JP2003050401A - Optoelectronic device and electronic equipment - Google Patents

Optoelectronic device and electronic equipment

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JP2003050401A
JP2003050401A JP2001239609A JP2001239609A JP2003050401A JP 2003050401 A JP2003050401 A JP 2003050401A JP 2001239609 A JP2001239609 A JP 2001239609A JP 2001239609 A JP2001239609 A JP 2001239609A JP 2003050401 A JP2003050401 A JP 2003050401A
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liquid crystal
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an optoelectronic device and electronic equipment capable of making stripe shaped electrodes to be avoided surely from being short- circuited with each other on difference in level even when the device and the equipment have constitution in which the stripe shaped electrodes pass through the difference in level. SOLUTION: Since an overcoating film 45 for flattening the ruggedness generated in color filters is formed at lower layer sides of stripe shaped data lines 52 in the counter substrate 7b of a liquid crystal device, difference in level 450 is formed at the boundary part of the formation zone 45a and the non- formation zone 45b of an overcoating film 45. As a result, there is the case where an excessive ITO(indium tin oxide) film 52" remains between the data lines 52, however, since parts passing on the difference in level 450 are made to be constricted parts 525 in the data lines 52, the data lines 52 are never short-circuit with each other by the excessive ITO film 52".

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶などの電気光
学物質を用いた電気光学装置、およびこの電気光学装置
を用いた電子機器に関するものである。さらに詳しく
は、電気光学装置において電気光学物質を駆動するため
のストライプ状電極の構成に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electro-optical device using an electro-optical material such as liquid crystal and electronic equipment using the electro-optical device. More specifically, the present invention relates to the configuration of stripe electrodes for driving an electro-optical material in an electro-optical device.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、携帯電話機、モバイルコンピュー
タなどといった電子機器の表示部として、液晶装置など
の電気光学装置が広く用いられている。このような電気
光学装置のうち、例えば、能動素子として2端子型非線
形素子であるTFD素子(Thin Film Dio
de)を用いたアクティブマトリクス方式の液晶装置で
は、TFD素子および画素電極がマトリクス状に形成さ
れた素子基板と、ストライプ状電極が形成された対向基
板とがシール材を介して所定の間隙を介して貼り合わさ
れ、これらの基板間のうち、シール材で区画された領域
内に液晶が注入、保持されている。
2. Description of the Related Art In recent years, an electro-optical device such as a liquid crystal device has been widely used as a display portion of electronic equipment such as a mobile phone and a mobile computer. Among such electro-optical devices, for example, a TFD element (Thin Film Dio) that is a two-terminal type non-linear element as an active element is used.
In the active matrix type liquid crystal device using de), the element substrate in which the TFD elements and the pixel electrodes are formed in a matrix and the counter substrate in which the striped electrodes are formed are separated by a predetermined gap via a sealant. The liquid crystal is injected and held in a region defined by a sealant between these substrates.

【0003】ここで、対向基板は、図16に示すよう
に、シール材6で区画される領域内に、ストライプ状電
極からなる液晶駆動用のデータ線52が複数、所定の間
隔を介して並列して形成されているとともに、データ線
52の各々からは、液晶駆動用ICチップの実装領域8
0bに向けて配線部分520が延びている。
Here, as shown in FIG. 16, in the counter substrate, a plurality of liquid crystal driving data lines 52, each of which is composed of a stripe-shaped electrode, are arranged in parallel in a region defined by a sealing material 6 with a predetermined interval. And the data line 52 is connected to the mounting area 8 of the liquid crystal driving IC chip.
The wiring portion 520 extends toward 0b.

【0004】また、液晶装置においてカラー画像を表示
する場合、対向基板7bの各位置での断面(図16のA
−A′断面、B−B′断面、C−C′断面、D−D′断
面)を図17にそれぞれ示すように、対向基板7bの基
体たる透明基板17bの表面側には、ブラックマトリク
スと称せられる遮光膜43、赤(R)、緑(G)、青
(B)のカラーフィルタ40R、40G、40B、絶縁
性のオーバーコート層45、データ線52、および配向
膜68がこの順に積層されている。ここで、オーバーコ
ート層45は、下層側に形成されたカラーフィルタ40
R、40B、40Bによって生じた凹凸を解消するため
の膜であり、対向基板7bの表面のうち、シール材6で
囲まれた領域内の所定領域(図16の二点鎖線L2で囲
まれた領域)にのみ形成されている。このため、データ
線52は、図16に円F,Gで囲んだ領域をそれぞれ図
18(a)、(b)に拡大して示すように、オーバーコ
ート層45の形成領域45aおよび非形成領域45bの
双方に跨って等幅で延びている。なお、図16、図18
(a)、(b)において、シール材6が形成される領域
は一点鎖線L1で示し、オーバーコート層45の形成領
域45aと非形成領域45bとの境界部分は二点鎖線L
2で示し、画面見切り用の遮光膜44の形成領域は点線
L3で示してある。また、図17に示すD−D′断面
は、オーバーコート層45の形成領域45aと非形成領
域45bの境界部分に相当し、オーバーコート層45は
表されているが、遮光膜43、44、およびカラーフィ
ルタ40R、40G、40Bはここには形成されていな
いので、図には表されていない。
Further, when displaying a color image in a liquid crystal device, a cross section (A in FIG. 16) at each position of the counter substrate 7b is displayed.
As shown in FIGS. 17A to 17C, a black matrix and a black matrix are provided on the surface side of the transparent substrate 17b which is the base of the counter substrate 7b. A so-called light-shielding film 43, red (R), green (G), and blue (B) color filters 40R, 40G, and 40B, an insulating overcoat layer 45, a data line 52, and an alignment film 68 are laminated in this order. ing. Here, the overcoat layer 45 is the color filter 40 formed on the lower layer side.
R, 40B, 40B is a film for eliminating unevenness caused by R, 40B, and 40B, and is a predetermined region within a region surrounded by the sealing material 6 (surrounded by a two-dot chain line L2 in FIG. 16) on the surface of the counter substrate 7b. Area). For this reason, the data line 52 has the formation region 45a and the non-formation region 45a of the overcoat layer 45, as shown in the enlarged view of the regions surrounded by circles F and G in FIG. It extends with equal width across both sides of 45b. Note that FIG. 16 and FIG.
In (a) and (b), the region where the sealing material 6 is formed is indicated by the one-dot chain line L1, and the boundary between the formation region 45a and the non-formation region 45b of the overcoat layer 45 is the two-dot chain line L.
2, and the formation region of the screen-shielding light-shielding film 44 is indicated by a dotted line L3. The cross section DD ′ shown in FIG. 17 corresponds to the boundary between the formation region 45a and the non-formation region 45b of the overcoat layer 45, and although the overcoat layer 45 is shown, the light shielding films 43, 44, The color filters 40R, 40G, and 40B are not formed here and therefore not shown in the drawing.

【0005】このような構成の対向基板7bの製造工程
において、データ線52を形成する際には、まず、図1
9(a)に示すように、透明基板17bの表面に、遮光
膜43、44、カラーフィルタ40R、40G、40
B、およびオーバーコート層45をこの順に形成した
後、オーバーコート層45の上層側に、データ線52を
形成するためのITO膜52′を基板表面全体に形成
し、次に、ITO膜52′の表面全体に感光性レジスト
600を塗布した後、この感光性レジスト600を露光
マスク610を介して露光、現像して、図19(b)に
示すように、エッチング用のレジストマスク601を形
成する。次に、レジストマスク601を介してITO膜
52′をドライエッチングなどの方法でパターニング
し、図19(c)に示すように、ストライプ状のデータ
線52を形成する。
In the process of manufacturing the counter substrate 7b having such a structure, when the data line 52 is formed, first, as shown in FIG.
As shown in FIG. 9A, the light shielding films 43 and 44, the color filters 40R, 40G and 40 are formed on the surface of the transparent substrate 17b.
After forming B and the overcoat layer 45 in this order, an ITO film 52 'for forming the data line 52 is formed on the entire substrate surface on the upper layer side of the overcoat layer 45, and then the ITO film 52' is formed. After the photosensitive resist 600 is applied to the entire surface of the substrate, the photosensitive resist 600 is exposed and developed through the exposure mask 610 to form a resist mask 601 for etching as shown in FIG. 19B. . Next, the ITO film 52 'is patterned through the resist mask 601 by a method such as dry etching to form stripe-shaped data lines 52 as shown in FIG. 19C.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】液晶装置に対しては画
像の高精細化などといった表示品位の向上が強く要求さ
れる中、対向基板7bでは、データ線52のピッチをさ
らに狭め、その分、データ線52の数を増やそうという
動きがあるが、このような対応を行うと、データ線52
の短絡に起因する不具合が発生しやすくなるという問題
点がある。このような不具合について本願発明者が種
々、検討を行った結果、以下に述べる理由から、データ
線52同士の短絡は、オーバーコート層45の形成領域
45aと非形成領域45bとの境界部分で発生しやすい
という知見を得た。
While the liquid crystal device is strongly required to improve the display quality such as high definition of an image, the pitch of the data lines 52 is further narrowed in the counter substrate 7b. There is a movement to increase the number of data lines 52, but if such measures are taken, the data lines 52
There is a problem in that a defect due to the short circuit of 1 tends to occur. As a result of various studies conducted by the inventors of the present invention on such a problem, a short circuit between the data lines 52 occurs at the boundary between the formation region 45a and the non-formation region 45b of the overcoat layer 45 for the reason described below. I got the knowledge that it is easy to do.

【0007】すなわち、オーバーコート層45は、カラ
ーフィルタ40R、40G、40Bによって生じた凹凸
を解消することを目的としていることから、例えば、2
000nm〜3000nmという分厚い膜として形成さ
れる。このため、オーバーコート層45の形成領域45
aと非形成領域45bとの境界には、図17に示すよう
に、大きな段差450が形成され、この段差450上を
データ線52が通ることになる。このため、図19
(a)に示す露光工程を行う際、段差450に起因する
影の影響によって、本来露光されるべき部分のレジスト
600が露光されず、段差450に相当する部分では図
19(b)に点線L4で示すように、ITO膜600を
除去すべき位置に余計なレジストマスク601′が残っ
てしまう。その結果、ITO膜52′をパターニングし
たとき、図18(a)、および図19(c)に示すよう
に、データ線52の間に余計なITO膜52″が残って
しまい、この余計なITO膜52″によって、データ線
52同士が短絡してしまうのである。
That is, since the overcoat layer 45 is intended to eliminate the unevenness caused by the color filters 40R, 40G, and 40B, for example, 2
It is formed as a thick film of 000 nm to 3000 nm. Therefore, the formation region 45 of the overcoat layer 45
As shown in FIG. 17, a large step 450 is formed at the boundary between “a” and the non-formation area 45 b, and the data line 52 passes over the step 450. Therefore, FIG.
When the exposure step shown in (a) is performed, the resist 600 in the portion that should originally be exposed is not exposed due to the influence of the shadow caused by the step 450, and the portion corresponding to the step 450 has a dotted line L4 in FIG. As shown by, an extra resist mask 601 'remains at the position where the ITO film 600 should be removed. As a result, when the ITO film 52 ′ is patterned, an extra ITO film 52 ″ remains between the data lines 52 as shown in FIG. 18A and FIG. 19C, and this extra ITO film 52 ′ is left. The data line 52 is short-circuited by the film 52 ″.

