JP2003004958A - 光導波路及び導波路型光合分波器並びにその製造方法 - Google Patents
光導波路及び導波路型光合分波器並びにその製造方法Info
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- JP2003004958A JP2003004958A JP2001184382A JP2001184382A JP2003004958A JP 2003004958 A JP2003004958 A JP 2003004958A JP 2001184382 A JP2001184382 A JP 2001184382A JP 2001184382 A JP2001184382 A JP 2001184382A JP 2003004958 A JP2003004958 A JP 2003004958A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 アレイ導波路とスラブ導波路との接続部分か
らの放射損失を低減することができる導波路型光合分波
器及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 入力導波路１１と、入射した各波長の光
を拡大、集光するスラブ導波路１２Ａ、１２Ｂと、光の
位相を調整するアレイ導波路１３とを備えて構成される
導波路型光合分波器において、スラブ導波路１２Ａ、１
２Ｂとアレイ導波路１２Ｂとの接続部分１４におけるア
レイ導波路１３を区画する分断堤１５の端部１５Ａを先
細り状に、かつ先端に向けて高さが低くなるように形成
した。
らの放射損失を低減することができる導波路型光合分波
器及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 入力導波路１１と、入射した各波長の光
を拡大、集光するスラブ導波路１２Ａ、１２Ｂと、光の
位相を調整するアレイ導波路１３とを備えて構成される
導波路型光合分波器において、スラブ導波路１２Ａ、１
２Ｂとアレイ導波路１２Ｂとの接続部分１４におけるア
レイ導波路１３を区画する分断堤１５の端部１５Ａを先
細り状に、かつ先端に向けて高さが低くなるように形成
した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光通信分野で広く
用いられる光導波路及び導波路型光合分波器並びにその
製造方法に関する。
用いられる光導波路及び導波路型光合分波器並びにその
製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図４は、従来の光導波路の形成方法を示
す。図４ａに示すように、平面な石英基板３１上に電子
ビーム蒸着法、ＲＦスパッタリング法、プラズマＣＶＤ
法のいずれかの方法により厚さ６μｍのコア膜３２を形
成する。ついで、図４ｂに示すように、コア膜３２上に
光回路のマスクとなる金属膜３３をスパッタリング法に
より形成し、図４ｃに示すように、フォトリソグラフィ
技術によってレジストパターン３４を形成する。更に、
図４ｄに示すように、反応性イオンエッチングによって
金属膜をエッチングし、金属マスク３５を形成する。つ
ぎに、金属マスク３５をマスクとして矩形状コア３６を
形成し、金属マスク３５を除去後、矩形状コア３６を覆
うように、火炎堆積法、プラズマＣＶＤ法、ＲＦスパッ
タリング法のいずれかの方法によりクラッド膜３７を形
成する。
す。図４ａに示すように、平面な石英基板３１上に電子
ビーム蒸着法、ＲＦスパッタリング法、プラズマＣＶＤ
法のいずれかの方法により厚さ６μｍのコア膜３２を形
成する。ついで、図４ｂに示すように、コア膜３２上に
光回路のマスクとなる金属膜３３をスパッタリング法に
より形成し、図４ｃに示すように、フォトリソグラフィ
技術によってレジストパターン３４を形成する。更に、
図４ｄに示すように、反応性イオンエッチングによって
金属膜をエッチングし、金属マスク３５を形成する。つ
