JP2003055083A - 化合物半導体結晶成長用坩堝 - Google Patents
化合物半導体結晶成長用坩堝Info
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- JP2003055083A JP2003055083A JP2001243554A JP2001243554A JP2003055083A JP 2003055083 A JP2003055083 A JP 2003055083A JP 2001243554 A JP2001243554 A JP 2001243554A JP 2001243554 A JP2001243554 A JP 2001243554A JP 2003055083 A JP2003055083 A JP 2003055083A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 縦型ブリッジマン法で良質の化合物半導体単
結晶を歩留まりよく成長させることができかつ成長した
単結晶を容易に抜き出すことができる坩堝を提供する。 【解決手段】 縦型ブリッジマン法で化合物半導体単結
晶を成長させるための坩堝１において、所定の横断面積
と長さを有するの結晶成長部１ａと、この結晶成長部の
下部に接続されていてその結晶成長部に比べて小さな横
断面積と長さを有する種結晶生成部１ｃとを含み、その
種結晶生成部にはそれとほぼ同等の長さを有する凝固開
始促進部材２ｄが挿入されており、その凝固開始促進部
材には所定深さの穴が形成されている。
結晶を歩留まりよく成長させることができかつ成長した
単結晶を容易に抜き出すことができる坩堝を提供する。 【解決手段】 縦型ブリッジマン法で化合物半導体単結
晶を成長させるための坩堝１において、所定の横断面積
と長さを有するの結晶成長部１ａと、この結晶成長部の
下部に接続されていてその結晶成長部に比べて小さな横
断面積と長さを有する種結晶生成部１ｃとを含み、その
種結晶生成部にはそれとほぼ同等の長さを有する凝固開
始促進部材２ｄが挿入されており、その凝固開始促進部
材には所定深さの穴が形成されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はＧａＡｓやＩｎＰな
どの化合物半導体結晶を成長させるための坩堝に関し、
特に化合物半導体結晶を低コストで効率良く製造し得る
坩堝に関するものである。
どの化合物半導体結晶を成長させるための坩堝に関し、
特に化合物半導体結晶を低コストで効率良く製造し得る
坩堝に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】化合物半導体結晶を成長させる方法の一
つとして、縦型ブリッジマン法が知られている。このブ
リッジマン法において安価かつ大量に化合物半導体結晶
を成長させるために、図５に例示されているように、坩
堝内にあらかじめ設置される種結晶を用いない手法があ
る。
つとして、縦型ブリッジマン法が知られている。このブ
リッジマン法において安価かつ大量に化合物半導体結晶
を成長させるために、図５に例示されているように、坩
堝内にあらかじめ設置される種結晶を用いない手法があ
る。
【０００３】図５は、化合物半導体結晶成長用坩堝の一
例を模式的な断面図で示している。なお、本願の各図に
おいて、長さや厚さなどの寸法関係は図面の明瞭化と簡
略化のために適宜に変更されており、実際の寸法関係を
表してはいない。また、各図における同一符号は、同一
部分または相当部分を表している。
例を模式的な断面図で示している。なお、本願の各図に
おいて、長さや厚さなどの寸法関係は図面の明瞭化と簡
略化のために適宜に変更されており、実際の寸法関係を
表してはいない。また、各図における同一符号は、同一
部分または相当部分を表している。
【０００４】図５に例示されているような化合物半導体
結晶成長用坩堝１は、一般に１ｍｍ未満の厚さのｐＢＮ
