of the present invention, the atomic number is 19 (potassium equivalent) or alkali metal salts, since the antistatic properties required in a relatively small amount of additives is obtained, reduced blending time of the hydrophilic polymer (a) and the thermoplastic resin (b), the molding article resistance (particularly hot water whitening resistance ) it is preferably used in view of such improvements.

界面活性剤は、親水性ポリマー(a)と熱可塑性樹脂(b)との合計量100重量部当り、0.1〜5重量部の割合で用いることが好ましい。 Surfactants, hydrophilic polymers (a) and the thermoplastic resin (b) and 100 parts by weight of the total amount per, is preferably used in a proportion of 0.1 to 5 parts by weight. 0.1重量部未満では、制電性改良効果が乏しく、また5重量部を超えて用いると成形体表面へのブリードアウトが顕著となり、成形体の特性上好ましくない。 Is less than 0.1 part by weight, poor antistatic property-improving effect, also be used exceeds 5 parts by weight and remarkable bleeding out to the surface of the molded product characteristics unfavorable of the shaped body.

本発明の制電性樹脂組成物には、上記成分以外にも、必要に応じて紫外線吸収剤、2価以上の金属塩を含む熱安定剤、酸化防止剤、滑剤、充填剤、染顔料などの添加剤を加えることができ、これらの添加は、重合時、混合時、成形時等の何れでもよい。 The antistatic resin composition of the present invention, in addition to the above components, an ultraviolet absorber if necessary, a heat stabilizer containing divalent or higher valent metal salts, antioxidants, lubricants, fillers, dye pigments, etc. additives can be added, these additives are during polymerization upon mixing may be any of such time of molding.

また、本発明の制電性樹脂組成物は、有機溶媒に分散させて塗布型あるいはフィルム成形性の分散液とすることもできる。 Further, antistatic resin composition of the present invention may also be a coating type or a film forming of the dispersion is dispersed in an organic solvent. 有機溶媒としては、好ましくはベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類、ジクロロメタン、クロロホルム等の含塩素化合物類、ジオキサン、テトラヒドロフラン等のエーテル類、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル類、ジメチルホルムアミド、N−メチルピロリドン等の含窒素化合物類が良い。 As the organic solvent, preferably benzene, toluene, xylene and the like aromatic hydrocarbons, dichloromethane, chlorine-containing compounds such as chloroform, ethers such as dioxane and tetrahydrofuran, ketones such as acetone and methyl ethyl ketone, ethyl acetate, esters such as butyl, dimethylformamide, nitrogen-containing compounds such as N- methylpyrrolidone. また2種類以上の溶媒を混合して使用しても良い。 Or it may be used by mixing two or more solvents.

分散液の濃度は特に限定されないが、5〜60重量%、更には5〜30重量%程度が好ましい。 The concentration of the dispersion is not particularly limited, 5 to 60 wt%, more preferably 5 to 30 wt%.

本発明の軟質制電性樹脂組成物は、ジオクチルフタレート(DOP)等の可塑剤を含むことなく10〜30℃における貯蔵弾性率が100〜1500MPa、体積抵抗率が10 〜10 12 Ω・mとなるように上記各成分を混合して得られる。 Soft antistatic resin composition of the present invention, the storage elastic modulus at 10 to 30 ° C. without a plasticizer such as dioctyl phthalate (DOP) is 100~1500MPa, volume resistivity 10 4 ~10 12 Ω · m obtained by mixing the above components for the. ここで「10〜30℃における貯蔵弾性率が100〜1500MPa」とは、直接的には10〜30℃の温度域の一点において、組成物が100〜1500MPaの範囲内の貯蔵弾性率を示すことを意味するが、上記温度範囲全般にわたって100〜1500MPaの範囲内の貯蔵弾性率が満たされることが好ましく、換言すれば、100〜1500MPaの貯蔵弾性率を示す温度域が10〜30℃の範囲を包含することが好ましい。 Here, "100~1500MPa storage modulus at 10 to 30 ° C." at one point in the temperature range of directly is 10 to 30 ° C., the composition exhibits a storage modulus in the range of 100~1500MPa means, but is preferably the storage modulus in the range of 100~1500MPa over the temperature range in general are satisfied, in other words, the range temperature range of 10 to 30 ° C. indicating the storage modulus 100~1500MPa it is preferred to include. 10〜30℃の温度域(すなわち通常使用温度域)において、貯蔵弾性率が1500MPaを超えると、半導体(半)製品キャリアシートとしたときの柔軟性が欠け、取扱いが困難となる。 In a temperature range of 10 to 30 ° C. (or normal operating temperature range), the storage elastic modulus exceeds 1500 MPa, lack flexibility when formed into a semiconductor (semi) product carrier sheet, handling becomes difficult. 他方、100MPa未満では柔軟過ぎて、取扱い性が悪くなり、また強度的にも不足しがちである。 On the other hand, is flexible too is less than 100MPa, handling property is deteriorated, also tend to lack in strength.

