JP2003067959A - 光ヘッド用レーザ装置 - Google Patents
光ヘッド用レーザ装置Info
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- JP2003067959A JP2003067959A JP2001254773A JP2001254773A JP2003067959A JP 2003067959 A JP2003067959 A JP 2003067959A JP 2001254773 A JP2001254773 A JP 2001254773A JP 2001254773 A JP2001254773 A JP 2001254773A JP 2003067959 A JP2003067959 A JP 2003067959A
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- laser device
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Abstract
(57)【要約】
【課題】低価格化が可能であり、かつ小形化に有利であ
り、さらに性能面でも向上し得るような構成とする。 【解決手段】金属製基板２００には、半導体レーザユニ
ット２０１、光検出器２０１が搭載され、樹脂製基板１
００には、半導体レーザユニット２０１、光検出器２０
１が貫通する開口部１０１が形成されている。金属製基
板２００は、樹脂製基板１００に対して重なるように取
り付けられ一体化される。
り、さらに性能面でも向上し得るような構成とする。 【解決手段】金属製基板２００には、半導体レーザユニ
ット２０１、光検出器２０１が搭載され、樹脂製基板１
００には、半導体レーザユニット２０１、光検出器２０
１が貫通する開口部１０１が形成されている。金属製基
板２００は、樹脂製基板１００に対して重なるように取
り付けられ一体化される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、例えばデジタル
バーサタイルディスク（ＤＶＤ）、コンパクトディスク
（ＣＤ）などのような記録媒体に対して情報を書き込ん
だり、あるいは読取ったりする光ヘッドに用いられる光
ヘッド用レーザ装置に関する。
バーサタイルディスク（ＤＶＤ）、コンパクトディスク
（ＣＤ）などのような記録媒体に対して情報を書き込ん
だり、あるいは読取ったりする光ヘッドに用いられる光
ヘッド用レーザ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＤＶＤ関連の商品化が実用化さ
れ、光ディスク装置の需要が増加している。パーソナル
コンピュータ用のＤＶＤ−ＲＯＭは、記録容量の大きな
大容量媒体として注目されている。このような中で、デ
ィスクドライブ装置の小形化、薄型化も要求されている
ことから、光ピックアップ装置の小形化、薄型化は必須
である。
れ、光ディスク装置の需要が増加している。パーソナル
コンピュータ用のＤＶＤ−ＲＯＭは、記録容量の大きな
大容量媒体として注目されている。このような中で、デ
ィスクドライブ装置の小形化、薄型化も要求されている
ことから、光ピックアップ装置の小形化、薄型化は必須
である。
【０００３】光ピックアップ装置の小形化を得るために
は、半導体レーザユニット、光検出器、集積回路などを
１つのパッケージとして納めた集積光学装置（レーザ装
置）の小形化、高性能化も重要なポイントとなる。
は、半導体レーザユニット、光検出器、集積回路などを
１つのパッケージとして納めた集積光学装置（レーザ装
置）の小形化、高性能化も重要なポイントとなる。
【０００４】図４（Ａ）には、従来の集積光学装置を示
している。１１はセラミック製の基板であり、この基板
１１には、表裏に渡ってヒートシンク１２が溶接して取
り付けられている。基板１１の上面には、配線パターン
が形成されており、パターン上の所定位置には、チップ
部品１３、集積回路１４が配置されている。また、ヒー
トシンク１２には、半導体レーザユニット１５、光検出
器１６が取り付けられている。１５ａ，１５ｂはボンデ
ィングワイヤである。
している。１１はセラミック製の基板であり、この基板
１１には、表裏に渡ってヒートシンク１２が溶接して取
り付けられている。基板１１の上面には、配線パターン
が形成されており、パターン上の所定位置には、チップ
部品１３、集積回路１４が配置されている。また、ヒー
トシンク１２には、半導体レーザユニット１５、光検出