（熱分解窒化ホウ素）で形成されている。坩堝１は、所
定の横断面積と長さを有する結晶成長部１ａを含むとと
もに、その結晶成長部の下部において遷移部１ｂを介し
て接続された凝固開始部１ｃを含んでいる。凝固開始部
１ｃは、結晶成長部１ａに比べてはるかに小さな横断面
積と長さを有している。具体的な寸法を例示すれば、結
晶成長部１ａは１０ｃｍの内径と３０ｃｍの長さを有
し、凝固開始部１ｃは１０ｍｍの内径と５ｃｍの長さを
有している。
結晶成長用坩堝１は、一般に１ｍｍ未満の厚さのｐＢＮ
（熱分解窒化ホウ素）で形成されている。坩堝１は、所
定の横断面積と長さを有する結晶成長部１ａを含むとと
もに、その結晶成長部の下部において遷移部１ｂを介し
て接続された凝固開始部１ｃを含んでいる。凝固開始部
１ｃは、結晶成長部１ａに比べてはるかに小さな横断面
積と長さを有している。具体的な寸法を例示すれば、結
晶成長部１ａは１０ｃｍの内径と３０ｃｍの長さを有
し、凝固開始部１ｃは１０ｍｍの内径と５ｃｍの長さを
有している。
【０００５】図５に示されているようなｐＢＮ坩堝１内
において、化合物半導体の融液（図示せず）が調製され
る。このような化合物半導体の融液を含む坩堝１は、上
方に比べて下方が低温に設定された温度勾配を有する温
度環境に対して、相対的にゆっくりと下方に移動させら
れる。その結果、坩堝１の下方の凝固開始部１ｃが最初
に化合物半導体融液の凝固点以下の温度になり、小さな
容量の凝固開始部１ｃ内で凝固が開始する。そして、小
容量の凝固開始部１ｃ内に形成された結晶を基礎とし
て、遷移部１ｂを介して、結晶成長部１ａ内で上方に向
けて結晶成長が一方向に進行する。
において、化合物半導体の融液（図示せず）が調製され
る。このような化合物半導体の融液を含む坩堝１は、上
方に比べて下方が低温に設定された温度勾配を有する温
度環境に対して、相対的にゆっくりと下方に移動させら
れる。その結果、坩堝１の下方の凝固開始部１ｃが最初
に化合物半導体融液の凝固点以下の温度になり、小さな
容量の凝固開始部１ｃ内で凝固が開始する。そして、小
容量の凝固開始部１ｃ内に形成された結晶を基礎とし
て、遷移部１ｂを介して、結晶成長部１ａ内で上方に向
けて結晶成長が一方向に進行する。
【０００６】しかし、凝固開始部１ｃ内において、あら
かじめ種結晶が設置されていない場合には結晶核生成が
起こりにくく、或る程度まで過冷却度が高まるまでは融
液の凝固が開始しない。そして或る過冷却度を越えたと
きに、凝固開始部１ｃの容積を超えるかなりの体積の融
液が急速に凝固してしまう。その結果、たとえば生成し
たガリウム砒素半導体結晶においてＧａとＡｓが一対一
になっていない組成ずれが生じたり、空孔やボイドが発
生することが多いという問題がある。このように組成ず
れや空孔を含む結晶は正常な化合物半導体として使用で
きなくて廃棄されなければならず、製造された化合物半
導体結晶の歩留まりを低下させる原因となる。
かじめ種結晶が設置されていない場合には結晶核生成が
起こりにくく、或る程度まで過冷却度が高まるまでは融
液の凝固が開始しない。そして或る過冷却度を越えたと
きに、凝固開始部１ｃの容積を超えるかなりの体積の融
液が急速に凝固してしまう。その結果、たとえば生成し
たガリウム砒素半導体結晶においてＧａとＡｓが一対一
になっていない組成ずれが生じたり、空孔やボイドが発
生することが多いという問題がある。このように組成ず
れや空孔を含む結晶は正常な化合物半導体として使用で
きなくて廃棄されなければならず、製造された化合物半
導体結晶の歩留まりを低下させる原因となる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】このような歩留まり低
下の問題を改善するために、特許公報第３１１９３０６
号は、図３に例示されているように、坩堝の凝固開始部
内で凝固開始促進部材を用いることを提案している。
下の問題を改善するために、特許公報第３１１９３０６
号は、図３に例示されているように、坩堝の凝固開始部
