JP2003066427A - 電気光学装置用基板の製造方法、電気光学装置用基板、電気光学装置及び電子機器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 液晶装置等の電気光学装置を構成する電気光
学装置用基板であって、素子特性及び耐光性に優れたＳ
ＯＩ構造の半導体素子を備えた電気光学装置用基板を製
造し、歩留まりも向上させる。 【解決手段】 基板（１０）上に所定パターンを有する
遮光膜（１１ａ）を形成し、この上に第１下地絶縁膜
（１２ａ）を形成し、この上に第２下地絶縁膜（１２
ｂ）を形成し、この表面を研磨して平坦化する。その
後、単結晶半導体層（１ａ）上に形成された貼り合わせ
用絶縁膜（１３）の表面を、平坦化された第２下地絶縁
膜の表面に貼り合わせる。そして、この単結晶半導体層
を用いて半導体素子（３０）を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＳＯＩ構造を有す
るトランジスタ等の半導体素子を備えた電気光学装置用
基板及びその製造方法、そのような電気光学装置用基板
を備えてなる液晶装置等の電気光学装置、並びに該電気
光学装置を具備してなるプロジェクタ等の電子機器の技
術分野に属する。

【０００２】

【背景技術】一般に、電気光学装置用基板及び対向基板
間に液晶等の電気光学物質が挟持されてなるアクティブ
マトリクス駆動方式の液晶装置等の電気光学装置用基板
では、電気光学装置用基板上において、マトリクス状に
配列された複数の画素電極に夫々、画素電極スイッチン
グ用の薄膜トランジスタ（以下適宜、ＴＦＴ（Thin Fil
m Transistor）と称す）が設けられている。そして各Ｔ
ＦＴは、走査信号がそのゲート電極に印加される度に、
オン状態とされ、当該ＴＦＴを介して画像信号が画素電
極に書き込まれる。特に、画素スイッチング制御を行う
際に、高性能なトランジスタ特性を有するＴＦＴにより
制御できるように、半導体製造技術におけるＳＯＩ（Si
licon On Insulator）構造或いはＳＯＩ技術を、この種
の電気光学装置用基板に応用する試みもなされている。
具体的には、基板上に形成したクオーツ、サファイア等
の絶縁体層上に、単結晶半導体層を貼り合わせ等により
形成して、この単結晶半導体層にトランジスタを作り込
む。係るＳＯＩ技術を応用すれば、アモルファスシリコ
ンＴＦＴやポリシリコンＴＦＴよりも基本的に高性能の
単結晶シリコンＴＦＴを電気光学装置用基板上に作り込
むことも可能とされている。

【０００３】他方、この種の電気光学装置用基板では、Ｔ
ＦＴに光が入射すると、光電効果によって光リーク電流
が発生して、そのトランジスタ特性が変化してしまう。
特に、プロジェクタ用途など強力な投射光が入射される
用途では、このような特性変化は顕著である。このため
従来から、電気光学装置用基板において入射光が入射さ
れるＴＦＴの上側において、対向基板上のＴＦＴに対向
する領域に、ブラックマスク或いはブラックマトリクス
（ＢＭ）と称される遮光膜を設けることで、ＴＦＴに対
する遮光を行っている。或いはＴＦＴの上側における、
電気光学装置用基板上のＴＦＴに対向する領域に、内蔵
遮光膜を形成することで、ＴＦＴに対する遮光を行って
いる。

【０００４】更に、プロジェクタ用途の如く強力な光を
利用する場合、基板の裏面における反射光や、当該電気光
学装置用基板を含んでなるライトバルブを複数用いた複
板式のプロジェクタにおける他のライトバルブから出射
されて合成光学系を突き抜けてくる光などの戻り光に対
する遮光を行う必要もある。このため、電気光学装置用
基板におけるＴＦＴの下側にも、遮光膜（以下適宜、下
側遮光膜と称する）を作り込む技術が開発されている。
この際特に、例えば高融点金属等からなる下側遮光膜
は、ＴＦＴを形成する工程中における不純物の発生源と
なる。従って、下側遮光膜上に絶縁膜（以下適宜、下地絶
縁膜と称する）を形成してから、その上に、高温プロセス
等によりＴＦＴを形成している。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
如きＳＯＩ構造を採用しつつ下側遮光膜を作り込む場
合、以下の問題点がある。

【０００６】即ち、単結晶半導体層を基板に貼り合わせ
るためには、基板上における貼り合わせ面を、例えばＣ
ＭＰ処理等を用いて研磨して、平坦化しておく必要があ
る。従ってＳＯＩ構造を採用しつつ下側遮光膜を作り込
む場合には、下側遮光膜上に形成される下地絶縁膜の表
面を、このように平坦化することが必要となる。しかる
に、下地絶縁膜の表面を、ＣＭＰ処理等により研磨した
場合、多かれ少なかれ、下地絶縁膜に対して、応力或いは
摩擦力が発生する。この結果、下地絶縁膜には、当該下
地絶縁膜の表面から、その下に積層されている下側遮光
膜に至るクラック、ボイド、ピンホール等が発生するこ
とになる。そして、このような下側遮光膜に至るクラッ
ク等が発生していると、その後、平坦化された表面上に
貼り合わせた単結晶半導体層を用いてＴＦＴを形成する
工程中に、クラック等を介して下側遮光膜から不純物が
飛散或いは流出して、製造装置のチャンバー内を汚染す
る。更に、パターニングされる単結晶半導体層、その上
に形成されるゲート絶縁膜等のＴＦＴの各構成要素を汚
染する。この結果、トランジスタ特性及び耐光性を高め
るべくＳＯＩ構造を採用しつつ下側遮光膜を作り込むよ
うに製造しているにも拘わらず、実際には、下側遮光膜か
らの汚染によって高品質の半導体素子を形成するのが非
常に困難となり、歩留まりも低下してしまうという問題
点がある。

【０００７】本発明は上述した問題点に鑑みなされたも
のであり、素子特性及び耐光性に優れたＳＯＩ構造の半
導体素子を備えた電気光学装置用基板を製造可能であ
り、歩留まりにも優れた電気光学装置用基板の製造方
法、素子特性及び耐光性に優れた半導体素子を備えた電
気光学装置用基板、このような電気光学装置用基板を備
えた電気光学装置、並びに該電気光学装置を具備してな
る電子機器を提供することを課題とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明の電気光学装置用
基板の製造方法は上記課題を解決するために、ＳＯＩ構
造を有する半導体素子を備えてなる電気光学装置用基板
を製造する電気光学装置用基板の製造方法であって、前
記基板上に所定パターンを有する遮光膜を形成する工程
と、該遮光膜上に第１下地絶縁膜を形成する工程と、該第
１下地絶縁膜上に第２下地絶縁膜を形成する工程と、該
第２下地絶縁膜の表面を研磨して平坦化する工程と、単
結晶半導体層上に形成された貼り合わせ用絶縁膜の表面
を前記平坦化された第２下地絶縁膜の表面に貼り合わせ
る工程と、前記単結晶半導体層を用いて前記半導体素子
を形成する工程とを含む。

【０００９】本発明の電気光学装置用基板の製造方法に
よれば、先ず、基板上に所定パターンを有する遮光膜を
形成し、その上に第１下地絶縁膜を形成し、更にその上
に第２下地絶縁膜を形成する。従って、この段階では、遮
光膜の所定パターンに応じて、第２下地絶縁膜の表面に
は、凹凸が生じる。続いて、この第２下地絶縁膜の凹凸表
面を研磨して平坦化する。この際特に、研磨時に発生す
る応力は、第１下地絶縁膜と第２下地絶縁膜との間の界
面により緩和される。更に、仮に研磨時に発生する応力
或いは摩擦力によって第２下地絶縁膜内にクラック、ボ
イド、ピンホール等が生じても、第１下地絶縁膜と第２
下地絶縁膜との間の界面において停止される。或いは、
第１下地絶縁膜内にクラック等が生じても、第１下地絶
縁膜と第２下地絶縁膜との間の界面において停止され
る。即ち両者のうち、研磨時に発生する応力或いは摩擦
力と膜強度との関係で、クラック等が生じ易い方にクラ
ックが入り、これが両者間の界面で停止される。よっ
て、いずれにせよ平坦化された第２下地絶縁膜の表面か
ら遮光膜にまで至るクラック、ボイド、ピンホール等
は、研磨を行っても殆ど発生しない。従って、その後こ
の平坦化された第２下地絶縁膜の表面に、貼り合わせ用
絶縁膜により貼り合わせられた単結晶半導体層を用いて
ＳＯＩ構造の半導体素子等を形成する工程中に、遮光膜
からの不純物によって、製造装置のチャンバー内やゲー
ト絶縁膜等の半導体素子の構成要素等が汚染されること
は殆ど無くなる。

【００１０】仮に、高温酸化により単結晶半導体層の表
面に、例えばゲート酸化膜等の酸化膜を形成する場合
に、その表面から遮光膜に至るクラック等が存在してい
ると、高温酸化時にこれらのクラック等を通じて遮光膜
も酸化して、更にこれらのクラック等を通じて飛散或い
は流出される遮光膜からの不純物によって、製造装置の
チャンバー内やゲート絶縁膜等を汚染してしまう。特
に、ゲート酸化膜等をウエット熱酸化により成膜する場
合には、このような傾向は強くなる。更にまた、ゲート絶
縁膜等における膜質低下はそのまま素子特性の顕著な劣
化に繋がるので、この問題は重大である。しかるに、本
発明によれば、前述の如く、第２下地絶縁膜の表面から
遮光膜に至るクラック等が殆ど又は全く存在しないの
で、高温環境でも、遮光膜が酸化することは殆どなく、遮
光膜の成分によって、チャンバー内やゲート絶縁膜等を
汚染することを効果的に防止できる。

