JP2003077971A - 半導体装置の評価方法および評価装置 - Google Patents
半導体装置の評価方法および評価装置Info
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- JP2003077971A JP2003077971A JP2001265537A JP2001265537A JP2003077971A JP 2003077971 A JP2003077971 A JP 2003077971A JP 2001265537 A JP2001265537 A JP 2001265537A JP 2001265537 A JP2001265537 A JP 2001265537A JP 2003077971 A JP2003077971 A JP 2003077971A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウェハ状態で半導体装置（特にコンタクトチ
ェーン評価パターン）の２端子間の導通を容易にかつ精
度よく評価する方法を提供する。 【解決手段】 半導体装置の、２端子のうち一方の端子
１７に集束イオンビームを照射し、半導体基板１１まで
達する穴２０を設ける工程と、穴に集束イオンビームを
用いたＣＶＤ法により導電膜２１を埋め込む工程と、一
方の端子と接地電位との間に電流計２２を接続し、２端
子のうち他方の端子に定電圧電源２３から負電圧を印加
し、走査電子顕微鏡を用いて半導体装置上を電子ビーム
２４で走査し、半導体装置の二次電子像と電流変化像を
観察する工程とを含む。
ェーン評価パターン）の２端子間の導通を容易にかつ精
度よく評価する方法を提供する。 【解決手段】 半導体装置の、２端子のうち一方の端子
１７に集束イオンビームを照射し、半導体基板１１まで
達する穴２０を設ける工程と、穴に集束イオンビームを
用いたＣＶＤ法により導電膜２１を埋め込む工程と、一
方の端子と接地電位との間に電流計２２を接続し、２端
子のうち他方の端子に定電圧電源２３から負電圧を印加
し、走査電子顕微鏡を用いて半導体装置上を電子ビーム
２４で走査し、半導体装置の二次電子像と電流変化像を
観察する工程とを含む。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の評価
方法、特にウェハ状態でコンタクトチェーンの開孔状態
の評価方法に関するものである。
方法、特にウェハ状態でコンタクトチェーンの開孔状態
の評価方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体装置の微細化および高密度
集積化に伴い、製造技術はますます複雑になってきてい
る。これらの製造技術の評価解析や量産工程での不良原
因を解析する技術が求められている。
集積化に伴い、製造技術はますます複雑になってきてい
る。これらの製造技術の評価解析や量産工程での不良原
因を解析する技術が求められている。
【０００３】以下に従来の半導体装置の評価方法につい
て、導電膜からなるコンタクトチェーンの未開孔位置の
評価を行う場合について説明する。
て、導電膜からなるコンタクトチェーンの未開孔位置の
評価を行う場合について説明する。
【０００４】図４は従来の半導体装置の評価方法を説明
するための半導体装置の要部断面図である。
するための半導体装置の要部断面図である。
【０００５】図４に示すように、半導体基板１には不純
物拡散層２と素子分離層３が設けられている。また、半
導体基板１上には層間絶縁膜４が形成されており、層間
絶縁膜４に形成されたコンタクト５を介して、不純物拡
散層２と層間絶縁膜４上の配線６が接続されている。ま
た、配線６の両端には電気パッド７が接続されており、
電気パッド７間の抵抗値を測定することによりコンタク
トチェーンの開口の有無を評価する。
物拡散層２と素子分離層３が設けられている。また、半
導体基板１上には層間絶縁膜４が形成されており、層間
絶縁膜４に形成されたコンタクト５を介して、不純物拡
散層２と層間絶縁膜４上の配線６が接続されている。ま
た、配線６の両端には電気パッド７が接続されており、
電気パッド７間の抵抗値を測定することによりコンタク
トチェーンの開口の有無を評価する。
【０００６】さらに、コンタクトチェーンの故障箇所９
を評価するために、半導体基板１に電流計２２、第１の
電気パッド７に定電圧電源２３を接続し、走査電子顕微
鏡により、半導体装置の配線６上で電子ビーム２４を走
査し、配線６の各点の電流変化（吸収電流）を測定する
ことにより、コンタクトチェーンの開口の良否を評価し
ていた。