内で凝固開始促進部材を用いることを提案している。
【０００８】すなわち、図３の化合物半導体結晶成長用
坩堝１においては、その凝固開始部１ｃの底部に凝固開
始促進部材２ａが挿入されている。凝固開始部１ｃはた
とえば１０ｍｍの内径と５ｃｍの長さを有し、凝固開始
促進部材２ａはたとえば１０ｍｍの外径と１ｃｍの長さ
を有している。
坩堝１においては、その凝固開始部１ｃの底部に凝固開
始促進部材２ａが挿入されている。凝固開始部１ｃはた
とえば１０ｍｍの内径と５ｃｍの長さを有し、凝固開始
促進部材２ａはたとえば１０ｍｍの外径と１ｃｍの長さ
を有している。
【０００９】凝固開始促進部材２ａの材質としては、た
とえば石英を用いることができる。石英は、ｐＢＮ坩堝
壁に比べて、たとえばＧａＡｓのような化合物半導体の
融液に対して良好な濡れ性を有している。凝固開始促進
部材２ａが化合物半導体融液に対して良好な濡れ性を有
する場合、その融液は凝固開始促進部材との濡れ界面で
結晶核を生成しやすくなる。その結果、凝固開始部１ｃ
内で過冷却度が高くなる前に凝固が開始し、その後に正
常な一方向凝固による結晶成長が行われ得る。
とえば石英を用いることができる。石英は、ｐＢＮ坩堝
壁に比べて、たとえばＧａＡｓのような化合物半導体の
融液に対して良好な濡れ性を有している。凝固開始促進
部材２ａが化合物半導体融液に対して良好な濡れ性を有
する場合、その融液は凝固開始促進部材との濡れ界面で
結晶核を生成しやすくなる。その結果、凝固開始部１ｃ
内で過冷却度が高くなる前に凝固が開始し、その後に正
常な一方向凝固による結晶成長が行われ得る。
【００１０】ところが、石英の凝固開始促進部材２ａ
は、ＧａＡｓ融液に比べて小さな比重を有している。し
たがって、短い石英の凝固開始促進部材２ａは、ＧａＡ
ｓ融液中で浮きあがって、凝固開始部１ｃ内から脱離し
てしまうことがある。そして、凝固開始促進部材２ａが
凝固開始部１ｃから浮き上がってしまえば、凝固開始促
進部材２ａがその役目をはたせなくなることは当然であ
る。
は、ＧａＡｓ融液に比べて小さな比重を有している。し
たがって、短い石英の凝固開始促進部材２ａは、ＧａＡ
ｓ融液中で浮きあがって、凝固開始部１ｃ内から脱離し
てしまうことがある。そして、凝固開始促進部材２ａが
凝固開始部１ｃから浮き上がってしまえば、凝固開始促
進部材２ａがその役目をはたせなくなることは当然であ
る。
【００１１】このような先行技術の状況に鑑み、本発明
は、低コストで歩留まり良く化合物半導体結晶を効率良
く製造し得るよう改善された坩堝を提供することを目的
としている。
は、低コストで歩留まり良く化合物半導体結晶を効率良
く製造し得るよう改善された坩堝を提供することを目的
としている。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、縦型ブ
リッジマン法で化合物半導体結晶を成長させるための坩
堝は、所定の横断面積と長さを有するの結晶成長部と、
この結晶成長部の下部に接続されていてその結晶成長部
に比べて小さな横断面積と長さを有する凝固開始部とを
含み、この凝固開始部にはそれとほぼ同等の長さを有す
る凝固開始促進部材が挿入されており、その凝固開始促
進部材には所定深さの穴が形成されていることを特徴と
している。
リッジマン法で化合物半導体結晶を成長させるための坩
堝は、所定の横断面積と長さを有するの結晶成長部と、
この結晶成長部の下部に接続されていてその結晶成長部
に比べて小さな横断面積と長さを有する凝固開始部とを
含み、この凝固開始部にはそれとほぼ同等の長さを有す
る凝固開始促進部材が挿入されており、その凝固開始促
進部材には所定深さの穴が形成されていることを特徴と
している。
【００１３】なお、凝固開始促進部材には、それを貫通
する深さの穴が形成されていてもよい。また、凝固開始
促進部材は、化合物半導体の融液に比べて小さな比重を
有していてもよい。
する深さの穴が形成されていてもよい。また、凝固開始
