JP2004319721A - 半導体検査用標準ウエハ、半導体の検査方法および半導体検査装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】欠陥の抵抗または残膜厚が既知の標準ウエハを用いて、検査装置の感度較正を行う。標準ウエハの欠陥部の抵抗として、既知の抵抗値を変化させたウエハを作成する。また、ウエルの容量および接合の抵抗を数種類変化させたものを標準ウエハに作りこむ。標準ウエハの二次電子画像から、検査装置の感度較正を行う。また、標準ウエハの二次電子画像から、被検査ウエハの検査で検出された欠陥の抵抗値または残膜厚を非破壊で推定する。
【選択図】 図7
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子線を用いた半導体装置の検査に関わり、微細な回路パターンを有する半導体ウェハ上の異物や欠陥を高速・高感度に検出する検査装置、並びに半導体の検査方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
電子線を用いた回路パターンを有する半導体ウエハの評価方法として、ウェハの大口径化と回路パターンの微細化に対応して高スループットかつ高精度な検査を行う技術が実用化されている。例えば、特開平06−139985号公報で開示されているように、表面電位差に起因する二次電子線のコントラストを利用して欠陥検査を行う装置が知られている。この装置を用いて、例えば特開2000−208085号公報に開示されているように、電位コントラストを利用して、ウエハ内部に形成された非導通欠陥を検出することができる。
【0003】
特開2000−164715号公報には、半導体ウエハ上に形成されたコンタクトホールの底に残存する膜厚を標準試料を用いて推定する発明が開示されている。当該標準試料には、基板上のコンタクトホールの底に擬似残存膜が設けられており、特開2000−164715号公報に記載の発明では、コンタクトホールに電子線を照射して得られる二次電子像を用いて残膜厚を推定している。このようなコンタクトホールからの二次電子は、残存膜だけでなく、基板に形成されたウエルや不純物拡散層による影響を受ける。そこで、前記標準試料に被検査ウエハと同じウエルや不純物拡散層を形成し、標準試料の構造被検査ウエハにより近づけることによって、より正確に残膜厚を推定している。
【0004】
【発明が解決しようとしている課題】
しかし、従来の標準試料を用いた検査には以下の問題点がある。従来の標準試料では、被検査ウエハと同じウエルや不純物拡散層を基板上に形成するため、被検査ウエハの構造が変わるたびに標準ウエハを作成する必要があった。そのため、半導体製造ラインのように、多品種の半導体製品を製造する場合には、製品の種類ごとに標準ウエハを作成する必要があった。また従来の標準ウエハでは、基板表面に露出したコンタクトホールの底部に残存した膜の評価は可能であるが、ウエハ内部に形成された導通不良やリーク等の抵抗値を推定することは困難であった。
【0005】
本発明の目的は、ウエハ表面に露出した欠陥のみならずウエハ内部に形成された導通不良やリーク等の抵抗値を、高速・高精度に推定可能な欠陥検査方法を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明は、ウエハ内部に電気的な欠陥が作り込まれた標準ウエハを用い、
前記標準試料に対し、電子線の照射条件を前記検査パラメータの数に等しい回数だけ変えて照射することにより、複数の電子線画像を取得し、
前記電子線画像における欠陥箇所の画像信号強度を、前記検査パラメータを座標軸とする空間に対してマッピングすることにより、前記複数の照射条件に対応する複数の標準ウエハの欠陥箇所信号強度分布を求め、
被検査試料に対し前記複数の照射条件で電子線を照射して電子線画像を取得し、前記標準ウエハの欠陥箇所信号強度分布と、対応する照射条件下で得られた被検査試料の画像信号における欠陥箇所信号強度に等しい面で切った時に得られる交線を求め、
該交線を前記複数の標準ウエハの欠陥箇所信号強度分布に対して求め、
得られた複数の交線間の交点の座標を求めることにより、前記所望の検査パラメータの値を推定することを特徴とする半導体の検査方法。
【0007】
【発明の実施の形態】
(実施例1)
本実施例では、標準ウエハを用いた装置感度較正方法の一例について説明する。