ぎに、金属マスク３５をマスクとして矩形状コア３６を
形成し、金属マスク３５を除去後、矩形状コア３６を覆
うように、火炎堆積法、プラズマＣＶＤ法、ＲＦスパッ
タリング法のいずれかの方法によりクラッド膜３７を形
成する。
【０００３】図５は、図４に示す形成方法に従い製造さ
れた、導波路型光合分波器の光回路を示す。この回路
は、入力導波路２１、入射した各波長の光を拡大、集光
するスラブ導波路２２Ａ、２２Ｂ、光の位相を調整する
アレイ導波路２３から構成される。上記入力導波路から
入射した各波長の光は、スラブ導波路２２Ａによって拡
大され、アレイ導波路に入射する。
れた、導波路型光合分波器の光回路を示す。この回路
は、入力導波路２１、入射した各波長の光を拡大、集光
するスラブ導波路２２Ａ、２２Ｂ、光の位相を調整する
アレイ導波路２３から構成される。上記入力導波路から
入射した各波長の光は、スラブ導波路２２Ａによって拡
大され、アレイ導波路に入射する。
【０００４】このアレイ導波路で位相が調整され、また
スラブ導波路２２Ｂによって波長ごとに出力される。
スラブ導波路２２Ｂによって波長ごとに出力される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記の導波路型光合分
波器において、光回路の損失は、入出力端部での光ファ
イバとの結合損失、導波路自体の伝搬損失、スラブ導波
路とアレイ導波路の接続部分における放射損失の和で見
積られる。
波器において、光回路の損失は、入出力端部での光ファ
イバとの結合損失、導波路自体の伝搬損失、スラブ導波
路とアレイ導波路の接続部分における放射損失の和で見
積られる。
【０００６】しかし、この損失の大半を占めるのは、ス
ラブ導波路とアレイ導波路との接続部分における放射損
失であり、この放射損失の低減は、光回路の損失を低減
する上で、きわめて重要な対策事項である。
ラブ導波路とアレイ導波路との接続部分における放射損
失であり、この放射損失の低減は、光回路の損失を低減
する上で、きわめて重要な対策事項である。
【０００７】入力導波路２１に入力された光は、スラブ
導波路２２Ａの部分で広がり、平面波となって伝搬し、
アレイ導波路２３の内部に入射すると、コアに光が集光
されていき、各ポートごとに伝搬する。
導波路２２Ａの部分で広がり、平面波となって伝搬し、
アレイ導波路２３の内部に入射すると、コアに光が集光
されていき、各ポートごとに伝搬する。
【０００８】しかし、アレイ導波路２３に入射する際、
伝搬した光の一部がクラッドに漏れ出す現象が起こる。
これは、従来の構成において、スラブ導波路２３とアレ
イ導波路２２Ｂとの接続部分２４における等価屈折率が
急激に変化するからであり、これが放射損失の要因とな
る。
伝搬した光の一部がクラッドに漏れ出す現象が起こる。
これは、従来の構成において、スラブ導波路２３とアレ
イ導波路２２Ｂとの接続部分２４における等価屈折率が
急激に変化するからであり、これが放射損失の要因とな
る。
【０００９】そこで、本発明の目的は、上述した従来技
術が有する課題を解消し、アレイ導波路とスラブ導波路
との接続部分からの放射損失を低減することができる導
波路型光合分波器及びその製造方法を提供することにあ
る。
術が有する課題を解消し、アレイ導波路とスラブ導波路
との接続部分からの放射損失を低減することができる導
波路型光合分波器及びその製造方法を提供することにあ
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
平面基板上に形成された屈折率の低い第一のクラッド層
と第一のクラッド層よりも屈折率の高いコアとこれを覆
うコアよりも屈折率の低い第二のクラッド層とから構成
され、前記コアは、前記第一のクラッド層よりなる少な
くとも１つ以上の隣接コア分断堤により区画されてなる
光導波路において、前記隣接コア分断堤の端部を先細り
状に、かつ先端に向けて高さが低くなるように形成した
ことを特徴とする。
平面基板上に形成された屈折率の低い第一のクラッド層
と第一のクラッド層よりも屈折率の高いコアとこれを覆
