JP2003068964A - 樹脂モールド製品の製造方法および製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 小型化された樹脂モールド型半導体装置など
の樹脂モールド製品のリードを、高精度の長さ寸法で切
断する製造方法および製造装置を提供する。 【解決手段】 リードフレーム１０に形成された樹脂モ
ールド製品における樹脂モールド部１４端部位置の基準
位置に対するシフト量をシフト量検出部１で検出し、そ
の検出データをシフト量記憶部２に記憶させ、前記シフ
ト量記憶部２の記憶データに基づいて、リードフレーム
位置修正機構部３でリードフレーム１０を、シフト方向
と反対方向に、かつ、シフト量と等しい寸法だけ移動さ
せて位置修正した後、リード切断機構部４によってリー
ドを切断する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は樹脂モールド製品の
製造装置に関し、特に多数個の樹脂モールド型半導体装
置などの樹脂モールド製品を有するリードフレームか
ら、各樹脂モールド製品を切断分離する樹脂モールド製
品の製造方法および製造装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】樹脂モールド製品の一例である樹脂モー
ルド型半導体装置Ｓは、例えば、図６に示すように、樹
脂モールド部Ｍから両側にリードＬ１，Ｌ２が導出され
た構造を有する。

【０００３】このような樹脂モールド型半導体装置Ｓ
は、図７に示すように、リードフレームＬ／Ｆの素子マ
ウント位置に半導体素子をマウントするとともに、半導
体素子からリードＬ１、Ｌ２にワイヤをボンディング
し、半導体素子およびワイヤボンディング部分を樹脂に
よりモールドして、樹脂モールド部Ｍを有する多数個の
樹脂モールド型半導体装置Ｓを形成した後、リードフレ
ームＬ／ＦのリードＬ１，Ｌ２を切断分離ことによって
製造している。なお、図７において、右側２列部分は、
樹脂モールド型半導体装置Ｓを切断分離した後の状態を
示している。

【０００４】ここで、例えば、リードフレームＬ／Ｆに
は、その幅方向に複数個（図示例は４個）の樹脂モール
ド型半導体装置Ｓ１〜Ｓ４が形成されており、従来は、
その幅方向に並ぶ一列分ないし数列分の樹脂モールド型
半導体装置Ｓ１〜Ｓ４のリードＬ１，Ｌ２を、孔Ｈを基
準としてそれぞれ所定位置で一括して切断して、樹脂モ
ールド型半導体装置Ｓ１〜Ｓ４を製造していた。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところが、最近はプリ
ント基板などへの高密度実装を実現するために、樹脂モ
ールド型半導体装置Ｓの小型化が進んでおり、それに伴
って、特に、樹脂モールド部Ｍから導出されるリードＬ
１，Ｌ２の長さ寸法Ｌが小さくなってきた。

【０００６】例えば、図８により各部の具体的寸法につ
いて説明すると、樹脂モールド部Ｍの幅寸法および長さ
寸法が１ｍｍ×３ｍｍで、この樹脂モールド部Ｍの両側
に導出されるリードＬ１，Ｌ２の基準長さ寸法Ｌ01，L0
2が、それぞれ０．２ｍｍといったサイズのものがあ
る。

【０００７】一方、樹脂モールド前のリードフレームＬ
／Ｆの位置決め精度、または樹脂モールド成形型の磨耗
や位置決め精度などによって、樹脂モールド部Ｍのモー
ルド位置が孔Hからの基準位置に対して、３０〜５０μ
ｍ程度ずれることがある。

【０００８】そのような場合、例えば、シフト量△Ｌ１
が０．０５ｍｍ生じたとしても、上述のように、リード
Ｌ１、Ｌ２の基準長さ寸法Ｌ01，Ｌ02が０．２ｍｍしか
ないので、従来のように、複数個の樹脂モールド半導体
装置Ｓを一括してリードフレームＬ／Ｆから切断分離す
ると、図９に示すように、一方側のリードＬ１の長さ寸
法Ｌａは０．１５ｍｍ、他方側のリードＬ２の長さ寸法
Ｌｂは０．２５ｍｍといった具合に、リードＬ１，Ｌ２
の長さ寸法Ｌａ，Ｌｂがばらつくことになる。

