JP2003057573A - 光変調装置及びその光変調装置の製造方法並びにその光変調装置を具備する画像形成装置及びその光変調装置を具備する画像投影表示装置 - Google Patents
光変調装置及びその光変調装置の製造方法並びにその光変調装置を具備する画像形成装置及びその光変調装置を具備する画像投影表示装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光変調を行う構造が簡単で応答も速く、使用
する入射光の波長が制限されることなく、作動が安定で
信頼性も高く、微細化され梁の固定保持領域が小さくて
も十分な固定保持性を確保し、隣接素子への相互作用を
抑制し、光の反射面が増加して明るい光変調装置及びそ
の光変調装置の製造方法並びにその光変調装置を具備す
る画像形成装置及びその光変調装置を具備する画像投影
表示装置を提供する。 【解決手段】 反射手段１を側面に組み合わせ構成する
薄膜で形成され両端部が固定されて静電力で変形する薄
膜両端部固定梁２の他方側面に形成される空隙（Ｇ）を
介して対向して駆動電圧を印加する基板電極３を形成し
て、薄膜両端部固定梁を保持する基板４の基板表面４ａ
に薄膜両端部固定梁の両端部を固定して保持する固定保
持部４ｂ上に、反射手段１の反射部１ａを延長した延長
反射部１ｂとからなる。
する入射光の波長が制限されることなく、作動が安定で
信頼性も高く、微細化され梁の固定保持領域が小さくて
も十分な固定保持性を確保し、隣接素子への相互作用を
抑制し、光の反射面が増加して明るい光変調装置及びそ
の光変調装置の製造方法並びにその光変調装置を具備す
る画像形成装置及びその光変調装置を具備する画像投影
表示装置を提供する。 【解決手段】 反射手段１を側面に組み合わせ構成する
薄膜で形成され両端部が固定されて静電力で変形する薄
膜両端部固定梁２の他方側面に形成される空隙（Ｇ）を
介して対向して駆動電圧を印加する基板電極３を形成し
て、薄膜両端部固定梁を保持する基板４の基板表面４ａ
に薄膜両端部固定梁の両端部を固定して保持する固定保
持部４ｂ上に、反射手段１の反射部１ａを延長した延長
反射部１ｂとからなる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光変調装置、及
び、その光変調装置の製造方法、並びに、その光変調装
置を具備する画像形成装置、及び、その光変調装置を具
備する画像投影表示装置に関し、詳しくは、入射光の反
射方向を変えて光変調を行う光変調装置、及び、その光
変調装置の製造方法、並びに、その光変調装置を具備す
る電子写真プロセスで光書き込みを行なって画像を形成
する画像形成装置、及び、その光変調装置を具備する画
像を投影して表示する画像投影表示装置に関する。
び、その光変調装置の製造方法、並びに、その光変調装
置を具備する画像形成装置、及び、その光変調装置を具
備する画像投影表示装置に関し、詳しくは、入射光の反
射方向を変えて光変調を行う光変調装置、及び、その光
変調装置の製造方法、並びに、その光変調装置を具備す
る電子写真プロセスで光書き込みを行なって画像を形成
する画像形成装置、及び、その光変調装置を具備する画
像を投影して表示する画像投影表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】静電力を利用した光スイッチデバイスの
入射光の反射方向を変えて光変調を行う光変調装置は、
電子写真プロセスで光書き込みを行なって画像を形成す
る画像形成装置、画像を投影して表示する画像投影表示
装置等に使用されている（特開平６−１３８４０３号等
の公報を参照）。静電力を利用した光スイッチデバイス
の入射光の反射方向を変えて光変調を行う光変調装置で
は、片持ち梁を静電力で撓ませて、入射光の反射方向を
変えてスイッチするデバイス、及び、それを用いた光変
調システムは、既に公知である（特開平７−２１８８４
５号等の公報を参照）。片持ち梁は、静電力が解放され
て梁の撓みが回復するときに振動する。これは、梁の一
端のみが固定されていることによる、梁の自由振動が発
生するためである。又、梁を薄膜で形成する場合には、
残留応力が発生する。片持ち梁の場合、残留応力により
梁が変形する。しかも、残留応力は時間を経て緩和され
るために、片持ち梁の変形状態が経時変化する。以上の
理由で片持ち梁は安定性が悪い。又、片持ち梁の場合
は、自由振動に起因して、信号応答性が悪くなる。従っ
て、片持ち梁の安定性の確保が難しく、片持ち梁の固有
振動数が低い為に、応答速度を速くすることが出来なか
った。回折格子を静電力で駆動して、光スイッチするデ
バイスも公知である（特許第２９４１９５２号、特許第
３０１６８７１号、特表平１０−５１０３７４号等の公
報を参照）。然し、このような、回折格子を静電力で駆
動して、光スイッチするデバイスは、使用する入射光の
波長が制限されると言う欠点があった。静電力により梁
を湾曲させ、反射光の焦点を合わせて、スリットを通過
させることで光スイッチするデバイスも公知である（特
開２０００−２８４２号の公報を参照）。然し、このよ
うな、静電力により梁を湾曲させ、反射光の焦点を合わ
せて、スリットを通過させることで光スイッチするデバ
イスは、梁の湾曲の度合いが不安定になり易く、信頼性
も低下する。静電力を利用した光スイッチデバイスの入
射光の反射方向を変えて光変調を行う光変調装置におけ
る梁固定部が平面上に形成されている為に、梁を確実に
固定保持するために、梁固定部の平面積を大きく必要と
していた。梁の振動が梁固定部に伝播し、基板を介して
隣接素子へ振動が伝播し、相互作用を起こし易いため
に、隣接素子間の間隔を大きく必要としていたため、集
積化が困難で光の反射面積も狭くなっていた（特開平７
−２１８８４５号、特許第３０１６８７１号等の公報を
参照）。
入射光の反射方向を変えて光変調を行う光変調装置は、
電子写真プロセスで光書き込みを行なって画像を形成す
る画像形成装置、画像を投影して表示する画像投影表示
装置等に使用されている（特開平６−１３８４０３号等
の公報を参照）。静電力を利用した光スイッチデバイス
の入射光の反射方向を変えて光変調を行う光変調装置で
は、片持ち梁を静電力で撓ませて、入射光の反射方向を
変えてスイッチするデバイス、及び、それを用いた光変
調システムは、既に公知である（特開平７−２１８８４
５号等の公報を参照）。片持ち梁は、静電力が解放され
て梁の撓みが回復するときに振動する。これは、梁の一
端のみが固定されていることによる、梁の自由振動が発
生するためである。又、梁を薄膜で形成する場合には、
残留応力が発生する。片持ち梁の場合、残留応力により
梁が変形する。しかも、残留応力は時間を経て緩和され
るために、片持ち梁の変形状態が経時変化する。以上の
理由で片持ち梁は安定性が悪い。又、片持ち梁の場合
は、自由振動に起因して、信号応答性が悪くなる。従っ
て、片持ち梁の安定性の確保が難しく、片持ち梁の固有
振動数が低い為に、応答速度を速くすることが出来なか
った。回折格子を静電力で駆動して、光スイッチするデ
バイスも公知である（特許第２９４１９５２号、特許第
３０１６８７１号、特表平１０−５１０３７４号等の公
報を参照）。然し、このような、回折格子を静電力で駆
動して、光スイッチするデバイスは、使用する入射光の
波長が制限されると言う欠点があった。静電力により梁
を湾曲させ、反射光の焦点を合わせて、スリットを通過
させることで光スイッチするデバイスも公知である（特
開２０００−２８４２号の公報を参照）。然し、このよ
うな、静電力により梁を湾曲させ、反射光の焦点を合わ
せて、スリットを通過させることで光スイッチするデバ
イスは、梁の湾曲の度合いが不安定になり易く、信頼性
も低下する。静電力を利用した光スイッチデバイスの入
射光の反射方向を変えて光変調を行う光変調装置におけ
る梁固定部が平面上に形成されている為に、梁を確実に
固定保持するために、梁固定部の平面積を大きく必要と
していた。梁の振動が梁固定部に伝播し、基板を介して
隣接素子へ振動が伝播し、相互作用を起こし易いため
に、隣接素子間の間隔を大きく必要としていたため、集
積化が困難で光の反射面積も狭くなっていた（特開平７
−２１８８４５号、特許第３０１６８７１号等の公報を
参照）。
【０００３】図４５において、静電力を利用した光スイ
ッチデバイスの入射光の反射方向を変えて光変調を行う
光変調装置１００における反射面１０１からなる梁１０
２は、基板電極１０３と対向して基板１０４の基板表面
１０４ａ上に形成されて梁１０２の被保持部１０２ａを
確実に固定保持されるために、図示のｘ印の固定保持部
１０４ｂの平面積を大きく必要として光の反射面積も狭
くなっていた。図４６において、更に、静電力を利用し
た光スイッチデバイスの入射光の反射方向を変えて光変
調を行う光変調装置１００における反射面１０１からな
る梁１０２は、基板電極１０３と対向して基板１０４の
基板表面１０４ａ上に形成されて梁１０２の被保持部１
０２ａを固定保持部１０４ｂで保持されいる。然し、駆
動電圧の印加による、図示の白抜き矢印方向の梁１０２
の変形により、図示の黒抜き矢印方向に固定保持部１０
４ｂを経由して、基板１０４に振動が抑制されることな
く伝播するので、隣接素子間の間隔を大きく必要として
いたため、集積化が困難で光の反射面積も狭くなってい
た。因みに、静電力を利用した光スイッチデバイスの入
射光の反射方向を変えて光変調を行う光変調装置を一次
元又は二次元に配置し、電子写真プロセスにおける光書
き込みデバイス等の画像形成装置や、プロジェクターな
どの画像投影表示装置に用いる場合、高解像性が要求さ
れ、それに伴う、１画素又は１素子の寸法の微細化が困
難であった。他方で、画像形成装置の場合には、信号対
ノイズのＳ／Ｎ比の向上、画像投影表示装置の場合には
コントラストの上昇のために、１画素又は１素子に占め
るミラー領域の拡大が求められる。上記相反する要求を
満たすためには、１画素又は１素子当りに占める梁の固
定領域の割合を極力小さくすることが必要となり、それ
に伴う、梁の固定保持領域を極力小さくすること、梁の
十分な固定保持性を確保すること、隣接素子への相互作
用を抑制すること、光の反射面積を増加すること等が困
難であった。従って、従来の入射光の反射方向を変えて
光変調を行う光変調装置、及び、その光変調装置を具備
する画像形成装置、及び、その光変調装置を具備する画
像投影表示装置は、入射光の反射方向を変えて光変調を
行う構造が複雑で応答も遅く、使用する入射光の波長が
制限され、作動が不安定で信頼性も低下しているだけで
なく、高解像性の要求に伴う１画素又は１素子の寸法の
微細化や梁の固定保持領域を極力小さくすること、梁の
十分な固定保持性を確保すること、隣接素子への相互作
用を抑制すること、光の反射面積を増加すること等が困
難であると言う不具合が生じていた。
ッチデバイスの入射光の反射方向を変えて光変調を行う
光変調装置１００における反射面１０１からなる梁１０
２は、基板電極１０３と対向して基板１０４の基板表面
１０４ａ上に形成されて梁１０２の被保持部１０２ａを
確実に固定保持されるために、図示のｘ印の固定保持部
１０４ｂの平面積を大きく必要として光の反射面積も狭
くなっていた。図４６において、更に、静電力を利用し
た光スイッチデバイスの入射光の反射方向を変えて光変
調を行う光変調装置１００における反射面１０１からな
る梁１０２は、基板電極１０３と対向して基板１０４の
基板表面１０４ａ上に形成されて梁１０２の被保持部１
０２ａを固定保持部１０４ｂで保持されいる。然し、駆
動電圧の印加による、図示の白抜き矢印方向の梁１０２
の変形により、図示の黒抜き矢印方向に固定保持部１０
４ｂを経由して、基板１０４に振動が抑制されることな
く伝播するので、隣接素子間の間隔を大きく必要として
いたため、集積化が困難で光の反射面積も狭くなってい
た。因みに、静電力を利用した光スイッチデバイスの入
射光の反射方向を変えて光変調を行う光変調装置を一次
元又は二次元に配置し、電子写真プロセスにおける光書
き込みデバイス等の画像形成装置や、プロジェクターな
どの画像投影表示装置に用いる場合、高解像性が要求さ
れ、それに伴う、１画素又は１素子の寸法の微細化が困
難であった。他方で、画像形成装置の場合には、信号対
ノイズのＳ／Ｎ比の向上、画像投影表示装置の場合には
コントラストの上昇のために、１画素又は１素子に占め
るミラー領域の拡大が求められる。上記相反する要求を
満たすためには、１画素又は１素子当りに占める梁の固
定領域の割合を極力小さくすることが必要となり、それ
に伴う、梁の固定保持領域を極力小さくすること、梁の
十分な固定保持性を確保すること、隣接素子への相互作
用を抑制すること、光の反射面積を増加すること等が困
難であった。従って、従来の入射光の反射方向を変えて
光変調を行う光変調装置、及び、その光変調装置を具備
する画像形成装置、及び、その光変調装置を具備する画
像投影表示装置は、入射光の反射方向を変えて光変調を
行う構造が複雑で応答も遅く、使用する入射光の波長が
制限され、作動が不安定で信頼性も低下しているだけで
なく、高解像性の要求に伴う１画素又は１素子の寸法の
微細化や梁の固定保持領域を極力小さくすること、梁の
十分な固定保持性を確保すること、隣接素子への相互作
用を抑制すること、光の反射面積を増加すること等が困
難であると言う不具合が生じていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】そこで本発明の課題
は、このような問題点を解決するものである。即ち、入
射光の反射方向を変えて光変調を行う構造が簡単で応答
も速く、使用する入射光の波長が制限されることなく、
作動が安定で信頼性も高く、微細化され梁の固定保持領
域が小さくても十分な固定保持性を確保し、隣接素子へ
の相互作用を抑制し、光の反射面が増加して明るい光変
調装置及び製造工程が少なく低コストのその光変調装置
の製造方法並びに信号対ノイズのＳ／Ｎ比が向上して高
解像性のその光変調装置を具備する画像形成装置及びコ
ントラストが上昇して高解像性のその光変調装置を具備
する画像投影表示装置を提供することを目的とする。
は、このような問題点を解決するものである。即ち、入
射光の反射方向を変えて光変調を行う構造が簡単で応答
も速く、使用する入射光の波長が制限されることなく、
作動が安定で信頼性も高く、微細化され梁の固定保持領
域が小さくても十分な固定保持性を確保し、隣接素子へ
の相互作用を抑制し、光の反射面が増加して明るい光変
調装置及び製造工程が少なく低コストのその光変調装置
の製造方法並びに信号対ノイズのＳ／Ｎ比が向上して高
解像性のその光変調装置を具備する画像形成装置及びコ
ントラストが上昇して高解像性のその光変調装置を具備
する画像投影表示装置を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１の本発明は、入射光の反射方向を変えて光
変調を行う光変調装置において、入射光を正反射する反
射手段と、上記反射手段を側面に組み合わせ構成する薄
膜で形成され両端部が固定されて静電力で変形する薄膜
両端部固定梁と、上記薄膜両端部固定梁の他方側面に形
成される空隙を介して上記薄膜両端部固定梁に対向して
駆動電圧を印加する基板電極と、上記基板電極を形成し
て上記薄膜両端部固定梁を保持する基板と、上記基板の
基板表面に上記薄膜両端部固定梁の両端部を固定して保
持する固定保持部と、上記固定保持部上に上記反射手段
の反射部を延長した延長反射部とからなる光変調装置で
あることを最も主要な特徴とする。請求項２の本発明
は、請求項１に記載の光変調装置において、反射手段
は、金属薄膜で形成されている光変調装置であることを
主要な特徴とする。請求項３の本発明は、請求項１又は
２に記載の光変調装置において、薄膜両端部固定梁は、
引っ張り応力を有する部材からなる光変調装置であるこ
とを主要な特徴とする。請求項４の本発明は、請求項
１、２又は３に記載の光変調装置において、薄膜両端部
固定梁は、引っ張り応力を有する部材の窒化シリコン薄
膜からなる光変調装置であることを主要な特徴とする。
請求項５の本発明は、請求項１、２、３又は４に記載の
光変調装置において、薄膜両端部固定梁は、低抵抗材で
形成されている光変調装置であることを主要な特徴とす
る。請求項６の本発明は、請求項５に記載の光変調装置
において、基板電極の低抵抗材は、シリコンを不純物に
より低抵抗化して形成されている光変調装置であること
を主要な特徴とする。請求項７の本発明は、請求項１、
２、３、５又は６に記載の光変調装置において、薄膜両
端部固定梁は、単結晶シリコン薄膜で形成されている光
変調装置であることを主要な特徴とする。
に、請求項１の本発明は、入射光の反射方向を変えて光
変調を行う光変調装置において、入射光を正反射する反
射手段と、上記反射手段を側面に組み合わせ構成する薄
膜で形成され両端部が固定されて静電力で変形する薄膜
両端部固定梁と、上記薄膜両端部固定梁の他方側面に形
成される空隙を介して上記薄膜両端部固定梁に対向して
駆動電圧を印加する基板電極と、上記基板電極を形成し
て上記薄膜両端部固定梁を保持する基板と、上記基板の
基板表面に上記薄膜両端部固定梁の両端部を固定して保
持する固定保持部と、上記固定保持部上に上記反射手段
の反射部を延長した延長反射部とからなる光変調装置で
あることを最も主要な特徴とする。請求項２の本発明
は、請求項１に記載の光変調装置において、反射手段
は、金属薄膜で形成されている光変調装置であることを
主要な特徴とする。請求項３の本発明は、請求項１又は
２に記載の光変調装置において、薄膜両端部固定梁は、
引っ張り応力を有する部材からなる光変調装置であるこ
とを主要な特徴とする。請求項４の本発明は、請求項
１、２又は３に記載の光変調装置において、薄膜両端部
固定梁は、引っ張り応力を有する部材の窒化シリコン薄
膜からなる光変調装置であることを主要な特徴とする。
請求項５の本発明は、請求項１、２、３又は４に記載の
光変調装置において、薄膜両端部固定梁は、低抵抗材で
形成されている光変調装置であることを主要な特徴とす
る。請求項６の本発明は、請求項５に記載の光変調装置
において、基板電極の低抵抗材は、シリコンを不純物に
より低抵抗化して形成されている光変調装置であること
を主要な特徴とする。請求項７の本発明は、請求項１、
２、３、５又は６に記載の光変調装置において、薄膜両
端部固定梁は、単結晶シリコン薄膜で形成されている光
変調装置であることを主要な特徴とする。
【０００６】請求項８の本発明は、請求項１、２、３、
５又は６に記載の光変調装置において、薄膜両端部固定
梁は、多結晶シリコン薄膜で形成されている光変調装置
であることを主要な特徴とする。請求項９の本発明は、
請求項１、２、３又は４に記載の光変調装置において、
薄膜両端部固定梁は、窒化シリコン薄膜で形成されてい
る光変調装置であることを主要な特徴とする。請求項１
０の本発明は、請求項１、２、３、４、５、６、７、８
又は９に記載の光変調装置において、薄膜両端部固定梁
は、基板の基板表面上に上記基板表面と平行に配置され
ている光変調装置であることを主要な特徴とする。請求
項１１の本発明は、請求項１乃至１０の何れか一項に記
載の光変調装置において、基板は、固定保持部に凹形状
が形成された凹形状部とからなる光変調装置であること
を主要な特徴とする。請求項１２の本発明は、請求項１
乃至１１の何れか一項に記載の光変調装置において、薄
膜両端部固定梁は、基板に形成された凹形状部上の凹形
状に沿って形成された凹形状形成部とからなる光変調装
置であることを主要な特徴とする。請求項１３の本発明
は、請求項１乃至１２の何れか一項に記載の光変調装置
において、薄膜両端部固定梁は、空隙を介して非平行の
基板電極の対向面と対向する光変調装置であることを主
要な特徴とする。請求項１４の本発明は、請求項１乃至
１３の何れか一項に記載の光変調装置において、薄膜両
端部固定梁は、駆動電圧の印加により変形して基板電極
の対向面に当接して変形が規制されて反射手段の入射光
の光変調を行う光変調装置であることを主要な特徴とす
る。
５又は６に記載の光変調装置において、薄膜両端部固定
梁は、多結晶シリコン薄膜で形成されている光変調装置
であることを主要な特徴とする。請求項９の本発明は、
請求項１、２、３又は４に記載の光変調装置において、
薄膜両端部固定梁は、窒化シリコン薄膜で形成されてい
る光変調装置であることを主要な特徴とする。請求項１
０の本発明は、請求項１、２、３、４、５、６、７、８
又は９に記載の光変調装置において、薄膜両端部固定梁
は、基板の基板表面上に上記基板表面と平行に配置され
ている光変調装置であることを主要な特徴とする。請求
項１１の本発明は、請求項１乃至１０の何れか一項に記
載の光変調装置において、基板は、固定保持部に凹形状
が形成された凹形状部とからなる光変調装置であること
を主要な特徴とする。請求項１２の本発明は、請求項１
乃至１１の何れか一項に記載の光変調装置において、薄
膜両端部固定梁は、基板に形成された凹形状部上の凹形
状に沿って形成された凹形状形成部とからなる光変調装
置であることを主要な特徴とする。請求項１３の本発明
は、請求項１乃至１２の何れか一項に記載の光変調装置
において、薄膜両端部固定梁は、空隙を介して非平行の
基板電極の対向面と対向する光変調装置であることを主
要な特徴とする。請求項１４の本発明は、請求項１乃至
１３の何れか一項に記載の光変調装置において、薄膜両
端部固定梁は、駆動電圧の印加により変形して基板電極
の対向面に当接して変形が規制されて反射手段の入射光
の光変調を行う光変調装置であることを主要な特徴とす
る。
【０００７】請求項１５の本発明は、請求項１乃至１４
の何れか一項に記載の光変調装置において、薄膜両端部
固定梁の被保持部は、薄膜両端部固定梁の内側に配置し
た光変調装置であることを主要な特徴とする。請求項１
６の本発明は、請求項１乃至１５の何れか一項に記載の
光変調装置において、薄膜両端部固定梁の被保持部は、
相対する両端部の２辺側を基板の固定保持部に固定して
保持した光変調装置であることを主要な特徴とする。請
求項１７の本発明は、請求項１乃至１６の何れか一項に
記載の光変調装置において、薄膜両端部固定梁の被保持
部は、相対する２辺の両端部の４箇所を基板の４箇所固
定保持部に固定して保持される光変調装置であることを
主要な特徴とする。請求項１８の本発明は、請求項１乃
至１７の何れか一項に記載の光変調装置において、薄膜
両端部固定梁の被保持部側は、薄膜両端部固定梁の長さ
に対して狭い幅の形状にした光変調装置であることを主
要な特徴とする。請求項１９の本発明は、請求項１乃至
１８の何れか一項に記載の光変調装置において、反射手
段の延長反射部側は、反射手段の長さに対して狭い幅の
形状にした光変調装置であることを主要な特徴とする。
請求項２０の本発明は、請求項１乃至１９の何れか一項
に記載の光変調装置において、薄膜両端部固定梁は、複