【００１１】特に上述の貼り合わせる工程は、例えば第
２下地絶縁膜と貼り合わせ用絶縁膜とを密着させた状態
で熱処理して行われるが、この工程中にも、第２下地絶
縁膜の表面から遮光膜に至るクラック等が殆ど又は全く
存在しないので、高温環境で遮光膜が酸化することは殆
どなく、遮光膜の成分によってチャンバー内等を汚染す
ることを効果的に防止できる。

【００１２】このように遮光膜上にＳＯＩ構造を持つ半
導体素子等を形成する際に、遮光膜からの汚染が低減さ
れることによって高品質の半導体素子等を形成でき、歩
留まりを向上させることも可能となる。

【００１３】しかも、以上のように製造される電気光学
装置用基板は、基板上において半導体素子が遮光膜によ
り下側から遮光された構造を有する。このため、当該電
気光学装置用基板を電気光学装置に適用した場合におけ
る、基板の裏面側からの戻り光が半導体素子に到達する
ことによる光リーク電流の発生を極めて効果的に低減で
き、これによる素子特性の劣化を防止できる。即ち、強
力な光源光等の使用に耐え得る、耐光性に優れた半導体
素子を備えた電気光学装置用基板を製造できる。

【００１４】尚、基板上における半導体素子の上側の遮
光については、半導体素子の上側に別途、遮光膜を設けれ
ばよい。より具合的には、半導体素子上に層間絶縁膜を
介して所定パターンの内蔵遮光膜を形成してもよいし、
基板に対向配置される対向基板上における半導体素子と
対向する領域に遮光膜を形成してもよい。

【００１５】以上の結果、本発明によれば、遮光膜の存
在により耐光性に優れると共に、遮光膜による汚染が低
減されることで高品質であり、しかもポリシリコンＴＦ
Ｔ、アモルファスシリコンＴＦＴ等と比べて基本的に素
子特性に優れた単結晶半導体層を用いた半導体素子を形
成可能となり、しかも歩留まりを向上させることも可能
となる。

【００１６】本発明の電気光学装置用基板の製造方法の
一態様では、前記貼り合わせ用絶縁膜は、前記基板とは
別に用意された半導体基板上の前記単結晶半導体層上に
形成されており、前記貼り合わせる工程後に、前記貼り
合わせ用絶縁膜及び前記単結晶半導体層を前記基板上に
残すように前記半導体基板を除去する工程を更に含む。

【００１７】この態様によれば、貼り合わせ工程前に、半
導体基板上に、酸化等によって貼り合わせ用絶縁膜を形
成しておく。そして、これを別に用意された基板上で平
坦化された第２下地絶縁膜の表面に貼り合わせた後、単
結晶半導体層を残して半導体基板を除去する。この半導
体基板を除去する工程は、単結晶半導体層を残すよう
に、半導体基板の本体を引き剥がしてもよく、この場合
には、半導体基板の本体を再使用できる。或いは、この半
導体基板を除去する工程は、単結晶半導体層を残して、
半導体基板を研磨除去やエッチング除去してもよい。そ
して、このような貼り合わせ及び半導体基板の除去に係
る一連の工程中にも、第２下地絶縁膜の表面から遮光膜
に至るクラック等が殆ど又は全く存在しないので、遮光
膜が酸化することは殆どなく、遮光膜の成分によって、
チャンバー内等を汚染することを効果的に防止できる。

【００１８】本発明の電気光学装置用基板の製造方法の
他の態様では、前記平坦化する工程は、ＣＭＰ処理により
研磨する。

【００１９】この態様によれば、ＣＭＰ処理によって、
第２下地絶縁膜の表面を良好に平坦化できる。特に、こ
のＣＭＰ処理によれば、研磨時に基板上に応力が発生す
るが、係る応力は、第１下地絶縁膜と第２下地絶縁膜と
の間の界面により緩和される。更に、係る応力或いは摩
擦力によってクラック等が仮に生じても、第１下地絶縁
膜と第２下地絶縁膜との間の界面において停止可能であ
る。

【００２０】本発明の電気光学装置用基板の製造方法の
他の態様では、前記第２下地絶縁膜を形成する工程は、前
記第２下地絶縁膜を前記遮光膜よりも厚く形成し、前記
平坦化する工程は、前記第１下地絶縁膜が露出する以前
に研磨を停止する。

【００２１】この態様によれば、第２下地絶縁膜を遮光
膜よりも厚く形成した後に、これを平坦化し、第１下地
絶縁膜が露出する以前に研磨を停止する。従って、基板
面の全体に渡って、第１下地絶縁膜や遮光膜が露出する
ことなく平坦化を完了できる。そして、研磨時の応力
は、第１下地絶縁膜と第２下地絶縁膜との間の界面によ
り緩和され、クラック等が仮に生じても、第１下地絶縁
膜と第２下地絶縁膜との間の界面において停止可能であ
る。

【００２２】本発明の電気光学装置用基板の製造方法の
他の態様では、前記第１及び第２下地絶縁膜の一方は、高
絶縁性ガラスからなり、他方は、ＨＴＯからなる。

【００２３】この態様によれば、第１及び第２下地絶縁
膜の一方は、ＮＳＧ（ノンドープトシリケートガラ
ス）、ＰＳＧ（リンシリケートガラス）、ＢＳＧ（ボロ
ンシリケートガラス）、ＡＳＧ（アルミノシリケートガ
ラス）、ＧＳＧ（ゲルマニウムシリケートガラス）、Ｂ
ＰＳＧ（ボロンリンシリケートガラス）、ＴＥＯＳ（テ
トラ・エチル・オルソ・シリケート）ガラス、ＳＯＧ
（スピンオングラス）等の高絶縁性ガラスからなり、他
方は、ＨＴＯからなる。この際、第２下地絶縁膜が高絶縁
性ガラスであってもＨＴＯであっても、研磨による平坦
化は可能である。

【００２４】尚、第１及び第２下地絶縁膜を共に、高絶
縁性ガラス又はＨＴＯから形成することも可能である。

【００２５】本発明の電気光学装置用基板の製造方法の
他の態様では、前記半導体素子を形成する工程は、前記
単結晶半導体層上にゲート絶縁膜を形成する工程と、該
ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程とを含む。

【００２６】この態様によれば、遮光膜による汚染が殆
どなく、高品質のＴＦＴを、単結晶半導体層を用いて形
成できる。

【００２７】この態様では、前記遮光膜を形成する工程
は、前記基板上で前記単結晶半導体層のうち少なくとも
チャネル領域に対向する領域に前記遮光膜を形成しても
よい。

【００２８】このように形成すれば、基板上に、遮光膜
で下側から遮光されたチャネル領域を有するＴＦＴを構
築できる。このため、当該電気光学装置用基板を電気光
学装置に適用した場合における、基板の裏面側からの戻
り光がチャネル領域に到達することによる光リーク電流
の発生を効果的に低減でき、トランジスタ特性を高めら
れる。

【００２９】本発明の電気光学装置用基板の製造方法の
他の態様では、前記遮光膜は、導電性を有し、配線又は電
極としても機能する。

【００３０】この態様によれば、遮光膜に、遮光機能の
みならず、配線又は電極としての機能を持たせることが
できるので、両機能を別々の構成要素に持たせる場合と
比較して、基板上における積層構造及び製造プロセスの
単純化を図れる。例えば、所定パターンを持つ導電性の
遮光膜を、定電位配線として利用できる。

【００３１】本発明の電気光学装置用基板の製造方法の
他の態様では、前記遮光膜に代えて、配線又は電極として
機能する導電膜を形成する。

【００３２】この態様によれば、遮光膜に代えて又は加
えて、配線又は電極として機能する、遮光性若しくは透
光性又は半透光性の導電膜の上に、ＳＯＩ構造を持つ半
導体素子等を形成する際に、当該導電膜からの汚染が低
減されることによって高品質の半導体素子等を形成で
き、歩留まりを向上させることも可能となる。

【００３３】本発明の電気光学装置用基板の製造方法の
他の態様では、前記第１下地絶縁膜を形成する工程後且
つ前記第２下地絶縁膜を形成する工程前に、前記第１下
地絶縁膜上に一又は複数の他の下地絶縁膜を形成する工
程を更に含む。

【００３４】この態様によれば、第１下地絶縁膜上に一
又は複数の他の下地絶縁膜を形成し、更にこの上に第２
下地絶縁膜を形成して、その表面を研磨により平坦化す
る。従って、第２下地絶縁膜の研磨時に基板上に応力が
発生するが、係る応力は、第１下地絶縁膜、他の下地絶
縁膜及び第２下地絶縁膜間の各界面により分散され、緩
和される。更に、係る応力或いは摩擦力によってクラッ
ク等が仮に生じても、他の下地絶縁膜と第２下地絶縁膜
との間の界面等の界面において停止可能である。

【００３５】本発明の電気光学装置用基板の製造方法の
他の態様では、前記遮光膜は、高融点金属を含む。

【００３６】この態様によれば、半導体素子等を形成時
に、所謂高温プロセスを用いても、遮光膜は、高融点金属
からなるので溶融或いは破壊せずに済む。このような高
融点金属としては、光を反射或いは吸収する性質を有す
る、不透明或いは半透明の、例えば、Ｔｉ（チタン）、Ｃ
ｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタ
ル）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｐｄ（パラジウム）等の高
融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合
金、金属シリサイド、これらを積層した不透明な導電膜
等からなる。

【００３７】本発明の他の電気光学装置用基板の製造方
法は上記課題を解決するために、基板上に所定パターン
を有する第１膜を形成する工程と、該第１膜上に第１下
地絶縁膜を形成する工程と、該第１下地絶縁膜上に第２
下地絶縁膜を形成する工程と、該第２下地絶縁膜の表面
を研磨して平坦化する工程と、前記平坦化された表面の
上側に、配線及び素子のうち少なくとも一方を形成する
工程とを含む。