【０００９】このようなリードＬ１、Ｌ２の長さ寸法Ｌ
ａ，Ｌｂのばらつきがあると、樹脂モールド型半導体装
置Ｓをプリント基板などに実装することができない場合
があり、不良品として廃棄しなければならず、それまで
の製造工程（材料費・加工費）がすべて無駄になってい
た。

【００１０】また、このような不良品を廃棄するために
は、切断後にリードの長さ寸法の検査工程が必要にな
り、検査装置はもとより、小型化された個々の樹脂モー
ルド型半導体装置Ｓを検査装置に一々向きを揃えて供給
するための姿勢修正装置も必要になる。特に、リード長
さ寸法の検査は、電気特性測定などと違って、瞬間的に
結果が得られず、多くの場合、検査要員が顕微鏡や拡大
鏡を使用して検査しているため、検査工数も大となり多
大な検査費用が掛かる上に、検査要員の疲労による見落
としなどで、不要品が出荷されるといった問題点があっ
た。

【００１１】そこで、本発明は、小型化された樹脂モー
ルド型半導体装置のような樹脂モールド製品のリード
を、正確な長さ寸法に切断分離できる樹脂モールド製品
の製造方法および製造装置を提供することを目的とする
ものである。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に記載
された樹脂モールド製品の製造方法は、多数個の樹脂モ
ールド製品を有するリードフレームから各樹脂モールド
製品を切断分離する樹脂モールド製品の製造方法であっ
て、前記リードフレームにおける各樹脂モ−ルド製品の
樹脂モールド部位置の基準位置に対するシフト量を検出
し、その検出シフト量を記憶させておき、前記シフト量
記憶データに基づいてリードフレームをシフト方向と反
対方向に、かつ、シフト量に等しい寸法だけ移動させて
位置修正した後、リードフレームを切断することを特徴
とするものである。

【００１３】上記の樹脂モールド製品の製造方法によれ
ば、各樹脂モールド製品のモールド部端部の基準位置に
対するシフト量を検出して、そのシフト量に基づいてリ
ードフレームをシフト方向と反対方向に、かつ、シフト
量に等しい寸法だけ移動させて位置修正した後に、リー
ドフレームを切断するので、個々の樹脂モールド製品の
モールド位置が基準位置からずれていても、その位置ず
れを修正して、樹脂モールド部端部を基準にしてリード
フレームから切断分離することにより、小型化された樹
脂モールド製品であっても、高精度のリード長さ寸法を
有する樹脂モールド製品を製造することができる。

【００１４】請求項２に記載された樹脂モールド製品の
製造方法は、前記リードフレームの樹脂モールド製品
が、リードフレームの幅方向に複数個形成されているこ
とを特徴とすることを特徴とするものである。

【００１５】上記の樹脂モールド製品の製造方法によれ
ば、各樹脂モールド製品の基準位置からのリードフレー
ムの幅方向のシフト量に応じて、リードフレームを幅方
向にシフトさせて、リードフレームから切断分離するこ
とにより、前記同様に、高精度のリード長さ寸法を有す
る樹脂モールド製品を製造することができる。

【００１６】請求項３に記載された樹脂モールド製品の
製造方法は、前記リードフレームの樹脂モールド製品の
リードが、リードフレームの幅方向に導出されているこ
とを特徴とすることを特徴とするものである。

【００１７】上記の樹脂モールド製品の製造方法によれ
ば、各樹脂モールド部端部位置のシフト量に応じて、リ
ードフレームを幅方向に移動させて位置修正して、リー
ドフレームから切断分離することにより、前記同様に、
高精度のリード長さ寸法を有する樹脂モールド製品を製
造することができる。