数個を連接して配置した光変調装置であることを主要な
特徴とする。請求項２１の本発明は、請求項１乃至２０
の何れか一項に記載の光変調装置において、反射手段の
延長反射部は、複数個を隣接して配置した光変調装置で
あることを主要な特徴とする。請求項２２の本発明は、
請求項１乃至２１の何れか一項に記載の光変調装置にお
いて、反射手段は、複数個を連接して配置した光変調装
置であることを主要な特徴とする。
の何れか一項に記載の光変調装置において、薄膜両端部
固定梁の被保持部は、薄膜両端部固定梁の内側に配置し
た光変調装置であることを主要な特徴とする。請求項１
６の本発明は、請求項１乃至１５の何れか一項に記載の
光変調装置において、薄膜両端部固定梁の被保持部は、
相対する両端部の２辺側を基板の固定保持部に固定して
保持した光変調装置であることを主要な特徴とする。請
求項１７の本発明は、請求項１乃至１６の何れか一項に
記載の光変調装置において、薄膜両端部固定梁の被保持
部は、相対する２辺の両端部の４箇所を基板の４箇所固
定保持部に固定して保持される光変調装置であることを
主要な特徴とする。請求項１８の本発明は、請求項１乃
至１７の何れか一項に記載の光変調装置において、薄膜
両端部固定梁の被保持部側は、薄膜両端部固定梁の長さ
に対して狭い幅の形状にした光変調装置であることを主
要な特徴とする。請求項１９の本発明は、請求項１乃至
１８の何れか一項に記載の光変調装置において、反射手
段の延長反射部側は、反射手段の長さに対して狭い幅の
形状にした光変調装置であることを主要な特徴とする。
請求項２０の本発明は、請求項１乃至１９の何れか一項
に記載の光変調装置において、薄膜両端部固定梁は、複
数個を連接して配置した光変調装置であることを主要な
特徴とする。請求項２１の本発明は、請求項１乃至２０
の何れか一項に記載の光変調装置において、反射手段の
延長反射部は、複数個を隣接して配置した光変調装置で
あることを主要な特徴とする。請求項２２の本発明は、
請求項１乃至２１の何れか一項に記載の光変調装置にお
いて、反射手段は、複数個を連接して配置した光変調装
置であることを主要な特徴とする。
【０００８】請求項２３の本発明は、請求項１乃至２２
の何れか一項に記載の光変調装置において、反射手段の
延長反射部は、基板の基板表面より上方向に変位する光
変調装置であることを主要な特徴とする。請求項２４の
本発明は、請求項１乃至２３の何れか一項に記載の光変
調装置において、反射手段の延長反射部の薄膜両端部固
定梁は、反射部の上記薄膜両端部固定梁の厚さに対して
より厚くした光変調装置であることを主要な特徴とす
る。請求項２５の本発明は、請求項１乃至２４の何れか
一項に記載の光変調装置において、薄膜両端部固定梁と
非平行の基板電極の対向面と対向して形成される空隙の
頂部の一端側に空隙部を形成した光変調装置であること
を主要な特徴とする。請求項２６の本発明は、請求項１
乃至２５の何れか一項に記載の光変調装置において、基
板は、振動の伝播を抑制する振動伝播抑制部とからなる
光変調装置であることを主要な特徴とする。請求項２７
の本発明は、請求項２６に記載の光変調装置において、
振動伝播抑制部は、凹形状部の内側に形成した光変調装
置であることを主要な特徴とする。請求項２８の本発明
は、入射光の反射方向を変えて光変調を行う請求項１乃
至２７の何れか一項に記載の光変調装置の製造方法にお
いて、基板の基板表面上に薄膜両端部固定梁と基板電極
の対向面が対向して形成される空隙と凹形状部の該当部
を形成した後に、犠牲材料からなる犠牲材料層を形成し
て上記基板の上記基板表面上を平坦化して、上記薄膜両
端部固定梁を形成して上記反射手段の反射部と延長反射
部を形成した後に、上記犠牲材料層を除去する光変調装
置の製造方法であることを最も主要な特徴とする。請求
項２９の本発明は、請求項２８に記載の光変調装置の製
造方法において、上記基板上に酸化膜を形成する基板上
酸化膜形成工程と、上記基板の上記基板表面上に薄膜両
端部固定梁と基板電極の対向面が対向して形成される空
隙と凹形状部の該当部を形成する空隙と凹形状部の該当
部形成工程と、上記基板の上記基板表面上の空隙中に基
板電極を形成する基板電極形成工程と、上記基板の上記
基板表面上の空隙と上記凹形状部に犠牲材料からなる犠
牲材料層を形成する犠牲材料層形成工程と、上記基板の
上記基板表面上の上記凹形状部の上記犠牲材料層を除去
する凹形状部犠牲材料層除去工程と、上記犠牲材料層上
に上記薄膜両端部固定梁を形成する薄膜両端部固定梁形
成工程と、平坦化する平坦化工程と、上記犠牲材料層エ
ッチング穴を開口する犠牲材料層エッチング穴開口工程
と、反射手段の反射部と延長反射部を形成する反射手段
形成工程と、上記凹形状部の上記犠牲材料層を除去する
凹形状部犠牲材料層除去工程、空隙の上記犠牲材料層を
除去する空隙犠牲材料層除去工程とからなる光変調装置
の製造方法であることを主要な特徴とする。
の何れか一項に記載の光変調装置において、反射手段の
延長反射部は、基板の基板表面より上方向に変位する光
変調装置であることを主要な特徴とする。請求項２４の
本発明は、請求項１乃至２３の何れか一項に記載の光変
調装置において、反射手段の延長反射部の薄膜両端部固
定梁は、反射部の上記薄膜両端部固定梁の厚さに対して
より厚くした光変調装置であることを主要な特徴とす
る。請求項２５の本発明は、請求項１乃至２４の何れか
一項に記載の光変調装置において、薄膜両端部固定梁と
非平行の基板電極の対向面と対向して形成される空隙の
頂部の一端側に空隙部を形成した光変調装置であること
を主要な特徴とする。請求項２６の本発明は、請求項１
乃至２５の何れか一項に記載の光変調装置において、基
板は、振動の伝播を抑制する振動伝播抑制部とからなる
光変調装置であることを主要な特徴とする。請求項２７
の本発明は、請求項２６に記載の光変調装置において、
振動伝播抑制部は、凹形状部の内側に形成した光変調装
置であることを主要な特徴とする。請求項２８の本発明
は、入射光の反射方向を変えて光変調を行う請求項１乃
至２７の何れか一項に記載の光変調装置の製造方法にお
いて、基板の基板表面上に薄膜両端部固定梁と基板電極
の対向面が対向して形成される空隙と凹形状部の該当部
を形成した後に、犠牲材料からなる犠牲材料層を形成し
て上記基板の上記基板表面上を平坦化して、上記薄膜両
端部固定梁を形成して上記反射手段の反射部と延長反射
部を形成した後に、上記犠牲材料層を除去する光変調装
置の製造方法であることを最も主要な特徴とする。請求
項２９の本発明は、請求項２８に記載の光変調装置の製
造方法において、上記基板上に酸化膜を形成する基板上
酸化膜形成工程と、上記基板の上記基板表面上に薄膜両
端部固定梁と基板電極の対向面が対向して形成される空
隙と凹形状部の該当部を形成する空隙と凹形状部の該当
部形成工程と、上記基板の上記基板表面上の空隙中に基
板電極を形成する基板電極形成工程と、上記基板の上記
基板表面上の空隙と上記凹形状部に犠牲材料からなる犠
牲材料層を形成する犠牲材料層形成工程と、上記基板の
上記基板表面上の上記凹形状部の上記犠牲材料層を除去
する凹形状部犠牲材料層除去工程と、上記犠牲材料層上
に上記薄膜両端部固定梁を形成する薄膜両端部固定梁形
成工程と、平坦化する平坦化工程と、上記犠牲材料層エ
ッチング穴を開口する犠牲材料層エッチング穴開口工程
と、反射手段の反射部と延長反射部を形成する反射手段
形成工程と、上記凹形状部の上記犠牲材料層を除去する
凹形状部犠牲材料層除去工程、空隙の上記犠牲材料層を
除去する空隙犠牲材料層除去工程とからなる光変調装置
の製造方法であることを主要な特徴とする。
【０００９】請求項３０の本発明は、請求項２８に記載
の光変調装置の製造方法において、上記基板上に酸化膜
を形成する基板上酸化膜形成工程と、上記基板の上記基
板表面上に薄膜両端部固定梁と基板電極の対向面が対向
して形成される空隙と凹形状部の該当部を形成する空隙
と凹形状部の該当部形成工程と、上記基板の上記基板表
面上の空隙中に基板電極を形成する基板電極形成工程
と、上記基板の上記基板表面上の空隙と上記凹形状部に
犠牲材料からなる犠牲材料層を形成して平坦化する犠牲
材料層形成平坦化工程と、上記犠牲材料層上に上記薄膜
両端部固定梁を形成する薄膜両端部固定梁形成工程と、
反射手段の反射部と延長反射部を形成する反射手段形成
工程と、上記犠牲材料層を除去する犠牲材料層除去工程
とからなる光変調装置の製造方法であることを主要な特
徴とする。請求項３１の本発明は、請求項２８に記載の
光変調装置の製造方法において、上記基板上に酸化膜を
形成する基板上酸化膜形成工程と、上記基板の上記基板
表面上に薄膜両端部固定梁と基板電極の対向面が対向し
て形成される空隙と凹形状部の該当部を形成する空隙と
凹形状部の該当部形成工程と、上記基板の上記基板表面
上の空隙中に基板電極を形成する基板電極形成工程と、
上記基板の上記基板表面上の空隙と上記凹形状部に犠牲
材料からなる犠牲材料層を形成して平坦化する犠牲材料
層形成平坦化工程と、上記犠牲材料層上に上記薄膜両端
部固定梁を形成する薄膜両端部固定梁形成工程と、反射
手段の延長反射部の薄膜両端部固定梁は反射部の上記薄
膜両端部固定梁の厚さに対してより厚くする延長反射部
を厚くする工程と、反射手段の反射部と延長反射部を形
成する反射手段形成工程と、上記犠牲材料層を除去する
犠牲材料層除去工程とからなる光変調装置の製造方法で
あることを主要な特徴とする。
の光変調装置の製造方法において、上記基板上に酸化膜
を形成する基板上酸化膜形成工程と、上記基板の上記基
板表面上に薄膜両端部固定梁と基板電極の対向面が対向
して形成される空隙と凹形状部の該当部を形成する空隙
と凹形状部の該当部形成工程と、上記基板の上記基板表
面上の空隙中に基板電極を形成する基板電極形成工程
と、上記基板の上記基板表面上の空隙と上記凹形状部に
犠牲材料からなる犠牲材料層を形成して平坦化する犠牲
材料層形成平坦化工程と、上記犠牲材料層上に上記薄膜
両端部固定梁を形成する薄膜両端部固定梁形成工程と、
反射手段の反射部と延長反射部を形成する反射手段形成
工程と、上記犠牲材料層を除去する犠牲材料層除去工程
とからなる光変調装置の製造方法であることを主要な特
徴とする。請求項３１の本発明は、請求項２８に記載の
光変調装置の製造方法において、上記基板上に酸化膜を
形成する基板上酸化膜形成工程と、上記基板の上記基板
表面上に薄膜両端部固定梁と基板電極の対向面が対向し
て形成される空隙と凹形状部の該当部を形成する空隙と
凹形状部の該当部形成工程と、上記基板の上記基板表面
上の空隙中に基板電極を形成する基板電極形成工程と、
上記基板の上記基板表面上の空隙と上記凹形状部に犠牲
材料からなる犠牲材料層を形成して平坦化する犠牲材料
層形成平坦化工程と、上記犠牲材料層上に上記薄膜両端
部固定梁を形成する薄膜両端部固定梁形成工程と、反射
手段の延長反射部の薄膜両端部固定梁は反射部の上記薄
膜両端部固定梁の厚さに対してより厚くする延長反射部
を厚くする工程と、反射手段の反射部と延長反射部を形
成する反射手段形成工程と、上記犠牲材料層を除去する
犠牲材料層除去工程とからなる光変調装置の製造方法で
あることを主要な特徴とする。
【００１０】請求項３２の本発明は、電子写真プロセス
で光書き込みを行なって画像を形成する画像形成装置に
おいて、回動可能に保持されて形成画像を担持する画像
担持体と、上記画像担持体上を光書き込みを行なって潜
像を形成する請求項１乃至２７の何れか一項に記載の光
変調装置からなる潜像形成手段と、上記潜像形成手段の
上記光変調装置によって形成された潜像を顕像化してト
ナー画像を形成する現像手段と、上記現像手段で形成さ
れたトナー画像を被転写体に転写する転写手段とからな
る画像形成装置であることを最も主要な特徴とする。請
求項３３の本発明は、画像を投影して表示する画像投影
表示装置において、画像投影データの入射光の反射方向
を変えて光変調を行なって画像を投影して表示する請求
項１乃至２７の何れか一項に記載の光変調装置からなる
光スイッチ手段と、上記光スイッチ手段が投影する画像
を表示する投影スクリーンとからなる画像投影表示装置
であることを最も主要な特徴とする。
で光書き込みを行なって画像を形成する画像形成装置に
おいて、回動可能に保持されて形成画像を担持する画像
担持体と、上記画像担持体上を光書き込みを行なって潜
像を形成する請求項１乃至２７の何れか一項に記載の光
変調装置からなる潜像形成手段と、上記潜像形成手段の
上記光変調装置によって形成された潜像を顕像化してト
ナー画像を形成する現像手段と、上記現像手段で形成さ
れたトナー画像を被転写体に転写する転写手段とからな
る画像形成装置であることを最も主要な特徴とする。請
求項３３の本発明は、画像を投影して表示する画像投影
表示装置において、画像投影データの入射光の反射方向
を変えて光変調を行なって画像を投影して表示する請求
項１乃至２７の何れか一項に記載の光変調装置からなる
光スイッチ手段と、上記光スイッチ手段が投影する画像
を表示する投影スクリーンとからなる画像投影表示装置
であることを最も主要な特徴とする。
【００１１】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態を図面
を参照して詳細に説明する。図１乃至図３においては、
入射光の反射方向を変えて光変調を行う光変調装置０
は、入射光を正反射する反射手段１のＡｌ薄膜のミラー
と、上記反射手段１のＡｌ薄膜のミラーを側面に組み合
わせ構成するＳｉ薄膜で形成され両端部が固定されて静
電力で変形する複数個を連接した薄膜両端部固定梁２
と、上記薄膜両端部固定梁２の他方側面に形成される空
隙（Ｇ）とパッシベーション膜３ｄを介して上記薄膜両
端部固定梁２に対向して駆動電圧を印加する基板電極３
と、上記基板電極３を形成して上記薄膜両端部固定梁２
を保持する基板４と、上記基板４の基板表面４ａに上記
薄膜両端部固定梁２の両端部の上記薄膜両端部固定梁２
の内側に配置された被保持部２ｂを固定して保持する固
定保持部４ｂと、上記固定保持部４ｂ上に上記反射手段
１の反射部１ａを延長して複数個を隣接した延長反射部
１ｂとからなり、入射光の反射方向を変えて光変調を行
う構造が簡単で応答も速く、使用する入射光の波長が制
限されることなく、作動が安定で信頼性も高く、微細化
され梁の固定保持領域が小さくても十分な固定保持性を
確実に確保し、隣接素子への相互作用を抑制し、光の反
射面が更に増加して明るくなっている。上記基板４は、
シリコン、光学ガラスやポリイミドなどの耐熱プラスチ
ック等の基板であり、表面に（１００）面を有するシリ
コンウエハを基板として用いている。更に、上記基板４
上にシリコンの酸化膜４ａ１が形成され、上記薄膜両端
部固定梁２に対向して駆動電圧を印加する上記基板電極
３が下部に配置され、上記薄膜両端部固定梁２の他方側
面に形成される空隙（Ｇ）と上記固定保持部４ｂに凹形
状が形成された上記凹形状部４ｃがパターニングされて
いる。尚、上記基板電極３は、ＡＬ、Ａｕ、Ｔｉ、Ｔｉ
Ｎ、Ｃｒ等の金属や、ＩＴＯ等の導電性薄膜や、不純物
が注入されて低抵抗化された基板シリコンを用いてお
り、上記薄膜両端固定梁２を駆動するための一方の電極
となる。上記パッシベーション膜３ｄは、上記基板電極
３を保護する保護膜であり、上記基板電極３が上記薄膜
両端固定梁２と接触し、短絡することを防ぐ役割をす
る。又、上記パッシベーション膜３ｄには、上記基板電
極３と外部信号とを接続する部分として図示しないパッ
ド開口部位を形成することもある。
を参照して詳細に説明する。図１乃至図３においては、
入射光の反射方向を変えて光変調を行う光変調装置０
は、入射光を正反射する反射手段１のＡｌ薄膜のミラー
と、上記反射手段１のＡｌ薄膜のミラーを側面に組み合
わせ構成するＳｉ薄膜で形成され両端部が固定されて静
電力で変形する複数個を連接した薄膜両端部固定梁２
と、上記薄膜両端部固定梁２の他方側面に形成される空
隙（Ｇ）とパッシベーション膜３ｄを介して上記薄膜両
端部固定梁２に対向して駆動電圧を印加する基板電極３
と、上記基板電極３を形成して上記薄膜両端部固定梁２
を保持する基板４と、上記基板４の基板表面４ａに上記
薄膜両端部固定梁２の両端部の上記薄膜両端部固定梁２
の内側に配置された被保持部２ｂを固定して保持する固
定保持部４ｂと、上記固定保持部４ｂ上に上記反射手段
１の反射部１ａを延長して複数個を隣接した延長反射部
１ｂとからなり、入射光の反射方向を変えて光変調を行
う構造が簡単で応答も速く、使用する入射光の波長が制
限されることなく、作動が安定で信頼性も高く、微細化
され梁の固定保持領域が小さくても十分な固定保持性を
確実に確保し、隣接素子への相互作用を抑制し、光の反
射面が更に増加して明るくなっている。上記基板４は、
シリコン、光学ガラスやポリイミドなどの耐熱プラスチ
ック等の基板であり、表面に（１００）面を有するシリ
コンウエハを基板として用いている。更に、上記基板４
上にシリコンの酸化膜４ａ１が形成され、上記薄膜両端
部固定梁２に対向して駆動電圧を印加する上記基板電極
３が下部に配置され、上記薄膜両端部固定梁２の他方側
面に形成される空隙（Ｇ）と上記固定保持部４ｂに凹形
状が形成された上記凹形状部４ｃがパターニングされて
いる。尚、上記基板電極３は、ＡＬ、Ａｕ、Ｔｉ、Ｔｉ
Ｎ、Ｃｒ等の金属や、ＩＴＯ等の導電性薄膜や、不純物
が注入されて低抵抗化された基板シリコンを用いてお
り、上記薄膜両端固定梁２を駆動するための一方の電極
となる。上記パッシベーション膜３ｄは、上記基板電極
３を保護する保護膜であり、上記基板電極３が上記薄膜
両端固定梁２と接触し、短絡することを防ぐ役割をす
る。又、上記パッシベーション膜３ｄには、上記基板電
極３と外部信号とを接続する部分として図示しないパッ
ド開口部位を形成することもある。
【００１２】上記薄膜両端部固定梁２は、上記反射手段
１の上記反射部１ａを延長した上記延長反射部１ｂの光
反射層を薄膜で側面に形成され両端が固定されて静電力
で変形する。上記薄膜両端部固定梁２の側面に組み合わ
せ構成する上記反射手段１の上記反射部１ａと上記延長
反射部１ｂの光反射層は、別途堆積された膜に限る訳で
はなく、デバイスの性能に寄与する光反射領域が上記薄
膜両端固定梁２に形成されている場合も含まれる。上記
薄膜両端部固定梁２としてシリコンに不純物を注入した
低抵抗材の導電性膜を用いた場合に、上記薄膜両端部固
定梁２に駆動電圧を印加するために図示しないパッドが
設けられ、上記薄膜両端部固定梁２を駆動するための他
方の電極を取り出す役割を果し、上記薄膜両端部固定梁
２を駆動するための図示しない他方の電極を省略するこ
とが出来る。上記薄膜両端部固定梁２が非導電性の場合
には、上記反射手段１の上記反射部１ａと上記延長反射
部１ｂの光反射層として用いられるＡＬ、Ａｕ、Ｔｉ、
ＴｉＮ、Ｃｒ等の金属薄膜に、駆動電圧を印加するため
の図示しないパッドを設け、上記薄膜両端部固定梁２を
駆動するための他方の電極を取り出す役割を果し、上記
薄膜両端部固定梁２を駆動するための図示しない他方の
電極を省略して入射光の反射方向を変えて光変調を行う
構造が更に簡単になる。上記薄膜両端部固定梁２を撓ま
せる静電力は、上記薄膜両端固定梁２の他方側面に形成
される空隙（Ｇ）を介して対向して形成された上記基板
電極３と、図示しない他方の電極、上記薄膜両端部固定
梁２、又は、上記反射手段１の上記反射部１ａと上記延
長反射部１ｂとの間に駆動電圧を印加することにより発
生するようになっている。上記薄膜両端部固定梁２は、
金属薄膜や、単結晶シリコン薄膜、多結晶シリコン薄
膜、又は、窒化シリコン薄膜等で形成される。特に、単
結晶シリコン薄膜で形成した上記薄膜両端部固定梁２
は、欠陥が少なく、寿命が長い。又、多結晶シリコン薄
膜で形成した上記薄膜両端部固定梁２は、ＣＶＤ等の手
法を用いることが出来るのでコストが低く出来る。又、
窒化シリコン薄膜で形成した上記薄膜両端部固定梁２
は、窒化シリコン薄膜の引張応力の作用により、スイッ
チングの応答速度を速めることが出来る。更に、上記薄
膜両端部固定梁２が、単結晶シリコン薄膜、又は、多結
晶シリコン薄膜で形成されている場合には、単結晶シリ
コン薄膜、又は、多結晶シリコン薄膜を不純物により低
抵抗化して導電性として、上記薄膜両端部固定梁２を駆
動するための図示しない他方の電極を省略することが出
来る。
１の上記反射部１ａを延長した上記延長反射部１ｂの光
反射層を薄膜で側面に形成され両端が固定されて静電力
で変形する。上記薄膜両端部固定梁２の側面に組み合わ
せ構成する上記反射手段１の上記反射部１ａと上記延長
反射部１ｂの光反射層は、別途堆積された膜に限る訳で
はなく、デバイスの性能に寄与する光反射領域が上記薄
膜両端固定梁２に形成されている場合も含まれる。上記
薄膜両端部固定梁２としてシリコンに不純物を注入した
低抵抗材の導電性膜を用いた場合に、上記薄膜両端部固
定梁２に駆動電圧を印加するために図示しないパッドが
設けられ、上記薄膜両端部固定梁２を駆動するための他
方の電極を取り出す役割を果し、上記薄膜両端部固定梁
２を駆動するための図示しない他方の電極を省略するこ
とが出来る。上記薄膜両端部固定梁２が非導電性の場合
には、上記反射手段１の上記反射部１ａと上記延長反射
部１ｂの光反射層として用いられるＡＬ、Ａｕ、Ｔｉ、
ＴｉＮ、Ｃｒ等の金属薄膜に、駆動電圧を印加するため
の図示しないパッドを設け、上記薄膜両端部固定梁２を
駆動するための他方の電極を取り出す役割を果し、上記
薄膜両端部固定梁２を駆動するための図示しない他方の
電極を省略して入射光の反射方向を変えて光変調を行う
構造が更に簡単になる。上記薄膜両端部固定梁２を撓ま
せる静電力は、上記薄膜両端固定梁２の他方側面に形成
される空隙（Ｇ）を介して対向して形成された上記基板
電極３と、図示しない他方の電極、上記薄膜両端部固定
梁２、又は、上記反射手段１の上記反射部１ａと上記延
長反射部１ｂとの間に駆動電圧を印加することにより発
生するようになっている。上記薄膜両端部固定梁２は、
金属薄膜や、単結晶シリコン薄膜、多結晶シリコン薄
膜、又は、窒化シリコン薄膜等で形成される。特に、単
結晶シリコン薄膜で形成した上記薄膜両端部固定梁２
は、欠陥が少なく、寿命が長い。又、多結晶シリコン薄
膜で形成した上記薄膜両端部固定梁２は、ＣＶＤ等の手
法を用いることが出来るのでコストが低く出来る。又、
窒化シリコン薄膜で形成した上記薄膜両端部固定梁２
は、窒化シリコン薄膜の引張応力の作用により、スイッ
チングの応答速度を速めることが出来る。更に、上記薄
膜両端部固定梁２が、単結晶シリコン薄膜、又は、多結
晶シリコン薄膜で形成されている場合には、単結晶シリ
コン薄膜、又は、多結晶シリコン薄膜を不純物により低
抵抗化して導電性として、上記薄膜両端部固定梁２を駆
動するための図示しない他方の電極を省略することが出
来る。
【００１３】上記基板４上に形成された上記基板電極３
