JP2003075512A - テスト用半導体装置の動作確認方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】内部セルの定電圧動作確認を容易にする。 【解決手段】測定電圧ＶＨを印加して第１の出力データ
が第１の入力データを得る。次に、測定電圧ＶＬを印加
して第２の入力データを加えて第２の出力データを得
る。次に、フリップフロップ１８へのクロックを印加し
ないで得た第３の出力データと第２の出力データを比較
し、第２の入力データと一致するとき、内部セルが自身
の最低保証動作電圧でも正常動作と判断する。第２の測
定モードでは、「１」を入力したので、第３の測定モー
ドでの第３の出力データが「１」であれば、データ出力
用Ｉ／Ｏセルが静電気などによる影響を受けていたとし
ても、内部セルは最低保証動作電圧で正しく動作してい
ると判断できる。このように静電気による影響を受けて
いるような場合を想定した特殊な条件下でも、この第３
の出力データを調べることで、内部セルの低電圧動作確
認を正しく行うことができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、テスト用半導体
装置の動作確認方法に関する。詳しくは、内部セルの後
段にフリップフロップ回路を接続して、フリップフロッ
プ回路への入力情報の確認を行えるようにすることで、
データ出力用Ｉ／Ｏセルが静電破壊などによって影響を
受けていることを想定した場合でも、内部セルの動作を
確認できるようにしたものである。

【０００２】

【従来の技術】ＬＳＩやその他の半導体装置では、量産
体制に入る前に半導体装置内に組み込まれるＲＯＭやＲ
ＡＭなどの内部セルの動作が設計通りに動作するかどう
かを確認するため、テスト用の半導体装置を造り、この
テスト用半導体装置を用いて各種測定を行い、設計値通
りとなるようにテスト用半導体装置の製造プロセスに対
してフィードバックをかけ、量産体制の半導体装置とな
るようにテストを繰り返し行っている。

【０００３】そのため、このテスト用として製造される
半導体装置は図４に示すように、データ入力用として使
用する複数のＩ／Ｏセル１４と、このデータ入力用Ｉ／
Ｏセル１４に接続されたテストを行うべき内部セル１２
と、内部セル１２の出力を受けるデータ出力用としての
複数のＩ／Ｏセル１６を有する。そして、Ｉ／Ｏセル１
４，１６と内部セル１２にそれぞれ所定の動作電圧（測
定電圧）を与えて、各種の電気的諸特性を測定する。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】上述したテスト用半導
体装置では各種の検査を行う必要があるが、そのうちの
１つの検査項目として、内部セル１２にその最低保証動
作電圧Ｖccmin-cを印加したとき、この内部セル１２が
正常に動作するかどうかの確認を行っている。

【０００５】一般に内部セル１２の最低保証動作電圧
（セル動作電圧）Ｖccmin-cは、図５Ａに示すように入
出力用Ｉ／Ｏセル１４，１６の最低保証動作電圧（Ｉ／
Ｏ動作電圧）Ｖccmin-i、Ｖccmin-oよりも高いのが普通
である。

【０００６】これに対し、Ｉ／Ｏセル１４，１６に関し
ては、静電破壊等による内部セル１２への影響を考慮し
て、データ入力用Ｉ／Ｏセル１４の最低保証動作電圧Ｖ
ccmin-iと、データ出力用Ｉ／Ｏセル１６の最低保証動
作電圧Ｖccmin-oとは同じ値となるように設計されてい
るのが普通である。したがって通常は、 Ｖccmin-i＝Ｖccmin-o＜Ｖccmin-c ・・・・（１） のような電位関係になっている。

【０００７】ところで、半導体装置１０は多数のプロセ
スを経て最終的に完成され出荷されるものであるから、
その製造プロセスの中では、例えば搬送系で半導体装置
１０に静電気が印加されるような事態が発生することが
ある。このとき、静電保護強度はデータ入力用Ｉ／Ｏセ
ル１４の方がデータ出力用Ｉ／Ｏセル１６よりも強くな
るように設計されているので、データ出力用Ｉ／Ｏセル
１６の方が静電気による影響を受け易い。

