JP2003084252A - 導波路型光部品及びその製造方法 - Google Patents
導波路型光部品及びその製造方法Info
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- JP2003084252A JP2003084252A JP2001279399A JP2001279399A JP2003084252A JP 2003084252 A JP2003084252 A JP 2003084252A JP 2001279399 A JP2001279399 A JP 2001279399A JP 2001279399 A JP2001279399 A JP 2001279399A JP 2003084252 A JP2003084252 A JP 2003084252A
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- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来のものに比べて大幅な低消費電力化を図
ることができる新規な導波路型光部品及びその製造方法
の提供。 【解決手段】 基板１上に、コア２及びそのコア２を覆
うクラッド３からなる光導波路ｓを備えると共に、その
光導波路ｓの表面に薄膜ヒータ４を備えた導波路型光部
品において、上記光導波路の表面に断熱用の溝５を備え
ると共に、上記薄膜ヒータ４を備えた光導波路コア２の
下側に多数の空隙孔６を備えたものである。これによっ
て薄膜ヒータ４で発生した熱が周囲に逃げ難くなるた
め、薄膜ヒータ４を発熱させるための消費電力量を大幅
に削減できる。
ることができる新規な導波路型光部品及びその製造方法
の提供。 【解決手段】 基板１上に、コア２及びそのコア２を覆
うクラッド３からなる光導波路ｓを備えると共に、その
光導波路ｓの表面に薄膜ヒータ４を備えた導波路型光部
品において、上記光導波路の表面に断熱用の溝５を備え
ると共に、上記薄膜ヒータ４を備えた光導波路コア２の
下側に多数の空隙孔６を備えたものである。これによっ
て薄膜ヒータ４で発生した熱が周囲に逃げ難くなるた
め、薄膜ヒータ４を発熱させるための消費電力量を大幅
に削減できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光通信分野で広く
用いられる薄膜ヒータ付き光導波路型光部品及びその製
造方法に関するものである。
用いられる薄膜ヒータ付き光導波路型光部品及びその製
造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】最近、石英系ガラス導波路により構成さ
れる光干渉計を用いて光減衰器、光分波器、光スイッチ
等の機能部品が開発されている。通常、ガラス導波路型
光干渉計に用いられる位相シフタには、熱光学効果を利
用するための薄膜ヒータが用いられている。
れる光干渉計を用いて光減衰器、光分波器、光スイッチ
等の機能部品が開発されている。通常、ガラス導波路型
光干渉計に用いられる位相シフタには、熱光学効果を利
用するための薄膜ヒータが用いられている。
【０００３】図４及び図５は、従来の光減衰器の構造を
示したものである。図示するようにこの光減衰器は、石
英ガラス基板１上に光導波路ｓを備え、この光導波路ｓ
はＹ字状に分岐して再び合流する光導波路コア２を備え
ると共に、分岐した一方の光導波路コア２ａの表面にク
ラッドガラス膜３を介してＴａ2Ｎ薄膜ヒータ４を備え
た構造となっている。
示したものである。図示するようにこの光減衰器は、石
英ガラス基板１上に光導波路ｓを備え、この光導波路ｓ
はＹ字状に分岐して再び合流する光導波路コア２を備え
