JP2001305996A - Substrate for display device and method for manufacturing the same, as well as liquid crystal device and electronic apparatus - Google Patents

Substrate for display device and method for manufacturing the same, as well as liquid crystal device and electronic apparatus

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JP2001305996A
JP2001305996A JP2001016190A JP2001016190A JP2001305996A JP 2001305996 A JP2001305996 A JP 2001305996A JP 2001016190 A JP2001016190 A JP 2001016190A JP 2001016190 A JP2001016190 A JP 2001016190A JP 2001305996 A JP2001305996 A JP 2001305996A
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transparent conductive
display
conductive layer
liquid crystal
substrate
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Japanese (ja)
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Shoji Hiuga
章二 日向
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a panel substrate which is low in electric resistance in wiring and is high in the light transmittance of electrodes for display, and a liquid crystal device using the same. SOLUTION: The panel substrate 30 has a substrate 31, the plural electrodes 32 for display which are formed in parallel on the substrate 31 and a plurality of wiring 34 which are formed on the substrate 31 and are continuous with the electrodes 32 for display. The electrodes 32 for display and the wiring 34 have two-layered structures consisting of a transparent conductive layer 70 and a metallic layer 72. The width of the metallic layer 72 of the electrodes 32 for display is much narrower than the width of the transparent conductive layer 70.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、表示装置に用いら
れる表示装置用基板、該表示装置用基板の製造方法、該
表示装置用基板を用いた液晶装置及び該液晶装置を用い
た電子機器に関する。
The present invention relates to a display device substrate used for a display device, a method of manufacturing the display device substrate, a liquid crystal device using the display device substrate, and an electronic device using the liquid crystal device. .

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に、単純マトリクス型の液晶装置
は、複数の並行する表示用電極とそれぞれの表示用電極
に導電接続されて電圧を印加するための配線とが基板上
に形成されて成る2枚のパネル基板を、それぞれの基板
上の表示用電極が互いに格子状を成して対向するように
配置して形成される。
2. Description of the Related Art In general, a simple matrix type liquid crystal device comprises a plurality of parallel display electrodes and wirings which are conductively connected to the respective display electrodes and apply a voltage, are formed on a substrate. One panel substrate is formed by arranging display electrodes on each substrate so as to face each other in a grid pattern.

【0003】また、個々の画素に付属させて薄膜ダイオ
ード(Thin Film Diode:TFD)を形成する構造のア
クティブマトリクス型液晶装置は、一対の基板である素
子基板及び対向基板を互いに対向させて配置することに
よって形成される。この場合、上記素子基板上には、T
FDと、このTFDに接続される配線と、表示用電極と
しての画素電極とが形成される。また、上記対向基板上
には、複数の並行する表示用電極と、それぞれの表示用
電極に導電接続されて電圧を印加するための配線とが形
成される。これらの素子基板及び対向基板は、素子基板
上の画素電極と対向基板上の表示用電極とが重なるよう
に対向して配置される。
In an active matrix type liquid crystal device having a structure in which a thin film diode (TFD) is formed so as to be attached to each pixel, an element substrate and a counter substrate, which are a pair of substrates, are arranged to face each other. Formed by In this case, T
An FD, a wiring connected to the TFD, and a pixel electrode as a display electrode are formed. Further, on the counter substrate, a plurality of parallel display electrodes and wirings that are conductively connected to the respective display electrodes and apply a voltage are formed. The element substrate and the counter substrate are arranged to face each other such that the pixel electrode on the element substrate and the display electrode on the counter substrate overlap.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】上記従来の液晶装置に
おいては、表示の高精細化や、表示領域以外の領域を極
力小さくするという、いわゆる狭額縁化に伴って、表示
用電極に連続する配線が特に微細化する傾向がある。最
近では、このように配線が微細化することに伴った、配
線の抵抗が増加し、駆動回路から印加された電圧の配線
における電圧降下が無視できないものとなってきてい
る。
In the above-mentioned conventional liquid crystal device, the wiring connected to the display electrode has been increased in accordance with the so-called narrowing of the frame, in which the display is made finer and the area other than the display area is made as small as possible. Has a tendency to be particularly fine. In recent years, with the miniaturization of the wiring, the resistance of the wiring has increased, and the voltage drop of the voltage applied from the drive circuit in the wiring cannot be ignored.

【0005】また、単純マトリクス型の液晶装置におい
ては、STN(Super Twisted Nematic)型液晶を用い
ることが多いが、このような液晶装置における表示は、
微妙な駆動電圧の変化によって特に影響を受けやすい。
また、配線は、表示用電極に導電接続されて連続的に形
成されており、通常は、表示用電極に用いられる透明導
電膜例えばITO(Indium Tin Oxide)膜から成り、表
示用電極と同時に形成される。その結果、表示用電極と
配線とは、通常、ほぼ等しい膜厚の透明導電膜となる。
In a simple matrix type liquid crystal device, an STN (Super Twisted Nematic) type liquid crystal is often used.
It is particularly susceptible to subtle changes in drive voltage.
Further, the wiring is continuously formed by being conductively connected to the display electrode, and is usually formed of a transparent conductive film, for example, an ITO (Indium Tin Oxide) film used for the display electrode, and is formed simultaneously with the display electrode. Is done. As a result, the display electrode and the wiring usually become a transparent conductive film having substantially the same thickness.

【0006】ところで、配線は、上述したように微細化
により線幅が細くなって来ているが、その配線の経路に
おける抵抗を小さくするために、透明導電膜の膜厚を厚
くすることが考えられる。しかしながら、配線の膜厚を
厚くするには、膜形成に要する時間が増加してしまう。
また、配線の膜厚を増加させると、同時に形成される表
示用電極の膜厚も厚くなってしまうため、表示用電極の
光透過率が低下してしまう。
[0006] By the way, as described above, the line width of a wiring has been reduced due to miniaturization, but in order to reduce the resistance in the path of the wiring, it is conceivable to increase the thickness of the transparent conductive film. Can be However, increasing the thickness of the wiring increases the time required for film formation.
Further, when the thickness of the wiring is increased, the thickness of the display electrode formed at the same time increases, so that the light transmittance of the display electrode decreases.

【0007】本発明は、上記の問題点に鑑みて成された
ものであって、表示装置用基板において、配線における
電気抵抗を低下させること、表示用電極の光透過率を増
加させること、そして表示用電極及び配線の形成に要す
る時間を短縮することのうちの少なくとも1つを達成す
ることを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and it is an object of the present invention to reduce the electric resistance of wiring in a display device substrate, increase the light transmittance of a display electrode, and An object of the present invention is to achieve at least one of reducing time required for forming a display electrode and a wiring.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】(1)本発明に係る表示
装置用基板は、複数の表示用電極と、前記複数の表示用
電極に電圧を印加するための複数の配線とを備える表示
装置用基板において、前記配線は、前記表示用電極と同
一層の透明な導電層から成る透明導電層と、前記透明導
電層より低抵抗の金属から成る金属層との積層構造を有
することを特徴とする。
(1) A display device substrate according to the present invention includes a plurality of display electrodes and a plurality of wirings for applying a voltage to the plurality of display electrodes. Wherein the wiring has a laminated structure of a transparent conductive layer made of the same layer of a transparent conductive layer as the display electrode, and a metal layer made of a metal having a lower resistance than the transparent conductive layer. I do.

【0009】上記構成の表示装置用基板は、配線を透明
導電層と金属層との積層構造としているため、配線を透
明導電層のみで形成する場合に比べ、配線の電気抵抗を
低下させることができる。従って、本表示装置用基板を
用いた液晶装置は、配線における電圧降下のために表示
品質が低下する可能性が低い。
In the display device substrate having the above structure, the wiring has a laminated structure of a transparent conductive layer and a metal layer. Therefore, the electric resistance of the wiring can be reduced as compared with the case where the wiring is formed only of the transparent conductive layer. it can. Therefore, a liquid crystal device using the present display device substrate is less likely to deteriorate display quality due to a voltage drop in wiring.

【0010】また、配線の電気抵抗を小さくするために
透明導電層の膜厚を厚くする必要がないため、配線の透
明導電層と同時に形成されることが多い表示用電極の透
明導電層における膜厚が必要以上に厚くなることがな
い。従って、透明導電層を厚くすることのみによって配
線の電気抵抗を小さくする場合に比べ、表示用電極の光
透過率を高くすることができる。
Further, since it is not necessary to increase the thickness of the transparent conductive layer in order to reduce the electric resistance of the wiring, the film in the transparent conductive layer of the display electrode, which is often formed simultaneously with the transparent conductive layer of the wiring. The thickness is not increased more than necessary. Therefore, the light transmittance of the display electrode can be increased as compared with the case where the electric resistance of the wiring is reduced only by increasing the thickness of the transparent conductive layer.

【0011】さらに、透明導電層を厚くすることのみに
よって配線の電気抵抗を小さくする場合に比べ、表示用
電極及び配線に用いられている透明導電層の厚さを薄く
できるため、表示装置用基板の形成に要する時間を短縮
することができる。
Furthermore, the thickness of the transparent conductive layer used for the display electrode and the wiring can be reduced as compared with the case where the electric resistance of the wiring is reduced only by increasing the thickness of the transparent conductive layer. Can be reduced in time required for the formation.

【0012】(2)上記(1)項に記載した構成の表示
装置用基板において、前記表示用電極は、透明な導電層
から成る透明導電層と、前記透明導電層より低抵抗の金
属から成る金属層との積層構造を有することできる。
(2) In the display device substrate having the configuration described in the above item (1), the display electrode is made of a transparent conductive layer made of a transparent conductive layer and a metal having a lower resistance than the transparent conductive layer. It can have a laminated structure with a metal layer.

【0013】このように、表示用電極を透明導電層と金
属層との積層構造とすれば、透明導電層のみで形成する
場合に比べ、表示用電極の電気抵抗を低下させることが
できる。また、表示用電極の電気抵抗を小さくするため
に透明導電層の膜厚を厚くする必要がないため、表示用
電極の光透過率を高くすることができる。
As described above, when the display electrode has a laminated structure of the transparent conductive layer and the metal layer, the electric resistance of the display electrode can be reduced as compared with the case where the display electrode is formed only of the transparent conductive layer. Further, since it is not necessary to increase the thickness of the transparent conductive layer in order to reduce the electric resistance of the display electrode, the light transmittance of the display electrode can be increased.

【0014】(3)上記(2)項に記載した構成の表示
装置用基板において、前記表示用電極における前記金属
層は、前記透明導電層の幅に比べて幅が狭いことが望ま
しい。こうすれば、表示の明るさを殆ど低下させること
なく、表示用電極の電気抵抗を低下させることができ
る。
(3) In the display device substrate having the configuration described in the above item (2), it is desirable that the metal layer in the display electrode is narrower than the transparent conductive layer. In this case, the electric resistance of the display electrode can be reduced without substantially reducing the brightness of the display.

【0015】(4)上記(1)項又は上記(2)項に記
載した構成の表示用基板において、前記表示用電極は、
前記透明導電層と前記金属層との積層構造を有すること
ができ、この場合、当該積層構造の部分において前記金
属層は部分的に開口を有することができる。
(4) In the display substrate having the configuration described in the above item (1) or (2), the display electrode is
The metal layer may have a laminated structure of the transparent conductive layer and the metal layer. In this case, the metal layer may partially have an opening in a portion of the laminated structure.

【0016】本構成の表示装置用基板を、液晶装置を構
成する一対の基板のうち背面側の基板として用いれば、
表示用電極の開口部を光が通過し、一方、表示用電極の
金属層の部分で光が反射するため、半透過反射型の液晶
装置を形成することができる。また、金属層の開口部に
おいても透明導電層で形成された表示用電極が存在する
ことになるため、開口部に対応する領域において液晶に
印加される電界が乱れることがない。
If the substrate for a display device of this configuration is used as a rear substrate of a pair of substrates constituting a liquid crystal device,
Since light passes through the opening of the display electrode and is reflected by the metal layer portion of the display electrode, a transflective liquid crystal device can be formed. Further, since the display electrode formed of the transparent conductive layer exists in the opening of the metal layer, the electric field applied to the liquid crystal in the region corresponding to the opening does not disturb.

【0017】(5)上記(1)項から上記(4)項に記
載の表示装置用基板において、前記配線は、前記表示用
電極の端部から前記基板の周縁に沿って引き回される配
線とすることができる。配線は、一般に、基板の周縁部
の額縁領域を引き回されるために配線距離が長くなるの
で、本発明のように透明導電層と金属層との積層構造に
よって配線を形成すれば、配線抵抗を下げることに関し
て特に効果が大きい。
(5) In the display device substrate according to any one of (1) to (4), the wiring is a wiring routed from an end of the display electrode along a periphery of the substrate. It can be. In general, the wiring is extended around the frame region of the peripheral portion of the substrate, so that the wiring distance becomes long. Therefore, if the wiring is formed by the laminated structure of the transparent conductive layer and the metal layer as in the present invention, the wiring resistance is reduced The effect is particularly great with regard to lowering the pressure.

【0018】(6)次に、本発明に係る液晶装置は、一
対の基板間に液晶を挟持して成る液晶装置であって、上
記(1)項から上記(5)に記載した構成の表示装置用
基板を前記一対の基板の少なくとも一方に用いて成るこ
とを特徴とする。この構成の液晶装置によれば、配線が
透明導電層と金属層との積層構造を有するので、透明導
電層のみで配線を形成する場合に比べ、配線の電気抵抗
を低下させることができる。従って、配線における電圧
降下のために表示品質が低下する可能性が低い。
(6) Next, a liquid crystal device according to the present invention is a liquid crystal device in which liquid crystal is sandwiched between a pair of substrates, and has a configuration described in the above (1) to (5). The device substrate is used as at least one of the pair of substrates. According to the liquid crystal device having this configuration, since the wiring has a laminated structure of the transparent conductive layer and the metal layer, the electric resistance of the wiring can be reduced as compared with the case where the wiring is formed only with the transparent conductive layer. Therefore, the possibility that the display quality is deteriorated due to the voltage drop in the wiring is low.

【0019】また、配線の電気抵抗を小さくするために
透明導電層の膜厚を厚くする必要がないため、同時に形
成されることが多い表示用電極の透明導電層における膜
厚が必要以上に厚くなることがない。従って、透明導電
層を厚くすることのみによって配線の電気抵抗を小さく
する場合に比べ、表示用電極の光透過率が高い。
Further, since it is not necessary to increase the thickness of the transparent conductive layer in order to reduce the electric resistance of the wiring, the thickness of the transparent conductive layer of the display electrode, which is often formed simultaneously, is unnecessarily thick. Never be. Therefore, the light transmittance of the display electrode is higher than when the electric resistance of the wiring is reduced only by increasing the thickness of the transparent conductive layer.

【0020】さらに、透明導電層を厚くすることのみに
よって配線の電気抵抗を小さくする場合に比べ、表示用
電極及び配線に用いられている透明導電層の厚さが薄い
ため、透明導電層の形成に要する時間を短縮することが
できる。
Further, since the thickness of the transparent conductive layer used for the display electrode and the wiring is smaller than the case where the electric resistance of the wiring is reduced only by increasing the thickness of the transparent conductive layer, the formation of the transparent conductive layer is performed. Can be shortened.

【0021】(7)次に、本発明に係る液晶装置は、上
記(4)項に記載した構成の表示装置用基板と、これに
対向する対向基板との間に液晶層を挟持して成り、前記
金属層の開口部を光透過部として用いた透過型表示機能
と前記金属層の部分を光反射部として用いた反射型表示
機能とを有することを特徴とする。
(7) Next, the liquid crystal device according to the present invention is constituted by sandwiching a liquid crystal layer between the display device substrate having the structure described in the above item (4) and an opposing substrate opposed thereto. A transmission type display function using an opening of the metal layer as a light transmission part and a reflection type display function using a part of the metal layer as a light reflection part.

【0022】この構成の液晶装置は、配線を透明導電層
と金属層との積層構造としているため、透明導電層のみ
で配線を形成する場合に比べて、配線の電気抵抗を低下
させることができる。従って、配線における電圧降下の
ために表示品質が低下する可能性が低い。
In the liquid crystal device having this configuration, since the wiring has a laminated structure of a transparent conductive layer and a metal layer, the electric resistance of the wiring can be reduced as compared with the case where the wiring is formed only by the transparent conductive layer. . Therefore, the possibility that the display quality is deteriorated due to the voltage drop in the wiring is low.

【0023】また、配線の電気抵抗を小さくするために
透明導電層の膜厚を厚くする必要がないため、同時に形
成されることが多い表示用電極の透明導電層における膜
厚が必要以上に厚くなることがない。従って、透明導電
層を厚くすることのみによって配線の電気抵抗を小さく
する場合に比べ、表示用電極の光透過率が高い。
Further, since it is not necessary to increase the thickness of the transparent conductive layer in order to reduce the electric resistance of the wiring, the thickness of the transparent conductive layer of the display electrode, which is often formed simultaneously, is unnecessarily thick. Never be. Therefore, the light transmittance of the display electrode is higher than when the electric resistance of the wiring is reduced only by increasing the thickness of the transparent conductive layer.

【0024】さらに、透明導電層を厚くすることのみに
よって配線の電気抵抗を小さくする場合に比べ、表示用
電極及び配線に用いられている透明導電層の厚さが薄い
ため、透明導電層の形成に要する時間を短縮することが
できる。
Furthermore, the thickness of the transparent conductive layer used for the display electrode and the wiring is smaller than the case where the electric resistance of the wiring is reduced only by increasing the thickness of the transparent conductive layer. Can be shortened.

【0025】(8)次に、本発明に係る電子機器は、上
記(6)項又は上記(7)項に記載した構成の液晶装置
を表示手段として有することを特徴とする。この構成の
電子機器によれば、表示装置について前述した作用効果
を有し、表示品質の高い表示手段を備えた電子機器が得
られる。
(8) Next, an electronic apparatus according to the present invention is characterized in that it has a liquid crystal device having the constitution described in the above item (6) or (7) as a display means. According to the electronic device having this configuration, it is possible to obtain an electronic device that has the above-described functions and effects of the display device and includes a display unit with high display quality.

【0026】(9)次に、本発明に係る表示装置用基板
の製造方法は、上記(1)項から上記(5)項のいずれ
かに記載した表示装置用基板の製造方法であって、前記
透明導電層を前記基板上に形成する透明導電層形成工程
と、前記透明導電層上に金属層を積層する金属層積層工
程と、前記透明導電層及び前記金属層を同時にエッチン
グするエッチング工程とを有することを特徴とする。
(9) Next, a method of manufacturing a display device substrate according to the present invention is the method of manufacturing a display device substrate according to any one of the above items (1) to (5), A transparent conductive layer forming step of forming the transparent conductive layer on the substrate, a metal layer stacking step of stacking a metal layer on the transparent conductive layer, and an etching step of simultaneously etching the transparent conductive layer and the metal layer; It is characterized by having.