【００３８】本発明の他の電気光学装置用基板の製造方
法によれば、先ず、基板上に所定パターンを有する、例
えば導電膜、遮光膜、半導体膜などの第１膜を形成し、
その上に第１下地絶縁膜を形成し、更にその上に第２下
地絶縁膜を形成する。従って、この段階では、第１膜の所
定パターンに応じて、第２下地絶縁膜の表面には、凹凸が
生じる。続いて、この第２下地絶縁膜の凹凸表面を研磨
して平坦化する。この際特に、研磨時に発生する応力は、
第１下地絶縁膜と第２下地絶縁膜との間の界面により緩
和される。更に、仮に研磨時に発生する応力或いは摩擦
力によって第２下地絶縁膜又は第１下地絶縁膜にクラッ
ク等が生じても、第１下地絶縁膜と第２下地絶縁膜との
間の界面において停止される。即ち、平坦化された第２
下地絶縁膜の表面から第１膜にまで至るクラック等は、
研磨を行っても殆ど発生しない。従って、その後この平
坦化された第２下地絶縁膜の表面の上側に、配線或いは
素子を形成する工程中に、クラック等を介して第１膜が
腐蝕したり、クラック等を介して飛散或いは流出する第
１膜からの不純物によって、製造装置のチャンバー内や
配線或いは素子の構成要素が汚染されることは殆ど無く
なる。

【００３９】以上の結果、本発明によれば、第１及び第
２下地絶縁膜を介して第１膜上に、配線或いは素子を形
成する際に、第１膜からの汚染が低減されることによっ
て高品質の配線或いは素子を形成でき、歩留まりを向上
させることも可能となる。

【００４０】本発明の電気光学装置用基板は上記課題を
解決するために、基板上に、所定パターンを有する遮光
膜と、該遮光膜上に形成された第１下地絶縁膜と、該第１
下地絶縁膜上に形成されていると共に表面が研磨により
平坦化された第２下地絶縁膜と、該第２下地絶縁膜にお
ける平坦化された表面上に貼り合わされた貼り合わせ用
絶縁膜と、該貼り合わせ用絶縁膜上に形成された単結晶
半導体層を用いて構成された半導体素子とを備える。

【００４１】本発明の電気光学装置用基板によれば、第
２下地絶縁膜は、その表面が研磨により平坦化されてい
るが、その下には、第１下地絶縁膜が存在する。従って、
研磨時における応力が第１及び第２下地絶縁膜間の界面
の存在によって緩和された結果、第２下地絶縁膜の表面
から第１膜に至るクラック等は低減されている。更に、
仮に研磨時に第２下地絶縁膜又は第１下地絶縁膜にクラ
ック等が生じていても、いずれか一方の下地絶縁膜内で
発生し且つ第１及び第２下地絶縁膜間の界面にて停止し
ているものが殆どである。従って、このような第２下地
絶縁膜上に構築された半導体素子は、遮光膜の存在によ
って基板側からの戻り光等に対する耐光性に優れてお
り、しかも第１下地絶縁膜の下側に配置された遮光膜に
よる汚染が低減されていることで高品質である。

【００４２】以上の結果、本発明によれば、遮光膜の存
在により耐光性に優れると共に、遮光膜による汚染が低
減されることで高品質であり、しかも基本的に素子特性
に優れた単結晶半導体層を用いた半導体素子を備えた電
気光学装置用基板を実現できる。

【００４３】尚、本発明の電気光学装置用基板は、上述し
た本発明の電気光学装置用基板の製造方法における各種
態様によって製造される各種態様を含むものである。

【００４４】本発明の電気光学装置は上記課題を解決す
るために、上述した本発明の電気光学装置用基板と、該
電気光学装置用基板に対向配置された対向基板と、該対
向基板と前記電気光学装置用基板との間に挟持された電
気光学物質とを備える。

【００４５】本発明の電気光学装置は、上述した本発明
の電気光学装置用基板（但し、上述した本発明の電気光
学装置用基板の製造方法における各種態様によって製造
される各種電気光学装置用基板を含む）を備えているの
で、これを一方の基板とする一対の基板間に液晶等の電
気光学物質が挟持されてなる、耐光性に優れており明る
く高品位の画像表示が可能な液晶装置等の電気光学装置
を実現できる。

【００４６】本発明の電子機器は上記課題を解決するた
めに、上述した本発明の電気光学装置を具備してなる。

【００４７】本発明の電子機器は、上述した本発明の電
気光学装置を具備してなるので、耐光性に優れており明
るく高品位の画像表示が可能な、投射型表示装置、液晶
テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビュ
ーファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコー
ダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タ
ッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。

【００４８】本発明のこのような作用及び他の利得は次
に説明する実施の形態から明らかにされる。

【００４９】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。

【００５０】（電気光学装置用基板）図１は、本発明の
実施形態である電気光学装置用基板の断面図である。本
実施形態の電気光学装置用基板は、例えば後述の電気光
学装置を構成する一対の基板のうちのＴＦＴアレイ基板
側を構成するものである。

【００５１】本実施形態の電気光学装置用基板では、Ｓ
ＯＩ構造を有するＴＦＴが、後述の如く電気光学装置の
画像表示領域内にマトリクス状に配置される画素スイッ
チング用のＴＦＴとして複数作り込まれるものである。
或いは、これに加えて、同様のＴＦＴが周辺回路を構成
するＴＦＴとしても複数作り込まれるものである。但
し、当該電気光学装置用基板の用途は、特にこれに限定
されるものではない。

【００５２】図１において、電気光学装置用基板２００
は、基板１０上に、下側遮光膜１１ａ、下地絶縁膜１
２、貼り合わせ用絶縁膜１３、例えば後述の電気光学装
置における画素スイッチング用のＴＦＴ３０を構成する
単結晶シリコン層からなる単結晶半導体層１ａ、ＴＦＴ
３０を構成するゲート電極を含む走査線３ａ、ＴＦＴ３
０を構成するゲート絶縁膜を含む絶縁膜２、第１層間絶
縁膜４１、並びに、ＴＦＴ３０のソース電極３０３、ド
レイン電極３０２及び引き出し電極２０４をこの順に備
えて構成されている。

【００５３】基板１０は、ガラス基板、石英基板、シリ
コン基板等からなり、当該電気光学装置用基板を透過型
とする場合には、透明の基板とされ、当該電気光学装置
用基板を反射型とする場合には、不透明又は透明の基板
とされる。

【００５４】下側遮光膜１１ａは、例えば、Ｔｉ、Ｃ
ｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｐｄ等の高融点金属のうちの少な
くとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、
ポリサイド、これらを積層したもの等からなる。下側遮
光膜１１ａは、ＴＦＴ３０を構成する単結晶半導体層１
ａのうち少なくともチャネル領域１ａ’を、図中下側か
ら覆うことにより、図中下側からＴＦＴ３０に向かう戻
り光を遮光する。

【００５５】尚、周辺回路を構成するＴＦＴ３０の場合
には、このような下側遮光膜１１ａを省略し、当該電気
光学装置用基板を備えてなる電気光学装置が実装される
遮光性ケースの窓枠部分で、遮光するように構成しても
よい。

【００５６】加えて本実施形態では特に、下側遮光膜１
１ａは、導電性を有し、引き出し電極２０４が設けられ
ることにより、配線としても機能する。即ち、下側遮光膜
１１ａに、二つの機能を有するので、これを別々の部材
から構築するのと比較して、基板１０上における積層構
造及び製造プロセスの単純化を図れる。

【００５７】下地絶縁膜１２は、基板１０の全面に形成
されることにより、基板１０の表面の研磨時における荒
れや、洗浄後に残る汚れ等でＴＦＴ３０の特性の劣化を
防止する機能を有する。

【００５８】本実施形態では特に、下地絶縁膜１２は、第
１下地絶縁膜１２ａ及び第２下地絶縁膜１２ｂの二層か
らなる。これらのうち、第２下地絶縁膜１２ｂの表面
は、ＣＭＰ処理により平坦化されている。このような下
地絶縁膜１２における二層構造については、後述の製造
方法のところで更に詳述する。

【００５９】そして、第２下地絶縁膜１２ｂの平坦化さ
れた表面上には、貼り合わせ界面２０１において、貼り
合わせ用絶縁膜１３が貼り合わされている。

【００６０】ＴＦＴ３０は、ＬＤＤ構造を有しており、
走査線３ａの一部からなるゲート電極、当該走査線３ａ
からの電界によりチャネルが形成される単結晶半導体層
１ａのチャネル領域１ａ’、走査線３ａと単結晶半導体
層１ａとを絶縁するゲート絶縁膜を含む絶縁膜２、単結
晶半導体層１ａの低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレ
イン領域１ｃ、単結晶半導体層１ａの高濃度ソース領域
１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅ、ソース電極３０３並
びにドレイン電極３０２を備えて構成されている。

【００６１】走査線３ａの上には、高濃度ソース領域１
ｄとソース電極３０３とを通じるコンタクトホール８
２、高濃度ドレイン領域１ｅとドレイン電極３０２とを
通じるコンタクトホール８３、及び下側遮光膜１１ａと
引き出し電極２０４とを通じるコンタクトホール２８２
が各々形成された第１層間絶縁膜４１が形成されてい
る。

【００６２】本実施形態では、ＴＦＴ３０は、Ｎチャネ
ル型でもよく、Ｐチャネル型でもよいが、Ｎチャネル型
とすれば、一般にキャリア移動度に優る電子をキャリア
とするため、トランジスタ特性の向上を図れる。但し、こ
の場合、ＳＯＩ構造を採用しているので、チャネル領域
から半導体層部分を、余剰キャリアを引き抜くために延
設すると共に、この延設部分に余剰キャリア引き抜き用
の導電層、即ち「ボディコンタクト」を接触させること
が望ましい。これに対し、ＴＦＴ３０をＰチャネル型と
すれば、キャリア移動度には劣るものの、このようなボ
ディコンタクトは設けなくてもよい。そして、本実施形
態ではＳＯＩ構造を採用しているので、Ｐチャネル型の
ポリシリコンＴＦＴ、アモルファスシリコンＴＦＴ等と
比べると、基本的にトランジスタ特性に優り、Ｐチャネ
ル型であっても当該電気光学装置用基板上における半導
体素子として十分に実践上の使用に耐え得るように構成
可能である。