【０００８】静電気の影響を受けた場合でもデータ出力
用Ｉ／Ｏセル１６の動作としては支障を来さないことが
多い。しかし、この場合にはデータ出力用Ｉ／Ｏセル１
６の動作電圧としては設定値よりも高くなっていること
が経験的に認められ、電位関係が以下のように変動する
ことがある。 Ｖccmin-i＜Ｖccmin-c＜Ｖccmin-o ・・・・・（２）

【０００９】このように静電気の影響を受けたときでも
内部セル１２は正常に動作する場合が多いことも経験的
に知られているが、静電気の影響によって正常に動作し
ない内部セルも存在する。

【００１０】したがって、半導体装置をテストするに当
たっては、このような事態も想定した上でテストする必
要がある。ここで、上述した電位関係は、 Ｖccmin-i＝０．６Ｖ Ｖccmin-c＝０．８Ｖ Ｖccmin-o＝１．０Ｖ のようになる場合がある（図５Ｂ参照）。

【００１１】テストするときには、予めこのような電位
関係を設定した上で行う。そのため、図４に示すよう
に、電気的諸特性を測定するに当たっては、タイミング
信号発生手段２０が設けられ、ここで生成された少なく
とも入力データ、クロックＣＫｃおよび駆動電圧などが
テスト用半導体装置１０に印加される。

【００１２】そのため、データ入力用Ｉ／Ｏセル１４の
特定のＩ／Ｏセル１４ｉには端子１３ｉより論理レベル
が「０」または「１」の入力データが内部セル１２のＤ
端子に供給される。Ｉ／Ｏセル１４ｃには端子１３ｃよ
りクロックＣＫｃが入力し、また別のＩ／Ｏセル１４ｖ
には端子１３ｖを介して駆動電圧（測定電圧）が供給さ
れ、それぞれ内部セル１２の対応する端子に印加され
る。そして、内部セル１２の出力データは特定のデータ
出力用Ｉ／Ｏセル１６ｏを介して端子１７ｏに導出され
る。

【００１３】さて、このような電位関係にあったとき、
内部セル１２の動作状態を確認するには、少なくとも内
部セル１２の最低保証動作電圧Ｖccmin-c（上例では
０．８Ｖ）を印加した状態で行われなければならない。

【００１４】ところが、この最低保証動作電圧Ｖccmin-
cではデータ出力用Ｉ／Ｏセル１６の動作電圧Ｖccmin-o
がこれよりも高いので（上例では、１．０Ｖ）、データ
出力用Ｉ／Ｏセル１６の動作が安定しない。したがっ
て、内部セル１２の最低保証動作電圧Ｖccmin-cを測定
電圧として使用すると共に、そのときのデータ出力用Ｉ
／Ｏセル１６の出力を測定しただけでは、データ出力用
Ｉ／Ｏセル１６が正常に動作する最低保証動作電圧が、
内部セルのそれよりも高い電圧（上例では１．０Ｖ）で
ある以上、内部セル１２が正常に動作しているかどうか
を確実に確認できない。

【００１５】そこで、この発明はこのような従来の課題
を解決したものであって、特に静電気などによる影響に
よってデータ出力用Ｉ／Ｏセルの動作電圧Ｖccmin-oが
内部セルの最低保証動作電圧Ｖccmin-cよりも高くなっ
てしまったような特殊な条件を想定した場合でも、内部
セル自身の最低保証動作電圧Ｖccmin-cによってもこの
内部セルが正常に動作するかを確認できるようにしたテ
スト用半導体装置の動作確認方法を提案するものであ
る。

