JP2002214549A - 光変調装置及びその光変調装置の製造方法並びにその光変調装置を具備する画像形成装置及びその光変調装置を具備する画像投影表示装置 - Google Patents
光変調装置及びその光変調装置の製造方法並びにその光変調装置を具備する画像形成装置及びその光変調装置を具備する画像投影表示装置Info
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- JP2002214549A JP2002214549A JP2001010871A JP2001010871A JP2002214549A JP 2002214549 A JP2002214549 A JP 2002214549A JP 2001010871 A JP2001010871 A JP 2001010871A JP 2001010871 A JP2001010871 A JP 2001010871A JP 2002214549 A JP2002214549 A JP 2002214549A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光変調を行う構造が簡単で応答も速く、入射
光の波長が制限されることなく、信頼性も高く、梁の固
定保持領域が小さくても十分な固定保持性を確保し、隣
接素子への相互作用を抑制する光変調装置及び低コスト
の光変調装置の製造方法並びにＳ／Ｎ比が向上して高解
像性の光変調装置を具備する画像形成装置及びコントラ
ストが上昇して高解像性の光変調装置を具備する画像投
影表示装置を提供する。 【解決手段】 反射手段１と、薄膜で形成され両端が固
定されて静電力で変形する薄膜両端固定梁２と、空隙Ｇ
を介して薄膜両端固定梁２に対向して駆動電圧を印加す
る基板電極３と、基板電極３を形成して薄膜両端固定梁
２を固定して保持する基板４と、基板４の基板表面４ａ
に薄膜両端固定梁２を固定して保持する固定保持部４ｂ
と、固定保持部４ｂに凹形状が形成された凹形状部４ｃ
とからなる。
光の波長が制限されることなく、信頼性も高く、梁の固
定保持領域が小さくても十分な固定保持性を確保し、隣
接素子への相互作用を抑制する光変調装置及び低コスト
の光変調装置の製造方法並びにＳ／Ｎ比が向上して高解
像性の光変調装置を具備する画像形成装置及びコントラ
ストが上昇して高解像性の光変調装置を具備する画像投
影表示装置を提供する。 【解決手段】 反射手段１と、薄膜で形成され両端が固
定されて静電力で変形する薄膜両端固定梁２と、空隙Ｇ
を介して薄膜両端固定梁２に対向して駆動電圧を印加す
る基板電極３と、基板電極３を形成して薄膜両端固定梁
２を固定して保持する基板４と、基板４の基板表面４ａ
に薄膜両端固定梁２を固定して保持する固定保持部４ｂ
と、固定保持部４ｂに凹形状が形成された凹形状部４ｃ
とからなる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光変調装置及びそ
の光変調装置の製造方法並びにその光変調装置を具備す
る画像形成装置及びその光変調装置を具備する画像投影
表示装置に関し、詳しくは、入射光の反射方向を変えて
光変調を行う光変調装置及びその光変調装置の製造方法
並びにその光変調装置を具備する電子写真プロセスで光
り書き込みを行なって画像を形成する画像形成装置及び
その光変調装置を具備する画像を投影して表示する画像
投影表示装置に関する。
の光変調装置の製造方法並びにその光変調装置を具備す
る画像形成装置及びその光変調装置を具備する画像投影
表示装置に関し、詳しくは、入射光の反射方向を変えて
光変調を行う光変調装置及びその光変調装置の製造方法
並びにその光変調装置を具備する電子写真プロセスで光
り書き込みを行なって画像を形成する画像形成装置及び
その光変調装置を具備する画像を投影して表示する画像
投影表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】静電力を利用した光スイッチデバイスの
入射光の反射方向を変えて光変調を行う光変調装置は、
電子写真プロセスで光り書き込みを行なって画像を形成
する画像形成装置、画像を投影して表示する画像投影表
示装置等に使用されている（特開平６−１３８４０３号
等の公報を参照）。静電力を利用した光スイッチデバイ
スの入射光の反射方向を変えて光変調を行う光変調装置
では、片持ち梁を静電力で撓ませて、入射光の反射方向
を変えてスイッチするデバイス、及び、それを用いた光
変調システムは、既に公知である（特開平７−２１８８
４５号等の公報を参照）。片持ち梁は、静電力が解放さ
れて梁の撓みが回復するときに振動する。これは、梁の
一端のみが固定されていることによる、梁の自由振動が
発生するためである。又、梁を薄膜で形成する場合に
は、残留応力が発生する。片持ち梁の場合、残留応力に
より梁が変形する。しかも、残留応力は時間を経て緩和
されるために、片持ち梁の変形状態が経時変化する。以
上の理由で片持ち梁は安定性が悪い。又、片持ち梁の場
合は、自由振動に起因して、信号応答性が悪くなる。従
って、片持ち梁の安定性の確保が難しく、片持ち梁の固
有振動数が低い為に、応答速度を速くすることが出来な
かった。回折格子を静電力で駆動して、光スイッチする
デバイスも公知である（特許第２９４１９５２号、特許
第３０１６８７１号等の公報を参照）。然し、このよう
な、回折格子を静電力で駆動して、光スイッチするデバ
イスは、使用する入射光の波長が制限されると言う欠点
があった。静電力により梁を湾曲させ、反射光の焦点を
合わせて、スリットを通過させることで光スイッチする
デバイスも公知である（特開２０００−２８４２号の公
報を参照）。然し、このような、静電力により梁を湾曲
させ、反射光の焦点を合わせて、スリットを通過させる
ことで光スイッチするデバイスは、梁の湾曲の度合いが
不安定になり易く、信頼性も低下することになってい
た。静電力を利用した光スイッチデバイスの入射光の反
射方向を変えて光変調を行う光変調装置における梁固定
部が平面上に形成されている為に、梁を確実に固定保持
するために、梁固定部の平面積を大きく必要としてい
た。梁の振動が梁固定部に伝播し、基板を介して隣接素
子へ振動が伝播し、相互作用を起こし易いために、隣接
素子間の間隔を大きく必要としていたため、集積化が困
難でもあった（特開平７−２１８８４５号、特許第３０
１６８７１号等の公報を参照）。
入射光の反射方向を変えて光変調を行う光変調装置は、
電子写真プロセスで光り書き込みを行なって画像を形成
する画像形成装置、画像を投影して表示する画像投影表
示装置等に使用されている（特開平６−１３８４０３号
等の公報を参照）。静電力を利用した光スイッチデバイ
スの入射光の反射方向を変えて光変調を行う光変調装置
では、片持ち梁を静電力で撓ませて、入射光の反射方向
を変えてスイッチするデバイス、及び、それを用いた光
変調システムは、既に公知である（特開平７−２１８８
４５号等の公報を参照）。片持ち梁は、静電力が解放さ
れて梁の撓みが回復するときに振動する。これは、梁の
一端のみが固定されていることによる、梁の自由振動が
発生するためである。又、梁を薄膜で形成する場合に
は、残留応力が発生する。片持ち梁の場合、残留応力に
より梁が変形する。しかも、残留応力は時間を経て緩和
されるために、片持ち梁の変形状態が経時変化する。以
上の理由で片持ち梁は安定性が悪い。又、片持ち梁の場
合は、自由振動に起因して、信号応答性が悪くなる。従
って、片持ち梁の安定性の確保が難しく、片持ち梁の固
有振動数が低い為に、応答速度を速くすることが出来な
かった。回折格子を静電力で駆動して、光スイッチする
デバイスも公知である（特許第２９４１９５２号、特許
第３０１６８７１号等の公報を参照）。然し、このよう
な、回折格子を静電力で駆動して、光スイッチするデバ
イスは、使用する入射光の波長が制限されると言う欠点
があった。静電力により梁を湾曲させ、反射光の焦点を
合わせて、スリットを通過させることで光スイッチする
デバイスも公知である（特開２０００−２８４２号の公
報を参照）。然し、このような、静電力により梁を湾曲
させ、反射光の焦点を合わせて、スリットを通過させる
ことで光スイッチするデバイスは、梁の湾曲の度合いが
不安定になり易く、信頼性も低下することになってい
た。静電力を利用した光スイッチデバイスの入射光の反
射方向を変えて光変調を行う光変調装置における梁固定
部が平面上に形成されている為に、梁を確実に固定保持
するために、梁固定部の平面積を大きく必要としてい
た。梁の振動が梁固定部に伝播し、基板を介して隣接素
子へ振動が伝播し、相互作用を起こし易いために、隣接
素子間の間隔を大きく必要としていたため、集積化が困
難でもあった（特開平７−２１８８４５号、特許第３０
１６８７１号等の公報を参照）。
【０００３】図６４において、即ち、静電力を利用した
光スイッチデバイスの入射光の反射方向を変えて光変調
を行う光変調装置１００における反射面１０１からなる
梁１０２は、基板電極１０３と対向して基板１０４の基
板表面１０４ａ上に形成されて梁１０２の被保持部１０
２ａを確実に固定保持されるために、図示のｘ印の固定
保持部１０４ｂの平面積を大きく必要としていた。図６
５において、更に、静電力を利用した光スイッチデバイ
スの入射光の反射方向を変えて光変調を行う光変調装置
１００における反射面１０１からなる梁１０２は、基板
電極１０３と対向して基板１０４の基板表面１０４ａ上
に形成されて梁１０２の被保持部１０２ａを固定保持部
１０４ｂで保持されいる。然し、駆動電圧の印加によ
る、図示の白抜き矢印方向の梁１０２の変形により、図
示の黒抜き矢印方向に固定保持部１０４ｂを経由して、
基板１０４に振動が抑制されることなく伝播するので、
隣接素子間の間隔を大きく必要としていたため、集積化
が困難でもあった。因みに、静電力を利用した光スイッ
チデバイスの入射光の反射方向を変えて光変調を行う光
変調装置を一次元又は二次元に配置し、電子写真プロセ
スにおける光り書き込みデバイス等の画像形成装置や、
プロジェクターなどの画像投影表示装置に用いる場合、
高解像性が要求され、それに伴う、１画素又は１素子の
寸法の微細化が困難であった。他方で、画像形成装置の
場合には、信号対ノイズのＳ／Ｎ比の向上、画像投影表
示装置の場合にはコントラストの上昇のために、１画素
又は１素子に占めるミラー領域の拡大が求められる。上
記相反する要求を満たすためには、１画素又は１素子当
りに占める梁の固定領域の割合を極力小さくすることが
必要となり、それに伴う、梁の固定保持領域を極力小さ
くすること、梁の十分な固定保持性を確保すること、隣
接素子への相互作用を抑制すること等が困難であった。
従って、従来の入射光の反射方向を変えて光変調を行う
光変調装置及びその光変調装置を具備する画像形成装置
及びその光変調装置を具備する画像投影表示装置は、入
射光の反射方向を変えて光変調を行う構造が複雑で応答
も遅く、使用する入射光の波長が制限され、作動が不安
定で信頼性も低下しているだけでなく、高解像性の要求
に伴う１画素又は１素子の寸法の微細化や梁の固定保持
領域を極力小さくすること、梁の十分な固定保持性を確
保すること、隣接素子への相互作用を抑制すること等が
困難であると言う不具合が生じていた。
光スイッチデバイスの入射光の反射方向を変えて光変調
を行う光変調装置１００における反射面１０１からなる
梁１０２は、基板電極１０３と対向して基板１０４の基
板表面１０４ａ上に形成されて梁１０２の被保持部１０
２ａを確実に固定保持されるために、図示のｘ印の固定
保持部１０４ｂの平面積を大きく必要としていた。図６
５において、更に、静電力を利用した光スイッチデバイ
スの入射光の反射方向を変えて光変調を行う光変調装置
１００における反射面１０１からなる梁１０２は、基板
電極１０３と対向して基板１０４の基板表面１０４ａ上
に形成されて梁１０２の被保持部１０２ａを固定保持部
１０４ｂで保持されいる。然し、駆動電圧の印加によ
る、図示の白抜き矢印方向の梁１０２の変形により、図
示の黒抜き矢印方向に固定保持部１０４ｂを経由して、
基板１０４に振動が抑制されることなく伝播するので、
隣接素子間の間隔を大きく必要としていたため、集積化
が困難でもあった。因みに、静電力を利用した光スイッ
チデバイスの入射光の反射方向を変えて光変調を行う光
変調装置を一次元又は二次元に配置し、電子写真プロセ
スにおける光り書き込みデバイス等の画像形成装置や、
プロジェクターなどの画像投影表示装置に用いる場合、
高解像性が要求され、それに伴う、１画素又は１素子の
寸法の微細化が困難であった。他方で、画像形成装置の
場合には、信号対ノイズのＳ／Ｎ比の向上、画像投影表
示装置の場合にはコントラストの上昇のために、１画素
又は１素子に占めるミラー領域の拡大が求められる。上
記相反する要求を満たすためには、１画素又は１素子当
りに占める梁の固定領域の割合を極力小さくすることが
必要となり、それに伴う、梁の固定保持領域を極力小さ
くすること、梁の十分な固定保持性を確保すること、隣
接素子への相互作用を抑制すること等が困難であった。
従って、従来の入射光の反射方向を変えて光変調を行う
光変調装置及びその光変調装置を具備する画像形成装置
及びその光変調装置を具備する画像投影表示装置は、入
射光の反射方向を変えて光変調を行う構造が複雑で応答
も遅く、使用する入射光の波長が制限され、作動が不安
定で信頼性も低下しているだけでなく、高解像性の要求
に伴う１画素又は１素子の寸法の微細化や梁の固定保持
領域を極力小さくすること、梁の十分な固定保持性を確
保すること、隣接素子への相互作用を抑制すること等が
困難であると言う不具合が生じていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の入射光の反射方
向を変えて光変調を行う光変調装置及びその光変調装置
を具備する画像形成装置及びその光変調装置を具備する
画像投影表示装置は、入射光の反射方向を変えて光変調
を行う構造が複雑で応答も遅く、使用する入射光の波長
が制限され、作動が不安定で信頼性も低下しているだけ
でなく、高解像性の要求に伴う１画素又は１素子の寸法
の微細化や梁の固定保持領域を極力小さくすること、梁
の十分な保持性を確保すること、隣接素子への相互作用
を抑制すること等が困難であると言う問題が発生してい
た。そこで本発明の課題は、このような問題点を解決す
るものである。即ち、入射光の反射方向を変えて光変調
を行う構造が簡単で応答も速く、使用する入射光の波長
が制限されることなく、作動が安定で信頼性も高く、微
細化され梁の固定保持領域が小さくても十分な固定保持
性を確保し、隣接素子への相互作用を抑制する光変調装
置及び製造工程が少なく低コストのその光変調装置の製
造方法並びに信号対ノイズのＳ／Ｎ比が向上して高解像
性のその光変調装置を具備する画像形成装置及びコント
ラストが上昇して高解像性のその光変調装置を具備する
画像投影表示装置を提供することを目的とする。
向を変えて光変調を行う光変調装置及びその光変調装置
を具備する画像形成装置及びその光変調装置を具備する
画像投影表示装置は、入射光の反射方向を変えて光変調
を行う構造が複雑で応答も遅く、使用する入射光の波長
が制限され、作動が不安定で信頼性も低下しているだけ
でなく、高解像性の要求に伴う１画素又は１素子の寸法
の微細化や梁の固定保持領域を極力小さくすること、梁
の十分な保持性を確保すること、隣接素子への相互作用
を抑制すること等が困難であると言う問題が発生してい
た。そこで本発明の課題は、このような問題点を解決す
るものである。即ち、入射光の反射方向を変えて光変調
を行う構造が簡単で応答も速く、使用する入射光の波長
が制限されることなく、作動が安定で信頼性も高く、微
細化され梁の固定保持領域が小さくても十分な固定保持
性を確保し、隣接素子への相互作用を抑制する光変調装
置及び製造工程が少なく低コストのその光変調装置の製
造方法並びに信号対ノイズのＳ／Ｎ比が向上して高解像
性のその光変調装置を具備する画像形成装置及びコント
ラストが上昇して高解像性のその光変調装置を具備する
画像投影表示装置を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１の本発明は、入射光の反射方向を変えて光
変調を行う光変調装置において、入射光を正反射する反
射手段と、上記反射手段を側面に組み合わせ構成する薄
膜で形成され両端が固定されて静電力で変形する薄膜両
端固定梁と、上記薄膜両端固定梁の他方側面に形成され
る空隙を介して上記薄膜両端固定梁に対向して駆動電圧
を印加する基板電極と、上記基板電極を形成して上記薄
膜両端固定梁を固定して保持する基板と、上記基板の基
板表面に上記薄膜両端固定梁を固定して保持する固定保
持部と、上記固定保持部に凹形状が形成された凹形状部
とからなる光変調装置であることを最も主要な特徴とす
る。請求項２の本発明は、請求項１に記載の光変調装置
において、反射手段は、金属薄膜で形成されている光変
調装置であることを主要な特徴とする。請求項３の本発
明は、請求項１又は２に記載の光変調装置において、薄
膜両端固定梁は、凹形状部上の凹形状に沿って形成され
た凹形状形成部とからなる光変調装置であることを主要
な特徴とする。請求項４の本発明は、請求項１又は２に
記載の光変調装置において、薄膜両端固定梁は、凹形状
部上を覆う蓋形状の蓋形状部とからなる光変調装置であ
ることを主要な特徴とする。
に、請求項１の本発明は、入射光の反射方向を変えて光
変調を行う光変調装置において、入射光を正反射する反
射手段と、上記反射手段を側面に組み合わせ構成する薄
膜で形成され両端が固定されて静電力で変形する薄膜両
端固定梁と、上記薄膜両端固定梁の他方側面に形成され
る空隙を介して上記薄膜両端固定梁に対向して駆動電圧
を印加する基板電極と、上記基板電極を形成して上記薄
膜両端固定梁を固定して保持する基板と、上記基板の基
板表面に上記薄膜両端固定梁を固定して保持する固定保
持部と、上記固定保持部に凹形状が形成された凹形状部
とからなる光変調装置であることを最も主要な特徴とす
る。請求項２の本発明は、請求項１に記載の光変調装置
において、反射手段は、金属薄膜で形成されている光変
調装置であることを主要な特徴とする。請求項３の本発
明は、請求項１又は２に記載の光変調装置において、薄
膜両端固定梁は、凹形状部上の凹形状に沿って形成され
た凹形状形成部とからなる光変調装置であることを主要
な特徴とする。請求項４の本発明は、請求項１又は２に
記載の光変調装置において、薄膜両端固定梁は、凹形状
部上を覆う蓋形状の蓋形状部とからなる光変調装置であ
ることを主要な特徴とする。
【０００６】請求項５の本発明は、請求項１又は２に記
載の光変調装置において、薄膜両端固定梁は、凹形状部
上に堆積した堆積物を介して固定して保持される光変調
装置であることを主要な特徴とする。請求項６の本発明
は、請求項５に記載の光変調装置において、堆積物は、
振動吸収材からなる光変調装置であることを主要な特徴
とする。請求項７の本発明は、請求項５又は６に記載の
光変調装置において、堆積物は、犠牲材料層を形成する
犠牲材料からなる光変調装置であることを主要な特徴と
する。請求項８の本発明は、請求項１、２、３、４、
５、６又は７に記載の光変調装置において、薄膜両端固
定梁は、基板の基板表面上に上記基板表面と平行に配置
されている光変調装置であることを主要な特徴とする。
請求項９の本発明は、請求項１、２、３、４、５、６、
７又は８に記載の光変調装置において、薄膜両端固定梁
は、引っ張り応力を有する部材からなる光変調装置であ
ることを主要な特徴とする。請求項１０の本発明は、請
求項１、２、３、４、５、６、７、８又は９に記載の光
変調装置において、薄膜両端固定梁は、引っ張り応力を
有する部材のシリコン窒化膜からなる光変調装置である
ことを主要な特徴とする。請求項１１の本発明は、請求
項１、２、３、４、５、６、７、８、９又は１０に記載
の光変調装置において、薄膜両端固定梁は、空隙を介し
て非平行の基板電極の対向面と対向する光変調装置であ
ることを主要な特徴とする。請求項１２の本発明は、請
求項１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０又は１
１に記載の光変調装置において、薄膜両端固定梁は、駆
動電圧の印加により変形して基板電極の対向面に当接し
て変形が規制されて反射手段の入射光の光変調を行う光
変調装置であることを主要な特徴とする。請求項１３の
本発明は、請求項１、２、３、４、５、６、７、８、
９、１１又は１２に記載の光変調装置において、薄膜両
端固定梁は、低抵抗材で形成されている光変調装置であ
ることを主要な特徴とする。請求項１４の本発明は、請
求項１３に記載の光変調装置において、薄膜両端固定梁
の低抵抗材は、シリコンを不純物により低抵抗化して形
成されている光変調装置であることを主要な特徴とす
る。請求項１５の本発明は、請求項１、２、３、４、
５、６、７、８、９、１１、１２、１３又は１４に記載
の光変調装置において、薄膜両端固定梁は、単結晶シリ
コン薄膜で形成されている光変調装置であることを主要
な特徴とする。
載の光変調装置において、薄膜両端固定梁は、凹形状部
上に堆積した堆積物を介して固定して保持される光変調
装置であることを主要な特徴とする。請求項６の本発明
は、請求項５に記載の光変調装置において、堆積物は、
振動吸収材からなる光変調装置であることを主要な特徴
とする。請求項７の本発明は、請求項５又は６に記載の
光変調装置において、堆積物は、犠牲材料層を形成する
犠牲材料からなる光変調装置であることを主要な特徴と
する。請求項８の本発明は、請求項１、２、３、４、
５、６又は７に記載の光変調装置において、薄膜両端固
定梁は、基板の基板表面上に上記基板表面と平行に配置
されている光変調装置であることを主要な特徴とする。
請求項９の本発明は、請求項１、２、３、４、５、６、
７又は８に記載の光変調装置において、薄膜両端固定梁
は、引っ張り応力を有する部材からなる光変調装置であ
ることを主要な特徴とする。請求項１０の本発明は、請
求項１、２、３、４、５、６、７、８又は９に記載の光
変調装置において、薄膜両端固定梁は、引っ張り応力を
有する部材のシリコン窒化膜からなる光変調装置である
ことを主要な特徴とする。請求項１１の本発明は、請求
項１、２、３、４、５、６、７、８、９又は１０に記載
の光変調装置において、薄膜両端固定梁は、空隙を介し
て非平行の基板電極の対向面と対向する光変調装置であ
ることを主要な特徴とする。請求項１２の本発明は、請
求項１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０又は１
１に記載の光変調装置において、薄膜両端固定梁は、駆
動電圧の印加により変形して基板電極の対向面に当接し
て変形が規制されて反射手段の入射光の光変調を行う光
変調装置であることを主要な特徴とする。請求項１３の
本発明は、請求項１、２、３、４、５、６、７、８、
９、１１又は１２に記載の光変調装置において、薄膜両
端固定梁は、低抵抗材で形成されている光変調装置であ
ることを主要な特徴とする。請求項１４の本発明は、請
求項１３に記載の光変調装置において、薄膜両端固定梁
の低抵抗材は、シリコンを不純物により低抵抗化して形
成されている光変調装置であることを主要な特徴とす
る。請求項１５の本発明は、請求項１、２、３、４、
５、６、７、８、９、１１、１２、１３又は１４に記載
の光変調装置において、薄膜両端固定梁は、単結晶シリ
コン薄膜で形成されている光変調装置であることを主要
な特徴とする。
【０００７】請求項１６の本発明は、請求項１、２、
３、４、５、６、７、８、９、１１、１２、１３又は１
４に記載の光変調装置において、薄膜両端固定梁は、多
結晶シリコン薄膜で形成されている光変調装置であるこ
とを主要な特徴とする。請求項１７の本発明は、請求項
１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１又は
１２に記載の光変調装置において、薄膜両端固定梁は、
窒化シリコン薄膜で形成されている光変調装置であるこ
とを主要な特徴とする。請求項１８の本発明は、請求項
１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１
２、１３、１４、１５、１６又は１７に記載の光変調装
置において、薄膜両端固定梁の被保持部は、相対する両
端部の２辺を基板の固定保持部に固定して保持される光
変調装置であることを主要な特徴とする。請求項１９の
本発明は、請求項１、２、３、４、５、６、７、８、
９、１０、１１、１２、１３、１４、１５、１６、１７
又は１８に記載の光変調装置において、基板は、振動の
伝播を抑制する振動伝播抑制部とからなる光変調装置で
あることを主要な特徴とする。請求項２０の本発明は、
請求項１９に記載の光変調装置において、振動伝播抑制
部は、凹形状部の内側に形成した光変調装置であること
を主要な特徴とする。請求項２１の本発明は、請求項
１、２、３、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、
１３、１４、１５、１６、１７、１８、１９又は２０に
記載の光変調装置において、基板は、複数の反射手段と
薄膜両端固定梁と基板電極と基板表面に上記薄膜両端固
定梁を固定して保持する固定保持部と上記固定保持部に
凹形状が形成された凹形状部とを１次元アレー形状に配
置した光変調装置であることを主要な特徴とする。請求
項２２の本発明は、請求項１、２、３、５、６、７、
８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５、１６、
１７、１８、１９又は２０に記載の光変調装置におい
て、基板は、複数の反射手段と薄膜両端固定梁と基板電
極と基板表面に上記薄膜両端固定梁を固定して保持する
固定保持部と上記固定保持部に凹形状が形成された凹形
状部とを２次元アレー形状に配置した光変調装置である
ことを主要な特徴とする。請求項２３の本発明は、入射
光束の反射方向を変えて光変調を行う請求項１、２、
３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１
３、１４、１５、１６、１７、１８、１９、２０、２１
又は２２に記載の光変調装置の製造方法において、基板
の基板表面上に凹形状部と空隙の該当部を形成した後
に、犠牲材料からなる犠牲材料層を形成して上記基板の
上記基板表面上を平坦化して、薄膜両端固定梁を形成後
に、上記犠牲材料層を除去する光変調装置の製造方法で
あることを最も主要な特徴とする。
３、４、５、６、７、８、９、１１、１２、１３又は１
４に記載の光変調装置において、薄膜両端固定梁は、多
結晶シリコン薄膜で形成されている光変調装置であるこ
とを主要な特徴とする。請求項１７の本発明は、請求項
１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１又は
１２に記載の光変調装置において、薄膜両端固定梁は、
窒化シリコン薄膜で形成されている光変調装置であるこ
とを主要な特徴とする。請求項１８の本発明は、請求項
１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１
２、１３、１４、１５、１６又は１７に記載の光変調装
置において、薄膜両端固定梁の被保持部は、相対する両
端部の２辺を基板の固定保持部に固定して保持される光
変調装置であることを主要な特徴とする。請求項１９の
本発明は、請求項１、２、３、４、５、６、７、８、
９、１０、１１、１２、１３、１４、１５、１６、１７
又は１８に記載の光変調装置において、基板は、振動の
伝播を抑制する振動伝播抑制部とからなる光変調装置で
あることを主要な特徴とする。請求項２０の本発明は、
請求項１９に記載の光変調装置において、振動伝播抑制
部は、凹形状部の内側に形成した光変調装置であること
を主要な特徴とする。請求項２１の本発明は、請求項
１、２、３、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、
１３、１４、１５、１６、１７、１８、１９又は２０に
記載の光変調装置において、基板は、複数の反射手段と
薄膜両端固定梁と基板電極と基板表面に上記薄膜両端固
定梁を固定して保持する固定保持部と上記固定保持部に
凹形状が形成された凹形状部とを１次元アレー形状に配
置した光変調装置であることを主要な特徴とする。請求
項２２の本発明は、請求項１、２、３、５、６、７、
８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５、１６、
１７、１８、１９又は２０に記載の光変調装置におい
て、基板は、複数の反射手段と薄膜両端固定梁と基板電
極と基板表面に上記薄膜両端固定梁を固定して保持する
固定保持部と上記固定保持部に凹形状が形成された凹形
状部とを２次元アレー形状に配置した光変調装置である
ことを主要な特徴とする。請求項２３の本発明は、入射
光束の反射方向を変えて光変調を行う請求項１、２、
３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１
３、１４、１５、１６、１７、１８、１９、２０、２１
又は２２に記載の光変調装置の製造方法において、基板
の基板表面上に凹形状部と空隙の該当部を形成した後
に、犠牲材料からなる犠牲材料層を形成して上記基板の
上記基板表面上を平坦化して、薄膜両端固定梁を形成後
に、上記犠牲材料層を除去する光変調装置の製造方法で
あることを最も主要な特徴とする。
【０００８】請求項２４の本発明は、請求項２３に記載
の光変調装置の製造方法において、基板の基板表面上に
凹形状部と空隙の該当部を形成する凹形状部と空隙の該
当部形成工程と、上記基板の上記基板表面上の空隙中に
基板電極の全部又は一部を形成する基板電極形成工程
と、上記基板の上記基板表面上の空隙に犠牲材料からな
る犠牲材料層を形成する犠牲材料層形成工程と、上記基
板の上記基板表面上の保護膜を露出する保護膜露出工程
と、上記犠牲材料層上に薄膜両端固定梁を形成する薄膜
両端固定梁形成工程と、空隙の上記犠牲材料層を除去す
る犠牲材料層除去工程とからなる光変調装置の製造方法
であることを主要な特徴とする。請求項２５の本発明
は、請求項２４に記載の光変調装置の製造方法におい
て、犠牲材料層形成工程は、凹形状部に該当する溝をパ
ターニングする光変調装置の製造方法であることを主要
な特徴とする。請求項２６の本発明は、請求項２４に記
載の光変調装置の製造方法において、凹形状部と空隙の
該当部形成工程は、凹形状部に該当する溝をパターニン
グする光変調装置の製造方法であることを主要な特徴と
する。請求項２７の本発明は、請求項２４、２５又は２
６に記載の光変調装置の製造方法において、薄膜両端固
定梁形成工程は、薄膜両端固定梁の凹形状形成部を凹形
状部上の凹形状に沿って形成する光変調装置の製造方法
であることを主要な特徴とする。請求項２８の本発明
は、請求項２４、２５又は２６に記載の光変調装置の製
造方法において、薄膜両端固定梁形成工程は、薄膜両端
固定梁の蓋形状部を凹形状部上を蓋形状に覆う光変調装
置の製造方法であることを主要な特徴とする。請求項２
９の本発明は、請求項２４、２５又は２６に記載の光変
調装置の製造方法において、犠牲材料層除去工程は、薄
膜両端固定梁を凹形状部上に堆積した堆積物を介して固
定して保持される光変調装置の製造方法であることを主
要な特徴とする。
の光変調装置の製造方法において、基板の基板表面上に
凹形状部と空隙の該当部を形成する凹形状部と空隙の該
当部形成工程と、上記基板の上記基板表面上の空隙中に
基板電極の全部又は一部を形成する基板電極形成工程
と、上記基板の上記基板表面上の空隙に犠牲材料からな
る犠牲材料層を形成する犠牲材料層形成工程と、上記基
板の上記基板表面上の保護膜を露出する保護膜露出工程
と、上記犠牲材料層上に薄膜両端固定梁を形成する薄膜
両端固定梁形成工程と、空隙の上記犠牲材料層を除去す
る犠牲材料層除去工程とからなる光変調装置の製造方法
であることを主要な特徴とする。請求項２５の本発明
は、請求項２４に記載の光変調装置の製造方法におい
て、犠牲材料層形成工程は、凹形状部に該当する溝をパ
ターニングする光変調装置の製造方法であることを主要
