JP2003068809A - 半導体ウェーハ検査用プローブの検査装置及び検査方法。 - Google Patents
半導体ウェーハ検査用プローブの検査装置及び検査方法。Info
- Publication number
- JP2003068809A JP2003068809A JP2001260098A JP2001260098A JP2003068809A JP 2003068809 A JP2003068809 A JP 2003068809A JP 2001260098 A JP2001260098 A JP 2001260098A JP 2001260098 A JP2001260098 A JP 2001260098A JP 2003068809 A JP2003068809 A JP 2003068809A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor wafer
- substrate
- inspection
- probe
- capacitance value
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Testing Of Short-Circuits, Discontinuities, Leakage, Or Incorrect Line Connections (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体ウェーハ検査用プローブの電気的接続
及び動作を、短時間で確実に検査する。 【解決手段】 まず、半導体ウェーハ検査用プローブ９
の未接続状態における静電容量値を測定する。次に、半
導体ウェーハ検査用プローブと、半導体ウェーハ検査用
プローブの基板側電極部６に対向する電極（ＧＮＤパッ
ド３及び信号線パッド４）を有する検査用擬似ウェーハ
（検査用基板）１との位置合わせを行って、半導体ウェ
ーハ検査用プローブの基板側電極部と検査用擬似ウェー
ハとを接続する。そして、半導体ウェーハ検査用プロー
ブの基板側電極部における静電容量値を測定し、未接続
状態の静電容量値と、検査用擬似ウェーハとの接続時の
静電容量値との比較を行い、半導体ウェーハ検査用プロ
ーブの電気的接続の良否を判定する。
及び動作を、短時間で確実に検査する。 【解決手段】 まず、半導体ウェーハ検査用プローブ９
の未接続状態における静電容量値を測定する。次に、半
導体ウェーハ検査用プローブと、半導体ウェーハ検査用
プローブの基板側電極部６に対向する電極（ＧＮＤパッ
ド３及び信号線パッド４）を有する検査用擬似ウェーハ
（検査用基板）１との位置合わせを行って、半導体ウェ
ーハ検査用プローブの基板側電極部と検査用擬似ウェー
ハとを接続する。そして、半導体ウェーハ検査用プロー
ブの基板側電極部における静電容量値を測定し、未接続
状態の静電容量値と、検査用擬似ウェーハとの接続時の
静電容量値との比較を行い、半導体ウェーハ検査用プロ
ーブの電気的接続の良否を判定する。
Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は、半導体ウェーハ検
査用プローブの検査装置及び検査方法に関し、特に、半
導体ウェーハの接触部分と電気的接続をして、半導体ウ
ェーハ上の回路の断線検査又は電気的な短絡検査を行う
半導体ウェーハ検査用プローブの検査を行う半導体ウェ
ーハ検査用プローブの検査装置及び検査方法に関する。
査用プローブの検査装置及び検査方法に関し、特に、半
導体ウェーハの接触部分と電気的接続をして、半導体ウ
ェーハ上の回路の断線検査又は電気的な短絡検査を行う
半導体ウェーハ検査用プローブの検査を行う半導体ウェ
ーハ検査用プローブの検査装置及び検査方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体ウェーハ上の回路の電気的
特性を検査する場合、半導体ウェーハ上に形成された複
数の半導体集積回路素子の電極パッドとの電気的接続を
行う基板側電極部を有する半導体ウェーハ検査用プロー
ブを用いて、半導体ウェーハ状態で一括又は部分的な電
気的接続を行って、半導体ウェーハの電気的特性の検査
を行う方法が知られている。
特性を検査する場合、半導体ウェーハ上に形成された複
数の半導体集積回路素子の電極パッドとの電気的接続を
行う基板側電極部を有する半導体ウェーハ検査用プロー
ブを用いて、半導体ウェーハ状態で一括又は部分的な電
気的接続を行って、半導体ウェーハの電気的特性の検査
を行う方法が知られている。
【０００３】また、従来の回路基板の検査装置及び方法
として、特開平５−２６９４３号公報に回路パターンの
検査装置及び検査方法が開示されている。図５は、従来
の回路パターンの検査装置の一例を示す構成図である。
図５に示す検査装置は、主に、ＧＮＤ電源接続機構５１
と、信号パッド５２の検査用プローブ（半導体ウェーハ
検査用プローブ）５３と静電容量測定器５４により構成
されており、多層配線の回路基板５５の信号パッド５２
を、検査用プローブ５３で１つずつ接触することによっ
て、静電容量測定器５４で回路基板５５上の回路パター
ンの静電容量を測定し、断線及びショートの検査を行う
ものである。
として、特開平５−２６９４３号公報に回路パターンの
検査装置及び検査方法が開示されている。図５は、従来
の回路パターンの検査装置の一例を示す構成図である。
図５に示す検査装置は、主に、ＧＮＤ電源接続機構５１
と、信号パッド５２の検査用プローブ（半導体ウェーハ
検査用プローブ）５３と静電容量測定器５４により構成
されており、多層配線の回路基板５５の信号パッド５２
を、検査用プローブ５３で１つずつ接触することによっ
て、静電容量測定器５４で回路基板５５上の回路パター
ンの静電容量を測定し、断線及びショートの検査を行う
ものである。
【０００４】また、半導体ウェーハ検査用プローブ５３
を全ての電極に対して個別に配線するのではなく、半導
体ウェーハ検査用プローブ５３に共通の電源線又は共通
の信号線を設けて、半導体回路素子の各電極パッドとの
接続を行うこともある。そして、半導体ウェーハの検査
を行う場合、半導体ウェーハ全体で数万にも上る電極パ
ッドが存在する半導体ウェーハ上の全ての電極パッドに
ついて、電気的接続を十分に行う必要がある。また、一
部の電極パッドとの部分接続を行って検査を行う場合で
も、数百の電極パッドと接続を行う必要がある。
を全ての電極に対して個別に配線するのではなく、半導
体ウェーハ検査用プローブ５３に共通の電源線又は共通
の信号線を設けて、半導体回路素子の各電極パッドとの
接続を行うこともある。そして、半導体ウェーハの検査
を行う場合、半導体ウェーハ全体で数万にも上る電極パ
ッドが存在する半導体ウェーハ上の全ての電極パッドに
ついて、電気的接続を十分に行う必要がある。また、一
部の電極パッドとの部分接続を行って検査を行う場合で
も、数百の電極パッドと接続を行う必要がある。
【０００５】半導体ウェーハ検査用プローブは、半導体