【００１６】

【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するた
め、請求項１に記載したこの発明に係るテスト用半導体
装置の動作確認方法では、内部セルと、データ入出力用
のＩ／Ｏセルを有すると共に、初期条件では上記内部セ
ルの最低保証動作電圧が、上記Ｉ／Ｏセルの最低保証動
作電圧よりも高く設定されているが、静電気などによる
影響によってデータ出力用Ｉ／Ｏセルの動作電圧が、上
記内部セルの最低保証動作電圧よりも高くなったことを
想定したときのテスト用半導体装置の動作確認方法であ
って、上記データ出力用Ｉ／Ｏセルの動作電圧と同じ電
圧を印加したときのデータ出力用Ｉ／Ｏセルから得られ
る第１の入力データに対する第１の出力データと、上記
内部セルの最低保証動作電圧と同じ電圧を印加したとき
のデータ出力用Ｉ／Ｏセルから得られる第２の入力デー
タに対する第２の出力データと、上記内部セルに動作ク
ロックを供給しない状態で上記データ出力用Ｉ／Ｏセル
の動作電圧と同じ電圧を印加したときに上記データ出力
用Ｉ／Ｏセルから得られる第３の出力データとに基づい
て、上記データ出力用Ｉ／Ｏセルの動作電圧がその最低
保証動作電圧よりも高くなったときを想定したときにお
ける上記内部セルの動作状態を確認するようにしたこと
を特徴とする。

【００１７】この発明では、Ｉ／Ｏセルと内部セルなど
の電位関係が後述する電位関係を満足するとき、第１の
測定電圧を印加して第１の出力データが入力したデータ
（第１の入力データ）と同じであることをまず確認す
る。

【００１８】次に、第２の出力データを得るために印加
した入力データの値（第２の入力データ）と、第３の出
力データとを比較し、第３の出力データが第２の入力デ
ータと一致するときには、データ出力用Ｉ／Ｏセルが静
電気による影響を受けているような場合でも、内部セル
が自身の最低保証動作電圧Ｖccmin-cでも正常動作して
いるものと判断し、そうでないときには異常動作してい
るものと判断する。

【００１９】具体的には、測定電圧を切り替えて試験を
行う。つまり、第１の測定モードでは、データ出力用Ｉ
／Ｏセル１６の静電気などによる影響を受けることによ
って変動したと思われる動作電圧（以下仮想電圧とい
う）か、これよりも高い第１の測定電圧をテスト用半導
体装置に印加する。そして入出力のＩ／Ｏセルと内部セ
ルの双方に動作クロックを印加した状態で、例えば論理
レベル「０」のデータ（第１のデータ）を加えたときデ
ータ出力用Ｉ／Ｏセルから第１の出力データを得る。

【００２０】第１の出力データが入力データと同じ値
「０」であることを確認する。これは、第１の測定電圧
ではＩ／Ｏセル、内部セルおよびフリップフロップ回路
の全てが正常に動作していることを確認するためであ
る。

【００２１】次に第２の測定モードでは、内部セルの最
低保証動作電圧Ｖccmin-cと同じ第２の測定電圧をＩ／
Ｏセルと内部セルの双方に印加する。そしてＩ／Ｏセル
と内部セルの双方に動作クロックを印加した状態で、論
理レベルが「１」のデータを加えたときにデータ出力用
Ｉ／Ｏセルから第２の出力データを得る。第２の出力デ
ータは特に測定用としては参照しない。

【００２２】第３の測定モードでは、動作クロックを入
力しない状態で、第１の測定電圧をＩ／Ｏセルと内部セ
ルの双方に印加したときのデータ出力用Ｉ／Ｏセルから
第３の出力データを得る。

【００２３】第２の測定電圧を加えたとき内部セルが正
常に動作しているかどうかは不明である。しかし、具体
的には内部セルの後段にフリップフロップ回路を設ける
ことによって、第２の測定モードにおける内部セルの出
力レベルを保持できるので、第３の測定モードのときに
第１の測定電圧を印加した状態で、動作クロックを止め
れば、第２の測定電圧を加えたときの内部セルの出力の
状態を知ることができる。