【００１８】請求項４に記載された樹脂モールド製品の
製造装置は、多数個の樹脂モールド製品を有するリード
フレームから各樹脂モールド製品を切断分離する樹脂モ
ールド製品の製造装置であって、前記リードフレームに
おける各樹脂モ−ルド製品の樹脂モールド部位置の基準
位置に対するシフト量を検出するシフト量検出部と、そ
の検出シフト量を記憶するシフト量記憶部と、シフト量
記憶部の記憶データに基づいてリードフレームをシフト
方向と反対方向に、かつ、シフト量と等しい寸法だけ移
動させて位置修正するリードフレーム位置修正機構部
と、位置修正されたリードフレームから樹脂モールド製
品を切断分離するリードフレーム切断機構部とを具備す
ることを特徴とするものである。

【００１９】上記の樹脂モールド製品の製造装置によれ
ば、個々の樹脂モールド製品のモールド部端部位置が基
準位置からシフトしていても、そのシフト量をシフト量
検出部によって検出し、その検出シフト量に応じて、位
置修正機構部によりリードフレームを反対方向に、か
つ、シフト量と等しい寸法だけ移動させて位置修正した
上で、リードフレーム切断機構部により切断分離するこ
とにより、小型化された樹脂モールド製品であっても、
高精度のリード長さ寸法を有する樹脂モールド製品を製
造することができる。

【００２０】請求項５に記載された樹脂モールド製品の
製造装置は、前記シフト量検出部が、各樹脂モ−ルド製
品の樹脂モールド部の端部を検出するレーザ照射部およ
び樹脂モールド製品からの反射レーザを入力する反射レ
ーザ入力部と、反射レーザによって樹脂モールド製品の
端部位置の基準位置からのシフト量を計測するシフト量
計測部とを有することを特徴とするものである。

【００２１】このような樹脂モールド製品の製造装置に
よれば、レーザ照射部および反射レーザ入射部によって
樹脂モールド部の端部位置を検出し、シフト量計測部に
よって前記レーザ部で検出した端部位置の基準位置から
のシフト量を計測し、リードフレーム位置修正機構部に
よって前記シフト量計測部からの出力に基づいてリード
フレームを移動させて位置修正して、リードフレーム切
断機構部により各樹脂モールド製品を切断分離するの
で、小型化された樹脂モールド製品であっても、高精度
のリード長さ寸法を有する樹脂モールド製品を製造する
ことができる。

【００２２】

【発明の実施の形態】以下、本発明の樹脂モールド製品
の製造方法および製造装置の実施の形態について、図面
を参照して説明する。

【００２３】図１は本発明方法の概略ブロック図であ
る。図１において、１はリードフレームに形成された多
数個の樹脂モールド型半導体装置（以下、半導体装置と
いう）におけるモールド部の端部位置の基準位置に対す
るシフト量を検出するシフト量検出部、２はシフト量検
出部１で検出されたシフト量を記憶するシフト量記憶
部、３はシフト量記憶部２の記憶データに基づいてリー
ドフレームをシフト方向と反対方向に、かつ、シフト量
と等しい寸法だけ移動させて位置修正するリードフレー
ム位置修正機構部、４はリードフレームから半導体装置
を切断分離するリード切断機構部である。

【００２４】図２は、多数個の半導体装置１１を形成し
たリードフレーム１０の平面図で、多数のリード１２，
１３を有し、いずれかのリードに半導体素子をマウント
するとともに、半導体素子からリードにワイヤをボンデ
ィングし、半導体素子およびワイヤボンディング部分を
樹脂でモールドした樹脂モールド部１４を有する。

【００２５】図示例は、リードフレーム１０の幅方向に
４個の半導体装置１１ａ〜１１ｄが形成されている。こ
れら４個の半導体装置１１ａ〜１１ｄを形成したリード
フレーム１０の幅方向の両側に、位置決め用の基準位置
となる角形の孔１５が形成されている。また、各孔１
５，１５間には、リードフレーム１０を所定ピッチで間
欠送りするための円形の孔１６が形成されている。な
お、各半導体装置１１ａ，１１ｂ間、１１ｂ，１１ｃ間
および１１ｃ，１１ｄ間には、長手方向に沿って連結部
１７が形成されている。さらに、半導体装置１１の２列
ごとに、短手方向に沿って連結部１８が形成されてい
る。