ると共に、分岐した一方の光導波路コア２ａの表面にク
ラッドガラス膜３を介してＴａ2Ｎ薄膜ヒータ４を備え
た構造となっている。
【０００４】そして、入力導波路コア２ｃから信号光を
入射すると、この入射光はＹ分岐導波路コア２ｄで二つ
に分かれ、アーム導波路コア２ａ，２ｂに等分配された
後、再びＹ合流導波路コア２ｅで合流し、出力導波路コ
ア２ｆを通して入力信号光パワーがそのまま出射するこ
とになるが、この時、薄膜ヒータ４に電力を供給して加
熱すると熱光学効果によってその薄膜ヒータ４が設けら
れたアーム導波路コア２ａのコアガラスの屈折率が変化
して熱光学効果により伝搬光の位相が変化し、Ｙ分岐導
波路コアで結合する光信号の強度が変化することから、
この薄膜ヒータ４に供給する電力を変えることによって
この光信号の強度を任意にコントロールすることができ
るようになっている。
入射すると、この入射光はＹ分岐導波路コア２ｄで二つ
に分かれ、アーム導波路コア２ａ，２ｂに等分配された
後、再びＹ合流導波路コア２ｅで合流し、出力導波路コ
ア２ｆを通して入力信号光パワーがそのまま出射するこ
とになるが、この時、薄膜ヒータ４に電力を供給して加
熱すると熱光学効果によってその薄膜ヒータ４が設けら
れたアーム導波路コア２ａのコアガラスの屈折率が変化
して熱光学効果により伝搬光の位相が変化し、Ｙ分岐導
波路コアで結合する光信号の強度が変化することから、
この薄膜ヒータ４に供給する電力を変えることによって
この光信号の強度を任意にコントロールすることができ
るようになっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、このような
従来の光減衰器においては、石英ガラス基板１を通して
薄膜ヒータ４の熱が逃げ易く、所望の屈折率変化を維持
するために必要な電力が大きくなってしまうといった問
題があった。
従来の光減衰器においては、石英ガラス基板１を通して
薄膜ヒータ４の熱が逃げ易く、所望の屈折率変化を維持
するために必要な電力が大きくなってしまうといった問
題があった。
【０００６】そのため、この対策として図６に示すよう
に２本のアーム導波路コア２ａ，２ｂの両側にこれを挟
むようにその長手方向に延びる溝５をそれぞれ形成する
ことで薄膜ヒータ４からの熱を断熱するようにしている
が、そのアーム導波路コア２ａの下側はそのまま石英ガ
ラス基板１と連続しているため、その溝５で断たれた熱
がそのまま基板１側へ逃げてしまい、大幅な低消費電力
化を図ることは困難であった。
に２本のアーム導波路コア２ａ，２ｂの両側にこれを挟
むようにその長手方向に延びる溝５をそれぞれ形成する
ことで薄膜ヒータ４からの熱を断熱するようにしている
が、そのアーム導波路コア２ａの下側はそのまま石英ガ
ラス基板１と連続しているため、その溝５で断たれた熱
がそのまま基板１側へ逃げてしまい、大幅な低消費電力
化を図ることは困難であった。
【０００７】そこで、本発明はこのような課題を有効に
解決するために案出されたものであり、その目的は、従
来のものに比べて大幅な低消費電力化を図ることができ
る新規な導波路型光部品及びその製造方法を提供するも
のである。
解決するために案出されたものであり、その目的は、従
来のものに比べて大幅な低消費電力化を図ることができ
る新規な導波路型光部品及びその製造方法を提供するも
のである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明は、請求項１に示すように、基板上に、コア及
びそのコアを覆うクラッドからなる光導波路を備えると
共に、その光導波路の表面に薄膜ヒータを備えた導波路
型光部品において、上記光導波路の表面に断熱用の溝を