【００２４】第２の測定モードでは、論理レベル「１」
を入力したので、第３の測定モードでの第３の出力デー
タが論理レベル「１」であれば、データ出力用Ｉ／Ｏセ
ルが静電気などによる影響を受けていたとしても、内部
セルは最低保証動作電圧で正しく動作していると判断で
きる。

【００２５】しかし、第３の出力データが論理レベル
「０」であれば、内部セルは最低保証動作電圧では正し
く動作していないことが判るので、データ出力用Ｉ／Ｏ
セルが静電気による影響を受けているような場合を想定
した特殊な条件下でも、この第３の出力データを調べる
ことで、内部セルの低電圧動作確認（低電圧試験）を正
しく行うことができる。

【００２６】

【発明の実施の形態】続いて、この発明に係るテスト用
半導体装置の動作確認方法の一実施形態を図面を参照し
て詳細に説明する。この発明に係るテスト用半導体装置
の動作確認方法は、特に入出力何れかのＩ／Ｏセルが静
電気などの影響を受けている場合を想定したときの動作
確認方法である。

【００２７】図１はこの発明に係るテスト用半導体装置
の動作確認方法を実現するための測定システム３０の実
施の形態である。テスト用半導体装置１０は内部セル１
２を有する。内部セル１２としてはＲＡＭやＲＯＭなど
のメモリセルや、演算回路などである。

【００２８】複数の外部端子１３と内部セル１２との間
にはデータ入力用として用いられるＩ／Ｏセル（データ
入力用Ｉ／Ｏセル）１４が設けられる。特定の入力Ｉ／
Ｏセル１４ｖは測定用電圧の電圧供給セルとして機能
し、電源端子１３ｖを介して入力Ｉ／Ｏセル１４ｖに供
給され、これよりその他の入力Ｉ／Ｏセル１４を始めと
して、複数のデータ出力用Ｉ／Ｏセル１６、内部セル１
２およびテスト用に設けられた回路素子に対して、共通
に測定電圧が供給される。

【００２９】データ出力用としてデータ出力用Ｉ／Ｏセ
ル１６が設けられる。さらにこの発明では、内部セル１
２とデータ出力用Ｉ／Ｏセル１６の間に、内部セル１２
の出力を受けるフリップフロップ回路１８が設けられ
る。このフリップフロップ回路１８は内部セル１２自身
に最低保証動作電圧Ｖccmin-cを加えたときのこの内部
セル１２自身の動作状態を確認できるようにするための
ものである。

【００３０】外部端子１３ｃに供給された動作クロック
ＣＫｃは、データ入力用Ｉ／Ｏセル１４ｃを介して内部
セル１２にセル用クロックとして供給される。同じく外
部端子１３ｆに供給された動作クロックＣＫｆは、デー
タ入力用Ｉ／Ｏセル１４ｆを介してフリップフロップ回
路１８にデータ処理用クロックとして供給される。

【００３１】テスト用半導体装置１０に対しては、低電
圧試験による動作確認を行うために使用されるテスト信
号発生手段２０が接続される。このテスト信号発生手段
２０からは上述したように、第１および第２の論理レベ
ルを有する入力データＤ（Ｄａ、Ｄｂ）が出力される
他、電源端子１３ｖに印加する第１と第２の測定電圧Ｖ
Ｈ、ＶＬが出力される。

【００３２】第１の測定電圧ＶＨは、静電気などによる
影響を受けてデータ出力用Ｉ／Ｏセル１６の動作電圧が
その最低保証動作電圧よりも高いときの仮想電圧か、そ
れ以上の電圧である。この実施の形態では仮想電圧が第
１の測定電圧ＶＨに設定される。第２の測定電圧ＶＬと
しては、内部セル１２の最低保証動作電圧Ｖccmin-iに
設定される。

【００３３】外部端子１３ｉにはテスト信号発生手段２
０より動作確認用の入力データＤａ、Ｄｂが供給され
る。この入力データＤａ、Ｄｂはデータ入力用Ｉ／Ｏセ
ル１４ｉを介して内部セル１２のデータ端子Ｄに供給さ
れる。