促進部材は、化合物半導体の融液に比べて小さな比重を
有していてもよい。
【００１４】凝固開始促進部材は、坩堝の凝固開始部内
壁に比べて、化合物半導体の融液に対して良好な濡れ性
を有していることが好ましい。凝固開始促進部材は、化
合物半導体の融液に比べて、大きな熱伝導性を有してい
ることも好ましい。
壁に比べて、化合物半導体の融液に対して良好な濡れ性
を有していることが好ましい。凝固開始促進部材は、化
合物半導体の融液に比べて、大きな熱伝導性を有してい
ることも好ましい。
【００１５】凝固開始促進部材は、石英からなることが
好ましい。凝固開始促進部材は、ＳｉＣ、ＳｉＮ、カー
ボン、またはサファイアからなることも好ましい。
好ましい。凝固開始促進部材は、ＳｉＣ、ＳｉＮ、カー
ボン、またはサファイアからなることも好ましい。
【００１６】
【発明の実施の形態】本発明者は、まず、凝固開始促進
部材の浮き上がりを防止すべく、図４に例示されている
ような凝固開始促進部材の使用を試みた。図４の化合物
半導体結晶成長用坩堝は図３のものに類似しているが、
凝固開始促進部材２ｂが凝固開始部１ｃとほぼ同等の長
さを有していることのみにおいて図３の坩堝と異なって
いる。すなわち、図３における凝固開始促進部材２ａは
１０ｍｍの外径と１ｃｍの長さを有しているのに対し
て、図４の凝固開始促進部材２ｂは１０ｍｍの外径と５
ｃｍの長さを有している。
部材の浮き上がりを防止すべく、図４に例示されている
ような凝固開始促進部材の使用を試みた。図４の化合物
半導体結晶成長用坩堝は図３のものに類似しているが、
凝固開始促進部材２ｂが凝固開始部１ｃとほぼ同等の長
さを有していることのみにおいて図３の坩堝と異なって
いる。すなわち、図３における凝固開始促進部材２ａは
１０ｍｍの外径と１ｃｍの長さを有しているのに対し
て、図４の凝固開始促進部材２ｂは１０ｍｍの外径と５
ｃｍの長さを有している。
【００１７】図４の坩堝を用いて、１０ｍｍ／ｈｒと２
０ｍｍ／ｈｒの二通りの速度でＧａＡｓ化合物半導体結
晶を成長させたところ、それぞれの成長速度に対応して
得られた化合物半導体結晶の歩留まりは８０〜９０％と
７５〜８５％であった。他方、先行技術による図３の坩
堝を用いて１０ｍｍ／ｈｒと２０ｍｍ／ｈｒの二通りの
速度でＧａＡｓ化合物半導体結晶を成長させた場合に
は、それぞれの成長速度に対応して得られた化合物半導
体結晶の歩留まりは９５〜９９％と９２〜９８％であっ
た。
０ｍｍ／ｈｒの二通りの速度でＧａＡｓ化合物半導体結
晶を成長させたところ、それぞれの成長速度に対応して
得られた化合物半導体結晶の歩留まりは８０〜９０％と
７５〜８５％であった。他方、先行技術による図３の坩
堝を用いて１０ｍｍ／ｈｒと２０ｍｍ／ｈｒの二通りの
速度でＧａＡｓ化合物半導体結晶を成長させた場合に
は、それぞれの成長速度に対応して得られた化合物半導
体結晶の歩留まりは９５〜９９％と９２〜９８％であっ
た。
【００１８】すなわち、図４の坩堝においては確かに凝
固開始促進部材２ｂの浮き上がりが防止できたが、得ら
れた化合物半導体結晶の歩留まりは、図３の坩堝の場合
に比べて、むしろ明らかに低下している。これは、図４
においては凝固開始部１ｃの全容積が凝固開始促進部材
２ｂによって占められていて、その促進部材２ｂの上表
面が凝固開始部１ｃよりもはるかに大きな容積の遷移部
１ｂに直接接しているために、結晶核生成が起こりにく
かったものと考えられる。ただし、図４の坩堝において
は細径の凝固開始部１ｃ内に化合物半導体結晶が生じる
ことがないので、坩堝１から化合物半導体結晶インゴッ
トを抜き出すことは図３の場合に比べて容易であった。
固開始促進部材２ｂの浮き上がりが防止できたが、得ら
れた化合物半導体結晶の歩留まりは、図３の坩堝の場合
に比べて、むしろ明らかに低下している。これは、図４
においては凝固開始部１ｃの全容積が凝固開始促進部材
２ｂによって占められていて、その促進部材２ｂの上表
面が凝固開始部１ｃよりもはるかに大きな容積の遷移部