備えると共に、上記薄膜ヒータを備えた光導波路コアの
下側に多数の空隙孔を備えたものである。
に本発明は、請求項１に示すように、基板上に、コア及
びそのコアを覆うクラッドからなる光導波路を備えると
共に、その光導波路の表面に薄膜ヒータを備えた導波路
型光部品において、上記光導波路の表面に断熱用の溝を
備えると共に、上記薄膜ヒータを備えた光導波路コアの
下側に多数の空隙孔を備えたものである。
【０００９】これによって、導波路コアの側面方向のみ
ならず基板側も伝熱が制限されるため、薄膜ヒータから
の熱が逃げ難くなり、効率的に導波路コアを加熱できる
ので薄膜ヒータの発熱に要する消費電力を大幅に削減す
ることができる。
ならず基板側も伝熱が制限されるため、薄膜ヒータから
の熱が逃げ難くなり、効率的に導波路コアを加熱できる
ので薄膜ヒータの発熱に要する消費電力を大幅に削減す
ることができる。
【００１０】より具体的には請求項２に示すように、石
英ガラス基板上に、Ｙ字状に分岐して再び合流する光導
波路コアを備えると共に、分岐した少なくとも一方の光
導波路コアの表面に薄膜ヒータを備えた導波路型光部品
において、上記分岐した導波路コアの両側に断熱のため
の溝を形成すると共に、上記薄膜ヒータを備えた光導波
路コアの下側に多数の空隙孔を形成したものである。
英ガラス基板上に、Ｙ字状に分岐して再び合流する光導
波路コアを備えると共に、分岐した少なくとも一方の光
導波路コアの表面に薄膜ヒータを備えた導波路型光部品
において、上記分岐した導波路コアの両側に断熱のため
の溝を形成すると共に、上記薄膜ヒータを備えた光導波
路コアの下側に多数の空隙孔を形成したものである。
【００１１】そして、このような多数の空隙孔は、請求
項３に示すように、上記石英ガラス基板上にフォトリソ
グラフィと反応性イオンエッチングにより多数のトレン
チ溝を形成した後、その上にＣＶＤ法あるいはＲＦスパ
ッタリング法のいずれかの手法によりガラス膜を形成す
ることにより容易に作製することができる。
項３に示すように、上記石英ガラス基板上にフォトリソ
グラフィと反応性イオンエッチングにより多数のトレン
チ溝を形成した後、その上にＣＶＤ法あるいはＲＦスパ
ッタリング法のいずれかの手法によりガラス膜を形成す
ることにより容易に作製することができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】次に、本発明を実施する好適一形
態を添付図面を参照しながら説明する。
態を添付図面を参照しながら説明する。
【００１３】図１は本発明に係る導波路型光部品の実施
の一形態を示す平面図、図２はそのＡ−Ａ線断面図、図
３は同じく図１中Ｂ−Ｂ線断面図である。
の一形態を示す平面図、図２はそのＡ−Ａ線断面図、図
３は同じく図１中Ｂ−Ｂ線断面図である。
【００１４】図示するようにこの導波路型光部品は、従
来と同様に矩形状の石英ガラス基板１上に、光導波路ｓ
を備えたものであり、この導波路ｓは、Ｙ字状に分岐し
て再び合流する光導波路コア２を備えると共に、分岐し
た光導波路コア２ａ，２ｂのうち一方の光導波路コア２
ａの表面にガラスクラッド膜３を介して薄膜ヒータ４を
備えた構造となっている。
来と同様に矩形状の石英ガラス基板１上に、光導波路ｓ
を備えたものであり、この導波路ｓは、Ｙ字状に分岐し
て再び合流する光導波路コア２を備えると共に、分岐し
た光導波路コア２ａ，２ｂのうち一方の光導波路コア２
ａの表面にガラスクラッド膜３を介して薄膜ヒータ４を
備えた構造となっている。
【００１５】また、この分岐した光導波路コア（アーム
導波路コア）２ａ，２ｂの両側には、その長手方向に沿
って延びる断熱溝５，５，５がそれぞれ独立して形成さ