また体積抵抗率が10 12 Ω・mを超えると、所望の制電性が得られず、10 Ω・m未満では静電気放に対するシールド効果が好ましくない。 Further, if the volume resistivity exceeds 10 12 Ω · m, can not be obtained a desired antistatic property, shielding effect unfavorable for release static electricity is less than 10 4 Ω · m.

前述したように本発明の軟質制電性樹脂組成物は、その柔軟性および制電性を利用したバックグラインドテープ、ダイシングテープ、エンボスキャリアテープ等の半導体(半)製品キャリアシート、特にその基材シート(ないしフィルム)として優れた適性を有する。 Soft antistatic resin composition of the present invention as described above, the flexibility and antistatic back grind tape using dicing tape, semiconductor embossed carrier tape (semi) product carrier sheet, in particular the substrate It has excellent suitability as a sheet (or film). このような用途における本発明の組成物の好ましいシート厚みは、一般に10〜1000μm、特に50〜500μmの範囲であって、慣用的に使用されることのあるシートとフィルムの境界厚み250μmを下回る範囲を包含するものである。 Preferred thickness of the sheet of the composition of the present invention in such applications, typically 10 to 1000 [mu] m, range in particular in the range of 50 to 500 [mu] m, below the sheet and the boundary thickness 250μm film that may be conventionally used it is intended to embrace. 本発明の軟質制電性樹脂組成物を基材シートの形成に用いることを除いて、これら半導体(半)製品キャリアシートの製造法ならびに構成は、特許文献1〜3等の従来技術に採用される通りである。 Soft antistatic resin composition of the present invention, except that used for forming the substrate sheet, these semiconductor (semi) preparation and construction of the product carrier sheet is adopted in the prior art such as Patent Documents 1 to 3 it is as that.

バックグラインドテープおよびダイシングテープなどの半導体加工用粘着シートを形成するためには、上記本発明の組成物により形成した基材シート上に導電性ないし制電性粘着剤層を形成する必要がある。 To form the back grinding tape and the dicing tape semiconductor processing adhesive sheets such as, it is necessary to form a conductive or antistatic pressure-sensitive adhesive layer on the substrate sheet formed of a composition of the present invention. このような導電性ないし制電性粘着剤層は、慣用のカーボンブラック、金属又は金属酸化物微粒子等の導電性微粒子を分散させた粘着剤の層を用いることができるほか、上述した本発明の軟質制電性樹脂組成物の分散液に、ロジン、テルペン等の粘着付与剤、および/またはエポキシ樹脂、ポリイソシアネート、金属キレート等の架橋剤を例えば固形分の0.1〜30重量%となるような割合で添加して得られた制電性粘着剤分散液の塗布層を形成してもよい。 Such conductive or antistatic pressure-sensitive adhesive layer may contain conventional carbon black, addition can be a layer of metal or metal oxide adhesive by dispersing conductive fine particles such as fine particles of the present invention described above to a dispersion of soft antistatic resin composition, comprising a rosin tackifier terpene such, and / or epoxy resins, polyisocyanates, and 0.1 to 30 wt% of a crosslinking agent of a metal chelate such as for example solid a coating layer may be formed of the resulting antistatic pressure sensitive adhesive dispersion was added in proportions such. 粘着剤層の厚さは、1〜100μm、特に5〜30μm程度が適当である。 The thickness of the adhesive layer, 1 to 100 [mu] m, and particularly about 5~30μm is suitable.

このようにして形成された本発明の半導体加工用粘着シートは、例えば下記のようなエンボスキャリアテープとともに用いられる粘着性の保護シート(カバーシート)として、更には特許文献7に開示されるような電気製品のシールドバッグ形成用にも用いられる。 Semiconductor processing adhesive sheets of the present invention thus formed, for example, as embossed carrier adhesive of the protective sheet for use with a tape (cover sheet) as follows, as further disclosed in Patent Document 7 also used for the shield bag formation of electrical products.