【００２６】そして、今、図３に示すように、リードフ
レーム１０の半導体装置１１ａにおける孔１５から樹脂
モールド部１４の端部位置までの基準寸法がＬ０で、樹
脂モールド部１４の端部位置からリード１２の基準長さ
寸法がＬ01であるとする。

【００２７】それに対して、孔１５から樹脂モールド部
１４の端部位置までの実際寸法Ｌ１が、図３に示すよう
に、シフト量△Ｌ１に起因してＬ１＝Ｌ０＋△Ｌ１であ
る場合、従来のように、半導体装置１１ａを、前記基準
寸法Ｌ０に基づいて、Ｌ０−△Ｌ01の位置でリード１２
を切断分離すると、半導体装置１１ａの一方側のリード
１２は基準長さ寸法Ｌ01よりも△Ｌ１だけ長くなり、他
方側のリード１３は基準長さ寸法Ｌ02よりも△Ｌ１だけ
短くなる。

【００２８】同様に、半導体装置１１ｂ，１１ｃ，１１
ｄの樹脂モールド部１４の端部位置が基準位置に対して
それぞれ−△Ｌ２，＋△Ｌ３，−△Ｌ４だけシフトして
いるとすれば、従来は、半導体装置１１ａ〜１１ｄを一
括して切断分離しているので、半導体装置１１ｂの一方
側のリード１２は基準長さ寸法よりも△Ｌ２だけ短くな
り、他方側のリード１３は基準長さ寸法よりも△Ｌ２だ
け長くなる。また、半導体装置１１ｃの一方側のリード
１２は基準長さ寸法よりも△Ｌ３だけ長くなり、他方側
のリード１３は基準長さ寸法よりも△Ｌ３だけ短くな
る。さらに、半導体装置１１ｄの一方側のリード１２は
基準長さ寸法よりも△Ｌ４だけ短くなり、他方側のリー
ド１３は基準長さ寸法よりも△Ｌ４だけ長くなる。

【００２９】すなわち、半導体装置１１ａ〜１１ｄごと
にシフト量が相違しているので、従来のように、一列の
半導体装置１１ａ〜１１ｄを一括して切断分離すると、
それぞれのリード１２，１３の長さ寸法は、非常にばら
つくことになる。

【００３０】そこで、本発明では、半導体装置１１の切
断分離前に、シフト量検出部１によって、各半導体装置
１１ａ〜１１ｄにおける樹脂モールド部１４の端部位置
の、基準位置に対するシフト量を検出し、その検出デー
タをシフト記憶部２に記憶させ、このシフト量記憶部２
の記憶デ−タに基づいて、対応する半導体装置１１がリ
ード切断機構部４の位置に来たときに、シフト量記憶部
２からリードフレーム位置修正機構部３に記憶データを
出力することによって、リードフレーム１０をシフト方
向と反対方向に、かつ、シフト量と等しい寸法だけ移動
させて位置修正を行なった後、リード切断機構部４によ
って半導体装置１１を切断分離するものである。

【００３１】具体的には、前述の例で説明すると、図３
に示すように、半導体装置１１ａは、樹脂モールド部１
４の端部位置が図示２点鎖線で示す正しい位置にあれ
ば、基準となる孔１５から所定寸法（Ｌ０−Ｌ01）の位
置で切断すればよいが、図示実線で示すように、樹脂モ
ールド部１４の端部位置が図示２点鎖線で示す正しい位
置から＋△Ｌ１だけシフトしていれば、このシフト量△
Ｌ１に応じて、リードフレーム位置修正機構部３によっ
て、リードフレーム１０をシフト方向（下方向）と反対
方向（上方向）に△Ｌ１だけ移動させた後、すなわち、
図示２点鎖線で示す正しい位置まで位置修正した後、リ
ード切断機構部４によって半導体装置１１ａをリードフ
レーム１０から切断分離する。