を評価するために、半導体基板１に電流計２２、第１の
電気パッド７に定電圧電源２３を接続し、走査電子顕微
鏡により、半導体装置の配線６上で電子ビーム２４を走
査し、配線６の各点の電流変化（吸収電流）を測定する
ことにより、コンタクトチェーンの開口の良否を評価し
ていた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の方法では、コンタクトチェーンの開口の良否を評価
するために、半導体装置をパッケージに仮封止したり、
特別な試料処理や特殊な治具を作製する必要があるとい
う欠点を有していた。
来の方法では、コンタクトチェーンの開口の良否を評価
するために、半導体装置をパッケージに仮封止したり、
特別な試料処理や特殊な治具を作製する必要があるとい
う欠点を有していた。
【０００８】本発明は、このような従来の課題を解決す
るもので、ウェハ状態で半導体装置の２端子間の導通を
容易にかつ精度よく評価し、特に半導体装置がコンタク
トチェーン評価パターンである場合に、未開孔箇所の特
定を容易にかつ精度よく行うことを目的とする。
るもので、ウェハ状態で半導体装置の２端子間の導通を
容易にかつ精度よく評価し、特に半導体装置がコンタク
トチェーン評価パターンである場合に、未開孔箇所の特
定を容易にかつ精度よく行うことを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明の第１の半導体装置の評価方法は、２端子間
の導通を評価する半導体装置の評価方法であって、２端
子のうち一方の端子に集束イオンビームを照射し、半導
体基板まで達する穴を設ける工程と、穴に集束イオンビ
ームを用いたＣＶＤ法により導電膜を埋め込む工程と、
一方の端子と接地電位との間に電流計を接続し、２端子
のうち他方の端子に負電圧を印加し、走査電子顕微鏡を
用いて半導体装置上を電子ビームで走査し、半導体装置
の二次電子像と電流変化像を観察する工程とを含む。
に、本発明の第１の半導体装置の評価方法は、２端子間
の導通を評価する半導体装置の評価方法であって、２端
子のうち一方の端子に集束イオンビームを照射し、半導
体基板まで達する穴を設ける工程と、穴に集束イオンビ
ームを用いたＣＶＤ法により導電膜を埋め込む工程と、
一方の端子と接地電位との間に電流計を接続し、２端子
のうち他方の端子に負電圧を印加し、走査電子顕微鏡を
用いて半導体装置上を電子ビームで走査し、半導体装置
の二次電子像と電流変化像を観察する工程とを含む。
【００１０】また、本発明の第２の半導体装置の評価方
法は、２端子間の導通を評価する半導体装置の評価方法
であって、２端子のうち一方の端子に紫外線レーザービ
ームを照射し、半導体基板まで達する穴を設ける工程
と、穴内部の一方の端子および半導体基板と接地電位と
の間に電流計を接続し、２端子のうち他方の端子に負電
圧を印加し、走査電子顕微鏡を用いて半導体装置上を電
子ビームで走査し、半導体装置の二次電子像と電流変化
像を観察する工程とを含む。
法は、２端子間の導通を評価する半導体装置の評価方法
であって、２端子のうち一方の端子に紫外線レーザービ
ームを照射し、半導体基板まで達する穴を設ける工程
と、穴内部の一方の端子および半導体基板と接地電位と
の間に電流計を接続し、２端子のうち他方の端子に負電
圧を印加し、走査電子顕微鏡を用いて半導体装置上を電
子ビームで走査し、半導体装置の二次電子像と電流変化
像を観察する工程とを含む。
【００１１】このような構成とすることにより、半導体
装置の一方の端子と半導体基板とを接地電位にすること
ができ、ウェハ状態で電流変化像を観察することが可能
となり、半導体装置の２端子間の導通を容易にかつ精度
よく評価することができる。
装置の一方の端子と半導体基板とを接地電位にすること
ができ、ウェハ状態で電流変化像を観察することが可能
となり、半導体装置の２端子間の導通を容易にかつ精度
よく評価することができる。
【００１２】また、本発明の第１または第２の半導体装
置の評価方法において、半導体装置はコンタクトチェー
ン評価パターンであることが好ましい。
置の評価方法において、半導体装置はコンタクトチェー
ン評価パターンであることが好ましい。
【００１３】このような構成とすることにより、半導体
装置の一方の端子と半導体基板とを接地電位にすること
ができ、ウェハ状態で電流変化像を観察することが可能
となり、コンタクトチェーンの未開孔箇所を容易にかつ
精度よく特定することができる。
装置の一方の端子と半導体基板とを接地電位にすること
ができ、ウェハ状態で電流変化像を観察することが可能
となり、コンタクトチェーンの未開孔箇所を容易にかつ