れており、光導波路コア２ａ，２ｂから側面方向への伝
熱を遮断するようになっている。
導波路コア）２ａ，２ｂの両側には、その長手方向に沿
って延びる断熱溝５，５，５がそれぞれ独立して形成さ
れており、光導波路コア２ａ，２ｂから側面方向への伝
熱を遮断するようになっている。
【００１６】そして、本発明の導波路型光部品にあって
は、この薄膜ヒータ４が備えられた光導波路コア２ａの
下側に、その長手方向に沿って多数の空隙孔６，６…を
形成したものであり、これによって基板１側への伝熱を
効果的に遮断でき、薄膜ヒータ４の発熱に要する消費電
力を大幅に削減することが可能となる。
は、この薄膜ヒータ４が備えられた光導波路コア２ａの
下側に、その長手方向に沿って多数の空隙孔６，６…を
形成したものであり、これによって基板１側への伝熱を
効果的に遮断でき、薄膜ヒータ４の発熱に要する消費電
力を大幅に削減することが可能となる。
【００１７】すなわち、前述したように光信号の強度を
コントロールすべく薄膜ヒータ４に電力を供給してこれ
を発熱させると、その熱がその薄膜ヒータ４直下のガラ
スクラッド膜３を介して光導波路コア２ａ側に伝わり、
さらにその熱の一部は、その光導波路コア２ａ及びその
周囲のガラスクラッド膜３を介して基板１側に逃げよう
とするが、光導波路コア２ａの下側には多数の空隙孔６
が形成されているため、この空隙孔６によってその熱の
移動が効果的に制限される。これによって、その光導波
路コア２ａ及びその周囲のガラスクラッド膜３の蓄熱効
果が高まることから、新たに供給する電力量が減り、結
果的に電力消費量を大幅に削減することができる。
コントロールすべく薄膜ヒータ４に電力を供給してこれ
を発熱させると、その熱がその薄膜ヒータ４直下のガラ
スクラッド膜３を介して光導波路コア２ａ側に伝わり、
さらにその熱の一部は、その光導波路コア２ａ及びその
周囲のガラスクラッド膜３を介して基板１側に逃げよう
とするが、光導波路コア２ａの下側には多数の空隙孔６
が形成されているため、この空隙孔６によってその熱の
移動が効果的に制限される。これによって、その光導波
路コア２ａ及びその周囲のガラスクラッド膜３の蓄熱効
果が高まることから、新たに供給する電力量が減り、結
果的に電力消費量を大幅に削減することができる。
【００１８】次に、本発明の特徴である多数の空隙孔６
の形成方法、すなわち、このような多数の空隙孔６を備
えた本発明の導波路型光部品の製造方法を説明する。
の形成方法、すなわち、このような多数の空隙孔６を備
えた本発明の導波路型光部品の製造方法を説明する。
【００１９】先ず、石英ガラス基板１の表面に、フォト
リソグラフィと反応性イオンエッチングを利用して空隙
孔６の元となるトレンチ溝を多数形成した後、その上に
ガラスクラッド膜３の一部を構成する下側ガラスクラッ
ド層３ａを形成（成膜）してそのトレンチ溝を塞ぐ。
尚、ここでこのトレンチ溝の幅と深さの比は、下側ガラ
スクラッド膜３ａを形成する際に意図的に空隙を生ずる
（埋め込みできない）値を選択する必要があり、一般に
トレンチ溝長さに対する深さの比が大きくなると一般的
なＣＶＤ法やＲＦスパッタリング法など真空中での成膜
手法では埋め込みが困難になることが知られている。特
にこれらの手法ではガス圧が高いほどこの傾向は顕著で
ある。従って適切な圧力条件で成膜することによって再
現性良く同じ大きさの空洞を作製することができる。次
に、このようにして形成された下側ガラスクラッド膜３
ａの表面に対してＣＭＰ（ｃｈｅｍｉｃａｌ ｍｅｃｈ
ａｎｉｃａｌ ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）を施してその表面