【0027】この構成の製造方法によれば、透明導電層
と金属層とを積層し、それらを1回のエッチングによっ
てパターニングして配線を形成できる。
According to the manufacturing method of this configuration, the wiring can be formed by laminating the transparent conductive layer and the metal layer and patterning them by one etching.

【0028】(10)次に、本発明に係る表示装置用基
板の製造方法は、上記(1)項から上記(5)項のいず
れかに記載した表示装置用基板の製造方法であって、前
記透明導電層を前記基板上に形成する透明導電層形成工
程と、前記透明導電層上に金属層を積層する金属層積層
工程と、第1フォトレジスト膜を用いて前記透明導電層
及び前記金属層を同時にエッチングしてパターニングす
る第1エッチング工程と、前記第1フォトレジスト膜の
露光及び現像を行って所定パターンの第2フォトレジス
ト膜を形成し、前記第2フォトレジスト膜を用いて前記
金属層のみをエッチングしてパターニングする第2エッ
チング工程とを有することを特徴とする。
(10) Next, a method of manufacturing a display device substrate according to the present invention is the method of manufacturing a display device substrate according to any one of the above items (1) to (5), A transparent conductive layer forming step of forming the transparent conductive layer on the substrate, a metal layer laminating step of laminating a metal layer on the transparent conductive layer, and the transparent conductive layer and the metal layer using a first photoresist film. A first etching step of simultaneously etching and patterning the layers, and exposing and developing the first photoresist film to form a second photoresist film having a predetermined pattern, and using the second photoresist film to form the metal And a second etching step of patterning by etching only the layer.

【0029】この構成の製造方法によれば、第1エッチ
ング工程に用いた所定パターンの第1フォトレジスト膜
を露光及び現像することによって形成した第2フォトレ
ジスト膜を用いて、第2エッチング工程によって表示用
電極となる部分の金属層を一部残してエッチングした
後、フォトレジスト膜を除去することによって透明導電
層と金属層とを積層した部分と透明導電層のみの部分と
を備えた表示用電極及び配線のパターンを形成できる。
According to the manufacturing method having the above structure, the second photoresist film formed by exposing and developing the first photoresist film having the predetermined pattern used in the first etching process is used. After etching while leaving a part of the metal layer of the part to be the display electrode, the photoresist film is removed to form a display having a part where the transparent conductive layer and the metal layer are laminated and a part having only the transparent conductive layer. Electrode and wiring patterns can be formed.

【0030】このような工程によれば、フォトレジスト
膜の塗布及び除去は1回ずつ実施するのみで、金属層と
透明導電層を部分的に積層したパターンを形成すること
ができる。これは、透明導電層及び金属層を別々にパタ
ーニングする場合にはフォトレジスト膜の塗布とフォト
レジスト膜の除去がそれぞれ2回必要となることに比べ
ると、大幅な工程数の削減となる。また、透明導電層と
金属層とを積層し、それらを1回のエッチングによって
パターニングして配線を形成できる。
According to such a process, a pattern in which a metal layer and a transparent conductive layer are partially laminated can be formed only by applying and removing the photoresist film once. This greatly reduces the number of steps as compared with the case where the application of the photoresist film and the removal of the photoresist film are each required twice when the transparent conductive layer and the metal layer are separately patterned. In addition, a wiring can be formed by laminating a transparent conductive layer and a metal layer and patterning them by a single etching.

【0031】(11)上記(10)項に記載した表示装
置用基板の製造方法において、前記表示用電極における
前記金属層は、前記第2エッチング工程によって前記透
明導電層の端部上のみに残されるようにエッチングされ
ることを特徴とする。この構成の製造方法によれば、表
示の明るさを殆ど低下させることなく、電気抵抗を低下
させた表示用電極を大幅に工程数を削減してパターニン
グすることができる。
(11) In the method of manufacturing a substrate for a display device according to the above mode (10), the metal layer in the display electrode is left only on an end of the transparent conductive layer by the second etching step. It is characterized by being etched so that According to the manufacturing method having this configuration, it is possible to pattern the display electrode whose electric resistance has been reduced by substantially reducing the number of steps without substantially reducing the brightness of the display.

【0032】(12)上記(10)項に記載した表示装
置用基板の製造方法において、前記表示用電極における
前記金属層は、前記第2エッチング工程によって前記透
明導電層上に開口部を有するようにエッチングされるこ
とを特徴とする。この構成の製造方法によれば、上記
(4)項に記載した作用効果を有する表示装置用基板を
少ない工程数で製造できる。
(12) In the method for manufacturing a display device substrate according to the above mode (10), the metal layer in the display electrode may have an opening on the transparent conductive layer by the second etching step. Is characterized by being etched. According to the manufacturing method having this configuration, the display device substrate having the operation and effect described in the above item (4) can be manufactured with a small number of steps.

【0033】(13) 次に、本発明に係る液晶装置
は、一対の表示装置用基板間に液晶を挟持して成る液晶
装置であって、一方の表示装置用基板は、複数の画素電
極と、該画素電極の個々に付属して形成された複数の2
端子型スイッチング素子とを有し、他方の表示装置用基
板は、前記複数の画素電極に対向してストライプ状に配
列される複数の表示用電極と、該表示用電極につながる
配線とを有し、前記複数の表示用電極は透明な導電層を
含み、前記配線は、前記表示用電極と同一層の透明な導
電層から成る透明導電層と、前記透明導電層より低抵抗
の金属から成る金属層との積層構造を有することを特徴
とする。ここで、上記2端子側スイッチング素子として
は、例えばTFD(Thin Film Diode)を用いることが
できる。
(13) Next, the liquid crystal device according to the present invention is a liquid crystal device in which liquid crystal is sandwiched between a pair of display device substrates. One of the display device substrates has a plurality of pixel electrodes and , A plurality of 2 formed in association with each of the pixel electrodes.
A terminal-type switching element, and the other display device substrate has a plurality of display electrodes arranged in a stripe shape facing the plurality of pixel electrodes, and a wiring connected to the display electrode. The plurality of display electrodes include a transparent conductive layer, and the wiring includes a transparent conductive layer formed of the same transparent conductive layer as the display electrode, and a metal formed of a metal having a lower resistance than the transparent conductive layer. It has a laminated structure with layers. Here, as the two-terminal switching element, for example, a TFD (Thin Film Diode) can be used.

【0034】(14) 次に、本発明に係る液晶装置
は、一対の表示装置用基板間に液晶を挟持して成る液晶
装置であって、一方の表示装置用基板は、複数の画素電
極と、該画素電極の個々に付属して形成された複数の3
端子型スイッチング素子とを有し、他方の表示装置用基
板は、前記複数の画素電極に対向してストライプ状に配
列される複数の表示用電極と、該表示用電極につながる
配線とを有し、前記複数の表示用電極は透明な導電層を
含み、前記配線は、前記表示用電極と同一層の透明な導
電層から成る透明導電層と、前記透明導電層より低抵抗
の金属から成る金属層との積層構造を有することを特徴
とする。ここで、上記3端子側スイッチング素子として
は、例えばTFT(Thin Film Transistor)を用いるこ
とができる。
(14) Next, the liquid crystal device according to the present invention is a liquid crystal device in which liquid crystal is sandwiched between a pair of display device substrates. One of the display device substrates has a plurality of pixel electrodes and a plurality of pixel electrodes. , A plurality of 3s formed in association with each of the pixel electrodes.
A terminal-type switching element, and the other display device substrate has a plurality of display electrodes arranged in a stripe shape facing the plurality of pixel electrodes, and a wiring connected to the display electrode. The plurality of display electrodes include a transparent conductive layer, and the wiring includes a transparent conductive layer formed of the same transparent conductive layer as the display electrode, and a metal formed of a metal having a lower resistance than the transparent conductive layer. It has a laminated structure with layers. Here, as the three-terminal switching element, for example, a TFT (Thin Film Transistor) can be used.

【0035】[0035]

【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施形態に
ついて、図面を参照しながら、さらに具体的に説明す
る。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of the present invention will be described below more specifically with reference to the drawings.

【0036】(第1実施形態)図1は、本発明に係る表
示装置としての液晶装置10を模式的に示す分解斜視図
である。また、図2は、図1に示す液晶装置10の断面
構造を模式的に示す断面図である。これらの図に示すよ
うに、液晶装置10は、表示パネルとしての液晶パネル
14と、液晶パネル14の背面側に配置される導光板4
4を有するバックライトユニット40とを有る。また、
液晶装置10は、液晶パネル14とバックライトユニッ
ト40とを保護して所定の位置関係に保つ枠部材(図示
せず)を有する。
(First Embodiment) FIG. 1 is an exploded perspective view schematically showing a liquid crystal device 10 as a display device according to the present invention. FIG. 2 is a sectional view schematically showing a sectional structure of the liquid crystal device 10 shown in FIG. As shown in these drawings, the liquid crystal device 10 includes a liquid crystal panel 14 as a display panel and a light guide plate 4 disposed on the back side of the liquid crystal panel 14.
4 having a backlight unit 40. Also,
The liquid crystal device 10 has a frame member (not shown) that protects the liquid crystal panel 14 and the backlight unit 40 and maintains a predetermined positional relationship.

【0037】図2において、液晶パネル14は、第1パ
ネル基板20と第2パネル基板30とを互いに対向して
配置させることによって形成されており、それらのパネ
ル基板はそれらの間に分布させたスペーサ(図示せず)
等によって互いに所定間隔離れて対向する。第1パネル
基板20は、ガラス、合成樹脂等といった透明材料から
成る基板21の片面上にストライプ状の表示用電極22
を形成して成る表示面側の表示装置用基板として作用す
る。
In FIG. 2, the liquid crystal panel 14 is formed by arranging a first panel substrate 20 and a second panel substrate 30 so as to face each other, and these panel substrates are distributed between them. Spacer (not shown)
They are opposed to each other at a predetermined interval by the like. The first panel substrate 20 has a stripe-shaped display electrode 22 on one surface of a substrate 21 made of a transparent material such as glass or synthetic resin.
Formed as a substrate for a display device on the display surface side.

【0038】また、第2パネル基板30は、ガラス、合
成樹脂等といった透明材料から成る基板31の片面上に
ストライプ状の表示用電極32を形成して成る表示装置
用基板として作用する。第1パネル基板20の表示用電
極22と第2パネル基板30の表示用電極32とは互い
に格子状を成すように対向して、いわゆる単純マトリク
ス方の液晶パネルを構成している。
The second panel substrate 30 functions as a display device substrate in which stripe-shaped display electrodes 32 are formed on one surface of a substrate 31 made of a transparent material such as glass or synthetic resin. The display electrodes 22 of the first panel substrate 20 and the display electrodes 32 of the second panel substrate 30 are opposed to each other so as to form a lattice shape, and constitute a so-called simple matrix liquid crystal panel.

【0039】これら一対のパネル基板20及び30の周
縁にはシール材19が図2の矢印A方向から見てほぼ矩
形状に配置され、2つのパネル基板20及び30がこの
シール材19によって貼り合わされる。シール材19の
内部には粒子状の上下導通材26が混入され、第2パネ
ル基板30上の配線36が、この導通材26を介して、
第1パネル基板20上の表示用電極22に連続する配線
24が導電接続される。これにより、端子39から入力
した電圧を表示用電極22に印加することができる。
A seal member 19 is disposed on the periphery of the pair of panel substrates 20 and 30 in a substantially rectangular shape when viewed from the direction of arrow A in FIG. 2, and the two panel substrates 20 and 30 are bonded together by the seal member 19. You. A particle-shaped upper and lower conductive material 26 is mixed into the sealing material 19, and the wiring 36 on the second panel substrate 30 passes through the conductive material 26 through the conductive material 26.
The wiring 24 continuous with the display electrode 22 on the first panel substrate 20 is conductively connected. Thus, the voltage input from the terminal 39 can be applied to the display electrode 22.

【0040】シール材19によって囲まれた第1パネル
基板20及び第2パネル基板30の間の間隙にはシール
材19の一部に設けられた液晶注入口(図示せず)を通
して液晶、例えばSTN型の液晶18が充填される。こ
の液晶注入口は、液晶注入の処理後に封止材(図示せ
ず)によって封止される。
In the gap between the first panel substrate 20 and the second panel substrate 30 surrounded by the seal member 19, a liquid crystal, for example, STN is passed through a liquid crystal inlet (not shown) provided in a part of the seal member 19. The liquid crystal 18 of the mold is filled. The liquid crystal injection port is sealed with a sealing material (not shown) after the liquid crystal injection processing.

【0041】第1パネル基板20の外側には第1偏光板
16が配置され、第2パネル基板30の外側には第2偏
光板17が配置される。また、第1偏光板16と第1パ
ネル基板20との間には位相差板12が配置される。こ
の位相差板12は、第2偏光板17と第2パネル基板3
0との間に配置したり、あるいは、第1パネル基板20
及び第2パネル基板30の両方に配置したりしても構わ
ない。
The first polarizing plate 16 is disposed outside the first panel substrate 20, and the second polarizing plate 17 is disposed outside the second panel substrate 30. Further, the phase difference plate 12 is disposed between the first polarizing plate 16 and the first panel substrate 20. The phase difference plate 12 is composed of the second polarizing plate 17 and the second panel substrate 3.
0 or the first panel substrate 20
And the second panel substrate 30.

【0042】また、液晶パネル14は、第2パネル基板
30が第1パネル基板20より張り出した張り出し領域
38に複数の端子39を備えている。各端子39には図
1に示した配線基板64、例えば可撓性基板の対応する
端子が接続される。配線基板64には液晶パネル14の
表示用電極22,32(図2参照)をそれぞれ駆動する
駆動用IC(図示せず)が実装され、この駆動用ICの
出力端子に接続された配線基板64の端子と、第2パネ
ル基板30に形成された端子39とが接続されて各表示
用電極22,32に駆動電圧が印加される。
The liquid crystal panel 14 has a plurality of terminals 39 in an overhang region 38 where the second panel substrate 30 overhangs from the first panel substrate 20. Each terminal 39 is connected to a corresponding terminal of the wiring substrate 64 shown in FIG. 1, for example, a flexible substrate. A drive IC (not shown) for driving the display electrodes 22 and 32 (see FIG. 2) of the liquid crystal panel 14 is mounted on the wiring board 64, and the wiring board 64 connected to the output terminal of the drive IC. And the terminal 39 formed on the second panel substrate 30 are connected, and a driving voltage is applied to each of the display electrodes 22 and 32.

【0043】この液晶パネル14においては、第1パネ
ル基板20に形成された複数の表示用電極22と、第2
パネル基板30の表示用電極32とのそれぞれに供給さ
れる信号の差電圧が液晶18に印加されて、液晶分子の
配向が制御され、表示がオン状態あるいはオフ状態とさ
れる。
In the liquid crystal panel 14, the plurality of display electrodes 22 formed on the first panel substrate 20 and the second
A voltage difference between signals supplied to the display electrodes 32 of the panel substrate 30 is applied to the liquid crystal 18, the orientation of the liquid crystal molecules is controlled, and the display is turned on or off.

【0044】なお、第1パネル基板20又は第2パネル
基板30に駆動用ICの実装領域を設けて、駆動用IC
を第1パネル基板20又は第2パネル基板30にCOG
(Chip On Glass)実装し、可撓性基板を介してパネル
基板上の駆動用ICに信号や電圧を供給するようにして
も構わない。
A mounting area for a driving IC is provided on the first panel substrate 20 or the second panel substrate 30 so that the driving IC
To the first panel substrate 20 or the second panel substrate 30
(Chip On Glass), and a signal or voltage may be supplied to a driving IC on a panel substrate via a flexible substrate.

【0045】また、図2においては、一対のパネル基板
20,30の間を広く離して描いてあるが、これは図示
を明確化するためであり、実際には、一対のパネル基板
20,30は数μmから十数μmの狭いギャップを隔て
て対向する。また、第1偏光板16及び位相差板12が
第1パネル基板20から離して描かれ、第2偏光板17
が第2パネル基板30から離して描かれているが、実際
には、位相差板12は第1パネル基板20にほぼ接する
状態であり、第2偏光板17は第2パネル基板30にほ
ぼ接する状態であり、さらに、第1偏光板16は位相差
板12にほぼ接する状態となっている。さらに、ストラ
イプ状の表示用電極22,32は数本しか描かれていな
いが、実際にはマトリクス表示の分解能に対応して、そ
れぞれ多数のストライプ状電極として設けられる。
In FIG. 2, the pair of panel substrates 20 and 30 are drawn widely apart, but this is for clarity of illustration, and actually, the pair of panel substrates 20 and 30 are actually illustrated. Face each other with a narrow gap of several μm to several tens μm. Further, the first polarizing plate 16 and the retardation plate 12 are drawn apart from the first panel substrate 20, and the second polarizing plate 17
Are drawn away from the second panel substrate 30, but in reality, the retardation plate 12 is almost in contact with the first panel substrate 20, and the second polarizer 17 is almost in contact with the second panel substrate 30. In this state, the first polarizing plate 16 is substantially in contact with the retardation plate 12. Further, although only a few stripe-shaped display electrodes 22 and 32 are shown, they are actually provided as a large number of stripe-shaped electrodes corresponding to the resolution of matrix display.

【0046】図1において、バックライトユニット40
は、光源としての蛍光管50、導光板44、光拡散板で
あるレンズシート42、バックライト固定枠56及びリ
フレクタ60を有する。蛍光管50には接続部51を介
してインバータ(図示せず)の出力端子が接続され、こ
のインバータによって蛍光管50に所定電圧が印加され
る。
In FIG. 1, the backlight unit 40
Has a fluorescent tube 50 as a light source, a light guide plate 44, a lens sheet 42 as a light diffusion plate, a backlight fixing frame 56, and a reflector 60. An output terminal of an inverter (not shown) is connected to the fluorescent tube 50 via a connection unit 51, and a predetermined voltage is applied to the fluorescent tube 50 by the inverter.

【0047】導光板44は例えば透明な合成樹脂によっ
て構成され、その端面45にほぼ接する状態で光源とし
ての蛍光管50が配置される。蛍光管50からの光は端
面45から導光板44へ入ってその内部を伝播し、液晶
パネル14に対面する光出射面から出射してその液晶パ
ネル14の表示領域の全域を照明する。導光板44は、
液晶パネル14の基板張り出し領域38を除く、液晶パ
ネル14の平面形状にほぼ対応した平面形状を有する。
The light guide plate 44 is made of, for example, a transparent synthetic resin, and a fluorescent tube 50 as a light source is arranged in a state almost in contact with the end surface 45. The light from the fluorescent tube 50 enters the light guide plate 44 from the end face 45 and propagates inside the light guide plate 44, and is emitted from the light exit surface facing the liquid crystal panel 14 to illuminate the entire display area of the liquid crystal panel 14. The light guide plate 44
Except for the substrate overhang region 38 of the liquid crystal panel 14, the liquid crystal panel 14 has a planar shape substantially corresponding to the planar shape of the liquid crystal panel 14.