ウェーハと電気的接続を行う基板側電極部と、基板側電
極部から信号を外部に引き出す信号線が配置された多層
配線基板によって構成されている。これらの半導体ウェ
ーハ検査用プローブの構成部品は、それぞれ単体での製
品の良否の検査は可能であるが、これらを組み合わせて
半導体ウェーハ検査用プローブの完成品となった場合、
半導体ウェーハとの電気的接続まで含めた半導体ウェー
ハ検査用プローブそのものの検査を行うためには、実際
に検査を行う半導体ウェーハを用いて、半導体ウェーハ
検査用プローブ全体での動作確認を行う必要がある。
ウェーハと電気的接続を行う基板側電極部と、基板側電
極部から信号を外部に引き出す信号線が配置された多層
配線基板によって構成されている。これらの半導体ウェ
ーハ検査用プローブの構成部品は、それぞれ単体での製
品の良否の検査は可能であるが、これらを組み合わせて
半導体ウェーハ検査用プローブの完成品となった場合、
半導体ウェーハとの電気的接続まで含めた半導体ウェー
ハ検査用プローブそのものの検査を行うためには、実際
に検査を行う半導体ウェーハを用いて、半導体ウェーハ
検査用プローブ全体での動作確認を行う必要がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、実際に
検査を行う半導体ウェーハを用いて半導体ウェーハ検査
用プローブの動作を検査する場合、動作歩留まり１００
％の半導体ウェーハを用いて検査を行うか、動作歩留ま
りが比較的高い複数枚の半導体ウェーハを用い、その測
定結果を重ね合わせて半導体ウェーハ検査用プローブ全
体の検査を行うことが必要である。このような動作歩留
まり１００％の半導体ウェーハは、現実的には入手及び
利用が困難である。
検査を行う半導体ウェーハを用いて半導体ウェーハ検査
用プローブの動作を検査する場合、動作歩留まり１００
％の半導体ウェーハを用いて検査を行うか、動作歩留ま
りが比較的高い複数枚の半導体ウェーハを用い、その測
定結果を重ね合わせて半導体ウェーハ検査用プローブ全
体の検査を行うことが必要である。このような動作歩留
まり１００％の半導体ウェーハは、現実的には入手及び
利用が困難である。
【０００７】また、動作歩留まりが１００％には及ばな
いものの、動作歩留まりが比較的高い半導体ウェーハに
関しても、プロセスが確立されていない場合には何枚も
の半導体ウェーハを用いる必要があり、一部分に関して
は良品チップが得られない場合もあって、半導体ウェー
ハ検査用プローブ側における電気的接続が完全に保証さ
れるわけではない。
いものの、動作歩留まりが比較的高い半導体ウェーハに
関しても、プロセスが確立されていない場合には何枚も
の半導体ウェーハを用いる必要があり、一部分に関して
は良品チップが得られない場合もあって、半導体ウェー
ハ検査用プローブ側における電気的接続が完全に保証さ
れるわけではない。
【０００８】また、半導体ウェーハの電極パッドはアル
ミパッドであることがほとんどであり、その表面は電気
絶縁性の酸化膜で覆われている。したがって、こうした
アルミパッドと半導体ウェーハ検査用プローブとの間で
確実に電気的接続が行われるようにするためには、半導
体ウェーハ検査用プローブの基板側電極部の先端が、ア
ルミパッドの酸化膜を破る必要がある。このため、従来
は半導体ウェーハ検査用プローブの先端の微小部分を粗
面化するなどして、アルミパッドの酸化膜を破る工夫が
施されている。しかしながら、従来の検査装置及び検査
方法では、半導体ウェーハ検査用プローブの先端の微小
部分に安定した荷重を掛ける方法がなく、半導体ウェー
ハ検査用プローブの基板側電極部の電気的接続が十分に
保証されるわけではない。
ミパッドであることがほとんどであり、その表面は電気
絶縁性の酸化膜で覆われている。したがって、こうした
アルミパッドと半導体ウェーハ検査用プローブとの間で
確実に電気的接続が行われるようにするためには、半導
体ウェーハ検査用プローブの基板側電極部の先端が、ア
ルミパッドの酸化膜を破る必要がある。このため、従来
は半導体ウェーハ検査用プローブの先端の微小部分を粗
面化するなどして、アルミパッドの酸化膜を破る工夫が
施されている。しかしながら、従来の検査装置及び検査
方法では、半導体ウェーハ検査用プローブの先端の微小
部分に安定した荷重を掛ける方法がなく、半導体ウェー
ハ検査用プローブの基板側電極部の電気的接続が十分に
保証されるわけではない。
【０００９】さらに、半導体ウェーハ検査用プローブの
基板側電極部の１つ１つに対して、半導体ウェーハ検査
用プローブを接続して測定及び検査を行う場合には、基
板側電極部の個数が数万にも上るため、非常に時間がか
かってしまうという問題がある。
基板側電極部の１つ１つに対して、半導体ウェーハ検査
用プローブを接続して測定及び検査を行う場合には、基
板側電極部の個数が数万にも上るため、非常に時間がか
かってしまうという問題がある。
【００１０】上記問題に鑑み、本発明は、半導体ウェー
ハ検査用プローブの電気的接続及び動作を、短時間で確
実に検査できる半導体ウェーハ検査用プローブの検査装
置及び検査方法を提供することを目的とする。
ハ検査用プローブの電気的接続及び動作を、短時間で確
実に検査できる半導体ウェーハ検査用プローブの検査装
置及び検査方法を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の半導体ウェーハ検査用プローブの検査装置
は、半導体ウェーハ検査用プローブの基板側電極部に対
向する電極を有する検査用基板と、半導体ウェーハ検査
用プローブの出力信号の切り替え手段と、切り替え手段
からの出力信号から基板側電極部の静電容量値を測定す
る静電容量測定手段と、静電容量測定手段により測定さ
れる半導体ウェーハ検査用プローブと検査用基板との接
続前の静電容量値及び接続後の静電容量値から、半導体
ウェーハ検査用プローブの電気的接続の良否を判定する
判定手段とを有する構成となっている。この構成によ
り、半導体ウェーハ検査用プローブの電気的接続及び動
作を、短時間で確実に検査することが可能となる。
め、本発明の半導体ウェーハ検査用プローブの検査装置
は、半導体ウェーハ検査用プローブの基板側電極部に対
向する電極を有する検査用基板と、半導体ウェーハ検査
用プローブの出力信号の切り替え手段と、切り替え手段
からの出力信号から基板側電極部の静電容量値を測定す
る静電容量測定手段と、静電容量測定手段により測定さ
れる半導体ウェーハ検査用プローブと検査用基板との接
続前の静電容量値及び接続後の静電容量値から、半導体
ウェーハ検査用プローブの電気的接続の良否を判定する
判定手段とを有する構成となっている。この構成によ
り、半導体ウェーハ検査用プローブの電気的接続及び動
作を、短時間で確実に検査することが可能となる。
【００１２】また、上記本発明に加えて、検査用基板に
電位の基準となるＧＮＤ層を設け、静電容量測定手段に
よって、ＧＮＤ層と検査用基板の電極とにより形成され
るコンデンサの静電容量値を測定する構成となってい
る。この構成により、半導体ウェーハ検査用プローブの