の凹凸を除去してからアニールを施して屈折率の安定化
を図った後、平坦化された下側ガラスクラッド膜３ａの
表面上にスパッタリング法によってそれよりも屈折率の
高いコア用ガラス膜を形成する。その後、従来と同様
に、このコア用ガラス膜に対してフォトリゾグラフィ技
術と反応性イオンエッチング等を用いてＹ字状に分岐・
合流する断面矩形状の光導波路コア２を形成してからア
ニールを施してその屈折率の安定化を図った後、このコ
ア２上にプラズマＣＶＤ法等により上側クラッドガラス
膜３ｂを形成してから同じくアニールを施してその屈折
率の安定化を図る。そして、最後にＹ字状に分岐した一
方の光導波路コア上に、ＲＦスパッタリング法等によっ
てＴａ2Ｎ膜を堆積させてから、フォトリソグラフィ技
術を用いてパターニングしたレジストをマスク材として
反応性イオンエッチングによりヒータ形状パターンにエ
ッチングして薄膜ヒータ４を形成することで、本発明の
導波路型光部品を容易に製造することができる。
リソグラフィと反応性イオンエッチングを利用して空隙
孔６の元となるトレンチ溝を多数形成した後、その上に
ガラスクラッド膜３の一部を構成する下側ガラスクラッ
ド層３ａを形成（成膜）してそのトレンチ溝を塞ぐ。
尚、ここでこのトレンチ溝の幅と深さの比は、下側ガラ
スクラッド膜３ａを形成する際に意図的に空隙を生ずる
（埋め込みできない）値を選択する必要があり、一般に
トレンチ溝長さに対する深さの比が大きくなると一般的
なＣＶＤ法やＲＦスパッタリング法など真空中での成膜
手法では埋め込みが困難になることが知られている。特
にこれらの手法ではガス圧が高いほどこの傾向は顕著で
ある。従って適切な圧力条件で成膜することによって再
現性良く同じ大きさの空洞を作製することができる。次
に、このようにして形成された下側ガラスクラッド膜３
ａの表面に対してＣＭＰ（ｃｈｅｍｉｃａｌ ｍｅｃｈ
ａｎｉｃａｌ ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）を施してその表面
の凹凸を除去してからアニールを施して屈折率の安定化
を図った後、平坦化された下側ガラスクラッド膜３ａの
表面上にスパッタリング法によってそれよりも屈折率の
高いコア用ガラス膜を形成する。その後、従来と同様
に、このコア用ガラス膜に対してフォトリゾグラフィ技
術と反応性イオンエッチング等を用いてＹ字状に分岐・
合流する断面矩形状の光導波路コア２を形成してからア
ニールを施してその屈折率の安定化を図った後、このコ
ア２上にプラズマＣＶＤ法等により上側クラッドガラス
膜３ｂを形成してから同じくアニールを施してその屈折
率の安定化を図る。そして、最後にＹ字状に分岐した一
方の光導波路コア上に、ＲＦスパッタリング法等によっ
てＴａ2Ｎ膜を堆積させてから、フォトリソグラフィ技
術を用いてパターニングしたレジストをマスク材として
反応性イオンエッチングによりヒータ形状パターンにエ
ッチングして薄膜ヒータ４を形成することで、本発明の
導波路型光部品を容易に製造することができる。
【００２０】
【実施例】以下、本発明の具体的実施例を説明する。
【００２１】先ず、石英ガラス基板１の表面にフォトリ
ソグラフィと反応性イオンエッチングを利用して長さ
（導波路長手方向）１０μｍ，幅５０μｍ，深さ１５μ
ｍのトレンチ溝を２０μｍピッチで石英ガラス基板１の
長手方向に多数形成した。次に、このトレンチ溝上に形
成する下側ガラス（Ｓｉ2Ｏ）クラッド膜３ａの形成方
法としてＳｉＨ4ガスとＯ2ガスを用いたプラズマＣＶＤ
法を選択し、ガス圧を０．４Ｐａに設定して膜厚１５μ
ｍの成膜を行った。尚、成膜後にこのトレンチ溝部分の
断面を観察した結果、トレンチ溝の上部開口部は完全に