器１６が取り付けられている。１５ａ，１５ｂはボンデ
ィングワイヤである。
【０００５】ヒートシンク１２の基板１１に対する裏面
側に出ている部分は、光学ベース（シャーシ）に接着さ
れ、半導体レーザユニット１５で生じる熱を放熱するよ
うになっている。即ち、図４（Ｂ）に示すように、シャ
ーシ２０にレーザ装置２１のヒートシンク１２が接着さ
れている。
側に出ている部分は、光学ベース（シャーシ）に接着さ
れ、半導体レーザユニット１５で生じる熱を放熱するよ
うになっている。即ち、図４（Ｂ）に示すように、シャ
ーシ２０にレーザ装置２１のヒートシンク１２が接着さ
れている。
【０００６】上記基板１１の上面側は、キャップ１７に
より覆われている。そして、往路、及び復路のレーザビ
ームＬＢが通過する部分は、ホログラム１８が設けら
れ、光ディスクから反射してきた復路のビームを偏光
し、光検出器１６に導くようになっている。
より覆われている。そして、往路、及び復路のレーザビ
ームＬＢが通過する部分は、ホログラム１８が設けら
れ、光ディスクから反射してきた復路のビームを偏光
し、光検出器１６に導くようになっている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記の構造
のセラミック基板１１、ヒートシンク１２を用いたレー
ザ装置は、その製造プロセスが複雑で、高価である。ま
た一層の小形化に不向きである。
のセラミック基板１１、ヒートシンク１２を用いたレー
ザ装置は、その製造プロセスが複雑で、高価である。ま
た一層の小形化に不向きである。
【０００８】そこで、この発明は、低価格化が可能であ
り、かつ小形化に有利であり、さらに性能面でも向上し
得る光ヘッド用レーザ装置を提供することを目的とす
る。
り、かつ小形化に有利であり、さらに性能面でも向上し
得る光ヘッド用レーザ装置を提供することを目的とす
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この発明は、上記の目的
を達成するために、少なくとも1組の光検出素子及び半
導体レーザユニットが搭載された金属製基板と、前記少
なくとも1組の光検出器及び半導体レーザユニットが貫
通する開口部を有し、前記金属製基板が重なるように取
り付けられる樹脂製基板とを有する構造とするものであ
る。
を達成するために、少なくとも1組の光検出素子及び半
導体レーザユニットが搭載された金属製基板と、前記少
なくとも1組の光検出器及び半導体レーザユニットが貫
通する開口部を有し、前記金属製基板が重なるように取
り付けられる樹脂製基板とを有する構造とするものであ
る。
【００１０】
【発明の実施形態】以下、この発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。
を参照して説明する。
【００１１】図１（Ａ）はこの発明の一実施の形態を示
すもので、１００は樹脂製の基板である。基板１００
は、その略中央部に開口１０１を形成されている。基板
１００の上面には、印刷配線パターン１０２が形成され
ている。１１１は、印刷配線パターンの一部として形成
された取り付け部に配置された、高周波重畳用の集積回
路１１１である。ここでは、光検出器で検出した、光電
変換出力である読み取り信号など処理が行われる。
すもので、１００は樹脂製の基板である。基板１００
は、その略中央部に開口１０１を形成されている。基板
１００の上面には、印刷配線パターン１０２が形成され
ている。１１１は、印刷配線パターンの一部として形成
された取り付け部に配置された、高周波重畳用の集積回
路１１１である。ここでは、光検出器で検出した、光電
変換出力である読み取り信号など処理が行われる。
【００１２】基板１００の長手方向の両側のエッジに
は、スルーホールに代わる複数の接続部１ａ，１ｂ．１
ｃ，…が形成されている。この接続部は、基板エッジが
例えば半円形状の切り欠くように形成され、この部分に
アルミ、或は銅などの金属が蒸着されるは接着されてい
る。そして必要な接続部分には、基板上に形成された印
刷配線パターンのリード部が導かれている。
は、スルーホールに代わる複数の接続部１ａ，１ｂ．１
ｃ，…が形成されている。この接続部は、基板エッジが
例えば半円形状の切り欠くように形成され、この部分に
アルミ、或は銅などの金属が蒸着されるは接着されてい
る。そして必要な接続部分には、基板上に形成された印
刷配線パターンのリード部が導かれている。
【００１３】さらに基板１００の裏面側には、後述する
金属製基板２００が嵌合する凹部が形成されているが、
