JP2003068978A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 低熱抵抗性で、耐電圧特性が良好な汎用及び
産業用電気機器等の出力制御用インバータ等を構成して
効果的なパワー半導体装置。 【解決手段】 リードフレーム１３の半導体素子１１を
載置する面である第１の主面に比較して、樹脂絶縁層１
４に接着する面である第２の主面の面積をより大きく確
保して、リードフレームを樹脂絶縁層１４を介してベー
ス板１５と接着して一体化した構造を持つ。これによ
り、高信頼性かつ低熱抵抗の半導体装置を低価格とする
ことができる。
産業用電気機器等の出力制御用インバータ等を構成して
効果的なパワー半導体装置。 【解決手段】 リードフレーム１３の半導体素子１１を
載置する面である第１の主面に比較して、樹脂絶縁層１
４に接着する面である第２の主面の面積をより大きく確
保して、リードフレームを樹脂絶縁層１４を介してベー
ス板１５と接着して一体化した構造を持つ。これによ
り、高信頼性かつ低熱抵抗の半導体装置を低価格とする
ことができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置及びそ
の製造方法に係り、特に、リードフレームの上に半導体
素子が固着され、これらが樹脂層によって電気的に絶縁
された半導体装置及びその製造方法に関する。
の製造方法に係り、特に、リードフレームの上に半導体
素子が固着され、これらが樹脂層によって電気的に絶縁
された半導体装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】リードフレームの上に半導体素子が固着
され、これらが樹脂層によって電気的に絶縁された半導
体装置に関する従来技術として、例えば、特公平３−６
３８２２号公報、特公平６−８０７４８号公報等に記載
された技術が知られている。これらの従来技術は、リー
ドフレーム上に半導体素子を載置して主回路部を形成
し、第１の樹脂モールドを形成し、次いで、ベース板上
に所定間隔の隙間を設けて該主回路部を配置して第２の
樹脂モールドを充填し、一体の半導体装置として構成す
るというものである。
され、これらが樹脂層によって電気的に絶縁された半導
体装置に関する従来技術として、例えば、特公平３−６
３８２２号公報、特公平６−８０７４８号公報等に記載
された技術が知られている。これらの従来技術は、リー
ドフレーム上に半導体素子を載置して主回路部を形成
し、第１の樹脂モールドを形成し、次いで、ベース板上
に所定間隔の隙間を設けて該主回路部を配置して第２の
樹脂モールドを充填し、一体の半導体装置として構成す
るというものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】前述した従来技術によ
る半導体装置は、熱抵抗が特に重要視されるリードフレ
ームとベース板との間に無機材料フィラを多量に含む熱
伝導率の低い樹脂を充填して絶縁層を形成するという構
造を有し、熱抵抗を低減するために、この樹脂絶縁層の
層厚をいかに薄くすることができるかが重要なポイント
となっている。
る半導体装置は、熱抵抗が特に重要視されるリードフレ
ームとベース板との間に無機材料フィラを多量に含む熱
伝導率の低い樹脂を充填して絶縁層を形成するという構
造を有し、熱抵抗を低減するために、この樹脂絶縁層の
層厚をいかに薄くすることができるかが重要なポイント
となっている。
【０００４】しかし、前述の従来技術は、単に絶縁層の
層厚を薄く（例えば０．２mm以下）した場合、フィラの
影響によって樹脂の流動性が低下し、ボイドを発生する
確率が増大して、絶縁特性を低下させ、あるいは、半導
体装置の動作を不安定化させてしまうという問題点を有
している。
層厚を薄く（例えば０．２mm以下）した場合、フィラの
影響によって樹脂の流動性が低下し、ボイドを発生する
確率が増大して、絶縁特性を低下させ、あるいは、半導
体装置の動作を不安定化させてしまうという問題点を有
している。
【０００５】本発明の目的は、前述した従来技術の問題
点を解決し、低熱抵抗性で、耐電圧特性が良好な汎用及
び産業用電気機器等の出力制御用インバータを構成して
効果的なパワー半導体装置及びその製造方法を提供する
ことにある。
点を解決し、低熱抵抗性で、耐電圧特性が良好な汎用及
び産業用電気機器等の出力制御用インバータを構成して
効果的なパワー半導体装置及びその製造方法を提供する
ことにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明によれば前記目的
は、第１の主面及び第２の主面を有するリードフレーム
と、該リードフレームの第１の主面上に固着された半導
体素子と、前記リードフレームの第２の主面が接着され
たベース板上の樹脂絶縁層とを備えて構成された半導体
装置において、前記リードフレームは、第２の主面と第
１の主面との面積比（第２の主面の面積／第１の主面の
面積）が少なくとも１を超え、かつ、前記リードフレー
ムの平面上で第１の主面の辺が第２の主面の辺よりも内
側になるように形成されていることにより達成される。
は、第１の主面及び第２の主面を有するリードフレーム
と、該リードフレームの第１の主面上に固着された半導
体素子と、前記リードフレームの第２の主面が接着され
たベース板上の樹脂絶縁層とを備えて構成された半導体
装置において、前記リードフレームは、第２の主面と第
１の主面との面積比（第２の主面の面積／第１の主面の
面積）が少なくとも１を超え、かつ、前記リードフレー
ムの平面上で第１の主面の辺が第２の主面の辺よりも内
側になるように形成されていることにより達成される。