精度よく特定することができる。
【００１４】また、本発明の半導体装置の評価装置は、
半導体装置上の故障箇所を特定する評価装置であって、
半導体装置に電力を供給する手段と、半導体装置の導電
層を輻射ビームで走査する手段と、輻射ビームによる走
査箇所の各点の電流変化を検出して表示する手段とを有
する。
半導体装置上の故障箇所を特定する評価装置であって、
半導体装置に電力を供給する手段と、半導体装置の導電
層を輻射ビームで走査する手段と、輻射ビームによる走
査箇所の各点の電流変化を検出して表示する手段とを有
する。
【００１５】このような構成とすることにより、半導体
装置表面側から故障箇所を特定すると同時に、半導体装
置裏面側からも故障箇所を特定することが可能になる。
装置表面側から故障箇所を特定すると同時に、半導体装
置裏面側からも故障箇所を特定することが可能になる。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態につい
て、図面を参照しながら説明する。
て、図面を参照しながら説明する。
【００１７】（第１の実施形態）図１は本発明の第１の
半導体装置の評価方法を説明するための半導体装置の要
部断面図である。
半導体装置の評価方法を説明するための半導体装置の要
部断面図である。
【００１８】図１（ａ）に示すように、半導体基板１１
に不純物拡散層１２、素子分離層１３および半導体基板
１１上に層間絶縁膜１４が形成されている。層間絶縁膜
１４中には導電体が埋め込まれたコンタクト１５が形成
され、層間絶縁膜１４上には配線１６が所定のコンタク
ト上を覆うように形成されている。配線１６を含む層間
絶縁膜１４上には保護膜１８が形成され、半導体装置の
両端子となる配線部分（パッド）１７上は保護膜１８が
開口されている。ここで、コンタクト１５が不純物拡散
層１２と配線１６とを接続していない部分が、故障箇所
１９である。
に不純物拡散層１２、素子分離層１３および半導体基板
１１上に層間絶縁膜１４が形成されている。層間絶縁膜
１４中には導電体が埋め込まれたコンタクト１５が形成
され、層間絶縁膜１４上には配線１６が所定のコンタク
ト上を覆うように形成されている。配線１６を含む層間
絶縁膜１４上には保護膜１８が形成され、半導体装置の
両端子となる配線部分（パッド）１７上は保護膜１８が
開口されている。ここで、コンタクト１５が不純物拡散
層１２と配線１６とを接続していない部分が、故障箇所
１９である。
【００１９】次に、図１（ｂ）に示すように、集束イオ
ンビーム装置を用いて半導体装置の一方の端子１７に半
導体基板１１まで達する穴２０を設ける。
ンビーム装置を用いて半導体装置の一方の端子１７に半
導体基板１１まで達する穴２０を設ける。
【００２０】次に、図１（ｃ）に示すように、集束イオ
ンビームＣＶＤ法を用いて上記の穴２０に導電体２１を
埋め込み、半導体装置の一方の端子１７と半導体基板１
１とを接続する。
ンビームＣＶＤ法を用いて上記の穴２０に導電体２１を
埋め込み、半導体装置の一方の端子１７と半導体基板１
１とを接続する。
【００２１】次に、図１（ｄ）に示すように、導電体２
１を電流計２２を介して接地電位に接続する。また、他
方の端子に定電圧電源２３から負電圧を印加し、走査電
子顕微鏡内で配線１６上に電子ビーム２４を走査しつ
つ、走査箇所の各点の電流変化を観察する。電流変化が
観察された配線下のコンタクトが正常にコンタクトされ
た開孔部と正常なコンタクトが取れていない未開孔部の
境目、すなわち故障箇所１９となる。
１を電流計２２を介して接地電位に接続する。また、他
方の端子に定電圧電源２３から負電圧を印加し、走査電
子顕微鏡内で配線１６上に電子ビーム２４を走査しつ
つ、走査箇所の各点の電流変化を観察する。電流変化が
観察された配線下のコンタクトが正常にコンタクトされ
た開孔部と正常なコンタクトが取れていない未開孔部の
境目、すなわち故障箇所１９となる。
【００２２】（第２の実施形態）図２は本発明の第２の
半導体装置の評価方法を説明するための半導体装置の要
部断面図である。
半導体装置の評価方法を説明するための半導体装置の要
部断面図である。
【００２３】図２（ａ）に示すように、半導体基板１１
に不純物拡散層１２、素子分離層１３および半導体基板
１１上に層間絶縁膜１４が形成されている。層間絶縁膜
１４中には導電体が埋め込まれたコンタクト１５が形成
され、層間絶縁膜１４上には配線１６が所定のコンタク
ト上を覆うように形成されている。配線１６を含む層間
絶縁膜１４上には保護膜１８が形成され、半導体装置の
両端子となる配線部分（パッド）１７上は保護膜１８が