電気的接続及び動作を、短時間で確実に検査することが
可能となる。
電位の基準となるＧＮＤ層を設け、静電容量測定手段に
よって、ＧＮＤ層と検査用基板の電極とにより形成され
るコンデンサの静電容量値を測定する構成となってい
る。この構成により、半導体ウェーハ検査用プローブの
電気的接続及び動作を、短時間で確実に検査することが
可能となる。
【００１３】また、上記本発明に加えて、半導体ウェー
ハ検査用プローブの基板側電極部の先端と検査用基板の
前記電極との電気的接続及び基板側電極部からの信号を
外部に引き出す信号線の電気的接続の少なくとも一方を
確認することができる構成となっている。この構成によ
り、半導体ウェーハ検査用プローブ全体の電気的接続を
確認することが可能となる。
ハ検査用プローブの基板側電極部の先端と検査用基板の
前記電極との電気的接続及び基板側電極部からの信号を
外部に引き出す信号線の電気的接続の少なくとも一方を
確認することができる構成となっている。この構成によ
り、半導体ウェーハ検査用プローブ全体の電気的接続を
確認することが可能となる。
【００１４】また、上記目的を達成するため、本発明の
半導体ウェーハ検査用プローブの検査方法は、半導体ウ
ェーハ検査用プローブの未接続状態における静電容量値
を測定する第１の静電容量値測定ステップと、半導体ウ
ェーハ検査用プローブと、半導体ウェーハ検査用プロー
ブの基板側電極部に対向する電極を有する検査用基板と
の位置合わせを行い、半導体ウェーハ検査用プローブの
基板側電極部と検査用基板の電極とを接続する位置合わ
せステップと、半導体ウェーハ検査用プローブの基板側
電極部における静電容量値を測定する第２の静電容量値
測定ステップと、第１の静電容量値測定ステップで測定
された静電容量値と、第２の静電容量値測定ステップで
測定された静電容量値との比較を行い、半導体ウェーハ
検査用プローブの電気的接続の良否を判定する電気的接
続判定ステップとを有する構成となっている。この構成
により、半導体ウェーハ検査用プローブの電気的接続及
び動作を、短時間で確実に検査することが可能となる。
半導体ウェーハ検査用プローブの検査方法は、半導体ウ
ェーハ検査用プローブの未接続状態における静電容量値
を測定する第１の静電容量値測定ステップと、半導体ウ
ェーハ検査用プローブと、半導体ウェーハ検査用プロー
ブの基板側電極部に対向する電極を有する検査用基板と
の位置合わせを行い、半導体ウェーハ検査用プローブの
基板側電極部と検査用基板の電極とを接続する位置合わ
せステップと、半導体ウェーハ検査用プローブの基板側
電極部における静電容量値を測定する第２の静電容量値
測定ステップと、第１の静電容量値測定ステップで測定
された静電容量値と、第２の静電容量値測定ステップで
測定された静電容量値との比較を行い、半導体ウェーハ
検査用プローブの電気的接続の良否を判定する電気的接
続判定ステップとを有する構成となっている。この構成
により、半導体ウェーハ検査用プローブの電気的接続及
び動作を、短時間で確実に検査することが可能となる。
【００１５】また、上記本発明に加えて、検査用基板に
電位の基準となるＧＮＤ層が設けられており、第２の静
電容量測定ステップで、ＧＮＤ層と検査用基板の電極と
により形成されるコンデンサの静電容量値を測定する構
成となっている。この構成により、半導体ウェーハ検査
用プローブの電気的接続及び動作を、短時間で確実に検
査することが可能となる。
電位の基準となるＧＮＤ層が設けられており、第２の静
電容量測定ステップで、ＧＮＤ層と検査用基板の電極と
により形成されるコンデンサの静電容量値を測定する構
成となっている。この構成により、半導体ウェーハ検査
用プローブの電気的接続及び動作を、短時間で確実に検
査することが可能となる。
【００１６】また、上記本発明に加えて、半導体ウェー
ハ検査用プローブの基板側電極部の先端と検査用基板の
電極との電気的接続及び基板側電極部からの信号を外部
に引き出す信号線の電気的接続の少なくとも一方を確認
することができる構成となっている。この構成により、
半導体ウェーハ検査用プローブ全体の電気的接続を確認
することが可能となる。
ハ検査用プローブの基板側電極部の先端と検査用基板の
電極との電気的接続及び基板側電極部からの信号を外部
に引き出す信号線の電気的接続の少なくとも一方を確認
することができる構成となっている。この構成により、
半導体ウェーハ検査用プローブ全体の電気的接続を確認
することが可能となる。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら、本発
明の半導体ウェーハ検査用プローブの検査装置及び検査
方法に係る第１及び第２の実施の形態について説明す
る。
明の半導体ウェーハ検査用プローブの検査装置及び検査
方法に係る第１及び第２の実施の形態について説明す
る。
【００１８】＜第１の実施の形態＞まず、本発明に係る
第１の実施の形態について説明する。図１は、本発明の
半導体ウェーハ検査用プローブの検査装置に係る第１の
実施の形態を示す構成図である。図１に示す半導体ウェ
ーハ検査用プローブ９の検査装置は、検査用擬似ウェー
ハ１、信号切り替え器１０、静電容量測定器１１、パー
ソナルコンピュータ１２により構成されており、この構
成によって、電気的接触などの検査対象となる半導体ウ
ェーハ検査用プローブ９の検査を行う。
第１の実施の形態について説明する。図１は、本発明の
半導体ウェーハ検査用プローブの検査装置に係る第１の
実施の形態を示す構成図である。図１に示す半導体ウェ
ーハ検査用プローブ９の検査装置は、検査用擬似ウェー
ハ１、信号切り替え器１０、静電容量測定器１１、パー
ソナルコンピュータ１２により構成されており、この構
成によって、電気的接触などの検査対象となる半導体ウ
ェーハ検査用プローブ９の検査を行う。
【００１９】検査対象となる半導体ウェーハ検査用プロ
ーブ９は、半導体ウェーハと電気的接続を行う基板側の
接触部（基板側電極部）６と、基板側電極部６からの信
号を外部に引き出す多層配線基板５により構成されてい
る。複数の基板側電極部６のそれぞれは、後述の検査用
擬似ウェーハ１上のＧＮＤ（基準：Ground）パッド３及
び信号線パッド４に対向した位置に配置され、所定の各
信号線（信号線８）を介して、各基板側電極部６からの
信号を多層配線基板５の外部に引き出すことが可能とな
っている。
ーブ９は、半導体ウェーハと電気的接続を行う基板側の
接触部（基板側電極部）６と、基板側電極部６からの信
号を外部に引き出す多層配線基板５により構成されてい
る。複数の基板側電極部６のそれぞれは、後述の検査用
擬似ウェーハ１上のＧＮＤ（基準：Ground）パッド３及
び信号線パッド４に対向した位置に配置され、所定の各
信号線（信号線８）を介して、各基板側電極部６からの
信号を多層配線基板５の外部に引き出すことが可能とな
っている。
【００２０】なお、半導体ウェーハ上に配列されるＴＥ
Ｇ（ＴＥＧに関しては後述する）は、例えば、１つのＧ
ＮＤパッド３及び２つの信号線パッド４を有しており、