【0048】導光板44は、蛍光管50の側において厚
さが厚いくさび状の断面形状に形成されている。導光板
44がこのような形状を備えることにより、導光板44
から液晶パネル14に向けて放射される光の光量は蛍光
管50の付近と蛍光管50から離れた位置とで均一化さ
れる。
The light guide plate 44 is formed to have a thick wedge-shaped cross section on the fluorescent tube 50 side. When the light guide plate 44 has such a shape, the light guide plate 44
The amount of light radiated toward the liquid crystal panel 14 is uniformized in the vicinity of the fluorescent tube 50 and at a position distant from the fluorescent tube 50.

【0049】レンズシート42は、導光板44の前面側
に配置され、導光板44から出射された光を拡散するこ
とによって均一な光を液晶パネル14の表示領域の全域
に照射する。そして、リフレクタ60は、蛍光管50の
周囲を導光板44の側を除いて覆い、蛍光管50からの
光を導光板44へ向けて反射する。なお、図1において
は、蛍光管50がリフレクタ60の外に出ているように
図示されているが、実際は、蛍光管50はリフレクタ6
0の内部に納められるように組み立てられる。
The lens sheet 42 is disposed on the front side of the light guide plate 44, and irradiates uniform light to the entire display area of the liquid crystal panel 14 by diffusing light emitted from the light guide plate 44. Then, the reflector 60 covers the periphery of the fluorescent tube 50 except for the side of the light guide plate 44, and reflects the light from the fluorescent tube 50 toward the light guide plate 44. In FIG. 1, the fluorescent tube 50 is illustrated as extending outside the reflector 60, but in actuality, the fluorescent tube 50 is connected to the reflector 6.
It is assembled so that it can be housed inside the 0.

【0050】バックライトユニット40の蛍光管50に
は、図示しないインバータによって電力が供給される。
具体的には、このインバータは、例えば、入力された5
Vの直流電圧を250V、100kHzの交流電圧とし
て出力して蛍光管50に供給する。なお、蛍光管50に
代えてLEDを光源として用い、導光板44の側面にL
EDを配置するように構成しても構わない。
Power is supplied to the fluorescent tube 50 of the backlight unit 40 by an inverter (not shown).
Specifically, this inverter, for example,
A DC voltage of 250 V is output as an AC voltage of 250 V and 100 kHz and supplied to the fluorescent tube 50. Note that an LED is used as a light source instead of the fluorescent tube 50, and L
The ED may be arranged.

【0051】バックライト固定枠56は、底面部57を
備え、バックライトユニット40を背面側から固定す
る。また、バックライト固定枠56は、底面部57から
立てて設けられた複数の位置決め部58を有する。これ
らの位置決め部58は、導光板44の対応する端面4
6,47の形状に合わせた形状を持ち、しかも導光板4
4の端面46,47に当接するように形成されており、
それによって導光板44を底面部57とほぼ平行な面内
の所定位置に位置決めする。
The backlight fixing frame 56 has a bottom portion 57 and fixes the backlight unit 40 from the back side. In addition, the backlight fixing frame 56 has a plurality of positioning portions 58 provided upright from the bottom portion 57. These positioning portions 58 are provided on the corresponding end faces 4 of the light guide plate 44.
6 and 47, and the light guide plate 4
4 are formed so as to abut against the end surfaces 46 and 47,
Thus, the light guide plate 44 is positioned at a predetermined position in a plane substantially parallel to the bottom surface portion 57.

【0052】また、複数の位置決め部58は、導光板4
4の端面のうち蛍光管50が配置されていない端面4
6,47をそれぞれほぼ密着して覆う平面状に形成され
ている。そして、それらの位置決め部58及び底面部5
7の導光板44に面する側は、十分な光反射率を備えて
形成されているため、蛍光管50からの光を高い効率で
利用することができる。なお、バックライト固定枠56
には、前述したリフレクタ60が一体になるように形成
されている。
The plurality of positioning portions 58 are provided on the light guide plate 4.
Of the end faces 4 where the fluorescent tube 50 is not disposed
6 and 47 are formed in a planar shape that almost covers them in close contact with each other. Then, the positioning portion 58 and the bottom portion 5
7 is formed with sufficient light reflectance on the side facing the light guide plate 44, so that light from the fluorescent tube 50 can be used with high efficiency. The backlight fixing frame 56
Is formed so that the above-described reflector 60 is integrated.

【0053】図3は、第1パネル基板20を前面側から
見た状態を模式的に示す平面図であり、表示用電極22
等を透視した状態として示している。また、図4は、第
2パネル基板30を前面側から見た状態を模式的に示す
平面図である。図1に示す液晶パネル14を表示面側か
ら見た状態では、図3に示した第1パネル基板20の背
面側に図4に示した第2パネル基板30が重ね合わさ
れ、それらの基板の位置関係は、第2パネル基板30の
張り出し領域38が第1パネル基板20の外側へ張り出
すように設定される。なお、図2に示した液晶パネルの
模式的な断面構造は、図3及び図4に示したS−S線に
従った断面構造である。
FIG. 3 is a plan view schematically showing a state where the first panel substrate 20 is viewed from the front side.
Are shown in a see-through state. FIG. 4 is a plan view schematically showing a state where the second panel substrate 30 is viewed from the front side. When the liquid crystal panel 14 shown in FIG. 1 is viewed from the display surface side, the second panel substrate 30 shown in FIG. 4 is superimposed on the back side of the first panel substrate 20 shown in FIG. The relationship is set such that the projecting area 38 of the second panel substrate 30 projects outside the first panel substrate 20. Note that the schematic cross-sectional structure of the liquid crystal panel shown in FIG. 2 is a cross-sectional structure along the line SS shown in FIG. 3 and FIG.

【0054】図3において、第1パネル基板20は、基
板21上に所定パターンとして形成された表示用電極2
2と、各表示用電極22から延びる配線24とを有す
る。この表示用電極22は、走査電極又は信号電極の一
方として機能する。また、配線24の端部は、上下導通
材26(図2参照)が接続されるための端子であるパッ
ド25として形成されている。
In FIG. 3, the first panel substrate 20 has a display electrode 2 formed as a predetermined pattern on a substrate 21.
2 and a wiring 24 extending from each display electrode 22. The display electrode 22 functions as one of a scanning electrode and a signal electrode. Further, an end of the wiring 24 is formed as a pad 25 which is a terminal to which the upper and lower conductive material 26 (see FIG. 2) is connected.

【0055】図4において、第2パネル基板30は表示
用電極32、配線34及び配線36を有する。複数の表
示用電極32は、基板31上に所定のパターンとして並
行して形成されている。この表示用電極32は、走査電
極及び信号電極の他方として機能する。配線34は、各
表示用電極32から続いており、基板31の周縁部に沿
って引き回されて、その一端が第2パネル基板30の張
り出し領域38まで延びて端子39となっている。張り
出し領域38は平面視において、対向する第1パネル基
板20からはみ出す領域となっている。
In FIG. 4, the second panel substrate 30 has a display electrode 32, a wiring 34 and a wiring 36. The plurality of display electrodes 32 are formed in parallel on the substrate 31 as a predetermined pattern. The display electrode 32 functions as the other of the scanning electrode and the signal electrode. The wiring 34 extends from each of the display electrodes 32, is routed along the periphery of the substrate 31, and has one end extending to the overhang region 38 of the second panel substrate 30 to be a terminal 39. The overhang area 38 is an area that protrudes from the opposing first panel substrate 20 in plan view.

【0056】配線36の一方の端部37は上下導通材2
6に接続するための接続端子であるパッドとして形成さ
れ、第1パネル基板20上に形成された配線24の端部
の接続端子であるパッド25と上記のパッド37が上下
導通材26を介して互いに導電接続される。この上下導
通材26は図2に示すようにシール材19に混入された
導電性粒子である。また、配線36の他方の端部も張り
出し領域38まで延びて入力端子39を形成している。
One end 37 of the wiring 36 is connected to the upper and lower conductive material 2.
6, the pad 25 serving as a connection terminal at the end of the wiring 24 formed on the first panel substrate 20 and the pad 37 are connected to each other via the upper and lower conductive members 26. They are conductively connected to each other. The upper and lower conductive members 26 are conductive particles mixed in the sealing member 19 as shown in FIG. The other end of the wiring 36 also extends to the overhang region 38 to form an input terminal 39.

【0057】各端子39は配線34,36の一部として
形成されており、対応する表示用電極22,32に導通
する。なお、第1パネル基板20の表示用電極22は、
第1パネル基板20に形成された配線24と、上下導通
材26と、第2パネル基板30に形成された配線36と
を介して対応する入力端子39に接続されている。
Each terminal 39 is formed as a part of the wiring 34, 36 and is electrically connected to the corresponding display electrode 22, 32. The display electrode 22 of the first panel substrate 20 is
The wiring 24 formed on the first panel substrate 20, the vertical conductive material 26, and the wiring 36 formed on the second panel substrate 30 are connected to corresponding input terminals 39.

【0058】図3において、表示用電極22等が形成さ
れた基板21の表面には、表示用電極22等を覆って例
えばポリイミドから成る配向膜(図示せず)が塗布さ
れ、さらにその配向膜が所定角度にラビング処理され
る。また、図4において、表示用電極32等が形成され
た基板31の表面には、表示用電極32等を覆って例え
ばポリイミドから成る配向膜(図示せず)が塗布され、
さらにその配向膜が所定角度にラビング処理される。
In FIG. 3, an alignment film (not shown) made of, for example, polyimide is applied on the surface of the substrate 21 on which the display electrodes 22 and the like are formed so as to cover the display electrodes 22 and the like. Is rubbed at a predetermined angle. 4, an alignment film (not shown) made of, for example, polyimide is applied to the surface of the substrate 31 on which the display electrodes 32 and the like are formed so as to cover the display electrodes 32 and the like.
Further, the alignment film is rubbed at a predetermined angle.

【0059】図5は、第2パネル基板30における一本
の表示用電極32と、その表示用電極32から連続する
配線34とを拡大して模式的に平面図として示してい
る。また、図6(A)は図5のF−F線に従って配線3
4の断面構造を模式的に示し、図6(B)は図5のG−
G線に従って表示用電極32の断面構造を模式的に示し
ている。
FIG. 5 is an enlarged schematic plan view showing one display electrode 32 on the second panel substrate 30 and a wiring 34 continuing from the display electrode 32. FIG. 6A shows a wiring 3 according to the line FF in FIG.
FIG. 6B schematically shows a cross-sectional structure of FIG.
The cross-sectional structure of the display electrode 32 is schematically shown along line G.

【0060】図5において、表示用電極32及び配線3
4に斜線を施した領域72は、その表面がアルミニウム
等といった低抵抗な金属から成る金属層であることを示
している。表示用電極32において斜線が施されていな
い領域70は、その表面がITO(Indium Tin Oxide)
等といった透明導電膜から成る透明導電層であることを
示している。
In FIG. 5, the display electrode 32 and the wiring 3
4 indicates that the surface 72 is a metal layer made of a low-resistance metal such as aluminum. A region 70 of the display electrode 32 that is not shaded has a surface of ITO (Indium Tin Oxide).
And the like, indicating a transparent conductive layer made of a transparent conductive film.

【0061】図6(A)及び図6(B)からも明らかな
ように、配線34及び表示用電極32は、ITOから成
る透明導電層70と、この透明導電層70よりも低抵抗
な金属層72との積層によって形成されている。なお、
表示用電極32においては、透明導電層70は表示用電
極32の全幅にわたって形成されているが、金属層72
は透明導電層70の幅方向の一方の縁部上に透明導電層
70の幅に比べて遥かに狭い幅で形成されている。
As is clear from FIGS. 6A and 6B, the wiring 34 and the display electrode 32 are made of a transparent conductive layer 70 made of ITO and a metal having a lower resistance than the transparent conductive layer 70. It is formed by lamination with the layer 72. In addition,
In the display electrode 32, the transparent conductive layer 70 is formed over the entire width of the display electrode 32.
Is formed on one edge in the width direction of the transparent conductive layer 70 with a width much smaller than the width of the transparent conductive layer 70.

【0062】一方、配線34においては、透明導電層7
0及び金属層72のいずれも配線34の全幅にわたって
おり、互いにほぼ同一幅で形成されている。これによ
り、一般的には表示用電極32に比べて遥かに細い幅に
形成される配線34の電気抵抗を十分に小さくすること
ができる。なお、図示はしないが、第2パネル基板30
に形成される他の配線36も、図6(A)に示す配線3
4と同様な構造、すなわち透明導電層70と金属層72
とがほぼ同一幅で積層された構造にすることができる。
On the other hand, in the wiring 34, the transparent conductive layer 7
Both the 0 and the metal layer 72 extend over the entire width of the wiring 34 and are formed to have substantially the same width as each other. This makes it possible to sufficiently reduce the electric resistance of the wiring 34 that is generally formed to have a much smaller width than the display electrode 32. Although not shown, the second panel substrate 30
The other wiring 36 formed on the wiring 3 is also the wiring 3 shown in FIG.
4, the transparent conductive layer 70 and the metal layer 72
And are laminated with substantially the same width.

【0063】また、図4に示す第2パネル基板30に対
向する図3に示す第1パネル基板20に形成される配線
24及び表示用電極22も、図5及び図6に示す配線3
4及び表示用電極32と同様に、ITO等から成る透明
導電層70とアルミニウム等から成る金属層72との積
層構造とすることができる。
The wiring 24 and the display electrode 22 formed on the first panel substrate 20 shown in FIG. 3 facing the second panel substrate 30 shown in FIG.
4 and the display electrode 32, a laminated structure of a transparent conductive layer 70 made of ITO or the like and a metal layer 72 made of aluminum or the like can be used.

【0064】以上のように、本実施形態の第1パネル基
板20及び第2パネル基板30、すなわち表示装置用基
板においては、図3における配線24及び図4における
配線34及び配線36が、透明導電層70と金属層72
との積層構造を有するため、それらの配線24,34,
36を透明導電層70のみによって形成する場合に比
べ、それらの配線24,34,36の電気抵抗を低下さ
せることができる。従って、本実施形態に係るパネル基
板20,30を用いた液晶装置10は、配線24,3
4,36における電圧降下のために表示品質が低下する
可能性が低い。
As described above, in the first panel substrate 20 and the second panel substrate 30 of this embodiment, that is, in the display device substrate, the wiring 24 in FIG. 3 and the wiring 34 and 36 in FIG. Layer 70 and metal layer 72
And the wirings 24, 34,
The electrical resistance of these wirings 24, 34, 36 can be reduced as compared with the case where 36 is formed only by the transparent conductive layer 70. Therefore, the liquid crystal device 10 using the panel substrates 20 and 30 according to the present embodiment can
The display quality is unlikely to degrade due to the voltage drop at 4,36.

【0065】さらに、表示用電極22,23の電気抵抗
を小さくするために透明導電層70の膜厚を厚くする必
要がないため、表示用電極22,32の光透過率を高く
することができる。なお、表示用電極22,32におい
ては、透明導電層70は表示用電極22等の全幅にわた
って形成されているが、金属層72は透明導電層70の
幅に比べて遥かに狭い幅で形成されているため、金属層
72の存在によって表示の明るさを殆ど低下させること
なく、表示用電極22,32の電気抵抗を低下させるこ
とができる。
Further, since it is not necessary to increase the thickness of the transparent conductive layer 70 in order to reduce the electric resistance of the display electrodes 22 and 23, the light transmittance of the display electrodes 22 and 32 can be increased. . In the display electrodes 22 and 32, the transparent conductive layer 70 is formed over the entire width of the display electrode 22 and the like, but the metal layer 72 is formed to have a much smaller width than the width of the transparent conductive layer 70. Therefore, the electric resistance of the display electrodes 22 and 32 can be reduced without substantially lowering the brightness of the display due to the presence of the metal layer 72.

【0066】なお、図3の第1パネル基板20について
は、配線24の長さが短いので配線24及び表示用電極
22はITOによる透明導電層70のみで形成しても良
い。また、図4の配線36についても、その長さが短い
ので、ITOによる透明導電層70のみで形成するよう
にしても良い。
In the first panel substrate 20 of FIG. 3, since the length of the wiring 24 is short, the wiring 24 and the display electrode 22 may be formed only of the transparent conductive layer 70 made of ITO. Further, since the length of the wiring 36 in FIG. 4 is also short, the wiring 36 may be formed only of the transparent conductive layer 70 of ITO.

【0067】ところで、図3において、表示用電極22
を構成する透明導電層70は配線24を構成する透明導
電層70と同時に形成されることが多い。また、図4に
おいて、表示用電極32を構成する透明導電層70は配
線34及び配線36を構成する透明導電層70と同時に
形成されることが多い。本実施形態では、配線24,3
4,36が透明導電層70と金属層72との2層構造と
なっているため、配線24,34,36の電気抵抗を小
さくするために透明導電層70の膜厚を厚くする必要が
なく、従って、配線24の透明導電層70と同時に形成
される表示用電極22の透明導電層70や、配線34及
び配線36の透明導電層70と同時に形成される表示用
電極32が必要以上に厚くなることがない。それ故、透
明導電層70を厚くすることのみによって配線24,3
4,36の電気抵抗を小さくする場合に比べて、図3の
表示用電極22及び図4の表示用電極32の光透過率を
高くすることができる。
By the way, in FIG. 3, the display electrode 22
Is often formed simultaneously with the transparent conductive layer 70 forming the wiring 24. In FIG. 4, the transparent conductive layer 70 forming the display electrode 32 is often formed simultaneously with the transparent conductive layer 70 forming the wiring 34 and the wiring 36. In the present embodiment, the wirings 24, 3
4 and 36 have a two-layer structure of the transparent conductive layer 70 and the metal layer 72, so that it is not necessary to increase the thickness of the transparent conductive layer 70 in order to reduce the electric resistance of the wirings 24, 34 and 36. Therefore, the transparent conductive layer 70 of the display electrode 22 formed simultaneously with the transparent conductive layer 70 of the wiring 24 and the display electrode 32 formed simultaneously with the transparent conductive layer 70 of the wiring 34 and the wiring 36 are unnecessarily thick. Never be. Therefore, only by increasing the thickness of the transparent conductive layer 70, the wirings 24, 3
The light transmittance of the display electrode 22 of FIG. 3 and the display electrode 32 of FIG. 4 can be increased as compared with the case where the electric resistance of the display electrodes 4 and 36 is reduced.

