JP2003086389A - 放電灯装置 - Google Patents
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Abstract
供する。 【解決手段】 バッテリ10からの直流電圧を昇圧する
DC/DC変換回路120を備え、DC/DC変換回路
120によって昇圧された電圧に基づいてランプ30を
点灯させるようにした放電灯装置において、DC/DC
変換回路120は、バッテリ10側に配された一次巻線
121aとランプ30側に配された二次巻線121bと
を有するトランス121と、一次巻線121aに接続さ
れた半導体スイッチング素子122と、半導体スイッチ
ング素子122の導通、遮断により断続電流が流れる回
路配線部Lp1を備え、断続電流により生じる磁界を打
消し合う配線構造体127を有する。
Description
する放電灯装置に関し、特に車両における放電灯を用い
た前照灯装置に好適である。
放電灯装置がある。この種の放電灯装置100は、図7
に示すように、フィルタ回路110、DC/DC変換回
路120、インバータ回路130、および制御回路15
0を含んで構成されている。この放電灯装置100は、
点灯スイッチ20がオン状態のとき、直流電源としての
バッテリ10からの直流電圧をDC/DC変換回路12
0により昇圧し、インバータ回路130にてその昇圧電
圧を交流電圧に変換してランプ30を点灯させるように
構成されいる。
あるメタルハライドランプ等の放電灯であって、始動時
には、始動回路のトランス(図示せず)によって絶縁破
壊を生じさせる高電圧がランプ30の電極間に印加さ
れ、絶縁破壊後は、不安定なグロー放電からアーク放電
状態に転移することで安定点灯状態に移行する。
ンデンサ112とコンデンサ113とから構成され、雑
音防止用として設けられている。
0側に配された一次巻線121aとランプ30側に配さ
れた二次巻線121bとを有するトランス121と、一
次巻線121aに接続された半導体スイッチング素子と
してのMOSトランジスタ(電解効果型トランジスタ)
122と、二次巻線121bに接続された整流用ダイオ
ード123および平滑用コンデンサ124とから構成さ
れ、バッテリ電圧を昇圧した昇圧電圧を出力する。すな
わち、このDC/DC変換回路120において、MOS
トランジスタ122がオンすると、一次巻線121aに
一次電流が流れて一次巻線121aにエネルギーが蓄え
られ、MOSトランジスタ122がオフすると、一次巻
線121aのエネルギーが二次巻線121bに供給され
る。そして、このような動作を繰返すことにより、ダイ
オード123と平滑用コンデンサ124の接続点から高
電圧を出力する。なお、このトランス121は、一次巻
線121aと二次巻線121bとが電気的に導通するよ
うに構成されるトランスでもよい。
配置された半導体スイッチング素子をなすMOSトラン
ジスタ(図示せず)を有し、ランプ30を交流にて点灯
駆動するために設けられている。
回路から出力されるランプ電圧とランプ電流に相当する
信号(ランプ電力相当信号)に基づいて、点灯初期時に
ランプ電力を最大電力(例えば65W)に、安定点灯時
にランプ電力を定常電力(例えば35W)にするよう
に、MOSトランジスタ122をPWM制御する。
ンジスタ122をPWM信号によってオン、オフさせる
ゲート制御回路150aと、ランプ電圧を検出する検出
回路(図示せず)と、検出されたランプ電圧とランプ電
流に基づいてランプ電力を所望値に制御するランプパワ
ー制御回路(図示せず)とを備えている。
下、説明する。点灯スイッチ20がオンし、制御回路1
50がMOSトランジスタ122をPWM制御すると、
トランス121の作動によって、バッテリ電圧を昇圧し
た電圧がDC/DC変換回路120から出力される。こ
のDC/DC変換回路から出力された高電圧(点灯準備
中は300〜500V程度、点灯開始後は100V程
度)は、インバータ回路130を介して始動回路のトラ
ンスで絶縁破壊を生じさせるように、さらに高電圧(例
えば25kV)に昇圧され、ランプ30に印加される。
その結果、ランプ30が点灯開始する。この点灯開始
後、インバータ回路130の出力電圧の極性を交互に反