うコアよりも屈折率の低い第二のクラッド層とから構成
され、前記コアは、前記第一のクラッド層よりなる少な
くとも１つ以上の隣接コア分断堤により区画されてなる
光導波路において、前記隣接コア分断堤の端部を先細り
状に、かつ先端に向けて高さが低くなるように形成した
ことを特徴とする。
【００１１】請求項２記載の発明は、入力導波路と、入
射した各波長の光を拡大、集光するスラブ導波路と、光
の位相を調整する複数本のアレイ導波路とを備え、前記
アレイ導波路は少なくとも１つ以上の分断堤により区画
されてなる導波路型光合分波器において、前記スラブ導
波路と前記アレイ導波路との接続部分におけるアレイ導
波路を区画する前記分断堤の端部を先細り状に、かつ先
端に向けて高さが低くなるように形成したことを特徴と
する。
射した各波長の光を拡大、集光するスラブ導波路と、光
の位相を調整する複数本のアレイ導波路とを備え、前記
アレイ導波路は少なくとも１つ以上の分断堤により区画
されてなる導波路型光合分波器において、前記スラブ導
波路と前記アレイ導波路との接続部分におけるアレイ導
波路を区画する前記分断堤の端部を先細り状に、かつ先
端に向けて高さが低くなるように形成したことを特徴と
する。
【００１２】請求項３記載の発明は、請求項２記載のも
のにおいて、前記アレイ導波路の断面形状を矩形、台形
或いは三角形としたことを特徴とする。
のにおいて、前記アレイ導波路の断面形状を矩形、台形
或いは三角形としたことを特徴とする。
【００１３】請求項４記載の発明は、平面基板上に形成
された屈折率の低い第一のクラッド層と第一のクラッド
層よりも屈折率の高いコアとこれを覆うコアよりも屈折
率の低い第二のクラッド層からなる光導波路の製造方法
において、第一のクラッド層を有する石英或いはＳｉ平
面基板上にフォトリソグラフィ及び反応性イオンエッチ
ングにより光回路の型を形成し、この型を活性イオンプ
ラズマによるエッチングによって加工し、その型にコア
ガラスを埋め込み、導波路を形成することを特徴とする
ものである。
された屈折率の低い第一のクラッド層と第一のクラッド
層よりも屈折率の高いコアとこれを覆うコアよりも屈折
率の低い第二のクラッド層からなる光導波路の製造方法
において、第一のクラッド層を有する石英或いはＳｉ平
面基板上にフォトリソグラフィ及び反応性イオンエッチ
ングにより光回路の型を形成し、この型を活性イオンプ
ラズマによるエッチングによって加工し、その型にコア
ガラスを埋め込み、導波路を形成することを特徴とする
ものである。
【００１４】請求項５記載の発明は、入力導波路と、入
射した各波長の光を拡大、集光するスラブ導波路と、光
の位相を調整する複数本のアレイ導波路とを備え、前記
アレイ導波路は少なくとも１つ以上の分断堤により区画
されてなる導波路型光合分波器の製造方法において、前
記スラブ導波路と前記アレイ導波路との接続部分におけ
るアレイ導波路を区画する前記分断堤の端部を形成する
に際し、石英基板あるいはＳｉ基板上に形成した純粋Ｓ
ｉＯ2バッファ層を加工し、活性イオンプラズマによっ
てエッチングして、当該端部を先細り状に、かつ先端に
向けて高さが低くなるように形成することを特徴とす
る。
射した各波長の光を拡大、集光するスラブ導波路と、光
の位相を調整する複数本のアレイ導波路とを備え、前記
アレイ導波路は少なくとも１つ以上の分断堤により区画
されてなる導波路型光合分波器の製造方法において、前
記スラブ導波路と前記アレイ導波路との接続部分におけ
るアレイ導波路を区画する前記分断堤の端部を形成する
に際し、石英基板あるいはＳｉ基板上に形成した純粋Ｓ
ｉＯ2バッファ層を加工し、活性イオンプラズマによっ
てエッチングして、当該端部を先細り状に、かつ先端に
向けて高さが低くなるように形成することを特徴とす
る。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態を添付
した図面を参照して説明する。
した図面を参照して説明する。
【００１６】図１は、本実施形態の導波路型光合分波器