【００３２】また、半導体装置１１ｂは、シフト量（−
△Ｌ２）に応じて、リードフレーム位置修正機構部３に
よって、リードフレーム１０をシフト方向（上方向）と
反対方向（下方向）に△Ｌ２だけ移動させて位置修正し
た後、リード切断機構部４によって切断分離する。半導
体装置１１ｃは、シフト量（＋△Ｌ３）に応じて、リー
ドフレーム位置修正機構部３によって、リードフレーム
１０をシフト方向（下方向）と反対方向（上方向）に△
Ｌ３だけ移動させて位置修正した後、リード切断機構部
４によって切断分離する。半導体装置１１ｄは、シフト
量（−△Ｌ４）に応じて、リードフレーム位置修正機構
部３によって、リードフレーム１０をシフト方向（上方
向）と反対方向（下方向）に△Ｌ４だけ移動させて位置
修正した後、リード切断機構部４によって切断分離す
る。

【００３３】以上の製造方法によれば、各半導体装置１
１ａ〜１１ｄのリード１２，１３を、半導体装置１１ご
とにその樹脂モールド部１４の端部位置から所定寸法位
置（Ｌ01）で切断して、寸法精度が高い半導体装置１１
ａ〜１１ｄを製造することができる。

【００３４】図４は、本発明に係る樹脂モールド製品の
製造装置２０の平面図である。図４において、２１は多
数個の半導体装置１１を有するリードフレーム１０を支
持するガイドである。リードフレーム１０は、このガイ
ド２１上を、例えば、図２および図３に示す送り孔１６
に送りピン２２を引っ掛けて、スクウェアモーション
（下降→進行方向に水平移動→上昇→進行方向と逆方向
に水平移動）によって、間欠的に搬送される。２３は本
発明にしたがって設けたリードフレーム１０の位置を修
正するリードフレーム位置修正機構部であり、前記ガイ
ド２１を支持し、Ｙ方向に所定寸法送りするＹ方向テー
ブル２４と、このY方向テーブル２４をY方向に駆動する
サーボモータ２５と、このサーボモータ２５によってY
方向テーブル２４をY方向に移動する例えばボールねじ
よりなる送り機構部２６とで構成されている。

【００３５】このリードフレーム位置修正機構部２３に
おけるサーボモータ２５によるＹ方向テーブル２４（換
言すれば、リードフレーム１０）の幅方向（Y方向）送
り寸法は、基本的には各半導体装置１１，１１のピッチ
間隔に、樹脂モールド部１４の端部位置の基準位置から
のシフト量を加算（または減算）したものに等しい。

【００３６】２７は半導体装置１１のリード１２，１３
を切断するリード切断機構部である。このリード切断機
構部２７の構成については、後で詳述するが、リード切
断機構部２７はリードフレーム１０の上方および下方位
置に固定配置されている。なお、リード切断機構部２７
には位置決めピン２８が設けられている。

【００３７】この位置決めピン２８は、リードフレーム
１０の位置決め用の孔１５に挿入されて、ガイド２１と
ともに移動し、リードフレーム１０をリード切断機構部
２７の正しい位置に位置決めする。すなわち、先に、シ
フト量検出部１により、リードフレーム１０の位置決め
用の孔１５と半導体装置１１の樹脂モールド部１４間の
基準寸法からのシフト寸法を測定してあるので、シフト
量記憶部２の記憶データに基づいて、位置決めピン２８
を基準位置から補正量だけY方向に移動することで正し
い位置に位置決めし、リード１２，１３を樹脂モールド
部１４の端部位置から正しい寸法位置で切断することが
できる。

【００３８】図５（ａ）はリード切断機構部２７の下面
図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線に沿った縦断面図、
（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ線に沿った縦断面図である。な
お、図５（ｃ）は、構成および動作を理解しやすいよう
に、向かって左半分がリードフレーム１０の切断時の状
態を示し、右半分がリードレーム１０の切断前（または
切断後）の状態を示す。図５（ｃ）においては、上型お
よび下型がそれぞれ上昇および下降し、かつ、上型で切
断後の半導体装置１１を吸着保持している状態を、２点
鎖線で示している。