は、上記基板４の任意の空隙（Ｇ）下面に形成されてお
り、且つ、上記薄膜両端部固定梁２は、上記基板４の上
記基板表面４ａ上に平行に形成されている。又、上記薄
膜両端部固定梁２は、引張応力を有する材料、例えば、
シリコン窒化膜などを用いた場合、通常若干張られた状
態にある。従って、上記薄膜両端部固定梁２は、上記基
板４の上記基板表面４ａ上に平行に形成されて、若干張
られた状態にあるから、上記薄膜両端固定梁２と上記基
板電極３の上記対向面３ａで形成される空隔（Ｇ）は、
駆動電圧が印加されない状態では絶えず同位置にあるこ
とが容易となり、且つ、上記薄膜両端部固定梁２が撓ん
だ後に元に戻る位置も安定して、光変調性の制御が容易
となる利点を有している。上記薄膜両端部固定梁２は、
上記基板４の上記基板表面４ａ上の上記酸化膜４ａ１を
介して、接触保持されているが、上記基板表面４ａ上の
上記固定保持部４ｂに形成された上記凹形状部４ｃが比
較的深く形成されていることにより、凹形状形成部２ａ
と上記凹形状部４ｃとの接触部位の図示のＸ印で模式的
に提示の面積が、実効的に広くなっている。即ち、上記
基板表面４ａ上の平面積は変わらずに、上記薄膜両端部
固定梁２の保持性能を向上できる。言い換えると、保持
性を維持した状態で、上記薄膜両端部固定梁２の上記固
定保持部４ｂを微細化出来るので、１画素又は１素子の
寸法の微細化や上記薄膜両端部固定梁２の上記固定保持
部４ｂの領域を極力小さくする微細化が可能になった。
図示の白抜矢印で示した上記薄膜両端部固定梁２の変形
により振動が伝搬する。
は、上記基板４の任意の空隙（Ｇ）下面に形成されてお
り、且つ、上記薄膜両端部固定梁２は、上記基板４の上
記基板表面４ａ上に平行に形成されている。又、上記薄
膜両端部固定梁２は、引張応力を有する材料、例えば、
シリコン窒化膜などを用いた場合、通常若干張られた状
態にある。従って、上記薄膜両端部固定梁２は、上記基
板４の上記基板表面４ａ上に平行に形成されて、若干張
られた状態にあるから、上記薄膜両端固定梁２と上記基
板電極３の上記対向面３ａで形成される空隔（Ｇ）は、
駆動電圧が印加されない状態では絶えず同位置にあるこ
とが容易となり、且つ、上記薄膜両端部固定梁２が撓ん
だ後に元に戻る位置も安定して、光変調性の制御が容易
となる利点を有している。上記薄膜両端部固定梁２は、
上記基板４の上記基板表面４ａ上の上記酸化膜４ａ１を
介して、接触保持されているが、上記基板表面４ａ上の
上記固定保持部４ｂに形成された上記凹形状部４ｃが比
較的深く形成されていることにより、凹形状形成部２ａ
と上記凹形状部４ｃとの接触部位の図示のＸ印で模式的
に提示の面積が、実効的に広くなっている。即ち、上記
基板表面４ａ上の平面積は変わらずに、上記薄膜両端部
固定梁２の保持性能を向上できる。言い換えると、保持
性を維持した状態で、上記薄膜両端部固定梁２の上記固
定保持部４ｂを微細化出来るので、１画素又は１素子の
寸法の微細化や上記薄膜両端部固定梁２の上記固定保持
部４ｂの領域を極力小さくする微細化が可能になった。
図示の白抜矢印で示した上記薄膜両端部固定梁２の変形
により振動が伝搬する。
【００１４】然し、上記基板４は、上記基板表面４ａ上
の上記固定保持部４ｂに上記凹形状部４ｃが形成され、
上記凹形状部４ｃの内側にその振動の伝播を抑制する振
動伝播抑制部４ｄが形成されているので、図示の黒矢印
の振動の伝搬が抑制され、隣接素子間の相互作用が更に
確実に抑制される。それにより、上記薄膜両端部固定梁
２の上記固定保持部４ｂを微細化出来るので、１画素又
は１素子の寸法の微細化や上記薄膜両端部固定梁２の上
記固定保持部４ｂの領域を極力小さくする微細化が可能
になった。尚、上記凹形状部４ｃは、図示のように、上
記薄膜両端部固定梁２と上記基板電極３の上記対向面３
ａで形成される空隙（Ｇ）とほぼ同等の深さで形成され
ているが、それより浅く形成されてもかまわない。上記
薄膜両端部固定梁２は、逆三角形状の空隙（Ｇ）を介し
て非平行の上記基板電極３の上記対向面３ａと対向して
いる。上記薄膜両端部固定梁２に静電力が作用していな
い時には、上記薄膜両端部固定梁２の上記被保持部２ｂ
は、相対する両端部の２辺を上記基板４の上記固定保持
部４ｂに固定して保持されている。その時の入射光束
（Ｒ）は、上記薄膜両端部固定梁２の側面に組み合わせ
構成する上記反射手段１の上記反射部１ａと上記延長反
射部１ｂの光反射層の表面で正反射して、図示の矢印で
示される方向に進行する。入射光束（Ｒ）を反射した方
向から眺めると、上記薄膜両端部固定梁２の側面に組み
合わせ構成する上記反射手段１の上記反射部１ａと上記
延長反射部１ｂの光反射層での正反射により更に明るく
なりＯＦＦ状態となる（図２を参照）。上記薄膜両端部
固定梁２と上記基板電極３の上記対向面３ａ間に駆動電
圧を印加し、上記薄膜両端部固定梁２に静電力を作用さ
せると、上記薄膜両端部固定梁２は上記基板電極３の上
記対向面３ａ側に引きつけられるように撓み変形して、
上記基板電極３の上記対向面３ａに当接して変形が確実
に規制されて、上記薄膜両端部固定梁２の側面に組み合
わせ構成する上記反射手段１の上記反射部１ａは図示の
矢印Ａ方向に変位し、上記延長反射部１ｂも図示の矢印
Ｂ方向の上記基板４の上記基板表面４ａより上方向に変
位して、上記反射手段１の上記反射部１ａと上記延長反
射部１ｂの光反射層の表面での入射光束（Ｒ）の反射光
の方向が確実に乱れる。上記延長反射部１ｂが図示の矢
印Ｂ方向の上記基板４の上記基板表面４ａより上方向に
変位するようになっているから、上記薄膜両端部固定梁
２を駆動すると同時に上記延長反射部１ｂとその上記薄
膜両端部固定梁２部分を下方に駆動する場合に比べて上
記延長反射部１ｂの上記薄膜両端部固定梁２部分は撓ま
ないので、より低電圧で駆動が可能で省資源である。従
って、入射光束（Ｒ）を反射した方向から眺めると、入
射光束（Ｒ）の反射方向が乱れるために暗くなりＯＮ状
態となり、光変調が確実に行なわれる（図３を参照）。
の上記固定保持部４ｂに上記凹形状部４ｃが形成され、
上記凹形状部４ｃの内側にその振動の伝播を抑制する振
動伝播抑制部４ｄが形成されているので、図示の黒矢印
の振動の伝搬が抑制され、隣接素子間の相互作用が更に
確実に抑制される。それにより、上記薄膜両端部固定梁
２の上記固定保持部４ｂを微細化出来るので、１画素又
は１素子の寸法の微細化や上記薄膜両端部固定梁２の上
記固定保持部４ｂの領域を極力小さくする微細化が可能
になった。尚、上記凹形状部４ｃは、図示のように、上
記薄膜両端部固定梁２と上記基板電極３の上記対向面３
ａで形成される空隙（Ｇ）とほぼ同等の深さで形成され
ているが、それより浅く形成されてもかまわない。上記
薄膜両端部固定梁２は、逆三角形状の空隙（Ｇ）を介し
て非平行の上記基板電極３の上記対向面３ａと対向して
いる。上記薄膜両端部固定梁２に静電力が作用していな
い時には、上記薄膜両端部固定梁２の上記被保持部２ｂ
は、相対する両端部の２辺を上記基板４の上記固定保持
部４ｂに固定して保持されている。その時の入射光束
（Ｒ）は、上記薄膜両端部固定梁２の側面に組み合わせ
構成する上記反射手段１の上記反射部１ａと上記延長反
射部１ｂの光反射層の表面で正反射して、図示の矢印で
示される方向に進行する。入射光束（Ｒ）を反射した方
向から眺めると、上記薄膜両端部固定梁２の側面に組み
合わせ構成する上記反射手段１の上記反射部１ａと上記
延長反射部１ｂの光反射層での正反射により更に明るく
なりＯＦＦ状態となる（図２を参照）。上記薄膜両端部
固定梁２と上記基板電極３の上記対向面３ａ間に駆動電
圧を印加し、上記薄膜両端部固定梁２に静電力を作用さ
せると、上記薄膜両端部固定梁２は上記基板電極３の上
記対向面３ａ側に引きつけられるように撓み変形して、
上記基板電極３の上記対向面３ａに当接して変形が確実
に規制されて、上記薄膜両端部固定梁２の側面に組み合
わせ構成する上記反射手段１の上記反射部１ａは図示の
矢印Ａ方向に変位し、上記延長反射部１ｂも図示の矢印
Ｂ方向の上記基板４の上記基板表面４ａより上方向に変
位して、上記反射手段１の上記反射部１ａと上記延長反
射部１ｂの光反射層の表面での入射光束（Ｒ）の反射光
の方向が確実に乱れる。上記延長反射部１ｂが図示の矢
印Ｂ方向の上記基板４の上記基板表面４ａより上方向に
変位するようになっているから、上記薄膜両端部固定梁
２を駆動すると同時に上記延長反射部１ｂとその上記薄
膜両端部固定梁２部分を下方に駆動する場合に比べて上
記延長反射部１ｂの上記薄膜両端部固定梁２部分は撓ま
ないので、より低電圧で駆動が可能で省資源である。従
って、入射光束（Ｒ）を反射した方向から眺めると、入
射光束（Ｒ）の反射方向が乱れるために暗くなりＯＮ状
態となり、光変調が確実に行なわれる（図３を参照）。
【００１５】図４と図５において、上記薄膜両端部固定
梁２は、逆三角形状の空隙（Ｇ）を介して非平行の上記
基板電極３の上記対向面３ａと対向しているから、上記
薄膜両端部固定梁２の変形に要する駆動電圧を小さくす
るために有効で省資源である。上記薄膜両端部固定梁２
に作用する静電力は、上記薄膜両端部固定梁２と上記基
板電極３の上記対向面３ａとの間の距離の２乗に反比例
する。即ち、距離が短いほど作用する静電力が大きい。
そのため駆動電圧を印加すると、上記薄膜両端部固定梁
２は逆三角形状の空隙（Ｇ）の狭い部分より変形を始め
る。又、上記薄膜両端部固定梁２の変形により順次に逆
三角形状の空隙（Ｇ）が狭くなり、平行な空隙（Ｇ）の
場合より、低い駆動電圧で上記薄膜両端部固定梁２の変
形が進行するから省資源で小型の装置となる。上記薄膜
両端部固定梁２の上記被保持部２ｂは、相対する両端部
の２辺を上記基板４の上記固定保持部４ｂに固定して保
持されているから、片持ち梁に比べて上記薄膜両端部固
定梁２の安定性、上記薄膜両端部固定梁２の応答速度の
２点で優れている。
梁２は、逆三角形状の空隙（Ｇ）を介して非平行の上記
基板電極３の上記対向面３ａと対向しているから、上記
薄膜両端部固定梁２の変形に要する駆動電圧を小さくす
るために有効で省資源である。上記薄膜両端部固定梁２
に作用する静電力は、上記薄膜両端部固定梁２と上記基
板電極３の上記対向面３ａとの間の距離の２乗に反比例
する。即ち、距離が短いほど作用する静電力が大きい。
そのため駆動電圧を印加すると、上記薄膜両端部固定梁
２は逆三角形状の空隙（Ｇ）の狭い部分より変形を始め
る。又、上記薄膜両端部固定梁２の変形により順次に逆
三角形状の空隙（Ｇ）が狭くなり、平行な空隙（Ｇ）の
場合より、低い駆動電圧で上記薄膜両端部固定梁２の変
形が進行するから省資源で小型の装置となる。上記薄膜
両端部固定梁２の上記被保持部２ｂは、相対する両端部
の２辺を上記基板４の上記固定保持部４ｂに固定して保
持されているから、片持ち梁に比べて上記薄膜両端部固
定梁２の安定性、上記薄膜両端部固定梁２の応答速度の
２点で優れている。
【００１６】まず、上記薄膜両端部固定梁２の安定性
は、両端が拘束されているので、自由振動が発生し難
く、残留応力があっても、両端の拘束点で決められてい
るので変形する事も無く、また経時変化が少ない。次
に、上記薄膜両端部固定梁２の応答速度は、自由振動の
問題が無いので、応答速度も速くなる。上記薄膜両端部
固定梁２の変形により、上記基板電極３の上記対向面３
ａに当接しながら、順次に逆三角形状の空隙（Ｇ）が狭
くなり、頂部３ｂで幅がかなり狭くなり、ある限界で、
当接しても上記基板電極３の上記対向面３ａ上に平行部
分（Ｆ）が残る場合がある（図４を参照）。上記薄膜両
端部固定梁２が上記基板４の上記基板表面４ａに平行に
なる平行部分（Ｆ）となるのは、上記薄膜両端部固定梁
２は長さの４乗に反比例して剛性を増すので、上記頂部
３ｂ付近で曲がりにくくなり、上記基板電極３の上記対
向面３ａが上記薄膜両端部固定梁２の両斜面を均等に引
き合うからである。そこで、上記薄膜両端部固定梁２の
最大変位状態において上記基板電極３の上記対向面３ａ
の上記頂部３ｂ付近の一端側に部分的に当接しない空隙
部３ｃを設けて、片側の斜面の吸引力を弱め、上記薄膜
両端部固定梁２が傾き上記基板４の上記基板表面４ａに
平行になることを防止するようになっている（図５を参
照）。従って、上記薄膜両端部固定梁２の上記基板電極
３の上記対向面３ａに当接時に、ほぼ完全に入射光を上
記薄膜両端部固定梁２がＯＦＦ状態の時と異なる方向に
反射光を変調できて、迷光が減少して作動が更に安定で
信頼性も高くなった。
は、両端が拘束されているので、自由振動が発生し難
く、残留応力があっても、両端の拘束点で決められてい
るので変形する事も無く、また経時変化が少ない。次
に、上記薄膜両端部固定梁２の応答速度は、自由振動の
問題が無いので、応答速度も速くなる。上記薄膜両端部
固定梁２の変形により、上記基板電極３の上記対向面３
ａに当接しながら、順次に逆三角形状の空隙（Ｇ）が狭
くなり、頂部３ｂで幅がかなり狭くなり、ある限界で、
当接しても上記基板電極３の上記対向面３ａ上に平行部
分（Ｆ）が残る場合がある（図４を参照）。上記薄膜両
端部固定梁２が上記基板４の上記基板表面４ａに平行に
なる平行部分（Ｆ）となるのは、上記薄膜両端部固定梁
２は長さの４乗に反比例して剛性を増すので、上記頂部
３ｂ付近で曲がりにくくなり、上記基板電極３の上記対
向面３ａが上記薄膜両端部固定梁２の両斜面を均等に引
き合うからである。そこで、上記薄膜両端部固定梁２の
最大変位状態において上記基板電極３の上記対向面３ａ
の上記頂部３ｂ付近の一端側に部分的に当接しない空隙
部３ｃを設けて、片側の斜面の吸引力を弱め、上記薄膜
両端部固定梁２が傾き上記基板４の上記基板表面４ａに
平行になることを防止するようになっている（図５を参
照）。従って、上記薄膜両端部固定梁２の上記基板電極
３の上記対向面３ａに当接時に、ほぼ完全に入射光を上
記薄膜両端部固定梁２がＯＦＦ状態の時と異なる方向に
反射光を変調できて、迷光が減少して作動が更に安定で
信頼性も高くなった。
【００１７】上記光変調装置０は、上記薄膜両端部固定
梁２と上記薄膜両端部固定梁２の側面に組み合わせ構成
された上記反射手段１の上記反射部１ａの長さを１５μ
ｍ、上記延長反射部１ｂの長さを片側２μｍ、上記延長
反射部１ｂ側の幅を１９μｍ、素子間隔を１μｍとし
た。上記光変調装置０と上記光変調装置１００の上記反
射手段１と上記反射面１００の有効面積比を例示する。
まず、上記光変調装置０を使用しない上記光変調装置１
００の場合は、上記反射面１００は１５μｍ×１９μｍ
で、上記梁１０２を保持するため５μｍ×１９μｍの領
域が必要になる。ところが、上記光変調装置０を使用す
る場合は、上記反射手段１の有効面積は、１９μｍ（=
１５μｍ +２μｍ +２μｍ）×１９μｍとなる。このた
め、上記光変調装置０を使用しない上記光変調装置１０
０の場合は、利用効率が７９%であったのが、上記光変
調装置０を使用する場合は、素子分離の間隔を含めなけ
れば１００%利用可能である。
梁２と上記薄膜両端部固定梁２の側面に組み合わせ構成
された上記反射手段１の上記反射部１ａの長さを１５μ
ｍ、上記延長反射部１ｂの長さを片側２μｍ、上記延長
反射部１ｂ側の幅を１９μｍ、素子間隔を１μｍとし
た。上記光変調装置０と上記光変調装置１００の上記反
射手段１と上記反射面１００の有効面積比を例示する。
まず、上記光変調装置０を使用しない上記光変調装置１
００の場合は、上記反射面１００は１５μｍ×１９μｍ
で、上記梁１０２を保持するため５μｍ×１９μｍの領
域が必要になる。ところが、上記光変調装置０を使用す
る場合は、上記反射手段１の有効面積は、１９μｍ（=
１５μｍ +２μｍ +２μｍ）×１９μｍとなる。このた
め、上記光変調装置０を使用しない上記光変調装置１０
０の場合は、利用効率が７９%であったのが、上記光変
調装置０を使用する場合は、素子分離の間隔を含めなけ
れば１００%利用可能である。
【００１８】図６乃至図２０において、入射光を正反射
する上記反射手段１を側面に組み合わせ構成する薄膜で
形成され両端部が固定されて静電力で変形する上記薄膜
両端部固定梁２の他方側面に形成される空隙（Ｇ）を介
して上記薄膜両端部固定梁２に対向して駆動電圧を印加
する上記基板電極３を形成して上記薄膜両端部固定梁２
を保持する上記基板４の上記基板表面４ａに上記薄膜両
端部固定梁２の両端部上記被保持部２ｂを固定して保持
する上記固定保持部４ｂ上に上記反射手段１の上記反射
部１ａを上記延長反射部１ｂに延長するようにして複数
個を隣接した上記光変調装置０は、上記基板４の上記基
板表面４ａ上に上記薄膜両端部固定梁２と上記基板電極
３の上記対向面３ａが対向して形成される空隙（Ｇ）と
上記凹形状部４ｃの該当部を形成した後に、犠牲材料か
らなる犠牲材料層５を形成して上記基板４の上記基板表
面４ａ上を平坦化して、上記薄膜両端部固定梁２を形成
して上記反射手段１の反射部１ａと延長反射部１ｂを形
成した後に、上記犠牲材料層５を除去するから、入射光
の反射方向を変えて光変調を行う構造が簡単で応答も速
く、使用する入射光の波長が制限されることなく、作動
が安定で信頼性も高く、微細化され梁の固定保持領域が
小さくても十分な固定保持性を確保し、隣接素子への相
互作用を抑制し、光の反射面積が増加して明るく製造工
程が少なく低コストの上記光変調装置０の製造方法を提
供することが出来るようになった。
する上記反射手段１を側面に組み合わせ構成する薄膜で
形成され両端部が固定されて静電力で変形する上記薄膜
両端部固定梁２の他方側面に形成される空隙（Ｇ）を介
して上記薄膜両端部固定梁２に対向して駆動電圧を印加
する上記基板電極３を形成して上記薄膜両端部固定梁２
を保持する上記基板４の上記基板表面４ａに上記薄膜両
端部固定梁２の両端部上記被保持部２ｂを固定して保持
する上記固定保持部４ｂ上に上記反射手段１の上記反射
部１ａを上記延長反射部１ｂに延長するようにして複数
個を隣接した上記光変調装置０は、上記基板４の上記基
板表面４ａ上に上記薄膜両端部固定梁２と上記基板電極
３の上記対向面３ａが対向して形成される空隙（Ｇ）と
上記凹形状部４ｃの該当部を形成した後に、犠牲材料か
らなる犠牲材料層５を形成して上記基板４の上記基板表
面４ａ上を平坦化して、上記薄膜両端部固定梁２を形成
して上記反射手段１の反射部１ａと延長反射部１ｂを形
成した後に、上記犠牲材料層５を除去するから、入射光
の反射方向を変えて光変調を行う構造が簡単で応答も速
く、使用する入射光の波長が制限されることなく、作動
が安定で信頼性も高く、微細化され梁の固定保持領域が
小さくても十分な固定保持性を確保し、隣接素子への相
互作用を抑制し、光の反射面積が増加して明るく製造工
程が少なく低コストの上記光変調装置０の製造方法を提
供することが出来るようになった。
【００１９】基板上酸化膜形成工程（ａ）において、シ
リコンウエハを上記基板４とした場合を説明する。シリ
コンの上記基板４に酸化膜４ａ１を形成する。又、上記
基板４には、ガラスやポリイミド等の耐熱プラスチック
が使用可能である（図６を参照）。空隙と凹形状部の該
当部形成工程（ｂ）において、上記酸化膜４ａ１に空隙
（Ｇ）と上記凹形状部４ｃとなる溝をフォトリソグラフ
ィとドライエッチングの手法で形成する。空隙（Ｇ）の
傾斜部は、階調のあるフォトマスクを使用することで形
成できる。ガラス基板やポリイミド等を上記基板４にす
る場合は、直接上記基板４をエッチングする（図７を参
照）。基板電極形成工程（ｃ）において、スパッタ法で
上記基板電極３になる金属を成膜し、フォトリソグラフ
ィとエッチング液で上記基板電極３を形成する。ＴｉＮ
を用いた場合は、過酸化水素と硝酸の混合液でエッチン
グする。上記パッシベーション膜３ｄになるＳｉＮ膜を
モノシランとアンモニアの混合ガスによる熱ＣＶＤ法で
成膜する（図８を参照）。犠牲材料層形成工程（ｄ）に
おいて、上記犠牲材料層５になるポリシリコンを成膜
し、研磨して平坦化する（図９を参照）。凹形状部犠牲
材料層除去工程（ｅ）において、フォトリソグラフィの
手法で、上記薄膜両端部固定梁２のアンカーになる上記
凹形状部４ｃの上記犠牲材料層５をドライエッチングの
手法で除去する。−７０℃の基板温度で、フッ素系のエ
ッチングガスを用いる（図１０を参照）。薄膜両端部固
定梁形成工程（ｆ）において、上記薄膜両端部固定梁２
となるＳｉＮ膜を熱ＣＶＤ法で、成膜する（図１１を参
照）。平坦化工程（ｇ）において、上記凹形状部４ｃの
上記犠牲材料層５になるポリイミドを、スピンコート、
あるいは、ロールコータで塗布し、Ｏ２ドライエッチン
グによりエッチバックの手法で平坦化する（図１２と図
１３を参照）。犠牲材料層エッチング穴開口工程（ｈ）
において、フォトリソグラフィとドライエッチグの手法
により、ＳｉＮ膜に上記犠牲材料層５のエッチング穴２
ｃを開口する（図１４と図１５を参照）。反射手段形成
工程（ｉ）において、上記反射手段１の上記反射部１ａ
と上記延長反射部１ｂの光反射層のミラーとなるＡｌ薄
膜を成膜する。フォトリソグラフィとドライエッチグの
手法により、上記凹形状部４ｃの上記犠牲材料層５のエ
ッチング穴２ｄを開口する（図１６と図１７を参照）。
凹形状部犠牲材料層除去工程（ｊ）において、ポリイミ
ドをＯ２アッシングで除去する。上記凹形状部４ｃのＡ
ｌは上記犠牲材料層５がなくなり浮く状態になる。Ａｌ
は酸化される（図１８と図１９を参照）。空隙犠牲材料
層除去工程（ｋ）において、ＴＭＡＨ（テトラメチル・
アンモニウム・ハイドレイド）の水溶液でエッチング
し、ＳｉＮの上記薄膜両端部固定梁２の下の上記犠牲材
料層５を除去する（図２０を参照）。
リコンウエハを上記基板４とした場合を説明する。シリ
コンの上記基板４に酸化膜４ａ１を形成する。又、上記
基板４には、ガラスやポリイミド等の耐熱プラスチック
が使用可能である（図６を参照）。空隙と凹形状部の該
当部形成工程（ｂ）において、上記酸化膜４ａ１に空隙
（Ｇ）と上記凹形状部４ｃとなる溝をフォトリソグラフ
ィとドライエッチングの手法で形成する。空隙（Ｇ）の
傾斜部は、階調のあるフォトマスクを使用することで形
成できる。ガラス基板やポリイミド等を上記基板４にす
る場合は、直接上記基板４をエッチングする（図７を参
照）。基板電極形成工程（ｃ）において、スパッタ法で
上記基板電極３になる金属を成膜し、フォトリソグラフ
ィとエッチング液で上記基板電極３を形成する。ＴｉＮ
を用いた場合は、過酸化水素と硝酸の混合液でエッチン
グする。上記パッシベーション膜３ｄになるＳｉＮ膜を
モノシランとアンモニアの混合ガスによる熱ＣＶＤ法で
成膜する（図８を参照）。犠牲材料層形成工程（ｄ）に
おいて、上記犠牲材料層５になるポリシリコンを成膜
し、研磨して平坦化する（図９を参照）。凹形状部犠牲
材料層除去工程（ｅ）において、フォトリソグラフィの
手法で、上記薄膜両端部固定梁２のアンカーになる上記
凹形状部４ｃの上記犠牲材料層５をドライエッチングの
手法で除去する。−７０℃の基板温度で、フッ素系のエ
ッチングガスを用いる（図１０を参照）。薄膜両端部固