の光回路を示す。
の光回路を示す。
【００１７】この光回路は、図１Ａに示すように、入力
導波路１１と、入射した各波長の光を拡大、集光するス
ラブ導波路１２Ａ、１２Ｂと、光の位相を調整するアレ
イ導波路１３とを備えて構成されている。
導波路１１と、入射した各波長の光を拡大、集光するス
ラブ導波路１２Ａ、１２Ｂと、光の位相を調整するアレ
イ導波路１３とを備えて構成されている。
【００１８】入力導波路１１から入射した各波長の光
は、スラブ導波路１２Ａによって拡大され、アレイ導波
路１３に入射し、このアレイ導波路１３で位相が調整さ
れ、スラブ導波路１２Ｂによって波長ごとに出力され
る。
は、スラブ導波路１２Ａによって拡大され、アレイ導波
路１３に入射し、このアレイ導波路１３で位相が調整さ
れ、スラブ導波路１２Ｂによって波長ごとに出力され
る。
【００１９】アレイ導波路１３とスラブ導波路１２Ｂと
の接続部分１４における、各アレイ導波路１３を区画す
る分断堤１５の先端部１５Ａは、図１Ｂに示すように、
それぞれ幅Ｗが先細り状に形成され、かつ、図１Ｃに示
すように、その先端に向けて高さＨがテーパ状に低くな
るように形成されている。図１Ｄは、図１Ｂのｂ−ｂ’
断面図である。ここで、先端部１５Ａの断面形状は台形
であるが、これに限定されるものではなく、矩形或いは
三角形等であってもよい。
の接続部分１４における、各アレイ導波路１３を区画す
る分断堤１５の先端部１５Ａは、図１Ｂに示すように、
それぞれ幅Ｗが先細り状に形成され、かつ、図１Ｃに示
すように、その先端に向けて高さＨがテーパ状に低くな
るように形成されている。図１Ｄは、図１Ｂのｂ−ｂ’
断面図である。ここで、先端部１５Ａの断面形状は台形
であるが、これに限定されるものではなく、矩形或いは
三角形等であってもよい。
【００２０】従来の構造では、スラブ導波路とアレイ導
波路との接続部分における等価屈折率が急激に変化する
ため、アレイ導波路に入射する際、伝搬した光の一部が
クラッドに漏れ出す現象が起こっていた。
波路との接続部分における等価屈折率が急激に変化する
ため、アレイ導波路に入射する際、伝搬した光の一部が
クラッドに漏れ出す現象が起こっていた。
【００２１】これに対し、本実施形態では、上述したテ
ーパー構造を採用することにより、等価屈折率分布を緩
やかに変化させることができるため、接続部分１４から
の放射損失を低減することができる。
ーパー構造を採用することにより、等価屈折率分布を緩
やかに変化させることができるため、接続部分１４から
の放射損失を低減することができる。
【００２２】本実施形態では、接続部部分１４における
テーパー構造を得るため、光回路の型を、石英基板ある
いはＳｉ基板上に形成した純粋ＳｉＯ2バッファ層を加
工することにより形成し、その光回路の型を、活性イオ
ンプラズマによってエッチングする方法を採用した。
テーパー構造を得るため、光回路の型を、石英基板ある
いはＳｉ基板上に形成した純粋ＳｉＯ2バッファ層を加
工することにより形成し、その光回路の型を、活性イオ
ンプラズマによってエッチングする方法を採用した。
【００２３】図２は、本実施形態における光回路の製造
手順を示し、図３は、上記テーパ構造を得るために採用
した手順を示す。
手順を示し、図３は、上記テーパ構造を得るために採用
した手順を示す。
【００２４】まず、図２ａに示すように、石英基板１上
に金属マスク２Ａを形成する。つぎに、金属マスク２Ａ
上に、図２ｂに示すように、フォトリソグラフィ技術に
よりレジスト回路パターン３を形成する。ついで、この
回路パターン３をマスクとして、図２ｃに示すように、
上述した金属マスク２Ａをエッチングして金属マスク４
を形成する。さらに、この金属マスク４をマスクとし
て、図２ｄに示すように、石英基板１を、凹部５を有し
た凹凸形にエッチングする。
に金属マスク２Ａを形成する。つぎに、金属マスク２Ａ
上に、図２ｂに示すように、フォトリソグラフィ技術に
よりレジスト回路パターン３を形成する。ついで、この
回路パターン３をマスクとして、図２ｃに示すように、