転させ、ランプ30を交流点灯させる。
DC変換回路120のMOSトランジスタ122のオ
ン、オフを繰返すことによってバッテリ10の電圧を昇
圧させるとともに、半導体スイッチング素子としてのM
OSトランジスタ122の遮断、導通によって生じる断
続電流に起因して放射ノイズが発生する。
断、導通によって流れる断続電流の配線ループとして
は、図7に示すように、トランス121の一次巻線12
1a側のコンデンサ113から電源正極線を介して、一
次巻線121a、MOSトランジスタ122のドレイン
−ソース間を経て接地線を通じてコンデンサ113へ戻
る第1の回路配線部Lp1と、トランス121の二次巻
線121b側の整流ダイオード123から、インバータ
回路130に接続する中点に設けた平滑コンデンサ12
4を経て接地線を通じて、二次巻線121b、整流ダイ
オード123に戻る第2の回路配線部Lp2、MOSト
ランジスタ122のゲート側のゲート制御回路150a
からゲートを経て接地線を通じてゲート制御回路150
aへ戻る第3の配線回路Lp3がある。なお、第1の回
路配線部Lp1、第2の回路配線部Lp2、第3の回路
配線部Lp3は、ゲート制御回路150aによるMOS
タランジスタ122の制御によりそれぞれ電流i1、電
流i2、電流i3が図7に示す矢印方向に断続的に流れ
る。
いる場合、信号待ち等にて前後の車両が渋滞状態にある
とき、放電灯装置が、例えば前方の車両の後部に配置さ
れたアンテナに近接することで、場合によっては、前方
車両つまり他車両へラジオ受信障害を与える可能性があ
る。
たものであり、したがってその目的は、断続電流の影響
を低減可能な放電灯装置を提供することにある。
と、直流電源からの直流電圧を昇圧するDC/DC変換
回路を備え、DC/DC変換回路によって昇圧された電
圧に基づいて放電灯を点灯させるようにした放電灯装置
において、DC/DC変換回路は、直流電源側に配され
た一次巻線と放電灯側に配された二次巻線とを有するト
ランスと、一次巻線に接続された半導体スイッチング素
子と、半導体スイッチング素子の導通、遮断により断続
電流が流れる回路配線部を備え、断続電流により生じる
磁界を打消し合う配線構造体を有する。
対して、この回路配線部に流れる断続電流により発生す
る断続磁界を打消し合うような逆磁界を形成する配線構
造体を構成するので、放射ノイズレベルを低減できる。
に、回路配線部に直列接続され、断続電流を迂回させる
配線を有し、迂回させる配線に流れる電流が、回路配線
部を流れる電流と逆向きになるように、回路配線部と前
記配線構造体を配置する。
る回路配線部に対して、この回路配線部を流れる断続電
流を相殺する逆向きの電流を流すことができる。
配線構造体とが囲う面積が同等である。
によって発生する磁束と、この回路配線部を流れる断続
電流によって生じる磁界を打消し合う電流を流す配線構
造体に発生する磁束とが相殺可能である。
配線構造体との位置が重なっている。
置が重なっていることで、断続電流が流れる回路配線部
に対して、この回路配線部を流れる断続電流を相殺する
逆向きの電流を近接させて配置できるので、放射ノイズ
レベルを減衰可能つまり断続電流によって生じる磁界源
からの放射ノイズの影響を確実に低減できる。
形により形成されている。
に対して、この回路配線部に流れる断続電流により発生
する断続磁界を打消し合ように、逆磁界を発生する配線
構造体を確実に配置することができる。
フレキシブル配線基板からなる。
るので、配線構造体の面積を確保するとともに、放電灯
装置の体格増加を抑制することができる。
電灯装置に適用し、具体化した実施形態を図面に従って
説明する。
係わる放電灯装置の回路構成を表わす構成図である。な
お、図1において、従来構成として比較例である図7に
示したものと同一符号を付した部分は、同一もしくは均
等なものを示している。
比較して、以下、構成の相違点、およびその構成による
動作について説明する。
成と相違するところは、DC/DC変換回路120にお
いて、MOSトランジスタ122の導通、遮断により断
続電流が流れる回路配線部(詳しくは、第1の回路配線
部Lp1)に対抗して、この断続電流i1により生じる
磁界を打消し合う配線構造体127(図2参照)を設け
るようにしたことである。なお、この配線構造体127