１ｂに直接接しているために、結晶核生成が起こりにく
かったものと考えられる。ただし、図４の坩堝において
は細径の凝固開始部１ｃ内に化合物半導体結晶が生じる
ことがないので、坩堝１から化合物半導体結晶インゴッ
トを抜き出すことは図３の場合に比べて容易であった。
【００１９】本発明者は、次に、図１に例示されている
ような凝固開始促進部材の使用を試みた。図１の化合物
半導体結晶成長用坩堝は図４のものに類似しているが、
凝固開始促進部材２ｃが内径６ｍｍの貫通孔を有してい
ることのみにおいて図４の坩堝と異なっている。図１の
坩堝を用いて、１０ｍｍ／ｈｒと２０ｍｍ／ｈｒの二通
りの速度でＧａＡｓ化合物半導体結晶を成長させたとこ
ろ、それぞれの成長速度に対応して得られた化合物半導
体結晶の歩留まりは９７〜９９％と９５〜９９％であっ
た。
ような凝固開始促進部材の使用を試みた。図１の化合物
半導体結晶成長用坩堝は図４のものに類似しているが、
凝固開始促進部材２ｃが内径６ｍｍの貫通孔を有してい
ることのみにおいて図４の坩堝と異なっている。図１の
坩堝を用いて、１０ｍｍ／ｈｒと２０ｍｍ／ｈｒの二通
りの速度でＧａＡｓ化合物半導体結晶を成長させたとこ
ろ、それぞれの成長速度に対応して得られた化合物半導
体結晶の歩留まりは９７〜９９％と９５〜９９％であっ
た。
【００２０】すなわち、図１の坩堝においては凝固開始
促進部材２ｃの浮き上がりが防止でき、得られた化合物
半導体結晶の歩留まりも従来の図３の坩堝の場合に比べ
て改善されている。ただし、図１の坩堝においては凝固
開始促進部材２ｃの細い貫通孔内に化合物半導体結晶が
生じるので、坩堝１から化合物半導体結晶インゴットを
抜き出すことは図３の場合に比べて困難であった。
促進部材２ｃの浮き上がりが防止でき、得られた化合物
半導体結晶の歩留まりも従来の図３の坩堝の場合に比べ
て改善されている。ただし、図１の坩堝においては凝固
開始促進部材２ｃの細い貫通孔内に化合物半導体結晶が
生じるので、坩堝１から化合物半導体結晶インゴットを
抜き出すことは図３の場合に比べて困難であった。
【００２１】本発明者は、さらに、図２に例示されてい
るような凝固開始促進部材の使用を試みた。図２の化合
物半導体結晶成長用坩堝は図１のものに類似している
が、凝固開始促進部材２ｄが内径６ｍｍで深さ２５ｍｍ
の孔を有していることのみにおいて図１の坩堝と異なっ
ている。図２の坩堝を用いて、１０ｍｍ／ｈｒと２０ｍ
ｍ／ｈｒの二通りの速度でＧａＡｓ化合物半導体結晶を
成長させたところ、それぞれの成長速度に対応して得ら
れた化合物半導体結晶の歩留まりは９７〜９９％と９５
〜９９％であった。
るような凝固開始促進部材の使用を試みた。図２の化合
物半導体結晶成長用坩堝は図１のものに類似している
が、凝固開始促進部材２ｄが内径６ｍｍで深さ２５ｍｍ
の孔を有していることのみにおいて図１の坩堝と異なっ
ている。図２の坩堝を用いて、１０ｍｍ／ｈｒと２０ｍ
ｍ／ｈｒの二通りの速度でＧａＡｓ化合物半導体結晶を
成長させたところ、それぞれの成長速度に対応して得ら
れた化合物半導体結晶の歩留まりは９７〜９９％と９５
〜９９％であった。
【００２２】すなわち、図２の坩堝においても凝固開始
促進部材２ｄの浮き上がりが防止でき、得られた化合物
半導体結晶の歩留まりも図１の坩堝の場合と同等であ
る。また、図２の坩堝においては凝固開始促進部材２ｄ
に形成されている孔が貫通孔ではなくて２５ｍｍの深さ
に限定されているので、坩堝１から化合物半導体結晶イ
ンゴットを抜き出すことは図１の場合に比べて容易であ
り、図３の場合と同等であった。
促進部材２ｄの浮き上がりが防止でき、得られた化合物
半導体結晶の歩留まりも図１の坩堝の場合と同等であ
る。また、図２の坩堝においては凝固開始促進部材２ｄ
に形成されている孔が貫通孔ではなくて２５ｍｍの深さ
に限定されているので、坩堝１から化合物半導体結晶イ
ンゴットを抜き出すことは図１の場合に比べて容易であ
り、図３の場合と同等であった。
【００２３】なお、上述の実施形態では化合物半導体融