【００３９】図５（ａ）（ｂ）（ｃ）において、２７０
は上型、２７１は下型、２７２は切断刃、１０はリード
フレームである。上型２７０および下型２７１は、同期
して上下動し、上型２７０内には半導体装置１１を所定
圧力で押圧するバネ２７３が内蔵されている。下型２７
１は切断された半導体装置１１を吸着保持する真空吸着
部を備えている。切断刃２７２は上型２７０に設けられ
ており、Ｙテーブル２４によってリードフレーム１０が
位置修正されると、降下して半導体装置１１ａのリード
１２，１３を切断する。

【００４０】図示しない位置に、半導体装置１１の樹脂
モールド部１４の端部位置を検出するシフト量検出部１
が設けられている。このシフト量検出部１は、例えば、
レーザ照射部およびその反射レーザ入力部を備え、レー
ザ照射部から半導体装置１１にレーザを照射しながら半
導体装置１１ａ〜１１ｄ上を走査して、その表面からの
反射レーザを反射レーザ入力部で受け、この反射レーザ
から計測部で半導体装置１１ａから１１ｄの各部高さを
計測し、もって樹脂モールド部１４の端部位置を検出す
るものである。このようにして検出したシフト量は、シ
フト量記憶部２に記憶される。なお、このようなレーザ
照射部，反射レーザ入力部および計測部を備えたシフト
量検出部１やシフト量記憶部２は公知であるので、図示
および詳細な説明は省略する。

【００４１】次にガイド２１上にリードフレーム１０を
載置し、前述したシフト量検出部１により、孔１５から
半導体装置１１ａ〜１１ｄの樹脂モールド部１４の端部
位置までの基準長さ寸法に対するシフト量を検出する。

【００４２】これらのシフト量をシフト量記憶部２に記
憶させておき、リードフレーム１０を送りピン２２によ
って、間歇的に順次、図４の右方向に搬送していく。そ
して、半導体装置１１ａが切断部２７の位置に来たとき
に、シフト量記憶部２から記憶データ（シフト量）をサ
ーボモータ２５に出力して、その記憶データ（シフト
量）に応じて、ガイド２１を支持するＹテーブル２４を
サーボモータ２５および送り機構２６によって駆動し
て、シフト方向と反対方向、かつ、シフト量に等しい寸
法だけ移動させる。

【００４３】すると、半導体装置１１ａが前記シフト量
だけ位置修正され、その樹脂モールド部１４の端部位置
から基準長さ寸法Ｌ01だけ離れた位置が、前記切断部２
７の切断刃２７２の位置に来る。

【００４４】この状態で、切断部２７の上型２７０を下
降，下型２７１を上昇させて、半導体装置１１ａを固定
した状態で、切断刃２７２を下降させて、リード１２，
１３を切断する。この切断位置は、前記位置修正動作に
よって、樹脂モールド部１４の端部位置から基準長さ寸
法Ｌ01の位置になっているから、リード１２の長さ寸法
は、基準長さ寸法L01に一致している。

【００４５】なお、通常、上記リード１２の切断時に、
同時に他方側のリード１３も切断される。このリードＬ
２の切断については、樹脂モールド部１４の幅寸法が一
定であるので、特に樹脂モールド部１４の他方端部位置
からのシフト量を検出しなくても、リード１３の長さ寸
法は基準長さ寸法Ｌ02に一致する。

【００４６】上記の動作が終了すると、シフト量記憶部
２に記憶されている隣の半導体装置１１ｂの記憶データ
（シフト量）に応じて、Ｙテーブル２４をシフト方向と
反対方向にシフト量に等しい寸法だけ移動させて位置修
正した後に、半導体装置１１ｂのリード１２，１３を切
断する。以下、同様にして、半導体装置１１ｃ，１１ｄ
の位置修正を行なった後、それぞれリード１２，１３を
切断する。