エンボスキャリアテープを構成するためには、上記のようにして本発明の軟質制電性樹脂組成物により形成された基材シートのその片面にエンボス加工を行い、半導体素子(チップ)またはこれを組み込んだ電子部品を収容するに適した凹所を形成すればよい。 To configure the embossed carrier tape performs embossing on one surface of a substrate sheet formed of a soft antistatic resin composition of the present invention as described above, the semiconductor device (chip) or incorporate this it may be formed a recess suitable for housing electronic components.

本発明の軟質制電性樹脂組成物は、上述した半導体(半)製品キャリアシートの形成に好適に用いられるほか、その柔軟性と制電性を生かした各種用途、例えば、ゴミの付着を嫌う半導体製品の容器の開口周縁部をシールするためのOリング等の軟質ひも状パッキング材:例えば特許文献5に開示されるような導電性フレキシブルコンテナを構成するためのターポリン形成膜の形成等にも好適に用いられる。 Soft antistatic resin composition of the present invention, in addition to suitably used in the formation of a semiconductor (semi) product carrier sheet described above, various applications that take advantage antistaticity and its flexibility, for example, dislike dust adhesion soft corded packing material such as an O-ring for sealing the opening peripheral edge portion of the container of semiconductor products: for example in the formation or the like of the tarpaulin forming film for forming the conductive flexible container as disclosed in Patent Document 5 It is preferably used. このようなターポリン膜の形成のためには、上記のような軟質制電性樹脂組成物シートの加熱あるいは溶剤貼付以外に上記した軟質制電性樹脂組成物分散液による塗膜形成も好ましい。 For formation of such tarpaulins film preferably also a coating film formed by soft antistatic resin composition dispersion such was the heating or other solvent application of soft antistatic resin composition sheet as described above.

以下に、本発明を実施例によって、更に具体的に説明する。 Hereinafter, examples of the present invention will be described more specifically. なお、実施例中の「部」は「重量部」を意味し、記載される物性は、代表的に以下の方法で測定したものである。 Incidentally, "parts" in Examples means "part by weight", the physical properties described are those measured by typically the following method.

(i)貯蔵弾性率:動的粘弾性測定装置(東洋ボールドウィン社製「DVD−II」)を用い、試料組成物から形成した長さ25mm、幅2mm、厚さ0.2mmのフィルムについて、2℃/分の昇温速度で−100〜150℃の温度範囲において、周波数110Hzの引張りモードで動的粘弾性測定を行い、貯蔵弾性率を求めた。 (I) a storage modulus: using a dynamic viscoelasticity measuring apparatus (Toyo Baldwin Co., Ltd., "DVD-II"), length 25mm formed from the sample composition, width 2 mm, the film having a thickness of 0.2 mm, 2 ° C. / in the temperature range of -100 to 150 [° C. at a heating rate of minute, for dynamic viscoelasticity measurement at a tensile mode frequency 110 Hz, to determine the storage modulus.

(ii)体積固有抵抗率:ASTM D257に準拠して、温度23℃、湿度23%RHで3日間調湿して、極超絶縁計SM−10E(東亜電波工業製)で測定した。 (Ii) a volume resistivity: in compliance with ASTM D257, the temperature 23 ° C., and dampening 3 days the humidity of 23% RH, were determined by ultra insulation meter SM-10E (manufactured by TOA Electronics).

≪親水性ポリマーの製造≫ «Of the hydrophilic polymer production»
攪拌機、温度計、圧力計を付した反応容器に、 Stirrer, a thermometer, the reaction vessel was subjected to a pressure gauge,
(イ)ゴム状幹重合体形成用組成物 アクリル酸ブチル 50.3 部 スチレン 9.0 部 メタクリル酸アリル 0.7 部 メトキシポリエチレングリコールメタクリレート 10.0 部 (エチレンオキサイド基の数が平均23個) (B) rubber trunk polymer forming composition 50.3 parts of styrene 9.0 parts allyl methacrylate 0.7 parts of methoxy polyethylene glycol methacrylate 10.0 parts butyl acrylate (average number of ethylene oxide groups 23)
ホルムアルデヒドナトリウムスルホキシレート 0.08 部 t−ブチルハイドロパーオキサイド 0.1 部 エチレンジアミンテトラ酢酸鉄(III)塩 0.005部 ピロリン酸2水素2ナトリウム 0.05 部 ピロリン酸4ナトリウム 0.05 部 ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム 0.5 部 脱イオン水 290 部を仕込み、50℃で4時間攪拌した。 Sodium formaldehyde sulfoxylate 0.08 parts t- butyl hydroperoxide 0.1 parts of ethylenediamine tetraacetic acid iron (III) salt 0.005 parts pyrophosphate dihydrogen disodium 0.05 parts tetrasodium pyrophosphate 0.05 parts dodecyl They were charged 0.5 parts of deionized water 290 parts sodium benzenesulfonate, and stirred for 4 hours at 50 ° C..
収率99%以上で平均粒子形80nmのゴム状重合体ラテックスが得られた。 Rubber-like polymer latex having an average particle form 80nm in a yield of 99% or more was obtained.