開口されている。ここで、コンタクト１５が不純物拡散
層１２と配線１６とを接続していない部分が、故障箇所
１９である。
に不純物拡散層１２、素子分離層１３および半導体基板
１１上に層間絶縁膜１４が形成されている。層間絶縁膜
１４中には導電体が埋め込まれたコンタクト１５が形成
され、層間絶縁膜１４上には配線１６が所定のコンタク
ト上を覆うように形成されている。配線１６を含む層間
絶縁膜１４上には保護膜１８が形成され、半導体装置の
両端子となる配線部分（パッド）１７上は保護膜１８が
開口されている。ここで、コンタクト１５が不純物拡散
層１２と配線１６とを接続していない部分が、故障箇所
１９である。
【００２４】次に、図２（ｂ）に示すように、紫外線レ
ーザビーム装置を用いて半導体装置の一方の端子１７に
半導体基板１１まで達する穴２５を設ける。
ーザビーム装置を用いて半導体装置の一方の端子１７に
半導体基板１１まで達する穴２５を設ける。
【００２５】次に、図２（ｃ）に示すように、穴２５の
内壁の半導体基板１１と半導体装置の一方の端子に電流
計２２を接続し、接地電位に接続する。また、他方の端
子に定電圧電源２３から負電圧を印加し、走査電子顕微
鏡内で配線１６上に電子ビーム２４を走査しつつ、走査
箇所の各点の電流変化を観察する。電流変化が観察され
た配線下のコンタクトが正常にコンタクトされた開孔部
と正常なコンタクトが取れていない未開孔部の境目、す
なわち故障箇所１９となる。
内壁の半導体基板１１と半導体装置の一方の端子に電流
計２２を接続し、接地電位に接続する。また、他方の端
子に定電圧電源２３から負電圧を印加し、走査電子顕微
鏡内で配線１６上に電子ビーム２４を走査しつつ、走査
箇所の各点の電流変化を観察する。電流変化が観察され
た配線下のコンタクトが正常にコンタクトされた開孔部
と正常なコンタクトが取れていない未開孔部の境目、す
なわち故障箇所１９となる。
【００２６】（第３の実施形態）図３は本発明の半導体
装置の評価装置の構成図である。
装置の評価装置の構成図である。
【００２７】図３において、評価装置は、真空容器３
０、試料（半導体装置）３１、赤外線レーザービーム３
２または紫外線レーザービーム３３、対物レンズ３４、
顕微鏡部本体３５、レーザー光源３６、定電圧源３７、
電流変化検出部３８、システム制御・信号処理部３９、
像・波形表示部４０、電子光学系４１、電子ビーム４
２、ガラス板４３、二次電子検出部４４で構成されてい
る。ここで、真空容器３０には試料として半導体装置３
１がガラス板４３を介して設置されている。
０、試料（半導体装置）３１、赤外線レーザービーム３
２または紫外線レーザービーム３３、対物レンズ３４、
顕微鏡部本体３５、レーザー光源３６、定電圧源３７、
電流変化検出部３８、システム制御・信号処理部３９、
像・波形表示部４０、電子光学系４１、電子ビーム４
２、ガラス板４３、二次電子検出部４４で構成されてい
る。ここで、真空容器３０には試料として半導体装置３
１がガラス板４３を介して設置されている。
【００２８】また、波長が可変できるレーザー光源３６
が用意されており，半導体装置の裏面から故障箇所を特
定する場合、レーザビームとして赤外線レーザービーム
３２が用いられる。ここから射出される赤外線レーザー
ビーム３２は顕微鏡部本体３５に入射し、対物レンズ３
４を介して半導体装置３１上に集束して照射される。
が用意されており，半導体装置の裏面から故障箇所を特
定する場合、レーザビームとして赤外線レーザービーム
３２が用いられる。ここから射出される赤外線レーザー
ビーム３２は顕微鏡部本体３５に入射し、対物レンズ３
４を介して半導体装置３１上に集束して照射される。
【００２９】真空容器３０には、定電圧源３７、電流変
化検出部３８が接続されている。真空容器３０に接続さ
れた定電圧源３７、電流変化検出部３８は、半導体装置
３１の該当するピンと電気的に接続されている。
化検出部３８が接続されている。真空容器３０に接続さ
れた定電圧源３７、電流変化検出部３８は、半導体装置
３１の該当するピンと電気的に接続されている。
【００３０】定電圧源３７、電流変化検出部３８、顕微
鏡部本体３５はシステム全体を制御するとともに、取得
した信号の処理を行うためのシステム制御・信号処理部
３９に接続されている。
鏡部本体３５はシステム全体を制御するとともに、取得
した信号の処理を行うためのシステム制御・信号処理部
３９に接続されている。
【００３１】システム制御・信号処理部３９は、図示し
ないが、ＣＰＵ（中央処理装置）とこの装置の制御プロ
グラムを格納する記憶部を備えており、所定の制御動作