【００３４】さて、このように構成された測定システム
２０を利用して、この発明に係る動作確認方法の実施の
形態を図２および図３を参照しながら説明する。この実
施の形態では、静電気などによる影響（例えば静電破
壊）を受けることによってＩ／Ｏセルのうち、データ出
力用Ｉ／Ｏセル１６側の動作電圧が上昇したような場合
を想定する。そして第１の測定電圧ＶＨを印加したとき
のデータ出力用Ｉ／Ｏセル１６ｏから得られる第１の出
力データと、第２の測定電圧ＶＬを印加したときのデー
タ出力用Ｉ／Ｏセル１６ｏから得られる第２の出力デー
タと、内部セル１２に動作クロックＣＫｃを供給しない
状態で第１の測定電圧と同じ電圧ＶＨを印加したときデ
ータ出力用Ｉ／Ｏセル１６ｏから得られる第３の出力デ
ータとに基づいて、静電気などによる影響を受けたよう
な特殊条件下における低電圧印加時での内部セル１２の
動作状態を確認する。

【００３５】そして、第３の出力データが第２の出力デ
ータと一致するときには、静電気などによる影響を受け
たような場合でも、最低保証動作電圧Ｖccmin-cで内部
セル１２が正常動作しているものと判断し、そうでない
ときには異常動作しているものと判断する。ただし、こ
のときの内部セル１２やＩ／Ｏセル１４，１６などの電
位関係は図２に示すような関係となされているものとす
る。

【００３６】まず第１に、当初はデータ入出力用Ｉ／Ｏ
セル１４、１６は共に最低保証動作電圧Ｖccmin-i、Ｖc
cmin-oは等しい。第２に、静電破壊などの要因で、デー
タ出力用Ｉ／Ｏセル１６の方の動作電圧が高くなってい
る。しかも、その値は半導体装置１０に印加する電圧と
しては、最も高い電圧となっている。第３に、内部セル
１２の後段に設けられるフリップフロップ回路１８の最
低保証動作電圧Ｖccmin-ｆは、例えばこの例ではデータ
入力用Ｉ／Ｏセル１４の最低保証動作電圧Ｖccmin-iよ
りも高く、内部セル１２の最低保証動作電圧Ｖccmin-c
よりも低い値となっている。

【００３７】この実施の形態では、半導体装置１０の電
位関係をこのような関係にあるものとして説明する。図
２はそのときの具体的な電圧値を示す。そしてこのよう
な電位関係にあるとき、第１および第２の測定電圧Ｖ
Ｈ、ＶＬは図２のように、第１の測定電圧ＶＨがデータ
出力用Ｉ／Ｏセル１６の仮想電圧Ｖccmin-oに選ばれ、
第２の測定電圧ＶＬが内部セル１２の最低保証動作電圧
Ｖccmin-cに選ばれる。

【００３８】この発明では以下のような３つの測定モー
ドを順次経緯することで、内部セル１２の動作状態を確
認する。動作を確認すべき内部セル１２としては、上述
したようにＲＡＭなどのメモリセルであるものとする。
図３を参照して説明する。

【００３９】（１）第１の測定モード 第１の測定モード（１）では、外部端子１３ｖに第１の
測定電圧ＶＨが供給される。このとき外部端子１３ｉに
は第１の論理レベルを有する入力データＤａが供給され
る。この例では「０」が第１の論理レベルである。

【００４０】入力データＤａ（図３Ａ参照）が所定のタ
イミング（時点ｔａ）に外部端子１３ｉに供給される
と、それより僅かに遅れた時点で内部セル１２のデータ
端子Ｄにこの入力データＤａが取り込まれる（図２
Ｂ）。