(ロ)上記ゴム状幹重合体(固形分として70部)のラテックスにエチレン系不飽和単量体混合物として、 The latex (B) the rubber trunk polymer (70 parts as solid content) as ethylenically unsaturated monomer mixture,
メタクリル酸メチル 29.0 部 スチレン 0.7 部 ノルマルオクチルメルカプタン 0.3 部 ホルムアルデヒドナトリウムスルホキシレート 0.08 部 t−ブチルハイドロパーオキサイド 0.1 部 脱イオン水 70 部を添加して、窒素置換し、50℃で4時間グラフト共重合した。 Was added to 0.08 parts of 0.1 parts of deionized water 70 parts of t- butyl hydroperoxide methacrylate 29.0 parts styrene 0.7 parts n-octyl mercaptan 0.3 parts of sodium formaldehyde sulfoxylate, nitrogen substitution and it was polymerized for 4 hours graft copolymerization at 50 ° C.. このラテックスを取出し70℃に加温後、70℃の塩酸水(濃度1.5%)1000部に添加し析出させた。 After warming to 70 ° C. taken out this latex was added deposited on 70 ° C. of aqueous hydrochloric acid (concentration 1.5%) 1000 parts. その析出物を脱水洗浄乾燥することにより、白色粉末の親水性ポリマーが得られた。 By dehydrating washing and drying the precipitate, the hydrophilic polymer of a white powder was obtained.

(実施例1〜8、比較例1〜4) (Examples 1-8, Comparative Examples 1-4)
上記で得られた親水性ポリマー20〜100部、軟質アクリル樹脂(クラレ社製「パラペットSA−NW」)0〜100部、軟質アクリル樹脂(住友化学社製「スミペックスEX」)0〜100部、アニオン性界面活性剤:ノナフルオロブタンスルホン酸カリウム0〜1.0部を、それぞれ下記表1に示す割合でヘンシェルミキサーにて混合することにより、実施例1〜8および比較例1〜4の粉末樹脂成物を得た。 20-100 parts hydrophilic polymer obtained above, soft acrylic resin (Kuraray Co., Ltd., "Parapet SA-NW") 0-100 parts, soft acrylic resin (manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd. "Sumipex EX") 0-100 parts, anionic surfactants: a 0 to 1.0 parts of potassium nonafluorobutanesulfonate, by mixing in a Henschel mixer, respectively in the proportions shown in table 1, in examples 1 to 8 and Comparative examples 1 to 4 powder to obtain a resin formed product.

これらの粉末樹脂成物の各々を、8インチのロールミル(温度160℃)で混練し、厚さ500μmのシートにした。 Each of these powdered resin formed was kneaded by a 8-inch roll mill (temperature 160 ° C.), and the thickness of 500μm sheet. このシートを、プレス成型機(温度180℃)で厚さ200μmのフィルムに成型し、上記方法により体積抵抗率および貯蔵弾性率を測定した。 The sheet was molded into a film having a thickness of 200μm by a press molding machine (temperature 180 ° C.), to measure the volume resistivity and the storage modulus by the above method. 結果をまとめて下表1に示す。 The results are summarized in Table 1 below.

上記表1の結果を見れば、親水性ポリマーと軟質アクリル樹脂(および必要に応じて硬質アクリル樹脂)との適宜の割合での混合により、本発明所定の体積抵抗率と貯蔵弾性率を有する軟質制電性樹脂組成物が得られていることがわかる。 Looking at the results of Table 1, soft with mixed by the present invention a predetermined volume resistivity of the storage modulus at an appropriate ratio between the hydrophilic polymer and a soft acrylic resin (and hard acrylic resin, if necessary) it can be seen that antistatic resin composition is obtained.