【0008】また、レジスト600に対する露光に異常
が発生しなくても、図19(b)に示すパターニング工
程で、ITO膜52′をドライエッチングによりパター
ニングする際、段差450に起因する影の影響でデータ
線52の間に余計なITO膜52″が残ってしまい、こ
の余計なITO膜52″によって、データ線52同士が
短絡してしまうこともある。
Even if there is no abnormality in the exposure of the resist 600, when the ITO film 52 'is patterned by dry etching in the patterning process shown in FIG. An extra ITO film 52 ″ may remain between the data lines 52, and the extra ITO film 52 ″ may cause a short circuit between the data lines 52.

【0009】しかも、ITO膜52′をスパッタ形成す
る際、下層側にすでに有機物からなるカラーフィルタ4
0R、40G、40Bが形成されている場合には、カラ
ーフィルタ40R、40G、40Bを構成する有機物の
耐熱性からみて、ITO膜52′をあまり高温条件下で
スパッタ形成することできず、このような低い温度条件
下でスパッタ形成したITO膜52′は、高い精度でパ
ターニングできないので、段差上に余計なITO膜5
2″が残りやすいという影響もある。
Moreover, when the ITO film 52 'is formed by sputtering, the color filter 4 already made of an organic substance is formed on the lower layer side.
When 0R, 40G, and 40B are formed, the ITO film 52 'cannot be sputtered under a high temperature condition in view of the heat resistance of the organic substances that form the color filters 40R, 40G, and 40B. Since the ITO film 52 'sputtered under such a low temperature condition cannot be patterned with high accuracy, an unnecessary ITO film 5 on the step is formed.
There is also the effect that 2 ″ tends to remain.

【0010】以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、
ストライプ状電極が段差上を通る構成であっても、この
段差上でストライプ状電極が短絡することを確実に回避
することのできる電気光学装置、およびこの電気光学装
置を用いた電子機器を提供することにある。
In view of the above problems, the object of the present invention is to
Provided is an electro-optical device capable of reliably avoiding a short circuit of the striped electrode on the step even if the striped electrode passes over the step, and an electronic device using the electro-optical device. Especially.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明では、電気光学物質を保持する第1の基板上
の所定領域に絶縁膜が形成されているとともに、該絶縁
膜の上層側では当該絶縁膜の形成領域および非形成領域
の双方に跨って複数のストライプ状電極が並列に延びて
いる電気光学装置において、前記ストライプ状電極の下
層側には、前記絶縁膜の形成領域と非形成領域との境界
に相当する部分に段差が形成され、前記複数のストライ
プ状電極は、前記段差上を通る部分が前記絶縁膜の形成
領域上を通る部分と比較して電極幅が狭くなっているこ
とを特徴とする。
In order to solve the above problems, according to the present invention, an insulating film is formed in a predetermined region on a first substrate that holds an electro-optical material, and the upper side of the insulating film is formed. Then, in an electro-optical device in which a plurality of striped electrodes extend in parallel over both the region where the insulating film is formed and a region where the insulating film is not formed, the region where the insulating film is formed and the region where the insulating film is not formed are formed below the striped electrode. A step is formed at a portion corresponding to a boundary with the formation region, and the plurality of stripe-shaped electrodes have a narrower electrode width than a portion passing over the step passes over the formation region of the insulating film. It is characterized by being

【0012】電気光学装置において、オーバーコート層
などとして形成した絶縁膜の形成領域と非形成領域との
境界に大きな段差が形成され、この段差上をストライプ
状電極が通っている場合でも、本発明では、複数のスト
ライプ状電極は、段差上を通る部分が絶縁膜の形成領域
上を通る部分と比較して電極幅が狭くなっている。この
ため、ストライプ状電極をパターニング形成するための
レジストマスクを形成するための露光時に段差に起因す
る影によって露光異常が起きて、ストライプ状電極の間
に余計な導電膜が残った場合でも、段差上でストライプ
状電極同士が短絡することがない。また、ストライプ状
電極をパターニング形成するためのドライエッチングを
行った際、段差に起因する影によってエッチング異常が
起きて、ストライプ状電極の間に余計な導電膜が残った
場合でも、段差上でストライプ状電極同士が短絡するこ
とがない。
In the electro-optical device, even when a large step is formed at the boundary between the region where the insulating film formed as an overcoat layer and the like is formed and the region where the insulating film is not formed, and the stripe-shaped electrode passes through the step, the present invention In regard to the plurality of striped electrodes, the electrode width is narrower at the portion passing over the step than in the portion passing over the insulating film formation region. Therefore, even if an extra conductive film remains between the striped electrodes due to an abnormal exposure due to a shadow caused by the step during the exposure for forming the resist mask for patterning the striped electrodes, There is no short circuit between the striped electrodes. In addition, when dry etching for patterning the stripe-shaped electrodes is performed, even if an extra conductive film remains between the stripe-shaped electrodes due to etching abnormalities caused by shadows caused by the steps, stripes are formed on the steps. Electrodes do not short-circuit.

【0013】本発明において、前記複数のストライプ状
電極のうち、前記段差上を通る部分は、前記絶縁膜の形
成領域上を通る部分、および前記絶縁膜の非形成領域上
を通る部分の双方と比較して幅が狭い括れ部分になって
いることが好ましい。ストライプ状電極の幅を狭くする
と、この部分の電気的抵抗が大きくなるが、短絡が発生
しやすい段差上のみ括れさせた構成であれば、このよう
な電気的抵抗の増大を最小限に止めることができる。
In the present invention, of the plurality of stripe-shaped electrodes, a portion passing over the step is both a portion passing over the insulating film forming region and a portion passing over the insulating film non-forming region. It is preferable that the narrowed portion has a narrower width in comparison. When the width of the striped electrode is narrowed, the electrical resistance of this part increases, but if the structure is confined only on the step where a short circuit is likely to occur, such an increase in electrical resistance should be minimized. You can

【0014】本発明において、前記複数のストライプ状
電極のうち、前記段差上を通る部分および前記絶縁膜の
非形成領域上を通る部分が、前記絶縁膜の形成領域上を
通る部分と比較して幅が狭くなっている構成であっても
よい。ストライプ状電極のうち、前記絶縁膜の非形成領
域上を通る部分は、駆動用ICあるいは外部から信号供
給する配線部分として所定のパターンに引きまわれるこ
とになるが、このような配線部分を細幅に形成すれば、
狭い領域内に多数の配線を引き回すことができるので、
ストライプ状電極の数の増大に対応することができる。
In the present invention, of the plurality of striped electrodes, a portion passing over the step and a portion passing over the insulating film non-forming region are compared with a portion passing over the insulating film forming region. The width may be narrowed. A portion of the striped electrode that passes over the region where the insulating film is not formed is drawn into a predetermined pattern as a wiring portion for supplying a signal from the driving IC or the outside. Such a wiring portion has a narrow width. If formed into
Since many wires can be routed in a narrow area,
It is possible to cope with an increase in the number of striped electrodes.

【0015】本発明において、前記絶縁膜は、該絶縁膜
の下層側に形成されたカラーフィルタによって形成され
た凹凸を平坦化するためのオーバーコート膜である。ス
トライプ状電極を形成するための導電膜をスパッタ形成
する際、下層側にすでに有機物からなるカラーフィルタ
が形成されている場合には、カラーフィルタの耐熱性か
らみて導電膜をあまり高温条件下でスパッタ形成するこ
とできず、このような低い温度条件下でスパッタ形成し
た導電膜は、高い精度でパターニングできないので、段
差上に余計な導電膜が残りやすい。それでも、本発明で
は、複数のストライプ状電極は、段差上を通る部分の幅
が狭くなっているため、ストライプ状電極の間に余計な
導電膜が残った場合でも、段差上でストライプ状電極同
士が短絡することがない。
In the present invention, the insulating film is an overcoat film for flattening the unevenness formed by the color filter formed on the lower layer side of the insulating film. When a conductive film for forming the stripe-shaped electrodes is formed by sputtering, if a color filter made of an organic substance is already formed on the lower layer side, the conductive film is sputtered under a high temperature condition in view of the heat resistance of the color filter. Since the conductive film that cannot be formed and is sputtered under such a low temperature condition cannot be patterned with high accuracy, an extra conductive film is likely to remain on the step. Still, in the present invention, since the width of the portion passing over the step is narrower in the plurality of stripe electrodes, even if an extra conductive film is left between the stripe electrodes, the stripe electrodes are separated from each other on the step. Does not short circuit.

【0016】本発明において、前記ストライプ状電極
は、スパッタ形成した膜をフォトリソグラフィ技術を用
いてパターニングしてなる。この場合、ストライプ状電
極は、ITO膜などといった導電性の金属酸化膜などか
ら構成される。
In the present invention, the striped electrode is formed by patterning a film formed by sputtering using a photolithography technique. In this case, the striped electrode is composed of a conductive metal oxide film such as an ITO film.

【0017】本発明においては、前記ストライプ状電極
のうち、前記絶縁膜の形成領域上を通る部分と比較して
電極幅が狭くなっている部分については、前記金属酸化
膜と金属膜との多層構造になっていることが好ましい。
このように構成すると、電極幅が狭くなっている部分の
電気的な抵抗を小さくできるので、前記ストライプ状電
極に信号供給する際、信号の遅延が発生しない。
In the present invention, a portion of the striped electrode having a narrower electrode width than a portion passing over the region where the insulating film is formed is a multilayer of the metal oxide film and the metal film. It is preferably structured.
According to this structure, the electric resistance of the portion where the electrode width is narrow can be reduced, so that no signal delay occurs when supplying a signal to the striped electrode.