【００４１】内部セル１２には適当なタイミング（図で
は時点ｔｂ）に動作クロックＣＫｃが供給されるので
（図２Ｃ）、これよりも僅かに遅れた時点で内部セル１
２の出力端子Ｑからは、取り込まれたデータが出力デー
タＱａとして出力される（図２Ｄ）。

【００４２】この出力データＱａはフリップフロップ回
路１８の入力データとなるので、このフリップフロップ
回路１８に供給される動作クロックＣＫｆ（図２Ｅ）の
タイミング（時点ｔｃ）で、フリップフロップ回路１８
の非反転端子Ｑから出力データＱｂが出力される（図２
Ｆ）。この出力データＱｂはデータ出力用Ｉ／Ｏセル１
６ｏを介して外部端子１７ｏより読み出される（図２
Ｇ）。

【００４３】外部端子１７ｏより読み出された出力デー
タが入力データＤと同じ論理レベルであることを確認す
る。つまり、出力データの論理レベルが「０」であるこ
とを確認する。これによって、第１の測定電圧ＶＨでは
半導体装置１０の内部素子が、静電破壊などの影響があ
ったとしても正常に動作していることを確認できる。

【００４４】（２）第２の測定モード この測定モード（２）でも、第１の測定モード（１）と
同じような処理が行われる。ただし、使用する動作電圧
は第２の測定電圧ＶＬであり（図３Ｈ）、外部端子１３
ｉに供給される入力データＤは第２の論理レベルを有す
るデータＤｂである点が相違する。その他は同じような
タイミングｔｄでデータの入力が行われ、同じようなタ
イミングｔｅ，ｔｆで動作クロックＣＫｃ、ＣＫｆが供
給される（図３Ｃ，Ｅ）。そして、タイミングｔｆより
僅かに遅れた時点でデータ出力用Ｉ／Ｏセル１６ｏ側か
らデータＱｂが出力される（図３Ｇ）。

【００４５】ここで、この測定モード（２）での測定電
圧はＶＬである。図２からも明らかなようにこの電圧は
データ出力用Ｉ／Ｏセル１６の仮想電圧よりも低い。仮
想電圧よりも低い電圧で動作させたときには、少なくと
もデータ出力用Ｉ／Ｏセル１６が正常に動作しているか
どうかを確認することが困難であるため、この第２の測
定モード（２）のときに外部端子１７ｏに出力される出
力データは不確かなものである。したがって、この第２
の測定モード（２）のとき得られた第２の出力データは
測定データとしては参照しない。

【００４６】（３）第３の測定モード この測定モード（３）では、第１の測定モード（１）と
同じ動作電圧ＶＨが印加されると共に、入力データＤも
第１の論理レベルを有するデータＤａが使用され、内部
セル１２から取り込んだデータＤａを出力させるが、フ
リップフロップ回路１８には動作クロックＣＫｆは供給
されない（図３Ｅ参照）。

【００４７】クロックＣＫｆが供給されないためフリッ
プフロップ回路１８ではデータの取り込み動作が行われ
ない。その結果、フリップフロップ回路１８の出力デー
タＱｂは変動せず、第２の測定モード（２）のときに非
反転端子Ｑより出力されたデータＱｂそのものである。

【００４８】非反転端子Ｑより出力されたデータＱｂが
「１」であるときには、第３の出力データも「１」とな
り、これは第２の測定モード（２）での入力データその
ものである。したがって内部セル１２は入力データ
「１」を取り込み、このデータ「１」を出力して、フリ
ップフロップ回路１８のＤ端子に加え、フリップフロッ
プ回路１８ではＤ端子の入力データを非反転端子Ｑより
出力していることが判る。つまり内部セル１２はデータ
出力用Ｉ／Ｏセル１６が静電破壊などによって影響され
たとしても、内部セル１２の最低保証動作電圧Ｖccmin-
cで正常に動作していると判断できる。