(実施例9)バックグラインドテープの作成1)親水性ポリマー 上記と同様にして作成した。 Was prepared (Example 9) back grinding tape of creating 1) In the same hydrophilic polymer above.

2)テープ基材用フィルム1の作成 上記親水性ポリマーおよび上記実施例で用いたものと同じ軟質および硬質アクリル樹脂ならびに界面活性剤を、下記の比でヘンシェルミキサーにより混合した。 2) Creating the hydrophilic polymer and the same soft and hard acrylic resin and surfactant as that used in Examples tape base film 1, and mixed by a Henschel mixer at a ratio of below.
親水性ポリマー 40 部 軟質アクリル樹脂 40 部 硬質アクリル樹脂 20 部 界面活性剤 0.4 部 Hydrophilic polymer 40 parts soft acrylic resin 40 parts hard acrylic resin 20 parts Surfactant 0.4 parts

得られた混合粉末をTダイ式押出機により、樹脂温度200℃でダイリップ幅で成形し、これを300μmの厚みになるようにドラフト比を設定し、60℃のチルロール上で急冷し、ドラフトしてフィルムを得た。 The mixed powder obtained was T-die extruder, and molded in the die lip width at a resin temperature of 200 ° C., which set the draft ratio such that the thickness of 300 [mu] m, and quenched on a chill roll 60 ° C., and a draft to obtain a film Te. このフィルムの、10〜30℃における貯蔵弾性率は約500MPa、体積抵抗率は約10 Ωmであった。 This film, the storage modulus at 10 to 30 ° C. is about 500 MPa, the volume resistivity was about 10 9 [Omega] m.

3)バックグラインドテープの作成 前項2)で作成したフィルムの片面に水系エマルジョンのアクリル系の導電性粘着剤(固形分50%、粘度35,000〜45,000cps)を厚みが20μmとなる量塗布し、100℃で10分間乾燥させて粘着テープを作成し、更にその粘着剤層に離型処理が施されたPETフィルムを貼り付け、バックグラインドテープを作成した。 3) back grinding tape of the preceding section 2) acrylic conductive adhesive composition of the aqueous emulsion to one surface of the film prepared in (50% solids, the amount applied to the viscosity 35,000~45,000Cps) thickness becomes 20μm , dried for 10 minutes at 100 ° C. and create a pressure-sensitive adhesive tape, further stuck a PET film having release treatment has been applied to the pressure-sensitive adhesive layer to prepare a back grinding tape.

4)バックグラインドテープの使用 前項3)で作成されたバックグラインドテープのPETフィルム(剥離フィルム)を剥がし、粘着面を半導体ウエハの回路の形成された面に貼り付け、反対側の面を切削研磨し、ウエハの厚みを適切に調節した。 4) Peel off the back grinding tape using the preceding 3) back grinding tape of PET film created in (release film), adhered to the formed surface of the circuit of the semiconductor wafer to the adhesive surface, cutting and polishing a surface opposite and to adjust the thickness of the wafer properly. この際、バックグラインドテープの適切な強度に支持されてウエハの反りは発生しなかった。 In this case, warpage of the wafer did not occur and is supported by the appropriate strength of the back grinding tape.

(実施例10)ダイシングテープの作成1)親水性ポリマー 上記と同様にして作成した。 It was prepared (Example 10) dicing tape Creating 1) In the same hydrophilic polymer above.

2)テープ基材用フィルム2の作成 上記親水性ポリマーおよび上記実施例で用いたものと同じ軟質アクリル樹脂ならびに界面活性剤を、下記の比でヘンシェルミキサーにより混合した。 2) The tape creating base film 2 The hydrophilic polymer and the same soft acrylic resin and surfactant as that used in the above examples were mixed with a Henschel mixer at a ratio of below.
親水性ポリマー 50 部 軟質アクリル樹脂 50 部 界面活性剤 0.4 部 Hydrophilic polymer 50 parts soft acrylic resin 50 parts Surfactant 0.4 parts

得られた混合粉末をTダイ式押出機により、樹脂温度200℃でダイリップ幅で成形し、これを100μmの厚みになるようにドラフト比を設定し、60℃のチルロール上で急冷し、ドラフトしてフィルムを得た。 The mixed powder obtained was T-die extruder, and molded in the die lip width at a resin temperature of 200 ° C., which set the draft ratio such that the thickness of 100 [mu] m, and quenched on a chill roll 60 ° C., and a draft to obtain a film Te. このフィルムの、10〜30℃における貯蔵弾性率は約200MPa、体積抵抗率は約10 Ωmであった。 This film, the storage modulus at 10 to 30 ° C. is about 200 MPa, the volume resistivity was about 10 9 [Omega] m.