【0068】さらに、本実施形態の液晶装置用基板で
は、透明導電層70を厚くすることのみによって図3の
配線24及び図4の配線34,36の電気抵抗を小さく
する場合に比べ、図3の表示用電極22及び配線24に
用いられている透明導電層70の厚さを薄くでき、さら
に図4の表示用電極32及び配線34,36の透明導電
層70の厚さを薄くできる。このため、パネル基板2
0,30の形成に要する時間を短縮することができる。
Further, in the liquid crystal device substrate of the present embodiment, compared to the case where the electric resistance of the wiring 24 of FIG. 3 and the wirings 34 and 36 of FIG. 4, the thickness of the transparent conductive layer 70 used for the display electrode 22 and the wiring 24 can be reduced, and the thickness of the display electrode 32 and the transparent conductive layer 70 of the wirings 34 and 36 in FIG. Therefore, the panel substrate 2
The time required for forming 0, 30 can be reduced.

【0069】以下、図3に示す第1パネル基板20及び
図4に示す第2パネル基板30の製造方法を実施形態を
挙げて説明する。
Hereinafter, a method for manufacturing the first panel substrate 20 shown in FIG. 3 and the second panel substrate 30 shown in FIG. 4 will be described with reference to embodiments.

【0070】第1パネル基板20及び第2パネル基板3
0において透明導電層と金属層とを積層して成る表示用
電極及び配線は、透明導電層形成工程と、金属層積層工
程と、第1フォトレジスト膜形成工程と、第1エッチン
グ工程と、第2フォトレジスト膜形成工程と、第2エッ
チング工程といった各種工程を含んで製造される。
First panel substrate 20 and second panel substrate 3
0, a display electrode and a wiring formed by laminating a transparent conductive layer and a metal layer include a transparent conductive layer forming step, a metal layer laminating step, a first photoresist film forming step, a first etching step, It is manufactured including various processes such as a 2 photoresist film forming process and a second etching process.

【0071】なお、第2パネル基板30に対する製造工
程を説明する模式的な断面図である図7(A)〜図7
(E)においては、図7(A)が透明導電層形成工程及
び金属層積層工程を示し、図7(B)が第1フォトレジ
スト膜形成工程を示し、図7(C)が第1エッチング工
程を示し、図7(D)が第2フォトレジスト膜形成工程
を示し、図7(E)が第2エッチング工程を示してい
る。また、図7(A)〜図7(E)では、左側に表示用
電極32の製造工程を示し、右側に配線34の製造工程
を示している。また、表示用電極32及び配線34の、
それぞれ1本ずつのみの製造工程を示しているが、実際
には多数が同時に形成される。
FIGS. 7A to 7 are schematic cross-sectional views illustrating a manufacturing process for the second panel substrate 30.
7A shows a transparent conductive layer forming step and a metal layer laminating step, FIG. 7B shows a first photoresist film forming step, and FIG. 7C shows a first etching step. FIG. 7D shows a second photoresist film forming step, and FIG. 7E shows a second etching step. 7A to 7E, the manufacturing process of the display electrode 32 is shown on the left side, and the manufacturing process of the wiring 34 is shown on the right side. The display electrode 32 and the wiring 34
Although only one manufacturing process is shown for each, a large number are actually formed simultaneously.

【0072】まず、図7(A)に示す透明導電層形成工
程において、例えば、ガラス等の透明材料から成る透明
な基板31上にスパッタリング等によって、例えばIT
Oから成る透明導電層70を形成する。次に、同じく図
7(A)に示す金属層積層工程において、透明導電層7
0上に、例えばアルミニウムから成る金属層72を積層
する。
First, in a transparent conductive layer forming step shown in FIG. 7A, for example, an IT is formed on a transparent substrate 31 made of a transparent material such as glass by sputtering or the like.
A transparent conductive layer made of O is formed. Next, in the metal layer laminating step also shown in FIG.
On the metal layer 0, a metal layer 72 made of, for example, aluminum is laminated.

【0073】そして、図7(B)に示す第1フォトレジ
スト膜形成工程において、フォトレジスト膜を塗布し、
露光し、さらに現像して、表示用電極32及び配線34
のパターンに対応する所定パターンの第1フォトレジス
ト膜74を形成する。
Then, in a first photoresist film forming step shown in FIG. 7B, a photoresist film is applied,
The display electrode 32 and the wiring 34 are exposed and further developed.
The first photoresist film 74 having a predetermined pattern corresponding to the above pattern is formed.

【0074】次に、図7(C)に示す第1エッチング工
程おいて、第1フォトレジスト膜74を用いて、透明導
電層70及び金属層72を同時にエッチングして、それ
らを表示用電極32及び配線用電極34の平面視におけ
る形状にパターニングする。
Next, in the first etching step shown in FIG. 7C, the transparent conductive layer 70 and the metal layer 72 are simultaneously etched using the first photoresist Then, the wiring electrode 34 is patterned into a shape in plan view.

【0075】そして、図7(D)に示す第2フォトレジ
スト膜形成工程において、表示用電極32が形成される
領域に、金属層72の上に残った第1フォトレジスト膜
74に対して再び露光及び現像を行って、透明導電層7
0が形成される領域のフォトレジスト膜を取り除いた所
定パターンの第2フォトレジスト膜76を形成する。な
お、第2フォトレジスト膜76において、配線34が形
成される領域においては、フォトレジスト膜はそのまま
残されている。
Then, in the second photoresist film forming step shown in FIG. 7D, the first photoresist film 74 remaining on the metal layer 72 is again applied to the region where the display electrode 32 is formed. After exposure and development, the transparent conductive layer 7
A second photoresist film 76 having a predetermined pattern is formed by removing the photoresist film in a region where 0 is to be formed. In the second photoresist film 76, in the region where the wiring 34 is formed, the photoresist film is left as it is.

【0076】次に、図7(E)に示す第2エッチング工
程において、第2フォトレジスト76を用いて表示用電
極32に対応する領域における金属層72の一部のみを
エッチングしてパターニングする。このエッチングは、
第1エッチング工程とは異なるエッチングレートで行わ
れ、透明導電層70を殆どエッチングすることなく、金
属層72の一部をエッチングする。
Next, in a second etching step shown in FIG. 7E, only a part of the metal layer 72 in a region corresponding to the display electrode 32 is etched and patterned using the second photoresist. This etching is
The etching is performed at an etching rate different from that of the first etching step, and a part of the metal layer 72 is etched without substantially etching the transparent conductive layer 70.

【0077】最後に、第2フォトレジスト膜76を、例
えばアッシングによって除去することにより、図6
(A)及び図6(B)に示した配線34及び表示用電極
32が形成される。
Finally, the second photoresist film 76 is removed by, for example, ashing to obtain the structure shown in FIG.
The wiring 34 and the display electrode 32 shown in FIGS. 6A and 6B are formed.

【0078】以上の説明のように、本実施形態に係るパ
ネル基板の製造方法によれば、図7(C)に示す第1エ
ッチング工程に用いた所定パターンの第1フォトレジス
ト膜74を再び露光及び現像することによって形成した
第2フォトレジスト膜76を用いて、図7(D)に示す
第2エッチング工程によって表示用電極32となる部分
の金属層72を一部残してエッチングした後、第2フォ
トレジスト膜76を除去することによって、透明導電層
70と幅の細い金属層72とを備えた表示用電極32を
形成できる。
As described above, according to the method of manufacturing a panel substrate according to the present embodiment, the first photoresist film 74 having the predetermined pattern used in the first etching step shown in FIG. Then, using the second photoresist film 76 formed by the development, the second etching process shown in FIG. (2) By removing the photoresist film 76, the display electrode 32 including the transparent conductive layer 70 and the thin metal layer 72 can be formed.

【0079】このような工程によれば、フォトレジスト
膜の塗布及び除去は1回ずつ実施するのみで、幅の細い
金属層72を備えた表示用電極32を形成することがで
きる。これは、透明導電層70及び金属層72を別々に
パターニングする場合にはフォトレジスト膜の塗布とフ
ォトレジスト膜の除去がそれぞれ2回必要となることに
比べると、大幅な工程数の削減となる。
According to such a process, the display electrode 32 having the thin metal layer 72 can be formed only by applying and removing the photoresist film once. This greatly reduces the number of steps as compared with the case where the transparent conductive layer 70 and the metal layer 72 are separately patterned, in which the application of the photoresist film and the removal of the photoresist film are each required twice. .

【0080】また、本実施形態に係るパネル基板の製造
方法によれば、透明導電層70と金属層72とを積層
し、それらを1回のエッチングによってパターニングし
て配線34を形成できる。
Further, according to the panel substrate manufacturing method of the present embodiment, the wiring 34 can be formed by laminating the transparent conductive layer 70 and the metal layer 72 and patterning them by one etching.

【0081】なお、上記においては、第2パネル基板3
0の表示用電極32及び配線34を例に挙げて本発明に
係るパネル基板の製造方法を説明したが、配線36につ
いても配線34と同一工程で透明導電層と金属層との積
層構造から成る配線を形成することができる。また、図
3に示す第1パネル基板20の表示用電極22及び配線
24についても、表示用電極及び配線のパターン形状は
異なるものの、第2パネル基板30と同様な製造方法で
形成することができる。
In the above description, the second panel substrate 3
Although the method for manufacturing the panel substrate according to the present invention has been described by taking the display electrode 32 and the wiring 34 of 0 as an example, the wiring 36 also has the same structure as that of the wiring 34 and has a laminated structure of a transparent conductive layer and a metal layer. Wiring can be formed. Further, the display electrodes 22 and the wirings 24 of the first panel substrate 20 shown in FIG. 3 can be formed by the same manufacturing method as that of the second panel substrate 30, although the display electrodes and the wirings have different pattern shapes. .

【0082】また、本実施形態においては、図6(B)
に示すように表示用電極32を構成する透明導電層70
上の金属層72は透明導電層70の端部のみによって配
置されているが、表示用電極の光透過率において問題が
無ければ、金属層72の配置位置は透明導電層70の端
部でなくても良く、例えば中央部付近でも構わない。
Further, in the present embodiment, FIG.
The transparent conductive layer 70 constituting the display electrode 32 as shown in FIG.
The upper metal layer 72 is arranged only by the end of the transparent conductive layer 70. However, if there is no problem in the light transmittance of the display electrode, the arrangement position of the metal layer 72 is not the end of the transparent conductive layer 70. For example, it may be near the center.

【0083】(第2実施形態)前述した第1実施形態で
は、パネル基板すなわち表示装置用基板を用いて透過型
の液晶装置を形成する場合を例示した。これに対し本実
施形態では、第1実施形態における一方のパネル基板、
例えば第2パネル基板30に代えて、表示用電極の金属
層がスリットを備える構造のパネル基板を用いる点にお
いて第1実施形態と異なっている。それ以外の点につい
ては、第1実施形態と同様に構成されており、それらの
点についての説明は省略する。また、図面において、第
1実施形態の場合と同様の要素には第1実施形態の場合
と同一の符号を付すことにする。
(Second Embodiment) In the first embodiment described above, a case where a transmission type liquid crystal device is formed using a panel substrate, that is, a display device substrate, has been described as an example. On the other hand, in the present embodiment, one panel substrate in the first embodiment,
For example, the second embodiment differs from the first embodiment in that a panel substrate having a structure in which a metal layer of a display electrode has a slit is used instead of the second panel substrate 30. The other points are configured in the same manner as in the first embodiment, and a description of those points will be omitted. In the drawings, the same elements as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals as those in the first embodiment.

【0084】図9は、本実施形態で用いる第2パネル基
板80を示す模式的な平面図であり、第1実施形態にお
ける図5に対応する。また、図10は、図9のG−G線
に従った断面構造を示しており、第1実施形態における
図6(B)に対応する。本実施形態においては、第1実
施形態における第2パネル基板30に代えて、第2パネ
ル基板80を用いることによって半透過反射型の液晶装
置が形成される。
FIG. 9 is a schematic plan view showing a second panel substrate 80 used in the present embodiment, and corresponds to FIG. 5 in the first embodiment. FIG. 10 shows a cross-sectional structure taken along line GG of FIG. 9, and corresponds to FIG. 6B in the first embodiment. In the present embodiment, a transflective liquid crystal device is formed by using the second panel substrate 80 instead of the second panel substrate 30 in the first embodiment.

【0085】この第2パネル基板80においては、表示
用電極82がその全領域にわたって透明導電層70と金
属層72との2層構造とされ、開口部としての複数のス
リット84が金属層72に分布して設けられる。そし
て、金属層72の材料として高反射材料例えばアルミニ
ウム、銅、銀又は金が用いられる。このように、金属層
72にスリット84を設けた場合でも、表示用電極82
はスリット84の領域においても透明導電層70を備え
ているため、スリット84の大きさにかかわらずスリッ
ト84の領域においても液晶に適切な電界を印加するこ
とができる。
In the second panel substrate 80, the display electrode 82 has a two-layer structure of the transparent conductive layer 70 and the metal layer 72 over the entire area thereof, and a plurality of slits 84 as openings are formed in the metal layer 72. The distribution is provided. Then, as a material of the metal layer 72, a highly reflective material such as aluminum, copper, silver or gold is used. Thus, even when the slit 84 is provided in the metal layer 72, the display electrode 82
Since the transparent conductive layer 70 is provided also in the region of the slit 84, an appropriate electric field can be applied to the liquid crystal also in the region of the slit 84 regardless of the size of the slit 84.

【0086】このような半透過反射型の液晶装置とした
場合、透過型表示のときには、金属層72に開口したス
リットを介して第2パネル基板80の背面側からの照明
光が第2パネル基板80を透過して液晶層18に光が入
射するので透過型の表示を行うことができる。他方、反
射型表示のときには、第2パネル基板80に対向する第
1パネル基板20側から液晶層18を透過した光を金属
層72の表面で反射させることができるので、反射型の
表示を行うことができる。
In the case of such a transflective liquid crystal device, in the case of transmissive display, illumination light from the back side of the second panel substrate 80 is passed through the slit opened in the metal layer 72. Since light is transmitted through the liquid crystal layer 80 and enters the liquid crystal layer 18, a transmissive display can be performed. On the other hand, in the case of the reflective display, the light transmitted through the liquid crystal layer 18 from the first panel substrate 20 facing the second panel substrate 80 can be reflected on the surface of the metal layer 72, so that the reflective display is performed. be able to.

【0087】本実施形態においては、透過型表示であっ
ても反射型表示であっても、スリット84が小さけれ
ば、液晶層18に対して金属層72によって電圧を印加
することもできる。また、開口部であるスリット84を
大きくした場合には、スリットの領域においては金属層
72ではなく透明導電層70によって、そのスリット7
2と対向する液晶層18を駆動することになる。
In the present embodiment, a voltage can be applied to the liquid crystal layer 18 by the metal layer 72 as long as the slit 84 is small, regardless of whether the display is a transmission type display or a reflection type display. When the slit 84, which is an opening, is enlarged, the slit 7 is formed not by the metal layer 72 but by the transparent conductive layer 70 in the area of the slit.
2 will be driven.

【0088】本実施形態に係るパネル基板80を用いた
液晶装置10は、配線34及び表示用電極82における
電圧降下のために表示品質が低下する可能性が低い。ま
た、配線34及び表示用電極82が、透明導電層70と
金属層72との2層構造となっているため、配線34の
電気抵抗を小さくするために透明導電層70の膜厚を厚
くする必要が無く、配線34の透明導電層70と同時に
形成されることが多い表示用電極82の透明導電層70
における膜厚が必要以上に厚くなることが無い。従っ
て、表示用電極82の光透過率を高くすることができ
る。
In the liquid crystal device 10 using the panel substrate 80 according to the present embodiment, there is a low possibility that the display quality is deteriorated due to a voltage drop in the wiring 34 and the display electrode 82. Further, since the wiring 34 and the display electrode 82 have a two-layer structure of the transparent conductive layer 70 and the metal layer 72, the thickness of the transparent conductive layer 70 is increased in order to reduce the electric resistance of the wiring 34. The transparent conductive layer 70 of the display electrode 82 that is not necessary and is often formed simultaneously with the transparent conductive layer 70 of the wiring 34
Does not become unnecessarily thick. Therefore, the light transmittance of the display electrode 82 can be increased.

【0089】さらに、透明導電層70の厚さを薄くでき
るため、パネル基板80の形成に要する時間を短縮する
ことができる。
Further, since the thickness of the transparent conductive layer 70 can be reduced, the time required for forming the panel substrate 80 can be reduced.

【0090】なお、本実施形態においても、表示用電極
82の製造方法は、図7を用いて説明した製造方法と同
様に、透明導電層形成工程、金属層積層工程、第1フォ
トレジスト膜形成工程、第1エッチング工程、第2フォ
トレジスト膜形成工程及び第2エッチング工程といった
各種工程を含んで構成される。従って、第1フォトレジ
スト74によって透明導電層70と金属層72を同時に
エッチングした後、第1フォトレジスト74を再び露光
及び現像して第2フォトレジスト76をパターン形成
し、金属層72のスリット84の部分をエッチングす
る。
In the present embodiment, the method for manufacturing the display electrode 82 is the same as the manufacturing method described with reference to FIG. 7, in which the transparent conductive layer forming step, the metal layer laminating step, and the first photoresist film forming step are performed. It comprises various steps such as a step, a first etching step, a second photoresist film forming step, and a second etching step. Therefore, after the transparent conductive layer 70 and the metal layer 72 are simultaneously etched by the first photoresist 74, the first photoresist 74 is exposed and developed again to form a pattern of the second photoresist 76, and the slits 84 of the metal layer 72 are formed. Is etched.

【0091】(第3実施形態)上記の各実施形態では、
単純マトリクス型液晶装置に本発明を適用する場合を例
示したが、本発明はTFD等といった2端子型スイッチ
ング素子を用いたアクティブマトリクス型液晶装置にも
適用することができる。このようなアクティブマトリク
ス型の液晶パネルは、例えば、TN型等の液晶層を挟ん
で対向する一対の基板である素子基板及び対向基板とに
よって構成される。
(Third Embodiment) In each of the above embodiments,
Although the case where the present invention is applied to a simple matrix type liquid crystal device has been illustrated, the present invention can also be applied to an active matrix type liquid crystal device using a two-terminal switching element such as a TFD. Such an active matrix type liquid crystal panel is composed of, for example, an element substrate and a counter substrate, which are a pair of substrates facing each other with a TN type liquid crystal layer interposed therebetween.