上述した金属マスク２Ａをエッチングして金属マスク４
を形成する。さらに、この金属マスク４をマスクとし
て、図２ｄに示すように、石英基板１を、凹部５を有し
た凹凸形にエッチングする。
【００２５】図２ｄの工程を経た後、石英基板１の入っ
た真空容器内に、図３ａに示すように、ＡｒやＯ2など
のガス１０を導入し、石英基板１側には高周波電力を印
可してプラズマを発生させて、凹凸形に加工した石英基
板１をスパッタリング効果によって削る。この場合にお
いて、特に、プラズマ中のガス１０は、石英基板１に対
して斜め方向からの入射確率が高いため、図３ａに示す
凸形部分５Ａ〜５Ｅが、ほかの平面部分５Ｆよりも多く
選択的に削られる。
た真空容器内に、図３ａに示すように、ＡｒやＯ2など
のガス１０を導入し、石英基板１側には高周波電力を印
可してプラズマを発生させて、凹凸形に加工した石英基
板１をスパッタリング効果によって削る。この場合にお
いて、特に、プラズマ中のガス１０は、石英基板１に対
して斜め方向からの入射確率が高いため、図３ａに示す
凸形部分５Ａ〜５Ｅが、ほかの平面部分５Ｆよりも多く
選択的に削られる。
【００２６】上述したエッチングを、ある一定時間以上
行うと、各凸形部分５Ａ〜５Ｅの角の部分が徐々に削れ
て、図３ｂに示すように、幅の狭い凸形部分５Ｂ、５Ｃ
ではその高さが抵くなる。この現象を利用して、凸形部
分５Ａ〜５Ｅの幅の大小によって、その高さを変化させ
ることが可能になった。このため、導波路の長手方向
で、図１Ｂに示すように、凸形部分（各アレイ導破路１
３を区画する分断堤１５の先端部１５Ａ）の幅Ｗを変化
させると、活性イオンによるエッチング後、図１Ｃに示
すように、幅Ｗの変化に応じて高さＨが変化するテーパ
ー構造を形成することができる。
行うと、各凸形部分５Ａ〜５Ｅの角の部分が徐々に削れ
て、図３ｂに示すように、幅の狭い凸形部分５Ｂ、５Ｃ
ではその高さが抵くなる。この現象を利用して、凸形部
分５Ａ〜５Ｅの幅の大小によって、その高さを変化させ
ることが可能になった。このため、導波路の長手方向
で、図１Ｂに示すように、凸形部分（各アレイ導破路１
３を区画する分断堤１５の先端部１５Ａ）の幅Ｗを変化
させると、活性イオンによるエッチング後、図１Ｃに示
すように、幅Ｗの変化に応じて高さＨが変化するテーパ
ー構造を形成することができる。
【００２７】図３ａ、図３ｂの工程を経た後、図２ｅに
示すように、石英基板１に複数の凹形部分６が形成さ
れ、この凹形部分６に、図２ｆに示すように、スパッタ
リング法或いはプラズマＣＶＤ法によってコアガラス７
が埋め込まれ、その後、コアガラス７の屈折率を安定化
させるため熱処理が行われ、凹形部分６以外に形成され
たコアガラス７を、図２ｇに示すように、ＣＭＰ（Chem
ical Mechanical Polishing）によって研磨してコア８
を形成し、その上に、図２ｈに示すように、上部クラッ
ド９を形成し、その後、熱処理される。
示すように、石英基板１に複数の凹形部分６が形成さ
れ、この凹形部分６に、図２ｆに示すように、スパッタ
リング法或いはプラズマＣＶＤ法によってコアガラス７
が埋め込まれ、その後、コアガラス７の屈折率を安定化
させるため熱処理が行われ、凹形部分６以外に形成され
たコアガラス７を、図２ｇに示すように、ＣＭＰ（Chem
ical Mechanical Polishing）によって研磨してコア８
を形成し、その上に、図２ｈに示すように、上部クラッ
ド９を形成し、その後、熱処理される。
【００２８】本実施形態では、アレイ導波路１３を区画
する分断堤１５の先端部１５Ａをテーパー構造とし、す
なわち当該分断堤１５の先端部１５Ａを先細り状に、か
つ先端に向けて高さが低くなるように形成したため、等
価屈折率分布を緩やかに変化させることができ、接続部
分１４からの、従来歩留まり低下要因であった放射損失
を低減できる。
する分断堤１５の先端部１５Ａをテーパー構造とし、す
なわち当該分断堤１５の先端部１５Ａを先細り状に、か
つ先端に向けて高さが低くなるように形成したため、等