【0018】本発明が適用される電気光学装置は、例え
ば、前記第1の基板と、該第1の基板とシール材を介し
て貼り合わされた第2の基板との間のうち、前記シール
材で囲まれた領域に前記電気光学物質としての液晶が保
持された液晶装置である。
The electro-optical device to which the present invention is applied is, for example, one of the sealing material provided between the first substrate and the second substrate bonded to the first substrate via a sealing material. A liquid crystal device in which liquid crystal as the electro-optical material is held in a region surrounded by.

【0019】本発明を適用した電気光学装置は、携帯電
話機、モバイルコンピュータなどの電子機器の表示部と
して用いられる。
The electro-optical device to which the present invention is applied is used as a display portion of electronic equipment such as a mobile phone and a mobile computer.

【0020】[0020]

【発明の実施の形態】図面を参照して、本発明の実施の
形態を説明する。なお、以下に実施形態を説明するにあ
たっては、各種の電気光学装置のうち、能動素子として
TFD素子を用いたアクティブマトリクス方式の液晶装
置を例に説明する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following description of the embodiments, an active matrix liquid crystal device using a TFD element as an active element is described as an example among various electro-optical devices.

【0021】[液晶パネルの構成]図1は、液晶装置の
電気的構成を模式的に示すブロック図である。図2
(a)、(b)はそれぞれ、液晶パネルにおいて液晶層
を挟持する対向基板(第1の基板)および素子基板(第
2の基板)のうち、素子基板における1画素分の平面
図、および図2(a)のI−I′断面図である。なお、
本形態の液晶装置に用いた対向基板は、基本的な構成が
共通するので、共通する機能を有する部分には同一の符
号を付して説明する。
[Configuration of Liquid Crystal Panel] FIG. 1 is a block diagram schematically showing the electrical configuration of the liquid crystal device. Figure 2
(A) and (b) of the counter substrate (first substrate) and the element substrate (second substrate) sandwiching the liquid crystal layer in the liquid crystal panel, respectively, a plan view of one pixel on the element substrate, and a diagram. FIG. 2B is a sectional view taken along the line II ′ of FIG. In addition,
Since the counter substrate used in the liquid crystal device of this embodiment has a common basic configuration, portions having common functions will be denoted by the same reference numerals.

【0022】図1に示すように、液晶装置に用いられる
液晶パネル2では、複数の配線としての走査線51が行
方向(X方向)に形成され、複数のデータ線52が列方
向(Y方向)に形成されている。走査線51とデータ線
52との各交差点に対応する位置には画素53が形成さ
れ、この画素53では、液晶層54とTFD素子56と
が直列に接続されている。各走査線51は走査線駆動回
路57によって駆動され、各データ線52はデータ線駆
動回路58によって駆動される。本実施形態において、
走査線駆動回路57およびデータ線駆動回路58は、図
3を参照して後述する液晶駆動用IC8aおよび液晶駆
動用IC8bにそれぞれ構成されている。
As shown in FIG. 1, in a liquid crystal panel 2 used in a liquid crystal device, a plurality of scanning lines 51 are formed in the row direction (X direction), and a plurality of data lines 52 are arranged in the column direction (Y direction). ) Is formed. A pixel 53 is formed at a position corresponding to each intersection of the scanning line 51 and the data line 52, and in this pixel 53, a liquid crystal layer 54 and a TFD element 56 are connected in series. Each scanning line 51 is driven by the scanning line drive circuit 57, and each data line 52 is driven by the data line drive circuit 58. In this embodiment,
The scanning line driving circuit 57 and the data line driving circuit 58 are respectively configured in a liquid crystal driving IC 8a and a liquid crystal driving IC 8b, which will be described later with reference to FIG.

【0023】図2(a)、(b)において、TFD素子
56は、素子基板7aの表面に成膜された下地層61の
上に形成された第1TFD素子56aおよび第2TFD
素子56bからなる2つのTFD素子要素によって、い
わゆるBack−to−back構造として構成されて
いる。このため、TFD素子56は、電流−電圧の非線
形特性が正負双方向にわたって対称化されている。下地
層61は、例えば、厚さが50〜200nm程度の酸化
タンタル(Ta25)によって構成されている。第1T
FD素子56aおよび第2TFD素子56bは、第1金
属層62と、この第1金属層62の表面に形成された絶
縁層63と、絶縁層63の表面に互いに離間して形成さ
れた第2金属層64a、64bとによって構成されてい
る。第1金属層62は、例えば、厚さが100〜500
nm程度のTa単体膜、Ta合金膜等によって形成さ
れ、絶縁層63は、例えば、陽極酸化法によって第1金
属層62の表面を酸化することによって形成された厚さ
が10〜35nmの酸化タンタル(Ta25)である。
In FIGS. 2A and 2B, the TFD element 56 includes a first TFD element 56a and a second TFD element formed on a base layer 61 formed on the surface of the element substrate 7a.
The two TFD element elements including the element 56b constitute a so-called back-to-back structure. Therefore, in the TFD element 56, the non-linear current-voltage characteristic is symmetrical in both positive and negative directions. The base layer 61 is made of, for example, tantalum oxide (Ta 2 O 5 ) having a thickness of about 50 to 200 nm. 1st T
The FD element 56a and the second TFD element 56b are composed of a first metal layer 62, an insulating layer 63 formed on the surface of the first metal layer 62, and a second metal formed on the surface of the insulating layer 63 so as to be separated from each other. It is constituted by layers 64a and 64b. The first metal layer 62 has, for example, a thickness of 100 to 500.
The insulating layer 63 is formed of a Ta simple film, Ta alloy film, or the like having a thickness of about 10 nm, and the tantalum oxide film having a thickness of 10 to 35 nm formed by oxidizing the surface of the first metal layer 62 by an anodic oxidation method, for example. (Ta 2 O 5 ).

【0024】第2金属層64a、64bは、例えばクロ
ム(Cr)等といった金属膜によって50〜300nm
程度の厚さに形成されている。第2金属層64aは、そ
のまま走査線51となり、他方の第2金属層64bは、
ITO(Indium Tin Oxide)等といっ
た透明導電材からなる画素電極66に接続されている。
The second metal layers 64a and 64b are made of a metal film such as chromium (Cr) and have a thickness of 50 to 300 nm.
It is formed to have a thickness of a certain degree. The second metal layer 64a becomes the scanning line 51 as it is, and the other second metal layer 64b is
It is connected to a pixel electrode 66 made of a transparent conductive material such as ITO (Indium Tin Oxide).

【0025】なお、以下に説明する液晶装置は、透過型
であるため、画素電極66をITO膜から構成したが、
画素電極66をAl(アルミニウム)等といった光反射
性材料によって形成すれば、反射型の液晶装置を構成す
ることができ、この場合、後述するバックライト装置は
使用されない。また、画素電極66をAl(アルミニウ
ム)等といった光反射性材料で構成し、かつ、画素電極
66の一部に開口部を形成すれば、半透過・半反射型の
液晶装置を構成することができる。さらに、画素電極6
6の下層側などに半透過・半反射性の膜を形成しても半
透過・半反射型の液晶装置を構成することができる。こ
のような半透過・半反射型の液晶装置では、夜間などは
バックライト装置からの光を利用して画像を表示し、昼
間などは外光を利用して画像を表示することができる。
Since the liquid crystal device described below is a transmissive type, the pixel electrode 66 is made of an ITO film.
If the pixel electrode 66 is formed of a light-reflecting material such as Al (aluminum), a reflective liquid crystal device can be configured, and in this case, the backlight device described later is not used. If the pixel electrode 66 is made of a light-reflecting material such as Al (aluminum) and an opening is formed in a part of the pixel electrode 66, a semi-transmissive / semi-reflective liquid crystal device can be constructed. it can. Furthermore, the pixel electrode 6
Even if a semi-transmissive / semi-reflective film is formed on the lower layer side of 6 or the like, a semi-transmissive / semi-reflective liquid crystal device can be constructed. In such a semi-transmissive / semi-reflective liquid crystal device, an image can be displayed by utilizing light from a backlight device at night and by using external light during daytime.

【0026】また、素子基板7aを構成する基板17a
は、対向基板7aを構成する基板17b(図3および図
4参照)と同様、例えば、石英、ガラス、プラスチック
等によって形成される。ここで、全反射型の場合には基
板17aが透明であることは、必須要件ではないが、本
実施形態のような透過型の場合、あるいは前記した半透
過・半反射型の液晶装置では、素子基板17aが透明で
あることは必須の要件となる。
A substrate 17a which constitutes the element substrate 7a
Is formed of, for example, quartz, glass, plastic, or the like, like the substrate 17b (see FIGS. 3 and 4) that constitutes the counter substrate 7a. Here, in the case of the total reflection type, it is not essential that the substrate 17a is transparent, but in the case of the transmission type as in the present embodiment, or in the above-mentioned semi-transmission / semi-reflection type liquid crystal device, It is an essential requirement that the element substrate 17a be transparent.

【0027】[液晶装置の構成]このようにして走査線
51およびTFD素子56が形成された素子基板7a
は、図3および図4を参照して説明するように、ITO
等といった透明導電材からなるデータ線52がストライ
プ状に形成された対向基板7bと対向配置され、素子基
板7aと対向基板7bは、一列分の画素電極66と1本
のデータ線52とが互いに対向する位置関係となるよう
に互いに貼り合わされる。対向基板7bの詳細な構成
は、図5、図6および図7を参照して後述する。
[Structure of Liquid Crystal Device] The element substrate 7a on which the scanning line 51 and the TFD element 56 are formed in this manner.
Is ITO as described with reference to FIGS. 3 and 4.
A data line 52 made of a transparent conductive material such as is disposed opposite to the counter substrate 7b formed in a stripe shape. In the element substrate 7a and the counter substrate 7b, one row of pixel electrodes 66 and one data line 52 are mutually arranged. They are attached to each other so as to have a facing positional relationship. The detailed configuration of the counter substrate 7b will be described later with reference to FIGS. 5, 6 and 7.

【0028】図3および図4はぞれぞれ、液晶装置の分
解斜視図およびその断面図である。
3 and 4 are an exploded perspective view and a sectional view of the liquid crystal device, respectively.

【0029】図3および図4に示すように、液晶装置1
は、例えば、液晶パネル2にFPC(Flexible
Printed Circuit:可撓性プリント基
板)3a、3bを接続し、さらに液晶パネル2の裏面側
に導光体4を取り付け、さらに導光体4の裏面側に制御
基板5を設けることによって形成される。
As shown in FIGS. 3 and 4, the liquid crystal device 1
Is, for example, an FPC (Flexible
Printed Circuits (flexible printed circuit boards) 3a and 3b are connected, a light guide 4 is attached to the back side of the liquid crystal panel 2, and a control board 5 is provided on the back side of the light guide 4. .