【0092】ここで、素子基板は、例えば、ストライプ
状に配列された複数の配線と、それらの配線に沿って画
素毎に設けられるTFDと、TFDを介して配線に接続
される透明導電層から成る画素電極とによって形成され
る。また、素子基板に対向する対向基板は、素子基板側
の画素電極の配列と交差するように幅の広い表示用電極
がストライプ状に形成される。
Here, the element substrate includes, for example, a plurality of wirings arranged in a stripe, a TFD provided for each pixel along the wirings, and a transparent conductive layer connected to the wirings via the TFDs. Formed by the pixel electrode. On the counter substrate facing the element substrate, wide display electrodes are formed in a stripe shape so as to intersect with the arrangement of the pixel electrodes on the element substrate side.

【0093】上記の素子基板と上記の対向基板は、素子
基板上の画素電極と対向基板上の表示用電極とが液晶を
挟んで互いに対向するように貼り合わされ、これにより
液晶装置が形成される。この液晶装置では、素子基板上
の配線及び対向基板上の表示用電極の一方が走査電極と
して機能し、他方が信号電極として機能する。
The above-mentioned element substrate and the above-mentioned counter substrate are bonded so that the pixel electrode on the element substrate and the display electrode on the counter substrate are opposed to each other with the liquid crystal interposed therebetween, whereby a liquid crystal device is formed. . In this liquid crystal device, one of the wiring on the element substrate and the display electrode on the counter substrate functions as a scanning electrode, and the other functions as a signal electrode.

【0094】このようなTFD方式のアクティブマトリ
クス型液晶装置においても、対向基板を構成する表示用
基板上に形成される配線を、本発明に従って、透明導電
層及び金属層から成る積層構造によって形成することに
より、既述の実施形態と同様な作用効果を得ることがで
きる。
Also in such an active matrix type liquid crystal device of the TFD system, the wiring formed on the display substrate constituting the opposing substrate is formed according to the present invention by a laminated structure composed of a transparent conductive layer and a metal layer. Thereby, the same operation and effect as those of the above-described embodiment can be obtained.

【0095】以下、このTFD方式のアクティブマトリ
クス型液晶装置について、図面を用いて説明する。
The TFD type active matrix liquid crystal device will be described below with reference to the drawings.

【0096】図12は、本発明に係る表示装置用基板を
用いたTFD方式のアクティブマトリクス型液晶装置の
主要部、特に数個の画素部分を拡大して示している。こ
の液晶装置の全体構造は例えば図15に示すように設定
できる。この液晶装置1は、アクティブ素子として2端
子型の能動素子であるTFD(Thin Film Diode)を用
いたアクティブマトリクス方式の液晶装置であり、自然
光等といった外部光を用いた反射表示と照明装置を用い
た透過表示を選択的に行うことができる方式の半透過反
射型液晶装置であり、そして液晶駆動用ICを基板上に
直接に実装する方式のCOG(Chip On Glass)方式の
液晶装置である。
FIG. 12 is an enlarged view showing a main part of a TFD type active matrix type liquid crystal device using a display device substrate according to the present invention, particularly, several pixels. The overall structure of the liquid crystal device can be set, for example, as shown in FIG. The liquid crystal device 1 is an active matrix type liquid crystal device using a two-terminal type active element TFD (Thin Film Diode) as an active element, and uses a reflective display and an illumination device using external light such as natural light. This is a transflective liquid crystal device of a type capable of selectively performing the transmissive display, and a COG (Chip On Glass) type liquid crystal device of a type in which a liquid crystal driving IC is directly mounted on a substrate.

【0097】液晶装置1は、図15において、第1パネ
ル基板2aと第2パネル基板2bとをシール材3によっ
て貼り合わせ、さらに、第1パネル基板2a、第2パネ
ル基板2b及びシール材3によって囲まれる間隙すなわ
ちセルギャップ内に液晶を封入することによって形成さ
れる。また、一方のパネル基板2aのうち他方のパネル
基板2bの外側へ張り出す基板張り出し部38の表面に
液晶駆動用IC4a及び4bが直接に実装されている。
第2パネル基板2bはTFDが形成される基板すなわち
素子基板であり、第1パネル基板2aは素子基板に対向
する基板すなわち対向基板である。
In the liquid crystal device 1, in FIG. 15, a first panel substrate 2a and a second panel substrate 2b are bonded together by a sealing material 3, and furthermore, the first panel substrate 2a, the second panel substrate 2b and the sealing material 3 It is formed by enclosing a liquid crystal in an enclosed gap, that is, a cell gap. In addition, the liquid crystal driving ICs 4a and 4b are directly mounted on the surface of the substrate overhang portion 38 of the one panel substrate 2a which protrudes outside the other panel substrate 2b.
The second panel substrate 2b is a substrate on which a TFD is formed, that is, an element substrate, and the first panel substrate 2a is a substrate facing the element substrate, that is, a counter substrate.

【0098】第2パネル基板2bのシール材3によって
囲まれる内部領域には、複数の画素電極が行方向XX及
び列方向YYに関してドットマトリクス状の配列で形成
される。また、第1パネル基板2aのシール材3によっ
て囲まれる内部領域にはストライプ状の電極が形成さ
れ、そのストライプ状電極が第2パネル基板2b側の複
数の画素電極に対向して配置される。
In the internal region of the second panel substrate 2b surrounded by the sealing material 3, a plurality of pixel electrodes are formed in a dot matrix arrangement in the row direction XX and the column direction YY. A stripe-shaped electrode is formed in an inner region of the first panel substrate 2a surrounded by the sealing material 3, and the stripe-shaped electrode is arranged to face a plurality of pixel electrodes on the second panel substrate 2b side.

【0099】第1パネル基板2a上のストライプ状電極
と第2パネル基板2b上の1つの画素電極によって液晶
を挟んだ部分が1つの画素を形成し、この画素の複数個
がシール材3によって囲まれる内部領域内でドットマト
リクス状に配列することによって表示領域Vが形成され
る。液晶駆動用IC4a及び4bは複数の画素内の対向
電極間に選択的に走査信号及びデータ信号を印加するこ
とにより、液晶の配向を画素毎に制御する。この液晶の
配向制御により該液晶を通過する光が変調されて、表示
領域V内に文字、数字等といった像が表示される。
A portion sandwiching the liquid crystal is formed by a stripe-shaped electrode on the first panel substrate 2a and one pixel electrode on the second panel substrate 2b, and a plurality of these pixels are surrounded by the sealing material 3. The display area V is formed by arranging them in a dot matrix in the internal area to be formed. The liquid crystal driving ICs 4a and 4b control the orientation of the liquid crystal for each pixel by selectively applying a scanning signal and a data signal between opposed electrodes in a plurality of pixels. The light passing through the liquid crystal is modulated by the alignment control of the liquid crystal, and an image such as a character or a number is displayed in the display region V.

【0100】図12は、液晶装置1において表示領域V
を構成する複数の画素のうちの数個の断面構造を拡大し
て示している。また、図13は、1つの画素部分の断面
構造を示している。
FIG. 12 shows a display area V in the liquid crystal device 1.
Are enlarged in cross-sectional structure of several of the plurality of pixels constituting the pixel. FIG. 13 shows a cross-sectional structure of one pixel portion.

【0101】図12において、第1パネル基板2aは、
ガラス、プラスチック等によって形成された基板6a
と、その基板6aの内側表面に形成された光反射膜61
と、その光反射膜61の上に形成されたカラーフィルタ
62と、そのカラーフィルタ62の上に形成された透明
なストライプ状の表示用電極63とを有する。その表示
用電極63の上には図13に示すように配向膜71aが
形成される。この配向膜71aに対して配向処理として
のラビング処理が施される。表示用電極63は、例えば
ITO(Indium Tin Oxide)等といった透明な導電材料
によって形成される。
In FIG. 12, the first panel substrate 2a is
Substrate 6a formed of glass, plastic, etc.
And a light reflecting film 61 formed on the inner surface of the substrate 6a.
And a color filter 62 formed on the light reflection film 61, and a transparent striped display electrode 63 formed on the color filter 62. An alignment film 71a is formed on the display electrode 63 as shown in FIG. A rubbing process is performed on the alignment film 71a as an alignment process. The display electrode 63 is formed of a transparent conductive material such as ITO (Indium Tin Oxide).

【0102】第1パネル基板2aに対向する第2パネル
基板2bは、ガラス、プラスチック等によって形成され
た基板6bと、その基板6bの内側表面に形成されたス
イッチング素子として機能するアクティブ素子としての
TFD(Thin Film Diode)67と、TFD67に接続
された画素電極69とを有する。TFD67及び画素電
極69の上には図13に示すように配向膜71bが形成
され、この配向膜71bに対して配向処理としてのラビ
ング処理が施される。画素電極69は、例えばITO
(Indium Tin Oxide)等といった透明な導電材料によっ
て形成される。
The second panel substrate 2b opposed to the first panel substrate 2a includes a substrate 6b formed of glass, plastic, or the like, and a TFD as an active element functioning as a switching element formed on the inner surface of the substrate 6b. (Thin Film Diode) 67 and a pixel electrode 69 connected to the TFD 67. As shown in FIG. 13, an alignment film 71b is formed on the TFD 67 and the pixel electrode 69, and a rubbing process is performed on the alignment film 71b as an alignment process. The pixel electrode 69 is made of, for example, ITO
(Indium Tin Oxide) and the like.

【0103】第1パネル基板2aに属するカラーフィル
タ62は、第2パネル基板2b側の画素電極69に対向
する位置にR(赤),G(緑),B(青)又はC(シア
ン),M(マゼンタ),Y(イエロー)等といった各色
のいずれかの色絵素62aを有し、画素電極69に対向
しない位置にブラックマスク62bを有する。
The color filter 62 belonging to the first panel substrate 2a has R (red), G (green), B (blue) or C (cyan) at a position facing the pixel electrode 69 on the second panel substrate 2b. It has one of the color picture elements 62a of each color such as M (magenta) and Y (yellow), and has a black mask 62b at a position not opposed to the pixel electrode 69.

【0104】図13において、第1パネル基板2aと第
2パネル基板2bとの間の間隔、すなわちセルギャップ
はいずれか一方の基板の表面に分散された球状のスペー
サ54によって寸法が維持され、そのセルギャップ内に
液晶Lが封入される。
In FIG. 13, the distance between the first panel substrate 2a and the second panel substrate 2b, ie, the cell gap, is maintained by the spherical spacers 54 dispersed on the surface of one of the substrates, and the dimension is maintained. Liquid crystal L is sealed in the cell gap.

【0105】TFD67は、図13及び図14に示すよ
うに、第1金属層65と、その第1金属層65の表面に
形成された絶縁層66と、その絶縁層66の上に形成さ
れた第2金属層68とによって構成されている。このよ
うにTFD67は、第1金属層/絶縁層/第2金属層か
ら成る積層構造、いわゆるMIM(Metal InsulatorMet
al)構造によって構成されている。
As shown in FIGS. 13 and 14, the TFD 67 is formed on a first metal layer 65, an insulating layer 66 formed on the surface of the first metal layer 65, and formed on the insulating layer 66. And the second metal layer 68. As described above, the TFD 67 has a laminated structure including the first metal layer / insulating layer / second metal layer, so-called MIM (Metal Insulator Met).
al) It is composed of a structure.

【0106】第1金属層65は、例えば、タンタル単
体、タンタル合金等によって形成される。第1金属層6
5としてタンタル合金を用いる場合には、主成分のタン
タルに、例えば、タングステン、クロム、モリブデン、
レニウム、イットリウム、ランタン、ディスプロリウム
等といった周期律表において第6〜第8族に属する元素
が添加される。
The first metal layer 65 is formed of, for example, tantalum alone or a tantalum alloy. First metal layer 6
When a tantalum alloy is used as 5, for example, tungsten, chromium, molybdenum,
Elements belonging to Groups 6 to 8 in the periodic table such as rhenium, yttrium, lanthanum, and dysprolium are added.

【0107】第1金属層65はライン配線79の第1層
79aと一体に形成される。このライン配線79は画素
電極69を間に挟んでストライプ状に形成され、画素電
極69へ走査信号を供給するための走査線又は画素電極
69へデータ信号を供給するためのデータ線として作用
する。
The first metal layer 65 is formed integrally with the first layer 79a of the line wiring 79. The line wiring 79 is formed in a stripe shape with the pixel electrode 69 interposed therebetween, and functions as a scanning line for supplying a scanning signal to the pixel electrode 69 or a data line for supplying a data signal to the pixel electrode 69.

【0108】絶縁層66は、例えば、陽極酸化法によっ
て第1金属層65の表面を酸化することによって形成さ
れた酸化タンタル(Ta)によって構成される。
なお、第1金属層65を陽極酸化したときには、ライン
配線79の第1層79aの表面も同時に酸化されて、同
様に酸化タンタルから成る第2層79bが形成される。
The insulating layer 66 is made of, for example, tantalum oxide (Ta 2 O 3 ) formed by oxidizing the surface of the first metal layer 65 by anodic oxidation.
When the first metal layer 65 is anodized, the surface of the first layer 79a of the line wiring 79 is also oxidized at the same time, and a second layer 79b made of tantalum oxide is similarly formed.

【0109】第2金属層68は、例えばCr等といった
導電材によって形成される。画素電極69は、その一部
が第2金属層68の先端に重なるように基板6bの表面
に形成される。なお、基板6bの表面には、第1金属層
65及びライン配線の第1層79aを形成する前に酸化
タンタル等によって下地層を形成することがある。これ
は、第2金属層68の堆積後における熱処理によって第
1金属層65が下地から剥離しないようにしたり、第1
金属層65に不純物が拡散しないようにしたりするため
である。
The second metal layer 68 is formed of a conductive material such as Cr. The pixel electrode 69 is formed on the surface of the substrate 6b such that a part thereof overlaps the tip of the second metal layer 68. Note that an underlayer may be formed on the surface of the substrate 6b using tantalum oxide or the like before forming the first metal layer 65 and the first layer 79a of the line wiring. This prevents the first metal layer 65 from peeling off from the base by heat treatment after the deposition of the second metal layer 68,
This is for preventing impurities from diffusing into the metal layer 65.

【0110】図12において、基板6aの外側表面には
位相差板52aが貼着等によって装着され、さらにその
位相差板52aの上に偏光板53aが貼着等によって装
着される。また、基板6bの外側表面には位相差板52
bが貼着等によって装着され、さらにその位相差板52
bの上に偏光板53bが貼着等によって装着される。
In FIG. 12, a retardation plate 52a is mounted on the outer surface of the substrate 6a by bonding or the like, and a polarizing plate 53a is mounted on the phase difference plate 52a by bonding or the like. A retardation plate 52 is provided on the outer surface of the substrate 6b.
b is attached by sticking or the like,
A polarizing plate 53b is mounted on the “b” by bonding or the like.

【0111】例えばSTN(Super Twisted Nematic)
液晶等を用いると、該液晶を通過する光に波長分散が発
生して表示像に着色が発生することがある。位相差板5
2a及び52bはそのような着色を除去するために用い
られる光学的異方体であり、例えばポリビニルアルコー
ル、ポリエステル、ポリエーテルアミド、ポリエチレン
等といった樹脂を一軸延伸処理することによって形成さ
れるフィルムによって構成できる。
For example, STN (Super Twisted Nematic)
When a liquid crystal or the like is used, wavelength dispersion may occur in light passing through the liquid crystal and coloring may occur in a display image. Phase difference plate 5
Reference numerals 2a and 52b denote optically anisotropic bodies used to remove such coloring, and are constituted by a film formed by uniaxially stretching a resin such as polyvinyl alcohol, polyester, polyetheramide, or polyethylene. it can.

【0112】偏光板53a及び53bは、自然光の入射
に対してある一方向の直線偏光を出射する機能を有する
フィルム状光学要素であり、例えば、偏光層をTAC
(三酢酸セルロース)の保護層で挟むことによって形成
できる。偏光板53a及び53bは、通常は、互いの透
過偏光軸を異ならせて配置する。
The polarizing plates 53a and 53b are film-shaped optical elements having a function of emitting linearly polarized light in one direction with respect to the incidence of natural light.
It can be formed by sandwiching between (cellulose triacetate) protective layers. The polarizing plates 53a and 53b are usually arranged so that their transmission polarization axes are different from each other.

【0113】光反射膜61は、例えば、アルミニウム等
といった光反射性の金属によって形成され、第2パネル
基板2bに属する各画素電極69に対応する位置、すな
わち各画素に対応する位置に光透過用の開口49が形成
される。
The light reflecting film 61 is formed of a light reflecting metal such as aluminum, for example, and is provided at a position corresponding to each pixel electrode 69 belonging to the second panel substrate 2b, that is, at a position corresponding to each pixel. Opening 49 is formed.

【0114】図12の表示用電極63は図15において
列方向YYに延びて図16に示す配線24及びパッド2
5のように基板張り出し部38へ張り出し、該基板張り
出し部38に実装される液晶駆動用IC4bの出力端子
にパッド25が導電接続される。配線24は、例えば図
6(A)に示すように透明導電層70及びそれに積層さ
れた金属層72から成る2層構造を有する。また、必要
に応じて、表示用電極63も図6(B)に示すように、
幅の広い透明導電層70及びそれに積層された幅の狭い
金属層72から成る2層構造を有する。
The display electrodes 63 shown in FIG. 12 extend in the column direction YY in FIG.
5, the pad 25 is electrically connected to the output terminal of the liquid crystal driving IC 4b mounted on the substrate overhang portion 38. The wiring 24 has, for example, a two-layer structure including a transparent conductive layer 70 and a metal layer 72 laminated thereon, as shown in FIG. In addition, if necessary, the display electrode 63 is also provided as shown in FIG.
It has a two-layer structure including a wide transparent conductive layer 70 and a narrow metal layer 72 laminated thereon.

【0115】本実施形態の液晶装置1は以上のように構
成されているので、この液晶装置1が反射型表示を行う
場合には、図12において、観察者側すなわち第2パネ
ル基板2b側から液晶装置1の内部へ入った外部光は、
液晶Lを通過して光反射膜61に到達し、該反射膜61
で反射して再び液晶Lへ供給される。液晶Lは、画素電
極69とストライプ状の表示用電極63との間に印加さ
れる電圧、すなわち走査信号及びデータ信号によって画
素毎にその配向が制御され、これにより、液晶Lに供給
された反射光は画素毎に変調され、これにより観察者側
に文字、数字等といった像が表示される。
Since the liquid crystal device 1 according to the present embodiment is configured as described above, when the liquid crystal device 1 performs a reflection type display, the liquid crystal device 1 is viewed from the viewer side, that is, from the second panel substrate 2b side in FIG. External light entering the inside of the liquid crystal device 1 is
After passing through the liquid crystal L, the light reaches the light reflection film 61, and the reflection film 61
And is supplied to the liquid crystal L again. The orientation of the liquid crystal L is controlled for each pixel by a voltage applied between the pixel electrode 69 and the stripe-shaped display electrode 63, that is, a scanning signal and a data signal. The light is modulated for each pixel, whereby an image such as a character or a number is displayed on the observer side.