【００６３】（電気光学装置用基板の製造方法）次に、
以上の如き構成を持つ電気光学装置用基板の製造方法に
ついて図２から図７を参照して説明する。ここに、図２
から図４は、図１に示した断面部分における各工程での
断面構造を、順を追って示す工程図である。但し、図２
の工程（１）から工程（３）と、図３に示す工程（１
ｂ）及び工程（２ｂ）とは、別々の基板上で行われ、図
２の工程（４）において、これらの基板が貼り合わされ
るものである。また、図５は、比較例におけるＣＭＰに
よる研磨時に生じるクラックを示す概念図であり、図６
は、本実施形態におけるＣＭＰによる研磨時に生じるク
ラックの一例を示す概念図であり、図７は、本実施形態
におけるＣＭＰによる研磨時に生じるクラックの他の例
を示す概念図である。

【００６４】図２の工程（１）では、先ず石英基板、ハ
ードガラス、シリコン基板等の基板１０を用意する。こ
こで、好ましくはＮ_２（窒素）等の不活性ガス雰囲気且
つ約９００〜１３００℃の高温でアニール処理し、後に
実施される高温プロセスにおける基板１０に生じる歪み
が少なくなるように前処理しておく。

【００６５】続いて、このように処理された基板１０の
全面に、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ及びＰｄ等の金属
や金属シリサイド等の金属合金膜を、スパッタリングに
より、１００〜５００ｎｍ程度の膜厚、好ましくは約２
００ｎｍの膜厚の遮光膜を形成する。そしてフォトリソ
グラフィ及びエッチングにより、所定平面形状を持つ下
側遮光膜１１ａを形成する。

【００６６】続いて、下側遮光膜１１ａ上に、例えば、
常圧又は減圧ＣＶＤ法等によりＴＥＯＳ（テトラ・エチ
ル・オルソ・シリケート）ガス、ＴＥＢ（テトラ・エチ
ル・ボートレート）ガス、ＴＭＯＰ（テトラ・メチル・
オキシ・フォスレート）ガス等を用いて、ＮＳＧ、ＰＳ
Ｇ、ＢＳＧ、ＡＳＧ、ＧＳＧ、ＢＰＳＧなどのシリケー
トガラス或いはＴＥＯＳ、ＳＯＧ等の高絶縁性ガラス、
窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等からなる第１下地絶
縁膜１２ａを形成する。

【００６７】次に、工程（２）では、第１下地絶縁膜１
２ａ上に、例えば、高温酸化、常圧又は減圧ＣＶＤ法等
により、ＨＴＯ膜等からなる第２下地絶縁膜１２ｂ’を
形成する。

【００６８】続いて、工程（３）では、第２下地絶縁膜
１２ｂ’に対してＣＭＰ処理を行って、その表面を平坦
化する。具体的には、例えば研磨プレート上に固定され
た研磨パッド上に、シリカ粒を含んだ液状のスラリー
（化学研磨液）を流しつつ、スピンドルに固定した基板
表面（下地絶縁膜１２ｂ’の側）を、回転接触させるこ
とにより、第１下地層間絶縁膜１２’の表面を研磨す
る。そして、時間管理により或いは適当なストッパ層を
基板１０上の所定位置に形成しておくことにより、研磨
処理を停止する。この結果、膜厚が約５００〜１５００
ｎｍであると共に上面が平坦化された第２下地絶縁膜１
２ｂが完成する。

【００６９】以上により、第１下地絶縁膜１２ａ及び第
２下地絶縁膜１２ｂの二層構造を有する下地絶縁膜１２
が基板１０上に完成する。このように下地絶縁膜１２を
二層構造とすることにより得られる作用効果について
は、後に図５から図７を参照して詳述する。

【００７０】尚、工程（２）で、第２下地絶縁膜１２
ｂ’を下側遮光膜１１ａよりも厚く形成しておき、工程
（３）で、ＣＭＰ処理を第１下地絶縁膜１２ａが露出す
る以前に停止することにより、基板面の全体に渡って二
層構造を有する下地絶縁膜１２が得られる。

【００７１】他方、図３に示した工程（１ｂ）では、上
記工程（１）から工程（３）とは別に、半導体基板４０
０を用意する。より具体的には、ＴＦＴ３０をＰチャネ
ル型とするためにはＮ型の半導体基板４００を用意す
る。或いは、ＴＦＴ３０をＮチャネル型とするために
は、Ｐ型の半導体基板４００を用意する。尚、ドープ
は、インゴットの段階で行ってもよいが、ウエーハの段
階で行ってもよいし、更には、単結晶半導体層１が基板
１０上に移された後に行ってもよい。

【００７２】続いて、半導体基板４００に対して、例え
ば約９００〜１３００℃の高温による熱処理を施して、
その表面に熱酸化膜たる貼り合わせ用絶縁膜１３を形成
する。

【００７３】次に工程（２ｂ）では、このように半導体
基板４００上に形成された貼り合わせ用絶縁膜１３に対
して水素イオン注入を行う。この水素イオン注入量によ
り、後の分離工程において分離線２２０で分離される単
結晶半導体層１の層厚を制御できるが、具体的な注入量
については、実験的、経験的又は理論的に若しくはシミ
ュレーションにより個別具体的に設定する。

【００７４】次に、図２に示した工程（４）では、工程
（３）で形成された下地絶縁膜１２の表面に、図３に示
した工程（２ｂ）で形成された貼り合わせ用絶縁膜１３
の表面が密着するように、この工程（２ｂ）に示した半
導体基板４００の上下を逆転させて、両基板を対向配置
させる。この状態で、例えば６００℃程度の熱処理を施
すことにより、下地絶縁膜１２と貼り合わせ用絶縁膜１
３とを貼り合わせ界面２０１にて相互に接着する。

【００７５】次に工程（５）では、両基板の分離を行
う。ここでは、図３に示した工程（２ｂ）における水素
イオン注入量に応じた層厚の単結晶半導体層１を、その
熱酸化膜たる貼り合わせ用絶縁膜１３と共に、分離線２
２０にて、半導体基板４００から分離する。更に、基板
１０上に移された単結晶半導体層１に対しタッチポリッ
シュによる表面処理を行う。これらにより、例えば約５
０〜２００ｎｍの層厚の単結晶半導体層１が形成され
る。尚、単結晶半導体層１が分離した半導体基板４０
０’については、リサイクルに回される。

【００７６】次に、工程（６）では、下地絶縁膜１２上
に貼り合わせ界面２０１にて貼り合わせられた貼り合わ
せ用絶縁膜１３上に、単結晶半導体層１に対するフォト
リソグラフィ及びエッチングにより、所定パターンを有
する単結晶半導体層１ａを形成する。即ち、ＳＯＩ構造
を持つ単結晶半導体層１ａを形成する。

【００７７】次に、図４の工程（７）では、単結晶半導
体層１ａを約９００〜１３００℃の温度、好ましくは約
１０００℃の温度により熱酸化して下層ゲート絶縁膜を
形成し、続けて減圧ＣＶＤ法等により、若しくは両者を
続けて行うことにより、上層ゲート絶縁膜を形成する、
これにより、多層の高温酸化シリコン膜（ＨＴＯ膜）や
窒化シリコン膜からなる（ゲート絶縁膜を含む）絶縁膜
２を形成する。この結果、単結晶半導体層１ａは、約３
０〜１５０ｎｍの厚さ、好ましくは約３５〜５０ｎｍの
厚さとなり、絶縁膜２の厚さは、約２０〜１５０ｎｍの
厚さ、好ましくは約３０〜１００ｎｍの厚さとなる。

【００７８】続いて、ＴＦＴ３０のスレッシュホールド
電圧Ｖｔｈを制御するために、単結晶半導体層１ａのう
ちチャネル領域に、所定種類のドーパントを予め設定さ
れた所定量だけイオン注入等によりドープする。

【００７９】続いて、絶縁膜２上に、減圧ＣＶＤ法等に
よりポリシリコン膜を堆積し、更にリン（Ｐ）を熱拡散
し、このポリシリコン膜を導電化する。又は、Ｐイオン
をこのポリシリコン膜の成膜と同時に導入したドープト
シリコン膜を用いてもよい。このポリシリコン膜の膜厚
は、約１００〜５００ｎｍの厚さ、好ましくは約３５０
ｎｍ程度である。そして、フォトリソグラフィ及びエッ
チングにより、ＴＦＴ３０のゲート電極部を含めて所定
パターンの走査線３ａを形成する。

【００８０】本実施形態では、ＴＦＴ３０をＬＤＤ構造
を持つＰチャネル型のＴＦＴとするので、単結晶半導体
層１ａに、先ず低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイ
ン領域１ｃを形成するために、走査線３ａ（ゲート電
極）をマスクとして、単結晶半導体層１ａに、所定種類
のドーパントを低濃度でドープする。これにより走査線
３ａ下の単結晶半導体層１ａはチャネル領域１ａ’とな
る。更に、画素スイッチング用ＴＦＴ３０を構成する高
濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅを形成
するために、走査線３ａよりも幅の広い平面パターンを
有するレジスト層を走査線３ａ上に形成する。その後、
所定種類のドーパントを高濃度でドープする。尚、例え
ば、低濃度のドープを行わずに、オフセット構造のＴＦ
Ｔとしてもよく、走査線３ａをマスクとして、Ｂイオン
等を用いたイオン注入技術によりセルフアライン型のＴ
ＦＴとしてもよい。この不純物のドープにより走査線３
ａは更に低抵抗化される。