は、図1に示すように、第1の回路配線部Lp1に直列
接続され、第1の回路配線部Lp1に流れる断続電流i
1を迂回させる配線127aを有する。
等の詳細については、後述の本実施形態に係わる組付け
構造で説明する。
7aには、図1に示すように、直列接続に起因して第1
の回路配線部Lp1に流れる断続電流i1に等しい電流
値でかつ、この断続電流i1に対して一点鎖線の矢印方
向で示される逆向きの電流を流すことが可能である。
矢印方向に流れる断続電流i3に対抗して、第1の回路
配線部Lp1の断続電流i3の流れに沿って幾何学的に
逆向き(詳しくは一点鎖線矢印方向)の電流を同時に発
生させる配線構造体127を配置するので、第1の回路
配線部Lp1を流れる断続電流i3により発生する断続
磁界と、配線構造体127の配線127aに流れる断続
電流により発生する断続磁界は、強度が同一で位相が逆
転した磁界の関係となる。
る断続磁界は、互いに打消し合うことができるので、ゲ
ート制御回路150aにより制御されるMOSトランジ
スタ122のオン、オフ動作に起因して発生する断続電
流による放射ノイズの影響を低減または除去できる。
部(詳しくは第1の回路配線部Lp1)に対して、略同
一平面に形成されていてもよいし、回路配線部Lp1を
流れる断続電流i1が形成する平面とは別に、この平面
に近接する異なる平面に形成されていてよい。
C変換回路120の組付け構造、特に配線構造体127
の構造、および形状等について、図2に従って説明す
る。
の構成を表わす部分的構成図である。なお、図8は、従
来構成としての比較例である回路構成を示す図7に対応
するDC/DC変換回路の構成を表わす部分構成図であ
って、図8中の斜線部が、第1の回路配線部Lp1を示
す。
第1の回路配線部Lp1に直列接続される配線としての
ターミナル127aを、絶縁樹脂等によるインサート成
形により形成され、回路配線部Lp1に近接する異なる
平面上に配置されている。
27aが絶縁性を確保するとともに、配線127aの配
線形状を固定することができるので、配線形状に起因す
る断続磁界の強度の増減(不安定になること)を防止で
きる。配線127aが銅線のように柔軟な場合におい
て、組付け前の単品状態で、第1の回路配線部Lp1に
沿うような配線形状に曲げ加工したものが、組付け後、
他の半導体素子を実装する際に、その配線形状が変形し
てしまうことをインサート成形に起因して防止するから
である。
た配線構造体127は、第1の回路配線部Lp1に略沿
うように配置されることが望ましい。第1の回路配線部
Lp1を流れる断続電流i3により発生する断続磁界
と、配線構造体127の配線127aに流れる断続電流
により発生する断続磁界は、強度が同一で位相が逆転し
た磁界となり、断続磁界に起因する放射ノイズを除去で
きるからである。
体において、図2に示す電子回路ケースとしての金属ケ
ース170内に、DC/DC変換回路120等の各回路
が収容され、かつ制御回路150、MOSトランジスタ
122等の半導体装置として形成可能な部分をハイブリ
ットICとしてIC化し、金属ケース170内に収容さ
れた樹脂ケース171に成形されたターミナル171a
を介してトランス121等と半導体装置として形成可能
な部分を電気的に接続している場合においては、第1の
回路配線部Lp1と配線構造体127の配線127とを
直列接続する際、ターミナル171aを介して直列接続
する。
線構造体127の配線127との電気的接続が、交叉す
ることなく、異なる平面上に略平行配置させるととも
に、容易に直列接続できる(図2参照)。
態で説明した配線構造体127のように、第1の回路配
線部Lp1に略沿うように配置される構成に換えて、図
4に示すように、配線構造体127の配線127が囲う
面積と第1の回路配線部Lp1が囲う面積とが同等と
し、放電灯装置100を収容する筐体としての金属ケー
ス170内に配置される状態で構成されていてもよい。
る電流i1の径路に対して、配線構造体127の配線1
27aに流れる電流i1(幾何学的に逆向き)の径路が
沿うように重なり合っていれば、断続電流i1によって
生じる磁界ΦLPと磁界Φ127は確実に打消し合うこ
とができる。一方、図3に示すように、少なくとも第1