【０００７】また、前記目的は、半導体装置の製造方法
において、ベース板に未硬化の樹脂シートを接着する工
程、第２の主面と第１の主面との面積比が１を超え、か
つ、リードフレームの平面上で第１の主面の辺が第２の
主面の辺よりも内側となるように形成されたリードフレ
ームを準備する工程、リードフレームの第２の主面と前
記樹脂シートとを加圧接着して、リードフレーム及びベ
ース板との境界に樹脂絶縁層を形成する工程とを含むこ
とにより達成される。
において、ベース板に未硬化の樹脂シートを接着する工
程、第２の主面と第１の主面との面積比が１を超え、か
つ、リードフレームの平面上で第１の主面の辺が第２の
主面の辺よりも内側となるように形成されたリードフレ
ームを準備する工程、リードフレームの第２の主面と前
記樹脂シートとを加圧接着して、リードフレーム及びベ
ース板との境界に樹脂絶縁層を形成する工程とを含むこ
とにより達成される。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明による半導体装置及
びその製造方法の実施形態を図面により詳細に説明す
る。
びその製造方法の実施形態を図面により詳細に説明す
る。
【０００９】図１は本発明の第１の実施形態による半導
体装置の断面構成を示す図、図２は本発明の第１の実施
形態による半導体装置の平面構成を示す図である。図
１、図２において、１１は半導体素子、１２ははんだ接
着層、１３はリードフレーム、１４は樹脂絶縁層、１５
はベース板、１６はボンディングワイヤ、１９は主端
子、３０は樹脂モールドである。
体装置の断面構成を示す図、図２は本発明の第１の実施
形態による半導体装置の平面構成を示す図である。図
１、図２において、１１は半導体素子、１２ははんだ接
着層、１３はリードフレーム、１４は樹脂絶縁層、１５
はベース板、１６はボンディングワイヤ、１９は主端
子、３０は樹脂モールドである。
【００１０】図１に示す本発明の第１の実施形態による
半導体装置は、例えば、ＩＧＢＴ(Insulated Gate Bipo
lar Transistor)等のスイッチング素子である半導体素
子１１が、はんだ接着層１２を介してリードフレーム１
３の一方の面である第１の主面上に固着され、リードフ
レーム１３の他方の面である第２の主面が、樹脂絶縁層
１４を介してベース板１５に接着され、さらに、全体が
樹脂モールド３０によりモールドされて構成されたパワ
ー半導体装置である。半導体素子１１は、アルミニウム
のボンデイングワイヤ１６によりリードフレーム１３と
電気的に接合され、リードフレーム１３の一部が主端子
１９として樹脂モールド３０の表面に導出されて主回路
を構成する。
半導体装置は、例えば、ＩＧＢＴ(Insulated Gate Bipo
lar Transistor)等のスイッチング素子である半導体素
子１１が、はんだ接着層１２を介してリードフレーム１
３の一方の面である第１の主面上に固着され、リードフ
レーム１３の他方の面である第２の主面が、樹脂絶縁層
１４を介してベース板１５に接着され、さらに、全体が
樹脂モールド３０によりモールドされて構成されたパワ
ー半導体装置である。半導体素子１１は、アルミニウム
のボンデイングワイヤ１６によりリードフレーム１３と
電気的に接合され、リードフレーム１３の一部が主端子
１９として樹脂モールド３０の表面に導出されて主回路
を構成する。
【００１１】前述のように構成されるパワー半導体装置
は、次に説明する工程によって作製される。
は、次に説明する工程によって作製される。
【００１２】（１）まず、プレス加工あるいはエッチン
グの工程により所定パターン形状で、厚さ０．８mmのＣ
ｕ製のリードフレーム１３を形成する。この工程で、リ
ードフレーム１３は、その側面に勾配を設けて、半導体
素子１１が固着される面である第１の主面の辺が樹脂絶
縁層１４に接着される面である第２の主面の内側に配置
されるように形成される。すなわち、リードフレーム１
３は、第１の主面の縦横の幅寸法が第２の主面の縦横の
幅寸法より小さくなるように形成される。そして、本発
明の実施形態は、この工程で、第１の主面及び第２の主
面との辺の寸法差を、リードフレーム１３の厚さの５０
％、すなわち、０．４mmとした。
グの工程により所定パターン形状で、厚さ０．８mmのＣ
ｕ製のリードフレーム１３を形成する。この工程で、リ
ードフレーム１３は、その側面に勾配を設けて、半導体
素子１１が固着される面である第１の主面の辺が樹脂絶
縁層１４に接着される面である第２の主面の内側に配置
されるように形成される。すなわち、リードフレーム１
３は、第１の主面の縦横の幅寸法が第２の主面の縦横の
幅寸法より小さくなるように形成される。そして、本発
明の実施形態は、この工程で、第１の主面及び第２の主
面との辺の寸法差を、リードフレーム１３の厚さの５０
％、すなわち、０．４mmとした。
【００１３】（２）次に、リードフレーム１３の第２の
主面とベース板１５との間に厚さ０．１６mmの未硬化性
樹脂シートを介して加熱圧着を行うことにより一体化
し、樹脂シートによって樹脂絶縁層１４を構成する。こ
の接着工程に先立って、予めベース板１５と樹脂シート
とを真空プレス等の手段で予備接着することができる。
また、この接着工程において、被接着体であるリードフ
レーム１３の第１の主面及びもしくはベース板１５下面
に、例えば、シリコーンラバーなどのクッション材料を
挿入してプレスするとよく、これにより、より均一な加
圧、圧着を実現することができる。
主面とベース板１５との間に厚さ０．１６mmの未硬化性
樹脂シートを介して加熱圧着を行うことにより一体化
し、樹脂シートによって樹脂絶縁層１４を構成する。こ