封じられ、かつその中には空洞ができていることがはっ
きりと確認できた。次に、成膜後の表面の凹凸を除去す
るためＣＭＰを行うと共にその屈折率の安定化を図るた
め、酸素ガス中１１００℃の温度で３時間アニールを実
施した。次いで、平坦化された下側ガラスクラッド膜３
ａ上にＳｉＯ2−ＧｅＯ2焼結体ターゲットを用いたＲＦ
スパッタリング法により、この下側クラッドガラス膜３
ａよりも高い屈折率を有するＳｉＯ2−ＧｅＯ2組成のコ
ア用ガラス膜を形成した。光導波路コア２はフォトリソ
グラフィ技術とＣＨＦ3ガスを用いた反応性イオンエッ
チングを用いて断面が矩形となるように加工し、再度コ
アの屈折率を安定化させるためにアニールを酸素ガス中
１１００℃の温度で３時間実施した。その後、このコア
２上にＴＥＯＳ材料とＯ２ガスを用いたプラズマＣＶＤ
法により上側クラッドガラス膜３ｂを形成すると共に、
酸素ガス中１１００℃の温度で３時間アニールを実施し
た。
ソグラフィと反応性イオンエッチングを利用して長さ
（導波路長手方向）１０μｍ，幅５０μｍ，深さ１５μ
ｍのトレンチ溝を２０μｍピッチで石英ガラス基板１の
長手方向に多数形成した。次に、このトレンチ溝上に形
成する下側ガラス（Ｓｉ2Ｏ）クラッド膜３ａの形成方
法としてＳｉＨ4ガスとＯ2ガスを用いたプラズマＣＶＤ
法を選択し、ガス圧を０．４Ｐａに設定して膜厚１５μ
ｍの成膜を行った。尚、成膜後にこのトレンチ溝部分の
断面を観察した結果、トレンチ溝の上部開口部は完全に
封じられ、かつその中には空洞ができていることがはっ
きりと確認できた。次に、成膜後の表面の凹凸を除去す
るためＣＭＰを行うと共にその屈折率の安定化を図るた
め、酸素ガス中１１００℃の温度で３時間アニールを実
施した。次いで、平坦化された下側ガラスクラッド膜３
ａ上にＳｉＯ2−ＧｅＯ2焼結体ターゲットを用いたＲＦ
スパッタリング法により、この下側クラッドガラス膜３
ａよりも高い屈折率を有するＳｉＯ2−ＧｅＯ2組成のコ
ア用ガラス膜を形成した。光導波路コア２はフォトリソ
グラフィ技術とＣＨＦ3ガスを用いた反応性イオンエッ
チングを用いて断面が矩形となるように加工し、再度コ
アの屈折率を安定化させるためにアニールを酸素ガス中
１１００℃の温度で３時間実施した。その後、このコア
２上にＴＥＯＳ材料とＯ２ガスを用いたプラズマＣＶＤ
法により上側クラッドガラス膜３ｂを形成すると共に、
酸素ガス中１１００℃の温度で３時間アニールを実施し
た。
【００２２】薄膜ヒータ４は、Ｔａをターゲットとし、
Ｎ2とＡｒの混合ガスプラズマを用いてＲＦスパッタリ
ング法により、Ｔａ2Ｎ膜を０．２μｍ堆積した。その
後、ヒータ形状パターンはフォトリソグラフィ技術を用
いてパターニングしたレジストをマスク材としてＳＦ6
ガスを用いた反応性イオンエッチングにより形成した。
Ｎ2とＡｒの混合ガスプラズマを用いてＲＦスパッタリ
ング法により、Ｔａ2Ｎ膜を０．２μｍ堆積した。その
後、ヒータ形状パターンはフォトリソグラフィ技術を用
いてパターニングしたレジストをマスク材としてＳＦ6
ガスを用いた反応性イオンエッチングにより形成した。
【００２３】そして、このようにして形成された本発明
の導波路型光部品（光減衰器）の光信号が１０ｄＢとな
るヒータ電力を、従来の導波路型光部品のそれと比較し
て調べた。
の導波路型光部品（光減衰器）の光信号が１０ｄＢとな
るヒータ電力を、従来の導波路型光部品のそれと比較し
て調べた。
【００２４】この結果、以下の表１に示すように、光導
波路コアの下側に空洞を備えた本発明の導波路型光部品
のヒータ電力量は１０５ｍＷであり、従来の導波路型光
部品の消費電力（２００ｍＷ，１８０ｍＷ）に比べて約
半分の消費電力で光信号を同じ値に減衰することができ
た。