や信号処理を行うようになっている。像・波形表示部４
０はＣＲＴからなり、このシステム制御・信号処理部３
９に接続されている。像・波形表示部４０には、取得し
た信号を処理した結果としての電流像、欠陥像または電
流波形が表示されるようになっている。
ないが、ＣＰＵ（中央処理装置）とこの装置の制御プロ
グラムを格納する記憶部を備えており、所定の制御動作
や信号処理を行うようになっている。像・波形表示部４
０はＣＲＴからなり、このシステム制御・信号処理部３
９に接続されている。像・波形表示部４０には、取得し
た信号を処理した結果としての電流像、欠陥像または電
流波形が表示されるようになっている。
【００３２】半導体装置３１にマーキングを施す際は、
レーザー光源３６を紫外線レーザに選択して用いる。こ
こから射出される紫外線レーザービーム３３は顕微鏡部
本体３５に入射し、対物レンズ３４を介して半導体装置
３１上に集束して照射される。
レーザー光源３６を紫外線レーザに選択して用いる。こ
こから射出される紫外線レーザービーム３３は顕微鏡部
本体３５に入射し、対物レンズ３４を介して半導体装置
３１上に集束して照射される。
【００３３】半導体装置の表面から故障箇所を特定する
場合は電子ビーム４２が用いられる。電子ビーム４２は
真空容器３０内に入射し、半導体装置３１上に走査され
る。真空容器３０には、定電圧源３７、電流変化検出部
３８が接続されている。
場合は電子ビーム４２が用いられる。電子ビーム４２は
真空容器３０内に入射し、半導体装置３１上に走査され
る。真空容器３０には、定電圧源３７、電流変化検出部
３８が接続されている。
【００３４】真空容器３０に接続された定電圧源３７、
電流変化検出部３８は半導体装置３１の該当するピンと
電気的に接続されている。
電流変化検出部３８は半導体装置３１の該当するピンと
電気的に接続されている。
【００３５】二次電子検出部４４は半導体装置３１から
放出される二次電子を検出する部分である。定電圧源３
７、電流変化検出部３８、顕微鏡部本体３５はシステム
全体を制御するとともに取得した信号の処理を行うため
のシステム制御・信号処理部３９に接続されている。
放出される二次電子を検出する部分である。定電圧源３
７、電流変化検出部３８、顕微鏡部本体３５はシステム
全体を制御するとともに取得した信号の処理を行うため
のシステム制御・信号処理部３９に接続されている。
【００３６】システム制御・信号処理部３９は、図示し
ないが、ＣＰＵ（中央処理装置）とこの装置の制御プロ
グラムを格納する記憶部を備えており、所定の制御動作
や信号処理を行うようになっている。像・波形表示部４
０はＣＲＴからなり、このシステム制御・信号処理部３
９に接続されている。像・波形表示部４０には、取得し
た信号を処理した。
ないが、ＣＰＵ（中央処理装置）とこの装置の制御プロ
グラムを格納する記憶部を備えており、所定の制御動作
や信号処理を行うようになっている。像・波形表示部４
０はＣＲＴからなり、このシステム制御・信号処理部３
９に接続されている。像・波形表示部４０には、取得し
た信号を処理した。
【００３７】
【発明の効果】以上のように、本発明の半導体装置の評
価方法および評価装置によれば、ウェハ状態で半導体装
置の２端子間の導通を容易にかつ精度よく評価し、特に
半導体装置がコンタクトチェーン評価パターンである場
合に、未開孔箇所の特定を容易にかつ精度よく行うこと
ができる。その結果、故障原因を迅速に半導体製造工程
あるいは半導体装置開発工程へフィードバックでき、半
導体装置の歩留まり安定あるいは早期開発に多大な効果
をもたらす。
価方法および評価装置によれば、ウェハ状態で半導体装
置の２端子間の導通を容易にかつ精度よく評価し、特に
半導体装置がコンタクトチェーン評価パターンである場
合に、未開孔箇所の特定を容易にかつ精度よく行うこと
ができる。その結果、故障原因を迅速に半導体製造工程
あるいは半導体装置開発工程へフィードバックでき、半
導体装置の歩留まり安定あるいは早期開発に多大な効果
をもたらす。
【図１】本発明の第１の半導体装置の評価方法を説明す
るための半導体装置の要部断面図
るための半導体装置の要部断面図
【図２】本発明の第２の半導体装置の評価方法を説明す
るための半導体装置の要部断面図
るための半導体装置の要部断面図
【図３】本発明の半導体装置の評価装置の構成図
【図４】従来の半導体装置の評価方法を説明するための
半導体装置の要部断面図
半導体装置の要部断面図
１ 半導体基板
２ 不純物拡散層
３ 素子分離層
４ 層間絶縁膜
５ コンタクト
６ 配線
７ 電気パッド
８ 保護膜
９ 故障箇所
１１ 半導体基板
１２ 不純物拡散層