この部分については後述することにする。
金属製基板２００が嵌合する凹部が形成されているが、
この部分については後述することにする。
【００１４】図１（Ｂ）は、金属製基板２００である。
金属製基板２００の上面には、半導体レーザユニット２
０１、光検出器２０２が取り付けられている。金属製基
板２００の中間胴部２ａの幅Ｌ１は、基板１００の幅Ｌ
２よりも短く、また基板２００の長さＬ３は、基板１０
０の長さＬ４よりも長く設計されている。
金属製基板２００の上面には、半導体レーザユニット２
０１、光検出器２０２が取り付けられている。金属製基
板２００の中間胴部２ａの幅Ｌ１は、基板１００の幅Ｌ
２よりも短く、また基板２００の長さＬ３は、基板１０
０の長さＬ４よりも長く設計されている。
【００１５】さらに、金属製基板２００に取り付けられ
た半導体レーザユニット２０１、光検出器２０２の位置
は、開口１０１に対応しており、金属性基板２００と基
板１００とを合体した場合、半導体レーザユニット２０
１、光検出器２０２が開口１０１を貫通する。
た半導体レーザユニット２０１、光検出器２０２の位置
は、開口１０１に対応しており、金属性基板２００と基
板１００とを合体した場合、半導体レーザユニット２０
１、光検出器２０２が開口１０１を貫通する。
【００１６】図２（Ａ）乃至（Ｃ）は、金属製基板２０
０と樹脂製基板１００を重ね合わせた状態を示してい
る。また図２（Ａ）は、図２（Ｂ）の線Ｘ上で断面した
様子を示している。また図２（Ｃ）は、図２（Ｂ）の線
Ｙ軸上で断面した様子を示している。図（Ｃ）から理解
できるように、基板１００の裏面には、金属製基板２０
０の中間胴部２ａが嵌合できるように、金属製基板２０
０の厚み分窪むように溝部が形成されている。このた
め、金属製基板２００を樹脂製基板１００に合体させた
ときは、裏面は平坦な面一となる。
０と樹脂製基板１００を重ね合わせた状態を示してい
る。また図２（Ａ）は、図２（Ｂ）の線Ｘ上で断面した
様子を示している。また図２（Ｃ）は、図２（Ｂ）の線
Ｙ軸上で断面した様子を示している。図（Ｃ）から理解
できるように、基板１００の裏面には、金属製基板２０
０の中間胴部２ａが嵌合できるように、金属製基板２０
０の厚み分窪むように溝部が形成されている。このた
め、金属製基板２００を樹脂製基板１００に合体させた
ときは、裏面は平坦な面一となる。
【００１７】また半導体レーザユニット２０１には、図
示していないが、光検出器２０１からの入出力信号のた
めの金製ワイヤ、電源供給のための金製ワイヤなどが基
板のパターンとの間で、ボンディング接続される。
示していないが、光検出器２０１からの入出力信号のた
めの金製ワイヤ、電源供給のための金製ワイヤなどが基
板のパターンとの間で、ボンディング接続される。
【００１８】半導体レーザユニット２０１、光検出器２
０２は、金属製基板２００上に配置されるので、高さ方
向の一精度が優れている。また金属製基板２００上に発
熱源である半導体レーザユニット２０１、光検出器２０
２を取り付けるので、発生した熱は、金属製基板２００
の直接伝導し、後述するピックアップ装置のシャーシを
介して効率的に放熱されることになる。
０２は、金属製基板２００上に配置されるので、高さ方
向の一精度が優れている。また金属製基板２００上に発
熱源である半導体レーザユニット２０１、光検出器２０
２を取り付けるので、発生した熱は、金属製基板２００
の直接伝導し、後述するピックアップ装置のシャーシを
介して効率的に放熱されることになる。
【００１９】ここで、さらに半導体レーザユニット２０
１のレーザ光の位置は、Ｌ３／２であり、長さＬ３の中
心位置に設定されている。また金属製基板２００の長手
方向両端２２１，２２２は、前記レーザ光の位置を中心
とした円形上にあるように、丸みを帯びて形成されてい
る。
１のレーザ光の位置は、Ｌ３／２であり、長さＬ３の中
心位置に設定されている。また金属製基板２００の長手
方向両端２２１，２２２は、前記レーザ光の位置を中心
とした円形上にあるように、丸みを帯びて形成されてい
る。
【００２０】この結果、図３（Ａ），図３（Ｂ）に示す
ような機能を得ることも可能である。
ような機能を得ることも可能である。
【００２１】即ち、前記金属製基板２００の両端が合致
する形状の窪み３０１がシャーシ３００の側壁３０２に
形成されている。尚３０３は開口である。この窪み３０
１に対して、金属製基板２００がシャーシ３００の側壁
３０２の外部から埋設するように取り付けられる。ここ
で、レーザ装置は、ビーム出射方向に配置される光学系