図１に示す半導体ウェーハ検査用プローブ９の構成とし
て、各ＴＥＧの２つの信号線パッド４に対向する基板側
電極部６のそれぞれが２本の信号線に接続し、さらに、
ＧＮＤパッド３に対向する基板側電極部６がＧＮＤ線７
に接続する一例が図示されている。
Ｇ（ＴＥＧに関しては後述する）は、例えば、１つのＧ
ＮＤパッド３及び２つの信号線パッド４を有しており、
図１に示す半導体ウェーハ検査用プローブ９の構成とし
て、各ＴＥＧの２つの信号線パッド４に対向する基板側
電極部６のそれぞれが２本の信号線に接続し、さらに、
ＧＮＤパッド３に対向する基板側電極部６がＧＮＤ線７
に接続する一例が図示されている。
【００２１】また、２本の信号線８からの信号は、信号
切り替え器１０に供給される。信号切り替え器１０は、
２本の信号線８から供給される信号のいずれか一方を静
電容量測定器１１に対して出力し、静電容量測定器１１
は、信号切り替え器１０に信号を供給する信号線（すな
わち、各信号線８）とＧＮＤ線７との間の静電容量値を
測定する。
切り替え器１０に供給される。信号切り替え器１０は、
２本の信号線８から供給される信号のいずれか一方を静
電容量測定器１１に対して出力し、静電容量測定器１１
は、信号切り替え器１０に信号を供給する信号線（すな
わち、各信号線８）とＧＮＤ線７との間の静電容量値を
測定する。
【００２２】また、検査用疑似ウェーハ（検査用基板）
１は、半導体ウェーハ検査用プローブ９の基板側電極部
６に対向する位置に配列するＧＮＤパッド３及び信号線
パッド４と、ＧＮＤパッド３に接続するＧＮＤ層２によ
り構成されている。ここで、各信号線パッド４とＧＮＤ
層２との間には、微小コンデンサが形成される。
１は、半導体ウェーハ検査用プローブ９の基板側電極部
６に対向する位置に配列するＧＮＤパッド３及び信号線
パッド４と、ＧＮＤパッド３に接続するＧＮＤ層２によ
り構成されている。ここで、各信号線パッド４とＧＮＤ
層２との間には、微小コンデンサが形成される。
【００２３】また、不図示ではあるが、半導体ウェーハ
検査用プローブ９の基板側電極部６と検査用擬似ウェー
ハ１の電極パッド（以下、ＧＮＤパッド３及び信号線パ
ッド４とをまとめて電極パッドと呼ぶことがある。）と
の位置合わせを行って、検査用疑似ウェーハ１の電極パ
ッドと多層配線基板５の基板側電極部６とを接続する不
図示のアライメント装置（位置合わせ装置）も存在す
る。
検査用プローブ９の基板側電極部６と検査用擬似ウェー
ハ１の電極パッド（以下、ＧＮＤパッド３及び信号線パ
ッド４とをまとめて電極パッドと呼ぶことがある。）と
の位置合わせを行って、検査用疑似ウェーハ１の電極パ
ッドと多層配線基板５の基板側電極部６とを接続する不
図示のアライメント装置（位置合わせ装置）も存在す
る。
【００２４】次に、図１に示す半導体ウェーハ検査用プ
ローブ９の検査装置及び検査方法を用いた具体的な検査
方法を示す。図２（ａ）は、本発明に係る半導体ウェー
ハ検査用プローブからの信号線の接続態様を示す部分的
な平面図、図２（ｂ）は、本発明に係る検査用疑似ウェ
ーハを示す部分的な平面図、図２（ｃ）は、図２（ａ）
に示す半導体ウェーハ検査用プローブの基板側電極部
と、図２（ｂ）に示す検査用擬似ウェーハの電極パッド
との位置合わせを行って接続し、さらに、信号切り替え
器及び静電容量測定器と接続した状態を示す平面模式図
である。また、図３は、本発明の半導体ウェーハ検査用
プローブの検査方法に係る一実施の形態を説明するため
のフローチャートである 。
ローブ９の検査装置及び検査方法を用いた具体的な検査
方法を示す。図２（ａ）は、本発明に係る半導体ウェー
ハ検査用プローブからの信号線の接続態様を示す部分的
な平面図、図２（ｂ）は、本発明に係る検査用疑似ウェ
ーハを示す部分的な平面図、図２（ｃ）は、図２（ａ）
に示す半導体ウェーハ検査用プローブの基板側電極部
と、図２（ｂ）に示す検査用擬似ウェーハの電極パッド
との位置合わせを行って接続し、さらに、信号切り替え
器及び静電容量測定器と接続した状態を示す平面模式図
である。また、図３は、本発明の半導体ウェーハ検査用
プローブの検査方法に係る一実施の形態を説明するため
のフローチャートである 。
【００２５】まず、ステップＳ１０１において、半導体
ウェーハ検査用プローブ９単体の静電容量値（半導体ウ
ェーハ検査用プローブ９の未接続状態における静電容量
値）の測定を行う。すなわち、例えば、図２（ａ）に示
すように、各信号線８との接続を信号切り替え器１０で
切り替えて、各ＧＮＤ線７と各信号線８との間（ＧＮＤ
線７Ａと信号線８Ａａ及び信号線８Ａｂとの間、ＧＮＤ
線７Ｂと信号線８Ｂａ及び信号線８Ｂｂとの間、ＧＮＤ
線７Ｃと信号線８Ｃａ及び信号線８Ｃｂとの間）の静電
容量値の測定を行う。なお、それぞれの静電容量値の測
定結果はパーソナルコンピュータ１２に供給されて、パ
ーソナルコンピュータ１２内の記憶手段（不図示）に記
憶される。
ウェーハ検査用プローブ９単体の静電容量値（半導体ウ
ェーハ検査用プローブ９の未接続状態における静電容量
値）の測定を行う。すなわち、例えば、図２（ａ）に示
すように、各信号線８との接続を信号切り替え器１０で
切り替えて、各ＧＮＤ線７と各信号線８との間（ＧＮＤ
線７Ａと信号線８Ａａ及び信号線８Ａｂとの間、ＧＮＤ
線７Ｂと信号線８Ｂａ及び信号線８Ｂｂとの間、ＧＮＤ
線７Ｃと信号線８Ｃａ及び信号線８Ｃｂとの間）の静電
容量値の測定を行う。なお、それぞれの静電容量値の測
定結果はパーソナルコンピュータ１２に供給されて、パ
ーソナルコンピュータ１２内の記憶手段（不図示）に記
憶される。
【００２６】一方、図２（ｂ）に示すように、検査用擬
似ウェーハ１には複数の被測定試験素子ＴＥＧ（Test E
lement Group：テストエレメントグループ）１３が配列
されている。そして、図２（ａ）に示す多層配線基板５
上の基板側電極部６のうち、信号線８Ａａ及び信号線８
Ａｂに接続する基板側電極部６は検査用擬似ウェーハ１
上の２個のＴＥＧ１３、信号線８Ｂａ及び信号線８Ｂｂ
に接続する基板側電極部６は検査用擬似ウェーハ１上の
４個のＴＥＧ１３、信号線８Ｃａ及び信号線８Ｃｂに接
続する基板側電極部６は、検査用擬似ウェーハ１上の３
個のＴＥＧ１３に、それぞれ対向して接続するものとす
る。
似ウェーハ１には複数の被測定試験素子ＴＥＧ（Test E
lement Group：テストエレメントグループ）１３が配列
されている。そして、図２（ａ）に示す多層配線基板５
上の基板側電極部６のうち、信号線８Ａａ及び信号線８
Ａｂに接続する基板側電極部６は検査用擬似ウェーハ１
上の２個のＴＥＧ１３、信号線８Ｂａ及び信号線８Ｂｂ
に接続する基板側電極部６は検査用擬似ウェーハ１上の
４個のＴＥＧ１３、信号線８Ｃａ及び信号線８Ｃｂに接
続する基板側電極部６は、検査用擬似ウェーハ１上の３
個のＴＥＧ１３に、それぞれ対向して接続するものとす
る。
【００２７】次に、ステップＳ１０２において、図２
（ａ）に示す半導体ウェーハ検査用プローブ９と図２
（ｂ）に示す複数のＴＥＧ１３が配列されている検査用