まず、標準ウエハの構造および作成方法の一例について説明する。図2(a)には、本実施例における標準ウエハの構造の一例を示す。本実施例の標準ウエハでは、コンタクト用電極56の底に導電不良欠陥を作り込んである。Si基板60上に絶縁膜58とコンタクト電極56が形成されている。図中、引出番号40は、コンタクト電極の正常部を、41は欠陥部41をそれぞれ意味している。基板には、数種類の接合44及びウエル42が形成してある。85は素子の分離部である。図示されてはいないが、図2(a)には、2つのコンタクト電極46や接合44、ウエル42等を含む素子部が両隣に形成されており、分離部85は、それら素子部を電気的に絶縁している。接合44の上部は、拡散層が形成されており、接合44は基板と拡散層の界面に相当する。
【0008】
本実施例では、標準ウエハの二次電子画像のコントラストを求めることにより、半導体の検査を行う。二次電子のコントラストはウエハ表面の電位に大きな影響を受ける。また、表面電位は、ウエハに存在するウエルの静電容量や接合44の電気抵抗に大きな影響を受ける。そこで、本実施例の標準ウエハには、抵抗値を106Ω以上1012Ω以下の範囲で変えた接合44を数種類作り込んだ。ウエル42についても同様に、静電容量を10−15F以上10−4F以下の範囲で変えたウエルを数種類作り込んだ。導電不良欠陥として、基板60とコンタクト電極56の間に抵抗あるいは膜厚が既知の薄い非導電成膜59を形成してある。非導電成膜59の膜厚は、50 nm以下1 nm以上の範囲で変え、膜厚毎に数種類の標準ウエハを作成した。本実施例では、標準ウエハ一枚につき非導電性膜の膜厚は一つだけであるが、膜厚を変えた欠陥を一枚の標準ウエハに作り込んでも構わない。非導電成膜59の材料としては、Si酸化膜、Si窒化膜、有機系の絶縁膜、低誘電率膜等が用いられる。これらの非導電成膜59は、絶縁膜58にコンタクトホールを形成した後に、酸化、あるいは、膜蒸着によって形成することができる。または、絶縁膜58を形成する前に予め形成しておくこともできる。
【0009】
二次電子画像のコントラストは、コンタクト電極56の面積や直径、密度にも依存する。そこで、本実施例では、電極56が形成されたのコンタクトホールの直径や、ウエハ上に形成される配線パターンのパターン密度を変えた配線パターンを数種類形成した標準ウエハを用意した。
* 図2(b)の説明を追加してください。特に図2(a)と図2(b)の対応関係について。
【0010】
図2(b)には、本実施例の標準ウエハの正常部の等価回路を、図2(c)には、本実施例の標準ウエハの欠陥部の等価回路を示す。正常部の等価回路に示すように、基板の上にウエル42による容量が形成43されている。さらに、接合部44には抵抗45が形成されている。接合部44には容量成分46も形成されているが、容量は小さいため、接合にかかる電圧は接合の抵抗45にほとんど依存する。従って、被検査ウエハの正常部の電気特性は、被検査ウエハのウエルの容量43および接合の抵抗45によって決定される。そこで、標準ウエハには、接合44として、数種類の抵抗値を持つ接合44、さらに、ウエル42として、数種類の容量43のウエル42を作り込んだ。欠陥部の等価回路は、ウエルの容量43、接合の抵抗45および容量46に欠陥部の抵抗70が加えられている。従って、正常部の電位コントラストから被検査ウエハのウエルの容量43と接合の抵抗45を推定できれば、欠陥の抵抗70を推定可能となる。
【0011】
標準ウエハ表面の帯電状態は、一度電子線を照射するとある時間の間、初期状態と異なる帯電状態になる。よって、二度目に電子線照射したときの二次電子画像は、一度目と異なることがある。そのような場合、検査装置内、あるいは検査装置1外で電子線あるいは紫外光を照射することによってウエハに残留した帯電を除去し、短時間で初期状態に戻すことが可能となった。
【0012】
次に、上記に述べた標準ウエハを用いるのに好適な半導体検査装置および当該半導体検査装置の感度較正を行う手法について述べる。
図1には、本実施例における半導体装置の検査装置の構成例を示す。半導体装置の検査装置1は、電子光学系2、ステージ機構系3、ウエハ搬送系4、真空排気系5、光学顕微鏡6、制御系7、操作部8より構成されている。電子光学系2は、電子銃9、コンデンサレンズ10、対物レンズ11、検出器12、偏向器14、ウエハの上面電極13、ウエハ高さ検出器15より構成されている。
ステージ機構系3はXYステージ16およびウエハを保持するためのホルダ17、ホルダ17およびウエハ18に負の電圧を印加するためのリターディング電源19より構成されている。XYステージ16には、レーザ測長による位置検出器が取りつけられている。
ウエハ搬送系4は、カセット載置部20と、ウエハローダ21と、これら20、21とXYステージ16間とを結ぶ搬送手段とで構成され、これら20、21、16の間を被検査ウエハが行き来するようになっている。