【００４７】なお、半導体装置１１ａのシフト量と半導
体装置１１ｂ〜１１ｃのシフト量とが等しい場合は、シ
フト量記憶部２の記憶データに基づいて、半導体装置１
１ａと同時に半導体装置１１ｂ〜１１ｄのリード１２，
１３を一括して切断するようにすればよい。

【００４８】本発明によると、従来複数個の半導体装置
１１を一括して切断していたのに対して、基本的には個
別に切断するので、切断工程のスループットは低下する
が、不良半導体装置が発生しないので、良品の半導体装
置のスループットは従来よりも高くなり、特に、上述の
ように、シフト量が等しい半導体装置が多くなればなる
ほど、一括切断量が増大するため、良品の半導体装置の
スループットが向上する。

【００４９】なお、前記図４において符号３０は、ター
ンテーブルを示す。例えば、リード切断機構部２７で切
断された半導体装置１１を、このターンテーブル３０を
利用して、その第１ポジションで姿勢補正し、第２ポジ
ションで電気特性を検査し、第３ポジションで電気特性
検査結果に基づいて良否を分類し、第４ポジションで良
品をエンボステープに収納するといった具合に、連続的
に順次次工程に送っていくことができる。そのような場
合に、例えば、図５（ｃ）に示すように、半導体装置１
１ａ〜１１ｄを２個一組にして取り扱うようにすれば、
スループットを向上することができる。

【００５０】上記実施形態は、樹脂モールド部１４の一
方から２本のリード１２が導出され、他方側から１本の
リードが導出された樹脂モールド型半導体装置の場合に
ついて説明したが、他のリード導出形態の樹脂モールド
型半導体装置であってもよい。

【００５１】また、樹脂モールド型半導体装置に限ら
ず、他の抵抗、コンデンサなどの樹脂モールド型電子部
品であっても、同様に実施できるものである。

【００５２】

【発明の効果】本発明の樹脂モールド製品の製造方法
は、多数個の樹脂モールド製品を有するリードフレーム
から各樹脂モールド製品を切断分離する樹脂モールド製
品の製造方法であって、前記リードフレームにおける各
樹脂モ−ルド製品の樹脂モールド部位置の基準位置に対
するシフト量を検出し、その検出シフト量を記憶させて
おき、前記シフト量記憶データに基づいてリードフレー
ムをシフト方向と反対方向に、かつ、シフト量に等しい
寸法だけ移動させて位置修正した後、リードフレームを
切断することを特徴とするものであるから、リードの長
さ寸法が短い小型化された半導体装置などにあっても、
高精度でリード切断が行なえ、リード長さ寸法精度が高
い樹脂モールド製品を製造することができる。

【００５３】また、本発明の樹脂モールド製品の製造装
置は、多数個の樹脂モールド製品を有するリードフレー
ムから各樹脂モールド製品を切断分離する樹脂モールド
製品の製造装置であって、前記リードフレームにおける
各樹脂モ−ルド製品の樹脂モールド部位置の基準位置に
対するシフト量を検出するシフト量検出部と、その検出
シフト量を記憶するシフト量記憶部と、シフト量記憶部
の記憶データに基づいてリードフレームをシフト方向と
反対方向に、かつ、シフト量と等しい寸法だけ移動させ
て位置修正するリードフレーム位置修正機構部と、位置
修正されたリードフレームから樹脂モールド製品を切断
分離するリードフレーム切断機構部とを具備することを
特徴とするものであるから、小型化された半導体装置に
あっても、高精度でリード切断が行なえ、リードの長さ
寸法精度が高い半導体装置などの樹脂モールド製品を製
造することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る樹脂モールド製品の製造方法の概
略ブロック図である。