１３ 素子分離層
１４ 層間絶縁膜
１５ コンタクト
１６ 配線
１７ 端子
１８ 保護膜
１９ 故障箇所
２０ 穴
２１ 導電膜
２２ 電流計
２３ 定電圧電源
２４ 電子ビーム
２５ 穴
３０ 真空容器
３１ 試料
３２ 赤外線レーザービーム
３３ 紫外線レーザービーム
３４ 対物レンズ
３５ 顕微鏡部本体
３６ レーザー光源
３７ 定電圧源
３８ 電流変化検出部
３９ システム制御・信号処理部
４０ 像・波形表示部
４１ 電子光学系
４２ 電子ビーム
４３ ガラス板
４４ 二次電子検出部
Claims (5)
- 【請求項１】 ２端子間の導通を評価する半導体装置の
評価方法であって、前記２端子のうち一方の端子に集束
イオンビームを照射し、半導体基板まで達する穴を設け
る工程と、前記穴に集束イオンビームを用いたＣＶＤ法
により導電膜を埋め込む工程と、前記一方の端子と接地
電位との間に電流計を接続し、前記２端子のうち他方の
端子に負電圧を印加し、走査電子顕微鏡を用いて前記半
導体装置上を電子ビームで走査し、前記半導体装置の二
次電子像と電流変化像を観察する工程とを含むことを特
徴とする半導体装置の評価方法。 - 【請求項２】 ２端子間の導通を評価する半導体装置の
評価方法であって、前記２端子のうち一方の端子に紫外
線レーザービームを照射し、半導体基板まで達する穴を
設ける工程と、前記穴内部の前記一方の端子および前記
半導体基板と接地電位との間に電流計を接続し、前記２
端子のうち他方の端子に負電圧を印加し、走査電子顕微
鏡を用いて前記半導体装置上を電子ビームで走査し、前
記半導体装置の二次電子像と電流変化像を観察する工程
とを含むことを特徴とする半導体装置の評価方法。 - 【請求項３】 半導体装置はコンタクトチェーン評価パ
ターンであることを特徴とする請求項１または２に記載
の半導体装置の評価方法。 - 【請求項４】 半導体装置上の故障箇所を特定する評価
装置であって、前記半導体装置に電力を供給する手段
と、前記半導体装置の導電層を輻射ビームで走査する手
段と、前記輻射ビームによる走査箇所の各点の電流変化
を検出して表示する手段とを有することを特徴とする半
導体装置の評価装置。 - 【請求項５】 輻射ビームは赤外線レーザビームまたは
電子ビームであることを特徴とする請求項４記載の半導
体装置の評価装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001265537A JP2003077971A (ja) | 2001-09-03 | 2001-09-03 | 半導体装置の評価方法および評価装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001265537A JP2003077971A (ja) | 2001-09-03 | 2001-09-03 | 半導体装置の評価方法および評価装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003077971A true JP2003077971A (ja) | 2003-03-14 |
Family
ID=19091990
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001265537A Pending JP2003077971A (ja) | 2001-09-03 | 2001-09-03 | 半導体装置の評価方法および評価装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003077971A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105304614A (zh) * | 2014-07-17 | 2016-02-03 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种测试结构及测试方法 |
-
2001
- 2001-09-03 JP JP2001265537A patent/JP2003077971A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105304614A (zh) * | 2014-07-17 | 2016-02-03 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种测试结构及测试方法 |
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