制御系7は、信号検出系制御部22、ブランキング制御部23、ビーム偏向補正制御部24、電子光学系制御部25、ウエハ高さセンサ検出系26、ステージ制御部27、電極制御部33より構成されている。制御系7には操作部8が接続されており、操作部8は、操作画面28、画像処理部29、画像・検査データ保存部30、演算部31等により構成されている。図示されていないが、操作画面28は、マウスなどの入力手段を備えている。操作部8には、外部サーバ32が接続されている。外部サーバ32は、他の検査装置と信号線で接続されることが可能であり、図1に示した検査装置で得られた検査データ、検査レシピを信号線を介して他の検査装置に転送することも可能である。
【0013】
図3には、感度較正方法のフローを示した。まず、操作画面28上で較正に用いる標準ウエハのカセット載置部20内の棚番号を指定し、標準ウエハを導入する(ステップ61)。
次に、導入した標準ウエハの情報と、検査情報とを読み出す。これらの画像情報および検査情報は、画像・検査データ保存部30や外部サーバ32、あるいはCD−ROM等、可搬性の記録媒体に格納されている。読み出された画像情報および検査情報は演算部31に転送される(ステップ62)。読み出される標準ウエハの情報としては、ウエハ上における正常部40および欠陥部41の位置情報(座標)、形成されたウエル42の静電容量、接合44の抵抗値、コンタクト電極56の面積、コンタクト用電極56の直径、標準ウエハ上に形成された配線パターンのパターン密度等のパターン情報、正常部40および欠陥部41の画素信号強度などがある。これらの情報は、予め他の測定装置で取得してある。一方、検査情報としては、電子線の照射エネルギー、電流値、走査速度、電子線走査範囲を示す座標情報等がある。
まず、電子線の照射条件の較正を行なう(ステップ63)。電子線の照射条件31の較正は、ウエル42や接合44が形成されておらず、導電性材料で形成された導電性パターンで行なう。あるいは、ウエハホルダ17上に形成されたビーム較正用の導電性パターンを用いても良い。
電子ビームの電流値が規定値になるように調整(ステップ64)を行った後、ウエハに電子ビームを照射するときの照射エネルギーの較正を行なう(ステップ65)。照射エネルギーの較正は、リターディング電圧を調整することにより行なう。図4には、ウエハ到達電流のリターディング電源19の電圧に対する関係を示した。92が標準装置を用いて測定された(標準ウエハの)リファレンス曲線、93は、検査装置1により実測された曲線である。リターディング電圧を徐々に下げていくと、ウエハに到達する電流が減少していく。標準装置のリファレンス曲線92と被較正装置の曲線93が一致するように、リターディング電圧を調整することにより、照射エネルギーの較正を行う。あるいは、電子ビームの初期加速がV0の場合、照射電流値が0になるときのウエハ電位Vrが−V0になるように較正を行なってもよい。
その後、非点、焦点の調整を行う(ステップ66)。以下、非点、焦点の調整方法の例を示す。図5(a)には、図2(a)に示す標準ウエハの二次電子画像の一例を、図5(b)には、図5(a)に示した二次電子画像を図中の一点鎖線で切った際の画素信号強度のプロファイルを示した。図5(a)では、二次電子画像上にコンタクト用電極56の領域と絶縁膜58の領域が確認でき、このとき例えば、図5(b)に示すように、コンタクト用電極56の部分の信号量は絶縁膜57部分の信号量よりも大きくなっている。また、欠陥部41からの信号は正常部40からの信号よりも小さくなっている。欠陥部41と正常部40の信号強度の差から、欠陥41を検出することができる。コンタクト用電極56の部分の信号強度の比較の方法としては、ある周期で配列されたコンタクト用電極56の部分の信号強度同士を比較する。または、隣接する同じパターンの信号強度と比較する。
このとき、非点および焦点がずれていると、円状のコンタクト用電極56の二次電子画像は楕円形に観察されることがある。本装置の二次電子画像が規定値の範囲内の形状になるように、入射電子線の非点および焦点を調整するための機構を電子光学系制御部25に設けた。
電子線照射条件の較正が終了したら、二次電子検出系の調整を行う(ステップ67)。同じ設計の装置であっても、装置組み立て上で微妙に生じる誤差のために、ウエハ上面の電界強度分布は装置ごとに異なる。このため、例え標準ウエハを使用しても、得られる二次電子画像の信号強度は、装置によって変化する。これを調整するために、ウエハに最も近い上面電極13の電圧を微調整するための機能を電極制御部33に設けた。
【0014】