【００８１】続いて、走査線３ａ上に、例えば、常圧又
は減圧ＣＶＤ法等によりＴＥＯＳガス、ＴＥＢガス、Ｔ
ＭＯＰガス等を用いて、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰ
ＳＧなどのシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化
シリコン膜等からなる第１層間絶縁膜４１を形成する。
この第１層間絶縁膜１２の膜厚は、例えば約５００〜２
０００ｎｍ程度とする。ここで好ましくは、８００℃の
程度の高温でアニール処理し、層間絶縁膜４１の膜質を
向上させておく。

【００８２】次に工程（８）では、第１層間絶縁膜４１
に対する反応性イオンエッチング、反応性イオンビーム
エッチング等のドライエッチングにより、コンタクトホ
ール８２、８３及び２８２を同時開孔する。

【００８３】続いて、第１層間絶縁膜４１上に、減圧Ｃ
ＶＤ法等によりポリシリコン膜を堆積し、更にリン
（Ｐ）を熱拡散し、このポリシリコン膜を導電化する。
又は、Ｐイオンをこのポリシリコン膜の成膜と同時に導
入したドープトシリコン膜を用いてもよい。このポリシ
リコン膜の膜厚は、約５０〜５００ｎｍの厚さ、好まし
くは約１５０ｎｍ程度である。そして、フォトリソグラ
フィ及びエッチングにより、図１に示した如き、ソース
電極３０３、ドレイン電極３０２及び引き出し電極２０
４を形成する。

【００８４】以上説明した製造方法により、前述した電
気光学装置用基板２００を製造できる。

【００８５】本製造方法では特に、図２に示した工程
（１）から（３）において、下側遮光膜１１ａ上に、第
１下地絶縁膜１２ａ及び第２下地絶縁膜１２ｂの二層構
造を有する下地絶縁膜１２を形成する。従って、工程
（３）で、第２下地絶縁膜１２ｂ’の凹凸表面を研磨し
て平坦化する際に、研磨時に発生する応力を、第１下地絶
縁膜１２ａと第２下地絶縁膜１２ｂ’との間の界面によ
り緩和できる。更に、この研磨の際の応力或いは摩擦力
によるクラックを、これら第１下地絶縁膜１２ａ及び第
２下地絶縁膜１２ｂ間の界面で停止できる。

【００８６】この点について図５から図７を参照して更
に説明する。

【００８７】先ず図５に示す比較例のように、仮に工程
（３）のＣＭＰ処理を単一層からなる第１下地絶縁膜１
２ａに対して行って、その一部１２ｃを研磨除去したと
する。この場合、単一層の第１下地絶縁膜１２ａ内には
界面は存在しないので、その一部１２ｃを研磨除去する
際に発生する応力が、第１下地絶縁膜１２ａ内の界面で
緩和されることはない。更に、この研磨の際の応力或い
は摩擦力は、下側遮光膜１１ａ及び第１下地絶縁膜１２
ａ間の界面にまでも応力集中等により顕著に作用する。
この結果、図５の下段に示すように、平坦化された第１下
地絶縁膜１２ａの表面から、下側遮光膜１１ａ及び第１
下地絶縁膜１２ａ間の界面に至るクラック４０１或い
は、ボイド、ピンホール等の不良個所等が多発してしま
う。そして、このようなクラック４０１が存在する状態
で、図２及び図４に示した工程（４）以降を行うと、特に
ゲート酸化膜の形成に係る工程（７）等における高温処
理時に、これらのクラック４０１を通じて下側遮光膜１
１ａも酸化されてしまう。更にこれらのクラック４０１
を通じて飛散或いは流出される下側遮光膜１１ａからの
不純物によって、製造装置のチャンバー内やゲート絶縁
膜等を汚染してしまう。この結果、工程（８）を終えて
製造されるＴＦＴ３０の品質は劣化してしまうか或いは
歩留まりが低下してしまうのである。特に、ゲート酸化
膜における膜質の劣化は、ＴＦＴ３０の特性劣化にその
ままつながってしまうので不利である。

【００８８】これに対して、図６に示すように本実施形
態の一例によれば、工程（３）のＣＭＰ処理を第２下地
絶縁膜１２ｂ’に対して行って、その一部１２ｃを研磨
除去するので、この一部１２ｃを研磨除去する際に発生
する応力が、第１下地絶縁膜１２ａ及び第２下地絶縁膜
１２ｂ間の界面で緩和される。更に、この研磨の際の応
力或いは摩擦力は、第２下地絶縁膜１２ｂ及び第１下地
絶縁膜１２ａ間の界面に応力集中等により作用する。

【００８９】ここで、図６に示した例では、研磨時に発
生する応力或いは摩擦力の種類と、膜厚、膜質等により
規定される膜強度との関係で、高絶縁性ガラス膜等から
なる第１下地絶縁膜１２ａよりも、ＨＴＯ膜等からなる
第２下地絶縁膜１２ｂの方が、当該ＣＭＰ処理によりク
ラック等が生じ易い状況に置かれている。すると、図６
の下段に示すように、界面による応力の緩和によって、
平坦化された第２下地絶縁膜１２ｂの表面から、第２下
地絶縁膜１２ｂ及び第１下地絶縁膜１２ａ間の界面に至
るクラック４０２が若干発生するかもしれない。しかし
ながら、このようなクラック４０２は、第１下地絶縁膜
１２ａ及び第２下地絶縁膜１２ｂ間の界面において停止
される。このため、このようなクラック４０２が存在す
る状態で、図２及び図４に示した工程（４）以降を行っ
ても、高温処理時等にこれらのクラック４０２を通じて
下側遮光膜１１ａが酸化されることは殆ど又は全くな
い。更にこれらのクラック４０２を通じて飛散或いは流
出される下側遮光膜１１ａからの不純物によって、製造
装置のチャンバー内やゲート絶縁膜等を汚染してしまう
ことも殆ど又は全くない。この結果、工程（８）を終え
て製造されるＴＦＴ３０は、高品質のゲート絶縁膜等を
備えてなり、その品質は極めて良好となる。

【００９０】他方、図７に示した例では、研磨時に発生
する応力或いは摩擦力の種類と、膜厚、膜質等により規
定される膜強度との関係で、高絶縁性ガラス膜等からな
る第１下地絶縁膜１２ａよりも、ＨＴＯ膜等からなる第
２下地絶縁膜１２ｂの方が、当該ＣＭＰ処理によりクラ
ック等が生じ難い状況に置かれている。すると、図７の
下段に示すように、界面による応力の緩和によって、第
２下地絶縁膜１２ｂ及び第１下地絶縁膜１２ａ間の界面
から下側遮光膜１１ａに至るクラック４０３が若干発生
するかもしれない。しかしながら、このようなクラック
４０３は、第１下地絶縁膜１２ａ及び第２下地絶縁膜１
２ｂ間の界面において停止される。このため、このよう
なクラック４０３が存在する状態で、図２及び図４に示
した工程（４）以降を行っても、高温処理時等にこれら
のクラック４０３を通じて下側遮光膜１１ａが酸化され
ることは殆ど又は全くない。更にこれらのクラック４０
３を通じて飛散或いは流出される下側遮光膜１１ａから
の不純物によって、製造装置のチャンバー内やゲート絶
縁膜等を汚染してしまうことも殆ど又は全くない。この
結果、工程（８）を終えて製造されるＴＦＴ３０は、高
品質のゲート絶縁膜等を備えてなり、その品質は極めて
良好となる。

【００９１】図５から図７から理解されるように、本実
施形態の製造方法によれば、下側遮光膜１１ａからの汚
染が低減されることによって、品質が高いＳＯＩ構造の
ＴＦＴ３０を形成でき、歩留まりを向上できる。

【００９２】尚、本実施形態では、基板１０として、石
英ガラス、ガラス等の透明基板を用い、画素電極９ａと
してもＩＴＯ膜等の透明電極を用いることにより、透過
型の電気光学装置用基板や、画素電極９ａ或いは画素電
極透９ａ及び基板１０を介して光が反射する反射型の電
気光学装置を構築できる。或いは、本実施形態では、画
素電極９ａとしてＡｌ膜等の反射電極を用いることによ
り、反射型の電気光学装置用基板を構築できる。更に
は、半透過反射電極或いは半透過反射板を用いること
で、反射型と透過型とを切り替え可能な半透過反射型の
電気光学装置を構築できる。

【００９３】（変形形態）以上説明した実施形態では、
第１下地絶縁膜１２ａを高絶縁性ガラスから構成し、第
２下地絶縁膜１２ｂをＨＴＯから構成したが、一の変形
形態として、第１下地絶縁膜１２ａをＨＴＯから構成
し、第２下地絶縁膜１２ｂを高絶縁性ガラスから構成し
てもよい。或いは、第１下地絶縁膜１２ａ及び第２下地
絶縁膜１２ｂを、成膜条件が異なる或いは同一である高
絶縁性ガラスから構成してもよい。更に、第１下地絶縁
膜１２ａ及び第２下地絶縁膜１２ｂを、成膜条件が異な
る或いは同一であるＨＴＯから構成してもよい。

【００９４】また、以上説明した実施形態では、下地絶
縁膜１２の下側には、ＴＦＴ３０を遮光する機能と配線
としての機能との両者を有する下側遮光膜が１１ａを形
成したが、他の変形形態として、これを遮光機能のみを専
ら発揮するように形成してもよい。或いは、配線として
の機能のみを専ら発揮するように構成してもよい。後者
の場合には、下側遮光膜１１ａは、遮光膜である必要は
無く、透明或いは半透明の導電膜から構成されてもよ
い。いずれにせよ、その上に二層構造を有する下地絶縁
膜１２が形成される限り、前述の如くＣＭＰ処理時にお
ける応力緩和やクラック防止の効果や、更には、クラッ
クを介しての不純物の飛散や流出を抑制する効果は得ら
れる。