液に対して良好な濡れ性を有する石英の凝固開始促進部
材を用いる場合について説明されたが、凝固開始促進部
材は化合物半導体融液に比べて大きな熱伝導率を有する
材料で形成されていてもよい。その場合には、良好な熱
伝導性の凝固開始促進部材に接する融液が効率よく冷却
され、その界面において結晶核が生成しやすくなる。そ
の結果、大きな過冷却度が防止され、正常な一方向凝固
による結晶成長が進行し得ることになる。そのような良
好な熱伝導性を有する凝固開始促進部材の材質として
は、たとえばＳｉＣ、ＳｉＮ、カーボン、またはサファ
イヤなどを用いることができる。
液に対して良好な濡れ性を有する石英の凝固開始促進部
材を用いる場合について説明されたが、凝固開始促進部
材は化合物半導体融液に比べて大きな熱伝導率を有する
材料で形成されていてもよい。その場合には、良好な熱
伝導性の凝固開始促進部材に接する融液が効率よく冷却
され、その界面において結晶核が生成しやすくなる。そ
の結果、大きな過冷却度が防止され、正常な一方向凝固
による結晶成長が進行し得ることになる。そのような良
好な熱伝導性を有する凝固開始促進部材の材質として
は、たとえばＳｉＣ、ＳｉＮ、カーボン、またはサファ
イヤなどを用いることができる。
【００２４】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、低コス
トで歩留まり良く化合物半導体結晶を効率良く製造し得
るよう改善された坩堝を提供することができる。
トで歩留まり良く化合物半導体結晶を効率良く製造し得
るよう改善された坩堝を提供することができる。
【図１】 本発明の一実施形態による化合物半導体結晶
成長用坩堝を示す模式的な断面図である。
成長用坩堝を示す模式的な断面図である。
【図２】 本発明の他の実施形態による化合物半導体結
晶成長用坩堝を示す模式的な断面図である。
晶成長用坩堝を示す模式的な断面図である。
【図３】 先行技術による化合物半導体結晶成長用坩堝
を示す模式的な断面図である。
を示す模式的な断面図である。
【図４】 図３の坩堝の一部を変更した化合物半導体結
晶成長用坩堝を示す模式的な断面図である。
晶成長用坩堝を示す模式的な断面図である。
【図５】 あらかじめ設置される種結晶を用いない従来
の化合物半導体結晶成長用坩堝を示す模式的な断面図で
ある。
の化合物半導体結晶成長用坩堝を示す模式的な断面図で
ある。
１ ｐＢＮ坩堝、１ａ 結晶成長部、１ｂ 遷移部、１
ｃ 凝固開始部、２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄ 凝固開始促
進部材。
ｃ 凝固開始部、２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄ 凝固開始促
進部材。
Claims (7)
- 【請求項１】 縦型ブリッジマン法で化合物半導体結晶
を成長させるための坩堝であって、 所定の横断面積と長さを有するの結晶成長部と、 前記結晶成長部の下部に接続されていてその結晶成長部
に比べて小さな横断面積と長さを有する凝固開始部とを
含み、 前記凝固開始部にはそれとほぼ同等の長さを有する凝固
開始促進部材が挿入されており、 前記凝固開始促進部材には所定深さの穴が形成されてい
ることを特徴とする化合物半導体結晶成長用坩堝。 - 【請求項２】 前記凝固開始促進部材にはそれを貫通す
る深さの穴が形成されていることを特徴とする請求項１
に記載の化合物半導体結晶成長用坩堝。 - 【請求項３】 前記凝固開始促進部材は前記化合物半導
体の融液に比べて小さな比重を有していることを特徴と
する請求項１または２に記載の化合物半導体結晶成長用
坩堝。 - 【請求項４】 前記凝固開始促進部材は、前記凝固開始
部の内壁に比べて、前記化合物半導体の融液に対して良
好な濡れ性を有することを特徴とする請求項１から３の
いずれかの項に記載の化合物半導体結晶成長用坩堝。 - 【請求項５】 前記凝固開始促進部材は、前記化合物半