【0030】液晶パネル2において、素子基板7aと対
向基板7bとは、これらの基板のうちの一方に環状に塗
布されたシール材6によって貼り合わされている。素子
基板7aのうち、対向基板7bから張り出す部分の表面
には、ACF(Anisotropic Conduc
tive Film:異方性導電膜)9によって液晶駆
動用IC8aがCOG(Chip On Glass)
実装されている。また、対向基板7bのうち、素子基板
7aから張り出す部分には、ACF9によって液晶駆動
用IC8bがCOG実装されている。
In the liquid crystal panel 2, the element substrate 7a and the counter substrate 7b are attached to each other by a seal material 6 which is annularly applied to one of these substrates. On the surface of the portion of the element substrate 7a that projects from the counter substrate 7b, an ACF (anisotropic conductive) is formed.
The liquid crystal driving IC 8a is a COG (Chip On Glass) by a seven film (anisotropic conductive film) 9.
It is implemented. A liquid crystal driving IC 8b is COG-mounted by an ACF 9 on a portion of the counter substrate 7b that projects from the element substrate 7a.

【0031】図4に示すように、素子基板7aの内面に
は、図2(a)、(b)を参照して説明した複数の画素
電極66がマトリクス状に形成され、その外面には、光
学シートとしての偏光板12aが貼着されている。な
お、素子基板7aの内面には液晶Lの配向を揃えるため
の配向膜67が形成されている。この配向膜67は、例
えば、ポリイミド溶液を塗布した後に焼成することによ
って形成され、ポリイミドのポリマー主鎖がラビング処
理によって所定の方向へ延伸されることにより、基板間
に封入された液晶L内の液晶分子が配向膜の延伸方向に
沿って方向配位する。
As shown in FIG. 4, a plurality of pixel electrodes 66 described with reference to FIGS. 2A and 2B are formed in a matrix on the inner surface of the element substrate 7a, and the outer surface thereof is A polarizing plate 12a as an optical sheet is attached. An alignment film 67 for aligning the alignment of the liquid crystal L is formed on the inner surface of the element substrate 7a. The alignment film 67 is formed, for example, by applying a polyimide solution and then baking the polyimide solution, and the polymer main chain of the polyimide is stretched in a predetermined direction by a rubbing process, so that the liquid crystal L in the liquid crystal L sealed between the substrates is formed. Liquid crystal molecules are oriented along the stretching direction of the alignment film.

【0032】また、詳しくは後述するが、対向基板7b
の内面には複数のデータ線52がストライプ状に形成さ
れ、その外面には、光学シートとしての偏光板12bが
貼着されている。そして、素子基板7aと対向基板7b
との基板間のうち、シール材6によって区画された間隙
(セルギャップ)に液晶Lが封入されている。対向基板
7bの内面にも、液晶Lの配向を揃えるための配向膜6
8が設けられる。この配向膜68も、配向膜67と同
様、例えば、ポリイミド溶液を塗布した後に焼成するこ
とによって形成される。
The counter substrate 7b will be described in detail later.
A plurality of data lines 52 are formed in stripes on the inner surface, and a polarizing plate 12b as an optical sheet is attached to the outer surface thereof. Then, the element substrate 7a and the counter substrate 7b
The liquid crystal L is sealed in a gap (cell gap) defined by the sealing material 6 between the substrates. An alignment film 6 for aligning the alignment of the liquid crystal L is also formed on the inner surface of the counter substrate 7b.
8 are provided. Similar to the alignment film 67, the alignment film 68 is also formed, for example, by applying a polyimide solution and then baking.

【0033】図3において、素子基板7aの張出し部分
には複数の端子13aが形成され、これらの端子は、素
子基板7aの表面に画素電極66を形成する際に同時に
形成される。また、対向基板7bの張出し部分にも複数
の端子13bが形成され、これらの端子は、対向基板7
bの表面にデータ線52を形成する際に同時に形成され
る。FPC3bの端部には複数の端子22が設けられ、
ACF等を用いてそれらの端子が対向基板7bの端子1
3bに導電接続されている。また、FPC3bの他の端
部に形成された複数の端子23は、制御基板5の端子
(図示せず)に接続されている。FPC3aでは、裏面
側端部に複数のパネル側端子14が形成され、その反対
側の端部においてその表面側には複数の制御基板側端子
16が形成されている。ここで、FPC3aの表面には
配線パターン18が適宜、形成され、この配線パターン
18は、一方の端部で制御基板側端子16に直接に接続
し、他方の端部がスルーホール19を介してパネル端子
14に接続している。
In FIG. 3, a plurality of terminals 13a are formed on the projecting portion of the element substrate 7a, and these terminals are formed at the same time when the pixel electrode 66 is formed on the surface of the element substrate 7a. In addition, a plurality of terminals 13b are also formed on the projecting portion of the counter substrate 7b, and these terminals are formed by the counter substrate 7b.
It is formed at the same time when the data line 52 is formed on the surface of b. A plurality of terminals 22 are provided at the end of the FPC 3b,
Using ACF or the like, those terminals are terminals 1 of the counter substrate 7b.
3b is conductively connected. A plurality of terminals 23 formed on the other end of the FPC 3b are connected to terminals (not shown) of the control board 5. In the FPC 3a, a plurality of panel-side terminals 14 are formed on the back surface side end portion, and a plurality of control board-side terminals 16 are formed on the front surface side at the opposite end portion. Here, a wiring pattern 18 is appropriately formed on the surface of the FPC 3a, the wiring pattern 18 is directly connected to the control board side terminal 16 at one end, and the other end is through a through hole 19. It is connected to the panel terminal 14.

【0034】導光体4の液晶パネル2側の表面には、拡
散板27が貼着等によって装着され、導光体4の液晶パ
ネル2と反対側の表面には、反射板28が貼着等によっ
て装着される。また、導光体4の1つの側面に設定され
た光取込み面4aに対向して発光手段としての複数のL
ED(Light Emitting Diode)2
1がLED基板38に支持されて配置されている。
A diffusion plate 27 is attached to the surface of the light guide 4 on the liquid crystal panel 2 side by sticking or the like, and a reflector 28 is attached to the surface of the light guide 4 on the side opposite to the liquid crystal panel 2. Etc. In addition, a plurality of L's serving as light emitting means are provided so as to face the light receiving surface 4a set on one side surface of the light guide 4.
ED (Light Emitting Diode) 2
1 is supported and arranged on the LED substrate 38.

【0035】図4に示すように、導光体4は、ゴム、プ
ラスチック等によって形成された緩衝材32を挟んで液
晶パネル2の裏面側に取り付けられる。また、制御基板
5は導光体4の反射板28が装着された面に対向して配
設される。なお、制御基板5の端部には、外部回路との
接続をとるための端子33が形成される。
As shown in FIG. 4, the light guide 4 is attached to the back surface side of the liquid crystal panel 2 with a cushioning material 32 made of rubber, plastic, or the like interposed therebetween. The control board 5 is arranged so as to face the surface of the light guide 4 on which the reflection plate 28 is mounted. A terminal 33 for connecting to an external circuit is formed at the end of the control board 5.

【0036】このように構成した液晶装置1のバックラ
イト装置において、LED21が発光すると、その光が
導光体4へ導入され、その導入された光が反射板28で
反射して液晶パネル2の方向へ進行し、拡散板27によ
って平面内で一様な強度となるように拡散された状態で
液晶パネル2へ供給される。供給された光は、導光体4
側の偏光板12aを通過した成分が液晶Lの層へ供給さ
れ、さらに画素電極66とデータ線52との間に印加さ
れる電圧の変化に応じて画素毎に配向が制御された液晶
Lによって画素毎に変調され、さらにその変調光を表示
側の偏光板12bに通すことにより、外部に像を表示す
る。
In the backlight device of the liquid crystal device 1 having such a structure, when the LED 21 emits light, the light is introduced into the light guide 4, and the introduced light is reflected by the reflection plate 28 and reflected by the liquid crystal panel 2. And is supplied to the liquid crystal panel 2 in a state of being diffused by the diffusion plate 27 so as to have a uniform intensity in the plane. The light supplied is the light guide 4.
The component that has passed through the polarizing plate 12a on the side is supplied to the layer of the liquid crystal L, and the liquid crystal L whose orientation is controlled for each pixel according to the change in the voltage applied between the pixel electrode 66 and the data line 52. An image is displayed outside by modulating each pixel and passing the modulated light through the polarizing plate 12b on the display side.

【0037】[対向基板7bの構成]図5は、本発明を
適用した液晶装置に用いた対向基板の平面図である。図
6は、図5に示す対向基板を図5のA−A′線、B−
B′線、C−C′線、D−D′線で切断したときの断面
図である。図7(a)、(b)はそれぞれ、図5に示す
対向基板の円Fおよび円Gで囲んだ領域を拡大して示す
平面図である。なお、図5、図7(a)、(b)におい
て、シール材が形成される領域は一点鎖線L1で示し、
オーバーコート層の形成領域と非形成領域との境界部分
は二点鎖線L2で示し、画面見切り用の遮光膜の形成領
域は点線L3で示してある。また、図17に示すD−
D′断面は、オーバーコート層の形成領域と非形成領域
の境界部分に相当し、オーバーコート層は表されている
が、遮光膜およびカラーフィルタはここには形成されて
いないので、図には表されていない。
[Structure of Counter Substrate 7b] FIG. 5 is a plan view of the counter substrate used in the liquid crystal device to which the present invention is applied. FIG. 6 shows the counter substrate shown in FIG.
It is sectional drawing when it cut | disconnects by the B'line, CC 'line, and DD' line. FIGS. 7A and 7B are plan views each showing an enlarged region surrounded by a circle F and a circle G of the counter substrate shown in FIG. In addition, in FIG. 5, FIG. 7A, and FIG. 7B, the region where the sealing material is formed is indicated by a dashed line L1.
A boundary portion between the formation region and the non-formation region of the overcoat layer is shown by a chain double-dashed line L2, and the formation region of the light shielding film for screen partition is shown by a dotted line L3. In addition, D- shown in FIG.
The D ′ cross section corresponds to the boundary portion between the region where the overcoat layer is formed and the region where the overcoat layer is not formed. The overcoat layer is shown, but the light-shielding film and the color filter are not formed here. Not represented.