疑似ウェーハ１とを対向させて、不図示のアライメント
装置を用いて位置合わせを行い、各基板側電極部６と各
ＴＥＧ１３のＧＮＤパッド３及び信号線パッドとが接続
するようにする。この接続状態は、図２（ｃ）に示され
る状態であり、これによって、各信号線は複数のＴＥＧ
１３と接続している状態となる。
（ａ）に示す半導体ウェーハ検査用プローブ９と図２
（ｂ）に示す複数のＴＥＧ１３が配列されている検査用
疑似ウェーハ１とを対向させて、不図示のアライメント
装置を用いて位置合わせを行い、各基板側電極部６と各
ＴＥＧ１３のＧＮＤパッド３及び信号線パッドとが接続
するようにする。この接続状態は、図２（ｃ）に示され
る状態であり、これによって、各信号線は複数のＴＥＧ
１３と接続している状態となる。
【００２８】そして、位置合わせを行った後、ステップ
Ｓ１０３において、検査用擬似ウェーハ１と接続した半
導体ウェーハ検査用プローブ９の静電容量値の測定を行
う。なお、この静電容量値の測定は、ステップＳ１０１
で行った静電容量値の測定と同一の方法で行う。すなわ
ち、検査用擬似ウェーハ１と半導体ウェーハ検査用プロ
ーブ９との位置合わせを行い、検査用擬似ウェーハ９の
電極パッド（ＧＮＤパッド３及び信号線パッド４）と半
導体ウェーハ検査用プローブ９の基板側電極部６とが接
触した状態で、各信号線８との接続を信号切り替え器１
０で切り替えて、各ＧＮＤ線７と各信号線８との間の静
電容量値の測定を行う。なお、ステップＳ１０１と同
様、それぞれの静電容量値の測定結果はパーソナルコン
ピュータ１２に供給されて、パーソナルコンピュータ１
２内の記憶手段（不図示）に記憶される。
Ｓ１０３において、検査用擬似ウェーハ１と接続した半
導体ウェーハ検査用プローブ９の静電容量値の測定を行
う。なお、この静電容量値の測定は、ステップＳ１０１
で行った静電容量値の測定と同一の方法で行う。すなわ
ち、検査用擬似ウェーハ１と半導体ウェーハ検査用プロ
ーブ９との位置合わせを行い、検査用擬似ウェーハ９の
電極パッド（ＧＮＤパッド３及び信号線パッド４）と半
導体ウェーハ検査用プローブ９の基板側電極部６とが接
触した状態で、各信号線８との接続を信号切り替え器１
０で切り替えて、各ＧＮＤ線７と各信号線８との間の静
電容量値の測定を行う。なお、ステップＳ１０１と同
様、それぞれの静電容量値の測定結果はパーソナルコン
ピュータ１２に供給されて、パーソナルコンピュータ１
２内の記憶手段（不図示）に記憶される。
【００２９】また、１パッド（１つの電極パッド）当た
りの静電容量値は下記の式（１）によって示されるもの
となる。 Ｃ＝ε0・εr（Ｓ／ｄ） … （１） なお、上記の式（１）で、Ｃは静電容量［Ｆ］、ε0は
真空中の誘電率、εrは検査用擬似ウェーハ１材料の比
誘電率、Ｓは電極パッドの面積［ｍ2］、ｄはＧＮＤパ
ッド３と電極パッドの間の距離［ｍ］である。
りの静電容量値は下記の式（１）によって示されるもの
となる。 Ｃ＝ε0・εr（Ｓ／ｄ） … （１） なお、上記の式（１）で、Ｃは静電容量［Ｆ］、ε0は
真空中の誘電率、εrは検査用擬似ウェーハ１材料の比
誘電率、Ｓは電極パッドの面積［ｍ2］、ｄはＧＮＤパ
ッド３と電極パッドの間の距離［ｍ］である。
【００３０】ここで、検査用疑似ウェーハ１を位置合わ
せする前に測定されるＧＮＤ線７と各信号線８との間の
静電容量値（ステップＳ１０１で測定された静電容量
値）を下記の通りとする。 信号線８Ａａに係る静電容量値：Ｃ0（Ａａ） 信号線８Ａｂに係る静電容量値：Ｃ0（Ａｂ） 信号線８Ｂａに係る静電容量値：Ｃ0（Ｂａ） 信号線８Ｂｂに係る静電容量値：Ｃ0（Ｂｂ） 信号線８Ｃａに係る静電容量値：Ｃ0（Ｃａ） 信号線８Ｃｂに係る静電容量値：Ｃ0（Ｃｂ）
せする前に測定されるＧＮＤ線７と各信号線８との間の
静電容量値（ステップＳ１０１で測定された静電容量
値）を下記の通りとする。 信号線８Ａａに係る静電容量値：Ｃ0（Ａａ） 信号線８Ａｂに係る静電容量値：Ｃ0（Ａｂ） 信号線８Ｂａに係る静電容量値：Ｃ0（Ｂａ） 信号線８Ｂｂに係る静電容量値：Ｃ0（Ｂｂ） 信号線８Ｃａに係る静電容量値：Ｃ0（Ｃａ） 信号線８Ｃｂに係る静電容量値：Ｃ0（Ｃｂ）
【００３１】また、検査用疑似ウェーハ１を位置合わせ
した後に測定されるＧＮＤ線７と各信号線８との間の静
電容量値（ステップＳ１０３で測定された静電容量値）
を下記の通りとする。 信号線８Ａａに係る静電容量値：Ｃ1（Ａａ） 信号線８Ａｂに係る静電容量値：Ｃ1（Ａｂ） 信号線８Ｂａに係る静電容量値：Ｃ1（Ｂａ） 信号線８Ｂｂに係る静電容量値：Ｃ1（Ｂｂ） 信号線８Ｃａに係る静電容量値：Ｃ1（Ｃａ） 信号線８Ｃｂに係る静電容量値：Ｃ1（Ｃｂ）
した後に測定されるＧＮＤ線７と各信号線８との間の静
電容量値（ステップＳ１０３で測定された静電容量値）
を下記の通りとする。 信号線８Ａａに係る静電容量値：Ｃ1（Ａａ） 信号線８Ａｂに係る静電容量値：Ｃ1（Ａｂ） 信号線８Ｂａに係る静電容量値：Ｃ1（Ｂａ） 信号線８Ｂｂに係る静電容量値：Ｃ1（Ｂｂ） 信号線８Ｃａに係る静電容量値：Ｃ1（Ｃａ） 信号線８Ｃｂに係る静電容量値：Ｃ1（Ｃｂ）
【００３２】ステップＳ１０４において、パーソナルコ
ンピュータ１２を用いて、位置合わせ前後に測定された
静電容量値を比較して、対応する静電容量値の差（ステ
ップＳ１０１で測定された静電容量値とステップＳ１０
３で測定された静電容量値との差）を求める。
ンピュータ１２を用いて、位置合わせ前後に測定された
静電容量値を比較して、対応する静電容量値の差（ステ
ップＳ１０１で測定された静電容量値とステップＳ１０
３で測定された静電容量値との差）を求める。
【００３３】例えば、上記の静電容量値より、位置合わ
せ前後に測定された静電容量値の差は、下記の通りとな
る。 ΔＣ（Ａａ）≡Ｃ1（Ａａ）−Ｃ0（Ａａ） ΔＣ（Ａｂ）≡Ｃ1（Ａａ）−Ｃ0（Ａｂ） ΔＣ（Ｂａ）≡Ｃ1（Ｂａ）−Ｃ0（Ｂａ） ΔＣ（Ｂｂ）≡Ｃ1（Ｂｂ）−Ｃ0（Ｂｂ） ΔＣ（Ｃａ）≡Ｃ1（Ｃａ）−Ｃ0（Ｃａ） ΔＣ（Ｃｂ）≡Ｃ1（Ｃｂ）−Ｃ0（Ｃｂ） なお、ここでは、ΔＣ（Ｘｙ）を信号線８Ｘｙに係る静
電容量値の差と定義する。
せ前後に測定された静電容量値の差は、下記の通りとな
る。 ΔＣ（Ａａ）≡Ｃ1（Ａａ）−Ｃ0（Ａａ） ΔＣ（Ａｂ）≡Ｃ1（Ａａ）−Ｃ0（Ａｂ） ΔＣ（Ｂａ）≡Ｃ1（Ｂａ）−Ｃ0（Ｂａ） ΔＣ（Ｂｂ）≡Ｃ1（Ｂｂ）−Ｃ0（Ｂｂ） ΔＣ（Ｃａ）≡Ｃ1（Ｃａ）−Ｃ0（Ｃａ） ΔＣ（Ｃｂ）≡Ｃ1（Ｃｂ）−Ｃ0（Ｃｂ） なお、ここでは、ΔＣ（Ｘｙ）を信号線８Ｘｙに係る静
電容量値の差と定義する。
【００３４】ここで、１パッド当たりの微小コンデンサ
の静電容量値をＣpとすると、半導体ウェーハ検査用プ
ローブ９と検査用疑似ウェーハ１との電気的接続が確実
に行われている場合には、位置合わせ前後に測定される
静電容量値の差は、下記の通りとなるはずである。 ΔＣ（Ａａ）≒２Ｃp ΔＣ（Ａｂ）≒２Ｃp ΔＣ（Ｂａ）≒４Ｃp ΔＣ（Ｂｂ）≒４Ｃp ΔＣ（Ｃａ）≒３Ｃp ΔＣ（Ｃｂ）≒３Ｃp
の静電容量値をＣpとすると、半導体ウェーハ検査用プ