導体の融液に比べて、大きな熱伝導性を有していること
を特徴とする請求項１から３のいずれかの項に記載の化
合物半導体結晶成長用坩堝。 - 【請求項６】 前記凝固開始促進部材は石英からなるこ
とを特徴とする請求項４に記載の化合物半導体結晶成長
用坩堝。 - 【請求項７】 前記凝固開始促進部材はＳｉＣ、Ｓｉ
Ｎ、カーボン、またはサファイアからなることを特徴と
する請求項５に記載の化合物半導体結晶成長用坩堝。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001243554A JP2003055083A (ja) | 2001-08-10 | 2001-08-10 | 化合物半導体結晶成長用坩堝 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001243554A JP2003055083A (ja) | 2001-08-10 | 2001-08-10 | 化合物半導体結晶成長用坩堝 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003055083A true JP2003055083A (ja) | 2003-02-26 |
Family
ID=19073634
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001243554A Pending JP2003055083A (ja) | 2001-08-10 | 2001-08-10 | 化合物半導体結晶成長用坩堝 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003055083A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006188403A (ja) * | 2005-01-07 | 2006-07-20 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 化合物半導体単結晶とその製造方法および製造装置 |
| JP2006232574A (ja) * | 2005-02-22 | 2006-09-07 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 化合物半導体単結晶とその製造方法 |
| JP2014217891A (ja) * | 2013-05-08 | 2014-11-20 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | ブリッジマンインベストメント鋳造法におけるグレインスターターのための複合の幾何学的設計 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06298588A (ja) * | 1993-04-13 | 1994-10-25 | Dowa Mining Co Ltd | 縦型ボート法による化合物半導体単結晶の製造方法 |
| JP2001048692A (ja) * | 1999-08-02 | 2001-02-20 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 結晶成長容器および結晶成長方法 |
-
2001
- 2001-08-10 JP JP2001243554A patent/JP2003055083A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06298588A (ja) * | 1993-04-13 | 1994-10-25 | Dowa Mining Co Ltd | 縦型ボート法による化合物半導体単結晶の製造方法 |
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