【0038】液晶装置1においてカラー表示を行う場
合、対向基板24bは、以下に説明するように構成され
る。まず、図5に示すように、対向基板7aには、シー
ル材6で区画される領域内に、ストライプ状電極からな
るデータ線52が複数、所定の間隔を介して並列して形
成されているとともに、データ線52の各々からは、液
晶駆動用ICチップの実装領域80bに向けて配線部分
520が延びている。
When performing color display in the liquid crystal device 1, the counter substrate 24b is constructed as described below. First, as shown in FIG. 5, in the counter substrate 7a, a plurality of data lines 52 formed of stripe-shaped electrodes are formed in parallel in a region partitioned by the sealing material 6 at predetermined intervals. At the same time, a wiring portion 520 extends from each of the data lines 52 toward the mounting area 80b of the liquid crystal driving IC chip.

【0039】また、対向基板7aには、図6に対向基板
7bの各位置での断面(図5のA−A′断面、B−B′
断面、C−C′断面、D−D′断面)をそれぞれ示すよ
うに、透明基板17bの表面側には、ブラックマトリク
スと称せられる遮光膜43、赤(R)、緑(G)、青
(B)のカラーフィルタ40R、40G、40B、絶縁
性のオーバーコート層45、データ線52、および配向
膜68がこの順に積層されている。また、シール材6で
囲まれた領域の内側にはシール材6に沿って画面見切り
用の遮光膜45が形成され、この遮光膜45で囲まれた
領域は、画像が表示される画像表示領域となる。従っ
て、画面見切り用の遮光膜45で囲まれた領域の内側に
のみカラーフィルタ40R、40G、40Bや遮光膜4
3が形成されている。なお、遮光膜43は、図4からわ
かるように、素子基板7aに形成されている画素電極6
6に対向しない領域に形成され、カラーフィルタ40
R、40G、40Bは、画素電極66に対向する領域に
形成されている。
Further, in the counter substrate 7a, the cross section at each position of the counter substrate 7b in FIG. 6 (cross section AA ', BB' in FIG. 5) is shown.
As shown in the cross section, the CC ′ cross section, and the DD ′ cross section), on the surface side of the transparent substrate 17b, a light shielding film 43 called a black matrix, red (R), green (G), and blue ( The color filters 40R, 40G, and 40B of B), the insulating overcoat layer 45, the data line 52, and the alignment film 68 are laminated in this order. Further, a light shielding film 45 for screen screening is formed along the seal material 6 inside the area surrounded by the sealing material 6, and the area surrounded by the light shielding film 45 is an image display area in which an image is displayed. Becomes Therefore, the color filters 40R, 40G, 40B and the light shielding film 4 are provided only inside the area surrounded by the light shielding film 45 for screen cutoff.
3 is formed. As can be seen from FIG. 4, the light shielding film 43 is provided on the pixel electrode 6 formed on the element substrate 7a.
The color filter 40 is formed in a region not facing 6
R, 40G, and 40B are formed in a region facing the pixel electrode 66.

【0040】再び図6において、オーバーコート層45
は、下層側に形成されたカラーフィルタ40R、40
B、40Bによって生じた凹凸を解消するための分厚い
有機絶縁膜あるいは無機絶縁膜から構成され、その上層
側にデータ線52が形成されている。オーバーコート層
45は、対向基板7bの表面のうち、画面見切り用の遮
光膜45で囲まれた領域よりも広いが、シール材6で囲
まれた領域よりも狭い領域に形成されている。これに対
して、データ線52は、一方の端部451がオーバーコ
ート層45の形成領域45aからはみ出ている一方、他
方側は、オーバーコート層45の形成領域45aからさ
らにシール材6が形成されている領域を通って液晶駆動
用IC8bがCOG実装される領域にまで延びている。
このため、データ線52は、図5、図6および図7
(a)、(b)に示すように、オーバーコート層45の
形成領域45aおよび非形成領域45bの双方に跨って
延びている。ここで、オーバーコート層45は、例え
ば、2000nm〜3000nmという分厚い絶縁膜か
らなるため、オーバーコート層45の形成領域45aと
非形成領域45bとの境界には大きな段差450が形成
され、この段差450上をデータ線52が通っている。
Referring again to FIG. 6, the overcoat layer 45.
Are the color filters 40R, 40R formed on the lower layer side.
It is composed of a thick organic insulating film or inorganic insulating film for eliminating the unevenness caused by B and 40B, and the data line 52 is formed on the upper layer side thereof. The overcoat layer 45 is formed in a region of the surface of the counter substrate 7b that is wider than the region surrounded by the screen shielding light-shielding film 45 but narrower than the region surrounded by the sealing material 6. On the other hand, one end 451 of the data line 52 protrudes from the formation region 45a of the overcoat layer 45, while the sealing material 6 is further formed from the formation region 45a of the overcoat layer 45 on the other side. The liquid crystal driving IC 8b extends to the area where the COG is mounted.
For this reason, the data line 52 is
As shown in (a) and (b), it extends across both the formation region 45a and the non-formation region 45b of the overcoat layer 45. Here, since the overcoat layer 45 is made of a thick insulating film of, for example, 2000 nm to 3000 nm, a large step 450 is formed at the boundary between the formation region 45a and the non-formation region 45b of the overcoat layer 45, and this step 450 is formed. A data line 52 passes above.

【0041】ここに、データ線52は、段差450上を
通る部分が、オーバーコート層45の形成領域45a上
を通る部分と比較して電極幅が狭くなっている。すなわ
ち、データ線52のうち、段差450上を通る部分は、
オーバーコート層45の形成領域45a上を通る部分、
およびオーバーコート層45の非形成領域45b上を通
る部分の双方と比較して幅が狭い括れ部分525になっ
ている。このため、以下に説明する方法で液晶装置1を
製造したとき、データ線52は、段差450上で短絡す
ることがない。
Here, in the data line 52, the electrode width of the portion passing over the step 450 is narrower than that of the portion passing over the formation region 45a of the overcoat layer 45. That is, of the data line 52, the portion passing over the step 450 is
A portion passing over the formation region 45a of the overcoat layer 45,
Further, the narrowed portion 525 is narrower in width than both of the portion passing over the non-formation region 45b of the overcoat layer 45. Therefore, when the liquid crystal device 1 is manufactured by the method described below, the data line 52 does not short-circuit on the step 450.

【0042】[液晶装置1および対向基板7bの製造方
法]図8は、本形態の液晶装置1の製造方法を示す工程
図である。図9および図10は、本形態の液晶装置1に
用いた対向基板7bの製造方法を示す工程断面図であ
る。
[Manufacturing Method of Liquid Crystal Device 1 and Counter Substrate 7b] FIG. 8 is a process diagram showing a manufacturing method of the liquid crystal device 1 of the present embodiment. 9 and 10 are process cross-sectional views showing the method of manufacturing the counter substrate 7b used in the liquid crystal device 1 of the present embodiment.

【0043】図8に示すように、液晶装置1および液晶
パネル2を製造するにあたっては、能動素子形成工程P
11〜シール材印刷工程P15からなる素子基板形成工
程と、遮光膜形成工程P21〜ラビング処理工程P26
からなる対向基板形成工程とは別々に行われる。
As shown in FIG. 8, in manufacturing the liquid crystal device 1 and the liquid crystal panel 2, the active element forming process P is performed.
11 to a sealing material printing step P15, an element substrate forming step, and a light-shielding film forming step P21 to a rubbing treatment step P26.
It is performed separately from the counter substrate forming step.

【0044】まず、素子基板7aを形成するにあたって
は、基板17aの表面に対して、能動素子形成工程P1
1において走査線51およびTFD素子56を形成した
後、画素電極形成工程P12において画素電極66を形
成する。次に、配向膜工程P13において基板17aの
表面にポリイミド、ポリビニルアルコール等を一様な厚
さに形成することによって配向膜67を形成した後、ラ
ビング処理工程P14において配向膜67に対してラビ
ング処理その他の配向処理を行う。次に、シール材印刷
工程P15においてディスペンサーやスクリーン印刷等
によってシール材6を環状に塗布する。なお、シール材
6の一部分には、液晶注入用の開口6aが形成される。
First, in forming the element substrate 7a, the active element forming step P1 is performed on the surface of the substrate 17a.
After forming the scanning line 51 and the TFD element 56 in 1, the pixel electrode 66 is formed in the pixel electrode forming step P12. Next, in the alignment film process P13, polyimide, polyvinyl alcohol, or the like is formed on the surface of the substrate 17a to have a uniform thickness to form the alignment film 67, and then in the rubbing process process P14, the alignment film 67 is rubbed. Other alignment processing is performed. Next, in the seal material printing process P15, the seal material 6 is applied in an annular shape by a dispenser, screen printing, or the like. An opening 6a for injecting liquid crystal is formed in a part of the sealing material 6.

【0045】一方、対向基板7bを形成するにあたって
は、まず、遮光膜形成工程P21において、図9(a)
に示すように、透明基板17bの表面の所定領域にフォ
トリソグラフィ技術を用いて遮光膜43、44を形成す
る。次に、カラーフィルタ形成工程P22において、図
9(b)に示すように、カラーフィルタ40R、40
G、40Bを形成する。このようなカラーフィルタ40
R、40G、40Bは、フレキソ印刷、フォトリソグラ
フィ技術、あるいはインクジェット法などによって形成
される。次に、オーバーコート層形成工程P23におい
て、図9(c)に示すように、フレキソ印刷、あるいは
フォリソグラフィ技術を用いて絶縁性のオーバーコート
層45を形成する。次に、データ線形成工程P24にお
いて、ITO膜によりストライプ状電極、すなわち、デ
ータ線52を形成する。
On the other hand, in forming the counter substrate 7b, first, in the light shielding film forming step P21, FIG.
As shown in FIG. 5, the light shielding films 43 and 44 are formed on a predetermined region of the surface of the transparent substrate 17b by using the photolithography technique. Next, in the color filter forming step P22, as shown in FIG.
G and 40B are formed. Such a color filter 40
R, 40G, and 40B are formed by flexographic printing, a photolithography technique, an inkjet method, or the like. Next, in the overcoat layer forming step P23, as shown in FIG. 9C, an insulative overcoat layer 45 is formed by using flexographic printing or photolithography. Next, in the data line forming step P24, stripe electrodes, that is, the data lines 52 are formed of the ITO film.