一例として、図5(a)に示す二次電子画像のように、コンタクト用電極56の領域の信号が絶縁膜58の領域の信号よりも大きい場合について説明する。
まず、外部サーバ32から入力されて、データ保存部30に保存されている標準ウエハ54の二次電子画像90を読み出す。次に、電子線照射条件を規定値に設定し、導入された標準ウエハの二次電子画像を取得する。本標準ウエハ54を用いた場合、ウエハ表面上の電界強度や分布によって、コンタクト用電極56の領域と絶縁膜58の領域の信号強度が装置によって変化する。例えば、標準の二次電子画像と、較正前の検査装置を用いて取得した二次電子画像とを比較する。このとき、正常部40の信号強度をIplug、絶縁膜58の部分の信号強度をIsio2とし、コントラストC=(Iplug−Isio2)/Isio2を算出する。
標準の二次電子画像のコントラストC0と被較正装置のコントラストC1において、C0>C1の場合は、被較正検査装置の上面電極13の電圧を上昇させて、C0=C1となるように調整する。C0<C1の場合は、上面電極13の電圧を低下させて、C0=C1となるように調整する(ステップ68)。コントラストの調整が終了したら、標準の二次電子画像と被較正装置で取得した二次電子画像の信号量を比較する。二次電子画像全体の信号強度の平均値を比較し、検出器12で取得した信号の増幅率を調整することによって、二次電子画像全体の信号量の調整を行った(ステップ69)。
このとき、二次電子画像は電子線照射回数によって変化することがあるため、本調整においては、それまでに電子線照射を行っていないウエハの領域で二次電子画像58を取得することが望ましい。
従来の検査装置では、同一の装置を作製した場合でも、個々の装置の入射電子光学系や検出系の構造の微妙な誤差によって検査装置間で感度が異なるため、装置によって得られる二次電子コントラストや欠陥の検出感度が異なるという問題があった。このため、複数台の装置を使用する場合でも、装置ごとに最適な検査条件を設定しなければならなかった。また、同じ種類の半導体製品を複数の検査装置で検査すると感度が異なるため、半導体工程を管理する時の精度や信頼性が大幅に低下するという問題があった。
本実施例の較正方法を用いて一度被検査装置の感度較正を行った後は、標準ウエハを検査したときの欠陥検出率の変化から、装置の検出感度の状態を日々管理することができるようになり、本装置の異常を早期に発見可能となる。装置の検出感度を日々管理する方法として、例えば、一日に一回、あるいは週に一回、標準ウエハの検査を行う。例えば、標準ウエハに作りこまれた繰り返しパターン1つに対して、欠陥をN0個作りこんだ。検出率80%で管理する場合、N0×0.8個以下の欠陥を検出した繰り返しパターンがある個数以上発生したとき、上記方法を用いて、再度装置の感度校正を行う。これによって、一定感度の検査を長期間に渡って行うことが可能となり、さらに、本装置の異常を早期に発見することが可能となった。
また、上記の手法を用いて複数装置間の感度較正を行うことによって、検査装置ごとに最適な検査条件を設定する必要がなくなり、一度、検査条件の最適化を行えば、検査レシピを他の装置に転送することによって、他の装置で同一感度の検査を行うことが可能となる。更にまた、同一種類の半導体装置を複数台の検査装置で検査する場合、同じ感度での欠陥検出が可能となり、プロセス管理上のデータの信頼性を大幅に向上することができた。
(実施例2)
実施例2では、検査パラメータとして、被検査ウエハに存在する電気的な欠陥の抵抗値とウエルの静電容量を推定し、これらの検査パラメータを用いてコンタクトホール内の残膜厚を推定する方法について説明する。
図6には、図2(a)に示した標準ウエハを用いた欠陥の電気特性とコンタクトホール残膜厚を推定するフローを示した。本方法では、画像情報およびパターンの情報が演算部31で処理されて、記憶部30に記憶される。
まず、検査パラメータの数に等しい数だけ検査条件を変えて被検査ウエハの二次電子画像を取得する。本実施例では、検査パラメータが欠陥の抵抗とウエルの静電容量の2つであるので、検査条件を変えた2種類の電子線画像を取得する。最初に、検査条件Aで被検査ウエハの二次電子画像を取得する(ステップ73)。検査条件Aとしては、例えば表面の帯電電圧が5 V程度になる条件を用いる。次に、検査条件Bで被検査ウエハ72の二次電子画像を取得する(ステップ74)。検査条件Bとしては、例えば、ウエハ表面の帯電電圧が15 V程度になる条件を用いる。検査条件Aと検査条件Bは、被検査ウエハの二次電子画像のコントラストが異なるような条件が望ましい。