【００９５】更に、下側遮光膜１１ａを、配線としての
みならず、何らかの平面パターンを有すると共に不純物
の発生源に多少なりともなり得るような材質からなる導
電膜、絶縁膜、半導体膜等に置き換える変形形態も可能
である。この場合にも、その上に二層構造を有する下地
絶縁膜１２が形成される限り、前述の如くＣＭＰ処理時
における応力緩和やクラック防止の効果や、更には、ク
ラックを介しての不純物の飛散や流出を抑制する効果は
得られる。

【００９６】更にまた、以上説明した実施形態では、下地
絶縁膜１２は、第１下地絶縁膜１２ａ及び第２下地絶縁
膜１２ｂの二層構造を有するが、これらの間に更に他の
下地絶縁膜を形成してもよい。このような他の下地絶縁
膜は、例えば高絶縁性ガラス、ＨＴＯ等から構成すれば
よい。即ち、下地絶縁膜１２は、三層以上を含む多層構
造を有していてもよい。この場合には、下地絶縁膜１２
の内部に構築される二つ以上の界面によって、ＣＭＰ処
理等の研磨時に発生する応力を緩和することができ、更
に、たとえ内部にクラックが発生しても、該二つ以上の界
面の夫々によって停止することにより、下地絶縁膜１２
の表面から下側遮光膜１１ａに至るようなクラックの発
生を効果的に防止できる。

【００９７】次に、以上の如く構成された電気光学装置
用基板を備えてなる、本発明の電気光学装置に係る実施
形態を図面に基づいて説明する。以下の実施形態は、本
発明の電気光学装置を液晶装置に適用したものである。

【００９８】（電気光学装置の全体構成）先ず、本発明
の実施形態における電気光学装置の全体構成について、
図８及び図９を参照して説明する。ここでは、電気光学
装置の一例である駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマ
トリクス駆動方式の液晶装置を例にとる。

【００９９】図８は、ＴＦＴアレイ基板をその上に形成
された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図で
あり、図９は、図８のＨ−Ｈ’断面図である。

【０１００】図８及び図９において、本実施形態に係る
電気光学装置では、図１に示した電気光学装置用基板２
００と対向基板２０とが対向配置されている。

【０１０１】電気光学装置用基板２００を構成する基板
１０と対向基板２０との間に液晶層５０が封入されてお
り、基板１０と対向基板２０とは、画像表示領域１０ａ
の周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２
により相互に接着されている。シール材５２は、両基板
を貼り合わせるために、例えば熱硬化樹脂、熱及び光硬
化樹脂、光硬化樹脂、紫外線硬化樹脂等からなり、製造
プロセスにおいて基板１０上に塗布された後、加熱、加
熱及び光照射、光照射、紫外線照射等により硬化させら
れたものである。

【０１０２】このようなシール材５２中には、両基板間
の間隔（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラス
ファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材が混合され
ている。即ち、本実施形態の電気光学装置は、プロジェ
クタのライトバルブ用として小型で拡大表示を行うのに
適している。但し、当該電気光学装置が液晶ディスプレ
イや液晶テレビのように大型で等倍表示を行う液晶装置
であれば、このようなギャップ材は、液晶層５０中に含
まれてもよい。

【０１０３】対向基板２０の４隅には、上下導通材１０
６が設けられており、基板１０に設けられた上下導通端
子と対向基板２０に設けられた対向電極２１との間で電
気的な導通をとる。

【０１０４】図８及び図９において、シール材５２が配
置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１
０ａを規定する遮光性の額縁５３が対向基板２０側に設
けられている。額縁５３は基板１０側に設けても良いこ
とは言うまでもない。画像表示領域の周辺に広がる周辺
領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外
側部分には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続
端子１０２が基板１０の一辺に沿って設けられており、
走査線駆動回路１０４が、この一辺に隣接する２辺に沿
って設けられている。更に基板１０の残る一辺には、画
像表示領域１０ａの両側に設けられた走査線駆動回路１
０４間をつなぐための複数の配線１０５が設けられてい
る。

【０１０５】図５において、基板１０上には、画素スイ
ッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が形成
された後の画素電極９ａ上に、配向膜が形成されてい
る。他方、対向基板２０上には、対向電極２１の他、最
上層部分に配向膜が形成されている。また、液晶層５０
は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合し
た液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向
状態をとる。

【０１０６】本実施形態では、額縁５３下にある基板１
０上の領域に、サンプリング回路１１８が設けられてい
る。サンプリング回路１１８は、画像信号線上の画像信
号をデータ線駆動回路１０１から供給されるサンプリン
グ回路駆動信号に応じてサンプリングしてデータ線に供
給するように構成されている。

【０１０７】（電気光学装置の回路構成及び動作）次に
以上の如く構成された電気光学装置における回路構成及
び動作について図１０を参照して説明する。図１０は、
電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に
形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価
回路と周辺回路とを示すブロック図である。

【０１０８】図１０において、本実施形態における電気
光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成
された複数の画素には夫々、画素電極９ａと当該画素電
極９aをスイッチング制御するためのＴＦＴ３０とが形
成されており、画像信号が供給されるデータ線６ａが当
該ＴＦＴ３０のソース電極に電気的に接続されている。

【０１０９】画像表示領域１０ａ外である周辺領域に
は、データ線６ａの一端（図６中で下端）が、サンプリ
ング回路１１８の例えばＴＦＴからなる各スイッチング
素子のドレインに接続されている。他方、画像信号線１
１５は、引き出し配線１１６を介してサンプリング回路
１１８のＴＦＴのソースに接続されている。データ線駆
動回路１０１に接続されたサンプリング回路駆動信号線
１１４は、サンプリング回路１１８のＴＦＴのゲートに
接続されている。そして、画像信号線１１５上の画像信
号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、データ線駆動回路１０１か
らサンプリング回路駆動信号線１１４を介してサンプリ
ング回路駆動信号が供給されるのに応じて、サンプリン
グ回路１１８によりサンプリングされて各データ線６ａ
に供給されるように構成されている。

【０１１０】このようにデータ線６ａに書き込む画像信
号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給して
も構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対
して、グループ毎に供給するようにしても良い。

【０１１１】また、画素スイッチング用のＴＦＴ３０の
ゲートに走査線３ａが電気的に接続されており、所定の
タイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、
Ｇ２、…、Ｇｍを、走査線駆動回路１０４により、この
順に線順次で印加するように構成されている。画素電極
９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されてお
り、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけ
そのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供
給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミ
ングで書き込む。画素電極９ａを介して電気光学物質の
一例としての液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号
Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板に形成された対向電
極２１との間で一定期間保持される。液晶は、印加され
る電位レベルにより分子集合の配向や秩序が変化するこ
とにより、光を変調し、階調表示を可能にする。ノーマ
リーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加され
た電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマ
リーブラックモードであれば、各画素の単位で印加され
た電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体
として電気光学装置からは画像信号に応じたコントラス
トを持つ光が出射する。ここで、保持された画像信号が
リークするのを防ぐために、画素電極９ａと対向電極２
１との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０を
付加する。蓄積容量７０は、後述する画素スイッチング
用のＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅと定電位の容
量線３００の間に誘電体膜３０１を介して形成される。

【０１１２】尚、基板１０上には、これらのデータ線駆
動回路１０１、走査線駆動回路１０４、サンプリング回
路１１８等に加えて、複数のデータ線６ａに所定電圧レ
ベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給
するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光
学装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形
成してもよい。

【０１１３】（電気光学装置の画素部における構成）本
実施形態における電気光学装置の画素部における構成に
ついて、図１１及び図１２を参照して説明する。図１１
は、データ線、走査線、画素電極等が形成された電気光
学装置の相隣接する複数の画素群の平面図であり、図１
２は、図１１のＡ−Ａ’断面図である。尚、図１２にお
いては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大き
さとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてあ
る。

【０１１４】図１１において、電気光学装置の基板１０
上には、マトリクス状に複数の透明な画素電極９ａ（点
線部９ａ’により輪郭が示されている）が設けられてお
り、画素電極９ａの縦横の境界に各々沿ってデータ線６
ａ、走査線３ａが設けられている。

【０１１５】また、単結晶半導体層１ａのうち図中右上
がりの斜線領域で示したチャネル領域１ａ’に対向する
ように走査線３ａが配置されており、走査線３ａはゲー
ト電極として機能する。このように、走査線３ａとデー
タ線６ａとの交差する個所には夫々、チャネル領域１
ａ’に走査線３ａがゲート電極として対向配置された画
素スイッチング用のＴＦＴ３０が設けられている。

【０１１６】本実施形態では、容量線３００が、図中破
線で示したように走査線３ａの形成領域に重ねて形成さ
れている。より具体的には容量線３００は、走査線３ａ
に沿って延びる本線部と、図１１中、データ線６ａと交
差する各個所からデータ線６ａに沿って上方に夫々突出
した突出部と、コンタクトホール８５に対応する個所が
僅かに括れた括れ部とを備えている。

【０１１７】図１１及び図１２に示すように、データ線
６ａは、ソース電極３０３を中継することにより、コン
タクトホール８１及びコンタクトホール８２を介して単
結晶半導体層１ａのうち高濃度ソース領域１ｄに電気的
に接続されている。他方、画素電極９ａは、ソース電極
３０３と同一膜からなるドレイン電極３０２を中継層と
して利用して中継することにより、コンタクトホール８
３及び８５を介して単結晶半導体層１ａのうち高濃度ド
レイン領域１ｅに電気的に接続されている。

【０１１８】このようにドレイン電極３０２を中継層と
して用いることにより、画素電極９ａとＴＦＴ３０を構
成する単結晶半導体層１ａとの間の層間距離が例えば１
０００ｎｍ程度に長くても、両者間を一つのコンタクト
ホールで接続する技術的困難性を回避しつつ比較的小径
の二つの直列なコンタクトホール８３及び８５で両者間
を良好に接続でき、画素開口率を高めること可能とな
る。特にこのような中継層を用いれば、コンタクトホー
ル開孔時におけるエッチングの突き抜け防止にも役立
つ。同様に、ソース電極３０３を用いることにより、デ
ータ線６ａとＴＦＴ３０を構成する単結晶半導体層１ａ
との間の層間距離が長くても、両者間を一つのコンタク
トホールで接続する技術的困難性を回避しつつ比較的小
径の二つの直列なコンタクトホール８１及び８２で両者
間を良好に接続できる。