【0046】それにはまず、図9(d)に示すように、
透明基板17bの表面全体にスパッタ法によりITO膜
52′を形成する。次に、図10(a)に示すように、
ITO膜52′の表面全体に感光性レジスト600を塗
布した後、この感光性レジスト600を露光マスク61
0を介して露光、現像して、図10(b)に示すよう
に、レジストマスク601を形成する。次に、レジスト
マスク601を介してITO膜52′をパターニングし
て、図10(c)に示すように、ストライプ状のデータ
線52を形成する。
First, as shown in FIG. 9 (d),
An ITO film 52 'is formed on the entire surface of the transparent substrate 17b by the sputtering method. Next, as shown in FIG.
After the photosensitive resist 600 is applied to the entire surface of the ITO film 52 ', the photosensitive resist 600 is applied to the exposure mask 61.
After exposure through 0 and development, a resist mask 601 is formed as shown in FIG. Next, the ITO film 52 'is patterned through the resist mask 601 to form the stripe-shaped data line 52 as shown in FIG.

【0047】次に、配向膜形成工程P25において、デ
ータ線52等の上にポリイミド等によって一様な厚さの
配向膜68を形成した後、ラビング処理工程P26にお
いて、配向膜68に対してラビング処理等といった配向
処理を施す。これにより対向基板7bが完成する。
Next, in the alignment film forming step P25, an alignment film 68 of uniform thickness is formed on the data lines 52 and the like with polyimide or the like, and then in the rubbing process step P26, the alignment film 68 is rubbed. Orientation treatment such as treatment is performed. As a result, the counter substrate 7b is completed.

【0048】このような工程は、素子基板7aおよび対
向基板7bをそれぞれ多数枚取りできる大型のマザー基
板の状態で行われる。従って、上記の各工程を終えた
後、マザー基板同士をシール材6を挟んで貼り合わせ
(貼り合わせ工程P31)、次に、紫外線硬化その他の
方法でシール材6を硬化させる(シール材硬化工程P3
2)。これにより、液晶装置複数個分を含んでいる空の
パネル構造体が形成される。その後、空のパネル構造体
の所定位置に切断溝を形成し、さらにそのスクライブ溝
を基準にパネル構造体を短冊状に切断する(1次ブレイ
ク工程P33)。これにより、各液晶パネルのシール材
6の液晶注入用の開口6aが外部に露出する短冊状の空
のパネル構造体が形成される。次に、露出した液晶注入
用の開口6aからパネルの内側に液晶を減圧注入した
後、各開口6aを樹脂等によって封止する(液晶注入・
注入口封止工程P34)。その後、パネル構造体に再び
切断溝を形成した後、この切断溝に沿って短冊状のパネ
ル構造体を切断することにより、複数個の液晶パネルが
切り出される(2次ブレイク工程P35)。このように
して製造された液晶パネル2に対して、図4に示すよう
に、偏光板12a、12bを貼り付ける(偏光板貼り付
け工程P17)。しかる後に、図3に示すように、液晶
駆動用IC8a、8b、制御基板5を実装し、さらにF
PC3a、3bを接続することにより、液晶装置1が完
成する(実装工程P37)。
Such a process is performed in the state of a large mother substrate capable of taking a large number of element substrates 7a and counter substrates 7b. Therefore, after the above steps are completed, the mother substrates are attached to each other with the sealing material 6 sandwiched between them (attaching step P31), and then the sealing material 6 is cured by ultraviolet curing or another method (sealing material curing step). P3
2). As a result, an empty panel structure including a plurality of liquid crystal devices is formed. After that, a cutting groove is formed at a predetermined position of the empty panel structure, and the panel structure is cut into strips based on the scribe groove (primary breaking step P33). As a result, a strip-shaped empty panel structure in which the liquid crystal injection opening 6a of the sealing material 6 of each liquid crystal panel is exposed to the outside is formed. Next, after injecting liquid crystal under reduced pressure from the exposed openings 6a for injecting liquid crystal into the panel, each opening 6a is sealed with a resin or the like (liquid crystal injection /
Inlet sealing step P34). After that, a cutting groove is formed again in the panel structure, and the strip-shaped panel structure is cut along the cutting groove to cut out a plurality of liquid crystal panels (secondary break step P35). As shown in FIG. 4, the polarizing plates 12a and 12b are attached to the liquid crystal panel 2 manufactured in this way (polarizing plate attaching step P17). Thereafter, as shown in FIG. 3, the liquid crystal driving ICs 8a and 8b and the control board 5 are mounted, and further F
The liquid crystal device 1 is completed by connecting the PCs 3a and 3b (mounting process P37).

【0049】[本形態の効果]このような製造工程のう
ち、対向基板7bにデータ線52を形成するデータ線形
成工程P24において、図10(a)に示すように露光
を行う際、オーバーコート層45の形成領域45aと非
形成領域45bとの境界に形成されている段差450に
起因する影の影響によって、本来露光されるべき部分の
レジスト600が露光されず、図9(b)に点線L4で
示すように、ITO膜600を除去すべき位置に余計な
レジスト601が残ってしまうと、ITO膜52′をパ
ターニングしたとき、余計なレジスト601が残ってい
た部分では、図7(a)、(b)、および図10(c)
に示すように、データ線52の間に余計なITO膜5
2″が残ってしまうことがある。また、レジスト600
に対する露光に異常が発生しなくても、ITO膜52′
をドライエッチングによりパターニングする際、段差4
50に起因する影によって、データ線52の間に余計な
ITO膜52″が残ってしまうこともある。しかも、I
TO膜52′をスパッタ形成する際、下層側にすでに有
機物からなるカラーフィルタ40R、40G、40Bが
形成されているので、カラーフィルタ40R、40G、
40Bを構成する有機物の耐熱性からみて、ITO膜5
2′をあまり高温条件下でスパッタ形成することでき
ず、このような低い温度条件下でスパッタ形成したIT
O膜52′は、高い精度でパターニングできないので、
段差上に余計なITO膜52″が残りやすい。しかるに
本形態では、データ線52は、段差450上を通る部分
がオーバーコート層45の形成領域45a上を通る部
分、およびオーバーコート層45の非形成領域45b上
を通る部分と比較して幅が狭い括れ部分525になって
いるため、段差450上に余計なITO膜52″が残っ
ていてもデータ線52が短絡することがない。それ故、
データ線52のピッチを狭めることができる。
[Effect of this Embodiment] Among the manufacturing steps as described above, in the data line forming step P24 for forming the data line 52 on the counter substrate 7b, an overcoat is applied when exposure is performed as shown in FIG. Due to the influence of the shadow caused by the step 450 formed at the boundary between the formation region 45a and the non-formation region 45b of the layer 45, the resist 600 of the portion that should be originally exposed is not exposed, and the dotted line in FIG. As shown by L4, if the extra resist 601 remains at the position where the ITO film 600 should be removed, the portion where the extra resist 601 remains when the ITO film 52 ′ is patterned is shown in FIG. , (B), and FIG. 10 (c).
As shown in, the extra ITO film 5 is formed between the data lines 52.
2 ″ may remain. Also, the resist 600
Even if no abnormality occurs in the exposure to the ITO film 52 '
When patterning by dry etching
A shadow caused by 50 may leave an extra ITO film 52 ″ between the data lines 52. Moreover, I
When the TO film 52 'is formed by sputtering, since the color filters 40R, 40G, 40B made of an organic substance are already formed on the lower layer side, the color filters 40R, 40G,
In view of the heat resistance of the organic material composing 40B, the ITO film 5
2'cannot be sputtered under high temperature conditions, and IT sputtered under such low temperature conditions.
Since the O film 52 'cannot be patterned with high precision,
An extra ITO film 52 ″ is likely to remain on the step. However, in the present embodiment, in the data line 52, the portion passing over the step 450 passes over the formation region 45a of the overcoat layer 45 and the non-existence of the overcoat layer 45. Since the narrowed portion 525 is narrower than the portion passing over the formation region 45b, the data line 52 is not short-circuited even if an extra ITO film 52 ″ remains on the step 450. Therefore,
The pitch of the data lines 52 can be narrowed.

【0050】また、データ線52の幅を狭くすると、こ
の部分の電気的抵抗が大きくなるが、本形態では、短絡
が発生しやすい段差450上に括れ部分525を設け、
その他の部分は、オーバーコート層45の形成領域45
a上を通る部分と略等しい幅である。それ故、データ線
52の電気的抵抗の増大を最小限に止めることができ
る。
Further, if the width of the data line 52 is narrowed, the electrical resistance of this portion increases, but in the present embodiment, the constricted portion 525 is provided on the step 450 where a short circuit is likely to occur.
The other portion is a formation region 45 of the overcoat layer 45.
The width is substantially the same as the portion passing over a. Therefore, the increase in the electric resistance of the data line 52 can be minimized.

【0051】[その他の実施の形態]図11(a)、
(b)はそれぞれ、本発明を適用した液晶装置に用いた
別の対向基板において、図5の円Fおよび円Gに相当す
る位置を拡大して示す平面図である。図12(a)〜
(d)はそれぞれ、本発明を適用した液晶装置に用いた
各対向基板においてデータ線の構成を示す断面図であ
る。
[Other Embodiments] FIG. 11A,
6B is an enlarged plan view showing positions corresponding to circles F and G in FIG. 5, respectively, in another counter substrate used in the liquid crystal device to which the present invention is applied. 12 (a)-
FIG. 3D is a cross-sectional view showing the configuration of data lines in each counter substrate used in the liquid crystal device to which the present invention is applied.

【0052】上記実施形態では、データ線52のうち、
段差450上を通る部分については、オーバーコート層
45の形成領域45a上を通る部分、およびオーバーコ
ート層45の非形成領域45b上を通る部分の双方と比
較して幅が狭い括れ部分525を設けたが、図11
(a)、(b)に示す対向基板7bでは、データ線52
のうち、段差450上を通る部分およびオーバーコート
層45の非形成領域45bを通る配線部分520が、オ
ーバーコート層45の形成領域45a上を通る部分と比
較して幅が狭くなっている。その他の構成は前記した形
態と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付
して図示することにして説明を省略する。
In the above embodiment, of the data lines 52,
The portion passing over the step 450 is provided with a narrowed portion 525 which is narrower than both the portion passing over the formation region 45a of the overcoat layer 45 and the portion passing over the non-formation region 45b of the overcoat layer 45. Fig. 11
In the counter substrate 7b shown in (a) and (b), the data line 52
Among them, the width of the portion passing over the step 450 and the wiring portion 520 passing through the non-formation region 45b of the overcoat layer 45 is narrower than the portion passing over the formation region 45a of the overcoat layer 45. Since other configurations are the same as those in the above-described embodiment, common portions are denoted by the same reference numerals and illustrated, and description thereof is omitted.