の接着工程に先立って、予めベース板１５と樹脂シート
とを真空プレス等の手段で予備接着することができる。
また、この接着工程において、被接着体であるリードフ
レーム１３の第１の主面及びもしくはベース板１５下面
に、例えば、シリコーンラバーなどのクッション材料を
挿入してプレスするとよく、これにより、より均一な加
圧、圧着を実現することができる。
【００１４】（３）次に、リードフレーム１３の第１の
主面に半導体素子１１としてのＩＧＢＴチップを搭載
し、はんだ層１２によりはんだ接合する。次いで、直径
０．３mmのＡｌボンディングワイヤ１６によリ半導体素
子１１及びリードフレーム１３を電気的に接続して主回
路を構成する。
主面に半導体素子１１としてのＩＧＢＴチップを搭載
し、はんだ層１２によりはんだ接合する。次いで、直径
０．３mmのＡｌボンディングワイヤ１６によリ半導体素
子１１及びリードフレーム１３を電気的に接続して主回
路を構成する。
【００１５】（４）次に、前述までの工程で準備された
主回路部を金型中にセットし、所定条件で型内に樹脂を
充填するいわゆるトランスファモールド法によって樹脂
モールド３０を成形する。
主回路部を金型中にセットし、所定条件で型内に樹脂を
充填するいわゆるトランスファモールド法によって樹脂
モールド３０を成形する。
【００１６】以上の工程により、本発明の第１の実施形
態による半導体装置を得ることができる。前述の工程で
使用する樹脂モールド３０用の材料として表１に示す材
料を用いた。表１に示す配合比は重量比である。
態による半導体装置を得ることができる。前述の工程で
使用する樹脂モールド３０用の材料として表１に示す材
料を用いた。表１に示す配合比は重量比である。
【００１７】
【表１】
【００１８】表１に示す樹脂モールド３０用の材料は、
フィラーとして酸化けい素の球状粉末を多く含むものと
しているので、線膨張係数が１２ppm／℃ ないし１５pp
m／℃ と小さく、成形、硬化後のベース板１５の反りを
小さく抑制することができる。
フィラーとして酸化けい素の球状粉末を多く含むものと
しているので、線膨張係数が１２ppm／℃ ないし１５pp
m／℃ と小さく、成形、硬化後のベース板１５の反りを
小さく抑制することができる。
【００１９】前述した製造工程において、モールド成形
後、必要に応じてアフターキュアを施してモールド樹脂
の硬化を促進し、次いで、樹脂モールド３０の外部に導
出された部分のリードフレーム１３を切断及びもしくは
成形して、所定形状の主端子１９を有する半導体装置を
得る。
後、必要に応じてアフターキュアを施してモールド樹脂
の硬化を促進し、次いで、樹脂モールド３０の外部に導
出された部分のリードフレーム１３を切断及びもしくは
成形して、所定形状の主端子１９を有する半導体装置を
得る。
【００２０】図３は本発明の第２の実施形態による半導
体装置の断面構成を示す図である。図３において、３１
はケースであり、他の符号は図１の場合と同一である。
体装置の断面構成を示す図である。図３において、３１
はケースであり、他の符号は図１の場合と同一である。
【００２１】図３に示す本発明の第２の実施形態による
半導体装置は、いわゆるポッテイングによってモールド
した半導体装置である。すなわち、この半導体装置は、
前述で説明した第１の実施形態の製造工程の場合と同様
に、（１）〜（３）の工程で主回路部を作製した後、例
えば、熱可塑性樹脂で構成されたケースを主回路部の周
囲に形成し、その中にエポキシ系等の熱硬化性樹脂を注
入充填して硬化させることにより製造することができ
る。
半導体装置は、いわゆるポッテイングによってモールド
した半導体装置である。すなわち、この半導体装置は、
前述で説明した第１の実施形態の製造工程の場合と同様
に、（１）〜（３）の工程で主回路部を作製した後、例
えば、熱可塑性樹脂で構成されたケースを主回路部の周
囲に形成し、その中にエポキシ系等の熱硬化性樹脂を注
入充填して硬化させることにより製造することができ
る。
【００２２】次に、前述した本発明の実施形態における
リードフレーム１３の側面に設けた勾配の作用について
説明する。
リードフレーム１３の側面に設けた勾配の作用について
説明する。
【００２３】図４は第１の実施形態の場合と同様な手段
により、リードフレーム１３の側面に設けた勾配を種々
変化させて試作したリードフレームのサンプルの形状を
示す図、図５は圧着後のリードフレームのサンプルを引
き剥がした場合の樹脂絶縁層１４の断面を模式的に示す
図、図６、図７はサンプルの第１、第２の主面の寸法差
と溝深さとの関係を説明する特性図、図８はサンプルを
樹脂封止した場合の絶縁破壊電圧の測定結果を示す図で
ある。
により、リードフレーム１３の側面に設けた勾配を種々
変化させて試作したリードフレームのサンプルの形状を
示す図、図５は圧着後のリードフレームのサンプルを引
き剥がした場合の樹脂絶縁層１４の断面を模式的に示す
図、図６、図７はサンプルの第１、第２の主面の寸法差
と溝深さとの関係を説明する特性図、図８はサンプルを
樹脂封止した場合の絶縁破壊電圧の測定結果を示す図で
ある。
【００２４】リードフレームのサンプルとして、図４
（ａ）に示すような大きさの異なる正方形の平面形状を
持つサンプルのパターンを４種作成した。このサンプル
の代表的な断面形状を図４（ｂ）に示している。そし
て、各サンプルパターンＡ〜Ｄのそれぞれについて、表
２に示すような第１、第２の主面の寸法差の異なるもの
をNo.１〜No.４の４種作成した。これらのパターンの厚
さは全て０.８mmとした。
（ａ）に示すような大きさの異なる正方形の平面形状を
持つサンプルのパターンを４種作成した。このサンプル
の代表的な断面形状を図４（ｂ）に示している。そし