次に、外部サーバ32あるいは移動用記録媒体から送られて、記憶部30に保持されていた標準ウエハの画像情報を読み出す(ステップ75)。
このとき、検査条件Aと検査条件Bについて、被検査ウエハのコンタクト用電極の直径47、パターン密度48に最も近いパターンの二次電子画像情報を演算部31に読み出す。この画像情報から検査条件Aについて、図7(a)に示すように、標準ウエハの二次電子画像90の電極56領域と絶縁膜58領域のコントラストに対して、実効的なウエル42の容量43と接合44の抵抗45との対応をとる。図7(a)は、検査条件Aで標準ウェハの電位コントラスト像の測定を行ない、得られた画素信号強度を、接合抵抗とウエルの容量とをy軸、x軸とし、画素信号強度をz軸とする三次元空間上にマッピングした図である。図7(a)では、z軸はコントラストと記されているが、画素信号強度を適当な値で割って無次元量に変換すればコントラストになるので、図のz軸のコントラストは画素信号強度と等価である。次に、検査条件Aにおける被検査ウエハ72の二次電子コントラストと図7(a)に示す標準ウエハの二次電子コントラストの関連から、被検査ウエハのウエルの容量と接合の抵抗との関連77を推定する(ステップ78)。図中の実線は、マッピングしたデータにより形成される曲面を表しており、77−1で示される曲線は、マッピング曲面上でコントラストがある一定値Iaを取る曲線を意味する。本実施例では、得られた曲線を特性曲線と称する。
次に、検査条件Bを用いて取得した二次電子画像についても同様の推定を行う。まず、検査条件Bについて、図7(b)に示すように、標準ウエハの二次電子画像90の電極56領域と絶縁膜58領域のコントラストに対して、実効的なウエル42の容量43と接合44の抵抗45との対応をとる。検査条件Bにおける被検査ウエハ72の二次電子コントラストがIbであった場合、図7(b)に示した被検査ウエハのウエルの容量と接合の抵抗との関連を示す特性曲線77−2が得られる(ステップ79)。検査条件Aと検査条件Bについて各々求められた特性曲線77−1と77−2の交点から、被検査ウエハ72のウエル42の容量43と接合44の抵抗45を決定する(ステップ80)。図7(c)には、各々の特性曲線を示した。これらの演算は演算部31で演算され、記憶部30に結果が保存される。
上記のように、被検査ウエハ72に電子線照射を行った際の実効的なウエル42の容量43と接合44の抵抗45が求まったら、欠陥部の抵抗70または残膜厚71の推定を行なう。まず、記憶部30に保持されていた標準ウエハの欠陥部41の画像情報を読み出し、図8に示すように、標準ウエハ92の欠陥の抵抗70あるいは残膜厚71によるコントラストの変化から、あるウエル42の容量43と接合44の抵抗45のときの欠陥の抵抗70あるいは残膜厚71とコントラストとの関連を推定することができた。例えば、被検査ウエハ72の欠陥部のコントラストがInの場合、図8に示す関係から、欠陥の抵抗70あるいは残膜厚71を推定することができる(ステップ81)。
【0015】
被検査ウエハのコントラストと欠陥の抵抗値70あるいは残膜厚71が推定されたら、実際に被検査ウエハの検査を行なう(ステップ82)。検査中あるいは、検査後に検出された欠陥の画像情報から欠陥の抵抗70または残膜厚71を推定することができた(ステップ83)。推定された欠陥の抵抗70または膜厚71は、欠陥データとして画面28に表示される。また、欠陥の抵抗70または膜厚71にウエハ面内分布は、例えば図9に示すように、欠陥の抵抗の等高線86等を用いて画面28に表示することもできる(ステップ84)。欠陥データは記憶部30に保持され、外部サーバ32あるいは移動用記憶媒体51で他の装置に転送され、他の検査装置やプロセス管理システムにデータを入力することができる。あるいは検査を実施後、検出された欠陥の情報から上記の方法を用いて欠陥の抵抗値70あるいは残膜厚71とコントラストとの関係を推定してもよい。推定されたウエルの容量43と接合の抵抗45を持つ標準ウエハの欠陥部41および正常部40の画像情報から、最も欠陥の検出感度の高い検査条件を推定し、設定することも可能である。
【0016】
本実施例では、検査パラメータとして、ウエルの静電容量と欠陥部の電気抵抗を用いたが、その他にも、検査パラメータとしてコンタクト用電極56の直径、配線パターンの密度48等、あらゆる検査パラメータを用いることが可能である。また、本実施例では、二次電子像の画素信号強度を、ウエルの静電容量、欠陥部の抵抗値および信号強度によって張られる3次元の空間にマッピングしたが、検査パラメータの数が3以上の場合は、パラメータの数に応じた多次元空間上でマッピングを行なっても良い。
【0017】