との関係で、光検出器２０２の位置を上下に微調整する
場合がある。この場合、上述したように、窪み部３０１
と金属製基板２００の端部との当接部は、ビームを中心
とした円弧上で合致するように構成されている。このた
めに上記の微調整を行なったとしても、レーザビームの
位置は中心位置であり、その位置が変わる事が無く、調
整作業が極めて容易である。この調整は、例えば、トラ
ッキングエラーを検出するために、反射された光を偏光
した３ビームと受光素子との関係を回転方向に調整する
場合に有効である。
する形状の窪み３０１がシャーシ３００の側壁３０２に
形成されている。尚３０３は開口である。この窪み３０
１に対して、金属製基板２００がシャーシ３００の側壁
３０２の外部から埋設するように取り付けられる。ここ
で、レーザ装置は、ビーム出射方向に配置される光学系
との関係で、光検出器２０２の位置を上下に微調整する
場合がある。この場合、上述したように、窪み部３０１
と金属製基板２００の端部との当接部は、ビームを中心
とした円弧上で合致するように構成されている。このた
めに上記の微調整を行なったとしても、レーザビームの
位置は中心位置であり、その位置が変わる事が無く、調
整作業が極めて容易である。この調整は、例えば、トラ
ッキングエラーを検出するために、反射された光を偏光
した３ビームと受光素子との関係を回転方向に調整する
場合に有効である。
【００２２】またこの発明の装置であると、レーザ装置
の前方をシャーシの外部から押し当てるように取り付け
る（前当て方式と称する）方法であるために、レーザ装
置の後方の空間に余裕ができ、この位置に他の部品など
を取り付けることも可能である。この結果、ピックアッ
プ装置全体の小形化に寄与することができる。さらに加
えて、レーザ装置の背面は、基板１００と、金属製基板
２００と同一平面であることから、外部の接続端子との
接続を容易に行なうことができる。
の前方をシャーシの外部から押し当てるように取り付け
る（前当て方式と称する）方法であるために、レーザ装
置の後方の空間に余裕ができ、この位置に他の部品など
を取り付けることも可能である。この結果、ピックアッ
プ装置全体の小形化に寄与することができる。さらに加
えて、レーザ装置の背面は、基板１００と、金属製基板
２００と同一平面であることから、外部の接続端子との
接続を容易に行なうことができる。
【００２３】さらにまた、この発明は、樹脂製基板１０
０を用いている。樹脂製基板１００は、静電容量が容量
（Ｃ）がセラミック基板に比べて小さいという特性があ
る。これはセラミックに比べて樹脂の誘電率が小さいと
いう特性のためである。樹脂製基板１００の容量が小さ
いということは、それだけ高い周波数信号に対して積分
効果が低いということであり、高周波信号を処理する集
積回路などを搭載可能であることであることを意味す
る。これは光ディスク装置において、ディスクに記録さ
れる情報が高密度化された場合に本発明の構造が有利で
あることを意味する。また光ディスクからの信号読み取
りや書き込み速度を数倍速に上げる場合にも本発明の構
造が有利である。また樹脂製基板１００は、セラミック
基板に比べて安価であり、装置全体の低価格化に有利で
ある。
０を用いている。樹脂製基板１００は、静電容量が容量
（Ｃ）がセラミック基板に比べて小さいという特性があ
る。これはセラミックに比べて樹脂の誘電率が小さいと
いう特性のためである。樹脂製基板１００の容量が小さ
いということは、それだけ高い周波数信号に対して積分
効果が低いということであり、高周波信号を処理する集
積回路などを搭載可能であることであることを意味す
る。これは光ディスク装置において、ディスクに記録さ
れる情報が高密度化された場合に本発明の構造が有利で
あることを意味する。また光ディスクからの信号読み取
りや書き込み速度を数倍速に上げる場合にも本発明の構
造が有利である。また樹脂製基板１００は、セラミック
基板に比べて安価であり、装置全体の低価格化に有利で
ある。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したようにこの発明によれば、
低価格化が可能であり、かつ小形化に有利であり、さら
に性能面でも向上し得る光ヘッド用レーザ装置を得るこ
とができる。
低価格化が可能であり、かつ小形化に有利であり、さら
に性能面でも向上し得る光ヘッド用レーザ装置を得るこ
とができる。
【図１】この発明の一実施の形態における各部品を示す
構成説明図。
構成説明図。
【図２】この発明の装置の組み立て状態を示す構成説明