【０１１９】図１１及び図１２に示すように、ドレイン
電極３０２と容量線３００とが誘電体膜３０１を介して
対向配置されることにより、平面的に見て走査線３ａに
重なる領域及びデータ線６ａに重なる領域に、蓄積容量
７０が構築されている。

【０１２０】即ち、容量線３００は、走査線３ａを覆う
ように延びると共に、データ線６ａの領域下で、ドレイ
ン電極３０２を覆うように突き出す突出部を有し櫛歯状
に形成している。ドレイン電極３０２は、走査線３ａと
データ線６ａの交差部から、一方がデータ線６ａの領域
下にある容量線３００の突出部に沿って延び、他方が走
査線３ａの領域上にある容量線３００に沿って隣接する
データ線６ａ近傍まで延びるＬ字状の島状容量電極を形
成している。そして、誘電体膜３０１を介して容量線３
００にＬ字状のドレイン電極３０２が重なる領域で蓄積
容量７０が形成される。

【０１２１】蓄積容量７０の一方の容量電極を含むドレ
イン電極３０２は、コンタクトホール８５で画素電極９
ａと接続されており且つコンタクトホール８３で高濃度
ドレイン領域１ｅと接続されており、画素電極電位とさ
れる。

【０１２２】蓄積容量７０の他方の容量電極を含む容量
線３００は、画素電極９ａが配置された画像表示領域か
らその周囲に延設され、定電位源と電気的に接続され
て、固定電位とされる。定電位源としては、ＴＦＴ３０
を駆動するための走査信号を走査線３ａに供給するため
の走査線駆動回路や画像信号をデータ線６ａに供給する
サンプリング回路を制御するデータ線駆動回路に供給さ
れる正電源や負電源の定電位源でも良いし、対向基板に
供給される定電位でも構わない。

【０１２３】蓄積容量７０の誘電体膜３０１は、例えば
膜厚５〜２００ｎｍ程度の比較的薄いＨＴＯ膜（高温酸
化膜）、ＬＴＯ膜（低温酸化膜）等の酸化シリコン膜、
あるいは窒化シリコン膜等から構成される。誘電体膜３
０１は、ドレイン電極３０２の表面を酸化することによ
って得た熱酸化膜でもよい。蓄積容量７０を増大させる
観点からは、膜厚の信頼性が十分に得られる限りにおい
て、誘電体膜３０１は薄い程良い。

【０１２４】更に本実施形態では、蓄積容量７０を構成
するドレイン電極３０２及び容量線３００、並びにデー
タ線６ａは、画素スイッチング用のＴＦＴ３０のチャネ
ル領域１ａ層を上側から覆う上側遮光膜としても機能す
る。この際、Ａｌ膜等からなる遮光性のデータ線６ａ
で、各画素の遮光領域のうちデータ線６ａに沿った部分
を遮光してもよいし、容量線３００を遮光性の膜で形成
することによりチャネル領域１ａ’等を遮光することが
できる。従って、プロジェクタにおける強力な投射光な
どの入射光から、このチャネル領域１ａを遮光できる。

【０１２５】図１２に示すように、電気光学装置は、電
気光学装置用基板２００と、これに対向配置される透明
な対向基板２０とを備えている。対向基板２０は、例え
ばガラス基板や石英基板からなる。基板１０には、画素
電極９ａが設けられており、その上側には、ラビング処
理等の所定の配向処理が施された配向膜１６が設けられ
ている。また配向膜１６は例えば、ポリイミド膜などの
有機膜からなる。

【０１２６】他方、対向基板２０には、その全面に渡っ
て対向電極２１が設けられており、その下側には、ラビ
ング処理等の所定の配向処理が施された配向膜２２が設
けられている。対向電極２１は例えば、ＩＴＯ膜などの
透明導電性膜からなる。また配向膜２２は、ポリイミド
膜などの有機膜からなる。

【０１２７】基板１０には、各画素電極９ａに隣接する
位置に、各画素電極９ａをスイッチング制御する画素ス
イッチング用のＴＦＴ３０が設けられている。

【０１２８】対向基板２０には、更に遮光膜を設けるよ
うにしてもよい。このような構成を採ることで、対向基
板２０側から入射光がＴＦＴ３０の単結晶半導体層１ａ
のチャネル領域１ａ’や低濃度ソース領域１ｂ及び低濃
度ドレイン領域１ｃに侵入するのを抑制できる。更に、
対向基板上の遮光膜は、入射光が照射される面を高反射
な膜で形成することにより、電気光学装置の温度上昇を
防ぐ働きをする。

【０１２９】このように構成され、画素電極９ａと対向
電極２１とが対面するように配置された基板１０と対向
基板２０との間には、シール材により囲まれた空間に電
気光学物質の一例である液晶が封入され、液晶層５０が
形成される。液晶層５０は、画素電極９ａからの電界が
印加されていない状態で配向膜１６及び２２により所定
の配向状態をとる。液晶層５０は、例えば一種又は数種
類のネマティック液晶を混合した液晶からなる。

【０１３０】以上図８から図１２を参照して説明した回
路構成において、周辺回路の一例たるデータ線駆動回路
１０１、走査線駆動回路１０４及びサンプリング回路１
１８のうち少なくとも一つは、画素スイッチング用のＴ
ＦＴ３０と同一積層構造を持つＴＦＴを含んで構成され
ている。従って、これらのＴＦＴを別々に形成したり、
層厚の相異なる単結晶シリコン層からこれらのＴＦＴを
形成する場合と比較して、製造工程の削減或いは製造プ
ロセスの簡略化を行なえる。

【０１３１】以上説明した実施形態では、多数の導電層
を積層することにより、データ線６ａや走査線３ａに沿
った領域に段差が生じるが、第１層間絶縁膜４１、第２
層間絶縁膜４２に溝を掘って、データ線６ａ等の配線や
ＴＦＴ３０等を埋め込むことにより平坦化処理を行って
もよいし、第３層間絶縁膜４３や第２層間絶縁膜４２の
上面の段差をＣＭＰ処理等で研磨することにより、或い
は有機ＳＯＧを用いて平らに形成することにより、当該
平坦化処理を行ってもよい。

【０１３２】更に以上説明した実施形態では、画素スイ
ッチング用ＴＦＴ３０は、好ましくは図１２等に示した
ようにＬＤＤ構造を持つが、低濃度ソース領域１ｂ及び
低濃度ドレイン領域１ｃに不純物の打ち込みを行わない
オフセット構造を持ってよいし、走査線３ａの一部から
なるゲート電極をマスクとして高濃度で不純物を打ち込
み、自己整合的に高濃度ソース及びドレイン領域を形成
するセルフアライン型のＴＦＴであってもよい。また本
実施形態では、画素スイッチング用ＴＦＴ３０のゲート
電極を高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１
ｅ間に１個のみ配置したシングルゲート構造としたが、
これらの間に２個以上のゲート電極を配置してもよい。
このようにデュアルゲート或いはトリプルゲート以上で
ＴＦＴを構成すれば、チャネルとソース及びドレイン領
域との接合部のリーク電流を防止でき、オフ時の電流を
低減することができる。そして、周辺回路を構成するＴ
ＦＴについても同様に各種のＴＦＴとして構築可能であ
る。

【０１３３】以上図１から図１２を参照して説明した各
実施形態では、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回
路１０４等の周辺回路のうちの一部を、ＴＦＴアレイ基
板１０の上に設ける代わりに、例えばＴＡＢ（Tape Aut
omated bonding）基板上に実装された駆動用ＬＳＩに、
基板１０の周辺部に設けられた異方性導電フィルムを介
して電気的及び機械的に接続するようにしてもよい。ま
た、対向基板２０の投射光が入射する側及び基板１０の
出射光が出射する側には各々、例えば、ＴＮ（Twisted
Nematic）モード、ＶＡ（Vertically Aligned）モー
ド、ＰＤＬＣ(Polymer Dispersed Liquid Crystal)モー
ド等の動作モードや、ノーマリーホワイトモード／ノー
マリーブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位
相差フィルム、偏光板などが所定の方向で配置される。

【０１３４】以上説明した各実施形態における電気光学
装置は、プロジェクタに適用されるため、３枚の電気光
学装置がＲＧＢ用のライトバルブとして各々用いられ、
各ライトバルブには各々ＲＧＢ色分解用のダイクロイッ
クミラーを介して分解された各色の光が投射光として各
々入射されることになる。従って、各実施形態では、対
向基板２０に、カラーフィルタは設けられていない。し
かしながら、対向基板に遮光膜の形成されていない画素
電極９ａに対向する所定領域にＲＧＢのカラーフィルタ
をその保護膜と共に、対向基板２０上に形成してもよ
い。このようにすれば、プロジェクタ以外の直視型や反
射型のカラー電気光学装置について、各実施形態におけ
る電気光学装置を適用できる。また、対向基板２０上に
１画素1個対応するようにマイクロレンズを形成しても
よい。あるいは、ＴＦＴアレイ基板１０上のＲＧＢに対
向する画素電極９ａ下にカラーレジスト等でカラーフィ
ルタ層を形成することも可能である。このようにすれ
ば、入射光の集光効率を向上することで、明るい電気光
学装置が実現できる。更にまた、対向基板２０上に、何
層もの屈折率の相違する干渉層を堆積することで、光の
干渉を利用して、ＲＧＢ色を作り出すダイクロイックフ
ィルタを形成してもよい。このダイクロイックフィルタ
付き対向基板によれば、より明るいカラー電気光学装置
が実現できる。