3)ダイシングテープの作成 前項2)で作成したフィルムの片面に、水系エマルジョンのアクリル系の導電性粘着剤(固形分50%、粘度35,000〜45,000cps)を厚みが20μmとなる量塗布し、100℃で10分間乾燥させて粘着テープを作成し、更にその粘着剤層に離型処理が施されたPETフィルムを貼り付け、ダイシングテープを作成した。 On one side of the film prepared in 3) dicing tape of the preceding section 2), acrylic conductive adhesive composition of the aqueous emulsion (50% solids, the amount applied to the viscosity 35,000~45,000Cps) thickness becomes 20μm , dried for 10 minutes at 100 ° C. and create a pressure-sensitive adhesive tape, further stuck a PET film having release treatment has been applied to the pressure-sensitive adhesive layer to prepare a dicing tape.

4)ダイシングテープの使用 前項3)で作成したダイシングテープのPETフィルム(剥離フィルム)を剥がし、粘着面を半導体ウエハの回路の形成された面の反対側の面に貼り付け、ダイヤモンドブレードにてウエハを格子状に切り分け、次にエキスパンド工程にてダイシングテープを引き伸ばすことによって個々の半導体素子の間隔を適切に広げ、続くピックアップ工程にて個々の半導体素子をダイシングテープから円滑に取り外すことができた。 4) Peel off the dicing tape dicing tape PET film used was created in the previous section 3) of (release film), stuck on the surface opposite the surface formed of a circuit of the semiconductor wafer to the adhesive surface, the wafer at diamond blade the cut in a grid pattern, then appropriately increasing spacing of the individual semiconductor devices by stretching the dicing tape in the expanding step, it was possible to smoothly remove the individual semiconductor elements in the subsequent pickup step from the dicing tape.

(実施例11)エンボスキャリアテープの作成1)親水性ポリマー 上記と同様にして作成した。 Was prepared (Example 11) Production of embossed carrier tape 1) In the same hydrophilic polymer above.

2)テープ基材用フィルム2の作成 上記親水性ポリマーおよび上記実施例で用いたものと同じ軟質および硬質アクリル樹脂ならびに界面活性剤を、下記の比でヘンシェルミキサーにより混合した。 2) Creating the hydrophilic polymer and the same soft and hard acrylic resin and surfactant as that used in Examples tape substrate film 2, and mixed by a Henschel mixer at a ratio of below.
親水性ポリマー 40 部 軟質アクリル樹脂 40 部 硬質アクリル樹脂 20 部 界面活性剤 0.4 部 Hydrophilic polymer 40 parts soft acrylic resin 40 parts hard acrylic resin 20 parts Surfactant 0.4 parts

得られた混合粉末をTダイ式押出機により、樹脂温度200℃でダイリップ幅で成形し、これを400μmの厚みになるようにドラフト比を設定し、60℃のチルロール上で急冷し、ドラフトしてフィルムを得た。 The mixed powder obtained was T-die extruder, and molded in the die lip width at a resin temperature of 200 ° C., which set the draft ratio such that the thickness of 400 [mu] m, and quenched on a chill roll 60 ° C., and a draft to obtain a film Te. このフィルムの、10〜30℃における貯蔵弾性率は約500MPa、体積抵抗率は約10 Ωmであった。 This film, the storage modulus at 10 to 30 ° C. is about 500 MPa, the volume resistivity was about 10 9 [Omega] m.

3)エンボスキャリアテープの作成 前項2)で得たフィルムに、成形温度200℃、成形時間1ポケット20秒、最大延伸率200%で、プレス成形によりエンボス加工してポケットを形成し、エンボスキャリアテープを作成した。 The film obtained in 3) preceding section 2 of the embossed carrier tape), a molding temperature of 200 ° C., molding time 1 pocket 20 seconds, 200% maximum elongation, to form the pocket embossed by press molding, embossed carrier tape It was created.