て、各サンプルパターンＡ〜Ｄのそれぞれについて、表
２に示すような第１、第２の主面の寸法差の異なるもの
をNo.１〜No.４の４種作成した。これらのパターンの厚
さは全て０.８mmとした。
【００２５】
【表２】
【００２６】表２に示す例において、No.３、No.４の２
種は、第１、第２の主面の寸法差が０．５、１．０であ
り、その断面形状が、図４（ｂ）に示すようなものとな
る。また、No.２のものは、寸法差が０．０であり、第
１、第２の主面の寸法同一である。さらに、No.１ のも
のは、寸法差が−０．５であり、断面形状が、図４
（ｂ）に示すものとは逆向きの勾配を有するものとな
る。通常リードフレームの厚さは、表面実装部品で発生
した熱を面方向に拡散して熱抵抗を低減する観点から
０．５mm以上、１．０mm程度までとすることが好まし
く、前述したように、サンプルパターンの厚さは、０．
８mmに設定した。また、前述したパターンは、リードフ
レームの形状効果を端的に比較する目的でモールド外部
に導出する主端子１９の配線部を省いて形成した。各パ
ターンＡ〜Ｄは、それらの第１の主面と第２の主面との
寸法差を、前述したように−０．５mm〜＋１．０mmまで
とし、機械的な切削加工により所定寸法、形状となるよ
うに作製した。
種は、第１、第２の主面の寸法差が０．５、１．０であ
り、その断面形状が、図４（ｂ）に示すようなものとな
る。また、No.２のものは、寸法差が０．０であり、第
１、第２の主面の寸法同一である。さらに、No.１ のも
のは、寸法差が−０．５であり、断面形状が、図４
（ｂ）に示すものとは逆向きの勾配を有するものとな
る。通常リードフレームの厚さは、表面実装部品で発生
した熱を面方向に拡散して熱抵抗を低減する観点から
０．５mm以上、１．０mm程度までとすることが好まし
く、前述したように、サンプルパターンの厚さは、０．
８mmに設定した。また、前述したパターンは、リードフ
レームの形状効果を端的に比較する目的でモールド外部
に導出する主端子１９の配線部を省いて形成した。各パ
ターンＡ〜Ｄは、それらの第１の主面と第２の主面との
寸法差を、前述したように−０．５mm〜＋１．０mmまで
とし、機械的な切削加工により所定寸法、形状となるよ
うに作製した。
【００２７】そして、前述したように作成したリードフ
レームのサンプルパターンを樹脂絶縁層１４上に接着す
る工程で、上下に厚さ１mmのシリコーンラバーを挿入し
て１５０℃に加熱して圧着した。この圧着後にリードフ
レームのサンプルパターンを引き剥がしたときの断面を
図５に模式的に示している。この図５から、圧着によっ
て樹脂中にリードフレームが押し込まれた状況を観察す
ることができる。小寸法のパターンＤでは、底面が平坦
でやや深い溝が形成される。一方、大寸法のパターンＡ
では、中央が浅く、端部で深い形状の溝が観察される。
レームのサンプルパターンを樹脂絶縁層１４上に接着す
る工程で、上下に厚さ１mmのシリコーンラバーを挿入し
て１５０℃に加熱して圧着した。この圧着後にリードフ
レームのサンプルパターンを引き剥がしたときの断面を
図５に模式的に示している。この図５から、圧着によっ
て樹脂中にリードフレームが押し込まれた状況を観察す
ることができる。小寸法のパターンＤでは、底面が平坦
でやや深い溝が形成される。一方、大寸法のパターンＡ
では、中央が浅く、端部で深い形状の溝が観察される。
【００２８】これら溝部の深さと、表２の中に示した寸
法差との関係を、パターンＤ、Ａの場合について図６及
び図７に示している。パターンＤの場合の溝の深さｈ０
は、図６から判るように、寸法差が小さいほど大きくな
り、また、勾配の向きが逆になるとさらに大きくなるこ
とが判る。この原因は、リードフレームの接着工程にお
いて、第１の主面の面積が第２の主面の面積よりも大き
い場合、すなわち、側面が逆の勾配を有する場合（表２
のサンプルNO.１ 、寸法差−０．５mm）第１の主面で受
けた接着圧力が、第２の主面で増幅されて作用してしま
うことによる。その増幅割合は、第１の主面と第２の種
面との面積比によって定まり、同一の側面勾配の場合、
パターンの線幅が細いほど顕著となる。従って、この部
分では過大な接着圧力が作用してリードフレームが樹脂
絶縁層１４の中に深く沈み込んで深い溝が形成されるこ
とになる。
法差との関係を、パターンＤ、Ａの場合について図６及
び図７に示している。パターンＤの場合の溝の深さｈ０
は、図６から判るように、寸法差が小さいほど大きくな
り、また、勾配の向きが逆になるとさらに大きくなるこ
とが判る。この原因は、リードフレームの接着工程にお
いて、第１の主面の面積が第２の主面の面積よりも大き
い場合、すなわち、側面が逆の勾配を有する場合（表２
のサンプルNO.１ 、寸法差−０．５mm）第１の主面で受
けた接着圧力が、第２の主面で増幅されて作用してしま
うことによる。その増幅割合は、第１の主面と第２の種
面との面積比によって定まり、同一の側面勾配の場合、
パターンの線幅が細いほど顕著となる。従って、この部
分では過大な接着圧力が作用してリードフレームが樹脂
絶縁層１４の中に深く沈み込んで深い溝が形成されるこ
とになる。
【００２９】一方、図７から判るように、パターンＡの
溝の深さは、寸法差が増すにつれて、その端部の深さｈ
１と中心部の深さｈ２との差が縮小され、より平坦な溝
形状が得られる。一般に、加圧時の圧縮応力は、端部に
集中しやすく、図５のパターンＡの場合として示す形状
の溝を形成する傾向がある。その傾向が、表２に示す寸
法差を増すことによって緩和され、結果的に平坦で均一
なリードフレームの接着を実現することができる。寸法
差の大きさは、この種の圧着時の形状効果を期待するた