【0116】他方、液晶装置1が透過型表示を行う場合
には、第1パネル基板2aの外側に配置された照明装
置、いわゆるバックライト59が発光し、この発光が偏
光板53a、位相差板52a、基板6a、光反射膜61
の開口49、カラーフィルタ62、表示用電極63及び
配向膜71aを通過した後に液晶Lに供給される。この
後、反射型表示の場合と同様にして表示が行われる。
On the other hand, when the liquid crystal device 1 performs a transmissive display, an illuminating device disposed outside the first panel substrate 2a, a so-called backlight 59, emits light. 52a, substrate 6a, light reflection film 61
Is supplied to the liquid crystal L after passing through the opening 49, the color filter 62, the display electrode 63, and the alignment film 71a. Thereafter, display is performed in the same manner as in the case of the reflective display.

【0117】以上の説明のように、本実施形態では、対
向基板2aに形成した表示用電極63につながる配線2
4を透明導電層70と金属層72との積層構造としてい
るため、配線24を透明導電層70のみで形成する場合
に比べ、配線24の電気抵抗を低下させることができ
る。従って、液晶装置1は、配線24における電圧降下
のために表示品質が低下する可能性が低い。
As described above, in the present embodiment, the wiring 2 connected to the display electrode 63 formed on the counter substrate 2a is formed.
Since 4 has a laminated structure of the transparent conductive layer 70 and the metal layer 72, the electric resistance of the wiring 24 can be reduced as compared with the case where the wiring 24 is formed only of the transparent conductive layer 70. Therefore, the liquid crystal device 1 has a low possibility that the display quality is deteriorated due to the voltage drop in the wiring 24.

【0118】また、配線24の電気抵抗を小さくするた
めに透明導電層70の膜厚を厚くする必要がないため、
配線24の透明導電層70と同時に形成されることが多
い表示用電極63の透明導電層70における膜厚が必要
以上に厚くなることがない。従って、透明導電層70を
厚くすることのみによって配線24の電気抵抗を小さく
する場合に比べ、表示用電極63の光透過率を高くする
ことができる。
In addition, since it is not necessary to increase the thickness of the transparent conductive layer 70 in order to reduce the electric resistance of the wiring 24,
The thickness of the transparent conductive layer 70 of the display electrode 63, which is often formed simultaneously with the transparent conductive layer 70 of the wiring 24, does not become unnecessarily thick. Therefore, the light transmittance of the display electrode 63 can be increased as compared with the case where the electric resistance of the wiring 24 is reduced only by increasing the thickness of the transparent conductive layer 70.

【0119】さらに、透明導電層70を厚くすることの
みによって配線24の電気抵抗を小さくする場合に比
べ、表示用電極63及び配線24に用いられている透明
導電層70の厚さを薄くできるため、対向基板2aすな
わち表示装置用基板の形成に要する時間を短縮すること
ができる。
Furthermore, the thickness of the transparent conductive layer 70 used for the display electrode 63 and the wiring 24 can be reduced as compared with the case where the electric resistance of the wiring 24 is reduced only by increasing the thickness of the transparent conductive layer 70. In addition, the time required for forming the counter substrate 2a, that is, the display device substrate can be reduced.

【0120】(第4実施形態)本発明は、3端子型スイ
ッチング素子である薄膜トランジスタ(TFT:ThinFi
lm Transistor)を個々の画素に付属させて有するアク
ティブマトリクス型液晶装置にも適用することができ
る。この液晶装置は、例えば、TFTが形成された素子
基板とそれに対向する対向基板とをTN(Twisted Nema
tic)型等の液晶層を挟んで互いに配置することによっ
て形成される。
(Fourth Embodiment) The present invention relates to a thin film transistor (TFT: ThinFi
The present invention can also be applied to an active matrix liquid crystal device having an lm transistor attached to each pixel. In this liquid crystal device, for example, an element substrate on which a TFT is formed and a counter substrate facing the element substrate are formed by a TN (Twisted Nema).
tic) type liquid crystal layers and the like.

【0121】上記素子基板上には、例えば、互いに交差
配置される走査線及びデータ線と、走査線にゲートが接
続されデータ線にソースが接続されたTFTと、TFT
のドレインに接続された透明導電層から成る画素電極と
が形成される。また、対向基板上には水平方向の画素電
極の配列に重なるように幅の広い表示用電極すなわち共
通電極がストライプ状に形成される。
On the element substrate, for example, a scanning line and a data line intersecting with each other, a TFT having a gate connected to the scanning line and a source connected to the data line,
And a pixel electrode made of a transparent conductive layer connected to the drain of the pixel. A wide display electrode, that is, a common electrode is formed in a stripe shape on the counter substrate so as to overlap with the horizontal arrangement of pixel electrodes.

【0122】この液晶装置では、表示用電極に印加する
共通電圧のレベルを画素行毎に、すなわち水平走査期間
毎に且つ1垂直走査期間毎に切り替えて、画素電極と表
示用電極の間の液晶を交流駆動する。この駆動方法は、
1Hコモン振り駆動と呼ばれている。
In this liquid crystal device, the level of the common voltage applied to the display electrode is switched for each pixel row, that is, for each horizontal scanning period and for each vertical scanning period, so that the liquid crystal between the pixel electrode and the display electrode is switched. AC drive. This driving method
This is called 1H common swing drive.

【0123】このようなTFT方式のアクティブマトリ
クス型液晶装置においても、対向基板を構成する表示用
基板上に形成される配線を、本発明に従って、透明導電
層及び金属層から成る積層構造によって形成することに
より、既述の実施形態と同様の作用効果を得ることがで
きる。
Also in such an active matrix type liquid crystal device of the TFT type, the wiring formed on the display substrate constituting the opposing substrate is formed according to the present invention by a laminated structure composed of a transparent conductive layer and a metal layer. Thereby, the same operation and effect as the above-described embodiment can be obtained.

【0124】以下、このTFT方式のアクティブマトリ
クス型液晶装置について、図面を用いて説明する。
The TFT active matrix liquid crystal device will be described below with reference to the drawings.

【0125】図17は本実施形態に係る液晶装置の回路
構成を示している。この図において、アクティブマトリ
クスエリア110には、N行×M列に画素TFT108
が配置され、これらの画素TFTのゲート電極に接続さ
れるN本の走査線と、それらのソース領域に接続される
M(=m×n)本の信号線が形成されている。これらM
本の信号線にはアナログスイッチTFT(20-11〜20-n
m)が接続される。
FIG. 17 shows a circuit configuration of the liquid crystal device according to the present embodiment. In this figure, an active matrix area 110 includes pixel TFTs 108 in N rows × M columns.
Are arranged, and N scanning lines connected to the gate electrodes of these pixel TFTs and M (= m × n) signal lines connected to their source regions are formed. These M
Analog switch TFTs (20-11 to 20-n
m) is connected.

【0126】アナログスイッチTFTは、隣接するm個
を1ブロックとしてnブロックに分割されており、アナ
ログスイッチTFT(20-11,20-12〜20-1m)が1番目の
ブロックであり、(20-21,20-22〜20-2m)が2番目のブ
ロックであり、… … …(20-n1,20-n2〜20-nm)がn
番目のブロックになる。そして、同一ブロックに含まれ
て互いに隣接するアナログスイッチTFT(20-11,20-1
2〜20-1m)のゲート電極は第1配線 22-1 によって共通
に接続される。また、同様に、各ブロック(20-21,20-2
2〜20-2m)… … …(20-n1,20-n2〜20-nm)のアナロ
グスイッチTFTのゲート電極は、それぞれ、第1配線
22-2, … …, 22-n によって共通に接続される。
The analog switch TFT is divided into n blocks with m adjacent blocks as one block, and the analog switch TFTs (20-11, 20-12 to 20-1m) are the first block. -21, 20-22 to 20-2m) is the second block, and ... (20-n1, 20-n2 to 20-nm) is n
Be the first block. The adjacent analog switch TFTs (20-11, 20-1) included in the same block
The gate electrodes 2 to 20-1m) are commonly connected by a first wiring 22-1. Similarly, each block (20-21, 20-2
The gate electrodes of the (20-n1, 20-n2 to 20-nm) analog switch TFTs are the first wirings, respectively.
Connected in common by 22-2,……, 22-n.

【0127】また、異なるブロックに含まれて互いに隣
接しないアナログスイッチTFT(20-11,20-21,〜,20-
n1)のソース領域は第2配線 24-1 によって共通に接続
される。また、同様に、アナログスイッチTFT(20-1
2,20-22,〜,20-n2)… ……(20-1m,20-2m,〜,20-nm)
のソース領域は、それぞれ、第2配線24-2, … …24-m
によって共通に接続される。
The analog switch TFTs (20-11, 20-21,..., 20-
The source region of n1) is commonly connected by the second wiring 24-1. Similarly, the analog switch TFT (20-1
2,20-22, ~, 20-n2) ... ...... (20-1m, 20-2m, ~, 20-nm)
, Are the second wirings 24-2,..., 24-m
Connected in common.

【0128】このようにアナログスイッチTFTをm個
ずつnブロックに分割し、第1配線に加える制御信号で
アナログスイッチTFTのオン・オフを制御すること
で、信号線の端子数を1/nにすることができる。すな
わち、アナログスイッチTFTが無い場合にはM本存在
した信号線の端子数を、m(=M/n)本にできる。そ
して、データドライバは、m本の第2配線 24-1〜24-m
に接続されることになり、データドライバの個数、端子
数を少なくでき、装置の小型化及び低コスト化を達成で
きる。
As described above, the analog switch TFT is divided into n blocks each having m pieces, and the ON / OFF of the analog switch TFT is controlled by a control signal applied to the first wiring, thereby reducing the number of terminals of the signal line to 1 / n. can do. That is, when there is no analog switch TFT, the number of terminals of the M signal lines can be reduced to m (= M / n). Then, the data driver has m second wirings 24-1 to 24-m
, The number of data drivers and the number of terminals can be reduced, and downsizing and cost reduction of the device can be achieved.

【0129】本実施形態の液晶装置では、第2配線 24-
1〜24-m を介してアナログスイッチTFT 20-11 〜 20
-nm のソース領域に供給する入力信号の振幅を5V以下
にすることが望ましい。このようにすることで、アナロ
グスイッチTFTのしきい値電圧のシフト量を減らすこ
とができ、これにより、信頼性の確保、表示品質の向上
を達成できる。
In the liquid crystal device of this embodiment, the second wiring 24-
Analog switch TFT 20-11 to 20 through 1 to 24-m
It is desirable that the amplitude of the input signal supplied to the -nm source region be 5 V or less. By doing so, the amount of shift of the threshold voltage of the analog switch TFT can be reduced, whereby reliability can be ensured and display quality can be improved.

【0130】図22は、アナログスイッチTFTのしき
い値電圧のシフト量と動作時間との関係に関する測定結
果を示している。選択信号Vg=20Vとし、負荷容量
Cは標準的な液晶パネルでの負荷容量と同じになるよう
にC=10pF程度としている。また、動作周波数fは
320kHzとしている。
FIG. 22 shows a measurement result regarding the relationship between the shift amount of the threshold voltage of the analog switch TFT and the operation time. The selection signal Vg is set to 20 V, and the load capacitance C is set to about 10 pF so as to be equal to the load capacitance of a standard liquid crystal panel. The operating frequency f is set to 320 kHz.

【0131】本実施形態の液晶装置では、nブロックに
分割されるアナログスイッチTFTを設け、データドラ
イバの個数あるいは端子数を減らしている、例えば1/
nに減らしているため、画素電極の充放電に許される時
間が通常よりも短くなっている。このため、上記動作周
波数fも高くしている。アナログスイッチTFTに供給
する入力信号に相当する10V振幅(すなわち、Vd=
10V)の矩形波信号を加えた場合のしきい値のシフト
特性は“G”で示すようになり、5V振幅(すなわち、
Vd=5V)の矩形波信号を加えた場合は“H”で示す
ようになる。
In the liquid crystal device of the present embodiment, an analog switch TFT divided into n blocks is provided to reduce the number of data drivers or the number of terminals.
Since the number is reduced to n, the time allowed for charging and discharging the pixel electrode is shorter than usual. For this reason, the operating frequency f is also increased. 10V amplitude corresponding to the input signal supplied to the analog switch TFT (that is, Vd =
When a square wave signal of 10 V) is applied, the shift characteristic of the threshold value is indicated by "G", and the amplitude of the 5 V amplitude (that is,
When a rectangular wave signal (Vd = 5V) is applied, the signal becomes as shown by "H".

【0132】Vd=10Vの場合には、200時間程度
でしきい値電圧が1Vシフトしてしまう。一方、アナロ
グスイッチTFTのソース領域に加える入力信号の振幅
を5Vとした場合、すなわちVd=5Vの場合には、1
0000時間程度までしきい値電圧のシフト量を1V以
下に保持できる。
When Vd = 10 V, the threshold voltage shifts by 1 V in about 200 hours. On the other hand, when the amplitude of the input signal applied to the source region of the analog switch TFT is 5 V, that is, when Vd = 5 V, 1
The shift amount of the threshold voltage can be maintained at 1 V or less until about 0000 hours.

【0133】しきい値電圧のシフト量が1Vよりも大き
くなると、画素電極に対するデータの書き込み量が不足
し、すなわち画素電極の電位を所望の電位にできなくな
り、それ故、コントラスト比が低下する等といった問題
が生じる。特に、例えばアナログスイッチTFTのしき
い値電圧が1V程度であった場合には、しきい値電圧が
マイナス側に1V程度シフトすると、アナログスイッチ
TFTはデプレッションモードになってしまい、アナロ
グスイッチTFTがオフ状態であっても電流がリークし
てしまい、これは表示特性の劣化につながる。
If the shift amount of the threshold voltage is larger than 1 V, the amount of writing data to the pixel electrode becomes insufficient, that is, the potential of the pixel electrode cannot be set to a desired potential, and therefore, the contrast ratio decreases. Such a problem arises. In particular, for example, when the threshold voltage of the analog switch TFT is about 1 V, if the threshold voltage shifts by about 1 V to the minus side, the analog switch TFT enters the depletion mode, and the analog switch TFT turns off. Even in the state, current leaks, which leads to deterioration of display characteristics.

【0134】液晶装置の信頼性を十分なものとするため
には、少なくとも1000時間程度まではしきい値電圧
のシフト量を1V以下に保つ必要があり、数千時間程度
まで1V以下であることが望ましい。Vd=10Vの場
合には、図22に示すように200時間程度でシフト量
が1Vよりも大きくなってしまい、1000時間で2V
程度シフトしてしまうため、信頼性の確保の上で非常に
問題がある。本実施形態の液晶装置では、アナログスイ
ッチTFTの入力信号の振幅を5V以下にすることで、
ソース領域の端部での電界集中を緩和できる。これによ
り、10000時間程度までしきい値電圧のシフト量を
1V以下に保つことができ、十分なマージンを保ちなが
ら信頼性を確保できる。さらに、入力信号の振幅を5V
以下とすることで、アナログスイッチTFTの突き抜け
電圧の差を減少でき、液晶へのDC印加電圧も低くでき
る。
In order to ensure sufficient reliability of the liquid crystal device, the shift amount of the threshold voltage must be maintained at 1 V or less for at least about 1000 hours, and 1 V or less for about several thousand hours. Is desirable. In the case of Vd = 10V, the shift amount becomes larger than 1V in about 200 hours as shown in FIG.
This causes a problem in securing reliability. In the liquid crystal device of this embodiment, the amplitude of the input signal of the analog switch TFT is set to 5 V or less,
The electric field concentration at the end of the source region can be reduced. As a result, the shift amount of the threshold voltage can be kept at 1 V or less until about 10,000 hours, and the reliability can be secured while keeping a sufficient margin. Further, the amplitude of the input signal is 5 V
By setting as follows, the difference in the punch-through voltage of the analog switch TFT can be reduced, and the DC applied voltage to the liquid crystal can be reduced.

【0135】なお、図22では、Vd=10Vの場合と
の比較を適正に行うため、Vd=5Vの場合にもVg=
20Vとして測定を行っている。しかしながら、Vd=
5V、すなわち入力信号の振幅が5Vの場合には、Vg
=15Vであっても、Vd=10VでVg=20Vの場
合と同様の書き込み性能を確保できる。そしてその場合
には、しきい値電圧のシフト量は図22の“H”に示す
ものよりもさらに減少し、信頼性が向上する。また、信
頼性をさらに向上するためには、Vd=3V以下とする
ことが望ましい。なお、図22の“I”に、Vd=5V
で動作周波数32kHzの場合の測定結果を参考のため
に併記する。
In FIG. 22, in order to properly compare with Vd = 10V, Vg = Vg = 5V.
The measurement is performed at 20V. However, Vd =
5 V, that is, when the amplitude of the input signal is 5 V, Vg
= 15V, the same write performance as Vd = 10V and Vg = 20V can be ensured. In this case, the shift amount of the threshold voltage is further reduced as compared with that shown by "H" in FIG. 22, and the reliability is improved. Further, in order to further improve the reliability, it is desirable that Vd = 3 V or less. It should be noted that Vd = 5V in "I" of FIG.
The measurement results at an operating frequency of 32 kHz are also shown for reference.

【0136】次に、本実施形態の液晶装置では、画素T
FTをアナログスイッチTFTとを、多結晶シリコン又
は単結晶シリコンによって形成すると共に、ガラス基板
上に一体形成することが望ましい。アナログスイッチT
FTには入力信号が加えられ、所定期間内に画素電極へ
の充放電を完了しないと表示特性が劣化するため、アナ
ログスイッチTFTのオン抵抗を低減する必要がある。
特に、アナログスイッチTFTをnブロックに分割しデ
ータドライバの個数を減らしている場合には、オン抵抗
の低減化に対する要求はさらに厳しくなる。ところが、
非晶質シリコンTFT、すなわちアモルファスシリコン
TFTは移動度が非常に低く、画素TFTに使用できて
も、アナログスイッチTFTに使用することは上記オン
抵抗の問題から実用不可能であった。
Next, in the liquid crystal device of this embodiment, the pixel T
It is desirable that the FT and the analog switch TFT be formed of polycrystalline silicon or single crystal silicon and be formed integrally on a glass substrate. Analog switch T
An input signal is applied to the FT, and display characteristics deteriorate unless charging / discharging of the pixel electrode is completed within a predetermined period. Therefore, it is necessary to reduce the on-resistance of the analog switch TFT.
In particular, when the number of data drivers is reduced by dividing the analog switch TFT into n blocks, the demand for reducing the on-resistance becomes more severe. However,
Amorphous silicon TFTs, that is, amorphous silicon TFTs, have very low mobility, and although they can be used for pixel TFTs, they cannot be used for analog switch TFTs because of the above-mentioned problem of on-resistance.