定梁形成工程（ｆ）において、上記薄膜両端部固定梁２
となるＳｉＮ膜を熱ＣＶＤ法で、成膜する（図１１を参
照）。平坦化工程（ｇ）において、上記凹形状部４ｃの
上記犠牲材料層５になるポリイミドを、スピンコート、
あるいは、ロールコータで塗布し、Ｏ２ドライエッチン
グによりエッチバックの手法で平坦化する（図１２と図
１３を参照）。犠牲材料層エッチング穴開口工程（ｈ）
において、フォトリソグラフィとドライエッチグの手法
により、ＳｉＮ膜に上記犠牲材料層５のエッチング穴２
ｃを開口する（図１４と図１５を参照）。反射手段形成
工程（ｉ）において、上記反射手段１の上記反射部１ａ
と上記延長反射部１ｂの光反射層のミラーとなるＡｌ薄
膜を成膜する。フォトリソグラフィとドライエッチグの
手法により、上記凹形状部４ｃの上記犠牲材料層５のエ
ッチング穴２ｄを開口する（図１６と図１７を参照）。
凹形状部犠牲材料層除去工程（ｊ）において、ポリイミ
ドをＯ２アッシングで除去する。上記凹形状部４ｃのＡ
ｌは上記犠牲材料層５がなくなり浮く状態になる。Ａｌ
は酸化される（図１８と図１９を参照）。空隙犠牲材料
層除去工程（ｋ）において、ＴＭＡＨ（テトラメチル・
アンモニウム・ハイドレイド）の水溶液でエッチング
し、ＳｉＮの上記薄膜両端部固定梁２の下の上記犠牲材
料層５を除去する（図２０を参照）。
【００２０】図２１乃至図２３において、入射光の反射
方向を変えて光変調を行う光変調装置１０は、入射光を
正反射する反射手段１１のＡｌ薄膜のミラーと、上記反
射手段１１のＡｌ薄膜のミラーを側面に組み合わせ構成
するＳｉ薄膜で形成され両端部が固定されて静電力で変
形する複数個を連接した薄膜両端部固定梁１２と、上記
薄膜両端部固定梁１２の他方側面に形成される空隙
（Ｇ）とパッシベーション膜１３ｄを介して上記薄膜両
端部固定梁１２に対向して駆動電圧を印加する基板電極
１３と、上記基板電極１３を形成して上記薄膜両端部固
定梁１２を保持する基板１４と、上記基板１４の基板表
面１４ａに上記薄膜両端部固定梁１２の相対する２辺の
両端部の４箇所に配置された被保持部１２ｂを固定して
保持する固定保持部１４ｂの４箇所固定保持部１４ｂ１
と、上記固定保持部１４ｂの上記４箇所固定保持部１４
ｂ１上に上記反射手段１１の反射部１１ａを延長して複
数個を隣接した延長反射部１１ｂとからなり、上記薄膜
両端部固定梁１２の上記被保持部１２ｂ側は上記薄膜両
端部固定梁２の長さに対して狭い幅の形状になり、同様
に上記反射手段１１の上記延長反射部１１ｂ側は上記反
射手段１１の長さに対して狭い幅の形状になっており、
入射光の反射方向を変えて光変調を行う構造が簡単で応
答も速く、使用する入射光の波長が制限されることな
く、作動が安定で信頼性も高く、微細化され梁の固定保
持領域が小さくても十分な固定保持性を確保し、隣接素
子への相互作用を抑制し、光の反射面積が増加して明る
くなっている。
方向を変えて光変調を行う光変調装置１０は、入射光を
正反射する反射手段１１のＡｌ薄膜のミラーと、上記反
射手段１１のＡｌ薄膜のミラーを側面に組み合わせ構成
するＳｉ薄膜で形成され両端部が固定されて静電力で変
形する複数個を連接した薄膜両端部固定梁１２と、上記
薄膜両端部固定梁１２の他方側面に形成される空隙
（Ｇ）とパッシベーション膜１３ｄを介して上記薄膜両
端部固定梁１２に対向して駆動電圧を印加する基板電極
１３と、上記基板電極１３を形成して上記薄膜両端部固
定梁１２を保持する基板１４と、上記基板１４の基板表
面１４ａに上記薄膜両端部固定梁１２の相対する２辺の
両端部の４箇所に配置された被保持部１２ｂを固定して
保持する固定保持部１４ｂの４箇所固定保持部１４ｂ１
と、上記固定保持部１４ｂの上記４箇所固定保持部１４
ｂ１上に上記反射手段１１の反射部１１ａを延長して複
数個を隣接した延長反射部１１ｂとからなり、上記薄膜
両端部固定梁１２の上記被保持部１２ｂ側は上記薄膜両
端部固定梁２の長さに対して狭い幅の形状になり、同様
に上記反射手段１１の上記延長反射部１１ｂ側は上記反
射手段１１の長さに対して狭い幅の形状になっており、
入射光の反射方向を変えて光変調を行う構造が簡単で応
答も速く、使用する入射光の波長が制限されることな
く、作動が安定で信頼性も高く、微細化され梁の固定保
持領域が小さくても十分な固定保持性を確保し、隣接素
子への相互作用を抑制し、光の反射面積が増加して明る
くなっている。
【００２１】上記反射手段１１のＡｌ薄膜のミラーを側
面に組み合わせ構成するＳｉ薄膜で形成され両端部が固
定されて静電力で変形する複数個を連接した上記薄膜両
端部固定梁１２の上記固定保持部１４ｂは、図示の上記
４箇所固定保持部１４ｂ１のように、各上記薄膜両端部
固定梁１２に対し４箇所が最も好ましい。変位する上記
反射手段１１のＡｌ薄膜のミラーの反射面の面積効率で
は四辺形が三角形より勝り、５角形以上では上記延長反
射部１１ｂの妨げになるからである。上記薄膜両端部固
定梁１２の相対する２辺の両端部の平行な幅を、上記薄
膜両端部固定梁１２の長さより狭く、同様に組み合わせ
構成した上記反射手段１１の上記延長反射部１１ｂ側は
上記反射手段１１の長さに対して狭い幅の形状にするこ
とで、上記被保持部１２ｂの被保持側の剛性が高くな
り、平行な断面内での変位を抑制できるようになってい
る。上記光変調装置１０は、上記薄膜両端部固定梁１２
と上記薄膜両端部固定梁１２の側面に組み合わせ構成さ
れた上記反射手段１１の上記反射部１１ａの長さを１５
μｍ、上記延長反射部１１ｂの長さを片側２μｍ、上記
延長反射部１１ｂ側の幅を１３μｍ、上記被保持部１２
ｂ部分の幅を２μｍ、素子間隔を１μｍとした。上記薄
膜両端部固定梁１２のＳｉＮ膜の厚さを４０ｎｍ、上記
反射手段１１のＡｌ膜の厚さを５０ｎｍとした。上記反
射手段１１の上記反射部１１ａの延長した上記延長反射
部１１ｂの上記薄膜両端部固定梁１２を厚くする場合は
その厚さを６０ｎｍとした。上記反射手段１１の上記延
長反射部１１ｂの上記薄膜両端部固定梁１２部分は、上
記反射部１１ａの上記薄膜両端部固定梁１２部分の厚さ
に対してより厚くすることによって、被保持側の剛性が
高くなり、平行な断面内での変位を抑制できるようにな
っている。上記光変調装置１０の上記反射手段１１の有
効面積比を例示する。上記光変調装置１０を使用する場
合は、上記反射手段１１の有効面積は、２３１μｍ２=
１９μｍ（=１５μｍ＋２μｍ＋２μｍ）＊１３μｍ−
２μｍ×２μｍ×４（箇所）で、有効面積比は９３%に
なる（素子分離の間隔を含まない）。その他の説明は、
上記光変調装置０の説明と重複するので、以下を省略す
る。
面に組み合わせ構成するＳｉ薄膜で形成され両端部が固
定されて静電力で変形する複数個を連接した上記薄膜両
端部固定梁１２の上記固定保持部１４ｂは、図示の上記
４箇所固定保持部１４ｂ１のように、各上記薄膜両端部
固定梁１２に対し４箇所が最も好ましい。変位する上記
反射手段１１のＡｌ薄膜のミラーの反射面の面積効率で
は四辺形が三角形より勝り、５角形以上では上記延長反
射部１１ｂの妨げになるからである。上記薄膜両端部固
定梁１２の相対する２辺の両端部の平行な幅を、上記薄
膜両端部固定梁１２の長さより狭く、同様に組み合わせ
構成した上記反射手段１１の上記延長反射部１１ｂ側は
上記反射手段１１の長さに対して狭い幅の形状にするこ
とで、上記被保持部１２ｂの被保持側の剛性が高くな
り、平行な断面内での変位を抑制できるようになってい
る。上記光変調装置１０は、上記薄膜両端部固定梁１２
と上記薄膜両端部固定梁１２の側面に組み合わせ構成さ
れた上記反射手段１１の上記反射部１１ａの長さを１５
μｍ、上記延長反射部１１ｂの長さを片側２μｍ、上記
延長反射部１１ｂ側の幅を１３μｍ、上記被保持部１２
ｂ部分の幅を２μｍ、素子間隔を１μｍとした。上記薄
膜両端部固定梁１２のＳｉＮ膜の厚さを４０ｎｍ、上記
反射手段１１のＡｌ膜の厚さを５０ｎｍとした。上記反
射手段１１の上記反射部１１ａの延長した上記延長反射
部１１ｂの上記薄膜両端部固定梁１２を厚くする場合は
その厚さを６０ｎｍとした。上記反射手段１１の上記延
長反射部１１ｂの上記薄膜両端部固定梁１２部分は、上
記反射部１１ａの上記薄膜両端部固定梁１２部分の厚さ
に対してより厚くすることによって、被保持側の剛性が
高くなり、平行な断面内での変位を抑制できるようにな
っている。上記光変調装置１０の上記反射手段１１の有
効面積比を例示する。上記光変調装置１０を使用する場
合は、上記反射手段１１の有効面積は、２３１μｍ２=
１９μｍ（=１５μｍ＋２μｍ＋２μｍ）＊１３μｍ−
２μｍ×２μｍ×４（箇所）で、有効面積比は９３%に
なる（素子分離の間隔を含まない）。その他の説明は、
上記光変調装置０の説明と重複するので、以下を省略す
る。
【００２２】図２４乃至図４２において、入射光を正反
射する上記反射手段１１のＡｌ薄膜のミラーを側面に組
み合わせ構成するＳｉ薄膜で形成され両端部が固定され
て静電力で変形する複数個を連接した上記薄膜両端部固
定梁１２の他方側面に形成される空隙（Ｇ）と上記パッ
シベーション膜１３ｄを介して上記薄膜両端部固定梁１
２に対向して駆動電圧を印加する上記基板電極１３を形
成して上記薄膜両端部固定梁１２を保持する上記基板１
４の上記基板表面１４ａに上記薄膜両端部固定梁１２の
相対する２辺の両端部の４箇所に配置された上記被保持
部１２ｂを固定して保持する上記固定保持部１４ｂの上
記４箇所固定保持部１４ｂ１上に上記反射手段１１の上
記反射部１１ａを上記延長反射部１１ｂに延長して、上
記薄膜両端部固定梁１２の上記被保持部１２ｂ側は上記
薄膜両端部固定梁１２の長さに対して狭い幅の形状にな
り、同様に上記反射手段１１の上記延長反射部１１ｂ側
は上記反射手段１１の長さに対して狭い幅の形状になっ
ており複数個を隣接した上記光変調装置１０は、上記基
板１４の上記基板表面１４ａ上に上記薄膜両端部固定梁
１２と上記基板電極１３の対向面１３ａが対向して形成
される空隙（Ｇ）と凹形状部１４ｃの該当部を形成した
後に、犠牲材料からなる犠牲材料層１５を形成して上記
基板１４の上記基板表面１４ａ上を平坦化して、上記薄
膜両端部固定梁１２を形成して上記反射手段１１の上記
反射部１１ａと上記延長反射部１１ｂを形成した後に、
上記犠牲材料層１５を除去するから、入射光の反射方向
を変えて光変調を行う構造が簡単で応答も速く、使用す
る入射光の波長が制限されることなく、作動が安定で信
頼性も高く、微細化され上記薄膜両端部固定梁１２の固
定保持領域が小さくても十分な固定保持性を確保し、隣
接素子への相互作用を抑制し、光の反射面積が増加して
明るく製造工程が少なく低コストの上記光変調装置１０
の製造方法を提供することが出来るようになった。
射する上記反射手段１１のＡｌ薄膜のミラーを側面に組
み合わせ構成するＳｉ薄膜で形成され両端部が固定され
て静電力で変形する複数個を連接した上記薄膜両端部固
定梁１２の他方側面に形成される空隙（Ｇ）と上記パッ
シベーション膜１３ｄを介して上記薄膜両端部固定梁１
２に対向して駆動電圧を印加する上記基板電極１３を形
成して上記薄膜両端部固定梁１２を保持する上記基板１
４の上記基板表面１４ａに上記薄膜両端部固定梁１２の
相対する２辺の両端部の４箇所に配置された上記被保持
部１２ｂを固定して保持する上記固定保持部１４ｂの上
記４箇所固定保持部１４ｂ１上に上記反射手段１１の上
記反射部１１ａを上記延長反射部１１ｂに延長して、上
記薄膜両端部固定梁１２の上記被保持部１２ｂ側は上記
薄膜両端部固定梁１２の長さに対して狭い幅の形状にな
り、同様に上記反射手段１１の上記延長反射部１１ｂ側
は上記反射手段１１の長さに対して狭い幅の形状になっ
ており複数個を隣接した上記光変調装置１０は、上記基
板１４の上記基板表面１４ａ上に上記薄膜両端部固定梁
１２と上記基板電極１３の対向面１３ａが対向して形成
される空隙（Ｇ）と凹形状部１４ｃの該当部を形成した
後に、犠牲材料からなる犠牲材料層１５を形成して上記
基板１４の上記基板表面１４ａ上を平坦化して、上記薄
膜両端部固定梁１２を形成して上記反射手段１１の上記
反射部１１ａと上記延長反射部１１ｂを形成した後に、
上記犠牲材料層１５を除去するから、入射光の反射方向
を変えて光変調を行う構造が簡単で応答も速く、使用す
る入射光の波長が制限されることなく、作動が安定で信
頼性も高く、微細化され上記薄膜両端部固定梁１２の固
定保持領域が小さくても十分な固定保持性を確保し、隣
接素子への相互作用を抑制し、光の反射面積が増加して
明るく製造工程が少なく低コストの上記光変調装置１０
の製造方法を提供することが出来るようになった。
【００２３】基板上酸化膜形成工程（ｌ）において、シ
リコンウエハを上記基板１４とした場合を説明する。シ
リコンの上記基板１４に酸化膜１４ａ１を形成する。
又、上記基板１４には、ガラスやホリイミド等の耐熱プ
ラスチックが使用可能である（図２４を参照）。空隙と
凹形状部の該当部形成工程（ｍ）において、上記酸化膜
１４ａ１に空隙（Ｇ）と上記凹形状部１４ｃとなる溝を
フォトリソグラフィとドライエッチングの手法で形成す
る。空隙（Ｇ）の傾斜部は、階調のあるフォトマスクを
使用することで形成できる（図２５を参照）。基板電極
形成工程（ｎ）において、スパッタ法で上記基板電極１
３になる金属を成膜し、フォトリソグラフィとエッチン
グ液で上記基板電極１３を形成する。ＴＩＮを用いた場
合は、過酸化水素と硝酸の混合液でエッチングする。上
記パッシベーション膜１３ｄになるＳｉＮ膜をモノシラ
ンとアンモニアの混合ガスによる熱ＣＶＤ法で成膜する
（図２６、図２７、図２８を参照）。犠牲材料層形成平
坦化工程（ｏ）において、上記犠牲材料層１５になるポ
リシリコンを成膜し、研磨して平坦化する（図２９と図
３０を参照）。薄膜両端部固定梁形成工程（ｐ）におい
て、上記薄膜両端部固定梁１２となるＳｉＮ膜を熱ＣＶ
Ｄ法で成膜する。フォトリソグラフィとドライエッチン
グの手法で上記犠牲材料層１５のエッチング穴１２ｃを
開口する（図３１、図３２、図３３を参照）。薄膜両端
部固定梁形成工程（ｐ‘）において、又、上記反射手段
１１の上記反射部１１ａを延長する上記延長反射部１１
ｂ部分の上記薄膜両端部固定梁１２を厚くする場合は、
次のように変更する。まず、ＳｉＮをその分厚く成膜
し、フォトリソグラフィとドライエッチングの手法で薄
くする。その後、フォトリソグラフィとドライエッチン
グの手法で上記犠牲材料層１５のエッチング穴１２ｃを
開口する（図３４、図３５、図３６を参照）。反射手段
形成工程（ｑ）において、上記反射手段１１の上記反射
部１１ａと上記延長反射部１１ｂの光反射層のミラーに
なるＡｌ層をスパッタ法で成膜し、フォトリソグラフィ
とドライエッチングの手法で上記犠牲材料層１５のエッ
チング穴１２ｄを開口する（図３７、図３８、図３９を
参照）。犠牲材料層除去工程（ｒ）において、上記犠牲
材料層１５のポリシリコンをＴＭＡＨ（テトラメチル・
アンモニウム・ハイドレイド）の水溶液でエッチングし
て取り去る（図４０、図４１、図４２を参照）。
リコンウエハを上記基板１４とした場合を説明する。シ
リコンの上記基板１４に酸化膜１４ａ１を形成する。
又、上記基板１４には、ガラスやホリイミド等の耐熱プ
ラスチックが使用可能である（図２４を参照）。空隙と
凹形状部の該当部形成工程（ｍ）において、上記酸化膜
１４ａ１に空隙（Ｇ）と上記凹形状部１４ｃとなる溝を
フォトリソグラフィとドライエッチングの手法で形成す
る。空隙（Ｇ）の傾斜部は、階調のあるフォトマスクを
使用することで形成できる（図２５を参照）。基板電極
形成工程（ｎ）において、スパッタ法で上記基板電極１
３になる金属を成膜し、フォトリソグラフィとエッチン
グ液で上記基板電極１３を形成する。ＴＩＮを用いた場
合は、過酸化水素と硝酸の混合液でエッチングする。上
記パッシベーション膜１３ｄになるＳｉＮ膜をモノシラ
ンとアンモニアの混合ガスによる熱ＣＶＤ法で成膜する
（図２６、図２７、図２８を参照）。犠牲材料層形成平
坦化工程（ｏ）において、上記犠牲材料層１５になるポ
リシリコンを成膜し、研磨して平坦化する（図２９と図
３０を参照）。薄膜両端部固定梁形成工程（ｐ）におい
て、上記薄膜両端部固定梁１２となるＳｉＮ膜を熱ＣＶ
Ｄ法で成膜する。フォトリソグラフィとドライエッチン
グの手法で上記犠牲材料層１５のエッチング穴１２ｃを
開口する（図３１、図３２、図３３を参照）。薄膜両端
部固定梁形成工程（ｐ‘）において、又、上記反射手段
１１の上記反射部１１ａを延長する上記延長反射部１１
ｂ部分の上記薄膜両端部固定梁１２を厚くする場合は、
次のように変更する。まず、ＳｉＮをその分厚く成膜
し、フォトリソグラフィとドライエッチングの手法で薄
くする。その後、フォトリソグラフィとドライエッチン
グの手法で上記犠牲材料層１５のエッチング穴１２ｃを
開口する（図３４、図３５、図３６を参照）。反射手段
形成工程（ｑ）において、上記反射手段１１の上記反射
部１１ａと上記延長反射部１１ｂの光反射層のミラーに
なるＡｌ層をスパッタ法で成膜し、フォトリソグラフィ
とドライエッチングの手法で上記犠牲材料層１５のエッ
チング穴１２ｄを開口する（図３７、図３８、図３９を
参照）。犠牲材料層除去工程（ｒ）において、上記犠牲
材料層１５のポリシリコンをＴＭＡＨ（テトラメチル・
アンモニウム・ハイドレイド）の水溶液でエッチングし
て取り去る（図４０、図４１、図４２を参照）。
【００２４】図４３において、電子写真プロセスで光書
き込みを行なって画像を形成する画像形成装置５０は、
図示の矢印Ｃ方向に回動可能に保持されて形成画像を担
持する画像担持体５１のドラム形状の感光体と、帯電手
段５５で均一に帯電された上記画像担持体５１のドラム
形状の感光体上をＩ次元アレー形状に配置された複数の
上記光変調装置０（１０）を各々独立に駆動する独立駆
動手段３１とからなる光情報処理装置３０からなる潜像
形成手段５２で光書き込みを行なって潜像を形成し、上
記潜像形成手段５２の上記光変調装置０（１０）によっ
て形成された潜像を現像手段５３で顕像化してトナー画
像を形成し、上記現像手段５３で形成されたトナー画像
を転写手段５４で被転写体（Ｐ）の転写紙に転写して、
被転写体（Ｐ）の転写紙に転写されたトナー画像を定着
手段５６で定着した後に、被転写体（Ｐ）の転写紙を排
紙トレイ５７に排紙して収納される。他方、トナー画像
を上記転写手段５４で被転写体（Ｐ）の転写紙に転写し
た後の上記画像担持体５１のドラム形状の感光体は、ク
リーニング手段５８でクリーニングされて次工程の画像
形成に備えるようになっている。上記光情報処理装置３
０は、光源３２からの入射光束（Ｒ）は第１のレンズシ
ステム３３を介してＩ次元アレー形状に配置された複数
個の上記光変調装置０（１０）に照射され、上記光変調
装置０（１０）は上記独立駆動手段３１により画像情報
に応じて独立して個々の上記薄膜両端固定梁２（１２）
と上記基板電極３（１３）との間に駆動電圧を印可して
上記薄膜両端固定梁２（１２）を制御し、上記反射手段
１（１１）を通じて入射光束（Ｒ）を第２のレンズシス
テム３４を通じて上記画像担持体５１のドラム形状の感
光体上の表面に結像させるようになっている。従って、
入射光束（Ｒ）の反射方向を変えて光変調を行う構造が
簡単で応答も速く、使用する入射光束（Ｒ）の波長が制
限されることなく、作動が安定で信頼性も高く微細化さ
れ上記薄膜両端固定梁２（１２）の固定保持領域が小さ
くても十分な固定保持性を確保し、隣接素子への相互作
用を抑制し、光の反射面積が増加して明るく、製造工程
が少なく低コストの複数個がＩ次元アレー形状に配置さ
れた上記光変調装置０（１０）を具備する信号対ノイズ
のＳ／Ｎ比が向上して高解像性の上記画像形成装置５０
を提供することが出来るようになった。
き込みを行なって画像を形成する画像形成装置５０は、
図示の矢印Ｃ方向に回動可能に保持されて形成画像を担
持する画像担持体５１のドラム形状の感光体と、帯電手
段５５で均一に帯電された上記画像担持体５１のドラム
形状の感光体上をＩ次元アレー形状に配置された複数の
上記光変調装置０（１０）を各々独立に駆動する独立駆
動手段３１とからなる光情報処理装置３０からなる潜像
形成手段５２で光書き込みを行なって潜像を形成し、上
記潜像形成手段５２の上記光変調装置０（１０）によっ
て形成された潜像を現像手段５３で顕像化してトナー画
像を形成し、上記現像手段５３で形成されたトナー画像
を転写手段５４で被転写体（Ｐ）の転写紙に転写して、
被転写体（Ｐ）の転写紙に転写されたトナー画像を定着
手段５６で定着した後に、被転写体（Ｐ）の転写紙を排
紙トレイ５７に排紙して収納される。他方、トナー画像
を上記転写手段５４で被転写体（Ｐ）の転写紙に転写し
た後の上記画像担持体５１のドラム形状の感光体は、ク
リーニング手段５８でクリーニングされて次工程の画像
形成に備えるようになっている。上記光情報処理装置３
０は、光源３２からの入射光束（Ｒ）は第１のレンズシ
ステム３３を介してＩ次元アレー形状に配置された複数
個の上記光変調装置０（１０）に照射され、上記光変調
装置０（１０）は上記独立駆動手段３１により画像情報
に応じて独立して個々の上記薄膜両端固定梁２（１２）
と上記基板電極３（１３）との間に駆動電圧を印可して
上記薄膜両端固定梁２（１２）を制御し、上記反射手段
１（１１）を通じて入射光束（Ｒ）を第２のレンズシス
テム３４を通じて上記画像担持体５１のドラム形状の感
光体上の表面に結像させるようになっている。従って、
入射光束（Ｒ）の反射方向を変えて光変調を行う構造が
簡単で応答も速く、使用する入射光束（Ｒ）の波長が制
限されることなく、作動が安定で信頼性も高く微細化さ
れ上記薄膜両端固定梁２（１２）の固定保持領域が小さ
くても十分な固定保持性を確保し、隣接素子への相互作
用を抑制し、光の反射面積が増加して明るく、製造工程
が少なく低コストの複数個がＩ次元アレー形状に配置さ
れた上記光変調装置０（１０）を具備する信号対ノイズ
のＳ／Ｎ比が向上して高解像性の上記画像形成装置５０
を提供することが出来るようになった。
【００２５】図４４において、画像を投影して表示する
画像投影表示装置８０は、投影画像データの入射光束
（Ｒ）の反射方向を変えて光変調を行なって画像を投影
する２次元アレー形状に配置された複数の上記光変調装
置０（１０）を各々独立に駆動する上記独立駆動手段３
１とからなる上記光情報処理装置３０からなる光スイッ
チ手段８１の各々の上記光変調装置０（１０）が画像を
投影スクリーン８２に投影して表示するようになってい
る。上記光スイッチ手段８１の上記光情報処理装置３０
は、上記光源３２からの入射光束（Ｒ）を２次元アレー
形状に配置された複数個の上記光変調装置０（１０）に
照射され、上記独立駆動手段３１により所望の画像のデ
ータを各々の上記薄膜両端固定梁２（１２）の上記反射
手段１（１１）の上記反射部１ａ（１１ａ）と上記延長
反射部１ｂ（１１ｂ）の反射面のミラーにより反射し、
投影レンズ３５、及び、絞り３６を介して上記投影スク
リーン８２に投影する。カラー表示を行うためには、上