の回路配線部Lp1が囲う面積SLPと配線構造体12
7の配線127が囲う面積S127が略同じであれば、
磁界ΦLPと磁界Φ127の強度は同じであるので、磁
界ΦLP、Φ127の影響を観測する観測点(例えば車
両のアンテナ)Bに対して、第1の回路配線部Lp1と
配線構造体127との離間距離Ldが、それぞれの観測
点Bまでの離間距離L1、L2より十分小さければ、観
測点Bにおいて磁界ΦLPと磁界Φ127は打消す合う
ことができるからである。
する配線構造体127の配置の自由度が向上できる。
27aを、フレキシブル基板で形成すれば、面積S12
7を確保できるとともに、柔軟で薄膜なフレキシブル基
板に起因して放電灯装置、特にDC/DC変換回路の周
りの体格増加を抑制することができる。
1の実施形態では第1の回路配線部Lp1に流れる断続
電流に生じる磁界を打消し合うものとして説明したが、
本実施形態としては、図5に示すように、第2の回路配
線部Lp2に流れる断続電流に生じる磁界を打消し合う
ものとして構成してもい。あるは、配線構造体127
を、図6に示すように、第3の回路配線部Lp3に流れ
る断続電流に生じる磁界を打消し合うものとして構成し
てもい。
れる断続電流に生じる磁界または第3の回路配線部Lp
3に流れる断続電流に生じる磁界による放射ノイズを低
減または除去できる。
路122におけるMOSトランジスタ122の導通、遮
断により断続電流が流れる回路配線部Lp1、Lp2、
Lp3に対抗して、その断続電流により生じる磁界を打
消し合う配線構造体127にて説明したが、DC/DC
変換回路に限らず、MOSトランジスタ等の半導体スイ
ッチング素子を用いるいわゆるスイッチング電源装置で
あれば、本実施形態の配線構造体127を適用できる。
回路構成を表す構成図である。
す部分的構成図である。
じる磁界を説明する模式図である。
分的構成図である。
表す構成図である。
表す構成図である。
図である。
す部分的構成図である。
子) 123 整流ダイオード 124 平滑用コンデンサ 127 配線構造体 127a 配線(ターミナル) 130 インバータ回路 150 制御回路 150a ゲート制御回路 Lp1、Lp2、Lp3 MOSトランジスタ122の
導通、遮断により断続電流が流れる回路配線部 i1、i2、i3 断続電流 ΦLP、Φ127 回路配線部を流れる断続電流により
生じる断続磁界、配線構造体を流れる断続電流により生
じる断続磁界 SLP、S127 回路配線部の電流の流れが囲う面
積、配線構造体の電流の流が囲う面積
Claims (6)
- 【請求項1】 直流電源からの直流電圧を昇圧するDC
/DC変換回路を備え、該DC/DC変換回路によって
昇圧された電圧に基づいて放電灯を点灯させるようにし
た放電灯装置において、 前記DC/DC変換回路は、前記直流電源側に配された
一次巻線と前記放電灯側に配された二次巻線とを有する
トランスと、前記一次巻線に接続された半導体スイッチ
ング素子と、該半導体スイッチング素子の導通、遮断に
より断続電流が流れる回路配線部を備え、該断続電流に
より生じる磁界を打消し合う配線構造体を有することを
特徴とする放電灯装置。 - 【請求項2】 前記配線構造体は、前記回路配線部に直
列接続され、前記断続電流を迂回させる配線を有し、 前記迂回させる配線に流れる電流が、前記回路配線部を
流れる電流と逆向きになるように、前記回路配線部と前
記配線構造体を配置することを特徴とする請求項1に記
載の放電灯装置。 - 【請求項3】 前記回路配線部と前記配線構造体とが囲
う面積が同等であることを特徴とする請求項1または請
求項2に記載の放電灯装置。 - 【請求項4】 前記回路配線部と前記配線構造体との位
置が重なっていることを特徴とする請求項1から請求項
3のいずれか一項に記載の放電灯装置。 - 【請求項5】 前記配線構造体はインサート成形により
形成されていることを特徴とする請求項1から請求項4
のいずれか一項に記載の放電灯装置。 - 【請求項6】 前記配線構造体はフレキシブル配線基板
からなることを特徴とする請求項1から請求項5のいず
れか一項に記載の放電灯装置。
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