【0137】本実施形態では、画素TFTとアナログス
イッチTFTとを、非晶質のものに比べ移動度が非常に
高い多結晶シリコン又は単結晶シリコンで形成してい
る。これにより、画素TFTとアナログスイッチTFT
のガラス基板上への一体形成化を実用上可能にしてい
る。画素TFTとアナログスイッチTFTとをガラス基
板上に一体形成することで、液晶装置の外形寸法を小型
化でき、装置の低コスト化を達成できる。
In the present embodiment, the pixel TFT and the analog switch TFT are formed of polycrystalline silicon or single crystal silicon, which has a much higher mobility than amorphous TFTs. Thereby, the pixel TFT and the analog switch TFT
In practice, it is possible to form a single unit on a glass substrate. By integrally forming the pixel TFT and the analog switch TFT on a glass substrate, the external dimensions of the liquid crystal device can be reduced, and the cost of the device can be reduced.

【0138】次に、図18を用いて、画素TFTとアナ
ログスイッチTFTを一体形成する場合の製造方法及び
デバイス構造について説明する。まず、ガラス基板13
0からの不純物の拡散を防止するための下地絶縁膜13
2をそのガラス基板130上に堆積させた後、多結晶シ
リコン薄膜134を堆積させる。この多結晶シリコン薄
膜134の結晶性を向上させることが、電界効果移動度
の増加には必要となる。そこで、レーザーアニールや固
相成長法等を用いて多結晶シリコン薄膜を再結晶化した
り、非晶質シリコン薄膜を結晶化して多結晶シリコン化
したものを使用する。この多結晶シリコン膜134を島
状にパターニングした後、ゲート絶縁膜136を堆積さ
せる。
Next, a manufacturing method and a device structure in the case where a pixel TFT and an analog switch TFT are integrally formed will be described with reference to FIG. First, the glass substrate 13
Base insulating film 13 for preventing diffusion of impurities from zero
After depositing 2 on the glass substrate 130, a polycrystalline silicon thin film 134 is deposited. Improving the crystallinity of the polycrystalline silicon thin film 134 is necessary for increasing the field effect mobility. Therefore, a polycrystalline silicon thin film is recrystallized using laser annealing, a solid phase growth method, or the like, or an amorphous silicon thin film is crystallized to be polycrystalline silicon. After patterning the polycrystalline silicon film 134 into an island shape, a gate insulating film 136 is deposited.

【0139】次に、例えば金属によってゲート電極13
8を形成し、その後、燐イオン等の不純物を全面にドー
ピングする。次に、層間絶縁膜(SiO )140を
形成し、例えばアルミニウム(Al)によって金属薄膜
142で信号線等を形成し、ITO等といった透明導電
膜によって画素電極144を形成し、パシベーション膜
146を形成すれば、画素TFTをアナログスイッチT
FTとを一体形成した基板が完成する。この基板に配向
処理を施し、配向処理を同様に施した対向基板135を
数μmのギャップを隔てて対向させ、そのギャップ内に
液晶Lを封入すれば液晶装置が完成する。
Next, the gate electrode 13 is made of, for example, a metal.
After that, an impurity such as phosphorus ions is doped on the entire surface. Next, an interlayer insulating film (SiO 2 ) 140 is formed, a signal line or the like is formed of a metal thin film 142 of, for example, aluminum (Al), a pixel electrode 144 is formed of a transparent conductive film such as ITO, and a passivation film 146 is formed. If formed, the pixel TFT is connected to the analog switch T
A substrate integrally formed with the FT is completed. The liquid crystal device is completed by subjecting the substrate to an orientation process, facing the opposite substrate 135, which has been similarly subjected to the orientation process, with a gap of several μm therebetween and sealing the liquid crystal L in the gap.

【0140】対向基板135の液晶L側の表面には、例
えば図3に示すように、表示用電極22が形成され、さ
らにその表示用電極22から延びる配線24のパッド2
5に外部回路からの端子が接続される。また、配線24
は図6(A)に示すように、透明導電層70と低抵抗の
金属層72とから成る2層構造によって形成される。ま
た、必要に応じて表示用電極22も、図6(B)に示す
ように、幅の広い透明導電層70と幅の狭い低抵抗の金
属層72とから成る2層構造によって形成される。
For example, as shown in FIG. 3, a display electrode 22 is formed on the surface of the counter substrate 135 on the liquid crystal L side, and the pad 2 of the wiring 24 extending from the display electrode 22 is formed.
5 is connected to a terminal from an external circuit. Also, the wiring 24
Is formed by a two-layer structure including a transparent conductive layer 70 and a low-resistance metal layer 72, as shown in FIG. The display electrode 22 is also formed as necessary, as shown in FIG. 6B, by a two-layer structure including a wide transparent conductive layer 70 and a narrow low-resistance metal layer 72.

【0141】図17に示した液晶装置101は、例えば
図19に示す外観形状に形成できる。図19において、
破線で示す部分が表示画面すなわちアクティブマトリク
スエリア160である。液晶材料は、カラーフィルタ基
板162とTFT基板164との間に挟持され。領域1
66には、アナログスイッチTFT及びその配線が配置
される。
The liquid crystal device 101 shown in FIG. 17 can be formed, for example, in the appearance shown in FIG. In FIG.
The portion indicated by the broken line is the display screen, that is, the active matrix area 160. The liquid crystal material is sandwiched between the color filter substrate 162 and the TFT substrate 164. Area 1
At 66, an analog switch TFT and its wiring are arranged.

【0142】データドライバ170はTAB(Tape Aut
omated Bonding)テープ168を用いて実装される。そ
して、データドライバ172及び走査ドライバ174も
同様にしてTABテープ168を用いて実装される。
The data driver 170 has a TAB (Tape Aut).
(Omated Bonding) Tape 168 is used. Then, the data driver 172 and the scanning driver 174 are similarly mounted using the TAB tape 168.

【0143】回路基板176上には、データドライバ1
70,172及び走査ドライバ174に信号を供給する
ための配線、コンデンサ等が設けられる。また、場合に
よっては、データドライバ、走査ドライバをコントロー
ルするためのコントロール回路も設けられる。
On the circuit board 176, the data driver 1
Wirings, capacitors, and the like for supplying signals to 70 and 172 and the scanning driver 174 are provided. In some cases, a control circuit for controlling the data driver and the scanning driver is also provided.

【0144】図19に示す実施形態では、アナログスイ
ッチTFTをアクティブマトリクスエリア160の上側
及び下側に半数ずつ配置している。このため、図17に
示したM本の信号線は上側及び下側の両側から、いわゆ
るクシ歯状に配線される。また、データドライバ及び走
査ドライバは、カラーフィルタ基板162及びTFT基
板164の貼り合わせ構造である液晶パネルの同一辺に
実装される。このような構成により、本実施形態の液晶
装置は外形寸法L3を非常に小さくすることができ、そ
れ故、携帯電話機、携帯電子端末機等といった携帯機器
に好適に使用できる。
In the embodiment shown in FIG. 19, half of the analog switch TFTs are arranged above and below the active matrix area 160, respectively. Therefore, the M signal lines shown in FIG. 17 are wired in a so-called comb-like shape from both the upper and lower sides. The data driver and the scanning driver are mounted on the same side of a liquid crystal panel having a structure in which the color filter substrate 162 and the TFT substrate 164 are bonded to each other. With such a configuration, the liquid crystal device of the present embodiment can have a very small outer dimension L3, and therefore can be suitably used for portable devices such as a mobile phone and a portable electronic terminal.

【0145】以上に説明したように、本実施形態の液晶
装置101においてアナログスイッチTFTのしきい値
電圧のシフト量を適正なものにするためには、アナログ
スイッチTFTのソース領域に供給する入力信号の振幅
を5V以下にすることが望ましい。しかしながら、この
場合、通常の駆動方法を用いると以下のような問題が生
じる。
As described above, in the liquid crystal device 101 of the present embodiment, in order to make the threshold voltage shift amount of the analog switch TFT appropriate, an input signal supplied to the source region of the analog switch TFT is used. Is desirably 5 V or less. However, in this case, the following problem occurs when a normal driving method is used.

【0146】図21は、フィールド反転駆動を行う通常
の駆動波形を示している。液晶は交流駆動する必要があ
るため、信号線に加える信号V を所定電位V を中
心に所定期間毎に極性反転する必要がある。このため図
21に示すようにV の振幅は非常に広くなる。そし
て通常のTN液晶では±5V程度の電圧を印加する必要
があるため、V の振幅も10V程度必要となる。な
お、対向電極に与える電位Vcomは、画素TFTがオ
フ状態となるときに生じる突き抜け電圧を補償するため
に、V の中心電位V よりもΔVだけ低い電位とな
っている。ここで、ΔVの平均値=V −Vcomの
関係が成り立っている。
FIG. 21 shows a normal drive waveform for performing the field inversion drive. Liquid crystal it is necessary to AC drive needs to be polarity inverted every predetermined period a signal V S applied to the signal line around a predetermined electric potential V C. Therefore the amplitude of V S as shown in FIG. 21 is very wide. And since the conventional TN liquid crystal it is necessary to apply a voltage of about ± 5V, the amplitude of V S is also required about 10V. Note that the potential Vcom to be applied to the counter electrode, in order to compensate for the penetration voltage produced when the pixel TFT is turned off, has a potential lower ΔV than the center potential V C of V S. Here, the relationship of the average value of ΔV = V C −Vcom is established.

【0147】図21に示す駆動波形では、V の振幅
を10V程度と広くする必要がある。従って、アナログ
スイッチTFTの入力信号の振幅も広くする必要があ
り、入力信号の振幅を5V以下にできない。そこで本実
施形態では、図20に示すように、対向電極に与える電
位の前記入力信号に対する極性を1水平走査期間毎に反
転させる駆動を行っている(以下、この駆動方法を1H
コモン振り駆動と呼ぶ)。
[0147] In the driving waveform shown in FIG. 21, it is necessary to increase the amplitude of V S and about 10V. Therefore, it is necessary to increase the amplitude of the input signal of the analog switch TFT, and the amplitude of the input signal cannot be reduced to 5 V or less. Therefore, in the present embodiment, as shown in FIG. 20, driving is performed in which the polarity of the potential applied to the counter electrode with respect to the input signal is inverted every horizontal scanning period.
Common swing drive).

【0148】図21では、V の極性をV を中心と
して1フィールド毎に反転させていたが、1Hコモン振
り駆動では、Vcomの極性が1水平走査期間毎に反転
するため、V の極性反転を行う必要が無い。このた
め、V の振幅を小さくすることができる。これによ
り、表示品質を保ちながらアナログスイッチTFTの入
力信号を5V以下にすることが可能となる。さらに、デ
ータドライバを低動作電圧化でき、5V耐圧の製造プロ
セスで形成することが可能となり、データドライバの小
型化、低消費電力化、低コスト化を達成できる。
[0148] In Figure 21, although the polarity of V S was then inverted every field around the V C, the 1H common swing driving, the polarity of the Vcom is inverted every one horizontal scanning period, the V S There is no need to perform polarity inversion. Therefore, it is possible to reduce the amplitude of V S. This makes it possible to reduce the input signal of the analog switch TFT to 5 V or less while maintaining the display quality. Further, the data driver can be operated at a lower operating voltage, and can be formed by a manufacturing process with a withstand voltage of 5 V, so that the size, the power consumption, and the cost of the data driver can be reduced.

【0149】このように1Hコモン振り駆動によれば、
アナログスイッチTFTの信頼性の向上と、データドラ
イバの低動作電圧等を両立できる。なお、図20では、
突き抜け電圧による悪影響を防止するため、ΔVの平均
値=V の平均値−Vcomの平均値となる関係を成
り立たせている。
As described above, according to the 1H common swing drive,
The improvement of the reliability of the analog switch TFT and the low operation voltage of the data driver can be compatible. In FIG. 20,
To prevent the adverse effect of penetration voltage, thereby hold the relation of the average value of the average value -Vcom average value = V S of [Delta] V.

【0150】以上の説明のように、本実施形態では、図
18の対向基板135に図3に示すようなストライプ状
の表示用電極22が形成される。そしてその表示用電極
22につながる配線24は図6(A)に示すように透明
導電層70と金属層72との積層構造となっている。こ
のため、配線24を透明導電層70のみで形成する場合
に比べ、配線24の電気抵抗を低下させることができ、
従って、配線24における電圧降下のために液晶装置の
表示品質が低下するという可能性が低くなる。また、配
線24の電気抵抗を小さくするために透明導電層70の
膜厚を厚くする必要がないため、配線24の透明導電層
70と同時に形成されることが多い表示用電極63の透
明導電層70における膜厚が必要以上に厚くなることが
ない。従って、透明導電層70を厚くすることのみによ
って配線24の電気抵抗を小さくする場合に比べ、表示
用電極63の光透過率を高くすることができる。
As described above, in this embodiment, the stripe-shaped display electrodes 22 as shown in FIG. 3 are formed on the counter substrate 135 of FIG. The wiring 24 connected to the display electrode 22 has a laminated structure of a transparent conductive layer 70 and a metal layer 72 as shown in FIG. Therefore, the electric resistance of the wiring 24 can be reduced as compared with the case where the wiring 24 is formed only of the transparent conductive layer 70,
Therefore, the possibility that the display quality of the liquid crystal device is reduced due to the voltage drop in the wiring 24 is reduced. Further, since it is not necessary to increase the thickness of the transparent conductive layer 70 in order to reduce the electric resistance of the wiring 24, the transparent conductive layer of the display electrode 63 that is often formed simultaneously with the transparent conductive layer 70 of the wiring 24 is not necessary. The film thickness at 70 does not become unnecessarily thick. Therefore, the light transmittance of the display electrode 63 can be increased as compared with the case where the electric resistance of the wiring 24 is reduced only by increasing the thickness of the transparent conductive layer 70.

【0151】さらに、透明導電層70を厚くすることの
みによって配線24の電気抵抗を小さくする場合に比
べ、表示用電極63及び配線24に用いられている透明
導電層70の厚さを薄くできるため、対向基板2aすな
わち表示装置用基板の形成に要する時間を短縮すること
ができる。
Further, the thickness of the transparent conductive layer 70 used for the display electrode 63 and the wiring 24 can be reduced as compared with the case where the electric resistance of the wiring 24 is reduced only by increasing the thickness of the transparent conductive layer 70. In addition, the time required for forming the counter substrate 2a, that is, the display device substrate can be reduced.

【0152】(第5実施形態)図8(A)、(B)及び
(C)は、図1に示す液晶装置10、図15に示す液晶
装置1又は図17に示す液晶装置101等を表示装置と
して用いた電子機器の実施形態を示している。図8
(A)は携帯電話機88を示し、その前面の上方に液晶
装置10等を有する。図8(B)は腕時計92を示し、
その本体の前面の中央に液晶装置10等を表示部として
有する。図8(C)は携帯情報機器96を示し、液晶装
置10等から成る表示部と入力部98とを備えている。
(Fifth Embodiment) FIGS. 8A, 8B, and 8C show the liquid crystal device 10 shown in FIG. 1, the liquid crystal device 1 shown in FIG. 15, the liquid crystal device 101 shown in FIG. 17, and the like. 1 shows an embodiment of an electronic device used as a device. FIG.
(A) shows a mobile phone 88 having a liquid crystal device 10 and the like above its front surface. FIG. 8B shows a wristwatch 92,
A liquid crystal device 10 and the like are provided as a display unit in the center of the front surface of the main body. FIG. 8C illustrates a portable information device 96 including a display unit including the liquid crystal device 10 and the like, and an input unit 98.

【0153】以上の各電子機器は、液晶装置10等の他
に、例えば図11に示すように、表示情報出力源86、
表示情報処理回路87、クロック発生回路89等といっ
た様々な回路や、それらの回路に電力を供給する電源回
路91等から成る表示信号生成部93を含んで構成され
る。表示部には、例えば、図8(C)に示す携帯情報機
器96の場合にあっては、入力部98から入力された情
報等に基づき表示信号生成部93によって生成された表
示信号が供給されることによって表示画像が形成され
る。
Each of the above-described electronic devices is, for example, a display information output source 86, as shown in FIG.
It is configured to include various circuits such as a display information processing circuit 87, a clock generation circuit 89, and the like, and a display signal generation unit 93 including a power supply circuit 91 for supplying power to those circuits. For example, in the case of the portable information device 96 shown in FIG. 8C, a display signal generated by the display signal generation unit 93 based on information input from the input unit 98 is supplied to the display unit. Thus, a display image is formed.

【0154】なお、本実施形態に係る液晶装置10等が
組み込まれる電子機器としては、携帯電話機、腕時計、
携帯情報機器に限られず、ノート型パソコン、電子手
帳、ページャ、電卓、POS端末、ICカード、ミニデ
ィスクプレーヤー等といった様々な電子機器が考えられ
る。
The electronic devices in which the liquid crystal device 10 and the like according to the present embodiment are incorporated include a mobile phone, a wristwatch,
Not limited to portable information devices, various electronic devices such as a notebook computer, an electronic organizer, a pager, a calculator, a POS terminal, an IC card, a mini disk player, and the like can be considered.

【0155】(その他の実施形態)以上、好ましい実施
形態を挙げて本発明を説明したが、本発明はその実施形
態に限定されるものでなく、請求の範囲に記載した発明
の範囲内で種々に改変できる。
(Other Embodiments) The present invention has been described with reference to the preferred embodiments. However, the present invention is not limited to the embodiments, and various modifications may be made within the scope of the invention described in the claims. Can be modified.

【0156】例えば、前述した各実施形態においては、
透明導電層がITOで形成され、金属層がアルミニウム
が形成された例を示した。しかしながら、透明導電層を
形成する材料は、光透過率が高く十分な導電性を備えて
いればよく、例えば、酸化錫や銀であってもよい。ま
た、透明導電層は光透過と光反射の両方を行う半透過機
能を有する半透過膜であっても構わない。また、金属層
を形成する材料は、十分な導電性を持てばよく、例え
ば、クロム、銅、銀又は金等であってもよい。
For example, in each of the above-described embodiments,
The example in which the transparent conductive layer was formed of ITO and the metal layer was formed of aluminum was shown. However, the material for forming the transparent conductive layer only needs to have high light transmittance and sufficient conductivity, and may be, for example, tin oxide or silver. Further, the transparent conductive layer may be a semi-transmissive film having a semi-transmissive function of performing both light transmission and light reflection. The material for forming the metal layer only needs to have sufficient conductivity, and may be, for example, chromium, copper, silver, or gold.