記光源３２の前に回転カラーホール３７を設けたり、
又、性能向上のためにマイクロレンズアレー３８を用い
ることも出来る。従って、入射光束（Ｒ）の反射方向を
変えて光変調を行う構造が簡単で応答も速く、使用する
入射光の波長が制限されることなく、作動が安定で信頼
性も高く微細化され梁の固定保持領域が小さくても十分
な固定保持性を確保し、隣接素子への相互作用を抑制、
光の反射面積が増加して明るく、製造工程が少なく低コ
ストの２次元アレー形状に配置された複数個の上記光変
調装置０（１０）を具備するコントラストが上昇して高
解像性の上記画像投影表示装置８０を提供することが出
来るようになった。
画像投影表示装置８０は、投影画像データの入射光束
（Ｒ）の反射方向を変えて光変調を行なって画像を投影
する２次元アレー形状に配置された複数の上記光変調装
置０（１０）を各々独立に駆動する上記独立駆動手段３
１とからなる上記光情報処理装置３０からなる光スイッ
チ手段８１の各々の上記光変調装置０（１０）が画像を
投影スクリーン８２に投影して表示するようになってい
る。上記光スイッチ手段８１の上記光情報処理装置３０
は、上記光源３２からの入射光束（Ｒ）を２次元アレー
形状に配置された複数個の上記光変調装置０（１０）に
照射され、上記独立駆動手段３１により所望の画像のデ
ータを各々の上記薄膜両端固定梁２（１２）の上記反射
手段１（１１）の上記反射部１ａ（１１ａ）と上記延長
反射部１ｂ（１１ｂ）の反射面のミラーにより反射し、
投影レンズ３５、及び、絞り３６を介して上記投影スク
リーン８２に投影する。カラー表示を行うためには、上
記光源３２の前に回転カラーホール３７を設けたり、
又、性能向上のためにマイクロレンズアレー３８を用い
ることも出来る。従って、入射光束（Ｒ）の反射方向を
変えて光変調を行う構造が簡単で応答も速く、使用する
入射光の波長が制限されることなく、作動が安定で信頼
性も高く微細化され梁の固定保持領域が小さくても十分
な固定保持性を確保し、隣接素子への相互作用を抑制、
光の反射面積が増加して明るく、製造工程が少なく低コ
ストの２次元アレー形状に配置された複数個の上記光変
調装置０（１０）を具備するコントラストが上昇して高
解像性の上記画像投影表示装置８０を提供することが出
来るようになった。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１の発明に
よれば、入射光を正反射する反射手段を側面に組み合わ
せ構成する薄膜で形成され両端部が固定されて静電力で
変形する薄膜両端部固定梁の他方側面に形成される空隙
を介して薄膜両端部固定梁に対向して駆動電圧を印加す
る基板電極を形成して、薄膜両端部固定梁を保持する基
板の基板表面に薄膜両端部固定梁の両端部を固定して保
持する固定保持部上に、反射手段の反射部を延長反射部
に延長するようにしたので、入射光の反射方向を変えて
光変調を行う構造が簡単で応答も速く、使用する入射光
の波長が制限されることなく、作動が安定で信頼性も高
く、微細化され薄膜両端部固定梁の固定保持領域が小さ
くても十分な固定保持性を確保し、隣接素子への相互作
用を抑制し、光の反射面が増加して明るい光変調装置を
提供することが出来るようになった。請求項２の発明に
よれば、入射光を正反射する金属薄膜の反射手段を側面
に組み合わせ構成する薄膜で形成され両端部が固定され
て静電力で変形する薄膜両端部固定梁の他方側面に形成
される空隙を介して薄膜両端部固定梁に対向して駆動電
圧を印加する基板電極を形成して、薄膜両端部固定梁を
保持する基板の基板表面に薄膜両端部固定梁の両端部を
固定して保持する固定保持部上に、反射手段の反射部を
延長反射部に延長するようにしたので、薄膜両端部固定
梁を駆動する他方の電極を省略することが出来るように
なり、入射光の反射方向を変えて光変調を行う構造が更
に簡単で応答も速く、使用する入射光の波長が制限され
ることなく、作動が安定で信頼性も高く、微細化され薄
膜両端部固定梁の固定保持領域が小さくても十分な固定
保持性を確保し、隣接素子への相互作用を抑制し、光の
反射面が増加して明るい光変調装置を提供することが出
来るようになった。
よれば、入射光を正反射する反射手段を側面に組み合わ
せ構成する薄膜で形成され両端部が固定されて静電力で
変形する薄膜両端部固定梁の他方側面に形成される空隙
を介して薄膜両端部固定梁に対向して駆動電圧を印加す
る基板電極を形成して、薄膜両端部固定梁を保持する基
板の基板表面に薄膜両端部固定梁の両端部を固定して保
持する固定保持部上に、反射手段の反射部を延長反射部
に延長するようにしたので、入射光の反射方向を変えて
光変調を行う構造が簡単で応答も速く、使用する入射光
の波長が制限されることなく、作動が安定で信頼性も高
く、微細化され薄膜両端部固定梁の固定保持領域が小さ
くても十分な固定保持性を確保し、隣接素子への相互作
用を抑制し、光の反射面が増加して明るい光変調装置を
提供することが出来るようになった。請求項２の発明に
よれば、入射光を正反射する金属薄膜の反射手段を側面
に組み合わせ構成する薄膜で形成され両端部が固定され
て静電力で変形する薄膜両端部固定梁の他方側面に形成
される空隙を介して薄膜両端部固定梁に対向して駆動電
圧を印加する基板電極を形成して、薄膜両端部固定梁を
保持する基板の基板表面に薄膜両端部固定梁の両端部を
固定して保持する固定保持部上に、反射手段の反射部を
延長反射部に延長するようにしたので、薄膜両端部固定
梁を駆動する他方の電極を省略することが出来るように
なり、入射光の反射方向を変えて光変調を行う構造が更
に簡単で応答も速く、使用する入射光の波長が制限され
ることなく、作動が安定で信頼性も高く、微細化され薄
膜両端部固定梁の固定保持領域が小さくても十分な固定
保持性を確保し、隣接素子への相互作用を抑制し、光の
反射面が増加して明るい光変調装置を提供することが出
来るようになった。
【００２７】請求項３の発明によれば、入射光を正反射
する反射手段を側面に組み合わせ構成する薄膜で形成さ
れ両端部が固定されて静電力で変形する薄膜両端部固定
梁の他方側面に形成される空隙を介して薄膜両端部固定
梁に対向して駆動電圧を印加する基板電極を形成して、
薄膜両端部固定梁を保持する基板の基板表面に薄膜両端
部固定梁の両端部を固定して保持する固定保持部上に、
反射手段の反射部を延長反射部に延長すると共に薄膜両
端部固定梁は引っ張り応力を有する部材からなるように
したので、薄膜両端固定梁と基板電極の対向面で形成さ
れる空隔は駆動電圧が印加されない状態では絶えず同位
置にあることが容易となり薄膜両端部固定梁が撓んだ後
に元に戻る位置も安定して光変調性の制御が容易とな
り、入射光の反射方向を変えて光変調を行う構造が簡単
で応答も速く、使用する入射光の波長が制限されること
なく、作動が更に安定で信頼性も高く、微細化され薄膜
両端部固定梁の固定保持領域が小さくても十分な固定保
持性を確保し、隣接素子への相互作用を抑制し、光の反
射面が増加して明るい光変調装置を提供することが出来
るようになった。請求項４の発明によれば、入射光を正
反射する反射手段を側面に組み合わせ構成する薄膜で形
成され両端部が固定されて静電力で変形する薄膜両端部
固定梁の他方側面に形成される空隙を介して薄膜両端部
固定梁に対向して駆動電圧を印加する基板電極を形成し
て、薄膜両端部固定梁を保持する基板の基板表面に薄膜
両端部固定梁の両端部を固定して保持する固定保持部上
に、反射手段の反射部を延長反射部に延長すると共に薄
膜両端部固定梁は引っ張り応力を有する部材の窒化シリ
コン薄膜からなるようにしたので、薄膜両端固定梁と基
板電極の対向面で形成される空隔は駆動電圧が印加され
ない状態では絶えず同位置にあることが容易となり薄膜
両端部固定梁が撓んだ後に元に戻る位置も確実に安定し
て光変調性の制御が容易となり、入射光の反射方向を変
えて光変調を行う構造が簡単で応答も速く、使用する入
射光の波長が制限されることなく、作動が更に確実に安
定して信頼性も高く、微細化され薄膜両端部固定梁の固
定保持領域が小さくても十分な固定保持性を確保し、隣
接素子への相互作用を抑制し、光の反射面が増加して明
るい光変調装置を提供することが出来るようになった。
する反射手段を側面に組み合わせ構成する薄膜で形成さ
れ両端部が固定されて静電力で変形する薄膜両端部固定
梁の他方側面に形成される空隙を介して薄膜両端部固定
梁に対向して駆動電圧を印加する基板電極を形成して、
薄膜両端部固定梁を保持する基板の基板表面に薄膜両端
部固定梁の両端部を固定して保持する固定保持部上に、
反射手段の反射部を延長反射部に延長すると共に薄膜両
端部固定梁は引っ張り応力を有する部材からなるように
したので、薄膜両端固定梁と基板電極の対向面で形成さ
れる空隔は駆動電圧が印加されない状態では絶えず同位
置にあることが容易となり薄膜両端部固定梁が撓んだ後
に元に戻る位置も安定して光変調性の制御が容易とな
り、入射光の反射方向を変えて光変調を行う構造が簡単
で応答も速く、使用する入射光の波長が制限されること
なく、作動が更に安定で信頼性も高く、微細化され薄膜
両端部固定梁の固定保持領域が小さくても十分な固定保
持性を確保し、隣接素子への相互作用を抑制し、光の反
射面が増加して明るい光変調装置を提供することが出来
るようになった。請求項４の発明によれば、入射光を正
反射する反射手段を側面に組み合わせ構成する薄膜で形
成され両端部が固定されて静電力で変形する薄膜両端部
固定梁の他方側面に形成される空隙を介して薄膜両端部
固定梁に対向して駆動電圧を印加する基板電極を形成し
て、薄膜両端部固定梁を保持する基板の基板表面に薄膜
両端部固定梁の両端部を固定して保持する固定保持部上
に、反射手段の反射部を延長反射部に延長すると共に薄
膜両端部固定梁は引っ張り応力を有する部材の窒化シリ
コン薄膜からなるようにしたので、薄膜両端固定梁と基
板電極の対向面で形成される空隔は駆動電圧が印加され
ない状態では絶えず同位置にあることが容易となり薄膜
両端部固定梁が撓んだ後に元に戻る位置も確実に安定し
て光変調性の制御が容易となり、入射光の反射方向を変
えて光変調を行う構造が簡単で応答も速く、使用する入
射光の波長が制限されることなく、作動が更に確実に安
定して信頼性も高く、微細化され薄膜両端部固定梁の固
定保持領域が小さくても十分な固定保持性を確保し、隣
接素子への相互作用を抑制し、光の反射面が増加して明
るい光変調装置を提供することが出来るようになった。
【００２８】請求項５の発明によれば、入射光を正反射
する反射手段を側面に組み合わせ構成する薄膜で形成さ
れ両端部が固定されて静電力で変形する低抵抗材で形成
されている薄膜両端部固定梁の他方側面に形成される空
隙を介して薄膜両端部固定梁に対向して駆動電圧を印加
する基板電極を形成して、薄膜両端部固定梁を保持する
基板の基板表面に薄膜両端部固定梁の両端部を固定して
保持する固定保持部上に、反射手段の反射部を延長反射
部に延長するようにしたので、薄膜両端部固定梁を駆動
するための他方の電極を省略することが出来るようにな
り、入射光の反射方向を変えて光変調を行う構造が更に
簡単で応答も速く、使用する入射光の波長が制限される
ことなく、作動が安定で信頼性も高く、微細化され薄膜
両端部固定梁の固定保持領域が小さくても十分な固定保
持性を確保し、隣接素子への相互作用を抑制し、光の反
射面が増加して明るい光変調装置を提供することが出来
るようになった。請求項６の発明によれば、入射光を正
反射する反射手段を側面に組み合わせ構成する薄膜で形
成され両端部が固定されて静電力で変形するシリコンを
不純物により低抵抗化した低抵抗材で形成されている薄
膜両端部固定梁の他方側面に形成される空隙を介して薄
膜両端部固定梁に対向して駆動電圧を印加する基板電極
を形成して、薄膜両端部固定梁を保持する基板の基板表
面に薄膜両端部固定梁の両端部を固定して保持する固定
保持部上に、反射手段の反射部を延長反射部に延長する
ようにしたので、薄膜両端部固定梁を駆動するための他
方の電極を省略することが出来るようになり、入射光の
反射方向を変えて光変調を行う構造が更に簡単で応答も
速く、使用する入射光の波長が制限されることなく、作
動が安定で信頼性も高く、微細化され薄膜両端部固定梁
の固定保持領域が小さくても十分な固定保持性を確保
し、隣接素子への相互作用を抑制し、光の反射面が増加
して明るい光変調装置を提供することが出来るようにな
った。
する反射手段を側面に組み合わせ構成する薄膜で形成さ
れ両端部が固定されて静電力で変形する低抵抗材で形成
されている薄膜両端部固定梁の他方側面に形成される空
隙を介して薄膜両端部固定梁に対向して駆動電圧を印加
する基板電極を形成して、薄膜両端部固定梁を保持する
基板の基板表面に薄膜両端部固定梁の両端部を固定して
保持する固定保持部上に、反射手段の反射部を延長反射
部に延長するようにしたので、薄膜両端部固定梁を駆動
するための他方の電極を省略することが出来るようにな
り、入射光の反射方向を変えて光変調を行う構造が更に
簡単で応答も速く、使用する入射光の波長が制限される
ことなく、作動が安定で信頼性も高く、微細化され薄膜
両端部固定梁の固定保持領域が小さくても十分な固定保
持性を確保し、隣接素子への相互作用を抑制し、光の反
射面が増加して明るい光変調装置を提供することが出来
るようになった。請求項６の発明によれば、入射光を正
反射する反射手段を側面に組み合わせ構成する薄膜で形
成され両端部が固定されて静電力で変形するシリコンを
不純物により低抵抗化した低抵抗材で形成されている薄
膜両端部固定梁の他方側面に形成される空隙を介して薄
膜両端部固定梁に対向して駆動電圧を印加する基板電極
を形成して、薄膜両端部固定梁を保持する基板の基板表
面に薄膜両端部固定梁の両端部を固定して保持する固定
保持部上に、反射手段の反射部を延長反射部に延長する
ようにしたので、薄膜両端部固定梁を駆動するための他
方の電極を省略することが出来るようになり、入射光の
反射方向を変えて光変調を行う構造が更に簡単で応答も
速く、使用する入射光の波長が制限されることなく、作
動が安定で信頼性も高く、微細化され薄膜両端部固定梁
の固定保持領域が小さくても十分な固定保持性を確保
し、隣接素子への相互作用を抑制し、光の反射面が増加
して明るい光変調装置を提供することが出来るようにな
った。
【００２９】請求項７の発明によれば、入射光を正反射
する反射手段を側面に組み合わせ構成する薄膜で形成さ
れ両端部が固定されて静電力で変形する単結晶シリコン
薄膜で形成されている薄膜両端部固定梁の他方側面に形
成される空隙を介して薄膜両端部固定梁に対向して駆動
電圧を印加する基板電極を形成して、薄膜両端部固定梁
を保持する基板の基板表面に薄膜両端部固定梁の両端部
を固定して保持する固定保持部上に、反射手段の反射部
を延長反射部に延長するようにしたので、欠陥が少なく
寿命が長く、入射光の反射方向を変えて光変調を行う構
造が簡単で応答も速く、使用する入射光の波長が制限さ
れることなく、作動が安定で信頼性も高く、微細化され
薄膜両端部固定梁の固定保持領域が小さくても十分な固
定保持性を確保し、隣接素子への相互作用を抑制し、光
の反射面が増加して明るい光変調装置を提供することが
出来るようになった。請求項８の発明によれば、入射光
を正反射する反射手段を側面に組み合わせ構成する薄膜
で形成され両端部が固定されて静電力で変形する多結晶
シリコン薄膜で形成されている薄膜両端部固定梁の他方
側面に形成される空隙を介して薄膜両端部固定梁に対向
して駆動電圧を印加する基板電極を形成して、薄膜両端
部固定梁を保持する基板の基板表面に薄膜両端部固定梁
の両端部を固定して保持する固定保持部上に、反射手段
の反射部を延長反射部に延長するようにしたので、ＣＶ
Ｄ等の手法を用いることが出来るの低でコストとなり、
入射光の反射方向を変えて光変調を行う構造が簡単で応
答も速く、使用する入射光の波長が制限されることな
く、作動が安定で信頼性も高く、微細化され薄膜両端部
固定梁の固定保持領域が小さくても十分な固定保持性を
確保し、隣接素子への相互作用を抑制し、光の反射面が
増加して明るい光変調装置を提供することが出来るよう
になった。請求項９の発明によれば、入射光を正反射す
る反射手段を側面に組み合わせ構成する薄膜で形成され
両端部が固定されて静電力で変形する窒化シリコン薄膜
で形成されている薄膜両端部固定梁の他方側面に形成さ
れる空隙を介して薄膜両端部固定梁に対向して駆動電圧
を印加する基板電極を形成して、薄膜両端部固定梁を保
持する基板の基板表面に薄膜両端部固定梁の両端部を固
定して保持する固定保持部上に、反射手段の反射部を延
長反射部に延長するようにしたので、窒化シリコン薄膜
の引張応力の作用によりスイッチングの応答速度が速く
なり、入射光の反射方向を変えて光変調を行う構造が簡
単で応答も速く、使用する入射光の波長が制限されるこ
となく、作動が安定で信頼性も高く、微細化され薄膜両
端部固定梁の固定保持領域が小さくても十分な固定保持
性を確保し、隣接素子への相互作用を抑制し、光の反射
面が増加して明るい光変調装置を提供することが出来る
ようになった。
する反射手段を側面に組み合わせ構成する薄膜で形成さ
れ両端部が固定されて静電力で変形する単結晶シリコン
薄膜で形成されている薄膜両端部固定梁の他方側面に形
成される空隙を介して薄膜両端部固定梁に対向して駆動
電圧を印加する基板電極を形成して、薄膜両端部固定梁
を保持する基板の基板表面に薄膜両端部固定梁の両端部
を固定して保持する固定保持部上に、反射手段の反射部
を延長反射部に延長するようにしたので、欠陥が少なく
寿命が長く、入射光の反射方向を変えて光変調を行う構
造が簡単で応答も速く、使用する入射光の波長が制限さ
れることなく、作動が安定で信頼性も高く、微細化され
薄膜両端部固定梁の固定保持領域が小さくても十分な固
定保持性を確保し、隣接素子への相互作用を抑制し、光
の反射面が増加して明るい光変調装置を提供することが
出来るようになった。請求項８の発明によれば、入射光
を正反射する反射手段を側面に組み合わせ構成する薄膜
で形成され両端部が固定されて静電力で変形する多結晶
シリコン薄膜で形成されている薄膜両端部固定梁の他方
側面に形成される空隙を介して薄膜両端部固定梁に対向
して駆動電圧を印加する基板電極を形成して、薄膜両端
部固定梁を保持する基板の基板表面に薄膜両端部固定梁
の両端部を固定して保持する固定保持部上に、反射手段
の反射部を延長反射部に延長するようにしたので、ＣＶ
Ｄ等の手法を用いることが出来るの低でコストとなり、
入射光の反射方向を変えて光変調を行う構造が簡単で応
答も速く、使用する入射光の波長が制限されることな
く、作動が安定で信頼性も高く、微細化され薄膜両端部
固定梁の固定保持領域が小さくても十分な固定保持性を
確保し、隣接素子への相互作用を抑制し、光の反射面が
増加して明るい光変調装置を提供することが出来るよう
になった。請求項９の発明によれば、入射光を正反射す
る反射手段を側面に組み合わせ構成する薄膜で形成され
両端部が固定されて静電力で変形する窒化シリコン薄膜
で形成されている薄膜両端部固定梁の他方側面に形成さ
れる空隙を介して薄膜両端部固定梁に対向して駆動電圧
を印加する基板電極を形成して、薄膜両端部固定梁を保
持する基板の基板表面に薄膜両端部固定梁の両端部を固
定して保持する固定保持部上に、反射手段の反射部を延
長反射部に延長するようにしたので、窒化シリコン薄膜
の引張応力の作用によりスイッチングの応答速度が速く
なり、入射光の反射方向を変えて光変調を行う構造が簡
単で応答も速く、使用する入射光の波長が制限されるこ
となく、作動が安定で信頼性も高く、微細化され薄膜両
端部固定梁の固定保持領域が小さくても十分な固定保持
性を確保し、隣接素子への相互作用を抑制し、光の反射
面が増加して明るい光変調装置を提供することが出来る
ようになった。
【００３０】請求項１０の発明によれば、入射光を正反
射する反射手段を側面に組み合わせ構成する薄膜で形成
され両端部が固定されて静電力で変形する薄膜両端部固
定梁の他方側面に形成される空隙を介して薄膜両端部固
定梁に対向して駆動電圧を印加する基板電極を形成し
て、薄膜両端部固定梁を保持する基板の基板表面に薄膜
両端部固定梁の両端部を固定して保持する固定保持部上
に、反射手段の反射部を延長反射部に延長すると共に薄
膜両端部固定梁は基板の基板表面上に基板表面と平行に
配置するようにしたので、薄膜両端固定梁と基板電極の
対向面で形成される空隔は駆動電圧が印加されない状態
では絶えず同位置にあることが容易となり薄膜両端部固
定梁が撓んだ後に元に戻る位置も安定して光変調性の制
御が容易となり、入射光の反射方向を変えて光変調を行
う構造が簡単で応答も速く、使用する入射光の波長が制
限されることなく、作動が安定で信頼性も高く、微細化
され薄膜両端部固定梁の固定保持領域が小さくても十分
な固定保持性を確保し、隣接素子への相互作用を抑制
し、光の反射面が増加して明るい光変調装置を提供する
ことが出来るようになった。請求項１１の発明によれ
ば、入射光を正反射する反射手段を側面に組み合わせ構
成する薄膜で形成され両端部が固定されて静電力で変形
する薄膜両端部固定梁の他方側面に形成される空隙を介
して薄膜両端部固定梁に対向して駆動電圧を印加する基
板電極を形成して、薄膜両端部固定梁を保持する基板の
基板表面に薄膜両端部固定梁の両端部を固定して保持す
る固定保持部上に、反射手段の反射部を延長反射部に延
長すると共に基板は固定保持部に凹形状が形成された凹
形状部からなるようにしたので、入射光の反射方向を変
えて光変調を行う構造が簡単で応答も速く、使用する入
射光の波長が制限されることなく、作動が安定で信頼性
も高く、微細化され薄膜両端部固定梁の固定保持領域が
小さくても更に十分な固定保持性を確保し、隣接素子へ
の相互作用を抑制し、光の反射面が増加して明るい光変
調装置を提供することが出来るようになった。
射する反射手段を側面に組み合わせ構成する薄膜で形成
され両端部が固定されて静電力で変形する薄膜両端部固
定梁の他方側面に形成される空隙を介して薄膜両端部固
定梁に対向して駆動電圧を印加する基板電極を形成し
て、薄膜両端部固定梁を保持する基板の基板表面に薄膜
両端部固定梁の両端部を固定して保持する固定保持部上
に、反射手段の反射部を延長反射部に延長すると共に薄
膜両端部固定梁は基板の基板表面上に基板表面と平行に
配置するようにしたので、薄膜両端固定梁と基板電極の
対向面で形成される空隔は駆動電圧が印加されない状態
では絶えず同位置にあることが容易となり薄膜両端部固
定梁が撓んだ後に元に戻る位置も安定して光変調性の制
御が容易となり、入射光の反射方向を変えて光変調を行
う構造が簡単で応答も速く、使用する入射光の波長が制
限されることなく、作動が安定で信頼性も高く、微細化
され薄膜両端部固定梁の固定保持領域が小さくても十分
な固定保持性を確保し、隣接素子への相互作用を抑制