ローブ９と検査用疑似ウェーハ１との電気的接続が確実
に行われている場合には、位置合わせ前後に測定される
静電容量値の差は、下記の通りとなるはずである。 ΔＣ（Ａａ）≒２Ｃp ΔＣ（Ａｂ）≒２Ｃp ΔＣ（Ｂａ）≒４Ｃp ΔＣ（Ｂｂ）≒４Ｃp ΔＣ（Ｃａ）≒３Ｃp ΔＣ（Ｃｂ）≒３Ｃp
【００３５】また、同様にして、検査用疑似ウェーハ１
を位置合わせする前に測定されるＧＮＤ線７と各信号線
８との間の静電容量値をＣa、検査用疑似ウェーハ１を
位置合わせした後に測定される静電容量値をＣbとした
場合には、対象の信号線８における位置合わせ前後の静
電容量値の差ΔＣは、 ΔＣ＝（Ｃb−Ｃa） となる。
を位置合わせする前に測定されるＧＮＤ線７と各信号線
８との間の静電容量値をＣa、検査用疑似ウェーハ１を
位置合わせした後に測定される静電容量値をＣbとした
場合には、対象の信号線８における位置合わせ前後の静
電容量値の差ΔＣは、 ΔＣ＝（Ｃb−Ｃa） となる。
【００３６】一方、全ての基板側電極部６において電気
的接続が確実に行われている場合における信号線８の静
電容量値の期待値Ｃeは、１つの信号線８に接続される
ＴＥＧ数をＮとすると、 Ｃe＝Ｃp×Ｎ となる。
的接続が確実に行われている場合における信号線８の静
電容量値の期待値Ｃeは、１つの信号線８に接続される
ＴＥＧ数をＮとすると、 Ｃe＝Ｃp×Ｎ となる。
【００３７】ここで、ステップＳ１０５において、パー
ソナルコンピュータによってΔＣ≒Ｃeとなるか否かを
判定し、電気的接触の良否の判定を行う。ΔＣ≒Ｃeと
なる場合には、ステップＳ１０６において、信号線８で
の電気的接続が確実に行われている（電気的接続が良）
と判定される。なお、１パッド当たりの静電容量値Ｃp
があまりに微小である場合には、静電容量値の測定の分
解能が低下するため、Ｃ pは数１０［ｐＦ］以上である
ことが好ましい。
ソナルコンピュータによってΔＣ≒Ｃeとなるか否かを
判定し、電気的接触の良否の判定を行う。ΔＣ≒Ｃeと
なる場合には、ステップＳ１０６において、信号線８で
の電気的接続が確実に行われている（電気的接続が良）
と判定される。なお、１パッド当たりの静電容量値Ｃp
があまりに微小である場合には、静電容量値の測定の分
解能が低下するため、Ｃ pは数１０［ｐＦ］以上である
ことが好ましい。
【００３８】一方、ΔＣ≠Ｃeとなる場合には、ステッ
プＳ１０７において、多層配線基板５内部の信号線８や
基板側電極部６の先端などにおける電気的接続の不良
や、基板側電極部６の先端と検査用疑似ウェーハ１との
接触面での電気的接続の不良などが存在する（電気的接
続が不良）と判定される。
プＳ１０７において、多層配線基板５内部の信号線８や
基板側電極部６の先端などにおける電気的接続の不良
や、基板側電極部６の先端と検査用疑似ウェーハ１との
接触面での電気的接続の不良などが存在する（電気的接
続が不良）と判定される。
【００３９】また、電気的不良が存在する場合、
ｋ≡Ｎ−（ΔＣ／Ｃp）
を求めることにより、電気的不良によってｋ個の基板側
電極部６における測定が不可能となっていることがわか
る。
電極部６における測定が不可能となっていることがわか
る。
【００４０】以上により、全ての基板側電極部６で電気
的接続が確立している場合には、各信号線８に接続され
る電極パッド数に比例した静電容量値が測定されること
になり、このようにして、検査用疑似ウェーハ１を位置
合わせする前に半導体ウェーハ検査用プローブ９の各信
号線８が有する静電容量値と、検査用疑似ウェーハ１を
位置合わせした後に測定される静電容量値との差を求
め、各信号線８に接続されている電極パッド数を判別す
ることによって、半導体ウェーハ検査用プローブ９の電
気的接続の良否の判定を行うことが可能となる。
的接続が確立している場合には、各信号線８に接続され
る電極パッド数に比例した静電容量値が測定されること
になり、このようにして、検査用疑似ウェーハ１を位置
合わせする前に半導体ウェーハ検査用プローブ９の各信
号線８が有する静電容量値と、検査用疑似ウェーハ１を
位置合わせした後に測定される静電容量値との差を求
め、各信号線８に接続されている電極パッド数を判別す
ることによって、半導体ウェーハ検査用プローブ９の電
気的接続の良否の判定を行うことが可能となる。
【００４１】＜第２の実施の形態＞次に、本発明に係る
第２の実施の形態について説明する。図４は本発明の半
導体ウェーハ検査用プローブの検査装置に係る第２の実
施の形態を示す構成図である。図４に示す半導体ウェー
ハ検査用プローブ９の検査装置では、検査用擬似ウェー
ハ１の裏面（電極パッドが存在する面と対になっている
電極パッドが存在しないもう一方の面）全域を覆う電極
として、図１に示すＧＮＤ層２に対応するＧＮＤ面２１
を配置している。
第２の実施の形態について説明する。図４は本発明の半
導体ウェーハ検査用プローブの検査装置に係る第２の実
施の形態を示す構成図である。図４に示す半導体ウェー
ハ検査用プローブ９の検査装置では、検査用擬似ウェー
ハ１の裏面（電極パッドが存在する面と対になっている
電極パッドが存在しないもう一方の面）全域を覆う電極
として、図１に示すＧＮＤ層２に対応するＧＮＤ面２１
を配置している。
【００４２】そして、このＧＮＤ面２１に擬似ウェーハ
ＧＮＤ線２２を接続して、半導体ウェーハ検査用プロー
ブ９のＧＮＤ線７を含む各信号線８の共通ＧＮＤとし、
この共通ＧＮＤの電位を基準にして、静電容量測定器１
１で静電容量値の測定を行うようにしている。この図４
に示す装置を用いて、図３に示すフローチャートと同一
の処理を行って、半導体ウェーハ検査用プローブ９の電
気的接続の良否判定を行う。
ＧＮＤ線２２を接続して、半導体ウェーハ検査用プロー
ブ９のＧＮＤ線７を含む各信号線８の共通ＧＮＤとし、
この共通ＧＮＤの電位を基準にして、静電容量測定器１
１で静電容量値の測定を行うようにしている。この図４
に示す装置を用いて、図３に示すフローチャートと同一
の処理を行って、半導体ウェーハ検査用プローブ９の電
気的接続の良否判定を行う。
【００４３】上記のように本発明の第２の実施形態によ
れば、図１で示したＧＮＤ層２に対応するＧＮＤ面２１
を検査用擬似ウェーハ１の裏面全面に配置することによ
って、ＧＮＤ（基準）の測定が容易になり、安価で検査
用擬似ウェーハ１を製作することが可能となる。
れば、図１で示したＧＮＤ層２に対応するＧＮＤ面２１
を検査用擬似ウェーハ１の裏面全面に配置することによ
って、ＧＮＤ（基準）の測定が容易になり、安価で検査
用擬似ウェーハ１を製作することが可能となる。
【００４４】また、上記第１及び第２の実施形態では、
静電容量測定器１１を用いて静電容量値の測定を行うよ
うにしているが、例えば、直流の定電圧を印加した際の
過渡電流を測定する電流測定回路を用いることも可能で
ある。
静電容量測定器１１を用いて静電容量値の測定を行うよ
うにしているが、例えば、直流の定電圧を印加した際の
過渡電流を測定する電流測定回路を用いることも可能で
ある。
【００４５】