めには、０．２mm以上、すなわち、リードフレームの厚
さの２５％以上を確保する必要がある。
溝の深さは、寸法差が増すにつれて、その端部の深さｈ
１と中心部の深さｈ２との差が縮小され、より平坦な溝
形状が得られる。一般に、加圧時の圧縮応力は、端部に
集中しやすく、図５のパターンＡの場合として示す形状
の溝を形成する傾向がある。その傾向が、表２に示す寸
法差を増すことによって緩和され、結果的に平坦で均一
なリードフレームの接着を実現することができる。寸法
差の大きさは、この種の圧着時の形状効果を期待するた
めには、０．２mm以上、すなわち、リードフレームの厚
さの２５％以上を確保する必要がある。
【００３０】前述では、パターンＢ、Ｃについて説明し
ていないが、これらは、パーターンＡ、Ｄの中間的な形
状を呈する。また、前述では正方形のパターンを用いる
として説明したが、線長の長い実用的な配線パターンに
おいても同様の傾向があり、それぞれ細い配線ではパタ
ーンＤに近似した、また、太い配線ではパターンＡに近
似した溝形状が圧着工程により形成される。
ていないが、これらは、パーターンＡ、Ｄの中間的な形
状を呈する。また、前述では正方形のパターンを用いる
として説明したが、線長の長い実用的な配線パターンに
おいても同様の傾向があり、それぞれ細い配線ではパタ
ーンＤに近似した、また、太い配線ではパターンＡに近
似した溝形状が圧着工程により形成される。
【００３１】前述したようなサンプルを樹脂封止し、そ
れらの絶縁破壊電圧を測定した結果を図８に示してい
る。図８に示す試験電圧は、ＡＣ実効値であり、装置の
性能上１０ｋＶまでについて評価した。図８に示すこれ
ら測定結果から次のようなことが判る。
れらの絶縁破壊電圧を測定した結果を図８に示してい
る。図８に示す試験電圧は、ＡＣ実効値であり、装置の
性能上１０ｋＶまでについて評価した。図８に示すこれ
ら測定結果から次のようなことが判る。
【００３２】リードフレーム側面の勾配が小さいサンプ
ル、すなわち、第１の主面に比較して第２の主面の面積
が充分に確保できていない寸法差の小さいリードフレー
ム、例えば、サンプルNo．１、寸法差−０．５mmの場
合、絶縁破壊電圧が低下する傾向がある。この傾向は、
パターン寸法が小さいほど、例えば、パターンＤになる
ほど顕著に現れる。その原因は、前述したように、いず
れもリードフレームが樹脂層に深く沈み込んでしまい、
実質的に絶縁層厚さが確保できなかったことにある。
ル、すなわち、第１の主面に比較して第２の主面の面積
が充分に確保できていない寸法差の小さいリードフレー
ム、例えば、サンプルNo．１、寸法差−０．５mmの場
合、絶縁破壊電圧が低下する傾向がある。この傾向は、
パターン寸法が小さいほど、例えば、パターンＤになる
ほど顕著に現れる。その原因は、前述したように、いず
れもリードフレームが樹脂層に深く沈み込んでしまい、
実質的に絶縁層厚さが確保できなかったことにある。
【００３３】一方、前述とは反対にリードフレームの側
面が正の勾配を有する場合、例えば、サンプルNo．４、
寸法差１．０mmの場合、前述したような作用が大幅に緩
和される。このため、一定の絶縁特性を確保する観点か
ら、第１の主面対して第２の主面の面積を特定比率以上
に設定することが望ましい。
面が正の勾配を有する場合、例えば、サンプルNo．４、
寸法差１．０mmの場合、前述したような作用が大幅に緩
和される。このため、一定の絶縁特性を確保する観点か
ら、第１の主面対して第２の主面の面積を特定比率以上
に設定することが望ましい。
【００３４】前述までに説明した本発明の実施形態は、
半導体素子１１として、単数のＩＧＢＴ素子を持つ半導
体装置の例であったが、本発明は、半導体素子１１とし
て、例えば、ＭＯＳ系トランジスタ、ダイオード等の他
の種類の半導体素子を用いるものであってもよく、ま
た、これらの複数の素子の組み合わせた特定の回路、例
えば、インバータ用パワーモジュール等であってもよ
い。また、前述した本発明の実施形態は、樹脂モールド
３０に含まれるフィラーとして、表１に示すように、酸
化けい素をを使用するとしたが、本発明は、フィラーと
して、他の材料、例えば、ベリリヤ、ジルコニヤ、窒化
けい素、窒化アルミニウム、炭化けい素等を使用するこ
とができる。また、前述した本発明の実施形態は、リー
ドフレームの第１の主面と第２の主面との寸法差を形成
する手段として切削加工を用いるとしたが、本発明は、
プレス成形、エッチング等の他の加工手段を使用して寸
法差を形成するようにすることもできる。
半導体素子１１として、単数のＩＧＢＴ素子を持つ半導
体装置の例であったが、本発明は、半導体素子１１とし
て、例えば、ＭＯＳ系トランジスタ、ダイオード等の他
の種類の半導体素子を用いるものであってもよく、ま
た、これらの複数の素子の組み合わせた特定の回路、例
えば、インバータ用パワーモジュール等であってもよ
い。また、前述した本発明の実施形態は、樹脂モールド
３０に含まれるフィラーとして、表１に示すように、酸
化けい素をを使用するとしたが、本発明は、フィラーと
して、他の材料、例えば、ベリリヤ、ジルコニヤ、窒化
けい素、窒化アルミニウム、炭化けい素等を使用するこ
とができる。また、前述した本発明の実施形態は、リー
ドフレームの第１の主面と第２の主面との寸法差を形成
する手段として切削加工を用いるとしたが、本発明は、
プレス成形、エッチング等の他の加工手段を使用して寸
法差を形成するようにすることもできる。
【００３５】図９は本発明の第１の実施形態による半導
体装置を使用した家庭用空調機の回路構成を示すブロッ
ク図、図１０は図９におけるスイッチング回路部の詳細
を示す回路図、図１１はスイッチング回路部の断面構成