し、光の反射面が増加して明るい光変調装置を提供する
ことが出来るようになった。請求項１１の発明によれ
ば、入射光を正反射する反射手段を側面に組み合わせ構
成する薄膜で形成され両端部が固定されて静電力で変形
する薄膜両端部固定梁の他方側面に形成される空隙を介
して薄膜両端部固定梁に対向して駆動電圧を印加する基
板電極を形成して、薄膜両端部固定梁を保持する基板の
基板表面に薄膜両端部固定梁の両端部を固定して保持す
る固定保持部上に、反射手段の反射部を延長反射部に延
長すると共に基板は固定保持部に凹形状が形成された凹
形状部からなるようにしたので、入射光の反射方向を変
えて光変調を行う構造が簡単で応答も速く、使用する入
射光の波長が制限されることなく、作動が安定で信頼性
も高く、微細化され薄膜両端部固定梁の固定保持領域が
小さくても更に十分な固定保持性を確保し、隣接素子へ
の相互作用を抑制し、光の反射面が増加して明るい光変
調装置を提供することが出来るようになった。
【００３１】請求項１２の発明によれば、入射光を正反
射する反射手段を側面に組み合わせ構成する薄膜で形成
され両端部が固定されて静電力で変形する薄膜両端部固
定梁の他方側面に形成される空隙を介して薄膜両端部固
定梁に対向して駆動電圧を印加する基板電極を形成し
て、薄膜両端部固定梁を保持する基板の基板表面に薄膜
両端部固定梁の両端部を固定して保持する固定保持部上
に、反射手段の反射部を延長反射部に延長すると共に薄
膜両端部固定梁は基板に形成された凹形状部上の凹形状
に沿って形成された凹形状形成部とからなるようにした
ので、入射光の反射方向を変えて光変調を行う構造が簡
単で応答も速く、使用する入射光の波長が制限されるこ
となく、作動が安定で信頼性も高く、微細化され薄膜両
端部固定梁の固定保持領域が小さくても更に十分な固定
保持性を確保し、隣接素子への相互作用を抑制し、光の
反射面が増加して明るい光変調装置を提供することが出
来るようになった。請求項１３の発明によれば、入射光
を正反射する反射手段を側面に組み合わせ構成する薄膜
で形成され両端部が固定されて静電力で変形する薄膜両
端部固定梁の他方側面に形成される空隙を介して薄膜両
端部固定梁に対向して駆動電圧を印加する基板電極を形
成して、薄膜両端部固定梁を保持する基板の基板表面に
薄膜両端部固定梁の両端部を固定して保持する固定保持
部上に、反射手段の反射部を延長反射部に延長すると共
に薄膜両端部固定梁は空隙を介して非平行の基板電極の
対向面と対向するようにしたので、平行な空隙の場合よ
り低い駆動電圧で薄膜両端部固定梁の変形が進行するか
ら省資源で小型の装置となり、入射光の反射方向を変え
て光変調を行う構造が簡単で応答も速く、使用する入射
光の波長が制限されることなく、作動が安定で信頼性も
高く、微細化され薄膜両端部固定梁の固定保持領域が小
さくても十分な固定保持性を確保し、隣接素子への相互
作用を抑制し、光の反射面が増加して明るい光変調装置
を提供することが出来るようになった。
射する反射手段を側面に組み合わせ構成する薄膜で形成
され両端部が固定されて静電力で変形する薄膜両端部固
定梁の他方側面に形成される空隙を介して薄膜両端部固
定梁に対向して駆動電圧を印加する基板電極を形成し
て、薄膜両端部固定梁を保持する基板の基板表面に薄膜
両端部固定梁の両端部を固定して保持する固定保持部上
に、反射手段の反射部を延長反射部に延長すると共に薄
膜両端部固定梁は基板に形成された凹形状部上の凹形状
に沿って形成された凹形状形成部とからなるようにした
ので、入射光の反射方向を変えて光変調を行う構造が簡
単で応答も速く、使用する入射光の波長が制限されるこ
となく、作動が安定で信頼性も高く、微細化され薄膜両
端部固定梁の固定保持領域が小さくても更に十分な固定
保持性を確保し、隣接素子への相互作用を抑制し、光の
反射面が増加して明るい光変調装置を提供することが出
来るようになった。請求項１３の発明によれば、入射光
を正反射する反射手段を側面に組み合わせ構成する薄膜
で形成され両端部が固定されて静電力で変形する薄膜両
端部固定梁の他方側面に形成される空隙を介して薄膜両
端部固定梁に対向して駆動電圧を印加する基板電極を形
成して、薄膜両端部固定梁を保持する基板の基板表面に
薄膜両端部固定梁の両端部を固定して保持する固定保持
部上に、反射手段の反射部を延長反射部に延長すると共
に薄膜両端部固定梁は空隙を介して非平行の基板電極の
対向面と対向するようにしたので、平行な空隙の場合よ
り低い駆動電圧で薄膜両端部固定梁の変形が進行するか
ら省資源で小型の装置となり、入射光の反射方向を変え
て光変調を行う構造が簡単で応答も速く、使用する入射
光の波長が制限されることなく、作動が安定で信頼性も
高く、微細化され薄膜両端部固定梁の固定保持領域が小
さくても十分な固定保持性を確保し、隣接素子への相互
作用を抑制し、光の反射面が増加して明るい光変調装置
を提供することが出来るようになった。
【００３２】請求項１４の発明によれば、入射光を正反
射する反射手段を側面に組み合わせ構成する薄膜で形成
され両端部が固定されて静電力で変形する薄膜両端部固
定梁の他方側面に形成される空隙を介して薄膜両端部固
定梁に対向して駆動電圧を印加する基板電極を形成し
て、薄膜両端部固定梁を保持する基板の基板表面に薄膜
両端部固定梁の両端部を固定して保持する固定保持部上
に、反射手段の反射部を延長反射部に延長すると共に薄
膜両端部固定梁は駆動電圧の印加により変形して基板電
極の対向面に当接して変形が規制されて反射手段の入射
光の光変調を行うようにしたので、入射光の反射方向を
変えて光変調を行う構造が簡単で応答も速く、使用する
入射光の波長が制限されることなく、作動が確実に規制
されて更に安定で信頼性も高く、微細化され薄膜両端部
固定梁の固定保持領域が小さくても十分な固定保持性を
確保し、隣接素子への相互作用を抑制し、光の反射面が
増加して明るい光変調装置を提供することが出来るよう
になった。請求項１５の発明によれば、入射光を正反射
する反射手段を側面に組み合わせ構成する薄膜で形成さ
れ両端部が固定されて静電力で変形する薄膜両端部固定
梁の他方側面に形成される空隙を介して薄膜両端部固定
梁に対向して駆動電圧を印加する基板電極を形成して、
薄膜両端部固定梁を保持する基板の基板表面に薄膜両端
部固定梁の両端部を固定して保持する固定保持部上に、
反射手段の反射部を延長反射部に延長すると共に薄膜両
端部固定梁の被保持部は薄膜両端部固定梁の内側に配置
するようにしたので、入射光の反射方向を変えて光変調
を行う構造が簡単で応答も速く、使用する入射光の波長
が制限されることなく、作動が安定で信頼性も高く、微
細化され薄膜両端部固定梁の固定保持領域が小さくても
十分な固定保持性を確保し、隣接素子への相互作用を抑
制し、光の反射面が更に増加して明るい光変調装置を提
供することが出来るようになった。
射する反射手段を側面に組み合わせ構成する薄膜で形成
され両端部が固定されて静電力で変形する薄膜両端部固
定梁の他方側面に形成される空隙を介して薄膜両端部固
定梁に対向して駆動電圧を印加する基板電極を形成し
て、薄膜両端部固定梁を保持する基板の基板表面に薄膜
両端部固定梁の両端部を固定して保持する固定保持部上
に、反射手段の反射部を延長反射部に延長すると共に薄
膜両端部固定梁は駆動電圧の印加により変形して基板電
極の対向面に当接して変形が規制されて反射手段の入射
光の光変調を行うようにしたので、入射光の反射方向を
変えて光変調を行う構造が簡単で応答も速く、使用する
入射光の波長が制限されることなく、作動が確実に規制
されて更に安定で信頼性も高く、微細化され薄膜両端部
固定梁の固定保持領域が小さくても十分な固定保持性を
確保し、隣接素子への相互作用を抑制し、光の反射面が
増加して明るい光変調装置を提供することが出来るよう
になった。請求項１５の発明によれば、入射光を正反射
する反射手段を側面に組み合わせ構成する薄膜で形成さ
れ両端部が固定されて静電力で変形する薄膜両端部固定
梁の他方側面に形成される空隙を介して薄膜両端部固定
梁に対向して駆動電圧を印加する基板電極を形成して、
薄膜両端部固定梁を保持する基板の基板表面に薄膜両端
部固定梁の両端部を固定して保持する固定保持部上に、
反射手段の反射部を延長反射部に延長すると共に薄膜両
端部固定梁の被保持部は薄膜両端部固定梁の内側に配置
するようにしたので、入射光の反射方向を変えて光変調
を行う構造が簡単で応答も速く、使用する入射光の波長
が制限されることなく、作動が安定で信頼性も高く、微
細化され薄膜両端部固定梁の固定保持領域が小さくても
十分な固定保持性を確保し、隣接素子への相互作用を抑
制し、光の反射面が更に増加して明るい光変調装置を提
供することが出来るようになった。
【００３３】請求項１６の発明によれば、入射光を正反
射する反射手段を側面に組み合わせ構成する薄膜で形成
され両端部が固定されて静電力で変形する薄膜両端部固
定梁の他方側面に形成される空隙を介して薄膜両端部固
定梁に対向して駆動電圧を印加する基板電極を形成し
て、薄膜両端部固定梁を保持する基板の基板表面に薄膜
両端部固定梁の両端部を固定して保持する固定保持部上
に、反射手段の反射部を延長反射部に延長すると共に薄
膜両端部固定梁の被保持部は相対する両端部の２辺側を
基板の固定保持部に固定して保持するようにしたので、
入射光の反射方向を変えて光変調を行う構造が簡単で応
答も更に速く、使用する入射光の波長が制限されること
なく、作動が更に安定で信頼性も高く、微細化され薄膜
両端部固定梁の固定保持領域が小さくても十分な固定保
持性を確実に確保し、隣接素子への相互作用を抑制し、
光の反射面が増加して明るい光変調装置を提供すること
が出来るようになった。請求項１７の発明によれば、入
射光を正反射する反射手段を側面に組み合わせ構成する
薄膜で形成され両端部が固定されて静電力で変形する薄
膜両端部固定梁の他方側面に形成される空隙を介して薄
膜両端部固定梁に対向して駆動電圧を印加する基板電極
を形成して、薄膜両端部固定梁を保持する基板の基板表
面に薄膜両端部固定梁の両端部を固定して保持する固定
保持部上に、反射手段の反射部を延長反射部に延長する
と共に薄膜両端部固定梁の被保持部は相対する２辺の両
端部の４箇所を基板の４箇所固定保持部に固定して保持
するようにしたので、延長反射部の変位の妨げになるこ
となく、入射光の反射方向を変えて光変調を行う構造が
簡単で応答も速く、使用する入射光の波長が制限される
ことなく、作動が安定で信頼性も高く、微細化され薄膜
両端部固定梁の固定保持領域が小さくても十分な固定保
持性を確保し、隣接素子への相互作用を抑制し、光の反
射面が更に増加して明るい光変調装置を提供することが
出来るようになった。
射する反射手段を側面に組み合わせ構成する薄膜で形成
され両端部が固定されて静電力で変形する薄膜両端部固
定梁の他方側面に形成される空隙を介して薄膜両端部固
定梁に対向して駆動電圧を印加する基板電極を形成し
て、薄膜両端部固定梁を保持する基板の基板表面に薄膜
両端部固定梁の両端部を固定して保持する固定保持部上
に、反射手段の反射部を延長反射部に延長すると共に薄
膜両端部固定梁の被保持部は相対する両端部の２辺側を
基板の固定保持部に固定して保持するようにしたので、
入射光の反射方向を変えて光変調を行う構造が簡単で応
答も更に速く、使用する入射光の波長が制限されること
なく、作動が更に安定で信頼性も高く、微細化され薄膜
両端部固定梁の固定保持領域が小さくても十分な固定保
持性を確実に確保し、隣接素子への相互作用を抑制し、
光の反射面が増加して明るい光変調装置を提供すること
が出来るようになった。請求項１７の発明によれば、入
射光を正反射する反射手段を側面に組み合わせ構成する
薄膜で形成され両端部が固定されて静電力で変形する薄
膜両端部固定梁の他方側面に形成される空隙を介して薄
膜両端部固定梁に対向して駆動電圧を印加する基板電極
を形成して、薄膜両端部固定梁を保持する基板の基板表
面に薄膜両端部固定梁の両端部を固定して保持する固定
保持部上に、反射手段の反射部を延長反射部に延長する
と共に薄膜両端部固定梁の被保持部は相対する２辺の両
端部の４箇所を基板の４箇所固定保持部に固定して保持
するようにしたので、延長反射部の変位の妨げになるこ
となく、入射光の反射方向を変えて光変調を行う構造が
簡単で応答も速く、使用する入射光の波長が制限される
ことなく、作動が安定で信頼性も高く、微細化され薄膜
両端部固定梁の固定保持領域が小さくても十分な固定保
持性を確保し、隣接素子への相互作用を抑制し、光の反
射面が更に増加して明るい光変調装置を提供することが
出来るようになった。
【００３４】請求項１８の発明によれば、入射光を正反
射する反射手段を側面に組み合わせ構成する薄膜で形成
され両端部が固定されて静電力で変形する薄膜両端部固
定梁の他方側面に形成される空隙を介して薄膜両端部固
定梁に対向して駆動電圧を印加する基板電極を形成し
て、薄膜両端部固定梁を保持する基板の基板表面に薄膜
両端部固定梁の両端部を固定して保持する固定保持部上
に、反射手段の反射部を延長反射部に延長すると共に薄
膜両端部固定梁の被保持部側は薄膜両端部固定梁の長さ
に対して狭い幅の形状にするようにしたので、薄膜両端
部固定梁の被保持側の剛性が高くなり平行な断面内での
変位を抑制できて、入射光の反射方向を変えて光変調を
行う構造が簡単で応答も速く、使用する入射光の波長が
制限されることなく、作動が安定で信頼性も高く、微細
化され薄膜両端部固定梁の固定保持領域が小さくても十
分な固定保持性を確保し、隣接素子への相互作用を抑制
し、光の反射面が増加して明るい光変調装置を提供する
ことが出来るようになった。請求項１９の発明によれ
ば、入射光を正反射する反射手段を側面に組み合わせ構
成する薄膜で形成され両端部が固定されて静電力で変形
する薄膜両端部固定梁の他方側面に形成される空隙を介
して薄膜両端部固定梁に対向して駆動電圧を印加する基
板電極を形成して、薄膜両端部固定梁を保持する基板の
基板表面に薄膜両端部固定梁の両端部を固定して保持す
る固定保持部上に、反射手段の反射部を延長反射部に延
長すると共に反射手段の延長反射部側は反射手段の長さ
に対して狭い幅の形状にするようにしたので、薄膜両端
部固定梁の被保持側の剛性が高くなり平行な断面内での
変位を抑制できて、入射光の反射方向を変えて光変調を
行う構造が簡単で応答も速く、使用する入射光の波長が
制限されることなく、作動が安定で信頼性も高く、微細
化され薄膜両端部固定梁の固定保持領域が小さくても十
分な固定保持性を確保し、隣接素子への相互作用を抑制
し、光の反射面が増加して明るい光変調装置を提供する
ことが出来るようになった。
射する反射手段を側面に組み合わせ構成する薄膜で形成
され両端部が固定されて静電力で変形する薄膜両端部固
定梁の他方側面に形成される空隙を介して薄膜両端部固
定梁に対向して駆動電圧を印加する基板電極を形成し
て、薄膜両端部固定梁を保持する基板の基板表面に薄膜
両端部固定梁の両端部を固定して保持する固定保持部上
に、反射手段の反射部を延長反射部に延長すると共に薄
膜両端部固定梁の被保持部側は薄膜両端部固定梁の長さ
に対して狭い幅の形状にするようにしたので、薄膜両端
部固定梁の被保持側の剛性が高くなり平行な断面内での
変位を抑制できて、入射光の反射方向を変えて光変調を
行う構造が簡単で応答も速く、使用する入射光の波長が
制限されることなく、作動が安定で信頼性も高く、微細
化され薄膜両端部固定梁の固定保持領域が小さくても十
分な固定保持性を確保し、隣接素子への相互作用を抑制
し、光の反射面が増加して明るい光変調装置を提供する
ことが出来るようになった。請求項１９の発明によれ
ば、入射光を正反射する反射手段を側面に組み合わせ構
成する薄膜で形成され両端部が固定されて静電力で変形
する薄膜両端部固定梁の他方側面に形成される空隙を介
して薄膜両端部固定梁に対向して駆動電圧を印加する基
板電極を形成して、薄膜両端部固定梁を保持する基板の
基板表面に薄膜両端部固定梁の両端部を固定して保持す
る固定保持部上に、反射手段の反射部を延長反射部に延
長すると共に反射手段の延長反射部側は反射手段の長さ
に対して狭い幅の形状にするようにしたので、薄膜両端
部固定梁の被保持側の剛性が高くなり平行な断面内での
変位を抑制できて、入射光の反射方向を変えて光変調を
行う構造が簡単で応答も速く、使用する入射光の波長が
制限されることなく、作動が安定で信頼性も高く、微細
化され薄膜両端部固定梁の固定保持領域が小さくても十
分な固定保持性を確保し、隣接素子への相互作用を抑制
し、光の反射面が増加して明るい光変調装置を提供する
ことが出来るようになった。
【００３５】請求項２０の発明によれば、入射光を正反
射する反射手段を側面に組み合わせ構成する薄膜で形成
され両端部が固定されて静電力で変形する複数個を連接
して配置した薄膜両端部固定梁の他方側面に形成される
空隙を介して薄膜両端部固定梁に対向して駆動電圧を印
加する基板電極を形成して、薄膜両端部固定梁を保持す
る基板の基板表面に薄膜両端部固定梁の両端部を固定し
て保持する固定保持部上に、反射手段の反射部を延長反
射部に延長するようにしたので、入射光の反射方向を変
えて光変調を行う構造が簡単で応答も速く、使用する入
射光の波長が制限されることなく、作動が安定で信頼性
も高く、微細化され薄膜両端部固定梁の固定保持領域が
小さくても十分な固定保持性を確保し、隣接素子への相
互作用を抑制し、光の反射面が更に増加して明るい光変
調装置を提供することが出来るようになった。請求項２
１の発明によれば、入射光を正反射する反射手段を側面
に組み合わせ構成する薄膜で形成され両端部が固定され
て静電力で変形する薄膜両端部固定梁の他方側面に形成
される空隙を介して薄膜両端部固定梁に対向して駆動電
圧を印加する基板電極を形成して、薄膜両端部固定梁を
保持する基板の基板表面に薄膜両端部固定梁の両端部を
固定して保持する固定保持部上に、反射手段の反射部を
延長反射部に延長すると共に反射手段の延長反射部は複
数個を隣接して配置するようにしたので、入射光の反射
方向を変えて光変調を行う構造が簡単で応答も速く、使
用する入射光の波長が制限されることなく、作動が安定
で信頼性も高く、微細化され薄膜両端部固定梁の固定保
持領域が小さくても十分な固定保持性を確保し、隣接素
子への相互作用を抑制し、光の反射面が更に増加して明
るい光変調装置を提供することが出来るようになった。
請求項２２の発明によれば、入射光を正反射する反射手
段を側面に組み合わせ構成する薄膜で形成され両端部が
固定されて静電力で変形する薄膜両端部固定梁の他方側
面に形成される空隙を介して薄膜両端部固定梁に対向し
て駆動電圧を印加する基板電極を形成して、薄膜両端部
固定梁を保持する基板の基板表面に薄膜両端部固定梁の
両端部を固定して保持する固定保持部上に、複数個を連
接して配置した反射手段の反射部を延長反射部に延長す
るようにしたので、入射光の反射方向を変えて光変調を
行う構造が簡単で応答も速く、使用する入射光の波長が
制限されることなく、作動が安定で信頼性も高く、微細
化され薄膜両端部固定梁の固定保持領域が小さくても十
分な固定保持性を確保し、隣接素子への相互作用を抑制
し、光の反射面が更に増加して明るい光変調装置を提供
することが出来るようになった。
射する反射手段を側面に組み合わせ構成する薄膜で形成
され両端部が固定されて静電力で変形する複数個を連接
して配置した薄膜両端部固定梁の他方側面に形成される
空隙を介して薄膜両端部固定梁に対向して駆動電圧を印
加する基板電極を形成して、薄膜両端部固定梁を保持す
る基板の基板表面に薄膜両端部固定梁の両端部を固定し
て保持する固定保持部上に、反射手段の反射部を延長反
射部に延長するようにしたので、入射光の反射方向を変
えて光変調を行う構造が簡単で応答も速く、使用する入
射光の波長が制限されることなく、作動が安定で信頼性
も高く、微細化され薄膜両端部固定梁の固定保持領域が
小さくても十分な固定保持性を確保し、隣接素子への相
互作用を抑制し、光の反射面が更に増加して明るい光変
調装置を提供することが出来るようになった。請求項２
１の発明によれば、入射光を正反射する反射手段を側面
に組み合わせ構成する薄膜で形成され両端部が固定され
て静電力で変形する薄膜両端部固定梁の他方側面に形成
される空隙を介して薄膜両端部固定梁に対向して駆動電
圧を印加する基板電極を形成して、薄膜両端部固定梁を
保持する基板の基板表面に薄膜両端部固定梁の両端部を
固定して保持する固定保持部上に、反射手段の反射部を
延長反射部に延長すると共に反射手段の延長反射部は複
数個を隣接して配置するようにしたので、入射光の反射
方向を変えて光変調を行う構造が簡単で応答も速く、使
用する入射光の波長が制限されることなく、作動が安定
で信頼性も高く、微細化され薄膜両端部固定梁の固定保
持領域が小さくても十分な固定保持性を確保し、隣接素
子への相互作用を抑制し、光の反射面が更に増加して明
るい光変調装置を提供することが出来るようになった。
請求項２２の発明によれば、入射光を正反射する反射手
段を側面に組み合わせ構成する薄膜で形成され両端部が
固定されて静電力で変形する薄膜両端部固定梁の他方側
面に形成される空隙を介して薄膜両端部固定梁に対向し
て駆動電圧を印加する基板電極を形成して、薄膜両端部
固定梁を保持する基板の基板表面に薄膜両端部固定梁の
両端部を固定して保持する固定保持部上に、複数個を連
接して配置した反射手段の反射部を延長反射部に延長す
るようにしたので、入射光の反射方向を変えて光変調を
行う構造が簡単で応答も速く、使用する入射光の波長が
制限されることなく、作動が安定で信頼性も高く、微細
化され薄膜両端部固定梁の固定保持領域が小さくても十
分な固定保持性を確保し、隣接素子への相互作用を抑制
し、光の反射面が更に増加して明るい光変調装置を提供
することが出来るようになった。
【００３６】請求項２３の発明によれば、入射光を正反
射する反射手段を側面に組み合わせ構成する薄膜で形成
され両端部が固定されて静電力で変形する薄膜両端部固
定梁の他方側面に形成される空隙を介して薄膜両端部固
定梁に対向して駆動電圧を印加する基板電極を形成し
て、薄膜両端部固定梁を保持する基板の基板表面に薄膜
両端部固定梁の両端部を固定して保持する固定保持部上
に、反射手段の反射部を延長反射部に延長すると共に反
射手段の延長反射部は基板の基板表面より上方向に変位
するようにしたので、薄膜両端部固定梁を駆動すると同
時に延長反射部とその薄膜両端部固定梁部分を下方に駆
動する場合に比べて延長反射部の薄膜両端部固定梁部分
は撓まないので低電圧で駆動が可能で省資源となり、入
射光の反射方向を変えて光変調を行う構造が簡単で応答
も速く、使用する入射光の波長が制限されることなく、
作動が安定で信頼性も高く、微細化され薄膜両端部固定
梁の固定保持領域が小さくても十分な固定保持性を確保
し、隣接素子への相互作用を抑制し、光の反射面が増加
して明るい光変調装置を提供することが出来るようにな