価屈折率分布を緩やかに変化させることができ、接続部
分１４からの、従来歩留まり低下要因であった放射損失
を低減できる。
【００２９】また、上記した導波路構造及び作製プロセ
スは、従来方式の逆パターンの光回路に対しコアを埋め
込む方式であるため、狭いギャップを有する光導波路を
容易に形成することができる等の効果が得られる。
スは、従来方式の逆パターンの光回路に対しコアを埋め
込む方式であるため、狭いギャップを有する光導波路を
容易に形成することができる等の効果が得られる。
【００３０】以上、一実施形態に基づいて本発明を説明
したが、本発明は、これに限定されるものでないことは
明らかである。例えば、上記実施形態では、導波路型光
合分波器について説明したが、これに限定されず、平面
基板上に形成された屈折率の低い第一のクラッド層と第
一のクラッド層よりも屈折率の高いコアとこれを覆うコ
アよりも屈折率の低い第二のクラッド層からなる光導波
路等にも適用できることはいうまでもない。
したが、本発明は、これに限定されるものでないことは
明らかである。例えば、上記実施形態では、導波路型光
合分波器について説明したが、これに限定されず、平面
基板上に形成された屈折率の低い第一のクラッド層と第
一のクラッド層よりも屈折率の高いコアとこれを覆うコ
アよりも屈折率の低い第二のクラッド層からなる光導波
路等にも適用できることはいうまでもない。
【００３１】
【発明の効果】本発明では、従来歩留まり低下要因であ
った放射損失を改善することができ、かつ従来製法より
も短時間で光部品を作製することができる。
った放射損失を改善することができ、かつ従来製法より
も短時間で光部品を作製することができる。
【図１】Ａは本発明の一実施形態を示す平面図、Ｂは接
続部分の拡大図、ＣはＢのａ−ａ’断面図、ＤはＢのｂ
−ｂ’断面図である。
続部分の拡大図、ＣはＢのａ−ａ’断面図、ＤはＢのｂ
−ｂ’断面図である。
【図２】ａ〜ｈは本実施形態による導波路型光合分波器
の製造工程図である。
の製造工程図である。
【図３】ａ〜ｂは本実施形態による導波路型光合分波器
の製造工程図である。
の製造工程図である。
【図４】従来の導波路型光合分波器の平面図である。
【図５】従来の導波路型光合分波器の製造工程図であ
る。
る。
１ 石英基板
２Ａ 金属マスク
３ レジストマスクパターン
４ 金属マスクパターン
１１ 入力導波路
１２Ａ、１２Ｂ スラブ導波路
１３ アレイ導波路
１５ 分断堤
１５Ａ 先端部
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 北野 延明
茨城県日立市日高町５丁目１番１号 日立
電線株式会社オプトロシステム研究所内
(72)発明者 田中 康太郎
茨城県日立市日高町５丁目１番１号 日立
電線株式会社オプトロシステム研究所内
Ｆターム(参考） 2H047 KA04 KA12 KA13 LA18 PA22
PA24 TA35 TA42
Claims (5)
- 【請求項１】 平面基板上に形成された屈折率の低い第
一のクラッド層と第一のクラッド層よりも屈折率の高い
コアとこれを覆うコアよりも屈折率の低い第二のクラッ
ド層とから構成され、前記コアは、前記第一のクラッド
層よりなる少なくとも１つ以上の隣接コア分断堤により
区画されてなる光導波路において、 前記隣接コア分断堤の端部を先細り状に、かつ先端に向
けて高さが低くなるように形成したことを特徴とする光
導波路。 - 【請求項２】 入力導波路と、入射した各波長の光を拡
大、集光するスラブ導波路と、光の位相を調整する複数
本のアレイ導波路とを備え、前記アレイ導波路は少なく
とも１つ以上の分断堤により区画されてなる導波路型光
合分波器において、 前記スラブ導波路と前記アレイ導波路との接続部分にお
けるアレイ導波路を区画する前記分断堤の端部を先細り
状に、かつ先端に向けて高さが低くなるように形成した
ことを特徴とする導波路型光合分波器。 - 【請求項３】 前記アレイ導波路の断面形状を矩形、台
形或いは三角形としたことを特徴とする請求項２記載の