【００４９】これに対して、非反転端子Ｑより出力され
たデータＱｂが「０」であるときには、第３の出力デー
タも「０」となり、これは第２の測定モード（２）での
入力データとは異なった論理レベルを有するデータであ
る。したがって内部セル１２は入力データ「１」を取り
込んだものの、出力データとしては論理レベル「０」を
出力したことになる。この出力データ「０」がフリップ
フロップ回路１８のＤ端子に加えられる。

【００５０】フリップフロップ回路１８の最低保証動作
電圧Ｖccmin-ｆは、内部セル１２の最低保証動作電圧Ｖ
ccmin-cよりも低いので、第２の測定電圧ＶＬではこの
フリップフロップ回路１８は正常に動作していると考え
られる。

【００５１】したがって、フリップフロップ回路１８で
はＤ端子の入力データそのものを非反転端子Ｑより出力
するので、第２の測定モード（２）での入力データとは
異なった論理レベルの出力データが外部端子１７ｏに得
られたときには、内部セル１２は、その最低保証動作電
圧Ｖccmin-cでは正常に動作していないものと判断でき
る。

【００５２】これによって、データ出力用Ｉ／Ｏセル１
６が静電破壊などによる影響を受け、その動作電圧が仮
想電圧のように上昇しているような場合でも、内部セル
１２がその最低保証動作電圧Ｖccmin-cで正常に動作し
ているか否かを確実に検出できる特徴を有する。

【００５３】上述した実施の形態では、内部セル１２と
してメモリセルを例示したが、そのほかの半導体装置に
対する動作確認方法にも適用できることは容易に理解で
きる。静電気などによる影響を受けたときに上昇する電
圧としてこの実施の形態では図２に示すような値を仮想
電圧として示したが、これはあくまで例示的な値であ
る。したがってこの仮想電圧によっては、半導体装置１
０をテストするときに使用する測定電圧ＶＨ、ＶＬの値
が相違することは容易に理解できる。第１の測定電圧Ｖ
Ｈの値も一例である。

【００５４】

【発明の効果】以上説明したようにこの発明に係るテス
ト用半導体装置の動作確認方法は、入出力何れかのＩ／
Ｏセルが静電気などの影響を受けている場合を想定した
ときの動作確認方法であって、第１の測定電圧を印加し
て第１の出力データを得、次に、第２の出力データを得
るために印加した第２の入力データと、第３の出力デー
タとを比較する。そして、第３の出力データが第２の入
力データと一致するときには、データ出力用Ｉ／Ｏセル
が静電気などによる影響を受けているような場合でも、
内部セルが低電圧Ｖccmin-cで正常動作しているものと
判断し、そうでないときには異常動作しているものと判
断するようにしたものである。

【００５５】これによって、データ出力用Ｉ／Ｏセルが
静電気などによる影響を受け、その動作電圧が仮想電圧
のように上昇しているような場合でも、内部セルがその
最低保証動作電圧Ｖccmin-cで正常に動作しているか否
かを確実に検出できる特徴を有する。

【００５６】したがってこの発明では、Ｉ／Ｏセルが静
電破壊してその動作電圧が影響を受けているような場合
を想定して、半導体装置をテストすることができるの
で、特殊条件下での動作確認方法などに適用して極めて
好適である。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明に係るテスト用半導体装置の動作確認
方法を実現するために使用される測定システムの実施の
形態を示す要部の系統図である。

【図２】テスト用半導体装置の最低保証動作電圧の関係
および測定電圧の関係を示す図である。

【図３】動作確認方法の実施の形態を示すタイミングチ
ャートである。

【図４】従来の動作確認方法に使用されるテスト用半導
体装置の要部の構成図である。

【図５】最低保証動作電圧と静電気などによる影響を受
けたときの動作電圧の関係を示す図である。

【符号の説明】 １０・・・テスト用半導体装置、１２・・・内部セル、
１４・・・データ入力用Ｉ／Ｏセル、１６・・・・デー
タ出力用Ｉ／Ｏセル、１８・・・フリップフロップ回
路、２０・・・テスト信号発生手段