を示す図であり、以下、図９〜図１１を参照して、本発
明による半導体装置の応用例について説明する。図９〜
図１１において、１７は樹脂基板、２０はドライバＩ
Ｃ、９１は電源回路、９２はスイッチング回路、９３、
９４はマイコン、９５〜９７はモータ、９８は弁駆動回
路である。
体装置を使用した家庭用空調機の回路構成を示すブロッ
ク図、図１０は図９におけるスイッチング回路部の詳細
を示す回路図、図１１はスイッチング回路部の断面構成
を示す図であり、以下、図９〜図１１を参照して、本発
明による半導体装置の応用例について説明する。図９〜
図１１において、１７は樹脂基板、２０はドライバＩ
Ｃ、９１は電源回路、９２はスイッチング回路、９３、
９４はマイコン、９５〜９７はモータ、９８は弁駆動回
路である。
【００３６】図９に示す空調器は、電源回路９１、本発
明による半導体装置により構成されるスイッチング回路
９２、室内ファン用のモータ９５、室外ファン用のモー
タ９６、スイッチング回路９２により駆動される圧縮機
用のモータ９７、冷媒等の通路の弁制御する弁駆動回路
９８、これらの全体を制御する室内用及び室外用のマイ
コン９３、９４を備えて構成される。このような空調機
の構成は、よく知られているものであるので、ここでは
その詳細についての説明を省略する。
明による半導体装置により構成されるスイッチング回路
９２、室内ファン用のモータ９５、室外ファン用のモー
タ９６、スイッチング回路９２により駆動される圧縮機
用のモータ９７、冷媒等の通路の弁制御する弁駆動回路
９８、これらの全体を制御する室内用及び室外用のマイ
コン９３、９４を備えて構成される。このような空調機
の構成は、よく知られているものであるので、ここでは
その詳細についての説明を省略する。
【００３７】スイッチング回路９２は、図２に示すよう
に、６個のＩＧＢＴを配置してリードフレーム１３上に
インバータの主回路を形成した本発明による半導体素子
１１とドライバＩＣ２０により構成され、端子Ｐ及びＮ
が電源回路に接続される。スイッチング回路２０の断面
構成を図１１に示しており、スイッチング回路９２は、
前述した構成の半導体素子１１と、樹脂基板１７上にド
ライバＩＣ２０を含んで構成された制御回路部とを樹脂
モールドし、放熱用のヒートシンク１４に取り付けられ
た構造に構成される。
に、６個のＩＧＢＴを配置してリードフレーム１３上に
インバータの主回路を形成した本発明による半導体素子
１１とドライバＩＣ２０により構成され、端子Ｐ及びＮ
が電源回路に接続される。スイッチング回路２０の断面
構成を図１１に示しており、スイッチング回路９２は、
前述した構成の半導体素子１１と、樹脂基板１７上にド
ライバＩＣ２０を含んで構成された制御回路部とを樹脂
モールドし、放熱用のヒートシンク１４に取り付けられ
た構造に構成される。
【００３８】前述したような本発明による半導体装置を
空調機のスイッチング回路として使用することにより、
低熱抵抗でかつ高信頼性のスイッチング回路部を得るこ
とができ、省エネルギー型の空調機を提供することがで
きる。
空調機のスイッチング回路として使用することにより、
低熱抵抗でかつ高信頼性のスイッチング回路部を得るこ
とができ、省エネルギー型の空調機を提供することがで
きる。
【００３９】前述では、本発明の応用例として、空調機
を挙げて説明したが、本発明のよる半導体装置は、家庭
用及びあるいは産業用等のモータを具備する他の電気機
器、例えば、冷蔵庫、冷凍庫、ポンプ、搬送機等に利用
することができ、同様に省エネ効果の高い電気機器を実
現することができる。
を挙げて説明したが、本発明のよる半導体装置は、家庭
用及びあるいは産業用等のモータを具備する他の電気機
器、例えば、冷蔵庫、冷凍庫、ポンプ、搬送機等に利用
することができ、同様に省エネ効果の高い電気機器を実
現することができる。
【００４０】前述した本発明の実施形態によれば、リー
ドフレームの第１の主面に比較して第２の主面の面積を
大きく確保することによって、樹脂絶縁層への接着時の
局所的な過加圧力の作用を緩和し、均一なリードフレー
ムの接着を実現することができ、樹脂絶縁層の破壊電圧
等の電気絶縁特性を向上させることができ、これによ
り、半導体装置の安定性を図ることが可能となる。従っ
て、前述した本発明の実施形態によれば、信頼性を低下
させることなく、樹脂絶縁層の層厚を薄く設定すること
ができ、その結果として、半導体素子からベース板に至
る熱抵抗を低減することができる。
ドフレームの第１の主面に比較して第２の主面の面積を
大きく確保することによって、樹脂絶縁層への接着時の
局所的な過加圧力の作用を緩和し、均一なリードフレー
ムの接着を実現することができ、樹脂絶縁層の破壊電圧
等の電気絶縁特性を向上させることができ、これによ
り、半導体装置の安定性を図ることが可能となる。従っ
て、前述した本発明の実施形態によれば、信頼性を低下
させることなく、樹脂絶縁層の層厚を薄く設定すること
ができ、その結果として、半導体素子からベース板に至
る熱抵抗を低減することができる。
【００４１】また、前述した本発明の実施形態による半
導体装置を、モータ駆動用に使用することにより、熱抵
抗の低い半導体装置によってモータを駆動することがで
きるので、省エネルギー型の電気機器を低価格で提供す
ることができる。
導体装置を、モータ駆動用に使用することにより、熱抵
抗の低い半導体装置によってモータを駆動することがで
きるので、省エネルギー型の電気機器を低価格で提供す
ることができる。
【００４２】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、低
熱抵抗性で、耐電圧特性が良好な汎用及び産業用電気機
器等の出力制御用インバータ等を構成して効果的なパワ