【0157】また、前述した各実施形態の液晶パネルに
おいて、一対の基板の一方の内面にカラーフィルタを形
成し,カラー表示装置とすることもできる。カラーフィ
ルタは、表示用電極の下層に形成することが好ましい。
Further, in the liquid crystal panel of each of the above-described embodiments, a color filter may be formed on one inner surface of a pair of substrates to form a color display device. The color filter is preferably formed below the display electrode.

【0158】また、前述した各実施形態においては、液
晶パネルとして、STN型の液晶パネルを示した。しか
しながら、液晶パネルとしては、これに限られず、TN
(Twisted Nematic)型、ゲストホスト型、相転移型、
双安定TN(Bi−stable Twisted Nematic)型、強誘電
型等、種々のタイプの液晶パネルを用いることができ
る。また、表示用電極はストライプ状に限られず、アイ
コン等といったキャラクタ形状でもよい。
In each of the embodiments described above, the STN type liquid crystal panel is described as the liquid crystal panel. However, the liquid crystal panel is not limited to this, and TN
(Twisted Nematic) type, guest host type, phase transition type,
Various types of liquid crystal panels such as a bistable TN (Bi-stable Twisted Nematic) type and a ferroelectric type can be used. Further, the display electrode is not limited to a stripe shape, but may be a character shape such as an icon.

【0159】また、図1に示した実施形態においては、
透過型の液晶装置を例示した。しかしながら、反射型の
表示装置であっても本発明を適用することができる。そ
のような液晶装置においては、バックライトユニットを
用いず、背面側に反射板を配置したり、表示用電極の一
方を反射電極として形成したりする。
Further, in the embodiment shown in FIG.
The transmission type liquid crystal device has been exemplified. However, the present invention can be applied to a reflective display device. In such a liquid crystal device, a reflective plate is disposed on the back side without using a backlight unit, or one of the display electrodes is formed as a reflective electrode.

【0160】また、本発明は前述した各実施形態に限定
されるものではなく、本発明の要旨の範囲内又は特許請
求の範囲の均等範囲内で各種の変形実施が可能である。
The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made within the scope of the present invention or within the equivalent scope of the claims.

【0161】[0161]

【発明の効果】以上に説明したように、本発明に係るに
よれば、配線を透明導電層と金属層との積層構造として
いるため、配線を透明導電層のみで形成する場合に比
べ、配線の電気抵抗を低下させることができる。従っ
て、本発明の表示装置用基板を用いた液晶装置は、配線
における電圧降下のために表示品質が低下する可能性が
低い。
As described above, according to the present invention, since the wiring has a laminated structure of the transparent conductive layer and the metal layer, the wiring can be formed as compared with the case where the wiring is formed only of the transparent conductive layer. Can be reduced in electric resistance. Therefore, in the liquid crystal device using the display device substrate of the present invention, the possibility that the display quality is deteriorated due to a voltage drop in the wiring is low.

【0162】また、配線の電気抵抗を小さくするために
透明導電層の膜厚を厚くする必要がないため、配線の透
明導電層と同時に形成されることが多い表示用電極の透
明導電層における膜厚が必要以上に厚くなることがな
い。従って、透明導電層を厚くすることのみによって配
線の電気抵抗を小さくする場合に比べ、表示用電極の光
透過率を高くすることができる。
Since it is not necessary to increase the thickness of the transparent conductive layer in order to reduce the electric resistance of the wiring, the film in the transparent conductive layer of the display electrode, which is often formed simultaneously with the transparent conductive layer of the wiring, is not necessary. The thickness is not increased more than necessary. Therefore, the light transmittance of the display electrode can be increased as compared with the case where the electric resistance of the wiring is reduced only by increasing the thickness of the transparent conductive layer.

【0163】さらに、透明導電層を厚くすることのみに
よって配線の電気抵抗を小さくする場合に比べ、表示用
電極及び配線に用いられている透明導電層の厚さを薄く
できるため、表示装置用基板の形成に要する時間を短縮
することができる。
Further, the thickness of the transparent conductive layer used for the display electrode and the wiring can be reduced as compared with the case where the electric resistance of the wiring is reduced only by increasing the thickness of the transparent conductive layer. Can be reduced in time required for the formation.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係る液晶装置の一実施形態を分解状態
で示す斜視図である。
FIG. 1 is a perspective view showing an embodiment of a liquid crystal device according to the present invention in an exploded state.

【図2】図1に示す液晶装置の断面構造を分解状態で示
す断面図である。
FIG. 2 is a sectional view showing a sectional structure of the liquid crystal device shown in FIG. 1 in an exploded state.

【図3】図1に示す液晶装置を構成する一方のパネル基
板を示す平面図である。
FIG. 3 is a plan view showing one panel substrate constituting the liquid crystal device shown in FIG.

【図4】図1に示す液晶装置を構成する他方のパネル基
板を示す平面図である。
FIG. 4 is a plan view showing another panel substrate constituting the liquid crystal device shown in FIG.

【図5】図4に示すパネル基板における1本の表示用電
極と配線とを拡大して示す平面図である。
5 is an enlarged plan view showing one display electrode and wiring on the panel substrate shown in FIG. 4;

【図6】(A)は図5のF−F線に従って配線の断面構
造を示す断面図であり、(B)は図5のG−G線に従っ
て表示用電極の断面構造を示す断面図である。
6A is a cross-sectional view illustrating a cross-sectional structure of a wiring according to line FF in FIG. 5, and FIG. 6B is a cross-sectional view illustrating a cross-sectional structure of a display electrode along line GG in FIG. is there.

【図7】(A)〜(E)は、パネル基板の製造工程をパ
ネル基板の一部分を例示して示す断面図である。
FIGS. 7A to 7E are cross-sectional views illustrating a manufacturing process of the panel substrate by exemplifying a part of the panel substrate;

【図8】本発明に係る電子機器の実施形態を示す図であ
り、(A)は携帯電話機を示し、(B)は腕時計を示
し、(C)は携帯情報機器を示している。
8A and 8B are diagrams showing an embodiment of an electronic device according to the present invention, wherein FIG. 8A shows a mobile phone, FIG. 8B shows a wristwatch, and FIG. 8C shows a mobile information device.

【図9】図4に示すパネル基板における1本の表示用電
極と配線の改変例を拡大して示す平面図である。
9 is an enlarged plan view showing a modification of one display electrode and wiring on the panel substrate shown in FIG. 4;

【図10】図9のG−G線に従って表示用電極の断面構
造を示す断面図である。
FIG. 10 is a cross-sectional view showing a cross-sectional structure of the display electrode according to line GG of FIG. 9;

【図11】電子機器の電気制御系の一例を示すブロック
図である。
FIG. 11 is a block diagram illustrating an example of an electric control system of the electronic device.

【図12】本発明に係る液晶装置の他の実施形態の主要
部を分解状態で示す斜視図である。
FIG. 12 is an exploded perspective view showing a main part of another embodiment of the liquid crystal device according to the present invention.

【図13】図12の液晶装置の主要部の断面構造を示す
断面図である。
13 is a cross-sectional view illustrating a cross-sectional structure of a main part of the liquid crystal device of FIG.

【図14】図12の液晶装置で用いられる1つのTFD
を示す斜視図である。
FIG. 14 shows one TFD used in the liquid crystal device of FIG.
FIG.

【図15】図12の液晶装置の外観形状を示す斜視図で
ある。
15 is a perspective view showing an external shape of the liquid crystal device of FIG.

【図16】図12の液晶装置を構成する表示装置用基板
の一方を示す平面図である。
FIG. 16 is a plan view illustrating one of the display device substrates included in the liquid crystal device of FIG.

【図17】本発明に係る液晶装置のさらに他の実施形態
の回路構造を示す回路図である。
FIG. 17 is a circuit diagram showing a circuit structure of still another embodiment of the liquid crystal device according to the present invention.

【図18】図17に示す液晶装置の主要部の断面構造を
示す断面図である。
18 is a cross-sectional view illustrating a cross-sectional structure of a main part of the liquid crystal device illustrated in FIG.

【図19】図17に示す液晶装置の外観形状を示す平面
図である。
19 is a plan view showing an external shape of the liquid crystal device shown in FIG.

【図20】図17に示す液晶装置の駆動方法である1H
コモン振り駆動法を実現する駆動波形を示す図である。
FIG. 20 illustrates a method 1H for driving the liquid crystal device illustrated in FIG.
FIG. 6 is a diagram illustrating a driving waveform for realizing the common swing driving method.

【図21】TFT方式のアクティブマトリクス型液晶装
置の一般的な駆動方法であるフィールド反転駆動法を実
現する駆動波形を示す図である。
FIG. 21 is a diagram showing driving waveforms for realizing a field inversion driving method which is a general driving method of a TFT type active matrix liquid crystal device.

【図22】しきい値電圧のシフト量と動作時間との関係
を確認するために行った測定の結果を示すグラフであ
る。
FIG. 22 is a graph showing the results of measurements performed to confirm the relationship between the shift amount of the threshold voltage and the operation time.

【符号の説明】 1 液晶装置 2a,2b 基板(表示装置用基板) 3 シール材 6a,6b 基板 10 液晶装置 14 液晶パネル 20,30,80 パネル基板(表示装置用基板) 21,31 基板 22,32,82 表示用電極 24,34,36 配線 63 表示用電極 70 透明導電層 72 金属層 74 第1フォトレジスト膜 76 第2フォトレジスト膜 82 表示用電極 84 スリット 88 携帯電話機(電子機器) 92 腕時計(電子機器) 96 携帯情報機器(電子機器) L 液晶DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Liquid crystal device 2a, 2b substrate (display device substrate) 3 Sealing material 6a, 6b substrate 10 liquid crystal device 14 liquid crystal panel 20, 30, 80 panel substrate (display device substrate) 21, 31 substrate 22, 32, 82 Display electrode 24, 34, 36 Wiring 63 Display electrode 70 Transparent conductive layer 72 Metal layer 74 First photoresist film 76 Second photoresist film 82 Display electrode 84 Slit 88 Cellular phone (electronic device) 92 Watch (Electronic equipment) 96 Portable information equipment (Electronic equipment) L LCD

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 21/3205 H01L 49/02 49/02 21/88 A ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H01L 21/3205 H01L 49/02 49/02 21/88 A

Claims (14)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 複数の表示用電極と、前記複数の表示用
電極に電圧を印加するための複数の配線とを備える表示
装置用基板において、 前記配線は、前記表示用電極と同一層の透明な導電層か
ら成る透明導電層と、前記透明導電層より低抵抗の金属
から成る金属層との積層構造を有することを特徴とする
表示装置用基板。
1. A display device substrate comprising: a plurality of display electrodes; and a plurality of wirings for applying a voltage to the plurality of display electrodes, wherein the wirings are formed of a transparent layer of the same layer as the display electrodes. A display device substrate, having a laminated structure of a transparent conductive layer made of a transparent conductive layer and a metal layer made of a metal having a lower resistance than the transparent conductive layer.
【請求項2】 請求項1において、 前記表示用電極は、透明な導電層から成る透明導電層
と、前記透明導電層より低抵抗の金属から成る金属層と
の積層構造を有することを特徴とする表示装置用基板。
2. The display electrode according to claim 1, wherein the display electrode has a laminated structure of a transparent conductive layer made of a transparent conductive layer and a metal layer made of a metal having a lower resistance than the transparent conductive layer. Display device substrate.
【請求項3】 請求項2において、 前記表示用電極における前記金属層は、前記透明導電層
の幅に比べて幅が狭いことを特徴とする表示装置用基
板。
3. The display device substrate according to claim 2, wherein a width of the metal layer in the display electrode is smaller than a width of the transparent conductive layer.
【請求項4】 請求項1又は請求項2において、 前記表示用電極は、前記透明導電層と前記金属層との積
層構造を有し、該積層構造の部分において前記金属層が
部分的に開口を有することを特徴とする表示装置用基
板。
4. The display electrode according to claim 1, wherein the display electrode has a laminated structure of the transparent conductive layer and the metal layer, and the metal layer is partially opened in a part of the laminated structure. A substrate for a display device, comprising:
【請求項5】 請求項1から請求項4のいずれかにおい
て、 前記配線は、前記表示用電極の端部から前記基板の周縁
に沿って引き回される配線であることを特徴とする表示
装置用基板。
5. The display device according to claim 1, wherein the wiring is a wiring drawn from an end of the display electrode along a periphery of the substrate. Substrate.
【請求項6】 一対の基板間に液晶を挟持して成る液晶
装置であって、 請求項1から請求項5のいずれかに記載の表示装置用基
板を、前記一対の基板の少なくとも一方に用いて成るこ
とを特徴とする液晶装置。
6. A liquid crystal device having a liquid crystal sandwiched between a pair of substrates, wherein the display device substrate according to claim 1 is used for at least one of the pair of substrates. A liquid crystal device characterized by comprising:
【請求項7】 請求項4に記載の表示装置用基板と、こ
れに対向する対向基板との間に液晶層を挟持して成り、
前記金属層の開口部を光透過部として用いた透過型表示
機能と前記金属層の部分を光反射部として用いた反射型
表示機能とを有することを特徴とする液晶装置。
7. A liquid crystal layer sandwiched between the display device substrate according to claim 4 and an opposing substrate opposed thereto,
A liquid crystal device having a transmission type display function using an opening of the metal layer as a light transmission part and a reflection type display function using a part of the metal layer as a light reflection part.
【請求項8】 請求項6又は請求項7に記載の液晶装置
を表示手段として有することを特徴とする電子機器。
8. An electronic apparatus comprising the liquid crystal device according to claim 6 as display means.
【請求項9】 請求項1から請求項5のいずれかに記載
の表示装置用基板の製造方法であって、 前記透明導電層を前記基板上に形成する透明導電層形成
工程と、 前記透明導電層上に金属層を積層する金属層積層工程
と、 前記透明導電層及び前記金属層を同時にエッチングする
エッチング工程とを有することを特徴とする表示装置用
基板の製造方法。
9. The method of manufacturing a display device substrate according to claim 1, wherein the transparent conductive layer is formed on the substrate, and the transparent conductive layer is formed on the substrate. A method for manufacturing a display device substrate, comprising: a metal layer laminating step of laminating a metal layer on a layer; and an etching step of simultaneously etching the transparent conductive layer and the metal layer.
【請求項10】 請求項1から請求項5のいずれかに記
載の表示装置用基板の製造方法であって、 前記透明導電層を前記基板上に形成する透明導電層形成
工程と、 前記透明導電層上に金属層を積層する金属層積層工程
と、 第1フォトレジスト膜を用いて、前記透明導電層及び前
記金属層を同時にエッチングしてパターニングする第1
エッチング工程と、 前記第1フォトレジスト膜の露光及び現像を行って所定
パターンの第2フォトレジスト膜を形成し、該第2フォ
トレジスト膜を用いて、前記金属層のみをエッチングし
てパターニングする第2エッチング工程とを有すること
を特徴とする表示装置用基板の製造方法。
10. The method of manufacturing a display device substrate according to claim 1, wherein the transparent conductive layer is formed on the substrate, and the transparent conductive layer is formed on the substrate. A metal layer laminating step of laminating a metal layer on a layer; and a first patterning step of simultaneously etching and patterning the transparent conductive layer and the metal layer using a first photoresist film.
An etching step, forming a second photoresist film having a predetermined pattern by performing exposure and development of the first photoresist film, and etching and patterning only the metal layer using the second photoresist film. 2. A method for manufacturing a display device substrate, comprising: two etching steps.
【請求項11】 請求項10において、 前記表示用電極における前記金属層は、前記第2エッチ
ング工程によって前記透明導電層の端部上のみに残され
るようにエッチングされることを特徴とする表示装置用
基板の製造方法。
11. The display device according to claim 10, wherein the metal layer in the display electrode is etched by the second etching step so as to be left only on an end of the transparent conductive layer. Method of manufacturing substrates.
【請求項12】 請求項10において、 前記表示用電極における前記金属層は、前記第2エッチ
ング工程によって前記透明導電層上に開口部を有するよ
うにエッチングされることを特徴とする表示装置用基板
の製造方法。
12. The display device substrate according to claim 10, wherein the metal layer in the display electrode is etched so as to have an opening on the transparent conductive layer by the second etching step. Manufacturing method.
【請求項13】 一対の表示装置用基板間に液晶を挟持
して成る液晶装置であって、 一方の表示装置用基板は、複数の画素電極と、該画素電
極の個々に付属して形成された複数の2端子型スイッチ
ング素子とを有し、 他方の表示装置用基板は、前記複数の画素電極に対向し
てストライプ状に配列される複数の表示用電極と、該表
示用電極につながる配線とを有し、 前記複数の表示用電極は透明な導電層を含み、 前記配線は、前記表示用電極と同一層の透明な導電層か
ら成る透明導電層と、前記透明導電層より低抵抗の金属
から成る金属層との積層構造を有することを特徴とする
液晶装置。
13. A liquid crystal device in which liquid crystal is sandwiched between a pair of display device substrates, wherein one of the display device substrates is formed with a plurality of pixel electrodes and each of the pixel electrodes. The other display device substrate includes a plurality of display electrodes arranged in a stripe shape facing the plurality of pixel electrodes, and a wiring connected to the display electrodes. The plurality of display electrodes include a transparent conductive layer, the wiring is a transparent conductive layer made of the same transparent conductive layer as the display electrode, and a lower resistance than the transparent conductive layer A liquid crystal device having a laminated structure with a metal layer made of metal.
【請求項14】 一対の表示装置用基板間に液晶を挟持
して成る液晶装置であって、 一方の表示装置用基板は、複数の画素電極と、該画素電
極の個々に付属して形成された複数の3端子型スイッチ
ング素子とを有し、 他方の表示装置用基板は、前記複数の画素電極に対向し
てストライプ状に配列される複数の表示用電極と、該表
示用電極につながる配線とを有し、 前記複数の表示用電極は透明な導電層を含み、 前記配線は、前記表示用電極と同一層の透明な導電層か
ら成る透明導電層と、前記透明導電層より低抵抗の金属
から成る金属層との積層構造を有することを特徴とする
液晶装置。
14. A liquid crystal device in which liquid crystal is sandwiched between a pair of display device substrates, wherein one of the display device substrates is formed with a plurality of pixel electrodes and each of the pixel electrodes. The other display device substrate includes a plurality of display electrodes arranged in a stripe shape facing the plurality of pixel electrodes, and a wiring connected to the display electrodes. The plurality of display electrodes include a transparent conductive layer, the wiring is a transparent conductive layer made of the same transparent conductive layer as the display electrode, and a lower resistance than the transparent conductive layer A liquid crystal device having a laminated structure with a metal layer made of metal.
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