【０１３５】（電子機器の実施形態）次に、以上詳細に
説明した電気光学装置をライトバルブとして用いた電子
機器の一例たる投射型カラー表示装置の実施形態につい
て、その全体構成、特に光学的な構成について説明す
る。ここに図１３は、投射型カラー表示装置の図式的断
面図である。

【０１３６】図１３において、本実施形態における投射
型カラー表示装置の一例たる液晶プロジェクタ１１００
は、駆動回路がＴＦＴアレイ基板上に搭載された液晶装
置１００を含む液晶モジュールを３個用意し、夫々ＲＧ
Ｂ用のライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂと
して用いたプロジェクタとして構成されている。液晶プ
ロジェクタ１１００では、メタルハライドランプ等の白
色光源のランプユニット１１０２から投射光が発せられ
ると、３枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロイック
ミラー１１０８によって、ＲＧＢの３原色に対応する光
成分Ｒ、Ｇ、Ｂに分けられ、各色に対応するライトバル
ブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂに夫々導かれる。こ
の際特にＢ光は、長い光路による光損失を防ぐために、
入射レンズ１１２２、リレーレンズ１１２３及び出射レ
ンズ１１２４からなるリレーレンズ系１１２１を介して
導かれる。そして、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及
び１００Ｂにより夫々変調された３原色に対応する光成
分は、ダイクロイックプリズム１１１２により再度合成
された後、投射レンズ１１１４を介してスクリーン１１
２０にカラー画像として投射される。

【０１３７】本発明は、上述した各実施形態に限られる
ものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れ
る発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能
であり、そのような変更を伴なう電気光学装置用基板の
製造方法、電気光学装置用基板、電気光学装置及び電子
機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施形態である電気光学装置用基板の
断面図である。

【図２】実施形態の電気光学装置用基板の製造方法の工
程図（その１）である。

【図３】実施形態の電気光学装置用基板の製造方法の工
程図（その２）である。

【図４】実施形態の電気光学装置用基板の製造方法の工
程図（その３）である。

【図５】比較例におけるＣＭＰによる研磨時に生じるク
ラックを示す概念図である。

【図６】本実施形態におけるＣＭＰによる研磨時に生じ
るクラックの一例を示す概念図である。

【図７】本実施形態におけるＣＭＰによる研磨時に生じ
るクラックの他の例を示す概念図である。

【図８】本発明の実施形態の電気光学装置におけるＴＦ
Ｔアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対
向基板の側から見た平面図である。

【図９】図８のＨ−Ｈ’断面図である。

【図１０】本発明の実施形態の電気光学装置における画
像表示領域を構成するマトリクス状の複数の画素に設け
られた各種素子、配線等の等価回路である。

【図１１】実施形態の電気光学装置におけるデータ線、
走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相
隣接する複数の画素群の平面図である。

【図１２】図１１のＡ−Ａ’断面図である。

【図１３】本発明の電子機器の実施形態である投射型カ
ラー表示装置の一例たるカラー液晶プロジェクタを示す
図式的断面図である。

【符号の説明】

１ａ…半導体層 １ａ’…チャネル領域 １ｂ…低濃度ソース領域 １ｃ…低濃度ドレイン領域 １ｄ…高濃度ソース領域 １ｅ…高濃度ドレイン領域 ２…絶縁膜 ３ａ…走査線 ６ａ…データ線 ９ａ…画素電極 １０…基板 １１ａ…下側遮光膜 １２…下地絶縁膜 １２ａ…第１下地絶縁膜 １２ｂ…第２下地絶縁膜 １３…貼り合わせ用絶縁膜 １６…配向膜 ２０…対向基板 ２１…対向電極 ２２…配向膜 ３０…ＴＦＴ ５０…液晶層 ７０…蓄積容量 ８１、８２、８３、８５…コンタクトホール ２００…電気光学装置用基板 ３００…容量線 ３０１…絶縁膜 ３０２…ドレイン電極 ３０３…ソース電極

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 29/786 Ｈ０１Ｌ 29/78 ６２７Ｄ ６２６Ｃ Ｆターム(参考） 2H042 AA15 AA26 2H090 HA01 HB03X HC03 HD03 HD07 JB02 JB04 JD01 KA03 LA05 2H091 FA34Y FB08 FB13 FC01 FC26 FD06 FD11 GA07 HA05 LA03 MA07 2H092 GA29 HA04 JA24 JB51 JB56 KA03 KA10 KB05 MA31 NA01 NA17 NA19 PA09 QA05 RA05 5F110 AA21 BB02 CC02 DD02 DD03 DD05 DD12 DD13 DD14 DD17 DD25 EE09 EE28 EE45 FF02 FF03 FF09 FF23 FF32 GG02 GG12 GG25 GG52 GG60 HJ01 HJ13 HL08 HL24 HM14 HM15 NN04 NN22 NN23 NN24 NN35 NN40 NN42 NN44 NN45 NN46 NN54 NN73 QQ11 QQ17 QQ19

Claims (15)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ＳＯＩ（Silicon On Insulator）構造を
   有する半導体素子を備えてなる電気光学装置用基板を製
   造する電気光学装置用基板の製造方法であって、 前記基板上に所定パターンを有する遮光膜を形成する工
   程と、該遮光膜上に第１下地絶縁膜を形成する工程と、該
   第１下地絶縁膜上に第２下地絶縁膜を形成する工程と、
   該第２下地絶縁膜の表面を研磨して平坦化する工程と、
   単結晶半導体層上に形成された貼り合わせ用絶縁膜の表
   面を前記平坦化された第２下地絶縁膜の表面に貼り合わ
   せる工程と、 前記単結晶半導体層を用いて前記半導体素子を形成する
   工程とを含むことを特徴とする電気光学装置用基板の製
   造方法。
2. 【請求項２】 前記貼り合わせ用絶縁膜は、前記基板と
   は別に用意された半導体基板上の前記単結晶半導体層上
   に形成されており、 前記貼り合わせる工程後に、前記貼り合わせ用絶縁膜及
   び前記単結晶半導体層を前記基板上に残すように前記半
   導体基板を除去する工程を更に含むことを特徴とする請
   求項１に記載の電気光学装置用基板の製造方法。
3. 【請求項３】 前記平坦化する工程は、ＣＭＰ（Chemica
   l Mechanical Polishing：化学的機械研磨）処理により
   研磨することを特徴とする請求項１又は２に記載の電気
   光学装置用基板の製造方法。
4. 【請求項４】 前記第２下地絶縁膜を形成する工程は、
   前記第２下地絶縁膜を前記遮光膜よりも厚く形成し、 前記平坦化する工程は、前記第１下地絶縁膜が露出する
   以前に研磨を停止することを特徴とする請求項１から３
   のいずれか一項に記載の電気光学装置用基板の製造方
   法。
5. 【請求項５】 前記第１及び第２下地絶縁膜の一方は、
   高絶縁性ガラスからなり、他方は、ＨＴＯ（High Temper
   ature Oxide：高温酸化物）からなることを特徴とする
   請求項１から４のいずれか一項に記載の電気光学装置用
   基板の製造方法。
6. 【請求項６】 前記半導体素子を形成する工程は、 前記単結晶半導体層上にゲート絶縁膜を形成する工程
   と、 該ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程とを含む
   ことを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載
   の電気光学装置用基板の製造方法。
7. 【請求項７】 前記遮光膜を形成する工程は、前記基板
   上で前記単結晶半導体層のうち少なくともチャネル領域
   に対向する領域に前記遮光膜を形成することを特徴とす
   る請求項６に記載の電気光学装置用基板の製造方法。
8. 【請求項８】 前記遮光膜は、導電性を有し、配線又は
   電極としても機能することを特徴とする請求項１から７
   のいずれか一項に記載の電気光学装置用基板の製造方
   法。
9. 【請求項９】 前記遮光膜に代えて、配線又は電極とし
   て機能する導電膜を形成することを特徴とする請求項１
   から７のいずれか一項に記載の電気光学装置用基板の製
   造方法。
10. 【請求項１０】 前記第１下地絶縁膜を形成する工程後
    且つ前記第２下地絶縁膜を形成する工程前に、前記第１
    下地絶縁膜上に一又は複数の他の下地絶縁膜を形成する
    工程を更に含むことを特徴とする請求項１から９のいず
    れか一項に記載の電気光学装置用基板の製造方法。
11. 【請求項１１】 前記遮光膜は、高融点金属を含むこと
    を特徴とする請求項１から１０のいずれか一項に記載の
    電気光学装置用基板の製造方法。
12. 【請求項１２】 基板上に所定パターンを有する第１膜
    を形成する工程と、該第１膜上に第１下地絶縁膜を形成
    する工程と、該第１下地絶縁膜上に第２下地絶縁膜を形
    成する工程と、該第２下地絶縁膜の表面を研磨して平坦
    化する工程と、前記平坦化された表面の上側に、配線及
    び素子のうち少なくとも一方を形成する工程とを含むこ
    とを特徴とする電気光学装置用基板の製造方法。
13. 【請求項１３】 基板上に、 所定パターンを有する遮光膜と、該遮光膜上に形成され
    た第１下地絶縁膜と、該第１下地絶縁膜上に形成されて
    いると共に表面が研磨により平坦化された第２下地絶縁
    膜と、該第２下地絶縁膜における平坦化された表面上に
    貼り合わされた貼り合わせ用絶縁膜と、 該貼り合わせ用絶縁膜上に形成された単結晶半導体層を
    用いて構成された半導体素子とを備えたことを特徴とす
    る電気光学装置用基板。
14. 【請求項１４】 請求項１３に記載の電気光学装置用基
    板と、 該電気光学装置用基板に対向配置された対向基板と、該
    対向基板と前記電気光学装置用基板との間に挟持された
    電気光学物質とを備えたことを特徴とする電気光学装
    置。
15. 【請求項１５】 請求項１４に記載の電気光学装置を具
    備してなることを特徴とする電子機器。