な特徴とする。請求項２６の本発明は、請求項２４に記
載の光変調装置の製造方法において、凹形状部と空隙の
該当部形成工程は、凹形状部に該当する溝をパターニン
グする光変調装置の製造方法であることを主要な特徴と
する。請求項２７の本発明は、請求項２４、２５又は２
６に記載の光変調装置の製造方法において、薄膜両端固
定梁形成工程は、薄膜両端固定梁の凹形状形成部を凹形
状部上の凹形状に沿って形成する光変調装置の製造方法
であることを主要な特徴とする。請求項２８の本発明
は、請求項２４、２５又は２６に記載の光変調装置の製
造方法において、薄膜両端固定梁形成工程は、薄膜両端
固定梁の蓋形状部を凹形状部上を蓋形状に覆う光変調装
置の製造方法であることを主要な特徴とする。請求項２
９の本発明は、請求項２４、２５又は２６に記載の光変
調装置の製造方法において、犠牲材料層除去工程は、薄
膜両端固定梁を凹形状部上に堆積した堆積物を介して固
定して保持される光変調装置の製造方法であることを主
要な特徴とする。
【０００９】請求項３０の本発明は、請求項２３、２
４、２５、２６、２７、２８又は２９に記載の光変調装
置の製造方法において、犠牲材料層の犠牲材料は、シリ
コン酸化膜である光変調装置の製造方法であることを主
要な特徴とする。請求項３１の本発明は、電子写真プロ
セスで光り書き込みを行なって画像を形成する光変調装
置を具備する画像形成装置において、回動可能に保持さ
れて形成画像を担持する画像担持体と、上記画像担持体
上を光り書き込みを行なって潜像を形成する請求項１、
２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、
１３、１４、１５、１６、１７、１８、１９、２０、２
１又は２２に記載の光変調装置からなる潜像形成手段
と、上記潜像形成手段の上記光変調装置によって形成さ
れた潜像を顕像化してトナー画像を形成する現像手段
と、上記現像手段で形成されたトナー画像を被転写体に
転写する転写手段とからなる光変調装置を具備する画像
形成装置であることを最も主要な特徴とする。請求項３
２の本発明は、画像を投影して表示する光変調装置を具
備する画像投影表示装置において、画像投影データの入
射光の反射方向を変えて光変調を行なって画像を投影し
て表示する請求項１、２、３、４、５、６、７、８、
９、１０、１１、１２、１３、１４、１５、１６、１
７、１８、１９、２０、２１又は２２に記載の光変調装
置からなる光スイッチ手段と、上記光スイッチ手段の上
記光変調装置が投影する画像を表示する投影スクリーン
とからなる光変調装置を具備する画像投影表示装置であ
ることを最も主要な特徴とする。
４、２５、２６、２７、２８又は２９に記載の光変調装
置の製造方法において、犠牲材料層の犠牲材料は、シリ
コン酸化膜である光変調装置の製造方法であることを主
要な特徴とする。請求項３１の本発明は、電子写真プロ
セスで光り書き込みを行なって画像を形成する光変調装
置を具備する画像形成装置において、回動可能に保持さ
れて形成画像を担持する画像担持体と、上記画像担持体
上を光り書き込みを行なって潜像を形成する請求項１、
２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、
１３、１４、１５、１６、１７、１８、１９、２０、２
１又は２２に記載の光変調装置からなる潜像形成手段
と、上記潜像形成手段の上記光変調装置によって形成さ
れた潜像を顕像化してトナー画像を形成する現像手段
と、上記現像手段で形成されたトナー画像を被転写体に
転写する転写手段とからなる光変調装置を具備する画像
形成装置であることを最も主要な特徴とする。請求項３
２の本発明は、画像を投影して表示する光変調装置を具
備する画像投影表示装置において、画像投影データの入
射光の反射方向を変えて光変調を行なって画像を投影し
て表示する請求項１、２、３、４、５、６、７、８、
９、１０、１１、１２、１３、１４、１５、１６、１
７、１８、１９、２０、２１又は２２に記載の光変調装
置からなる光スイッチ手段と、上記光スイッチ手段の上
記光変調装置が投影する画像を表示する投影スクリーン
とからなる光変調装置を具備する画像投影表示装置であ
ることを最も主要な特徴とする。
【００１０】
【作用】上記のように構成された光変調装置及びその光
変調装置の製造方法並びにその光変調装置を具備する画
像形成装置及びその光変調装置を具備する画像投影表示
装置は、請求項１においては、入射光を正反射する反射
手段を側面に組み合わせ構成する薄膜で形成され両端が
固定されて静電力で変形する薄膜両端固定梁の他方側面
に形成される空隙を介して薄膜両端固定梁に対向して駆
動電圧を印加する基板電極を形成して、薄膜両端固定梁
を固定して保持する基板の基板表面に薄膜両端固定梁を
固定して保持する固定保持部に凹形状の凹形状部を形成
するようにして、入射光の反射方向を変えて光変調を行
う構造が簡単で応答も速く、使用する入射光の波長が制
限されることなく、作動が安定で信頼性も高く、微細化
され梁の固定領域が小さくても十分な保持性を確保し、
隣接素子への相互作用を抑制する光変調装置を提供する
ことが出来るようにする。請求項２においては、入射光
を正反射する金属薄膜で形成された反射手段を側面に組
み合わせ構成する薄膜で形成され両端が固定されて静電
力で変形する薄膜両端固定梁の他方側面に形成される空
隙を介して薄膜両端固定梁に対向して駆動電圧を印加す
る基板電極を形成して、薄膜両端固定梁を固定して保持
する基板の基板表面に薄膜両端固定梁を固定して保持す
る固定保持部に凹形状の凹形状部を形成するようにし
て、薄膜両端固定梁を駆動する他方の電極を省略するこ
とが出来るようになり、入射光の反射方向を変えて光変
調を行う構造が更に簡単で応答も速く、使用する入射光
の波長が制限されることなく、作動が安定で信頼性も高
く、微細化され梁の固定領域が小さくても十分な保持性
を確保し、隣接素子への相互作用を抑制する光変調装置
を提供することが出来るようにする。請求項３において
は、入射光を正反射する反射手段を側面に組み合わせ構
成する薄膜で形成され両端が固定されて静電力で変形す
る薄膜両端固定梁の他方側面に形成される空隙を介して
薄膜両端固定梁に対向して駆動電圧を印加する基板電極
を形成して、薄膜両端固定梁を固定して保持する基板の
基板表面に薄膜両端固定梁を固定して保持する固定保持
部に凹形状の凹形状部を形成すると共に薄膜両端固定梁
は凹形状部上の凹形状に沿って形成された凹形状形成部
とからなるようにして、入射光の反射方向を変えて光変
調を行う構造が簡単で応答も速く、使用する入射光の波
長が制限されることなく、作動が安定で信頼性も高く、
微細化され梁の固定領域が小さくても更に十分な保持性
を確保し、隣接素子への相互作用を抑制する光変調装置
を提供することが出来るようにする。
変調装置の製造方法並びにその光変調装置を具備する画
像形成装置及びその光変調装置を具備する画像投影表示
装置は、請求項１においては、入射光を正反射する反射
手段を側面に組み合わせ構成する薄膜で形成され両端が
固定されて静電力で変形する薄膜両端固定梁の他方側面
に形成される空隙を介して薄膜両端固定梁に対向して駆
動電圧を印加する基板電極を形成して、薄膜両端固定梁
を固定して保持する基板の基板表面に薄膜両端固定梁を
固定して保持する固定保持部に凹形状の凹形状部を形成
するようにして、入射光の反射方向を変えて光変調を行
う構造が簡単で応答も速く、使用する入射光の波長が制
限されることなく、作動が安定で信頼性も高く、微細化
され梁の固定領域が小さくても十分な保持性を確保し、
隣接素子への相互作用を抑制する光変調装置を提供する
ことが出来るようにする。請求項２においては、入射光
を正反射する金属薄膜で形成された反射手段を側面に組
み合わせ構成する薄膜で形成され両端が固定されて静電
力で変形する薄膜両端固定梁の他方側面に形成される空
隙を介して薄膜両端固定梁に対向して駆動電圧を印加す
る基板電極を形成して、薄膜両端固定梁を固定して保持
する基板の基板表面に薄膜両端固定梁を固定して保持す
る固定保持部に凹形状の凹形状部を形成するようにし
て、薄膜両端固定梁を駆動する他方の電極を省略するこ
とが出来るようになり、入射光の反射方向を変えて光変
調を行う構造が更に簡単で応答も速く、使用する入射光
の波長が制限されることなく、作動が安定で信頼性も高
く、微細化され梁の固定領域が小さくても十分な保持性
を確保し、隣接素子への相互作用を抑制する光変調装置
を提供することが出来るようにする。請求項３において
は、入射光を正反射する反射手段を側面に組み合わせ構
成する薄膜で形成され両端が固定されて静電力で変形す
る薄膜両端固定梁の他方側面に形成される空隙を介して
薄膜両端固定梁に対向して駆動電圧を印加する基板電極
を形成して、薄膜両端固定梁を固定して保持する基板の
基板表面に薄膜両端固定梁を固定して保持する固定保持
部に凹形状の凹形状部を形成すると共に薄膜両端固定梁
は凹形状部上の凹形状に沿って形成された凹形状形成部
とからなるようにして、入射光の反射方向を変えて光変
調を行う構造が簡単で応答も速く、使用する入射光の波
長が制限されることなく、作動が安定で信頼性も高く、
微細化され梁の固定領域が小さくても更に十分な保持性
を確保し、隣接素子への相互作用を抑制する光変調装置
を提供することが出来るようにする。
【００１１】請求項４においては、入射光を正反射する
反射手段を側面に組み合わせ構成する薄膜で形成され両
端が固定されて静電力で変形する薄膜両端固定梁の他方
側面に形成される空隙を介して薄膜両端固定梁に対向し
て駆動電圧を印加する基板電極を形成して、薄膜両端固
定梁を固定して保持する基板の基板表面に薄膜両端固定
梁を固定して保持する固定保持部に凹形状の凹形状部を
形成すると共に薄膜両端固定梁は蓋形状の蓋形状部で凹
形状部上を覆うようにして、振動の伝搬面積が低下して
振動の伝搬の抑制は更に向上し、入射光の反射方向を変
えて光変調を行う構造が簡単で応答も速く、使用する入
射光の波長が制限されることなく、作動が安定で信頼性
も高く、微細化され梁の固定領域が小さくても十分な保
持性を確保し、隣接素子への相互作用を更に抑制する光
変調装置を提供することが出来るようにする。請求項５
においては、入射光を正反射する反射手段を側面に組み
合わせ構成する薄膜で形成され両端が固定されて静電力
で変形する薄膜両端固定梁の他方側面に形成される空隙
を介して薄膜両端固定梁に対向して駆動電圧を印加する
基板電極を形成して、薄膜両端固定梁を固定して保持す
る基板の基板表面に薄膜両端固定梁を固定して保持する
固定保持部に凹形状の凹形状部を形成すると共に薄膜両
端固定梁は凹形状部上に堆積した堆積物を介して固定し
て保持されるようにして、固定保持部からの振動の伝搬
面積が低下し堆積物により振動が吸収されるので振動の
伝搬の抑制は更に向上して、入射光の反射方向を変えて
光変調を行う構造が簡単で応答も速く、使用する入射光
の波長が制限されることなく、作動が安定で信頼性も高
く、微細化され梁の固定領域が小さくても十分な保持性
を確保し、隣接素子への相互作用を更に抑制する光変調
装置を提供することが出来るようにする。請求項６にお
いては、入射光を正反射する反射手段を側面に組み合わ
せ構成する薄膜で形成され両端が固定されて静電力で変
形する薄膜両端固定梁の他方側面に形成される空隙を介
して薄膜両端固定梁に対向して駆動電圧を印加する基板
電極を形成して、薄膜両端固定梁を固定して保持する基
板の基板表面に薄膜両端固定梁を固定して保持する固定
保持部に凹形状の凹形状部を形成すると共に薄膜両端固
定梁は凹形状部上に堆積した振動吸収材からなる堆積物
を介して固定して保持されるようにして、固定保持部か
らの振動の伝搬面積が低下し堆積物により振動が更に吸
収されるので振動の伝搬の抑制は更に十分向上して、入
射光の反射方向を変えて光変調を行う構造が簡単で応答
も速く、使用する入射光の波長が制限されることなく、
作動が安定で信頼性も高く、微細化され梁の固定領域が
小さくても十分な保持性を確保し、隣接素子への相互作
用を更に抑制する光変調装置を提供することが出来るよ
うにする。
反射手段を側面に組み合わせ構成する薄膜で形成され両
端が固定されて静電力で変形する薄膜両端固定梁の他方
側面に形成される空隙を介して薄膜両端固定梁に対向し
て駆動電圧を印加する基板電極を形成して、薄膜両端固
定梁を固定して保持する基板の基板表面に薄膜両端固定
梁を固定して保持する固定保持部に凹形状の凹形状部を
形成すると共に薄膜両端固定梁は蓋形状の蓋形状部で凹
形状部上を覆うようにして、振動の伝搬面積が低下して
振動の伝搬の抑制は更に向上し、入射光の反射方向を変
えて光変調を行う構造が簡単で応答も速く、使用する入
射光の波長が制限されることなく、作動が安定で信頼性
も高く、微細化され梁の固定領域が小さくても十分な保
持性を確保し、隣接素子への相互作用を更に抑制する光
変調装置を提供することが出来るようにする。請求項５
においては、入射光を正反射する反射手段を側面に組み
合わせ構成する薄膜で形成され両端が固定されて静電力
で変形する薄膜両端固定梁の他方側面に形成される空隙
を介して薄膜両端固定梁に対向して駆動電圧を印加する
基板電極を形成して、薄膜両端固定梁を固定して保持す
る基板の基板表面に薄膜両端固定梁を固定して保持する
固定保持部に凹形状の凹形状部を形成すると共に薄膜両
端固定梁は凹形状部上に堆積した堆積物を介して固定し
て保持されるようにして、固定保持部からの振動の伝搬
面積が低下し堆積物により振動が吸収されるので振動の
伝搬の抑制は更に向上して、入射光の反射方向を変えて
光変調を行う構造が簡単で応答も速く、使用する入射光
の波長が制限されることなく、作動が安定で信頼性も高
く、微細化され梁の固定領域が小さくても十分な保持性
を確保し、隣接素子への相互作用を更に抑制する光変調
装置を提供することが出来るようにする。請求項６にお
いては、入射光を正反射する反射手段を側面に組み合わ
せ構成する薄膜で形成され両端が固定されて静電力で変
形する薄膜両端固定梁の他方側面に形成される空隙を介
して薄膜両端固定梁に対向して駆動電圧を印加する基板
電極を形成して、薄膜両端固定梁を固定して保持する基
板の基板表面に薄膜両端固定梁を固定して保持する固定
保持部に凹形状の凹形状部を形成すると共に薄膜両端固
定梁は凹形状部上に堆積した振動吸収材からなる堆積物
を介して固定して保持されるようにして、固定保持部か
らの振動の伝搬面積が低下し堆積物により振動が更に吸
収されるので振動の伝搬の抑制は更に十分向上して、入
射光の反射方向を変えて光変調を行う構造が簡単で応答
も速く、使用する入射光の波長が制限されることなく、
作動が安定で信頼性も高く、微細化され梁の固定領域が
小さくても十分な保持性を確保し、隣接素子への相互作
用を更に抑制する光変調装置を提供することが出来るよ
うにする。
【００１２】請求項７においては、入射光を正反射する
反射手段を側面に組み合わせ構成する薄膜で形成され両
端が固定されて静電力で変形する薄膜両端固定梁の他方
側面に形成される空隙を介して薄膜両端固定梁に対向し
て駆動電圧を印加する基板電極を形成して、薄膜両端固
定梁を固定して保持する基板の基板表面に薄膜両端固定
梁を固定して保持する固定保持部に凹形状の凹形状部を
形成すると共に薄膜両端固定梁は凹形状部上に堆積した
犠牲材料層を形成する犠牲材料からなる堆積物を介して
固定して保持されるようにして、固定保持部からの振動
の伝搬面積が低下し犠牲層の犠牲材料からなる堆積物に
より振動が更に吸収されるので振動の伝搬の抑制は更に
十分向上して、入射光の反射方向を変えて光変調を行う
構造が簡単で応答も速く、使用する入射光の波長が制限
されることなく、作動が安定で信頼性も高く、微細化さ
れ梁の固定領域が小さくても十分な保持性を確保し、隣
接素子への相互作用を更に抑制する光変調装置を提供す
ることが出来るようにする。請求項８においては、入射
光を正反射する反射手段を側面に組み合わせ構成する薄
膜で形成され両端が固定されて静電力で変形する薄膜両
端固定梁の他方側面に形成される空隙を介して薄膜両端
固定梁に対向して駆動電圧を印加する基板電極を形成し
て、薄膜両端固定梁を固定して保持する基板の基板表面
に薄膜両端固定梁を固定して保持する固定保持部に凹形
状の凹形状部を形成すると共に薄膜両端固定梁は基板の
基板表面上に基板表面と平行に配置されるようにして、
光変調性の制御が容易となり、入射光の反射方向を変え
て光変調を行う構造が簡単で応答も速く、使用する入射
光の波長が制限されることなく、作動が安定で信頼性も
高く、微細化され梁の固定領域が小さくても十分な保持
性を確保し、隣接素子への相互作用を抑制する光変調装
置を提供することが出来るようにする。
反射手段を側面に組み合わせ構成する薄膜で形成され両
端が固定されて静電力で変形する薄膜両端固定梁の他方
側面に形成される空隙を介して薄膜両端固定梁に対向し
て駆動電圧を印加する基板電極を形成して、薄膜両端固
定梁を固定して保持する基板の基板表面に薄膜両端固定
梁を固定して保持する固定保持部に凹形状の凹形状部を
形成すると共に薄膜両端固定梁は凹形状部上に堆積した
犠牲材料層を形成する犠牲材料からなる堆積物を介して
固定して保持されるようにして、固定保持部からの振動
の伝搬面積が低下し犠牲層の犠牲材料からなる堆積物に
より振動が更に吸収されるので振動の伝搬の抑制は更に
十分向上して、入射光の反射方向を変えて光変調を行う
構造が簡単で応答も速く、使用する入射光の波長が制限
されることなく、作動が安定で信頼性も高く、微細化さ
れ梁の固定領域が小さくても十分な保持性を確保し、隣
接素子への相互作用を更に抑制する光変調装置を提供す
ることが出来るようにする。請求項８においては、入射
光を正反射する反射手段を側面に組み合わせ構成する薄
膜で形成され両端が固定されて静電力で変形する薄膜両
端固定梁の他方側面に形成される空隙を介して薄膜両端
固定梁に対向して駆動電圧を印加する基板電極を形成し
て、薄膜両端固定梁を固定して保持する基板の基板表面
に薄膜両端固定梁を固定して保持する固定保持部に凹形
状の凹形状部を形成すると共に薄膜両端固定梁は基板の
基板表面上に基板表面と平行に配置されるようにして、
光変調性の制御が容易となり、入射光の反射方向を変え
て光変調を行う構造が簡単で応答も速く、使用する入射
光の波長が制限されることなく、作動が安定で信頼性も
高く、微細化され梁の固定領域が小さくても十分な保持
性を確保し、隣接素子への相互作用を抑制する光変調装
置を提供することが出来るようにする。
【００１３】請求項９においては、入射光を正反射する
反射手段を側面に組み合わせ構成する薄膜で形成され両
端が固定されて静電力で変形する薄膜両端固定梁の他方
側面に形成される空隙を介して薄膜両端固定梁に対向し
て駆動電圧を印加する基板電極を形成して、薄膜両端固
定梁を固定して保持する基板の基板表面に薄膜両端固定
梁を固定して保持する固定保持部に凹形状の凹形状部を
形成すると共に薄膜両端固定梁は引っ張り応力を有する
部材からなるようにして、薄膜両端固定梁と基板電極の
対向面で形成される空隔は駆動電圧が印加されない状態
では絶えず同位置にあることが容易となり且つ薄膜両端
固定梁が撓んだ後に元に戻る位置も安定して光変調性の
制御が容易となり、入射光の反射方向を変えて光変調を
行う構造が簡単で応答も速く、使用する入射光の波長が
制限されることなく、作動が安定で信頼性も高く、微細
化され梁の固定領域が小さくても十分な保持性を確保
し、隣接素子への相互作用を抑制する光変調装置を提供
することが出来るようにする。請求項１０においては、
入射光を正反射する反射手段を側面に組み合わせ構成す
る薄膜で形成され両端が固定されて静電力で変形する薄
膜両端固定梁の他方側面に形成される空隙を介して薄膜
両端固定梁に対向して駆動電圧を印加する基板電極を形
成して、薄膜両端固定梁を固定して保持する基板の基板
表面に薄膜両端固定梁を固定して保持する固定保持部に
凹形状の凹形状部を形成すると共に薄膜両端固定梁は引
っ張り応力を有する部材のシリコン窒化膜からなるよう
にして、薄膜両端固定梁は若干張られた状態になり、薄
膜両端固定梁と基板電極の対向面で形成される空隔は駆
動電圧が印加されない状態では絶えず同位置にあること
が容易となり且つ薄膜両端固定梁が撓んだ後に元に戻る
位置も安定して光変調性の制御が容易となり、入射光の
反射方向を変えて光変調を行う構造が簡単で応答も速
く、使用する入射光の波長が制限されることなく、作動
が安定で信頼性も高く、微細化され梁の固定領域が小さ
くても十分な保持性を確保し、隣接素子への相互作用を
抑制する光変調装置を提供することが出来るようにす
る。請求項１１においては、入射光を正反射する反射手
段を側面に組み合わせ構成する薄膜で形成され両端が固
定されて静電力で変形する薄膜両端固定梁の他方側面に
形成される空隙を介して薄膜両端固定梁に対向して駆動
電圧を印加する基板電極を形成して、薄膜両端固定梁を
固定して保持する基板の基板表面に薄膜両端固定梁を固
定して保持する固定保持部に凹形状の凹形状部を形成す
ると共に薄膜両端固定梁は空隙を介して非平行の基板電
極の対向面と対向するようにして、薄膜両端固定梁の変
形に要する駆動電圧を小さくなり省資源で、入射光の反
射方向を変えて光変調を行う構造が簡単で応答も速く、
使用する入射光の波長が制限されることなく、作動が安
定で信頼性も高く、微細化され梁の固定領域が小さくて
も十分な保持性を確保し、隣接素子への相互作用を抑制
する光変調装置を提供することが出来るようにする。
反射手段を側面に組み合わせ構成する薄膜で形成され両
端が固定されて静電力で変形する薄膜両端固定梁の他方
側面に形成される空隙を介して薄膜両端固定梁に対向し
て駆動電圧を印加する基板電極を形成して、薄膜両端固
定梁を固定して保持する基板の基板表面に薄膜両端固定
梁を固定して保持する固定保持部に凹形状の凹形状部を
形成すると共に薄膜両端固定梁は引っ張り応力を有する
部材からなるようにして、薄膜両端固定梁と基板電極の
対向面で形成される空隔は駆動電圧が印加されない状態
では絶えず同位置にあることが容易となり且つ薄膜両端
固定梁が撓んだ後に元に戻る位置も安定して光変調性の
制御が容易となり、入射光の反射方向を変えて光変調を
行う構造が簡単で応答も速く、使用する入射光の波長が
制限されることなく、作動が安定で信頼性も高く、微細
化され梁の固定領域が小さくても十分な保持性を確保
し、隣接素子への相互作用を抑制する光変調装置を提供
することが出来るようにする。請求項１０においては、
入射光を正反射する反射手段を側面に組み合わせ構成す
る薄膜で形成され両端が固定されて静電力で変形する薄
膜両端固定梁の他方側面に形成される空隙を介して薄膜
両端固定梁に対向して駆動電圧を印加する基板電極を形
成して、薄膜両端固定梁を固定して保持する基板の基板
表面に薄膜両端固定梁を固定して保持する固定保持部に
凹形状の凹形状部を形成すると共に薄膜両端固定梁は引
っ張り応力を有する部材のシリコン窒化膜からなるよう
にして、薄膜両端固定梁は若干張られた状態になり、薄
膜両端固定梁と基板電極の対向面で形成される空隔は駆
動電圧が印加されない状態では絶えず同位置にあること
が容易となり且つ薄膜両端固定梁が撓んだ後に元に戻る
位置も安定して光変調性の制御が容易となり、入射光の
反射方向を変えて光変調を行う構造が簡単で応答も速
く、使用する入射光の波長が制限されることなく、作動
が安定で信頼性も高く、微細化され梁の固定領域が小さ
くても十分な保持性を確保し、隣接素子への相互作用を
抑制する光変調装置を提供することが出来るようにす
る。請求項１１においては、入射光を正反射する反射手
段を側面に組み合わせ構成する薄膜で形成され両端が固
定されて静電力で変形する薄膜両端固定梁の他方側面に
形成される空隙を介して薄膜両端固定梁に対向して駆動
電圧を印加する基板電極を形成して、薄膜両端固定梁を
固定して保持する基板の基板表面に薄膜両端固定梁を固
定して保持する固定保持部に凹形状の凹形状部を形成す
ると共に薄膜両端固定梁は空隙を介して非平行の基板電
極の対向面と対向するようにして、薄膜両端固定梁の変
形に要する駆動電圧を小さくなり省資源で、入射光の反
射方向を変えて光変調を行う構造が簡単で応答も速く、
使用する入射光の波長が制限されることなく、作動が安
定で信頼性も高く、微細化され梁の固定領域が小さくて
も十分な保持性を確保し、隣接素子への相互作用を抑制
する光変調装置を提供することが出来るようにする。
【００１４】請求項１２においては、入射光を正反射す
る反射手段を側面に組み合わせ構成する薄膜で形成され
両端が固定されて静電力で変形する薄膜両端固定梁の他
方側面に形成される空隙を介して薄膜両端固定梁に対向
して駆動電圧を印加する基板電極を形成して、薄膜両端
固定梁を固定して保持する基板の基板表面に薄膜両端固
定梁を固定して保持する固定保持部に凹形状の凹形状部
を形成すると共に薄膜両端固定梁は駆動電圧の印加によ
り変形して基板電極の対向面に当接して変形が規制され
て反射手段の入射光の光変調を行うようにして、入射光
の反射方向を変えて光変調を行う構造が簡単で応答も速
く、使用する入射光の波長が制限されることなく、作動
が確実で安定で信頼性も高く、微細化され梁の固定領域
が小さくても十分な保持性を確保し、隣接素子への相互
作用を抑制する光変調装置を提供することが出来るよう
にする。請求項１３においては、入射光を正反射する反
射手段を側面に組み合わせ構成する薄膜で形成され両端
が固定されて静電力で変形する低抵抗材で形成されてい
る薄膜両端固定梁の他方側面に形成される空隙を介して
薄膜両端固定梁に対向して駆動電圧を印加する基板電極
を形成して、薄膜両端固定梁を固定して保持する基板の
基板表面に薄膜両端固定梁を固定して保持する固定保持
部に凹形状の凹形状部を形成するようにして、薄膜両端
固定梁を駆動する他方の電極を省略することが出来るよ
うになり、入射光の反射方向を変えて光変調を行う構造
が簡単で応答も速く、使用する入射光の波長が制限され
ることなく、作動が安定で信頼性も高く、微細化され梁
の固定領域が小さくても十分な保持性を確保し、隣接素
子への相互作用を抑制する光変調装置を提供することが
出来るようにする。請求項１４のにおいては、入射光を
正反射する反射手段を側面に組み合わせ構成する薄膜で
形成され両端が固定されて静電力で変形する低抵抗材で
形成されている薄膜両端固定梁の他方側面に形成される
空隙を介して薄膜両端固定梁に対向して駆動電圧を印加
する基板電極を形成して、薄膜両端固定梁を固定して保
持する基板の基板表面に薄膜両端固定梁を固定して保持
する固定保持部に凹形状の凹形状部を形成すると共に薄
膜両端固定梁の低抵抗材はシリコンを不純物により低抵
抗化して形成されるようにして、薄膜両端固定梁を駆動
する他方の電極を省略することが出来るようになり、入
射光の反射方向を変えて光変調を行う構造が簡単で応答
も速く、使用する入射光の波長が制限されることなく、
作動が安定で信頼性も高く、微細化され梁の固定領域が
小さくても十分な保持性を確保し、隣接素子への相互作
用を抑制する光変調装置を提供することが出来るように
する。
る反射手段を側面に組み合わせ構成する薄膜で形成され
両端が固定されて静電力で変形する薄膜両端固定梁の他
方側面に形成される空隙を介して薄膜両端固定梁に対向
して駆動電圧を印加する基板電極を形成して、薄膜両端
固定梁を固定して保持する基板の基板表面に薄膜両端固
定梁を固定して保持する固定保持部に凹形状の凹形状部
を形成すると共に薄膜両端固定梁は駆動電圧の印加によ
り変形して基板電極の対向面に当接して変形が規制され
て反射手段の入射光の光変調を行うようにして、入射光
の反射方向を変えて光変調を行う構造が簡単で応答も速
く、使用する入射光の波長が制限されることなく、作動
が確実で安定で信頼性も高く、微細化され梁の固定領域
が小さくても十分な保持性を確保し、隣接素子への相互
作用を抑制する光変調装置を提供することが出来るよう
にする。請求項１３においては、入射光を正反射する反
射手段を側面に組み合わせ構成する薄膜で形成され両端
が固定されて静電力で変形する低抵抗材で形成されてい
る薄膜両端固定梁の他方側面に形成される空隙を介して
薄膜両端固定梁に対向して駆動電圧を印加する基板電極
を形成して、薄膜両端固定梁を固定して保持する基板の
基板表面に薄膜両端固定梁を固定して保持する固定保持
部に凹形状の凹形状部を形成するようにして、薄膜両端
固定梁を駆動する他方の電極を省略することが出来るよ
うになり、入射光の反射方向を変えて光変調を行う構造
が簡単で応答も速く、使用する入射光の波長が制限され
ることなく、作動が安定で信頼性も高く、微細化され梁
の固定領域が小さくても十分な保持性を確保し、隣接素
子への相互作用を抑制する光変調装置を提供することが
出来るようにする。請求項１４のにおいては、入射光を
正反射する反射手段を側面に組み合わせ構成する薄膜で
形成され両端が固定されて静電力で変形する低抵抗材で
形成されている薄膜両端固定梁の他方側面に形成される
空隙を介して薄膜両端固定梁に対向して駆動電圧を印加
する基板電極を形成して、薄膜両端固定梁を固定して保
持する基板の基板表面に薄膜両端固定梁を固定して保持
する固定保持部に凹形状の凹形状部を形成すると共に薄
膜両端固定梁の低抵抗材はシリコンを不純物により低抵
抗化して形成されるようにして、薄膜両端固定梁を駆動
する他方の電極を省略することが出来るようになり、入
射光の反射方向を変えて光変調を行う構造が簡単で応答
も速く、使用する入射光の波長が制限されることなく、
作動が安定で信頼性も高く、微細化され梁の固定領域が
小さくても十分な保持性を確保し、隣接素子への相互作
用を抑制する光変調装置を提供することが出来るように
する。
【００１５】請求項１５においては、入射光を正反射す
る反射手段を側面に組み合わせ構成する薄膜で形成され
両端が固定されて静電力で変形する単結晶シリコン薄膜
で形成されている薄膜両端固定梁の他方側面に形成され
る空隙を介して薄膜両端固定梁に対向して駆動電圧を印
加する基板電極を形成して、薄膜両端固定梁を固定して
保持する基板の基板表面に薄膜両端固定梁を固定して保
持する固定保持部に凹形状の凹形状部を形成するように
して、薄膜両端固定梁は欠陥が少なく寿命が長くなり、
入射光の反射方向を変えて光変調を行う構造が簡単で応
答も速く、使用する入射光の波長が制限されることな
く、作動が安定で信頼性も高く、微細化され梁の固定領
域が小さくても十分な保持性を確保し、隣接素子への相
互作用を抑制する光変調装置を提供することが出来るよ
うにする。請求項１６においては、入射光を正反射する
反射手段を側面に組み合わせ構成する薄膜で形成され両
端が固定されて静電力で変形する多結晶シリコン薄膜薄
膜で形成されている薄膜両端固定梁の他方側面に形成さ
れる空隙を介して薄膜両端固定梁に対向して駆動電圧を
印加する基板電極を形成して、薄膜両端固定梁を固定し
て保持する基板の基板表面に薄膜両端固定梁を固定して
保持する固定保持部に凹形状の凹形状部を形成するよう
にして、薄膜両端固定梁はＣＶＤ等の手法を用いること
が出来るので低コストとなり、入射光の反射方向を変え
て光変調を行う構造が簡単で応答も速く、使用する入射
光の波長が制限されることなく、作動が安定で信頼性も
高く、微細化され梁の固定領域が小さくても十分な保持
性を確保し、隣接素子への相互作用を抑制する光変調装
置を提供することが出来るようにする。請求項１７にお
いては、請求項１の発明によれば、入射光を正反射する
反射手段を側面に組み合わせ構成する薄膜で形成され両
端が固定されて静電力で変形する窒化シリコン薄膜で形
成されている薄膜両端固定梁の他方側面に形成される空
隙を介して薄膜両端固定梁に対向して駆動電圧を印加す
る基板電極を形成して、薄膜両端固定梁を固定して保持
する基板の基板表面に薄膜両端固定梁を固定して保持す
る固定保持部に凹形状の凹形状部を形成するようにし
て、入射光の反射方向を変えて光変調を行う構造が簡単
で窒化シリコン薄膜の引張応力の作用によりスイッチン
グの応答速度も更に速くなり、使用する入射光の波長が
制限されることなく、作動が安定で信頼性も高く、微細
化され梁の固定領域が小さくても十分な保持性を確保
し、隣接素子への相互作用を抑制する光変調装置を提供
することが出来るようにする。
る反射手段を側面に組み合わせ構成する薄膜で形成され
両端が固定されて静電力で変形する単結晶シリコン薄膜
で形成されている薄膜両端固定梁の他方側面に形成され
る空隙を介して薄膜両端固定梁に対向して駆動電圧を印
加する基板電極を形成して、薄膜両端固定梁を固定して
保持する基板の基板表面に薄膜両端固定梁を固定して保
持する固定保持部に凹形状の凹形状部を形成するように
して、薄膜両端固定梁は欠陥が少なく寿命が長くなり、
入射光の反射方向を変えて光変調を行う構造が簡単で応
答も速く、使用する入射光の波長が制限されることな
く、作動が安定で信頼性も高く、微細化され梁の固定領
域が小さくても十分な保持性を確保し、隣接素子への相
互作用を抑制する光変調装置を提供することが出来るよ
うにする。請求項１６においては、入射光を正反射する
反射手段を側面に組み合わせ構成する薄膜で形成され両
端が固定されて静電力で変形する多結晶シリコン薄膜薄
膜で形成されている薄膜両端固定梁の他方側面に形成さ
れる空隙を介して薄膜両端固定梁に対向して駆動電圧を
印加する基板電極を形成して、薄膜両端固定梁を固定し
て保持する基板の基板表面に薄膜両端固定梁を固定して
保持する固定保持部に凹形状の凹形状部を形成するよう
にして、薄膜両端固定梁はＣＶＤ等の手法を用いること
が出来るので低コストとなり、入射光の反射方向を変え
て光変調を行う構造が簡単で応答も速く、使用する入射
光の波長が制限されることなく、作動が安定で信頼性も
高く、微細化され梁の固定領域が小さくても十分な保持
性を確保し、隣接素子への相互作用を抑制する光変調装
置を提供することが出来るようにする。請求項１７にお
いては、請求項１の発明によれば、入射光を正反射する
反射手段を側面に組み合わせ構成する薄膜で形成され両
端が固定されて静電力で変形する窒化シリコン薄膜で形
成されている薄膜両端固定梁の他方側面に形成される空
隙を介して薄膜両端固定梁に対向して駆動電圧を印加す
る基板電極を形成して、薄膜両端固定梁を固定して保持
する基板の基板表面に薄膜両端固定梁を固定して保持す
る固定保持部に凹形状の凹形状部を形成するようにし
て、入射光の反射方向を変えて光変調を行う構造が簡単
で窒化シリコン薄膜の引張応力の作用によりスイッチン
グの応答速度も更に速くなり、使用する入射光の波長が
制限されることなく、作動が安定で信頼性も高く、微細
化され梁の固定領域が小さくても十分な保持性を確保
し、隣接素子への相互作用を抑制する光変調装置を提供
することが出来るようにする。
【００１６】請求項１８においては、入射光を正反射す
る反射手段を側面に組み合わせ構成する薄膜で形成され
両端が固定されて静電力で変形する薄膜両端固定梁の他
方側面に形成される空隙を介して薄膜両端固定梁に対向
して駆動電圧を印加する基板電極を形成して、薄膜両端
固定梁を固定して保持する基板の基板表面に薄膜両端固
定梁を固定して保持する固定保持部に凹形状の凹形状部
を形成すると共に薄膜両端固定梁の被保持部は相対する
両端部の２辺を基板の固定保持部に固定して保持される
ようにして、入射光の反射方向を変えて光変調を行う構
造が簡単で応答も速く、使用する入射光の波長が制限さ
れることなく、作動が安定で信頼性も高く、微細化され
梁の固定領域が小さくても十分な保持性を確実確保し、
隣接素子への相互作用を抑制する光変調装置を提供する
ことが出来るようにする。請求項１９においては、入射
光を正反射する反射手段を側面に組み合わせ構成する薄
膜で形成され両端が固定されて静電力で変形する薄膜両
端固定梁の他方側面に形成される空隙を介して薄膜両端
固定梁に対向して駆動電圧を印加する基板電極を形成し
て、薄膜両端固定梁を固定して保持する基板の基板表面
に薄膜両端固定梁を固定して保持する固定保持部に凹形
状の凹形状部を形成すると共に基板は振動の伝播を抑制
する振動伝播抑制部とからなるようにして、入射光の反
射方向を変えて光変調を行う構造が簡単で応答も速く、
使用する入射光の波長が制限されることなく、作動が安
定で信頼性も高く、微細化され梁の固定領域が小さくて
も十分な保持性を確保し、隣接素子への相互作用を更に
抑制する光変調装置を提供することが出来るようにす
る。請求項２０においては、入射光を正反射する反射手
段を側面に組み合わせ構成する薄膜で形成され両端が固
定されて静電力で変形する薄膜両端固定梁の他方側面に
形成される空隙を介して薄膜両端固定梁に対向して駆動
電圧を印加する基板電極を形成して、薄膜両端固定梁を
固定して保持する基板の基板表面に薄膜両端固定梁を固
定して保持する固定保持部に凹形状の凹形状部を形成す
ると共に基板は振動の伝播を抑制する振動伝播抑制部を
凹形状部の内側に形成するようにして、入射光の反射方
向を変えて光変調を行う構造が更に簡単で応答も速く、
使用する入射光の波長が制限されることなく、作動が安
定で信頼性も高く、微細化され梁の固定領域が小さくて
も十分な保持性を確保し、隣接素子への相互作用を更に
抑制する光変調装置を提供することが出来るようにする
る反射手段を側面に組み合わせ構成する薄膜で形成され
両端が固定されて静電力で変形する薄膜両端固定梁の他
方側面に形成される空隙を介して薄膜両端固定梁に対向
して駆動電圧を印加する基板電極を形成して、薄膜両端
固定梁を固定して保持する基板の基板表面に薄膜両端固
定梁を固定して保持する固定保持部に凹形状の凹形状部
を形成すると共に薄膜両端固定梁の被保持部は相対する
両端部の２辺を基板の固定保持部に固定して保持される
ようにして、入射光の反射方向を変えて光変調を行う構
造が簡単で応答も速く、使用する入射光の波長が制限さ
れることなく、作動が安定で信頼性も高く、微細化され
梁の固定領域が小さくても十分な保持性を確実確保し、
隣接素子への相互作用を抑制する光変調装置を提供する
ことが出来るようにする。請求項１９においては、入射
光を正反射する反射手段を側面に組み合わせ構成する薄
膜で形成され両端が固定されて静電力で変形する薄膜両
端固定梁の他方側面に形成される空隙を介して薄膜両端
固定梁に対向して駆動電圧を印加する基板電極を形成し
て、薄膜両端固定梁を固定して保持する基板の基板表面
に薄膜両端固定梁を固定して保持する固定保持部に凹形
状の凹形状部を形成すると共に基板は振動の伝播を抑制
する振動伝播抑制部とからなるようにして、入射光の反
射方向を変えて光変調を行う構造が簡単で応答も速く、
使用する入射光の波長が制限されることなく、作動が安
定で信頼性も高く、微細化され梁の固定領域が小さくて
も十分な保持性を確保し、隣接素子への相互作用を更に
抑制する光変調装置を提供することが出来るようにす
る。請求項２０においては、入射光を正反射する反射手
段を側面に組み合わせ構成する薄膜で形成され両端が固
定されて静電力で変形する薄膜両端固定梁の他方側面に
形成される空隙を介して薄膜両端固定梁に対向して駆動
電圧を印加する基板電極を形成して、薄膜両端固定梁を
固定して保持する基板の基板表面に薄膜両端固定梁を固
定して保持する固定保持部に凹形状の凹形状部を形成す
ると共に基板は振動の伝播を抑制する振動伝播抑制部を
凹形状部の内側に形成するようにして、入射光の反射方
向を変えて光変調を行う構造が更に簡単で応答も速く、
使用する入射光の波長が制限されることなく、作動が安
定で信頼性も高く、微細化され梁の固定領域が小さくて
も十分な保持性を確保し、隣接素子への相互作用を更に
抑制する光変調装置を提供することが出来るようにする
【００１７】請求項２１においては、入射光を正反射す
る反射手段を側面に組み合わせ構成する薄膜で形成され
両端が固定されて静電力で変形する薄膜両端固定梁の他
方側面に形成される空隙を介して薄膜両端固定梁に対向
して駆動電圧を印加する基板電極を形成して、薄膜両端
固定梁を固定して保持する基板の基板表面に薄膜両端固
定梁を固定して保持する固定保持部に凹形状の凹形状部
を形成すると共に基板は複数の反射手段と薄膜両端固定
梁と基板電極と基板表面に薄膜両端固定梁を固定して保
持する固定保持部と固定保持部に凹形状が形成された凹
形状部とを１次元アレー形状に配置するようにして、入
射光の反射方向を変えて光変調を行う構造が簡単で応答
も速く、使用する入射光の波長が制限されることなく、
作動が安定で信頼性も高く、微細化され梁の固定領域が
小さくても十分な保持性を確保し、隣接素子への相互作
用を抑制する１次元アレー形状に配置された光変調装置
を提供することが出来るようにする。請求項２２におい
ては、入射光を正反射する反射手段を側面に組み合わせ
構成する薄膜で形成され両端が固定されて静電力で変形
する薄膜両端固定梁の他方側面に形成される空隙を介し
て薄膜両端固定梁に対向して駆動電圧を印加する基板電
極を形成して、薄膜両端固定梁を固定して保持する基板
の基板表面に薄膜両端固定梁を固定して保持する固定保
持部に凹形状の凹形状部を形成すると共に基板は複数の
反射手段と薄膜両端固定梁と基板電極と基板表面に薄膜
両端固定梁を固定して保持する固定保持部と固定保持部
に凹形状が形成された凹形状部とを２次元アレー形状に
配置するようにして、入射光の反射方向を変えて光変調
を行う構造が簡単で応答も速く、使用する入射光の波長
が制限されることなく、作動が安定で信頼性も高く、微
細化され梁の固定領域が小さくても十分な保持性を確保
し、隣接素子への相互作用を抑制する２次元アレー形状
に配置された光変調装置を提供することが出来るように
する。
る反射手段を側面に組み合わせ構成する薄膜で形成され
両端が固定されて静電力で変形する薄膜両端固定梁の他
方側面に形成される空隙を介して薄膜両端固定梁に対向
して駆動電圧を印加する基板電極を形成して、薄膜両端
固定梁を固定して保持する基板の基板表面に薄膜両端固
定梁を固定して保持する固定保持部に凹形状の凹形状部
を形成すると共に基板は複数の反射手段と薄膜両端固定
梁と基板電極と基板表面に薄膜両端固定梁を固定して保
持する固定保持部と固定保持部に凹形状が形成された凹
形状部とを１次元アレー形状に配置するようにして、入
射光の反射方向を変えて光変調を行う構造が簡単で応答
も速く、使用する入射光の波長が制限されることなく、
作動が安定で信頼性も高く、微細化され梁の固定領域が
小さくても十分な保持性を確保し、隣接素子への相互作
用を抑制する１次元アレー形状に配置された光変調装置
を提供することが出来るようにする。請求項２２におい
ては、入射光を正反射する反射手段を側面に組み合わせ
構成する薄膜で形成され両端が固定されて静電力で変形
する薄膜両端固定梁の他方側面に形成される空隙を介し
て薄膜両端固定梁に対向して駆動電圧を印加する基板電
極を形成して、薄膜両端固定梁を固定して保持する基板
の基板表面に薄膜両端固定梁を固定して保持する固定保
持部に凹形状の凹形状部を形成すると共に基板は複数の
反射手段と薄膜両端固定梁と基板電極と基板表面に薄膜
両端固定梁を固定して保持する固定保持部と固定保持部
に凹形状が形成された凹形状部とを２次元アレー形状に
配置するようにして、入射光の反射方向を変えて光変調
を行う構造が簡単で応答も速く、使用する入射光の波長
が制限されることなく、作動が安定で信頼性も高く、微
細化され梁の固定領域が小さくても十分な保持性を確保
し、隣接素子への相互作用を抑制する２次元アレー形状
に配置された光変調装置を提供することが出来るように
する。
【００１８】請求項２３においては、基板の基板表面上
に凹形状部と空隙の該当部を形成した後に、犠牲材料か
らなる犠牲材料層を形成して基板の基板表面上を平坦化
して、薄膜両端固定梁を形成後に、犠牲材料層を除去し
て光変調装置を製造するようにして、入射光の反射方向
を変えて光変調を行う構造が簡単で応答も速く、使用す
る入射光の波長が制限されることなく、作動が安定で信
頼性も高く、微細化され梁の固定保持領域が小さくても
十分な固定保持性を確保し、隣接素子への相互作用を抑
制する製造工程が少なく低コストの光変調装置の製造方
法を提供することが出来るようにする。請求項２４にお
いては、基板の基板表面上に凹形状部と空隙の該当部を
形成した後に、犠牲材料からなる犠牲材料層を形成して
基板の基板表面上を平坦化して、薄膜両端固定梁を形成
後に、犠牲材料層を除去する為に、基板の基板表面上に
凹形状部と空隙の該当部を形成する凹形状部と空隙の該
当部形成工程と、基板の基板表面上の空隙中に基板電極
の全部又は一部を形成する基板電極形成工程と、基板の
基板表面上の空隙に犠牲材料からなる犠牲材料層を形成
する犠牲材料層形成工程と、基板の基板表面上の保護膜
を露出する保護膜露出工程と、犠牲材料層上に薄膜両端
固定梁を形成する薄膜両端固定梁形成工程と、空隙の犠
牲材料層を除去する犠牲材料層除去工程とからなる光変
調装置を製造するようにして、入射光の反射方向を変え
て光変調を行う構造が簡単で応答も速く、使用する入射
光の波長が制限されることなく、作動が安定で信頼性も
高く、微細化され梁の固定保持領域が小さくても十分な
固定保持性を確保し、隣接素子への相互作用を抑制する
製造工程が少なく低コストの光変調装置の製造方法を提
供することが出来るようにする。請求項２５において
は、基板の基板表面上に凹形状部と空隙の該当部を形成
した後に、犠牲材料からなる犠牲材料層を形成して基板
の基板表面上を平坦化して、薄膜両端固定梁を形成後
に、犠牲材料層を除去する為に、基板の基板表面上に凹
形状部と空隙の該当部を形成する凹形状部と空隙の該当
部形成工程と、基板の基板表面上の空隙中に基板電極の
全部又は一部を形成する基板電極形成工程と、基板の基
板表面上の空隙に犠牲材料からなる犠牲材料層を形成す
る犠牲材料層形成工程と、基板の基板表面上の保護膜を
露出する保護膜露出工程と、犠牲材料層上に薄膜両端固
定梁を形成する薄膜両端固定梁形成工程と、空隙の犠牲
材料層を除去する犠牲材料層除去工程とからなると共に
犠牲材料層形成工程は凹形状部に該当する溝をパターニ
ングして光変調装置を製造するようにして、凹形状部上
の凹形状に沿って薄膜両端固定梁の凹形状形成部が形成
され、入射光の反射方向を変えて光変調を行う構造が簡
単で応答も速く、使用する入射光の波長が制限されるこ
となく、作動が安定で信頼性も高く、微細化され梁の固
定保持領域が小さくても更に十分な固定保持性を確保
し、隣接素子への相互作用を抑制する製造工程が少なく
低コストの光変調装置の製造方法を提供することが出来
るようにする。
に凹形状部と空隙の該当部を形成した後に、犠牲材料か
らなる犠牲材料層を形成して基板の基板表面上を平坦化
して、薄膜両端固定梁を形成後に、犠牲材料層を除去し
て光変調装置を製造するようにして、入射光の反射方向
を変えて光変調を行う構造が簡単で応答も速く、使用す
る入射光の波長が制限されることなく、作動が安定で信
頼性も高く、微細化され梁の固定保持領域が小さくても
十分な固定保持性を確保し、隣接素子への相互作用を抑
制する製造工程が少なく低コストの光変調装置の製造方
法を提供することが出来るようにする。請求項２４にお
いては、基板の基板表面上に凹形状部と空隙の該当部を
形成した後に、犠牲材料からなる犠牲材料層を形成して
基板の基板表面上を平坦化して、薄膜両端固定梁を形成
後に、犠牲材料層を除去する為に、基板の基板表面上に
凹形状部と空隙の該当部を形成する凹形状部と空隙の該
当部形成工程と、基板の基板表面上の空隙中に基板電極
の全部又は一部を形成する基板電極形成工程と、基板の
基板表面上の空隙に犠牲材料からなる犠牲材料層を形成
する犠牲材料層形成工程と、基板の基板表面上の保護膜
を露出する保護膜露出工程と、犠牲材料層上に薄膜両端
固定梁を形成する薄膜両端固定梁形成工程と、空隙の犠
牲材料層を除去する犠牲材料層除去工程とからなる光変
調装置を製造するようにして、入射光の反射方向を変え
て光変調を行う構造が簡単で応答も速く、使用する入射
光の波長が制限されることなく、作動が安定で信頼性も
高く、微細化され梁の固定保持領域が小さくても十分な
固定保持性を確保し、隣接素子への相互作用を抑制する
製造工程が少なく低コストの光変調装置の製造方法を提
供することが出来るようにする。請求項２５において
は、基板の基板表面上に凹形状部と空隙の該当部を形成
した後に、犠牲材料からなる犠牲材料層を形成して基板
の基板表面上を平坦化して、薄膜両端固定梁を形成後
に、犠牲材料層を除去する為に、基板の基板表面上に凹
形状部と空隙の該当部を形成する凹形状部と空隙の該当
部形成工程と、基板の基板表面上の空隙中に基板電極の
全部又は一部を形成する基板電極形成工程と、基板の基
板表面上の空隙に犠牲材料からなる犠牲材料層を形成す
る犠牲材料層形成工程と、基板の基板表面上の保護膜を
露出する保護膜露出工程と、犠牲材料層上に薄膜両端固
定梁を形成する薄膜両端固定梁形成工程と、空隙の犠牲
材料層を除去する犠牲材料層除去工程とからなると共に
犠牲材料層形成工程は凹形状部に該当する溝をパターニ
ングして光変調装置を製造するようにして、凹形状部上
の凹形状に沿って薄膜両端固定梁の凹形状形成部が形成
され、入射光の反射方向を変えて光変調を行う構造が簡
単で応答も速く、使用する入射光の波長が制限されるこ
となく、作動が安定で信頼性も高く、微細化され梁の固
定保持領域が小さくても更に十分な固定保持性を確保
し、隣接素子への相互作用を抑制する製造工程が少なく
低コストの光変調装置の製造方法を提供することが出来
るようにする。
【００１９】請求項２６においては、基板の基板表面上
に凹形状部と空隙の該当部を形成した後に、犠牲材料か
らなる犠牲材料層を形成して基板の基板表面上を平坦化
して、薄膜両端固定梁を形成後に、犠牲材料層を除去す
る為に、基板の基板表面上に凹形状部と空隙の該当部を
形成する凹形状部と空隙の該当部形成工程と、基板の基
板表面上の空隙中に基板電極の全部又は一部を形成する
基板電極形成工程と、基板の基板表面上の空隙に犠牲材
料からなる犠牲材料層を形成する犠牲材料層形成工程
と、基板の基板表面上の保護膜を露出する保護膜露出工
程と、犠牲材料層上に薄膜両端固定梁を形成する薄膜両
端固定梁形成工程と、空隙の犠牲材料層を除去する犠牲
材料層除去工程とからなると共に凹形状部と空隙の該当
部形成工程は凹形状部に該当する溝をパターニングして
光変調装置を製造するようにして、入射光の反射方向を
変えて光変調を行う構造が簡単で応答も速く、使用する
入射光の波長が制限されることなく、作動が安定で信頼
性も高く、微細化され梁の固定保持領域が小さくても更
に十分な固定保持性を確保し、隣接素子への相互作用を
抑制する製造工程が少なく低コストの光変調装置の製造
方法を提供することが出来るようにする。請求項２７に
おいては、基板の基板表面上に凹形状部と空隙の該当部
を形成した後に、犠牲材料からなる犠牲材料層を形成し
て基板の基板表面上を平坦化して、薄膜両端固定梁を形
成後に、犠牲材料層を除去する為に、基板の基板表面上
に凹形状部と空隙の該当部を形成する凹形状部と空隙の
該当部形成工程と、基板の基板表面上の空隙中に基板電
極の全部又は一部を形成する基板電極形成工程と、基板
の基板表面上の空隙に犠牲材料からなる犠牲材料層を形
成する犠牲材料層形成工程と、基板の基板表面上の保護
膜を露出する保護膜露出工程と、犠牲材料層上に薄膜両
端固定梁を形成する薄膜両端固定梁形成工程と、空隙の
犠牲材料層を除去する犠牲材料層除去工程とからなると
共に薄膜両端固定梁形成工程は薄膜両端固定梁の凹形状
形成部を凹形状部上の凹形状に沿って形成して光変調装
置を製造するようにして、入射光の反射方向を変えて光
変調を行う構造が簡単で応答も速く、使用する入射光の
波長が制限されることなく、作動が安定で信頼性も高
く、微細化され梁の固定保持領域が小さくても更に十分
な固定保持性を確保し、隣接素子への相互作用を抑制す
る製造工程が少なく低コストの光変調装置の製造方法を
提供することが出来るようにする。
に凹形状部と空隙の該当部を形成した後に、犠牲材料か
らなる犠牲材料層を形成して基板の基板表面上を平坦化
して、薄膜両端固定梁を形成後に、犠牲材料層を除去す
る為に、基板の基板表面上に凹形状部と空隙の該当部を
形成する凹形状部と空隙の該当部形成工程と、基板の基
板表面上の空隙中に基板電極の全部又は一部を形成する
基板電極形成工程と、基板の基板表面上の空隙に犠牲材
料からなる犠牲材料層を形成する犠牲材料層形成工程
と、基板の基板表面上の保護膜を露出する保護膜露出工
程と、犠牲材料層上に薄膜両端固定梁を形成する薄膜両
端固定梁形成工程と、空隙の犠牲材料層を除去する犠牲
材料層除去工程とからなると共に凹形状部と空隙の該当
部形成工程は凹形状部に該当する溝をパターニングして
光変調装置を製造するようにして、入射光の反射方向を
変えて光変調を行う構造が簡単で応答も速く、使用する
入射光の波長が制限されることなく、作動が安定で信頼
性も高く、微細化され梁の固定保持領域が小さくても更
に十分な固定保持性を確保し、隣接素子への相互作用を
抑制する製造工程が少なく低コストの光変調装置の製造
方法を提供することが出来るようにする。請求項２７に
おいては、基板の基板表面上に凹形状部と空隙の該当部
を形成した後に、犠牲材料からなる犠牲材料層を形成し
て基板の基板表面上を平坦化して、薄膜両端固定梁を形
成後に、犠牲材料層を除去する為に、基板の基板表面上
に凹形状部と空隙の該当部を形成する凹形状部と空隙の
該当部形成工程と、基板の基板表面上の空隙中に基板電
極の全部又は一部を形成する基板電極形成工程と、基板
の基板表面上の空隙に犠牲材料からなる犠牲材料層を形
成する犠牲材料層形成工程と、基板の基板表面上の保護
膜を露出する保護膜露出工程と、犠牲材料層上に薄膜両
端固定梁を形成する薄膜両端固定梁形成工程と、空隙の
犠牲材料層を除去する犠牲材料層除去工程とからなると
共に薄膜両端固定梁形成工程は薄膜両端固定梁の凹形状
形成部を凹形状部上の凹形状に沿って形成して光変調装
置を製造するようにして、入射光の反射方向を変えて光
変調を行う構造が簡単で応答も速く、使用する入射光の
波長が制限されることなく、作動が安定で信頼性も高
く、微細化され梁の固定保持領域が小さくても更に十分
な固定保持性を確保し、隣接素子への相互作用を抑制す
る製造工程が少なく低コストの光変調装置の製造方法を
提供することが出来るようにする。
【００２０】請求項２８においては、基板の基板表面上
に凹形状部と空隙の該当部を形成した後に、犠牲材料か
らなる犠牲材料層を形成して基板の基板表面上を平坦化
して、薄膜両端固定梁を形成後に、犠牲材料層を除去す
る為に、基板の基板表面上に凹形状部と空隙の該当部を
形成する凹形状部と空隙の該当部形成工程と、基板の基
板表面上の空隙中に基板電極の全部又は一部を形成する
基板電極形成工程と、基板の基板表面上の空隙に犠牲材
料からなる犠牲材料層を形成する犠牲材料層形成工程
と、基板の基板表面上の保護膜を露出する保護膜露出工
程と、犠牲材料層上に薄膜両端固定梁を形成する薄膜両
端固定梁形成工程と、空隙の犠牲材料層を除去する犠牲
材料層除去工程とからなると共に薄膜両端固定梁形成工
程は薄膜両端固定梁の蓋形状部を凹形状上を蓋形状に覆
って光変調装置を製造するようにして、振動の伝搬面積
が低下して振動の伝搬の抑制は更に向上し、入射光の反
射方向を変えて光変調を行う構造が簡単で応答も速く、
使用する入射光の波長が制限されることなく、作動が安
定で信頼性も高く、微細化され梁の固定保持領域が小さ
くても十分な固定保持性を確保し、隣接素子への相互作
用をさらに抑制する製造工程が少なく低コストの光変調
装置の製造方法を提供することが出来るようにする。請
求項２９においては、基板の基板表面上に凹形状部と空
隙の該当部を形成した後に、犠牲材料からなる犠牲材料
層を形成して基板の基板表面上を平坦化して、薄膜両端
固定梁を形成後に、犠牲材料層を除去する為に、基板の
基板表面上に凹形状部と空隙の該当部を形成する凹形状
部と空隙の該当部形成工程と、基板の基板表面上の空隙
中に基板電極の全部又は一部を形成する基板電極形成工
程と、基板の基板表面上の空隙に犠牲材料からなる犠牲
材料層を形成する犠牲材料層形成工程と、基板の基板表
面上の保護膜を露出する保護膜露出工程と、犠牲材料層
上に薄膜両端固定梁を形成する薄膜両端固定梁形成工程
と、空隙の犠牲材料層を除去する犠牲材料層除去工程と
からなると共に犠牲材料層除去工程は薄膜両端固定梁を
凹形状部上に堆積した堆積物を介して固定して保持され
て光変調装置を製造するようにして、固定保持部からの
振動の伝搬面積が低下し堆積物により振動が吸収される
ので振動の伝搬の抑制は更に向上して、入射光の反射方
向を変えて光変調を行う構造が簡単で応答も速く、使用
する入射光の波長が制限されることなく、作動が安定で
信頼性も高く、微細化され梁の固定保持領域が小さくて
も十分な固定保持性を確保し、隣接素子への相互作用を
更に抑制する製造工程が少なく低コストの光変調装置の
製造方法を提供することが出来るようにする。
に凹形状部と空隙の該当部を形成した後に、犠牲材料か
らなる犠牲材料層を形成して基板の基板表面上を平坦化
して、薄膜両端固定梁を形成後に、犠牲材料層を除去す
る為に、基板の基板表面上に凹形状部と空隙の該当部を
形成する凹形状部と空隙の該当部形成工程と、基板の基
板表面上の空隙中に基板電極の全部又は一部を形成する
基板電極形成工程と、基板の基板表面上の空隙に犠牲材
料からなる犠牲材料層を形成する犠牲材料層形成工程
と、基板の基板表面上の保護膜を露出する保護膜露出工
程と、犠牲材料層上に薄膜両端固定梁を形成する薄膜両
端固定梁形成工程と、空隙の犠牲材料層を除去する犠牲
材料層除去工程とからなると共に薄膜両端固定梁形成工
程は薄膜両端固定梁の蓋形状部を凹形状上を蓋形状に覆
って光変調装置を製造するようにして、振動の伝搬面積
が低下して振動の伝搬の抑制は更に向上し、入射光の反
射方向を変えて光変調を行う構造が簡単で応答も速く、
使用する入射光の波長が制限されることなく、作動が安
定で信頼性も高く、微細化され梁の固定保持領域が小さ
くても十分な固定保持性を確保し、隣接素子への相互作
用をさらに抑制する製造工程が少なく低コストの光変調
装置の製造方法を提供することが出来るようにする。請
求項２９においては、基板の基板表面上に凹形状部と空
隙の該当部を形成した後に、犠牲材料からなる犠牲材料
層を形成して基板の基板表面上を平坦化して、薄膜両端
固定梁を形成後に、犠牲材料層を除去する為に、基板の
基板表面上に凹形状部と空隙の該当部を形成する凹形状
部と空隙の該当部形成工程と、基板の基板表面上の空隙
中に基板電極の全部又は一部を形成する基板電極形成工
程と、基板の基板表面上の空隙に犠牲材料からなる犠牲
材料層を形成する犠牲材料層形成工程と、基板の基板表
面上の保護膜を露出する保護膜露出工程と、犠牲材料層
上に薄膜両端固定梁を形成する薄膜両端固定梁形成工程
と、空隙の犠牲材料層を除去する犠牲材料層除去工程と
からなると共に犠牲材料層除去工程は薄膜両端固定梁を
凹形状部上に堆積した堆積物を介して固定して保持され
て光変調装置を製造するようにして、固定保持部からの
振動の伝搬面積が低下し堆積物により振動が吸収される
ので振動の伝搬の抑制は更に向上して、入射光の反射方
向を変えて光変調を行う構造が簡単で応答も速く、使用
する入射光の波長が制限されることなく、作動が安定で
信頼性も高く、微細化され梁の固定保持領域が小さくて
も十分な固定保持性を確保し、隣接素子への相互作用を
更に抑制する製造工程が少なく低コストの光変調装置の
製造方法を提供することが出来るようにする。
【００２１】請求項３０においては、基板の基板表面上
に凹形状部と空隙の該当部を形成した後に、犠牲材料の
シリコン酸化膜からなる犠牲材料層を形成して基板の基
板表面上を平坦化して、薄膜両端固定梁を形成後に、犠
牲材料層を除去して光変調装置を製造するようにして、
固定保持部からの振動の伝搬面積が低下し犠牲層の犠牲
材料からなる堆積物により振動が更に吸収されるので振
動の伝搬の抑制は更に十分向上して、入射光の反射方向
を変えて光変調を行う構造が簡単で応答も速く、使用す
る入射光の波長が制限されることなく、作動が安定で信
頼性も高く、微細化され梁の固定保持領域が小さくても
十分な固定保持性を確保し、隣接素子への相互作用を更
に抑制する製造工程が少なく低コストの光変調装置の製
造方法を提供することが出来るようにする。請求項３１
においては、回動可能に保持されて形成画像を担持する
画像担持体上を光り書き込みを行なって潜像を形成する
請求項１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１
１、１２、１３、１４、１５、１６、１７、１８、１
９、２０、２１又は２２に記載の光変調装置からなる潜
像形成手段の光変調装置によって形成された潜像を顕像
化してトナー画像を形成する現像手段で形成されたトナ
ー画像を転写手段によって被転写体に転写して画像を形
成するようにして、入射光束の反射方向を変えて光変調
を行う構造が簡単で応答も速く、使用する入射光束の波
長が制限されることなく、作動が安定で信頼性も高く微
細化され梁の固定保持領域が小さくても十分な固定保持
性を確保し、隣接素子への相互作用を抑制する、製造工
程が少なく低コストの複数個の光変調装置をＩ次元アレ
ー形状に配置された光変調装置を具備することにより信
号対ノイズのＳ／Ｎ比が向上して高解像性の画像形成装
置を提供することが出来るようにする。請求項３２にお
いては、画像投影データの入射光の反射方向を変えて光
変調を行なって画像を投影して表示する請求項１、２、
３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１
３、１４、１５、１６、１７、１８、１９、２０、２１
又は２２に記載の光変調装置からなる光スイッチ手段の
光変調装置が投影する画像を投影スクリーンに表示する
ようにして、入射光束の反射方向を変えて光変調を行う
構造が簡単で応答も速く、使用する入射光の波長が制限
されることなく、作動が安定で信頼性も高く微細化され
梁の固定保持領域が小さくても十分な固定保持性を確保
し、隣接素子への相互作用を抑制する、製造工程が少な
く低コストの複数個の光変調装置が２次元アレー形状に
配置された光変調装置を具備するコントラストが上昇し
て高解像性の画像投影表示装置を提供することが出来る
ようにする。
に凹形状部と空隙の該当部を形成した後に、犠牲材料の
シリコン酸化膜からなる犠牲材料層を形成して基板の基
板表面上を平坦化して、薄膜両端固定梁を形成後に、犠
牲材料層を除去して光変調装置を製造するようにして、
固定保持部からの振動の伝搬面積が低下し犠牲層の犠牲
材料からなる堆積物により振動が更に吸収されるので振
動の伝搬の抑制は更に十分向上して、入射光の反射方向
を変えて光変調を行う構造が簡単で応答も速く、使用す
る入射光の波長が制限されることなく、作動が安定で信
頼性も高く、微細化され梁の固定保持領域が小さくても
十分な固定保持性を確保し、隣接素子への相互作用を更
に抑制する製造工程が少なく低コストの光変調装置の製
造方法を提供することが出来るようにする。請求項３１
においては、回動可能に保持されて形成画像を担持する
画像担持体上を光り書き込みを行なって潜像を形成する
請求項１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１
１、１２、１３、１４、１５、１６、１７、１８、１
９、２０、２１又は２２に記載の光変調装置からなる潜
像形成手段の光変調装置によって形成された潜像を顕像
化してトナー画像を形成する現像手段で形成されたトナ
ー画像を転写手段によって被転写体に転写して画像を形
成するようにして、入射光束の反射方向を変えて光変調
を行う構造が簡単で応答も速く、使用する入射光束の波
長が制限されることなく、作動が安定で信頼性も高く微
細化され梁の固定保持領域が小さくても十分な固定保持
性を確保し、隣接素子への相互作用を抑制する、製造工
程が少なく低コストの複数個の光変調装置をＩ次元アレ
ー形状に配置された光変調装置を具備することにより信
号対ノイズのＳ／Ｎ比が向上して高解像性の画像形成装
置を提供することが出来るようにする。請求項３２にお
いては、画像投影データの入射光の反射方向を変えて光
変調を行なって画像を投影して表示する請求項１、２、
３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１
３、１４、１５、１６、１７、１８、１９、２０、２１
又は２２に記載の光変調装置からなる光スイッチ手段の
光変調装置が投影する画像を投影スクリーンに表示する
ようにして、入射光束の反射方向を変えて光変調を行う
構造が簡単で応答も速く、使用する入射光の波長が制限
されることなく、作動が安定で信頼性も高く微細化され
梁の固定保持領域が小さくても十分な固定保持性を確保
し、隣接素子への相互作用を抑制する、製造工程が少な
く低コストの複数個の光変調装置が２次元アレー形状に
配置された光変調装置を具備するコントラストが上昇し
て高解像性の画像投影表示装置を提供することが出来る
ようにする。
【００２２】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態を図面
を参照して詳細に説明する。図１と図２においては 、
入射光の反射方向を変えて光変調を行う光変調装置０
は、基板４のシリコン基板上に絶縁膜４ｇを堆積して形
成した後、絶縁膜４ｇを写真製版法、及び、ドライエッ
チング法によりパターニングして薄膜両端固定梁２の他
方側面に形成される空隙（Ｇ）と薄膜両端固定梁２を保
持する基板４の固定保持部４ｂに凹形状の凹形状部４ｃ
を形成した、入射光を正反射する反射手段１と、金属薄
膜で形成された反射手段１を側面に組み合わせ構成する
薄膜で形成され両端が固定されて静電力で変形する薄膜
両端固定梁２と、薄膜両端固定梁２の他方側面に形成さ
れる空隙（Ｇ）を介して薄膜両端固定梁２に対向して駆
動電圧を印加する基板電極３の対向面３ａと、基板電極
３を形成して薄膜両端固定梁２を固定して保持する基板
４と、基板４の基板表面４ａに薄膜両端固定梁２の相対
する両端部の２辺の被保持部２ｄを固定して保持する固
定保持部４ｂと、固定保持部４ｂに凹形状が形成された
凹形状部４ｃと、凹形状部４ｃ上の凹形状に沿って形成
された薄膜両端固定梁２の凹形状形成部２ａとからな
り、入射光の反射方向を変えて光変調を行う構造が簡単
で応答も速く、使用する入射光の波長が制限されること
なく、作動が安定で信頼性も高く、微細化され薄膜両端
固定梁２を固定保持部４ｂで固定保持される固定保持領
域が小さくても更に十分な固定保持性を確実に確保し、
隣接素子への相互作用を抑制するようになっている。
を参照して詳細に説明する。図１と図２においては 、
入射光の反射方向を変えて光変調を行う光変調装置０
は、基板４のシリコン基板上に絶縁膜４ｇを堆積して形
成した後、絶縁膜４ｇを写真製版法、及び、ドライエッ
チング法によりパターニングして薄膜両端固定梁２の他
方側面に形成される空隙（Ｇ）と薄膜両端固定梁２を保
持する基板４の固定保持部４ｂに凹形状の凹形状部４ｃ
を形成した、入射光を正反射する反射手段１と、金属薄
膜で形成された反射手段１を側面に組み合わせ構成する
薄膜で形成され両端が固定されて静電力で変形する薄膜
両端固定梁２と、薄膜両端固定梁２の他方側面に形成さ
れる空隙（Ｇ）を介して薄膜両端固定梁２に対向して駆
動電圧を印加する基板電極３の対向面３ａと、基板電極
３を形成して薄膜両端固定梁２を固定して保持する基板
４と、基板４の基板表面４ａに薄膜両端固定梁２の相対
する両端部の２辺の被保持部２ｄを固定して保持する固
定保持部４ｂと、固定保持部４ｂに凹形状が形成された
凹形状部４ｃと、凹形状部４ｃ上の凹形状に沿って形成
された薄膜両端固定梁２の凹形状形成部２ａとからな
り、入射光の反射方向を変えて光変調を行う構造が簡単
で応答も速く、使用する入射光の波長が制限されること
なく、作動が安定で信頼性も高く、微細化され薄膜両端
固定梁２を固定保持部４ｂで固定保持される固定保持領
域が小さくても更に十分な固定保持性を確実に確保し、
隣接素子への相互作用を抑制するようになっている。
【００２３】基板４は、シリコンや光学ガラス等の基板
であり、表面に（１００）面を有するシリコン基板を用
いている。更に、基板４上にシリコン酸化膜などで形成
された絶縁膜４ｇには、薄膜両端固定梁２に対向して駆
動電圧を印加する基板電極３が下部に配置され、薄膜両
端固定梁２の他方側面に形成される空隙（Ｇ）と固定保
持部４ｂに凹形状が形成された凹形状部４ｃがパターニ
ングされている。尚、基板電極３は、ＡＬ、Ａｕ、Ｔ
ｉ、ＴｉＮ、Ｃｒ等の金属や、ＩＴＯ等の導電性薄膜
や、不純物が注入されて低抵抗化された基板シリコンを
用いており、薄膜両端固定梁２を駆動するための一方の
電極となる。保護膜４ｆは、基板電極３を保護する保護
膜であり、基板電極３が薄膜両端固定梁２と接触し、短
絡することを防ぐ役割をする。又、保護膜４ｆには、基
板電極３と外部信号とを接続する部分として図示しない
パッド開口部位を形成することもある。薄膜両端固定梁
２は、反射手段１の光反射層を薄膜で側面に形成され両
端が固定されて静電力で変形する。薄膜両端固定梁２の
側面に組み合わせ構成する反射手段１の光反射層は、別
途堆積された膜に限る訳ではなく、デバイスの性能に寄
与する光反射領域が薄膜両端固定梁２に形成されている
場合も含まれる。パッド２ｅは、薄膜両端固定梁２とし
て導電性膜を用いた場合に、薄膜両端固定梁２に駆動電
圧を印加するために設けられ、薄膜両端固定梁２を駆動
するための他方の電極を取り出す役割を果し、薄膜両端
固定梁２を駆動するための図示しない他方の電極を省略
することが出来る。薄膜両端固定梁２が非導電性の場合
には、反射手段１の光反射層として用いられるＡＬ、Ａ
ｕ、Ｔｉ、ＴｉＮ、Ｃｒ等の金属膜に、駆動電圧を印加
するための図示しないパッドを設け、薄膜両端固定梁２
を駆動するための他方の電極を取り出す役割を果し、薄
膜両端固定梁２を駆動するための図示しない他方の電極
を省略して入射光の反射方向を変えて光変調を行う構造
が更に簡単になる。薄膜両端固定梁２を撓ませる静電力
は、薄膜両端固定梁２の他方側面に形成される空隙
（Ｇ）を介して対向して形成された基板電極３と、図示
しない他方の電極、薄膜両端固定梁２、又は、反射手段
１との間に駆動電圧を印可することにより発生するよう
になっている。
であり、表面に（１００）面を有するシリコン基板を用
いている。更に、基板４上にシリコン酸化膜などで形成
された絶縁膜４ｇには、薄膜両端固定梁２に対向して駆
動電圧を印加する基板電極３が下部に配置され、薄膜両
端固定梁２の他方側面に形成される空隙（Ｇ）と固定保
持部４ｂに凹形状が形成された凹形状部４ｃがパターニ
ングされている。尚、基板電極３は、ＡＬ、Ａｕ、Ｔ
ｉ、ＴｉＮ、Ｃｒ等の金属や、ＩＴＯ等の導電性薄膜
や、不純物が注入されて低抵抗化された基板シリコンを
用いており、薄膜両端固定梁２を駆動するための一方の
電極となる。保護膜４ｆは、基板電極３を保護する保護
膜であり、基板電極３が薄膜両端固定梁２と接触し、短
絡することを防ぐ役割をする。又、保護膜４ｆには、基
板電極３と外部信号とを接続する部分として図示しない
パッド開口部位を形成することもある。薄膜両端固定梁
２は、反射手段１の光反射層を薄膜で側面に形成され両
端が固定されて静電力で変形する。薄膜両端固定梁２の
側面に組み合わせ構成する反射手段１の光反射層は、別
途堆積された膜に限る訳ではなく、デバイスの性能に寄
与する光反射領域が薄膜両端固定梁２に形成されている
場合も含まれる。パッド２ｅは、薄膜両端固定梁２とし
て導電性膜を用いた場合に、薄膜両端固定梁２に駆動電
圧を印加するために設けられ、薄膜両端固定梁２を駆動
するための他方の電極を取り出す役割を果し、薄膜両端
固定梁２を駆動するための図示しない他方の電極を省略
することが出来る。薄膜両端固定梁２が非導電性の場合
には、反射手段１の光反射層として用いられるＡＬ、Ａ
ｕ、Ｔｉ、ＴｉＮ、Ｃｒ等の金属膜に、駆動電圧を印加
するための図示しないパッドを設け、薄膜両端固定梁２
を駆動するための他方の電極を取り出す役割を果し、薄
膜両端固定梁２を駆動するための図示しない他方の電極
を省略して入射光の反射方向を変えて光変調を行う構造
が更に簡単になる。薄膜両端固定梁２を撓ませる静電力
は、薄膜両端固定梁２の他方側面に形成される空隙
（Ｇ）を介して対向して形成された基板電極３と、図示
しない他方の電極、薄膜両端固定梁２、又は、反射手段
１との間に駆動電圧を印可することにより発生するよう
になっている。
【００２４】薄膜両端固定梁２は、金属薄膜や、単結晶
シリコン薄膜、多結晶シリコン薄膜、又は、窒化シリコ
ン薄膜等で形成される。特に、単結晶シリコン薄膜で形
成した薄膜両端固定梁２は、欠陥が少なく、寿命が長
い。又、多結晶シリコン薄膜で形成した薄膜両端固定梁
２は、ＣＶＤ等の手法を用いることが出来るのでコスト
が低く出来る。又、窒化シリコン薄膜で形成した薄膜両
端固定梁２は、窒化シリコン薄膜の引張応力の作用によ
り、スイッチングの応答速度を速めることが出来る。更
に、薄膜両端固定梁２が、単結晶シリコン薄膜、又は、
多結晶シリコン薄膜で形成されている場合には、単結晶
シリコン薄膜又は多結晶シリコン薄膜を不純物により低
抵抗化して導電性として、薄膜両端固定梁２を駆動する
ための図示しない他方の電極を省略することが出来る。
基板４上に形成された基板電極３は、基板４の任意の空
隙（Ｇ）下面に形成されており、且つ、薄膜両端固定梁
２は、基板４の基板表面４ａ上に平行に形成されてい
る。又、薄膜両端固定梁２は、引張応力を有する材料、
例えば、シリコン窒化膜などを用いた場合、通常若干張
られた状態にある。従って、薄膜両端固定梁２は、基板
４の基板表面４ａ上に平行に形成されて、若干張られた
状態にあるから、薄膜両端固定梁２と基板電極３の対向
面３ａで形成される空隔（Ｇ）は、駆動電圧が印加され
ない状態では絶えず同位置にあることが容易となり、且
つ、薄膜両端固定梁２が撓んだ後に元に戻る位置も安定
して、光変調性の制御が容易となる利点を有している。
シリコン薄膜、多結晶シリコン薄膜、又は、窒化シリコ
ン薄膜等で形成される。特に、単結晶シリコン薄膜で形
成した薄膜両端固定梁２は、欠陥が少なく、寿命が長
い。又、多結晶シリコン薄膜で形成した薄膜両端固定梁
２は、ＣＶＤ等の手法を用いることが出来るのでコスト
が低く出来る。又、窒化シリコン薄膜で形成した薄膜両
端固定梁２は、窒化シリコン薄膜の引張応力の作用によ
り、スイッチングの応答速度を速めることが出来る。更
に、薄膜両端固定梁２が、単結晶シリコン薄膜、又は、
多結晶シリコン薄膜で形成されている場合には、単結晶
シリコン薄膜又は多結晶シリコン薄膜を不純物により低
抵抗化して導電性として、薄膜両端固定梁２を駆動する
ための図示しない他方の電極を省略することが出来る。
基板４上に形成された基板電極３は、基板４の任意の空
隙（Ｇ）下面に形成されており、且つ、薄膜両端固定梁
２は、基板４の基板表面４ａ上に平行に形成されてい
る。又、薄膜両端固定梁２は、引張応力を有する材料、
例えば、シリコン窒化膜などを用いた場合、通常若干張
られた状態にある。従って、薄膜両端固定梁２は、基板
４の基板表面４ａ上に平行に形成されて、若干張られた
状態にあるから、薄膜両端固定梁２と基板電極３の対向
面３ａで形成される空隔（Ｇ）は、駆動電圧が印加され
ない状態では絶えず同位置にあることが容易となり、且
つ、薄膜両端固定梁２が撓んだ後に元に戻る位置も安定
して、光変調性の制御が容易となる利点を有している。
【００２５】図３において、入射光の反射方向を変えて
光変調を行う光変調装置０は、基板４のシリコン基板を
写真製版法、及び、ドライエッチング法によりパターニ
ングして、薄膜両端固定梁２の他方側面に形成される空
隙（Ｇ）と薄膜両端固定梁２を保持する基板４の固定保
持部４ｂに凹形状の凹形状部４ｃの該当部分を形成した
後に、基板４のシリコン基板上に絶縁膜４ｇを堆積して
形成した、入射光を正反射する反射手段１と、金属薄膜
で形成された反射手段１を側面に組み合わせ構成する薄
膜で形成され両端が固定されて静電力で変形する薄膜両
端固定梁２と、薄膜両端固定梁２の他方側面に形成され
る空隙（Ｇ）を介して薄膜両端固定梁２に対向して駆動
電圧を印加する基板電極３と、基板電極３を形成して薄
膜両端固定梁２を固定して保持する基板４と、基板４の
基板表面４ａに薄膜両端固定梁２の相対する両端部の２
辺を固定して保持する固定保持部４ｂと、固定保持部４
ｂに凹形状が形成された凹形状部４ｃとからなり、入射
光の反射方向を変えて光変調を行う構造が簡単で応答も
速く、使用する入射光の波長が制限されることなく、作
動が安定で信頼性も高く、微細化され薄膜両端固定梁２
を固定保持部４ｂで固定保持される固定保持領域が小さ
くても十分な固定保持性を確保し、隣接素子への相互作
用を抑制するようになっている。基板４上に形成された
基板電極３は、基板４の任意の空隙（Ｇ）下面に形成さ
れており、且つ、薄膜両端固定梁２は、基板４の基板表
面４ａ上に平行に形成されている。又、薄膜両端固定梁
２は、引張応力を有する材料、例えば、シリコン窒化膜
などを用いた場合、通常若干張られた状態にある。従っ
て、薄膜両端固定梁２は、基板４の基板表面４ａ上に平
行に形成されて、若干張られた状態にあるから、薄膜両
端固定梁２と基板電極３の対向面３ａで形成される空隔
（Ｇ）は、駆動電圧が印加されない状態では絶えず同位
置にあることが容易となり、且つ、薄膜両端固定梁２が
撓んだ後に元に戻る位置も安定して、光変調性の制御が
容易となる利点を有している。
光変調を行う光変調装置０は、基板４のシリコン基板を
写真製版法、及び、ドライエッチング法によりパターニ
ングして、薄膜両端固定梁２の他方側面に形成される空
隙（Ｇ）と薄膜両端固定梁２を保持する基板４の固定保
持部４ｂに凹形状の凹形状部４ｃの該当部分を形成した
後に、基板４のシリコン基板上に絶縁膜４ｇを堆積して
形成した、入射光を正反射する反射手段１と、金属薄膜
で形成された反射手段１を側面に組み合わせ構成する薄
膜で形成され両端が固定されて静電力で変形する薄膜両
端固定梁２と、薄膜両端固定梁２の他方側面に形成され
る空隙（Ｇ）を介して薄膜両端固定梁２に対向して駆動
電圧を印加する基板電極３と、基板電極３を形成して薄
膜両端固定梁２を固定して保持する基板４と、基板４の
基板表面４ａに薄膜両端固定梁２の相対する両端部の２
辺を固定して保持する固定保持部４ｂと、固定保持部４
ｂに凹形状が形成された凹形状部４ｃとからなり、入射
光の反射方向を変えて光変調を行う構造が簡単で応答も
速く、使用する入射光の波長が制限されることなく、作
動が安定で信頼性も高く、微細化され薄膜両端固定梁２
を固定保持部４ｂで固定保持される固定保持領域が小さ
くても十分な固定保持性を確保し、隣接素子への相互作
用を抑制するようになっている。基板４上に形成された
基板電極３は、基板４の任意の空隙（Ｇ）下面に形成さ
れており、且つ、薄膜両端固定梁２は、基板４の基板表
面４ａ上に平行に形成されている。又、薄膜両端固定梁
２は、引張応力を有する材料、例えば、シリコン窒化膜
などを用いた場合、通常若干張られた状態にある。従っ
て、薄膜両端固定梁２は、基板４の基板表面４ａ上に平
行に形成されて、若干張られた状態にあるから、薄膜両
端固定梁２と基板電極３の対向面３ａで形成される空隔
（Ｇ）は、駆動電圧が印加されない状態では絶えず同位
置にあることが容易となり、且つ、薄膜両端固定梁２が
撓んだ後に元に戻る位置も安定して、光変調性の制御が
容易となる利点を有している。
【００２６】図４において、薄膜両端固定梁２は、基板
４上の保護膜４ｆを介して、接触保持されているが、基
板表面４ａ上の固定保持部４ｂに形成された凹形状部４
ｃが比較的深く形成されていることにより、その接触部
位の図示のＸ印で模式的に提示の面積が、実効的に広く
なっている。即ち、基板表面４ａ上の平面積は変わらず
に、保持性能を向上できる。言い換えると、保持性を維
持した状態で、薄膜両端固定梁２の固定保持部４ｂを微
細化出来るので、１画素又は１素子の寸法の微細化や薄
膜両端固定梁２の固定保持部４ｂの領域を極力小さくす
る微細化が可能になった。基板４上に形成された電極３
は、基板４の任意の空隙（Ｇ）下面に形成されており、
且つ、薄膜両端固定梁２は、基板４の基板表面４ａ上に
平行に形成されている。又、薄膜両端固定梁２は、引張
応力を有する材料、例えば、シリコン窒化膜などを用い
た場合、通常若干張られた状態にある。従って、薄膜両
端固定梁２は、基板４の基板表面４ａ上に平行に形成さ
れて、若干張られた状態にあるから、薄膜両端固定梁２
と基板電極３の対向面３ａで形成される間隔（Ｇ）は、
駆動電圧が印加されない状態では絶えず同位置にあるこ
とが容易となり、且つ、薄膜両端固定梁２が撓んだ後に
元に戻る位置も安定して、光変調性の制御が容易となる
利点を有している。
４上の保護膜４ｆを介して、接触保持されているが、基
板表面４ａ上の固定保持部４ｂに形成された凹形状部４
ｃが比較的深く形成されていることにより、その接触部
位の図示のＸ印で模式的に提示の面積が、実効的に広く
なっている。即ち、基板表面４ａ上の平面積は変わらず
に、保持性能を向上できる。言い換えると、保持性を維
持した状態で、薄膜両端固定梁２の固定保持部４ｂを微
細化出来るので、１画素又は１素子の寸法の微細化や薄
膜両端固定梁２の固定保持部４ｂの領域を極力小さくす
る微細化が可能になった。基板４上に形成された電極３
は、基板４の任意の空隙（Ｇ）下面に形成されており、
且つ、薄膜両端固定梁２は、基板４の基板表面４ａ上に
平行に形成されている。又、薄膜両端固定梁２は、引張
応力を有する材料、例えば、シリコン窒化膜などを用い
た場合、通常若干張られた状態にある。従って、薄膜両
端固定梁２は、基板４の基板表面４ａ上に平行に形成さ
れて、若干張られた状態にあるから、薄膜両端固定梁２
と基板電極３の対向面３ａで形成される間隔（Ｇ）は、
駆動電圧が印加されない状態では絶えず同位置にあるこ
とが容易となり、且つ、薄膜両端固定梁２が撓んだ後に
元に戻る位置も安定して、光変調性の制御が容易となる
利点を有している。
【００２７】図５において、図示の白抜矢印で示した薄
膜両端固定梁２の変形により振動が伝搬する。然し、基
板４は、基板表面４ａ上の固定保持部４ｂに凹形状部４
ｃが形成され、凹形状部４ｃの内側にその振動の伝播を
抑制する振動伝播抑制部４ｄが形成されているので、振
動の伝搬が抑制され、隣接素子間の相互作用が抑制され
る。それにより、薄膜両端固定梁２の固定保持部４ｂを
微細化出来るので、１画素又は１素子の寸法の微細化や
薄膜両端固定梁２の固定保持部４ｂの領域を極力小さく
する微細化が可能になった。尚、凹形状部４ｃは、図示
のように、薄膜両端固定梁２と基板電極３の対向面３ａ
で形成される空隙（Ｇ）とほぼ同等の深さで形成されて
いるが、それより浅く形成されてもかまわない。基板４
上に形成された基板電極３は、基板４の任意の空隙
（Ｇ）下面に形成されており、且つ、薄膜両端固定梁２
は、基板４の基板表面４ａ上に平行に形成されている。
又、薄膜両端固定梁２は、引張応力を有する材料、例え
ば、シリコン窒化膜などを用いた場合、通常若干張られ
た状態にある。従って、薄膜両端固定梁２は、基板４の
基板表面４ａ上に平行に形成されて、若干張られた状態
にあるから、薄膜両端固定梁２と基板電極３の対向面３
ａで形成される空隔（Ｇ）は、駆動電圧が印加されない
状態では絶えず同位置にあることが容易となり、且つ、
薄膜両端固定梁２が撓んだ後に元に戻る位置も安定し
て、光変調性の制御が容易となる利点を有している。
膜両端固定梁２の変形により振動が伝搬する。然し、基
板４は、基板表面４ａ上の固定保持部４ｂに凹形状部４
ｃが形成され、凹形状部４ｃの内側にその振動の伝播を
抑制する振動伝播抑制部４ｄが形成されているので、振
動の伝搬が抑制され、隣接素子間の相互作用が抑制され
る。それにより、薄膜両端固定梁２の固定保持部４ｂを
微細化出来るので、１画素又は１素子の寸法の微細化や
薄膜両端固定梁２の固定保持部４ｂの領域を極力小さく
する微細化が可能になった。尚、凹形状部４ｃは、図示
のように、薄膜両端固定梁２と基板電極３の対向面３ａ
で形成される空隙（Ｇ）とほぼ同等の深さで形成されて
いるが、それより浅く形成されてもかまわない。基板４
上に形成された基板電極３は、基板４の任意の空隙
（Ｇ）下面に形成されており、且つ、薄膜両端固定梁２
は、基板４の基板表面４ａ上に平行に形成されている。
又、薄膜両端固定梁２は、引張応力を有する材料、例え
ば、シリコン窒化膜などを用いた場合、通常若干張られ
た状態にある。従って、薄膜両端固定梁２は、基板４の
基板表面４ａ上に平行に形成されて、若干張られた状態
にあるから、薄膜両端固定梁２と基板電極３の対向面３
ａで形成される空隔（Ｇ）は、駆動電圧が印加されない
状態では絶えず同位置にあることが容易となり、且つ、
薄膜両端固定梁２が撓んだ後に元に戻る位置も安定し
て、光変調性の制御が容易となる利点を有している。
【００２８】図６と図７において、薄膜両端固定梁２
は、基板４の基板表面４ａ上の固定保持部４ｂに形成さ
れた凹形状部４ｃ上を蓋形状の蓋形状部２ｂで覆って空
隙を介して形成されて固定して保持されている。それに
より、薄膜両端固定梁２の保持性は多少低下するが、薄
膜両端固定梁２の形成層が凹部に沿って形成されていな
いために振動の伝搬面積が低下し、振動の伝搬の抑制は
更に向上して、隣接素子への相互作用を更に抑制するよ
うになっている。基板４上に形成された基板電極３は、
基板４の任意の空隙（Ｇ）下面に形成されており、且
つ、薄膜両端固定梁２は、基板４の基板表面４ａ上に平
行に形成されている。又、薄膜両端固定梁２は、引張応
力を有する材料、例えば、シリコン窒化膜などを用いた
場合、通常若干張られた状態にある。従って、薄膜両端
固定梁２は、基板４の基板表面４ａ上に平行に形成さ
れ、若干張られた状態にあるから、薄膜両端固定梁２と
基板電極３の対向面３ａで形成される空隔（Ｇ）は、駆
動電圧が印加されない状態では絶えず同位置にあること
が容易となり、且つ、薄膜両端固定梁２が撓んだ後に元
に戻る位置も安定して、光変調性の制御が容易となる利
点を有している。
は、基板４の基板表面４ａ上の固定保持部４ｂに形成さ
れた凹形状部４ｃ上を蓋形状の蓋形状部２ｂで覆って空
隙を介して形成されて固定して保持されている。それに
より、薄膜両端固定梁２の保持性は多少低下するが、薄
膜両端固定梁２の形成層が凹部に沿って形成されていな
いために振動の伝搬面積が低下し、振動の伝搬の抑制は
更に向上して、隣接素子への相互作用を更に抑制するよ
うになっている。基板４上に形成された基板電極３は、
基板４の任意の空隙（Ｇ）下面に形成されており、且
つ、薄膜両端固定梁２は、基板４の基板表面４ａ上に平
行に形成されている。又、薄膜両端固定梁２は、引張応
力を有する材料、例えば、シリコン窒化膜などを用いた
場合、通常若干張られた状態にある。従って、薄膜両端
固定梁２は、基板４の基板表面４ａ上に平行に形成さ
れ、若干張られた状態にあるから、薄膜両端固定梁２と
基板電極３の対向面３ａで形成される空隔（Ｇ）は、駆
動電圧が印加されない状態では絶えず同位置にあること
が容易となり、且つ、薄膜両端固定梁２が撓んだ後に元
に戻る位置も安定して、光変調性の制御が容易となる利
点を有している。
【００２９】図８と図９において、薄膜両端固定梁２
は、基板４の基板表面４ａ上の固定保持部４ｂに形成さ
れた凹形状部４ｃ上に堆積した堆積物２ｃを介して固定
して保持されている。堆積物２ｃは、振動吸収性の良い
膜を用いることが好ましいが、後述する犠牲層５の犠牲
材料を用いることが適当であり、薄膜両端固定梁２の形
成層が凹形状部４ｃに沿って形成されないので、固定保
持部４ｂからの振動の伝搬面積が低下し、堆積物２ｃに
より振動が吸収されるので、振動の伝搬の抑制は更に向
上して、隣接素子への相互作用を更に抑制するようにな
っている。基板４上に形成された基板電極３は、基板４
の任意の空隙（Ｇ）下面に形成されており、且つ、薄膜
両端固定梁２は、基板４の基板表面４ａ上に平行に形成
されている。又、薄膜両端固定梁２は、引張応力を有す
る材料、例えば、シリコン窒化膜などを用いた場合、通
常若干張られた状態にある。従って、薄膜両端固定梁２
は、基板４の基板表面４ａ上に平行に形成されて若干張
られた状態にあるから、薄膜両端固定梁２と基板電極３
の対向面３ａで形成される空隔（Ｇ）は、駆動電圧が印
加されない状態では絶えず同位置にあることが容易とな
り、且つ、薄膜両端固定梁２が撓んだ後に元に戻る位置
も安定して、光変調性の制御が容易となる利点を有して
いる。
は、基板４の基板表面４ａ上の固定保持部４ｂに形成さ
れた凹形状部４ｃ上に堆積した堆積物２ｃを介して固定
して保持されている。堆積物２ｃは、振動吸収性の良い
膜を用いることが好ましいが、後述する犠牲層５の犠牲
材料を用いることが適当であり、薄膜両端固定梁２の形
成層が凹形状部４ｃに沿って形成されないので、固定保
持部４ｂからの振動の伝搬面積が低下し、堆積物２ｃに
より振動が吸収されるので、振動の伝搬の抑制は更に向
上して、隣接素子への相互作用を更に抑制するようにな
っている。基板４上に形成された基板電極３は、基板４
の任意の空隙（Ｇ）下面に形成されており、且つ、薄膜
両端固定梁２は、基板４の基板表面４ａ上に平行に形成
されている。又、薄膜両端固定梁２は、引張応力を有す
る材料、例えば、シリコン窒化膜などを用いた場合、通
常若干張られた状態にある。従って、薄膜両端固定梁２
は、基板４の基板表面４ａ上に平行に形成されて若干張
られた状態にあるから、薄膜両端固定梁２と基板電極３
の対向面３ａで形成される空隔（Ｇ）は、駆動電圧が印
加されない状態では絶えず同位置にあることが容易とな
り、且つ、薄膜両端固定梁２が撓んだ後に元に戻る位置
も安定して、光変調性の制御が容易となる利点を有して
いる。
【００３０】図１０と図１１において、薄膜両端固定梁
２は、空隙（Ｇ）を介して非平行の基板電極３の対向面
３ａと対向している。薄膜両端固定梁２に静電力が作用
していない時には、薄膜両端固定梁２の被保持部２ｄ
は、相対する両端部の２辺を基板４の固定保持部４ｂに
固定して保持されている。その時の入射光束（Ｒ）は、
薄膜両端固定梁２の側面に組み合わせ構成する反射手段
１の表面で正反射して、図示の矢印で示される方向に進
行する。入射光束（Ｒ）を反射した方向から眺めると、
薄膜両端固定梁２の側面に組み合わせ構成する反射手段
１での正反射により明るくなりＯＮ状態となる。薄膜両
端固定梁２と基板電極３の対向面３ａ間に駆動電圧を印
可し、薄膜両端固定梁２に静電力を作用させると、薄膜
両端固定梁２は基板電極３の対向面３ａ側に引きつけら
れるように撓み変形して、基板電極３の対向面３ａに当
接して変形が確実に規制されて、薄膜両端固定梁２の側
面に組み合わせ構成する反射手段１の表面での入射光束
（Ｒ）の反射光の方向が確実に乱れる。従って、入射光
束（Ｒ）を反射した方向から眺めると、入射光束（Ｒ）
の反射方向が乱れるために暗くなりるりＯＦＦ状態とな
り、光変調が確実に行なわれる。薄膜両端固定梁２は、
空隙（Ｇ）を介して非平行の基板電極３の対向面３ａと
対向しているから、薄膜両端固定梁２の変形に要する駆
動電圧を小さくするために有効で省資源である。薄膜両
端固定梁２に作用する静電力は、薄膜両端固定梁２と基
板電極３の対向面３ａとの間の距離の２乗に反比例す
る。すなわち距離が小さいほど作用する静電力が大き
い。そのため駆動電圧を印可すると、薄膜両端固定梁２
は空隙（Ｇ）の狭い部分より変形を始める。又、薄膜両
端固定梁２の変形により順次に空隙（Ｇ）が狭くなり、
平行な空隙の場合より低い駆動電圧で薄膜両端固定梁２
の変形が進行する。薄膜両端固定梁２の被保持部２ｄ
は、相対する両端部の２辺を基板４の固定保持部４ｂに
固定して保持されているから、片持ち梁に比べて薄膜両
端固定梁２の安定性、薄膜両端固定梁２の応答速度の２
点で優れている。まず、薄膜両端固定梁２の安定性は、
両端が拘束されているので、自由振動が発生し難く、残
留応力があっても、両端の拘束点で決められているので
変形する事も無く、また経時変化が少ない。次に、薄膜
両端固定梁２の応答速度は、自由振動の問題が無いの
で、応答速度も速くなる。
２は、空隙（Ｇ）を介して非平行の基板電極３の対向面
３ａと対向している。薄膜両端固定梁２に静電力が作用
していない時には、薄膜両端固定梁２の被保持部２ｄ
は、相対する両端部の２辺を基板４の固定保持部４ｂに
固定して保持されている。その時の入射光束（Ｒ）は、
薄膜両端固定梁２の側面に組み合わせ構成する反射手段
１の表面で正反射して、図示の矢印で示される方向に進
行する。入射光束（Ｒ）を反射した方向から眺めると、
薄膜両端固定梁２の側面に組み合わせ構成する反射手段
１での正反射により明るくなりＯＮ状態となる。薄膜両
端固定梁２と基板電極３の対向面３ａ間に駆動電圧を印
可し、薄膜両端固定梁２に静電力を作用させると、薄膜
両端固定梁２は基板電極３の対向面３ａ側に引きつけら
れるように撓み変形して、基板電極３の対向面３ａに当
接して変形が確実に規制されて、薄膜両端固定梁２の側
面に組み合わせ構成する反射手段１の表面での入射光束
（Ｒ）の反射光の方向が確実に乱れる。従って、入射光
束（Ｒ）を反射した方向から眺めると、入射光束（Ｒ）
の反射方向が乱れるために暗くなりるりＯＦＦ状態とな
り、光変調が確実に行なわれる。薄膜両端固定梁２は、
空隙（Ｇ）を介して非平行の基板電極３の対向面３ａと
対向しているから、薄膜両端固定梁２の変形に要する駆
動電圧を小さくするために有効で省資源である。薄膜両
端固定梁２に作用する静電力は、薄膜両端固定梁２と基
板電極３の対向面３ａとの間の距離の２乗に反比例す
る。すなわち距離が小さいほど作用する静電力が大き
い。そのため駆動電圧を印可すると、薄膜両端固定梁２
は空隙（Ｇ）の狭い部分より変形を始める。又、薄膜両
端固定梁２の変形により順次に空隙（Ｇ）が狭くなり、
平行な空隙の場合より低い駆動電圧で薄膜両端固定梁２
の変形が進行する。薄膜両端固定梁２の被保持部２ｄ
は、相対する両端部の２辺を基板４の固定保持部４ｂに
固定して保持されているから、片持ち梁に比べて薄膜両
端固定梁２の安定性、薄膜両端固定梁２の応答速度の２
点で優れている。まず、薄膜両端固定梁２の安定性は、
両端が拘束されているので、自由振動が発生し難く、残
留応力があっても、両端の拘束点で決められているので
変形する事も無く、また経時変化が少ない。次に、薄膜
両端固定梁２の応答速度は、自由振動の問題が無いの
で、応答速度も速くなる。
【００３１】図１２において、光変調装置１０は、基板
４に、複数の反射手段１と薄膜両端固定梁２と基板電極
３と基板表面４ａに薄膜両端固定梁２を固定して保持す
る固定保持部４ｂと固定保持部４ｂに凹形状が形成され
た凹形状部４ｃとが１次元アレー形状に配置されて製造
されたものである。基板４に形成された空隙（Ｇ）は、
反射手段１、薄膜両端固定梁２と基板電極３等の素子列
方向に広く形成されている。基板電極３は、空隙（Ｇ）
下面に全素子間で接続されて形成され、周囲で空隙
（Ｇ）を乗り上げ、外部信号とパッド開孔部位３ｂにて
接続されている。凹形状部４ｃは、反射手段１、薄膜両
端固定梁２と基板電極３等の素子列方向に接続されて形
成されている。薄膜両端固定梁２は、素子毎にパターニ
ングされ、それぞれを変形させるための電位を与えられ
るようにパッド２ｅが形成されている。反射手段１は、
基板電極３の対向面３ａと対向して形成される間隙
（Ｇ）上の薄膜両端固定梁２の側面のみに組み合わせ構
成されて形成されている。薄膜両端固定梁２は、素子毎
に分離されているので、素子間の振動伝搬による相互作
用は比較的少ないが、凹形状部４ｃによる基板４での分
離により、さらに振動伝搬による相互作用が抑制されて
いる。又、凹形状部４ｃを設けることによって、基板４
の薄膜両端固定梁２の被保持部２ｄを固定保持する固定
保持部４ｂの平面積を低減し、１次元アレー形状の基板
４の基板表面４ａの面積を縮小し、ウェハからの取り数
の増大を図ることが可能になった。
４に、複数の反射手段１と薄膜両端固定梁２と基板電極
３と基板表面４ａに薄膜両端固定梁２を固定して保持す
る固定保持部４ｂと固定保持部４ｂに凹形状が形成され
た凹形状部４ｃとが１次元アレー形状に配置されて製造
されたものである。基板４に形成された空隙（Ｇ）は、
反射手段１、薄膜両端固定梁２と基板電極３等の素子列
方向に広く形成されている。基板電極３は、空隙（Ｇ）
下面に全素子間で接続されて形成され、周囲で空隙
（Ｇ）を乗り上げ、外部信号とパッド開孔部位３ｂにて
接続されている。凹形状部４ｃは、反射手段１、薄膜両
端固定梁２と基板電極３等の素子列方向に接続されて形
成されている。薄膜両端固定梁２は、素子毎にパターニ
ングされ、それぞれを変形させるための電位を与えられ
るようにパッド２ｅが形成されている。反射手段１は、
基板電極３の対向面３ａと対向して形成される間隙
（Ｇ）上の薄膜両端固定梁２の側面のみに組み合わせ構
成されて形成されている。薄膜両端固定梁２は、素子毎
に分離されているので、素子間の振動伝搬による相互作
用は比較的少ないが、凹形状部４ｃによる基板４での分
離により、さらに振動伝搬による相互作用が抑制されて
いる。又、凹形状部４ｃを設けることによって、基板４
の薄膜両端固定梁２の被保持部２ｄを固定保持する固定
保持部４ｂの平面積を低減し、１次元アレー形状の基板
４の基板表面４ａの面積を縮小し、ウェハからの取り数
の増大を図ることが可能になった。
【００３２】図１３において、光変調装置２０は、基板
４に、複数の反射手段１と薄膜両端固定梁２と基板電極
３と基板表面４ａに薄膜両端固定梁２を固定して保持す
る固定保持部４ｂと固定保持部４ｂに凹形状が形成され
た凹形状部４ｃとを２次元アレー形状に配置されて製造
されたものである。基板４に形成された空隙（Ｇ）は、
図示の矢印Ｘ列方向に広く形成されている。各基板電極
３は、各薄膜両端固定梁２毎に空隙（Ｇ）下面に独立し
て形成されて、図示しないＣＭＯＳプロセスにより形成
されたスイッチを経由して、外部信号と接続されてい
る。基板４の基板表面４ａ上の固定保持部４ｂに形成さ
れた凹形状部４ｃは、空隙（Ｇ）と平行に、図示の矢印
Ｘ列方向に接続されて形成されている。薄膜両端固定梁
２は、図示の矢印Ｘ列方向とは垂直方向の図示のＹ列方
向に、素子間を接続して形成され、更に、隣接薄膜両端
固定梁２列間も周辺にて接続され、共通の電位を与えら
れるようにパッド２ｅが形成されている。各薄膜両端固
定梁２にかかる静電力は、共通電位にある薄膜両端固定
梁２と、スイッチにより印加される各素子の電位との電
位差により発生する。反射手段１は、基板電極３の対向
面３ａと対向して形成される空隙（Ｇ）上の薄膜両端固
定梁２の側面のみに組み合わせ構成されて形成されてい
る。薄膜両端固定梁２は、図示の矢印Ｙ列方向で接続さ
れているので、固定保持部４ｂに凹形状が形成された凹
形状部４ｃによる、素子間の振動伝搬による相互作用の
抑制は効果が大である。又、凹形状部４ｃを設けること
によって、基板４の薄膜両端固定梁２の被保持部２ｄを
固定保持する固定保持部４ｂの十分な薄膜両端固定梁２
の保持性を確保することにより平面積を低減し、１画素
又は１素子の寸法の微細化により、１画素又は１素子に
占める光反射領域を相対的に拡大でき、高解像性を求め
て１画素又は１素子当りの寸法を微細化した場合の、画
像形成装置におけるＳ／Ｎ比の向上や画像投影表示装置
におけるコントラストの上昇を計ることが出来るように
なった。
４に、複数の反射手段１と薄膜両端固定梁２と基板電極
３と基板表面４ａに薄膜両端固定梁２を固定して保持す
る固定保持部４ｂと固定保持部４ｂに凹形状が形成され
た凹形状部４ｃとを２次元アレー形状に配置されて製造
されたものである。基板４に形成された空隙（Ｇ）は、
図示の矢印Ｘ列方向に広く形成されている。各基板電極
３は、各薄膜両端固定梁２毎に空隙（Ｇ）下面に独立し
て形成されて、図示しないＣＭＯＳプロセスにより形成
されたスイッチを経由して、外部信号と接続されてい
る。基板４の基板表面４ａ上の固定保持部４ｂに形成さ
れた凹形状部４ｃは、空隙（Ｇ）と平行に、図示の矢印
Ｘ列方向に接続されて形成されている。薄膜両端固定梁
２は、図示の矢印Ｘ列方向とは垂直方向の図示のＹ列方
向に、素子間を接続して形成され、更に、隣接薄膜両端
固定梁２列間も周辺にて接続され、共通の電位を与えら
れるようにパッド２ｅが形成されている。各薄膜両端固
定梁２にかかる静電力は、共通電位にある薄膜両端固定
梁２と、スイッチにより印加される各素子の電位との電
位差により発生する。反射手段１は、基板電極３の対向
面３ａと対向して形成される空隙（Ｇ）上の薄膜両端固
定梁２の側面のみに組み合わせ構成されて形成されてい
る。薄膜両端固定梁２は、図示の矢印Ｙ列方向で接続さ
れているので、固定保持部４ｂに凹形状が形成された凹
形状部４ｃによる、素子間の振動伝搬による相互作用の
抑制は効果が大である。又、凹形状部４ｃを設けること
によって、基板４の薄膜両端固定梁２の被保持部２ｄを
固定保持する固定保持部４ｂの十分な薄膜両端固定梁２
の保持性を確保することにより平面積を低減し、１画素
又は１素子の寸法の微細化により、１画素又は１素子に
占める光反射領域を相対的に拡大でき、高解像性を求め
て１画素又は１素子当りの寸法を微細化した場合の、画
像形成装置におけるＳ／Ｎ比の向上や画像投影表示装置
におけるコントラストの上昇を計ることが出来るように
なった。
【００３３】図１４乃至図２５において、凹形状部４ｃ
上の凹形状に沿って形成された薄膜両端固定梁２の凹形
状形成部２ａとからなる光変調装置０は、次のように、
基板４の絶縁膜４ｇに、写真製版法及びドライエッチン
グ法の手法により空隙（Ｇ）、及び、固定保持部４ｂに
当たる箇所の凹形状部４ｃの該当部を形成した後に、犠
牲材料からなる犠牲材料層５を形成して基板４の基板表
面４ａ上を平坦化して、薄膜両端固定梁２を形成後に、
犠牲材料層５を除去するから、入射光の反射方向を変え
て光変調を行う構造が簡単で応答も速く、使用する入射
光の波長が制限されることなく、作動が安定で信頼性も
高く、微細化され梁の固定保持領域が小さくても十分な
固定保持性を確保し、隣接素子への相互作用を抑制す
る、製造工程が少なく低コストの光変調装置０の製造方
法を提供することが出来るようになった。凹形状部と空
隙の該当部形成工程（ａ）において、基板４は、絶縁膜
４ｇを形成したシリコン基板である。基板４の絶縁膜４
ｇに、写真製版法、及び、ドライエッチング法の手法に
より空隙（Ｇ）、及び、固定保持部４ｂに当たる箇所に
凹形状部４ｃを形成する。この時、空隙（Ｇ）において
は、面積階調のパターンを形成したフォトマスクあるい
はレジスト材料の熱変形手法などを用いれば、図１０と
図１１に図示するような非平行な空隙（Ｇ）を形成する
事が出来る（図１４と図１５を参照）。基板電極形成工
程（ｂ）において、空隙（Ｇ）中に基板電極３を窒化チ
タンＴｉＮ膜の薄膜で形成する。窒化チタンＴｉＮ薄膜
は、Ｔｉをターゲットとしたスパッタ法により厚さ０．
１μｍに成膜した。窒化チタンＴｉＮ薄膜を、写真製版
法及びドライエッチング法の手法により、基板電極３と
して形成した。その後、基板電極３の保護膜４ｆとし
て、シリコン窒化膜及びシリコン酸化膜を、厚さ０．１
５μｍで常圧ＣＶＤにより成膜した（図１６と図１７を
参照）。犠牲材料層形成工程（ｃ）において、プラズマ
ＣＶＤ法により、犠牲材料層５の犠牲材料であるシリコ
ン酸化膜を空隙（Ｇ）が完全に埋まるまで成膜し、その
後、感光性有機皮膜５ａを塗布して平坦化し、その後、
凹形状部４ｃに該当する溝４ｃ１を写真製版法によりパ
ターニングした（図１８と図１９を参照）。
上の凹形状に沿って形成された薄膜両端固定梁２の凹形
状形成部２ａとからなる光変調装置０は、次のように、
基板４の絶縁膜４ｇに、写真製版法及びドライエッチン
グ法の手法により空隙（Ｇ）、及び、固定保持部４ｂに
当たる箇所の凹形状部４ｃの該当部を形成した後に、犠
牲材料からなる犠牲材料層５を形成して基板４の基板表
面４ａ上を平坦化して、薄膜両端固定梁２を形成後に、
犠牲材料層５を除去するから、入射光の反射方向を変え
て光変調を行う構造が簡単で応答も速く、使用する入射
光の波長が制限されることなく、作動が安定で信頼性も
高く、微細化され梁の固定保持領域が小さくても十分な
固定保持性を確保し、隣接素子への相互作用を抑制す
る、製造工程が少なく低コストの光変調装置０の製造方
法を提供することが出来るようになった。凹形状部と空
隙の該当部形成工程（ａ）において、基板４は、絶縁膜
４ｇを形成したシリコン基板である。基板４の絶縁膜４
ｇに、写真製版法、及び、ドライエッチング法の手法に
より空隙（Ｇ）、及び、固定保持部４ｂに当たる箇所に
凹形状部４ｃを形成する。この時、空隙（Ｇ）において
は、面積階調のパターンを形成したフォトマスクあるい
はレジスト材料の熱変形手法などを用いれば、図１０と
図１１に図示するような非平行な空隙（Ｇ）を形成する
事が出来る（図１４と図１５を参照）。基板電極形成工
程（ｂ）において、空隙（Ｇ）中に基板電極３を窒化チ
タンＴｉＮ膜の薄膜で形成する。窒化チタンＴｉＮ薄膜
は、Ｔｉをターゲットとしたスパッタ法により厚さ０．
１μｍに成膜した。窒化チタンＴｉＮ薄膜を、写真製版
法及びドライエッチング法の手法により、基板電極３と
して形成した。その後、基板電極３の保護膜４ｆとし
て、シリコン窒化膜及びシリコン酸化膜を、厚さ０．１
５μｍで常圧ＣＶＤにより成膜した（図１６と図１７を
参照）。犠牲材料層形成工程（ｃ）において、プラズマ
ＣＶＤ法により、犠牲材料層５の犠牲材料であるシリコ
ン酸化膜を空隙（Ｇ）が完全に埋まるまで成膜し、その
後、感光性有機皮膜５ａを塗布して平坦化し、その後、
凹形状部４ｃに該当する溝４ｃ１を写真製版法によりパ
ターニングした（図１８と図１９を参照）。
【００３４】保護膜露出工程（ｄ）において、感光性有
機皮膜５ａ、及び、犠牲材料層５の犠牲材料であるシリ
コン酸化膜を同じエッチング速度でドライエッチングす
るエッチバック手法により、基板４の基板表面４ａ上の
保護膜４ｆが露出するまでエッチングした。この時、開
口している溝４ｃ１下の犠牲材料層５の犠牲材料である
シリコン酸化膜は完全に消失し、保護膜４ａが露出して
いる。一方で、空隙（Ｇ）上の犠牲材料層５の犠牲材料
であるシリコン酸化膜は、基板４の基板表面４ａと同じ
高さで、残存している（図２０と図２１を参照）。薄膜
両端固定梁形成工程（ｅ）において、基板４の基板表面
４ａに、薄膜両端固定梁２の材料となるシリコン窒化膜
を熱ＣＶＤ法の手法により、厚さ０．１μｍで成膜し
た。次に、入射光束の反射面となる反射手段１のＡｌ薄
膜を０．１μｍの厚さで、シリコン窒化膜上にスパッタ
法により形成した。写真製版法、及び、ドライエッチン
グ法の手法により、Ａｌ膜とシリコン窒化膜をそれぞれ
パターニングし、薄膜両端固定梁２、及び、反射手段１
を形成した。この時、凹形状４ｃにおいて、薄膜両端固
定梁２のシリコン窒化膜は、凹形状４ｃの表面に沿って
堆積され凹形状形成部２ａが形成されて、強固な薄膜両
端固定梁２の保持が可能となる（図２２と図２３を参
照）。犠牲材料層除去工程（ｆ）において、空隙（Ｇ）
を平坦化していた犠牲材料層５の犠牲材料であるシリコ
ン酸化膜を、フッ酸の希釈液を用いたウェットエッチン
グ手法により除去する。この時、基板電極３の保護膜４
ｆとのエッチング選択性が良好なので、選択的な犠牲材
料層５の除去が可能となる。薄膜両端固定梁２は、両端
の被保持部２ｄを基板４の固定保持部４ｂに空隙（Ｇ）
を介して保持される（図２４と図２５を参照）。以上
で、光変調装置０が完成する。尚、基板電極３上のパッ
ド開孔部位３ｂにおける保護膜ｆのエッチング開口に関
しては省略しているが、基板電極３を空隙（Ｇ）から基
板表面４ａに延長し、薄膜両端固定梁形成工程（ｅ）と
犠牲材料層除去工程（ｆ）との間の工程にて開口するこ
とにより可能である。
機皮膜５ａ、及び、犠牲材料層５の犠牲材料であるシリ
コン酸化膜を同じエッチング速度でドライエッチングす
るエッチバック手法により、基板４の基板表面４ａ上の
保護膜４ｆが露出するまでエッチングした。この時、開
口している溝４ｃ１下の犠牲材料層５の犠牲材料である
シリコン酸化膜は完全に消失し、保護膜４ａが露出して
いる。一方で、空隙（Ｇ）上の犠牲材料層５の犠牲材料
であるシリコン酸化膜は、基板４の基板表面４ａと同じ
高さで、残存している（図２０と図２１を参照）。薄膜
両端固定梁形成工程（ｅ）において、基板４の基板表面
４ａに、薄膜両端固定梁２の材料となるシリコン窒化膜
を熱ＣＶＤ法の手法により、厚さ０．１μｍで成膜し
た。次に、入射光束の反射面となる反射手段１のＡｌ薄
膜を０．１μｍの厚さで、シリコン窒化膜上にスパッタ
法により形成した。写真製版法、及び、ドライエッチン
グ法の手法により、Ａｌ膜とシリコン窒化膜をそれぞれ
パターニングし、薄膜両端固定梁２、及び、反射手段１
を形成した。この時、凹形状４ｃにおいて、薄膜両端固
定梁２のシリコン窒化膜は、凹形状４ｃの表面に沿って
堆積され凹形状形成部２ａが形成されて、強固な薄膜両
端固定梁２の保持が可能となる（図２２と図２３を参
照）。犠牲材料層除去工程（ｆ）において、空隙（Ｇ）
を平坦化していた犠牲材料層５の犠牲材料であるシリコ
ン酸化膜を、フッ酸の希釈液を用いたウェットエッチン
グ手法により除去する。この時、基板電極３の保護膜４
ｆとのエッチング選択性が良好なので、選択的な犠牲材
料層５の除去が可能となる。薄膜両端固定梁２は、両端
の被保持部２ｄを基板４の固定保持部４ｂに空隙（Ｇ）
を介して保持される（図２４と図２５を参照）。以上
で、光変調装置０が完成する。尚、基板電極３上のパッ
ド開孔部位３ｂにおける保護膜ｆのエッチング開口に関
しては省略しているが、基板電極３を空隙（Ｇ）から基
板表面４ａに延長し、薄膜両端固定梁形成工程（ｅ）と
犠牲材料層除去工程（ｆ）との間の工程にて開口するこ
とにより可能である。
【００３５】図２６乃至図３７において、凹形状部４ｃ
上の凹形状に沿って形成された薄膜両端固定梁２の凹形
状形成部２ａとからなる光変調装置０は、次のように、
基板４のシリコン基板を先にパターニングして写真製版
法、及び、ドライエッチング法の手法により空隙
（Ｇ）、及び、固定保持部４ｂに当たる箇所の凹形状部
４ｃの該当部を形成した後に絶縁膜４ｇを堆積して、犠
牲材料からなる犠牲材料層５を形成して基板４の基板表
面４ａ上を平坦化して、薄膜両端固定梁２を形成後に、
犠牲材料層５を除去するから、入射光の反射方向を変え
て光変調を行う構造が簡単で応答も速く、使用する入射
光の波長が制限されることなく、作動が安定で信頼性も
高く、微細化され梁の固定保持領域が小さくても十分な
固定保持性を確保し、隣接素子への相互作用を抑制す
る、製造工程が少なく低コストの光変調装置０の製造方
法を提供することが出来るようになった。凹形状部と空
隙の該当部形成工程（ａ）において、基板４は、絶縁膜
４ｇを形成したシリコン基板である。基板４のシリコン
基板に、写真製版法、及び、ドライエッチング法の手法
により空隙（Ｇ）、及び、固定保持部４ｂに当たる箇所
に凹形状部４ｃを形成した後に絶縁膜４ｇを堆積する。
この時、空隙（Ｇ）においては、面積階調のパターンを
形成したフォトマスクあるいはレジスト材料の熱変形手
法などを用いれば、図１０と図１１に図示するような非
平行な空隙（Ｇ）を形成する事が出来る（図２６と図２
７を参照）。基板電極形成工程（ｂ）において、空隙
（Ｇ）中に基板電極３を窒化チタンＴｉＮ膜の薄膜で形
成する。窒化チタンＴｉＮ薄膜は、Ｔｉをターゲットと
したスパッタ法により厚さ０．１μｍに成膜した。窒化
チタンＴｉＮ薄膜を、写真製版法及びドライエッチング
法の手法により、基板電極３として形成した。その後、
基板電極３の保護膜４ｆとして、シリコン窒化膜及びシ
リコン酸化膜を、厚さ０．１５μｍで常圧ＣＶＤにより
成膜した（図２８と図２９を参照）。犠牲材料層形成工
程（ｃ）において、プラズマＣＶＤ法により、犠牲材料
層５の犠牲材料であるシリコン酸化膜を空隙（Ｇ）が完
全に埋まるまで成膜し、その後、感光性有機皮膜５ａを
塗布して平坦化し、その後、凹形状部４ｃに該当する溝
４ｃ１を写真製版法によりパターニングした（図３０と
図３１を参照）。保護膜露出工程（ｄ）において、感光
性有機皮膜５ａ、及び、犠牲材料層５の犠牲材料である
シリコン酸化膜を同じエッチング速度でドライエッチン
グするエッチバック手法により、基板４の基板表面４ａ
上の保護膜４ａが露出するまでエッチングした。この
時、開口している溝４ｃ１下の犠牲材料層５の犠牲材料
であるシリコン酸化膜は完全に消失し、保護膜４ａが露
出している。一方で、空隙（Ｇ）上の犠牲材料層５の犠
牲材料であるシリコン酸化膜は、基板４の基板表面４ａ
と同じ高さで、残存している（図３２と図３３を参
照）。
上の凹形状に沿って形成された薄膜両端固定梁２の凹形
状形成部２ａとからなる光変調装置０は、次のように、
基板４のシリコン基板を先にパターニングして写真製版
法、及び、ドライエッチング法の手法により空隙
（Ｇ）、及び、固定保持部４ｂに当たる箇所の凹形状部
４ｃの該当部を形成した後に絶縁膜４ｇを堆積して、犠
牲材料からなる犠牲材料層５を形成して基板４の基板表
面４ａ上を平坦化して、薄膜両端固定梁２を形成後に、
犠牲材料層５を除去するから、入射光の反射方向を変え
て光変調を行う構造が簡単で応答も速く、使用する入射
光の波長が制限されることなく、作動が安定で信頼性も
高く、微細化され梁の固定保持領域が小さくても十分な
固定保持性を確保し、隣接素子への相互作用を抑制す
る、製造工程が少なく低コストの光変調装置０の製造方
法を提供することが出来るようになった。凹形状部と空
隙の該当部形成工程（ａ）において、基板４は、絶縁膜
４ｇを形成したシリコン基板である。基板４のシリコン
基板に、写真製版法、及び、ドライエッチング法の手法
により空隙（Ｇ）、及び、固定保持部４ｂに当たる箇所
に凹形状部４ｃを形成した後に絶縁膜４ｇを堆積する。
この時、空隙（Ｇ）においては、面積階調のパターンを
形成したフォトマスクあるいはレジスト材料の熱変形手
法などを用いれば、図１０と図１１に図示するような非
平行な空隙（Ｇ）を形成する事が出来る（図２６と図２
７を参照）。基板電極形成工程（ｂ）において、空隙
（Ｇ）中に基板電極３を窒化チタンＴｉＮ膜の薄膜で形
成する。窒化チタンＴｉＮ薄膜は、Ｔｉをターゲットと
したスパッタ法により厚さ０．１μｍに成膜した。窒化
チタンＴｉＮ薄膜を、写真製版法及びドライエッチング
法の手法により、基板電極３として形成した。その後、
基板電極３の保護膜４ｆとして、シリコン窒化膜及びシ
リコン酸化膜を、厚さ０．１５μｍで常圧ＣＶＤにより
成膜した（図２８と図２９を参照）。犠牲材料層形成工
程（ｃ）において、プラズマＣＶＤ法により、犠牲材料
層５の犠牲材料であるシリコン酸化膜を空隙（Ｇ）が完
全に埋まるまで成膜し、その後、感光性有機皮膜５ａを
塗布して平坦化し、その後、凹形状部４ｃに該当する溝
４ｃ１を写真製版法によりパターニングした（図３０と
図３１を参照）。保護膜露出工程（ｄ）において、感光
性有機皮膜５ａ、及び、犠牲材料層５の犠牲材料である
シリコン酸化膜を同じエッチング速度でドライエッチン
グするエッチバック手法により、基板４の基板表面４ａ
上の保護膜４ａが露出するまでエッチングした。この
時、開口している溝４ｃ１下の犠牲材料層５の犠牲材料
であるシリコン酸化膜は完全に消失し、保護膜４ａが露
出している。一方で、空隙（Ｇ）上の犠牲材料層５の犠
牲材料であるシリコン酸化膜は、基板４の基板表面４ａ
と同じ高さで、残存している（図３２と図３３を参
照）。
【００３６】薄膜両端固定梁形成工程（ｅ）において、
基板４の基板表面４ａに、薄膜両端固定梁２の材料とな
るシリコン窒化膜を熱ＣＶＤ法の手法により、厚さ０．
１μｍで成膜した。次に、入射光束の反射面となる反射
手段１のＡｌ薄膜を０．１μｍの厚さで、シリコン窒化
膜上にスパッタ法により形成した。写真製版法、及び、
ドライエッチング法の手法により、Ａｌ膜とシリコン窒
化膜をそれぞれパターニングし、薄膜両端固定梁２、及
び、反射手段１を形成した。この時、凹形状４ｃにおい
て、薄膜両端固定梁２のシリコン窒化膜は、凹形状４ｃ
の表面に沿って堆積され凹形状形成武２ａが形成され
て、強固な薄膜両端固定梁２の保持が可能となる（図３
４と図３５を参照）。犠牲材料層除去工程（ｆ）におい
て、空隙（Ｇ）を平坦化していた犠牲材料層５の犠牲材
料であるシリコン酸化膜を、フッ酸の希釈液を用いたウ
ェットエッチング手法により除去する。この時、基板電
極３の保護膜４ｆとのエッチング選択性が良好なので、
選択的な犠牲材料層５の除去が可能となる。薄膜両端固
定梁２は、両端の被保持部２ｄを基板４の固定保持部４
ｂに空隙（Ｇ）を介して保持される（図３６と図３７を
参照）。以上で、光変調装置０が完成する。尚、基板電
極３上のパッド開孔部位３ｂにおける保護膜ｆのエッチ
ング開口に関しては省略しているが、基板電極３を空隙
（Ｇ）から基板表面４ａに延長し、薄膜両端固定梁形成
工程（ｅ）と犠牲材料層除去工程（ｆ）との間の工程に
て開口することにより可能である。
基板４の基板表面４ａに、薄膜両端固定梁２の材料とな
るシリコン窒化膜を熱ＣＶＤ法の手法により、厚さ０．
１μｍで成膜した。次に、入射光束の反射面となる反射
手段１のＡｌ薄膜を０．１μｍの厚さで、シリコン窒化
膜上にスパッタ法により形成した。写真製版法、及び、
ドライエッチング法の手法により、Ａｌ膜とシリコン窒
化膜をそれぞれパターニングし、薄膜両端固定梁２、及
び、反射手段１を形成した。この時、凹形状４ｃにおい
て、薄膜両端固定梁２のシリコン窒化膜は、凹形状４ｃ
の表面に沿って堆積され凹形状形成武２ａが形成され
て、強固な薄膜両端固定梁２の保持が可能となる（図３
４と図３５を参照）。犠牲材料層除去工程（ｆ）におい
て、空隙（Ｇ）を平坦化していた犠牲材料層５の犠牲材
料であるシリコン酸化膜を、フッ酸の希釈液を用いたウ
ェットエッチング手法により除去する。この時、基板電
極３の保護膜４ｆとのエッチング選択性が良好なので、
選択的な犠牲材料層５の除去が可能となる。薄膜両端固
定梁２は、両端の被保持部２ｄを基板４の固定保持部４
ｂに空隙（Ｇ）を介して保持される（図３６と図３７を
参照）。以上で、光変調装置０が完成する。尚、基板電
極３上のパッド開孔部位３ｂにおける保護膜ｆのエッチ
ング開口に関しては省略しているが、基板電極３を空隙
（Ｇ）から基板表面４ａに延長し、薄膜両端固定梁形成
工程（ｅ）と犠牲材料層除去工程（ｆ）との間の工程に
て開口することにより可能である。
【００３７】図３８乃至図４９において、薄膜両端固定
梁２の凹形状部４ｃ上を空隙を介して覆う蓋形状の蓋形
状部２ｂからなる光変調装置０は、次のように、基板４
の絶縁膜４ｇに、写真製版法、及び、ドライエッチング
法の手法により空隙（Ｇ）、及び、固定保持部４ｂに当
たる箇所の凹形状部４ｃの該当部を形成した後に、犠牲
材料からなる犠牲材料層５を形成して基板４の基板表面
４ａ上を平坦化して、薄膜両端固定梁２を形成後に、犠
牲材料層５を除去するから、入射光の反射方向を変えて
光変調を行う構造が簡単で応答も速く、使用する入射光
の波長が制限されることなく、作動が安定で信頼性も高
く、微細化され梁の固定保持領域が小さくても十分な固
定保持性を確保し、隣接素子への相互作用を抑制する、
製造工程が少なく低コストの光変調装置０の製造方法を
提供することが出来るようになった。凹形状部と空隙の
該当部形成工程（ａ）において、基板４は、絶縁膜４ｇ
を形成したシリコン基板である。基板４の絶縁膜４ｇ
に、写真製版法、及び、ドライエッチング法の手法によ
り空隙（Ｇ）、及び、固定保持部４ｂに当たる箇所に凹
形状部４ｃを形成する。この時、空隙（Ｇ）において
は、面積階調のパターンを形成したフォトマスクあるい
はレジスト材料の熱変形手法などを用いれば、図１０と
図１１に図示するような非平行な空隙（Ｇ）を形成する
事が出来る（図３８と図３９を参照）。基板電極形成工
程（ｂ）において、空隙（Ｇ）中に基板電極３を窒化チ
タンＴｉＮ膜の薄膜で形成する。窒化チタンＴｉＮ薄膜
は、Ｔｉをターゲットとしたスパッタ法により厚さ０．
１μｍに成膜した。窒化チタンＴｉＮ薄膜を、写真製版
法及びドライエッチング法の手法により、基板電極３と
して形成した。その後、基板電極３の保護膜４ｆとし
て、シリコン窒化膜及びシリコン酸化膜を、厚さ０．１
５μｍで常圧ＣＶＤにより成膜した（図４０と図４１を
参照）。
梁２の凹形状部４ｃ上を空隙を介して覆う蓋形状の蓋形
状部２ｂからなる光変調装置０は、次のように、基板４
の絶縁膜４ｇに、写真製版法、及び、ドライエッチング
法の手法により空隙（Ｇ）、及び、固定保持部４ｂに当
たる箇所の凹形状部４ｃの該当部を形成した後に、犠牲
材料からなる犠牲材料層５を形成して基板４の基板表面
４ａ上を平坦化して、薄膜両端固定梁２を形成後に、犠
牲材料層５を除去するから、入射光の反射方向を変えて
光変調を行う構造が簡単で応答も速く、使用する入射光
の波長が制限されることなく、作動が安定で信頼性も高
く、微細化され梁の固定保持領域が小さくても十分な固
定保持性を確保し、隣接素子への相互作用を抑制する、
製造工程が少なく低コストの光変調装置０の製造方法を
提供することが出来るようになった。凹形状部と空隙の
該当部形成工程（ａ）において、基板４は、絶縁膜４ｇ
を形成したシリコン基板である。基板４の絶縁膜４ｇ
に、写真製版法、及び、ドライエッチング法の手法によ
り空隙（Ｇ）、及び、固定保持部４ｂに当たる箇所に凹
形状部４ｃを形成する。この時、空隙（Ｇ）において
は、面積階調のパターンを形成したフォトマスクあるい
はレジスト材料の熱変形手法などを用いれば、図１０と
図１１に図示するような非平行な空隙（Ｇ）を形成する
事が出来る（図３８と図３９を参照）。基板電極形成工
程（ｂ）において、空隙（Ｇ）中に基板電極３を窒化チ
タンＴｉＮ膜の薄膜で形成する。窒化チタンＴｉＮ薄膜
は、Ｔｉをターゲットとしたスパッタ法により厚さ０．
１μｍに成膜した。窒化チタンＴｉＮ薄膜を、写真製版
法及びドライエッチング法の手法により、基板電極３と
して形成した。その後、基板電極３の保護膜４ｆとし
て、シリコン窒化膜及びシリコン酸化膜を、厚さ０．１
５μｍで常圧ＣＶＤにより成膜した（図４０と図４１を
参照）。
【００３８】犠牲材料層形成工程（ｃ）において、プラ
ズマＣＶＤにより、犠牲材料層５の犠牲材料であるシリ
コン酸化膜を空隙（Ｇ）が完全に埋まるまで成膜し、そ
の後、感光性有機皮膜５ａを塗布して平坦化した。凹形
状部４ｃに該当する溝のパターニングは行われない（図
４２と図４３を参照）。保護膜露出工程（ｄ）におい
て、感光性有機皮膜５ａ、及び、犠牲材料層５の犠牲材
料であるシリコン酸化膜を同じエッチング速度でドライ
エッチングするエッチバック手法により、基板表面４ａ
上の保護膜４ｆが露出するまでエッチングした。この
時、開口している凹形状部４ｃ上の犠牲材料層５の犠牲
材料であるシリコン酸化膜、及び、空隙（Ｇ）上の犠牲
材料層５の犠牲材料であるシリコン酸化膜は、基板表面
４ａと同じ高さで、残存している（図４４と図４５を参
照）。薄膜両端固定梁形成工程（ｅ）において、基板４
の基板表面４ａに、薄膜両端固定梁２の材料となるシリ
コン窒化膜を熱ＣＶＤ法の手法により、厚さ０．１μｍ
で成膜した。次に、入射光束の反射面となる反射手段１
のＡｌ薄膜を０．１μｍの厚さで、シリコン窒化膜上に
スパッタ法により形成した。写真製版法、及び、ドライ
エッチング法の手法により、Ａｌ膜とシリコン窒化膜を
それぞれパターニングし、薄膜両端固定梁２、及び、反
射手段１を形成した。この時、凹形状４ｃにおいて、薄
膜両端固定梁２材のシリコン窒化膜は、犠牲材料層５の
犠牲材料であるシリコン酸化膜を介して形成されている
（図４６と図４７を参照）。犠牲材料層除去工程（ｆ）
において、空隙（Ｇ）を平坦化していた犠牲材料層５の
犠牲材料であるシリコン酸化膜を、フッ酸の希釈液を用
いたウェットエッチング手法により除去する。この時、
凹形状４ｃの犠牲材料層５の犠牲材料であるシリコン酸
化膜も開口部よりエッチング除去されるので、凹形状４
ｃにおいて、薄膜両端固定梁２の蓋形状の蓋形状部２ｂ
が凹形状部４ｃ上を空隙を介して覆うように形成されて
いる（図４８と図４９を参照）。以上で、光変調装置０
が完成する。尚、基板電極３上のパッド開孔部位３ｂに
おける保護膜ｆのエッチング開口に関しては省略してい
るが、基板電極３を空隙（Ｇ）から基板表面４ａに延長
し、薄膜両端固定梁形成工程（ｅ）と犠牲材料層除去工
程（ｆ）との間の工程にて開口することにより可能であ
る。
ズマＣＶＤにより、犠牲材料層５の犠牲材料であるシリ
コン酸化膜を空隙（Ｇ）が完全に埋まるまで成膜し、そ
の後、感光性有機皮膜５ａを塗布して平坦化した。凹形
状部４ｃに該当する溝のパターニングは行われない（図
４２と図４３を参照）。保護膜露出工程（ｄ）におい
て、感光性有機皮膜５ａ、及び、犠牲材料層５の犠牲材
料であるシリコン酸化膜を同じエッチング速度でドライ
エッチングするエッチバック手法により、基板表面４ａ
上の保護膜４ｆが露出するまでエッチングした。この
時、開口している凹形状部４ｃ上の犠牲材料層５の犠牲
材料であるシリコン酸化膜、及び、空隙（Ｇ）上の犠牲
材料層５の犠牲材料であるシリコン酸化膜は、基板表面
４ａと同じ高さで、残存している（図４４と図４５を参
照）。薄膜両端固定梁形成工程（ｅ）において、基板４
の基板表面４ａに、薄膜両端固定梁２の材料となるシリ
コン窒化膜を熱ＣＶＤ法の手法により、厚さ０．１μｍ
で成膜した。次に、入射光束の反射面となる反射手段１
のＡｌ薄膜を０．１μｍの厚さで、シリコン窒化膜上に
スパッタ法により形成した。写真製版法、及び、ドライ
エッチング法の手法により、Ａｌ膜とシリコン窒化膜を
それぞれパターニングし、薄膜両端固定梁２、及び、反
射手段１を形成した。この時、凹形状４ｃにおいて、薄
膜両端固定梁２材のシリコン窒化膜は、犠牲材料層５の
犠牲材料であるシリコン酸化膜を介して形成されている
（図４６と図４７を参照）。犠牲材料層除去工程（ｆ）
において、空隙（Ｇ）を平坦化していた犠牲材料層５の
犠牲材料であるシリコン酸化膜を、フッ酸の希釈液を用
いたウェットエッチング手法により除去する。この時、
凹形状４ｃの犠牲材料層５の犠牲材料であるシリコン酸
化膜も開口部よりエッチング除去されるので、凹形状４
ｃにおいて、薄膜両端固定梁２の蓋形状の蓋形状部２ｂ
が凹形状部４ｃ上を空隙を介して覆うように形成されて
いる（図４８と図４９を参照）。以上で、光変調装置０
が完成する。尚、基板電極３上のパッド開孔部位３ｂに
おける保護膜ｆのエッチング開口に関しては省略してい
るが、基板電極３を空隙（Ｇ）から基板表面４ａに延長
し、薄膜両端固定梁形成工程（ｅ）と犠牲材料層除去工
程（ｆ）との間の工程にて開口することにより可能であ
る。
【００３９】図５０乃至図６１において、凹形状部４ｃ
上に堆積した堆積物２ｃを介して固定して保持される薄
膜両端固定梁２とからなる光変調装置０は、次のよう
に、基板４の絶縁膜４ｇに、写真製版法、及び、ドライ
エッチング法の手法により空隙（Ｇ）、及び、固定保持
部４ｂに当たる箇所の凹形状部４ｃの該当部を形成した
後に、犠牲材料からなる犠牲材料層５を形成して基板４
の基板表面４ａ上を平坦化して、薄膜両端固定梁２を形
成後に、犠牲材料層５を除去するから、入射光の反射方
向を変えて光変調を行う構造が簡単で応答も速く、使用
する入射光の波長が制限されることなく、作動が安定で
信頼性も高く、微細化され梁の固定保持領域が小さくて
も十分な固定保持性を確保し、隣接素子への相互作用を
抑制する、製造工程が少なく低コストの光変調装置０の
製造方法を提供することが出来るようになった。凹形状
部と空隙の該当部形成工程（ａ）において、基板４は、
絶縁膜４ｇを形成したシリコン基板である。基板４の絶
縁膜４ｇに、写真製版法、及び、ドライエッチング法の
手法により空隙（Ｇ）、及び、固定保持部４ｂに当たる
箇所に凹形状部４ｃを形成する。この時、凹形状部４ｃ
は、前述と異なり、素子列方向に接続されず、独立に形
成されている（図５０と図５１を参照）。基板電極形成
工程（ｂ）において、空隙（Ｇ）中に基板電極３を窒化
チタンＴｉＮ膜の薄膜で形成する。窒化チタンＴｉＮ薄
膜は、Ｔｉをターゲットとしたスパッタ法により厚さ
０．１μｍに成膜した。窒化チタンＴｉＮ薄膜を、写真
製版法及びドライエッチング法の手法により、基板電極
３として形成した。その後、基板電極３の保護膜４ｆと
して、シリコン窒化膜及びシリコン酸化膜を、厚さ０．
１５μｍで常圧ＣＶＤにより成膜した（図５２と図５３
を参照）。犠牲材料層形成工程（ｃ）において、プラズ
マＣＶＤにより、犠牲材料層５の犠牲材料であるシリコ
ン酸化膜を空隙（Ｇ）が完全に埋まるまで成膜し、その
後、感光性有機皮膜５ａを塗布して平坦化した。凹形状
部４ｃに該当する溝のパターニングは行われない（図５
４と図５５を参照）。保護膜露出工程（ｄ）において、
感光性有機皮膜５ａ、及び、犠牲材料層５の犠牲材料で
あるシリコン酸化膜を同じエッチング速度でドライエッ
チングするエッチバック手法により、基板表面４ａ上の
保護膜４ｆが露出するまでエッチングした。この時、開
口している凹形状部４ｃ上の犠牲材料層５の犠牲材料で
あるシリコン酸化、及び、空隙（Ｇ）上の犠牲材料層５
の犠牲材料であるシリコン酸化膜は、基板表面４ａと同
じ高さで、残存している（図５６と図５７を参照）。
上に堆積した堆積物２ｃを介して固定して保持される薄
膜両端固定梁２とからなる光変調装置０は、次のよう
に、基板４の絶縁膜４ｇに、写真製版法、及び、ドライ
エッチング法の手法により空隙（Ｇ）、及び、固定保持
部４ｂに当たる箇所の凹形状部４ｃの該当部を形成した
後に、犠牲材料からなる犠牲材料層５を形成して基板４
の基板表面４ａ上を平坦化して、薄膜両端固定梁２を形
成後に、犠牲材料層５を除去するから、入射光の反射方
向を変えて光変調を行う構造が簡単で応答も速く、使用
する入射光の波長が制限されることなく、作動が安定で
信頼性も高く、微細化され梁の固定保持領域が小さくて
も十分な固定保持性を確保し、隣接素子への相互作用を
抑制する、製造工程が少なく低コストの光変調装置０の
製造方法を提供することが出来るようになった。凹形状
部と空隙の該当部形成工程（ａ）において、基板４は、
絶縁膜４ｇを形成したシリコン基板である。基板４の絶
縁膜４ｇに、写真製版法、及び、ドライエッチング法の
手法により空隙（Ｇ）、及び、固定保持部４ｂに当たる
箇所に凹形状部４ｃを形成する。この時、凹形状部４ｃ
は、前述と異なり、素子列方向に接続されず、独立に形
成されている（図５０と図５１を参照）。基板電極形成
工程（ｂ）において、空隙（Ｇ）中に基板電極３を窒化
チタンＴｉＮ膜の薄膜で形成する。窒化チタンＴｉＮ薄
膜は、Ｔｉをターゲットとしたスパッタ法により厚さ
０．１μｍに成膜した。窒化チタンＴｉＮ薄膜を、写真
製版法及びドライエッチング法の手法により、基板電極
３として形成した。その後、基板電極３の保護膜４ｆと
して、シリコン窒化膜及びシリコン酸化膜を、厚さ０．
１５μｍで常圧ＣＶＤにより成膜した（図５２と図５３
を参照）。犠牲材料層形成工程（ｃ）において、プラズ
マＣＶＤにより、犠牲材料層５の犠牲材料であるシリコ
ン酸化膜を空隙（Ｇ）が完全に埋まるまで成膜し、その
後、感光性有機皮膜５ａを塗布して平坦化した。凹形状
部４ｃに該当する溝のパターニングは行われない（図５
４と図５５を参照）。保護膜露出工程（ｄ）において、
感光性有機皮膜５ａ、及び、犠牲材料層５の犠牲材料で
あるシリコン酸化膜を同じエッチング速度でドライエッ
チングするエッチバック手法により、基板表面４ａ上の
保護膜４ｆが露出するまでエッチングした。この時、開
口している凹形状部４ｃ上の犠牲材料層５の犠牲材料で
あるシリコン酸化、及び、空隙（Ｇ）上の犠牲材料層５
の犠牲材料であるシリコン酸化膜は、基板表面４ａと同
じ高さで、残存している（図５６と図５７を参照）。
【００４０】薄膜両端固定梁形成工程（ｅ）において、
基板４の基板表面４ａに、薄膜両端固定梁２の材料とな
るシリコン窒化膜を熱ＣＶＤ法の手法により、厚さ０．
１μｍで成膜した。次に、入射光束の反射面となる反射
手段１のＡｌ薄膜を０．１μｍの厚さで、シリコン窒化
膜上にスパッタ法により形成した。写真製版法、及び、
ドライエッチング法の手法により、Ａｌ膜とシリコン窒
化膜をそれぞれパターニングし、薄膜両端固定梁２、及
び、反射手段１を形成した。この時、凹形状部４ｃにお
いて、薄膜両端固定梁２材のシリコン窒化膜は、犠牲材
料層５の犠牲材料であるシリコン酸化膜を介して形成さ
れている（図５８と図５９を参照）。犠牲材料層除去工
程（ｆ）において、空隙（Ｇ）を平坦化していた犠牲材
料層５の犠牲材料であるシリコン酸化膜を、フッ酸の希
釈液を用いたウェットエッチング手法により除去する。
この時、凹形状部４ｃの犠牲材料層５の犠牲材料である
シリコン酸化膜は、開口部を薄膜両端固定梁２により塞
がれているので、エッチング除去されず、凹形状部４ｃ
において、薄膜両端固定梁２が、犠牲材料層５の犠牲材
料であるシリコン酸化膜の堆積物２ｅを介して形成され
ている（図６０と図６１を参照）。以上で、光変調装置
０が完成する。尚、基板電極３上のパッド開孔部位３ｂ
における保護膜ｆのエッチング開口に関しては省略して
いるが、基板電極３を空隙（Ｇ）から基板表面４ａに延
長し、薄膜両端固定梁形成工程（ｅ）と犠牲材料層除去
工程（ｆ）との間の工程にて開口することにより可能で
ある。
基板４の基板表面４ａに、薄膜両端固定梁２の材料とな
るシリコン窒化膜を熱ＣＶＤ法の手法により、厚さ０．
１μｍで成膜した。次に、入射光束の反射面となる反射
手段１のＡｌ薄膜を０．１μｍの厚さで、シリコン窒化
膜上にスパッタ法により形成した。写真製版法、及び、
ドライエッチング法の手法により、Ａｌ膜とシリコン窒
化膜をそれぞれパターニングし、薄膜両端固定梁２、及
び、反射手段１を形成した。この時、凹形状部４ｃにお
いて、薄膜両端固定梁２材のシリコン窒化膜は、犠牲材
料層５の犠牲材料であるシリコン酸化膜を介して形成さ
れている（図５８と図５９を参照）。犠牲材料層除去工
程（ｆ）において、空隙（Ｇ）を平坦化していた犠牲材
料層５の犠牲材料であるシリコン酸化膜を、フッ酸の希
釈液を用いたウェットエッチング手法により除去する。
この時、凹形状部４ｃの犠牲材料層５の犠牲材料である
シリコン酸化膜は、開口部を薄膜両端固定梁２により塞
がれているので、エッチング除去されず、凹形状部４ｃ
において、薄膜両端固定梁２が、犠牲材料層５の犠牲材
料であるシリコン酸化膜の堆積物２ｅを介して形成され
ている（図６０と図６１を参照）。以上で、光変調装置
０が完成する。尚、基板電極３上のパッド開孔部位３ｂ
における保護膜ｆのエッチング開口に関しては省略して
いるが、基板電極３を空隙（Ｇ）から基板表面４ａに延
長し、薄膜両端固定梁形成工程（ｅ）と犠牲材料層除去
工程（ｆ）との間の工程にて開口することにより可能で
ある。
【００４１】図６２において、電子写真プロセスで光り
書き込みを行なって画像を形成する画像形成装置５０
は、回動可能に保持されて形成画像を担持する画像担持
体５１のドラム形状の感光体と、帯電手段５５で均一に
帯電された画像担持体５１のドラム形状の感光体上を光
変調装置０がＩ次元アレー形状に配置された光変調装置
１０と複数の光変調装置０を各々独立に駆動する独立駆
動手段３１とからなる光情報処理装置３０からなる潜像
形成手段５２で光り書き込みを行なって潜像を形成し、
潜像形成手段５２の光変調装置０によって形成された潜
像を現像手段５３で顕像化してトナー画像を形成し、現
像手段５３で形成されたトナー画像を転写手段５４で被
転写体（Ｐ）に転写して、被転写体（Ｐ）に転写された
トナー画像を定着手段５６で定着した後に、被転写体
（Ｐ）を排紙トレイ５７に排紙して収納される。他方、
トナー画像を転写手段５４で被転写体（Ｐ）に転写した
後の画像担持体５１のドラム形状の感光体は、クリーニ
ング手段５８でクリーニングされて次工程の画像形成に
備えるようになっている。光情報処理装置３０は、光源
３２からの入射光束（Ｒ）は第１のレンズシステム３３
を介してアレー状に複数個の光変調装置０がＩ次元アレ
ー形状に配置された光変調装置１０に照射され、複数個
の光変調装置０がＩ次元アレー形状に配置された光変調
装置１０の各々の光変調装置０は独立駆動手段３１によ
り画像情報に応じて独立して個々の薄膜両端固定梁２の
パッド２ｅと基板電極３との間に駆動電圧を印可して薄
膜両端固定梁２を制御し、反射手段１を通じて入射光束
（Ｒ）を第２のレンズシステム３４を通じて画像担持体
５１のドラム形状の感光体上の表面に結像させるように
なっている。従って、入射光束（Ｒ）の反射方向を変え
て光変調を行う構造が簡単で応答も速く、使用する入射
光束（Ｒ）の波長が制限されることなく、作動が安定で
信頼性も高く微細化され梁の固定保持領域が小さくても
十分な固定保持性を確保し、隣接素子への相互作用を抑
制する、製造工程が少なく低コストの複数個の光変調装
置０がＩ次元アレー形状に配置された光変調装置１０を
具備する信号対ノイズのＳ／Ｎ比が向上して高解像性の
画像形成装置５０を提供することが出来るようになっ
た。
書き込みを行なって画像を形成する画像形成装置５０
は、回動可能に保持されて形成画像を担持する画像担持
体５１のドラム形状の感光体と、帯電手段５５で均一に
帯電された画像担持体５１のドラム形状の感光体上を光
変調装置０がＩ次元アレー形状に配置された光変調装置
１０と複数の光変調装置０を各々独立に駆動する独立駆
動手段３１とからなる光情報処理装置３０からなる潜像
形成手段５２で光り書き込みを行なって潜像を形成し、
潜像形成手段５２の光変調装置０によって形成された潜
像を現像手段５３で顕像化してトナー画像を形成し、現
像手段５３で形成されたトナー画像を転写手段５４で被
転写体（Ｐ）に転写して、被転写体（Ｐ）に転写された
トナー画像を定着手段５６で定着した後に、被転写体
（Ｐ）を排紙トレイ５７に排紙して収納される。他方、
トナー画像を転写手段５４で被転写体（Ｐ）に転写した
後の画像担持体５１のドラム形状の感光体は、クリーニ
ング手段５８でクリーニングされて次工程の画像形成に
備えるようになっている。光情報処理装置３０は、光源
３２からの入射光束（Ｒ）は第１のレンズシステム３３
を介してアレー状に複数個の光変調装置０がＩ次元アレ
ー形状に配置された光変調装置１０に照射され、複数個
の光変調装置０がＩ次元アレー形状に配置された光変調
装置１０の各々の光変調装置０は独立駆動手段３１によ
り画像情報に応じて独立して個々の薄膜両端固定梁２の
パッド２ｅと基板電極３との間に駆動電圧を印可して薄
膜両端固定梁２を制御し、反射手段１を通じて入射光束
（Ｒ）を第２のレンズシステム３４を通じて画像担持体
５１のドラム形状の感光体上の表面に結像させるように
なっている。従って、入射光束（Ｒ）の反射方向を変え
て光変調を行う構造が簡単で応答も速く、使用する入射
光束（Ｒ）の波長が制限されることなく、作動が安定で
信頼性も高く微細化され梁の固定保持領域が小さくても
十分な固定保持性を確保し、隣接素子への相互作用を抑
制する、製造工程が少なく低コストの複数個の光変調装
置０がＩ次元アレー形状に配置された光変調装置１０を
具備する信号対ノイズのＳ／Ｎ比が向上して高解像性の
画像形成装置５０を提供することが出来るようになっ
た。
【００４２】図６３において、画像を投影して表示する
画像投影表示装置８０は、投影画像データの入射光束
（Ｒ）の反射方向を変えて光変調を行なって画像を投影
する光変調装置０が２次元アレー形状に配置された光変
調装置２０と複数の光変調装置０を各々独立に駆動する
独立駆動手段３１とからなる光情報処理装置３０からな
る光スイッチ手段８１の各々の光変調装置０が画像を投
影スクリーン８２に投影して表示するようになってい
る。光スイッチ手段８１の光情報処理装置３０は、光源
３２からの入射光束（Ｒ）をアレー状に複数個の光変調
装置０が２次元アレー形状に配置された光変調装置２０
に照射され、独立駆動手段３１により所望の画像のデー
タを各々の薄膜両端固定梁２の反射手段１のミラーによ
り反射し、投影レンズ３５、及び、絞り３６を介して投
影スクリーン８２に投影する。カラー表示を行うために
は、光源３２の前に回転カラーホール３７を設けたり、
又、性能向上のためにマイクロレンズアレー３８を用い
ることも出来る。従って、入射光束（Ｒ）の反射方向を
変えて光変調を行う構造が簡単で応答も速く、使用する
入射光の波長が制限されることなく、作動が安定で信頼
性も高く微細化され梁の固定保持領域が小さくても十分
な固定保持性を確保し、隣接素子への相互作用を抑制す
る、製造工程が少なく低コストの複数個の光変調装置０
が２次元アレー形状に配置された光変調装置２０を具備
するコントラストが上昇して高解像性の画像投影表示装
置８０を提供することが出来るようになった。
画像投影表示装置８０は、投影画像データの入射光束
（Ｒ）の反射方向を変えて光変調を行なって画像を投影
する光変調装置０が２次元アレー形状に配置された光変
調装置２０と複数の光変調装置０を各々独立に駆動する
独立駆動手段３１とからなる光情報処理装置３０からな
る光スイッチ手段８１の各々の光変調装置０が画像を投
影スクリーン８２に投影して表示するようになってい
る。光スイッチ手段８１の光情報処理装置３０は、光源
３２からの入射光束（Ｒ）をアレー状に複数個の光変調
装置０が２次元アレー形状に配置された光変調装置２０
に照射され、独立駆動手段３１により所望の画像のデー
タを各々の薄膜両端固定梁２の反射手段１のミラーによ
り反射し、投影レンズ３５、及び、絞り３６を介して投
影スクリーン８２に投影する。カラー表示を行うために
は、光源３２の前に回転カラーホール３７を設けたり、
又、性能向上のためにマイクロレンズアレー３８を用い
ることも出来る。従って、入射光束（Ｒ）の反射方向を
変えて光変調を行う構造が簡単で応答も速く、使用する
入射光の波長が制限されることなく、作動が安定で信頼
性も高く微細化され梁の固定保持領域が小さくても十分
な固定保持性を確保し、隣接素子への相互作用を抑制す
る、製造工程が少なく低コストの複数個の光変調装置０
が２次元アレー形状に配置された光変調装置２０を具備
するコントラストが上昇して高解像性の画像投影表示装
置８０を提供することが出来るようになった。
【００４３】
【発明の効果】本発明は、以上説明したように構成され
ているので、請求項１の発明によれば、入射光を正反射
する反射手段を側面に組み合わせ構成する薄膜で形成さ
れ両端が固定されて静電力で変形する薄膜両端固定梁の
他方側面に形成される空隙を介して薄膜両端固定梁に対
向して駆動電圧を印加する基板電極を形成して、薄膜両
端固定梁を固定して保持する基板の基板表面に薄膜両端
固定梁を固定して保持する固定保持部に凹形状の凹形状
部を形成するようにしたので、入射光の反射方向を変え
て光変調を行う構造が簡単で応答も速く、使用する入射
光の波長が制限されることなく、作動が安定で信頼性も
高く、微細化され梁の固定領域が小さくても十分な保持
性を確保し、隣接素子への相互作用を抑制する光変調装
置を提供することが出来るようになった。請求項２の発
明によれば、入射光を正反射する金属薄膜で形成された
反射手段を側面に組み合わせ構成する薄膜で形成され両
端が固定されて静電力で変形する薄膜両端固定梁の他方
側面に形成される空隙を介して薄膜両端固定梁に対向し
て駆動電圧を印加する基板電極を形成して、薄膜両端固
定梁を固定して保持する基板の基板表面に薄膜両端固定
梁を固定して保持する固定保持部に凹形状の凹形状部を
形成するようにしたので、薄膜両端固定梁を駆動する他
方の電極を省略することが出来るようになり、入射光の
反射方向を変えて光変調を行う構造が更に簡単で応答も
速く、使用する入射光の波長が制限されることなく、作
動が安定で信頼性も高く、微細化され梁の固定領域が小
さくても十分な保持性を確保し、隣接素子への相互作用
を抑制する光変調装置を提供することが出来るようにな
った。請求項３の発明によれば、入射光を正反射する反
射手段を側面に組み合わせ構成する薄膜で形成され両端
が固定されて静電力で変形する薄膜両端固定梁の他方側
面に形成される空隙を介して薄膜両端固定梁に対向して
駆動電圧を印加する基板電極を形成して、薄膜両端固定
梁を固定して保持する基板の基板表面に薄膜両端固定梁
を固定して保持する固定保持部に凹形状の凹形状部を形
成すると共に薄膜両端固定梁は凹形状部上の凹形状に沿
って形成された凹形状形成部とからなるようにしたの
で、入射光の反射方向を変えて光変調を行う構造が簡単
で応答も速く、使用する入射光の波長が制限されること
なく、作動が安定で信頼性も高く、微細化され梁の固定
領域が小さくても更に十分な保持性を確保し、隣接素子
への相互作用を抑制する光変調装置を提供することが出
来るようになった。
ているので、請求項１の発明によれば、入射光を正反射
する反射手段を側面に組み合わせ構成する薄膜で形成さ
れ両端が固定されて静電力で変形する薄膜両端固定梁の
他方側面に形成される空隙を介して薄膜両端固定梁に対
向して駆動電圧を印加する基板電極を形成して、薄膜両
端固定梁を固定して保持する基板の基板表面に薄膜両端
固定梁を固定して保持する固定保持部に凹形状の凹形状
部を形成するようにしたので、入射光の反射方向を変え
て光変調を行う構造が簡単で応答も速く、使用する入射
光の波長が制限されることなく、作動が安定で信頼性も
高く、微細化され梁の固定領域が小さくても十分な保持
性を確保し、隣接素子への相互作用を抑制する光変調装
置を提供することが出来るようになった。請求項２の発
明によれば、入射光を正反射する金属薄膜で形成された
反射手段を側面に組み合わせ構成する薄膜で形成され両
端が固定されて静電力で変形する薄膜両端固定梁の他方
側面に形成される空隙を介して薄膜両端固定梁に対向し
て駆動電圧を印加する基板電極を形成して、薄膜両端固
定梁を固定して保持する基板の基板表面に薄膜両端固定
梁を固定して保持する固定保持部に凹形状の凹形状部を
形成するようにしたので、薄膜両端固定梁を駆動する他
方の電極を省略することが出来るようになり、入射光の
反射方向を変えて光変調を行う構造が更に簡単で応答も
速く、使用する入射光の波長が制限されることなく、作
動が安定で信頼性も高く、微細化され梁の固定領域が小
さくても十分な保持性を確保し、隣接素子への相互作用
を抑制する光変調装置を提供することが出来るようにな
った。請求項３の発明によれば、入射光を正反射する反
射手段を側面に組み合わせ構成する薄膜で形成され両端
が固定されて静電力で変形する薄膜両端固定梁の他方側
面に形成される空隙を介して薄膜両端固定梁に対向して
駆動電圧を印加する基板電極を形成して、薄膜両端固定
梁を固定して保持する基板の基板表面に薄膜両端固定梁
を固定して保持する固定保持部に凹形状の凹形状部を形
成すると共に薄膜両端固定梁は凹形状部上の凹形状に沿
って形成された凹形状形成部とからなるようにしたの
で、入射光の反射方向を変えて光変調を行う構造が簡単
で応答も速く、使用する入射光の波長が制限されること
なく、作動が安定で信頼性も高く、微細化され梁の固定
領域が小さくても更に十分な保持性を確保し、隣接素子
への相互作用を抑制する光変調装置を提供することが出
来るようになった。
【００４４】請求項４の発明によれば、入射光を正反射
する反射手段を側面に組み合わせ構成する薄膜で形成さ
れ両端が固定されて静電力で変形する薄膜両端固定梁の
他方側面に形成される空隙を介して薄膜両端固定梁に対
向して駆動電圧を印加する基板電極を形成して、薄膜両
端固定梁を固定して保持する基板の基板表面に薄膜両端
固定梁を固定して保持する固定保持部に凹形状の凹形状
部を形成すると共に薄膜両端固定梁は蓋形状の蓋形状部
で凹形状部上を覆うようにしたので、振動の伝搬面積が
低下して振動の伝搬の抑制は更に向上し、入射光の反射
方向を変えて光変調を行う構造が簡単で応答も速く、使
用する入射光の波長が制限されることなく、作動が安定
で信頼性も高く、微細化され梁の固定領域が小さくても
十分な保持性を確保し、隣接素子への相互作用を更に抑
制する光変調装置を提供することが出来るようになっ
た。請求項５の発明によれば、入射光を正反射する反射
手段を側面に組み合わせ構成する薄膜で形成され両端が
固定されて静電力で変形する薄膜両端固定梁の他方側面
に形成される空隙を介して薄膜両端固定梁に対向して駆
動電圧を印加する基板電極を形成して、薄膜両端固定梁
を固定して保持する基板の基板表面に薄膜両端固定梁を
固定して保持する固定保持部に凹形状の凹形状部を形成
すると共に薄膜両端固定梁は凹形状部上に堆積した堆積
物を介して固定して保持されるようにしたので、固定保
持部からの振動の伝搬面積が低下し堆積物により振動が
吸収されるので振動の伝搬の抑制は更に向上して、入射
光の反射方向を変えて光変調を行う構造が簡単で応答も
速く、使用する入射光の波長が制限されることなく、作
動が安定で信頼性も高く、微細化され梁の固定領域が小
さくても十分な保持性を確保し、隣接素子への相互作用
を更に抑制する光変調装置を提供することが出来るよう
になった。請求項６の発明によれば、入射光を正反射す
る反射手段を側面に組み合わせ構成する薄膜で形成され
両端が固定されて静電力で変形する薄膜両端固定梁の他
方側面に形成される空隙を介して薄膜両端固定梁に対向
して駆動電圧を印加する基板電極を形成して、薄膜両端
固定梁を固定して保持する基板の基板表面に薄膜両端固
定梁を固定して保持する固定保持部に凹形状の凹形状部
を形成すると共に薄膜両端固定梁は凹形状部上に堆積し
た振動吸収材からなる堆積物を介して固定して保持され
るようにしたので、固定保持部からの振動の伝搬面積が
低下し堆積物により振動が更に吸収されるので振動の伝
搬の抑制は更に十分向上して、入射光の反射方向を変え
て光変調を行う構造が簡単で応答も速く、使用する入射
光の波長が制限されることなく、作動が安定で信頼性も
高く、微細化され梁の固定領域が小さくても十分な保持
性を確保し、隣接素子への相互作用を更に抑制する光変
調装置を提供することが出来るようになった。
する反射手段を側面に組み合わせ構成する薄膜で形成さ
れ両端が固定されて静電力で変形する薄膜両端固定梁の
他方側面に形成される空隙を介して薄膜両端固定梁に対
向して駆動電圧を印加する基板電極を形成して、薄膜両
端固定梁を固定して保持する基板の基板表面に薄膜両端
固定梁を固定して保持する固定保持部に凹形状の凹形状
部を形成すると共に薄膜両端固定梁は蓋形状の蓋形状部
で凹形状部上を覆うようにしたので、振動の伝搬面積が
低下して振動の伝搬の抑制は更に向上し、入射光の反射
方向を変えて光変調を行う構造が簡単で応答も速く、使
用する入射光の波長が制限されることなく、作動が安定
で信頼性も高く、微細化され梁の固定領域が小さくても
十分な保持性を確保し、隣接素子への相互作用を更に抑
制する光変調装置を提供することが出来るようになっ
た。請求項５の発明によれば、入射光を正反射する反射
手段を側面に組み合わせ構成する薄膜で形成され両端が
固定されて静電力で変形する薄膜両端固定梁の他方側面
に形成される空隙を介して薄膜両端固定梁に対向して駆
動電圧を印加する基板電極を形成して、薄膜両端固定梁
を固定して保持する基板の基板表面に薄膜両端固定梁を
固定して保持する固定保持部に凹形状の凹形状部を形成
すると共に薄膜両端固定梁は凹形状部上に堆積した堆積
物を介して固定して保持されるようにしたので、固定保
持部からの振動の伝搬面積が低下し堆積物により振動が
吸収されるので振動の伝搬の抑制は更に向上して、入射
光の反射方向を変えて光変調を行う構造が簡単で応答も
速く、使用する入射光の波長が制限されることなく、作
動が安定で信頼性も高く、微細化され梁の固定領域が小
さくても十分な保持性を確保し、隣接素子への相互作用
を更に抑制する光変調装置を提供することが出来るよう
になった。請求項６の発明によれば、入射光を正反射す
る反射手段を側面に組み合わせ構成する薄膜で形成され
両端が固定されて静電力で変形する薄膜両端固定梁の他
方側面に形成される空隙を介して薄膜両端固定梁に対向
して駆動電圧を印加する基板電極を形成して、薄膜両端
固定梁を固定して保持する基板の基板表面に薄膜両端固
定梁を固定して保持する固定保持部に凹形状の凹形状部
を形成すると共に薄膜両端固定梁は凹形状部上に堆積し
た振動吸収材からなる堆積物を介して固定して保持され
るようにしたので、固定保持部からの振動の伝搬面積が
低下し堆積物により振動が更に吸収されるので振動の伝
搬の抑制は更に十分向上して、入射光の反射方向を変え
て光変調を行う構造が簡単で応答も速く、使用する入射
光の波長が制限されることなく、作動が安定で信頼性も
高く、微細化され梁の固定領域が小さくても十分な保持
性を確保し、隣接素子への相互作用を更に抑制する光変
調装置を提供することが出来るようになった。
【００４５】請求項７の発明によれば、入射光を正反射
する反射手段を側面に組み合わせ構成する薄膜で形成さ
れ両端が固定されて静電力で変形する薄膜両端固定梁の
他方側面に形成される空隙を介して薄膜両端固定梁に対
向して駆動電圧を印加する基板電極を形成して、薄膜両
端固定梁を固定して保持する基板の基板表面に薄膜両端
固定梁を固定して保持する固定保持部に凹形状の凹形状
部を形成すると共に薄膜両端固定梁は凹形状部上に堆積
した犠牲材料層を形成する犠牲材料からなる堆積物を介
して固定して保持されるようにしたので、固定保持部か
らの振動の伝搬面積が低下し犠牲層の犠牲材料からなる
堆積物により振動が更に吸収されるので振動の伝搬の抑
制は更に十分向上して、入射光の反射方向を変えて光変
調を行う構造が簡単で応答も速く、使用する入射光の波
長が制限されることなく、作動が安定で信頼性も高く、
微細化され梁の固定領域が小さくても十分な保持性を確
保し、隣接素子への相互作用を更に抑制する光変調装置
を提供することが出来るようになった。請求項８の発明
によれば、入射光を正反射する反射手段を側面に組み合
わせ構成する薄膜で形成され両端が固定されて静電力で
変形する薄膜両端固定梁の他方側面に形成される空隙を
介して薄膜両端固定梁に対向して駆動電圧を印加する基
板電極を形成して、薄膜両端固定梁を固定して保持する
基板の基板表面に薄膜両端固定梁を固定して保持する固
定保持部に凹形状の凹形状部を形成すると共に薄膜両端
固定梁は基板の基板表面上に基板表面と平行に配置され
るようにしたので、光変調性の制御が容易となり、入射
光の反射方向を変えて光変調を行う構造が簡単で応答も
速く、使用する入射光の波長が制限されることなく、作
動が安定で信頼性も高く、微細化され梁の固定領域が小
さくても十分な保持性を確保し、隣接素子への相互作用
を抑制する光変調装置を提供することが出来るようにな
った。請求項９の発明によれば、入射光を正反射する反
射手段を側面に組み合わせ構成する薄膜で形成され両端
が固定されて静電力で変形する薄膜両端固定梁の他方側
面に形成される空隙を介して薄膜両端固定梁に対向して
駆動電圧を印加する基板電極を形成して、薄膜両端固定
梁を固定して保持する基板の基板表面に薄膜両端固定梁
を固定して保持する固定保持部に凹形状の凹形状部を形
成すると共に薄膜両端固定梁は引っ張り応力を有する部
材からなるようにしたので、薄膜両端固定梁と基板電極
の対向面で形成される空隔は駆動電圧が印加されない状
態では絶えず同位置にあることが容易となり且つ薄膜両
端固定梁が撓んだ後に元に戻る位置も安定して光変調性
の制御が容易となり、入射光の反射方向を変えて光変調
を行う構造が簡単で応答も速く、使用する入射光の波長
が制限されることなく、作動が安定で信頼性も高く、微
細化され梁の固定領域が小さくても十分な保持性を確保
し、隣接素子への相互作用を抑制する光変調装置を提供
することが出来るようになった。
する反射手段を側面に組み合わせ構成する薄膜で形成さ
れ両端が固定されて静電力で変形する薄膜両端固定梁の
他方側面に形成される空隙を介して薄膜両端固定梁に対
向して駆動電圧を印加する基板電極を形成して、薄膜両
端固定梁を固定して保持する基板の基板表面に薄膜両端
固定梁を固定して保持する固定保持部に凹形状の凹形状
部を形成すると共に薄膜両端固定梁は凹形状部上に堆積
した犠牲材料層を形成する犠牲材料からなる堆積物を介
して固定して保持されるようにしたので、固定保持部か
らの振動の伝搬面積が低下し犠牲層の犠牲材料からなる
堆積物により振動が更に吸収されるので振動の伝搬の抑
制は更に十分向上して、入射光の反射方向を変えて光変
調を行う構造が簡単で応答も速く、使用する入射光の波
長が制限されることなく、作動が安定で信頼性も高く、
微細化され梁の固定領域が小さくても十分な保持性を確
保し、隣接素子への相互作用を更に抑制する光変調装置
を提供することが出来るようになった。請求項８の発明
によれば、入射光を正反射する反射手段を側面に組み合
わせ構成する薄膜で形成され両端が固定されて静電力で
変形する薄膜両端固定梁の他方側面に形成される空隙を
介して薄膜両端固定梁に対向して駆動電圧を印加する基
板電極を形成して、薄膜両端固定梁を固定して保持する
基板の基板表面に薄膜両端固定梁を固定して保持する固
定保持部に凹形状の凹形状部を形成すると共に薄膜両端
固定梁は基板の基板表面上に基板表面と平行に配置され
るようにしたので、光変調性の制御が容易となり、入射
光の反射方向を変えて光変調を行う構造が簡単で応答も
速く、使用する入射光の波長が制限されることなく、作
動が安定で信頼性も高く、微細化され梁の固定領域が小
さくても十分な保持性を確保し、隣接素子への相互作用
を抑制する光変調装置を提供することが出来るようにな
った。請求項９の発明によれば、入射光を正反射する反
射手段を側面に組み合わせ構成する薄膜で形成され両端
が固定されて静電力で変形する薄膜両端固定梁の他方側
面に形成される空隙を介して薄膜両端固定梁に対向して
駆動電圧を印加する基板電極を形成して、薄膜両端固定
梁を固定して保持する基板の基板表面に薄膜両端固定梁
を固定して保持する固定保持部に凹形状の凹形状部を形
成すると共に薄膜両端固定梁は引っ張り応力を有する部
材からなるようにしたので、薄膜両端固定梁と基板電極
の対向面で形成される空隔は駆動電圧が印加されない状
態では絶えず同位置にあることが容易となり且つ薄膜両
端固定梁が撓んだ後に元に戻る位置も安定して光変調性
の制御が容易となり、入射光の反射方向を変えて光変調
を行う構造が簡単で応答も速く、使用する入射光の波長
が制限されることなく、作動が安定で信頼性も高く、微
細化され梁の固定領域が小さくても十分な保持性を確保
し、隣接素子への相互作用を抑制する光変調装置を提供
することが出来るようになった。
【００４６】請求項１０の発明によれば、入射光を正反
射する反射手段を側面に組み合わせ構成する薄膜で形成
され両端が固定されて静電力で変形する薄膜両端固定梁
の他方側面に形成される空隙を介して薄膜両端固定梁に
対向して駆動電圧を印加する基板電極を形成して、薄膜
両端固定梁を固定して保持する基板の基板表面に薄膜両
端固定梁を固定して保持する固定保持部に凹形状の凹形
状部を形成すると共に薄膜両端固定梁は引っ張り応力を
有する部材のシリコン窒化膜からなるようにしたので、
薄膜両端固定梁は若干張られた状態になり、薄膜両端固
定梁と基板電極の対向面で形成される空隔は駆動電圧が
印加されない状態では絶えず同位置にあることが容易と
なり且つ薄膜両端固定梁が撓んだ後に元に戻る位置も安
定して光変調性の制御が容易となり、入射光の反射方向
を変えて光変調を行う構造が簡単で応答も速く、使用す
る入射光の波長が制限されることなく、作動が安定で信
頼性も高く、微細化され梁の固定領域が小さくても十分
な保持性を確保し、隣接素子への相互作用を抑制する光
変調装置を提供することが出来るようになった。請求項
１１の発明によれば、入射光を正反射する反射手段を側
面に組み合わせ構成する薄膜で形成され両端が固定され
て静電力で変形する薄膜両端固定梁の他方側面に形成さ
れる空隙を介して薄膜両端固定梁に対向して駆動電圧を
印加する基板電極を形成して、薄膜両端固定梁を固定し
て保持する基板の基板表面に薄膜両端固定梁を固定して
保持する固定保持部に凹形状の凹形状部を形成すると共
に薄膜両端固定梁は空隙を介して非平行の基板電極の対
向面と対向するようにしたので、薄膜両端固定梁の変形
に要する駆動電圧を小さくなり省資源で、入射光の反射
方向を変えて光変調を行う構造が簡単で応答も速く、使
用する入射光の波長が制限されることなく、作動が安定
で信頼性も高く、微細化され梁の固定領域が小さくても
十分な保持性を確保し、隣接素子への相互作用を抑制す
る光変調装置を提供することが出来るようになった。
射する反射手段を側面に組み合わせ構成する薄膜で形成
され両端が固定されて静電力で変形する薄膜両端固定梁
の他方側面に形成される空隙を介して薄膜両端固定梁に
対向して駆動電圧を印加する基板電極を形成して、薄膜
両端固定梁を固定して保持する基板の基板表面に薄膜両
端固定梁を固定して保持する固定保持部に凹形状の凹形
状部を形成すると共に薄膜両端固定梁は引っ張り応力を
有する部材のシリコン窒化膜からなるようにしたので、
薄膜両端固定梁は若干張られた状態になり、薄膜両端固
定梁と基板電極の対向面で形成される空隔は駆動電圧が
印加されない状態では絶えず同位置にあることが容易と
なり且つ薄膜両端固定梁が撓んだ後に元に戻る位置も安
定して光変調性の制御が容易となり、入射光の反射方向
を変えて光変調を行う構造が簡単で応答も速く、使用す
る入射光の波長が制限されることなく、作動が安定で信
頼性も高く、微細化され梁の固定領域が小さくても十分
な保持性を確保し、隣接素子への相互作用を抑制する光
変調装置を提供することが出来るようになった。請求項
１１の発明によれば、入射光を正反射する反射手段を側
面に組み合わせ構成する薄膜で形成され両端が固定され
て静電力で変形する薄膜両端固定梁の他方側面に形成さ
れる空隙を介して薄膜両端固定梁に対向して駆動電圧を
印加する基板電極を形成して、薄膜両端固定梁を固定し
て保持する基板の基板表面に薄膜両端固定梁を固定して
保持する固定保持部に凹形状の凹形状部を形成すると共
に薄膜両端固定梁は空隙を介して非平行の基板電極の対
向面と対向するようにしたので、薄膜両端固定梁の変形
に要する駆動電圧を小さくなり省資源で、入射光の反射
方向を変えて光変調を行う構造が簡単で応答も速く、使
用する入射光の波長が制限されることなく、作動が安定
で信頼性も高く、微細化され梁の固定領域が小さくても
十分な保持性を確保し、隣接素子への相互作用を抑制す
る光変調装置を提供することが出来るようになった。
【００４７】請求項１２の発明によれば、入射光を正反
射する反射手段を側面に組み合わせ構成する薄膜で形成
され両端が固定されて静電力で変形する薄膜両端固定梁
の他方側面に形成される空隙を介して薄膜両端固定梁に
対向して駆動電圧を印加する基板電極を形成して、薄膜
両端固定梁を固定して保持する基板の基板表面に薄膜両
端固定梁を固定して保持する固定保持部に凹形状の凹形
状部を形成すると共に薄膜両端固定梁は駆動電圧の印加
により変形して基板電極の対向面に当接して変形が規制
されて反射手段の入射光の光変調を行うようにしたの
で、入射光の反射方向を変えて光変調を行う構造が簡単
で応答も速く、使用する入射光の波長が制限されること
なく、作動が確実で安定で信頼性も高く、微細化され梁
の固定領域が小さくても十分な保持性を確保し、隣接素
子への相互作用を抑制する光変調装置を提供することが
出来るようになった。請求項１３の発明によれば、入射
光を正反射する反射手段を側面に組み合わせ構成する薄
膜で形成され両端が固定されて静電力で変形する低抵抗
材で形成されている薄膜両端固定梁の他方側面に形成さ
れる空隙を介して薄膜両端固定梁に対向して駆動電圧を
印加する基板電極を形成して、薄膜両端固定梁を固定し
て保持する基板の基板表面に薄膜両端固定梁を固定して
保持する固定保持部に凹形状の凹形状部を形成するよう
にしたので、薄膜両端固定梁を駆動する他方の電極を省
略することが出来るようになり、入射光の反射方向を変
えて光変調を行う構造が簡単で応答も速く、使用する入
射光の波長が制限されることなく、作動が安定で信頼性
も高く、微細化され梁の固定領域が小さくても十分な保
持性を確保し、隣接素子への相互作用を抑制する光変調
装置を提供することが出来るようになった。請求項１４
の発明によれば、入射光を正反射する反射手段を側面に
組み合わせ構成する薄膜で形成され両端が固定されて静
電力で変形する低抵抗材で形成されている薄膜両端固定
梁の他方側面に形成される空隙を介して薄膜両端固定梁
に対向して駆動電圧を印加する基板電極を形成して、薄
膜両端固定梁を固定して保持する基板の基板表面に薄膜
両端固定梁を固定して保持する固定保持部に凹形状の凹
形状部を形成すると共に薄膜両端固定梁の低抵抗材はシ
リコンを不純物により低抵抗化して形成されるようにし
たので、薄膜両端固定梁を駆動する他方の電極を省略す
ることが出来るようになり、入射光の反射方向を変えて
光変調を行う構造が簡単で応答も速く、使用する入射光
の波長が制限されることなく、作動が安定で信頼性も高
く、微細化され梁の固定領域が小さくても十分な保持性
を確保し、隣接素子への相互作用を抑制する光変調装置
を提供することが出来るようになった。
射する反射手段を側面に組み合わせ構成する薄膜で形成
され両端が固定されて静電力で変形する薄膜両端固定梁
の他方側面に形成される空隙を介して薄膜両端固定梁に
対向して駆動電圧を印加する基板電極を形成して、薄膜
両端固定梁を固定して保持する基板の基板表面に薄膜両
端固定梁を固定して保持する固定保持部に凹形状の凹形
状部を形成すると共に薄膜両端固定梁は駆動電圧の印加
により変形して基板電極の対向面に当接して変形が規制
されて反射手段の入射光の光変調を行うようにしたの
で、入射光の反射方向を変えて光変調を行う構造が簡単
で応答も速く、使用する入射光の波長が制限されること
なく、作動が確実で安定で信頼性も高く、微細化され梁
の固定領域が小さくても十分な保持性を確保し、隣接素
子への相互作用を抑制する光変調装置を提供することが
出来るようになった。請求項１３の発明によれば、入射
光を正反射する反射手段を側面に組み合わせ構成する薄
膜で形成され両端が固定されて静電力で変形する低抵抗
材で形成されている薄膜両端固定梁の他方側面に形成さ
れる空隙を介して薄膜両端固定梁に対向して駆動電圧を
印加する基板電極を形成して、薄膜両端固定梁を固定し
て保持する基板の基板表面に薄膜両端固定梁を固定して
保持する固定保持部に凹形状の凹形状部を形成するよう
にしたので、薄膜両端固定梁を駆動する他方の電極を省
略することが出来るようになり、入射光の反射方向を変
えて光変調を行う構造が簡単で応答も速く、使用する入
射光の波長が制限されることなく、作動が安定で信頼性
も高く、微細化され梁の固定領域が小さくても十分な保
持性を確保し、隣接素子への相互作用を抑制する光変調
装置を提供することが出来るようになった。請求項１４
の発明によれば、入射光を正反射する反射手段を側面に
組み合わせ構成する薄膜で形成され両端が固定されて静
電力で変形する低抵抗材で形成されている薄膜両端固定
梁の他方側面に形成される空隙を介して薄膜両端固定梁
に対向して駆動電圧を印加する基板電極を形成して、薄
膜両端固定梁を固定して保持する基板の基板表面に薄膜
両端固定梁を固定して保持する固定保持部に凹形状の凹
形状部を形成すると共に薄膜両端固定梁の低抵抗材はシ
リコンを不純物により低抵抗化して形成されるようにし
たので、薄膜両端固定梁を駆動する他方の電極を省略す
ることが出来るようになり、入射光の反射方向を変えて
光変調を行う構造が簡単で応答も速く、使用する入射光
の波長が制限されることなく、作動が安定で信頼性も高
く、微細化され梁の固定領域が小さくても十分な保持性
を確保し、隣接素子への相互作用を抑制する光変調装置
を提供することが出来るようになった。
【００４８】請求項１５の発明によれば、入射光を正反
射する反射手段を側面に組み合わせ構成する薄膜で形成
され両端が固定されて静電力で変形する単結晶シリコン
薄膜で形成されている薄膜両端固定梁の他方側面に形成
される空隙を介して薄膜両端固定梁に対向して駆動電圧
を印加する基板電極を形成して、薄膜両端固定梁を固定
して保持する基板の基板表面に薄膜両端固定梁を固定し
て保持する固定保持部に凹形状の凹形状部を形成するよ
うにしたので、薄膜両端固定梁は欠陥が少なく寿命が長
くなり、入射光の反射方向を変えて光変調を行う構造が
簡単で応答も速く、使用する入射光の波長が制限される
ことなく、作動が安定で信頼性も高く、微細化され梁の
固定領域が小さくても十分な保持性を確保し、隣接素子
への相互作用を抑制する光変調装置を提供することが出
来るようになった。請求項１６の発明によれば、入射光
を正反射する反射手段を側面に組み合わせ構成する薄膜
で形成され両端が固定されて静電力で変形する多結晶シ
リコン薄膜薄膜で形成されている薄膜両端固定梁の他方
側面に形成される空隙を介して薄膜両端固定梁に対向し
て駆動電圧を印加する基板電極を形成して、薄膜両端固
定梁を固定して保持する基板の基板表面に薄膜両端固定
梁を固定して保持する固定保持部に凹形状の凹形状部を
形成するようにしたので、薄膜両端固定梁はＣＶＤ等の
手法を用いることが出来るので低コストとなり、入射光
の反射方向を変えて光変調を行う構造が簡単で応答も速
く、使用する入射光の波長が制限されることなく、作動
が安定で信頼性も高く、微細化され梁の固定領域が小さ
くても十分な保持性を確保し、隣接素子への相互作用を
抑制する光変調装置を提供することが出来るようになっ
た。請求項１７の発明によれば、請求項１の発明によれ
ば、入射光を正反射する反射手段を側面に組み合わせ構
成する薄膜で形成され両端が固定されて静電力で変形す
る窒化シリコン薄膜で形成されている薄膜両端固定梁の
他方側面に形成される空隙を介して薄膜両端固定梁に対
向して駆動電圧を印加する基板電極を形成して、薄膜両
端固定梁を固定して保持する基板の基板表面に薄膜両端
固定梁を固定して保持する固定保持部に凹形状の凹形状
部を形成するようにしたので、入射光の反射方向を変え
て光変調を行う構造が簡単で窒化シリコン薄膜の引張応
力の作用によりスイッチングの応答速度も更に速くな
り、使用する入射光の波長が制限されることなく、作動
が安定で信頼性も高く、微細化され梁の固定領域が小さ
くても十分な保持性を確保し、隣接素子への相互作用を
抑制する光変調装置を提供することが出来るようになっ
た。
射する反射手段を側面に組み合わせ構成する薄膜で形成
され両端が固定されて静電力で変形する単結晶シリコン
薄膜で形成されている薄膜両端固定梁の他方側面に形成
される空隙を介して薄膜両端固定梁に対向して駆動電圧
を印加する基板電極を形成して、薄膜両端固定梁を固定
して保持する基板の基板表面に薄膜両端固定梁を固定し
て保持する固定保持部に凹形状の凹形状部を形成するよ
うにしたので、薄膜両端固定梁は欠陥が少なく寿命が長
くなり、入射光の反射方向を変えて光変調を行う構造が
簡単で応答も速く、使用する入射光の波長が制限される
ことなく、作動が安定で信頼性も高く、微細化され梁の
固定領域が小さくても十分な保持性を確保し、隣接素子
への相互作用を抑制する光変調装置を提供することが出
来るようになった。請求項１６の発明によれば、入射光
を正反射する反射手段を側面に組み合わせ構成する薄膜
で形成され両端が固定されて静電力で変形する多結晶シ
リコン薄膜薄膜で形成されている薄膜両端固定梁の他方
側面に形成される空隙を介して薄膜両端固定梁に対向し
て駆動電圧を印加する基板電極を形成して、薄膜両端固
定梁を固定して保持する基板の基板表面に薄膜両端固定
梁を固定して保持する固定保持部に凹形状の凹形状部を
形成するようにしたので、薄膜両端固定梁はＣＶＤ等の
手法を用いることが出来るので低コストとなり、入射光
の反射方向を変えて光変調を行う構造が簡単で応答も速
く、使用する入射光の波長が制限されることなく、作動
が安定で信頼性も高く、微細化され梁の固定領域が小さ
くても十分な保持性を確保し、隣接素子への相互作用を
抑制する光変調装置を提供することが出来るようになっ
た。請求項１７の発明によれば、請求項１の発明によれ
ば、入射光を正反射する反射手段を側面に組み合わせ構
成する薄膜で形成され両端が固定されて静電力で変形す
る窒化シリコン薄膜で形成されている薄膜両端固定梁の
他方側面に形成される空隙を介して薄膜両端固定梁に対
向して駆動電圧を印加する基板電極を形成して、薄膜両
端固定梁を固定して保持する基板の基板表面に薄膜両端
固定梁を固定して保持する固定保持部に凹形状の凹形状
部を形成するようにしたので、入射光の反射方向を変え
て光変調を行う構造が簡単で窒化シリコン薄膜の引張応
力の作用によりスイッチングの応答速度も更に速くな
り、使用する入射光の波長が制限されることなく、作動
が安定で信頼性も高く、微細化され梁の固定領域が小さ
くても十分な保持性を確保し、隣接素子への相互作用を
抑制する光変調装置を提供することが出来るようになっ
た。
【００４９】請求項１８の発明によれば、入射光を正反
射する反射手段を側面に組み合わせ構成する薄膜で形成
され両端が固定されて静電力で変形する薄膜両端固定梁
の他方側面に形成される空隙を介して薄膜両端固定梁に
対向して駆動電圧を印加する基板電極を形成して、薄膜
両端固定梁を固定して保持する基板の基板表面に薄膜両
端固定梁を固定して保持する固定保持部に凹形状の凹形
状部を形成すると共に薄膜両端固定梁の被保持部は相対
する両端部の２辺を基板の固定保持部に固定して保持さ
れるようにしたので、入射光の反射方向を変えて光変調
を行う構造が簡単で応答も速く、使用する入射光の波長
が制限されることなく、作動が安定で信頼性も高く、微
細化され梁の固定領域が小さくても十分な保持性を確実
確保し、隣接素子への相互作用を抑制する光変調装置を
提供することが出来るようになった。請求項１９の発明
によれば、入射光を正反射する反射手段を側面に組み合
わせ構成する薄膜で形成され両端が固定されて静電力で
変形する薄膜両端固定梁の他方側面に形成される空隙を
介して薄膜両端固定梁に対向して駆動電圧を印加する基
板電極を形成して、薄膜両端固定梁を固定して保持する
基板の基板表面に薄膜両端固定梁を固定して保持する固
定保持部に凹形状の凹形状部を形成すると共に基板は振
動の伝播を抑制する振動伝播抑制部とからなるようにし
たので、入射光の反射方向を変えて光変調を行う構造が
簡単で応答も速く、使用する入射光の波長が制限される
ことなく、作動が安定で信頼性も高く、微細化され梁の
固定領域が小さくても十分な保持性を確保し、隣接素子
への相互作用を更に抑制する光変調装置を提供すること
が出来るようになった。請求項２０の発明によれば、入
射光を正反射する反射手段を側面に組み合わせ構成する
薄膜で形成され両端が固定されて静電力で変形する薄膜
両端固定梁の他方側面に形成される空隙を介して薄膜両
端固定梁に対向して駆動電圧を印加する基板電極を形成
して、薄膜両端固定梁を固定して保持する基板の基板表
面に薄膜両端固定梁を固定して保持する固定保持部に凹
形状の凹形状部を形成すると共に基板は振動の伝播を抑
制する振動伝播抑制部を凹形状部の内側に形成するよう
にしたので、入射光の反射方向を変えて光変調を行う構
造が更に簡単で応答も速く、使用する入射光の波長が制
限されることなく、作動が安定で信頼性も高く、微細化
され梁の固定領域が小さくても十分な保持性を確保し、
隣接素子への相互作用を更に抑制する光変調装置を提供
することが出来るようになった
射する反射手段を側面に組み合わせ構成する薄膜で形成
され両端が固定されて静電力で変形する薄膜両端固定梁
の他方側面に形成される空隙を介して薄膜両端固定梁に
対向して駆動電圧を印加する基板電極を形成して、薄膜
両端固定梁を固定して保持する基板の基板表面に薄膜両
端固定梁を固定して保持する固定保持部に凹形状の凹形
状部を形成すると共に薄膜両端固定梁の被保持部は相対
する両端部の２辺を基板の固定保持部に固定して保持さ
れるようにしたので、入射光の反射方向を変えて光変調
を行う構造が簡単で応答も速く、使用する入射光の波長
が制限されることなく、作動が安定で信頼性も高く、微
細化され梁の固定領域が小さくても十分な保持性を確実
確保し、隣接素子への相互作用を抑制する光変調装置を
提供することが出来るようになった。請求項１９の発明
によれば、入射光を正反射する反射手段を側面に組み合
わせ構成する薄膜で形成され両端が固定されて静電力で
変形する薄膜両端固定梁の他方側面に形成される空隙を
介して薄膜両端固定梁に対向して駆動電圧を印加する基
板電極を形成して、薄膜両端固定梁を固定して保持する
基板の基板表面に薄膜両端固定梁を固定して保持する固
定保持部に凹形状の凹形状部を形成すると共に基板は振
動の伝播を抑制する振動伝播抑制部とからなるようにし
たので、入射光の反射方向を変えて光変調を行う構造が
簡単で応答も速く、使用する入射光の波長が制限される
ことなく、作動が安定で信頼性も高く、微細化され梁の
固定領域が小さくても十分な保持性を確保し、隣接素子
への相互作用を更に抑制する光変調装置を提供すること
が出来るようになった。請求項２０の発明によれば、入
射光を正反射する反射手段を側面に組み合わせ構成する
薄膜で形成され両端が固定されて静電力で変形する薄膜
両端固定梁の他方側面に形成される空隙を介して薄膜両
端固定梁に対向して駆動電圧を印加する基板電極を形成
して、薄膜両端固定梁を固定して保持する基板の基板表
面に薄膜両端固定梁を固定して保持する固定保持部に凹
形状の凹形状部を形成すると共に基板は振動の伝播を抑
制する振動伝播抑制部を凹形状部の内側に形成するよう
にしたので、入射光の反射方向を変えて光変調を行う構
造が更に簡単で応答も速く、使用する入射光の波長が制
限されることなく、作動が安定で信頼性も高く、微細化
され梁の固定領域が小さくても十分な保持性を確保し、
隣接素子への相互作用を更に抑制する光変調装置を提供
することが出来るようになった
【００５０】請求項２１の発明によれば、入射光を正反
射する反射手段を側面に組み合わせ構成する薄膜で形成
され両端が固定されて静電力で変形する薄膜両端固定梁
の他方側面に形成される空隙を介して薄膜両端固定梁に
対向して駆動電圧を印加する基板電極を形成して、薄膜
両端固定梁を固定して保持する基板の基板表面に薄膜両
端固定梁を固定して保持する固定保持部に凹形状の凹形
状部を形成すると共に基板は複数の反射手段と薄膜両端
固定梁と基板電極と基板表面に薄膜両端固定梁を固定し
て保持する固定保持部と固定保持部に凹形状が形成され
た凹形状部とを１次元アレー形状に配置するようにした
ので、入射光の反射方向を変えて光変調を行う構造が簡
単で応答も速く、使用する入射光の波長が制限されるこ
となく、作動が安定で信頼性も高く、微細化され梁の固
定領域が小さくても十分な保持性を確保し、隣接素子へ
の相互作用を抑制する１次元アレー形状に配置された光
変調装置を提供することが出来るようになった。請求項
２２の発明によれば、入射光を正反射する反射手段を側
面に組み合わせ構成する薄膜で形成され両端が固定され
て静電力で変形する薄膜両端固定梁の他方側面に形成さ
れる空隙を介して薄膜両端固定梁に対向して駆動電圧を
印加する基板電極を形成して、薄膜両端固定梁を固定し
て保持する基板の基板表面に薄膜両端固定梁を固定して
保持する固定保持部に凹形状の凹形状部を形成すると共
に基板は複数の反射手段と薄膜両端固定梁と基板電極と
基板表面に薄膜両端固定梁を固定して保持する固定保持
部と固定保持部に凹形状が形成された凹形状部とを２次
元アレー形状に配置するようにしたので、入射光の反射
方向を変えて光変調を行う構造が簡単で応答も速く、使
用する入射光の波長が制限されることなく、作動が安定
で信頼性も高く、微細化され梁の固定領域が小さくても
十分な保持性を確保し、隣接素子への相互作用を抑制す
る２次元アレー形状に配置された光変調装置を提供する
ことが出来るようになった。
射する反射手段を側面に組み合わせ構成する薄膜で形成
され両端が固定されて静電力で変形する薄膜両端固定梁
の他方側面に形成される空隙を介して薄膜両端固定梁に
対向して駆動電圧を印加する基板電極を形成して、薄膜
両端固定梁を固定して保持する基板の基板表面に薄膜両
端固定梁を固定して保持する固定保持部に凹形状の凹形
状部を形成すると共に基板は複数の反射手段と薄膜両端
固定梁と基板電極と基板表面に薄膜両端固定梁を固定し
て保持する固定保持部と固定保持部に凹形状が形成され
た凹形状部とを１次元アレー形状に配置するようにした
ので、入射光の反射方向を変えて光変調を行う構造が簡
単で応答も速く、使用する入射光の波長が制限されるこ
となく、作動が安定で信頼性も高く、微細化され梁の固
定領域が小さくても十分な保持性を確保し、隣接素子へ
の相互作用を抑制する１次元アレー形状に配置された光
変調装置を提供することが出来るようになった。請求項
２２の発明によれば、入射光を正反射する反射手段を側
面に組み合わせ構成する薄膜で形成され両端が固定され
て静電力で変形する薄膜両端固定梁の他方側面に形成さ
れる空隙を介して薄膜両端固定梁に対向して駆動電圧を
印加する基板電極を形成して、薄膜両端固定梁を固定し
て保持する基板の基板表面に薄膜両端固定梁を固定して
保持する固定保持部に凹形状の凹形状部を形成すると共
に基板は複数の反射手段と薄膜両端固定梁と基板電極と
基板表面に薄膜両端固定梁を固定して保持する固定保持
部と固定保持部に凹形状が形成された凹形状部とを２次
元アレー形状に配置するようにしたので、入射光の反射
方向を変えて光変調を行う構造が簡単で応答も速く、使
用する入射光の波長が制限されることなく、作動が安定
で信頼性も高く、微細化され梁の固定領域が小さくても
十分な保持性を確保し、隣接素子への相互作用を抑制す
る２次元アレー形状に配置された光変調装置を提供する
ことが出来るようになった。
【００５１】請求項２３の発明によれば、基板の基板表
面上に凹形状部と空隙の該当部を形成した後に、犠牲材
料からなる犠牲材料層を形成して基板の基板表面上を平
坦化して、薄膜両端固定梁を形成後に、犠牲材料層を除
去して光変調装置を製造するようにしたので、入射光の
反射方向を変えて光変調を行う構造が簡単で応答も速
く、使用する入射光の波長が制限されることなく、作動
が安定で信頼性も高く、微細化され梁の固定保持領域が
小さくても十分な固定保持性を確保し、隣接素子への相
互作用を抑制する製造工程が少なく低コストの光変調装
置の製造方法を提供することが出来るようになった。請
求項２４の発明によれば、基板の基板表面上に凹形状部
と空隙の該当部を形成した後に、犠牲材料からなる犠牲
材料層を形成して基板の基板表面上を平坦化して、薄膜
両端固定梁を形成後に、犠牲材料層を除去する為に、基
板の基板表面上に凹形状部と空隙の該当部を形成する凹
形状部と空隙の該当部形成工程と、基板の基板表面上の
空隙中に基板電極の全部又は一部を形成する基板電極形
成工程と、基板の基板表面上の空隙に犠牲材料からなる
犠牲材料層を形成する犠牲材料層形成工程と、基板の基
板表面上の保護膜を露出する保護膜露出工程と、犠牲材
料層上に薄膜両端固定梁を形成する薄膜両端固定梁形成
工程と、空隙の犠牲材料層を除去する犠牲材料層除去工
程とからなる光変調装置を製造するようにしたので、入
射光の反射方向を変えて光変調を行う構造が簡単で応答
も速く、使用する入射光の波長が制限されることなく、
作動が安定で信頼性も高く、微細化され梁の固定保持領
域が小さくても十分な固定保持性を確保し、隣接素子へ
の相互作用を抑制する製造工程が少なく低コストの光変
調装置の製造方法を提供することが出来るようになっ
た。請求項２５の発明によれば、基板の基板表面上に凹
形状部と空隙の該当部を形成した後に、犠牲材料からな
る犠牲材料層を形成して基板の基板表面上を平坦化し
て、薄膜両端固定梁を形成後に、犠牲材料層を除去する
為に、基板の基板表面上に凹形状部と空隙の該当部を形
成する凹形状部と空隙の該当部形成工程と、基板の基板
表面上の空隙中に基板電極の全部又は一部を形成する基
板電極形成工程と、基板の基板表面上の空隙に犠牲材料
からなる犠牲材料層を形成する犠牲材料層形成工程と、
基板の基板表面上の保護膜を露出する保護膜露出工程
と、犠牲材料層上に薄膜両端固定梁を形成する薄膜両端
固定梁形成工程と、空隙の犠牲材料層を除去する犠牲材
料層除去工程とからなると共に犠牲材料層形成工程は凹
形状部に該当する溝をパターニングして光変調装置を製
造するようにしたので、凹形状部上の凹形状に沿って薄
膜両端固定梁の凹形状形成部が形成され、入射光の反射
方向を変えて光変調を行う構造が簡単で応答も速く、使
用する入射光の波長が制限されることなく、作動が安定
で信頼性も高く、微細化され梁の固定保持領域が小さく
ても更に十分な固定保持性を確保し、隣接素子への相互
作用を抑制する製造工程が少なく低コストの光変調装置
の製造方法を提供することが出来るようになった。
面上に凹形状部と空隙の該当部を形成した後に、犠牲材
料からなる犠牲材料層を形成して基板の基板表面上を平
坦化して、薄膜両端固定梁を形成後に、犠牲材料層を除
去して光変調装置を製造するようにしたので、入射光の
反射方向を変えて光変調を行う構造が簡単で応答も速
く、使用する入射光の波長が制限されることなく、作動
が安定で信頼性も高く、微細化され梁の固定保持領域が
小さくても十分な固定保持性を確保し、隣接素子への相
互作用を抑制する製造工程が少なく低コストの光変調装
置の製造方法を提供することが出来るようになった。請
求項２４の発明によれば、基板の基板表面上に凹形状部
と空隙の該当部を形成した後に、犠牲材料からなる犠牲
材料層を形成して基板の基板表面上を平坦化して、薄膜
両端固定梁を形成後に、犠牲材料層を除去する為に、基
板の基板表面上に凹形状部と空隙の該当部を形成する凹
形状部と空隙の該当部形成工程と、基板の基板表面上の
空隙中に基板電極の全部又は一部を形成する基板電極形
成工程と、基板の基板表面上の空隙に犠牲材料からなる
犠牲材料層を形成する犠牲材料層形成工程と、基板の基
板表面上の保護膜を露出する保護膜露出工程と、犠牲材
料層上に薄膜両端固定梁を形成する薄膜両端固定梁形成
工程と、空隙の犠牲材料層を除去する犠牲材料層除去工
程とからなる光変調装置を製造するようにしたので、入
射光の反射方向を変えて光変調を行う構造が簡単で応答
も速く、使用する入射光の波長が制限されることなく、
作動が安定で信頼性も高く、微細化され梁の固定保持領
域が小さくても十分な固定保持性を確保し、隣接素子へ
の相互作用を抑制する製造工程が少なく低コストの光変
調装置の製造方法を提供することが出来るようになっ
た。請求項２５の発明によれば、基板の基板表面上に凹
形状部と空隙の該当部を形成した後に、犠牲材料からな
る犠牲材料層を形成して基板の基板表面上を平坦化し
て、薄膜両端固定梁を形成後に、犠牲材料層を除去する
為に、基板の基板表面上に凹形状部と空隙の該当部を形
成する凹形状部と空隙の該当部形成工程と、基板の基板
表面上の空隙中に基板電極の全部又は一部を形成する基
板電極形成工程と、基板の基板表面上の空隙に犠牲材料
からなる犠牲材料層を形成する犠牲材料層形成工程と、
基板の基板表面上の保護膜を露出する保護膜露出工程
と、犠牲材料層上に薄膜両端固定梁を形成する薄膜両端
固定梁形成工程と、空隙の犠牲材料層を除去する犠牲材
料層除去工程とからなると共に犠牲材料層形成工程は凹
形状部に該当する溝をパターニングして光変調装置を製
造するようにしたので、凹形状部上の凹形状に沿って薄
膜両端固定梁の凹形状形成部が形成され、入射光の反射
方向を変えて光変調を行う構造が簡単で応答も速く、使
用する入射光の波長が制限されることなく、作動が安定
で信頼性も高く、微細化され梁の固定保持領域が小さく
ても更に十分な固定保持性を確保し、隣接素子への相互
作用を抑制する製造工程が少なく低コストの光変調装置
の製造方法を提供することが出来るようになった。
【００５２】請求項２６の発明によれば、基板の基板表
面上に凹形状部と空隙の該当部を形成した後に、犠牲材
料からなる犠牲材料層を形成して基板の基板表面上を平
坦化して、薄膜両端固定梁を形成後に、犠牲材料層を除
去する為に、基板の基板表面上に凹形状部と空隙の該当
部を形成する凹形状部と空隙の該当部形成工程と、基板
の基板表面上の空隙中に基板電極の全部又は一部を形成
する基板電極形成工程と、基板の基板表面上の空隙に犠
牲材料からなる犠牲材料層を形成する犠牲材料層形成工
程と、基板の基板表面上の保護膜を露出する保護膜露出
工程と、犠牲材料層上に薄膜両端固定梁を形成する薄膜
両端固定梁形成工程と、空隙の犠牲材料層を除去する犠
牲材料層除去工程とからなると共に凹形状部と空隙の該
当部形成工程は凹形状部に該当する溝をパターニングし
て光変調装置を製造するようにしたので、入射光の反射
方向を変えて光変調を行う構造が簡単で応答も速く、使
用する入射光の波長が制限されることなく、作動が安定
で信頼性も高く、微細化され梁の固定保持領域が小さく
ても更に十分な固定保持性を確保し、隣接素子への相互
作用を抑制する製造工程が少なく低コストの光変調装置
の製造方法を提供することが出来るようになった。請求
項２７の発明によれば、基板の基板表面上に凹形状部と
空隙の該当部を形成した後に、犠牲材料からなる犠牲材
料層を形成して基板の基板表面上を平坦化して、薄膜両
端固定梁を形成後に、犠牲材料層を除去する為に、基板
の基板表面上に凹形状部と空隙の該当部を形成する凹形
状部と空隙の該当部形成工程と、基板の基板表面上の空
隙中に基板電極の全部又は一部を形成する基板電極形成
工程と、基板の基板表面上の空隙に犠牲材料からなる犠
牲材料層を形成する犠牲材料層形成工程と、基板の基板
表面上の保護膜を露出する保護膜露出工程と、犠牲材料
層上に薄膜両端固定梁を形成する薄膜両端固定梁形成工
程と、空隙の犠牲材料層を除去する犠牲材料層除去工程
とからなると共に薄膜両端固定梁形成工程は薄膜両端固
定梁の凹形状形成部を凹形状部上の凹形状に沿って形成
して光変調装置を製造するようにしたので、入射光の反
射方向を変えて光変調を行う構造が簡単で応答も速く、
使用する入射光の波長が制限されることなく、作動が安
定で信頼性も高く、微細化され梁の固定保持領域が小さ
くても更に十分な固定保持性を確保し、隣接素子への相
互作用を抑制する製造工程が少なく低コストの光変調装
置の製造方法を提供することが出来るようになった。
面上に凹形状部と空隙の該当部を形成した後に、犠牲材
料からなる犠牲材料層を形成して基板の基板表面上を平
坦化して、薄膜両端固定梁を形成後に、犠牲材料層を除
去する為に、基板の基板表面上に凹形状部と空隙の該当
部を形成する凹形状部と空隙の該当部形成工程と、基板
の基板表面上の空隙中に基板電極の全部又は一部を形成
する基板電極形成工程と、基板の基板表面上の空隙に犠
牲材料からなる犠牲材料層を形成する犠牲材料層形成工
程と、基板の基板表面上の保護膜を露出する保護膜露出
工程と、犠牲材料層上に薄膜両端固定梁を形成する薄膜
両端固定梁形成工程と、空隙の犠牲材料層を除去する犠
牲材料層除去工程とからなると共に凹形状部と空隙の該
当部形成工程は凹形状部に該当する溝をパターニングし
て光変調装置を製造するようにしたので、入射光の反射
方向を変えて光変調を行う構造が簡単で応答も速く、使
用する入射光の波長が制限されることなく、作動が安定
で信頼性も高く、微細化され梁の固定保持領域が小さく
ても更に十分な固定保持性を確保し、隣接素子への相互
作用を抑制する製造工程が少なく低コストの光変調装置
の製造方法を提供することが出来るようになった。請求
項２７の発明によれば、基板の基板表面上に凹形状部と
空隙の該当部を形成した後に、犠牲材料からなる犠牲材
料層を形成して基板の基板表面上を平坦化して、薄膜両
端固定梁を形成後に、犠牲材料層を除去する為に、基板
の基板表面上に凹形状部と空隙の該当部を形成する凹形
状部と空隙の該当部形成工程と、基板の基板表面上の空
隙中に基板電極の全部又は一部を形成する基板電極形成
工程と、基板の基板表面上の空隙に犠牲材料からなる犠
牲材料層を形成する犠牲材料層形成工程と、基板の基板
表面上の保護膜を露出する保護膜露出工程と、犠牲材料
層上に薄膜両端固定梁を形成する薄膜両端固定梁形成工
程と、空隙の犠牲材料層を除去する犠牲材料層除去工程
とからなると共に薄膜両端固定梁形成工程は薄膜両端固
定梁の凹形状形成部を凹形状部上の凹形状に沿って形成
して光変調装置を製造するようにしたので、入射光の反
射方向を変えて光変調を行う構造が簡単で応答も速く、
使用する入射光の波長が制限されることなく、作動が安
定で信頼性も高く、微細化され梁の固定保持領域が小さ
くても更に十分な固定保持性を確保し、隣接素子への相
互作用を抑制する製造工程が少なく低コストの光変調装
置の製造方法を提供することが出来るようになった。
【００５３】請求項２８の発明によれば、基板の基板表
面上に凹形状部と空隙の該当部を形成した後に、犠牲材
料からなる犠牲材料層を形成して基板の基板表面上を平
坦化して、薄膜両端固定梁を形成後に、犠牲材料層を除
去する為に、基板の基板表面上に凹形状部と空隙の該当
部を形成する凹形状部と空隙の該当部形成工程と、基板
の基板表面上の空隙中に基板電極の全部又は一部を形成
する基板電極形成工程と、基板の基板表面上の空隙に犠
牲材料からなる犠牲材料層を形成する犠牲材料層形成工
程と、基板の基板表面上の保護膜を露出する保護膜露出
工程と、犠牲材料層上に薄膜両端固定梁を形成する薄膜
両端固定梁形成工程と、空隙の犠牲材料層を除去する犠
牲材料層除去工程とからなると共に薄膜両端固定梁形成
工程は薄膜両端固定梁の蓋形状部を凹形状上を蓋形状に
覆って光変調装置を製造するようにしたので、振動の伝
搬面積が低下して振動の伝搬の抑制は更に向上し、入射
光の反射方向を変えて光変調を行う構造が簡単で応答も
速く、使用する入射光の波長が制限されることなく、作
動が安定で信頼性も高く、微細化され梁の固定保持領域
が小さくても十分な固定保持性を確保し、隣接素子への
相互作用をさらに抑制する製造工程が少なく低コストの
光変調装置の製造方法を提供することが出来るようにな
った。請求項２９の発明によれば、基板の基板表面上に
凹形状部と空隙の該当部を形成した後に、犠牲材料から
なる犠牲材料層を形成して基板の基板表面上を平坦化し
て、薄膜両端固定梁を形成後に、犠牲材料層を除去する
為に、基板の基板表面上に凹形状部と空隙の該当部を形
成する凹形状部と空隙の該当部形成工程と、基板の基板
表面上の空隙中に基板電極の全部又は一部を形成する基
板電極形成工程と、基板の基板表面上の空隙に犠牲材料
からなる犠牲材料層を形成する犠牲材料層形成工程と、
基板の基板表面上の保護膜を露出する保護膜露出工程
と、犠牲材料層上に薄膜両端固定梁を形成する薄膜両端
固定梁形成工程と、空隙の犠牲材料層を除去する犠牲材
料層除去工程とからなると共に犠牲材料層除去工程は薄
膜両端固定梁を凹形状部上に堆積した堆積物を介して固
定して保持されて光変調装置を製造するようにしたの
で、固定保持部からの振動の伝搬面積が低下し堆積物に
より振動が吸収されるので振動の伝搬の抑制は更に向上
して、入射光の反射方向を変えて光変調を行う構造が簡
単で応答も速く、使用する入射光の波長が制限されるこ
となく、作動が安定で信頼性も高く、微細化され梁の固
定保持領域が小さくても十分な固定保持性を確保し、隣
接素子への相互作用を更に抑制する製造工程が少なく低
コストの光変調装置の製造方法を提供することが出来る
ようになった。
面上に凹形状部と空隙の該当部を形成した後に、犠牲材
料からなる犠牲材料層を形成して基板の基板表面上を平
坦化して、薄膜両端固定梁を形成後に、犠牲材料層を除
去する為に、基板の基板表面上に凹形状部と空隙の該当
部を形成する凹形状部と空隙の該当部形成工程と、基板
の基板表面上の空隙中に基板電極の全部又は一部を形成
する基板電極形成工程と、基板の基板表面上の空隙に犠
牲材料からなる犠牲材料層を形成する犠牲材料層形成工
程と、基板の基板表面上の保護膜を露出する保護膜露出
工程と、犠牲材料層上に薄膜両端固定梁を形成する薄膜
両端固定梁形成工程と、空隙の犠牲材料層を除去する犠
牲材料層除去工程とからなると共に薄膜両端固定梁形成
工程は薄膜両端固定梁の蓋形状部を凹形状上を蓋形状に
覆って光変調装置を製造するようにしたので、振動の伝
搬面積が低下して振動の伝搬の抑制は更に向上し、入射
光の反射方向を変えて光変調を行う構造が簡単で応答も
速く、使用する入射光の波長が制限されることなく、作
動が安定で信頼性も高く、微細化され梁の固定保持領域
が小さくても十分な固定保持性を確保し、隣接素子への
相互作用をさらに抑制する製造工程が少なく低コストの
光変調装置の製造方法を提供することが出来るようにな
った。請求項２９の発明によれば、基板の基板表面上に
凹形状部と空隙の該当部を形成した後に、犠牲材料から
なる犠牲材料層を形成して基板の基板表面上を平坦化し
て、薄膜両端固定梁を形成後に、犠牲材料層を除去する
為に、基板の基板表面上に凹形状部と空隙の該当部を形
成する凹形状部と空隙の該当部形成工程と、基板の基板
表面上の空隙中に基板電極の全部又は一部を形成する基
板電極形成工程と、基板の基板表面上の空隙に犠牲材料
からなる犠牲材料層を形成する犠牲材料層形成工程と、
基板の基板表面上の保護膜を露出する保護膜露出工程
と、犠牲材料層上に薄膜両端固定梁を形成する薄膜両端
固定梁形成工程と、空隙の犠牲材料層を除去する犠牲材
料層除去工程とからなると共に犠牲材料層除去工程は薄
膜両端固定梁を凹形状部上に堆積した堆積物を介して固
定して保持されて光変調装置を製造するようにしたの
で、固定保持部からの振動の伝搬面積が低下し堆積物に
より振動が吸収されるので振動の伝搬の抑制は更に向上
して、入射光の反射方向を変えて光変調を行う構造が簡
単で応答も速く、使用する入射光の波長が制限されるこ
となく、作動が安定で信頼性も高く、微細化され梁の固
定保持領域が小さくても十分な固定保持性を確保し、隣
接素子への相互作用を更に抑制する製造工程が少なく低
コストの光変調装置の製造方法を提供することが出来る
ようになった。
【００５４】請求項３０の発明によれば、基板の基板表
面上に凹形状部と空隙の該当部を形成した後に、犠牲材
料のシリコン酸化膜からなる犠牲材料層を形成して基板
の基板表面上を平坦化して、薄膜両端固定梁を形成後
に、犠牲材料層を除去して光変調装置を製造するように
したので、固定保持部からの振動の伝搬面積が低下し犠
牲層の犠牲材料からなる堆積物により振動が更に吸収さ
れるので振動の伝搬の抑制は更に十分向上して、入射光
の反射方向を変えて光変調を行う構造が簡単で応答も速
く、使用する入射光の波長が制限されることなく、作動
が安定で信頼性も高く、微細化され梁の固定保持領域が
小さくても十分な固定保持性を確保し、隣接素子への相
互作用を更に抑制する製造工程が少なく低コストの光変
調装置の製造方法を提供することが出来るようになっ
た。請求項３１の発明によれば、回動可能に保持されて
形成画像を担持する画像担持体上を光り書き込みを行な
って潜像を形成する請求項１、２、３、４、５、６、
７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５、１
６、１７、１８、１９、２０、２１又は２２に記載の光
変調装置からなる潜像形成手段の光変調装置によって形
成された潜像を顕像化してトナー画像を形成する現像手
段で形成されたトナー画像を転写手段によって被転写体
に転写して画像を形成するようにしたので、入射光束の
反射方向を変えて光変調を行う構造が簡単で応答も速
く、使用する入射光束の波長が制限されることなく、作
動が安定で信頼性も高く微細化され梁の固定保持領域が
小さくても十分な固定保持性を確保し、隣接素子への相
互作用を抑制する、製造工程が少なく低コストの複数個
の光変調装置をＩ次元アレー形状に配置された光変調装
置を具備することにより信号対ノイズのＳ／Ｎ比が向上
して高解像性の画像形成装置を提供することが出来るよ
うになった。請求項３２の発明によれば、画像投影デー
タの入射光の反射方向を変えて光変調を行なって画像を
投影して表示する請求項１、２，３，４，５，６，７，
８，９，１０，１１，１２，１３，１４，１５，１６，
１７，１８，１９，２０、２１又は２２に記載の光変調
装置からなる光スイッチ手段の光変調装置が投影する画
像を投影スクリーンに表示するようにしたので、入射光
束の反射方向を変えて光変調を行う構造が簡単で応答も
速く、使用する入射光の波長が制限されることなく、作
動が安定で信頼性も高く微細化され梁の固定保持領域が
小さくても十分な固定保持性を確保し、隣接素子への相
互作用を抑制する、製造工程が少なく低コストの複数個
の光変調装置が２次元アレー形状に配置された光変調装
置を具備するコントラストが上昇して高解像性の画像投
影表示装置を提供することが出来るようになった。
面上に凹形状部と空隙の該当部を形成した後に、犠牲材
料のシリコン酸化膜からなる犠牲材料層を形成して基板
の基板表面上を平坦化して、薄膜両端固定梁を形成後
に、犠牲材料層を除去して光変調装置を製造するように
したので、固定保持部からの振動の伝搬面積が低下し犠
牲層の犠牲材料からなる堆積物により振動が更に吸収さ
れるので振動の伝搬の抑制は更に十分向上して、入射光
の反射方向を変えて光変調を行う構造が簡単で応答も速
く、使用する入射光の波長が制限されることなく、作動
が安定で信頼性も高く、微細化され梁の固定保持領域が
小さくても十分な固定保持性を確保し、隣接素子への相
互作用を更に抑制する製造工程が少なく低コストの光変
調装置の製造方法を提供することが出来るようになっ
た。請求項３１の発明によれば、回動可能に保持されて
形成画像を担持する画像担持体上を光り書き込みを行な
って潜像を形成する請求項１、２、３、４、５、６、
７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５、１
６、１７、１８、１９、２０、２１又は２２に記載の光
変調装置からなる潜像形成手段の光変調装置によって形
成された潜像を顕像化してトナー画像を形成する現像手
段で形成されたトナー画像を転写手段によって被転写体
に転写して画像を形成するようにしたので、入射光束の
反射方向を変えて光変調を行う構造が簡単で応答も速
く、使用する入射光束の波長が制限されることなく、作
動が安定で信頼性も高く微細化され梁の固定保持領域が
小さくても十分な固定保持性を確保し、隣接素子への相
互作用を抑制する、製造工程が少なく低コストの複数個
の光変調装置をＩ次元アレー形状に配置された光変調装
置を具備することにより信号対ノイズのＳ／Ｎ比が向上
して高解像性の画像形成装置を提供することが出来るよ
うになった。請求項３２の発明によれば、画像投影デー
タの入射光の反射方向を変えて光変調を行なって画像を
投影して表示する請求項１、２，３，４，５，６，７，
８，９，１０，１１，１２，１３，１４，１５，１６，
１７，１８，１９，２０、２１又は２２に記載の光変調
装置からなる光スイッチ手段の光変調装置が投影する画
像を投影スクリーンに表示するようにしたので、入射光
束の反射方向を変えて光変調を行う構造が簡単で応答も
速く、使用する入射光の波長が制限されることなく、作
動が安定で信頼性も高く微細化され梁の固定保持領域が
小さくても十分な固定保持性を確保し、隣接素子への相
互作用を抑制する、製造工程が少なく低コストの複数個
の光変調装置が２次元アレー形状に配置された光変調装
置を具備するコントラストが上昇して高解像性の画像投
影表示装置を提供することが出来るようになった。
【図１】本発明の実施の形態例を示す光変調装置を説明
する説明図である。
する説明図である。
【図２】図１の平面図である。
【図３】本発明の他の実施の形態例を示す光変調装置を
説明する説明図である。
説明する説明図である。
【図４】本発明の他の実施の形態例を示す光変調装置の
主要部の状態を説明する拡大説明図である。
主要部の状態を説明する拡大説明図である。
【図５】本発明の他の実施の形態例を示す光変調装置の
主要部の他の状態を説明する拡大説明図である。
主要部の他の状態を説明する拡大説明図である。
【図６】本発明の他の実施の形態例を示す光変調装置を
説明する説明図である。
説明する説明図である。
【図７】図６の平面図である。
【図８】本発明の他の実施の形態例を示す光変調装置を
説明する説明図である。
説明する説明図である。
【図９】図８の平面図である。
【図１０】本発明の他の実施の形態例を示す光変調装置
の主要部の状態を説明する説明図である。
の主要部の状態を説明する説明図である。
【図１１】本発明の他の実施の形態例を示す光変調装置
の主要部の他の状態を説明する説明図である。
の主要部の他の状態を説明する説明図である。
【図１２】本発明の他の実施の形態例を示す光変調装置
を説明する説明図である。
を説明する説明図である。
【図１３】本発明の他の実施の形態例を示す光変調装置
を説明する説明図である。
を説明する説明図である。
【図１４】本発明の実施の形態例を示す光変調装置の製
造方法の主要部の工程を説明する説明図である。
造方法の主要部の工程を説明する説明図である。
【図１５】図１４の平面図である。
【図１６】本発明の実施の形態例を示す光変調装置の製
造方法の他の主要部の工程を説明する説明図である。
造方法の他の主要部の工程を説明する説明図である。
【図１７】図１６の平面図である。
【図１８】本発明の実施の形態例を示す光変調装置の製
造方法の他の主要部の工程を説明する説明図である。
造方法の他の主要部の工程を説明する説明図である。
【図１９】図１８の平面図である。
【図２０】本発明の実施の形態例を示す光変調装置の製
造方法の他の主要部の工程を説明する説明図である。
造方法の他の主要部の工程を説明する説明図である。
【図２１】図２０の平面図である。
【図２２】本発明の実施の形態例を示す光変調装置の製
造方法の他の主要部の工程を説明する説明図である。
造方法の他の主要部の工程を説明する説明図である。
【図２３】図２２の平面図である。
【図２４】本発明の実施の形態例を示す光変調装置の製
造方法の他の主要部の工程を説明する説明図である。
造方法の他の主要部の工程を説明する説明図である。
【図２５】図２４の平面図である。
【図２６】本発明の他の実施の形態例を示す光変調装置
の製造方法の主要部の工程を説明する説明図である。
の製造方法の主要部の工程を説明する説明図である。
【図２７】図２６の平面図である。
【図２８】本発明の他の実施の形態例を示す光変調装置
の製造方法の他の主要部の工程を説明する説明図であ
る。
の製造方法の他の主要部の工程を説明する説明図であ
る。
【図２９】図２８の平面図である。
【図３０】本発明の他の実施の形態例を示す光変調装置
の製造方法の他の主要部の工程を説明する説明図であ
る。
の製造方法の他の主要部の工程を説明する説明図であ
る。
【図３１】図３０の平面図である。
【図３２】本発明の他の実施の形態例を示す光変調装置
の製造方法の他の主要部の工程を説明する説明図であ
る。
の製造方法の他の主要部の工程を説明する説明図であ
る。
【図３３】図３２の平面図である。
【図３４】本発明の他の実施の形態例を示す光変調装置
の製造方法の他の主要部の工程を説明する説明図であ
る。
の製造方法の他の主要部の工程を説明する説明図であ
る。
【図３５】図３４の平面図である。
【図３６】本発明の他の実施の形態例を示す光変調装置
の製造方法の他の主要部の工程を説明する説明図であ
る。
の製造方法の他の主要部の工程を説明する説明図であ
る。
【図３７】図３６の平面図である。
【図３８】本発明の他の実施の形態例を示す光変調装置
の製造方法の主要部の工程を説明する説明図である。
の製造方法の主要部の工程を説明する説明図である。
【図３９】図３８の平面図である。
【図４０】本発明の他の実施の形態例を示す光変調装置
の製造方法の他の主要部の工程を説明する説明図であ
る。
の製造方法の他の主要部の工程を説明する説明図であ
る。
【図４１】図４０の平面図である。
【図４２】本発明の他の実施の形態例を示す光変調装置
の製造方法の他の主要部の工程を説明する説明図であ
る。
の製造方法の他の主要部の工程を説明する説明図であ
る。
【図４３】図４２の平面図である。
【図４４】本発明の他の実施の形態例を示す光変調装置
の製造方法の他の主要部の工程を説明する説明図であ
る。
の製造方法の他の主要部の工程を説明する説明図であ
る。
【図４５】図４４の平面図である。
【図４６】本発明の他の実施の形態例を示す光変調装置
の製造方法の他の主要部の工程を説明する説明図であ
る。
の製造方法の他の主要部の工程を説明する説明図であ
る。
【図４７】図４６の平面図である。
【図４８】本発明の他の実施の形態例を示す光変調装置
の製造方法の他の主要部の工程を説明する説明図であ
る。
の製造方法の他の主要部の工程を説明する説明図であ
る。
【図４９】図４８の平面図である。
【図５０】本発明の他の実施の形態例を示す光変調装置
の製造方法の主要部の工程を説明する説明図である。
の製造方法の主要部の工程を説明する説明図である。
【図５１】図５０の平面図である。
【図５２】本発明の他の実施の形態例を示す光変調装置
の製造方法の他の主要部の工程を説明する説明図であ
る。
の製造方法の他の主要部の工程を説明する説明図であ
る。
【図５３】図５２の平面図である。
【図５４】本発明の他の実施の形態例を示す光変調装置
の製造方法の他の主要部の工程を説明する説明図であ
る。
の製造方法の他の主要部の工程を説明する説明図であ
る。
【図５５】図５４の平面図である。
【図５６】本発明の他の実施の形態例を示す光変調装置
の製造方法の他の主要部の工程を説明する説明図であ
る。
の製造方法の他の主要部の工程を説明する説明図であ
る。
【図５７】図５６の平面図である。
【図５８】本発明の他の実施の形態例を示す光変調装置
の製造方法の他の主要部の工程を説明する説明図であ
る。
の製造方法の他の主要部の工程を説明する説明図であ
る。
【図５９】図５８の平面図である。
【図６０】本発明の他の実施の形態例を示す光変調装置
の製造方法の他の主要部の工程を説明する説明図であ
る。
の製造方法の他の主要部の工程を説明する説明図であ
る。
【図６１】図６０の平面図である。
【図６２】本発明の実施の形態例を示す光変調装置を具
備する画像形成装置を説明する説明図である。
備する画像形成装置を説明する説明図である。
【図６３】本発明の実施の形態例を示す光変調装置を具
備する画像投影表示装置を説明する説明図である。
備する画像投影表示装置を説明する説明図である。
【図６４】従来の光変調装置の主要部の状態を説明する
説明図である。
説明図である。
【図６５】従来の光変調装置の主要部の他の状態を説明
する説明図である。
する説明図である。
０：光変調装置 １：反射手段 ２：薄膜両端固定梁 ２ａ：凹形状形成部 ２ｂ：蓋形状部、 ２ｃ：堆積物、 ２ｄ：被保持部、 ２ｅ：パッド ３：基板電極 ３ａ：対向面、 ３ｂ：パッド開孔部位 ４：基板 ４ａ：基板表面 ４ｂ：固定保持部 ４ｃ：凹形状部 ４ｃ１：溝 ４ｄ：振動伝播抑制部 ４ｆ：保護膜 ４ｇ：絶縁膜 ５：犠牲材料層 ５ａ：感光性有機皮膜 １０：光変調装置 ２０：光変調装置 ３０：光情報処理装置 ３１：独立駆動手段 ３２：光源 ３３：第１のレンズシステム ３４：第１のレンズシステム ３５：投影レンズ ３６：絞り ３７：回転カラーホール ３８：マイクロレンズ ５０：画像形成装置 ５１：画像担持体 ５２：潜像形成手段 ５３：現像手段 ５４：転写手段 ５５：帯電手段 ５６：定着手段 ５７：排紙トレイ ５８：クリーニング手段 ８０：画像投影表示装置 ８１：光スイッチ手段 ８２：投影スクリーン １００：光変調装置 １０１：反射面 １０２：梁１０２ａ 被保持部 １０３：基板電極 １０４：基板１０４ａ 基板表面、 １０４ｂ：固定保持部 （ａ） 凹形状部と空隙の該当部形成工程 （ｂ） 基板電極形成工程 （ｃ） 犠牲材料層形成工程 （ｄ） 保護膜露出工程 （ｅ） 薄膜両端固定梁形成工程 （ｆ） 犠牲材料層除去工程
フロントページの続き Ｆターム(参考） 2C362 BA17 BA56 BA66 BA83 2H041 AA11 AB14 AC06 AZ01 AZ05 AZ08 2H043 CD02 CD04 CE00 5C058 AA18 EA01 EA02 EA27
Claims (32)
- 【請求項１】 入射光の反射方向を変えて光変調を行う
光変調装置において、入射光を正反射する反射手段と、
上記反射手段を側面に組み合わせ構成する薄膜で形成さ
れ両端が固定されて静電力で変形する薄膜両端固定梁
と、上記薄膜両端固定梁の他方側面に形成される空隙を
介して上記薄膜両端固定梁に対向して駆動電圧を印加す
る基板電極と、上記基板電極を形成して上記薄膜両端固
定梁を固定して保持する基板と、上記基板の基板表面に
上記薄膜両端固定梁を固定して保持する固定保持部と、
上記固定保持部に凹形状が形成された凹形状部とからな
ることを特徴とする光変調装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載の光変調装置において、
反射手段は、金属薄膜で形成されていることを特徴とす
る光変調装置。 - 【請求項３】 請求項１又は２に記載の光変調装置にお
いて、薄膜両端固定梁は、凹形状部上の凹形状に沿って
形成された凹形状形成部とからなることを特徴とする光
変調装置。 - 【請求項４】 請求項１又は２に記載の光変調装置にお
いて、薄膜両端固定梁は、凹形状部上を覆う蓋形状の蓋
形状部とからなることを特徴とする光変調装置。 - 【請求項５】 請求項１又は２に記載の光変調装置にお
いて、薄膜両端固定梁は、凹形状部上に堆積した堆積物
を介して固定して保持されることを特徴とする光変調装
置。 - 【請求項６】 請求項５に記載の光変調装置において、
堆積物は、振動吸収材からなることを特徴とする光変調
装置。 - 【請求項７】 請求項５又は６に記載の光変調装置にお
いて、堆積物は、犠牲材料層を形成する犠牲材料からな
ることを特徴とする光変調装置。 - 【請求項８】 請求項１、２、３、４、５、６又は７に
記載の光変調装置において、薄膜両端固定梁は、基板の
基板表面上に上記基板表面と平行に配置されていること
を特徴とする光変調装置。 - 【請求項９】 請求項１、２、３、４、５、６、７又は
８に記載の光変調装置において、薄膜両端固定梁は、引
っ張り応力を有する部材からなることを特徴とする光変
調装置。 - 【請求項１０】 請求項１、２、３、４、５、６、７、
８又は９に記載の光変調装置において、薄膜両端固定梁
は、引っ張り応力を有する部材のシリコン窒化膜からな
ることを特徴とする光変調装置。 - 【請求項１１】 請求項１、２、３、４、５、６、７、
８、９又は１０に記載の光変調装置において、薄膜両端
固定梁は、空隙を介して非平行の基板電極の対向面と対
向することを特徴とする光変調装置 - 【請求項１２】 請求項１、２、３、４、５、６、７、
８、９、１０又は１１に記載の光変調装置において、薄
膜両端固定梁は、駆動電圧の印加により変形して基板電
極の対向面に当接して変形が規制されて反射手段の入射
光の光変調を行うことを特徴とする光変調装置。 - 【請求項１３】 請求項１、２、３、４、５、６、７、
８、９、１１又は１２に記載の光変調装置において、薄
膜両端固定梁は、低抵抗材で形成されていることを特徴
とする光変調装置。 - 【請求項１４】 請求項１３に記載の光変調装置におい
て、薄膜両端固定梁の低抵抗材は、シリコンを不純物に
より低抵抗化して形成されていることを特徴とする光変
調装置。 - 【請求項１５】 請求項１、２、３、４、５、６、７、
８、９、１１、１２、１３又は１４に記載の光変調装置
において、薄膜両端固定梁は、単結晶シリコン薄膜で形
成されていることを特徴とする光変調装置。 - 【請求項１６】 請求項１、２、３、４、５、６、７、
８、９、１１、１２、１３又は１４に記載の光変調装置
において、薄膜両端固定梁は、多結晶シリコン薄膜で形
成されていることを特徴とする光変調装置。 - 【請求項１７】 請求項１、２、３、４、５、６、７、
８、９、１０、１１又は１２に記載の光変調装置におい
て、薄膜両端固定梁は、窒化シリコン薄膜で形成されて
いることを特徴とする光変調装置。 - 【請求項１８】 請求項１、２、３、４、５、６、７、
８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５、１６又
は１７に記載の光変調装置において、薄膜両端固定梁の
被保持部は、相対する両端部の２辺を基板の固定保持部
に固定して保持されることを特徴とする光変調装置。 - 【請求項１９】 請求項１、２、３、４、５、６、７、
８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５、１６、
１７又は１８に記載の光変調装置において、基板は、振
動の伝播を抑制する振動伝播抑制部とからなることを特
徴とする光変調装置。 - 【請求項２０】 請求項１９に記載の光変調装置におい
て、振動伝播抑制部は、凹形状部の内側に形成したこと
を特徴とする光変調装置。 - 【請求項２１】 請求項１、２、３、５、６、７、８、
９、１０、１１、１２、１３、１４、１５、１６、１
７、１８、１９又は２０に記載の光変調装置において、
基板は、複数の反射手段と薄膜両端固定梁と基板電極と
基板表面に上記薄膜両端固定梁を固定して保持する固定
保持部と上記固定保持部に凹形状が形成された凹形状部
とを１次元アレー形状に配置したことを特徴とする光変
調装置。 - 【請求項２２】 請求項１、２、３、５、６、７、８、
９、１０、１１、１２、１３、１４、１５、１６、１
７、１８、１９又は２０に記載の光変調装置において、
基板は、複数の反射手段と薄膜両端固定梁と基板電極と
基板表面に上記薄膜両端固定梁を固定して保持する固定
保持部と上記固定保持部に凹形状が形成された凹形状部
とを２次元アレー形状に配置したことを特徴とする光変
調装置。 - 【請求項２３】 入射光束の反射方向を変えて光変調を
行う請求項１、２、３、４、５、６、７、８、９、１
０、１１、１２、１３、１４、１５、１６、１７、１
８、１９、２０、２１又は２２に記載の光変調装置の製
造方法において、基板の基板表面上に凹形状部と空隙の
該当部を形成した後に、犠牲材料からなる犠牲材料層を
形成して上記基板の上記基板表面上を平坦化して、薄膜
両端固定梁を形成後に、上記犠牲材料層を除去すること
を特徴とする光変調装置の製造方法。 - 【請求項２４】 請求項２３に記載の光変調装置の製造
方法において、基板の基板表面上に凹形状部と空隙の該
当部を形成する凹形状部と空隙の該当部形成工程と、上
記基板の上記基板表面上の空隙中に基板電極の全部又は
一部を形成する基板電極形成工程と、上記基板の上記基
板表面上の空隙に犠牲材料からなる犠牲材料層を形成す
る犠牲材料層形成工程と、上記基板の上記基板表面上の
保護膜を露出する保護膜露出工程と、上記犠牲材料層上
に薄膜両端固定梁を形成する薄膜両端固定梁形成工程
と、空隙の上記犠牲材料層を除去する犠牲材料層除去工
程とからなることを特徴とする光変調装置の製造方法。 - 【請求項２５】 請求項２４に記載の光変調装置の製造
方法において、犠牲材料層形成工程は、凹形状部に該当
する溝をパターニングすることを特徴とする光変調装置
の製造方法。 - 【請求項２６】 請求項２４に記載の光変調装置の製造
方法において、凹形状部と空隙の該当部形成工程は、凹
形状部に該当する溝をパターニングすることを特徴とす
る光変調装置の製造方法。 - 【請求項２７】 請求項２４、２５又は２６に記載の光
変調装置の製造方法において、薄膜両端固定梁形成工程
は、薄膜両端固定梁の凹形状形成部を凹形状部上の凹形
状に沿って形成することを特徴とする光変調装置の製造
方法。 - 【請求項２８】 請求項２４、２５又は２６に記載の光
変調装置の製造方法において、薄膜両端固定梁形成工程
は、薄膜両端固定梁の蓋形状部を凹形状部上を蓋形状に
覆うことを特徴とする光変調装置の製造方法。 - 【請求項２９】 請求項２４、２５又は２６に記載の光
変調装置の製造方法において、犠牲材料層除去工程は、
薄膜両端固定梁を凹形状部上に堆積した堆積物を介して
固定して保持されることを特徴とする光変調装置の製造
方法。 - 【請求項３０】 請求項２３、２４、２５、２６、２
７、２８又は２９に記載の光変調装置の製造方法におい
て、犠牲材料層の犠牲材料は、シリコン酸化膜であるこ
とを特徴とする光変調装置の製造方法。 - 【請求項３１】 電子写真プロセスで光り書き込みを行
なって画像を形成する画像形成装置において、回動可能
に保持されて形成画像を担持する画像担持体と、上記画
像担持体上を光り書き込みを行なって潜像を形成する請
求項１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１
１、１２、１３、１４、１５、１６、１７、１８、１
９、２０、２１又は２２に記載の光変調装置からなる潜
像形成手段と、上記潜像形成手段の上記光変調装置によ
って形成された潜像を顕像化してトナー画像を形成する
現像手段と、上記現像手段で形成されたトナー画像を被
転写体に転写する転写手段とからなることを特徴とする
画像形成装置。 - 【請求項３２】 画像を投影して表示する画像投影表示
装置において、画像投影データの入射光の反射方向を変
えて光変調を行なって画像を投影して表示する請求項
１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１
２、１３、１４、１５、１６、１７、１８、１９、２
０、２１又は２２に記載の光変調装置からなる光スイッ
チ手段と、上記光スイッチ手段の上記光変調装置が投影
する画像を表示する投影スクリーンとからなることを特
徴とする画像投影表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001010871A JP2002214549A (ja) | 2001-01-18 | 2001-01-18 | 光変調装置及びその光変調装置の製造方法並びにその光変調装置を具備する画像形成装置及びその光変調装置を具備する画像投影表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001010871A JP2002214549A (ja) | 2001-01-18 | 2001-01-18 | 光変調装置及びその光変調装置の製造方法並びにその光変調装置を具備する画像形成装置及びその光変調装置を具備する画像投影表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002214549A true JP2002214549A (ja) | 2002-07-31 |
Family
ID=18878102
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001010871A Pending JP2002214549A (ja) | 2001-01-18 | 2001-01-18 | 光変調装置及びその光変調装置の製造方法並びにその光変調装置を具備する画像形成装置及びその光変調装置を具備する画像投影表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002214549A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007038394A (ja) * | 2005-06-30 | 2007-02-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 微小構造体、マイクロマシン、有機トランジスタ、並びに電子機器及びこれらの作製方法 |
| US8053850B2 (en) | 2005-06-30 | 2011-11-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Minute structure, micromachine, organic transistor, electric appliance, and manufacturing method thereof |
-
2001
- 2001-01-18 JP JP2001010871A patent/JP2002214549A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007038394A (ja) * | 2005-06-30 | 2007-02-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 微小構造体、マイクロマシン、有機トランジスタ、並びに電子機器及びこれらの作製方法 |
| JP4587320B2 (ja) * | 2005-06-30 | 2010-11-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 微小構造体、マイクロマシン、およびこれらの作製方法 |
| US8053850B2 (en) | 2005-06-30 | 2011-11-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Minute structure, micromachine, organic transistor, electric appliance, and manufacturing method thereof |
| US8686405B2 (en) | 2005-06-30 | 2014-04-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Minute structure, micromachine, organic transistor, electric appliance, and manufacturing method thereof |
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