図。
図。
【図３】この発明装置の使用状態を説明するために基本
構成を示す説明図。
構成を示す説明図。
【図４】従来の光ヘッド用レーザ装置の構成説明図。
１００…樹脂製基板、２００…金属製基板、１０１…開
口、１０２…印刷配線パターン、２０１…半導体レーザ
ユニット、２０２…光検出器。
口、１０２…印刷配線パターン、２０１…半導体レーザ
ユニット、２０２…光検出器。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 5D119 AA01 AA02 AA10 AA24 AA38
AA41 BA01 BB01 BB04 FA05
FA31 FA33 FA35 LB07 NA04
5D789 AA01 AA02 AA10 AA24 AA38
AA41 BA01 BB01 BB04 FA05
FA31 FA33 FA35 LB07 NA04
5F073 AB15 BA05 FA15 FA23 FA27
5F089 AA02 AB01 AC23 CA20
Claims (4)
- 【請求項１】 少なくとも1組の光検出素子及び半導体
レーザユニットが搭載された金属製基板と、 前記少なくとも1組の光検出器及び半導体レーザユニッ
トが貫通する開口部を有し、前記金属製基板が重なるよ
うに取り付けられる樹脂製基板とを有したことを特徴と
する光ヘッド用レーザ装置 - 【請求項２】 前記樹脂基板と前記金属製基板との密着
状態が前記金属製基板が前記樹脂基板の厚み方向へ嵌め
合わさるように、前記樹脂基板に嵌合部を形成されてい
ることを特徴とする請求項1記載の光ヘッド用レーザ装
置。 - 【請求項３】 前記少なくとも1組の光検出器及び半導
体レーザユニットは、前記金属性基板の長手方向中央部
に設けられており、この中央部が前記前記樹脂基板の嵌
合部に嵌合し、前記金属性基板の長手方向端部は、前記
円弧状であることを特徴とする請求項２記載の光ヘッド
用レーザ装置。 - 【請求項４】 前記円弧状は、前記半導体レーザユニッ
トの光ビーム出力部を中心とした円形上に存在すること
を特徴とする請求項３記載の光ヘッド用レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001254773A JP2003067959A (ja) | 2001-08-24 | 2001-08-24 | 光ヘッド用レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001254773A JP2003067959A (ja) | 2001-08-24 | 2001-08-24 | 光ヘッド用レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003067959A true JP2003067959A (ja) | 2003-03-07 |
Family
ID=19082884
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001254773A Pending JP2003067959A (ja) | 2001-08-24 | 2001-08-24 | 光ヘッド用レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003067959A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7280573B2 (en) | 2005-07-05 | 2007-10-09 | Matsushita Electirc Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser unit and optical pickup device |
-
2001
- 2001-08-24 JP JP2001254773A patent/JP2003067959A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7280573B2 (en) | 2005-07-05 | 2007-10-09 | Matsushita Electirc Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser unit and optical pickup device |
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