4)エンボスキャリアテープの使用 前項3)のエンボスキャリアテープの凹部に電子部品を入れ上部にカバーテープを貼り付けて収納を完了した。 4) completing the top putting electronic components in the recess of the embossed carrier tape accommodating affixed cover tape using the preceding 3) of the embossed carrier tape. エンボスキャリアテープは透明であるため収納した部品が外部から容易に観察できた。 Embossed carrier tape housed is transparent parts could be easily observed from the outside. また電子部品を収納完了した状態で、振騰機で30分間振騰後、カバーテープを剥がしたが、収納した部品が静電破壊することはなかった。 Also in a state of complete housing electronic components, after shaking with shaking apparatus for 30 minutes, it was peeled off cover tape, housed the parts never electrostatic breakdown.

上述したように、本発明によれば、親水性ポリマーに適宜熱可塑性樹脂および界面活性剤を配合することにより、バックグラインドテープ、ダイシングテープ、エンボスキャリアテープ等の半導体(半)製品キャリアシートの形成に適した柔軟性(貯蔵弾性率)と制電性(体積抵抗率)を有する軟質制電性樹脂組成物が得られる。 As described above, according to the present invention, by blending the appropriate thermoplastic resin and a surfactant to a hydrophilic polymer, a back grinding tape, the dicing tape, forming a semiconductor (semi) product carrier sheet such as embossed carrier tape soft antistatic resin composition having flexibility (storage modulus) and antistatic (volume resistivity) suitable can be obtained. この軟質制電性樹脂組成物は、また軟質ひも状パッキング材、ターポリン膜、電気製品シールドバッグの形成にも好適に用いられる。 The soft antistatic resin composition also soft string-like packing material, tarpaulins film, is suitably used in the formation of electrical products shielding bag.

Claims (5)

  1. (a)親水性ポリマー20〜100重量%、及び(b)熱可塑性樹脂0〜80重量%からなり、10〜30℃における貯蔵弾性率が100〜1500MPa、体積抵抗率が10 〜10 12 Ωmである、可塑剤を含まない軟質制電性樹脂組成物。 (A) a hydrophilic polymer 20 to 100 wt%, and (b) consists of 0 to 80 wt% thermoplastic resin, the storage modulus at 10 to 30 ° C. is 100~1500MPa, volume resistivity of 10 4 to 10 12 [Omega] m in it, the soft antistatic resin composition containing no plasticizer.
  2. 親水性ポリマー(a)が、下記グラフト共重合体からなる請求項1に記載の組成物。 Hydrophilic polymer (a) The composition of claim 1 consisting of the following graft copolymers.
    (i)共役ジエン及びアクリル酸エステルから選ばれた1種以上の単量体50〜95重量%、 (I) a conjugated diene and one or more monomers selected from acrylic acid esters 50-95% by weight,
    (ii)4〜500個のアルキレンオキサイド基を有しエチレン系不飽和結合を有する1種以上の単量体5〜50重量%、及び (iii)共役ジエン及びアクリル酸エステルと共重合可能な1種以上のエチレン系不飽和単量体0〜40重量% (Ii) 4 to 500 amino least one monomer having an ethylenically unsaturated bond has an alkylene oxide group 5-50 wt%, and (iii) conjugated dienes and acrylic acid esters and copolymerizable 1 species more ethylenically unsaturated monomers 0-40 wt%
    からなるゴム状幹重合体5〜95重量部、に (iv)1種以上のエチレン系不飽和単量体5〜95重量部(ゴム状幹重合体との合計量が100重量部)、 Rubber trunk polymer 5 to 95 parts by weight of a, a (iv) 1 or more ethylenically unsaturated monomers 5-95 parts by weight (100 parts by weight the total amount of the rubber trunk polymer),
    をグラフト共重合したグラフト共重合体。 Graft polymerized graft copolymer.
  3. 熱可塑性樹脂(b)が、アクリル系樹脂である請求項1または2に記載の組成物。 The thermoplastic resin (b) A composition according to claim 1 or 2 is an acrylic resin.
  4. 熱可塑性樹脂(b)が、オレフィン系樹脂である請求項1または2に記載の組成物。 The thermoplastic resin (b) A composition according to claim 1 or 2 is an olefin-based resin.
  5. 請求項1〜4のいずれかに記載の軟質制電性樹脂組成物からなる半導体(半)製品キャリアシート。 Made of soft antistatic resin composition according to any one of claims 1 to 4 semiconductor (semi) product carrier sheet.
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