【0053】このように構成した場合も、段差450上
において、データ線52の間に余計なITO膜52″が
残ったとしてもデータ線52が短絡することがないの
で、データ線52のピッチを狭めることができる。ま
た、データ線52から延びてオーバーコート層45の非
形成領域45b上を通る配線部分520はICの実装領
域に向けて収束するように斜めに引き回されるが、この
ような配線部分520を細幅に形成すれば、狭い領域内
に多数の配線を形成できるので、ストライプ状電極52
の数を増やした場合に有利である。
Also in the case of such a configuration, even if an extra ITO film 52 ″ remains between the data lines 52 on the step 450, the data lines 52 are not short-circuited. The wiring portion 520 extending from the data line 52 and passing over the non-formation region 45b of the overcoat layer 45 is obliquely routed so as to converge toward the IC mounting region. Since the large number of wirings can be formed in a narrow area by forming the wiring portion 520 having a narrow width, the striped electrode 52 can be formed.
It is advantageous when the number of is increased.

【0054】なお、上記のいずれの形態でも、図11
(a)に示すように、データ線52および配線部分52
0がITO膜(金属酸化膜)から構成されていたが、デ
ータ線52のうち、オーバーコート層45の形成領域4
5a上を通る部分と比較して電極幅が狭くなっている部
分については、図12(b)、(c)、(d)に示すよ
うに、ITO膜などの金属酸化膜と、金属膜Mとの多層
構造になっている構成を採用すれば、電極幅が狭くなっ
ている部分の電気的抵抗を下げることができる。ここ
で、図12(b)に示すデータ線52は、ITO膜など
の金属酸化膜の上層に金属膜Mが積層された構造になっ
ている。図12(c)に示すデータ線52は、ITO膜
などの金属酸化膜の下層に金属膜Mが積層された構造に
なっている。この場合、金属膜Mの下地との密着性が弱
い場合、あるいは、金属膜Mから液晶への不純物の溶出
が問題となる場合には、図12(d)に示すように、I
TO膜などの金属酸化膜、金属膜M、およびITO膜な
どの金属酸化膜をこの順に積層した構造にすればよく、
かつ、金属膜Mよりも上層および下層のITO膜を幅広
に形成して金属膜MをITO膜で完全に覆うすれば、金
属膜Mからの不純物の溶出や密着性の問題を解消するこ
とができる。ここで、金属膜は、銀単体、98%程度の
銀の他に白金(Pt)や銅(Cu)を含む合金、銀−金
−銅合金、銀−ルテニウム−銅合金などを用いることが
できる。
It should be noted that, in any of the above-mentioned forms, FIG.
As shown in (a), the data line 52 and the wiring portion 52
Although 0 is formed of the ITO film (metal oxide film), the formation region 4 of the overcoat layer 45 in the data line 52 is formed.
As shown in FIGS. 12B, 12C, and 12D, a metal oxide film such as an ITO film and a metal film M are provided for the portion where the electrode width is narrower than the portion passing over 5a. If a structure having a multi-layered structure is adopted, it is possible to reduce the electric resistance of the portion where the electrode width is narrow. Here, the data line 52 shown in FIG. 12B has a structure in which the metal film M is laminated on the upper layer of the metal oxide film such as the ITO film. The data line 52 shown in FIG. 12C has a structure in which a metal film M is stacked under a metal oxide film such as an ITO film. In this case, if the adhesion of the metal film M to the base is weak, or if the elution of impurities from the metal film M into the liquid crystal poses a problem, as shown in FIG.
A metal oxide film such as a TO film, a metal film M, and a metal oxide film such as an ITO film may be laminated in this order.
In addition, if the ITO films above and below the metal film M are formed wide to completely cover the metal film M with the ITO film, problems such as elution of impurities from the metal film M and adhesion can be solved. it can. Here, as the metal film, silver alone, an alloy containing platinum (Pt) or copper (Cu) in addition to about 98% silver, a silver-gold-copper alloy, a silver-ruthenium-copper alloy, or the like can be used. .

【0055】また、上記のいずれの形態でも、能動素子
としてTFD素子を用いたアクティブマトリクス方式の
液晶装置1を例に説明したが、基板上にストライプ状に
形成されている電気光学装置であれば、パッシブマトリ
クス方式の液晶装置、あるいはその他の電気光学装置に
本発明を適用してもよいなど、請求の範囲に記載した発
明の範囲内で種々に改変できる。
Further, in any of the above embodiments, the active matrix type liquid crystal device 1 using the TFD element as the active element has been described as an example, but any electro-optical device formed in a stripe shape on the substrate. The present invention may be applied to a passive matrix type liquid crystal device or other electro-optical devices, and various modifications can be made within the scope of the invention described in the claims.

【0056】[電子機器の実施形態]図13は、本発明
に係る液晶装置を各種の電子機器の表示装置として用い
る場合の一実施形態を示している。ここに示す電子機器
は、表示情報出力源70、表示情報処理回路71、電源
回路72、タイミングジェネレータ73、そして液晶装
置74を有する。また、液晶装置74は、液晶表示パネ
ル75及び駆動回路76を有する。液晶装置74および
液晶パネル75としては、前述した液晶装置1および液
晶パネル2を用いることができる。
[Embodiment of Electronic Device] FIG. 13 shows an embodiment in which the liquid crystal device according to the present invention is used as a display device of various electronic devices. The electronic device shown here has a display information output source 70, a display information processing circuit 71, a power supply circuit 72, a timing generator 73, and a liquid crystal device 74. The liquid crystal device 74 also includes a liquid crystal display panel 75 and a drive circuit 76. The liquid crystal device 1 and the liquid crystal panel 2 described above can be used as the liquid crystal device 74 and the liquid crystal panel 75.

【0057】表示情報出力源70は、ROM(Read
Only Memory)、RAM(Random
Access Memory)等といったメモリ、各種
ディスク等といったストレージユニット、デジタル画像
信号を同調出力する同調回路等を備え、タイミングジェ
ネレータ73によって生成された各種のクロック信号に
基づいて、所定フォーマットの画像信号等といった表示
情報を表示情報処理回路71に供給する。
The display information output source 70 is a ROM (Read
Only Memory), RAM (Random)
A memory such as an Access Memory), a storage unit such as various disks, a tuning circuit that tunes and outputs a digital image signal, and the like, and a display such as an image signal of a predetermined format based on various clock signals generated by the timing generator 73. Information is supplied to the display information processing circuit 71.

【0058】表示情報処理回路71は、シリアル−パラ
レル変換回路や、増幅・反転回路、ローテーション回
路、ガンマ補正回路、クランプ回路等といった周知の各
種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、そ
の画像信号をクロック信号CLKと共に駆動回路76へ
供給する。駆動回路76は、図1における走査線駆動回
路57やデータ線駆動回路58、検査回路等を総称した
ものである。また、電源回路72は、各構成要素に所定
の電圧を供給する。
The display information processing circuit 71 is provided with various known circuits such as a serial-parallel conversion circuit, an amplification / inversion circuit, a rotation circuit, a gamma correction circuit, a clamp circuit, etc., and executes processing of input display information. , And supplies the image signal to the drive circuit 76 together with the clock signal CLK. The drive circuit 76 is a general term for the scanning line drive circuit 57, the data line drive circuit 58, the inspection circuit, etc. in FIG. Further, the power supply circuit 72 supplies a predetermined voltage to each component.

【0059】図14は、本発明に係る電子機器の一実施
形態であるモバイル型のパーソナルコンピュータを示し
ている。ここに示すパーソナルコンピュータは、キーボ
ード81を備えた本体部82と、液晶表示ユニット83
とを有する。液晶表示ユニット83は、前述した液晶装
置1を含んで構成される。
FIG. 14 shows a mobile personal computer which is an embodiment of the electronic apparatus according to the present invention. The personal computer shown here includes a main body 82 having a keyboard 81 and a liquid crystal display unit 83.
Have and. The liquid crystal display unit 83 includes the liquid crystal device 1 described above.

【0060】図15は、本発明に係る電子機器の他の実
施形態である携帯電話機を示している。ここに示す携帯
電話機90は、複数の操作ボタン91と液晶装置1を有
している。
FIG. 15 shows a mobile phone which is another embodiment of the electronic apparatus according to the present invention. The mobile phone 90 shown here has a plurality of operation buttons 91 and the liquid crystal device 1.

【0061】[0061]

【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る電気
光学装置では、オーバーコート層などとして形成した絶
縁膜の形成領域と非形成領域との境界に大きな段差が形
成され、この段差上をストライプ状電極が通っている場
合でも、複数のストライプ状電極は、段差上を通る部分
が絶縁膜の形成領域上を通る部分と比較して電極幅が狭
くなっている。このため、ストライプ状電極をパターニ
ング形成するためのレジストマスクを形成するための露
光時に段差に起因する影によって露光異常が起きて、ス
トライプ状電極の間に余計な導電膜が残った場合でも、
段差上でストライプ状電極同士が短絡することがない。
また、ストライプ状電極をパターニング形成するための
ドライエッチングを行った際、段差に起因する影によっ
てエッチング異常が起きて、ストライプ状電極の間に余
計な導電膜が残った場合でも、段差上でストライプ状電
極同士が短絡することがない。それ故、ストライプ状電
極のピッチを狭めることができる。
As described above, in the electro-optical device according to the present invention, a large step is formed at the boundary between the region where the insulating film formed as the overcoat layer and the like is formed and the region where the insulating film is not formed. Even in the case where the striped electrodes pass, the electrode width of the plurality of striped electrodes is narrower than that of the portion passing over the step where the insulating film is formed. Therefore, even when an exposure abnormality occurs due to a shadow caused by a step at the time of exposure for forming a resist mask for patterning the striped electrodes and an extra conductive film remains between the striped electrodes,
There is no short circuit between the striped electrodes on the step.
In addition, when dry etching for patterning the stripe-shaped electrodes is performed, even if an extra conductive film remains between the stripe-shaped electrodes due to etching abnormalities caused by shadows caused by the steps, stripes are formed on the steps. Electrodes do not short-circuit. Therefore, the pitch of the striped electrodes can be narrowed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】液晶装置の電気的構成を模式的に示すブロック
図である。
FIG. 1 is a block diagram schematically showing an electrical configuration of a liquid crystal device.