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 内部セルと、データ入出力用のＩ／Ｏセ
   ルを有すると共に、初期条件では上記内部セルの最低保
   証動作電圧が、上記Ｉ／Ｏセルの最低保証動作電圧より
   も高く設定されているが、静電気などによる影響によっ
   てデータ出力用Ｉ／Ｏセルの動作電圧が、上記内部セル
   の最低保証動作電圧よりも高くなったことを想定したと
   きのテスト用半導体装置の動作確認方法であって、 上記データ出力用Ｉ／Ｏセルの動作電圧と同じ電圧を印
   加したときのデータ出力用Ｉ／Ｏセルから得られる第１
   の入力データに対する第１の出力データと、 上記内部セルの最低保証動作電圧と同じ電圧を印加した
   ときのデータ出力用Ｉ／Ｏセルから得られる第２の入力
   データに対する第２の出力データと、 上記内部セルに動作クロックを供給しない状態で上記デ
   ータ出力用Ｉ／Ｏセルの動作電圧と同じ電圧を印加した
   ときに上記データ出力用Ｉ／Ｏセルから得られる第３の
   出力データとに基づいて、上記データ出力用Ｉ／Ｏセル
   の動作電圧がその最低保証動作電圧よりも高くなったと
   きを想定したときにおける上記内部セルの動作状態を確
   認するようにしたことを特徴とするテスト用半導体装置
   の動作確認方法。
2. 【請求項２】 上記第３の出力データが上記第２の入力
   データと一致するときには、上記データ出力用Ｉ／Ｏセ
   ルが静電気などによる影響を受けている場合でも上記内
   部セルがその最低保証動作電圧で正常動作しているもの
   と判断するようにしたことを特徴とする請求項１記載の
   テスト用半導体装置の動作確認方法。
3. 【請求項３】 上記テスト用半導体装置は、その外部端
   子と内部セルとの間に設けられたデータ入力用Ｉ／Ｏセ
   ルと、データ入力用Ｉ／Ｏセルと内部セルに対して共通
   に供給される測定用電圧端子と、上記内部セルとデータ
   出力用Ｉ／Ｏセルと、上記内部セルとデータ出力用Ｉ／
   Ｏセルの間に設けられ、上記データ入力用Ｉ／Ｏセルの
   出力を受けるフリップフロップ回路と、上記データ入出
   力用Ｉ／Ｏセルと内部セルの双方に対して共通に供給さ
   れるクロック端子からなる半導体装置であり、 第１の測定モードでは、上記データ出力用Ｉ／Ｏセルの
   最低保証動作電圧よりも高い第１の測定電圧を上記Ｉ／
   Ｏセルと内部セルの双方に印加すると共に、上記Ｉ／Ｏ
   セルと内部セルの双方に動作クロックを印加した状態
   で、第１の論理レベルを有する第１の入力データを加え
   たときの上記データ出力用Ｉ／Ｏセルから上記第１の出
   力データを得、 第２の測定モードでは、上記内部セルの最低保証動作電
   圧と同じ第２の測定電圧を上記Ｉ／Ｏセルと内部セルの
   双方に印加すると共に、上記Ｉ／Ｏセルと内部セルの双
   方に動作クロックを印加した状態で、第１の論理レベル
   と異なる第２の論理レベルを有する第２の入力データを
   加えたときの上記データ出力用Ｉ／Ｏセルから上記第２
   の出力データを得、 第３の測定モードでは、上記フリップフロップ回路に対
   する動作クロックを入力しない状態で、上記第１の測定
   電圧を上記Ｉ／Ｏセルと内部セルの双方に印加したとき
   の上記データ出力用Ｉ／Ｏセルから上記第３の出力デー
   タを得るようにしたことを特徴とする請求項１記載のテ
   スト用半導体装置の動作確認方法。
4. 【請求項４】 上記フリップフロップ回路の最低保証動
   作電圧は、上記内部セルよりも低い電圧であることを特
   徴とする請求項３記載のテスト用半導体装置の動作確認
   方法。