以上述べた様に、本手法を用いることによって、欠陥の抵抗値70あるいは残膜厚71を非破壊で推定可能となった。被検査ウエハ72のウエルの容量43や接合の抵抗44は製品によって異なるので、従来は、被検査ウエハ72に形成された半導体装置の種類ごとに標準ウエハを作成する必要があったが、本手法によって、いくつかの種類のウエルの容量43や接合の抵抗44を作り込んだ標準ウエハを用いて、被検査ウエハ72のウエルの容量43や接合の抵抗44を推定可能となったので、あらゆる種類の製品に対応することが可能となった。
さらに、欠陥の抵抗値および抵抗のウエハ面内分布から、予め作成してあるデータベースから自動的に欠陥発生プロセスや要因を特定する機構を設けた。さらに、欠陥発生プロセスの加工条件を微調整する機構を設けた。例えば、ホール加工を行なうドライエッチ時間を微調整することができる。この結果、欠陥発生のプロセスやその要因を早期に特定することができるようになり、半導体製造プロセスへのフィードバックを早期に行うことが可能となった。
(実施例3)
本実施例では、標準ウエハの別の一例について説明する。図10には、本実施例における標準ウエハの構造を示した。本例は、基板に形成された接合部44にリーク87が生じるような欠陥を作り込んだ実施例である。本ウエハは、Si基板60上に、絶縁膜58とコンタクト用の電極56が形成されている。基板60には、数種類の接合44及びウエル42を形成した。
ウエル42は、例えば10−15F以上10−4F以下の容量43を数種類作り込んだ。正常部40の接合44の抵抗として、例えば106Ω以上1012Ω以下の抵抗の接合44を数種類作り込んだ。接合リーク87の欠陥41として、欠陥部の領域に例えば抵抗値106Ω以上1010Ω以下の抵抗の接合44を形成した。二次電子のコントラストはウエハ表面に露出している電極56の面積や直径、密度にも依存する。そこで、本標準ウエハには、電極56の直径、パターン密度を数種類変化させたパターンを形成してある。本標準ウエハは、接合リーク87だけでなく、他のリーク起因の欠陥の較正に使用することができる。
【0018】
図11には、標準ウエハの他の構造を示す。電極56と基板60とのコンタクト面にCoSi等の導電性の薄膜89を形成することがある。しかし、薄膜形成過程やその他の要因によって、薄膜が基板60内に拡散したり、基板に結晶欠陥が形成されるために、接合にリーク87が生じる場合がある。このようなリーク87による抵抗値を本実施例の標準ウエハを用いて、較正することが可能となった。
【0019】
【発明の効果】
従来の標準試料では、被検査ウエハと同じウエルや不純物拡散層を基板上に形成するため、被検査ウエハの構造が変わるたびに標準ウエハを作成する必要があった。また従来の標準ウエハでは、コンタクトホールの開口部に形成された残膜の評価は可能であるが、ウエハ内部に形成された導通不良やリーク等の抵抗値を推定することは困難であった。さらに、従来の検査装置は複数装置間で感度が異なるため、装置によって二次電子コントラストや欠陥の検出感度が異なるという問題があった。このため、複数台の装置を使用する場合でも、装置ごとに最適な検査条件を設定しなければならないという問題があった。
【0020】
これに対して本方法を用いることによって、被検査ウエハのウエルの容量や拡散層の抵抗等によらず、あらゆる種類の製品に対応して、欠陥の抵抗値あるいは残膜厚を非破壊で推定可能となった。この結果、欠陥発生のプロセスやその要因を早期に特定することができるようになり、半導体製造プロセスへのフィードバックを早期に行うことが可能となった。また、装置の感度較正を行なうことによって、標準ウエハを検査したときの欠陥検出率の変化から、装置の検出感度の状態を日々管理することができるようになり、本装置の異常を早期に発見可能となった。また、複数装置間の感度較正を行うことによって、一度、検査条件の最適化を行えば、検査レシピを他の装置に転送することによって共有化可能となり、他の装置で同一感度の検査を行うことが可能となった。また、同一種類の半導体装置を複数台の検査装置で検査する場合、同じ感度での欠陥検出が可能となり、プロセス管理上のデータの信頼性を大幅に向上することができた。
【0021】
この結果、半導体プロセス開発期間および歩留まり向上期間を大幅に短縮できるようになり、半導体装置の信頼性および生産性を高めることが可能となった。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明で用いた半導体検査装置の1例を示す構成図。
【図2】本発明の標準ウエハの断面構造の一例を示す説明図。
【図3】本発明の装置感度較正フローの一例。