【発明の効果】以上、説明したように、本発明によれ
ば、半導体ウェーハ検査用プローブの未接続状態におけ
る静電容量値を測定し（第１の静電容量値測定ステッ
プ）、半導体ウェーハ検査用プローブと、半導体ウェー
ハ検査用プローブの基板側電極部に対向する電極を有す
る検査用基板との位置合わせを行って半導体ウェーハ検
査用プローブの基板側電極部と検査用基板の電極とを接
続し、半導体ウェーハ検査用プローブの基板側電極部に
おける静電容量値を測定し（第２の静電容量値測定ステ
ップ）、第１の静電容量値測定ステップで測定された静
電容量値と、第２の静電容量値測定ステップで測定され
た静電容量値との比較を行い、半導体ウェーハ検査用プ
ローブの電気的接続の良否を判定するので、半導体ウェ
ーハ検査用プローブの電気的接続及び動作を、短時間で
確実に検査することが可能となる。
ば、半導体ウェーハ検査用プローブの未接続状態におけ
る静電容量値を測定し（第１の静電容量値測定ステッ
プ）、半導体ウェーハ検査用プローブと、半導体ウェー
ハ検査用プローブの基板側電極部に対向する電極を有す
る検査用基板との位置合わせを行って半導体ウェーハ検
査用プローブの基板側電極部と検査用基板の電極とを接
続し、半導体ウェーハ検査用プローブの基板側電極部に
おける静電容量値を測定し（第２の静電容量値測定ステ
ップ）、第１の静電容量値測定ステップで測定された静
電容量値と、第２の静電容量値測定ステップで測定され
た静電容量値との比較を行い、半導体ウェーハ検査用プ
ローブの電気的接続の良否を判定するので、半導体ウェ
ーハ検査用プローブの電気的接続及び動作を、短時間で
確実に検査することが可能となる。
【図１】本発明の半導体ウェーハ検査用プローブの検査
装置に係る第１の実施の形態を示す構成図
装置に係る第１の実施の形態を示す構成図
【図２】（ａ） 本発明に係る半導体ウェーハ検査用プ
ローブからの信号線の接続態様を示す平面図 （ｂ） 本発明に係る検査用疑似ウェーハを示す平面図 （ｃ） 図２（ａ）に示す半導体ウェーハ検査用プロー
ブの基板側電極部と、図２（ｂ）に示す検査用擬似ウェ
ーハの電極パッドとの位置合わせを行って接続し、さら
に、信号切り替え器及び静電容量測定器と接続した状態
を示す平面模式図
ローブからの信号線の接続態様を示す平面図 （ｂ） 本発明に係る検査用疑似ウェーハを示す平面図 （ｃ） 図２（ａ）に示す半導体ウェーハ検査用プロー
ブの基板側電極部と、図２（ｂ）に示す検査用擬似ウェ
ーハの電極パッドとの位置合わせを行って接続し、さら
に、信号切り替え器及び静電容量測定器と接続した状態
を示す平面模式図
【図３】本発明の半導体ウェーハ検査用プローブの検査
方法に係る一実施の形態を説明するためのフローチャー
ト
方法に係る一実施の形態を説明するためのフローチャー
ト
【図４】本発明の半導体ウェーハ検査用プローブの検査
装置に係る第２の実施の形態を示す構成図
装置に係る第２の実施の形態を示す構成図
【図５】従来の回路パターンの検査装置の一例を示す構
成図
成図
１ 検査用疑似ウェーハ（検査用基板）
２ ＧＮＤ層
３ ＧＮＤパッド（電極）
４ 信号線パッド（電極）
５ 多層配線基板
６ 基板側電極部
７、７Ａ、７Ｂ、７Ｃ ＧＮＤ線
８、８Ａａ、８Ａｂ、８Ｂａ、８Ｂｂ、８Ｃａ、８Ｃｂ
信号線 ９、５３ 半導体ウェーハ検査用プローブ（検査用プロ
ーブ） １０ 信号切り替え器（切り替え手段） １１、５４ 静電容量測定器（静電容量測定手段） １２ パーソナルコンピュータ（判定手段） １３ ＴＥＧ（被測定用試験素子：Test Element Grou
p） ２１ ＧＮＤ面 ２２ 擬似ウェーハＧＮＤ線 ５１ ＧＮＤ電源接続機構 ５２ 信号パッド ５５ 回路基板
信号線 ９、５３ 半導体ウェーハ検査用プローブ（検査用プロ
ーブ） １０ 信号切り替え器（切り替え手段） １１、５４ 静電容量測定器（静電容量測定手段） １２ パーソナルコンピュータ（判定手段） １３ ＴＥＧ（被測定用試験素子：Test Element Grou
p） ２１ ＧＮＤ面 ２２ 擬似ウェーハＧＮＤ線 ５１ ＧＮＤ電源接続機構 ５２ 信号パッド ５５ 回路基板
Claims (6)
- 【請求項１】 半導体ウェーハ検査用プローブの電気的
接続を検査する半導体ウェーハ検査用プローブの検査装
置であって、 前記半導体ウェーハ検査用プローブの基板側電極部に対
向する電極を有する検査用基板と、 前記半導体ウェーハ検査用プローブの出力信号の切り替
え手段と、 前記切り替え手段からの出力信号から前記基板側電極部
の静電容量値を測定する静電容量測定手段と、 前記静電容量測定手段により測定される前記半導体ウェ
ーハ検査用プローブと前記検査用基板との接続前の静電
容量値及び接続後の静電容量値から、前記半導体ウェー
ハ検査用プローブの前記電気的接続の良否を判定する判
定手段とを、有する半導体ウェーハ検査用プローブの検
査装置。 - 【請求項２】 前記検査用基板に電位の基準となるＧＮ
Ｄ層を設け、前記静電容量測定手段によって、前記ＧＮ
Ｄ層と前記検査用基板の前記電極とにより形成されるコ
ンデンサの静電容量値を測定する請求項１に記載の半導
体ウェーハ検査用プローブの検査装置。 - 【請求項３】 前記半導体ウェーハ検査用プローブの前
記基板側電極部の先端と前記検査用基板の前記電極との
電気的接続及び前記基板側電極部からの信号を外部に引
き出す信号線の電気的接続の少なくとも一方を確認する
ことができる請求項１又は２に記載の半導体ウェーハ検
査用プローブの検査装置。 - 【請求項４】 半導体ウェーハ検査用プローブの電気的
接続を検査する半導体ウェーハ検査用プローブの検査方
法であって、 前記半導体ウェーハ検査用プローブの未接続状態におけ
る静電容量値を測定する第１の静電容量値測定ステップ
と、 前記半導体ウェーハ検査用プローブと、前記半導体ウェ
ーハ検査用プローブの基板側電極部に対向する電極を有
する検査用基板との位置合わせを行い、前記半導体ウェ
ーハ検査用プローブの前記基板側電極部と前記検査用基
板の前記電極とを接続する位置合わせステップと、 前記半導体ウェーハ検査用プローブの前記基板側電極部
における静電容量値を測定する第２の静電容量値測定ス
テップと、 前記第１の静電容量値測定ステップで測定された前記静
電容量値と、前記第２の静電容量値測定ステップで測定
された前記静電容量値との比較を行い、前記半導体ウェ
ーハ検査用プローブの電気的接続の良否を判定する電気
的接続判定ステップとを有する半導体ウェーハ検査用プ
ローブの検査方法。 - 【請求項５】 前記検査用基板に電位の基準となるＧＮ
Ｄ層が設けられており、前記第２の静電容量測定ステッ
プで、前記ＧＮＤ層と前記検査用基板の前記電極とによ
り形成されるコンデンサの静電容量値を測定する請求項
４に記載の半導体ウェーハ検査用プローブの検査方法。 - 【請求項６】 前記半導体ウェーハ検査用プローブの前
記基板側電極部の先端と前記検査用基板の前記電極との
電気的接続及び前記基板側電極部からの信号を外部に引
き出す信号線の電気的接続の少なくとも一方を確認する