導波路型光合分波器。 - 【請求項４】 平面基板上に形成された屈折率の低い第
一のクラッド層と第一のクラッド層よりも屈折率の高い
コアとこれを覆うコアよりも屈折率の低い第二のクラッ
ド層からなる光導波路の製造方法において、 第一のクラッド層を有する石英或いはＳｉ平面基板上に
フォトリソグラフィ及び反応性イオンエッチングにより
光回路の型を形成し、この型を活性イオンプラズマによ
るエッチングによって加工し、その型にコアガラスを埋
め込み、導波路を形成することを特徴とする光導波路の
製造方法。 - 【請求項５】 入力導波路と、入射した各波長の光を拡
大、集光するスラブ導波路と、光の位相を調整する複数
本のアレイ導波路とを備え、前記アレイ導波路は少なく
とも１つ以上の分断堤により区画されてなる導波路型光
合分波器の製造方法において、 前記スラブ導波路と前記アレイ導波路との接続部分にお
けるアレイ導波路を区画する前記分断堤の端部を形成す
るに際し、石英基板あるいはＳｉ基板上に形成した純粋
ＳｉＯ2バッファ層を加工し、活性イオンプラズマによ
ってエッチングして、当該端部を先細り状に、かつ先端
に向けて高さが低くなるように形成することを特徴とす
る導波路型光合分波器の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001184382A JP2003004958A (ja) | 2001-06-19 | 2001-06-19 | 光導波路及び導波路型光合分波器並びにその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001184382A JP2003004958A (ja) | 2001-06-19 | 2001-06-19 | 光導波路及び導波路型光合分波器並びにその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003004958A true JP2003004958A (ja) | 2003-01-08 |
Family
ID=19024148
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001184382A Pending JP2003004958A (ja) | 2001-06-19 | 2001-06-19 | 光導波路及び導波路型光合分波器並びにその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003004958A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005215009A (ja) * | 2004-01-27 | 2005-08-11 | Nec Corp | 光導波路回路及びその製造方法 |
| WO2006006681A1 (ja) * | 2004-07-15 | 2006-01-19 | Asahi Glass Company, Limited | ガラス光導波路 |
-
2001
- 2001-06-19 JP JP2001184382A patent/JP2003004958A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005215009A (ja) * | 2004-01-27 | 2005-08-11 | Nec Corp | 光導波路回路及びその製造方法 |
| WO2006006681A1 (ja) * | 2004-07-15 | 2006-01-19 | Asahi Glass Company, Limited | ガラス光導波路 |
| US7369733B2 (en) | 2004-07-15 | 2008-05-06 | Asahi Glass Company, Limited | Glass optical waveguide |
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