【図4】電子線照射エネルギー較正方法の説明図。
【図5】二次電子コントラストの較正方法の説明図。
【図6】本発明で用いた欠陥の抵抗値を推定する方法のフロー。
【図7】被検査ウエハのウエルの容量と接合の抵抗値を推定する方法の説明図。
【図8】標準ウエハにおける二次電子コントラストの欠陥の抵抗値による変化。
【図9】検査結果表示方法の一例。
【図10】本発明の標準ウエハの断面構造の他の一例を示す説明図。
【図11】本発明の標準ウエハの断面構造の他の一例を示す説明図。
【符号の説明】
1・検査装置、2・電子光学系、3・ステージ、4・ウエハ搬送系、5・真空排気系、6・光学顕微鏡、7・制御系、8・操作部、9・電子銃、10・コンデンサレンズ、11・対物レンズ、12・検出器、13・ウエハ上面の電極、14・偏向器、15・高さセンサ、16・XYステージ、17・ウエハホルダ、18・ウエハ、19・リターディング電源、20・ウエハカセット、21・ウエハローダ、22・信号検出系制御部、23・ブランキング制御部、24・ビーム偏向補正部、25・電子光学系制御部、26・高さ検出系、27・ステージ制御部、28・操作画面、29・画像処理部、30・記憶部、31・演算部、32・外部サーバ、33・電極制御部、34・標準ウエハ、35・照射エネルギー、36・電流値、37・走査速度、38・走査範囲、39・検査条件、40・正常部、41・欠陥部、42・ウエル、43・容量、44・接合、45・抵抗、46・容量、47・電極の直径、48・パターン密度、49・パターン情報、50・画像情報、51・移動用記憶媒体、52・導電性パターン、53・ウエハの電流、54・標準ウエハ、55・二次電子画像、56・コンタクト用電極、57・薄膜、58・絶縁膜、59・非導通欠陥、60・基板、61・標準ウエハを指定、62・ウエハ情報読み出し、63・電子線照射条件較正、64・電流値較正、65・照射エネルギー較正、66・非点焦点の調整、67・二次電子検出系の調整、68・電極の調整、69・二次電子信号量の較正、70・欠陥の抵抗値、71・残膜厚、72・被検査ウエハ、73・検査条件Aの画像取得、74・検査条件Bの画像取得、75・標準ウエハの画像読み出し、76・ウエルと抵抗の関係を算出、77・ウエルの容量と接合抵抗の関係、78・検査条件Aでの関連、79・検査条件Bでの関連、80・ウエルの容量と接合抵抗を推定、81・被検査ウエハの関連を推定、82・被検査ウエハを検査、83・陥の抵抗あるいは残膜厚を推定、84・ウエハマップ表示、85・素子分離、86・等高線、87・リーク、88・接合、89・薄膜、90・標準ウエハの二次電子画像、91・被較正装置の二次電子画像。
Claims (13)
- 配線パターンと該配線パターンの電気的欠陥とが形成された標準試料を用いて所望の検査パラメータ→欠陥部の抵抗値を推定する半導体の検査方法であって、
前記標準試料に第1の照射条件で電子線を照射して第1の電子線画像を取得し、
画像中の画素信号強度と前記検査パラメータとを座標軸とする空間に対し、前記第1の電子線画像の欠陥箇所の画素信号強度をマッピングすることにより、分布1を求め、
前記標準試料に第2の照射条件で電子線を照射して第2電子線画像を取得し、
前記空間に対し、該第2の電子線画像の欠陥箇所の画像信号強度をマッピングすることにより、分布2を求め、
被検査試料に前記第1の照射条件で電子線を照射して第3の電子線画像を取得し、
該被検査試料に前記第2の照射条件で電子線を照射して第4の電子線画像を取得し、
前記空間上で、信号強度が前記第3の電子線画像中の欠陥箇所の画素信号強度に等しい面と前記分布1との交線1を求め、
前記空間上で、信号強度が前記第4の電子線画像中の欠陥箇所の画素信号強度に等しい面と前記分布2との交線を求め、
前記交線1と前記交線2との交点を求め、該交点の座標から検査パラメータの値を推定することを特徴とする半導体の検査方法。 - 配線パターンと該配線パターンの電気的欠陥とが形成された標準試料を用いて所望の検査パラメータの値を求める半導体の検査方法であって、
前記標準試料に対し、電子線の照射条件を前記検査パラメータの数に等しい回数だけ変えて照射することにより、複数の電子線画像を取得し、
前記電子線画像における欠陥箇所の画像信号強度を、前記検査パラメータを座標軸とする多次元空間に対してマッピングすることにより、前記複数の照射条件に対応する複数の標準ウエハの欠陥箇所信号強度分布を求め、
被検査試料に対し前記複数の照射条件で電子線を照射して電子線画像を取得し、
前記標準ウエハの欠陥箇所信号強度分布と、対応する照射条件下で得られた被検査試料の画像信号における欠陥箇所信号強度に等しい面で切った時に得られる交線を求め、