ー半導体装置を得ることができる。
熱抵抗性で、耐電圧特性が良好な汎用及び産業用電気機
器等の出力制御用インバータ等を構成して効果的なパワ
ー半導体装置を得ることができる。
【図１】本発明の第１の実施形態による半導体装置の断
面構成を示す図である。
面構成を示す図である。
【図２】本発明の第１の実施形態による半導体装置の平
面構成を示す図である。
面構成を示す図である。
【図３】本発明の第２の実施形態による半導体装置の断
面構成を示す図である。
面構成を示す図である。
【図４】リードフレームの側面に設けた勾配を種々変化
させて試作したリードフレームのサンプルの形状を示す
図である。
させて試作したリードフレームのサンプルの形状を示す
図である。
【図５】圧着後のリードフレームのサンプルを引き剥が
した場合の樹脂絶縁層の断面を模式的に示す図である。
した場合の樹脂絶縁層の断面を模式的に示す図である。
【図６】サンプルの第１、第２の主面の寸法差と溝深さ
との関係を説明する特性図（その１）である。
との関係を説明する特性図（その１）である。
【図７】サンプルの第１、第２の主面の寸法差と溝深さ
との関係を説明する特性図（その２）である。
との関係を説明する特性図（その２）である。
【図８】サンプルを樹脂封止した場合の絶縁破壊電圧の
測定結果を示す図である。
測定結果を示す図である。
【図９】本発明の第１の実施形態による半導体装置を使
用した家庭用空調機の回路構成を示すブロック図であ
る。
用した家庭用空調機の回路構成を示すブロック図であ
る。
【図１０】図９におけるスイッチング回路部の詳細を示
す回路図である。
す回路図である。
【図１１】スイッチング回路部の断面構成を示す図であ
る。
る。
１１ 半導体素子
１２ はんだ接着層
１３ リードフレーム
１４ 樹脂絶縁層
１５ ベース板
１６ ボンディングワイヤ
１７ 樹脂基板
１９ 主端子
２０ ドライバＩＣ
３０ 樹脂モールド
３１ ケース
９１ 電源回路
９２ スイッチング回路
９３、９４ マイコン
９５〜９７ モータ
９８ 弁駆動回路
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０１Ｌ 23/34 Ｈ０１Ｌ 23/50 Ｙ
23/40 25/04 Ｃ
23/50 23/30 Ｒ
25/18
(72)発明者 神村 典孝
茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株
式会社日立製作所日立研究所内
(72)発明者 中津 欣也
茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株
式会社日立製作所日立研究所内
(72)発明者 矢川 正行
茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株
式会社日立製作所日立研究所内
Ｆターム(参考） 4M109 AA01 BA01 CA02 CA04 CA21
DB02 DB09 EA03 EB03 EB08
EB09 EB13 EC04 FA02
5F036 AA01 BB12 BC05 BC23
5F067 AA03 BE01 CA02 CC01 CC08
DA05 DA17
Claims (5)
- 【請求項１】 第１の主面及び第２の主面を有するリー
ドフレームと、該リードフレームの第１の主面上に固着
された半導体素子と、前記リードフレームの第２の主面
が接着されたベース板上の樹脂絶縁層とを備えて構成さ
れた半導体装置において、前記リードフレームは、第２
の主面と第１の主面との面積比（第２の主面の面積／第
１の主面の面積）が少なくとも１を超え、かつ、前記リ
ードフレームの平面上で第１の主面の辺が第２の主面の
辺よりも内側になるように形成されていることを特徴と
する半導体装置。 - 【請求項２】 前記リードフレームは、その厚さ寸法
が、０.５mm 以上であり、かつ、リードフレームの平面
上で第１の主面の辺が第２の主面の辺よりも、リードフ
レームの厚さ寸法の２５％以上内側になるように形成さ
れていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項３】 前記リードフレームと、該リードフレー
ムの第１の主面上に固着された半導体素子とが樹脂モー
ルドされ、前記リードフレームの一部が前記樹脂モール
ドの外部に導出されて複数の端子を形成していることを
特徴とする請求項１または２記載の半導体装置。 - 【請求項４】 前記半導体素子は、複数個のスイッチン
グ半導体素子を含み、インバータ回路を構成しているこ
とを特徴とする請求項１、２または３記載の半導体装
置。 - 【請求項５】 ベース板に未硬化の樹脂シートを接着す
る工程、第２の主面と第１の主面との面積比が１を超
え、かつ、リードフレームの平面上で第１の主面の辺が
第２の主面の辺よりも内側となるように形成されたリー
ドフレームを準備する工程、リードフレームの第２の主
面と前記樹脂シートとを加圧接着して、リードフレーム
及びベース板との境界に樹脂絶縁層を形成する工程とを
含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001258131A JP2003068978A (ja) | 2001-08-28 | 2001-08-28 | 半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001258131A JP2003068978A (ja) | 2001-08-28 | 2001-08-28 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003068978A true JP2003068978A (ja) | 2003-03-07 |