った。請求項２４の発明によれば、入射光を正反射する
反射手段を側面に組み合わせ構成する薄膜で形成され両
端部が固定されて静電力で変形する薄膜両端部固定梁の
他方側面に形成される空隙を介して薄膜両端部固定梁に
対向して駆動電圧を印加する基板電極を形成して、薄膜
両端部固定梁を保持する基板の基板表面に薄膜両端部固
定梁の両端部を固定して保持する固定保持部上に、反射
手段の反射部を延長反射部に延長すると共に反射手段の
延長反射部の薄膜両端部固定梁は反射部の上記薄膜両端
部固定梁の厚さに対してより厚くするようにしたので、
被保持側の剛性が高くなり平行な断面内での変位を抑制
できて、入射光の反射方向を変えて光変調を行う構造が
簡単で応答も速く、使用する入射光の波長が制限される
ことなく、作動が安定で信頼性も高く、微細化され薄膜
両端部固定梁の固定保持領域が小さくても十分な固定保
持性を確保し、隣接素子への相互作用を抑制し、光の反
射面が増加して明るい光変調装置を提供することが出来
るようになった。
射する反射手段を側面に組み合わせ構成する薄膜で形成
され両端部が固定されて静電力で変形する薄膜両端部固
定梁の他方側面に形成される空隙を介して薄膜両端部固
定梁に対向して駆動電圧を印加する基板電極を形成し
て、薄膜両端部固定梁を保持する基板の基板表面に薄膜
両端部固定梁の両端部を固定して保持する固定保持部上
に、反射手段の反射部を延長反射部に延長すると共に反
射手段の延長反射部は基板の基板表面より上方向に変位
するようにしたので、薄膜両端部固定梁を駆動すると同
時に延長反射部とその薄膜両端部固定梁部分を下方に駆
動する場合に比べて延長反射部の薄膜両端部固定梁部分
は撓まないので低電圧で駆動が可能で省資源となり、入
射光の反射方向を変えて光変調を行う構造が簡単で応答
も速く、使用する入射光の波長が制限されることなく、
作動が安定で信頼性も高く、微細化され薄膜両端部固定
梁の固定保持領域が小さくても十分な固定保持性を確保
し、隣接素子への相互作用を抑制し、光の反射面が増加
して明るい光変調装置を提供することが出来るようにな
った。請求項２４の発明によれば、入射光を正反射する
反射手段を側面に組み合わせ構成する薄膜で形成され両
端部が固定されて静電力で変形する薄膜両端部固定梁の
他方側面に形成される空隙を介して薄膜両端部固定梁に
対向して駆動電圧を印加する基板電極を形成して、薄膜
両端部固定梁を保持する基板の基板表面に薄膜両端部固
定梁の両端部を固定して保持する固定保持部上に、反射
手段の反射部を延長反射部に延長すると共に反射手段の
延長反射部の薄膜両端部固定梁は反射部の上記薄膜両端
部固定梁の厚さに対してより厚くするようにしたので、
被保持側の剛性が高くなり平行な断面内での変位を抑制
できて、入射光の反射方向を変えて光変調を行う構造が
簡単で応答も速く、使用する入射光の波長が制限される
ことなく、作動が安定で信頼性も高く、微細化され薄膜
両端部固定梁の固定保持領域が小さくても十分な固定保
持性を確保し、隣接素子への相互作用を抑制し、光の反
射面が増加して明るい光変調装置を提供することが出来
るようになった。
【００３７】請求項２５の発明によれば、入射光を正反
射する反射手段を側面に組み合わせ構成する薄膜で形成
され両端部が固定されて静電力で変形する薄膜両端部固
定梁の他方側面に形成される空隙を介して薄膜両端部固
定梁に対向して駆動電圧を印加する基板電極を形成し
て、薄膜両端部固定梁を保持する基板の基板表面に薄膜
両端部固定梁の両端部を固定して保持する固定保持部上
に、反射手段の反射部を延長反射部に延長すると共に薄
膜両端部固定梁と非平行の基板電極の対向面と対向して
形成される空隙の頂部の一端側に空隙部を形成するよう
にしたので、薄膜両端部固定梁の基板電極の対向面に当
接時にほぼ完全に入射光を薄膜両端部固定梁がＯＦＦ状
態の時と異なる方向に反射光を変調できて迷光が減少し
て、入射光の反射方向を変えて光変調を行う構造が簡単
で応答も速く、使用する入射光の波長が制限されること
なく、作動が更に安定で信頼性も高く、微細化され薄膜
両端部固定梁の固定保持領域が小さくても十分な固定保
持性を確保し、隣接素子への相互作用を抑制し、光の反
射面が増加して明るい光変調装置を提供することが出来
るようになった。請求項２６の発明によれば、入射光を
正反射する反射手段を側面に組み合わせ構成する薄膜で
形成され両端部が固定されて静電力で変形する薄膜両端
部固定梁の他方側面に形成される空隙を介して薄膜両端
部固定梁に対向して駆動電圧を印加する基板電極を形成
して、薄膜両端部固定梁を保持する基板の基板表面に薄
膜両端部固定梁の両端部を固定して保持する固定保持部
上に、反射手段の反射部を延長反射部に延長すると共に
基板は振動の伝播を抑制する振動伝播抑制部とからなる
ようにしたので、薄膜両端部固定梁の変形により伝搬す
る振動が抑制されて隣接素子間の相互作用が抑制され、
入射光の反射方向を変えて光変調を行う構造が簡単で応
答も速く、使用する入射光の波長が制限されることな
く、作動が安定で信頼性も高く、微細化され薄膜両端部
固定梁の固定保持領域が小さくても十分な固定保持性を
確保し、隣接素子への相互作用を更に抑制し、光の反射
面が増加して明るい光変調装置を提供することが出来る
ようになった。
射する反射手段を側面に組み合わせ構成する薄膜で形成
され両端部が固定されて静電力で変形する薄膜両端部固
定梁の他方側面に形成される空隙を介して薄膜両端部固
定梁に対向して駆動電圧を印加する基板電極を形成し
て、薄膜両端部固定梁を保持する基板の基板表面に薄膜
両端部固定梁の両端部を固定して保持する固定保持部上
に、反射手段の反射部を延長反射部に延長すると共に薄
膜両端部固定梁と非平行の基板電極の対向面と対向して
形成される空隙の頂部の一端側に空隙部を形成するよう
にしたので、薄膜両端部固定梁の基板電極の対向面に当
接時にほぼ完全に入射光を薄膜両端部固定梁がＯＦＦ状
態の時と異なる方向に反射光を変調できて迷光が減少し
て、入射光の反射方向を変えて光変調を行う構造が簡単
で応答も速く、使用する入射光の波長が制限されること
なく、作動が更に安定で信頼性も高く、微細化され薄膜
両端部固定梁の固定保持領域が小さくても十分な固定保
持性を確保し、隣接素子への相互作用を抑制し、光の反
射面が増加して明るい光変調装置を提供することが出来
るようになった。請求項２６の発明によれば、入射光を
正反射する反射手段を側面に組み合わせ構成する薄膜で
形成され両端部が固定されて静電力で変形する薄膜両端
部固定梁の他方側面に形成される空隙を介して薄膜両端
部固定梁に対向して駆動電圧を印加する基板電極を形成
して、薄膜両端部固定梁を保持する基板の基板表面に薄
膜両端部固定梁の両端部を固定して保持する固定保持部
上に、反射手段の反射部を延長反射部に延長すると共に
基板は振動の伝播を抑制する振動伝播抑制部とからなる
ようにしたので、薄膜両端部固定梁の変形により伝搬す
る振動が抑制されて隣接素子間の相互作用が抑制され、
入射光の反射方向を変えて光変調を行う構造が簡単で応
答も速く、使用する入射光の波長が制限されることな
く、作動が安定で信頼性も高く、微細化され薄膜両端部
固定梁の固定保持領域が小さくても十分な固定保持性を
確保し、隣接素子への相互作用を更に抑制し、光の反射
面が増加して明るい光変調装置を提供することが出来る
ようになった。
【００３８】請求項２７の発明によれば、入射光を正反
射する反射手段を側面に組み合わせ構成する薄膜で形成
され両端部が固定されて静電力で変形する薄膜両端部固
定梁の他方側面に形成される空隙を介して薄膜両端部固
定梁に対向して駆動電圧を印加する基板電極を形成し
て、薄膜両端部固定梁を保持する基板の基板表面に薄膜
両端部固定梁の両端部を固定して保持する固定保持部上
に、反射手段の反射部を延長反射部に延長すると共に基
板は振動の伝播を抑制する振動伝播抑制部を凹形状部の
内側に形成するようにしたので、薄膜両端部固定梁の変
形により伝搬する振動が抑制されて隣接素子間の相互作
用が確実に抑制され、入射光の反射方向を変えて光変調
を行う構造が簡単で応答も速く、使用する入射光の波長
が制限されることなく、作動が安定で信頼性も高く、微
細化され薄膜両端部固定梁の固定保持領域が小さくても
十分な固定保持性を確保し、隣接素子への相互作用を更
に確実に抑制し、光の反射面が増加して明るい光変調装
置を提供することが出来るようになった。請求項２８の
発明によれば、基板の基板表面上に薄膜両端部固定梁と
基板電極の対向面が対向して形成される空隙と凹形状部
の該当部を形成した後に、犠牲材料からなる犠牲材料層
を形成して基板の基板表面上を平坦化して、薄膜両端部
固定梁を形成して反射手段の反射部と延長反射部を形成
した後に、犠牲材料層を除去するようにしたので、入射
光の反射方向を変えて光変調を行う構造が簡単で応答も
速く、使用する入射光の波長が制限されることなく、作
動が安定で信頼性も高く、微細化され梁の固定保持領域
が小さくても十分な固定保持性を確保し、隣接素子への
相互作用を抑制し、光の反射面が増加して明るく、製造
工程が少なく低コストの光変調装置の製造方法を提供す
ることが出来るようになった。請求項２９の発明によれ
ば、基板の基板表面上に薄膜両端部固定梁と基板電極の
対向面が対向して形成される空隙と凹形状部の該当部を
形成した後に、犠牲材料からなる犠牲材料層を形成して
基板の基板表面上を平坦化して、薄膜両端部固定梁を形
成して反射手段の反射部と延長反射部を形成した後に、
犠牲材料層を除去する為に基板上に酸化膜を形成する基
板上酸化膜形成工程と、基板の基板表面上に薄膜両端部
固定梁と基板電極の対向面が対向して形成される空隙と
凹形状部の該当部を形成する空隙と凹形状部の該当部形
成工程と、基板の基板表面上の空隙中に基板電極を形成
する基板電極形成工程と、基板の基板表面上の空隙と凹
形状部に犠牲材料からなる犠牲材料層を形成する犠牲材
料層形成工程と、基板の基板表面上の凹形状部の犠牲材
料層を除去する凹形状部犠牲材料層除去工程と、犠牲材
料層上に薄膜両端部固定梁を形成する薄膜両端部固定梁
形成工程と、平坦化する平坦化工程と、犠牲材料層エッ
チング穴を開口する犠牲材料層エッチング穴開口工程
と、反射手段の反射部と延長反射部を形成する反射手段
形成工程と、凹形状部の犠牲材料層を除去する凹形状部
犠牲材料層除去工程と、空隙の犠牲材料層を除去する空
隙犠牲材料層除去工程とからなる光変調装置を製造する
ようにしたので、入射光の反射方向を変えて光変調を行
う構造が簡単で応答も速く、使用する入射光の波長が制
限されることなく、作動が安定で信頼性も高く、微細化
され梁の固定保持領域が小さくても十分な固定保持性を
確保し、隣接素子への相互作用を抑制し、光の反射面が
増加して明るく、製造工程が少なく低コストの光変調装
置の製造方法を提供することが出来るようになった。
射する反射手段を側面に組み合わせ構成する薄膜で形成
され両端部が固定されて静電力で変形する薄膜両端部固
定梁の他方側面に形成される空隙を介して薄膜両端部固
定梁に対向して駆動電圧を印加する基板電極を形成し
て、薄膜両端部固定梁を保持する基板の基板表面に薄膜
両端部固定梁の両端部を固定して保持する固定保持部上
に、反射手段の反射部を延長反射部に延長すると共に基
板は振動の伝播を抑制する振動伝播抑制部を凹形状部の
内側に形成するようにしたので、薄膜両端部固定梁の変
形により伝搬する振動が抑制されて隣接素子間の相互作
用が確実に抑制され、入射光の反射方向を変えて光変調
を行う構造が簡単で応答も速く、使用する入射光の波長
が制限されることなく、作動が安定で信頼性も高く、微
細化され薄膜両端部固定梁の固定保持領域が小さくても
十分な固定保持性を確保し、隣接素子への相互作用を更
に確実に抑制し、光の反射面が増加して明るい光変調装
置を提供することが出来るようになった。請求項２８の
発明によれば、基板の基板表面上に薄膜両端部固定梁と
基板電極の対向面が対向して形成される空隙と凹形状部
の該当部を形成した後に、犠牲材料からなる犠牲材料層
を形成して基板の基板表面上を平坦化して、薄膜両端部
固定梁を形成して反射手段の反射部と延長反射部を形成
した後に、犠牲材料層を除去するようにしたので、入射
光の反射方向を変えて光変調を行う構造が簡単で応答も
速く、使用する入射光の波長が制限されることなく、作
動が安定で信頼性も高く、微細化され梁の固定保持領域
が小さくても十分な固定保持性を確保し、隣接素子への
相互作用を抑制し、光の反射面が増加して明るく、製造
工程が少なく低コストの光変調装置の製造方法を提供す
ることが出来るようになった。請求項２９の発明によれ
ば、基板の基板表面上に薄膜両端部固定梁と基板電極の
対向面が対向して形成される空隙と凹形状部の該当部を
形成した後に、犠牲材料からなる犠牲材料層を形成して
基板の基板表面上を平坦化して、薄膜両端部固定梁を形
成して反射手段の反射部と延長反射部を形成した後に、
犠牲材料層を除去する為に基板上に酸化膜を形成する基
板上酸化膜形成工程と、基板の基板表面上に薄膜両端部
固定梁と基板電極の対向面が対向して形成される空隙と
凹形状部の該当部を形成する空隙と凹形状部の該当部形
成工程と、基板の基板表面上の空隙中に基板電極を形成
する基板電極形成工程と、基板の基板表面上の空隙と凹
形状部に犠牲材料からなる犠牲材料層を形成する犠牲材
料層形成工程と、基板の基板表面上の凹形状部の犠牲材
料層を除去する凹形状部犠牲材料層除去工程と、犠牲材
料層上に薄膜両端部固定梁を形成する薄膜両端部固定梁
形成工程と、平坦化する平坦化工程と、犠牲材料層エッ
チング穴を開口する犠牲材料層エッチング穴開口工程
と、反射手段の反射部と延長反射部を形成する反射手段
形成工程と、凹形状部の犠牲材料層を除去する凹形状部
犠牲材料層除去工程と、空隙の犠牲材料層を除去する空
隙犠牲材料層除去工程とからなる光変調装置を製造する
ようにしたので、入射光の反射方向を変えて光変調を行
う構造が簡単で応答も速く、使用する入射光の波長が制
限されることなく、作動が安定で信頼性も高く、微細化
され梁の固定保持領域が小さくても十分な固定保持性を
確保し、隣接素子への相互作用を抑制し、光の反射面が
増加して明るく、製造工程が少なく低コストの光変調装
置の製造方法を提供することが出来るようになった。
【００３９】請求項３０の発明によれば、基板の基板表
面上に薄膜両端部固定梁と基板電極の対向面が対向して
形成される空隙と凹形状部の該当部を形成した後に、犠
牲材料からなる犠牲材料層を形成して基板の基板表面上
を平坦化して、薄膜両端部固定梁を形成して反射手段の
反射部と延長反射部を形成した後に、犠牲材料層を除去
する為に、基板上に酸化膜を形成する基板上酸化膜形成
工程と、基板の基板表面上に薄膜両端部固定梁と基板電
極の対向面が対向して形成される空隙と凹形状部の該当
部を形成する空隙と凹形状部の該当部形成工程と、基板
の基板表面上の空隙中に基板電極を形成する基板電極形
成工程と、基板の基板表面上の空隙と凹形状部に犠牲材
料からなる犠牲材料層を形成して平坦化する犠牲材料層
形成平坦化工程と、犠牲材料層上に薄膜両端部固定梁を
形成する薄膜両端部固定梁形成工程と、反射手段の反射
部と延長反射部を形成する反射手段形成工程と、犠牲材
料層を除去する犠牲材料層除去工程とからなる光変調装
置を製造するようにしたので、入射光の反射方向を変え
て光変調を行う構造が簡単で応答も速く、使用する入射
光の波長が制限されることなく、作動が安定で信頼性も
高く、微細化され梁の固定保持領域が小さくても十分な
固定保持性を確保し、隣接素子への相互作用を抑制し、
光の反射面が増加して明るく、製造工程が少なく低コス
トの光変調装置の製造方法を提供することが出来るよう
になった。
面上に薄膜両端部固定梁と基板電極の対向面が対向して
形成される空隙と凹形状部の該当部を形成した後に、犠
牲材料からなる犠牲材料層を形成して基板の基板表面上
を平坦化して、薄膜両端部固定梁を形成して反射手段の
反射部と延長反射部を形成した後に、犠牲材料層を除去
する為に、基板上に酸化膜を形成する基板上酸化膜形成
工程と、基板の基板表面上に薄膜両端部固定梁と基板電
極の対向面が対向して形成される空隙と凹形状部の該当
部を形成する空隙と凹形状部の該当部形成工程と、基板
の基板表面上の空隙中に基板電極を形成する基板電極形
成工程と、基板の基板表面上の空隙と凹形状部に犠牲材
料からなる犠牲材料層を形成して平坦化する犠牲材料層
形成平坦化工程と、犠牲材料層上に薄膜両端部固定梁を
形成する薄膜両端部固定梁形成工程と、反射手段の反射
部と延長反射部を形成する反射手段形成工程と、犠牲材
料層を除去する犠牲材料層除去工程とからなる光変調装
置を製造するようにしたので、入射光の反射方向を変え
て光変調を行う構造が簡単で応答も速く、使用する入射
光の波長が制限されることなく、作動が安定で信頼性も
高く、微細化され梁の固定保持領域が小さくても十分な
固定保持性を確保し、隣接素子への相互作用を抑制し、
光の反射面が増加して明るく、製造工程が少なく低コス
トの光変調装置の製造方法を提供することが出来るよう
になった。
【００４０】請求項３１の発明によれば、基板の基板表
面上に薄膜両端部固定梁と基板電極の対向面が対向して
形成される空隙と凹形状部の該当部を形成した後に、犠
牲材料からなる犠牲材料層を形成して基板の基板表面上
を平坦化して、薄膜両端部固定梁を形成して反射手段の
反射部と延長反射部を形成した後に、犠牲材料層を除去
する為に、基板上に酸化膜を形成する基板上酸化膜形成
工程と、基板の基板表面上に薄膜両端部固定梁と基板電
極の対向面が対向して形成される空隙と凹形状部の該当
部を形成する空隙と凹形状部の該当部形成工程と、基板
の基板表面上の空隙中に基板電極を形成する基板電極形
成工程と、基板の基板表面上の空隙と凹形状部に犠牲材
料からなる犠牲材料層を形成して平坦化する犠牲材料層
形成平坦化工程と、犠牲材料層上に薄膜両端部固定梁を
形成する薄膜両端部固定梁形成工程と、反射手段の延長
反射部の薄膜両端部固定梁は反射部の薄膜両端部固定梁
の厚さに対してより厚くする延長反射部を厚くする工程
と、反射手段の反射部と延長反射部を形成する反射手段
形成工程と、犠牲材料層を除去する犠牲材料層除去工程
とからなる光変調装置を製造するようにしたので、被保
持側の剛性が高くなり平行な断面内での変位を抑制でき
る、入射光の反射方向を変えて光変調を行う構造が簡単
で応答も速く、使用する入射光の波長が制限されること
なく、作動が安定で信頼性も高く、微細化され梁の固定
保持領域が小さくても十分な固定保持性を確保し、隣接
素子への相互作用を抑制し、光の反射面が増加して明る
く、製造工程が少なく低コストの光変調装置の製造方法
を提供することが出来るようになった。
面上に薄膜両端部固定梁と基板電極の対向面が対向して
形成される空隙と凹形状部の該当部を形成した後に、犠
牲材料からなる犠牲材料層を形成して基板の基板表面上
を平坦化して、薄膜両端部固定梁を形成して反射手段の
反射部と延長反射部を形成した後に、犠牲材料層を除去
する為に、基板上に酸化膜を形成する基板上酸化膜形成
工程と、基板の基板表面上に薄膜両端部固定梁と基板電
極の対向面が対向して形成される空隙と凹形状部の該当
部を形成する空隙と凹形状部の該当部形成工程と、基板
の基板表面上の空隙中に基板電極を形成する基板電極形
成工程と、基板の基板表面上の空隙と凹形状部に犠牲材
料からなる犠牲材料層を形成して平坦化する犠牲材料層
形成平坦化工程と、犠牲材料層上に薄膜両端部固定梁を
形成する薄膜両端部固定梁形成工程と、反射手段の延長
反射部の薄膜両端部固定梁は反射部の薄膜両端部固定梁
の厚さに対してより厚くする延長反射部を厚くする工程
と、反射手段の反射部と延長反射部を形成する反射手段
形成工程と、犠牲材料層を除去する犠牲材料層除去工程
とからなる光変調装置を製造するようにしたので、被保
持側の剛性が高くなり平行な断面内での変位を抑制でき
る、入射光の反射方向を変えて光変調を行う構造が簡単
で応答も速く、使用する入射光の波長が制限されること
なく、作動が安定で信頼性も高く、微細化され梁の固定
保持領域が小さくても十分な固定保持性を確保し、隣接
素子への相互作用を抑制し、光の反射面が増加して明る
く、製造工程が少なく低コストの光変調装置の製造方法
を提供することが出来るようになった。
【００４１】請求項３２の発明によれば、回動可能に保
持されて形成画像を担持する画像担持体上を光書き込み
を行なって潜像を形成する請求項１乃至２７の何れか一
項に記載の光変調装置からなる潜像形成手段の光変調装
置によって形成された潜像を顕像化してトナー画像を形
成する現像手段で形成されたトナー画像を転写手段で被
転写体に転写して画像を形成するようにしたので、入射
光の反射方向を変えて光変調を行う構造が簡単で応答も
速く、使用する入射光の波長が制限されることなく、作
動が安定で信頼性も高く、微細化され梁の固定保持領域
が小さくても十分な固定保持性を確保し、隣接素子への
相互作用を抑制し、光の反射面が増加して明るく、信号
対ノイズのＳ／Ｎ比が向上して高解像性の光変調装置を
具備する画像形成装置を提供することが出来るようにな
った。請求項３３の発明によれば、画像投影データの入
射光の反射方向を変えて光変調を行なって画像を投影し
て表示する請求項１乃至２７の何れか一項に記載の光変
調装置からなる光スイッチ手段が投影スクリーンに画像
を投影して表示するようにしたので、入射光の反射方向
を変えて光変調を行う構造が簡単で応答も速く、使用す
る入射光の波長が制限されることなく、作動が安定で信
頼性も高く、微細化され梁の固定保持領域が小さくても
十分な固定保持性を確保し、隣接素子への相互作用を抑
制し、光の反射面が増加して明るく、コントラストが上
昇して高解像性の光変調装置を具備する画像投影表示装
置を提供することが出来るようになった。
持されて形成画像を担持する画像担持体上を光書き込み
を行なって潜像を形成する請求項１乃至２７の何れか一
項に記載の光変調装置からなる潜像形成手段の光変調装
置によって形成された潜像を顕像化してトナー画像を形
成する現像手段で形成されたトナー画像を転写手段で被
転写体に転写して画像を形成するようにしたので、入射
光の反射方向を変えて光変調を行う構造が簡単で応答も
速く、使用する入射光の波長が制限されることなく、作
動が安定で信頼性も高く、微細化され梁の固定保持領域
が小さくても十分な固定保持性を確保し、隣接素子への
相互作用を抑制し、光の反射面が増加して明るく、信号
対ノイズのＳ／Ｎ比が向上して高解像性の光変調装置を
具備する画像形成装置を提供することが出来るようにな
った。請求項３３の発明によれば、画像投影データの入
射光の反射方向を変えて光変調を行なって画像を投影し
て表示する請求項１乃至２７の何れか一項に記載の光変
調装置からなる光スイッチ手段が投影スクリーンに画像
を投影して表示するようにしたので、入射光の反射方向
を変えて光変調を行う構造が簡単で応答も速く、使用す