該交線を前記複数の標準ウエハの欠陥箇所信号強度分布に対して求め、
得られた複数の交線間の交点の座標を求めることにより、前記所望の検査パラメータの値を推定することを特徴とする半導体の検査方法。 - 請求項1に記載の半導体の検査方法において、
前記標準試料としてウエルと不純物拡散層が形成された試料を用い、
前記検査パラメータとして、前記ウエルの静電容量と該拡散層の抵抗値を用いることを特徴とする半導体の検査方法。 - 請求項1に記載の半導体の検査方法において、
前記分布1および分布2を予め取得して記憶手段に格納しておき、
被検査試料の検査を行なう毎に、格納された分布1と分布2とを読み出して、検査パラメータの値を推定することを特徴とする半導体の検査方法。 - 請求項1に記載の半導体の検査方法において、
前記標準試料として、複数のコンタクトホールが作り込まれた標準試料を用い、
該複数のコンタクトホールは各々膜厚の異なる非導電成膜が底部に形成され、
前記標準試料の所望のコンタクトホール箇所の画素信号強度の前記残膜厚に対する較正曲線を予め求めておき、
前記被検査試料の欠陥箇所の画素信号強度と前記較正曲線とを比較することにより、被検査試料のコンタクトホールの残膜厚を推定することを特徴とする半導体の検査方法。 - 請求項1に記載の半導体の検査方法において、
前記第3の電子線画像および第4の電子線画像を画面に表示し、
入力手段により特定される画像中の欠陥箇所の画素信号強度の平均強度を計算し、
前記第3の電子線画像または第4の電子線画像の欠陥箇所の画素信号強度として、該平均強度を用いることを特徴とする半導体の検査方法。 - 配線パターンと該配線パターンの電気的欠陥とが形成された標準試料を用いて所望の検査パラメータの値を推定する機能を備えた半導体検査装置において、
前記標準試料に第1の照射条件および第2の照射条件で電子線を照射して得られた第1の電子線画像および第2の電子線画像が格納された記憶手段と、
被検査試料を保持する試料ステージと、
該被検査試料に対し電子線を照射し電子線画像を取得する手段と、
得られた電子線画像の画素信号を演算する演算部とを有し、
前記記憶手段には、
前記検査パラメータとを座標軸とする空間上で、前記第1の電子線画像の欠陥箇所の画像信号強度がマッピングされた分布1と、前記空間上で、前記第2の電子線画像の欠陥箇所の画像信号強度がマッピングされた分布2とが格納され、
該演算部は、前記検査パラメータとを座標軸とする空間上で、被検査試料に前記第1の照射条件で電子線を照射して得られる第3の電子線画像中の欠陥箇所の画素信号強度に等しい面と前記分布1との交線1を求め、
前記被検査試料に前記第2の照射条件で電子線を照射して得られる第4の電子線画像中の欠陥箇所の画素信号強度に等しい面と前記分布2との交線2を求め、
前記交線1と前記交線2との交点を求め、該交点の座標から前記検査パラメータの値を推定することを特徴とする半導体検査装置。 - 請求項7に記載の半導体検査装置において、前記第3の電子線画像ないし第4の電子線画像を表示する表示手段と、
前記第3の電子線画像ないし第4の電子線画像の欠陥箇所を特定するための画面入力手段とを備えたことを特徴とする半導体検査装置。 - 半導体基板上に形成された配線パターンと、該配線パターン上に形成された複数の種類の電気的欠陥部とを有することを特徴とする標準ウエハ。
- 請求項9に記載の標準ウエハにおいて、
複数のコンタクトホール内に形成された電極と、該電極の下に形成された非導電性膜とを有し、
前記非導電成膜の膜厚は、前記複数のコンタクトホール毎に各々異なることを特徴とする標準ウエハ。 - 請求項9に記載の標準ウエハにおいて、
前記電気的欠陥として、前記半導体基板と前記配線パターンの接合部にリークが生じていることを特徴とする標準試料。 - 請求項9に記載の標準ウエハにおいて、
第1のコンタクトホール内に形成された第1の電極と、第2のコンタクトホール内に形成された第2の電極と、前記第1の電極と第2の電極とをショートする導電膜とを備えたことを特徴とする標準ウエハ。 - 請求項9から12のいずれか1項に記載の標準ウエハを用いて感度較正が行なわれた半導体検査装置。
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JP2008034475A (ja) * | 2006-07-26 | 2008-02-14 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
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