Family
ID=19085704
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001258131A Pending JP2003068978A (ja) | 2001-08-28 | 2001-08-28 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003068978A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010135718A (ja) * | 2008-11-07 | 2010-06-17 | Toppan Printing Co Ltd | Ｌｅｄ発光素子用リードフレーム及びその製造方法及びそれを用いたｌｅｄ発光素子 |
| JP2010272565A (ja) * | 2009-05-19 | 2010-12-02 | Toppan Printing Co Ltd | リードフレーム及びその製造方法及びそれを用いた半導体発光装置 |
| JP2012009569A (ja) * | 2010-06-23 | 2012-01-12 | Denso Corp | 半導体モジュールの製造方法 |
| WO2012140789A1 (ja) * | 2011-04-14 | 2012-10-18 | 日機装株式会社 | キャンドモータポンプ |
| JP2012229669A (ja) * | 2011-04-27 | 2012-11-22 | Nikkiso Co Ltd | キャンドモータポンプ |
| JP2013018886A (ja) * | 2011-07-12 | 2013-01-31 | Fuji Electric Co Ltd | ナノコンポジット樹脂硬化物の製造方法 |
| JP2016092184A (ja) * | 2014-11-04 | 2016-05-23 | トヨタ自動車株式会社 | パワーモジュール |
| JP2016197677A (ja) * | 2015-04-06 | 2016-11-24 | 三菱電機株式会社 | パワー半導体装置および車載用回転電機の駆動装置 |
| JPWO2021100126A1 (ja) * | 2019-11-19 | 2021-05-27 |
-
2001
- 2001-08-28 JP JP2001258131A patent/JP2003068978A/ja active Pending
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010135718A (ja) * | 2008-11-07 | 2010-06-17 | Toppan Printing Co Ltd | Ｌｅｄ発光素子用リードフレーム及びその製造方法及びそれを用いたｌｅｄ発光素子 |
| JP2010272565A (ja) * | 2009-05-19 | 2010-12-02 | Toppan Printing Co Ltd | リードフレーム及びその製造方法及びそれを用いた半導体発光装置 |
| JP2012009569A (ja) * | 2010-06-23 | 2012-01-12 | Denso Corp | 半導体モジュールの製造方法 |
| US8729756B2 (en) | 2011-04-14 | 2014-05-20 | Nikkiso Co., Ltd. | Canned motor pump and method for filling filling member into stator chamber thereof |
| WO2012140789A1 (ja) * | 2011-04-14 | 2012-10-18 | 日機装株式会社 | キャンドモータポンプ |
| JP2012223063A (ja) * | 2011-04-14 | 2012-11-12 | Nikkiso Co Ltd | キャンドモータポンプ及びそのステータ室内に充填材を充填する方法 |
| JP2012229669A (ja) * | 2011-04-27 | 2012-11-22 | Nikkiso Co Ltd | キャンドモータポンプ |
| JP2013018886A (ja) * | 2011-07-12 | 2013-01-31 | Fuji Electric Co Ltd | ナノコンポジット樹脂硬化物の製造方法 |
| JP2016092184A (ja) * | 2014-11-04 | 2016-05-23 | トヨタ自動車株式会社 | パワーモジュール |
| JP2016197677A (ja) * | 2015-04-06 | 2016-11-24 | 三菱電機株式会社 | パワー半導体装置および車載用回転電機の駆動装置 |
| JPWO2021100126A1 (ja) * | 2019-11-19 | 2021-05-27 | ||
| WO2021100126A1 (ja) * | 2019-11-19 | 2021-05-27 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置 |
| JP7103533B2 (ja) | 2019-11-19 | 2022-07-20 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
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