ことができる請求項４又は５に記載の半導体ウェーハ検
査用プローブの検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001260098A JP3990124B2 (ja) | 2001-08-29 | 2001-08-29 | 半導体ウェーハ検査用プローブの検査装置及び検査方法。 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001260098A JP3990124B2 (ja) | 2001-08-29 | 2001-08-29 | 半導体ウェーハ検査用プローブの検査装置及び検査方法。 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003068809A true JP2003068809A (ja) | 2003-03-07 |
| JP3990124B2 JP3990124B2 (ja) | 2007-10-10 |
Family
ID=19087349
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001260098A Expired - Fee Related JP3990124B2 (ja) | 2001-08-29 | 2001-08-29 | 半導体ウェーハ検査用プローブの検査装置及び検査方法。 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3990124B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007335693A (ja) * | 2006-06-16 | 2007-12-27 | Seiko Instruments Inc | 半導体装置 |
-
2001
- 2001-08-29 JP JP2001260098A patent/JP3990124B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007335693A (ja) * | 2006-06-16 | 2007-12-27 | Seiko Instruments Inc | 半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3990124B2 (ja) | 2007-10-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7673493B2 (en) | Inspection device for humidity sensor and method for adjusting sensor characteristics of humidity sensor | |
| US7688088B2 (en) | Inspection method and inspection apparatus for inspecting electrical characteristics of inspection object | |
| JP3165056B2 (ja) | 基板検査装置および基板検査方法 | |
| JP2002176140A (ja) | 半導体集積回路ウェハ | |
| JP2011216540A (ja) | 半導体装置及び抵抗測定方法 | |
| US7271014B2 (en) | Fabrication method of semiconductor integrated circuit device including inspecting using probe card | |
| JP3990124B2 (ja) | 半導体ウェーハ検査用プローブの検査装置及び検査方法。 | |
| JP3196173B2 (ja) | コンタクタおよび半導体装置の検査方法 | |
| TW202138830A (zh) | 檢查裝置以及檢查方法 | |
| US6340604B1 (en) | Contactor and semiconductor device inspecting method | |
| JPH07169806A (ja) | 半導体集積回路の検査方法 | |
| JP2004361249A (ja) | 基板検査装置 | |
| JP3456782B2 (ja) | 半導体装置の検査方法及びプローブカード | |
| JP4467027B2 (ja) | 電気回路の断線検査方法 | |
| JP2007198930A (ja) | 半導体検査システムおよび半導体装置 | |
| JPH10190181A (ja) | プリント基板及びその検査方法 | |
| JPH07280868A (ja) | セラミック基板の配線パターン検査装置と方法 | |
| JPH065674A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JP2002334966A (ja) | マルチチップモジュールおよびその検査方法 | |
| JP2008159641A (ja) | 半導体基板および半導体装置の検査方法 | |
| JP2000292811A (ja) | マトリクスアレイ基板の製造方法 | |
| JPH10223710A (ja) | 半導体集積回路装置およびそのテスト方法 | |
| JPH10104301A (ja) | パッケージ基板の検査方法 | |
| TW563220B (en) | Method for picking defected dielectric in semiconductor device | |
| CN115485572A (zh) | 检查装置以及检查方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050811 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20051129 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070223 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070420 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070622 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070719 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100727 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110727 Year of fee payment: 4 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |