JP4404787B2

JP4404787B2 - 光変調素子及び画像形成装置

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Publication number: JP4404787B2
Application number: JP2005068003A
Authority: JP
Inventors: 真也荻窪
Original assignee: Fujifilm Corp
Current assignee: Fujifilm Corp
Priority date: 2005-03-10
Filing date: 2005-03-10
Publication date: 2010-01-27
Anticipated expiration: 2025-03-10
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Description

本発明は、基板と、前記基板上方に設けられ、前記基板に対して傾斜変位可能な傾斜変位部材とを有する光変調素子に関する。

従来、光のＯＮ、ＯＦＦのスイッチング（光変調）を行う素子として様々なものが提案されている（例えば特許文献１参照）。特許文献１に記載の素子は、基板上方に設けられた反射ミラーが、モーター駆動により、基板に対して水平の状態と垂直の状態をとることができるように回転可能に構成されており、反射ミラーが水平の状態では、基板斜め上方から来た光が反射して外部に出射され、反射ミラーが垂直の状態では、基板斜め上方から来た光が基板側に反射し、基板に形成された光吸収面に吸収される。これにより、光のスイッチングが実現される。

特開２００１−３５６２８２号公報

特許文献１記載のような素子は、入射光と出射光が素子に対して同じ側に存在するため、周辺光学系の構成が複雑になり、小型化には不向きである。これに対し、入射光と出射光が素子を挟んで反対側に存在する透過型の光変調素子が知られており、これを用いれば小型化も実現可能となる。従来では様々な透過型の光変調素子が提案されているが、本発明は、従来にない新規な構成の透過型の光変調素子を提供することを目的とする。

本発明の光変調素子は、基板と、前記基板上方に設けられた傾斜変位可能な傾斜変位部
材とを有する光変調素子であって、前記傾斜変位部材は、前記基板に入射してくる光源か
らの光を通過可能にするための少なくとも１つの開口部を備え、前記開口部に対応して前
記傾斜変位部材の表面から延設され、前記傾斜変位部材の変位に伴って前記開口部に入射
してくる光を遮ることが可能な延設部を備え、前記傾斜変位部材は、前記開口部も含めて傾斜変位する。

この構成により、傾斜変位部材の変位を制御することで、基板に入射してきた光を延設部に入射させないで開口部からそのまま通過させたり、基板に入射してきた光を延設部に入射させて、その光の進路を変える又はその光を吸収したりすることができるため、光のスイッチングが可能となる。

本発明の光変調素子は、前記延設部が前記開口部の開口面に対して傾斜して設けられる。

本発明の光変調素子は、前記延設部が前記開口部の開口面に対して垂直に設けられる。

本発明の光変調素子は、前記延設部が反射部材からなる。

この構成により、基板に入射してきた光を延設部に入射させた際、その光の進路を変えることができる。

本発明の光変調素子は、前記反射部材によって反射された光を吸収する光吸収部を備える。

この構成により、光が反射部材に入射するときを、画像形成面に光が出射しないＯＦＦ状態とし、光が反射部材に入射しないときを、画像形成面に光が出射するＯＮ状態とすることが可能となる。

本発明の光変調素子は、前記光吸収部が前記傾斜変位部材の一部に設けられる。

この構成により、光吸収部を設けるスペースを別途確保する必要がなくなるため、光変調素子の小型化が可能となる。

この構成により、基板に入射してきた光を延設部に入射させた際、その光を吸収することができ、光が光吸収部材に入射するときを、画像形成面に光が出射しないＯＦＦ状態とし、光が光吸収部材に入射しないときを、画像形成面に光が出射するＯＮ状態とすることが可能となる。

本発明の光変調素子は、前記傾斜変位部材が静電気力によって傾斜変位する。

この構成により、傾斜変位部材の高速駆動が可能となる。

本発明の光変調素子は、前記傾斜変位部材が単方向にのみ傾斜変位可能である。

この構成により、傾斜変位部材の駆動を簡略化することができる。

本発明の光変調素子は、前記傾斜変位部材が双方向に傾斜変位可能である。

本発明の画像形成装置は、前記光変調素子をアレイ化した光変調素子アレイと、前記光変調素子アレイに光を入射する光源と、前記光変調素子アレイから出射される光を画像形成面に投影する投影光学系とを備える。

本発明の画像形成装置は、前記光変調素子は前記開口部を１つだけ有し、前記光源からの光を前記開口部に集光するマイクロレンズアレイを備える。

本発明によれば、従来にない新規な構成の透過型の光変調素子を提供することができる。

以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。

図１は、本発明の第一実施形態を説明するための光変調素子の概略構成を示す平面図である。図２は、図１のＡ−Ａ線断面図である。図３は、図１のＢ−Ｂ線断面図である。本実施形態の光変調素子は、露光装置、投影装置、及び表示装置等の画像形成装置に用いるものであり、例えばＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical System）により製造されるものである。

光変調素子１００は、入射光に対して透明な平面基板１と、平面基板１上に絶縁膜２を介して設けられた駆動回路３ａ，３ｂと、駆動回路３ａ，３ｂ上に設けられた電極５ａ，５ｂと、電極５ａ，５ｂの上方に一定の間隔を空けて配置される傾斜変位部材である電極６と、電極６を回動自在に支持するヒンジ部８，８と、ヒンジ部８，８を支持する支持部７，７とを備える。電極５ａは、駆動回路３ａに接続され、駆動回路３ａから電圧が供給される。電極５ｂは、駆動回路３ｂに接続され、駆動回路３ｂから電圧が供給される。駆動回路３ａ，３ｂと電極５ａ，５ｂの一部とは、絶縁膜４内に埋められている。以下では、平面基板１の下方に光源が位置し、平面基板１の上方に画像形成面が位置するものとする。画像形成面とは、光変調素子１００を画像形成装置に用いる場合に想定される面のことであり、例えば露光装置に用いる場合には記録材料面、プロジェクタに用いる場合には投影面（スクリーン）である。本実施形態で説明する光源は、レーザーやＬＥＤ等の画像形成装置に一般的に用いる光源であれば何でも良い。

電極６は、電極５ａ又は５ｂと電極６とに印加される電圧によって発生する静電気力により、その静電気力の働く方向にヒンジ部８，８を中心に回動することで平面基板１に対して傾斜変位可能であり、電極５ａ又は５ｂと電極６とに電圧が印加されない状態で平面基板１と平行になる。電極６は、図示しないドライバにより電圧が印加されるようになっている。

電極６には、平面基板１下方から入射してくる光源からの光を通過可能にするための例えば正方形状の開口部６ｂが形成されている。又、電極６には、開口部６ｂの一辺に沿った表面から反射ミラー６ａが開口部６ｂの開口面に対して垂直に延設されている。反射ミラー６ａは、電極６と電極５ｂに電圧が印加されて電極６が右側に傾斜した状態で、開口部６ｂに入射してくる光を遮る機能を有する。

次に、光変調素子１００の動作について説明する。
光変調素子１００は、図４（ａ）に示すように、電極６と電極５ａに電圧が印加されると、電極６と電極５ａとの間の静電気力によって電極６が左側に傾斜した状態となるが、この状態では、光源からの光が開口部６ｂを通過することができるため、その光は画像形成面に出射される。以下、光源からの光が画像形成面に出射される状態を光変調素子１００のＯＮ状態といい、ＯＮ状態で画像形成面に出射される光をＯＮ光という。一方、図４（ｂ）に示すように、電極６と電極５ｂに電圧が印加されると、電極６と電極５ｂとの間の静電気力によって電極６が右側に傾斜した状態となるが、この状態では、光源からの光が開口部６ｂを通過した後、反射ミラー６ａによって遮られるため、この光は反射ミラー６ａで反射し、光変調素子１００に設けられた図示しない光吸収部材によって吸収され、画像形成面には出射されない。以下、光源からの光が画像形成面に出射されない状態を光変調素子１００のＯＦＦ状態といい、画像形成面に出射されない光をＯＦＦ光という。

このように、光変調素子１００によれば、電極６に開口部６ｂを設け、さらにその表面に反射ミラー６ａを設けるだけの簡単な構成で、光変調を行うことが可能となる。又、光変調素子１００は簡単な構成であるため、高速駆動や微細化が容易となる。又、光変調素子１００は、透過型であるため、これを用いた画像形成装置の構成が簡単となる。又、光変調素子１００によれば、ＯＮ状態においては、光源からの光が開口部６ｂを通過して画像形成面に出射されるため、光利用効率１００％の素子を実現することができる。一般の反射型の光変調素子は、可動部に備えた反射ミラーを変位させて、入射した光を出射部に反射又は光吸収部材に反射させてＯＮ状態とＯＦＦ状態を切り替えているが、この方法だと、可動部が基板に接触して角度出しが行われた場合、その反動で振動が生じ、反射して出射されるＯＮ光も同様に振動するといった問題がある。又、一般の透過型の光変調素子では、光源からの光の波長によって可動部の設計や駆動を調整する必要がある。しかし、光変調素子１００によれば、光が開口部６ｂを通過するため、ＯＮ光が振動するといった問題は発生せず、又、光源からの光の波長に依らずに設計及び駆動を行うことができる。

尚、反射ミラー６ａは、電極６が所定の位置にある状態（例えば図４（ｂ）の状態）で、開口部６ｂに入射してくる光を遮ることができれば、電極６表面上における位置、表面からの高さ、幅、及び形状等は特に限定されない。例えば、図５，図６に示すように、反射ミラー６ａを、開口部６ｂの開口面に対して垂直以外の角度で傾斜させた構成にしても良い。図５のような構成によれば、例えば、電極６が平面基板１に平行な状態をＯＦＦ状態とし、電極６が左側に傾斜した状態をＯＮ状態とすることで光変調が可能である。又、図５のような構成によれば、平面基板１下方から右斜め上に光が入射してくるような場合でも、例えば、電極６が平面基板１に平行な状態をＯＮ状態とし、電極６が右側に傾斜した状態をＯＦＦ状態とすることで光変調が可能である。図６のような構成によれば、平面基板１下方から左斜め上に光が入射してくる場合でも、例えば、電極６が平面基板１に平行な状態をＯＮ状態とし、電極６が右側に傾斜した状態をＯＦＦ状態とすることで光変調が可能である。

又、図１〜図３では、電極６が左右（双方向）に傾斜することで光変調を行う構成としたが、電極６が右側又は左側（単方向）にのみ傾斜することで光変調を行う、例えば図７、図８に示すような構成としても良い。
図７は、本発明の第一実施形態を説明するための光変調素子の変形例を示す概略平面図である。図８は、図７のＡ−Ａ線断面図である。図７、図８において図１〜図３と同じ構成には同一符号を付してある。

図７、図８に示す光変調素子２００は、電極６の反射ミラー６ａの設けられる表面から左側を省略し、且つ、駆動回路３ａ及び電極５ａを省略した以外は図１と同様の構成である。光変調素子２００は、図９（ａ）に示すように、電極６と電極５ｂに電圧が印加されないと、電極６が平面基板１に平行な状態となるが、この状態では、光源からの光が開口部６ｂを通過することができるため、その光は画像形成面に出射される。一方、図９（ｂ）に示すように、電極６と電極５ｂに電圧が印加されると、電極６と電極５ｂとの間の静電気力によって電極６が右側に傾斜した状態となるが、この状態では、光源からの光が開口部６ｂを通過した後、反射ミラー６ａによって遮られるため、この光は反射ミラー６ａで反射し、光変調素子１００に設けられた図示しない光吸収部材によって吸収され、画像形成面には出射されない。このように、光変調素子２００のような構成でも、ＯＮ状態とＯＦＦ状態を切り替えて光変調を行うことができる。

又、図１〜図３では、平面基板１の下方に光源が位置し、平面基板１の上方に画像形成面が位置するものとしたが、平面基板１の上方に光源が位置し、平面基板１の下方に画像形成面が位置する構成としても、光変調を行うことが可能である。このような場合は、光変調素子を例えば図１０や図１１に示すような構成にすれば良い。

図１０に示す光変調素子３００は、電極６の開口部６ｂよりも左側の部分の表面に、光を吸収する光吸収部材である光吸収膜６’を塗布した以外は、図２と同じ構成である。
光変調素子３００は、図１０（ａ）に示すように、電極６と電極５ａに電圧が印加されると、電極６と電極５ａとの間の静電気力によって電極６が左側に傾斜した状態となるが、この状態では、光源からの光が開口部６ｂを通過することができるため、その光は画像形成面に出射される。一方、図１０（ｂ）に示すように、電極６と電極５ｂに電圧が印加されると、電極６と電極５ｂとの間の静電気力によって電極６が右側に傾斜した状態となるが、この状態では、光源からの光が開口部６ｂを通過する前に反射ミラー６ａによって遮られるため、この光は反射ミラー６ａで反射し、電極６に塗布された光吸収膜６’によって吸収され、画像形成面には出射されない。このように、光変調素子３００によれば、電極６に、傾斜変位部材としての機能と、光吸収部材としての機能を兼用させているため、光吸収部材の設置スペースを別途確保する必要がなく、小型化が可能となる。

図１１に示す光変調素子４００は、絶縁膜４の上に光吸収膜９を設け、反射ミラー６ａの設置位置を変更した以外は、図２と同じ構成である。
光変調素子４００は、図１１（ａ）に示すように、電極６と電極５ａに電圧が印加されると、電極６と電極５ａとの間の静電気力によって電極６が左側に傾斜した状態となるが、この状態では、光源からの光が開口部６ｂを通過することができるため、その光は画像形成面に出射される。一方、図１１（ｂ）に示すように、電極６と電極５ｂに電圧が印加されると、電極６と電極５ｂとの間の静電気力によって電極６が右側に傾斜した状態となるが、この状態では、光源からの光が開口部６ｂを通過した後に反射ミラー６ａによって遮られるため、この光は反射ミラー６ａで反射し、絶縁膜４上に設けられた光吸収膜９によって吸収され、画像形成面には出射されない。

又、上記では、電極６に開口部６ｂを１つだけ設ける構成としたが、これは、光源からの光がマイクロレンズ等によって開口部６ｂに集光される装置を前提とした構成であり、光源からの光が電極６の全面に渡って入射されるような場合には、開口部６ｂを複数設けて、ＯＮ状態における光の通過量を多くすることが好ましい。この場合、１つの開口部６ｂに対応して１つの延設部６ａを設けておくことで、光変調を良好に行うことができる。尚、開口部６ｂを設ける位置は、平面基板１に平行な状態にある電極６を上から見たときに、駆動回路３ａ，３ｂ及び電極５ａ，５ｂと重ならない領域にすれば良い。電極５ａ，５ｂとして透明電極を用いた場合は、駆動回路３ａ，３ｂと重ならない領域にすれば良い。

又、上記では、電極６が静電気力によって傾斜変位するものとしたが、電極６は電磁力や圧電力によって傾斜変位させる構成とすることもできる。

次に、上述した光変調素子を用いた画像形成装置の１画素分の構成を説明する。以下では、画像形成装置の例として、投影装置について説明する。
図１２は、本発明の第一実施形態を説明するための投影装置の１画素分の概略構成を示す図である。図１２では、光変調素子として光変調素子１００を用いた例を示した。
図１２に示す投影装置の１画素は、光源からの光を光変調素子１００の開口部６ｂに集光するマイクロレンズ２１と、光変調素子１００と、光変調素子１００からのＯＮ光を発散するマイクロレンズ２２とを備える。マイクロレンズ２２は、画像形成面であるスクリーン１８に対して光を投影するための投影装置用の光学系である。

図１２に示す投影装置の動作を説明する。
光源からの光は、マイクロレンズ２１により、光変調素子１００の開口部６ｂに集光される。光変調素子１００は、画像信号に応じてＯＮ状態とＯＦＦ状態のいずれかをとり、光変調素子１００から出射されたＯＮ光は、マイクロレンズ２２によりスクリーン１８に投影露光され（図１２の左図）、光変調素子１００から出射されたＯＦＦ光は、図示しない光吸収膜に吸収され（図１２の右図）スクリーン１８には投影されない。このようにして光変調が行われる。

以下、図１〜図３に示した光変調素子１００の製造工程について説明する。
図１３及び図１４は、光変調素子１００の製造工程を説明するための図であり、図１のＡ−Ａ線断面図の各工程後の状態を示している。
まず、ガラス又は石英からなる透明な平面基板１上に、絶縁膜２を介して、ＣＭＯＳよりなる駆動回路３ａ，３ｂが形成される。平面基板１上への駆動回路３ａ，３ｂの形成は、ＳＯＩ（ＳｉｏｎＩｎｓｕｌａｔｅｒ）基板上で駆動回路３ａ，３ｂを形成した後、駆動回路３ａ，３ｂ下部の絶縁層２からＳｉ基板を剥離し、平面基板１を転写法等で置換させる方法、又は平面基板１上に駆動回路３ａ，３ｂとなるＴＦＴ（薄膜トランジスタ）を直接形成する方法により得られる。

次に、駆動回路３ａ，３ｂの上部に、ＳｉＯ_２をＰＥＣＶＤ法により成膜して絶縁層４を形成し、後工程で形成する電極５ａ，５ｂと駆動回路３ａ，３ｂの出力とを接続するためのコンタクトホールを、フォトリソグラフィとフッ素系のＲＩＥエッチングによってパターニングして形成する。その後、下地膜ＴｉＮ薄膜をスパッタにより成膜し、続けてＷをスパックにより成膜する。これにより、Ｗがコンタクトホールに埋め込まれる。さらにその表面をＣＭＰで平坦化し、コンタクトホールがＷで埋め込まれた平坦な絶縁層４が形成される。その上部に第１導電膜であるＡｌ（好ましくは高融点金属を含有したＡｌ合金）をスパッタ成膜し、フォトリソグラフィと塩素系のＲＩＥエッチングにより所望の電極形状にパターニングして電極５ａ，５ｂを形成する（図１３（ａ））。尚、この時、電極５ａ，５ｂは、各々コンタクトホールを介して駆動回路３ａ，３ｂの出力に接続されて、それぞれ電位が供給される。

次に、犠牲層としてポジ型レジスト膜１５を塗布し（図１３（ｂ））、支持部７となる箇所をフォトリソグラフィによりパターニングしてハードベークする。ハードベークはＤｅｅｐＵＶを照射しながら２００℃を超える温度で行う。これにより後工程の高温プロセスにおいてもその形状を維持し、又、レジスト剥離溶剤に不溶となる。レジストの塗布成膜により下地膜の段差に依らずレジスト表面は平坦となる。このレジスト膜１５は犠牲層として機能し、後工程で除去される。従って、ハードベーク後のレジストの膜厚は将来の電極５ａ，５ｂと電極６の空隙を決定する。

次に、Ａｌ（好ましくは高融点金属を含有したＡｌ合金）からなる第２導電膜をスパッタにより成膜し、その上にＳｉＯ_２をＰＥＣＶＤより成膜し、さらにその上にポジ型レジスト膜を塗布し、ヒンジ８および支持部７となる箇所をフォトリソグラフィ及びフッ素系のＲＩＥエッチングによりパターニングしてマスクとする。その後、酸素系のプラズマエッチング（アッシング）により、レジスト除去する。

次に、Ａｌ（またはＡｌ合金）からなる第３導電膜１６をスパッタにより反射ミラー６ａの高さの分だけ成膜する（図１３（ｃ））。

次に、ポジ型レジスト膜１７を、反射ミラー６ａの高さとポジ型レジストのエッチング速度を考慮して所望の膜厚だけ塗布する（図１３（ｄ））。

次に、グレースケールフォトマスクによるフォトリソグラフィにより、ポジ型レジスト膜１７を所望形状（図１に示す電極６、反射ミラー６ａ、及び開口部６ｂの形状）にパターニングする（図１４（ｅ））。

次に、塩素系のＲＩＥエッチングにより、パターニングしたポジ型レジスト膜１７を、第３導電膜１６に転写して、電極６、反射ミラー６ａ、及び開口部６ｂを形成する（図１４（ｆ））。

最後に、酸素系及び／又はフッ素系のプラズマエッチング（アッシング）により、犠牲層１５及びヒンジマスクであるＳｉＯ_２を除去して空隙を形成し（図１４（ｇ））、光変調素子１００が形成される。

尚、上記の材料及び製造工程は一例であり、本発明の主旨に沿えば、如何なる材料及び製造工程でも良い。

（第二実施形態）
本実施形態では、第一実施形態で説明した光変調素子を、同一平面で２次元状に複数配列した光変調素子アレイを用いた画像形成装置について説明する。以下では、画像形成装置の例として、投影装置について説明する。
図１５は、本発明の第二実施形態を説明するための投影装置の概略構成を示す図である。
図１５に示す投影装置５００は、面光源１１と、マイクロレンズアレイ１２と、第一実施形態で説明した光変調素子（ここでは、図１〜図３で示した光変調素子１００とした）を同一平面で２次元状に複数配列した光変調素子アレイ１３と、マイクロレンズアレイ１４とを備える。

マイクロレンズアレイ１２は、光変調素子アレイ１３に含まれる各光変調素子１００に対応する数のマイクロレンズからなり、各マイクロレンズは、光源１１からの光を、それに対応する光変調素子１００の開口部６ｂに集光する。

マイクロレンズアレイ１４は、画像形成面であるスクリーン１８に対して光を投影するための投影装置用の光学系であり、光変調素子アレイ１３に含まれる各光変調素子１００に対応する数のマイクロレンズからなり、各マイクロレンズは、それに対応する光変調素子１００からのＯＮ光を発散する。

以下、投影装置５００の動作を説明する。
面光源１１からの光は、マイクロレンズアレイ１２により、光変調素子１００の開口部６ｂに集光される。光変調素子アレイ１３の各光変調素子１００は、画像信号に応じてＯＮ状態とＯＦＦ状態のいずれかをとり、光変調素子アレイ１３から出射されたＯＮ光は、マイクロレンズアレイ１４によりスクリーン１８に投影露光される。このように、投影装置に光変調素子１００を用いることで、投影装置の構成を簡単にすることができる。

尚、図１５に示す構成において、光変調素子１００として図１０や図１１に示すものを用いる場合には、光変調素子アレイを、マイクロレンズアレイ１４側に平面基板１を向けて配置する必要がある。又、光変調素子１００として、開口部６ｂとそれに対応する延設部６ａを複数設けたものを用いる場合には、マイクロレンズアレイ１２を省略すれば良い。

本発明の第一実施形態を説明するための光変調素子の概略平面図図１のＡ−Ａ線断面図図１のＢ−Ｂ線断面図本発明の第一実施形態を説明するための光変調素子の動作を説明するための図本発明の第一実施形態を説明するための光変調素子の変形例を示す概略断面図本発明の第一実施形態を説明するための光変調素子の変形例を示す概略断面図本発明の第一実施形態を説明するための光変調素子の変形例を示す概略平面図図７のＡ−Ａ線断面図図７に示す光変調素子の動作を説明するための図本発明の第一実施形態を説明するための光変調素子の変形例を示す概略断面図本発明の第一実施形態を説明するための光変調素子の変形例を示す概略断面図本発明の第一実施形態を説明するための光変調素子を搭載する投影装置の１画素分の概略構成図本発明の第一実施形態を説明するための光変調素子の製造工程を説明するための図本発明の第一実施形態を説明するための光変調素子の製造工程を説明するための図本発明の第二実施形態を説明するための投影装置の概略構成図

符号の説明

１平面基板
２絶縁層
３ａ，３ｂ駆動回路
５ａ，５ｂ電極
６傾斜変位部材
６ａ反射ミラー
６ｂ開口部
６ｃ電極
７支持部
８ヒンジ部
１００光変調素子

Claims

基板と、前記基板上方に設けられた傾斜変位可能な傾斜変位部材とを有する光変調素子であって、
前記傾斜変位部材は、前記基板に入射してくる光源からの光を通過可能にするための少なくとも１つの開口部を備え、
前記開口部に対応して前記傾斜変位部材の表面から延設され、前記傾斜変位部材の変位に伴って前記開口部に入射してくる光を遮ることが可能な延設部を備え、
前記傾斜変位部材は、前記開口部も含めて傾斜変位する光変調素子。
請求項１記載の光変調素子であって、
前記延設部は、前記開口部の開口面に対して傾斜して設けられる光変調素子。
請求項２記載の光変調素子であって、
前記延設部は、前記開口部の開口面に対して垂直に設けられる光変調素子。
請求項１〜３のいずれか記載の光変調素子であって、
前記延設部は反射部材からなる光変調素子。
請求項４記載の光変調素子であって、
前記反射部材によって反射された光を吸収する光吸収部を備える光変調素子。
請求項５記載の光変調素子であって、
前記光吸収部は、前記傾斜変位部材の一部に設けられる光変調素子。
請求項１〜６のいずれか記載の光変調素子であって、
前記傾斜変位部材は、静電気力によって傾斜変位する光変調素子。
請求項１〜７のいずれか記載の光変調素子であって、
前記傾斜変位部材は、単方向にのみ傾斜変位可能である光変調素子。
請求項１〜７のいずれか記載の光変調素子であって、
前記傾斜変位部材は、双方向に傾斜変位可能である光変調素子。
請求項１〜９のいずれか記載の光変調素子をアレイ化した光変調素子アレイと、
前記光変調素子アレイに光を入射する光源と、
前記光変調素子アレイから出射される光を画像形成面に投影する投影光学系とを備える画像形成装置。
請求項１０記載の画像形成装置であって、
前記光変調素子は前記開口部を１つだけ有し、
前記光源からの光を前記開口部に集光するマイクロレンズアレイを備える画像形成装置。