【図2】(a)、(b)はそれぞれ、液晶パネルにおい
て液晶層を挟持する1対の基板のうち、素子基板におけ
る1画素分の平面図、および図2(a)のI−I′線断
面図である。
2 (a) and 2 (b) are plan views of one pixel in an element substrate among a pair of substrates sandwiching a liquid crystal layer in a liquid crystal panel, and II 'in FIG. 2 (a). It is a line sectional view.

【図3】液晶装置の分解斜視図である。FIG. 3 is an exploded perspective view of a liquid crystal device.

【図4】液晶装置の断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view of a liquid crystal device.

【図5】本発明を適用した液晶装置に用いた対向基板の
平面図である。
FIG. 5 is a plan view of a counter substrate used in a liquid crystal device to which the present invention is applied.

【図6】図5に示す対向基板を図5のA−A′線、B−
B′線、C−C′線、D−D′線で切断したときの断面
図である。
6 is a plan view of the counter substrate shown in FIG.
It is sectional drawing when it cut | disconnects by the B'line, CC 'line, and DD' line.

【図7】(a)、(b)はそれぞれ、図5に示す対向基
板の円Fおよび円Gで囲んだ領域を拡大して示す平面図
である。
7 (a) and 7 (b) are enlarged plan views showing regions surrounded by circles F and G of the counter substrate shown in FIG. 5, respectively.

【図8】本発明を適用した液晶装置の製造方法を示す工
程図である。
FIG. 8 is a process drawing showing the method of manufacturing a liquid crystal device to which the present invention is applied.

【図9】(a)〜(d)はそれぞれ、図5に示す対向基
板の製造方法を示す工程断面図である。
9A to 9D are process cross-sectional views showing a method of manufacturing the counter substrate shown in FIG.

【図10】(a)〜(c)はそれぞれ、図5に示す対向
基板の製造工程のうち、図9に示す工程に続いて行う各
工程の工程断面図である。
10A to 10C are process cross-sectional views of each process performed subsequent to the process shown in FIG. 9 in the process of manufacturing the counter substrate shown in FIG.

【図11】(a)、(b)はそれぞれ、本発明を適用し
た液晶装置に用いた別の対向基板において、図5の円F
および円Gに相当する位置を拡大して示す平面図であ
る。
11A and 11B are circles F of FIG. 5, respectively, in another counter substrate used in the liquid crystal device to which the present invention is applied.
3 is a plan view showing an enlarged position corresponding to a circle G. FIG.

【図12】(a)〜(d)はそれぞれ、本発明を適用し
た液晶装置に用いた各対向基板においてデータ線の構成
を示す断面図である。
12A to 12D are cross-sectional views each showing a configuration of a data line in each counter substrate used in the liquid crystal device to which the present invention is applied.

【図13】本発明に係る液晶装置を用いた各種電子機器
の構成を示すブロック図である。
FIG. 13 is a block diagram showing a configuration of various electronic devices using the liquid crystal device according to the present invention.

【図14】本発明に係る液晶装置を用いた電子機器の一
実施形態としてのモバイル型のパーソナルコンピュータ
を示す説明図である。
FIG. 14 is an explanatory diagram showing a mobile personal computer as an embodiment of an electronic apparatus using the liquid crystal device according to the present invention.

【図15】本発明に係る液晶装置を用いた電子機器の一
実施形態としての携帯電話機の説明図である。
FIG. 15 is an explanatory diagram of a mobile phone as an embodiment of an electronic device using the liquid crystal device according to the invention.

【図16】従来の液晶装置に用いた対向基板の平面図で
ある。
FIG. 16 is a plan view of a counter substrate used in a conventional liquid crystal device.

【図17】図16に示す対向基板を図16のA−A′
線、B−B′線、C−C′線、D−D′線で切断したと
きの断面図である。
17 is a plan view of the counter substrate shown in FIG. 16 taken along the line AA ′ in FIG.
It is sectional drawing when it cut | disconnects by the line, BB 'line, CC' line, and DD 'line.

【図18】(a)、(b)はそれぞれ、図16に示す対
向基板の円Fおよび円Gで囲んだ領域を拡大して示す平
面図である。
18 (a) and 18 (b) are enlarged plan views showing regions surrounded by circles F and G of the counter substrate shown in FIG. 16, respectively.

【図19】図16に示す対向基板の製造方法を示す工程
断面図である。
FIG. 19 is a process cross-sectional view showing the method of manufacturing the counter substrate shown in FIG. 16.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 液晶装置(電気光学装置) 2 液晶パネル 6 シール材 7a 素子基板 8a、8b 液晶駆動用IC 17a 素子基板を構成する基板 17b 対向基板を構成する透明基板 40R、40G、40B カラーフィルタ 43、44 遮光膜 45 オーバーコート層(絶縁膜) 45a オーバーコート層の形成領域 45b オーバーコート層の非形成領域 51 走査線 52 データ線(ストライプ状電極) 52′ ITO膜 52″ 余計なITO膜 53 画素 54 液晶層 56 TFD素子 57 走査線駆動回路 58 データ線駆動回路 66 画素電極 450 段差 520 配線部分 525 括れ部分 600 フォトレジスト 601 レジストマスク 610 露光マスク 601′ 余計なレジストマスク 1 Liquid crystal device (electro-optical device) 2 LCD panel 6 sealing material 7a element substrate 8a, 8b Liquid crystal driving IC 17a Substrate constituting element substrate 17b Transparent substrate forming counter substrate 40R, 40G, 40B color filter 43, 44 Light-shielding film 45 Overcoat layer (insulating film) 45a Overcoat layer forming area 45b Overcoat layer non-formed area 51 scan lines 52 data lines (striped electrodes) 52 'ITO film 52 ″ extra ITO film 53 pixels 54 Liquid crystal layer 56 TFD element 57 Scan line drive circuit 58 data line drive circuit 66 pixel electrodes 450 steps 520 wiring part 525 Constricted part 600 photoresist 601 resist mask 610 exposure mask 601 'Extra resist mask

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 電気光学物質を保持する第1の基板上の
所定領域に絶縁膜が形成されているとともに、該絶縁膜
の上層側では当該絶縁膜の形成領域および非形成領域の
双方に跨って複数のストライプ状電極が並列に延びてい
る電気光学装置において、 前記ストライプ状電極の下層側には、前記絶縁膜の形成
領域と非形成領域との境界に相当する部分に段差が形成
され、 前記複数のストライプ状電極は、前記段差上を通る部分
が前記絶縁膜の形成領域上を通る部分と比較して電極幅
が狭くなっていることを特徴とする電気光学装置。
1. An insulating film is formed in a predetermined region on a first substrate holding an electro-optical material, and an upper layer side of the insulating film extends over both a region where the insulating film is formed and a region where the insulating film is not formed. In the electro-optical device in which a plurality of striped electrodes extend in parallel, a step is formed on a lower layer side of the striped electrode at a portion corresponding to a boundary between a region where the insulating film is formed and a region where the insulating film is not formed, The electro-optical device according to claim 1, wherein the plurality of striped electrodes have a narrower electrode width in a portion passing over the step than in a portion passing over the insulating film formation region.
【請求項2】 請求項1において、前記複数のストライ
プ状電極のうち、前記段差上を通る部分は、前記絶縁膜
の形成領域上を通る部分、および前記絶縁膜の非形成領
域上を通る部分の双方と比較して幅が狭い括れ部分にな
っていることを特徴とする電気光学装置。
2. The portion of the plurality of striped electrodes, which passes over the step, passes over the insulating film forming region and over the insulating film non-forming region. An electro-optical device having a narrowed portion that is narrower than both of the above.
【請求項3】 請求項1において、前記複数のストライ
プ状電極のうち、前記段差上を通る部分および前記絶縁
膜の非形成領域上を通る部分が、前記絶縁膜の形成領域
上を通る部分と比較して幅が狭くなっていることを特徴
とする電気光学装置。
3. The insulating film according to claim 1, wherein a portion of the plurality of striped electrodes that passes over the step and a portion that passes over a region where the insulating film is not formed pass through a region where the insulating film is formed. An electro-optical device characterized by being narrower in width.
【請求項4】 請求項1ないし3のいずれかにおいて、
前記絶縁膜は、該絶縁膜の下層側に形成されたカラーフ
ィルタによって形成された凹凸を平坦化するためのオー
バーコート膜であることを特徴とする電気光学装置。
4. The method according to any one of claims 1 to 3,
The electro-optical device, wherein the insulating film is an overcoat film for flattening unevenness formed by a color filter formed on the lower side of the insulating film.
【請求項5】 請求項1ないし4のいずれかにおいて、
前記ストライプ状電極は、スパッタ形成した導電膜をフ
ォトリソグラフィ技術を用いてパターニングしてなるこ
とを特徴とする電気光学装置。
5. The method according to any one of claims 1 to 4,
The electro-optical device characterized in that the striped electrode is formed by patterning a conductive film formed by sputtering using a photolithography technique.
【請求項6】 請求項5において、前記ストライプ状電
極は、導電性の金属酸化膜から構成されていることを特
徴とする電気光学装置。
6. The electro-optical device according to claim 5, wherein the striped electrode is formed of a conductive metal oxide film.
【請求項7】 請求項6において、前記ストライプ状電
極は、ITO膜から構成されていることを特徴とする電
気光学装置。
7. The electro-optical device according to claim 6, wherein the striped electrode is formed of an ITO film.
【請求項8】 請求項6または7において、前記ストラ
イプ状電極のうち、前記絶縁膜の形成領域上を通る部分
と比較して電極幅が狭くなっている部分は、前記金属酸
化膜と金属膜との多層構造になっていることを特徴とす
る電気光学装置。
8. The metal oxide film and the metal film according to claim 6, wherein a portion of the stripe-shaped electrode having a narrower electrode width than a portion passing over the formation region of the insulating film is formed. And an electro-optical device having a multilayer structure.
【請求項9】 請求項1ないし8のいずれかにおいて、
前記第1の基板と、該第1の基板とシール材を介して貼
り合わされた第2の基板との間には、前記シール材で囲
まれた領域に前記電気光学物質としての液晶が保持され
ていることを特徴とする電気光学装置。
9. The method according to claim 1, wherein
Liquid crystal as the electro-optical substance is held in the region surrounded by the sealing material between the first substrate and the second substrate bonded to the first substrate via the sealing material. An electro-optical device characterized in that
【請求項10】 請求項1ないし9のいずれかに規定す
る電気光学装置を表示部として備えていることを特徴と
する電子機器。
10. An electronic apparatus comprising the electro-optical device according to claim 1 as a display unit.
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