る入射光の波長が制限されることなく、作動が安定で信
頼性も高く、微細化され梁の固定保持領域が小さくても
十分な固定保持性を確保し、隣接素子への相互作用を抑
制し、光の反射面が増加して明るく、コントラストが上
昇して高解像性の光変調装置を具備する画像投影表示装
置を提供することが出来るようになった。
【図１】本発明の実施の形態例を示す光変調装置を説明
する説明図である。
する説明図である。
【図２】図１のＥ−Ｅ線断面図である。
【図３】本発明の実施の形態例を示す光変調装置の主要
部の動作を説明する説明図である。
部の動作を説明する説明図である。
【図４】本発明の実施の形態例を示す光変調装置の他の
主要部の状態を説明する拡大説明図である。
主要部の状態を説明する拡大説明図である。
【図５】本発明の他の実施の形態例を示す光変調装置の
主要部の状態を説明する拡大説明図である。
主要部の状態を説明する拡大説明図である。
【図６】本発明の実施の形態例を示す光変調装置の製造
方法の主要部の工程を説明する説明図である。
方法の主要部の工程を説明する説明図である。
【図７】本発明の実施の形態例を示す光変調装置の製造
方法の他の主要部の工程を説明する説明図である。
方法の他の主要部の工程を説明する説明図である。
【図８】本発明の実施の形態例を示す光変調装置の製造
方法の他の主要部の工程を説明する説明図である。
方法の他の主要部の工程を説明する説明図である。
【図９】本発明の実施の形態例を示す光変調装置の製造
方法の他の主要部の工程を説明する説明図である。
方法の他の主要部の工程を説明する説明図である。
【図１０】本発明の実施の形態例を示す光変調装置の製
造方法の他の主要部の工程を説明する説明図である。
造方法の他の主要部の工程を説明する説明図である。
【図１１】本発明の実施の形態例を示す光変調装置の製
造方法の他の主要部の工程を説明する説明図である。
造方法の他の主要部の工程を説明する説明図である。
【図１２】本発明の実施の形態例を示す光変調装置の製
造方法の他の主要部の工程を説明する説明図である。
造方法の他の主要部の工程を説明する説明図である。
【図１３】図１２の平面図である。
【図１４】本発明の実施の形態例を示す光変調装置の製
造方法の他の主要部の工程を説明する説明図である。
造方法の他の主要部の工程を説明する説明図である。
【図１５】図１４の平面図である。
【図１６】本発明の実施の形態例を示す光変調装置の製
造方法の他の主要部の工程を説明する説明図である。
造方法の他の主要部の工程を説明する説明図である。
【図１７】図１６の平面図である。
【図１８】本発明の実施の形態例を示す光変調装置の製
造方法の他の主要部の工程を説明する説明図である。
造方法の他の主要部の工程を説明する説明図である。
【図１９】図１８の平面図である。
【図２０】本発明の実施の形態例を示す光変調装置の製
造方法の他の主要部の工程を説明する説明図である。
造方法の他の主要部の工程を説明する説明図である。
【図２１】本発明の他の実施の形態例を示す光変調装置
を説明する説明図である。
を説明する説明図である。
【図２２】図２１のＦ−Ｆ線断面図である。
【図２３】本発明の他の実施の形態例を示す光変調装置
の主要部の動作を説明する説明図である。
の主要部の動作を説明する説明図である。
【図２４】本発明の他の実施の形態例を示す光変調装置
の製造方法の主要部の工程を説明する説明図である。
の製造方法の主要部の工程を説明する説明図である。
【図２５】本発明の他の実施の形態例を示す光変調装置
の製造方法の他の主要部の工程を説明する説明図であ
る。
の製造方法の他の主要部の工程を説明する説明図であ
る。
【図２６】本発明の他の実施の形態例を示す光変調装置
の製造方法の他の主要部の工程を説明する説明図であ
る。
の製造方法の他の主要部の工程を説明する説明図であ
る。
【図２７】図２６のＧ−Ｇ線断面図である。
【図２８】図２６のＨ−Ｈ線断面図である。
【図２９】本発明の他の実施の形態例を示す光変調装置
の製造方法の他の主要部の工程を説明する説明図であ
る。
の製造方法の他の主要部の工程を説明する説明図であ
る。
【図３０】本発明の他の実施の形態例を示す光変調装置
の製造方法の他の主要部の工程を説明する説明図であ
る。
の製造方法の他の主要部の工程を説明する説明図であ
る。
【図３１】本発明の他の実施の形態例を示す光変調装置
の製造方法の他の主要部の工程を説明する説明図であ
る。
の製造方法の他の主要部の工程を説明する説明図であ
る。
【図３２】図３１のＩ−Ｉ線断面図である。
【図３３】図３１のＪ−Ｊ線断面図である。
【図３４】本発明の他の実施の形態例を示す光変調装置
の製造方法の他の主要部の工程を説明する説明図であ
る。
の製造方法の他の主要部の工程を説明する説明図であ
る。
【図３５】図３４のＫ−Ｋ線断面図である。
【図３６】図３４のＬ−Ｌ線断面図である。
【図３７】本発明の他の実施の形態例を示す光変調装置
の製造方法の他の主要部の工程を説明する説明図であ
る。
の製造方法の他の主要部の工程を説明する説明図であ
る。
【図３８】図３７のＭ−Ｍ線断面図である。
【図３９】図３７のＮ−Ｎ線断面図である。
【図４０】本発明の他の実施の形態例を示す光変調装置
の製造方法の他の主要部の工程を説明する説明図であ
る。
の製造方法の他の主要部の工程を説明する説明図であ
る。
【図４１】図３７のＯ−Ｏ線断面図である。
【図４２】図３７のＰ−Ｐ線断面図である。
【図４３】本発明の実施の形態例を示す光変調装置を具
備する画像形成装置を説明する説明図である。
備する画像形成装置を説明する説明図である。
【図４４】本発明の実施の形態例を示す光変調装置を具
備する画像投影表示装置を説明する説明図である。
備する画像投影表示装置を説明する説明図である。
【図４５】従来の光変調装置の主要部の状態を説明する
説明図である。
説明図である。
【図４６】従来の光変調装置の他の主要部の状態を説明
する説明図である。
する説明図である。
０ 光変調装置
１ 反射手段、１ａ 反射部、１ｂ 延長反射部
２ 薄膜両端部固定梁、２ａ 凹形状形成部、２ｂ 被
保持部、２Ｃ エッチング穴、２ｄ エッチング穴 ３ 基板電極、３ａ 対向面、３ｂ 頂部、３ｃ 空隙
部３ｄ パッシベーション膜 ４ 基板、４ａ 基板表面、４ａ１ 酸化膜、４ｂ 固
定保持部、４ｃ 凹形状部、４ｄ 振動伝播抑制部 ５ 犠牲材料層 １０ 光変調装置 １１ 反射手段、１１ａ 反射部、１１ｂ 延長反射部 １２ 薄膜両端部固定梁、１２ａ 凹形状形成部、１２
ｂ 被保持部、１２Ｃ エッチング穴、１２ｄ エッチ
ング穴 １３ 基板電極、１３ａ 対向面、１３ｂ 頂部、１３
ｃ 空隙部、１３ｄ パッシベーション膜 １４ 基板、１４ａ 基板表面、 １４ａ１ 酸化膜、
１４ｂ 固定保持部、１４ｂ１ ４箇所固定保持部、１
４ｃ 凹形状部、１４ｄ 振動伝播抑制部 １５ 犠牲材料層 ３０ 光情報処理装置 ３１ 独立駆動手段 ３２ 光源 ３３ 第１のレンズシステム ３４ 第２のレンズシステム ３５ 投影レンズ ３６ 絞り ３７ 回転カラーホール ３８ マイクロレンズ ５０ 画像形成装置 ５１ 画像担持体 ５２ 潜像形成手段 ５３ 現像手段 ５４ 転写手段 ５５ 帯電手段 ５６ 定着手段 ５７ 排紙トレイ ５８ クリーニング手段 ８０ 画像投影表示装置 ８１ 光スイッチ手段 ８２ 投影スクリーン １００ 光変調装置 １０１ 反射面 １０２ 梁、１０２ａ 被保持部 １０３ 基板電極 １０４ 基板、１０４ａ 基板表面、１０４ｂ 固定保
持部 （ａ） 基板上酸化膜形成工程 （ｂ） 空隙と凹形状部の該当部形成工程 （ｃ） 基板電極形成工程 （ｄ） 犠牲材料層形成工程 （ｅ） 凹形状部犠牲材料層除去工程 （ｆ） 薄膜両端部固定梁形成工程 （ｇ） 平坦化工程 （ｈ） 犠牲材料層エッチング穴開口工程 （ｉ） 反射手段形成工程 （ｊ） 凹形状部犠牲材料層除去工程 （ｋ） 空隙犠牲材料層除去工程 （ｌ） 基板上酸化膜形成工程 （ｍ） 空隙と凹形状部の該当部形成工程 （ｎ） 基板電極形成工程 （ｏ） 犠牲材料層形成平坦化工程 （ｐ） 薄膜両端部固定梁形成工程 （ｑ） 反射手段形成工程 （ｒ） 犠牲材料層除去工程
保持部、２Ｃ エッチング穴、２ｄ エッチング穴 ３ 基板電極、３ａ 対向面、３ｂ 頂部、３ｃ 空隙
部３ｄ パッシベーション膜 ４ 基板、４ａ 基板表面、４ａ１ 酸化膜、４ｂ 固
定保持部、４ｃ 凹形状部、４ｄ 振動伝播抑制部 ５ 犠牲材料層 １０ 光変調装置 １１ 反射手段、１１ａ 反射部、１１ｂ 延長反射部 １２ 薄膜両端部固定梁、１２ａ 凹形状形成部、１２
ｂ 被保持部、１２Ｃ エッチング穴、１２ｄ エッチ
ング穴 １３ 基板電極、１３ａ 対向面、１３ｂ 頂部、１３
ｃ 空隙部、１３ｄ パッシベーション膜 １４ 基板、１４ａ 基板表面、 １４ａ１ 酸化膜、
１４ｂ 固定保持部、１４ｂ１ ４箇所固定保持部、１
４ｃ 凹形状部、１４ｄ 振動伝播抑制部 １５ 犠牲材料層 ３０ 光情報処理装置 ３１ 独立駆動手段 ３２ 光源 ３３ 第１のレンズシステム ３４ 第２のレンズシステム ３５ 投影レンズ ３６ 絞り ３７ 回転カラーホール ３８ マイクロレンズ ５０ 画像形成装置 ５１ 画像担持体 ５２ 潜像形成手段 ５３ 現像手段 ５４ 転写手段 ５５ 帯電手段 ５６ 定着手段 ５７ 排紙トレイ ５８ クリーニング手段 ８０ 画像投影表示装置 ８１ 光スイッチ手段 ８２ 投影スクリーン １００ 光変調装置 １０１ 反射面 １０２ 梁、１０２ａ 被保持部 １０３ 基板電極 １０４ 基板、１０４ａ 基板表面、１０４ｂ 固定保
持部 （ａ） 基板上酸化膜形成工程 （ｂ） 空隙と凹形状部の該当部形成工程 （ｃ） 基板電極形成工程 （ｄ） 犠牲材料層形成工程 （ｅ） 凹形状部犠牲材料層除去工程 （ｆ） 薄膜両端部固定梁形成工程 （ｇ） 平坦化工程 （ｈ） 犠牲材料層エッチング穴開口工程 （ｉ） 反射手段形成工程 （ｊ） 凹形状部犠牲材料層除去工程 （ｋ） 空隙犠牲材料層除去工程 （ｌ） 基板上酸化膜形成工程 （ｍ） 空隙と凹形状部の該当部形成工程 （ｎ） 基板電極形成工程 （ｏ） 犠牲材料層形成平坦化工程 （ｐ） 薄膜両端部固定梁形成工程 （ｑ） 反射手段形成工程 （ｒ） 犠牲材料層除去工程
─────────────────────────────────────────────────────
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Ｆターム(参考） 2C162 AE21 AE28 AF02 AG03 AH03
FA04 FA05 FA09 FA23 FA49
FA50 FA53
2C362 AA43 BA48 BA66 BA68 BA82
BA83
2H041 AA14 AA16 AB14 AC06 AZ01
AZ08
Claims (33)
- 【請求項１】 入射光の反射方向を変えて光変調を行う
光変調装置において、入射光を正反射する反射手段と、
上記反射手段を側面に組み合わせ構成する薄膜で形成さ
れ両端部が固定されて静電力で変形する薄膜両端部固定
梁と、上記薄膜両端部固定梁の他方側面に形成される空
隙を介して上記薄膜両端部固定梁に対向して駆動電圧を
印加する基板電極と、上記基板電極を形成して上記薄膜
両端部固定梁を保持する基板と、上記基板の基板表面に
上記薄膜両端部固定梁の両端部を固定して保持する固定
保持部と、上記固定保持部上に上記反射手段の反射部を
延長した延長反射部とからなることを特徴とする光変調
装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載の光変調装置において、
反射手段は、金属薄膜で形成されていることを特徴とす
る光変調装置。 - 【請求項３】 請求項１又は２に記載の光変調装置にお
いて、薄膜両端部固定梁は、引っ張り応力を有する部材
からなることを特徴とする光変調装置。 - 【請求項４】 請求項１、２又は３に記載の光変調装置
において、薄膜両端部固定梁は、引っ張り応力を有する
部材の窒化シリコン薄膜からなることを特徴とする光変
調装置。 - 【請求項５】 請求項１、２、３又は４に記載の光変調
装置において、薄膜両端部固定梁は、低抵抗材で形成さ
れていることを特徴とする光変調装置。 - 【請求項６】 請求項５に記載の光変調装置において、
基板電極の低抵抗材は、シリコンを不純物により低抵抗
化して形成されていることを特徴とする光変調装置。 - 【請求項７】 請求項１、２、３、５又は６に記載の光
変調装置において、薄膜両端部固定梁は、単結晶シリコ
ン薄膜で形成されていることを特徴とする光変調装置。 - 【請求項８】 請求項１、２、３、５又は６に記載の光
変調装置において、薄膜両端部固定梁は、多結晶シリコ
ン薄膜で形成されていることを特徴とする光変調装置。 - 【請求項９】 請求項１、２、３又は４に記載の光変調
装置において、薄膜両端部固定梁は、窒化シリコン薄膜
で形成されていることを特徴とする光変調装置。 - 【請求項１０】 請求項１、２、３、４、５、６、７、
８又は９に記載の光変調装置において、薄膜両端部固定
梁は、基板の基板表面上に上記基板表面と平行に配置さ
れていることを特徴とする光変調装置。 - 【請求項１１】 請求項１乃至１０の何れか一項に記載
の光変調装置において、基板は、固定保持部に凹形状が
形成された凹形状部とからなることを特徴とする光変調
装置。 - 【請求項１２】 請求項１乃至１１の何れか一項に記載
の光変調装置において、薄膜両端部固定梁は、基板に形
成された凹形状部上の凹形状に沿って形成された凹形状
形成部とからなることを特徴とする光変調装置。 - 【請求項１３】 請求項１乃至１２の何れか一項に記載
の光変調装置において、薄膜両端部固定梁は、空隙を介
して非平行の基板電極の対向面と対向することを特徴と
する光変調装置。 - 【請求項１４】 請求項１乃至１３の何れか一項に記載
の光変調装置において、薄膜両端部固定梁は、駆動電圧
の印加により変形して基板電極の対向面に当接して変形
が規制されて反射手段の入射光の光変調を行うことを特
徴とする光変調装置。 - 【請求項１５】 請求項１乃至１４の何れか一項に記載
の光変調装置において、薄膜両端部固定梁の被保持部
は、薄膜両端部固定梁の内側に配置したことを特徴とす
る光変調装置。 - 【請求項１６】 請求項１乃至１５の何れか一項に記載
の光変調装置において、薄膜両端部固定梁の被保持部
は、相対する両端部の２辺側を基板の固定保持部に固定
して保持したことを特徴とする光変調装置。 - 【請求項１７】 請求項１乃至１６の何れか一項に記載
の光変調装置において、薄膜両端部固定梁の被保持部
は、相対する２辺の両端部の４箇所を基板の４箇所固定
保持部に固定して保持されることを特徴とする光変調装
置。 - 【請求項１８】 請求項１乃至１７の何れか一項に記載
の光変調装置において、薄膜両端部固定梁の被保持部側
は、薄膜両端部固定梁の長さに対して狭い幅の形状にし
たことを特徴とする光変調装置。 - 【請求項１９】 請求項１乃至１８の何れか一項に記載
の光変調装置において、反射手段の延長反射部側は、反
射手段の長さに対して狭い幅の形状にしたことを特徴と
する光変調装置。 - 【請求項２０】 請求項１乃至１９の何れか一項に記載
の光変調装置において、薄膜両端部固定梁は、複数個を
連接して配置したことを特徴とする光変調装置。 - 【請求項２１】 請求項１乃至２０の何れか一項に記載
の光変調装置において、反射手段の延長反射部は、複数
個を隣接して配置したことを特徴とする光変調装置。 - 【請求項２２】 請求項１乃至２１の何れか一項に記載
の光変調装置において、反射手段は、複数個を連接して
配置したことを特徴とする光変調装置。 - 【請求項２３】 請求項１乃至２２の何れか一項に記載
の光変調装置において、反射手段の延長反射部は、基板
の基板表面より上方向に変位することを特徴とする光変
調装置。 - 【請求項２４】 請求項１乃至２３の何れか一項に記載
の光変調装置において、反射手段の延長反射部の薄膜両
端部固定梁は、反射部の上記薄膜両端部固定梁の厚さに
対してより厚くしたことを特徴とする光変調装置。 - 【請求項２５】 請求項１乃至２４の何れか一項に記載
の光変調装置において、薄膜両端部固定梁と非平行の基
板電極の対向面と対向して形成される空隙の頂部の一端
側に空隙部を形成したことを特徴とする光変調装置。 - 【請求項２６】 請求項１乃至２５の何れか一項に記載
の光変調装置において、基板は、振動の伝播を抑制する
振動伝播抑制部とからなることを特徴とする光変調装
置。 - 【請求項２７】 請求項２６に記載の光変調装置におい
て、振動伝播抑制部は、凹形状部の内側に形成したこと
を特徴とする光変調装置。 - 【請求項２８】 入射光の反射方向を変えて光変調を行
う請求項１乃至２７の何れか一項に記載の光変調装置の
製造方法において、基板の基板表面上に薄膜両端部固定
梁と基板電極の対向面が対向して形成される空隙と凹形
状部の該当部を形成した後に、犠牲材料からなる犠牲材
料層を形成して上記基板の上記基板表面上を平坦化し
て、上記薄膜両端部固定梁を形成して上記反射手段の反
射部と延長反射部を形成した後に、上記犠牲材料層を除
去することを特徴とする光変調装置の製造方法。 - 【請求項２９】 請求項２８に記載の光変調装置の製造
方法において、上記基板上に酸化膜を形成する基板上酸
化膜形成工程と、上記基板の上記基板表面上に薄膜両端
部固定梁と基板電極の対向面が対向して形成される空隙
と凹形状部の該当部を形成する空隙と凹形状部の該当部
形成工程と、上記基板の上記基板表面上の空隙中に基板
電極を形成する基板電極形成工程と、上記基板の上記基
板表面上の空隙と上記凹形状部に犠牲材料からなる犠牲
材料層を形成する犠牲材料層形成工程と、上記基板の上
記基板表面上の上記凹形状部の上記犠牲材料層を除去す
る凹形状部犠牲材料層除去工程と、上記犠牲材料層上に
上記薄膜両端部固定梁を形成する薄膜両端部固定梁形成
工程と、平坦化する平坦化工程と、上記犠牲材料層エッ
チング穴を開口する犠牲材料層エッチング穴開口工程
と、反射手段の反射部と延長反射部を形成する反射手段
形成工程と、上記凹形状部の上記犠牲材料層を除去する
凹形状部犠牲材料層除去工程と、空隙の上記犠牲材料層
を除去する空隙犠牲材料層除去工程とからなることを特
徴とする光変調装置の製造方法。 - 【請求項３０】 請求項２８に記載の光変調装置の製造
方法において、上記基板上に酸化膜を形成する基板上酸
化膜形成工程と、上記基板の上記基板表面上に薄膜両端
部固定梁と基板電極の対向面が対向して形成される空隙
と凹形状部の該当部を形成する空隙と凹形状部の該当部
形成工程と、上記基板の上記基板表面上の空隙中に基板
電極を形成する基板電極形成工程と、上記基板の上記基
板表面上の空隙と上記凹形状部に犠牲材料からなる犠牲
材料層を形成して平坦化する犠牲材料層形成平坦化工程
と、上記犠牲材料層上に上記薄膜両端部固定梁を形成す
る薄膜両端部固定梁形成工程と、反射手段の反射部と延
長反射部を形成する反射手段形成工程と、上記犠牲材料
層を除去する犠牲材料層除去工程とからなることを特徴
とする光変調装置の製造方法。 - 【請求項３１】 請求項２８に記載の光変調装置の製造
方法において、上記基板上に酸化膜を形成する基板上酸
化膜形成工程と、上記基板の上記基板表面上に薄膜両端
部固定梁と基板電極の対向面が対向して形成される空隙
と凹形状部の該当部を形成する空隙と凹形状部の該当部
形成工程と、上記基板の上記基板表面上の空隙中に基板
電極を形成する基板電極形成工程と、上記基板の上記基
板表面上の空隙と上記凹形状部に犠牲材料からなる犠牲
材料層を形成して平坦化する犠牲材料層形成平坦化工程
と、上記犠牲材料層上に上記薄膜両端部固定梁を形成す
る薄膜両端部固定梁形成工程と、反射手段の延長反射部
の薄膜両端部固定梁は反射部の上記薄膜両端部固定梁の
厚さに対してより厚くする延長反射部を厚くする工程
と、反射手段の反射部と延長反射部を形成する反射手段
形成工程と、上記犠牲材料層を除去する犠牲材料層除去
工程とからなることを特徴とする光変調装置の製造方
法。 - 【請求項３２】 電子写真プロセスで光書き込みを行な
って画像を形成する画像形成装置において、回動可能に
保持されて形成画像を担持する画像担持体と、上記画像
担持体上を光書き込みを行なって潜像を形成する請求項
１乃至２７の何れか一項に記載の光変調装置からなる潜
像形成手段と、上記潜像形成手段の上記光変調装置によ
って形成された潜像を顕像化してトナー画像を形成する
現像手段と、上記現像手段で形成されたトナー画像を被
転写体に転写する転写手段とからなることを特徴とする
画像形成装置。 - 【請求項３３】 画像を投影して表示する画像投影表示
装置において、画像投影データの入射光の反射方向を変
えて光変調を行なって画像を投影して表示する請求項１
乃至２７の何れか一項に記載の光変調装置からなる光ス
イッチ手段と、上記光スイッチ手段が投影する画像を表
示する投影スクリーンとからなることを特徴とする画像
投影表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001249550A JP2003057573A (ja) | 2001-08-20 | 2001-08-20 | 光変調装置及びその光変調装置の製造方法並びにその光変調装置を具備する画像形成装置及びその光変調装置を具備する画像投影表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001249550A JP2003057573A (ja) | 2001-08-20 | 2001-08-20 | 光変調装置及びその光変調装置の製造方法並びにその光変調装置を具備する画像形成装置及びその光変調装置を具備する画像投影表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003057573A true JP2003057573A (ja) | 2003-02-26 |
Family
ID=19078536
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001249550A Pending JP2003057573A (ja) | 2001-08-20 | 2001-08-20 | 光変調装置及びその光変調装置の製造方法並びにその光変調装置を具備する画像形成装置及びその光変調装置を具備する画像投影表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003057573A (ja) |
-
2001
- 2001-08-20 JP JP2001249550A patent/JP2003057573A/ja active Pending
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