【図２】本発明の樹脂モールド型半導体装置の製造方法
および製造装置について説明するリードフレームの部分
拡大平面図である。

【図３】本発明の樹脂モールド製品の製造方法について
説明するリードフレームの要部拡大平面図である。

【図４】本発明の実施形態に係る樹脂モールド製品の製
造装置の平面図である。

【図５】（ａ）は本発明の実施形態に係る樹脂モールド
製品の製造装置におけるリード切断機構部の下面図、
（ｂ）は（ａ）のリード切断機構部のＡ−Ａ線に沿った
縦断面図、（ｃ）は（ａ）のリード切断機構部のＢ−Ｂ
線に沿った縦断面図である。

【図６】樹脂モールド型半導体装置の一例の斜視図であ
る。

【図７】樹脂モールド型半導体装置を有するリードフレ
ームの要部拡大平面図である。

【図８】図７のリードフレームを切断して得た正規の長
さ寸法のリードを有する樹脂モールド型半導体装置の拡
大平面図である。

【図９】従来の製造方法により製造された長さ寸法が異
常なリードを有する樹脂モールド型半導体装置の拡大平
面図である。

【符号の説明】

１ シフト量検出部 ２ シフト量記憶部 ３ リードフレーム位置修正機構部 ４ リード切断機構部 １０ リードフレーム １１，１１ａ〜１１ｄ 樹脂モールド型半導体装置 １２，１３ リード １４ 樹脂モールド部 １５ 位置決め用の孔 １６ 送り用の孔 ２０ 樹脂モールド型半導体装置の製造装置 ２１ ガイド ２２ 送りピン ２３ リードフレーム位置修正機構部 ２４ Ｙ方向テーブル ２５ サーボモータ ２６ Y方向送り機構部 ２７ リード切断機構部 ２７０ 上型 ２７１ 下型 ２７２ 切断刃 ２８ 位置決めピン ３０ 回転テーブル Ｌ01，Ｌ02 リードの基準長さ寸法 Ｌａ，Ｌｂ リードの異常長さ寸法 △Ｌ１ シフト量

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 多数個の樹脂モールド製品を有するリー
   ドフレームから各樹脂モールド製品を切断分離する樹脂
   モールド製品の製造方法であって、 前記リードフレームにおける各樹脂モ−ルド製品の樹脂
   モールド部位置の基準位置に対するシフト量を検出し、
   その検出シフト量を記憶させておき、前記シフト量記憶
   データに基づいてリードフレームをシフト方向と反対方
   向に、かつ、シフト量に等しい寸法だけ移動させて位置
   修正した後、リードフレームを切断することを特徴とす
   る樹脂モールド製品の製造方法。
2. 【請求項２】 前記リードフレームの樹脂モールド製品
   が、リードフレームの幅方向に複数個形成されているこ
   とを特徴とする請求項１に記載の樹脂モールド製品の製
   造方法。
3. 【請求項３】 前記リードフレームの樹脂モールド製品
   のリードが、リードフレームの幅方向に導出されている
   ことを特徴とする請求項１または２に記載の樹脂モール
   ド製品の製造方法。
4. 【請求項４】 多数個の樹脂モールド製品を有するリー
   ドフレームから各樹脂モールド製品を切断分離する樹脂
   モールド製品の製造装置であって、 前記リードフレームにおける各樹脂モ−ルド製品の樹脂
   モールド部位置の基準位置に対するシフト量を検出する
   シフト量検出部と、 その検出シフト量を記憶するシフト量記憶部と、 シフト量記憶部の記憶データに基づいてリードフレーム
   をシフト方向と反対方向に、かつ、シフト量と等しい寸
   法だけ移動させて位置修正するリードフレーム位置修正
   機構部と、 位置修正されたリードフレームから樹脂モールド製品を
   切断分離するリードフレーム切断機構部とを具備するこ
   とを特徴とする樹脂モールド製品の製造装置。
5. 【請求項５】 前記シフト量検出部が、各樹脂モ−ルド
   製品の樹脂モールド部の端部を検出するレーザ照射部お
   よび樹脂モールド製品からの反射レーザを入力する反射
   レーザ入力部と、反射レーザによって樹脂モールド製品
   の端部位置の基準位置からのシフト量を計測するシフト
   量計測部とを有することを特徴とする請求項４に記載の
   樹脂モールド製品の製造装置。