波路コアの下側に空洞を備えた本発明の導波路型光部品
のヒータ電力量は１０５ｍＷであり、従来の導波路型光
部品の消費電力（２００ｍＷ，１８０ｍＷ）に比べて約
半分の消費電力で光信号を同じ値に減衰することができ
た。
【００２５】
【表１】
【００２６】
【発明の効果】以上要するに本発明によれば、薄膜ヒー
タで発生した熱が基板側に逃げるのを確実に防止するこ
とができる。この結果、薄膜ヒータで発生した熱が有効
利用されるため、低消費電力で所望の屈折率を生じさせ
ることが可能となり、低消費電力で動作する高品位な光
減衰器等を提供することができる。
タで発生した熱が基板側に逃げるのを確実に防止するこ
とができる。この結果、薄膜ヒータで発生した熱が有効
利用されるため、低消費電力で所望の屈折率を生じさせ
ることが可能となり、低消費電力で動作する高品位な光
減衰器等を提供することができる。
【図１】本発明に係る導波路型光部品の実施の一形態を
示す平面図である。
示す平面図である。
【図２】図１中Ａ−Ａ線断面図である。
【図３】図１中Ｂ−Ｂ線断面図である。
【図４】従来の導波路型光部品の一例を示す平面図であ
る。
る。
【図５】図４中Ａ−Ａ線断面図である。
【図６】従来の導波路型光部品の他の例を示す断面図で
ある。
ある。
１ 石英ガラス基板
２ 光導波路コア
３ ガラスクラッド膜
3a 下側ガラスクラッド膜
3b 上側ガラスクラッド膜
４ 薄膜ヒータ
５ 断熱用の溝
６ 空隙孔
ｓ 光導波路
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 田中 康太郎
茨城県日立市日高町５丁目１番１号 日立
電線株式会社オプトロシステム研究所内
Ｆターム(参考） 2H047 KA04 KA12 LA12 NA01 PA04
PA05 PA24 QA04 RA08 TA11
2H079 AA06 BA01 BA03 DA14 EA05
EB27 JA02 JA07
Claims (3)
- 【請求項１】 基板上に、コア及びそのコアを覆うクラ
ッドからなる光導波路を備えると共に、その光導波路の
表面に薄膜ヒータを備えた導波路型光部品において、上
記光導波路の表面に断熱用の溝を備えると共に、上記薄
膜ヒータを備えた光導波路コアの下側に多数の空隙孔を
備えたことを特徴とする導波路型光部品。 - 【請求項２】 基板上に、Ｙ字状に分岐して再び合流す
る光導波路コアを備えると共に、分岐した少なくとも一
方の光導波路コアの表面に薄膜ヒータを備えた導波路型
光部品において、上記分岐した導波路コアの両側に断熱
用の溝を形成すると共に、上記薄膜ヒータを備えた光導
波路コアの下側に多数の空隙孔を形成したことを特徴と
する導波路型光部品。 - 【請求項３】 請求項１又は２に記載の導波路型光部品
の製造方法において、上記光導波路コアの下側に形成さ
れる多数の空隙孔は、上記基板上にフォトリソグラフィ
と反応性イオンエッチングにより多数のトレンチ溝を形
成した後、その上にＣＶＤ法あるいはＲＦスパッタリン
グ法のいずれかの手法によりガラス膜を形成して塞ぐこ
とにより形成するようにしたことを特徴とする導波路型
光部品の製造方法。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|---|
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-
2001
- 2001-09-14 JP JP2001279399A patent/JP2003084252A/ja active Pending
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